JP2003045004A

JP2003045004A - 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2003045004A
Application number: JP2001227475A
Authority: JP
Inventors: Kiichi Kamiyanagi; 喜一上柳
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2001-07-27
Filing date: 2001-07-27
Publication date: 2003-02-14

Abstract

(57)【要約】【課題】高密度記録が可能で、光利用効率および信頼
性を向上させた光アシスト磁気ヘッドおよび光アシスト
磁気ディスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】この光アシスト磁気ヘッド１は、浮上ス
ライダ２の後端面２ａに、半導体レーザからのレーザ光
を出射する光導波路５と、磁気抵抗センサ３と、薄膜磁
気トランスデューサ４とを集積し、光導波路５の出射端
５ｃに近接場光を微小化するための開口１１ａを有する
金属膜１１を配置している。微小化された近接場光によ
り、磁気記録層６ａの加熱部分の微小化が可能となり、
その加熱により抗磁力の低下した部分のみ磁極３４ａ，
４０ａからの漏れ磁界により記録することができ、高密
度の光アシスト磁気記録が可能となり、磁気抵抗センサ
３による信号再生が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光アシスト磁気ヘ
ッド及び磁気ディスク装置に関し、特に、高密度記録が
可能で、光利用効率および信頼性を向上させた光アシス
ト磁気ヘッド及び磁気ディスク装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハード磁気記録装置（ＨＤＤ）の
記録密度は年率１００％で増大しており、実験段階で
は、６０Ｇｂｐｓｉを超えるに至っている。しかし、超
常磁性効果や、磁気ヘッドのギャップ幅の狭窄の難しさ
から、そろそろ従来型のＨＤＤの記録密度の限界が見
え、１００〜３００Ｇｂｐｓｉが限界と言われている。
また、その限界を超えるものとして、光アシスト磁気記
録が期待されている。

【０００３】ここで、超常磁性効果とは、特に隣接磁区
の形成する磁界により対象磁区の磁化が乱されて記録情
報が失われていく現象である。これを防ぐには、磁化の
大きな磁気媒体を使用することが一つの手段であるが、
通常の磁気ヘッドでは記録できなくなる。それを解決す
る手段として、光アシスト磁気記録が提案されている。
これは、レーザ光の照射により記録媒体をキュリー温度
付近まで加熱してその磁化を下げたところで記録する方
法である。

【０００４】この光アシスト磁気記録においては、レー
ザ光によって加熱された所だけが記録されるため、レー
ザ光のスポット径を小さくすることにより、磁気ギャッ
プの幅よりも狭い幅の記録が可能となるため、高記録密
度化に好適である。１００Ｇｂｐｓｉ以上の記録密度を
達成するためには、トラック幅を０．１μｍ以下にする
必要がある。このサイズの光スポットを得るためには、
近接場光の利用が必須となる。この方法を用いた従来の
光アシスト磁気記録・再生ヘッドとして、例えば、磁気
ヘッドに光導波路を集積したものが知られている（Ｔｅ
ｃｈ‐Ｄｉｇ．ＯｐｔｉｃａｌＤａｔａｓｔｏｒａｇ
ｅ２０００，ＰＤ−２３（２０００））。

【０００５】図１１は、その従来の光磁気ヘッドを示
す。この光アシスト磁気ヘッド１は、浮上スライダ２の
後端面２ａに、光導波路５と、再生用に磁気抵抗効果を
用いた磁気抵抗センサすなわちＧＭＲ（Giant-magnetor
esistive）センサ３と、薄膜磁気トランスデューサ４を
順に積層したものであり、光導波路５中に光導波路レン
ズを形成して導波路出射端５ｃでの光スポットを微細化
することにより高密度化を目指している。この方式で
は、光導波路５の出射端５ｃから出射される近接場光７
ａにより磁気ディスク６の基板６ｂ上に形成された磁気
記録層６ａを加熱した後、薄膜磁気トランスデューサ４
の漏れ磁界により記録するものである。なお、２ｂは、
エアベアリング面であり、磁気記録層６ａ上を浮上走行
する。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光アシ
スト磁気ヘッドによると、光導波路５と薄膜磁気トラン
スデューサ４との間にＧＭＲセンサ３を配置した構成で
あるので、光導波路５の出射端５ｃと薄膜磁気トランス
デューサ４の磁気ギャップの位置が離れているため、光
導波路５の出射端５ｃから出射される近接場光７ａによ
り磁気ディスクの磁気記録層６ａを加熱した後、かなり
遅れて薄膜磁気トランスデューサ４の磁気ギャップ部の
磁界により記録することから、その間の熱拡散により加
熱部が冷え、レーザ光の利用効率が悪くなるという問題
がある。

【０００７】また、熱勾配もなだらかになるため、記録
部が広がりやすいという問題がある。さらに、レーザ光
によってＧＭＲセンサ３が加熱されやすく、ＧＭＲセン
サ３の感度が熱揺らぎの影響を受け、再生出力が不安
定、あるいは比較的熱に弱いＧＭＲセンサ３が劣化する
という問題がある。

【０００８】また、この光アシスト磁気ヘッドは、光導
波路内のレンズにより固体浸（ソリッドイマージョン）
型の集光を行っているが、この集光方法では、コアの屈
折率の分だけ小さな光スポットが形成できる。しかし、
せいぜい大気中の光スポット径の２分の１程度であり、
青色レーザ（波長４０５ｎｍ）を用いても０．２μｍ程
度が限界であり、高密度に記録するには限界がある。

【０００９】また、この光アシスト磁気ヘッドでは、光
導波路にどのようにレーザ光を導入するかが提案されて
いない。通常、レーザと光導波路とのカップリング効率
は悪く、それを高めるにはサイズの大きな光学素子が必
要となるため、特別の工夫が必要となるとともに、ヘッ
ドの高さが高くなると、全体の体積記録密度が低下する
という問題がある。ＨＤＤのような非可換ディスクで
は、体積記録密度は重要な尺度であり、これが低下する
ことは致命的となる。

【００１０】従って、本発明の目的は、高密度記録が可
能で、光利用効率および信頼性を向上させた光アシスト
磁気ヘッドおよび光アシスト磁気ディスク装置を提供す
ることにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、記録媒体を有するディスクの回転によっ
て浮上走行する浮上スライダと、前記浮上スライダに設
けられ、半導体レーザからのレーザ光を出射端から出射
する光導波路と、前記半導体レーザからの前記レーザ光
により前記光導波路の前記出射端に形成された近接場光
を微小化して前記記録媒体に出射し、前記記録媒体を加
熱する近接場光微小化手段と、前記浮上スライダに設け
られ、前記近接場光微小化手段によって加熱された前記
記録媒体の部分に情報を記録する薄膜磁気トランスデュ
ーサとを備えたことを特徴とする光アシスト磁気ヘッド
を提供する。この構成により、光導波路の出射端に近接
場光微小化手段を設けることにより、近接場光を微小化
でき、記録媒体の加熱領域が小さくなる。光導波路の出
射端から効率良く近接場光が出射されるので、低レーザ
光強度で記録できる。

