JP2001325756A - 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 - Google Patents
光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置Info
- Publication number
- JP2001325756A JP2001325756A JP2000268296A JP2000268296A JP2001325756A JP 2001325756 A JP2001325756 A JP 2001325756A JP 2000268296 A JP2000268296 A JP 2000268296A JP 2000268296 A JP2000268296 A JP 2000268296A JP 2001325756 A JP2001325756 A JP 2001325756A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magneto
- magnetic
- semiconductor laser
- laser
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/1058—Flying heads
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10534—Heads for recording by magnetising, demagnetising or transfer of magnetisation, by radiation, e.g. for thermomagnetic recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
- G11B11/10545—Heads for reproducing using optical beam of radiation interacting directly with the magnetisation on the record carrier
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
- G11B11/10552—Arrangements of transducers relative to each other, e.g. coupled heads, optical and magnetic head on the same base
- G11B11/10554—Arrangements of transducers relative to each other, e.g. coupled heads, optical and magnetic head on the same base the transducers being disposed on the same side of the carrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S2301/00—Functional characteristics
- H01S2301/17—Semiconductor lasers comprising special layers
- H01S2301/176—Specific passivation layers on surfaces other than the emission facet
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/005—Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0261—Non-optical elements, e.g. laser driver components, heaters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
- H01S5/18338—Non-circular shape of the structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18386—Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
- H01S5/18394—Apertures, e.g. defined by the shape of the upper electrode
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光アシスト磁気記録を行え、小型化および記
録密度の向上が図れ、高転送レート化が可能な光磁気素
子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供する。 【解決手段】 この光磁気素子１は、半導体レーザ部２
の表面に磁気ギャップ３４を含む磁気回路３０、および
コイル部２１からなる薄膜磁気トランスデューサ２０を
集積したものである。これにより、光アシスト磁気記録
を行うことができるとともに、小型・軽量化が図れ、高
転送レート化が可能となる。
録密度の向上が図れ、高転送レート化が可能な光磁気素
子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供する。 【解決手段】 この光磁気素子１は、半導体レーザ部２
の表面に磁気ギャップ３４を含む磁気回路３０、および
コイル部２１からなる薄膜磁気トランスデューサ２０を
集積したものである。これにより、光アシスト磁気記録
を行うことができるとともに、小型・軽量化が図れ、高
転送レート化が可能となる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録膜や光磁
気記録膜に光スポットと磁界により記録し、磁気ギャッ
プあるいは磁気センサにより再生する光アシスト磁気
(ＯＡＭ：OpticallyAssisted Magnetic)記録を行う光磁
気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関し、
特に、光アシスト磁気記録を行え、小型化および記録密
度の向上が図れ、高転送レート化が可能な光磁気素子、
光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関する。
気記録膜に光スポットと磁界により記録し、磁気ギャッ
プあるいは磁気センサにより再生する光アシスト磁気
(ＯＡＭ：OpticallyAssisted Magnetic)記録を行う光磁
気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関し、
特に、光アシスト磁気記録を行え、小型化および記録密
度の向上が図れ、高転送レート化が可能な光磁気素子、
光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録膜を用いて記録・再生を行うハ
ードディスク装置では、再生用に磁気抵抗効果を用いた
磁気抵抗センサすなわちＭＲ（Magnetoresistive）セン
サや、さらに高感度・高解像度のＧＭＲ（Giant-magnet
oresistive）センサが開発され（以下、両者を総称して
ＭＲセンサと略す。）、この数年、年率６０％の割合で
高密度化が図られてきた。しかし、ここにきてSuper Pa
ra-magnetic効果、すなわちある磁区の磁化の方向が、
熱的擾乱に基づき隣接する反対方向の磁化により反転さ
せられる効果のため、面密度が３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃ
ｈ2程度で限界であることが判明してきた（R.L.White,T
ech．Digest of MORIS '99,11-A-03 (1999) P.7）。
ードディスク装置では、再生用に磁気抵抗効果を用いた
磁気抵抗センサすなわちＭＲ（Magnetoresistive）セン
サや、さらに高感度・高解像度のＧＭＲ（Giant-magnet
oresistive）センサが開発され（以下、両者を総称して
ＭＲセンサと略す。）、この数年、年率６０％の割合で
高密度化が図られてきた。しかし、ここにきてSuper Pa
ra-magnetic効果、すなわちある磁区の磁化の方向が、
熱的擾乱に基づき隣接する反対方向の磁化により反転さ
せられる効果のため、面密度が３０Ｇｂｉｔｓ／ｉｎｃ
ｈ2程度で限界であることが判明してきた（R.L.White,T
ech．Digest of MORIS '99,11-A-03 (1999) P.7）。
【０００３】これを解決する有力な手段として、ＯＡＭ
（Optically assisted Magnetic)記録が提案されてい
る。これは、レーザ光の照射により磁化膜を加熱し、そ
の膜の磁化強度を下げたところで記録することにより、
保磁力の高い磁性膜への記録を可能とし、常温での磁化
反転を防ぐ方式である。
（Optically assisted Magnetic)記録が提案されてい
る。これは、レーザ光の照射により磁化膜を加熱し、そ
の膜の磁化強度を下げたところで記録することにより、
保磁力の高い磁性膜への記録を可能とし、常温での磁化
反転を防ぐ方式である。
【０００４】このような従来の光磁気ヘッドとして、例
えば、日経エレクトロニクス（Ｎｏ．７３４，（９９．
１．１１．）、Ｐ．３５）に示されるものがある。
えば、日経エレクトロニクス（Ｎｏ．７３４，（９９．
１．１１．）、Ｐ．３５）に示されるものがある。
【０００５】図２０は、その光磁気ヘッドを示す。この
光磁気ヘッド１００は、対物レンズ１０５によりＳＩＬ
１０６の被集光面１０６ｂに光スポット１０７を形成
し、かつ、その周りにコイル１１０を設け、このコイル
１１０に記録用の情報信号に基づいて磁界を変調しなが
ら、上記被集光面１０６ｂから染み出す近接場光１０７
ａを、光ディスク５１上の光磁気記録膜５１ａにパルス
的に照射して記録を行い（これを磁界変調記録（Laser-
pumped Modified Field Magnetic(ＬＰ−ＭＦＭ)記録と
称し、これにより光スポット径以下の長さの記録マーク
の形成が可能となる）、再生は、磁気抵抗薄膜を検出部
とする磁気センサ１１１を用いて行う。この方式では、
ＳＩＬ１０６の屈折率に反比例して集光スポット１０７
の微細化ができるため、幅０．３μｍ程度の微小な記録
磁区の形成ができ、高密度化が可能となる。
光磁気ヘッド１００は、対物レンズ１０５によりＳＩＬ
１０６の被集光面１０６ｂに光スポット１０７を形成
し、かつ、その周りにコイル１１０を設け、このコイル
１１０に記録用の情報信号に基づいて磁界を変調しなが
ら、上記被集光面１０６ｂから染み出す近接場光１０７
ａを、光ディスク５１上の光磁気記録膜５１ａにパルス
的に照射して記録を行い（これを磁界変調記録（Laser-
pumped Modified Field Magnetic(ＬＰ−ＭＦＭ)記録と
称し、これにより光スポット径以下の長さの記録マーク
の形成が可能となる）、再生は、磁気抵抗薄膜を検出部
とする磁気センサ１１１を用いて行う。この方式では、
ＳＩＬ１０６の屈折率に反比例して集光スポット１０７
の微細化ができるため、幅０．３μｍ程度の微小な記録
磁区の形成ができ、高密度化が可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光磁気
ヘッドによると、変調磁界を付与するコイルおよび磁気
情報を読み出す磁気センサを半導体レーザや光学系とは
別個に設けていたため、光磁気ヘッドが大型化し、ま
た、軽量化に限界があるために高転送レート化が図れな
いという問題がある。
ヘッドによると、変調磁界を付与するコイルおよび磁気
情報を読み出す磁気センサを半導体レーザや光学系とは
別個に設けていたため、光磁気ヘッドが大型化し、ま
た、軽量化に限界があるために高転送レート化が図れな
いという問題がある。
【０００７】従って、本発明の目的は、光アシスト磁気
記録を行え、小型化が図れ、高転送レート化が可能な光
磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、記録密度
の向上を図った光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気デ
ィスク装置を提供することにある。
記録を行え、小型化が図れ、高転送レート化が可能な光
磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置を提供
することにある。また、本発明の他の目的は、記録密度
の向上を図った光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気デ
ィスク装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、レーザ光出力面からレーザ光を出射する半
導体レーザと、前記半導体レーザに集積された薄膜磁気
トランスデューサとを備えたことを特徴とする光磁気素
子を提供する。上記構成により、薄膜磁気トランスジュ
ーサを半導体レーザに集積することにより、別個に設け
たのと比較して光磁気素子が小型・軽量になる。薄膜磁
気トランスデューサの磁気ギャップのサイズで決まる磁
気記録媒体上の微小領域に光アシスト磁気記録を行うこ
とが可能となる。
成するため、レーザ光出力面からレーザ光を出射する半
導体レーザと、前記半導体レーザに集積された薄膜磁気
トランスデューサとを備えたことを特徴とする光磁気素
子を提供する。上記構成により、薄膜磁気トランスジュ
ーサを半導体レーザに集積することにより、別個に設け
たのと比較して光磁気素子が小型・軽量になる。薄膜磁
気トランスデューサの磁気ギャップのサイズで決まる磁
気記録媒体上の微小領域に光アシスト磁気記録を行うこ
とが可能となる。
【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、
前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サとを備えたことを特徴とする光磁気素子を提供する。
上記構成によれば、開口と磁気ギャップの微小化により
記録密度が向上する。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、
前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サとを備えたことを特徴とする光磁気素子を提供する。
上記構成によれば、開口と磁気ギャップの微小化により
記録密度が向上する。
【００１０】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサ
および磁気抵抗センサとを備えたことを特徴とする光磁
気素子を提供する。上記構成により、従来の確立した、
磁気抵抗センサや薄膜磁気トランスデューサの作製プロ
セスを用いて半導体レーザと一体で連続して磁気抵抗セ
ンサと薄膜磁気トランスデューサを形成することが可能
となる。従って、別個に設けたのと比較して光磁気素子
が小型・軽量になる。また、薄膜磁気トランスデューサ
の磁気ギャップのサイズで決まる磁気記録媒体上の微小
領域に光アシスト磁気記録を行い、磁気センサにより再
生が可能となる。半導体レーザ上に薄膜磁気トランスデ
ューサを積層した後、磁気抵抗センサを積層してもよ
い。これにより、磁気抵抗センサが半導体レーザから離
れて形成されるため、半導体レーザの発熱によって磁気
抵抗センサの感度や寿命が劣化するのを防ぐことができ
る。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサ
および磁気抵抗センサとを備えたことを特徴とする光磁
気素子を提供する。上記構成により、従来の確立した、
磁気抵抗センサや薄膜磁気トランスデューサの作製プロ
セスを用いて半導体レーザと一体で連続して磁気抵抗セ
ンサと薄膜磁気トランスデューサを形成することが可能
となる。従って、別個に設けたのと比較して光磁気素子
が小型・軽量になる。また、薄膜磁気トランスデューサ
の磁気ギャップのサイズで決まる磁気記録媒体上の微小
領域に光アシスト磁気記録を行い、磁気センサにより再
生が可能となる。半導体レーザ上に薄膜磁気トランスデ
ューサを積層した後、磁気抵抗センサを積層してもよ
い。これにより、磁気抵抗センサが半導体レーザから離
れて形成されるため、半導体レーザの発熱によって磁気
抵抗センサの感度や寿命が劣化するのを防ぐことができ
る。
【００１１】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、前記半導体
レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサとを具備
する光磁気素子と、前記光磁気素子を保持して記録媒体
上を相対的に所定の方向に浮上走行する浮上スライダと
を備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供する。上
記構成により、薄膜磁気トランスジューサを半導体レー
ザに集積することにより、別個に設けたのと比較して光
磁気ヘッドが小型・軽量になる。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、前記半導体
レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサとを具備
する光磁気素子と、前記光磁気素子を保持して記録媒体
上を相対的に所定の方向に浮上走行する浮上スライダと
を備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供する。上
記構成により、薄膜磁気トランスジューサを半導体レー
ザに集積することにより、別個に設けたのと比較して光
磁気ヘッドが小型・軽量になる。
【００１２】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、
前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サとを具備する光磁気素子と、前記光磁気素子を保持し
て記録媒体上を相対的に所定の方向に浮上走行する浮上
スライダとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提
供する。上記構成により、開口および磁気ギャップの微
小化により記録密度が向上する。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、
前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サとを具備する光磁気素子と、前記光磁気素子を保持し
て記録媒体上を相対的に所定の方向に浮上走行する浮上
スライダとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提
供する。上記構成により、開口および磁気ギャップの微
小化により記録密度が向上する。
【００１３】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する磁気回路と、前記
磁気回路を構成するコアに巻回されたコイルとを具備す
る薄膜磁気トランスデューサとを備えたことを特徴とす
る光磁気ヘッドを提供する。上記構成により、磁気ギャ
ップを有する磁気回路とコイルからなる薄膜磁気トラン
スジューサを透明集光用媒体の被集光面上に集積するこ
とにより、別個に設けたのと比較して光磁気ヘッドが小
型・軽量になる。
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する磁気回路と、前記
磁気回路を構成するコアに巻回されたコイルとを具備す
る薄膜磁気トランスデューサとを備えたことを特徴とす
る光磁気ヘッドを提供する。上記構成により、磁気ギャ
ップを有する磁気回路とコイルからなる薄膜磁気トラン
スジューサを透明集光用媒体の被集光面上に集積するこ
とにより、別個に設けたのと比較して光磁気ヘッドが小
型・軽量になる。
【００１４】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
の前記光スポットが形成される位置に前記光スポットよ
り小さいサイズの開口を有する遮光体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する薄膜磁気トランス
デューサとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提
供する。上記構成により、開口および磁気ギャップの微
小化により記録密度が向上する。
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
