JP2008243295A - 熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ハードディスク装置及び熱アシスト磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】高周波の記録周波数に対応可能な熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、並びにハードディスク装置、及び、そのような熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記録媒体に対向する媒体対向面Ｓと、媒体対向面Ｓ内に光出射面３５３を有する平面導波路のコア３５と、光出射面３５３に設けられた近接場光発生部３６と、出射光が平面導波路のコア３５の光入射面３５４に到達するように設けられた発光素子４０と、平面導波路のコア３５のトラック幅方向に交差する側面に隣接する主磁極３４０aを有する磁気記録素子とを備えることを特徴とする。
【選択図】図６

Description

本発明は、熱アシスト磁気記録方式により信号の書き込みを行う熱アシスト磁気ヘッド、この熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、ＨＧＡを備えたハードディスク装置、及び熱アシスト磁気ヘッドの製造方法に関する。

ハードディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、磁気抵抗（ＭＲ）効果素子等の磁気検出素子と電磁コイル素子等の磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられており、これらの素子によって磁気記録媒体である磁気ディスクにデータ信号が読み書きされる。

一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。

磁化の熱安定性の目安は、Ｋ_ＵＶ／ｋ_ＢＴで与えられる。ここで、Ｋ_Ｕは磁性微粒子の磁気異方性エネルギー、Ｖは１つの磁性微粒子の体積、ｋ_Ｂはボルツマン定数、Ｔは絶対温度である。磁性微粒子を小さくするということは、まさにＶを小さくすることであり、そのままではＫ_ＵＶ／ｋ_ＢＴが小さくなって熱安定性が損なわれる。この問題への対策として、同時にＫ_Ｕを大きくすることが考えられるが、このＫ_Ｕの増加は、記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、磁気ヘッドによる書き込み磁界強度は、ヘッド内の磁極を構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、保磁力が、この書き込み磁界強度の限界から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。

このような磁化の熱安定性の問題を解決する方法として、Ｋ_Ｕの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この方式は、磁気ドミネント記録方式と光ドミネント記録方式とに大別される。磁気ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は電磁コイル素子であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）に比べて大きくなっている。一方、光ドミネント記録方式においては、書き込みの主体は光放射部であり、光の放射径はトラック幅（記録幅）とほぼ同じとなっている。すなわち、磁気ドミネント記録方式は、空間分解能を磁界に持たせているのに対し、光ドミネント記録方式は、空間分解能を光に持たせている。

このような熱アシスト磁気ヘッドとして、特許文献１には、電磁コイル素子に対して、磁気ヘッドの積層方向（ビット長方向）に近接した位置に光導波路を設けた熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。この構成においては、発光素子の出射光を光導波路内に導入し、媒体対向面内にある光導波路の光出射面から出射させて、磁気記録媒体を局所的に加熱する。続いて、局所的に加熱され保磁力が低下している磁気記録媒体の局所領域に対して、電磁コイル素子によって書き込み磁界を印加して書き込みを行う。

また、非特許文献１には、水晶のスライダ上に形成されたU字型の近接場光発生部を利用した熱アシスト磁気ヘッドが開示されている。この構成においては、近接場光発生部のU字型形状の湾曲部にレーザ光を照射して近接場光を発生させ、磁気記録媒体を局所的に加熱し、続いて、近接場光発生部に電流を流し、その湾曲部から発生する誘導磁界によって書き込みを行っている。
特開２００５−１９０６５５号公報 IEEE Trans. Magn. Vol.41, p.2817 (2005)

しかしながら、上記特許文献１に記載の熱アシスト磁気ヘッドでは、高周波の記録周波数に対応することができず、高転送速度のハードディスク装置を実現することができないという問題点がある。

即ち、上記特許文献１に使用される光導波路は、高屈折領域であるコアと低屈折率領域であるクラッドを磁気ディスクの積層方向に積層したものであり、コアをクラッドによって包み込んだ構成となっている。そして、コアとクラッドは、光導波路としての機能を果たすためには、その積層方向の厚さを、導入する光の波長よりも厚く形成する必要がある。例えば、光源として青色レーザを用いた場合には、コア及びクラッドは、それぞれ少なくとも４００ｎｍ以上の厚さとする必要がある。

従って、上記特許文献１に記載の熱アシスト磁気ヘッドでは、光導波路の出射面と電磁コイル間のビット長方向の距離が長く（例えば、４００ｎｍ以上）となってしまい、磁気記録媒体を加熱してから記録磁界を印加するまでには、ある程度の時間が必要となる。そのため、磁気記録媒体を光照射によって加熱した後、その高温状態をある程度の時間保持する必要がある。その時間を見積もると、磁気記録媒体が５４００ｒｐｍで回転し、磁気記録媒体の中心から２０ｍｍ離れた部分の上方に磁気ヘッドが浮上している場合、磁気ヘッドと磁気記録媒体の相対位置が４００ｎｍ移動するのに要する時間は、約３５n秒となる。ところが、例えば１ＧＨｚの記録周波数では、１ビット当たり１ｎ秒程度で磁気記録を行う必要があるため、上述のように３５n秒もの時間にわたって磁気記録媒体の高温状態を保持する必要のある磁気ヘッドでは、高周波の記録周波数に対応することは困難である。

この問題点を解消するためには、光照射部（媒体加熱部）と記録磁界印加部の位置が略一致した構造の磁気ヘッドとすればよい。その点、上記非特許文献１に記載の熱アシスト磁気ヘッドの構成が考えられるが、この構成の場合、記録磁界の発生強度が不十分という問題点がある。

即ち、熱アシスト磁気記録においては、磁気記録媒体の記録領域を、その保磁力が０になる程度まで加熱してしまうと、磁気記録媒体上の保護膜や潤滑材が熱分解等してしまう虞がある。そのような事態を防止するため、熱アシスト磁気記録時には、磁気記録媒体の記録領域を、その保磁力が０になるまで加熱するのではなく、その保磁力をある程度低下させるように加熱した後に、記録磁界を印加する必要がある。そのためには、印加される記録磁界には十分な強度が必要であるが、非特許文献１に記載の熱アシスト磁気ヘッドは、誘導された磁束を集中させる役割を果たす磁極を備えていないため、十分な強度の磁界を磁気記録媒体に印加することができない。その上、非特許文献１に記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいては、磁気ヘッドの積層面と媒体対向面が一致した構造となっており、従来の磁気ヘッドの構成とは異なっている。そのため、磁気検出素子と磁気記録素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドを従来の製造方法によって製造することができず、十分な性能を備えた熱アシスト磁気ヘッドを得ることが困難である。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、高周波の記録周波数に対応可能な熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、並びにハードディスク装置、及び、そのような熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面内に光出射面を有する平面導波路のコアと、光出射面に設けられた近接場光発生部と、出射光が平面導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する側面に隣接する主磁極を有する磁気記録素子とを備えることを特徴とする。

また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、平面導波路のコアを形成する工程と、磁気記録素子の主磁極を、コアのトラック幅方向に交差する側面に隣接するように形成する工程と、コアの光出射面となる部分に近接場光発生部を形成する工程とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、発光素子の出射光を光入射面から平面導波路のコアに入射させ、光出射面に設けられた近接場光発生部に照射することにより、発光素子の出射光と比較して、より高強度の近接場光を発生させることができる。その近接場光は媒体対向面内の光出射面から出射され、磁気記録媒体の記録領域を加熱する。磁気記録媒体が加熱されると、記録領域の保磁力が低下するため、磁気記録素子への通電によって発生した磁界を記録領域に印加することにより、容易に書き込みを行うことができる。

さらに本発明においては、磁気ヘッドの媒体加熱部である近接場光発生部と、記録磁界印加部である磁気記録素子の主磁極のうち少なくとも一部は、媒体対向面側から見てトラック幅方向に並ぶように隣接して配置されている。そのため、磁気記録媒体の加熱と、その加熱した記録領域への書き込み磁界の印加を、略同時に行うことができる。これにより、磁気記録媒体の記録領域の高温状態を長時間保持する必要がなくなるため、記録周波数を非常に高くすることが可能となる。

また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドは、磁気記録媒体に対向する媒体対向面と、媒体対向面内に光出射面を有する平面導波路のコアと、出射光が前記平面導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する側面にのみ隣接する主磁極を有する磁気記録素子とを備えることを特徴とする。

また、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、平面導波路のコアを形成する工程と、磁気記録素子の主磁極を、コアのトラック幅方向に交差する側面にのみ隣接するように形成する工程とを備えることを特徴とする。

本発明によれば、発光素子の出射光を光入射面から平面導波路のコアに入射させた光は媒体対向面内の光出射面から出射され、磁気記録媒体の記録領域を加熱する。磁気記録媒体が加熱されると、記録領域の保磁力が低下するため、磁気記録素子への通電によって発生した磁界を記録領域に印加することにより、容易に書き込みを行うことができる。

さらに本発明においては、磁気ヘッドの媒体加熱部である光出射面と、記録磁界印加部である磁気記録素子の主磁極とは、媒体対向面側から見てトラック幅方向にのみ並ぶように隣接して配置されている。そのため、磁気記録媒体の加熱と、その加熱した記録領域への書き込み磁界の印加を、略同時に行うことができる。これにより、磁気記録媒体の記録領域の高温状態を長時間保持する必要がなくなるため、記録周波数を非常に高くすることが可能となる。

さらに、光出射面に近接場光発生部が設けられていることが好ましい。これにより、平面導波路のコアに入射させた光と比較して、より高強度の近接場光を発生させて光出射面から出射することができるため、磁気記録媒体の記録領域を十分に加熱することができる。

さらに、磁気記録素子の主磁極は、平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する両側面に隣接していることが好ましい。これにより、平面導波路のコアを挟むようにして設けられた主磁極からそれぞれ記録磁界が発生し、これらが重ね合わされた磁界が記録磁界となるため、十分な強度の記録磁界を記録媒体に印加することができる。

さらに、トラック幅方向における主磁極の先端の離間距離は、発光素子の出射光が光出射面から出射される際の波長の０．２３〜０．９２倍であることが好ましい。これにより、主磁極間の距離が十分に大きくなるため、その間の光出射面から出射する光の強度を十分に大きくすることができ、磁気記録媒体の記録領域を十分に加熱することができる。また、主磁極間の距離が十分に小さいため、それぞれの主磁極から発生した磁界を重ね合わせた記録磁界の大きさを十分に大きくすることができ、磁気記録媒体の記録領域に対して十分な大きさの記録磁界を印加することができる。

