JP2001319365A - 浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法 - Google Patents

浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法

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JP2001319365A
JP2001319365A JP2000136905A JP2000136905A JP2001319365A JP 2001319365 A JP2001319365 A JP 2001319365A JP 2000136905 A JP2000136905 A JP 2000136905A JP 2000136905 A JP2000136905 A JP 2000136905A JP 2001319365 A JP2001319365 A JP 2001319365A
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recording head
substrate
semiconductor laser
flying
disk
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Kiichi Kamiyanagi
喜一 上柳
Takashi Ozawa
隆 小澤
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Fuji Xerox Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 量産性が高く、高精度かつ小型に製作でき、
これにより安価で高記録・高転送レート化が図れる浮上
記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製
造方法を提供する。 【解決手段】 サファイア等の単結晶の基板３の後端面
３ａに半導体結晶を成長させて半導体レーザ発振部２を
形成し、半導体レーザ発振部２の出射面４、および基板
３の下面に傾斜面６ａ、凹部６ｂ、凸部６ｃからなるス
ライダー面６を形成して浮上記録ヘッド１を製造する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光記録膜、光磁気
記録膜、磁気記録膜等の記録媒体に対して情報の記録を
行う浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘ
ッドの製造方法に関し、特に、量産性が高く、高精度か
つ小型に製作でき、これにより安価で高記録・高転送レ
ート化が図れる浮上記録ヘッド、ディスク装置、および
浮上記録ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の浮上記録ヘッドとして、例えば、
Ａ．Ｐａｒｔｏｖｉにより発表された「Ｔｅｃｈ．Ｄｉ
ｇ．ＩＳＯＭ／ＯＤＳ '９９、ＴｈＣ−１(1999)ｐ．３
５２.」に示されるものがある。
【０００３】図１６は、その浮上記録ヘッドを示す。こ
の浮上記録ヘッド１は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からな
り、スライダー面１００ｂが形成された浮上スライダ１
００の後端部１００ａに、端面発光型半導体レーザ２０
０を接合して配置したものである。この端面発光型半導
体レーザ２００は、発振波長９８０ｎｍのレーザ用共振
器を構成する高反射多層膜２０１および低反射多層膜２
０２を発振領域２０３の後端面と先端面にそれぞれ配置
し、その低反射多層膜２０２の表面に、Ｇａイオンの収
束イオンビーム（Focused Ion Beam:FIB）を用いたエッ
チングにより微小開口２０４ａが形成された金属遮光膜
２０４を配置したものである。このような構成におい
て、微小開口２０４ａから放射される微小サイズのレー
ザ光８を光ディスク７の相変化型記録媒体７ａに照射す
ることにより記録・再生を行う。再生時には、記録媒体
７ａからの反射光を微小開口２０４ａを通して半導体レ
ーザ２００のレーザ用共振器内に再入射させ、自己結合
効果、すなわち、再入射光による半導体レーザ２００の
変調を電気的あるいは光学的に検出することにより情報
の再生を行う。微小開口２０４ａによって微小化された
レーザ光８を記録・再生に用いることにより、高記録密
度化が図れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の浮上記
録ヘッドによると、浮上スライダー１００と半導体レー
ザ２００とを別々に製作した後、それらを貼り合わせて
いるため、両者間の位置合せを高精度に行うことは難し
い。また、貼り合わせプロセスは量産性が低く、コスト
高を招くことになる。また、浮上スライダー１００に形
成されたスライダー面１００ｂは、一定の浮上力を発生
させるために、一定の面積を必要とすることから、小型
化に限界を生じている。
【０００５】従って、本発明の目的は、量産性が高く、
高精度かつ小型に製作でき、これにより安価で高記録・
高転送レート化が図れる浮上記録ヘッド、ディスク装
置、および浮上記録ヘッドの製造方法を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、ディスクの回転による空気流により浮上す
る浮上記録ヘッドにおいて、基板と、前記基板上に半導
体結晶を成長させて形成された半導体レーザと、少なく
とも前記基板あるいは前記半導体レーザの前記ディスク
に対向する面に形成されたスライダー面とを備えたこと
を特徴とする浮上記録ヘッドを提供する。上記構成によ
れば、基板と、半導体レーザと、スライダー面は、一体
として形成されるので、浮上記録ヘッドを量産性が高
く、高精度かつ小型に製作することができる。基板に
は、サファイア、酸化チタニウム入りのアルミナ，窒化
ガリウム，窒化シリコン，スピネル，ＭｇＯ等の絶縁性
基板や、ＧａＮ，ＳｉＮ，Ｓｉ，ＧａＡｓ等の導電性基
板を用いてもよい。半導体レーザには、端面発光型半導
体レーザや面発光型半導体レーザを用いてもよく、その
半導体結晶には、ＡｌＧａＩｎＮ系のものを用いてもよ
い。半導体レーザは、基板の空気流の下流側の面（後端
面）、ディスクに対向する面（下面）、ディスクと反対
側の面（上面）に形成してもよい。
【０００７】本発明は、上記目的を達成するため、ディ
スクの回転による空気流により浮上する浮上記録ヘッド
において、基板と、前記基板の前記空気流の下流側の面
上に半導体結晶を成長させて形成された半導体レーザ
と、少なくとも前記基板の前記ディスクに対向する面に
形成されたスライダー面と備えたことを特徴とする浮上
記録ヘッドを提供する。上記構成によれば、基板と、基
板の空気流の下流側の面（後端面）に形成された半導体
レーザと、スライダー面は、一体として形成されるの
で、浮上記録ヘッドを量産性が高く、高精度かつ小型に
製作することができる。
【０００８】本発明は、上記目的を達成するため、ディ
スクの回転による空気流により浮上する浮上記録ヘッド
において、基板と、前記基板の前記ディスクに対向する
面上に半導体結晶を成長させて形成された面発光型半導
体レーザと、前記面発光型半導体レーザの前記ディスク
に対向する面に形成されたスライダー面とを備えたこと
を特徴とする浮上記録ヘッドを提供する。上記構成によ
れば、基板と、基板のディスクに対向する面（下面）に
形成された半導体レーザと、スライダー面は、一体とし
て形成されるので、浮上記録ヘッドを量産性が高く、高