の前記光スポットが形成される位置に前記光スポットよ
り小さいサイズの開口を有する遮光体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する薄膜磁気トランス
デューサとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提
供する。上記構成により、開口および磁気ギャップの微
小化により記録密度が向上する。
【００１５】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサ
および磁気抵抗センサとを具備する光磁気素子と、前記
光磁気素子を保持して記録媒体上を浮上走行する浮上ス
ライダとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供
する。上記構成により、従来の確立した、磁気抵抗セン
サや薄膜磁気トランスデューサの作製プロセスを用いて
半導体レーザと一体で連続して磁気抵抗センサと薄膜磁
気トランスデューサを形成することが可能となる。従っ
て、別個に設けたのと比較して光磁気ヘッドが小型・軽
量になる。また、薄膜磁気トランスデューサの磁気ギャ
ップのサイズで決まる磁気記録媒体上の微小領域に光ア
シスト磁気記録を行い、磁気センサにより再生が可能と
なる。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサ
および磁気抵抗センサとを具備する光磁気素子と、前記
光磁気素子を保持して記録媒体上を浮上走行する浮上ス
ライダとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッドを提供
する。上記構成により、従来の確立した、磁気抵抗セン
サや薄膜磁気トランスデューサの作製プロセスを用いて
半導体レーザと一体で連続して磁気抵抗センサと薄膜磁
気トランスデューサを形成することが可能となる。従っ
て、別個に設けたのと比較して光磁気ヘッドが小型・軽
量になる。また、薄膜磁気トランスデューサの磁気ギャ
ップのサイズで決まる磁気記録媒体上の微小領域に光ア
シスト磁気記録を行い、磁気センサにより再生が可能と
なる。
【００１６】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記半導体レーザに集積され、前記レーザ光出
力面上に磁気ギャップを有する薄膜磁気トランスデュー
サ、および磁気抵抗センサとを具備する光磁気素子と、
前記光磁気素子を保持して記録媒体上を相対的に所定の
方向に浮上走行する浮上スライダとを備えたことを特徴
とする光磁気ヘッドを提供する。上記構成により、従来
の確立した、磁気抵抗センサや薄膜磁気トランスデュー
サの作製プロセスを用いて半導体レーザと一体で連続し
て磁気抵抗センサと薄膜磁気トランスデューサを形成す
ることが可能となる。従って、別個に設けたのと比較し
て光磁気ヘッドが小型・軽量になる。また、開口および
磁気ギャップの微小化により記録密度が向上する。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する遮
光体と、前記半導体レーザに集積され、前記レーザ光出
力面上に磁気ギャップを有する薄膜磁気トランスデュー
サ、および磁気抵抗センサとを具備する光磁気素子と、
前記光磁気素子を保持して記録媒体上を相対的に所定の
方向に浮上走行する浮上スライダとを備えたことを特徴
とする光磁気ヘッドを提供する。上記構成により、従来
の確立した、磁気抵抗センサや薄膜磁気トランスデュー
サの作製プロセスを用いて半導体レーザと一体で連続し
て磁気抵抗センサと薄膜磁気トランスデューサを形成す
ることが可能となる。従って、別個に設けたのと比較し
て光磁気ヘッドが小型・軽量になる。また、開口および
磁気ギャップの微小化により記録密度が向上する。
【００１７】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、前記半導体
レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサとを具備
する光磁気素子と、記録媒体が表面に形成されたディス
クと、前記光磁気素子を保持して前記記録媒体上を浮上
走行する浮上スライダと、前記浮上スライダを前記ディ
スクに対して相対的に移動させる移動手段とを備えたこ
とを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。上記構成
により、薄膜磁気トランスジューサを半導体レーザに集
積することにより、別個に設けたのと比較して光磁気素
子、ひいては磁気ディスク装置が小型・軽量になる。
ザ光出力面からレーザ光を出射する半導体レーザと、前
記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、前記半導体
レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサとを具備
する光磁気素子と、記録媒体が表面に形成されたディス
クと、前記光磁気素子を保持して前記記録媒体上を浮上
走行する浮上スライダと、前記浮上スライダを前記ディ
スクに対して相対的に移動させる移動手段とを備えたこ
とを特徴とする磁気ディスク装置を提供する。上記構成
により、薄膜磁気トランスジューサを半導体レーザに集
積することにより、別個に設けたのと比較して光磁気素
子、ひいては磁気ディスク装置が小型・軽量になる。
【００１８】本発明は、上記目的を達成するため、レー
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する薄膜磁気トランス
デューサとを具備する光磁気素子と、記録媒体が表面に
形成されたディスクと、前記光磁気素子を保持して前記
記録媒体上を浮上走行する浮上スライダと、前記浮上ス
ライダを前記ディスクに対して相対的に移動させる移動
手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置を提
供する。上記構成により、磁気ギャップを有する磁気回
路とコイルからなる薄膜磁気トランスジューサを透明集
光用媒体の被集光面上に集積することにより、別個に設
けたのと比較して光磁気素子、ひいては磁気ディスク装
置が小型・軽量になる。
ザ光を出射する半導体レーザと、前記半導体レーザから
の前記レーザ光が入射する入射面、および前記入射面に
入射した前記レーザ光が集光されて光スポットが形成さ
れる被集光面を有する透明集光用媒体と、前記被集光面
上に集積され、磁気ギャップを有する薄膜磁気トランス
デューサとを具備する光磁気素子と、記録媒体が表面に
形成されたディスクと、前記光磁気素子を保持して前記
記録媒体上を浮上走行する浮上スライダと、前記浮上ス
ライダを前記ディスクに対して相対的に移動させる移動
手段とを備えたことを特徴とする磁気ディスク装置を提
供する。上記構成により、磁気ギャップを有する磁気回
路とコイルからなる薄膜磁気トランスジューサを透明集
光用媒体の被集光面上に集積することにより、別個に設
けたのと比較して光磁気素子、ひいては磁気ディスク装
置が小型・軽量になる。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る光磁気素子を示し、（ａ）は光磁気素子の主要
部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光出力面側の端面図、
（ｃ）は上面図である。この光磁気素子１は、半導体レ
ーザ部２と、半導体レーザ部２の表面に集積された薄膜
磁気トランスデューサ２０とを有する。
態に係る光磁気素子を示し、（ａ）は光磁気素子の主要
部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光出力面側の端面図、
（ｃ）は上面図である。この光磁気素子１は、半導体レ
ーザ部２と、半導体レーザ部２の表面に集積された薄膜
磁気トランスデューサ２０とを有する。
【００２０】半導体レーザ部２は、埋め込みリッジ型の
レーザ、利得ガイド型レーザ、埋め込みヘテロ型、プロ
トン打ち込みにより発振領域を限定した型等のどのよう
な型のレーザでも使用可能であるが、本実施の形態で
は、通常の埋め込みリッジ型レーザを使用しており、主
に基板３の上に順次形成されたｎ型クラッド層４ａ、活
性層５、ｐ型クラッド層４ｂ、電流狭窄層６およびｐ型
キャップ層７と、ｎ型電極（陰電極）８と、ｐ型電極
（陽電極）９とから構成される。レーザ部２としては、
例えば、赤色（６５０ｎｍ）のレーザ光を発生するＡｌ
ＧａＩｎＰ系のレーザを用いることができるが、これに
限るものではなく、赤外や青色のレーザでも使用可能で
ある。また、本実施の形態では、単一基本モード発振の
レーザを使用しているが、多モードレーザでもよく、ま
た、発振領域の狭い型のレーザ、あるいは活性層５とは
大きく屈折率の異なる材料で発振領域を限定した型のレ
ーザでもよい。発振領域の狭い型のレーザや発振領域を
限定した型のレーザを用いることにより、発振領域の体
積を小さくでき、高効率化が図れる。
レーザ、利得ガイド型レーザ、埋め込みヘテロ型、プロ
トン打ち込みにより発振領域を限定した型等のどのよう
な型のレーザでも使用可能であるが、本実施の形態で
は、通常の埋め込みリッジ型レーザを使用しており、主
に基板３の上に順次形成されたｎ型クラッド層４ａ、活
性層５、ｐ型クラッド層４ｂ、電流狭窄層６およびｐ型
キャップ層７と、ｎ型電極（陰電極）８と、ｐ型電極
（陽電極）９とから構成される。レーザ部２としては、
例えば、赤色（６５０ｎｍ）のレーザ光を発生するＡｌ
ＧａＩｎＰ系のレーザを用いることができるが、これに
限るものではなく、赤外や青色のレーザでも使用可能で
ある。また、本実施の形態では、単一基本モード発振の
レーザを使用しているが、多モードレーザでもよく、ま
た、発振領域の狭い型のレーザ、あるいは活性層５とは
大きく屈折率の異なる材料で発振領域を限定した型のレ
ーザでもよい。発振領域の狭い型のレーザや発振領域を
限定した型のレーザを用いることにより、発振領域の体
積を小さくでき、高効率化が図れる。
【００２１】薄膜磁気トランスデューサ２０は、パーマ
ロイ等の軟磁性体からなるコア２４、ヨーク２７および
磁極部３２から構成され、半導体レーザ部２のレーザ光
出力面に磁気ギャップ３４を有する磁気回路３０と、磁
気回路３０のコア２４に巻回されたコイル２５（２５
ａ，２５ｂ）、コイル２５ａ，２５ｂからそれぞれ延在
する一対のリード線２８、および一対のリード線２８の
先端にそれぞれ設けられたパッド２９から構成され、半
導体レーザ部２の上面に配置されたＣｕ薄膜からなるコ
イル部２１とを備える。なお、磁気ギャップ３４と一対
の磁極先端部３３とからギャップ部３１を構成する。
ロイ等の軟磁性体からなるコア２４、ヨーク２７および
磁極部３２から構成され、半導体レーザ部２のレーザ光
出力面に磁気ギャップ３４を有する磁気回路３０と、磁
気回路３０のコア２４に巻回されたコイル２５（２５
ａ，２５ｂ）、コイル２５ａ，２５ｂからそれぞれ延在
する一対のリード線２８、および一対のリード線２８の
先端にそれぞれ設けられたパッド２９から構成され、半
導体レーザ部２の上面に配置されたＣｕ薄膜からなるコ
イル部２１とを備える。なお、磁気ギャップ３４と一対
の磁極先端部３３とからギャップ部３１を構成する。
【００２２】次に、光磁気素子１の製造方法の一例を説
明する。半導体レーザ部２を形成した後、そのｐ型電極
９をＳｉＯ2等からなる絶縁膜２２により平坦化埋め込
みを行い、その後に薄膜磁気トランスデューサ２０を形
成する。すなわち、通常の薄膜プロセスによりＣｕ薄膜
からなる下部コイル２５ａをスパッタリングおよびリソ
グラフィにより形成し、さらに絶縁膜２３により平坦化
埋め込みを行い、Ｃｕ薄膜からなるコア２４、上部コイ
ル２５ｂおよびヨーク２７を絶縁膜２６に埋め込んで形
成する。このようにしてコイル部２１を完成する。その
後、ヘキ開の後、後端面側に誘電体多層膜からなる高反
射膜１１ｂを、レーザ光出力面側にやはり誘電体多層膜
からなる部分透過膜１１ａを各々蒸着してレーザを完成
し、そのレーザ光出力面上に、磁極部３２および磁気ギ
ャップ３４をスパッタリングおよびリソグラフィにより
形成し、本実施の形態の光磁気素子１を完成する。磁極
部３２は、部分透過膜１１ａに埋め込んで両者の表面が
同一平面となるように作製する。
明する。半導体レーザ部２を形成した後、そのｐ型電極
９をＳｉＯ2等からなる絶縁膜２２により平坦化埋め込
みを行い、その後に薄膜磁気トランスデューサ２０を形
成する。すなわち、通常の薄膜プロセスによりＣｕ薄膜
からなる下部コイル２５ａをスパッタリングおよびリソ
グラフィにより形成し、さらに絶縁膜２３により平坦化
埋め込みを行い、Ｃｕ薄膜からなるコア２４、上部コイ
ル２５ｂおよびヨーク２７を絶縁膜２６に埋め込んで形
成する。このようにしてコイル部２１を完成する。その
後、ヘキ開の後、後端面側に誘電体多層膜からなる高反
射膜１１ｂを、レーザ光出力面側にやはり誘電体多層膜
からなる部分透過膜１１ａを各々蒸着してレーザを完成
し、そのレーザ光出力面上に、磁極部３２および磁気ギ
ャップ３４をスパッタリングおよびリソグラフィにより
形成し、本実施の形態の光磁気素子１を完成する。磁極
部３２は、部分透過膜１１ａに埋め込んで両者の表面が
同一平面となるように作製する。
【００２３】次に、この第１の実施の形態の動作を説明
する。記録時は、レーザ光１０と磁界を磁気記録媒体
（図示せず）の同一場所に印加することが可能であるの
で、レーザ光の照射によって磁気記録媒体の記録部を昇
温してその部分の保磁力を下げ、変調磁界により記録を
行う、いわゆる光アシスト磁気記録を行う。本実施の形
態では、レーザ光１０のサイズは特に制限されておら
ず、活性層５の発振領域で決る最適なサイズのままであ
るので最高の出力が得られ、そのサイズは活性層５の平
行方向に２〜３μｍ、垂直方向に１μｍ程度である。こ
のレーザ光１０の照射により、レーザ光１０のサイズと
同程度の記録領域が加熱され、その加熱領域内に位置す
る磁極先端部３３から発生する磁界により記録がなされ
る。その記録領域のサイズは、磁極先端部３３の長さ
（以下「ギャップ幅」という。）と磁気ギャップ３４の
長さ（以下「ギャップ長」という。）程度となる。再生
時は、磁気記録媒体からの漏れ磁界上を磁気ギャップ３
４が通過する時に磁極部３２に入射する磁束の変化をコ
イル２５により電流に変換することにより、記録媒体に
記録された情報を再生する。
する。記録時は、レーザ光１０と磁界を磁気記録媒体
（図示せず）の同一場所に印加することが可能であるの
で、レーザ光の照射によって磁気記録媒体の記録部を昇
温してその部分の保磁力を下げ、変調磁界により記録を
行う、いわゆる光アシスト磁気記録を行う。本実施の形
態では、レーザ光１０のサイズは特に制限されておら
ず、活性層５の発振領域で決る最適なサイズのままであ
るので最高の出力が得られ、そのサイズは活性層５の平
行方向に２〜３μｍ、垂直方向に１μｍ程度である。こ
のレーザ光１０の照射により、レーザ光１０のサイズと
同程度の記録領域が加熱され、その加熱領域内に位置す
る磁極先端部３３から発生する磁界により記録がなされ
る。その記録領域のサイズは、磁極先端部３３の長さ
（以下「ギャップ幅」という。）と磁気ギャップ３４の
長さ（以下「ギャップ長」という。）程度となる。再生
時は、磁気記録媒体からの漏れ磁界上を磁気ギャップ３
４が通過する時に磁極部３２に入射する磁束の変化をコ
イル２５により電流に変換することにより、記録媒体に
記録された情報を再生する。
【００２４】上述した第１の実施の形態によれば、半導
体レーザ部２に薄膜磁気トランスジューサ２０を集積し
た構成であるので、光磁気素子１のサイズは殆ど半導体
レーザ部２のサイズに等しく、非常に小型な光磁気素子
を提供できる。また、磁気記録媒体をレーザ光により加
熱昇温して記録するため、室温で保磁力の高い媒体でも
記録でき、記録の安定性を増すことができる。また、再
生時にもレーザ光を記録マークに照射できるため、室温
において磁化が弱く、昇温によって磁化が増加するＴｅ
ＦｅＣｏ等の膜を使用して、昇温により再生感度を増大
させることも可能である。その場合には、半導体レーザ
を連続的に点灯してもよく、また、記録マーク位置に同
期してパルス的に点灯してもよい。前者の場合には、同
期が不要なため、点灯回路を単純化でき、後者の場合に
は、レーザ光のエネルギー効率を上げることができ、出
射部の加熱を防ぐことができる。また、コイル２５から
磁気ギャップ３４までの距離を１０μｍ程度あるいはそ
れ以下に短縮できるとともに、磁極部３２の幅を広くす
ることができるので、磁気抵抗を下げることができる。
また、コイル２５はコア２４に円筒状に巻回しているた
め、円盤状に巻回する場合に比べてコイル長を短くでき
るので、電気抵抗を減らすことができる。従って、これ
らにより高速度・高密度の記録が可能となる。
体レーザ部２に薄膜磁気トランスジューサ２０を集積し
た構成であるので、光磁気素子１のサイズは殆ど半導体
レーザ部２のサイズに等しく、非常に小型な光磁気素子
を提供できる。また、磁気記録媒体をレーザ光により加
熱昇温して記録するため、室温で保磁力の高い媒体でも
記録でき、記録の安定性を増すことができる。また、再
生時にもレーザ光を記録マークに照射できるため、室温
において磁化が弱く、昇温によって磁化が増加するＴｅ
ＦｅＣｏ等の膜を使用して、昇温により再生感度を増大
させることも可能である。その場合には、半導体レーザ
を連続的に点灯してもよく、また、記録マーク位置に同
期してパルス的に点灯してもよい。前者の場合には、同
期が不要なため、点灯回路を単純化でき、後者の場合に
は、レーザ光のエネルギー効率を上げることができ、出
射部の加熱を防ぐことができる。また、コイル２５から
磁気ギャップ３４までの距離を１０μｍ程度あるいはそ
れ以下に短縮できるとともに、磁極部３２の幅を広くす
ることができるので、磁気抵抗を下げることができる。
また、コイル２５はコア２４に円筒状に巻回しているた
め、円盤状に巻回する場合に比べてコイル長を短くでき
るので、電気抵抗を減らすことができる。従って、これ
らにより高速度・高密度の記録が可能となる。
【００２５】図２および図３は、本発明の第２の実施の
形態に係る光磁気素子を示す。この光磁気素子１は、図
２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体レーザ部２のレ
ーザ光出力面に開口１３を有する遮光体２２を形成し、
その遮光体２２の上に磁気ギャップ３４を形成したもの
であり、他は第１の実施の形態と同様に構成されてい
る。遮光体２２の材料としては、Ａｕを用いることがで
きるが、ＡｇやＡｌ等の金属材料でもよい。
形態に係る光磁気素子を示す。この光磁気素子１は、図
２（ａ），（ｂ）に示すように、半導体レーザ部２のレ
ーザ光出力面に開口１３を有する遮光体２２を形成し、
その遮光体２２の上に磁気ギャップ３４を形成したもの
であり、他は第１の実施の形態と同様に構成されてい
る。遮光体２２の材料としては、Ａｕを用いることがで
きるが、ＡｇやＡｌ等の金属材料でもよい。
【００２６】なお、遮光体は、図２(ｃ）の１２ａで示
すように、磁極部３２と同一平面をなし、磁極部３２を
囲むように形成してもよい。これにより、開口１３と磁
気ギャップ３４とが同一平面上に形成されるため、それ
ぞれの加工精度を上げることができる。
すように、磁極部３２と同一平面をなし、磁極部３２を
囲むように形成してもよい。これにより、開口１３と磁
気ギャップ３４とが同一平面上に形成されるため、それ
ぞれの加工精度を上げることができる。
【００２７】図３（ａ）〜（ｆ）は、開口１３とギャッ
プ部３１の変形例を示す。図３（ａ）は、開口１３のサ
イズを磁気ギャップ３４よりも一回り大きく形成した例
であり、開口１３は、主に磁気ギャップ３４の記録上流
側Ａに広く形成されている。このため、レーザ光の出力
を比較的大きくできるとともに、ギャップ部３１での磁
界が印加される直前に磁気記録媒体を加熱し、昇温され
たところで記録がなされるため、効率良く加熱ができ
る。
プ部３１の変形例を示す。図３（ａ）は、開口１３のサ
イズを磁気ギャップ３４よりも一回り大きく形成した例
であり、開口１３は、主に磁気ギャップ３４の記録上流
側Ａに広く形成されている。このため、レーザ光の出力
を比較的大きくできるとともに、ギャップ部３１での磁
界が印加される直前に磁気記録媒体を加熱し、昇温され
たところで記録がなされるため、効率良く加熱ができ
る。
【００２８】図３（ｂ）は、開口１３の幅Ｗをギャップ
幅ＧＷよりも狭くした例であり、これにより、磁気記録
媒体の昇温部をギャップ幅よりも狭くできる。磁極先端
部３３では、通常周辺部に磁界が広がり、その漏れ磁界
により、記録幅が抑えられ、記録トラック幅を狭くする
ことが難しいが、この例によれば、開口１３のサイズで
決まるレーザ光により、記録幅が抑えられるため、より
高密度の記録が可能となる。
幅ＧＷよりも狭くした例であり、これにより、磁気記録
媒体の昇温部をギャップ幅よりも狭くできる。磁極先端