【００１２】本発明は、上記目的を達成するために、記
録媒体を有するディスクの回転によって浮上走行する浮
上スライダと、前記浮上スライダに設けられ、半導体レ
ーザからのレーザ光を出射端から前記記録媒体に出射し
て前記記録媒体を加熱する光導波路と、前記浮上スライ
ダに設けられ、前記レーザ光によって加熱された前記記
録媒体の部分に磁気ギャップに形成された磁界によって
情報を記録する薄膜磁気トランスデューサとを備え、前
記磁気ギャップは、前記光導波路の前記出射端のレーザ
光出射位置あるいはその近傍に形成されていることを特
徴とする光アシスト磁気ヘッドを提供する。この構成に
より、近接場光の位置と薄膜磁気トランスデューサによ
り形成される磁界との距離は最短となる。そのため、近
接場光によって加熱されると同時又は直後に記録される
ため、熱拡散の影響は無視でき、レーザ光の利用効率を
高めることができる。また、加熱部が熱拡散により広が
らないため、記録部分を狭めることができ、高密度化が
可能となる。さらに、磁気抵抗センサの加熱を低減でき
るため、磁気抵抗センサの感度が熱の影響を受けず、高
信頼性でＳＮ比が高く、超寿命が可能となる。

【００１３】本発明は、前記目的を達成するために、記
録媒体を有して回転するディスクに対してスイングアー
ムにより光アシスト磁気ヘッドを走査して情報を記録す
る光アシスト磁気ディスク装置において、前記光アシス
ト磁気ヘッドは、前記ディスクの回転によって浮上走行
する浮上スライダと、前記浮上スライダに設けられ、半
導体レーザからのレーザ光を出射端から出射する光導波
路と、前記半導体レーザからの前記レーザ光により前記
光導波路の前記出射端に形成された近接場光を微小化し
て前記記録媒体に出射し、前記記録媒体を加熱する近接
場光微小化手段と、前記浮上スライダに設けられ、前記
近接場光微小化手段によって加熱された前記記録媒体の
部分に情報を記録する薄膜磁気トランスデューサとを備
えたことを特徴とする光アシスト磁気ディスク装置を提
供する。この構成により、小型、軽量、かつ、微小光ス
ポットの形成が可能な光アシスト磁気ヘッドが使用で
き、高密度の光アシスト磁気ディスク装置を提供するこ
とができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の
第１の実施の形態に係る光アシスト磁気ヘッドを示す。
同図（ａ）は、正面図、同図（ｂ）は、Ａ部における光
アシスト磁気ヘッド長手方向の断面図、同図（ｃ）は、
同図（ａ）中の矢印Ｒ方向から見た側面図、同図（ｄ）
は、底面図である。

【００１５】この光アシスト磁気ヘッド１は、同図
（ａ）に示すように、浮上スライダ２の後端面２ａに、
光導波路５と、磁気抵抗センサ３と、薄膜磁気トランス
デューサ４とを集積し、同図（ｂ）に示すように、光導
波路５の出射端５cに形成される近接場光のサイズを微
小化する矩形の開口１１aが形成された金属膜１１を配
置したものである。この光アシスト磁気ヘッド１は、浮
上スライダ２の凹部２ｃを有するエアベアリング面２ｂ
により、磁気ディスク６の基板６ｂ上に形成された磁気
記録層６ａ上を浮上走行して磁気記録層６ａに対して情
報を記録・再生するものである。なお、本明細書おい
て、浮上スライダ２の長手方向において浮上スライダ２
に近い方を下、遠い方を上とする。

【００１６】磁気抵抗センサ３は、ここでは通常のＧＭ
Ｒ（Giant-magnetoresistive）を用いており、同図
（ｂ）に示すように、スピンバルブ膜３０と、スピンバ
ルブ膜３０に接続された左右一対の電極３１ａ，３１ｂ
（ただし、同図（ｂ）において、電極３１ａは、電極３
１ｂと対称な位置にあるため見えていない）と、スピン
バルブ膜３０および電極３１ａ，３１ｂの両側に形成さ
れた絶縁膜３２ａ，３２ｂと、絶縁膜３２ａ，３２ｂを
挟むように形成された下部磁気シールド膜３３および上
部磁気シールド膜３４とを備え、スピンバルブ膜３０と
差交する、磁気記録層６ａからの磁界の強度を、スピン
バルブ膜３０の抵抗変化として検出するものである。な
お、上部磁気シールド膜３４は、薄膜磁気トランスデュ
ーサ４の下部ヨークを兼ねている。

【００１７】薄膜磁気トランスデューサ４は、同図
（ｂ）に示すように、上部磁極４０ａ，ヨーク部４０
ｂ，上部ヨーク接合部４０ｃからなる上部ヨーク４０を
備え、下部ヨーク接合部３４ｂと上部ヨーク接合部４０
ｃとを接合することにより、上部磁気シールド膜３４お
よび上部ヨーク４０からなる磁気回路４１を構成し、磁
気回路４１と差交するように薄膜コイル４２を巻回し、
下部磁極３４ａと上部磁極４０ａとの間に磁気ギャップ
４３を形成したものである。なお、同図（ｂ），（ｄ）
において、４５ａ，４５ｂは絶縁膜である。

【００１８】薄膜コイル４２の両端は、同図（ｃ）に示
すように、それぞれ引き出し部４２ａおよびパッド４２
ｂが形成されており、パッド４２ｂから供給された薄膜
コイル４２に流れる電流に比例して磁気ギャップ４３に
磁界４４が発生し、その磁界４４により磁気記録層６ａ
に記録を行う。なお、記録媒体として、遷移金属と希土
類金属からなるフェリ磁性体を使用する場合には、加熱
によって読み出し磁化の強度を上げることができ、その
場合には、再生時に照射による加熱の効果を利用するた
めに、磁気抵抗センサ３は、光アシスト磁気ヘッド１の
後側に形成するとよい。それによって、記録層６ａの加
熱された部分だけからの信号を再生できるため、記録感
度を上げられるのみならず、再生時の隣接トラックから
のクロストークを下げることができる。