精度かつ小型に製作することができる。
【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、ディ
スクの回転による空気流により浮上する浮上記録ヘッド
において、透光性を有する基板と、前記基板の前記ディ
スクと対向する面に形成されたスライダー面と、前記基
板の前記スライダー面と反対側の面上に半導体結晶を成
長させて形成され、前記基板を介してレーザ光を出射す
る半導体レーザとを備えたことを特徴とする浮上記録ヘ
ッドを提供する。上記構成によれば、基板と、基板のデ
ィスクと反対の面（上面）に形成された半導体レーザ
と、スライダー面は、一体として形成されるので、浮上
記録ヘッドを量産性が高く、高精度かつ小型に製作する
ことができる。
【００１０】本発明は、上記目的を達成するため、表面
に記録媒体が形成されたディスクと、前記ディスクを回
転させる回転手段と、基板上に半導体結晶を成長させて
形成された半導体レーザと少なくとも前記基板あるいは
前記半導体レーザの前記ディスクに対向する面に形成さ
れたスライダー面とを有する浮上記録ヘッドと、前記浮
上記録ヘッドを前記ディスクに対して相対的に移動させ
る移動手段とを備えたことを特徴とするディスク装置を
提供する。上記構成によれば、基板と、半導体レーザ
と、スライダー面は、一体として形成されるので、浮上
記録ヘッドを量産性が高く、高精度かつ小型に製作する
ことができ、これにより安価で高記録・高転送レート化
が図れる。記録媒体には、光記録膜、光磁気記録膜、磁
気記録膜等を用いてもよい。
【００１１】本発明は、上記目的を達成するため、基板
上に半導体結晶を成長させて半導体レーザを形成し、少
なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザにスライダ
ー面を形成することを特徴とする浮上記録ヘッドの製造
方法を提供する。上記構成によれば、基板と、半導体レ
ーザと、スライダー面は、一体として形成されるので、
浮上記録ヘッドを量産性が高く、高精度かつ小型に製作
することができる。
【００１２】本発明は、上記目的を達成するため、基板
上に半導体結晶を成長させて複数の半導体レーザを形成
し、少なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザにス
ライダー面を形成し、前記基板を切断して基板、前記半
導体レーザおよび前記スライダー面からなる複数の浮上
記録ヘッドを製造する浮上記録ヘッドの製造方法を提供
する。上記構成によれば、基板上に複数の半導体レーザ
とスライダー面を形成した後、基板を切断して複数の浮
上記録ヘッドを製造することにより、量産性が向上す
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１（ａ），（ｂ）は、本発明の
第１の実施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）
はその主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。こ
の第１の実施の形態の浮上記録ヘッド１は、サファイア
（Ａｌ2Ｏ3）等の単結晶の基板３と、この基板３の空気
流５の下流側の面、すなわち、後端面３ａに半導体結晶
を成長させて形成された半導体レーザ発振部２と、半導
体レーザ発振部２の出射面４、および基板３の光ディス
ク７に対向する面（下面）に形成されたスライダー面６
とから構成される。
【００１４】半導体レーザ発振部２は、ここでは端面発
光型レーザを用いており、光ディスク７の基板７ｂ上の
記録媒体７ａに垂直に配置された活性層２１と、活性層
２１の出射位置に、レーザ光８のサイズを微小化する開
口１０を有するＡｇからなる遮光体１１と、陰電極２２
および陽電極２３とを有する。
【００１５】スライダー面６は、先端の傾斜面６ａと、
基板３の下面および半導体レーザ発振部２の出射面４に
形成された凹部６ｂおよび凸部６ｃとから構成され、傾
斜面６ａから流入した空気の層上を凸部６ｃおよび凹部
６ｂが走行し、それぞれ正圧と負圧を生じることにより
適当な浮上高での浮上走行を可能としている。
【００１６】図２は、半導体レーザ発振部２を示し、
（ａ）はその主要部を示す図、（ｂ）はＡ−Ａ線断面図
である。半導体レーザ発振部２は、同図（ｂ）に示すよ
うに、サファイア（Ａｌ2Ｏ3）からなる基板３上に青色
（波長４００ｎｍ）発光のＡｌＧａＩｎＮ系半導体の積
層構造を有する。すなわち、基板３と、この基板３上に
ＧａＮバッファ層（図略）を介して積層されたｎ型Ｇａ
Ｎコンタクト層２４ａ、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２５
ａ、ｎ型ガイド層２６ａ、ＩｎＧａＮ活性層２１、ｐ型
ＡｌＧａＮガイド層２６ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
２５ｂおよびｐ型ＩｎＧａＮ電流狭窄層２７と、ｎ型Ｉ
ｎＧａＮ電流狭窄層２７に形成された電流領域を規定す
る約５μｍ幅のスリット２７ａと、このスリット２７ａ
が形成されたｎ型ＩｎＧａＮ電流狭窄層２７上に積層さ
れたｐ型コンタクト層２４ｂと、上記陰電極２２と、上
記陽電極２３と、結晶積層層（２４ａ，２５ａ，２６
ａ，２１，２６ｂ，２５ｂ，２７，２４ｂ）の側面に形
成されたＳｉＯ2などの誘電体からなる側面保護膜２８
と、出射面４側に形成された２０〜３０％の比較的低反
射率を有する誘電体多層膜２９ａと、出射面４と反対側
の後端面に形成され、誘電体多層膜２９ａとレーザ用共
振器を構成する９０％以上の高反射率を有する誘電体多
層膜２９ｂと、誘電体多層膜２９ａに埋め込まれた上記
開口１０を有する遮光体１１と、開口１０および遮光体
１１上に形成された反射防止膜を兼ねるＳｉＯ2などか
らなる保護膜２９ｃとを有する。
【００１７】遮光体１１は、Ａｇなどの反射率の高い金
属が適するが，それに限らず、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ａｌな
どの金属でもよく、また、Ｓｉなどの狭ギャップの半導
体も使用可能である。但し、Ｓｉなどの半導体を使用す
る場合には、膜厚を薄く（１００ｎｍ以下）するために
は、高濃度（望ましくは、１０20ｃｍ-2以上）のｎ型不
純物をドープし、ｎ型キャリアを増やすことにより、吸
収係数を増やすことが望ましい。開口１０内は、屈折率
の高いＴｉＯ2膜で満たされるように加工すると、その
部分でのレーザ波長が短くなり、レーザの放射効率を高
めることができるのでよい。開口１０および遮光体１１
上に保護膜２９ｃを形成することにより、遮光体１１の
材料として酸化し易いＡｇなどの金属も安定して使用で
きる。また、これらの表面は、凸部６ｃと同一平面をな
すように形成され、エアベアリング面を兼ねる。
【００１８】開口１０の形状は、図２（ｃ）に示すよう
に、活性層２１方向に長く、その垂直方向に短い矩形状
を有する。両者の長さともレーザ光の波長よりも短く形
成している。活性層２１は、光ディスク７のトラック
（図略）を横切る方向に形成されており、トラック上に
レーザ光照射により形成される記録マーク（図略）の長
さは、開口１０の活性層２１に垂直な方向の長さで決ま
る。従って、この方向の開口１０の長さを短くすること
により、記録の線密度を上げることができる。また、矩
形状とすることにより、トラックに隙間なく記録マーク
を形成でき、再生時の反射光の変調度を大きく取ること
ができる。
【００１９】次に、半導体レーザ発振部２の作製方法の
