JP2001266390A - 近視野記録再生用光ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

近視野記録再生用光ヘッド及びその製造方法

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 近視野記録再生用光ヘッドの構造及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 スライダー５１上に、面発光レーザー６
１と、記録媒体から反射されて入射された光を受光する
光検出器７１を含み、面発光レーザーの光出射領域に対
応する位置に入射光を集束させる第１レンズ層５５と、
その中心部にホログラム９１が形成されて面発光レーザ
ー側からのレンズ層を経た入射光は記録媒体に向かわ
せ、記録媒体から反射されて入射される光は光検出器に
向かわせる光路制御層９０とを含み、面発光レーザー
は、屈折率の相異なる半導体物質が交互に積層され、活
性層６５と導電型でドーピングされた２つのブラッグ反
射層６３，６７を含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は面発光レーザー(Ver
tical Cavity Surface Emitting Laser)及び光検出器な
どをスライダーに集積し、その上に薄膜積層技術を応用
して記録再生のための光学素子が直接成形された構造を
有して小型化した近視野記録再生用光ヘッド及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、光磁気記録再生装置はレーザー
光源から出射されて集束照射された光によりキュリー温
度以上となって磁気的な性質を失った光磁気記録媒体に
磁界変調を通じて情報を記録し、該記録された情報を光
学的に再生する装置であって、HDDのような磁気記録再
生装置より高い記録密度を有する。
【０００３】図１を参照するに、一般のスイングアーム
方式の記録再生装置は光を照射し、光ディスク１からの
反射光を受光できる光学要素を含む光学系と、ベース１
０に対して往復回転自在に設けられたスイングアーム２
１と、このスイングアーム２１に回転駆動力を提供する
アクチュエータ２３と、前記スイングアーム２１に設け
られた光ヘッド３０とを含んで構成される。
【０００４】ここで、前記光ディスク１は光のみで情報
を記録再生する相変化ディスクのような光ディスクと、
光及び磁界変調により情報を記録再生する光磁気ディス
クとを含む。
【０００５】前記光ヘッド３０は、例えば図２及び図３
に示されたように、スイングアーム(図１の２１)に弾力
的に連結されたサスペンション(図示せず)に設けられて
空気動圧により光磁気ディスク１'に対して摺動部２５a
が所定のエアギャップだけ浮上がったまま光磁気ディス
ク１'のトラックをスキャン可能になったスライダー２
５と、このスライダー２５に設けられて光学的に情報を
再生できるように光磁気ディスク１'に光スポットを形
成する対物レンズ３１及び磁界変調のためのコイル３
７、３９とを具備する。
【０００６】前記コイル３７、３９は対物レンズ３１と
光磁気ディスク１'との間に位置され、スライダー２５
の一側に水平方向に設けられた一対のマグネチックポー
ル３３、３５に各々反対方向に巻かれている。前記一対
のマグネチックポール３３、３５は対物レンズ３１を通
じて集束された光が通過できるように相互離隔して配置
されている。従って、前記コイル３７、３９に印加され
た電流の方向によって形成される水平磁界により光磁気
ディスク１'に情報を記録する。
【０００７】このような構造の光ヘッド３０は対物レン
ズ３１の下部に水平方向に設けられたマグネチックポー
ル３３、３５にコイル３７、３９を巻取った構造を有す
るので小型化するのに限界があり、水平磁界による記録
により記録密度の効率と近視野記録の性能が低下される
問題点がある。
【０００８】また、コイル３７、３９をマグネチックポ
ール３３、３５に巻き取ることによって組立性及びコス
ト、収率低下などで量産性に劣るという問題点がある。
【０００９】図４は図２及び図３に示された光ヘッドの
問題点が改善された従来の光ヘッド３０の例を示した図
であって、スライダー２５の光磁気ディスクへの対向面
には空気より大きな屈折率を有する突出部４６が形成さ
れている。コイル４３は対物レンズ３１により集束され
た光が通過できるように中空を有し、この中空にスライ
ダー２５の突出部４６が嵌め込まれたままスライダー２
５の光磁気ディスクへの対向面に付着されている。この
際、前記突出部４６の高さはコイル４３の高さに対応す
る。
【００１０】このような構造の光ヘッドは図２及び図３
に示された構造に比べて小さく、垂直磁界による記録に
より記録密度が高い。しかし、スライダー２５に突出部
４６の構造を作ってから別に製作したコイル４３を接着
すべき為、組立性に劣り、突出部４６の構造を小型化し
にくい問題点がある。
【００１１】また、図２乃至図４に示されたような従来
の光ヘッドは光ディスクに光を照射して光ディスクから
の反射光を受光するための光学系構造がアクチュエータ
２３に搭載されるか、あるいは別に分離されて構成され
るために、記録再生装置の全体構造が複雑で体積が大き
く、組立工程が複雑な問題点がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点を
勘案して案出されたものであって、面発光レーザー及び
光検出器などをスライダーに集積し、その上に薄膜積層
技術を応用して記録再生のための光学系を成形し、全体
構造を小型化して組立工程を単純化できる近視野記録再
生用光ヘッド及びその製造方法を提供することにその目
的がある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の本発明に係る近視野記録再生用光ヘッドは、空気動圧
により浮上がったまま記録媒体上で動くスライダーと、
半導体物質層の積層方向に光を出射する面発光レーザー
と、前記面発光レーザーから照射され、記録媒体から反
射されて入射された光を受光する光検出器を含み、前記
スライダーの記録媒体に向かう面に形成された光素子モ
ジュールと、前記光素子モジュール上に光透過物質で積
層形成され、前記面発光レーザーの光出射領域に対応す
る位置に入射光を集束させる第１レンズを有する第１レ