さらに、主磁極の先端から磁気記録媒体までの最短距離は、光出射面から磁気記録媒体までの最短距離よりも大きいことが好ましい。これにより、平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する両側面に隣接している主磁極の先端は、媒体対向面よりも磁気ヘッドの内側に位置することになる。そのため、平面導波路のコア直下の記録磁界の強度と比較した場合の、両主磁極直下の記録磁界の相対強度を十分に低下させることができる。その結果、熱アシスト磁気記録を行う際のサイドイレーズ等の不具合の発生を十分に防止することができる。

本発明に係るＨＧＡは、上述の熱アシスト磁気ヘッドと、熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションとを備えることが好ましく、本発明に係るハードディスク装置は、上記ＨＧＡと、媒体対向面に対向する磁気記録媒体とを備えることが好ましい。これにより、高周波の記録周波数に対応した熱アシスト磁気記録を行うハードディスク装置が得られる。

本発明によれば、高周波の記録周波数に対応可能な熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、並びにハードディスク装置、及び、そのような熱アシスト磁気ヘッドの製造方法が提供される。

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
（ハードディスク装置）

図１は、実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。

ハードディスク装置１は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気記録媒体である磁気ディスク（磁気記録媒体）１０、熱アシスト磁気ヘッド２１をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置１２、この熱アシスト磁気ヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに後に詳述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードを制御するための記録再生及び発光制御回路（制御回路）１３を備えている。

アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これらの駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして揺動可能であり、この軸１６に沿った方向に積層されている。各駆動アーム１４の先端部には、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、熱アシスト磁気ヘッド２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスク１０の表面に対向する面が熱アシスト磁気ヘッド２１の媒体対向面Ｓ（エアベアリング面とも呼ばれる）である。なお、磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び熱アシスト磁気ヘッド２１は、単数であってもよい。
（ＨＧＡ）

図２は、ＨＧＡ１７の斜視図である。同図は、ＨＧＡ１７の媒体対向面Ｓを上にして示してある。

ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、熱アシスト磁気ヘッド２１を固着し、さらにその熱アシスト磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２０３の一端を電気的に接続して構成される。サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２０１と、フレックシャの先端に板ばね状に形成されたタング部２０４と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とから主として構成されている。

なお、ＨＧＡ１７におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
（熱アシスト磁気ヘッド）

図３は、図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。

配線部材２０３は、記録信号用の一対の電極パッド２３７、２３７、読出信号用の一対の電極パッド２３８、２３８、光源駆動用の一対の電極パッド２４７、２４８に接続されている。

熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と、光源支持基板２３０及び熱アシスト磁気記録用の光源となるレーザダイオード（発光素子）４０を備えた光源ユニット２３とが、スライダ基板２２０の背面（第１面）２２０１及び光源支持基板２３０の接着面（第２面）２３００を接面させて接着、固定された構成を有している。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ２２の媒体対向面Ｓとは反対側の面である。また、光源支持基板２３０の底面２３０１がフレクシャ２０１のタング部２０４に、例えば、エポキシ樹脂等の接着剤により接着されている。

スライダ２２は、スライダ基板２２０及びデータ信号の書き込み及び読み出しを行う磁気ヘッド部３２を備えている。

スライダ基板２２０は、板状を呈し、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面Ｓを有する。スライダ基板２２０は導電性のアルティック（Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ）等から形成されている。

磁気ヘッド部３２は、スライダ基板２２０の媒体対向面Ｓに対して略垂直な側面である集積面２２０２に形成されている。磁気ヘッド部３２は、磁気情報を検出する磁気検出素子としてのＭＲ効果素子３３、磁界の生成により磁気情報を書き込む垂直（面内でも良い）磁気記録素子としての電磁コイル素子３４、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の間を通して設けられている平面導波路のコア３５、磁気ディスクの記録層部分を加熱するための近接場光を発生させる近接場光発生部（プラズモン・プローブ）３６、及び、これらＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、コア３５及び近接場光発生部３６を覆うように集積面２２０２上に形成された絶縁層（クラッド）３８とを備えている。

更に、磁気ヘッド部３２は、絶縁層３８の露出面上に形成され、ＭＲ効果素子３３の入出力端子にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７１、３７１、電磁コイル素子３４の両端にそれぞれ接続された一対の信号端子用の電極パッド３７３、３７３、及び、スライダ基板２２０と電気的に接続されたグランド用の電極パッド３７５を備えている。ビアホール３７５ａを介して、スライダ基板２２０と電気的に接続された電極パッド３７５は、フレクシャ２０１の電極パッド２４７と、ボンディングワイヤにより接続されており、スライダ基板２２０の電位は電極パッド２４７により、例えばグラウンド電位に制御されている。

ＭＲ効果素子３３、電磁コイル素子３４、及び近接場光発生部３６の各端面は、媒体対向面Ｓ上に露出している。また、レーザダイオード４０の両端は、それぞれ電極パッド４７，４８に接続されている。

図４は、図３に示した熱アシスト磁気ヘッド２１のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。

ＭＲ効果素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、このＭＲ積層体３３２を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含む。下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４は、例えば、フレームめっき法を含むパターンめっき法等によって形成された厚さ０.５〜３μｍ程度のＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ若しくはＦｅＺｒＮ等の磁性材料で構成することができる。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界の影響を受けることを防止する。

ＭＲ積層体３３２は、面内通電型（ＣＩＰ（CurrentIn Plane））巨大磁気抵抗（ＧＭＲ（Giant Magneto Resistance））多層膜、垂直通電型（ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane））ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistance））多層膜等の磁気抵抗効果膜を含み、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。

ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ効果多層膜を含む場合、ＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えば強磁性材料であるＣｏＦｅ等、又はＲｕ等の非磁性金属層を挟んだ２層のＣｏＦｅ等から構成されており反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０.５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有している。

ＭＲ効果素子３３とコア３５との間には、下部シールド層３３０と同様の材料からなる素子間シールド層１４８が形成されている。素子間シールド層１４８は、ＭＲ効果素子３３を、電磁コイル素子３４より発生する磁界から遮断して読み出しの際の外来ノイズを防止する役割を果たす。また、素子間シールド層１４８とコア３５との間に、さらに、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁コイル素子３４から発生してＭＲ効果素子３３の上下部電極層を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み又は消去動作である広域隣接トラック消去（ＷＡＴＥ）現象の抑制を図るものである。

ＭＲ積層体３３２の媒体対向面Ｓとは反対側のシールド層３３０、３３４間、シールド層３３０、３３４、１４８の媒体対向面Ｓとは反対側、下部シールド層３３０とスライダ基板２２０との間、及び、素子間シールド層１４８とコア３５との間にはアルミナ等から形成された絶縁層３８が形成されている。

なお、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０の各々とＭＲ積層体３３２との間に、アルミナ等により形成されたアルミナ等の絶縁用の上下部シールドギャップ層がそれぞれ設けられる。さらに、図示は省略するが、ＭＲ積層体３３２にセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層が形成される。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、上下部シールド層３３４及び３３０はそれぞれ上下部の電極層としても機能する。この場合、上下部シールドギャップ層とＭＲリード導体層とは不要であって省略される。

ＭＲ積層体３３２のトラック幅方向の両側には、磁区の安定化用の縦バイアス磁界を印加するための、ＣｏＴａ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ等の強磁性材料からなるハードバイアス層（図示せず）が形成される。

平面導波路のコア３５は、内部コア３５bと、内部コア３５bを積層方向（図４の左右方向）から挟むように設けられた外部コア３５a、３５cとで構成されている。コア３５は、ＭＲ効果素子３３と電磁コイル素子３４との間に位置していて集積面（ＹＺ平面）２２０２と平行に延びており、磁気ヘッド部３２の媒体体対向面Ｓから、磁気ヘッド部３２の媒体対向面Ｓとは反対側の面３２ａまで延びている。コア３５は、集積面２２０２と平行な２つの上面３５２ａ、下面３５２ｂ、媒体対向面Ｓを形成する光出射面３５３、及び、光出射面３５３とは反対側の光入射面３５４を有している。外部コア３５a、３５cは、内部コア３５bよりも屈折率が小さい材料で形成されており、内部コア３５aに対するクラッドとして機能する。また、コア３５の上面３５２ａ、下面３５２ｂは、外部コア３５a、３５cよりも屈折率が小さくコア３５に対するクラッドとして機能する絶縁層３８と接している。

このコア３５は、レーザダイオード４０の発光面からＺ軸に沿って出射された後に光入射面３５４から入射した光を、上面３５２ａ、下面３５２ｂで反射させつつ、媒体対向面Ｓ側の端面である光出射面３５３に導くことが可能となっている。

コア３５は、何れの部分においても、絶縁層３８を形成する材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、クラッドとしての絶縁層３８が、ＳｉＯ_２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、外部コア３５a、３５cを形成する材料（Ａ）及び内部コア３５bを形成する材料（Ｂ）の組み合せ（Ａ，Ｂ）は、例えば（Ａｌ_２Ｏ_３，ＴａＯ_Ｘ），（Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＯ_Ｘ），（Ａｌ_２Ｏ_３，ＭｇＯ），（Ａｌ_２Ｏ_３，ＨｆＯ_２）とすることができる。また、絶縁層３８が、Ａｌ_２Ｏ_３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、外部コア３５a、３５cを形成する材料（Ａ）及び内部コア３５bを形成する材料（Ｂ）の組み合せ（Ａ，Ｂ）は、例えば（ＭｇＯ，ＨｆＯ_２），（ＨｆＯ_２，ＴａＯ_Ｘ），（ＭｇＯ，ＴａＯ_Ｘ），（ＭｇＯ，ＴｉＯ_Ｘ），（ＴａＯ_Ｘ，ＴｉＯ_Ｘ）とすることができる。コア３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によるだけではなく、界面での全反射条件が整うことによって、レーザ光の伝播損失が小さくなる。なお、外部コア３５a及び外部コア３５cは、内部コア３５bよりも屈折率が小さく、絶縁層３８よりも屈折率が大きければ、それぞれ異なる材料で構成してもよい。また、コア３５は、内部コア３５bのみで構成してもよい。

近接場光発生部３６は、コア３５の光出射面３５３のほぼ中央に配置されている板状部材である。近接場光発生部３６は、その端面が媒体対向面Ｓに露出するように導波路３５の光出射面３５３に埋設されている。そして、レーザダイオード４０からの光が近接場光発生部３６に照射されることで近接場光が発生する。近接場光発生部３６に光を照射すると、近接場光発生部３６を構成する金属内の電子がプラズマ振動し、その先端部において電界の集中が生じる。この近接場光の拡がりは、近接場光発生部の先端部の半径程度となるため、この先端部の半径をトラック幅以下とすれば、擬似的に出射光が回折限界以下にまで絞り込まれた効果を奏する。

