JP2577726B2 - 光磁気ヘツド - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （１） 発明の属する分野の説明 本発明は、光磁気記録媒体に近接浮上する形式の微少
光磁気ヘッドに関する。
光磁気ヘッドに関する。
（２） 従来の技術 第８図は従来の光磁気ヘッドの光学系の例である（石
井他；“光磁気ディスク用光学ヘッド”、日本応用磁気
学会誌、８,5,p.351,1984.）。この光ヘッドは以下のよ
うに動作する。
井他；“光磁気ディスク用光学ヘッド”、日本応用磁気
学会誌、８,5,p.351,1984.）。この光ヘッドは以下のよ
うに動作する。
半導体レーザ１からの出射光はカップリングレンズ
２、ハーフミラー３を透過、対物レンズ４により光磁気
記録媒体５に集光照射される。光磁気記録媒体５には磁
界発生部６により外部磁界７が印加されている。記録は
半導体レーザ照射部の局所的温度上昇による光磁気記録
媒体５の抗磁力の低下を利用し、外部磁界７により局所
的磁化反転を生じしめて行なう。
２、ハーフミラー３を透過、対物レンズ４により光磁気
記録媒体５に集光照射される。光磁気記録媒体５には磁
界発生部６により外部磁界７が印加されている。記録は
半導体レーザ照射部の局所的温度上昇による光磁気記録
媒体５の抗磁力の低下を利用し、外部磁界７により局所
的磁化反転を生じしめて行なう。
再生には偏光面の回転を利用する。光磁気記録媒体５
からの反射光はハーフミラー３で反射され、1/2波長板
８を透過し、偏光ビームスプリッタ９で一部が反射し光
検出器10へ、一部が透過し光検出器11に達する。光磁気
記録媒体の反射率変動、半導体レーザの出力変動の影響
を低減するため、両検出器10,11の差信号より光磁気信
号（データ信号）12を検出する。また、和信号よりアド
レス信号、セクタザーボ信号13を得る。なお、14,15,16
は非点収差光学系で光検出器10よりフォーカス誤差信号
17を得る。トラック誤差信号18は光検出器11より得る。
からの反射光はハーフミラー３で反射され、1/2波長板
８を透過し、偏光ビームスプリッタ９で一部が反射し光
検出器10へ、一部が透過し光検出器11に達する。光磁気
記録媒体の反射率変動、半導体レーザの出力変動の影響
を低減するため、両検出器10,11の差信号より光磁気信
号（データ信号）12を検出する。また、和信号よりアド
レス信号、セクタザーボ信号13を得る。なお、14,15,16
は非点収差光学系で光検出器10よりフォーカス誤差信号
17を得る。トラック誤差信号18は光検出器11より得る。
このような従来構造の光磁気ヘッドは部品点数が多
く、組立調整が複雑で小形化、低価格化が難しいという
欠点があった。
く、組立調整が複雑で小形化、低価格化が難しいという
欠点があった。
また、従来構造の光磁気ヘッドは対物レンズ３と光磁
気記録媒体５の記録層19の間隔が約2.5mmであり、光磁
気記録媒体５の厚みは1.2mmである。従って、磁界発生
部６は光磁気記録媒体の表面側にしろ、裏面側にしろ記
録層19から数mm程度離れる。このため、記録、消去に必
要な磁界（500Oe程度）を発生するには磁界発生部６が
大形化し、電磁コイルのインダクタンスのため高速の磁
界反転が出来ない。このように従来の光磁気ヘッドを用
いると高速の磁界反転ができないので、情報を消去して
記録する場合には、消去してから光磁気媒体が１回転し
た後で記録せざるを得ないため、回転持ち時間が必要と
なり、情報転送速度が低いという欠点があった。
気記録媒体５の記録層19の間隔が約2.5mmであり、光磁
気記録媒体５の厚みは1.2mmである。従って、磁界発生
部６は光磁気記録媒体の表面側にしろ、裏面側にしろ記
録層19から数mm程度離れる。このため、記録、消去に必
要な磁界（500Oe程度）を発生するには磁界発生部６が
大形化し、電磁コイルのインダクタンスのため高速の磁
界反転が出来ない。このように従来の光磁気ヘッドを用