一例を説明する。まず、サファイアからなるウェハ状基
板３の上に、ＧａＮバッファ層（図略）を介してｎ型Ｇ
ａＮコンタクト層２４ａ、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２
５ａ、ｎ型ガイド層２６ａ、ＩｎＧａＮ活性層２１、ｐ
型ＡｌＧａＮガイド層２６ｂ、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド
層２５ｂ、ｐ型ＩｎＧａＮ電流狭窄層２７を積層し、ｎ
型ＩｎＧａＮ電流狭窄層２７に電流領域を規定する約５
μｍ幅のスリット２７ａをエッチングにより形成した
後、さらに、ｐ型コンタクト層２４ｂを積層する。結晶
成長後に，エッチングにより陰電極コンタクト面２２ａ
を露出し、陰電極２２と陽電極２３を通常のスパッタリ
ングとパターニングおよびアロイ化などのプロセスによ
り形成する。結晶積層層の厚さは、ｎ型クラッド層２５
ａからｐ型コンタクト層２４ｂまで約２μｍであり、両
電極２２，２３の段差もその程度である。結晶積層層
（２４ａ，２５ａ，２６ａ，２１，２６ｂ，２５ｂ，２
７，２４ｂ）の側面に、ＳｉＯ 2などの誘電体からなる
側面保護膜２８を形成する。
【００２０】図３（ａ），（ｂ）は、複数の浮上記録ヘ
ッド１を同時に製造する場合を示す。図３（ａ）に示す
ように、サファイアのウェハ３０上に複数の半導体レー
ザ発振部２を２次元アレイ状に形成する。電極２２，２
３を形成した後、サファイアのウェハ３０をヘキ開など
によりレーザ発振に必要な所定の長さ（３００μｍ程
度）に切断し、同図（ｂ）に示すような半導体レーザ発
振部２の１次元アレイからなるバー３１を形成する。次
に、図１（ａ），（ｂ）に示すように、バー３１の側面
部の凹部６ｂに対応する部分をエッチング除去し、傾斜
面６ａを研削することにより、バー３１の側面部に複数
のスライダー面６を形成する。その後に、図２（ａ）に
示すように、共振器用のＴｉＯ2／ＳｉＯ2などからなる
誘電体多層膜２９ａ，２９ｂをスパッタリングによって
形成する。さらに、開口１０を有するＡｇからなる遮光
体１１を誘電体多層膜２９ａに埋め込むように形成す
る。
【００２１】以上詳述してきたように、第１の実施の形
態によれば、半導体レーザおよび浮上型磁気ヘッドの作
製に使用するプロセスのみにより、光ディスク７の記録
に使用できる浮上記録ヘッドが作製可能となる。このた
め、従来プロセスないしその多少の改良のみで量産が可
能となり、安価な浮上記録ヘッドが作製できる。また、
スライダー面６と半導体レーザ発振部２とを一体で形成
できるため、両者の高精度の位置合わせが可能となる。
また、基板３にスライダー面６を作りこむため、半導体
レーザと同程度の小型の浮上記録ヘッドが可能となる。
また、端面発光型レーザの場合は、ヘキ開面がレーザ光
の出射面となるので、基板と出射面とは原子層レベルで
一致するため、その基板にスライダー面を形成すること
により、出射面とスライダー面との高さを高精度に合わ
せることが可能となる。なお、スライダー面６の加工
は、誘電体多層膜２９ａや遮光体１１の形成前に行った
が、形成後に行うことも可能である。また、凸部６ｃを
スパッタリングにより被着して形成することも可能であ
り、それを誘電体多層膜２９ａで兼ねることもでき、そ
れらにより加工プロセスを簡素化できる。また、上記実
施の形態では、基板３として、サファイアを使用した
が、スピネル、ＭｇＯなどの絶縁性基板や、ＧａＮ、Ｓ
ｉＮ、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの導電性基板も使用でき、同
様の効果を得ることができる。ＳｉやＧａＡｓを基板に
使用する場合、ＧａＮ系の結晶のみならず、ＧａＡｌＡ
ｓやＡｌＧａＩｎＰ系の赤外や赤色発光のレーザも使用
できる。これらの基板を使用する場合は、サファイアや
ＧａＮなどに比べて柔らかいため、ＴｉＯ2やＳｉＮ、
ＳｉＯ2などの薄膜によりスライダー面６を形成すると
よい。
【００２２】図４（ａ）〜（ｄ）は、半導体レーザ発振
部２の変形例を示す。同図（ａ）に示す半導体レーザ発
振部２は、出射面４付近の陽電極を左右の陽電極２３
ａ，２３ｂに分割し、両者に電流を分割して印加するよ
うにしたものである。これにより、出力レーザ光８を左
右に高速に走査することができるので、この出力光８の
走査を用いて高速のトラッキングを行うことが可能とな
る。
【００２３】同図（ｂ）に示す半導体レーザ発振部２
は、半導体結晶のヘキ開面をエッチングして除去し、そ
の除去した部分にＳｉＮからなる絶縁膜２９ｄを介して
Ａｇからなる開口１０を有する遮光体１１を被着し、開
口１０内を活性層２１およびクラッド層を形成する半導
体であるＩｎＧａＮおよびＡｌＧａＮからなる充填部２
１ｂにより満たしたものである。これにより、開口１０
内でのレーザ光の波長はさらに短くなり、出射効率を上
げることができる。
【００２４】同図（ｃ），（ｄ）に示す半導体レーザ発
振部２は、開口１０内に微小金属体１１ｂを配したもの
である。微小金属体１１ｂのサイズは、開口１０の１／
３程度ないしそれ以下としている。微小金属体１１ｂと
しては、Ａｇなどの反射率の高い金属が適するが、それ
に限らず、Ｔｉ，Ｗ，Ｍｏ，Ａｌなどの金属でもよく、
また、Ｓｉなどの半導体も使用可能であり、反射防止膜
を兼ねた保護膜２９ｃで覆うことにより、酸化しやすい
金属でも使用可能となる。Ｓｉなどの半導体を使用する
場合は、遮光体１１に使用する場合と同様に、高濃度の
ｎ型ドープを行い、キャリア濃度を増大させることが望
ましい。これによりプラズモン励起ないし，光散乱の確
率を増やすことが可能となる。このように形成すること
により、開口１０はレーザ光に対してカットオフ作用を
有しなくなり、効率良くレーザ光を放射することが可能
となる。また、微小金属体１１ｂにより、レーザ光が散
乱される、微小金属体１１ｂ内で励起されたプラズモン
がさらに近接場光を発生するなどの効果が加わり、さら
に強力な照射光が形成できる。
【００２５】図５（ａ），（ｂ）は、本発明の第２の実
施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその主
要部を示す断面図、（ｂ）は半導体レーザ発振部２の断
面図である。この第２の実施の形態の浮上記録ヘッド１
は、基板３としてｎ型の導電性を有するＧａＮ結晶を使
用し、この基板３の半導体レーザ発振部２と反対側の
面、すなわち先端面３ｂに陰電極２２ｂを形成したもの
であり、他は第１の実施の形態と同様に構成されてい
る。
【００２６】このように構成された浮上記録ヘッド１
は、同図（ｂ）に示すように、ｎ型ＧａＮ基板３の後端
面３ａ上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２４ｃを介して、ｎ
型ＡｌＧａＮクラッド層２５ａ以下ｐ型ＧａＮコンタク
ト層２４ｂまでを第１の実施の形態と同様に成長させ、
両電極２３，２２ｂを形成した後、へき開して第１の実
施の形態と同様にスライダー面（図略）を形成する。
【００２７】以上説明したように、第２の実施の形態に
よれば、第１の実施の形態と同様の効果が得られるとと
もに、半導体レーザ発振部２のスライダー面からの突出
部がなくなるため、より浮上高を調節し易いという利点
を有する。図２（ｂ）に示した陰電極のコンタクト面２
２ａ用のエッチングを不要にでき、構造を簡素化でき
る。スライダー面６および開口１０の形成は、第１の実
施の形態と同様であり、第1の実施の形態と同様の効果
が得られる。
【００２８】図６（ａ），（ｂ）は、本発明の第３の実
施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその主