ンズ層と、その中心部にホログラムが形成されて前記面
発光レーザー側から第１レンズ層を経た入射光は記録媒
体に向かわせ、記録媒体から反射されて入射される光は
前記光検出器に向かわせる光路制御層とを含み、前記面
発光レーザーは、屈折率の相異なる半導体物質が交互に
積層形成されて、導電型にドーピングされた第１ブラッ
グ反射層、前記第１ブラッグ反射層上に形成された活性
層、及び前記活性層上に屈折率の相異なる半導体物質が
交互に積層形成されて他導電型にドーピングされた第２
ブラッグ反射層を含む半導体積層構造を有し、前記第２
ブラッグ反射層上のウィンドウを通じて光を出射するこ
とを特徴とする。
【００１４】本発明の特徴によれば、前記光路制御層の
ホログラムは同心円状にパターンが形成されており、前
記光検出器は前記面発光レーザーを取囲むドーナツ状に
前記面発光レーザーと一体に形成されている。
【００１５】本発明の他の特徴によれば、前記光路制御
層のホログラムはストライプ状にパターンが形成されて
おり、前記光検出器は前記面発光レーザーの一側に備え
られる。
【００１６】ここで、前記第１レンズ層の第１レンズ曲
面は拡散制御蝕刻により形成される。
【００１７】一方、前記光路制御層の記録媒体に向かう
方向に相対的に高屈折率を有する物質よりなり、入射光
を集束させる第２レンズを有する第２レンズ層をさらに
具備することが望ましい。
【００１８】また、前記第１レンズ層上に螺旋状に積層
形成された少なくとも１つのコイル層と、前記コイル層
の中心部への入射光を透過するように光透過物質よりな
って前記コイル層を覆って保護し、そのコイル層の隣接
部位の間を電気的に絶縁させる絶縁層を具備したコイル
部材とをさらに具備し、磁界変調により記録媒体に情報
を記録して光学的に情報を再生することが望ましい。
【００１９】また、前記光路変換層のホログラムは一偏
光に対しては相対的に高い透過率を有し、他の偏光に対
しては相対的に高い回折効率を有する偏光ホログラムで
あり、前記光路変換層の記録媒体に向かう方向に透過す
る光の偏光を変える偏光変換層をさらに具備することが
望ましい。
【００２０】一方、前記目的を達成するための本発明に
係る近視野記録再生用光ヘッドの製造方法は、基板を用
意する段階と、前記基板上に半導体物質層の積層方向に
光を出射する面発光レーザーと、前記面発光レーザーか
ら照射され、記録媒体から反射されて入射された光を受
光する光検出器を含む光素子モジュールを形成する段階
と、前記光素子モジュール上に光を透過させる物質で積
層形成され、前記面発光レーザーの光出射領域に対応す
る位置に入射光を集束させる第１レンズを有する第１レ
ンズ層を形成する段階と、その中心部にホログラムが形
成されて前記面発光レーザー側から第１レンズ層を経た
入射光は記録媒体に向かわせ、記録媒体から反射されて
入射される光は前記光検出器に向かわせる光路制御層を
形成する段階とを含むことを特徴とする。
【００２１】ここで、第１レンズを有する第１レンズ層
を形成する段階は、前記光素子モジュール上に面発光レ
ーザーから出射された光を透過させる物質で第１レンズ
層を積層する段階と、前記第１レンズ層上に前記面発光
レーザーの光出射領域に対応する位置が開口された蝕刻
マスクを形成する段階と、化学蝕刻液に浸けて前記第１
レンズ層の前記開口に露出された部分を拡散制御蝕刻し
て第１レンズの曲面を形成する段階と、前記蝕刻マスク
を除去する段階とを含む。
【００２２】一方、前記レンズ層上に螺旋状に積層形成
され、相互電気的に連結された少なくとも１つのコイル
層と、入射光を透過させるように光透過物質よりなって
前記コイル層を覆って保護し、該コイル層の隣接部位の
間を電気的に絶縁させる絶縁層を具備するコイル部材を
形成する段階をさらに具備することが望ましい。
【００２３】また、前記光路制御層に形成されたホログ
ラムは偏光ホログラムであり、前記光路制御層の記録媒
体に向かう方向に透過する光の偏光を変える偏光変換層
を形成する段階をさらに具備することが望ましい。
【００２４】また、前記コイル部材上に前記絶縁層の中
心部が露出されるように相対的に小さな開口を有する蝕
刻マスクを形成する段階と、前記開口に露出された絶縁
層部分を蝕刻して第２レンズの曲面を形成する段階と、
前記蝕刻マスクを除去する段階と、前記絶縁層上に該絶
縁層より相対的に高屈折率を有する物質で第２レンズ層
を形成する段階とをさらに具備することが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】図５は本発明の一実施例に係る近
視野記録再生用光ヘッドを概略的に示す図である。ここ
で、図５は光磁気記録媒体を記録再生可能にコイル部材
を具備した光ヘッドを例示した図であって、光のみで情
報を記録再生する相変化ディスクのような光記録媒体専
用光ヘッドの場合には前記コイル部材を排除させればよ
い。
【００２６】図面を参照するに、本発明の一実施例に係
る光ヘッド５０はスライダー５１と、前記スライダー５
１の記録媒体１００の対向面に形成されてレーザー光を
記録媒体１００に照射し、記録媒体１００からの反射光
を受光するように光素子モジュール６０と、前記光素子
モジュール６０上に光を透過させる物質で積層形成さ
れ、第１マイクロレンズ５５aを有する第１レンズ層５
５と、その中心部にホログラム９１が形成されて入射光
の進行経路を変える光路制御層９０と、磁界変調により
記録媒体１００に情報を記録するコイル部材８０を含ん
で構成される。ここで、前記記録媒体１００は光のみで
情報を記録再生する相変化ディスクのような光記録媒体
と、光及び磁界変調により情報を記録再生する光磁気記
録媒体を含む。
【００２７】前記スライダー５１は、例えばスイングア
ーム方式の記録再生装置のスイングアーム(図１の２１)
に弾力的に連結されたサスペンション(図示せず)に設け
られ、記録媒体１００の回転時発生する空気動圧により
記録媒体１００に対して所定のエアギャップだけ浮上が
った状態で記録媒体１００のトラックをスキャンする。
【００２８】前記光素子モジュール６０は半導体物質層
の積層方向に光を出射する面発光レーザー６１と、この
面発光レーザー６１をドーナツ状に取囲む面発光レーザ
ー６１と一体に形成された光検出器７１よりなる。
【００２９】前記面発光レーザー６１は、第１ブラッグ
反射層６３、活性層６５及び第２ブラッグ反射層６７よ
りなる半導体積層構造を有し、前記スライダー５１と第
