JP5264857B2 - 熱アシスト磁気ヘッドの製造方法および熱アシスト磁気ヘッド並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 - Google Patents

Description

本発明は、近接場光を用いて熱アシスト磁気記録方式によって磁気記録媒体にデータを記録する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法および熱アシスト磁気ヘッド並びにその熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。

近年、磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、磁気記録媒体にデータを記録する薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。従来、薄膜磁気ヘッドとして、例えば読み出し用の磁気抵抗効果素子（Magnetoresistive素子、以下「ＭＲ素子」ともいう）を有する再生ヘッドと、書き込み用の電磁コイル素子を有する記録ヘッドとを積層した構造の複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。そして、磁気ディスク装置において、薄膜磁気ヘッドは、磁気記録媒体からごくわずかに浮上するスライダに設けられている。

ところで、磁気ディスク装置は、記録ヘッドを用いて磁気記録媒体上の磁性微粒子を磁化することによってデータを記録している。磁気記録媒体の記録密度を上げるためには、磁性微粒子の大きさを小さくすることが有効である。

しかし、磁性微粒子の大きさを小さくすると、体積の減少に伴い磁化が熱に対して不安定になり、磁気記録媒体に記録したデータが消える可能性が高まるという課題があった。この課題を解消するためには、磁性微粒子の持つ磁気エネルギーを大きくして磁化の安定性を高めることが有効である。ところが、磁性微粒子の持つ磁気エネルギーを大きくすると、磁気記録媒体の保磁力（磁化の反転しにくさ）が高まり、データの記録性能が低下するという課題があった。

このような課題を解決するため、従来、熱アシスト磁気記録とよばれる方法が提案されている。この熱アシスト磁気記録を採用している薄膜磁気ヘッド（以下、「熱アシスト磁気ヘッド」という）では、保磁力の大きな磁気記録媒体に対してデータを記録する際、磁気記録媒体のデータが記録される部分を瞬間的に加熱し、温度を上昇させてデータを記録する。

磁性微粒子は温度が上昇すると保磁力が低下するため、室温では保磁力の高い磁気記録媒体でも、瞬間的に加熱することによってデータを記録できるようになる。磁気記録媒体のデータが記録された部分はデータが記録された後、温度が低下して保磁力が高まる。そのため、熱アシスト磁気ヘッドを用いることによって、磁気ディスク装置では、磁性微粒子の微細化と記録の安定とを両立することができるようになる。

一方、従来の熱アシスト磁気ヘッドでは、磁気記録媒体を加熱するための手段として近接場光を用いている。光の波長よりも微小な開口に光が入射したとき、その光は開口からわずかに滲み出して開口付近に局在している。この開口付近に局在化している光が近接場光と呼ばれている。近接場光はレンズを用いて集光したスポット光よりもはるかに小さい領域に閉じ込められているため、近接場光を用いることによって磁気記録媒体のごく限られた微小な記録領域だけを加熱することができる。

そして、従来の熱アシスト磁気ヘッドでは、近接場光を発生させるため、近接場光発生部が設けられている。この方法では、光導波路を介して近接場光発生部にレーザ光を導いて近接場光を発生させる。この近接場光が磁気記録媒体を加熱するための手段として用いられている。

一方、従来技術では、近接場光発生部に導かれるレーザ光を発生させるための光源として、レーザダイオード等の半導体レーザが用いられている。例えば、特許文献１、特許文献２には、熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbal Assembly）の外部に半導体レーザを設けたハードディスク装置が開示されている。このハードディスク装置では、半導体レーザと熱アシスト磁気ヘッドとを光ファイバで接続し、半導体レーザが発生したレーザ光を光ファイバを介して熱アシスト磁気ヘッドの近接場光発生部に導くようになっている。

また、特許文献３、特許文献４にはスライダの媒体対向面とは反対側（背面側）にレーザダイオードが設けられた構造が開示されている。この構造では、スライダの背面側に光導波路の入射部が形成され、その入射部にレーザダイオードの出射部が対峙するようになっている。レーザダイオードは、スライダの背面側に設けられた光源支持基板に固定されている。

特開２００７−１６４９３５号公報 特開２００７−２０７３４９号公報 特開２００８−４７２６８号公報 特開２００９−２６６３６５号公報

前述のとおり、従来の熱アシスト磁気ヘッドでは、近接場光発生部にレーザ光を導くことによって近接場光を発生させている。
しかしながら、特許文献１や特許文献２に記載されている従来技術のように、レーザダイオードを熱アシスト磁気ヘッドから遠く離れた位置に配置すると、レーザ光が光ファイバを伝搬していく過程での損失などが発生する。すると、レーザダイオードから近接場光発生部までの距離が長くなるのに伴い、導かれるレーザ光の出力が低下するし、光ファイバ等を備える関係で装置の構造が複雑化したり、大型化したりといった点が未解決の課題となってしまう。

一方、特許文献３や特許文献４に記載されている従来技術のような構造にすると、レーザダイオードから近接場光発生部までの距離を短縮することができる。

しかし、この構造では、レーザダイオードおよび光源支持基板がスライダの背面側に大きく張り出す構造になるため、熱アシスト磁気ヘッド全体の媒体対向面からみた奥行き方向の寸法が大きくなってしまうという課題があった。

また、レーザダイオードからレーザ光が出射される出射部と、光導波路のレーザ光が入射する入射部との位置がずれると、近接場光発生部に到達するレーザ光の出力が低下する。したがって、熱アシスト磁気ヘッドでは、出射部の位置と入射部の位置とが正確に一致していることが重要である。

しかし、従来の熱アシスト磁気ヘッドは、光源支持基板というスライダとは物理的に別の部材にレーザダイオードが固定されていたため、出射部の位置と入射部の位置とを正確に一致させる位置合わせの精度を高めることが困難であった。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、媒体対向面からみた奥行き方向の寸法を小さくすることができ、レーザダイオードの出射部と光導波路の入射部との精度の高い正確な位置合わせが簡易に行える構造を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造方法および熱アシスト磁気ヘッド並びにその熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は磁気記録媒体に対向する媒体対向面を備えたスライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、次の（１）から（３）までの各工程を有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）スライダを構成するスライダ基板の媒体対向面と交差する光源載置面にレーザダイオードの光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の、レーザダイオードが後に装着される予定領域を確保しておき、その上で、磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよびレーザダイオードから出射されるレーザ光を媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部を光源載置面の予定領域以外のヘッド領域に形成し、かつレーザダイオードの装着スペースを確保するためのスペーサを予定領域に形成または配置するヘッド形成工程
（２）スペーサを除去することによって、載置部の寸法に応じた形状の底部と、その底部の縁部に沿って形成され、かつレーザダイオードのレーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に光導波路のレーザ光が入射する入射部が形成されている壁部とを有する光源装着部を予定領域に形成する装着部形成工程
（３）壁部に案内させながら載置部を嵌め込むことによって、装着部形成工程によって形成された光源装着部にレーザダイオードを装着する光源装着工程

この製造方法によると、レーザダイオードの装着スペースをスライダ基板の光源載置面に確実に確保できる。また、スペーサを除去することによって、レーザダイオードの装着スペースである光源装着部が出現し、そこにレーザダイオードを装着することができる。レーザダイオードを光源装着部に装着することによって出射部と入射部と位置合わせが行える。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法では、ヘッド形成工程において、スペーサとして、磁気ヘッド部を形成するときに用いるヘッド用磁性材を用いたスペーサ磁性層を形成し、装着部形成工程において、底部を四方から取り囲むように壁部を形成することが好ましい。さらに、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法では、ヘッド形成工程において、スペーサとして、磁気ヘッド部を構成する複数のヘッド磁性層をそれぞれ形成するときに用いるヘッド用磁性材を用い、かつそれぞれのヘッド磁性層と表面を揃えた対応磁性層を複数積層したスペーサ磁性層を形成することが好ましい。

さらに、ヘッド形成工程は、レーザダイオードの載置部からレーザ光を出射する出射部までの間隔を出射高とし、スペーサ磁性層の厚さが出射高の範囲を示す出射高範囲に入っていることを確認する厚さ確認工程と、スペーサ磁性層と表面を揃えた等面部をヘッド領域にすでに積層されている積層体の最上面に形成する等面部形成工程と、光導波路を等面部上に形成する光導波路形成工程とを有することが好ましい。

上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、スペーサ磁性層の厚さが出射高範囲の中間値よりも低い範囲に入っていることを厚さ確認工程で確認したときに、等面部形成工程を実行することが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、光導波路形成工程において、壁部に接続されるように光導波路を形成することが好ましい。

さらに、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法の場合、ヘッド形成工程は、磁気記録媒体を加熱するための近接場光をレーザ光を用いて発生する近接場光発生層を形成する近接場光発生層形成工程と、記録ヘッドを構成する薄膜コイルを螺旋状に巻回して形成するコイル形成工程と、記録ヘッドを構成する主磁極層を形成する主磁極層形成工程とを有することが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、光源装着工程においてレーザダイオードが光源装着部に装着された際、レーザ光を出射する出射部が媒体対向面と交差するときは、光導波路形成工程において、媒体対向面に沿った方向から媒体対向面と交差する方向にレーザ光の向きを変更するミラー部を形成することが好ましい。

上記熱アシスト磁気ヘッドの製造方法は、光導波路形成工程において、光導波路の媒体対向面に近い対向面側部分よりも予定領域に近い光源側部分の厚さを厚くして光導波路を形成することが好ましい。

そして、本発明は磁気記録媒体に対向する媒体対向面を備えたスライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドであって、スライダは、スライダ基板と、磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよびレーザダイオードから出射されるレーザ光を媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、スライダ基板の媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、光源装着部は、レーザダイオードの光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、その底部の縁部に沿って該底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、その壁部は、レーザダイオードのレーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に光導波路のレーザ光が入射する入射部が形成され、出射部と入射部とが対峙するようにして、レーザダイオードが光源装着部に装着されている熱アシスト磁気ヘッドを提供する。