電磁コイル素子３４は、垂直磁気記録用が好ましく、図４に示すように、主磁極層３４０、ギャップ層３４１ａ、コイル絶縁層３４１ｂ、コイル層３４２、及び補助磁極層３４４を備えている。主磁極層３４０は、コイル層３４２によって誘導された磁束を、書き込みがなされる磁気ディスク（媒体）の記録層まで収束させながら導くための導磁路であり、コイル層３４２の螺旋中心から媒体対向面Ｓの方向に向かって延びている。コイル層３４２に通電を行うと、主磁極層３４０を介して磁界が主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の先端まで導かれ、その先端から書き込み磁界を発生させることができる。

主磁極層３４０に磁気的に結合した補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓ側の端部は、補助磁極層３４４の他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部を形成している。補助磁極層３４４は、主磁極層３４０の媒体対向面Ｓ側の端部とアルミナ等の絶縁材料により形成されたギャップ層（クラッド）３４１ａ，コイル絶縁層３４１ｂを介して略対向している。このような補助磁極層３４４を設けることによって、媒体対向面Ｓ近傍における補助磁極層３４４と主磁極層３４０との間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。

補助磁極層３４４は、例えば、厚さ約０.５〜約５μｍの、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されている。

ギャップ層３４１ａは、コイル層３４２と主磁極層３４０とを離間しており、例えば、厚さ約０.０１〜約０.５μｍの、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法等を用いて形成されたＡｌ_２Ｏ_３又はＤＬＣ等から構成されている。

コイル層３４２は、例えば、厚さ約０.５〜約３μｍの、例えばフレームめっき法等を用いて形成されたＣｕ等から構成されている。主磁極層３４０の後端と補助磁極層３４４の媒体対向面Ｓから離れた部分とが結合され、コイル層３４２はこの結合部分を取り囲むように形成されている。

コイル絶縁層３４１ｂは、コイル層３４２と、補助磁極層３４４とを離間し、例えば、厚さ約０.１〜約５μｍの熱硬化されたアルミナやレジスト層等の電気絶縁材料から構成されている。

次に、図５〜７を参照して、本実施形態における主磁極層３４０及びコア３５の構成について詳細に説明する。

図５は、図４の断面図における主磁極層３４０付近の拡大図である。また、図６は、図５のVI-VI線断面図である。また、図７の（ａ）は、主磁極層３４０の先端領域３４０aとコア３５の斜視図であり、図７の（ｂ）は、主磁極層３４０とコア３５の斜視図である。

これらの図に示すように、コア３５の媒体対向面Ｓ側の先端部は、トラック幅方向の幅が媒体対向面Ｓに近づくにつれて小さくなっており、先細り形状をなしている。コア３５の内部コア３５bの媒体対向面Ｓ側の端部には、近接場光発生部３６が埋設されている。

また、主磁極層３４０は、媒体対向面Ｓに露出し、コア３５のＹ軸方向（トラック幅方向）と交差する側面（（＊）ＸＺ面及びＸＺ面をＸ軸周りに９０度よりも小さい角度で回転させた面：但し、両側面間のＹ軸方向距離はＺ軸に沿って先細りとなる条件を満たしている）に隣接する２つの主磁極先端領域３４０aと、媒体対向面Ｓに露出せず、コア３５の上面３５２ａに隣接する主磁極基端領域３４０cと、主磁極先端領域３４０aと主磁極基端領域３４０cを連結する主磁極連結領域３４０bとから構成されている。これらの各領域は磁気的に結合しているため、コイル層３４２（図４参照）によって誘導された磁束は、主磁極基端領域３４０c、主磁極連結領域３４０b及び主磁極先端領域３４０aの順に導かれ、主磁極先端領域３４０aの媒体対向面Ｓ側の先端から書き込み磁界が発生することとなる。

主磁極層３４０は、全体としては図７の（ｂ）に示すように、クワガタのはさみに似た形状をしており、そのはさみ形状部でコア３５の媒体対向面Ｓ側の先端部を挟んでいる。

なお、主磁極先端領域３４０aは、その数を１つのみとし、コア３５のトラック幅方向と交差する側面（上記（＊））のうちのいずれか一方と隣接する構成としてもよい。また、図６に示すように、主磁極先端領域３４０aは、トラック幅方向と交差する側面（上記（＊））のうち内部コア３５b側の側面の全体でコア３５に隣接しているが、このような構成に限られず、例えば、主磁極先端領域３４０aとコア３５との間の一部に、コア３５に対するクラッドとしての役割の層を設けてもよい。さらに、主磁極先端領域３４０aは、コア３５のトラック幅方向と交差する側面以外の面とさらに隣接していてもよい。また、主磁極基端領域３４０cは、コア３５を隣接している必要は無く、主磁極基端領域３４０cとコア３５との間に、コア３５のクラッドとしての役割の層を設けてもよい。また、主磁極連結領域３４０bは、主磁極基端領域３４０ｃのどの部分と接触していてもよく、例えば、主磁極基端領域３４０cのコア３５側の面と接触していてもよい。

図８は、熱アシスト磁気ヘッド２１の回路図である。

配線部材２０３を構成する配線の１つは、電極パッド２４７及び電極パッド４７を介してレーザダイオード４０のカソードに電気的に接続されており、別の配線は電極パッド２４８及び電極パッド４８を介してレーザダイオード４０のアノードに電気的に接続されている。電極パッド２４７，２４８間に駆動電流を供給するとレーザダイオード４０が発光する。この光は、平面導波路のコア３５及び媒体対向面Ｓ（図４参照）を介して磁気記録媒体の記録領域に照射される。

配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３７、ボンディングワイヤＢＷ及び電極パッド３７１を介して電磁コイル素子３４の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド２３７間に電圧を印加すると、磁気記録素子としての電磁コイル素子３４に通電が行われ、書き込み磁界が発生する。熱アシスト磁気ヘッド２１では、レーザダイオード４０から出射された光は、平面導波路のコア３５の光入射面３５４に入射して、媒体対向面Ｓに設けられた光出射面３５３から出射し、磁気記録媒体の記録領域に照射される（図４参照）。したがって、媒体対向面に対向する磁気記録媒体の記録領域の温度が上昇し、記録領域の保持力が一時的に低下する。この保持力の低下期間内に電磁コイル素子３４に通電を行い、書き込み磁界を発生させることで、記録領域に情報を書き込むことができる。

配線部材２０３を構成する別の一対の配線は、電極パッド２３８、ボンディングワイヤＢＷ及び電極パッド３７３を介してＭＲ効果素子３３の両端にそれぞれ接続されている。一対の電極パッド２３８に電圧を印加するとＭＲ効果素子３３にセンス電流が流れる。記録領域Ｒに書き込まれた情報は、ＭＲ効果素子３３にセンス電流を流すことで読み出すことができる。

図９は、媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。

２つの主磁極先端領域３４０aは、媒体対向面Ｓ内において、コア３５を構成する内部コア３５b及び外部コア３５a、３５cを、トラック幅方向に挟んでいる。２つの主磁極先端領域３４０aの媒体対向面Ｓ内における離間距離、即ち内部コア３５b及び外部コア３５a、３５cの媒体対向面Ｓ内におけるトラック幅方向の幅Ｗ３５（主磁極先端領域の最小離間距離Ｄ）は、レーザダイオード４０から出射された光が出射面３５３から出射される際の波長の０．２３〜０．９２倍であることが好ましい。例えば、レーザダイオード４０から出射された光が出射面３５３から出射される際の波長が６５０ｎｍの場合、幅Ｗ３５は、１５０〜６００ｎｍであることが好ましい。

２つの主磁極先端領域３４０aのトラック幅方向の幅Ｗ３４０aは、０．２〜２．０μｍとすることができ、トラック幅方向と直角方向の長さＨ３４０aは、０．１μｍ以上とすることができる。なお、トラック幅方向に対する直角方向における主磁極先端領域３４０aの長さＨ３４０aは、図９に示すようにコア３５の長さと同一である必要は無く、異なっていてもよい。

また、主磁極層３４０を構成する主磁極先端領域３４０a、主磁極連結領域３４０b及び主磁極基端領域３４０cは、例えばフレームめっき法、スパッタリング法等を用いて形成されたＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等から構成されていることが好ましい。

以上の熱アシスト磁気ヘッド２１は、媒体対向面Ｓ、媒体対向面Ｓの反対側に位置する第１面２２０１、及び媒体対向面と第１面２２０１との間に位置する側面を有するスライダ基板２２０と、媒体対向面Ｓ側に光出射面３５３を有する平面導波路のコア３５と、光出射面３５３に近接した磁気記録素子３４とを有し、スライダ基板２２０の側面の一つに固定された磁気ヘッド部３２と、第１面２２０１に固定された第２面２３００を有する光源支持基板２３０と、コア３５の光入射面３５４に対向し、光源支持基板２３０に固定された発光素子４０とを備えている（図４参照）。

光源支持基板２３０にはレーザダイオード４０が固定されており、スライダ基板２２０の第１面２２０１は光源支持基板２３０の第２面２３００に固定されているので、スライダ基板２２０とレーザダイオード４０との位置関係が固定される。レーザダイオード４０はコアの光入射面３５４に対向しているので、従来のような長距離の光伝播は行われず、取り付け誤差や光の結合損失を許容して、発光素子の出射光を媒体対向面まで導くことができる。

図１０は、媒体対向面Ｓから見た近接場光発生部３６の斜視図である。

近接場光発生部３６は、媒体対向面Ｓから見て三角形状を呈し、導電材料により形成されている。三角形の底辺３６ｄがスライダ基板２２０の集積面２２０２と平行すなわちトラック幅方向と平行に配置され、底辺と向き合う頂点３６ｃが底辺３６ｄよりも集積面２２０２側とは反対側に配置されている。近接場光発生部３６の好ましい形態は、底辺３６ｄの両端の２つの底角がいずれも同じとされた二等辺三角形である。

近接場光発生部３６の頂点３６ｃの曲率半径ｒは５〜１００ｎｍとすることが好ましい。三角形の高さＨ３６は、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。底辺３６ｄの幅Ｗは、入射されるレーザ光の波長よりも十分に小さく、２０〜４００ｎｍとすることが好ましい。頂点３６ｃの角度βは例えば６０度である。