【００１９】図２（ａ）から（ｅ）は、光導波路５の詳
細を示す。光導波路５は、ＳｉＮからなる誘電体膜５０
と、誘電体膜５０の上下に配置されたＡｇからなる金属
薄膜５１ａ，５１ｂとから構成される。

【００２０】図２（ａ）に示す光導波路５の誘電体膜５
０は、入射端５ａから数ミクロン幅で平行に形成されて
おり、磁気ギャップ４３に相当する部位から先細り形状
のテーパー部５ｂを有し、金属薄膜５１ａ，５１ｂも誘
電体膜５０と同様の形状を呈し、先端で３０ｎｍ幅を有
する。誘電体膜５０と金属薄膜５１ａ，５１ｂの厚さ
は、それぞれ５０ｎｍ、３０ｎｍである。また、上下の
金属薄膜５１ａ，５１ｂの形状を非対称にしてもよい。
これにより、光導波路中心に最大強度を有し、カットオ
フのモード（ＨＥ₁₁モード）７ｂの励起を抑えることが
でき、更にテーパー部５ｂの金属薄膜５１ａ，５１ｂの
幅を磁極３４ａ，４０ａの幅よりも狭くしているので、
光導波路５による磁気記録層６ａの加熱領域を磁気ギャ
ップ４３の幅よりも狭くすることができる。

【００２１】ここで、金属薄膜５１ａ，５１ｂの材質と
しては、Ａｇのほか、Ａｌなど導電性の高いものが、プ
ラズモン励起効率が高くて好ましいが、それらに限定さ
れるものではなく、パーマロイなどの磁極材料も可能で
ある。なお、この場合は、磁気回路用の金属膜のみで、
光導波路用の金属膜は不要にできる。ただし、この場
合、光導波路内に固体浸型のレンズを形成することによ
り、出射端での光スポット径を絞る必要がある。また、
近接場光のサイズよりも小さな開口やスリット、金属散
乱体、複数の金属散乱体で形成したギャップなどを設け
ることにより、近接場光の大きさを更に小さくすること
ができる。

【００２２】この構成により、光導波路５の入射端５ａ
から入射したレーザ光は、光導波路５内を伝播し、テー
パー部５ｂで集光され、出射端５ｃから近接場光７ａを
出射する。この際、光導波路５内では、図２（ｂ）に示
すように、金属薄膜５１ａ，５１ｂと誘電体膜５０の境
界部において、界面に最大強度を有する表面プラズモン
モード（ＨＥモード）７ｂが励起される。このモード
は、光導波路５の断面サイズに対してカットオフを持た
ないモードであり、光導波路５の幅および厚さを波長以
下に狭めても光導波路５内を効率よく伝播できる。

【００２３】なお、光導波路５は、フォトニック結晶に
より形成することにより、出射端５ｃにおいて、効率よ
く微小スポットを形成することが可能となる。

【００２４】図２（ｃ）に示す光導波路５は、光導波路
用の金属薄膜５１ｂを誘電体膜５０の片側にのみ形成し
たものである。この場合、近接場光７ａは磁気ギャップ
４３により接近させることができる。また、近接場光７
ａは金属薄膜５１ｂ側で最大強度となるのが好ましい。

【００２５】図２（ｄ）に示す光導波路５は、誘電体膜
５０をＬ字状にし、角部に平面ミラー５３を形成して入
射端５ａから入射するレーザ光を平面ミラー５３により
９０度曲げるようにしたものである。これにより、ヘッ
ド１側面からのレーザ光入射が可能となり、ヘッド１の
高さをその分小さくすることができる。

【００２６】図２（ｅ）に示す光導波路５は、図２
（ｄ）に示す平面ミラー５３の代わりに、集光性を有す
る非球面ミラー５４を被着形成したものである。図示し
ない半導体レーザからの平行ビーム７ｃは、非球面ミラ
ー５４によって反射され、集光点から近接場光７ａが出
力される。これにより、テーパー部５ｂ無しに集光する
ことができ、光利用効率を上げることが可能となる。

【００２７】しかし、上記の方式によって形成される出
射端５ｃでのスポット径は、せいぜい波長の２分の１程
度であり、それ以下に絞るには、金属遮光体で形成した
微小開口、ドーナツ型の開口や金属散乱体などを近接場
光の出力位置に設ける必要がある。

【００２８】図３（ａ）から（ｅ）は、微小開口やスリ
ットを有する微小金属体、金属散乱体、複数の金属散乱
体を光導波路５の出射端５ｃに配置した例を示す。

【００２９】図３（ａ）は、矩形の開口１１ａが形成さ
れた金属膜１１を示す。金属膜１１は、光導波路５の出
射端５ｃに配置することにより、近接場光の大きさを微
小化することができる。この場合、レーザ光の偏光方向
１２が矩形の短辺に平行となるようにレーザ光を入射す
ることにより、出射光を増大できるので、出射光の大き
さを大幅に狭めることができるため、出射効率を高め、
記録密度の増大が可能となる。

【００３０】図３（ｂ）は、金属片１１ｂを出射端５ｃ
に配したものである。このような金属片であっても近接
場光を形成することができる。

【００３１】図３（ｃ）は、台形状の金属膜１１ｃ、１
１ｃの上底を対向させて配したものである。この２枚の
金属膜１１ｃ、１１ｃを照射する収束光の偏光方向１２
を２枚の金属膜１１ｃ、１１ｃを横切るように配するこ
とにより、それぞれの金属膜１１ｃ、１１ｃで励起され
るプラズモンの位相が逆となり、両者がダイポールアン
テナとして働くため、更に近接場の発生効率を高めるこ
とができる。

【００３２】図３（ｄ）は、図３（ｃ）の金属膜の配置
を９０度ずらしたものであるが、図３（ｃ）と同様の効
果を奏する。

【００３３】図３（ｅ）は、短径が長径の３分の１とな
る楕円形の金属膜１１ｅ、１１ｅを長径の先端同士を相
対して並べたものである。短径が長径の３分の１となる
楕円形の金属膜のものでも、プラズモン励起の効率を更
に向上させることができ、発生するプラズモンの幅を更
に狭めることができる。