この熱アシスト磁気ヘッドでは、光源載置面上にレーザダイオードが装着されているため、レーザダイオードが媒体対向面に沿った方向に張り出している。また、壁部の、出射部に対応する対応位置に入射部が形成されているため、入射部と出射部の正確な位置合わせが行われた形でレーザダイオードが光源装着部に装着されている。

上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、光導波路を含む磁気ヘッド部を構成する複数のヘッド構成層の端面が積層されることによって、壁部が形成され、壁部によって囲まれた部分に載置部が嵌め込まれることによって、レーザダイオードが光源装着部に装着されていることが好ましい。

また、上記熱アシスト磁気ヘッドにおいて、光導波路は、入射部を有し、かつ壁部から媒体対向面に沿った方向に延びている第１の光導波路と、その第１の光導波路に接続され、かつ媒体対向面と交差する方向に延びている第２の光導波路と、レーザ光の進行方向を媒体対向面に沿った方向から媒体対向面と交差する方向に変更するミラー部とを有し、第２の光導波路の厚さよりも第１の光導波路の厚さが大きく形成されていることが好ましい。

さらに、ミラー部の、入射部からみた設置角が４５度に設定され、ミラー部の、入射部から見た投影幅が入射部の媒体対向面と交差する方向の横幅と等しいかそれよりも大きい大きさに設定され、第１の光導波路の媒体対向面から離れた側の外側長が媒体対向面側の内側長と等しいかそれよりも大きい大きさに設定され、ミラー部は、第１の光導波路の厚さに応じた高さを有することが好ましい。

そして、本発明は、スライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、スライダは、スライダ基板と、磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよびレーザダイオードから出射されるレーザ光を媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、スライダ基板の媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、光源装着部は、レーザダイオードの光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、その底部の縁部に沿ってその底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、その壁部は、レーザダイオードのレーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に光導波路のレーザ光が入射する入射部が形成され、出射部と入射部とが対峙するようにして、レーザダイオードが光源装着部に装着されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。

そして、本発明は、スライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリと、熱アシスト磁気ヘッドに対向する磁気記録媒体とを備え、スライダは、スライダ基板と、磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよびレーザダイオードから出射されるレーザ光を媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、スライダ基板の媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、光源装着部は、レーザダイオードの光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、その底部の縁部に沿ってその底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、その壁部は、レーザダイオードのレーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に光導波路のレーザ光が入射する入射部が形成され、出射部と入射部とが対峙するようにして、レーザダイオードが光源装着部に装着されているハードディスク装置を提供する。

以上詳述したように、本発明によれば、媒体対向面からみた奥行き方向の寸法を小さくすることができ、レーザダイオードの出射部と光導波路の入射部との精度の高い正確な位置合わせが簡易に行える構造を備えた熱アシスト磁気ヘッドの製造方法および熱アシスト磁気ヘッド並びにその熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。

本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドを光源載置面側からみた平面図である。 熱アシスト磁気ヘッドをＡＢＳと対向している側からみた斜視図である。 図１の３−３線断面図である。 熱アシスト磁気ヘッドにおける磁気ヘッド部をＡＢＳからみた正面図である。 磁気ヘッド部に含まれている光導波路と、レーザダイオードとを模式的に示した斜視図である。 （Ａ）は図５の６−６線断面図、（Ｂ）は光導波路に形成されているミラー部の平面図である。 光導波路を示す平面図である。 別の光導波路の要部を示す平面図である。 さらに別の光導波路の要部を示す平面図である。 別の光導波路の要部を示す平面図である。 さらに別の光導波路の要部を示す平面図である。 熱アシスト磁気ヘッドの製造工程における図３に対応した断面図である。 図１２の後続の工程を示す断面図である。 図１３の後続の工程を示す断面図である。 図１４の後続の工程を示す断面図である。 図１５の後続の工程を示す断面図である。 図１６の後続の工程を示す断面図である。 図１７の後続の工程を示す断面図である。 図１８の後続の工程を示す断面図である。 図１９の後続の工程を示す断面図である。 図２０の後続の工程を示す断面図である。 図２１の後続の工程を示す断面図である。 図２２の後続の工程を示す断面図である。 変形例に係る熱アシスト磁気ヘッドの図１と同様の平面図である。 別の変形例に係る熱アシスト磁気ヘッドの図３と同様の断面図である。 スペーサ磁性層と光導波路との高さ位置の関係を模式的に示した図である。 図１の熱アシスト磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。 ＨＧＡの裏面側を示す斜視図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
（熱アシスト磁気ヘッドの構造）
まず、図１から図５を参照して、本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１は本発明の実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッド１００を光源載置面側からみた平面図、図２は熱アシスト磁気ヘッド１００をエアベアリング面（以下「ＡＢＳ」ともいう）と対向している側からみた斜視図である。また、図３は図１の３−３線断面図、図４は熱アシスト磁気ヘッド１００における磁気ヘッド部をＡＢＳ１１１からみた正面図である。図５は、磁気ヘッド部２６０に含まれている光導波路２８と、レーザダイオード１０２とを模式的に示した斜視図である。

熱アシスト磁気ヘッド１００はスライダ１０１と、レーザ光を出力する光源としてのレーザダイオード１０２と、フォトダイオード１０３とを有している。

スライダ１０１は、直方体形状に形成されている。スライダ１０１は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなるスライダ基板１を主体として構成されている。

スライダ１０１は磁気記録媒体に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ１１１と、ＡＢＳ１１１と対向する背面１１２と、互いに向かい合う２つの側面１１３，１１４とを有している。そして、図２に示すように、スライダ基板１の表面のうちのＡＢＳ１１１と直交状に交差する表面が光源載置面１１５である。

光源載置面１１５には後述する光源装着部１２０が形成されている。また、光源載置面１１５には、図３に示すように、後述する磁気ヘッド部２６０が薄膜形成プロセスを用いて形成されている。さらに、光源載置面１１５は図１に示すように、ＡＢＳ１１１に沿った方向の長手辺Ｈ１と、長手辺Ｈ１と交差する短手辺Ｈ２とを有している。長手辺Ｈ１は例えば７００μｍ、短手辺Ｈ２は例えば２３０μｍとすることができる。

スライダ１０１は光源載置面１１５上にヘッド領域１０１Ａと、予定領域１０１Ｂと、ＰＤ領域１０１Ｃという３つの領域が確保されている。ヘッド領域１０１Ａは、磁気ヘッド部２６０が形成されている領域であって、予定領域１０１Ｂ以外の領域に確保されている。また、ヘッド領域１０１Ａには、複数の電極パッド１３０が形成されている。電極パッド１３０はボンディングワイヤ１３１またはボンディングワイヤ１３２が接続されている。ボンディングワイヤ１３１は電極パッド１３０とレーザダイオード１０２の一方の電極（後述するｎ電極）とに接続され、ボンディングワイヤ１３２は別の電極パッド１３０とレーザダイオード１０２の他方の電極（後述するｐ電極）とに接続されている。

予定領域１０１Ｂは、レーザダイオード１０２が後に装着される領域として、熱アシスト磁気ヘッド１００が完成する前、スライダ基板１の光源載置面１１５上に確保されていた領域である。この予定領域１０１Ｂに形成されている光源装着部１２０にレーザダイオード１０２が装着されたことで熱アシスト磁気ヘッド１００が構成されている。図１は、熱アシスト磁気ヘッド１００を示しているので、図１では、予定領域１０１Ｂにすでにレーザダイオード１０２が装着されている。

予定領域１０１Ｂには、光源装着部１２０が形成されている。光源装着部１２０は図２に示すように底部１２１と壁部１２２とを有している。この底部１２１と壁部１２２とによって形成された凹状の部分が光源装着部１２０である。底部１２１は光源載置面１１５に形成されている。底部１２１は、平坦な矩形状に形成されている。底部１２１の形状はレーザダイオード１０２の後述する載置部１０２ａの外形寸法に応じた形状となっている。例えば、底部１２１は載置部１０２ａの外形寸法と同じかそれよりもごくわずかに大きい大きさの矩形状に形成することができる。また、図３に示すように、底部１２１は光源載置面１１５の他の部分よりもやや凹んだ位置に形成されている。

壁部１２２は底部１２１の周縁部に沿って底部１２１を四方から取り囲むように形成されている。壁部１２２は底部１２１とほぼ直交する方向に起立している。壁部１２２は図３に示すように、磁気ヘッド部２６０の構成要素となる複数のヘッド構成層（例えば、後述する光導波路２８、絶縁層２５等）の端面が積層された端面積層構造を有している。

そして、図１、２に示すように、壁部１２２には、ヘッド構成層の端面のひとつとして、光導波路２８の後述する入射部６１ａが含まれ、入射部６１ａが出現している。入射部６１ａは、壁部１２２のうち最もヘッド領域１０１Ａに近い位置に配置されている。また、入射部６１ａは、レーザダイオード１０２の後述する出射部１５２に応じた位置（対応位置）に配置されている。入射部６１ａは、光源載置面１１５からの高さが最も高い部分と最も低い部分との間に光導波路２８の厚さに応じた幅があり、光導波路２８の厚さに応じた厚さｈ６１（図２６参照、詳しくは後述する）を有している。入射部６１ａが出射部１５２の対応位置に形成されているため、レーザダイオード１０２の装着状態で、出射部１５２が入射部６１ａの厚さｈ６１内に配置されることはもちろんのこと、出射部１５２が入射部６１ａの後述する横幅ｗ２内にも配置されるようになっている。

ＰＤ領域１０１Ｃには、フォトダイオード１０３が形成されている。フォトダイオード１０３は、レーザダイオード１０２が発生するレーザ光Ｌａの時間に応じた変化を監視する手段であって、光導波路２８から漏れるレーザ光が入力されるようになっている。レーザダイオード１０２を長期間、使い続けていると、レーザ光Ｌａの出力が低下するおそれがある。そうすると、後述する近接場光発生層３０から発生する近接場光の強さやスポットの大きさが変化するおそれがある。そのため、フォトダイオード１０３によってレーザ光Ｌａの時間に応じた変化を監視し、その変化に応じてレーザダイオード１０２に流す電流をコントロールすることによって、レーザ光Ｌａの出力が一定になるようにしている。
次に、レーザダイオード１０２について説明する。レーザダイオード１０２は、図１、図２に示すように、光源載置面１１５上に載置される載置部１０２ａと、載置部１０２ａと対向している天端部１０２ｂと、載置部１０２ａの外周に沿った周端部１０２ｃとを有している。