部３３では、通常周辺部に磁界が広がり、その漏れ磁界
により、記録幅が抑えられ、記録トラック幅を狭くする
ことが難しいが、この例によれば、開口１３のサイズで
決まるレーザ光により、記録幅が抑えられるため、より
高密度の記録が可能となる。
【００２９】図３（ｃ）は、開口１３の中に開口１３の
サイズよりも小さな微小金属体１４を形成した例であ
る。このように開口１３を微小金属体１４に対し同軸上
に形成することにより、開口１３のサイズがレーザの波
長の１／１０と微小な場合でも伝播光を放出でき、レー
ザ光の強度を増すことができる。また、中心の微小金属
体１４により、近接場光を散乱したり、微小金属体１４
において励起されるプラズモンから放射される近接場光
を記録媒体の昇温に利用することができ、さらに高強度
のレーザ光を使用することが可能となる。
サイズよりも小さな微小金属体１４を形成した例であ
る。このように開口１３を微小金属体１４に対し同軸上
に形成することにより、開口１３のサイズがレーザの波
長の１／１０と微小な場合でも伝播光を放出でき、レー
ザ光の強度を増すことができる。また、中心の微小金属
体１４により、近接場光を散乱したり、微小金属体１４
において励起されるプラズモンから放射される近接場光
を記録媒体の昇温に利用することができ、さらに高強度
のレーザ光を使用することが可能となる。
【００３０】図３（ｄ）は、一対の磁極先端部３３，３
３を相対向するように形成した例であり、これにより、
磁気ギャップ３４および磁極先端部３２をより微細に加
工でき、磁界印加範囲を狭めることができる。開口１３
は、この磁気ギャップ３４を含むように大きく形成して
もよく、また磁気ギャップ３４の内側に形成してもよ
い。これらによりさらに記録範囲を狭めることができ、
高密度化が可能となる。
３を相対向するように形成した例であり、これにより、
磁気ギャップ３４および磁極先端部３２をより微細に加
工でき、磁界印加範囲を狭めることができる。開口１３
は、この磁気ギャップ３４を含むように大きく形成して
もよく、また磁気ギャップ３４の内側に形成してもよ
い。これらによりさらに記録範囲を狭めることができ、
高密度化が可能となる。
【００３１】図３（ｅ），（ｆ）は、一対の磁極先端部
３３，３３の一方の近傍に開口１３を設け、その磁極先
端部３３付近の磁気記録媒体のみを加熱昇温し、他方の
磁極先端部３３周辺の温度上昇をできるだけ抑えるもの
である。磁気ギャップ３４下のギャップ垂直方向（紙面
に垂直方向）の磁界は、それぞれの磁極先端部３３にお
いて最大となり、それぞれの磁極先端部３３での磁界方
向は互いに反対方向となる。従って、この構成により、
その磁界の一方向が通る記録媒体の一部のみを加熱する
ことができ、微小領域の光アシスト磁気記録が可能とな
り、さらに高密度化ができる。この構成では、磁界が記
録媒体に対しての垂直部分のみを使用するため、実質的
に単極方の磁極が形成され、特に垂直磁気記録媒体の記
録に適し、垂直磁気記録において微小領域の記録を可能
とする。
３３，３３の一方の近傍に開口１３を設け、その磁極先
端部３３付近の磁気記録媒体のみを加熱昇温し、他方の
磁極先端部３３周辺の温度上昇をできるだけ抑えるもの
である。磁気ギャップ３４下のギャップ垂直方向（紙面
に垂直方向）の磁界は、それぞれの磁極先端部３３にお
いて最大となり、それぞれの磁極先端部３３での磁界方
向は互いに反対方向となる。従って、この構成により、
その磁界の一方向が通る記録媒体の一部のみを加熱する
ことができ、微小領域の光アシスト磁気記録が可能とな
り、さらに高密度化ができる。この構成では、磁界が記
録媒体に対しての垂直部分のみを使用するため、実質的
に単極方の磁極が形成され、特に垂直磁気記録媒体の記
録に適し、垂直磁気記録において微小領域の記録を可能
とする。
【００３２】上述した第２の実施の形態によれば、第１
の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、レーザ
光１０のサイズが開口１３程度となるため、加熱領域を
微細化でき、記録媒体の記録部分以外の加熱を低減する
ことができる。また、開口１３以外の部分のレーザ光は
遮光体１２により反射されてレーザに戻り、レーザ発振
に寄与するため、光利用効率を高めることができる。ま
た、開口１３と磁気ギャップ３３両者の重ね合わせによ
り、記録領域を限定できるため、それぞれ単独で行うよ
りも微小な記録マークが形成でき、高密度化が可能とな
る。また、開口１３と磁気ギャップ３４両者の重ね合わ
せにより、垂直方向の磁界が存在する部分のみを記録で
きるため、垂直磁気媒体の記録に適した光磁気ヘッドが
構成できる。
の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、レーザ
光１０のサイズが開口１３程度となるため、加熱領域を
微細化でき、記録媒体の記録部分以外の加熱を低減する
ことができる。また、開口１３以外の部分のレーザ光は
遮光体１２により反射されてレーザに戻り、レーザ発振
に寄与するため、光利用効率を高めることができる。ま
た、開口１３と磁気ギャップ３３両者の重ね合わせによ
り、記録領域を限定できるため、それぞれ単独で行うよ
りも微小な記録マークが形成でき、高密度化が可能とな
る。また、開口１３と磁気ギャップ３４両者の重ね合わ
せにより、垂直方向の磁界が存在する部分のみを記録で
きるため、垂直磁気媒体の記録に適した光磁気ヘッドが
構成できる。
【００３３】図４は、本発明の第３の実施の形態に係る
光磁気素子を示す。この第３の実施の形態は、レーザ光
を放射する開口１３を磁気ギャップ３４に対して先行す
る位置に配置し、かつ、開口１３の形状を記録トラック
８０に沿って長い長方状とし、各辺を記録トラック８０
に対してそれぞれ垂直及び平行に形成したものである。
光磁気素子を示す。この第３の実施の形態は、レーザ光
を放射する開口１３を磁気ギャップ３４に対して先行す
る位置に配置し、かつ、開口１３の形状を記録トラック
８０に沿って長い長方状とし、各辺を記録トラック８０
に対してそれぞれ垂直及び平行に形成したものである。
【００３４】同図（ａ）に示す場合は、開口１３の幅Ｗ
は、レーザ光１０のスポット径およびギャップ幅ＧＷよ
りも狭いものとし、開口１３の長さＬは、レーザ光１０
のスポットの半径程度あるいはそれ以上とする。この構
成により、磁気記録媒体の記録トラック８０を記録に先
立ってレーザ光１０の照射により加熱し、それによって
保磁力を適当な値まで低下させた後、ギャップ部３１の
磁界により磁気記録を行う。これにより、マーク長をギ
ャップ長ＧＬによりトラック幅はレーザ光を放射する開
口１３の幅Ｗで限定することができ、マーク８１の微細
化を図ることができる。また、開口１３の長さＬを上記
のように設定することにより、開口１３から放射される
レーザ光１０の強度は大幅に増加する。また、ギャップ
部３１では、磁極先端部３３の幅を狭めても、横方向の
漏れ磁界があるため、記録磁界の幅を狭めることは難し
いが、記録幅は開口１３の幅Ｗで抑えられるため、記録
マーク８１に従ってトラック幅を狭めることが可能とな
る。
は、レーザ光１０のスポット径およびギャップ幅ＧＷよ
りも狭いものとし、開口１３の長さＬは、レーザ光１０
のスポットの半径程度あるいはそれ以上とする。この構
成により、磁気記録媒体の記録トラック８０を記録に先
立ってレーザ光１０の照射により加熱し、それによって
保磁力を適当な値まで低下させた後、ギャップ部３１の
磁界により磁気記録を行う。これにより、マーク長をギ
ャップ長ＧＬによりトラック幅はレーザ光を放射する開
口１３の幅Ｗで限定することができ、マーク８１の微細
化を図ることができる。また、開口１３の長さＬを上記
のように設定することにより、開口１３から放射される
レーザ光１０の強度は大幅に増加する。また、ギャップ
部３１では、磁極先端部３３の幅を狭めても、横方向の
漏れ磁界があるため、記録磁界の幅を狭めることは難し
いが、記録幅は開口１３の幅Ｗで抑えられるため、記録
マーク８１に従ってトラック幅を狭めることが可能とな
る。
【００３５】同図（ｂ）に示す場合は、垂直磁気記録媒
体（特にＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス記録媒体）を使
用したものであり、磁気ギャップ３４は、記録トラック
８０に対して平行方向に配置する。開口１３の幅Ｗは、
レーザ光１０のスポット径およびギャップ長ＧＬ程度か
より狭いものとし、開口１３の長さＬはレーザ光１０の
スポットの半径程度あるいはそれ以上とする。開口１３
の磁気ギャップ３４に対する位置は、同図（ｂ）に示す
ように、磁極先端部３３直下で最大となり、磁極先端部
３３では互いに逆方向となる。この構成により、磁気記
録媒体の記録トラック８０を記録に先立ってレーザ光１
０の照射により加熱し、それによって保磁力を適当な値
まで低下させた後、ギャップ部３１の磁界により垂直磁
気記録を行う。これにより、トラック幅はレーザ光１０
を放射する開口１３の幅Ｗと、ギャップ部３１直下の垂
直磁極の幅で限定することができ、ギャップ長ＧＬの１
／３程度がそれ以下まで狭めることができる。また、こ
の記録では、マーク長は、磁界の変調速度とディスクの
回転速度によって決定される。すなわち、ディスク走行
速度が遅く、磁界の１周期に走行する距離がギャップ幅
ＧＷよりも短い場合には、先に記録されたマーク８１の
後部を次の逆方向の磁界で消しながら記録を行う。これ
により高密度記録が可能となる。また、開口１３の長さ
Ｌを上記のように設定することにより、開口１３から放
射されるレーザ光の強度は大幅に増加する。また、Ｔｂ
ＦｅＣｏなどのフェリ磁性の記録媒体を使用した場合、
昇温によって磁化が増加するので、本実施の形態におい
ても、第１の実施の形態と同様に、再生時にレーザ照射
を行うことにより、感度を増大させることが可能とな
る。その場合には、半導体レーザを連続的に点灯しても
よく、また、記録マーク位置に同期してパルス的に点灯
してもよい。前者の場合には、同期が不要なため、点灯
回路を単純化でき、後者の場合には、レーザ光のエネル
ギー効率を上げることができ、出射部の加熱を防ぐこと
ができる。勿論、保持力の比較的小さな記録媒体を使用
した場合には、レーザ光を照射せずに、本実施の形態の
ヘッドを使用して磁界のみにより記録してもよいことは
言う迄もない。
体（特にＴｂＦｅＣｏ等のアモルファス記録媒体）を使
用したものであり、磁気ギャップ３４は、記録トラック
８０に対して平行方向に配置する。開口１３の幅Ｗは、
レーザ光１０のスポット径およびギャップ長ＧＬ程度か
より狭いものとし、開口１３の長さＬはレーザ光１０の
スポットの半径程度あるいはそれ以上とする。開口１３
の磁気ギャップ３４に対する位置は、同図（ｂ）に示す
ように、磁極先端部３３直下で最大となり、磁極先端部
３３では互いに逆方向となる。この構成により、磁気記
録媒体の記録トラック８０を記録に先立ってレーザ光１
０の照射により加熱し、それによって保磁力を適当な値
まで低下させた後、ギャップ部３１の磁界により垂直磁
気記録を行う。これにより、トラック幅はレーザ光１０
を放射する開口１３の幅Ｗと、ギャップ部３１直下の垂
直磁極の幅で限定することができ、ギャップ長ＧＬの１
／３程度がそれ以下まで狭めることができる。また、こ
の記録では、マーク長は、磁界の変調速度とディスクの
回転速度によって決定される。すなわち、ディスク走行
速度が遅く、磁界の１周期に走行する距離がギャップ幅
ＧＷよりも短い場合には、先に記録されたマーク８１の
後部を次の逆方向の磁界で消しながら記録を行う。これ
により高密度記録が可能となる。また、開口１３の長さ
Ｌを上記のように設定することにより、開口１３から放
射されるレーザ光の強度は大幅に増加する。また、Ｔｂ
ＦｅＣｏなどのフェリ磁性の記録媒体を使用した場合、
昇温によって磁化が増加するので、本実施の形態におい
ても、第１の実施の形態と同様に、再生時にレーザ照射
を行うことにより、感度を増大させることが可能とな
る。その場合には、半導体レーザを連続的に点灯しても
よく、また、記録マーク位置に同期してパルス的に点灯
してもよい。前者の場合には、同期が不要なため、点灯
回路を単純化でき、後者の場合には、レーザ光のエネル
ギー効率を上げることができ、出射部の加熱を防ぐこと
ができる。勿論、保持力の比較的小さな記録媒体を使用
した場合には、レーザ光を照射せずに、本実施の形態の
ヘッドを使用して磁界のみにより記録してもよいことは
言う迄もない。
【００３６】図５は、本発明の第４の実施の形態に係る
光磁気素子を示し、（ａ）は光磁気素子のレーザ光出力
面を示す端面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面方向か
ら見た断面図である。この第４の実施の形態は、第１の
実施の形態と同様の半導体レーザ部２を用い、薄膜磁気
トランスデューサ２０をレーザ部２の上面に配置したも
のである。
光磁気素子を示し、（ａ）は光磁気素子のレーザ光出力
面を示す端面図、（ｂ）は上面図、（ｃ）は側面方向か
ら見た断面図である。この第４の実施の形態は、第１の
実施の形態と同様の半導体レーザ部２を用い、薄膜磁気
トランスデューサ２０をレーザ部２の上面に配置したも
のである。
【００３７】次に、この光磁気素子１の製造方法の一例
を説明する。半導体レーザ部２を形成した後、そのｐ型
電極９をＳｉＯ2等からなる絶縁膜２２により平坦化埋
め込みを行い、その後に磁性膜により下磁極部３２Ａお
よびその先端の磁極先端部３３をスパッタリングおよび
フォトリソグラフィにより形成し、さらに絶縁膜３６に
より平坦化し、磁気ギャップ３４を形成した後、コイル
２５および上磁極部３２Ｂおよびその先端の磁極先端部
３３をスパッタリングおよびフォトリソグラフィを繰り
返して形成し、最後に保護膜３８でカバーして光磁気素
子１を完成する。
を説明する。半導体レーザ部２を形成した後、そのｐ型
電極９をＳｉＯ2等からなる絶縁膜２２により平坦化埋
め込みを行い、その後に磁性膜により下磁極部３２Ａお
よびその先端の磁極先端部３３をスパッタリングおよび
フォトリソグラフィにより形成し、さらに絶縁膜３６に
より平坦化し、磁気ギャップ３４を形成した後、コイル
２５および上磁極部３２Ｂおよびその先端の磁極先端部
３３をスパッタリングおよびフォトリソグラフィを繰り
返して形成し、最後に保護膜３８でカバーして光磁気素
子１を完成する。
【００３８】上述した第４の実施の形態によれば、磁極
先端部３３および磁気ギャップ３４は、図５（ｃ）に示
すように、レーザ部２の出力面に形成されるため、磁気
ギャップ３４とレーザ光１０の出力位置は一致しない
が、両者の距離は１μｍ程度と狭く、また、レーザ発振
のモードは必ずしも単一基本モードでなくてもよいの
で、レーザ部２のｐ型クラッド層４ｂやキャップ層７の
厚さを薄くすることができ、さらに近づけることも可能
である。そして、記録時にはレーザ光１０が記録面（図
示せず）上を、磁気ギャップ３４に対して先行するよう
に配置することにより、レーザ光によって記録部が昇温
され、まだ保磁力が十分低下している状態で磁極先端部
３３により記録することができる。また、レーザ部２の
端面部には、従来の共振器用の部分透過膜１１ａ、高反
射膜１１ｂを形成するだけでよく、プロセスを大幅に簡
素化できる。
先端部３３および磁気ギャップ３４は、図５（ｃ）に示
すように、レーザ部２の出力面に形成されるため、磁気
ギャップ３４とレーザ光１０の出力位置は一致しない
が、両者の距離は１μｍ程度と狭く、また、レーザ発振
のモードは必ずしも単一基本モードでなくてもよいの
で、レーザ部２のｐ型クラッド層４ｂやキャップ層７の
厚さを薄くすることができ、さらに近づけることも可能
である。そして、記録時にはレーザ光１０が記録面（図
示せず）上を、磁気ギャップ３４に対して先行するよう
に配置することにより、レーザ光によって記録部が昇温
され、まだ保磁力が十分低下している状態で磁極先端部
３３により記録することができる。また、レーザ部２の
端面部には、従来の共振器用の部分透過膜１１ａ、高反
射膜１１ｂを形成するだけでよく、プロセスを大幅に簡
素化できる。
【００３９】図６は、本発明の第５の実施の形態に係る
光磁気素子を示し、(ａ）はレーザ光出力面を示す端面
図、（ｂ）は上面図である。この第５の実施の形態は、
第１の実施の形態と同様の半導体レーザ部２を用い、薄
膜磁気トランスデューサ２０のコイル２５をレーザ部２
のレーザ光出力面上に配置し、コイル２５の内側に開口
１３を有するパーマロイ等の高透磁率の材料からなる遮
光体１２を配置したものである。この第５の実施の形態
によれば、遮光体１２によって磁界の強度を高めること
ができ、また、開口１３によってレーザ光出力面から出
射されるレーザ光１０のサイズを微小化ができる。な
お、開口１３は、本実施の形態の場合は円形であるが、
矩形状でもよい。矩形状の場合は、各辺を記録トラック
に対し平行あるいは垂直とすることにより、記録密度の
向上が図れる。
光磁気素子を示し、(ａ）はレーザ光出力面を示す端面
図、（ｂ）は上面図である。この第５の実施の形態は、
第１の実施の形態と同様の半導体レーザ部２を用い、薄
膜磁気トランスデューサ２０のコイル２５をレーザ部２
のレーザ光出力面上に配置し、コイル２５の内側に開口
１３を有するパーマロイ等の高透磁率の材料からなる遮
光体１２を配置したものである。この第５の実施の形態
によれば、遮光体１２によって磁界の強度を高めること
ができ、また、開口１３によってレーザ光出力面から出
射されるレーザ光１０のサイズを微小化ができる。な
お、開口１３は、本実施の形態の場合は円形であるが、
矩形状でもよい。矩形状の場合は、各辺を記録トラック
に対し平行あるいは垂直とすることにより、記録密度の
向上が図れる。
【００４０】図７は、本発明の第６の実施の形態の光磁
気素子を示し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）は
レーザ光出力面を示す上面図である。この第６の実施の
形態は、活性層に対して垂直方向に発振する面発光型半
導体レーザで構成された半導体レーザ部２と、このレー
ザ部２のレーザ光出力面側に集積された薄膜磁気トラン
スジューサ２０とを有する。
気素子を示し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）は
レーザ光出力面を示す上面図である。この第６の実施の
形態は、活性層に対して垂直方向に発振する面発光型半
導体レーザで構成された半導体レーザ部２と、このレー
ザ部２のレーザ光出力面側に集積された薄膜磁気トラン
スジューサ２０とを有する。
【００４１】半導体レーザ部２は、第１の実施の形態と
同様にＡｌＧａＩｎＰ系の赤色レーザ（波長６５０ｎ
ｍ）を使用するが、これに限るものではなく、赤外レー
ザや青色レーザも使用可能である。半導体レーザ部２
は、ＧａＡｓからなる基板３上に形成された共振器用の
ｎ型半導体多層膜１１ｄ、ｎ型スペーサ層４ｃ、活性層
５、ｐ型スペーサ層４ｄ、共振器用のｐ型半導体多層膜
１１ｃと、ｎ型電極８と、ｐ型電極９とを備える。
同様にＡｌＧａＩｎＰ系の赤色レーザ（波長６５０ｎ
ｍ）を使用するが、これに限るものではなく、赤外レー
ザや青色レーザも使用可能である。半導体レーザ部２
は、ＧａＡｓからなる基板３上に形成された共振器用の
ｎ型半導体多層膜１１ｄ、ｎ型スペーサ層４ｃ、活性層
５、ｐ型スペーサ層４ｄ、共振器用のｐ型半導体多層膜
１１ｃと、ｎ型電極８と、ｐ型電極９とを備える。
【００４２】次に、この光磁気素子１の製造方法の一例
を説明する。まず、半導体レーザ部２を作製する。すな
わち、ＧａＡｓからなる基板３上に共振器用のｎ型半導
体多層膜１１ｄ、ｎ型スペーサ層４ｃ、活性層５、ｐ型
スペーサ層４ｄ、共振器用のｐ型半導体多層膜１１ｃを
順次結晶成長させた後、発振領域１５以外の部分６ａを
イオン打ち込みにより高抵抗性とする。さらに、ｎ型電
極８とｐ型電極９を形成して、レーザ部２を完成する。
レーザの出力径は、ｐ型電極９の開口１３あるいはイオ
ン注入領域６ａの径で決まり、例えば、３〜５μｍを有
する。次に、レーザ光出力面に磁気回路３０を反応性イ
オンエッチングによりエッチングし、ｐ型半導体多層膜
１１ｃに凹部４１を形成し、ＳｉＯ2等の絶縁膜２２に
よりｐ型電極９を平坦化埋め込みを行い、第１の実施の
形態と同様に、下部コイル２５ａ、コア２４、上部コイ
ル２５ｂ、配線２８、電極パッド２９の順に、それぞれ
絶縁膜２２で埋め込みながらコイル部２１を形成し、レ
ーザ光出射位置上にギャップ部３１を形成し、本実施の
形態の光磁気素子１を完成する。
を説明する。まず、半導体レーザ部２を作製する。すな
わち、ＧａＡｓからなる基板３上に共振器用のｎ型半導
体多層膜１１ｄ、ｎ型スペーサ層４ｃ、活性層５、ｐ型
スペーサ層４ｄ、共振器用のｐ型半導体多層膜１１ｃを
順次結晶成長させた後、発振領域１５以外の部分６ａを
イオン打ち込みにより高抵抗性とする。さらに、ｎ型電
極８とｐ型電極９を形成して、レーザ部２を完成する。
レーザの出力径は、ｐ型電極９の開口１３あるいはイオ
ン注入領域６ａの径で決まり、例えば、３〜５μｍを有