【００３４】この第１の実施の形態の光アシスト磁気ヘ
ッドによれば、磁気ギャップ４３の幅よりも狭い近接場
光により、磁気記録層６ａの微小部分の加熱が可能とな
り、その加熱により抗磁力の低下した部分のみ磁極３４
ａ，４０ａからの漏れ磁界４４により記録することがで
き、高密度の光アシスト磁気記録が可能となり、磁気抵
抗センサ３による信号再生が可能となる。また、光アシ
スト磁気記録の一般的特長として、抗磁力の高い磁気記
録膜にも記録することができ、超常磁性効果による消磁
の影響を減じられるため、高密度の磁気記録に好適なヘ
ッドを提供することができる。さらに、近接場光微小化
手段を光導波路５の出射端５ｃに配置して出射光の大き
さを微小化することができ、出射効率を高め、記録密度
の増大が可能となる。

【００３５】図４は、第２の実施の形態に係る光アシス
ト磁気ヘッドを示す図である。この光磁気ヘッド１は、
第１の実施の形態において、図示しない半導体レーザを
浮上スライダ２上に配置し、光導波路５への光導入系と
して、光ファイバ９と、集光面８ａに反射膜８ｂを被着
形成したガラスからなる非球面ミラー８との組合せを用
いたものである。すなわち、光ファイバ９のコア９ａに
図示しない半導体レーザからの平行ビーム７ｃが入射す
ると、光ファイバ９の出力光７ｄを非球面ミラー８の集
光面８ａにより光導波路５の入射端５ａに集光する。こ
れにより、単一モードの光ファイバ９を使用した場合、
直径はクラッド９ｂも含めて１００μｍであり、非球面
ミラー８もそれと同程度のサイズに加工することが可能
であり、それによって浮上スライダ２の高さ約３００μ
ｍに対して、３割増し程度の高さに抑えることができ
る。なお、近接場光微小化手段は省略してある。

【００３６】また、光ファイバ９にレーザ光を入射する
ための光源である半導体レーザ（図示せず）は、浮上ス
ライダ２上に配置する。これにより、光アシスト磁気ヘ
ッド１の側面からレーザ光入射が可能となり、光アシス
ト磁気ヘッド１のサイズを小さくすることができる。な
お、半導体レーザは、光アシスト磁気ヘッド１を支持し
て走査するためのスイングアームあるいはサスペンショ
ン上に取り付けてもよい。これにより、半導体レーザの
発熱の磁気抵抗センサ３等に与える影響を避けることが
でき、高信頼性を保つことができ、かつ、ヘッドの重量
を軽くでき、高速走査が可能となる。

【００３７】図５は、本発明の第３の実施の形態に係る
光アシスト磁気ヘッドを示す。同図（ａ）は、正面図、
同図（ｂ）は、半導体レーザの出射面を示す図である。
この光アシスト磁気ヘッド１は、図２（ｄ）に示す構成
において、半導体レーザ１０を光導波路５の入射端５ａ
に直結したものである。半導体レーザ１０の活性層１０
ａのサイズは、２×０．１μｍ程度であるが、半導体レ
ーザ１０内部での発振モードのサイズは２〜３μｍ径程
度と広がっている。一方、光導波路５のサイズは、３×
０．１１μｍであるため、それとマッチするように、半
導体レーザ１０の出力位置に開口１１ａを有する金属膜
１１を配置する。金属膜１１により半導体レーザ１０内
部への反射光とレーザ内部の発振モードの位相が同位相
となるように金属膜１１の位置を調整することにより、
開口１１ａは、半導体レーザ１０に対して損失を与え
ず、また、開口１０ａのサイズを光導波路５のサイズ
（３×０．１１μｍ）に揃えることにより、光損失を最
小限に抑えて、レーザ光を光導波路５内に入射させるこ
とが可能となる。出射端５cに微小開口１１ａを形成し
た金属膜１１を配置する。このように構成することで、
出力されるレーザ光のサイズをさらに小さくすることが
でき、高密度で記録媒体に記録することが可能となる。

【００３８】本発明の第３の実施の形態に係る光アシス
ト磁気ヘッドによると、磁気ギャップの幅よりも狭い近
接場光により、磁気記録層６ａの微小部分の加熱が可能
となり、その過熱により抗磁量の低下した部分のみ上部
磁極付近の漏れ磁界により記録することができ、高密度
の光アシスト磁気記録が可能となる。また、光アシスト
磁気記録の一般的特徴として、抗磁力の高い磁気記録膜
にも記録することができ、超常磁性効果による消磁の影
響を減少することができるため、高密度の磁気記録に適
した光アシスト磁気ヘッドを提供することができる。

【００３９】図６は、本発明の第４の実施の形態に係る
光アシスト磁気ヘッドを示し、同図（ａ）は正面図、同
図（ｂ）は要部詳細図である。この光アシスト磁気ヘッ
ド１は、図４に示す構成において、非球面ミラー８の入
射面８ｃに半導体レーザ１０を直結したものである。半
導体レーザ１０の活性層１０ａから出射されたレーザ光
は、非球面ミラー８で反射され、光導波路５に導かれ
る。光導波路５の上に薄膜磁気トランスデューサ４と磁
気抵抗センサ３が順次形成されている。また、光導波路
５の出射端５ｃに微小開口１１ａを形成した金属膜１１
を配置する。このように構成することで、出力されるレ
ーザ光のサイズをさらに小さくすることができ、高密度
で記録媒体に記録することが可能となる。また、製造が
容易で、小型化が図れる。

【００４０】図７は、本発明の第５の実施の形態に係る
光アシスト磁気ヘッドを示し、同図（ａ）は光アシスト
磁気ヘッドの主要部を示す断面図、同図（ｂ）はレーザ
光出力面側の端面図、同図（ｃ）は上面図である。この
光アシスト磁気ヘッド１は、光導波路５と、光導波路５
の表面に集積された薄膜磁気トランスデューサ４とを有
する。

【００４１】光導波路５は、本実施の形態では、例え
ば、基板６０の上に形成されたＳｉＯ ₂クラッド層８０
と、ＳｉＯ₂クラッド層８０の上に形成されたＳｉＮコ
ア層８１と、ＳｉＮコア層８１を覆うように形成された
ＳｉＯ₂クラッド層８２と、その上に形成されたＳｉＯ₂
平坦化埋め込み層８６とからなる。

【００４２】薄膜磁気トランスデューサ４は、パーマロ
イ等の軟磁性体からなるコア２４、ヨーク２７および磁
極部８３から構成され、光導波路５の出射端に磁気ギャ
ップ４３を有する磁気回路４１と、磁気回路４１のコア
２４に巻回されたコイル２５（２５ａ，２５ｂ）、コイ
ル２５ａ，２５ｂからそれぞれ延在する一対のリード線
２８、および一対のリード線２８の先端にそれぞれ設け
られたパッド２９から構成され、光導波路５の上面に配
置されたＣｕ薄膜からなるコイル部２１とを備える。な
お、磁気ギャップ４３と一対の磁極先端部８４とからギ
ャップ部８５を構成する。