要部を示す断面図、（ｂ）はその底面図である。この第
３の実施の形態の浮上記録ヘッド１は、サファイアから
なる基板３と、この基板３の上面３ｃに結晶成長させて
形成された半導体レーザ発振部２と、半導体レーザ発振
部２の出射面４、および基板３の下面に形成されたスラ
イダー面６とから構成される。
【００２９】この半導体レーザ発振部２は、光ディスク
７の記録媒体７ａに対して平行な活性層２１と、活性層
２１の一方の端部を４５度の角度で研削した後に形成さ
れ、レーザ光を９０度曲げる反射保護膜２９ｅと、反射
保護膜２９ｅで反射されたレーザ光２ａの先端に形成さ
れた開口１０を有する反射遮光体１１と、基板３の先端
面３ｂに形成され、反射遮光体１１との間で反射保護膜
２９ｅを介してレーザ用共振器を構成する高反射率の誘
電体多層膜２９ｂとを備える。
【００３０】このような第３の実施の形態によれば、ス
ライダー面６は、基板３の半導体レーザ発振部２に対し
て裏面側に形成され、ヘキ開面を使用しないため、半導
体レーザ発振部２の結晶成長後にウェハ単位でスライダ
ー面６および遮光体１１を形成できるため、加工プロセ
スを簡素化でき、また信頼性を上げることができる。ま
た、ウェハ単位で加工できるため、フォトリソグラフィ
プロセスを用いて加工でき、高精度化、低価格化が可能
となる。また、この加工は，結晶成長前に行うことも可
能であり、それにより結晶成長後の加工プロセスを減ら
せるため、さらに信頼性を向上させることができる。な
お、本実施の形態においても、ＧａＮやＳｉＮなどの導
電性基板を使用することができ、その場合には、陰電極
は、スライダー面６の凹部６ｄ内に形成する。
【００３１】図７は、本発明の第４の実施の形態に係る
浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面
図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は（ｂ）
のＢ−Ｂ線断面図、（ｄ）は半導体レーザ発振部２の出
射面４を示す図である。この第４の実施の形態の浮上記
録ヘッド１は、第２の実施の形態と同様に、基板３とし
てｎ型の導電性を有するＧａＮを使用しており、その基
板３の上にＡｌＧａＩｎＮ系の結晶を使用して同図
（ｂ），（ｃ）に示すようにリングレーザを構成してい
る。
【００３２】このリングレーザは、コンタクト層、クラ
ッド層、ガイド層などは第１の実施の形態と同様であ
り、リングレーザを構成するため、発振領域２１ａ、従
って電流狭窄層２７を同図（ｂ）に示すような菱形状に
形成している。この発振領域２１ａに合わせて陽電極２
３ａ，２３ｂも菱形に形成している点と、出射面４およ
びその反対側の面に半導体結晶の保護膜を兼ねた誘電体
多層膜２９ａ，２９ｂを形成した点が第２の実施の形態
と異なり、他は第２の実施の形態と同様に構成されてい
る。
【００３３】このような第４の実施の形態によれば、Ｇ
ａＮ系半導体の屈折率は２．５以上なので、全反射の臨
界角は、２３．５度以下となる。また、同図（ｂ）に示
すように各結晶界面において対称に反射するように発振
領域２１ａを形成すると、各界面への平均入射角は４５
度となり、全ての面において全反射の条件を満たすこと
ができ、光損失の少ないレーザ用共振器が形成できる。
また、リングレーザの出射面４に、開口１０を有する遮
光体１１を設けることにより、この部分においてレーザ
内部のレーザ光の波面が変換され、伝播光として外部に
放射されるか、近接場光として開口１０付近に染み出す
ので、第２の実施の形態と同様に、染み出した光８に記
録媒体７ａを浸すことにより記録が可能となる。また、
開口１０の形状は、第１の実施の形態で示した形状の全
てが使用可能であり、同様の効果が得られる。また、出
力面４において開口以外では全反射されるので遮光体１
１は必ずしも必要ではなく、微小金属体１１ａのみによ
り、内部のレーザ光を散乱させることができ、その散乱
光を使用して記録を行うことも可能である。さらに、リ
ングレーザでは、レーザ光は同一光路を往復せず別の光
路を通るため、実効共振器長は端面型レーザの２倍以上
となり、従って、レーザの長さを半分以下、例えば、１
５０μｍ以下に縮めることができる。磁気ヘッドの高さ
はフェムトスライダーでは、２００μｍ程度を目指して
おり、光記録用のヘッドでもそのようなサイズが求めら
れており、本実施の形態はそれを満たす。
【００３４】図８（ａ），（ｂ）は、本発明の第５の実
施の形態の浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその主要部
を示す断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は半導体レーザ
発振部２の断面図である。この第５の実施の形態の半導
体レーザ発振部２は、基板３に対して垂直方向に発振す
る面型発光レーザが使用されており、その出射面４を光
ディスク７の記録媒体７ａに近づけるために、出射面４
周囲にスライダー面６が設けられている。半導体レーザ
発振部２以外のスライダー面６の構造は、同図（ｂ）に
示す通り第１および第２の実施の形態と同様であり、同
様の効果が得られる。
【００３５】半導体レーザ発振部２は、同図（ｃ）に示
すように、サファイアからなる基板３の下面３ｄ上に、
青色（波長４００ｎｍ）発光のＡｌＧａＩｎＮ系半導体
の積層構造を有する。すなわち、基板３と、この基板３
の下面３ｄ上にＧａＮバッファ層（図略）を介して積層
されたｎ型ＧａＮコンタクト層４１ａ、ｎ型ＧａＮ／Ａ
ｌＧａＮ多層反射膜４２ａ、ｎ型ＧａＮスペーサ層４３
ａ、ＩｎＧａＮ活性層４４、ｐ型ＧａＮスペーサ層４３
ｂ、ｐ型ＩｎＧａＮ電流狭窄層４５、ｐ型ＧａＮ／Ａｌ
ＧａＮ多層反射膜４２ｂ、ｐ型ＧａＮコンタクト層４１
ｂと、Ｐｔ／Ｔｉ／Ａｕからなり、遮光体を兼ねてコン
タクト層４１ｂに埋め込むように設けられた開口１０を
有する陽電極２３と、陽電極２３を保護するＳｉＮ保護
膜４６と、ｐ型ＧａＮコンタクト層４１ｂ上に形成され
たＧａＮ成長層からなるスライド層４７と、エッチング
により形成された陰電極のコンタクト面２２ａと、コン
タクト面２２ａの表面に形成された陰電極２２とを有す
る。このスライド層４７およびＳｉＮ保護層４６の表面
がエアベアリング面を構成する凸部６ｃとなる。
【００３６】このような第５の実施の形態によれば、半
導体レーザ発振部２の出射部の開口１０は、スライダー
面６とほぼ同一平面上に形成することができ、第１の実
施の形態と同様に記録媒体７ａに微小な記録マークを形
成することができる。なお、遮光体を陽電極２３の内側
に別に形成してもよい。それにより、遮光体の材料を適
当に選択でき、また、一層の金属で形成できるため、開
口１０の加工精度を上げることができる。また、多層反
射膜４２ｂと遮光体１１の間に位相調整層（図示せず）
を設けることにより、多層反射膜４２ｂでの反射光と遮
光体１１での反射光の位相を合わせることにより、両者
の合成の反射率を上げてもよい。また、スライダー層４
６は、電極２３形成後に、保護膜４５と合わせてＳｉＮ
スパッタ層により形成してもよい。材質としてはＳｉＮ
に限らず、硬い膜であれば、ＳｉＯ2，ＴｉＯ2などの誘
電体膜でもよい。
【００３７】図９（ａ），（ｂ），（ｃ）は、第５の実
施の形態の変形例を示す。開口１０の形状は、同図
（ａ），（ｂ）に示すように、矩形状、内部に微小金属
体１１ｂを有する同軸型等、第１の実施の形態と同様の
形状を使用でき、第１の実施の形態と同様の効果が得ら
れる。また、基板３は、導電性を有するＧａＮを用いて