近接場光発生部３６の厚みＴ３６は１０〜１００ｎｍとすることが好ましい。

このような近接場光発光部３６がコア３５の光出射面３５３に設けられていると、近接場光発光部３６の頂点３６ｃ近傍に電界が集中して頂点３６ｃ近傍から媒体に向かって近接場光が発生する。

近接場光は、入射されるレーザ光の波長及びコア３５の形状にも依存するが、一般に、媒体対向面Ｓから見て近接場光発生部３６の境界で最も強い強度を有する。特に、本実施形態では、近接場光発生部３６に到達する光の電界ベクトルは、レーザダイオード４０の積層方向（Ｘ方向）となる。したがって、頂点３６ｃ近傍にて最も強い近接場光の放射が起こる。すなわち、磁気ディスクの記録層部分を光により加熱する熱アシスト作用において、この頂点３６ｃ近傍と対向する部分が、主要な加熱作用部分となる。

この近接場光の電界強度は、入射光に比べて桁違いに強く、この非常に強力な近接場光が、磁気ディスク表面の対向する局所部分を急速に加熱する。これにより、この局所部分の保磁力が、書き込み磁界による書き込みが可能な大きさまでに低下するので、高密度記録用の高保磁力の磁気ディスクを使用しても、電磁コイル素子３４による書き込みが可能となる。なお、近接場光は、媒体対向面Ｓから磁気ディスクの表面に向かって、１０〜３０ｎｍ程度の深さまで到達する。従って、１０ｎｍ又はそれ以下の浮上量である現状において、近接場光は、十分に記録層部分に到達することができる。また、このように発生する近接場光のトラック幅方向の幅や媒体移動方向の幅は、上述の近接場光の到達深さと同程度であって、また、この近接場光の電界強度は、距離が離れるに従って指数関数的に減衰するので、非常に局所的に磁気ディスクの記録層部分を加熱することができる。

図１１は、近接場光発生部３６への入射光の波長λ（ｎｍ）と近接場光強度Ｉ（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。なお、近接場光発生部３６の長さＨ３６＝１００ｎｍである。

近接場光発生部３６としてＡｌを用いた場合には入射光の波長λ（ｎｍ）が３５０ｎｍ付近に近接場光の強度ピークを有し、Ａｇを用いた場合には５３０ｎｍ付近に強度ピークを有し、Ａｕを用いた場合には６５０ｎｍ付近に強度ピークを有する。近接場光発生部３６の材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕの他、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ又はＩｒを用いることができる。また、近接場光発生部３６の材料として、これらの金属材料のうちのいくつかの組合せからなる合金を採用することもできる。

図１２は、近接場光発生部３６への入射光の波長λ（ｎｍ）と近接場光強度Ｉ（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。なお、近接場光発生部３６の材料はＡｕであり、長さＨ３６は１００ｎｍ、２００ｎｍ、３００ｎｍである。長さＨ３６は２０〜４００ｎｍが好ましいが、短波長の光を入射させた方が、スペクトルの半値幅を狭くなる傾向にあり、入射光波長の揺らぎに対する近接場光強度変動の耐性が高くなる。
（光源ユニット）

次いで、図３及び図４を再び参照して、熱アシスト磁気ヘッド２１の光源ユニット２３の構成要素について説明する。

光源ユニット２３は、光源支持基板２３０、及び、外形形状が板状のレーザダイオード発光素子４０を主として備えている。

光源支持基板２３０はアルティック（Ａｌ_２Ｏ_３−ＴｉＣ）等からなる基板であり、スライダ基板２２０の背面２２０１に接着している接着面２３００を有している。接着面２３００にはアルミナ等の断熱層２３０ａが形成されている。この接着面２３００を底面とした際の一つの側面である素子形成面２３０２上に、アルミナ等の絶縁材料から形成された絶縁層４１が設けられており、この絶縁層４１の上に、電極パッド４７、４８が形成され、電極パッド４７上にレーザダイオード４０が固定されている。

電極パッド４７、４８は、絶縁層４１の表面かつ媒体対向面Ｓと交差する面４１１、言い換えると、スライダ基板２２０の集積面２２０２と平行な面４１１上に、レーザ駆動用に形成されている。

電極パッド４７は、図４に示すように、絶縁層４１内に設けられたビアホール４７ａにより光源支持基板２３０と電気的に接続されている。また、電極パッド４７は、レーザダイオード４０駆動時の熱をビアホール４７ａを介して光源支持基板２３０側へ逃がすためのヒートシンクとしても機能する。

電極パッド４７は、図３に示すように、絶縁層４１の面４１１の中央部にトラック幅方向に延びて形成されている。一方、電極パッド４８は、電極パッド４７からトラック幅方向に離間した位置に形成されている。各電極パッド４７、４８は、半田リフローによるフレクシャ２０１との接続のために、さらに、フレクシャ２０１側に向かって延びている。

電極パッド４７、４８は、それぞれ、フレクシャ２０１の電極パッド２４７、２４８とリフロー半田により電気的に接続されており、これにより光源の駆動が可能となっている。また、電極パッド４７は上述のように光源支持基板２３０と電気的に接続されているため、電極パッド２４７により光源支持基板２３０の電位を例えばグラウンド電位に制御することが可能となっている。

電極パッド４７、４８は、例えば、厚さ１０ｎｍ程度のＴａ、Ｔｉ等からなる下地層を介して形成された、厚さ１〜３μｍ程度の、例えば真空蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成されたＡｕ、Ｃｕ等の層から形成することができ。

そして、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の上にＡｕ−Ｓｎ等の導電性の半田材料からなる半田層４２（図４参照）により電気的に接続されている。このとき、レーザダイオード４０は、電極パッド４７の一部のみを覆うように電極パッド４７に対して配置されている。

図１３は、発光素子４０の斜視図である。

発光素子（レーザダイオード）４０は、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造を有していてよく、例えば、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、＊ｎ−ＧａＡｓ電流阻止層４０ｈと、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層４０ｉと、ｐ電極４０ｊとが順次積層された構造を有する。これらの多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射膜５０及び５１が成膜されており、レーザ光が放射される出光端４００には、一方の反射膜５０における活性層４０ｅの位置に開口が設けられている。このような発光素子４０は、膜厚方向に電圧が印加されることにより、出光端４００からレーザ光を出射する。

放射されるレーザ光の波長λＬは、例えば６００〜６５０ｎｍ程度である。ただし、近接場光発生部３６の金属材料に応じた適切な励起波長が存在することに留意しなければならない。例えば、近接場光発生部３６としてＡｕを用いる場合、レーザ光の波長λＬは、６００ｎｍ近傍が好ましい。

発光素子４０の大きさは、上述したように、例えば、幅（Ｗ４０）が２００〜３５０μｍ、長さ（奥行き、Ｌ４０）が２５０〜６００μｍ、厚み（Ｔ４０）が６０〜２００μｍ程度である。ここで、発光素子４０の幅Ｗ４０は、電流阻止層４０ｈの対向端の間隔を下限として、例えば、１００μｍ程度までに小さくすることができる。ただし、発光素子４０の長さは、電流密度と関係する量であり、それほど小さくすることはできない。いずれにしても、発光素子４０に関しては、搭載の際のハンドリングを考慮して、相当の大きさが確保されることが好ましい。

また、この発光素子４０の駆動においては、ハードディスク装置内の電源が使用可能である。実際、ハードディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、発光素子４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、ハードディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。

発光素子４０のｎ電極４０ａが電極パッド４７にＡｕＳｎ等の半田層４２（図４参照）により固定されている。ここで、発光素子４０の出光端（光出射面）４００が図４の下向き（−Ｚ方向）、すなわち出光端４００が接着面２３００と平行になるように発光素子４０が光源支持基板２３０に固定されており、出光端４００はスライダ２２のコア３５の光入射面３５４と対向可能となっている。実際の発光素子４０の固定においては、例えば、電極パッド４７の表面に厚さ０.７〜１μｍ程度のＡｕＳｎ合金の蒸着膜を成膜し、発光素子４０を乗せた後、熱風ブロア下でホットプレート等による２００〜３００℃程度までの加熱を行って固定すればよい。

また、電極パッド４８と、発光素子４０のｐ電極４０ｊと、がボンディングワイヤにより電気的に接続されている。なお、電極パッド４７と接続される電極は、ｎ電極４０ａでなくｐ電極４０ｊでもかまわず、この場合、ｎ電極４０ａが電極パッド４８とボンディングワイヤにより接続される。さらに、発光素子４０の支持基板側を段差状に加工することにより、ボンディングワイヤを用いない電気的な接続構造も可能である。

ここで、上述したＡｕＳｎ合金による半田付けをする場合、光源ユニットを例えば３００℃前後の高温に加熱することになるが、本発明によれば、この光源ユニット２３がスライダ２２とは別に製造されるため、スライダ内の磁気ヘッド部がこの高温の悪影響を受けずに済む。

そして、上述のスライダ２２の背面２２０１と光源ユニット２３の接着面２３００とが、例えば、ＵＶ硬化型接着剤等の接着剤層４４（図４参照）により接着されており、発光素子４０の出光端４００がコア３５の光入射面３５４と対向するように配置されている。

なお、発光素子４０及び電極パッドの構成は、当然に、上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、発光素子４０は、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、発光素子４０と電極との半田付けに、他のろう材を用いて行うことも可能である。さらにまた、発光素子４０を、ユニット基板上に直接、半導体材料をエピタキシャル成長させることによって形成してもよい。

以下、図１４〜図２１を参照し、第1実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。各層の形成にはスパッタ法を用いることができるが、その他、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等を用いることも可能である。また、エッチングには、ＩＢＥ（イオンビームエッチング）、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、希ガスを用いたスパッタリングなどのドライエッチングを用いることができるが、化学エッチング（ウェットエッチング）を用いることも可能である。

図１４（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ矢印断面図である。

まず、クラッドとなる基板としての絶縁層３８上にコア層３５Ａを形成する。コア層３５Ａの光出射面上には、近接場光発生部が形成されている。近接場光発生部の形成方法については後述する。

図１４（ｃ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１４（ｄ）は図１４（ｃ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｄ−ＸＩＶｄ矢印断面図である。

次に、先端部用のコア層３５Ａ上にマスクとしてのホトレジスト７０を塗布し、基端部用のコア層３５Ｂ（図１５（ｄ）参照）の形成予定領域が開口するように露光を行い、ホトレジスト７０を現像処理し、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形成後、ホトレジスト７０の開口内の領域（コア層３５Ａ）を絶縁層３８の表面が露出するまでエッチングする。しかる後、溶剤を用いてホトレジスト７０を剥離する。