いると高速の磁界反転ができないので、情報を消去して
記録する場合には、消去してから光磁気媒体が１回転し
た後で記録せざるを得ないため、回転持ち時間が必要と
なり、情報転送速度が低いという欠点があった。
さらに大形電磁コイルの発熱のため装置内の温度上昇
により各種マージンが低下し、記録再生消去動作を不安
定にし、情報の信頼性を低下させるという欠点があっ
た。
により各種マージンが低下し、記録再生消去動作を不安
定にし、情報の信頼性を低下させるという欠点があっ
た。
（３） 発明の目的 本発明の目的はこのような問題点を解決するため、光
記録媒体上に近接浮上するスライダ面に微小光磁気ヘッ
ドを配設し、オーバライトが可能で情報転送速度の高い
低価格の光磁気ヘッドを提供することにある。
記録媒体上に近接浮上するスライダ面に微小光磁気ヘッ
ドを配設し、オーバライトが可能で情報転送速度の高い
低価格の光磁気ヘッドを提供することにある。
（４） 発明の構成 （４−１）発明の特徴と従来の技術との差異 （問題点を解決するための手段） 本発明は第１図に示すように光磁気ヘッド21がスライ
ダ22の後縁23あるいは側面24に配設される。このスライ
ダ22はジンバルバネ25,アーム26を介して光磁気記録媒
体５の半径方向に高速移動可能な図示しないポジショナ
に装着され使用される。
ダ22の後縁23あるいは側面24に配設される。このスライ
ダ22はジンバルバネ25,アーム26を介して光磁気記録媒
体５の半径方向に高速移動可能な図示しないポジショナ
に装着され使用される。
（４−２）実施例 （実施例１） 第２図は本発明の特徴を最もよく表す光ヘッドの構成
図である。寸法は例えば高さ0.7mm、幅0.5mm、厚み0.1m
mで極めて小さい。先端に微少レンズ31を配した半導体
レーザ32と該半導体レーザの両側に絶縁溝33−1,33−２
を介してそれぞれ光偏光素子34−1,34−２、光検出器35
−1,35−２より成る２組の受光部を半導体レーザ基板36
上に配設して構成されている。該微少レンズ31からの出
射光37が光磁気記録媒体５上の情報用トラック38で反射
回折され、反射回折光39の両光検出器35−1,35−２によ
る光電流の出力をそれぞれの端子52−1,52−２で検出
し、その和信号54よりアドレス信号、セクタサーボ信号
を差信号55より光磁気信号（データ信号）を検出する。
図である。寸法は例えば高さ0.7mm、幅0.5mm、厚み0.1m
mで極めて小さい。先端に微少レンズ31を配した半導体
レーザ32と該半導体レーザの両側に絶縁溝33−1,33−２
を介してそれぞれ光偏光素子34−1,34−２、光検出器35
−1,35−２より成る２組の受光部を半導体レーザ基板36
上に配設して構成されている。該微少レンズ31からの出
射光37が光磁気記録媒体５上の情報用トラック38で反射
回折され、反射回折光39の両光検出器35−1,35−２によ
る光電流の出力をそれぞれの端子52−1,52−２で検出
し、その和信号54よりアドレス信号、セクタサーボ信号
を差信号55より光磁気信号（データ信号）を検出する。
なお、半導体レーザ32への電流の注入は端子51から行
われる。53は半導体レーザ32、光検出器35−1,35−２の
共通電極端子である。40は半導体レーザへ電流を狭窄し
て注入するための電極ストライプ、41は活性層、42は微
細加工技術により形成された半導体レーザ32のエッチド
ミラー面で光偏光素子34−1,34−２と接する。本実施例
の微少レンズ31はいわゆるルネブルグレンズである。こ
のルネブルグレンズは半導体レーザ基板36上のバッファ
層43（例えばSiO2）、導波路層44（例えばガラス7059）
の上に導波路層44により屈折率の高い誘電体材料（例え
ばSiN）を積層し、周囲が円形、表面が半円状に整形し
て形成される。
われる。53は半導体レーザ32、光検出器35−1,35−２の
共通電極端子である。40は半導体レーザへ電流を狭窄し