載置部１０２ａと周端部１０２ｃとは光源装着部１２０の内側に入り込んでいる。また、図３に示すように、載置部１０２ａは底部１２１に固定され、周端部１０２ｃはある程度の間隔をおいて壁部１２２と対峙している。載置部１０２ａと周端部１０２ｃとが光源装着部１２０の内側に入り込み、載置部１０２ａが底部１２１に固定されていることによって、レーザダイオード１０２が光源装着部１２０に装着されている。そして、図５に示すように、出射部１５２と入射部６１ａとが対峙し、レーザ光Ｌａが入射部６１ａに対し、入射部６１ａと直交する方向から照射されるようになっている。

レーザダイオード１０２について図５を参照して詳しく説明すると次のとおりである。レーザダイオード１０２は、ｎ基板１４０と、ｎ電極１４１と、光出射層１４５と、ｐ電極１４２とを有し、直方体形状を有している。そして、ｎ基板１４０の外側の表面にｎ電極１４１が接合されている。また、ｎ基板１４０のｎ電極１４１と反対側に光出射層１４５が形成されていて、光出射層１４５にｐ電極１４２が接合されている。光出射層１４５は活性層１４６と、ｎクラッド層１４７と、ｐクラッド層１４８とを有し、活性層１４６をｎクラッド層１４７とｐクラッド層１４８とが挟んだ構造を有している。そして、活性層１４６に出射部１５２が形成されている。

レーザダイオード１０２では、ｐ電極１４２の表面が載置部１０２ａを構成している。また、ｐ電極１４２から光出射層１４５までの部分が周端部１０２ｃを構成している。

出射部１５２はレーザダイオード１０２のレーザ光Ｌａを出射する部分である。図５に示すように、この出射部１５２と載置部１０２ａとの最も短い間隔が出射高ｈ１５２である。出射高ｈ１５２はレーザダイオード１０２によってばらつきがあるため、ある程度の範囲がある。出射高ｈ１５２の範囲（出射高範囲ｗ１５２ともいう）は例えば６μｍ〜８μｍ程度である。また、レーザダイオード１０２の高さｈ１０２（ｎ電極１４１の表面とｐ電極１４２の表面との間隔）は５０μｍ程度である。

（磁気ヘッド部の構造）
続いて、図１から図５とともに図６から図１１を参照して、磁気ヘッド部２６０の構造について説明する。ここで、図６の（Ａ）は図５の６−６線断面図、図６の（Ｂ）は光導波路２８に形成されているミラー部６３の平面図である。図７は光導波路２８を示す平面図である。図８から図１１は別の光導波路の要部を示す平面図である。なお、以下では、磁気ヘッド部２６０の主要部の構造について説明し、主要部以外の部分の構造は後述する製造工程の中で説明する。

磁気ヘッド部２６０は図３に示すように、再生ヘッド２５１および記録ヘッド２５２を有している。磁気ヘッド部２６０は再生ヘッド２５１と記録ヘッド２５２とを積層した構造を有している。

再生ヘッド２５１は、ＡＢＳ１１１の近傍に配置された磁気的信号検出用のＭＲ素子５を有している。また、再生ヘッド２５１は、下部シールド層３と、下部シールドギャップ膜４と、上部シールドギャップ膜６と、上部シールド層７とによって構成されている。これらの各層は再生ヘッド２５１の構成要素となるヘッド構成層である。

そして、光源載置面１１５上のヘッド領域１０１Ａ上に絶縁層２が形成され、その絶縁層２の上に磁性材からなる下部シールド層３が形成されている。また、下部シールド層３の上に絶縁膜としての下部シールドギャップ膜４が形成され、さらにその上にＭＲ素子５をシールドしている上部シールドギャップ膜６が形成されている。また、上部シールドギャップ膜６の上に磁性材からなる上部シールド層７が形成され、その上に絶縁層８が形成されている。

ＭＲ素子５は、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子、ＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子などの磁気抵抗効果を示す感磁膜によって構成されている。

ＧＭＲ素子は、ＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、ＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。ＣＩＰタイプは、磁気的信号検出用の電流をＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すタイプである。ＣＰＰタイプは、磁気的信号検出用の電流をＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すタイプである。

次に、記録ヘッド２５２の構造について説明する。記録ヘッド２５２は後述するハードディスク２０２の記録面に対するデータの記録に用いられる。記録ヘッド２５２は下部薄膜コイル１０と、リターン磁極層２０と、ベース絶縁層２７と、光導波路２８と、介在層２９と、近接場光発生層３０と、主磁極層４０と、連結磁極層４７と、上部薄膜コイル５０とを有し、これらがスライダ基板１のヘッド領域１０１Ａ上に積層された構成を有している。下部薄膜コイル１０から上部薄膜コイル５０までの各層は、記録ヘッド２５２の構成要素となるヘッド構成層である。

下部薄膜コイル１０は、４つのターン部を有している。下部薄膜コイル１０は上部薄膜コイル５０とつながって一連のコイルを形成している。下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０は、主磁極層４０の周りに螺旋状に巻回されたヘリカルコイル（helical coil）である。

４つのターン部はそれぞれＡＢＳ１１１からの距離が異なる位置に配置されている。これらのうち、ターン部１０Ｄが下部薄膜コイル１０の４つのターン部の中でＡＢＳ１１１から最も離れた位置に配置されている部分であり、最遠導体部としての構成を有している。また、４つのターン部はフォトレジスト１１によって互いに絶縁されている。

上部薄膜コイル５０は、下部薄膜コイル１０と同様に４つのターン部を有している。各ターン部はフォトレジスト５１によって互いに絶縁されている。

そして、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とに磁気記録媒体に記録されるデータに応じて変調された電流を流すと、その電流によって、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とが記録磁界を発生する。

リターン磁極層２０は接続磁極層２１と、前側磁極層２２および後側磁極層２３とを有している。接続磁極層２１は図４に示すように、ＡＢＳ１１１内に配置されている磁極端面２１ａを有し、その磁極端面２１ａよりもＡＢＳ１１１から離れた部分が絶縁層８の中に埋め込まれている。また、接続磁極層２１はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１１１から離れた位置にまで達する大きさを有している。接続磁極層２１は下部薄膜コイル１０よりもＡＢＳ１１１側に前側磁極層２２が接合され、ターン部１０ＤよりもＡＢＳ１１１から離れた位置に後側磁極層２３が接合されている。

前側磁極層２２はＡＢＳ１１１内に配置された端面を有している。後側磁極層２３はターン部１０ＤよりもＡＢＳ１１１から離れた位置に配置され、接続磁極層２１と後述する連結磁極層４７とに接合されている。

リターン磁極層２０は磁束を主磁極層４０に戻すために設けられている。記録磁界による磁束が主磁極層４０の後述する磁極端面４１ａから磁気記録媒体に向けて放出されると、この磁束が磁気記録媒体（詳しくは図示しない軟磁性層）を経由してリターン磁極層２０に還流する。この磁束は連結磁極層４７を通過して主磁極層４０に到達する。

ベース絶縁層２７は光導波路２８を受けるベース材となる絶縁層である。ベース絶縁層２７は表面の一部がＡＢＳ１１１に露出している。ベース絶縁層２７は、前側磁極層２２の表面２２ａ（図３には図示せず、図１６参照）と層間絶縁層２６の表面を被覆している。ベース絶縁層２７は、下部薄膜コイル１０と光導波路２８との間に配置されている。ベース絶縁層２７は、光導波路２８側の表面２７ａの上に光導波路２８が形成されている。

そして、表面２７ａのＡＢＳ１１１から離れた位置に段部２７ｂが形成されている（詳しくは図１７参照）。段部２７ｂは、平坦であり、かつ表面２７ａよりも高さが低い（光源載置面１１５との距離が短い）段差構造の部分である。詳しくは後述するが、熱アシスト磁気ヘッド１００は、段部２７ｂと後述するスペーサ磁性層３４０の最上面とがずれないように、すなわち、段部２７ｂの表面とスペーサ磁性層３４０の最上面とが段差がなく平坦になるように製造されている。段部２７ｂはスペーサ磁性層３４０の最上面と高さがずれないように表面を揃えた等面部としての機能を有している。

次に、光導波路２８について説明する。光導波路２８はレーザダイオード１０２から出射したレーザ光Ｌａが近接場光発生層３０に照射されるよう、レーザ光ＬａをＡＢＳ１１１側に導く部材である。光導波路２８はＴａ_２Ｏ_５等のレーザ光を通過させる誘電体を用いてベース絶縁層２７の表面２７ａおよび段部２７ｂ上に直に形成されている。

光導波路２８は図５に詳しく示すように、第１の光導波路６１と、第２の光導波路６２と、ミラー部６３とを有し、これらが一体となった概ねＬ字状に形成されている。

第１の光導波路６１は、図１に示すように、光源装着部１２０の壁部１２２に接続されている。第１の光導波路６１は、壁部１２２からＡＢＳ１１１に沿った方向に沿って直線状に延びている部分であって、図５に示すように、入射部６１ａと、外側面６１ｂと、内側面６１ｃとを有している。第１の光導波路６１が壁部１２２に接続されていることによって、その壁部１２２に第１の光導波路６１の端面が出現している。この端面が入射部６１ａである。第１の光導波路６１の厚さは後述する厚さｈ６１（１μｍ〜１．５μｍ）と一致しており、第２の光導波路６２のＡＢＳ１１１側の厚さｈ６２（０．３μｍ〜０．５μｍ）よりも大きくなっている（ｈ６１＞ｈ６２）。