図１５（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶｂ−ＸＶｂ矢印断面図である。

ホトレジスト７０の剥離後、基板上に基端部用のコア層３５Ｂを形成する。コア層３５Ｂの材料は基本的にはコア層３５Ａの材料と同一である。コア層３５Ａを複数の層から形成することも可能であり、この場合において、コア層３５Ｂも光伝達が可能であれば、これと同一又は類似の層構造を採用することができ、光透過材料からなる。コア層３５Ｂは、絶縁層（クラッド）３８の露出表面上のみならず、周囲のコア層３５Ａ上にも堆積される。

図１５（ｃ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１５（ｄ）は図１５（ｃ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶｄ−ＸＶｄ矢印断面図である。

コア層３５Ｂの堆積後、基板表面をコア層３５Ａが露出するまで化学機械研磨し、コア層３５Ａ、３５Ｂの被研磨表面が同一平面内に含まれるようにする。換言すれば、コア層３５Ａ、３５Ｂの絶縁層３８からの高さは同一となり、露出平面は平坦化される。

図１６（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩｂ−ＸＶＩｂ矢印断面図、図１６（ｃ）は図１６（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩｃ−ＸＶＩｃ矢印断面図である。

上述の化学機械研磨工程を行った後、コア層３５をフォトリソグラフィによって加工する。すなわち、断面ＸＶＩｃ−ＸＶＩｃ上のコア層３５Ａの中心部分が残留し、断面ＸＶＩｂ上のコア層３５Ｂの中心部分がコア層３５Ａの最大幅と等しい幅で残留するように、ホトレジスト７０を平坦化された露出平面上に形成し、中心部分以外のコア層３５Ａ，３５Ｂを、ホトレジスト７０をマスクとしてエッチングする。すなわち、コア層３５Ｂの長手方向に垂直な幅が狭くなり、コア層３５Ａはコア層３５Ｂの長手方向の一端に連続し、コア層３５Ｂから離れるに従って幅が狭くなるように、ホトレジスト７０が塗布され、続いて、露光及び現像される。

図１６（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１６（ｅ）は図１６（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩｅ−ＸＶＩｅ矢印断面図、図１６（ｆ）は図１６（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩｆ−ＸＶＩｆ矢印断面図である。

上述のホトレジスト７０をマスクとして、コア層３５Ａ、３５Ｂのエッチングが行われる。このエッチングによって、コア層３５Ｂの先端側にコア層３５Ａが連続し、コア層３５Ａは先端に向かうに従って幅が狭くなることになる。エッチングの終了後、ホトレジスト７０が除去される。

図１７（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１７（ｂ）は図１７（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩｂ−ＸＶＩＩｂ矢印断面図、図１７（ｃ）は図１７（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩｃ−ＸＶＩＩｃ矢印断面図である。

次に、主磁極先端領域３４０ａの形成を行う。主磁極先端領域３４０ａは絶縁層３８の厚み方向から見ると、二股に分岐し、分岐した領域間にコア層３５Ａが位置している。一対の主磁極先端領域３４０ａは、コア層３５Ａの先端からコア層３５Ｂに向かう方向に広がっており、Ｕ字形状を呈している。コア層３５Ａの全露出表面領域とコア層３５Ｂの最先端の露出表面領域は、ホトレジスト７０によっては被覆されておらず、また、この領域から二股に延びる絶縁層３８の表面領域もホトレジスト７０によっては被覆されていない。

なお、コア層３５Ａと主磁極先端領域３４０ａとは密着していてもよいが、本例では、これらの間には先端部を除いてクラッド材料が介在しているものとする。上記Ｕ字状の領域が開口するようにホトレジスト７０の塗布、露光及び現像を行い、Ｕ字状の開口を有するレジストパターンを形成する。

図１７（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１７（ｅ）は図１７（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩｅ−ＸＶＩＩｅ矢印断面図、図１７（ｆ）は図１７（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩｆ−ＸＶＩＩｆ矢印断面図である。

Ｕ字状の開口を有する上記レジストパターンをマスクとして、基板全面上に磁性材料を堆積した後、溶剤を用いてホトレジスト７０を溶かすことで、リフトオフを実行し、上記開口内のみに磁性材料が残留してなる主磁極先端領域３４０ａを形成する。なお、磁性材料の堆積にあたってはメッキ法を用いることとし、必要に応じて磁性材料の下地に種層をスパッタ法などで形成しておいてもよい。

図１８（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１８（ｂ）は図１８（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩＩｂ−ＸＶＩＩＩｂ矢印断面図、図１８（ｃ）は図１８（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩＩｃ−ＸＶＩＩＩｃ矢印断面図である。

主磁極先端領域３４０ａの形成後、露出した基板表面全面上に中間クラッド層を構成する絶縁層３８を形成する。なお、中間クラッド層は、下部クラッド層を構成する絶縁層３８と同一材料であり、形成後には下部クラッド層と一体化するため、これらは同一符号を用いることとする。下部クラッド層を構成していた絶縁層３８の露出表面、主磁極先端領域３４０ａの露出表面、コア層３５Ｂの露出表面は全て、中間クラッド層となる絶縁層３８によって被覆される。

図１８（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１８（ｅ）は図１８（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩＩｅ−ＸＶＩＩＩｅ矢印断面図、図１８（ｆ）は図１８（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＶＩＩＩｆ−ＸＶＩＩＩｆ矢印断面図である。

上述の中間クラッド層を形成する絶縁層３８の形成後、この絶縁層３８の露出表面を、主磁極先端領域３４０ａ及びコア層３５Ａ，３５Ｂの表面が露出し、且つ、これらの表面が面一に平坦化するまで化学機械研磨を実行する。

次に、磁極パッドとなる連結領域３４０ｂを形成する。

図１９（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１９（ｂ）は図１９（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｂ−ＸＩＶｂ矢印断面図、図１９（ｃ）は図１９（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｃ−ＸＩＶｃ矢印断面図である。

上述の平坦化された露出表面上にホトレジスト７０を塗布し、このホトレジスト７０を露光及び現像することによって、主磁極先端領域３４０ａの基端部の表面上の領域及び絶縁層３８の一部領域のみが露出する開口を有するレジストパターンを形成する。

図１９（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図１９（ｅ）は図１９（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｅ−ＸＩＶｅ矢印断面図、図１９（ｆ）は図１９（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＩＶｆ−ＸＩＶｆ矢印断面図である。

連結領域形成用の開口を有する上記レジストパターンをマスクとして、基板全面上に磁性材料を堆積した後、溶剤を用いてホトレジスト７０を溶かすことで、リフトオフを実行し、上記開口内のみに磁性材料が残留してなる連結領域（電極パッド）３４０ｂを形成する。なお、磁性材料の堆積にあたってはメッキ法を用いることとし、必要に応じて磁性材料の下地に種層をスパッタ法などで形成しておいてもよい。なお、本例では、連結領域３４０ｂは主磁極先端領域３４０ａの上部に接するように形成することとしたが、これは主磁極先端領域３４０ａの側部に接触するように形成することとしてもよい。

図２０（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２０（ｂ）は図２０（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸｂ−ＸＸｂ矢印断面図、図２０（ｃ）は図２０（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸｃ−ＸＸｃ矢印断面図である。

連結領域３４０ｂの形成後、主磁極先端領域３４０ａの露出表面、コア層３５Ａの露出表面、コア層３５Ｂの露出表面を全て覆うように、上部クラッド層となる絶縁層３８を基板全面上に堆積する。なお、上部クラッド層は、中間クラッド層を構成する絶縁層３８と同一材料であり、形成後には中間クラッド層と一体化するため、これらは同一符号を用いることとする。

図２０（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２０（ｅ）は図２０（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸｅ−ＸＸｅ矢印断面図、図２０（ｆ）は図２０（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸｆ−ＸＸｆ矢印断面図である。

上部クラッド層となる絶縁層３８の形成後、基板の露出表面を化学機械研磨する。上部クラッド層となる絶縁層３８は、連結領域３４０ｂの表面が露出するまで研磨され、絶縁層３８及び連結領域３４０ｂの露出表面は面一となるように平坦化される。

図２１（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２１（ｂ）は図２１（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩｂ−ＸＸＩｂ矢印断面図、図２１（ｃ）は図２１（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩｃ−ＸＸＩｃ矢印断面図である。

連結領域３４０ｂに接触する主磁極基端領域３４０ｃを形成するため、平坦化された上記露出表面上にホトレジスト７０を塗布し、これを露光及び現像することにより、連結領域３４０ｂの表面及び連結領域３４０ｂから基端部側の領域に位置する絶縁層３８の表面が露出する開口を有するレジストパターンを形成する。この開口は基端側に向かうにしたがって幅が広くなっている。

図２１（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２１（ｅ）は図２１（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩｅ−ＸＸＩｅ矢印断面図、図２１（ｆ）は図２１（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩｆ−ＸＸＩｆ矢印断面図、図２１（ｇ）は図２１（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩｇ−ＸＸＩｇ矢印断面図である。

上述のようにして形成されたレジストパターンをマスクとして、基板の全表面上に磁性材料を堆積し、溶剤を用いてホトレジスト７０を溶かすことで、リフトオフを実行し、連結領域３４０ｂに接触した主磁極基端領域３４０ｃを形成する。なお、主磁極先端領域３４０ａの先端側は、コア層３５Ａの先端部に形成された近接場光発生部３６が所定の厚みになるまで研磨される。なお、上述のコア層３５は、例えば、内側のコア材料と外側のコア材料からなる二重構造としてもよく、また、単一の材料からなることとしてもよい。
（製造方法）

以下、図２２〜図２７を参照し、第２実施形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの製造方法について説明する。各層の形成にはスパッタ法を用いることができるが、その他、化学的気相成長（ＣＶＤ）法等を用いることも可能である。また、エッチングには、ＩＢＥ（イオンビームエッチング）、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）、希ガスを用いたスパッタリングなどのドライエッチングを用いることができるが、化学エッチング（ウェットエッチング）を用いることも可能である。

図２２（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２２（ｂ）は図２２（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＩｂ−ＸＸＩＩｂ矢印断面図である。