て注入するための電極ストライプ、41は活性層、42は微
細加工技術により形成された半導体レーザ32のエッチド
ミラー面で光偏光素子34−1,34−２と接する。本実施例
の微少レンズ31はいわゆるルネブルグレンズである。こ
のルネブルグレンズは半導体レーザ基板36上のバッファ
層43（例えばSiO2）、導波路層44（例えばガラス7059）
の上に導波路層44により屈折率の高い誘電体材料（例え
ばSiN）を積層し、周囲が円形、表面が半円状に整形し
て形成される。
このようなルネブルグレンズの形状、製造法について
は例えばS.K.Yao et al:Guided−wave optical thin−f
ilm Luneburg Lenses:fabrication techin ique and pr
operties,APPLIED OPTICS,vol.18,No.24,p.4067,1979に
述べられている。
は例えばS.K.Yao et al:Guided−wave optical thin−f
ilm Luneburg Lenses:fabrication techin ique and pr
operties,APPLIED OPTICS,vol.18,No.24,p.4067,1979に
述べられている。
ルネブルグレンズは導波路層44の面内に平行（活性層
41に平行）な光に対してのみ、つまり一次元の集光作用
がある。第３図は半導体レーザからの出射光のスポット
径の測定例である。同図から媒体近接浮上形式の光ヘッ
ドの場合、浮上量が３μｍ以内では活性層に垂直方向の
スポット径は１μｍ以内にあることがわかる。このこと
は光記録の場合の線記録密度方向に対してはレンズ作用
がなくともよいことを表している。一方、活性層41に平
行な方向はスポット径が大きい。このことはトラック密
度方向に対してはレンズ作用が必要なことを示してい
る。このため上記ルネブルグレンズで活性層41に平行な
方向に対して光ビームを集光する訳である。
41に平行）な光に対してのみ、つまり一次元の集光作用
がある。第３図は半導体レーザからの出射光のスポット
径の測定例である。同図から媒体近接浮上形式の光ヘッ
ドの場合、浮上量が３μｍ以内では活性層に垂直方向の
スポット径は１μｍ以内にあることがわかる。このこと
は光記録の場合の線記録密度方向に対してはレンズ作用
がなくともよいことを表している。一方、活性層41に平
行な方向はスポット径が大きい。このことはトラック密
度方向に対してはレンズ作用が必要なことを示してい
る。このため上記ルネブルグレンズで活性層41に平行な
方向に対して光ビームを集光する訳である。
また、光偏光素子34−1,34−２は第４図に示すような
誘電体と金属の交互多層膜による積層形薄膜素子を用い
ることができ、入射光60に対し、図示した様な特定方向
の偏光面を有する光のみを透過光61とする。
誘電体と金属の交互多層膜による積層形薄膜素子を用い
ることができ、入射光60に対し、図示した様な特定方向
の偏光面を有する光のみを透過光61とする。
この光偏光素子の特性、製造法については例えばK.Si
raishi et al:Microisolator,APPLIED OPTICS,vol.25,N
o.2,p.311,1986.に述べられている。
raishi et al:Microisolator,APPLIED OPTICS,vol.25,N
o.2,p.311,1986.に述べられている。
ここで誘電体層62としてはSiO2で厚み0.8μｍ、金属
層63はAlで厚み0.005μｍを約100層積層し作成される。
本素子は低損失、高消孤比でありかつ極めて小形なので
微少光磁気ヘッドの偏光素子として利用できる。
層63はAlで厚み0.005μｍを約100層積層し作成される。
本素子は低損失、高消孤比でありかつ極めて小形なので
微少光磁気ヘッドの偏光素子として利用できる。
（実施例２） 第５図は本発明の第２の実施例の光ヘッドの構成図で