入射部６１ａはレーザダイオード１０２からレーザ光Ｌａが入射する部分である。入射部６１ａは、ＡＢＳ１１１と交差する方向の横幅（図７参照）ｗ２と、厚さｈ６１とを有する矩形状に形成され、光源装着部１２０の壁部１２２内に配置されている。外側面６１ｂは入射部６１ａにつながり、入射部６１ａからＡＢＳ１１１に沿った方向に形成されている。外側面６１ｂは内側面６１ｃよりもＡＢＳ１１１から離れた位置に配置されている。外側面６１ｂはＡＢＳ１１１に沿った方向の長さＬ１（外側長ともいい、図７参照）を有している。

内側面６１ｃも入射部６１ａにつながり、入射部６１ａからＡＢＳ１１１に沿った方向に形成されている。内側面６１ｃは外側面６１ｂよりもＡＢＳ１１１に近い位置に配置されている。内側面６１ｃはＡＢＳ１１１に沿った方向の長さＬ２（内側長ともいい、図７参照）を有している。

第２の光導波路６２は第１の光導波路６１に接続されている。光導波路２８の第１の光導波路６１に接続されている部分（接続部ともいい、図７に点線で示した部分）を有し、ＡＢＳ１１１に向かって直線状に延びている部分が第２の光導波路６２となっている。第２の光導波路６２はＡＢＳ１１１と直交状に交差している。第２の光導波路６２は、第１の光導波路６１とも直交状に交差している。図７に示した交差角βは９０度である。

第２の光導波路６２は定幅部６４と、可変幅部６５と、細幅端部６６とを有している。定幅部６４はＡＢＳ１１１に向かって直線状に延び、かつＡＢＳ１１１に沿った一定の幅を有している部分である。定幅部６４は第１の光導波路６１から離れた外側部分が傾斜側面６２ａとなっており、この傾斜側面６２ａに外側からミラー部６３が接合されている。

可変幅部６５は定幅部６４に接続され、かつ定幅部６４よりもＡＢＳ１１１に近い位置に配置されている。可変幅部６５は、ＡＢＳ１１１に近づくにしたがい漸次幅が狭まっている。細幅端部６６は可変幅部６５の最も狭まった部分に応じた幅の狭い部分である。細幅端部６６は可変幅部６５に接続され、かつ端面がＡＢＳ１１１内に配置されている。

ミラー部６３は第２の光導波路６２の傾斜側面６２ａに外側から接合されている。ミラー部６３は入射部６１ａから入射するレーザ光Ｌａを反射して、その進行方向をＡＢＳ１１１に沿った方向からＡＢＳ１１１に交差する方向に９０度曲げる機能を有している。

ミラー部６３は、図６（Ｂ）に示すように、主鏡面６３ａと、その両端に形成された２つの折曲鏡面６３ｂとを有している。主鏡面６３ａは厚さｈ６１に対応した高さと、横幅ｗ３を有している。

また、図７に示すように、ミラー部６３は入射部６１ａからみて設置角αをなす方向に配置されている。設置角αは４５度に設定されている。ミラー部６３は入射部６１ａからみて設置角αをなす斜め方向に配置されているため、主鏡面６３ａの入射部６１ａからみた横幅（これを投影幅ともいう）ｗ１が横幅ｗ３よりも小さくなっている。この投影幅ｗ１は入射部６１ａの横幅ｗ２と等しいかそれよりも大きい大きさに設定されている（ｗ１≧ｗ２）。また、設置角αが４５度に設定されているので、主鏡面６３ａの横幅ｗ３は投影幅ｗ１のＸ倍（Ｘは２の平方根）となっている。

ここで、図８に示すように、ミラー部６３の投影幅を入射部６１ａの横幅ｗ２よりも小さいｗ０にしたとする（ｗ０＜ｗ２）。この場合、レーザ光Ｌａが光線Ｂ１のように、入射部６１ａの外側面６１ｂ側から入射すればミラー部６３によってレーザ光Ｌａが反射されるものの、光線Ｂ２のように入射部６１ａの内側面６１ｃ側から入射した場合にミラー部６３から外れてしまい、ミラー部６３によってレーザ光Ｌａが反射されなくなるおそれがある。

これに対し、図９に示すように、ミラー部６３の投影幅ｗ１が横幅ｗ２よりも大きければ、レーザ光Ｌａが内側面６１ｃ側から入射しても、ミラー部６３によってレーザ光Ｌａが反射される。レーザ光Ｌａが内側面６１ｃ側から入射しても、ミラー部６３によってレーザ光Ｌａが反射されるようにするには、投影幅ｗ１を横幅ｗ２と同じかそれよりも大きくすることが適切である。この点を考慮し、ミラー部６３の投影幅ｗ１は横幅ｗ２と等しいかそれよりも大きい大きさに設定されている。

また、外側面６１ｂの長さが内側面６１ｃの内側長Ｌ２よりも短いＬ０になっていたとする。この場合、図１０に示すようにレーザ光Ｌａが光線Ｂ２のように、内側面６１ｃ側から入射すればレーザ光Ｌａがミラー部６３によって反射され、その後、ＡＢＳ１１１に向かって進行する。しかし、光線Ｂ１のようにレーザ光Ｌａが入射部６１ａの外側面６１ｂ側から入射すると、そのレーザ光Ｌａはミラー部６３によって反射されても内側面６１ｃに到達してしまい、ＡＢＳ１１１に向かって進行しなくなるおそれがある。

これに対し、図１１に示すように、外側面６１ｂの長さが内側長Ｌ２よりも長いＬ１になっていれば、レーザ光Ｌａが外側面６１ｂ側から入射しても、ミラー部６３によって反射された後、ＡＢＳ１１１に向かって進行する。レーザ光Ｌａが外側面６１ｂ側から入射しても、ミラー部６３による反射後、ＡＢＳ１１１に向かって進行するようにするには、外側長Ｌ１を内側長Ｌ２と同じかそれよりも大きくすることが適切である。この点を考慮し、外側長Ｌ１は内側長Ｌ２と同じかそれよりも大きい大きさに設定されている。

続いて、図３，４を参照して、介在層２９と近接場光発生層３０について説明する。介在層２９は光導波路２８の表面上に直に形成されている。介在層２９は光導波路２８と、近接場光発生層３０および主磁極層４０とを電気的に分離している。介在層２９は光導波路２８よりも屈折率の低い誘電体を用いて形成され、例えばアルミナが用いられる。介在層２９は例えば１０〜７０ｎｍ程度の、主磁極層４０や光導波路２８と比べて極めて薄い厚さを有しているため、極薄介在層ともいう。

近接場光発生層３０は金属からなり、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｉｒのいずれか、またはこれらのうちの複数の元素からなる合金によって形成されている。

近接場光発生層３０は近接場光発生部３０ａと尾根部３０ｈとを有している。近接場光発生層３０はＡＢＳ１１１から離れるようにして、ＡＢＳ１１１と直交状に交差する方向（奥行き方向）に延びる三角柱状に形成されている。

近接場光発生部３０ａはＡＢＳ１１１内に配置されている。近接場光発生部３０ａは磁極端部層４１側の発生端部３０ｃが一つの頂点となった２等辺三角形に形成されている。この２等辺三角形は発生端部３０ｃにつながる２つの辺の長さが等しく形成されている。

尾根部３０ｈは奥行き方向に沿って直線状に形成されている。尾根部３０ｈは主磁極層４０の後述する磁極端部層４１と対峙している。近接場光発生層３０は、尾根部３０ｈを境にしてＡＢＳ１１１に沿った左右対称の構造を有している。

近接場光発生層３０はその周囲が誘電体層３１によって満たされている。誘電体層３１はアルミナ等の誘電体を用いて形成されている。

次に、主磁極層４０と、連結磁極層４７とについて説明する。主磁極層４０は、ＡＢＳ１１１側において、近接場光発生層３０の発生端部３０ｃに対峙するように形成されている。主磁極層４０は磁極端部層４１とヨーク磁極層４２とを有している。

磁極端部層４１はＡＢＳ１１１内に配置されている磁極端面４１ａを有している。磁極端部層４１は近接場光発生層３０に対応した奥行きを有している。ヨーク磁極層４２は、磁極端部層４１と連結磁極層４７とに接合されている。ヨーク磁極層４２は、ＡＢＳ１１１側に絶縁層３２が配置されており、絶縁層３２よりもＡＢＳ１１１から離れた位置に配置されている。ヨーク磁極層４２は、奥行き方向に延び、上部薄膜コイル５０側の表面と、下部薄膜コイル１０側の裏面とがともに平坦な構造を有している。

連結磁極層４７は下部薄膜コイル１０および上部薄膜コイル５０よりもＡＢＳ１１１から離れた位置においてヨーク磁極層４２と後側磁極層２３に接合されている。連結磁極層４７はリターン磁極層２０と主磁極層４０とを磁気的に連結しリターン磁極層２０に戻ってきた磁束を主磁極層４０に戻す役割を有している。

（熱アシスト磁気ヘッドの動作内容）
続いて、以上の構成を有する熱アシスト磁気ヘッドの磁気記録動作について説明すると次のとおりである。

磁気記録媒体に記録されるデータに応じて変調された電流が下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０とに流されると、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０がその電流によって記録磁界を発生する。この記録磁界は主磁極層４０を通り、その記録磁界による磁束が磁極端面４１ａから磁気記録媒体に向けて放出される。この磁束によって磁気記録媒体に対するデータの記録が行われる。

一方、レーザダイオード１０２がレーザ光Ｌａを出射部１５２から出射する。すると、レーザ光ＬａはＡＢＳ１１１に沿った方向に進行した後、光導波路２８に到達する。そして、図５に示すように、レーザ光Ｌａは入射部６１ａと直交する方向から入射部６１ａに照射され入射部６１ａを通って光導波路２８の内部に入射する。レーザ光Ｌａは第１の光導波路６１の内部をＡＢＳ１１１に沿った方向に進行した後、ミラー部６３に到達する。

そして、光導波路２８が、設置角αが４５度に設定されているミラー部６３を有するので、レーザ光Ｌａのミラー部６３に対する入射角が４５度になり、反射角も４５度になる。そのため、レーザ光Ｌａは、ミラー部６３により反射されることによって進行方向を９０度曲げてＡＢＳ１１１に交差する方向に変更し、第２の光導波路６２の内部をＡＢＳ１１１に向けて進行する。