する。次に、レーザ光出力面に磁気回路３０を反応性イ
オンエッチングによりエッチングし、ｐ型半導体多層膜
１１ｃに凹部４１を形成し、ＳｉＯ2等の絶縁膜２２に
よりｐ型電極９を平坦化埋め込みを行い、第１の実施の
形態と同様に、下部コイル２５ａ、コア２４、上部コイ
ル２５ｂ、配線２８、電極パッド２９の順に、それぞれ
絶縁膜２２で埋め込みながらコイル部２１を形成し、レ
ーザ光出射位置上にギャップ部３１を形成し、本実施の
形態の光磁気素子１を完成する。
【００４３】上述した第６の実施の形態によれば、第４
の実施の形態と同様に、コイル部２１とギャップ部３１
を同一面上に連続して形成でき、プロセスの簡素化が可
能となる。また、磁気ギャップ３４の位置とレーザ光出
射位置を一致させることができ、効率的な磁気記録媒体
の加熱が可能となる。また、磁気ギャップ３４をレーザ
光出射位置である開口１３が取り囲むように形成してお
り、比較的低出力の面発光型半導体レーザでも十分記録
媒体の保磁力を下げるところまで加熱することができ
る。なお、ギャップ部３１は、共振器用のｐ型半導体多
層膜１１ｃに埋め込んで作製してもよい。その場合に
は、多層膜１１ｃ表面の保護のために、磁気ギャップ３
４内ないし表面に誘電体膜を形成するとよい。また、こ
の誘電体膜の厚さを１/４波長とすることにより、反射
防止膜の効果を持たせることも可能である。
の実施の形態と同様に、コイル部２１とギャップ部３１
を同一面上に連続して形成でき、プロセスの簡素化が可
能となる。また、磁気ギャップ３４の位置とレーザ光出
射位置を一致させることができ、効率的な磁気記録媒体
の加熱が可能となる。また、磁気ギャップ３４をレーザ
光出射位置である開口１３が取り囲むように形成してお
り、比較的低出力の面発光型半導体レーザでも十分記録
媒体の保磁力を下げるところまで加熱することができ
る。なお、ギャップ部３１は、共振器用のｐ型半導体多
層膜１１ｃに埋め込んで作製してもよい。その場合に
は、多層膜１１ｃ表面の保護のために、磁気ギャップ３
４内ないし表面に誘電体膜を形成するとよい。また、こ
の誘電体膜の厚さを１/４波長とすることにより、反射
防止膜の効果を持たせることも可能である。
【００４４】図８は、図７に示すギャップ部３１の変形
例を示す。同図（ａ）は、図３（ａ）と同様に、遮光体
（ｐ型電極と兼ねてもよい）１２を用いて開口１３を磁
気ギャップ３４の周囲に設けたものである。これによ
り、効率良く記録部を加熱することが可能となる。ま
た、図示しないが、図３（ｂ），（ｃ），（ｅ）と同様
の形状とすることも可能である。これにより、第２の実
施の形態の各変形例と同様の効果が得られる。図８
（ｂ）は、図３（ｄ）と同様に、磁極先端部３３を相対
向して形成したものであり、磁極先端部３３および磁気
ギャップ３４の微細化が可能となる。さらに、図示しな
いが、図３（ｆ）のように一対の磁極先端部３３の一方
の側にのみ開口１３を設けてその開口１３に対応する記
録媒体の部分のみの加熱昇温を行うことにより、さらに
微細な光アシスト磁気記録が可能となる。
例を示す。同図（ａ）は、図３（ａ）と同様に、遮光体
（ｐ型電極と兼ねてもよい）１２を用いて開口１３を磁
気ギャップ３４の周囲に設けたものである。これによ
り、効率良く記録部を加熱することが可能となる。ま
た、図示しないが、図３（ｂ），（ｃ），（ｅ）と同様
の形状とすることも可能である。これにより、第２の実
施の形態の各変形例と同様の効果が得られる。図８
（ｂ）は、図３（ｄ）と同様に、磁極先端部３３を相対
向して形成したものであり、磁極先端部３３および磁気
ギャップ３４の微細化が可能となる。さらに、図示しな
いが、図３（ｆ）のように一対の磁極先端部３３の一方
の側にのみ開口１３を設けてその開口１３に対応する記
録媒体の部分のみの加熱昇温を行うことにより、さらに
微細な光アシスト磁気記録が可能となる。
【００４５】図９は、本発明の第７の実施の形態に係る
光磁気素子を示す。この第７の実施の形態は、面発光型
半導体レーザからなる半導体レーザ部２のレーザ光出力
面側に薄膜磁気トランスジューサ２０のコイル２５を配
置し、コイル２５の内側にパーマロイ等の高透磁率の材
料からなり、開口１３を有する遮光体を兼ねたｐ型電極
９を配置したものである。開口１３の形状は、発振領域
１５よりサイズの小さい円形でもよく、同図(ｃ）に示
すように、長方形でもよい。この第７の実施の形態によ
れば、第５の実施の形態と同様の効果が得られる。
光磁気素子を示す。この第７の実施の形態は、面発光型
半導体レーザからなる半導体レーザ部２のレーザ光出力
面側に薄膜磁気トランスジューサ２０のコイル２５を配
置し、コイル２５の内側にパーマロイ等の高透磁率の材
料からなり、開口１３を有する遮光体を兼ねたｐ型電極
９を配置したものである。開口１３の形状は、発振領域
１５よりサイズの小さい円形でもよく、同図(ｃ）に示
すように、長方形でもよい。この第７の実施の形態によ
れば、第５の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００４６】図１０に、本発明の第８の実施の形態に係
る光磁気素子を示す。この第８の実施の形態は、端面発
光型半導体レーザのレーザ部のレーザ光出力面側に形成
された開口を有する遮光体１２と、遮光体１２の開口１
３上に２つの磁気ギャップ３４ａ，３４ｂを有する磁気
回路（図示せず）と、２つの磁気ギャップ３４ａ，３４
ｂに入射する磁束の変化をそれぞれ独立して検出するコ
イル部（図示せず）とを有する。
る光磁気素子を示す。この第８の実施の形態は、端面発
光型半導体レーザのレーザ部のレーザ光出力面側に形成
された開口を有する遮光体１２と、遮光体１２の開口１
３上に２つの磁気ギャップ３４ａ，３４ｂを有する磁気
回路（図示せず）と、２つの磁気ギャップ３４ａ，３４
ｂに入射する磁束の変化をそれぞれ独立して検出するコ
イル部（図示せず）とを有する。
【００４７】同図（ａ）は、中心に位置する共通磁極部
３２ａと、その両側に位置する個別磁極部３２ｂとを有
し、中心の磁極先端部３３ａを共通にして、左右に磁気
ギャップ３４ａ，３４ｂを介して磁極先端部３３ｂを形
成したものである。コイル部のコイルは独立して２個有
するが、コア中心部は共通磁極部３２ａに接続され、構
造の簡素化がなされている。遮光体１２は、単一の開口
１３を有し、単一の開口１３から出力されるレーザ光
は、両方の磁気ギャップ３４ａ，３４ｂを同時に照射す
る。この構成により、独立に磁界を変調できるギャップ
部が２つ相接近して形成されるため、この素子を用い
て、相隣接した２つの記録トラック（図示せず）に対し
同時に記録・再生を行うことができ、記録再生の転送レ
ートを２倍にできる。なお、磁気ギャップの個数は２つ
に限らず、さらに用途に応じて増加することが可能であ
る。また、磁気ギャップは、面発光型半導体レーザ上に
形成してもよい。なお、このとき、遮光体１２は電極を
兼ねてもよい。
３２ａと、その両側に位置する個別磁極部３２ｂとを有
し、中心の磁極先端部３３ａを共通にして、左右に磁気
ギャップ３４ａ，３４ｂを介して磁極先端部３３ｂを形
成したものである。コイル部のコイルは独立して２個有
するが、コア中心部は共通磁極部３２ａに接続され、構
造の簡素化がなされている。遮光体１２は、単一の開口
１３を有し、単一の開口１３から出力されるレーザ光
は、両方の磁気ギャップ３４ａ，３４ｂを同時に照射す
る。この構成により、独立に磁界を変調できるギャップ
部が２つ相接近して形成されるため、この素子を用い
て、相隣接した２つの記録トラック（図示せず）に対し
同時に記録・再生を行うことができ、記録再生の転送レ
ートを２倍にできる。なお、磁気ギャップの個数は２つ
に限らず、さらに用途に応じて増加することが可能であ
る。また、磁気ギャップは、面発光型半導体レーザ上に
形成してもよい。なお、このとき、遮光体１２は電極を
兼ねてもよい。
【００４８】図１０（ｂ）は、同図（ａ）の変形例であ
り、遮光体１２に対角線上に２つの開口１３ａ，１３ｂ
を形成し、２つの開口１３ａ，１３ｂの上部に磁気ギャ
ップ３４ａ，３４ｂを配置したものである。これによ
り、記録領域を開口１３ａ，１３ｂのサイズで規定で
き、記録領域の微小化、高密度化が可能となる。
り、遮光体１２に対角線上に２つの開口１３ａ，１３ｂ
を形成し、２つの開口１３ａ，１３ｂの上部に磁気ギャ
ップ３４ａ，３４ｂを配置したものである。これによ
り、記録領域を開口１３ａ，１３ｂのサイズで規定で
き、記録領域の微小化、高密度化が可能となる。
【００４９】図１０（ｃ）は、同図（ａ）のさらに別の
変形例であり、遮光体１２に対向するように２つの開口
１３ａ，１３ｂを形成し、４つの個別の磁極部３２によ
って２つの開口１３ａ，１３ｂの上部に磁気ギャップ３
４ａ，３４ｂを配置したものである。これにより、磁気
回路の構成の自由度を増すことができる。また、２つの
コア（図示せず）を相対向して配置するため、面発光型
半導体レーザに適用する場合に特に適する変形例であ
る。
変形例であり、遮光体１２に対向するように２つの開口
１３ａ，１３ｂを形成し、４つの個別の磁極部３２によ
って２つの開口１３ａ，１３ｂの上部に磁気ギャップ３
４ａ，３４ｂを配置したものである。これにより、磁気
回路の構成の自由度を増すことができる。また、２つの
コア（図示せず）を相対向して配置するため、面発光型
半導体レーザに適用する場合に特に適する変形例であ
る。
【００５０】図１１は、本発明の第９の実施の形態の磁
気ディスク装置を示す。この磁気ディスク装置５０は、
磁気ディスク５１と、それを回転するモータ５２と、光
磁気ヘッド６０と、光磁気ヘッド６０を回転軸５５を中
心に回動可能に支持するスイングアーム５３と、スイン
グアーム５３を介して光磁気ヘッド６０を走査するリニ
アモータ５４と、これらの制御回路５６と、記録再生信
号を処理する信号処理回路５７から構成され、制御回路
５６により所定の回転数で回転する磁気ディスク５１上
を光磁気ヘッド６０が浮上走行し、所定の記録トラック
を追従しながら記録再生が行われる。なお、磁気ディス
ク５１は、同図では一枚であるが、複数枚を積層した、
いわゆるウィンチェスター型としてもよい。
気ディスク装置を示す。この磁気ディスク装置５０は、
磁気ディスク５１と、それを回転するモータ５２と、光
磁気ヘッド６０と、光磁気ヘッド６０を回転軸５５を中
心に回動可能に支持するスイングアーム５３と、スイン
グアーム５３を介して光磁気ヘッド６０を走査するリニ
アモータ５４と、これらの制御回路５６と、記録再生信
号を処理する信号処理回路５７から構成され、制御回路
５６により所定の回転数で回転する磁気ディスク５１上
を光磁気ヘッド６０が浮上走行し、所定の記録トラック
を追従しながら記録再生が行われる。なお、磁気ディス
ク５１は、同図では一枚であるが、複数枚を積層した、
いわゆるウィンチェスター型としてもよい。
【００５１】図１２（ａ）は、図１１に示す磁気ディス
ク装置５０に使用する光磁気ヘッドを示す。この光磁気
ヘッド６０は、磁気ハードディスクドライブに使用され
る磁気ヘッド用の浮上スライダ６１の後部６２に、第２
の実施の形態の光磁気素子１を、コイル部２１側ですな
わち活性層５がスライダ６１の後面に平行となる方向に
接着したものである。これにより、磁気ギャップ３４は
磁気ディスク５１上の記録トラック（図示せず）に対し
て直交するように配置される。浮上スライダ６１と光磁
気素子１の接着は、両者の接着面をＡｕＳｎ等の合金膜
からなる接着剤６３を用いてメタライズした後、両者を
加熱と超音波を用いて行う。
ク装置５０に使用する光磁気ヘッドを示す。この光磁気
ヘッド６０は、磁気ハードディスクドライブに使用され
る磁気ヘッド用の浮上スライダ６１の後部６２に、第２
の実施の形態の光磁気素子１を、コイル部２１側ですな
わち活性層５がスライダ６１の後面に平行となる方向に
接着したものである。これにより、磁気ギャップ３４は
磁気ディスク５１上の記録トラック（図示せず）に対し
て直交するように配置される。浮上スライダ６１と光磁
気素子１の接着は、両者の接着面をＡｕＳｎ等の合金膜
からなる接着剤６３を用いてメタライズした後、両者を
加熱と超音波を用いて行う。
【００５２】浮上スライダ６１は、同図（ｂ）に示すよ
うに、先端傾斜部６１ａと、左右の凸部６１ｂと、凸部
６１ｂ間に形成された凹部６１ｃとを有し、凸部６１ｂ
と凹部６１ｃとにより磁気ディスク５１に対して正圧と
負圧が形成され、数十ｎｍの浮上高を保って安定走行す
る。
うに、先端傾斜部６１ａと、左右の凸部６１ｂと、凸部
６１ｂ間に形成された凹部６１ｃとを有し、凸部６１ｂ
と凹部６１ｃとにより磁気ディスク５１に対して正圧と
負圧が形成され、数十ｎｍの浮上高を保って安定走行す
る。
【００５３】磁気ディスク５１は、ディスク基板５１ｂ
の表面にＴｅＦｅＣｏからなる光磁気ディスク用の補償
温度は室温付近にある磁気記録媒体５１ａを形成したも
のである。この媒体５１ａの室温での保磁力は２０ｋＯ
ｅと通常の磁気記録用のＣｏＣｒ等の媒体に比べて一桁
近くと非常に高く、室温で安定な媒体であるが、レーザ
光１０の照射により２００℃以上に加熱してキュリー温
度に近づけることにより保磁力は殆どゼロまで低下し、
上記の薄膜磁気トランスデューサ２０により十分記録可
能となる。また、上記の媒体５１ａの磁化は、２００℃
あたりで室温での十倍以上（１００ｅｍｕ／ｃｃ）とな
るので、再生においてもレーザ光照射により加熱するこ
とで、上記の薄膜磁気トランスデューサ２０を再生に用
いても、十分信号対雑音比の高い信号再生が可能とな
る。記録媒体５１ａとしては、従来の面内記録用のＣｏ
Ｃｒ等の材料も使用でき、やはり加熱昇温により、保磁
力を低くできるため、ＴａやＰｄ等を加えて室温での保
磁力を高めた媒体を用いた記録・再生に特に効果があ
る。
の表面にＴｅＦｅＣｏからなる光磁気ディスク用の補償
温度は室温付近にある磁気記録媒体５１ａを形成したも
のである。この媒体５１ａの室温での保磁力は２０ｋＯ
ｅと通常の磁気記録用のＣｏＣｒ等の媒体に比べて一桁
近くと非常に高く、室温で安定な媒体であるが、レーザ
光１０の照射により２００℃以上に加熱してキュリー温
度に近づけることにより保磁力は殆どゼロまで低下し、
上記の薄膜磁気トランスデューサ２０により十分記録可
能となる。また、上記の媒体５１ａの磁化は、２００℃
あたりで室温での十倍以上（１００ｅｍｕ／ｃｃ）とな
るので、再生においてもレーザ光照射により加熱するこ
とで、上記の薄膜磁気トランスデューサ２０を再生に用
いても、十分信号対雑音比の高い信号再生が可能とな
る。記録媒体５１ａとしては、従来の面内記録用のＣｏ
Ｃｒ等の材料も使用でき、やはり加熱昇温により、保磁
力を低くできるため、ＴａやＰｄ等を加えて室温での保
磁力を高めた媒体を用いた記録・再生に特に効果があ
る。
【００５４】ギャップ部３１は、本実施の形態に用いた
ものだけでなく、図３に示す各種のものが使用可能であ
る。これらの変形例を使用することにより、レーザ光の
照射面積を減らすことができ、あるいは、開口１３のサ
イズで記録媒体の照射位置、すなわち、保磁力の低下す
る位置を規定できるため、高密度の記録が可能となる。
図３（ｄ），（ｆ）に示す形態のギャップ部３１を使用
する場合は、磁気ギャップ３４を磁気ディスク５１のト
ラック（図示せず）と直交するように配置するために、
光磁気素子のレーザ部２の活性層５がディスク後面に対
して直交するように配置する。また、図３（ｅ），
（ｆ）に示すギャップ部３１を使用する場合は、一方の
磁極先端部３３付近の垂直方向の磁界のみが記録に関与
するようにできるため、垂直記録膜、特にＴｅＦｅＣｏ
等の光磁気記録膜を用いた記録に適する。この磁界急峻
な部分の幅は、ギャップ長の１／３以下であり、従っ
て、これにより記録密度を３倍以上とできる。さらに、
図３（ｅ）、（ｆ）に示すギャップ部３１を使用する場
合は、磁気ギャップ３４の方向を記録トラックに対して
平行に配置してもよい。この場合、開口１３は磁気ギャ
ップ３４に対して先行する方向に配置する。このような
配置により、記録マークの幅は、開口１３の１／３以下
にでき、大幅にトラック幅を狭めることが可能となる。
磁気記録では、記録マークの長さは、ディスクの回転数
と記録信号の周波数との関連できまるので、周波数を上
げることにより、ギャップ長以下の長さのマークが形成
可能であるが、トラックの幅は、ギャップ幅で決まる。
実際には、ギャップ周辺部に磁界が広がっているため、
ギャップ幅以上となる。しかし、上記の方向に磁気ギャ
ップ３４を配置し、開口１３からのレーザ光により加熱
して記録することにより、実際のギャップサイズよりも
はるかに小さな記録マークを形成することが可能とな
り、高密度化が達成される。記録に際しては、ギャップ
部３１に形成される変調磁界に同期させ、再生に際して
は、記録トラック中の同期信号（図示せず）に同期させ
て、レーザ光をパルス点灯することにより、記録マーク
の急峻化と微小化が可能となるとともに、パワー効率を
上げることができる。
ものだけでなく、図３に示す各種のものが使用可能であ
る。これらの変形例を使用することにより、レーザ光の
照射面積を減らすことができ、あるいは、開口１３のサ
イズで記録媒体の照射位置、すなわち、保磁力の低下す
る位置を規定できるため、高密度の記録が可能となる。
図３（ｄ），（ｆ）に示す形態のギャップ部３１を使用
する場合は、磁気ギャップ３４を磁気ディスク５１のト
ラック（図示せず）と直交するように配置するために、
光磁気素子のレーザ部２の活性層５がディスク後面に対
して直交するように配置する。また、図３（ｅ），
（ｆ）に示すギャップ部３１を使用する場合は、一方の
磁極先端部３３付近の垂直方向の磁界のみが記録に関与
するようにできるため、垂直記録膜、特にＴｅＦｅＣｏ
等の光磁気記録膜を用いた記録に適する。この磁界急峻
な部分の幅は、ギャップ長の１／３以下であり、従っ
て、これにより記録密度を３倍以上とできる。さらに、
図３（ｅ）、（ｆ）に示すギャップ部３１を使用する場
合は、磁気ギャップ３４の方向を記録トラックに対して
平行に配置してもよい。この場合、開口１３は磁気ギャ
ップ３４に対して先行する方向に配置する。このような
配置により、記録マークの幅は、開口１３の１／３以下
にでき、大幅にトラック幅を狭めることが可能となる。
磁気記録では、記録マークの長さは、ディスクの回転数
と記録信号の周波数との関連できまるので、周波数を上
げることにより、ギャップ長以下の長さのマークが形成
可能であるが、トラックの幅は、ギャップ幅で決まる。
実際には、ギャップ周辺部に磁界が広がっているため、
ギャップ幅以上となる。しかし、上記の方向に磁気ギャ
ップ３４を配置し、開口１３からのレーザ光により加熱
して記録することにより、実際のギャップサイズよりも
はるかに小さな記録マークを形成することが可能とな
り、高密度化が達成される。記録に際しては、ギャップ
部３１に形成される変調磁界に同期させ、再生に際して
は、記録トラック中の同期信号（図示せず）に同期させ
て、レーザ光をパルス点灯することにより、記録マーク
の急峻化と微小化が可能となるとともに、パワー効率を
上げることができる。
【００５５】本実施の形態における記録トラックのトラ
ッキングには、レーザ光照射を使用するのでその反射光
が半導体レーザの共振器に戻り、レーザの発振状態を変
調する効果、すなわち、自己結合効果をを用いてトラッ
ク位置誤差信号を形成してもよい。また、薄膜磁気トラ
ンスデューサを用いて、トラックずれによる磁界強度の
変調を用いて行ってもよい。また、本実施の形態に用い
る光磁気素子１としては、第２の実施の形態の光磁気素
子を用いたが、これに限らず、他の実施の形態のもので
もよく、第８の実施の形態の光磁気素子を用いることに
より、高密度化、高転送レート化が可能となる。
ッキングには、レーザ光照射を使用するのでその反射光
が半導体レーザの共振器に戻り、レーザの発振状態を変
調する効果、すなわち、自己結合効果をを用いてトラッ
ク位置誤差信号を形成してもよい。また、薄膜磁気トラ
ンスデューサを用いて、トラックずれによる磁界強度の
変調を用いて行ってもよい。また、本実施の形態に用い
る光磁気素子１としては、第２の実施の形態の光磁気素
子を用いたが、これに限らず、他の実施の形態のもので
もよく、第８の実施の形態の光磁気素子を用いることに
より、高密度化、高転送レート化が可能となる。
【００５６】上述した第９の実施の形態によれば、従来
の磁気ハードディスク装置で使用されていると同程度の
光磁気ヘッドが提供できる。また、体積記録密度の高い
光アシスト磁気記録装置が提供できる。また、小型の光
磁気ヘッドが作製可能なため、高速のトラッキングが可
能となる。また、複数のトラックの同時記録・同時再生
ができるため、記録再生時の高転送レート化が可能とな
る。
の磁気ハードディスク装置で使用されていると同程度の
光磁気ヘッドが提供できる。また、体積記録密度の高い
光アシスト磁気記録装置が提供できる。また、小型の光
磁気ヘッドが作製可能なため、高速のトラッキングが可
能となる。また、複数のトラックの同時記録・同時再生
ができるため、記録再生時の高転送レート化が可能とな
る。
【００５７】図１３は、本発明の第１０の実施の形態に