ある。半導体レーザ32の後端部に第１の実施例と同じ反
応性イオンビームエッチング等の微細加工技術により絶
縁溝33−３を形成する。溝幅は数μｍ、深さは活性層41
を通過、半導体レーザ基板36に達する数μｍである。こ
の結果、半導体レーザの後側出力端面に対向した位置に
光検出器35−３が形成される。
ある。半導体レーザ32の後端部に第１の実施例と同じ反
応性イオンビームエッチング等の微細加工技術により絶
縁溝33−３を形成する。溝幅は数μｍ、深さは活性層41
を通過、半導体レーザ基板36に達する数μｍである。こ
の結果、半導体レーザの後側出力端面に対向した位置に
光検出器35−３が形成される。
第１の実施例の信号検出においては、反射回折光39の
一部が微少レンズ31を通過後半導体レーザ32の前側出力
端面に帰還し、半導体レーザの出力が変動する場合があ
る。第２の実施例はこの出力変動によるアドレス信号、
セクタサーボ信号54、光磁気信号（データ信号）55の品
質低下の防止を目的としたものであり、以下の様に動作
する。
一部が微少レンズ31を通過後半導体レーザ32の前側出力
端面に帰還し、半導体レーザの出力が変動する場合があ
る。第２の実施例はこの出力変動によるアドレス信号、
セクタサーボ信号54、光磁気信号（データ信号）55の品
質低下の防止を目的としたものであり、以下の様に動作
する。
まず、半導体レーザの出力73は半導体レーザ後端の光
検出器35−３で受光され、その光電流を端子71、ローパ
スフィルタ72を通じて検出される。ローパスフィルタは
アドレス情報、セクタサーボ情報によるデータ信号帯域
の高周波の複合共振信号を平滑化するために使用する。
アドレス信号、セクタサーボ信号54は除算器74により半
導体レーザの出力73で除され、出力変動のないアドレス
信号、セクタサーボ信号76となる。光磁気信号（データ
信号）55も同様に、除算器75により半導体レーザの出力
73で除され、出力変動のない光磁気信号（データ信号）
77となる。
検出器35−３で受光され、その光電流を端子71、ローパ
スフィルタ72を通じて検出される。ローパスフィルタは
アドレス情報、セクタサーボ情報によるデータ信号帯域
の高周波の複合共振信号を平滑化するために使用する。
アドレス信号、セクタサーボ信号54は除算器74により半
導体レーザの出力73で除され、出力変動のないアドレス
信号、セクタサーボ信号76となる。光磁気信号（データ
信号）55も同様に、除算器75により半導体レーザの出力
73で除され、出力変動のない光磁気信号（データ信号）
77となる。
第６図は本発明の第３の実施例であり、空気流による
自動浮上を利用して光磁気記録媒体上に近接浮上させる
スライダ面に、第１あるいは第２の実施例の微小光磁気
ヘッドを装着した図である。この構成で、光磁気記録媒
体と光磁気ヘッドの間隔は、空気流による自動浮上量に
相当する５μｍ程度に小さくできる。光磁気ヘッド21は
スライダ22と一体化した磁気回路27のギャップ中に挿入
されている。ここで、本光磁気ヘッドの大きさは、前に
述べたように高さ0.7mm、幅0.5mm、厚み0.1mm程度であ
るので、磁気回路中のギャップを本磁気ヘッドの厚さに
相当する0.1mm程度に小さくできる。この例では光磁気
ヘッド21はスライダ22の後縁23に配設されているが、側
面24に配設してもよい。スライダ22の一部は磁性体でで
きており共通の磁気回路を構成する。28は磁気回路27に
巻かれた励磁用コイルである。励磁用コイルを駆動して
磁気回路のギャップ部に外部磁界を発生させ、記録ある
いは消去磁界とする。
自動浮上を利用して光磁気記録媒体上に近接浮上させる
スライダ面に、第１あるいは第２の実施例の微小光磁気
ヘッドを装着した図である。この構成で、光磁気記録媒
体と光磁気ヘッドの間隔は、空気流による自動浮上量に
相当する５μｍ程度に小さくできる。光磁気ヘッド21は
スライダ22と一体化した磁気回路27のギャップ中に挿入