また、光導波路２８のＡＢＳ１１１側に介在層２９を介して近接場光発生層３０が配置されているので、レーザ光は光導波路２８の内部をＡＢＳ１１１の近くまで進行すると、介在層２９を介して近接場光発生層３０に照射される。

このように、熱アシスト磁気ヘッド１００では、光導波路２８が、設置角αが４５度に設定されているミラー部６３を有するので、レーザダイオード１０２がＡＢＳ１１１に沿った方向にレーザ光Ｌａを出射しても、そのレーザ光Ｌａの進行方向が９０度曲がり、レーザ光Ｌａが近接場光発生層３０に照射されるようになっている。

ここで、レーザ光Ｌａの出力をある程度の大きさにするためには、ある程度の大きさのレーザダイオード１０２を装着することが好ましい。そうすると、レーザダイオード１０２のスライダ１０１に対する寸法が比較的大きくなることがある。この場合、レーザダイオード１０２をスライダ１０１に装着したとき、光源載置面１１５の中でレーザダイオード１０２の装着スペースの占める割合が大きくなることがある。

レーザダイオード１０２の大きさが小さいか、またはスライダ１０１の大きさが大きくて装着スペースの占める割合が小さくなれば、レーザダイオード１０２を出射部１５２がＡＢＳ１１１に対向するように配置してスライダ１０１に装着することも可能である（このようなレーザダイオード１０２の配置を「対向配置」という）。しかし、レーザダイオード１０２やスライダ１０１の大きさによっては、熱アシスト磁気ヘッド１００のように出射部１５２がＡＢＳ１１１と交差するように配置したときにだけ、レーザダイオード１０２が装着できるようになることもある（このようなレーザダイオード１０２の配置を「交差配置」という）。

熱アシスト磁気ヘッド１００は、前述した光導波路２８を有しているので、レーザダイオード１０２がスライダ１０１に交差配置で装着されていても、レーザ光ＬａをＡＢＳ１１１側に導き、レーザ光Ｌａが近接場光発生層３０に照射されるようになっている。これは光導波路２８がミラー部６３を有していることに起因している。つまり、ミラー部６３がレーザ光Ｌａの進行方向を９０度曲げることによってＡＢＳ１１１に沿った方向からＡＢＳ１１１に交差する方向に変更することに起因している。

そして、光導波路２８には、光導波路２８よりも屈折率の小さい介在層２９が接している。そのため、光導波路２８から介在層２９にレーザ光が入射して全反射を起こしたさい、屈折率の小さい介在層２９の表面近傍にエバネッセント光がしみ出す。このエバネッセント光を用いることによって、その位相速度を表面プラズモンの位相速度に一致させることができ、近接場光発生層３０に表面プラズモンを励起することができる。

この表面プラズモンは、近接場光発生層３０のＡＢＳ１１１側に配置されている発生端部３０ｃに伝搬するが、発生端部３０ｃが２等辺三角形の近接場光発生部３０ａにおける等辺を挟んだ頂点となっているため、表面プラズモンが発生端部３０ｃに集中する。そして、発生端部３０ｃの近傍に非常に強い電界強度を有する近接場光が発生する。

この近接場光は発生端部３０ｃから磁気記録媒体に向けて照射され、磁気記録媒体の表面に達する。すると、その近接場光によって磁気記録媒体の磁気記録層におけるごく限られた微小領域が集中的に加熱される。そして、その磁気記録層では、記録磁界による磁束によってデータを記録できる程度にまで保磁力が低下する。

熱アシスト磁気ヘッド１００では、以上のようにして保磁力を低下させることができるので、高密度記録用の保持力の高い磁気記録媒体に対しても、データを記録することができる。

ところで、熱アシスト磁気ヘッド１００の光源載置面１１５はＡＢＳ１１１と直交状に交差している。この光源載置面１１５上にレーザダイオード１０２が装着されているため、熱アシスト磁気ヘッド１００では、レーザダイオード１０２がＡＢＳ１１１に沿った方向に張り出している。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００では、レーザダイオード１０２がＡＢＳ１１１からみた奥行き方向には張り出さなくなっているので、奥行き方向の寸法をスライダ１０１（スライダ基板１）の大きさにとどめることができ、奥行き方向の寸法を小さくすることができる。

そして、レーザダイオード１０２は光源装着部１２０に装着されている。光源装着部１２０は底部１２１と壁部１２２とによって形成された凹状の部分であるが、底部１２１は載置部１０２ａの外形寸法に応じた形状となっている。また、底部１２１の周縁部に沿って壁部１２２が形成され、壁部１２２の、レーザダイオード１０２の出射部１５２の対応位置に入射部６１ａが形成されている。

壁部１２２は、レーザダイオード１０２を光源装着部１２０に装着する際、載置部１０２ａと周端部１０２ｃを光源装着部１２０の内側に案内するガイド機能を発揮する。そのため、壁部１２２に沿って載置部１０２ａと周端部１０２ｃを嵌め込めば載置部１０２ａを正確にかつ確実に底部１２１に接面させることができる。そして、壁部１２２の出射部１５２に応じた対応位置に入射部６１ａが形成されているため、レーザダイオード１０２の装着が完了した時点で入射部６１ａと出射部１５２の位置が正確に一致することとなり、入射部６１ａと出射部１５２の精度の高い正確な位置合わせが行える。

また、熱アシスト磁気ヘッド１００では、レーザダイオード１０２を光源装着部１２０に装着することによって入射部６１ａと出射部１５２の正確な位置合わせが行われる。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００では、入射部６１ａと出射部１５２の位置合わせの精度が高いだけでなく、そのような精度の高い正確な位置合わせがとても行いやすく、簡易に行えるようになっている。

さらに、熱アシスト磁気ヘッド１００では、壁部１２２が端面積層構造を有し光導波路２８を含む複数のヘッド構成層の端面が積層されることによって壁部１２２が形成されている。熱アシスト磁気ヘッド１００では、磁気ヘッド部２６０を形成するべく、光導波路２８、絶縁層２５等の複数のヘッド構成層を積層することによって、壁部１２２を形成している（詳しくは後述する）。そのため、ヘッド形成工程が壁部１２２の形成を兼ねたものとなり、壁部１２２を形成するための特別の工程は要さないことになっている。

したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００は、レーザダイオード１０２を装着するための光源装着部１２０を簡便に製造することができる。また、スペーサ磁性層３４０を除去したときに、積み重なったヘッド構成層の端面が壁部１２２となって出現し、入射部６１ａも出現する。そのため、入射部６１ａを簡単に形成することができる。さらに、光源載置面１１５上にレーザダイオード１０２の装着スペースを確保するのに凹部を形成する等の光源載置面１１５の加工を要しない。スライダ基板１はセラミック材料からなるため、凹部を形成する等の加工が困難であるが、本実施の形態ではそのような加工を要しないものとなっている。

さらに、熱アシスト磁気ヘッド１００は、セラミック材料からなるスライダ基板１上にレーザダイオード１０２が装着されている。そのため、レーザダイオード１０２の装着状態が安定し、入射部６１ａと出射部１５２の位置合わせ状態を安定的に維持することができる。しかも、レーザダイオード１０２がスライダ１０１とは別の部材に固定されている場合と異なり、全体としてのまとまりも良好なものとすることができる。

また、スライダ基板１はアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなるため、ヒートシンク機能を有している。そのため、スライダ基板１によって、レーザダイオード１０２が発生する熱を外部に放出することもできる。

そして、以上の作用効果のほか、熱アシスト磁気ヘッド１００は次のような作用効果を奏する。

前述したとおり、図示した下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０はヘリカルコイルである。図示はしないが、熱アシスト磁気ヘッド１００では、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０を平面渦巻き状に巻回されたコイル（平面渦巻きコイル）にすることもできる。下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０を平面渦巻きコイルにするよりも、ヘリカルコイルにする方が下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０のＡＢＳ１１１からの奥行きを縮小することができる。この奥行きとは、ＡＢＳ１１１と、ＡＢＳ１１１から最も離れたターン部との間隔である。

特に熱アシスト磁気ヘッド１００のように、レーザダイオード１０２をスライダ１０１上に装着するときは、光源載置面１１５上にレーザダイオード１０２の装着スペースを確保する必要がある。下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０の奥行きが小さい方が、予定領域１０１Ｂの大きさ、場所、配置等の自由度が高まり、レーザダイオード１０２の装着スペースを確保しやすい。そうすると、レーザダイオード１０２よりも大きさの大きいレーザダイオードなど、色々な種類のレーザダイオードをスライダ１０１に装着できるようになる。また、光源装着部の場所も変更できるようになる。そうすると、光導波路の形状を変更することも可能となり、磁気ヘッド部の構造の自由度を高めることもできる。こうしたことから、下部薄膜コイル１０と上部薄膜コイル５０はヘリカルコイルにすることが好ましい。

また、近接場光発生層３０が２つの側面から光を取り込めるように構成されているから、エバネッセント光を効率的に取りこみ、表面プラズモンを効率的に発生することができる。

（熱アシスト磁気ヘッドの製造方法）
次に、前述の図１〜図３とともに、図１２〜図２３を参照して、前述の構造を有する熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法について説明する。

ここで、図１２〜図２３は、熱アシスト磁気ヘッド１００の各製造工程における図３に対応した断面図である。各図において、左側端面は後にＡＢＳ１１１となる位置（対向面予定位置）を示している。

熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法は、ヘッド形成工程と、装着部形成工程と、光源装着工程とを有している。熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法ではヘッド形成工程、装着部形成工程、光源装着工程の順に各工程が実行される。

（ヘッド形成工程）
ヘッド形成工程では、前述したヘッド領域１０１Ａにおける磁気ヘッド部２６０の形成と、予定領域１０１Ｂにおける後述するスペーサ磁性層３４０の形成とが行われる。