１ブラッグ反射層６３との間に形成された第１電極６２
と、前記第２ブラッグ反射層６７上のウィンドウ６９を
除いた領域に形成された第２電極６８を含む構成を有す
る。
【００３０】前記第１ブラッグ反射層６３は屈折率の相
異なる半導体物質が交互に積層形成され、導電型、例え
ば、n型にドーピングされている。第２ブラッグ反射層
６７は第１ブラッグ反射層６３と同様に屈折率の相異な
る半導体物質が交互に積層形成され、第１ブラッグ反射
層６３より相対的に少ない積層数を有する。そして、こ
の第２ブラッグ反射層６７は第１ブラッグ反射層６３と
は反対型、例えば、p型にドーピングされている。前記
活性層６５は前記第１及び第２電極６２、６８を通じて
印加された電流により前記第１及び第２ブラッグ反射層
６３、６７から提供される電子とホールとの結合で光が
発生する領域である。
【００３１】前述したような面発光レーザー６１は活性
層６５で第１及び第２ブラッグ反射層６３、６７の共振
条件に合う波長領域の光が誘導放出されて共振され、こ
の誘導放出されたレーザー光は第２ブラッグ反射層６７
を透過し、第２電極６８により限定されたウィンドウ６
９を通じて半導体物質層の積層方向に出射される。
【００３２】前記光検出器７１は前記面発光レーザー６
１をドーナツ状に取囲み、その少なくとも一部層が前記
面発光レーザー６１と所定の間隔に離隔形成された第１
半導体物質層７３と、前記第１半導体物質層７３上に順
次に形成された第２及び第３半導体物質層７５、７７
と、前記第１半導体物質層７３の一部に形成された第１
検出電極７２と、前記第３半導体物質層７７上の受光面
７９を除いた領域に所定のパターンに形成された第２検
出電極７８を含んで構成される。
【００３３】この際、前記光検出器７１はPIN型構造を
なすように、前記第１半導体物質層７３は前記第２半導
体物質層７５に隣接した少なくとも一部層が、例えばp
型にドーピングされており、前記第３半導体物質層７７
は、例えばn型にドーピングされている。前記第２半導
体物質層７５は前記受光面７９を通じた入射光を吸収す
る吸収層である。
【００３４】図５は前記第１半導体物質層７３が前記面
発光レーザー６１と同一な半導体積層構造を有する例を
示している。即ち、前記第１半導体物質層７３は面発光
レーザー６１のように、第１ブラッグ反射層６３、活性
層６５及び第２ブラッグ反射層６７の構造よりなる。そ
して、光検出器７１と前記面発光レーザー６１との間に
は前記第１ブラッグ反射層６３の一部の深さまで蝕刻に
よりトレンチ６４が形成されている。そして、第１半導
体物質層７３をなす第２ブラッグ反射層６７の一部領域
は露出されており、この露出面に前記第１検出電極７２
が形成されている。
【００３５】前記光検出器７１と面発光レーザー６１は
前記トレンチ６４及び第１半導体物質層７３の活性層部
分により電流流れ経路が相互区分され、前記第１及び第
２電極６２、６８を通じて印加された電流は面発光レー
ザー６１に流れ、第２半導体物質層７５から光を吸収し
て発生された電流は第１及び第２検出電極７２、７８を
通じて光検出器７１から出力される。
【００３６】一方、前記第２半導体物質層７５は、例え
ば前記面発光レーザー６１の活性層６５と略同一な半導
体物質及び厚さよりなる。また、前記第３半導体物質層
７７は、例えば前記第１ブラッグ反射層６３と略同一な
物質構成を有し、前記第１ブラッグ反射層６３より相対
的に少ない積層数を有する。
【００３７】従って、前述したように備えられた光素子
モジュール６０の面発光レーザー６１と光検出器７１は
面発光レーザー６１をなす半導体積層構造を応用して半
導体製造工程を通じて一体に製造されうる。
【００３８】この際、前記光素子モジュール６０は、ス
ライダー５１上に半導体製造工程を通じて直接積層形成
されることが望ましく、別に製作された光素子モジュー
ル６０をスライダー５１上に集積したり、面発光レーザ
ー積層構造を有する母材を前記スライダーに集積した
後、蝕刻工程、光検出器の第２及び第３半導体物質層の
積層工程及び電極パターン工程を通じて前記光素子モジ
ュール６０を形成することもできる。
【００３９】一方、図６は前記光検出器７１がエッジ検
出方式を用いて光磁気記録媒体１００の情報信号を検出
できるようにトラック方向に２分割された構造を有する
実施例を示している。この際、前記光検出器７１はエッ
ジ検出方式により光磁気記録媒体１００の情報信号を検
出し、トラックキングエラー信号を検出できるようにト
ラック方向と半径方向とに各々２分割されて２×２の行
列配置よりなる４分割構造A、B、C、Dを有することが望
ましい。
【００４０】光磁気記録媒体１００の情報信号は受光領
域A、Bの和信号で残り受光領域C、Dの和信号を差動して
検出し、トラックキングエラー信号は受光領域A、Dの和
信号で残り受光領域B、Cの和信号を差動して検出する。
【００４１】もちろん、本発明に係る光ヘッド５０が相
変化型記録媒体１００専用の場合には、前記光検出器７
１はトラック方向に分割された構造を有する必要がな
い。
【００４２】ここで、部材番号５３はスライダー５１上
に形成された光素子モジュール６０の周辺を包むモール
ディング層を示す。このモールディング層５３は絶縁物
質よりなり、光素子モジュール６０上に第１レンズ層５
５及び/またはコイル部材８０の積層形成のための基底
層として使われる。
【００４３】前記第１レンズ層５５は光素子モジュール
６０上に面発光レーザー６１から出射される光波長を透
過させうる誘電体物質で形成され、面発光レーザー６１
の光出射領域に対応する位置に入射光を集束させる第１
マイクロレンズ５５aを具備する。前記第１マイクロレ
ンズ５５aは第１レンズ層５５を積層した後、その光出
射領域に対応する位置を臭素の拡散を用いた拡散制御蝕
刻により膨らんだ曲面に蝕刻することによって形成され
る。
【００４４】ここで、前記第１レンズ層５５は前記面発
光レーザー６１から出射される光波長が６５０nmや６８
０nm波長帯域の場合、InGaPで形成される。
【００４５】図５において前記第１レンズ層５５が光素
子モジュール６０全体をカバーするように形成された例
を示したが、前記第１レンズ層５５は図７に示されたよ
うに、面発光レーザー６１の第２ブラッグ反射層６７と
第２電極６８との間に位置され、第１マイクロレンズ５
５aが面発光レーザー６１のウィンドウ６９領域に直接
形成されることもできる。
【００４６】再び図５を参照するに、前記光路制御層９