もよい。導電性基板３を用いることにより、陰電極２２
は、同図（ｃ）に示すように、基板３の裏面に形成で
き、コンタクト形成のためのエッチングが不要となり、
プロセスを簡素化できる。
【００３８】図１０（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第６の
実施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は後端面図、（ｃ）は
（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、（ｄ）は底面図である。この
第６の実施の形態の浮上記録ヘッドは、同図（ａ）に示
すように、第２の実施の形態と同様に、導電性のＧａＮ
からなる基板３の後端面３ａ上に、開口１０を有する遮
光体１１を備えた半導体レーザ発振部２を集積し、さら
に半導体レーザ発振部２に薄膜磁気トランスデューサ５
０を集積するとともに、底面にスライダー面６を形成
し、これによりレーザ光と磁気ギャップを近接させて光
ディスク７の記録媒体７ａ上を走行可能とし、磁気記録
膜や光磁気記録膜への光アシスト磁気記録を可能とした
ものである。
【００３９】薄膜磁気トランスデューサ５０は、磁気回
路とコイル部とからなる。磁気回路は、パーマロイ等の
軟磁性体からなる磁気コア５１、ヨーク５３、ヨーク５
３に連結されたヨーク延長部５３ａ、および磁気ギャッ
プ５６を形成する一対の磁極５５から構成される。コイ
ル部は、Ｃｕ薄膜から形成され、磁気コア５１に円筒状
に巻回された磁気コイル５２、および磁気コイル５２か
らそれぞれ延在する先端にそれぞれ設けられたパッド５
４から構成され、半導体レーザ発振部２の上面に配置さ
れる。ヨーク延長部５３ａ、磁極５５および磁気ギャッ
プ５６は、半導体レーザ２の出射面４に形成されてい
る。
【００４０】図１１（ａ）は、この第６の実施の形態の
開口１０と磁気ギャップ５６の関係を示す。同図（ａ）
は、開口１０の幅Ｗを磁極先端部５５ａの長さ（以下
「ギャップ幅」という。）ＧＷよりも狭くした例であ
り、これにより、磁気記録媒体の昇温部をギャップ幅Ｇ
Ｗよりも狭くできる。磁極先端部５５ａでは、通常周辺
部に磁界が広がり、その漏れ磁界により、記録幅が抑え
られ、記録トラック幅を狭くすることが難しいが、この
例によれば、開口１０のサイズで決まるレーザ光によ
り、記録幅が抑えられるため、より高密度の記録が可能
となる。
【００４１】この薄膜磁気トランスデューサ５０の作製
方法の一例を説明する。薄膜磁気トランスデューサ５０
の磁気コア５１、磁気コイル５２およびヨーク５３は、
薄膜プロセスを用いて作製される。すなわち、まず、半
導体レーザの陽電極２３をＳｉＯ2膜５７ａで平坦化埋
め込みした後、下部コイル５２ａをスパッタリングとパ
ターニングにより形成し、さらに上部コイル５２ｂとパ
ーマロイからなる磁気コア５１およびヨーク５３をスパ
ッタリング、パターニングおよびＳｉＯ2膜５７ｂ、５
７ｃを用いた平坦化埋め込みを繰り返して完成する。出
射面部のヨーク延長部５３ｂと磁極にはやはりパーマロ
イを使用し、誘電体多層膜２９ａに埋め込むように形成
する。さらにその周辺部を遮光体１１で覆い、磁気ギャ
ップ５６、および開口１０を有する遮光体１１を用いて
レーザ光出射用の矩形状の実質的開口を形成する。
【００４２】次に、この第６の実施の形態の動作を説明
する。光ディスク７上の磁気記録媒体７ａの記録マーク
形成部にレーザ光８を照射して磁気記録媒体７ａの保磁
力を昇温により下げ、そこに変調磁界により記録を行
う、所謂光アシスト磁気記録を行う。信号再生は、この
記録に用いた薄膜磁気トランスデューサ５０を使用して
行う。すなわち、磁気記録媒体７ａからの漏れ磁界上を
磁気ギャップ５６が通過する時の磁極５５に入射する磁
束の変化をコイル５２により電流に変換することにより
行う。
【００４３】この第６の実施の形態によれば、特に、補
償温度が室温付近来るように調整したＴｂＦｅＣｏなど
のフェリ磁性体での再生に有効である。すなわち、この
ような媒体では、室温での磁化が弱く、漏れ磁界が小さ
いため、加熱によって磁化を増大させる必要があるが、
本実施の形態では、レーザ光照射により磁気ギャップ５
６下の記録媒体の再生場所の昇温が可能であり、それに
よって信号強度を一桁以上増大することが可能となる。
また、薄膜磁気トランスジューサ５０のサイズは殆ど半
導体レーザのサイズに等しく、非常に小さな浮上記録ヘ
ッドが提供できる。また、開口１０と磁気ギャップ５６
両者の重ね合わせにより、記録領域を限定できるため、
それぞれ単独で行うよりも微小な記録マークが形成で
き、高密度化が可能となる。また、開口１０と磁気ギャ
ップ５６両者の重ね合わせにより、垂直方向の磁界が存
在する部分のみを記録できるため、垂直磁気媒体の記録
に適した光磁気ヘッドが構成できる。また、再生時にも
レーザ光を記録マークに照射できる。このため室温にお
いて磁化が弱く、昇温によって磁化が増加するＴｅＦｅ
Ｃｏなどの膜を使用して、昇温により再生感度を増大さ
せることも可能である。また、光アシスト磁気記録可能
な浮上記録ヘッドを、従来の半導体レーザ作製プロセス
および磁気ヘッド作製プロセスを組み合わせるのみで作
製でき、安価でかつ量産性の高い浮上記録ヘッドが提供
できる。
【００４４】図１１（ｂ）〜（ｄ）は、開口１０と磁気
ギャップ５６の変形例を示す。図１１（ｂ）は、記録す
る際に、開口１０を磁気ギャップ５６に対して先行する
位置に配置したものである。この場合も記録マーク長は
磁気ギャップ長ＧＬで決まり、マーク幅は、開口１０の
幅Ｗで決まるため、ギャップ幅ＧＷおよび開口１０の長
さはそれらよりも長くてもよい。このため、それぞれの
加工精度が緩和される。また、比較的大きな開口１０が
使用できるため、レーザ光の利用効率が良く、低パワー
のレーザが使用できる。
【００４５】図１１（ｃ）は、開口１０の中に開口１０
よりも小さな微小金属体１１ｂを形成した例である。こ
のように開口１０を微小金属体１１ｂに対し同軸上に形
成することにより、開口１０のサイズがレーザの波長の
１／１０と微小な場合でも伝播光を放出でき、レーザ光
の強度を増すことができる。また、中心の微小金属体１
１ｂにより、近接場光を散乱したり、微小金属体１１ｂ
において励起されるプラズモンから放射される近接場光
を記録媒体の昇温に利用することができ、さらに高強度
のレーザ光を使用することが可能となる。
【００４６】図１１（ｄ）は、一対の磁極先端部５５
ａ，５５ａの一方の近傍に開口１０を設け、その磁極先
端部５５ａ付近の磁気記録媒体のみを加熱昇温し、他方
の磁極先端部５５ａ周辺の温度上昇をできるだけ抑える
ものである。磁気ギャップ５６下のギャップ垂直方向
（紙面に垂直方向）の磁界は、それぞれの磁極先端部５
５ａにおいて最大となり、それぞれの磁極先端部５５ａ
での磁界方向は互いに反対方向となる。従って、この構
成により、その磁界の一方向の通る記録媒体の一部のみ
を加熱することができ、微小領域の光アシスト磁気記録
が可能となり、さらに高密度化ができる。この構成で
は、磁界が記録媒体に対して垂直部分のみを使用するた
め、実質的に単極方の磁極が形成され、特に垂直磁気記
録媒体の記録に適し、垂直磁気記録において微小領域の
記録を可能とする。
【００４７】図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明
の第７の実施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、
（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は後端面図、