されている。ここで、本光磁気ヘッドの大きさは、前に
述べたように高さ0.7mm、幅0.5mm、厚み0.1mm程度であ
るので、磁気回路中のギャップを本磁気ヘッドの厚さに
相当する0.1mm程度に小さくできる。この例では光磁気
ヘッド21はスライダ22の後縁23に配設されているが、側
面24に配設してもよい。スライダ22の一部は磁性体でで
きており共通の磁気回路を構成する。28は磁気回路27に
巻かれた励磁用コイルである。励磁用コイルを駆動して
磁気回路のギャップ部に外部磁界を発生させ、記録ある
いは消去磁界とする。
第７図は、前記第３の実施例における光磁気記録媒体
５に対する垂直磁界Hyについて、光磁気記録媒体５とス
ライダの間隔をｙ、磁気回路のギャップ長をｇとして、
ギャップの中心における磁界Hoで規格化した計算値であ
る。ギャップ長ｇ＝100μｍ、浮上量ｙ＝５μｍとすれ
ばギャップ中心x/g＝0.5でのHy/Hoは同図のy/g＝0.05の
場合に相当するので、1.0に近い値である。即ち、Hyは
ギャップ中心磁界Hoに匹敵する値となる。なお、このよ
うな洩れ磁界のほとんどない狭いギャップの磁界回路で
は記録、消去に必要な500Oe程度の磁界は容易に得られ
る。つまり本磁気回路構成で光磁気記録媒体の記録、消
去に必要な従来の外部磁界を容易に得ることができる。
また、インダクタンスも小さくて済むので高速の磁界反
転ができる。その結果、消去直後に記録する動作が可能
となり、回転待ち時間が不要な高情報転送速度の光磁気
ヘッドを実現できる。
５に対する垂直磁界Hyについて、光磁気記録媒体５とス
ライダの間隔をｙ、磁気回路のギャップ長をｇとして、
ギャップの中心における磁界Hoで規格化した計算値であ
る。ギャップ長ｇ＝100μｍ、浮上量ｙ＝５μｍとすれ
ばギャップ中心x/g＝0.5でのHy/Hoは同図のy/g＝0.05の
場合に相当するので、1.0に近い値である。即ち、Hyは
ギャップ中心磁界Hoに匹敵する値となる。なお、このよ
うな洩れ磁界のほとんどない狭いギャップの磁界回路で
は記録、消去に必要な500Oe程度の磁界は容易に得られ
る。つまり本磁気回路構成で光磁気記録媒体の記録、消
去に必要な従来の外部磁界を容易に得ることができる。
また、インダクタンスも小さくて済むので高速の磁界反
転ができる。その結果、消去直後に記録する動作が可能
となり、回転待ち時間が不要な高情報転送速度の光磁気
ヘッドを実現できる。
以上の第１の実施例、第２の実施例、第３の実施例の
光磁気ヘッドを用いて光磁気記録媒体に情報の記録・再
生・消去を行う場合の制御動作は以下の様に行う。ま
ず、焦点サーボは前述の様に空気流によるスライダの自
動浮上を利用する。また、以下の方法でトラック誤差信
号を検出し、図示しないアクチュエータにより従来と同
様の方法でトラックサーボを行うことができる。
光磁気ヘッドを用いて光磁気記録媒体に情報の記録・再
生・消去を行う場合の制御動作は以下の様に行う。ま
ず、焦点サーボは前述の様に空気流によるスライダの自
動浮上を利用する。また、以下の方法でトラック誤差信
号を検出し、図示しないアクチュエータにより従来と同
様の方法でトラックサーボを行うことができる。
（１） セクタサーボ方式…あらかじめ情報用トラック
上に離散的に記録したサーボパタンを検出する方法 （２） ベリードサーボ方式…データ信号と同一のトラ
ック上の別の層に連続して記録したサーボパタンを検出
する方法 （５） 発明の効果 以上説明したように、本発明による光磁気ヘッドは半
導体レーザ、光検出器、微少レンズ、光偏光素子を半導
体レーザの同一基板上に配設して構成されているので、 （１） 組立調整の容易な超小形、高信頼の光磁気ヘッ
ドを実現できる。
上に離散的に記録したサーボパタンを検出する方法 （２） ベリードサーボ方式…データ信号と同一のトラ
ック上の別の層に連続して記録したサーボパタンを検出
する方法 （５） 発明の効果 以上説明したように、本発明による光磁気ヘッドは半