まず、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ_２Ｏ_３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなるスライダ基板１を準備する。そして、スライダ基板１の光源載置面１１５上に予定領域１０１Ｂを確保する。予定領域１０１Ｂは後にレーザダイオード１０２が装着される領域である。予定領域１０１Ｂを光源載置面１１５上に取っておき、磁気ヘッド部２６０や電極パッド１３０を形成する等して、予定領域１０１Ｂが無くならないようにする。

図１２に示すように、熱アシスト磁気ヘッド１００では、レーザダイオード１０２のｐ電極１４２の大きさと出射高ｈ１５２とを考慮して、予定領域１０１Ｂの表面に、ごくわずかな凹みが形成されているが、凹みを形成しなくてもよい。この予定領域１０１Ｂには、後に光源装着部１２０が形成され、その光源装着部１２０にレーザダイオード１０２が装着されることになっている。それから、光源載置面１１５上に膜厚の一様な絶縁膜２ａを形成する。

次に、ヘッド領域１０１Ａにおいて、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材からなる絶縁層２と、磁性材からなる下部シールド層３と、下部シールドギャップ膜４とを順に形成する。

続いて、ＭＲ素子５をシールドするように絶縁材を用いて上部シールドギャップ膜６を形成する。このとき、ＭＲ素子５に接続される図示しないリードを形成し、ＭＲ素子５およびリードを上部シールドギャップ膜６で覆う。それから、磁性材を用いて上部シールドギャップ膜６の上に上部シールド層７を形成する。

次に、上部シールド層７の上にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層８を形成する。その後、絶縁層８のうちの対向面予定位置側を除去して、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅＮ等の磁性材を用いて接続磁極層２１を形成する。

一方、予定領域１０１Ｂでは、前述の絶縁層２から接続磁極層２１を形成するのに対応して、対応磁性層３０３，３０７，３２１を３０３，３０７，３２１の順に積層する。

対応磁性層３０３，３０７，３２１は、いずれもヘッド用磁性材を用いて形成されている。ヘッド用磁性材は、ヘッド領域１０１Ａにおいて、絶縁層２から接続磁極層２１までの各ヘッド構成層（絶縁層２、下部シールド層３、下部シールドギャップ膜４、上部シールドギャップ膜６、上部シールド層７、絶縁層８、接続磁極層２１）を形成するときに用いる磁性材である。これらのヘッド構成層のうち、磁性材からなる層、すなわち、下部シールド層３、上部シールド層７、接続磁極層２１がヘッド磁性層である。対応磁性層３０３，３０７，３２１は、ヘッド磁性層をそれぞれ形成するときに用いるヘッド用磁性材を用いて形成されている。例えば、磁性材のＣｏＦｅＮを用いて接続磁極層２１を形成しているときは、接続磁極層２１のヘッド用磁性材はＣｏＦｅＮであり、このＣｏＦｅＮを用いて対応磁性層３２１が形成されている。

また、対応磁性層３０３，３０７，３２１はヘッド領域１０１Ａの対応するヘッド磁性層と表面がずれることなく揃えて形成されている。例えば、対応磁性層３０３は下部シールド層３と表面が揃うように形成されている。そのため、下部シールド層３と対応磁性層３０３が形成された時点で、ヘッド領域１０１Ａと予定領域１０１Ｂの境目は段差がなく平坦になっている。

続いて、図１３に示すように、ヘッド領域１０１Ａ上にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層２４を形成し、絶縁層２４のうちの後側磁極層２３を形成する部分を除去する。

それから、絶縁層２４の上に例えばフレームめっき法によって下部薄膜コイル１０を形成する。続いて、絶縁層２４の開口部分に例えばフレームめっき法によって後側磁極層２３を形成する。これまでの工程を経ることによって、図１３に示す状態が得られる。なお、下部薄膜コイル１０と、後側磁極層２３とを形成する順序を変更し、後側磁極層２３を下部薄膜コイル１０よりも前に形成してもよい。

次に、図１４に示すように積層体の表面にフォトレジストを塗布し、その後、所定のフォトマスクを用いてパターニングを行い、後側磁極層２３および下部薄膜コイル１０を被覆するフォトレジスト層７０をヘッド領域１０１Ａ上に形成する。さらに、ヘッド領域１０１Ａおよび予定領域１０１Ｂ上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて後に絶縁層２５となる絶縁層７１を形成する。

その後、図１５に示すように、下部薄膜コイル１０が現われるまで積層体の表面を例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、積層体表面の平坦化を行う。さらに、予定領域１０１Ｂ上に残った絶縁層２５を除去すると下部薄膜コイル１０がフォトレジスト１１によって絶縁されている状態が得られる。

続いて、図１６に示すように、下部薄膜コイル１０の露出している表面を被覆するようにして、積層体の表面全体にアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて層間絶縁層２６を形成する。

次に、層間絶縁層２６のうち、ヘッド領域１０１Ａにおいて後側磁極層２３が形成されている部分と、前側磁極層２２を形成しようとしている部分とを除去する。このとき、予定領域１０１Ｂからも層間絶縁層２６を除去する。

そして、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅ等の磁性材を用いて、ヘッド領域１０１Ａに前側磁極層２２を形成する。このとき、予定領域１０１Ｂでは、前側磁極層２２を形成するのに対応して、前側磁極層２２のヘッド用磁性材を用いて対応磁性層３２２を形成する。対応磁性層３２２は対応磁性層３２１の上に積層する。また、対応磁性層３２２は、その表面３２２ａが前側磁極層２２の表面２２ａとずれることなく揃うようにして形成されている。

対応磁性層３２２が形成されたことにより、図１７に示すように、予定領域１０１Ｂにスペーサ磁性層３４０が形成される。スペーサ磁性層３４０は、レーザダイオード１０２の装着スペースを光源載置面１１５上に確保するためのスペーサとして形成されている。スペーサ磁性層３４０の最も外側に配置される部分（最上面）は対応磁性層３２２の表面３２２ａである。

ここで、スペーサ磁性層３４０が形成されたタイミングで、スペーサ磁性層３４０の厚さを調べ、この厚さが前述した出射高範囲ｗ１５２に入っていることを確認する。本実施の形態では、この工程を厚さ確認工程という。スペーサ磁性層３４０の厚さは予定領域１０１Ｂの絶縁膜２ａから表面３２２ａまでの高さに相当し、スペーサ高３４０Ｌともいう。

厚さ確認工程を実行しなくても、絶縁層２からベース絶縁層２７までの各ヘッド構成層を決められた厚さで形成することによって、光源載置面１１５から光導波路２８までの高さを出射高ｈ１５２と一致させることができる。すると、入射部６１ａと出射部１５２とを対峙させることができる。また、後述する段部２７ｂのような等面部を形成しなくても入射部６１ａと出射部１５２とを対峙させることができる。

しかし、レーザダイオード１０２の出射高ｈ１５２にはある程度のばらつきがあるし、各ヘッド構成層の厚さにもばらつきが出ることがある。そのため、レーザダイオード１０２を装着したときに入射部６１ａと出射部１５２の高さ位置がずれるおそれがある。そこで、本実施の形態では、厚さ確認工程を行うとともに、段部２７ｂを形成している。

また、第２の光導波路６２よりも第１の光導波路６１の厚さを厚くして光導波路２８を形成している。こうして、入射部６１ａの厚さｈ６１を広くしているため、出射高ｈ１５２のばらつきを吸収しやすくなっている。

続いて、ヘッド領域１０１Ａ上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いてベース絶縁層２７を形成する。このベース絶縁層２７の表面２７ａのうち、予定領域１０１Ｂ側を除去して段部２７ｂを形成する。このとき、段部２７ｂの表面がスペーサ磁性層３４０の最上面（対応磁性層３２２の表面３２２ａ）とずれることなく揃うように、段部２７ｂを形成する。段部２７ｂが形成された時点でベース絶縁層２７と対応磁性層３２２とは、その境目において段差がなく平坦になっている。

段部２７ｂを形成しようとする時点で、ヘッド領域１０１Ａに積層されている積層体の最上面がベース絶縁層２７の表面２７ａである。段部２７ｂは、スペーサ磁性層３４０と表面を揃えた部分であり、表面２７ａに形成されているので、本実施の形態における等面部としての機能を有している。また、段部２７ｂを形成する工程が等面部形成工程である。

このように、本実施の形態では、スペーサ磁性層３４０と表面を揃えた段部２７ｂをベース絶縁層２７に形成している。このベース絶縁層２７上に光導波路２８が形成されている。したがって、図２６に示すように、スペーサ高３４０Ｌが出射高範囲ｗ１５２に入っていれば、光源載置面１１５から入射部６１ａの最も下の部分までの高さも出射高範囲ｗ１５２に入ることとなる。そうすると、スペーサ磁性層３４０を除去してレーザダイオード１０２を装着したときに、出射部１５２が入射部６１ａに対峙するようになる。

そして、例えば、スペーサ高３４０Ｌを出射高範囲ｗ１５２の下限値（出射高の最も小さい値で、出射高範囲ｗ１５２が６μｍ〜８μｍの場合は６μｍ）に一致させたとすると、光源載置面１１５から入射部６１ａの最も下の部分までの高さも下限値に一致させることができる。そうすると、レーザダイオード１０２の出射高ｈ１５２が出射高範囲ｗ１５２の下限値よりも小さいことは極めて稀なので、装着されるレーザダイオード１０２の出射部１５２がすべてスペーサ高３４０Ｌよりも高い位置に配置されることになる。そのため、出射部１５２がより確実に入射部６１ａに対峙するようにすることができる。

したがって、前述の厚さ確認工程では、スペーサ高３４０Ｌが出射高範囲ｗ１５２の下限値よりの値になっていること、例えば出射高範囲ｗ１５２の中間値から下限値までの範囲に入っているようにすることが好ましい。さらに好ましくは、スペーサ高３４０Ｌを出射高範囲ｗ１５２の下限値に設定することが好ましい。光導波路２８を受けるベース材となるのがベース絶縁層２７という絶縁層なので、段部２７ｂを簡易に製造できる。