まず、クラッドとなる基板としての絶縁層３８上にコア層３５Ａを形成する。コア層３５Ａの光出射面上には、近接場光発生部３６が形成されている。近接場光発生部の形成方法については後述する。

図２２（ｃ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２２（ｄ）は図２２（ｃ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＩｄ−ＸＸＩＩｄ矢印断面図である。

次に、先端部用のコア層３５Ａ上にマスクとしてのホトレジスト７０を塗布し、基端部用のコア層３５Ｂ（図２３（ｄ）参照）の形成予定領域が開口するように露光を行い、ホトレジスト７０を現像処理し、レジストパターンを形成する。レジストパターンの形成後、ホトレジスト７０の開口内の領域（コア層３５Ａ）を絶縁層３８の表面が露出するまでエッチングする。しかる後、溶剤を用いてホトレジスト７０を剥離する。

図２３（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２３（ｂ）は図２３（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＩＩｂ−ＸＸＩＩＩｂ矢印断面図である。

ホトレジスト７０の剥離後、基板上に基端部用のコア層３５Ｂを形成する。コア層３５Ｂの材料は基本的にはコア層３５Ａの材料と同一である。コア層３５Ａを複数の層から形成することも可能であり、この場合において、コア層３５Ｂも光伝達が可能であれば、これと同一又は類似の層構造を採用することができ、光透過材料からなる。コア層３５Ｂは、絶縁層（クラッド）３８の露出表面上のみならず、周囲のコア層３５Ａ上にも堆積される。

図２３（ｃ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２３（ｄ）は図２３（ｃ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＩＩｄ−ＸＸＩＩＩｄ矢印断面図である。

コア層３５Ｂの堆積後、基板表面をコア層３５Ａが露出するまで化学機械研磨し、コア層３５Ａ、３５Ｂの被研磨表面が同一平面内に含まれるようにする。換言すれば、コア層３５Ａ、３５Ｂの絶縁層３８からの高さは同一となり、露出平面は平坦化される。

図２４（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２４（ｂ）は図２４（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＶｂ−ＸＸＩＶｂ矢印断面図、図２４（ｃ）は図２４（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＶｃ−ＸＸＩＶｃ矢印断面図である。

上述の化学機械研磨工程を行った後、コア層３５をフォトリソグラフィによって加工する。すなわち、断面ＸＸＩＶｃ−ＸＸＶｃ上のコア層３５Ａの中心部分が残留し、断面ＸＸＩＶｂ上のコア層３５Ｂの中心部分がコア層３５Ａの最大幅と等しい幅で残留するように、ホトレジスト７０を平坦化された露出平面上に形成し、中心部分以外のコア層３５Ａ，３５Ｂを、ホトレジスト７０をマスクとしてエッチングする。すなわち、コア層３５Ｂの長手方向に垂直な幅が狭くなり、コア層３５Ａはコア層３５Ｂの長手方向の一端に連続し、コア層３５Ｂから離れるに従って幅が狭くなるように、ホトレジスト７０が塗布され、続いて、露光及び現像される。

図２４（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２４（ｅ）は図２４（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＶｅ−ＸＸＩＶｅ矢印断面図、図２４（ｆ）は図２４（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＩＶｆ−ＸＸＩＶｆ矢印断面図である。

上述のホトレジスト７０をマスクとして、コア層３５Ａ、３５Ｂのエッチングが行われる。このエッチングによって、コア層３５Ｂの先端側にコア層３５Ａが連続し、コア層３５Ａは先端に向かうに従って幅が狭くなることになる。エッチングの終了後、ホトレジスト７０が除去される。

図２５（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２５（ｂ）は図２５（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶｂ−ＸＸＶｂ矢印断面図、図２５（ｃ）は図２５（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶｃ−ＸＸＶｃ矢印断面図である。

次に、主磁極先端領域３４０ａの形成を行う。主磁極先端領域３４０ａは絶縁層３８の厚み方向から見ると、コア層３５Ａの両側に隣接して幅方向に沿って延びており、コア層３５Ａから離れるに従ってコア層３５Ｂの長手方向に平行な寸法が小さくなっている。この一対の主磁極先端領域３４０ａの間にコア層３５Ａが位置している。コア層３５Ａの全露出表面領域とコア層３５Ｂの最先端の露出表面領域は、ホトレジスト７０によっては被覆されておらず、ホトレジスト７０は現像後に開口を有することになる。上記開口を有するように、まず、ホトレジスト７０を基板全面に塗布した後、続いて、露光及び現像を行い、レジストパターンを形成する。

図２５（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２５（ｅ）は図２５（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶｅ−ＸＸＶｅ矢印断面図、図２５（ｆ）は図２５（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶｆ−ＸＸＶｆ矢印断面図である。

上記の開口を有する上記レジストパターンをマスクとして、基板全面上に磁性材料を堆積した後、溶剤を用いてホトレジスト７０を溶かすことで、リフトオフを実行し、上記開口内のみに磁性材料が残留してなる主磁極先端領域３４０ａを形成する。なお、磁性材料の堆積にあたってはメッキ法を用いることとし、必要に応じて磁性材料の下地に種層をスパッタ法などで形成しておいてもよい。なお、コア層３５Ａと主磁極先端領域３４０ａとは、コア層３５Ａの側面及び上面において密着している。

図２６（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２６（ｂ）は図２６（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩｂ−ＸＸＶＩｂ矢印断面図、図２６（ｃ）は図２６（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩｃ−ＸＸＶＩｃ矢印断面図である。

主磁極先端領域３４０ａの形成後、露出した基板表面全面上に上部クラッド層を構成する絶縁層３８を形成する。なお、上部クラッド層は、下部クラッド層を構成する絶縁層３８と同一材料であり、形成後には上部クラッド層と一体化するため、これらは同一符号を用いることとする。下部クラッド層を構成していた絶縁層３８の露出表面、主磁極先端領域３４０ａの露出表面、コア層３５Ｂの露出表面は全て、上部クラッド層となる絶縁層３８によって被覆される。

図２６（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２６（ｅ）は図２６（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩｅ−ＸＸＶＩｅ矢印断面図、図２６（ｆ）は図２６（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩｆ−ＸＸＶＩｆ矢印断面図である。

上述の上部クラッド層を形成する絶縁層３８の形成後、この絶縁層３８の露出表面を、主磁極先端領域３４０ａの表面が露出し、コア層３５Ａ，３５Ｂの表面が露出しないように化学機械研磨を実行する。化学機械研磨後の絶縁層３８及び主磁極先端領域３４０ａの表面は面一に平坦化する。

図２７（ａ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２７（ｂ）は図２７（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩＩｂ−ＸＸＶＩＩｂ矢印断面図、図２７（ｃ）は図２７（ａ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩＩｃ−ＸＸＶＩＩｃ矢印断面図である。

主磁極先端領域３４０ａに直接、接触する主磁極基端領域３４０ｃを形成するため、平坦化された上記露出表面上にホトレジスト７０を塗布し、これを露光及び現像することにより、主磁極先端領域３４０ａの表面から基端部側の領域に位置する絶縁層３８の表面が露出する開口を有するレジストパターンを形成する。この開口は基端側に向かうにしたがって幅が広くなっている。

図２７（ｄ）は熱アシスト磁気ヘッド中間体の平面図、図２７（ｅ）は図２７（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩＩｅ−ＸＸＶＩＩｅ矢印断面図、図２７（ｆ）は図２７（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩＩｆ−ＸＸＶＩＩｆ矢印断面図、図２７（ｇ）は図２７（ｄ）に示した熱アシスト磁気ヘッド中間体のＸＸＶＩＩｇ−ＸＸＶＩＩｇ矢印断面図である。

上述のようにして形成されたレジストパターンをマスクとして、基板の全表面上に磁性材料を堆積し、溶剤を用いてホトレジスト７０を溶かすことで、リフトオフを実行し、主磁極先端領域３４０ｂに接触した主磁極基端領域３４０ｃを形成する。なお、主磁極先端領域３４０ａの先端側は、コア層３５Ａの先端部に形成された近接場光発生部が所定の厚みになるまで研磨される。なお、上述のコア層３５は、例えば、内側のコア材料と外側のコア材料からなる二重構造としてもよく、また、単一の材料からなることとしてもよい。

次に、上述の近接場光発生部となる金属層３６ａの形成されたコア層３５Ａの製造方法について説明する。

まず、図２８の（ａ）に示すように、最初に、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁層３８ａ上に、コア層３５Ａの一部となる、絶縁層３８ａよりも屈折率の高いＴａ_２Ｏ_５等の誘電体膜３５ａを成膜し、その上に、Ａｕ等の金属層３６ａを製膜し、その上に、リフトオフ用の底部が窪んだレジストパターン１００２を形成する。

次いで、図２８の（ｂ）に示すように、イオンミリング法等を用いて、レジストパターン１００２の直下を除いて、金属層３６ａの不要部分を除去することにより、誘電体膜３５ａの上に下部が広い台形状の金属層３６ａが積層されたパターンが形成される。

その後、図２８の（ｃ）に示すように、レジストパターン１００２を除去した後に、台形状の金属層３６ａの両斜面側からそれぞれイオンミリング法等により各斜面の一部をそれぞれ除去して、断面三角形状の金属層３６ａを形成する。

続いて、図２８の（ｄ）に示すように、金属層３６ａを覆うように誘電体膜３５ａ上に誘電体膜３５ａと同じ材料による誘電体膜３５ｂを成膜し、将来媒体対向面が形成される側に金属層３６ａの端面を形成するためのレジストパターン１００３を積層し、図２９の（ａ）に示すように、将来媒体対向面が形成される側とは反対側において、金属層３６ａ及び誘電体膜３５ｂをイオンミリング法等により除去し、その後、除去した部分に誘電体膜３５ｂと同じ材料により誘電体膜３５bを成膜する。

さらに、図２９の（ｂ）に示すように、誘電体膜３５ｂ上に、さらに、誘電体膜３５ｂと同じ材料により誘電体膜３５cを積層することにより、近接場光発生部３６の元になる金属層３６ａが埋め込まれたコア層３５Ａが完成する。図２９の（ｂ）の手前側の面がＡＢＳ面となるが、この面は、クラッド及び主磁極の形成後にラッピングを行うことで、金属層３６ａが所定の厚みになるまで研磨され、したがって、三角形状の近接場光発生部３６が光出射面（ＡＢＳ面）上に形成されることになる。