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッド６０は、図
１２に示す第９の実施の形態の光磁気ヘッドにおいて、
浮上スライダ６１と光磁気素子１との間にＧＭＲ（Gian
t Magnetic Sencer）からなる磁気センサ７０を薄膜プ
ロセスを用いて形成したものである。
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッド６０は、図
１２に示す第９の実施の形態の光磁気ヘッドにおいて、
浮上スライダ６１と光磁気素子１との間にＧＭＲ（Gian
t Magnetic Sencer）からなる磁気センサ７０を薄膜プ
ロセスを用いて形成したものである。
【００５８】磁気センサ７０は、磁気遮蔽膜７１に絶縁
膜７４，７５を介して挟まれた、磁界検出部であるスピ
ンバルブ７３と電極７２から構成されており、微小磁界
を高感度で検出することができる。
膜７４，７５を介して挟まれた、磁界検出部であるスピ
ンバルブ７３と電極７２から構成されており、微小磁界
を高感度で検出することができる。
【００５９】本実施の形態においては、信号再生にはＧ
ＭＲセンサ７０を使用するため、再生時に加熱を行わな
いので、媒体としてはＣｏＣｒＴａやＧａＦｅＣｏ等の
常温において磁化の大きな媒体を使用する。光磁気素子
としては、他の実施の形態のもの用いることが可能であ
る。ただし、ＧＭＲセンサは、熱に弱いので、接着剤６
３には絶縁層を挟んで断熱性を上げる。また、記録時の
レーザ光は短時間のパルス点灯とする。
ＭＲセンサ７０を使用するため、再生時に加熱を行わな
いので、媒体としてはＣｏＣｒＴａやＧａＦｅＣｏ等の
常温において磁化の大きな媒体を使用する。光磁気素子
としては、他の実施の形態のもの用いることが可能であ
る。ただし、ＧＭＲセンサは、熱に弱いので、接着剤６
３には絶縁層を挟んで断熱性を上げる。また、記録時の
レーザ光は短時間のパルス点灯とする。
【００６０】この第１０の実施の形態によれば、ＧＭＲ
センサにより高感度の磁界検出が可能となるため、高密
度化だけでなく、高転送レートの記録再生が可能とな
る。
センサにより高感度の磁界検出が可能となるため、高密
度化だけでなく、高転送レートの記録再生が可能とな
る。
【００６１】図１４は、本発明の第１１の実施の形態に
係る光磁気ヘッドの主要部を示し、（ａ）は側面から見
た断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は底面の拡大図であ
る。この光磁気ヘッド１００は、レーザビーム２ａを出
射する半導体レーザ１０２と、半導体レーザ１０２から
のレーザビーム２ａを平行ビーム２ｂに整形するコリメ
ータレンズ１０３と、コリメータレンズ１０３からの平
行ビーム２ｂを垂直方向に反射するミラー１０４と、ミ
ラー１０４で反射した平行ビーム２ｂを収束させる対物
レンズ１０５と、対物レンズ１０５により収束された光
２ｃが入射し、被集光面１０６ｂに光スポット１０７を
形成する透明集光用媒体１０６と、透明集光用媒体１０
６の被集光面１０６ｂの光スポット位置の表面に光スポ
ット１０７より小さいサイズの磁気ギャップを有する薄
膜磁気トランスデューサ２０とを有する。
係る光磁気ヘッドの主要部を示し、（ａ）は側面から見
た断面図、（ｂ）は底面図、（ｃ）は底面の拡大図であ
る。この光磁気ヘッド１００は、レーザビーム２ａを出
射する半導体レーザ１０２と、半導体レーザ１０２から
のレーザビーム２ａを平行ビーム２ｂに整形するコリメ
ータレンズ１０３と、コリメータレンズ１０３からの平
行ビーム２ｂを垂直方向に反射するミラー１０４と、ミ
ラー１０４で反射した平行ビーム２ｂを収束させる対物
レンズ１０５と、対物レンズ１０５により収束された光
２ｃが入射し、被集光面１０６ｂに光スポット１０７を
形成する透明集光用媒体１０６と、透明集光用媒体１０
６の被集光面１０６ｂの光スポット位置の表面に光スポ
ット１０７より小さいサイズの磁気ギャップを有する薄
膜磁気トランスデューサ２０とを有する。
【００６２】半導体レーザ１０２には、例えば、赤色
（６５０ｎｍ）のレーザ光を発生するＡｌＧａＩｎＰ系
のレーザを用いることができるが、これに限るものでは
なく、赤外や青色のレーザでも使用可能である。また、
本実施の形態では、レーザ用半導体のヘキ開面を光共振
器に使用して活性層に平行に発振する、いわゆる、端面
発光型半導体レーザや、活性層に平行に形成した共振器
により活性層の垂直方向に発振する、いわゆる面発光型
半導体レーザを使用してもよい。端面発光型半導体レー
ザを使用した場合は、ビーム広がり角が大きいため、コ
リメータレンズ１０３との距離を狭めることができ、光
磁気ヘッド１００の小型化が可能となる。また、面発光
型半導体レーザを使用した場合は、出力ビームが円形で
あるため、コリメータレンズ１０３でのけられを少なく
して集光することができので、光利用効率を上げること
ができる。
（６５０ｎｍ）のレーザ光を発生するＡｌＧａＩｎＰ系
のレーザを用いることができるが、これに限るものでは
なく、赤外や青色のレーザでも使用可能である。また、
本実施の形態では、レーザ用半導体のヘキ開面を光共振
器に使用して活性層に平行に発振する、いわゆる、端面
発光型半導体レーザや、活性層に平行に形成した共振器
により活性層の垂直方向に発振する、いわゆる面発光型
半導体レーザを使用してもよい。端面発光型半導体レー
ザを使用した場合は、ビーム広がり角が大きいため、コ
リメータレンズ１０３との距離を狭めることができ、光
磁気ヘッド１００の小型化が可能となる。また、面発光
型半導体レーザを使用した場合は、出力ビームが円形で
あるため、コリメータレンズ１０３でのけられを少なく
して集光することができので、光利用効率を上げること
ができる。
【００６３】透明集光用媒体１０６は、例えば、重フリ
ントガラスからなる屈折率約２．０の半球上のソリッド
イマージョンレンズを用いる。対物レンズ１０５の開口
数は、０．７であり、被集光面１０６ｂ上に形成される
光スポット１０７のサイズは約０．２５μｍである。こ
の光スポット１０７からは、伝播成分と近接場成分が混
在したレーザ光１０７ａが放射される。ただし、レーザ
光１０７ａは、被集光面１０６ｂから放射された後、急
速に広がるため、照射領域を光スポット１０７の径程度
とするためには、レーザ波長の数分の一の位置まで記録
媒体を近づけなければならない。なお、透明集光用媒体
１０６として、裁底球状のスーパーソリッドイマージョ
ンレンズを用いてもよい。
ントガラスからなる屈折率約２．０の半球上のソリッド
イマージョンレンズを用いる。対物レンズ１０５の開口
数は、０．７であり、被集光面１０６ｂ上に形成される
光スポット１０７のサイズは約０．２５μｍである。こ
の光スポット１０７からは、伝播成分と近接場成分が混
在したレーザ光１０７ａが放射される。ただし、レーザ
光１０７ａは、被集光面１０６ｂから放射された後、急
速に広がるため、照射領域を光スポット１０７の径程度
とするためには、レーザ波長の数分の一の位置まで記録
媒体を近づけなければならない。なお、透明集光用媒体
１０６として、裁底球状のスーパーソリッドイマージョ
ンレンズを用いてもよい。
【００６４】薄膜磁気トランスデューサ２０は、同図
（ｂ）、（ｃ）に示すように、パーマロイ等の軟磁性体
からなるコア２４、ヨーク２７および磁極部３２から構
成され、光スポット位置に磁気ギャップ３４を有する磁
気回路３０と、コイル２５、リード線２８およびパッド
（図示せず）から構成されたコイル部２１とを備える。
なお、磁気ギャップ３４と一対の磁極先端部３３とから
ギャップ部３１を構成する。透明集光用媒体１０６は、
被集光面１０６ｂの光スポット位置に凸部１１６を残
し、その周囲に凹部１１５を形成している。ギャップ部
２１は、同図（ｃ）に示すように、凸部１１６上に磁極
先端部３３と磁気ギャップ３４を有する。磁極先端部３
３の表面と被集光面１０６ｂとはほぼ同一平面をなすよ
うに形成されている。磁気ギャップ３４の長さは０．１
μｍ、幅は０．１５μｍであり、プロセス技術の進展と
ともにさらに微小化することも可能である。薄膜磁気ト
ランスデューサ２０の磁極先端部３３以外の磁気回路３
０、コイル２５、リード線２８は、凹部１１５内に配置
されている。
（ｂ）、（ｃ）に示すように、パーマロイ等の軟磁性体
からなるコア２４、ヨーク２７および磁極部３２から構
成され、光スポット位置に磁気ギャップ３４を有する磁
気回路３０と、コイル２５、リード線２８およびパッド
（図示せず）から構成されたコイル部２１とを備える。
なお、磁気ギャップ３４と一対の磁極先端部３３とから
ギャップ部３１を構成する。透明集光用媒体１０６は、
被集光面１０６ｂの光スポット位置に凸部１１６を残
し、その周囲に凹部１１５を形成している。ギャップ部
２１は、同図（ｃ）に示すように、凸部１１６上に磁極
先端部３３と磁気ギャップ３４を有する。磁極先端部３
３の表面と被集光面１０６ｂとはほぼ同一平面をなすよ
うに形成されている。磁気ギャップ３４の長さは０．１
μｍ、幅は０．１５μｍであり、プロセス技術の進展と
ともにさらに微小化することも可能である。薄膜磁気ト
ランスデューサ２０の磁極先端部３３以外の磁気回路３
０、コイル２５、リード線２８は、凹部１１５内に配置
されている。
【００６５】図１５は、薄膜磁気トランスデューサ２０
の製造方法の一例を示し、(ａ）は側面から見た断面
図、(ｂ）は正面から見た断面図である。透明集光用媒
体１０６の被集光面１０６ｂを、光スポット位置に凸部
１１６が残こり、ドライエッチングにより凸部１１６の
中心に凹部１１５ａ、凸部１１６の周囲に凹部１１５を
形成した後、薄膜磁気トランスジューサ２０を構成する
それぞれの層をスパッタリングとフォトリソグラフィに
より形成する。すなわち、通常の薄膜プロセスによりＣ
ｕ薄膜からなる上部コイル２５ｂをスパッタリングで被
着した後、パターニングを行い、ＳｉＯ2膜により平坦
化埋め込みをする。次に、磁気回路３０用のパーマロイ
等の軟磁性膜をスパッタリングにより被着した後、同様
にパターニング、平坦化埋め込みを行う。さらに、下部
コイル２５ａ、リード線２８およびパッド２９、および
磁気回路３０の磁極部３２とその先端の磁極先端部３３
を同様の工程を繰り返して形成し、薄膜磁気トランスデ
ューサ２０を完成する。磁極部３２とその先端の磁極先
端部３３は、被集光面１０６ｂに埋め込み、両者の表面
が同一平面をなすように作製する。また、本実施の形態
においても、図３および図４に示した、磁気ギャップお
よび開口を有する遮光体を用いて記録密度の増大を図れ
ることは言う迄もない。
の製造方法の一例を示し、(ａ）は側面から見た断面
図、(ｂ）は正面から見た断面図である。透明集光用媒
体１０６の被集光面１０６ｂを、光スポット位置に凸部
１１６が残こり、ドライエッチングにより凸部１１６の
中心に凹部１１５ａ、凸部１１６の周囲に凹部１１５を
形成した後、薄膜磁気トランスジューサ２０を構成する
それぞれの層をスパッタリングとフォトリソグラフィに
より形成する。すなわち、通常の薄膜プロセスによりＣ
ｕ薄膜からなる上部コイル２５ｂをスパッタリングで被
着した後、パターニングを行い、ＳｉＯ2膜により平坦
化埋め込みをする。次に、磁気回路３０用のパーマロイ
等の軟磁性膜をスパッタリングにより被着した後、同様
にパターニング、平坦化埋め込みを行う。さらに、下部
コイル２５ａ、リード線２８およびパッド２９、および
磁気回路３０の磁極部３２とその先端の磁極先端部３３
を同様の工程を繰り返して形成し、薄膜磁気トランスデ
ューサ２０を完成する。磁極部３２とその先端の磁極先
端部３３は、被集光面１０６ｂに埋め込み、両者の表面
が同一平面をなすように作製する。また、本実施の形態
においても、図３および図４に示した、磁気ギャップお
よび開口を有する遮光体を用いて記録密度の増大を図れ
ることは言う迄もない。
【００６６】次に、この光磁気ヘッド１００の動作を説
明する。記録時は、磁気ディスク５１の基板５１ｂ上に
形成された磁気記録媒体５１ａにレーザ光と磁界を印加
することが可能であるので、レーザ光の照射により磁気
記録媒体５１ａの記録部分を昇温してその位置の保磁力
を下げ、変調磁界により記録を行う、いわゆる光アシス
ト磁気記録を行う。磁極先端部３３間の磁気ギャップ３
４のサイズで決まるサイズの記録マークが形成される。
再生時は、磁気記録媒体５１ａからの漏れ磁界上をギャ
ップ部３１が通過する時の磁極先端部３３に入射する磁
束の変化をコイル２５により電流に変換することによ
り、磁気記録媒体５１ａに記録された情報を再生する。
明する。記録時は、磁気ディスク５１の基板５１ｂ上に
形成された磁気記録媒体５１ａにレーザ光と磁界を印加
することが可能であるので、レーザ光の照射により磁気
記録媒体５１ａの記録部分を昇温してその位置の保磁力
を下げ、変調磁界により記録を行う、いわゆる光アシス
ト磁気記録を行う。磁極先端部３３間の磁気ギャップ３
４のサイズで決まるサイズの記録マークが形成される。
再生時は、磁気記録媒体５１ａからの漏れ磁界上をギャ
ップ部３１が通過する時の磁極先端部３３に入射する磁
束の変化をコイル２５により電流に変換することによ
り、磁気記録媒体５１ａに記録された情報を再生する。
【００６７】上述した第１１の実施の形態によれば、透
明集光用媒体１０６の被集光面１０６ｂに薄膜磁気トラ
ンスジューサ２０を積層したので、光アシスト磁気記録
を行うことができるとともに、光磁気ヘッドの小型・軽
量化を図れ、高転送レート化が可能となる。また、室温
において高保磁力を有する磁気記録媒体を記録に使用で
きるため、安定で長寿命の磁気記録が可能となる。ま
た、ＴｂＦｅＣｏなどのフェリ磁性の記録媒体を使用し
た場合、昇温によって磁化が増加するので、本実施の形
態においても、第１の実施の形態と同様に、再生時にレ
ーザ照射を行うことにより、感度を増大させることが可
能となる。その場合には、半導体レーザを連続的に点灯
してもよく、また、記録マーク位置に同期してパルス的
に点灯してもよい。前者の場合には、同期が不要なた
め、点灯回路を単純化でき、後者の場合には、レーザ光
のエネルギー効率を上げることができ、出射部の加熱を
防ぐことができる。勿論、保持力の比較的小さな記録媒
体を使用した場合には、レーザ光を照射せずに、本実施
の形態のヘッドを使用して磁界のみにより記録してもよ
いことは言う迄もない。
明集光用媒体１０６の被集光面１０６ｂに薄膜磁気トラ
ンスジューサ２０を積層したので、光アシスト磁気記録
を行うことができるとともに、光磁気ヘッドの小型・軽
量化を図れ、高転送レート化が可能となる。また、室温
において高保磁力を有する磁気記録媒体を記録に使用で
きるため、安定で長寿命の磁気記録が可能となる。ま
た、ＴｂＦｅＣｏなどのフェリ磁性の記録媒体を使用し
た場合、昇温によって磁化が増加するので、本実施の形
態においても、第１の実施の形態と同様に、再生時にレ
ーザ照射を行うことにより、感度を増大させることが可
能となる。その場合には、半導体レーザを連続的に点灯
してもよく、また、記録マーク位置に同期してパルス的
に点灯してもよい。前者の場合には、同期が不要なた
め、点灯回路を単純化でき、後者の場合には、レーザ光
のエネルギー効率を上げることができ、出射部の加熱を
防ぐことができる。勿論、保持力の比較的小さな記録媒
体を使用した場合には、レーザ光を照射せずに、本実施
の形態のヘッドを使用して磁界のみにより記録してもよ
いことは言う迄もない。
【００６８】図１６は、本発明の第１２の実施の形態に
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッドは、第１１
の実施の形態において、透明集光用媒体を反射面１０６
ｃを有する透明集光用媒体１０６と、被集光面１０６ｂ
を有する浮上スライダ１０９とから構成したものであ
り、他分は第1１の実施の形態と同様に構成されてい
る。 反射面１０６ｃは、回転放物面の一部から構成さ
れる。透明集光用媒体１０６と浮上スライダ１０９は、
ほぼ同一屈折率を有する材料、例えば、屈折率約２．０
の重フリントガラスからなる。また、浮上スライダ１０
９の被集光面１０６ｂ上には、薄膜磁気トランスデュー
サ２０が、光スポット位置にはその磁気ギャップ２３が
形成されている。
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッドは、第１１
の実施の形態において、透明集光用媒体を反射面１０６
ｃを有する透明集光用媒体１０６と、被集光面１０６ｂ
を有する浮上スライダ１０９とから構成したものであ
り、他分は第1１の実施の形態と同様に構成されてい
る。 反射面１０６ｃは、回転放物面の一部から構成さ
れる。透明集光用媒体１０６と浮上スライダ１０９は、
ほぼ同一屈折率を有する材料、例えば、屈折率約２．０
の重フリントガラスからなる。また、浮上スライダ１０
９の被集光面１０６ｂ上には、薄膜磁気トランスデュー
サ２０が、光スポット位置にはその磁気ギャップ２３が
形成されている。
【００６９】次に、この第１２の実施の形態の動作を説
明する。半導体レーザ１０２の出力レーザ光２ａは、コ
リメータレンズ１０３により平行光２ｂとされた後、透
明集光用媒体１０６の入射面１０６ａに入射し、その反
射面１０６ｃとその表面に形成された反射膜１０６ｄに
よって反射され、浮上スライダ１０９の被集光面１０６
ｂに集光されて光スポット１０７を形成する。第１１の
実施の形態と同様に、磁気記録媒体５１ａに対して光ア
シスト磁気記録および光アシスト磁気再生が行われる。
明する。半導体レーザ１０２の出力レーザ光２ａは、コ
リメータレンズ１０３により平行光２ｂとされた後、透
明集光用媒体１０６の入射面１０６ａに入射し、その反
射面１０６ｃとその表面に形成された反射膜１０６ｄに
よって反射され、浮上スライダ１０９の被集光面１０６
ｂに集光されて光スポット１０７を形成する。第１１の
実施の形態と同様に、磁気記録媒体５１ａに対して光ア
シスト磁気記録および光アシスト磁気再生が行われる。
【００７０】上述した第１２の実施の形態によれば、反
射面１０６ｃの開口数を０．８以上と第１５の実施の形
態で使用した透明集光用媒体１０６よりも大きくできる
ため、光スポット１０７のサイズを第１５の実施の形態
よりも小さくでき、光利用効率を上げることができる。
なお、図３に示す第２の実施の形態で使用した遮光体１
９、各種の開口１３および磁気先端部３３を被集光面１
０６ｂに形成してもよい。これにより、第２の実施の形
態と同様の効果を得ることができる。
射面１０６ｃの開口数を０．８以上と第１５の実施の形
態で使用した透明集光用媒体１０６よりも大きくできる
ため、光スポット１０７のサイズを第１５の実施の形態
よりも小さくでき、光利用効率を上げることができる。
なお、図３に示す第２の実施の形態で使用した遮光体１
９、各種の開口１３および磁気先端部３３を被集光面１
０６ｂに形成してもよい。これにより、第２の実施の形
態と同様の効果を得ることができる。
【００７１】図１７は、本発明の第１３の実施の形態に
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッド１００は、
第１２の実施の形態において、磁気ギャップ３４の下流
側にＧＭＲ（Giant Magnetic Sencer）からなる磁気セ
ンサ７０を配置したものであり、他は第１２実施の形態
と同様に構成されている。磁気センサ７０は、磁気遮蔽
膜７１に絶縁膜７４，７５を介して挟まれた、磁界検出
部であるスピンバルブ７３と電極７２から構成されてお
り、微小磁界を高感度で検出することができる。本実施
の形態の磁気記録媒体５１ａは、信号再生にはＧＭＲセ
ンサ７０を使用するため、再生時に加熱を行わないの
で、ＣｏＣｒＴａやＧａＦｅＣｏ等の常温において磁化
の大きなものを使用する。光磁気素子１は、上述した各
実施の形態のものが使用可能である。半導体レーザ部２
は、ＧＭＲセンサ７０が熱に弱いことを考慮して、記録
時に短時間のパルス点灯により駆動される。
係る光磁気ヘッドを示す。この光磁気ヘッド１００は、
第１２の実施の形態において、磁気ギャップ３４の下流
側にＧＭＲ（Giant Magnetic Sencer）からなる磁気セ
ンサ７０を配置したものであり、他は第１２実施の形態
と同様に構成されている。磁気センサ７０は、磁気遮蔽
膜７１に絶縁膜７４，７５を介して挟まれた、磁界検出
部であるスピンバルブ７３と電極７２から構成されてお
り、微小磁界を高感度で検出することができる。本実施
の形態の磁気記録媒体５１ａは、信号再生にはＧＭＲセ
ンサ７０を使用するため、再生時に加熱を行わないの
で、ＣｏＣｒＴａやＧａＦｅＣｏ等の常温において磁化
の大きなものを使用する。光磁気素子１は、上述した各
実施の形態のものが使用可能である。半導体レーザ部２
は、ＧＭＲセンサ７０が熱に弱いことを考慮して、記録
時に短時間のパルス点灯により駆動される。
【００７２】上述した第１３の実施の形態によれば、Ｇ
ＭＲセンサにより高感度の磁界検出が可能となるため、
高密度化だけでなく、高転送レートの記録再生が可能と
なる。
ＭＲセンサにより高感度の磁界検出が可能となるため、