続いて、光導波路形成工程を実行する。光導波路形成工程では、第１の光導波路６１と第２の光導波路６２とを形成し、その後、ミラー部６３を形成する。まず、ヘッド領域１０１Ａ上にＴａ_２Ｏ_５等のレーザ光を通過させる誘電体を用いて誘電体層をベース絶縁層２７の上に直に形成する。この誘電体層の不要な部分を除去することによって、光導波路２８を構成する第１の光導波路６１，第２の光導波路６２を形成する。このとき、第１の光導波路６１が段部２７ｂ上に配置され、かつ壁部１２２に接続されるようにして、第１の光導波路６１，第２の光導波路６２を形成する。第１の光導波路６１，第２の光導波路６２を上記のように形成することによって、光源装着部１２０を形成したときに、壁部１２２に入射部６１ａを出現させることができる。

それから、ガラス、樹脂等の絶縁性の材料や、半導体材料等を用いてミラー部６３の形状に応じた部材（ミラー部用部材）を用意し、その部材の内側の表面に金属膜を付着することによってミラー部６３を形成する。この場合の金属膜は、例えばＡｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｇ、Ａｌ等の金属を用いて５０〜２００ｎｍ程度の厚さで形成することができる。また、金属膜は、例えば蒸着法やスパッタリング等によってミラー部用部材に金属を付着させて形成することができる。こうして得られたミラー部６３を第２の光導波路６２の傾斜側面６２ａに接合することによって光導波路２８を形成することができる。

次に、図１８に示すように、ヘッド領域１０１Ａ上に、例えば原子層堆積法（Atomic Layer Deposition）によりアルミナ等の誘電体を用いて介在層２９を形成する。さらに続いて、発生端部が対向面予定位置に配置され、かつ底面が介在層２９に直に接するようにして、例えばスパッタリングにより棒状の金属層を形成する。それから、その金属層を例えばイオンビームエッチング等により成形して三角柱状の近接場光発生層３０を形成する。

さらに、図１９に示すように、ヘッド領域１０１Ａ上に誘電体層３１を形成することによって、近接場光発生層３０の周囲を誘電体層３１によって満たす。また、誘電体層３１のうち、不要な部分を除去して、磁極端部層４１と、連結磁極層４７とを形成する。

続いて、図２０に示すように、ヘッド領域１０１Ａ上において、磁極端部層４１と、連結磁極層４７とに接合されるようにして、ヨーク磁極層４２を形成すると、ヘッド領域１０１Ａ上に主磁極層４０が形成される。

さらに、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の非磁性の絶縁材を用いてヘッド領域１０１Ａと予定領域１０１Ｂ上に絶縁層３２を形成し、ヨーク磁極層４２が現われるまで積層体の表面を例えばＣＭＰにより研摩して積層体表面の平坦化を行う。さらに、予定領域１０１Ｂ上に残った絶縁層３２を除去する。また、ヘッド領域１０１Ａ上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層３４を形成する。

次に、図２１に示すように、例えばフレームめっき法により、絶縁層３４上に上部薄膜コイル５０を形成する。その後、積層体の表面にフォトレジストを塗布し、その後、所定のフォトマスクを用いてパターニングを行う等してフォトレジスト層５１を形成する。さらに、ヘッド領域１０１Ａ上に、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等の絶縁材を用いて絶縁層５２を形成する。ここまでの工程がヘッド形成工程である。このヘッド形成工程を実行することにより、ヘッド領域１０１Ａに図３に示したような磁気ヘッド部２６０を形成することができる。

（装着部形成工程）
ヘッド形成工程の後、装着部形成工程を実行する。装着部形成工程では、まず、図２２に示すように、予定領域１０１Ｂを除いた領域にフォトレジスト層８０を形成する。フォトレジスト層８０はヘッド領域１０１Ａにも形成される。

そして、図２３に示すように、フォトレジスト層８０をマスクに用いて予定領域１０１Ｂに対するウェットエッチングを行い、予定領域１０１Ｂに形成されているスペーサ磁性層３４０を除去する。その後、フォトレジスト層８０を除去する。スペーサ磁性層３４０を除去することによって、予定領域１０１Ｂに底部１２１が出現し、磁気ヘッド部２６０を構成している各ヘッド構成層の端面が積み重なった壁部１２２も出現する。また、光導波路形成工程で、第１の光導波路６１が壁部１２２に接続されるようにしているので、壁部１２２に入射部６１ａも出現している。

スペーサ磁性層３４０を除去することによって、スペーサ磁性層３４０に応じたスペースが予定領域１０１Ｂに出現する。このとき予定領域１０１Ｂに出現したスペースが光源装着部１２０になるため、スペーサ磁性層３４０を除去することによって、光源装着部１２０を予定領域１０１Ｂに形成することができる。ここまでの工程が装着部形成工程である。

（光源装着工程）
装着部形成工程の後、光源装着工程を実行する。光源装着工程では、図３に示したように、光源装着部１２０にレーザダイオード１０２を装着する。この場合、レーザダイオード１０２の載置部１０２ａ（ｐ電極１４２）を底部１２１に接合することによって、レーザダイオード１０２を光源装着部１２０に装着する。この光源装着工程を実行することによって、熱アシスト磁気ヘッド１００を製造することができる。

以上のように本実施の形態に係る熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法では光源載置面１１５上の予定領域１０１Ｂにスペーサ磁性層３４０を形成し、予定領域１０１Ｂ以外のヘッド領域１０１Ａに磁気ヘッド部２６０を形成している。そのため、光源載置面１１５上にレーザダイオード１０２の装着スペースを確実に確保できるようになっている。しかも、スペーサ磁性層３４０がレーザダイオード１０２を装着するためのスペーサとして形成され、そのスペーサ磁性層３４０を除去することによって光源装着部１２０が形成されるので、その光源装着部１２０にレーザダイオード１０２を装着することができる。そして、その光源装着部１２０が底部１２１と壁部１２２とを有しているので、レーザダイオード１０２を光源装着部１２０に装着するだけで出射部１５２と入射部６１ａとの精度の高い正確な位置合わせが行え、かつその位置合わせがとても行いやすく、簡易に行えるようになっている。

また、ヘッド用磁性材を予定領域１０１Ｂに積層することによって、スペーサ磁性層３４０を形成しているので、磁気ヘッド部２６０を形成する薄膜プロセスでスペーサ磁性層３４０も一緒に形成することができる。したがって、スペーサ磁性層３４０を形成するためだけの特別の工程は不要になるため、熱アシスト磁気ヘッド１００の製造工程を簡素化することができる。

また、スペーサ磁性層３４０は全体が磁性材で構成されているので、ウェットエッチングによって、ひとつの工程で全体を一度に除去することができる。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００の製造工程をいっそう簡素化することができる。仮に、スペーサ磁性層３４０の中に磁性材とは異なる材質で構成された例えば非磁性材からなる絶縁層等が含まれていると、その絶縁層等を除去するためウェットエッチングとは別のプロセスが必要になるおそれがある。この点、前述した熱アシスト磁気ヘッド１００の製造方法では、そのようなおそれがない。

そして、スペーサ磁性層３４０は、対応磁性層３０３，３０７，３２１，３２２を予定領域１０１Ｂに積層することによって形成されている。対応磁性層３０３，３０７，３２１，３２２は、それぞれの対応するヘッド磁性層と表面を揃えているので、スペーサ磁性層３４０が完成した時点で、ヘッド領域１０１Ａの表面と予定領域１０１Ｂの表面とを揃えることができる。熱アシスト磁気ヘッド１００の製造工程では、前述した厚さ確認工程を実行した上で、スペーサ磁性層３４０と表面を揃えた等面部（前述した段部２７ｂ）を積層体の最上面（ベース絶縁層２７の表面２７ａ）に形成し、その等面部の上に直に光導波路２８を形成している。したがって、熱アシスト磁気ヘッド１００が完成した時点で、入射部６１ａの高さ位置と出射部１５２の高さ位置とが正確に一致するようになっている。

（変形例１）
図２４は、変形例に係る熱アシスト磁気ヘッド４００の図１と同様の平面図である。熱アシスト磁気ヘッド４００は熱アシスト磁気ヘッド１００と比べてスライダ４０１を有する点で相違している。スライダ４０１は、スライダ１０１と比べて、レーザダイオード１０２Ａが対向配置で装着されている点、光導波路１７２が形成されている点で相違している。レーザダイオード１０２ＡはＡＢＳ１１１に対向する側面からレーザ光を出射する。光導波路１７２はＡＢＳ１１１と交差する方向に沿って直線上に形成させている。レーザダイオード１０２ＡからＡＢＳ１１１と交差する方向にレーザ光が出射するため、光導波路１７２は光導波路２８のようなミラー部を有しない構造になっている。熱アシスト磁気ヘッド４００は熱アシスト磁気ヘッド１００と同様の光源装着部１２０を有しているので、出射部と入射部との正確な位置合わせが行え、かつその位置合わせが行いやすくなっている。

（変形例２）
前述した実施の形態では、対応磁性層３０３，３０７，３２１，３２２を予定領域１０１Ｂに積層することによってスペーサ磁性層３４０が形成されている。図２５に示すように、対応磁性層３０３，３０７，３２１，３２２に加えて対応磁性層３２３，３２４を予定領域１０１Ｂに積層してもよい。対応磁性層３２３，３２４はそれぞれ磁極端部層４１、ヨーク磁極層４２のヘッド用磁性材を用い、表面が揃うように形成されている。対応磁性層３２３，３２４が積層されていても、ウェットエッチングを行うことによって、予定領域１０１Ｂに光源装着部１２０を形成することができる。

（変形例３）
その他、前述した実施の形態では、スペーサとして、スペーサ磁性層３４０を形成していた。スペーサ磁性層３４０を形成する代わりに、既製のスペーサ（図示せず）を予定領域１０１Ｂに配置してもよい。このスペーサは、装着しようとするレーザダイオード１０２と外形の寸法や出射高等が同じであり、いわばダミーレーザダイオードというべきものである。ヘッド形成工程が完了するまでスペーサを予定領域１０１Ｂに配置しておき、ヘッド形成工程が完了した後、スペーサを除去することによって、予定領域１０１Ｂに光源装着部を形成することができる。このようなスペーサを配置しておいても、レーザダイオード１０２をスライダ１０１に装着でき、出射部と入射部との精度の高い位置合わせも行える。