以上の工程により、近接場光発生部３６を備えたコア層３５Ａを形成することができる。その後、公知の方法により、図４に示したような電磁コイル素子３４を形成し、その後、アルミナ等による絶縁層３８を形成し、接続のための電極パッド３７１等を形成し、その後エアベアリング面やその裏面のラッピングを行うことによりスライダ２２が完成する。この後、スライダ２２の電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３のテストを各スライダごとに行い、良品を選別する。続いて、図４に示した光源ユニット２３を組み立てて良品を選別する。

次に、図３０（ａ）に示すように、良品とされた光源ユニット２３の接着面２３００と、良品とされたスライダ２２の背面２２０１のいずれか又は両方にＵＶ硬化型接着剤４４ａを塗布する。ＵＶ硬化型接着剤としては、ＵＶ硬化型エポキシ樹脂や、ＵＶ硬化型アクリル樹脂等が挙げられる。

そして、図３０（ｂ）に示すように、光源ユニット２３の接着面２３００とスライダ２２の背面２２０１とを重ね合わせた後、電極パッド４７，４８間に電圧を印加して端面発光型の発光素子４０を発光させると共に、コア層３５の光出射面３５３に光検出器ＤＴを対向配置し、光源ユニット２３とスライダ２２とを相対的に図３０（ｂ）の矢印方向に移動させ、最も光検出器ＤＴの出力が高くなる位置を探し出し、その位置で、外部からＵＶ硬化型接着剤に紫外線を照射することによりＵＶ硬化型接着剤４４ａを硬化させ、これによりレーザダイオードの光軸とコア層３５の光軸とを合わせた状態で光源ユニット２３とスライダ２２との接着をすることができる。
（作用）

続いて、本実施形態にかかる熱アシスト磁気ヘッド２１の作用について説明する。

書き込み又は読み出し動作時には、熱アシスト磁気ヘッド２１は、回転する磁気ディスク（媒体）１０の表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ効果素子３３及び電磁コイル素子３４の媒体対向面Ｓ側の端が磁気ディスク１０と微小なスペーシングを介して対向することによって、データ信号磁界の感受による読み出しとデータ信号磁界の印加による書き込みとが行われる。

ここで、データ信号の書き込みの際、光源ユニット２３からコア３５を通って伝播してきたレーザ光が近接場光発生部３６に到達し、近接場光発生部３６から近接場光が発生する。この近接場光によって、熱アシスト磁気記録を行うことが可能となる。

熱アシスト磁気記録方式を採用することにより、高保磁力の磁気ディスクに垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを用いて書き込みを行い、記録ビットを極微細化することによって、例えば、１Ｔbits／in２級の記録密度を達成することも可能となり得る。

そして、本実施形態においては、近接場光発生部３６と、主磁極３４０の媒体対向面Ｓ側の先端領域である主磁極先端領域３４０aとが、トラック幅方向に非常に近接して並ぶように配置されている。これにより、近接場光発生部３６からの近接場光照射による磁気記録媒体の加熱と、その加熱した記録領域への磁気記録素子３４による書き込み磁界の印加を、略同時に行うことができる。その結果、磁気記録媒体の記録領域の高温状態を長時間保持する必要がなくなるため、熱アシスト磁気記録の際の記録周波数を非常に高くすることが可能となる。本実施形態においては、近接場光発生部３６と主磁極先端領域３４０aとを、トラック幅方向に並んで近接させて配置させているが、仮にトラック幅方向と直角方向に並んで近接させた場合、近接場光発生部３６が設けられているコア３５を構成する内部コア３５b及び外部コア３５a、３５cの積層方向の厚さを薄くせざるを得なくなる。その場合、コア３５の光導波路としての機能が低下し、レーザダイオード４０の出射光を近接場光発生部３６まで十分に導くことができなくなる虞がある。本実施形態においては、近接場光発生部３６と主磁極先端領域３４０aとを、トラック幅方向に並んで近接させて配置させることにより、熱アシスト磁気記録の際の記録周波数を高めることと、レーザダイオード４０の出射光を確実に近接場光発生部３６まで導くこととが、同時に達成可能な構成となっている。

また、本実施形態においては、コア３５のトラック幅方向に交差する両側面に、主磁極先端領域３４０が隣接している。これにより、コア３５を挟むようにして設けられた２つの主磁極先端領域３４０からそれぞれ記録磁界が発生し、これらが重ね合わされた磁界が記録磁界となるため、十分な強度の記録磁界を記録媒体に印加することができる。

さらに、本実施形態においては、トラック幅方向における２つの主磁極先端領域３４０の離間距離は、発光素子４０の出射光が光出射面３５３から出射される際の波長の０．２３〜０．９２倍となっている。これにより、２つの主磁極先端領域３４０の離間距離が十分に大きくなり、その間の光出射面３５３の面積が広くなるため、光出射面３５３出射する光の強度を十分に大きくすることができる。その結果、磁気記録媒体の記録領域を十分に加熱することができる。また、２つの主磁極先端領域３４０の離間距離が十分に小さいため、２つの主磁極先端領域３４０から発生した磁界を重ね合わせた記録磁界の大きさを十分に大きくすることができる。その結果、磁気記録媒体の記録領域に対して十分な大きさの記録磁界を印加することができる。

そして、本実施形態では、光源ユニット２３を用いることによって、スライダ２２のコア３５の光入射面（端面）３５４に、コア３５の層面に平行な方向に伝播するレーザ光を入射させることができる。すなわち、集積面２２０２と媒体対向面Ｓとが垂直である構成を有する熱アシスト磁気ヘッド２１において、適切な大きさ及び方向を有するレーザ光が、確実に供給可能となる。その結果、磁気ディスクの記録層の加熱効率が高い熱アシスト磁気記録を実現可能とする。

そして、本実施形態によれば、磁気ヘッド部３２がスライダ基板２２０に固定され、光源であるレーザダイオード４０が光源支持基板２３０にそれぞれ別に固定されているので、スライダ基板２２０に固定された電磁コイル素子３４と、光源支持基板２３０に固定されたレーザダイオード４０とをそれぞれ独立に試験した上で、良品であるスライダ２２と良品である光源ユニット２３とを互いに固定することにより良品である熱アシスト磁気ヘッド２１を歩留まり良く製造できる。

また、磁気ヘッド部３２がスライダ基板２２０の側面に設けられているので、従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を用いて磁気ヘッド部３２の電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３等を容易に形成できる。

さらに、レーザダイオード４０が媒体対向面Ｓから離れた位置かつスライダ２２の近傍にあるので、レーザダイオード４０から発生する熱による電磁コイル素子３４やＭＲ効果素子３３等への悪影響やレーザダイオード４０と磁気ディスク１０との接触等の可能性が抑制されると共に、光ファイバ、レンズ、ミラー等が必須では無いので光の伝播損失が低減でき、さらに、磁気記録装置全体の構造も簡単にできる。

また、本実施形態では、光源支持基板２３０の裏面に断熱層２３０ａが形成されているので、レーザダイオード４０から発生する熱がより一層スライダ２２に伝導しにくくなっている。

また、上記実施形態では、スライダ基板２２０と光源支持基板２３０とには、同じアルティック製の基板を採用しているが、異なる材料の基板を用いることも可能である。この場合でも、スライダ基板２２０の熱伝導率をλｓ、光源支持基板２３０の熱伝導率をλｌとすると、λｓ≦λｌを満たすようにすることが好ましい。これにより、レーザダイオード４０が発生する熱を、なるべくスライダ基板２２０に伝わらないようにしつつ光源支持基板２３０を通して外部に逃がすことが容易となる。

なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向の幅７００μｍ×長さ（奥行き）８５０μｍ×厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これとほぼ同じ幅及び長さを有することができる。実際、例えば、通常用いられるレーザダイオードの典型的な大きさは、幅２５０μｍ×長さ（奥行き）３５０μｍ×厚み６５μｍ程度であり、例えば、この大きさの光源支持基板２３０の側面にこの大きさのレーザダイオード４０を設置することが、十分に可能となっている。なお、光源支持基板２３０の底面に溝を設け、この溝内にレーザダイオード４０を設けることも可能である。

また、電磁コイル素子３４が、長手磁気記録用であってもかまわない。この場合、主磁極層３４０及び補助磁極層３４４の代わりに、下部磁極層及び上部磁極層が設けられ、さらに、下部磁極層及び上部磁極層の媒体対向面Ｓ側の端部に挟持された書き込みギャップ層が設けられる。この書き込みギャップ層位置からの漏洩磁界によって書き込みが行われる。

また、近接光発生部の形状も、上述のものに限られず、たとえば、三角形でなく頂点３６ｃが平らになった台形状でも実施可能であり、また、三角形状または台形状の板を、その頂点同士または短辺同士が所定距離離間して対向するように一対配置した、いわゆる「蝶ネクタイ型」構造でも実施可能である。

図３１は、「蝶ネクタイ型」構造の近接場光発生部３６の斜視図である。一対の近接場光発生部３６がＸ軸に沿って対向して配置されており、その頂点３６ｃ同士が所定の間隔を隔てて突き合されている。この「蝶ネクタイ型」構造においては、頂点３６ｃ間の中心部に非常に強い電界の集中が発生し、近接場光が生じる。

また、図３２に示すように、主磁極先端領域３４０aの先端が、媒体対向面Ｓにはなく、媒体対向面ＳからＲ３４０aの距離だけ内側にある構成、即ち、主磁極先端領域３４０aの先端から磁気記録媒体までの最短距離は、光出射面３５３から磁気記録媒体までの最短距離よりもＲ３４０aだけ大きい構成も可能である。このような構成にすることにより、近接場光発生部３６の直下の磁気記録媒体に印加される磁場の強さと、主磁極先端領域３４０aの直下の磁気記録媒体に印加される磁場の強さとを、近づけることができる。

具体的には、図３３の（ａ）に示すように主磁極先端領域３４０aの先端が媒体対向面Ｓにある構成では、図３３の（ｂ）に示すように近接場光発生部３６の直下の磁気記録媒体に印加される磁場よりも、主磁極先端領域３４０aの直下の磁気記録媒体に印加される磁場の方が強度が強くなる。この場合、熱アシスト磁気記録を行う際、磁気記録媒体の記録領域の周辺のトラックに書き込みや消去を行ってしまう、いわゆるサイドイレーズの虞がある。一方、図３３の（ｃ）に示すように、主磁極先端領域３４０aの先端から磁気記録媒体までの最短距離は、光出射面３５３から磁気記録媒体までの最短距離よりも大きい構成にすることにより、図３３の（ｄ）に示すように、近接場光発生部３６の直下の磁気記録媒体に印加される磁場と、主磁極先端領域３４０aの直下の磁気記録媒体に印加される磁場との強度を近づけることが可能となる。これにより、サイドイレーズの発生を十分に防止することが可能となる。Ｒ３４０aの長さは、例えば、１ｎｍ〜１μｍとすることができる。