０は誘電体物質よりなり、その中心部に記録媒体１００
から反射されて入射される光が１次回折されて前記面発
光レーザー６１の周辺にドーナツ状に形成された光検出
器７１に向かうように同心円パターンに形成されたホロ
グラム９１を具備する。
【００４７】前記ホログラム９１は記録媒体１００から
反射されて入射された光が回折されて光検出器７１に受
光可能な光学的幅を確保できるように、前記光素子モジ
ュール６０及び第１レンズ層５５から所定の間隔に離隔
して位置されることが望ましい。従って、本実施例では
前記光路制御層９０をコイル部材８０のコイル層８１、
８５の間に配置した。
【００４８】この際、前記ホログラム９１では入射光の
偏光状態によって透過効率及び回折効率を変えて記録媒
体１００から反射されて入射される光に対して回折効率
の高い偏光ホログラム９１を具備することが望ましい。
これは面発光レーザー６１から出射される光は略一方向
に直線偏光された光なので、記録媒体１００から反射さ
れた光がホログラム９１により大きな光量に回折されて
光検出器７１に向かわせるためである。
【００４９】ここで、前記偏光ホログラム９１は一偏光
に対しては相対的に高い透過率と低い回折効率を有し、
他の偏光に対しては相対的に低い透過率と高い回折効率
を有する。
【００５０】一方、前述したように偏光ホログラム９１
を具備する場合、前記光路制御層９０の記録媒体１００
に向かう方向には入射光の偏光を変える偏光変換層９５
をさらに具備する。この偏光変換層９５は屈折率異方性
を有する物質であって、相互直交する直線偏光の光の間
にλ/４(λ:面発光レーザー６１から出射される光の波
長)だけ位相差を誘発させる厚さに形成されて４分の１
波長板として機能する。
【００５１】従って、前記面発光レーザー６１から出射
される光が大部分p偏光されており、前記偏光ホログラ
ム９１がp偏光に対して相対的に高い透過率を有し、s偏
光に対して相対的に高い回折効率を有するなら、この面
発光レーザー６１側からの入射光は前記偏光ホログラム
９１を大部分直進透過する。この直進透過したp偏光の
光は前記偏光変換層９５を経ながら１つの円偏光に変わ
って記録媒体１００に照射される。この光は記録媒体１
００から反射されながら他の円偏光に変わり、再び偏光
変換層９５を経ながらs偏光の光となる。そして、このs
偏光の光は前記偏光ホログラム９１から大部分回折され
て面発光レーザー６１の周辺にドーナツ状に配置された
光検出器７１に向かうことになる。
【００５２】従って、前述したように、光路制御手段が
偏光ホログラム９１及び偏光変換層９５よりなると、通
常のホログラム９１を採用した場合に比べて１次に回折
される光の回折効率が高くて光検出効率が高められる。
【００５３】前記コイル部材８０は、螺旋状に積層形成
された少なくとも１つのコイル層８１、８５と、前記コ
イル層８１、８５を覆って保護し、そのコイル層８１、
８５の隣接した部位の間を電気的に絶縁させる絶縁層８
３、８７を含んで構成される。前記コイル層８１、８５
は複数層が備えられることが望ましく、この複数のコイ
ル層８１、８５は相互電気的に直列連結されている。前
記絶縁層８３、８７は光を透過させるようにポリイミド
のようなポリマー材質よりなり、前記コイル部材８０の
中心部にも塗布される。従って、コイル部材８０の中心
部に入射される光を透過させるための別のメサ構造(図
４の４６)を作る必要がない。
【００５４】一方、前記コイル部材８０の記録媒体１０
０の対向面には絶縁層８７より相対的に屈折率の高い物
質よりなり、光透過領域に対応する位置に第２マイクロ
レンズ５７aを有する第２レンズ層５７をさらに具備す
ることが望ましい。前記第２レンズ層５７は屈折率が高
くて耐摩耗性に優れた物質よりなることが望ましい。例
えば、前記第２レンズ層５７はSiN、ZnSiO２のように屈
折率２.１以上の物質よりなる。
【００５５】前記第２マイクロレンズ５７aは固体含浸
レンズ(Solid Immersion Lens)であって、コイル部材８
０の中心部に位置した絶縁層８７の表面を等方性蝕刻し
て半球形凹面を形成し、その絶縁層８７上にこの絶縁層
８７より相対的に高い屈折率を有する物質で第２レンズ
層５７を積層形成する。
【００５６】このように形成された第２マイクロレンズ
５７aは面発光レーザー６１から出射されて第１マイク
ロレンズ５５aにより１次的に集束された光を再集束す
るので、記録媒体１００に集束される光スポットを非常
に小さくできて単一集束レンズを採用した構造に比べて
情報記録再生密度を大きく高められる。
【００５７】一方、前記第２レンズ層５７の表面は研磨
により平坦化されたものが望ましく、記録媒体１００の
回転によって発生する空気動圧によりスライダー５１を
はじめとする本発明に係る光ヘッド５０が浮上げる空気
軸受として使われる。代案として、スライダー５１の記
録媒体１００の対向面に別の空気軸受板を具備すること
もできる。
【００５８】前述したような本発明の一実施例に係る光
ヘッド５０は次のように作動する。
【００５９】即ち、記録媒体１００が回転しながら発生
される空気動圧により浮上がって第２レンズ層５７の表
面と記録媒体１００との間が所定のエアギャップをなす
状態で面発光レーザー６１に電源を印加すれば、面発光
レーザー６１からウィンドウ６９を通じて出射された光
は第１レンズ層５５に形成された第１マイクロレンズ５
５aにより一次的に集束される。この集束光はコイル部
材８０の中心部に位置された絶縁層８３、８７、光路制
御層９０及び偏光変換層９５を透過し、第２マイクロレ
ンズ５７aにより２次的に集束されて記録媒体１００に
集束される。
【００６０】記録媒体１００からの反射光は前記光路制
御層９０の偏光ホログラム９１で回折され、面発光レー
ザー６１の周辺にドーナツ状に形成された光検出器７１
で検出される。
【００６１】従って、前記記録媒体１００として光磁気
記録媒体を採用する場合、記録媒体１００に光を集束し
て光の照射部分がキュリー温度以上となって磁気的な性
質を失うことになるので、前記コイル部材８０のコイル
層８１、８５に電源を印加して磁界を形成すれば、光の
照射部分の磁気的な性質が変化されて情報が記録され
る。
【００６２】そして、情報再生時には光磁気記録媒体か
ら反射され、前記光路制御層９０で回折されて入射され
た光を光検出器７１で受光して情報再生信号を検出する
ことになる。