導体レーザ、光検出器、微少レンズ、光偏光素子を半導
体レーザの同一基板上に配設して構成されているので、 （１） 組立調整の容易な超小形、高信頼の光磁気ヘッ
ドを実現できる。
（２） 差動法による光磁気信号の検出において、トラ
ック回折光の差信号を利用するため、空間分割用のプリ
ズムが不要である。
ック回折光の差信号を利用するため、空間分割用のプリ
ズムが不要である。
また、本発明による光磁気ヘッドは、微小化可能なた
め、光磁気記録媒体に近接浮上するスライダ面に作成し
た小型の磁気回路のギャップに挿入して使用することが
でき、従来の光磁気ヘッドに比べてインダクタンスを小
さくすることができるので （３） 高速磁化反転つまりオーバライトが可能なた
め、回転待ち時間が不要な高情報転送速度の光磁気ヘッ
ドを実現できる。
め、光磁気記録媒体に近接浮上するスライダ面に作成し
た小型の磁気回路のギャップに挿入して使用することが
でき、従来の光磁気ヘッドに比べてインダクタンスを小
さくすることができるので （３） 高速磁化反転つまりオーバライトが可能なた
め、回転待ち時間が不要な高情報転送速度の光磁気ヘッ
ドを実現できる。
等の利点を有する。
第１図は本発明の光磁気ヘッドの使用状態図、第２図は
本発明の第１の実施例であり、本発明の特徴を最もよく
表す光磁気ヘッドの構成図、第３図は半導体レーザ出射
光のスポット径の測定例を示すグラフ、第４図は光偏光
素子の構成図、第５図は本発明の第２の実施例を示す光
磁気ヘッドの構成図、第６図は本発明の第３の実施例で
スライドと一体化磁気回路のギャップ中への光磁気ヘッ
ドの装着状態図、第７図は光磁気ヘッド近傍の垂直磁界
強度を表すグラフ、第８図は従来の光磁気ヘッドの光学
系を示す図である。 図中、 ５は光磁気記録媒体、 27は磁気回路、 31は微少レンズ、 32は半導体レーザ、 33−1,33−2,33−３は絶縁溝、 34−1,34−２は光偏光素子、 35−1,35−2,35−３は光検出器、 36は半導体レーザ基板、 37は出射光、 38は情報用トラック、 39は反射回折光、 54は和信号、 55は差信号、 72はローパスフィルタ、 73は半導体レーザの出力信号である。
本発明の第１の実施例であり、本発明の特徴を最もよく
表す光磁気ヘッドの構成図、第３図は半導体レーザ出射
光のスポット径の測定例を示すグラフ、第４図は光偏光
素子の構成図、第５図は本発明の第２の実施例を示す光
磁気ヘッドの構成図、第６図は本発明の第３の実施例で
スライドと一体化磁気回路のギャップ中への光磁気ヘッ
ドの装着状態図、第７図は光磁気ヘッド近傍の垂直磁界
強度を表すグラフ、第８図は従来の光磁気ヘッドの光学
系を示す図である。 図中、 ５は光磁気記録媒体、 27は磁気回路、 31は微少レンズ、 32は半導体レーザ、 33−1,33−2,33−３は絶縁溝、 34−1,34−２は光偏光素子、 35−1,35−2,35−３は光検出器、 36は半導体レーザ基板、 37は出射光、 38は情報用トラック、 39は反射回折光、 54は和信号、 55は差信号、 72はローパスフィルタ、 73は半導体レーザの出力信号である。
Claims (4)
- 【請求項１】先端に微小レンズを配した半導体レーザ
と、該半導体レーザの両側に絶縁溝を介してそれぞれ光
偏光素子、光検出器よりなる２組の受光部とを具備し、
かつ、該微小レンズ、該半導体レーザ及び該２組の受光
部は同一の半導体基板上に配設され、該微小レンズから
の出射光が光磁気記録媒体上の情報用トラックで反射回
折され、反射回折光の両光検出器の和信号よりアドレス
信号、セクタサーボ信号を、差信号より光磁気信号（デ
ータ信号）を検出することを特徴とする光磁気ヘッド。 - 【請求項２】特許請求の範囲第１項記載の光磁気ヘッド
を走行光磁気記録媒体に近接浮上するスライダに一体化
した磁気回路のギャップ中に配設することを特徴とする
光磁気ヘッド。 - 【請求項３】先端に微小レンズを配すると共に後端に絶