（ｃ）は底面図である。この第７の実施の形態の浮上記
録ヘッド１は、第６の実施の形態と同様に、基板３の後
端面３ａに半導体レーザ発振部２を集積し、この半導体
レーザ発振部２に薄膜磁気トランスデューサ５０を集積
し、スライダー面６を有するが、薄膜磁気トランスデュ
ーサとして、従来の磁気ヘッドに使用されている型のト
ランスデューサ５０を使用した点が、第６の実施の形態
と異なる。
【００４８】この薄膜磁気トランスデューサ５０は、同
図（ａ），（ｂ）に示すように、磁気コイル５２を磁気
コア５１ａに対して円盤状に巻回され、磁極先端部５５
ｃ間に磁気ギャップ５６ｃが形成されている。
【００４９】このような第７の実施の形態によれば、薄
膜磁気トランスデューサ５０の磁気ギャップは、同図
（ａ）に示すように、端面側に形成されるため、同図
（ｃ）から分かるように、レーザ光の出射位置である開
口１０と同一場所には形成できず、２μｍ近く離れるこ
とになるが、レーザ光８が磁気ギャップ５６ｃに先行
し、かつ距離が近いため、レーザ照射により加熱した
後、あまり冷えない間に記録することができ、この構造
の浮上記録ヘッドを用いても、光アシスト磁気記録を行
うことが可能となり、第６の実施の形態と同様の効果を
得ることができる。また、本実施の形態では、従来の磁
気ヘッドと同様の構造の薄膜磁気トランスデューサ５０
を使用しているため、確立したプロセス技術を用いて浮
上記録ヘッドが作製でき、安価で信頼性の高い浮上記録
ヘッドが提供できる。
【００５０】図１３（ａ），（ｂ）は、本発明の第８の
実施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第８
の実施の形態の浮上記録ヘッド１は、同図（ａ）に示す
ように、第６の実施の形態の浮上記録ヘッド１の薄膜磁
気トランスデューサ５０の上に、さらにＧＭＲセンサか
ら構成される磁気センサ６０を集積し、これにより磁気
記録膜や光磁気記録膜への光アシスト磁気記録を行うと
共に、磁気センサ６０による信号再生を可能としたもの
である。
【００５１】磁気センサ６０は、絶縁層６２を介して２
枚の軟磁性膜からなる磁気遮蔽層６３に挟まれたスピン
バルブ膜６１と電極６４から構成され、記録媒体から入
射する磁界の変化によるスピンバルブ膜６１の抵抗の変
化を検出して信号再生を行う。この磁気センサ６０を形
成した点のみ、第６の実施の形態と異なり、他は第６の
実施の形態と同様であり、同様の効果が得られる上に、
磁気センサ６０による高感度の信号再生が可能となる。
また、本実施の形態では、半導体レーザ発振部２の発熱
の影響が磁気センサ６０に及ぶのを避けるため、薄膜磁
気トランスデューサ５０の上に磁気センサ６０を形成し
ており、従来の磁気ヘッドとは反転した構造を取ってい
る。なお、薄膜磁気トランスデューサ５０としては、第
６の実施の形態と同様のものを使用したが、これに限ら
ず、第７の実施の形態と同様のものも使用可能であり、
同様の効果を得ることができる。また、半導体レーザ発
振部２としても、第１〜第３の実施の形態に示した型の
ものでも使用可能であり、同様の効果を得ることができ
る。
【００５２】図１４（ａ），（ｂ）は、本発明の第９の
実施の形態に係る浮上記録ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第９
の実施の形態の浮上記録ヘッド１は、同図（ａ）に示す
ように、第２の実施の形態の浮上記録ヘッドの半導体レ
ーザ発振部２の上には、ポリイミドの熱絶縁膜５８を介
して、ＧＭＲセンサ６０、薄膜磁気トランスデューサ５
０の順に集積されており、第８の実施の形態とはＧＭＲ
センサ６０と薄膜磁気トランスデューサ５０が位置関係
が逆になっている点以外は、第８の実施の形態と同様で
ある。これにより、ＧＭＲセンサ６０と薄膜磁気トラン
スデューサ５０の形成順序が、従来の磁気ヘッドと同様
であるため、信頼性の高い、確立した作製プロセスがそ
のまま使用でき、安価で信頼性の高い浮上記録ヘッドが
提供できる。
【００５３】図１５は、本発明の第１０の実施の形態の
ディスク装置を示す。この第１０の実施の形態のディス
ク装置７０は、ＧｅＳｂＴｅからなる相変化媒体を記録
媒体７１ａに用いた光ディスク７１と、光ディスク７１
を回転するモーター７２と、第１の実施の形態の浮上記
録ヘッド１を搭載して光ディスク７１の記録媒体７１ａ
上を走行するスイングアーム７３と、スイングアーム７
３を走査するリニアモーター７４と、浮上記録ヘッド１
に記録信号を送るとともに、浮上記録ヘッド１からの再
生信号を処理する信号処理回路７５と、モーター７２お
よびリニアモーター７４を制御する制御回路７６とから
構成されている。
【００５４】次に、このディスク装置７０の動作を説明
する。記録時には、信号処理回路７５は、記録信号を浮
上記録ヘッド１に出力して半導体レーザ発振部２から出
射されるレーザ光８の変調を行う。変調されたレーザ光
８は、記録媒体７１ａの記録トラック（図示せず）上に
照射され、熱的な記録が行われる。再生時には、所謂半
導体レーザの自己結合効果を用いて信号再生を行う。す
なわち、半導体レーザ発振部２から比較的弱い連続レー
ザ光８を出射し、記録された記録トラック（図示せず）
上に連続的に照射する。相変化媒体を用いた記録媒体７
１ａの場合、反射率の変化によって記録しており、その
記録に基づいて、照射光８の反射強度が変調される。そ
の変調された反射光を半導体レーザ発振部２の開口を通
して半導体レーザ発振部２内に再入射させ、それによる
半導体レーザ発振部２のインピーダンス変化を検出して
信号再生を行う。
【００５５】記録・再生時のトラッキングは、所謂サン
プルサーボ方式を用いて行う。すなわち、光ディスク７
１上にトラックに対して左右に位置をずらしたトラッキ
ング用の千鳥マーク列を形成しておき、その千鳥マーク
列上をレーザ光８が通過した際の反射光の強弱を、半導
体レーザ発振部２の自己結合効果を用いて検出し、制御
回路７６によって光スポットの位置誤差信号を形成して
トラッキングを行う。
【００５６】このような第１０の実施の形態のディスク
装置７０によれば、磁気ヘッドと同程度の小さな浮上記
録ヘッドを用いて、光ディスク７１の記録再生を行うこ
とが可能となり、レーザ光のサイズは開口１０により微
小化されており、それによって微小な記録マークが形成
できるため、高速・高密度の光記録が可能となる。ま
た、従来の半導体レーザプロセスと磁気ヘッドのみを用
いて浮上記録ヘッドが作製可能なため、安価で、信頼性
の高いディスク装置が提供できる。また、微小開口から
のレーザ光を用いて、光記録ないし光アシスト磁気記録
を行うため、微小な記録マークが形成でき、高面密度・
高転送レートの記録・再生が可能となる。また、磁気ハ
ードディスク装置で使用されているのと同程度の小型の
浮上記録ヘッドを使用するため、上記の高面記録密度と
合わせて、高体積密度のディスク装置の提供が可能とな
る。また、小型の浮上記録ヘッドが作製可能なため、高
速のトラッキングが可能となる。
【００５７】なお、本実施の形態のディスク装置７０で
は、浮上記録ヘッド１として第１の実施の形態の浮上記
録ヘッドを使用したが、これに限るものではなく、他の
実施の形態の浮上記録ヘッドを使用できることは言うま
でもなく、本実施の形態と同様の効果を上げることがで
きる。また、本実施の形態のディスク装置７０では、Ｇ
ｅＳｂＴｅからなる相変化媒体を記録媒体７１ａに用い
た光ディスク７１を使用したが、これに限るものでな
く、第６〜第９の実施の形態の浮上記録ヘッドを使用す
ることにより、光ディスク用の記録媒体としてＴｅＦｅ