（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について、図２７、図２８を参照して説明する。

図２７は、上述の熱アシスト磁気ヘッド１００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（磁気記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbals Assembly）２１０とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、データの記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では４枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が熱アシスト磁気ヘッド１００に対向している。

ハードディスク装置２０１は、アセンブリキャリッジ装置２０３によってスライダ１０１をトラック上に位置決めする。また、ハードディスク装置２０１は、複数の駆動アーム２０９を有している。各駆動アームは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２０５によってピボットベアリング軸２０６を中心に回動し、ピボットベアリング軸２０６に沿った方向にスタックされている。そして、各駆動アームの先端にＨＧＡ２１０が取りつけられている。

さらに、ハードディスク装置２０１は、記録再生およびレーザダイオード１０２の発光を制御する制御回路（control circuit）２０４を有している。

次に、ＨＧＡ２１０について図２８を参照して説明する。図２８はＨＧＡ２１０の裏面側を示す斜視図である。ＨＧＡ２１０は、サスペンション２２０の先端部分にスライダ１０１を備えた熱アシスト磁気ヘッド１００が固着されている。また、ＨＧＡ２１０では、配線部材２２４の一端部がスライダ１０１の端子電極に電気的に接続されている。

そして、サスペンション２２０は、ロードビーム２２２と、ロードビーム２２２の基部に設けられているベースプレート２２１と、ロードビーム２２２上の先端側からベースプレート２２１の手前側にかけて固着して支持され、弾性を備えたフレクシャ２２３と、配線部材２２４とを有している。配線部材２２４はリード導体およびその両端に電気的に接続された接続パッドを有している。

ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１０を回転させると、熱アシスト磁気ヘッド１００がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。

このようなＨＧＡ２１０およびハードディスク装置２０１は熱アシスト磁気ヘッド１００を有しているから、ＡＢＳ１１１からみた奥行き方向の寸法が小さくなっている。

以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。

本発明を適用することにより、媒体対向面からみた奥行き方向の寸法を小さくすることができ、レーザダイオードの出射部と光導波路の入射部との精度の高い正確な位置合わせが簡易に行える。本発明は熱アシスト磁気ヘッドの製造方法および熱アシスト磁気ヘッド並びにその熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に利用することができる。

１…スライダ基板、２８…光導波路、６１…第１の光導波路、６１ａ…入射部、６２…第２の光導波路、６３…ミラー部、１００…熱アシスト磁気ヘッド、１０１…スライダ、１０２…レーザダイオード、１０１Ａ…ヘッド領域、１０１Ｂ…予定領域、１０２ａ…載置部、１１１…ＡＢＳ、１１５…光源載置面、１２０…光源装着部、１２１…底部、１２２…壁部、１５２…出射部、２５２…記録ヘッド、２６０…磁気ヘッド部、３０３，３０７，３２１…対応磁性層、３４０…スペーサ磁性層、ｈ１５２…出射高。

Claims (15)

1. 磁気記録媒体に対向する媒体対向面を備えたスライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法であって、
   前記スライダを構成するスライダ基板の前記媒体対向面と交差する光源載置面に前記レーザダイオードの前記光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の、前記レーザダイオードが後に装着される予定領域を確保しておき、その上で、前記磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよび前記レーザダイオードから出射される前記レーザ光を前記媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部を前記光源載置面の前記予定領域以外のヘッド領域に形成し、かつ前記レーザダイオードの装着スペースを確保するためのスペーサを前記予定領域に形成または配置するヘッド形成工程と、
   前記スペーサを除去することによって、前記載置部の寸法に応じた形状の底部と、該底部の縁部に沿って形成され、かつ前記レーザダイオードの前記レーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に前記光導波路の前記レーザ光が入射する入射部が形成されている壁部とを有する光源装着部を前記予定領域に形成する装着部形成工程と、
   前記壁部に案内させながら前記載置部を嵌め込むことによって、前記装着部形成工程によって形成された前記光源装着部に前記レーザダイオードを装着する光源装着工程とを有する熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記ヘッド形成工程において、前記スペーサとして、前記磁気ヘッド部を形成するときに用いるヘッド用磁性材を用いたスペーサ磁性層を形成し、
   前記装着部形成工程において、前記底部を四方から取り囲むように前記壁部を形成する請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記ヘッド形成工程において、前記スペーサとして、前記磁気ヘッド部を構成する複数のヘッド磁性層をそれぞれ形成するときに用いるヘッド用磁性材を用い、かつそれぞれの前記ヘッド磁性層と表面を揃えた対応磁性層を複数積層したスペーサ磁性層を形成する請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
4. 前記ヘッド形成工程は、前記レーザダイオードの前記載置部から前記レーザ光を出射する出射部までの間隔を出射高とし、前記スペーサ磁性層の厚さが前記出射高の範囲を示す出射高範囲に入っていることを確認する厚さ確認工程と、
   前記スペーサ磁性層と表面を揃えた等面部を前記ヘッド領域にすでに積層されている積層体の最上面に形成する等面部形成工程と、
   前記光導波路を前記等面部上に形成する光導波路形成工程とを有する請求項２または３記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記スペーサ磁性層の厚さが前記出射高範囲の中間値よりも低い範囲に入っていることを前記厚さ確認工程で確認したときに、前記等面部形成工程を実行する請求項４記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記光導波路形成工程において、前記壁部に接続されるように前記光導波路を形成する請求項４または５記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記ヘッド形成工程は、前記磁気記録媒体を加熱するための近接場光を前記レーザ光を用いて発生する近接場光発生層を形成する近接場光発生層形成工程と、前記記録ヘッドを構成する薄膜コイルを螺旋状に巻回して形成するコイル形成工程と、前記記録ヘッドを構成する主磁極層を形成する主磁極層形成工程とを有する請求項１〜６のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記光源装着工程において前記レーザダイオードが前記光源装着部に装着された際、前記レーザ光を出射する出射部が前記媒体対向面と交差するときは、前記光導波路形成工程において、前記媒体対向面に沿った方向から前記媒体対向面と交差する方向に前記レーザ光の向きを変更するミラー部を形成する請求項４〜７のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
9. 前記光導波路形成工程において、前記光導波路の前記媒体対向面に近い対向面側部分よりも前記予定領域に近い光源側部分の厚さを厚くして前記光導波路を形成する請求項４〜８のいずれか一項記載の熱アシスト磁気ヘッドの製造方法。
10. 磁気記録媒体に対向する媒体対向面を備えたスライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドであって、
    前記スライダは、スライダ基板と、前記磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよび前記レーザダイオードから出射される前記レーザ光を前記媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、前記スライダ基板の前記媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、
    前記光源装着部は、前記レーザダイオードの前記光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、該底部の縁部に沿って該底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、
    該壁部は、前記レーザダイオードの前記レーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に前記光導波路の前記レーザ光が入射する入射部が形成され、
    前記出射部と前記入射部とが対峙するようにして、前記レーザダイオードが前記光源装着部に装着されている熱アシスト磁気ヘッド。
11. 前記光導波路を含む前記磁気ヘッド部を構成する複数のヘッド構成層の端面が積層されることによって、前記壁部が形成され、
    前記壁部によって囲まれた部分に前記載置部が嵌め込まれることによって、前記レーザダイオードが前記光源装着部に装着されている請求項１０記載の熱アシスト磁気ヘッド。
12. 前記光導波路は、前記入射部を有し、かつ前記壁部から前記媒体対向面に沿った方向に延びている第１の光導波路と、該第１の光導波路に接続され、かつ前記媒体対向面と交差する方向に延びている第２の光導波路と、前記レーザ光の進行方向を前記媒体対向面に沿った方向から前記媒体対向面と交差する方向に変更するミラー部とを有し、前記第２の光導波路の厚さよりも前記第１の光導波路の厚さが大きく形成されている請求項１０または１１記載の熱アシスト磁気ヘッド。
13. 前記ミラー部の、前記入射部からみた設置角が４５度に設定され、
    前記ミラー部の、前記入射部から見た投影幅が前記入射部の前記媒体対向面と交差する方向の横幅と等しいかそれよりも大きい大きさに設定され、
    前記第１の光導波路の前記媒体対向面から離れた側の外側長が前記媒体対向面側の内側長と等しいかそれよりも大きい大きさに設定され、
    前記ミラー部は、前記第１の光導波路の厚さに応じた高さを有する請求項１２記載の熱アシスト磁気ヘッド。
14. スライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリであって、
    前記スライダは、スライダ基板と、前記磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよび前記レーザダイオードから出射される前記レーザ光を前記媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、前記スライダ基板の前記媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、
    前記光源装着部は、前記レーザダイオードの前記光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、該底部の縁部に沿って該底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、
    該壁部は、前記レーザダイオードの前記レーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に前記光導波路の前記レーザ光が入射する入射部が形成され、
    前記出射部と前記入射部とが対峙するようにして、前記レーザダイオードが前記光源装着部に装着されているヘッドジンバルアセンブリ。
15. スライダと、レーザ光を出射するレーザダイオードとを有する熱アシスト磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリと、前記熱アシスト磁気ヘッドに対向する磁気記録媒体とを備え、
    前記スライダは、スライダ基板と、前記磁気記録媒体に対するデータの記録に用いられる記録ヘッドおよび前記レーザダイオードから出射される前記レーザ光を前記媒体対向面側に導く光導波路を含む磁気ヘッド部と、前記スライダ基板の前記媒体対向面と交差する光源載置面に形成された光源装着部とを有し、
    前記光源装着部は、前記レーザダイオードの前記光源載置面上に載置される載置部の寸法に応じた形状の底部と、該底部の縁部に沿って該底部を四方から取り囲むように形成された壁部とを有し、
    該壁部は、前記レーザダイオードの前記レーザ光を出射する出射部に対応する対応位置に前記光導波路の前記レーザ光が入射する入射部が形成され、
    前記出射部と前記入射部とが対峙するようにして、前記レーザダイオードが前記光源装着部に装着されているハードディスク装置。

Images