【００４３】次に、光アシスト磁気ヘッド１の製造方法
の一例を説明する。基板６０上に光導波路５を形成した
後、ＳｉＯ₂等からなる絶縁膜８７により平坦化を行
い、その後に薄膜磁気トランスデューサ４を形成する。
すなわち、通常の薄膜プロセスによりＣｕ薄膜からなる
下部コイル２５ａをスパッタリングおよびリソグラフィ
により形成し、さらに絶縁膜２３により平坦化埋め込み
を行い、Ｃｕ薄膜からなるコア２４、上部コイル２５ｂ
およびヨーク２７を絶縁膜２６に埋め込んで形成する。
このようにしてコイル部２１を完成する。その後、導波
路出射端上に、磁極部８３及び磁気ギャップ４３をスパ
ッタリングおよびリソグラフィにより形成し、本実施の
形態の光アシスト磁気ヘッド１を完成する。磁極部８３
は、絶縁膜に埋め込んで両者の表面が同一平面となるよ
うに作製する。

【００４４】次に、この第５の実施の形態の動作を説明
する。記録時は、レーザ光１０ｂと磁界を磁気記録媒体
（図示せず）の同一場所に印加することが可能であるの
で、レーザ光の照射によって磁気記録媒体の記録部を昇
温してその部分の保磁力を下げ、変調磁界により記録を
行う、いわゆる光アシスト磁気記録を行う。本実施の形
態では、レーザ光１０ｂのサイズは特に制限されていな
い。レーザ光１０ｂの照射により、レーザ光１０ｂのサ
イズと同程度の記録領域が加熱され、その加熱領域内に
位置する磁極先端部８４から発生する磁界により記録が
なされる。その記録領域のサイズは、磁極先端部８４の
長さ（以下「ギャップ幅」という。）と磁気ギャップ４
３の長さ（以下「ギャップ長」という。）程度となる。
再生時は、磁気記録媒体からの漏れ磁界上を磁気ギャッ
プ４３が通過する時に磁極部８３に入射する磁束の変化
をコイル２５により電流に変換することにより、記録媒
体に記録された情報を再生する。

【００４５】上述した第５の実施の形態によれば、光導
波路５に薄膜磁気トランスデューサ４のギャップ部８５
を配置した構成であるので、非常に小型な光磁気素子を
提供できる。また、磁気記録媒体を近接場光により加熱
昇温して記録するため、室温で保磁力の高い媒体でも記
録でき、記録の安定性を増すことができる。また、再生
時にも近接場光を記録マークに照射できるため、室温に
おいて磁化が弱く、昇温によって磁化が増加するＴｅＦ
ｅＣｏ等の膜を使用して、昇温により再生感度を増大さ
せることも可能である。その場合には、半導体レーザを
連続的に点灯してもよく、また、記録マーク位置に同期
してパルス的に点灯してもよい。前者の場合には、同期
が不要なため、点灯回路を単純化でき、後者の場合に
は、レーザ光のエネルギー効率を上げることができ、出
射部の加熱を防ぐことができる。また、コイル２５から
磁気ギャップ４３までの距離を１０μｍ程度あるいはそ
れ以下に短縮できるとともに、磁極部８３の幅を広くす
ることができるので、磁気抵抗を下げることができる。
また、コイル２５はコア２４に円筒状に巻回しているた
め、円盤状に巻回する場合に比べてコイル長を短くでき
るので、電気抵抗を減らすことができる。従って、これ
らにより高速度・高密度の記録が可能となる。

【００４６】図８は、本発明の第６の実施の形態に係る
光アシスト磁気ヘッドの光導波路の出射端を示す。この
光アシスト磁気ヘッド１は、光導波路の出射端に開口９
０を有する遮光体２２を形成し、その遮光体２２の上に
磁気ギャップ４３を形成したものであり、遮光体２２の
材料としては、Ａｕを用いることができるが、ＡｇやＡ
ｌ等の金属材料でもよい。

【００４７】なお、遮光体２２は、磁極部８３と同一平
面をなし、磁極部８３を囲むように形成してもよい。こ
れにより、開口と磁気ギャップ４３とが同一平面上に形
成されるため、それぞれの加工精度を上げることができ
る。

【００４８】図８（ａ）〜（ｆ）は、開口９０とギャッ
プ４３の変形例を示す。図８（ａ）は、開口９０のサイ
ズを磁気ギャップ４３よりも一回り大きく形成した例で
あり、開口９０は、主に磁気ギャップ４３の記録上流側
Ａに広く形成されている。このため、レーザ光の出力を
比較的大きくできるとともに、磁気ギャップ４３での磁
界が印加される直前に磁気記録媒体を加熱し、昇温され
たところで記録がなされるため、効率良く加熱ができ
る。

【００４９】図８（ｂ）は、極磁部８３の先端に台形状
の上底を対向させギャップ幅を狭くした例であり、これ
により、磁気記録媒体の昇温部をギャップ幅よりも狭く
できる。磁極先端部８４では、通常周辺部に磁界が広が
り、その漏れ磁界により、記録幅が抑えられ、記録トラ
ック幅を狭くすることが難しいが、この例によれば、ギ
ャップ４３の間隔で決まる近接場光により、記録幅が抑
えられるため、より高密度の記録が可能となる。また、
記録媒体の記録トラックと平行な方向にギャップを形成
することとなり、先に記録したマークを消去しながら記
録をすることができ、これにより高密度記録が可能にな
る。また、ギャップを９０度回転したように配すると、
記録媒体の記録トラックと垂直な方向にギャップを形成
することになり、ギャップ４３の間隔で決まる近接場光
により、記録幅が抑えられるため、より高密度の記録が
可能となる。

【００５０】図８（ｃ）は、開口９０の中に開口９０の
サイズよりも小さな微小金属体９１を形成した例であ
る。このように開口９０を微小金属体９１に対し同軸上
に形成することにより、開口９０のサイズがレーザの波
長の１／１０と微小な場合でも伝播光を放出でき、レー
ザ光の強度を増すことができる。また、中心の微小金属
体９１により、近接場光を散乱したり、微小金属体９１
において励起されるプラズモンから放射される近接場光
を記録媒体の昇温に利用することができ、さらに高強度
のレーザ光を使用することが可能となる。