Ｃｏなどからなる光磁気ディスク用媒体や、ＣｏＣｒＴ
ａなどからなる磁気記録媒体を使用でき、情報の記録・
再生を行うことが可能となる。本実施の形態では、記録
に際しては、光加熱を使用できるため、上記の磁気・光
磁気記録媒体をキューリー温度近くまで加熱でき、保磁
力を下げたところで記録できるので、常温で保磁力の高
い記録媒体も使用でき、記録の安定性を増すことができ
る。また、第６〜第９の実施の形態の浮上記録ヘッドを
使用した場合には、トラッキング誤差信号の形成は、レ
ーザ光だけでなく、薄膜磁気トランスデューサ５０ない
し磁気センサ６０を用いて磁気的に行うことも可能であ
る。第６および第７の実施の形態の浮上記録ヘッド１を
使用した場合には、薄膜磁気トランスデューサ５０を用
いて再生を行うため、光加熱により磁化の強度が増大す
るフェリ磁性のＴｅＦｅＣｏが記録媒体に適しており、
光加熱を用いて再生を行うことにより、大幅に再生信号
の強度を増大させることができる。第８および第９の実
施の形態の浮上記録ヘッド１を使用した場合には、熱的
に弱いＧＭＲセンサなどの磁気センサを使用するため、
記録に際しては、ＬＰ-ＭＦＭ（Laser-Pulsed Magnetic
Field Modulation）法、すなわち、情報信号に基づい
て磁界を変調し、それと同期してレーザ光８をパルス的
に照射する方法が熱負荷が少なく適する。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板と、半導体レーザと、スライダー面は、一体として
形成されるので、浮上記録ヘッドを量産性が高く、高精
度かつ小型に製作することができ、これにより安価で高
記録・高転送レート化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る浮上記録ヘッ
ドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は
底面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体レーザ発振部を
示し、（ａ）はその主要部を示す図、（ｂ）は（ａ）の
Ａ−Ａ線断面図、（ｃ）は出射面から見た図である。
【図３】（ａ），（ｂ）は第１の実施の形態に係る浮上
記録ヘッドの作製方法を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は第１の実施の形態に係る浮上
記録ヘッドの変形例を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る浮上記録ヘッ
ドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は
半導体レーザ発振部の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る浮上記録ヘッ
ドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は
その底面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係る浮上記録ヘッ
ドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線断面図、（ｃ）は（ｂ）のＢ−Ｂ線断
面図、（ｄ）は半導体レーザ発振部の出射面を示す図で
ある。
【図８】本発明の第５の実施の形態の浮上記録ヘッドを
示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）は底面
図、（ｃ）は半導体レーザ発振部の断面図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は第５の実施の形態に係る浮上
記録ヘッドの変形例を示す図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る浮上記録ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）
は後端面図、（ｃ）は（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、（ｄ）
は底面図である。
【図１１】（ａ）は第６の実施の形態の開口と磁気ギャ
ップの関係を示す図、（ｂ）〜（ｄ）は第６の実施の形
態に係る浮上記録ヘッドの変形例を示す図である。
【図１２】本発明の第７の実施の形態に係る浮上記録ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）
は後端面図、（ｃ）は底面図である。
【図１３】本発明の第８の実施の形態に係る浮上記録ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
【図１４】本発明の第９の実施の形態に係る浮上記録ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要部を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
【図１５】本発明の第１０の実施の形態に係るディスク
装置を示す斜視図ある。
【図１６】従来の浮上記録ヘッドを示す図である。
【符号の説明】
１ 浮上記録ヘッド ２ 半導体レーザ発振部 ３ 基板 ３ａ 後端面 ３ｂ 先端面 ３ｃ 上面 ３ｄ 下面 ４ 出射面 ５ 空気流 ６ スライダー面 ６ａ 傾斜面 ６ｂ 凹部 ６ｃ 凸部 ７ 光ディスク ７ａ 記録媒体 ７ｂ 基板 ８ 出射レーザ光 １０ 開口 １１ 遮光体 ２１ 活性層 ２１ａ 発振領域 ２１ｂ 充填部 ２２ 陰電極 ２２ａ 陰電極のコンタクト面 ２３ 陽電極 ２４ａ，２４ｂ コンタクト層 ２５ａ，２５ｂ クラッド層 ２６ａ，２６ｂ ガイド層 ２７ 電流狭窄層 ２７ａ スリット ２８ 側面保護膜 ２９ａ，２９ｂ 誘電体多層膜 ２９ｃ 保護膜 ２９ｅ 反射保護膜 ３０ ウェハ ３１ バー ４１ コンタクト層 ４２ 多層反射膜 ４３ スペーサ層 ４４ 活性層 ４５ 電流狭窄層 ４６ 保護膜 ４７ スライダー層 ４８ エアベアリング面 ５０ 薄膜磁気トランスデューサ ５１ 磁気コア ５２ 磁気コイル ５３ ヨーク ５４ 電極パッド ５５ 磁極 ５５ａ，５５ｃ 磁極先端部 ５６，５６ｃ 磁気ギャップ ５７ 平坦化埋め込み膜 ５８ 熱絶縁膜 ６０ 磁気センサ ６１ スピンバルブ膜 ６２ 絶縁層 ６３ 磁気遮蔽層 ６４ 電極 ７０ ディスク装置 ７１ 光ディスク ７１ａ 記録媒体 ７２ モーター ７３ スイングアーム ７４ リニアモーター ７５ 信号処理回路 ７６ 制御回路 １００ 浮上スライダー １００ａ 後端部 １００ｂ スライダー面 ２００ 端面発光型半導体レーザ ２０１ 高反射多層膜 ２０２ 低反射多層膜 ２０３ 発振領域 ２０４ 金属遮光膜 ２０４ａ 微小開口
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 7/22 Ｇ１１Ｂ 7/22 11/10 ５０２ 11/10 ５０２Ｚ 11/105 ５６６ 11/105 ５６６Ａ ５６６Ｚ Ｆターム(参考） 5D033 AA05 BA21 BB14 5D042 NA02 PA01 PA05 PA09 QA01 QA05 5D075 AA03 CD06 CF03 5D091 AA08 CC17 DD03 5D119 AA10 AA38 AA40 BA01 CA10 FA05 FA17 FA21 MA06 NA00 NA04