【００６３】一方、本発明に係る光ヘッド５０は前記記
録媒体１００として光信号だけで情報を記録再生する相
変化ディスクのような光記録媒体を採用することもでき
る。
【００６４】前述したような本発明の一実施例に係る図
５に示された光ヘッド５０は光素子モジュール６０及び
光路制御層９０を含んだ光学系が薄膜積層技術などを応
用してスライダー５１上に直接製作されるので、構造が
簡単でコンパクト化して、マイクロ記録再生装置に適し
ている。
【００６５】以下、図８乃至図１３を参照しながら面発
光レーザー６１及び光検出器７１が半導体製造工程を通
じてスライダー５１上に直接に積層形成される場合を例
として、図５に示された光ヘッド５０の製造方法の一実
施例を説明する。
【００６６】まず、図８に示されたように、スライダー
５１となる基板５１'を用意する。この基板５１'には後
続工程で形成される光素子モジュール６０及び/または
コイル部材８０に電源を印加できるように適切なリード
パターンが形成される。
【００６７】次いで、図９に示されたように、用意され
た基板５１'上に面発光レーザー６１と、該面発光レー
ザー６１を取囲むドーナツ状の光検出器７１を含む光素
子モジュール６０を半導体積層工程を通じて形成する。
【００６８】例えば、前記基板５１'上に第１電極６２
を形成し、その上に順次に第１ブラッグ反射層６３、活
性層６５、第２ブラッグ反射層６７を積層し、面発光レ
ーザー６１の半導体積層構造及び光検出器７１の第１半
導体物質層７３構造を形成する。前記第１半導体物質層
７３上に前記活性層６５と略同一な半導体物質及び厚さ
よりなる第２半導体物質層７５を積層形成し、この第２
半導体物質層７５上に前記第１ブラッグ反射層６３と略
同一な物質構成を有し、相対的に少ない積層数よりなる
第３半導体物質層７７を積層形成する。
【００６９】前記面発光レーザー６１の周辺は第１ブラ
ッグ反射層６３の一部の深さまで蝕刻して面発光レーザ
ー６１部分と光検出器７１部分とを相互絶縁させ、前記
光検出器７１部分の第２ブラッグ反射層６７の一部領域
が露出されるように該第２ブラッグ反射層６７の少なく
とも一部の深さまで蝕刻する。
【００７０】前記第２ブラッグ反射層６７の露出された
部分に第１検出電極７２を形成し、前記面発光レーザー
６１部分の第２ブラッグ反射層６７上のウィンドウ６９
を除いた領域及び第３半導体物質層７７の受光面７９を
除いた領域に各々第２電極６８と第２検出電極７８とを
形成すればよい。
【００７１】前述したように光素子モジュール６０が形
成されると、この光素子モジュール６０の周辺を図１０
に示されたように絶縁物質でモールディングしてモール
ディング層５３を形成する。このモールディングしてモ
ールディング層５３は後続の第１レンズ層５５またはコ
イル部材８０を積層するための基底層である。
【００７２】次いで、図１１A乃至図１１Dに示されたよ
うに、前記光素子モジュール６０上に前記面発光レーザ
ー６１から出射された光波長に対して透過率に優れた物
質で面発光レーザー６１の光出射領域に対応する位置に
入射光を集束する第１マイクロレンズ５５aを有する第
１レンズ層５５を形成する。
【００７３】即ち、まず、図１１Aに示されたように前
記光素子モジュール６０上に第１レンズ層５５を積層
し、この積層された第１レンズ層５５上に図１１Bに示
されたように、面発光レーザー６１の光出射領域に対応
する位置が開口５６aされた蝕刻マスク５６を形成す
る。それから、図１１Cに示されたように蝕刻マスク５
６で覆われた第１レンズ層５５を化学蝕刻液に所定時間
浸けて前記開口５６aに露出された第１レンズ層５５部
分を拡散制御蝕刻により凸状の第１マイクロレンズ５５
aの曲面を形成する。そして、第１マイクロレンズ５５a
の曲面蝕刻過程が完了されると、図１１Dに示されたよ
うに前記蝕刻マスク５６を除去する。
【００７４】ここで、前記面発光レーザー６１からの出
射光が、例えば、約６５０nmや６８０nmの波長帯域の場
合、前記第１レンズ層５５はInGaPを積層して形成され
る。前記蝕刻マスク５６はSi３N４、SiO２よりなる絶縁
膜である。一方、前記化学蝕刻液として臭素成分を含む
蝕刻液、即ち、臭素蝕刻液を使用する。この臭素蝕刻液
に蝕刻マスク５６が覆われた第１レンズ層５５を浸ける
と、蝕刻する物質がなくて漂っていた臭素が拡散過程を
通じて蝕刻マスク５６の開口５６aまで移動して第１レ
ンズ層５５を蝕刻する。この際、臭素が開口５６aの中
心に到達する前に開口５６aの縁部から先に露出された
第１レンズ層５５の表面と会って蝕刻を通じて消耗され
る確率が、開口５６aの中心部まで拡散されて蝕刻によ
り消耗される確率より高いために、開口５６aの縁部が
中心部よりさらに深く蝕刻されて膨らんだ第１マイクロ
レンズ５５aの曲面を形成することになる。
【００７５】次いで、図１２に示されたように前記第１
レンズ層５５上に螺旋状に積層形成された第１及び第２
コイル層８１、８５と、前記第１及び第２コイル層８
１、８５の中心部に入射される光を透過させるように光
透過物質、例えば、ポリイミドのようなポリマーよりな
り、前記第１及び第２コイル層８１、８５を覆って保護
し、該コイル層８１、８５の隣接した部位の間を電気的
に絶縁させる絶縁層８３、８７を具備するコイル部材８
０と、前記第１及び第２コイル層８１、８５の間に光透
過領域のコイル部材８０の中心部に対応する部分にホロ
グラム９１を有する光路制御層９０を形成する。
【００７６】光路制御層９０を第１及び第２コイル層８
１、８５の間に配置する場合には、絶縁層８３で包まれ
た第１コイル層８１を形成した後、光路制御層９０を形
成し、この光路制御層９０上に再び絶縁層８７で包まれ
た第２コイル層８５を形成する。
【００７７】ここで、光路制御層９０のホログラム９１
が偏光ホログラムの場合、前記光路制御層９０と第２コ
イル層８５との間に４分の１波長板の機能を有する偏光
変換層９５をさらに積層形成する。
【００７８】以後、図１３A乃至図１３Cにコイル部材８
０の記録媒体１００の対向面に第２マイクロレンズ５７
a、即ち、固体含浸レンズを有する第２レンズ層５７を
形成する。
【００７９】即ち、まず、図１３Aに示されたように、
前記コイル部材８０の記録媒体１００の対向面にそのコ
イル部材８０の中心部に位置された絶縁層８７が露出さ
れるように等方性蝕刻できるように十分に小さな開口５
８aを有する蝕刻マスク５８を形成する。この際、前記