【００５１】図８（ｄ）は、一対の磁極先端部８４，８
４を相対向するように形成した例であり、これにより、
磁気ギャップ４３及び磁極先端部８４をより微細に加工
でき、磁界印加範囲を狭めることができる。開口９０
は、この磁気ギャップ４３を含むように大きく形成して
もよく、また磁気ギャップ４３の内側に形成してもよ
い。これらによりさらに記録範囲を狭めることができ、
高密度化が可能となる。

【００５２】図８（ｅ），（ｆ）は、一対の磁極先端部
８４，８４の一方の近傍に開口９０を設け、その磁極先
端部８４付近の磁気記録媒体のみを加熱昇温し、他方の
磁極先端部８４周辺の温度上昇をできるだけ抑えるもの
である。磁気ギャップ４３下のギャップ垂直方向（紙面
に垂直方向）の磁界は、それぞれの磁極先端部８４にお
いて最大となり、それぞれの磁極先端部８４での磁界方
向は互いに反対方向となる。従って、この構成により、
その磁界の一方向が通る記録媒体の一部のみを加熱する
ことができ、微小領域の光アシスト磁気記録が可能とな
り、さらに高密度化ができる。この構成では、磁界が記
録媒体に対しての垂直部分のみを使用するため、実質的
に単極方の磁極が形成され、特に垂直磁気記録媒体の記
録に適し、垂直磁気記録において微小領域の記録を可能
とする。

【００５３】上述した第６の実施の形態によれば、第５
の実施の形態と同様の効果が得られるとともに、レーザ
光１０ｂのサイズが開口９０程度となるため、加熱領域
を微細化でき、記録媒体の記録部分以外の加熱を低減す
ることができる。また、図８(ｂ)を除いて開口９０以外
の部分のレーザ光は遮光体２２により反射されてレーザ
に戻り、レーザ発振に寄与するため、光利用効率を高め
ることができる。また、開口９０と磁気ギャップ４３両
者の重ね合わせにより、記録領域を限定できるため、そ
れぞれ単独で行うよりも微小な記録マークが形成でき、
高密度化が可能となる。また、開口９０と磁気ギャップ
４３両者の重ね合わせにより、垂直方向の磁界が存在す
る部分のみを記録できるため、垂直磁気媒体の記録に適
した光磁気ヘッドが構成できる。

【００５４】図９に、本発明の第７の実施の形態に係る
光アシスト磁気ヘッドを示す。この第７の実施の形態
は、光導波路の出射端に開口９０を有する遮光体２２
と、遮光体２２の開口９０上に２つの磁気ギャップ４３
ａ，４３ｂを有する磁気回路（図示せず）と、２つの磁
気ギャップ４３ａ，４３ｂに入射する磁束の変化をそれ
ぞれ独立して検出するコイル部（図示せず）とを有す
る。

【００５５】図９（ａ）は、中心に位置する共通磁極部
８３ａと、その両側に位置する個別磁極部８３ｂとを有
し、中心の磁極先端部８４ａを共通にして、左右に磁気
ギャップ４３ａ，４３ｂを介して磁極先端部８４ｂを形
成したものである。コイル部のコイルは独立して２個有
するが、コア中心部は共通磁極部８３ａに接続され、構
造の簡素化がなされている。遮光体２２は、単一の開口
９０を有し、単一の開口９０から出力されるレーザ光
は、両方の磁気ギャップ４３ａ，４３ｂを同時に照射す
る。この構成により、独立に磁界を変調できるギャップ
部が２つ相接近して形成されるため、この素子を用い
て、相隣接した２つの記録トラック（図示せず）に対し
同時に記録・再生を行うことができ、記録再生の転送レ
ートを２倍にできる。なお、磁気ギャップの個数は２つ
に限らず、さらに用途に応じて増加することが可能であ
る。また、磁気ギャップは、面発光型半導体レーザ上に
形成してもよい。なお、このとき、遮光体２２は電極を
兼ねてもよい。

【００５６】図９（ｂ）は、図９（ａ）の変形例であ
り、遮光体２２に対角線上に２つの開口９０ａ，９０ｂ
を形成し、２つの開口９０ａ，９０ｂの上部に磁気ギャ
ップ４３ａ，４３ｂを配置したものである。これによ
り、記録領域を開口９０ａ，９０ｂのサイズで規定で
き、記録領域の微小化、高密度化が可能となる。

【００５７】図９（ｃ）は、図９（ａ）のさらに別の変
形例であり、遮光体２２に対向するように２つの開口９
０ａ，９０ｂを形成し、４つの個別の磁極部８４によっ
て２つの開口９０ａ，９０ｂの上部に磁気ギャップ４３
ａ，４３ｂを配置したものである。これにより、磁気回
路の構成の自由度を増すことができる。また、２つのコ
ア（図示せず）を相対向して配置するため、面発光型半
導体レーザに適用する場合に特に適する変形例である。

【００５８】図１０は、本発明の第８の実施の形態に係
る光磁気ディスク装置を示す。この光磁気ディスク装置
１００は、Ｐｔ／Ｃｒ等の垂直磁気記録層１０３を有す
る磁気ディスク１０１と、磁気ディスク１０１を回転す
るためのモータ１０２と、垂直磁気記録層１０３上を浮
上走行して、垂直磁気記録層１０３に記録・再生を行う
第１乃至第７の実施の形態と同様の光アシスト磁気ヘッ
ド１０４と、この光アシスト磁気ヘッド１０４を支える
スイングアーム１０５と、スイングアーム１０５を走査
するためのボイスコイルモータ１０６と、記録時には記
録信号を処理し、光アシスト磁気ヘッド１０４のレーザ
光を変調し、再生時には光アシスト磁気ヘッド１０４か
らの光強度信号を用いて記録情報を再生する信号処理回
路１０７と、記録・再生時にモータ１０２やボイスコイ
ルモータ１０６を制御する制御回路１０８とを備える。
光アシスト磁気ヘッド１０４としては、例えば、第１の
実施の形態のものを用いることができる。

【００５９】半導体レーザは、スイングアーム１０５あ
るいはサスペンダ１０９上に配置されている。また、半
導体レーザは、レーザ光を案内する光ファイバと光学的
に接続されている。サスペンダ１０９は、ヘッド１０４
の自重、浮上力とのバランスで一定の浮上高さを与える
ばね力を有する。