Claims (25)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ディスクの回転による空気流により浮上す
    る浮上記録ヘッドにおいて、 基板と、 前記基板上に半導体結晶を成長させて形成された半導体
    レーザと、 少なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザの前記デ
    ィスクに対向する面に形成されたスライダー面とを備え
    たことを特徴とする浮上記録ヘッド。
  2. 【請求項２】前記半導体レーザは、レーザ光出射位置に
    レーザ光のサイズより小さいサイズの開口を有する遮光
    体を備えた構成の請求項１記載の浮上記録ヘッド。
  3. 【請求項３】前記遮光体は、前記開口の内側に微小金属
    体を備えた構成の請求項２記載の浮上記録ヘッド。
  4. 【請求項４】前記開口は、前記半導体結晶あるいは誘電
    体で満たされた構成の請求項２又は３記載の浮上記録ヘ
    ッド。
  5. 【請求項５】ディスクの回転による空気流により浮上す
    る浮上記録ヘッドにおいて、 基板と、 前記基板の前記空気流の下流側の面上に半導体結晶を成
    長させて形成された半導体レーザと、 少なくとも前記基板の前記ディスクに対向する面に形成
    されたスライダー面と備えたことを特徴とする浮上記録
    ヘッド。
  6. 【請求項６】前記半導体レーザは、前記空気流の下流側
    に薄膜磁気トランスデューサを備えた構成の請求項５記
    載の浮上記録ヘッド。
  7. 【請求項７】前記薄膜磁気トランスデューサは、磁気ギ
    ャップを有する磁気回路と、前記磁気回路を構成する磁
    気コアに巻回されたコイルとを備えた構成の請求項６記
    載の浮上記録ヘッド。
  8. 【請求項８】前記磁気ギャップは、前記半導体レーザの
    出射面におけるレーザ光出射位置あるいはその近傍に形
    成された構成の請求項７記載の浮上記録ヘッド。
  9. 【請求項９】前記半導体レーザは、レーザ光出射位置に
    レーザ光のサイズより小さいサイズの開口を有する遮光
    体を備えた構成の請求項５記載の浮上記録ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記半導体レーザは、レーザ光出射位置
    にレーザ光のサイズより小さいサイズの開口を有する遮
    光体を備え、 前記開口は、前記磁気ギャップより前記空気流の上流側
    に配置された構成の請求項７記載の浮上記録ヘッド。
  11. 【請求項１１】前記半導体レーザは、前記空気流の下流
    側に薄膜磁気トランスデューサおよび磁気センサを備え
    た構成の請求項５記載の浮上記録ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
    磁気センサに対して前記空気流の上流側に配置された構
    成の請求項１１記載の浮上記録ヘッド。
  13. 【請求項１３】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
    半導体レーザとの間に熱的絶縁層を備えた構成の請求項
    １２記載の浮上記録ヘッド。
  14. 【請求項１４】前記磁気センサは、前記薄膜磁気トラン
    スデューサに対して前記空気流の上流側に配置された構
    成の請求項１１記載の浮上記録ヘッド。
  15. 【請求項１５】前記磁気センサは、前記半導体レーザと
    の間に熱的絶縁層を備えた構成の請求項１４記載の浮上
    記録ヘッド。
  16. 【請求項１６】ディスクの回転による空気流により浮上
    する浮上記録ヘッドにおいて、 基板と、 前記基板の前記ディスクに対向する面上に半導体結晶を
    成長させて形成された面発光型半導体レーザと、 前記面発光型半導体レーザの前記ディスクに対向する面
    に形成されたスライダー面とを備えたことを特徴とする
    浮上記録ヘッド。
  17. 【請求項１７】前記面発光型半導体レーザのディスクに
    対向する面は、共振器を構成する誘電体多層膜の面であ
    る構成の請求項１６記載の浮上記録ヘッド。
  18. 【請求項１８】ディスクの回転による空気流により浮上
    する浮上記録ヘッドにおいて、 透光性を有する基板と、 前記基板の前記ディスクと対向する面に形成されたスラ
    イダー面と、 前記基板の前記スライダー面と反対側の面上に半導体結
    晶を成長させて形成され、前記基板を介してレーザ光を
    出射する半導体レーザとを備えたことを特徴とする浮上
    記録ヘッド。
  19. 【請求項１９】前記半導体レーザは、前記スライダー面
    に平行方向に形成され、電圧の印加によってレーザ光を
    発生する活性層と、前記活性層の前記空気流の上流側の
    端部に設けられた誘電体多層膜と、前記活性層の前記空
    気流の下流側の端部に設けられ、前記活性層で発生した
    前記レーザ光を前記ディスク側に反射する反射面と、前
    記反射面で反射された前記レーザ光の出射位置に設けら
    れ、前記誘電体多層膜との間で共振器を構成するととも
    に、前記レーザ光のサイズより小さいサイズの開口を有
    する反射遮光体とを備えた構成の請求項１８記載の浮上
    記録ヘッド。
  20. 【請求項２０】前記反射遮光体は、前記反射遮光体とと
    もに前記共振器を構成する誘電体多層膜に埋設された構
    成の請求項１９記載の浮上記録ヘッド。
  21. 【請求項２１】表面に記録媒体が形成されたディスク
    と、 前記ディスクを回転させる回転手段と、 基板上に半導体結晶を成長させて形成された半導体レー
    ザと少なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザの前
    記ディスクに対向する面に形成されたスライダー面とを
    有する浮上記録ヘッドと、 前記浮上記録ヘッドを前記ディスクに対して相対的に移
    動させる移動手段とを備えたことを特徴とするディスク
    装置。
  22. 【請求項２２】基板上に半導体結晶を成長させて半導体
    レーザを形成し、 少なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザにスライ
    ダー面を形成することを特徴とする浮上記録ヘッドの製
    造方法。
  23. 【請求項２３】前記半導体レーザの形成は、前記基板ご
    とへき開して面発光型半導体レーザの出射面を形成する
    とともに、前記基板に前記出射面と同一面上に位置する
    前記スライダー面の凸部を形成する構成の請求項２２記
    載の浮上記録ヘッドの製造方法。
  24. 【請求項２４】前記半導体レーザの形成は、前記基板上
    に前記半導体結晶を成長させて面発光型半導体レーザを
    形成するとともに、レーザ出射面の周辺部に成長した前
    記半導体結晶を用いて前記スライダー面の凸部を形成す
    る構成の請求項２２記載の浮上記録ヘッドの製造方法。
  25. 【請求項２５】基板上に半導体結晶を成長させて複数の
    半導体レーザを形成し、 少なくとも前記基板あるいは前記半導体レーザにスライ
    ダー面を形成し、 前記基板を切断して基板、前記半導体レーザおよび前記
    スライダー面からなる複数の浮上記録ヘッドを製造する
    浮上記録ヘッドの製造方法。
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