蝕刻マスク５８は、例えば、Crのような金属で形成され
る。
【００８０】それから、図１３Bに示されたように、蝕
刻液、例えばポリマー蝕刻液で前記開口５８aに露出さ
れた絶縁層８７部分を蝕刻して第２マイクロレンズ５７
aの曲面を形成する。この際、前記開口５８aが小さくて
開口５８aに露出された絶縁層８７部分は等方性蝕刻さ
れるために、第２マイクロレンズ５７aの曲面は半球形
である。
【００８１】次いで、図１３Cに示されたように蝕刻マ
スク５８を除去し、前記絶縁層８７より屈折率が高く、
耐摩耗性に優れたSiNまたはZnSiO２のような誘電体物質
をコーティングして第２レンズ層５７を積層すれば、絶
縁層８７が半球形に蝕刻された領域に第２マイクロレン
ズ５７a、即ち固体含浸レンズが形成される。
【００８２】このように第２レンズ層５７を形成した
後、前記第２レンズ層５７の表面を研磨過程を通じて平
坦化し、前記基板５１'をスライダー５１単位に切断す
れば、図５に示されたような光ヘッド５０の製造が完了
する。
【００８３】図１４は本発明の他の実施例に係る近視野
記録再生用光ヘッド５０を概略的に示す図であって、図
５と同一な部材番号は実質的に同一な部材を示す。本実
施例は、光素子モジュール１６０の光検出器１７１が面
発光レーザー６１の一側に配置され、記録媒体１００か
ら反射された光を回折させて光検出器１７１に向かうよ
うに光路制御層１９０の中心部にストライプ状のホログ
ラム１９１パターンが形成された点にその特徴がある。
ここで、前記光検出器１７１は通常の半導体積層構造ま
たは図５に基づいて説明した本発明の一実施例のような
半導体積層構造を有することができる。
【００８４】この際、光素子モジュール１６０をなす面
発光レーザー６１及び光検出器１７１はスライダー５１
上に半導体製造工程を通じて直接積層形成されるか、あ
るいは別に製作されてからスライダー５１上に集積され
ることもできる。
【００８５】その他、第１レンズ層５５、コイル部材８
０、光路制御層１９０、偏光変換層９５及び第２レンズ
層５７などの構成及び製造工程については本発明の一実
施例の説明と同様なのでその詳細な説明は省略する。
【００８６】前述したような本発明に係る近視野記録再
生用光ヘッドは、スライダー上に面発光レーザー及び光
検出器を形成し、その上にレンズ層と光路制御層及び/
またはコイル部材を薄膜積層技術を応用して直接成形し
た構造を有する。
【００８７】
【発明の効果】前述したように、本発明に係る近視野記
録再生用光ヘッドは、記録再生のための光学系がスライ
ダーに一体化されているので、光ヘッドが小さいだけで
なく、従来のスライダーと別設された大きな光学系が除
去され、光ヘッドの動的特性が改善され、シークタイム
(seek time)が短縮できてマイクロ記録再生装置に適し
ている。
【００８８】また、コイル部材を採用する場合にも、コ
イル部材が薄膜積層技術によりスライダーに積層形成さ
れるので、コイル部材の接着工程が省けて従来のような
別のメサ構造が不要である。
【００８９】また、前述したような本発明による光ヘッ
ドは複数個を単一基板上に薄膜積層技術を用いて大量製
造されるので量産ができ、組立工程が単純化されてコス
トダウンができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】一般のスイングアーム方式の記録再生装置を概
略的に示す平面図である。
【図２】従来の光ヘッドの一例を示す図である。
【図３】図２のIII−III線の底面図である。
【図４】従来の光ヘッドの他の例を概略的に示す図であ
る。
【図５】本発明の一実施例に係る近視野記録再生用光ヘ
ッドを概略的に示す図である。
【図６】図５の光検出器部分を抜粋して示す斜視図であ
る。
【図７】本発明の近視野記録再生用光ヘッドの第１レン
ズ層が面発光レーザー上に直接形成された実施例を示す
図である。
【図８】図５に示された本発明に係る近視野記録再生用
光ヘッドの製造方法の望ましい実施例を示す図面であ
る。
【図９】図５に示された本発明に係る近視野記録再生用
光ヘッドの製造方法の望ましい実施例を示す図である。
【図１０】図５に示された本発明に係る近視野記録再生
用光ヘッドの製造方法の望ましい実施例を示す図であ
る。
【図１１Ａ】第１レンズを有する第１レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１１Ｂ】第１レンズを有する第１レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１１Ｃ】第１レンズを有する第１レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１１Ｄ】第１レンズを有する第１レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１２】図５に示された本発明に係る近視野記録再生
用光ヘッドの製造方法の望ましい実施例を示す図であ
る。
【図１３Ａ】第２レンズを有する第２レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１３Ｂ】第２レンズを有する第２レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１３Ｃ】第２レンズを有する第２レンズ層を形成す
る段階を示す図である。
【図１４】本発明の他の実施例に係る近視野記録再生用
光ヘッドを概略的に示す図である。
【符号の説明】
５０ 光ヘッド ５１ スライダー ５１’ 基板 ５３ モールディング ５５ 第１レンズ層 ５５ａ 第１マイクロレンズ ５６、５８ 蝕刻マスク ５６ａ、５８ａ 開口 ５７ 第２レンズ層 ５７ａ 第２マイクロレンズ ６０、１６０ 光素子モジュール ６１ 面発光レーザー ６２ 第１電極 ６３ 第１ブラッグ反射層 ６４ トレンチ ６５ 活性層 ６７ 第２ブラッグ反射層 ６８ 第２電極 ６９ ウィンドウ ７１、１７１ 光検出器 ７２ 第１検出電極 ７３ 第１半導体物質層 ７５ 第２半導体物質層 ７７ 第３半導体物質層 ７８ 第２検出電極 ７９ 受光面 ８０ コイル部材 ８１ 第１コイル層 ８３、８７ 絶縁層 ８５ 第２コイル層 ９０、１９０ 光路制御層 ９１、１９１ ホログラム ９５ 偏向変換層 １００ 記録媒体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１Ｎ ５５１Ｔ ５６６ ５６６Ｃ ５６６Ｅ Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｓ 5/022 5/183 5/183