【００６０】この構成において、記録時には、信号入力
に基づいて強度変調されたレーザ光が半導体レーザから
出射され、光導波路５の出射端５ｃから出射された近接
場光は近接場光微小化手段によって微小化され、その直
下に配置された垂直磁気記録層１０３に入射して、記録
層１０３を加熱し、磁極４０ａ，３４ａ間に流れる磁界
４４によって情報が記録される。また、再生時には、磁
気記録層１０３からの磁界の強度を磁気抵抗センサ３に
よって検出する（図1参照）。また、記録・再生時に
は、ヘッド１０４から出射した光を記録層１０３上の特
定の記録トラック（図示せず）上に移動し、かつ、トラ
ッキングさせる必要がある。これは、ボイスコイルモー
タ１０６の駆動による位置制御により行う。すなわち、
磁気ディスク１０１のアドレス情報を読み取り、その情
報に基づいて形成した駆動信号により、ボイスコイルモ
ータ１０６を駆動してヘッド１０４を所定のトラック付
近に移動させた後、ボイスコイルモータ１０６とビーム
スポット走査型半導体レーザの駆動により、精細に所定
のトラックを追従させる。

【００６１】この第８の実施の形態によれば、小型・軽
量の光磁気ヘッドを磁気ディスクの記録・再生に使用す
ることができ、高速記録・再生、高密度、特に高体積記
録密度の光アシスト磁気記録・再生が可能なディスク装
置を提供することが可能となる。なお、ヘッド自体、小
型・軽量であるため、このヘッド全体を圧電素子（図示
せず）により、駆動させて精細なトラッキングをさせて
もよい。

【００６２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光導波路の出射端に近接場光微小化手段を設けることに
より、近接場光を微小化でき、記録媒体の加熱領域を小
さくできるので、高密度記録が可能となる。また、光導
波路の出射端から効率良く近接場光が出射されることか
ら、低レーザ光強度で記録できるので、光利用効率およ
び信頼性を向上させることができる。

【００６３】また、磁気抵抗センサの加熱を低減できる
ため、磁気抵抗センサの感度が熱の影響を受けず、高信
頼性でＳＮ比が高く、超寿命が可能となる。

【００６４】更に、小型、軽量、かつ、微小光スポット
の形成が可能な光アシスト磁気ヘッドが使用できるの
で、高密度記録が可能な光アシスト磁気ディスク装置を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドに関し、（ａ）は正面図、（ｂ）はＡ部におけ
る光アシスト磁気ヘッド長手方向の断面図、（ｃ）は
（ａ）中の矢印Ｒ方向から見た側面図、（ｄ）は底面図
である。。

【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態
に係る光導波路を示す図である。

【図３】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施の形態
に係る光導波路の出射端を示す図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドを示す図である。

【図５】本発明の第３の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドに関し、（ａ）は正面図、（ｂ）は半導体レー
ザの出射面を示す図である。

【図６】本発明の第４の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドに関し、（ａ）は正面図、（ｂ）は要部詳細図
である。

【図７】本発明の第５の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドに関し、（ａ）は光アシスト磁気ヘッドの主要
部を示す断面図、（ｂ）はレーザ光出力面側の端面図、
（ｃ）は上面図である。

【図８】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第６の実施の形態
に係る光アシスト磁気ヘッドのレーザ出射端を示す図で
ある。