高密度化だけでなく、高転送レートの記録再生が可能と
なる。
【００７３】図１８（ａ），（ｂ）は、本発明の第１４
の実施の形態に係る光磁気ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第１
４の実施の形態の光磁気ヘッド６０は、同図（ａ）に示
すように、導電性のＧａＮ基板からなる浮上スライダ６
１を有し、この浮上スライダ６１の先端面６１ｄにｎ型
電極８を形成し、浮上スライダ６１の後端面６２上に、
開口１３を有する遮光体１２を備えた半導体レーザ部２
を集積し、この半導体レーザ部２の後方に第２の実施の
形態と同様の薄膜磁気トランスデューサ２０を集積し、
さらにこの薄膜磁気トランスデューサ２０の後方に図１
３に示したのと同様の磁気センサ７０を集積し、底面に
スライダー面６５を形成し、これによりレーザ光と磁気
ギャップを近接させて光ディスク５１の磁気記録媒体５
１ａ上を走行可能とし、磁気記録膜や光磁気記録膜への
光アシスト磁気記録を行うとともに、磁気センサ７０に
よる信号再生を可能としたものである。また、本実施の
形態では、半導体レーザ部２の発熱の影響が磁気センサ
７０に及ぶのを避けるため、薄膜磁気トランスデューサ
２０の上に磁気センサ７０を形成しており、従来の磁気
ヘッドとは反転した構造を取っている。なお、半導体レ
ーザ部２、ｎ型電極８、薄膜磁気トランスデューサ２０
および磁気センサ７０によって光磁気素子を構成してい
る。
の実施の形態に係る光磁気ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第１
４の実施の形態の光磁気ヘッド６０は、同図（ａ）に示
すように、導電性のＧａＮ基板からなる浮上スライダ６
１を有し、この浮上スライダ６１の先端面６１ｄにｎ型
電極８を形成し、浮上スライダ６１の後端面６２上に、
開口１３を有する遮光体１２を備えた半導体レーザ部２
を集積し、この半導体レーザ部２の後方に第２の実施の
形態と同様の薄膜磁気トランスデューサ２０を集積し、
さらにこの薄膜磁気トランスデューサ２０の後方に図１
３に示したのと同様の磁気センサ７０を集積し、底面に
スライダー面６５を形成し、これによりレーザ光と磁気
ギャップを近接させて光ディスク５１の磁気記録媒体５
１ａ上を走行可能とし、磁気記録膜や光磁気記録膜への
光アシスト磁気記録を行うとともに、磁気センサ７０に
よる信号再生を可能としたものである。また、本実施の
形態では、半導体レーザ部２の発熱の影響が磁気センサ
７０に及ぶのを避けるため、薄膜磁気トランスデューサ
２０の上に磁気センサ７０を形成しており、従来の磁気
ヘッドとは反転した構造を取っている。なお、半導体レ
ーザ部２、ｎ型電極８、薄膜磁気トランスデューサ２０
および磁気センサ７０によって光磁気素子を構成してい
る。
【００７４】スライダー面６５は、先端の傾斜面６１
ａ、浮上スライダ６１の下面、および半導体レーザ発振
部２の出射面６６に形成された凸部６１ｂおよび凹部６
１ｃとから構成され、傾斜面６１ａが流入した空気流６
７上を凸部６１ｂおよび凹部６１ｃが走行し、それぞれ
正圧と負圧を生じることにより適当な浮上高で浮上走行
可能としている。
ａ、浮上スライダ６１の下面、および半導体レーザ発振
部２の出射面６６に形成された凸部６１ｂおよび凹部６
１ｃとから構成され、傾斜面６１ａが流入した空気流６
７上を凸部６１ｂおよび凹部６１ｃが走行し、それぞれ
正圧と負圧を生じることにより適当な浮上高で浮上走行
可能としている。
【００７５】なお、薄膜磁気トランスデューサ２０とし
ては、第２の実施の形態と同様のものを使用したが、こ
れに限らず、他の実施の形態と同様のものも使用可能で
あり、同様の効果を得ることができる。また、半導体レ
ーザ部２は、第１〜第３の実施の形態に示したものなど
が使用可能であり、同様の効果を得ることができる。
ては、第２の実施の形態と同様のものを使用したが、こ
れに限らず、他の実施の形態と同様のものも使用可能で
あり、同様の効果を得ることができる。また、半導体レ
ーザ部２は、第１〜第３の実施の形態に示したものなど
が使用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【００７６】図１９（ａ），（ｂ）は、本発明の第１５
の実施の形態に係る光磁気ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第１
５の実施の形態の光磁気ヘッド６０は、同図（ａ）に示
すように、半導体レーザ部２の上には、ポリイミドの熱
絶縁膜７６を介して、磁気センサ７０、薄膜磁気トラン
スデューサ２０の順に集積されており、第１４の実施の
形態とは磁気センサ７０と薄膜磁気トランスデューサ２
０の位置関係が逆になっている点以外は、第１４の実施
の形態と同様である。これにより、磁気センサ７０と薄
膜磁気トランスデューサ２０の形成順序が、従来の磁気
ヘッドと同様であるため、信頼性の高い、確立した作製
プロセスがそのまま使用でき、安価で信頼性の高い浮上
記録ヘッドが提供できる。
の実施の形態に係る光磁気ヘッドを示し、（ａ）はその
主要部を示す断面図、（ｂ）は底面図である。この第１
５の実施の形態の光磁気ヘッド６０は、同図（ａ）に示
すように、半導体レーザ部２の上には、ポリイミドの熱
絶縁膜７６を介して、磁気センサ７０、薄膜磁気トラン
スデューサ２０の順に集積されており、第１４の実施の
形態とは磁気センサ７０と薄膜磁気トランスデューサ２
０の位置関係が逆になっている点以外は、第１４の実施
の形態と同様である。これにより、磁気センサ７０と薄
膜磁気トランスデューサ２０の形成順序が、従来の磁気
ヘッドと同様であるため、信頼性の高い、確立した作製
プロセスがそのまま使用でき、安価で信頼性の高い浮上
記録ヘッドが提供できる。
【００７７】なお、第１１〜第１５の実施の形態の光磁
気ヘッドを図１１に示す磁気ディスク装置に適用しても
よい。また、透明集光用媒体１０６あるいは浮上スライ
ダ１０９の被集光面１０６ｂに形成したギャップ部３１
の下部に開口を有する遮光体を配置してもよく、その場
合のギャップ部３１および開口は、図３(ａ）〜(ｆ）に
示すものを用いてもよく、図４(ａ），(ｂ）に示すよう
な位置関係にしてもよく、図１０(ａ），(ｂ），(ｃ）
に示すように複数の磁気ギャップを形成してもよい。
気ヘッドを図１１に示す磁気ディスク装置に適用しても
よい。また、透明集光用媒体１０６あるいは浮上スライ
ダ１０９の被集光面１０６ｂに形成したギャップ部３１
の下部に開口を有する遮光体を配置してもよく、その場
合のギャップ部３１および開口は、図３(ａ）〜(ｆ）に
示すものを用いてもよく、図４(ａ），(ｂ）に示すよう
な位置関係にしてもよく、図１０(ａ），(ｂ），(ｃ）
に示すように複数の磁気ギャップを形成してもよい。
【００７８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体レーザあるいは透明集光用媒体に光磁気薄膜トラ
ンスジューサを集積したので、光アシスト磁気記録を行
うことができるとともに、小型・軽量化が図れ、高転送
レート化が可能となる。また、半導体レーザのレーザ光
出力面、あるいは透明集光用媒体の被集光面に開口を有
する遮光体と、磁気ギャップを設けることにより、開口
および磁気ギャップの微小化により記録密度の向上が図
れる。
半導体レーザあるいは透明集光用媒体に光磁気薄膜トラ
ンスジューサを集積したので、光アシスト磁気記録を行
うことができるとともに、小型・軽量化が図れ、高転送
レート化が可能となる。また、半導体レーザのレーザ光
出力面、あるいは透明集光用媒体の被集光面に開口を有
する遮光体と、磁気ギャップを設けることにより、開口
および磁気ギャップの微小化により記録密度の向上が図
れる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、(ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面側の端面図、（ｃ）は上面図である。
関し、(ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面側の端面図、（ｃ）は上面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、(ａ）はレーザ光出力面側の端面図、(ｂ）は上面
図、(ｃ）は変形例を示す上面図である。
関し、(ａ）はレーザ光出力面側の端面図、(ｂ）は上面
図、(ｃ）は変形例を示す上面図である。
【図３】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施の形態に
係る光磁気素子の他の変形例を示す図である。
係る光磁気素子の他の変形例を示す図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は本発明の第３の実施の形態に
係る光磁気素子を示す図である。
係る光磁気素子を示す図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、レーザ光出力面を示す端面図、（ｂ）は上面図、
（ｃ）は側面方向から見た断面図である。
関し、レーザ光出力面を示す端面図、（ｂ）は上面図、
（ｃ）は側面方向から見た断面図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、(ａ）はレーザ光出力面を示す端面図、(ｂ）は上
面図である。
関し、(ａ）はレーザ光出力面を示す端面図、(ｂ）は上
面図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面を示す上面図である。
関し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面を示す上面図である。
【図８】(ａ），(ｂ）は第６の実施の形態の変形例を示
す図である。
す図である。
【図９】本発明の第７の実施の形態に係る光磁気素子に
関し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面を示す上面図、(ｃ）は変形例を示す図である。
関し、（ａ）は主要部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光
出力面を示す上面図、(ｃ）は変形例を示す図である。
【図１０】(ａ），(ｂ），(ｃ）は本発明の第８の実施
の形態に係る光磁気素子のギャップ部と開口を示す図で
ある。
の形態に係る光磁気素子のギャップ部と開口を示す図で
ある。
【図１１】本発明の第９の実施の形態に係る磁気ディス
ク装置を示す斜視図である。
ク装置を示す斜視図である。
【図１２】第９の実施の形態に係る光磁気ヘッドに関
し、(ａ）は側面図、(ｂ）は底面図である。
し、(ａ）は側面図、(ｂ）は底面図である。
【図１３】本発明の第１０の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドを示す図である。
ッドを示す図である。
【図１４】本発明の第１１の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドに関し、(ａ）は側面から見た断面図、（ｂ）は底
面図、（ｃ）は底面の拡大図である。
ッドに関し、(ａ）は側面から見た断面図、（ｂ）は底
面図、（ｃ）は底面の拡大図である。
【図１５】第１１の実施の形態に係る薄膜磁気トランス
デューサの製造方法の一例を示し、(ａ）は側面から見
た断面図、(ｂ）は正面から見た断面図である。
デューサの製造方法の一例を示し、(ａ）は側面から見
た断面図、(ｂ）は正面から見た断面図である。
【図１６】本発明の第１２の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドを示す図である。
ッドを示す図である。
【図１７】本発明の第１３の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドを示す図である。
ッドを示す図である。
【図１８】本発明の第１４の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要図を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
ッドを示し、（ａ）はその主要図を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
【図１９】本発明の第１５の実施の形態に係る光磁気ヘ
ッドを示し、（ａ）はその主要図を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
ッドを示し、（ａ）はその主要図を示す断面図、（ｂ）
は底面図である。
【図２０】従来の光磁気ヘッドを示す図である。
１ 光磁気素子 ２ 半導体レーザ部 ２ａ，２ｂ，２ｃ レーザビーム ３ 半導体基板 ４ クラッド層 ５ 活性層 ６ 電流狭窄層 ７ キャップ層 ８ ｎ型電極 ９ ｐ型電極 １０ レーザ出力光 １１ 共振器用多層膜 １２ 遮光体 １３ 開口 １４ 微小金属体 １５ 発振領域 ２０ 薄膜磁気トランスジューサ ２１ コイル部 ２２ 絶縁膜 ２３ 絶縁膜 ２４ 磁気コア ２５ コイル ２６ 絶縁膜 ２７ ヨーク ２８ 配線 ２９ 電極パッド ３０ 磁気回路 ３１ ギャップ部 ３２ 磁極部 ３２Ａ 下磁極部 ３２Ｂ 上磁極部 ３３ 磁極先端部 ３４ 磁気ギャップ ３６ 絶縁膜 ３８ 絶縁膜 ４１ 凹部 ５０ 磁気ディスク装置 ５１ 磁気ディスク ５１ａ 磁気記録媒体 ５１ｂ 基板 ５２ モータ ５３ スイングアーム ５４ リニアモータ ５５ 回転軸 ５６ 制御回路 ５７ 信号処理回路 ６０ 光磁気ヘッド ６１ 浮上スライダ ６１ａ 傾斜面 ６１ｂ 凸部 ６１ｃ 凹部 ６２ 浮上スライダ後端面 ６３ 接着剤 ６４ 磁気ディスク ６６ 出射面 ７０ ＧＭＲ磁気センサ ７１ 磁気遮蔽層 ７２ 電極 ７３ スピンバルブ膜 ７４，７５ 絶縁膜 ８０ 記録トラック １００ 光磁気ヘッド １０２ 半導体レーザ １０３ コリメータレンズ １０４ ミラー １０５ 対物レンズ １０６ 透明集光用媒体 １０６ａ 入射面 １０６ｂ 被集光面 １０６ｃ 反射面 １０７ 光スポット １０９ 浮上スライダ １１５ 凹部 １１６ 凸部 ＧＬ ギャップ長 ＧＷ ギャップ幅 Ｌ 開口の長さ Ｗ 開口の幅
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１ Ｇ１１Ｂ 11/105 ５５１Ａ ５６１ ５６１Ａ ５７１ ５７１Ｚ Ｈ０１Ｓ 5/026 Ｈ０１Ｓ 5/026 5/183 5/183 Ｆターム(参考） 5D033 BA07 BA32 BB01 BB43 5D075 AA03 CC04 CD01 CD06 CF03 5D091 AA08 CC18 CC24 DD03 HH20 5D119 AA11 AA22 BA01 BB05 CA06 DA01 DA05 FA05 FA21 FA35 JA64 MA06 5F073 AA21 AB12 AB17 AB21 BA09
Claims (55)
- 【請求項１】レーザ光出力面からレーザ光を出射する半
導体レーザと、 前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サとを備えたことを特徴とする光磁気素子。 - 【請求項２】前記薄膜磁気トランスデューサは、磁気ギ
ャップを有する磁気回路と、前記磁気回路を構成するコ
アに巻回されたコイルとを備えた構成の請求項１記載の
光磁気素子。 - 【請求項３】前記磁気ギャップは、前記レーザ光出力面
のレーザ光出射位置に形成された構成の請求項２記載の
光磁気素子。 - 【請求項４】前記磁気ギャップは、前記レーザ光出力面
における前記レーザ光のサイズより小さいギャップ長を
有する構成の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項５】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記レ
ーザ光出力面上に複数の前記磁気ギャップを有する構成
の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項６】前記コイルは、前記コアに円筒状に巻回さ
れた構成の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項７】前記コイルは、前記コアに円盤状に巻回さ
れた構成の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項８】前記半導体レーザは、端面発光型半導体レ
ーザであり、 前記磁気ギャップは、前記端面発光型半導体レーザの前
記レーザ光出力面上に形成され、 前記コイルは、前記端面発光型半導体レーザの陽電極上
に形成された構成の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項９】前記半導体レーザは、端面発光型半導体レ
ーザであり、 前記磁気ギャップおよび前記コイルは、前記端面発光型
半導体レーザの前記レーザ光出射面上に形成された構成
の請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項１０】前記半導体レーザは、面発光型半導体レ
ーザであり、 前記磁気ギャップおよび前記コイルは、前記面発光型半
導体レーザの前記レーザ光出力面上に形成された構成の
請求項２記載の光磁気素子。 - 【請求項１１】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
レーザ光出力面上に光軸を中心として形成されたコイル
を備えた構成の請求項１記載の光磁気素子。 - 【請求項１２】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
コイルの内側に配置され、前記レーザ光出力面のレーザ
光出射位置に前記レーザ光出力面における前記レーザ光
のサイズより小さいサイズの開口を有する遮光体を備え
た構成の請求項１１記載の光磁気素子。 - 【請求項１３】前記遮光体は、高透磁率の材料からなる
構成の請求項１２記載の光磁気素子。 - 【請求項１４】前記半導体レーザは、面発光型半導体レ
ーザであり、 前記遮光体は、前記面発光型半導体レーザの前記レーザ
光出力面側に設けられる電極を兼ねた構成の請求項１２
記載の光磁気素子。 - 【請求項１５】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、 前記レーザ光出力面のレーザ光出射位置に開口を有する
遮光体と、 前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有し、前記半導
体レーザに集積された薄膜磁気トランスデューサとを備
えたことを特徴とする光磁気素子。 - 【請求項１６】前記磁気ギャップは、前記レーザ光出力
位置の前記レーザ光出射位置に形成された構成の請求項
１５記載の光磁気素子。 - 【請求項１７】前記半導体レーザは、面発光型半導体レ
ーザであり、 前記遮光体は、前記面発光型半導体レーザの前記レーザ
光出力面側に設けられる電極を兼ねた構成の請求項１５
記載の光磁気素子。 - 【請求項１８】前記開口は、ギャップ幅方向の長さが前
記磁気ギャップのギャップ幅より小さい構成の請求項１
５記載の光磁気素子。 - 【請求項１９】前記開口は、前記磁気ギャップを介して
対向配置された一対の磁極のうち一方の磁極側に形成さ
れた構成の請求項１５記載の光磁気素子。 - 【請求項２０】前記遮光体は、前記開口内に前記開口よ
り小さいサイズを有する微小金属体を備えた構成の請求
項１５記載の光磁気素子。 - 【請求項２１】前記遮光体は、前記磁気ギャップを介し
て対向配置された一対の磁極とほぼ同一面となるように
前記一対の磁極の周囲に形成された構成の請求項１５記
載の光磁気素子。 - 【請求項２２】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、 前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トランスデュー
サおよび磁気抵抗センサとを備えたことを特徴とする光
磁気素子。 - 【請求項２３】前記磁気抵抗センサは、前記半導体レー
ザに熱抵抗膜を介して集積され、 前記薄膜磁気トランズジューサは、前記磁気抵抗センサ
に集積された構成の請求項２２記載の光磁気素子。 - 【請求項２４】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
半導体レーザに集積され、 前記磁気抵抗センサは、前記薄膜磁気トランスデューサ
に集積された構成の請求項２２記載の光磁気素子。 - 【請求項２５】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップ
を有し、前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トラン