また、コイル層３４２は、図４等において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。

また、断熱層２３０ａは、スライダ基板２２０の背面２２０１に形成されていてもよく、全く設けなくても実施は可能である。

また、光源ユニット２３とスライダ２２との接着に、ＵＶ硬化型接着剤以外の接着剤例えば、レーザダイオード４０と電極パッド４７との接着に用いたＡｕＳｎ等の半田層を用いても実施は可能である。

なお、上記熱アシスト磁気ヘッド及びＨＧＡを備えたハードディスク装置では、高周波の記録周波数に対応した熱アシスト磁気記録が実現可能である。

以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。

（主磁極離間距離についての検討）

主磁極先端領域３４０ａの先端におけるＹ軸方向の最短離間距離について検討を行った。

図３４は、主磁極先端領域３４０ａ近傍の磁気記録素子の平面図である。

コア層３５（３５Ａ）の先端（光出射面）におけるＹ軸方向（トラック幅方向）の幅をＷ３５とし、コア層３５と一対の主磁極先端領域３４０の先端における最短距離をそれぞれＳ３５とし、本例ではＳ３５＝１００ｎｍとする。また、コア層３５の平行領域の幅であって、Ｙ軸方向の最大幅をＷ３５’とし、最大幅Ｗ３５’を与えるＺ方向位置における主磁極先端領域３４０とコア層３５との離隔距離をそれぞれＳ３５’とする。本例ではＷ３５’＝２２００ｎｍとする。

コア層３５からの出射光の波長は６５０ｎｍとし、コア層３のＺ軸方向の寸法は３０００ｎｍとする。また、主磁極先端領域３４０ａの材料はＣｏとし、幅Ｓ３５を１００ｎｍに保持したまま、コア層３５の先端幅Ｗ３５を変化させた。

図３５は、Ｗ３５＝８００ｎｍ、Ｓ３５’＝９００ｎｍとした場合の光強度分布のシミュレーション結果を示す図である。

一対の主磁極先端領域３４０ａ間のＹ軸方向中心のコア層３５内において、高い光強度となることが分かる。

図３６は、ＡＢＳ面（光出射面）上の光強度分布のシミュレーション結果を示す図である。

一対の主磁極先端領域３４０ａ間のＸ軸方向中心部及びＹ軸方向中心部におけるコア層３５内において、高い光強度となることが分かる、

図３７は、開口径（コア層３５の先端幅Ｗ３５）（μｍ）と書き込み特性値（＝光強度×磁場強度）との関係を示すグラフである。

同図に示すように、開口径が大きくなるほど、主磁極先端領域３４０ａの先端における最短離隔距離は広くなるため、磁気記録媒体上における磁場強度（Ｏｅ）は徐々に小さくなる。一方、コア層の光出射面（≒磁気記録媒体面）上の光強度（ａ．ｕ．）は、開口径が大きくなるほど高くなる傾向にある。したがって、磁場強度と光強度の相乗効果が高いほど、高効率で磁気情報を書き込むことができるため、この書き込み特性値は、開口径に関連するピーク値を有することになる。なお、開口径Ｗ３５が１００ｎｍ、３００ｎｍ、５００ｎｍ、８００ｎｍのときの光強度（ａ．ｕ．）は、それぞれ１３４４３、１９４９０、２０４０７、２１０７５である。

書き込み特性値は、開口径Ｗ３５が０．０５μｍ〜０．５μｍであることが好ましく、この場合には、書き込み特性値として３００００以上を得ることができる。また、開口径は０．０８μｍ〜０．２５μｍであることが好ましく、この場合には、書き込み特性値として５００００以上を得ることができる。換言すれば、主磁極の先端部間の最短離隔距離Ｄ（＝Ｗ３５＋２×Ｓ３５（＝１００ｎｍ））は、０．１５μｍ〜０．６μｍであることが好ましく、０．１８μｍ〜０．３５μｍであることが更に好ましい。出射光の波長λは６５０ｎｍ（０．６５μｍ）であるため、Ｄ＝０．２３λ〜０．９２λであることが好ましく、０．２７λ〜０．５３λであることが更に好ましい。

これにより、主磁極間の距離が十分に大きくなるため、その間の光出射面から出射する光の強度を十分に大きくすることができ、磁気記録媒体の記録領域を十分に加熱することができる。また、主磁極間の距離が十分に小さいため、それぞれの主磁極から発生した磁界を重ね合わせた記録磁界の大きさを十分に大きくすることができ、磁気記録媒体の記録領域対して十分な大きさの記録磁界を印加することができる。

また、上述の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、平面導波路のコア３５を形成する工程と、磁気記録素子の主磁極３４０を、コア３５のトラック幅方向に交差する側面（上記（＊）に隣接するように形成する工程と、コア３５の光出射面３５３となる部分に近接場光発生部３６を形成する工程とを備えている。光出射面３５３に近接場光発生部３６が設けられている場合には、これにより、平面導波路のコア３５に入射させた光と比較して、より高強度の近接場光を発生させて光出射面から出射することができるため、磁気記録媒体の記録領域を十分に加熱することができる。また、上述のように簡易に磁気ヘッドを製造することができる。

なお、近接場光発生部３５の有無に拘らず、熱アシスト磁気ヘッドの製造方法において、平面導波路のコア３５を形成する工程と、磁気記録素子の主磁極３４０を、コア３５のトラック幅方向に交差する側面（上記（＊））にのみ隣接するように形成する工程とを備えることとしてもよい。このように形成された場合、磁気記録媒体の加熱と、その加熱した記録領域への書き込み磁界の印加を、略同時に行うことができるものを製造することができる。これにより、磁気記録媒体の記録領域の高温状態を長時間保持する必要がなくなるため、記録周波数を非常に高くすることが可能となる。また、上述のように簡易に磁気ヘッドを製造することができる。

実施の形態に係るハードディスク装置の斜視図である。 ＨＧＡ１７の斜視図である。 図１に示した熱アシスト磁気ヘッド２１の近傍の拡大斜視図である。 図３に示した熱アシスト磁気ヘッド２１のＩＶ−ＩＶ矢印断面図である。 図４に示した断面図のコア３５近傍の拡大断面図である。 図５のＶＩ−ＶＩ矢印断面図である。 コア３５と主磁極３４０の斜視図である。 熱アシスト磁気ヘッド２１の回路図である。 媒体対向面側から見た磁気ヘッド主要部の平面図である。 媒体対向面Ｓから見た近接場光発生部３６の斜視図である。 近接場光発生部３６への入射光の波長λ（ｎｍ）と近接場光強度Ｉ（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。 近接場光発生部３６への入射光の波長λ（ｎｍ）と近接場光強度Ｉ（ａ．ｕ．）との関係を示すグラフである。 発光素子４０の斜視図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び主磁極３４０の形成方法の一実施形態の一部を説明する工程図である。 コア３５及び近接場光発生部３６の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。 コア３５及び近接場光発生部３６の形成方法の一実施形態を説明する斜視図である。 熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図である。 「蝶ネクタイ型」構造の近接場光発生部３６の斜視図である。 実施形態の変形例に係る磁気ヘッドの近接場光発生部３６近傍の断面図である。 図３３に示す変形例の効果を説明する説明図である。 近接場光強度のシミュレーションにおけるコアと主磁極の構成を示す模式図である。 近接場光強度のシミュレーションの結果を示す図である。 近接場光強度のシミュレーションの結果を示す図である。 磁場強度、光強度、及び、磁場強度と光強度との乗算値の、主磁極の先端の離間距離（開口径）依存のシミュレーション結果である。

符号の説明

１…ハードディスク装置、１０…磁気ディスク（記録媒体）、１７…ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）、２０…サスペンション、２１…熱アシスト磁気ヘッド、２２…スライダ、２２０…スライダ基板、２２０２…集積面、２３…光源ユニット、２３０…光源支持基板、３２…磁気ヘッド部、３３…ＭＲ効果素子（磁気検出素子）、３４…電磁コイル素子（磁気記録素子）、３４０…主磁極、３５…導波路（コア）、３５４…光入射面（端面）、３６…近接場光発生部、３８…絶縁層（クラッド）、４０…レーザダイオード（光源）、４００…出光端、Ｓ…媒体対向面。

Claims (10)

1. 熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
   磁気記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面内に光出射面を有する平面導波路のコアと、
   前記光出射面に設けられた近接場光発生部と、
   出射光が前記平面導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、
   前記平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する側面に隣接する主磁極を有する磁気記録素子と、
   を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
2. 熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
   磁気記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記媒体対向面内に光出射面を有する平面導波路のコアと、
   出射光が前記平面導波路のコアの光入射面に到達するように設けられた発光素子と、
   前記平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する側面にのみ隣接する主磁極を有する磁気記録素子と、
   を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
3. 前記光出射面に近接場光発生部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
4. 前記磁気記録素子の主磁極は、前記平面導波路のコアのトラック幅方向に交差する両側面に隣接していることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
5. トラック幅方向における前記主磁極の先端の離間距離は、前記発光素子の出射光が前記光出射面から出射される際の波長の０．２３〜０．９２倍であることを特徴とする請求項４に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
6. 前記主磁極の先端から磁気記録媒体までの最短距離は、前記光出射面から磁気記録媒体までの最短距離よりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッド。
7. 請求項１〜６のいずれか一項に記載の熱アシスト磁気ヘッドと、
   前記熱アシスト磁気ヘッドを支持するサスペンションと、
   を備えたヘッドジンバルアセンブリ。
8. 請求項７に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
   前記媒体対向面に対向する前記磁気記録媒体と、
   を備えたハードディスク装置。
9. 熱アシスト磁気ヘッドの製造方法において、
   平面導波路のコアを形成する工程と、
   磁気記録素子の主磁極を、前記コアのトラック幅方向に交差する側面に隣接するように形成する工程と、
   前記コアの光出射面となる部分に近接場光発生部を形成する工程と、
   を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
10. 熱アシスト磁気ヘッドの製造方法において、
    平面導波路のコアを形成する工程と、
    磁気記録素子の主磁極を、前記コアのトラック幅方向に交差する側面にのみ隣接するように形成する工程と、
    を備えることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。