【図９】（ａ），（ｂ），（ｃ）は、本発明の第７の実
施の形態に係る光アシスト磁気ヘッドのレーザ出射端を
示す図である。

【図１０】本発明の第８の実施の形態に係る光磁気ディ
スク装置を示す図である。

【図１１】従来の光磁気ヘッドを示す図である。

【符号の説明】

１光アシスト磁気ヘッド２浮上スライダ２ａ後端面２ｂエアベアリング面２ｃ凹部３磁気抵抗センサ４薄膜磁気トランスデューサ５光導波路５ａ入射端５ｂテーパー部５ｃ出射端６磁気ディスク６ａ記録層６ｂ基板７ａ近接場光７ｂモード７ｃ平行ビーム７ｄ出力光８非球面ミラー８ａ集光面８ｂ反射膜８ｃ入射面９光ファイバ９ａコア９ｂクラッド１０半導体レーザ１０ａ活性層１０ｂレーザ光１１，１１ｃ，１１ｅ金属膜１１ａ開口１１ｂ金属片１２偏光方向１３開口１４微小金属体２１コイル部２２遮光体２２，２３絶縁膜２４コア２５コイル２５ａ下部コイル２５ｂ上部コイル２６絶縁膜２７ヨーク２８リード線２９パッド３０スピンバルブ膜３１ａ，３１ｂ電極３２ａ，３２ｂ絶縁膜３３下部磁気シールド膜３４上部磁気シールド膜３４ａ下部磁極３４ｂ下部ヨーク接合部４０上部ヨーク４０ａ上部磁極４０ｂヨーク部４０ｃ上部ヨーク接合部４１磁気回路４２薄膜コイル４２ａ引き出し部４２ｂパッド４３，４３ａ，４３ｂ磁気ギャップ４４磁界５０誘電体膜５１ａ，５１ｂ金属薄膜５３平面ミラー５４非球面ミラー６０基板８０クラッド層８１コア層８２クラッド層８３磁極部８３ａ共通磁極部８３ｂ個別磁極部８４，８４ａ，８４ｂ磁極先端部８５ギャップ部８６ＳｉＯ₂平坦化埋め込み層８７絶縁膜９０，９０ａ，９０ｂ開口９１微小金属体１００光磁気ディスク装置１０１磁気ディスク１０２モータ１０３垂直磁気記録層１０４光アシスト磁気ヘッド１０５スイングアーム１０６ボイスコイルモータ１０７信号処理回路１０８制御回路１０９サスペンダ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】記録媒体を有するディスクの回転によって
浮上走行する浮上スライダと、前記浮上スライダに設けられ、半導体レーザからのレー
ザ光を出射端から出射する光導波路と、前記半導体レーザからの前記レーザ光により前記光導波
路の前記出射端に形成された近接場光を微小化して前記
記録媒体に出射し、前記記録媒体を加熱する近接場光微
小化手段と、前記浮上スライダに設けられ、前記近接場光微小化手段
によって加熱された前記記録媒体の部分に情報を記録す
る薄膜磁気トランスデューサとを備えたことを特徴とす
る光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２】前記光導波路は、その光路中に集光手段が
設けられていることを特徴とする請求項１記載の光アシ
スト磁気ヘッド。
【請求項３】前記光導波路は、フォトニック結晶により
形成されていることを特徴とする請求項１記載の光アシ
スト磁気ヘッド。
【請求項４】前記光導波路は、前記レーザ光を案内する
板状のコアと、前記コアの少なくとも一方の面に形成さ
れた金属膜とを備えていることを特徴とする請求項１記
載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項５】前記金属膜は、前記コアの両面に形成され
た一対の金属膜であり、前記一対の金属膜は、非対称の
形状を有することを特徴とする請求項４記載の光アシス
ト磁気ヘッド。
【請求項６】前記金属膜は、Ａｇ、Ａｌ等の高い導電性
を有する金属により形成したことを特徴とする請求項４
記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項７】前記金属膜は、前記薄膜磁気トランスデュ
ーサの磁気回路の一部を構成することを特徴とする請求
項４記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項８】前記光導波路は、所定の角度に屈曲した屈
曲部を有し、前記屈曲部に設けられ、入射レーザ光を反
射して前記出射端から出射させるミラーを備えたことを
特徴とする請求項１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項９】前記ミラーは、集光特性を有することを特
徴とする請求項８記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１０】前記近接場形成手段は、金属膜又は半導
体膜で形成された微小開口あるいはドーナツ型の開口を
有することを特徴とする請求項１記載の光アシスト磁気
ヘッド。
【請求項１１】前記微小開口あるいは前記ドーナツ型の
開口は、誘電体により充填されていることを特徴とする
請求項１０記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１２】前記微小開口あるいは前記ドーナツ型の
開口は、矩形状に形成されていることを特徴とする請求
項１０記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１３】前記誘電体は、前記光導波路のコア又は
クラッドを形成する誘電体から構成されることを特徴と
する請求項１１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１４】前記近接場形成手段は、金属膜又は半導
体膜で形成された１個あるいは複数個の微小片を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の光アシスト磁気ヘッ
ド。
【請求項１５】前記微小片は、前記光導波路の前記出射
端の表面に形成されていることを特徴とする請求項１４
記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１６】前記微小片は、前記光導波路の前記出射
端に埋め込まれていることを特徴とする請求項１４記載
の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１７】前記微小片は、矩形状に形成されている
ことを特徴とする請求項１４記載の光アシスト磁気ヘッ
ド。
【請求項１８】前記微小片は、近接して配置された２個
の微小片から形成され、かつ、前記２個の微小片が形成
するギャップは、そのギャップに垂直な方向が前記記録
媒体の記録トラックに平行となるように形成されたこと
を特徴とする請求項１４記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１９】前記微小片は、近接して配置された２個
の微小片から形成され、かつ、前記２個の微小片が形成
するギャップは、そのギャップに垂直な方向が前記ディ
スクの記録媒体の記録トラックに垂直となるように形成
されたことを特徴とする請求項１４記載の光アシスト磁
気ヘッド。
【請求項２０】前記近接して配置された２個の微小片
は、それぞれギャップ部を頂点とするほぼ三角形状に形
成されたことを特徴とする請求項１８記載の光アシスト
磁気ヘッド。
【請求項２１】記録媒体を有するディスクの回転によっ
て浮上走行する浮上スライダと、前記浮上スライダに設けられ、半導体レーザからのレー
ザ光を出射端から前記記録媒体に出射して前記記録媒体
を加熱する光導波路と、前記浮上スライダに設けられ、前記レーザ光によって加
熱された前記記録媒体の部分に磁気ギャップに形成され
た磁界によって情報を記録する薄膜磁気トランスデュー
サとを備え、前記磁気ギャップは、前記光導波路の前記出射端のレー
ザ光出射位置あるいはその近傍に形成されていることを
特徴とする光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２２】前記磁気ギャップは、近接場光発生用の
ギャップを兼ねていることを特徴とする請求項２１記載
の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２３】前記磁気ギャップは、前記記録媒体の記
録トラックを横切る方向に形成されていることを特徴と
する請求項２１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２４】前記磁気ギャップは、前記記録媒体の記
録トラックと平行な方向に形成されていることを特徴と
する請求項２１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２５】前記光導波路は、その上に前記薄膜磁気
トランスデューサと前記記録媒体の記録信号を検出する
磁気抵抗センサとが順次形成されていることを特徴とす
る請求項２１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２６】前記光導波路は、その上に前記磁気抵抗
センサと前記薄膜磁気トランスデューサが順次形成され
ていることを特徴とする請求項２１記載の光アシスト磁
気ヘッド。
【請求項２７】前記半導体レーザは、前記記録媒体に平
行にレーザ光を出射するように前記浮上スライダに設け
られ、前記光導波路は、前記半導体レーザからの前記レーザ光
を反射させて前記出射端から出射させるミラーを備えた
ことを特徴とする請求項２１記載の光アシスト磁気ヘッ
ド。
【請求項２８】前記半導体レーザは、前記記録媒体に平
行にレーザ光を出射するように前記浮上スライダに設け
られ、前記光導波路は、前記半導体レーザからの前記レーザ光
を案内する導光路と、前記導光路と交差するように設け
られた光導波路と、前記導光路と前記光導波路の交差部
に設けられ、前記導光路によって案内された前記レーザ
光を反射して前記出射端から出射させるミラーとを備え
たことを特徴とする請求項２１記載の光アシスト磁気ヘ
ッド。
【請求項２９】前記導光路は、光ファイバであることを
特徴とする請求項２８記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項３０】前記半導体レーザは、出射面に微小開口
を有する微小金属体を供えたことを特徴とする請求項２
１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項３１】前記磁気ギャップを形成する磁極先端部
は、前記半導体レーザからの前記レーザ光により前記光
導波路の前記出射端に形成された近接場光を微小化する
ことを特徴とする請求項２１記載の光アシスト磁気ヘッ
ド。
【請求項３２】記録媒体を有して回転するディスクに対
してスイングアームにより光アシスト磁気ヘッドを走査
して情報を記録する光アシスト磁気ディスク装置におい
て、前記光アシスト磁気ヘッドは、前記ディスクの回転によ
って浮上走行する浮上スライダと、前記浮上スライダに
設けられ、半導体レーザからのレーザ光を出射端から出
射する光導波路と、前記半導体レーザからの前記レーザ
光により前記光導波路の前記出射端に形成された近接場
光を微小化して前記記録媒体に出射し、前記記録媒体を
加熱する近接場光微小化手段と、前記浮上スライダに設
けられ、前記近接場光微小化手段によって加熱された前
記記録媒体の部分に情報を記録する薄膜磁気トランスデ
ューサとを備えたことを特徴とする光アシスト磁気ディ
スク装置。
【請求項３３】前記スイングアームあるいは前記浮上ス
ライダは、前記スイングアームに接続するサスペンダ上
に半導体レーザが設けられ、前記半導体レーザは、光ファイバによって前記光導波路
と光学的に接続されていることを特徴とする請求項３２
記載の光アシスト磁気ディスク装置。