スデューサとを具備する光磁気素子と、 前記光磁気素子を保持して記録媒体上を相対的に所定の
方向に浮上走行する浮上スライダとを備えたことを特徴
とする光磁気ヘッド。 - 【請求項２６】前記磁気ギャップは、前記所定の方向に
対して垂直方向に形成された構成の請求項２５記載の光
磁気ヘッド。 - 【請求項２７】前記磁気ギャップは、前記所定の方向に
対して平行方向に形成された構成の請求項２５記載の光
磁気ヘッド。 - 【請求項２８】前記開口は、前記磁気ギャップより前記
所定の方向側に配置された構成の請求項２５記載の光磁
気ヘッド。 - 【請求項２９】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、前記レーザ光出力面のレーザ光出射位
置に開口を有する遮光体と、前記レーザ光出力面上に磁
気ギャップを有し、前記半導体レーザに集積された薄膜
磁気トランスデューサとを具備する光磁気素子と、 前記光磁気素子を保持して記録媒体上を相対的に所定の
方向に浮上走行する浮上スライダとを備えたことを特徴
とする光磁気ヘッド。 - 【請求項３０】前記磁気ギャップは、前記所定の方向に
対して平行方向に形成され、 前記開口は、前記所定の方向に沿って長い長方形を有
し、前記磁気ギャップより前記所定の方向側に配置され
た構成の請求項２９記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３１】前記磁気ギャップは、前記所定の方向に
対して垂直方向に形成され、 前記開口は、前記所定の方向に沿って長い長方形を有
し、前記磁気ギャップより前記所定の方向側であって、
前記磁気ギャップを介して対向配置された一対の磁極の
うち一方の磁極側に寄せて配置された構成の請求項２９
記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３２】レーザ光を出射する半導体レーザと、 前記半導体レーザからの前記レーザ光が入射する入射
面、および前記入射面に入射した前記レーザ光が集光さ
れて光スポットが形成される被集光面を有する透明集光
用媒体と、 前記被集光面上に集積され、磁気ギャップを有する磁気
回路と、前記磁気回路を構成するコアに巻回されたコイ
ルとを具備する薄膜磁気トランスデューサとを備えたこ
とを特徴とする光磁気ヘッド。 - 【請求項３３】前記磁気ギャップは、前記被集光面の前
記光スポットの形成位置に形成された構成の請求項３２
記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３４】前記磁気ギャップは、前記光スポットの
サイズより小さいギャップ長を有する構成の請求項３２
記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３５】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
被集光面上に複数の前記磁気ギャップを有する構成の請
求項３２記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３６】前記コイルは、前記コアに円筒状に巻回
された構成の請求項３２記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３７】前記コイルは、前記コアに円盤状に巻回
された構成の請求項３２記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３８】前記透明集光用媒体は、半球面状のソリ
ッドイマージョンレンズあるいは裁底球状のスーパーソ
リッドイマージョンレンズからなる構成の請求項３２記
載の光磁気ヘッド。 - 【請求項３９】前記透明集光用媒体は、前記入射面に入
射した前記レーザ光を反射して前記被集光面上に前記光
スポットを形成させる反射面を有する構成の請求項３２
記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４０】前記反射面は、回転放物面の一部から構
成された請求項３９記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４１】前記反射面は、平面から構成され、前記
平面の表面に反射型ホログラムを備える構成の請求項３
９記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４２】前記透明集光用媒体は、ほぼ同一の屈折
率を有する第１の透明媒体と第２の透明媒体から構成さ
れ、 前記第１の透明媒体は、前記入射面を有し、 前記第２の透明媒体は、前記被集光面を有し、記録媒体
上を浮上走行する浮上スライダである構成の請求項３２
記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４３】レーザ光を出射する半導体レーザと、 前記半導体レーザからの前記レーザ光が入射する入射
面、および前記入射面に入射した前記レーザ光が集光さ
れて光スポットが形成される被集光面を有する透明集光
用媒体と、 前記被集光面の前記光スポットが形成される位置に前記
光スポットより小さいサイズの開口を有する遮光体と、 前記被集光面上に集積され、磁気ギャップを有する薄膜
磁気トランスデューサとを備えたことを特徴とする光磁
気ヘッド。 - 【請求項４４】前記磁気ギャップは、前記被集光面上の
前記光スポットの形成位置に形成された構成の請求項４
３記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４５】前記開口は、ギャップ幅方向の長さが前
記磁気ギャップのギャップは場より小さい構成の請求項
４３記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４６】前記開口は、前記磁気ギャップを介して
対向は位置された一対の磁極のうち一方の磁極側に形成
された構成の請求項４３記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４７】前記遮光体は、前記開口内に前記開口よ
り小さいサイズを有する微小金属体を備えた構成の請求
項４３記載の光磁気ヘッド。 - 【請求項４８】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、前記半導体レーザに集積された薄膜磁
気トランスデューサおよび磁気抵抗センサとを具備する
光磁気素子と、 前記光磁気素子を保持して記録媒体上を浮上走行する浮
上スライダとを備えたことを特徴とする光磁気ヘッド。 - 【請求項４９】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、前記レーザ光出力面のレーザ光出射位
置に開口を有する遮光体と、前記半導体レーザに集積さ
れ、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップを有する薄膜
磁気トランスデューサ、および磁気抵抗センサとを具備
する光磁気素子と、 前記光磁気素子を保持して記録媒体上を相対的に所定の
方向に浮上走行する浮上スライダとを備えたことを特徴
とする光磁気ヘッド。 - 【請求項５０】前記磁気抵抗センサは、前記半導体レー
ザに熱抵抗膜を介して集積され、 前記薄膜磁気トランズジューサは、前記磁気抵抗センサ
に集積された構成の請求項４８または４９記載の光磁気
ヘッド。 - 【請求項５１】前記薄膜磁気トランスデューサは、前記
半導体レーザに集積され、 前記磁気抵抗センサは、前記薄膜磁気トランスデューサ
に集積された構成の請求項４８または４９記載の光磁気
ヘッド。 - 【請求項５２】レーザ光出力面からレーザ光を出射する
半導体レーザと、前記レーザ光出力面上に磁気ギャップ
を有し、前記半導体レーザに集積された薄膜磁気トラン
スデューサとを具備する光磁気素子と、 記録媒体が表面に形成されたディスクと、 前記光磁気素子を保持して前記記録媒体上を浮上走行す
る浮上スライダと、 前記浮上スライダを前記ディスクに対して相対的に移動
させる移動手段とを備えたことを特徴とする磁気ディス
ク装置。 - 【請求項５３】レーザ光を出射する半導体レーザと、前
記半導体レーザからの前記レーザ光が入射する入射面、
および前記入射面に入射した前記レーザ光が集光されて
光スポットが形成される被集光面を有する透明集光用媒
体と、前記被集光面上に集積され、磁気ギャップを有す
る薄膜磁気トランスデューサとを具備する光磁気素子
と、 記録媒体が表面に形成されたディスクと、 前記光磁気素子を保持して前記記録媒体上を浮上走行す
る浮上スライダと、 前記浮上スライダを前記ディスクに対して相対的に移動
させる移動手段とを備えたことを特徴とする磁気ディス
ク装置。 - 【請求項５４】前記半導体レーザは、前記記録媒体への
記録時に、パルス的に前記レーザ光を出射する構成の請
求項５２または５３記載の磁気ディスク装置。 - 【請求項５５】前記半導体レーザは、前記記録媒体から
の再生時に、連続的あるいはパルス的に前記レーザ光を
出射する構成の請求項５２または５３記載の磁気ディス
ク装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000268296A JP4019615B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-09-05 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
| US09/777,674 US6876604B2 (en) | 2000-03-10 | 2001-02-07 | Optically assisted magnetic recording device, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device |
| US11/038,539 US7492673B2 (en) | 2000-03-10 | 2005-01-21 | Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device |
| US12/318,240 US7924659B2 (en) | 2000-03-10 | 2008-12-23 | Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device |
| US12/318,213 US7663981B2 (en) | 2000-03-10 | 2008-12-23 | Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device |
| US12/318,239 US7894309B2 (en) | 2000-03-10 | 2008-12-23 | Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000066854 | 2000-03-10 | ||
| JP2000-66854 | 2000-03-10 | ||
| JP2000268296A JP4019615B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-09-05 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001325756A true JP2001325756A (ja) | 2001-11-22 |
| JP2001325756A5 JP2001325756A5 (ja) | 2006-12-21 |
| JP4019615B2 JP4019615B2 (ja) | 2007-12-12 |
Family
ID=26587203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000268296A Expired - Fee Related JP4019615B2 (ja) | 2000-03-10 | 2000-09-05 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US6876604B2 (ja) |
| JP (1) | JP4019615B2 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7327639B2 (en) | 2002-03-30 | 2008-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hybrid writing and reading head to record data with high density |
| JP2010519664A (ja) * | 2007-02-17 | 2010-06-03 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場光ヘッド及び情報記録再生装置 |
| US7804655B2 (en) | 2006-08-21 | 2010-09-28 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head |
| US7876646B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-01-25 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7940486B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-05-10 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7957085B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-06-07 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7974043B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head |
| WO2011111755A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置 |
| US8077556B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-12-13 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| JP2012064261A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Seiko Instruments Inc | 記録ヘッド及び情報記録再生装置 |
| US8179747B1 (en) | 2011-02-28 | 2012-05-15 | Rohm Co., Ltd. | Thermally assisted magnetic head |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4019615B2 (ja) | 2000-03-10 | 2007-12-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
| JP2004103130A (ja) * | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体 |
| WO2004032118A1 (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-15 | Seagate Technology Llc | Planar waveguide for heat assisted magnetic recording |
| KR20060088878A (ko) * | 2003-09-22 | 2006-08-07 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광자기 기록 장치용 기록 헤드 및 이를 구비한 광자기 기록장치 |
| JPWO2007023567A1 (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-26 | 富士通株式会社 | 情報記録装置およびヘッド |
| JP4967463B2 (ja) * | 2006-06-06 | 2012-07-04 | 富士ゼロックス株式会社 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| US7609480B2 (en) * | 2006-06-30 | 2009-10-27 | Seagate Technology Llc | Heat-assisted magnetic recording head |
| US7643248B2 (en) * | 2006-06-30 | 2010-01-05 | Seagate Technology Llc | Optoelectronic emitter mounted on a slider |
| JP2008059696A (ja) * | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Tdk Corp | 熱アシスト磁気ヘッド |
| US7791839B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-09-07 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thermally-assisted perpendicular magnetic recording system with write pole surrounding an optical channel and having recessed pole tip |
| JP2009076166A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-09 | Sony Corp | 光アシスト型磁気ヘッド装置、光アシスト型磁気記録装置及び光アシスト磁気記録方法 |
| JO2913B1 (en) * | 2008-02-20 | 2015-09-15 | امجين إنك, | Antibodies directed towards angiopoietin-1 and angiopoietin-2 proteins and their uses |
| FR2928486B1 (fr) * | 2008-03-07 | 2011-08-19 | Commissariat Energie Atomique | Structure de stockage optique a haute densite |
| US8259539B1 (en) | 2008-12-17 | 2012-09-04 | Western Digital (Fremont), Llc | Integration of a vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) on an energy-assisted magnetic recording (EAMR) head |
| US8518279B1 (en) | 2010-11-15 | 2013-08-27 | Western Digital (Fremont), Llc | Method and system for providing a laser cavity for an energy assisted magnetic recording head |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3679648D1 (de) * | 1985-12-10 | 1991-07-11 | Nec Corp | Optischer kopf mit einem beugungsgitter zum richten von zwei oder mehreren gebeugten lichtstrahlen auf optische detektoren. |
| US4832456A (en) * | 1986-03-04 | 1989-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal disc memory with circular grooves for auto-focusing of write-in beam |
| US5244751A (en) * | 1988-03-11 | 1993-09-14 | Hitachi, Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it |