縁溝を介して光検出器を配した半導体レーザと、該半導
体レーザの両側に絶縁溝を介してそれぞれ光偏光素子、
光検出器よりなる２組の受光部とを具備し、かつ、該微
小レンズ、該光検出器、該半導体レーザ及び該２組の受
光部は同一の半導体基板上に配設され、該微小レンズか
らの出射光が光磁気記録媒体上の情報用トラックで反射
回折され、反射回折光の該半導体レーザへの帰還光によ
る該半導体レーザの光出力信号を後端の光検出器により
得、ローパスフィルタ通過後の該半導体レーザの光出力
信号で該半導体レーザの両側の光検出器の差信号を除し
て光磁気信号（データ信号）となり、和信号を除してア
ドレス信号、セクタサーボ信号となすことを特徴とする
光磁気ヘッド。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項記載の光磁気ヘッド
を走行光磁気記憶媒体に近接浮上するスライダに一体化
した磁気回路のギャップ中に配設することを特徴とする
光磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247601A JP2577726B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 光磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247601A JP2577726B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 光磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102053A JPS63102053A (ja) | 1988-05-06 |
| JP2577726B2 true JP2577726B2 (ja) | 1997-02-05 |
Family
ID=17165935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247601A Expired - Fee Related JP2577726B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 光磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2577726B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2707588B2 (ja) * | 1988-04-25 | 1998-01-28 | ソニー株式会社 | 磁気光学ピックアップ |
| JPH0821175B2 (ja) * | 1989-04-11 | 1996-03-04 | 三菱電機株式会社 | 光学式ヘツド装置 |
| JPH087538Y2 (ja) * | 1989-09-04 | 1996-03-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 光磁気記録型記録装置の浮動ヘッド |
| WO1999023648A1 (fr) * | 1997-11-05 | 1999-05-14 | Nikon Corporation | Tete optique, enregistreur optique, microlentille et fabrication de cette microlentille |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61247601A patent/JP2577726B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63102053A (ja) | 1988-05-06 |
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