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 空気動圧により浮上がったまま記録媒体
    上で動くスライダーと、 半導体物質層の積層方向に光を出射する面発光レーザー
    と、前記面発光レーザーから照射され、記録媒体から反
    射されて入射された光を受光する光検出器を含み、前記
    スライダーの記録媒体に向かう面に形成された光素子モ
    ジュールと、 前記光素子モジュール上に光透過物質で積層形成され、
    前記面発光レーザーの光出射領域に対応する位置に入射
    光を集束させる第１レンズを有する第１レンズ層と、 その中心部にホログラムが形成されて前記面発光レーザ
    ー側から第１レンズ層を経た入射光は記録媒体に向かわ
    せ、記録媒体から反射されて入射される光は前記光検出
    器に向かわせる光路制御層とを含み、 前記面発光レーザーは、屈折率の相異なる半導体物質が
    交互に積層形成されて、導電型でドーピングされた第１
    ブラッグ反射層、前記第１ブラッグ反射層上に形成され
    た活性層、及び前記活性層上に屈折率の相異なる半導体
    物質が交互に積層形成されて他導電型でドーピングされ
    た第２ブラッグ反射層を含む半導体積層構造を有し、前
    記第２ブラッグ反射層上のウィンドウを通じて光を出射
    することを特徴とする近視野記録再生用光ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記光路制御層のホログラムは同心円状
    のパターンが形成されており、 前記光検出器は前記面発光レーザーを取囲むドーナツ状
    に前記面発光レーザーと一体に形成されたことを特徴と
    する請求項１に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記面発光レーザーは、 前記スライダーと第１ブラッグ反射層との間に形成され
    た第１電極と、前記第２ブラッグ反射層上のウィンドウ
    を除いた領域に所定のパターンに形成された第２電極を
    有し、 前記光検出器は、前記面発光レーザーを取囲む構造であ
    って少なくとも一部層が前記面発光レーザーと所定の間
    隔に離隔形成された第１半導体物質層と、前記第１半導
    体物質層上に形成されて入射光を吸収する第２半導体物
    質層と、前記第２半導体物質層上に形成された第３半導
    体物質層と、前記第１半導体物質層の一部領域に電気的
    に連結された第１検出電極と、前記第３半導体物質層上
    の受光面を除いた領域に所定のパターンに形成された第
    ２検出電極とを含むことを特徴とする請求項２に記載の
    近視野記録再生用光ヘッド。
  4. 【請求項４】 前記光検出器の第１半導体物質層は、 前記面発光レーザーと同一な積層構造を有し、前記第１
    ブラッグ反射層の一部層から前記面発光レーザーと離隔
    して形成されたことを特徴とする請求項３に記載の近視
    野記録再生用光ヘッド。
  5. 【請求項５】 前記光検出器の第２半導体物質層は前記
    面発光レーザーの活性層と略同一な半導体物質及び厚さ
    からなり、 前記第３半導体物質層は前記第１ブラッグ反射層と略同
    一な物質構成を有し、前記第１ブラッグ反射層より相対
    的に少ない積層数を有することを特徴とする請求項３に
    記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  6. 【請求項６】 前記光路制御層のホログラムはストライ
    プ状のパターンが形成されており、 前記光検出器は前記面発光レーザーの一側に備えたこと
    を特徴とする請求項１に記載の近視野記録再生用光ヘッ
    ド。
  7. 【請求項７】 前記第１レンズ層の第１レンズ曲面は拡
    散制御蝕刻により形成されることを特徴とする請求項１
    に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  8. 【請求項８】 前記面発光レーザーは約６５０nmや６８
    ０nm波長帯域の光を出射し、前記第１レンズ層はInGaP
    よりなることを特徴とする請求項１に記載の近視野記録
    再生用光ヘッド。
  9. 【請求項９】 前記光路制御層の記録媒体に向かう方向
    に相対的に高屈折率を有する物質からなり、入射光を集
    束させる第２レンズを有する第２レンズ層をさらに具備
    することを特徴とする請求項１に記載の近視野記録再生
    用光ヘッド。
  10. 【請求項１０】 前記第２レンズ層は約２.１以上の高
    屈折率を有する物質よりなることを特徴とする請求項９
    に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  11. 【請求項１１】 前記第１レンズ層上に螺旋状に積層形
    成された少なくとも１つのコイル層と、前記コイル層の
    中心部への入射光を透過させるように光透過物質からな
    って前記コイル層を覆って保護し、該コイル層の隣接部
    位の間を電気的に絶縁させる絶縁層を備えたコイル部材
    をさらに具備し、磁界変調により記録媒体に情報を記録
    し、光学的に情報を再生するようにしたことを特徴とす
    る請求項１に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  12. 【請求項１２】 前記光路制御層のホログラムは一偏光
    に対しては相対的に高い透過率を有し、他の偏光に対し
    ては相対的に高い回折効率を有する偏光ホログラムであ
    り、 前記光路制御層の記録媒体に向かう方向に透過する光の
    偏光を変える偏光変換層をさらに具備することを特徴と
    する請求項１１に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  13. 【請求項１３】 前記コイル層は複数個であり、 前記光路制御層はコイル層の間に位置することを特徴と
    する請求項１１に記載の近視野記録再生用光ヘッド。
  14. 【請求項１４】 基板を用意する段階と、 前記基板上に半導体物質層の積層方向に光を出射する面
    発光レーザーと、前記面発光レーザーから照射され、記
    録媒体から反射されて入射された光を受光する光検出器
    を含む光素子モジュールを形成する段階と、 前記光素子モジュール上に光を透過させる物質で積層形
    成され、前記面発光レーザーの光出射領域に対応する位
    置に入射光を集束させる第１レンズを有する第１レンズ
    層を形成する段階と、 その中心部にホログラムが形成されて前記面発光レーザ
    ー側から第１レンズ層を経た入射光は記録媒体に向かわ
    せ、記録媒体から反射されて入射される光は前記光検出
    器に向かわせる光路制御層を形成する段階とを含むこと
    を特徴とする近視野記録再生用光ヘッドの製造方法。
  15. 【請求項１５】 第１レンズを有する第１レンズ層を形
    成する段階は、 前記光素子モジュール上に面発光レーザーから出射され
    た光を透過させる物質で第１レンズ層を積層する段階
    と、 前記第１レンズ層上に前記面発光レーザーの光出射領域
    に対応する位置が開口された蝕刻マスクを形成する段階
    と、 化学蝕刻液に浸けて前記第１レンズ層の前記開口に露出
    された部分を拡散制御蝕刻して第１レンズの曲面を形成
    する段階と、 前記蝕刻マスクを除去する段階とを含むことを特徴とす
    る請求項１４に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造
    方法。
  16. 【請求項１６】 前記光路制御層のホログラムは同心円
    状のパターンが形成され、 前記光検出器は面発光レーザーを取囲むドーナツ構造で
    面発光レーザーと一体に形成されたことを特徴とする請
    求項１４に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造方
    法。
  17. 【請求項１７】 前記光素子モジュールの形成段階は、 前記基板上に第１電極を形成する段階と、 前記第１電極上に屈折率の相異なる半導体物質が交互に
    積層形成され、導電型でドーピングされた第１ブラッグ
    反射層、活性層及び屈折率の相異なる半導体物質が交互
    に積層形成され、他導電型でドーピングされた第２ブラ
    ッグ反射層よりなる積層構造を有し、前記第１ブラッグ
    反射層の一部の層から相互絶縁された面発光レーザー及
    び光検出器の第１半導体物質層を形成する段階と、 前記面発光レーザー部分を取囲む光検出器部分の第２ブ
    ラッグ反射層上に入射光を吸収する第２半導体物質層を
    形成する段階と、 前記第２半導体物質層上に前記第１ブラッグ反射層と同
    型にドーピングされた第３半導体物質層を形成する段階
    と、 前記光検出器部分の第２ブラッグ反射層の一部領域が露
    出されるように前記第３半導体物質層から前記第２ブラ
    ッグ反射層の少なくとも一部層まで蝕刻する段階と、 前記面発光レーザー部分の第２ブラッグ反射層上にウィ
    ンドウを除いた領域に第２電極を形成する段階と、 前記光検出器の第２ブラッグ反射層の露出された部分に
    第１検出電極を形成する段階と、 前記第３半導体物質層の受光面を除いた領域に第２検出
    電極を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１
    ６に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項１８】 前記第２半導体物質層は前記活性層と
    略同一な半導体物質及び厚さよりなり、 前記第３半導体物質層は前記第１ブラッグ反射層と略同
    一な物質構成を有し、前記第１ブラッグ反射層より相対
    的に少ない積層数を有することを特徴とする請求項１７
    に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造方法。
  19. 【請求項１９】 前記レンズ層上に螺旋状に積層形成さ
    れ、相互電気的に連結された少なくとも１つのコイル層
    と、入射光を透過させるように光透過物質よりなって前
    記コイル層を覆って保護し、該コイル層の隣接部位の間
    を電気的に絶縁させる絶縁層を具備するコイル部材を形
    成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項１
    ４乃至１８のうち何れか１項に記載の近視野記録再生用
    光ヘッドの製造方法。
  20. 【請求項２０】 前記コイル層は複数個であり、前記光
    路制御層はコイル層の間に形成されることを特徴とする
    請求項１９に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造方
    法。
  21. 【請求項２１】 前記光路制御層に形成されたホログラ
    ムは偏光ホログラムであり、前記光路制御層の記録媒体
    に向かう方向に透過する光の偏光を変える偏光変換層を
    形成する段階をさらに具備することを特徴とする請求項
    １９に記載の近視野記録再生用光ヘッドの製造方法。
  22. 【請求項２２】 前記コイル部材上に前記絶縁層の中心
    部が露出されるように相対的に小さな開口を有する蝕刻
    マスクを形成する段階と、 前記開口に露出された絶縁層部分を蝕刻して第２レンズ
    の曲面を形成する段階と、 前記蝕刻マスクを除去する段階と、 前記絶縁層上に該絶縁層より相対的に高屈折率を有する
    物質で第２レンズ層を形成する段階とをさらに具備する
    ことを特徴とする請求項１９に記載の近視野記録再生用
    光ヘッドの製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記開口は、露出された第２レンズ層
    が等方性蝕刻されるように十分に小さな大きさよりなる
    ことを特徴とする請求項２２に記載の近視野記録再生用
    光ヘッドの製造方法。
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