| US5065390A (en) * | 1988-04-22 | 1991-11-12 | Sony Corporation | Optical playback head |
| DE69127902D1 (de) * | 1990-08-10 | 1997-11-13 | Minnesota Mining & Mfg | Direkt überschreibbares thermomagnetisches speichersystem mit hoher speicherdichte |
| US5402293A (en) * | 1990-12-27 | 1995-03-28 | Sony Electronics Inc. | Magneto-optical head having a thin film coil recessed into a magnetic substrate |
| US5349592A (en) * | 1992-02-27 | 1994-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Super-resolution optical element for use in image forming apparatus |
| US5199090A (en) * | 1992-03-06 | 1993-03-30 | Hewlett-Packard Company | Flying magnetooptical read/write head employing an optical integrated circuit waveguide |
| JPH06301914A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Canon Inc | 磁気ヘッド用コイルの巻回方法および磁気ヘッド |
| FR2705488B1 (fr) * | 1993-05-14 | 1995-06-23 | Commissariat Energie Atomique | Tête magnétique d'écriture pour enregistrement magnéto-optique. |
| JP3226065B2 (ja) * | 1993-06-28 | 2001-11-05 | キヤノン株式会社 | 単一波長半導体レーザ |
| US5423919A (en) * | 1993-12-10 | 1995-06-13 | Grow Group, Inc. | Method of cleaning tubes or conduits |
| US5497359A (en) * | 1994-08-30 | 1996-03-05 | National Business Machines Corporation | Optical disk data storage system with radiation-transparent air-bearing slider |
| KR100230242B1 (ko) * | 1994-12-26 | 1999-11-15 | 윤종용 | 고밀도 광기록방법 및 그 장치 |
| US5737296A (en) * | 1996-01-23 | 1998-04-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Focus and tracking error detection by using plus and minus first order diffracted light |
| JPH10112036A (ja) * | 1996-10-07 | 1998-04-28 | Hitachi Maxell Ltd | 記録再生装置 |
| US6009051A (en) * | 1996-10-14 | 1999-12-28 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic head device |
| US5886959A (en) * | 1997-04-18 | 1999-03-23 | Read-Rite Corporation | Thin-film electro-magnetic coil design for use in a flying magneto-optical head |
| US6775100B1 (en) * | 1997-05-05 | 2004-08-10 | Seagate Technology Llc | Laser assisted track width definition and radial control with magnetic recording |
| JPH1196608A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-09 | Sharp Corp | 熱磁気記録再生ヘッド、および熱磁気記録再生装置、ならびに熱磁気記録媒体 |
| US6922376B1 (en) * | 1997-10-17 | 2005-07-26 | Sony Corportion | Sil magneto-optic transducer having thin film magnetic coil and holded magnetic core |
| US6130863A (en) * | 1997-11-06 | 2000-10-10 | Read-Rite Corporation | Slider and electro-magnetic coil assembly |
| KR100508418B1 (ko) * | 1997-11-06 | 2005-11-24 | 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤 | 광헤드및광디스크장치 |
| US5986978A (en) * | 1998-01-12 | 1999-11-16 | Read-Rite Corporation | Read/write head and method for magnetic reading and magneto-optical writing on a data storage medium |
| JPH11273362A (ja) | 1998-03-18 | 1999-10-08 | Sharp Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| US6154326A (en) * | 1998-03-19 | 2000-11-28 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Optical head, disk apparatus, method for manufacturing optical head, and optical element |
| US6706358B1 (en) * | 1998-04-09 | 2004-03-16 | Seagate Technology Llc | Storage disk comprising depressions and /or raised features |
| JP3426962B2 (ja) * | 1998-05-19 | 2003-07-14 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
| JP2000011417A (ja) * | 1998-06-26 | 2000-01-14 | Toshiba Corp | 半導体レーザアレイ及びその製造方法、光集積ユニット、光ピックアップ並びに光ディスク駆動装置 |
| US6455174B1 (en) * | 1998-11-05 | 2002-09-24 | Hitachi Maxell, Ltd. | Magnetic recording medium, recording and reproducing head, and magnetic recording and reproducing method |
| US6016290A (en) * | 1999-02-12 | 2000-01-18 | Read-Rite Corporation | Read/write head with shifted waveguide |
| JP3692832B2 (ja) * | 1999-05-21 | 2005-09-07 | 富士ゼロックス株式会社 | 記録再生ヘッドおよび記録再生ディスク装置 |
| JP3677423B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2005-08-03 | 株式会社東芝 | 熱アシスト磁気記録方法及び熱アシスト磁気記録装置 |
| JP4019615B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-12-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
| JP2001319365A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法 |
-
2000
- 2000-09-05 JP JP2000268296A patent/JP4019615B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-02-07 US US09/777,674 patent/US6876604B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-01-21 US US11/038,539 patent/US7492673B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-12-23 US US12/318,239 patent/US7894309B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 US US12/318,240 patent/US7924659B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-12-23 US US12/318,213 patent/US7663981B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7327639B2 (en) | 2002-03-30 | 2008-02-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Hybrid writing and reading head to record data with high density |
| US7804655B2 (en) | 2006-08-21 | 2010-09-28 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head |
| US7940486B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-05-10 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7957085B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-06-07 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| US7974043B2 (en) | 2006-08-31 | 2011-07-05 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head |
| US7876646B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-01-25 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| JP2010519664A (ja) * | 2007-02-17 | 2010-06-03 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場光ヘッド及び情報記録再生装置 |
| US8077556B2 (en) | 2007-02-26 | 2011-12-13 | Tdk Corporation | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive |
| WO2011111755A1 (ja) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置 |
| JP5854403B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2016-02-09 | セイコーインスツル株式会社 | 近接場光ヘッド、近接場光ヘッドの製造方法および情報記録再生装置 |
| JP2012064261A (ja) * | 2010-09-14 | 2012-03-29 | Seiko Instruments Inc | 記録ヘッド及び情報記録再生装置 |
| US8179747B1 (en) | 2011-02-28 | 2012-05-15 | Rohm Co., Ltd. | Thermally assisted magnetic head |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6876604B2 (en) | 2005-04-05 |
| US7924659B2 (en) | 2011-04-12 |
| US20010021211A1 (en) | 2001-09-13 |
| US20050122849A1 (en) | 2005-06-09 |
| US7663981B2 (en) | 2010-02-16 |
| US20090122659A1 (en) | 2009-05-14 |
| US20090129213A1 (en) | 2009-05-21 |
| JP4019615B2 (ja) | 2007-12-12 |
| US20090129212A1 (en) | 2009-05-21 |
| US7894309B2 (en) | 2011-02-22 |
| US7492673B2 (en) | 2009-02-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7894309B2 (en) | Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device | |
| JP4049196B2 (ja) | 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置 | |
| JP4100133B2 (ja) | 記録ヘッドおよびそれを用いた情報記録装置 | |
| JP2003045004A (ja) | 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置 | |
| JP6041419B2 (ja) | 熱アシスト記録（ｔａｒ）ディスクドライブ用のヘッド構造 | |
| JP4705165B2 (ja) | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 | |
| JP2001319365A (ja) | 浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法 | |
| JP2003006803A (ja) | 光磁気ヘッドおよび光磁気ディスク装置 | |
| US6762977B1 (en) | Laser assisted magnetic recording apparatus and method | |
| JP3948318B2 (ja) | 光アシスト磁気記録ヘッドおよび光アシスト磁気記録ディスク装置 | |
| US6809908B1 (en) | Light induction type thin film magnetic head | |
| JP4004978B2 (ja) | 情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置 | |
| WO2008035645A1 (fr) | Élément d'enregistrement de lumière en champ proche, tête employant une lumière en champ proche et dispositif d'enregistrement/de reproduction d'information | |
| US20090080295A1 (en) | Light-assisted magnetic head apparatus, light-assisted magnetic recording apparatus, and light-assisted magnetic recording method | |
| JP2001326420A (ja) | 半導体レーザ、浮上ヘッドおよびディスク装置 | |
| JP2003203304A (ja) | 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置 | |
| JP2001236685A (ja) | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 | |
| US6700838B1 (en) | Planar coil structure for magneto-optical head | |
| JP2003228802A (ja) | 光アシスト磁気記録ヘッドおよび光アシスト磁気記録ディスク装置 | |
| US20060114756A1 (en) | Light-assisted type magnetic recording head, magnetic recording apparatus and laser-assisted type magnetic recording head manufacturing method | |
| JP4099943B2 (ja) | 光ヘッド、光磁気ヘッド、ディスク装置、および光ヘッドの製造方法 | |
| JP2577726B2 (ja) | 光磁気ヘツド | |
| JP3898098B2 (ja) | 磁気検出装置およびこれを備えた磁気再生装置 | |
| JP2000285542A (ja) | 光磁気ヘッド | |
| JP4312727B2 (ja) | 複合ヘッド及びそれを備えた磁気記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040521 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061106 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061205 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070205 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070327 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070525 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070807 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070904 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070917 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101005 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111005 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121005 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131005 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |