JP2003203304A

JP2003203304A - 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置

Info

Publication number: JP2003203304A
Application number: JP2002000855A
Authority: JP
Inventors: Kiichi Kamiyanagi; 喜一上柳
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2002-01-07
Filing date: 2002-01-07
Publication date: 2003-07-18

Abstract

(57)【要約】【課題】熱的に安定で、組立調整が容易な光アシスト
磁気ヘッドおよび光アシスト磁気ディスク装置を提供す
ることを目的とする。【解決手段】この光アシスト磁気ヘッド１は、磁気記
録層８ａにレーザ光出射口３５からレーザ光７を照射す
る半導体レーザ３と、レーザ光出射口３５の周りに巻回
され、レーザ光の照射によって加熱された磁気記録層８
ａに磁界を印加して情報を記録する薄膜コイル６と、薄
膜コイル６の内側に配置され、磁気記録層８ａに記録さ
れた情報を検出する磁気抵抗センサ５とを備える。薄膜
コイル６は、径を比較的大きくできるので、薄膜コイル
６の電気抵抗を低減でき、発熱量を減らすことができ
る。レーザ光出射口３５と磁気抵抗センサ５との距離が
短くなるので、組立調整が容易となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体，光
磁気記録媒体等の記録媒体に対して光アシスト磁気記録
および再生を行う光アシスト磁気ヘッドおよび光アシス
ト磁気ディスク装置に関し、特に、熱的に安定で、組立
調整が容易な光アシスト磁気ヘッドおよび光アシスト磁
気ディスク装置を提供する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハード磁気記録装置（ＨＤＤ）の
記録密度は、年率１００％で増大しており、実験段階で
は、６０Ｇｂｐｓｉを超えるに至っている。しかし、超
常磁性効果や、磁気ヘッドのギャップ幅の狭窄の難しさ
から、そろそろ従来型のＨＤＤの記録密度の限界が見
え、１００〜３００Ｇｂｐｓｉが限界と言われ、その限
界を超えるものとして、光アシスト磁気記録が期待され
ている。

【０００３】ここで、超常磁性効果とは、熱や隣接磁区
の磁界などにより記録磁区の磁化が乱されて記録情報が
失われていく現象である。これを防ぐには、磁化やその
異方性の大きな磁気媒体を使用することが一つの手段で
あるが、通常の磁気ヘッドでは記録できなくなる。それ
を解決する手段として、光アシスト磁気記録が提案され
ている。この「光アシスト磁気記録」は、レーザ光の照
射により記録媒体をキュリー温度付近まで加熱すること
によりその磁化を下げたところで記録する方法である。

【０００４】図５は、この光アシスト磁気記録を行う従
来の光アシスト磁気ヘッドを示す。この光アシスト磁気
ヘッドは、浮上スライダ２の後端面２ａに半導体レーザ
３上に熱絶縁膜４を介して磁気抵抗センサ５を積層した
後、半導体レーザ３のレーザ光出射口３５の周囲に薄膜
コイル６を巻回したものである。このような構成におい
て、磁気記録層８ａ上を浮上スライダ２により走行しな
がら半導体レーザ３からレーザ光を照射して磁気記録層
８ａを加熱して抗磁力を下げ、薄膜コイル６により磁界
を印加して記録を行う。トラッキングは磁気抵抗センサ
５の検出信号に基づいて行われる。この構造によれば、
薄膜コイル６の径を比較的大きくできるので、薄膜コイ
ル６の電気抵抗を低減でき、発熱量を減らすことができ
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光アシ
スト磁気ヘッドによると、薄膜コイル６の外側に磁気抵
抗センサ５を設けているので、レーザ光出射口３５と磁
気抵抗センサ５との距離が長くなり、両者を同一のトラ
ック上をトラッキングさせるためには高精度な組立調整
を要する。

【０００６】従って、本発明の目的は、熱的に安定で、
組立調整が容易な光アシスト磁気ヘッドおよび光アシス
ト磁気ディスク装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するため、磁気記録媒体にレーザ光出射口からレーザ
光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射口
の周りに巻回され、前記レーザ光の照射によって加熱さ
れた前記磁気記録媒体に磁界を印加して情報を記録する
コイルと、前記コイルの内側に配置され、前記磁気記録
媒体に記録された前記情報を検出する磁気センサとを備
えたことを特徴とする光アシスト磁気ヘッドを提供す
る。レーザ光出射口と磁気センサの周りに巻回されたコ
イルは、コイル径を比較的大きくできるので、コイルの
電気抵抗を低減でき、発熱量を減らすことができる。ま
た、磁気センサをコイルの内側に配置することにより、
レーザ光出射口と磁気センサとの距離が短くなり、組立
調整が容易となる。

【０００８】本発明は、上記目的を達成するため、磁気
記録媒体にレーザ光出射口からレーザ光を出射するレー
ザ光出射手段と、前記レーザ光出射口の周りに巻回さ
れ、前記レーザ光の出射によって加熱された前記磁気記
録媒体に磁界を印加して情報を記録するコイルと、前記
レーザ光出射口の近傍に配置された軟磁性体からなる金
属片とを備えたことを特徴とする光アシスト磁気ヘッド
を提供する。レーザ光出射口の近傍に軟磁性体からなる
金属片を配置することにより、コイルによる磁界が微小
片に集中し、磁界強度を数十倍に高められるため、コイ
ルへの印加電流を大幅に低減でき、発熱量を減らすこと
ができる。

【０００９】本発明は、上記目的を達成するため、磁気
記録ディスク上を浮上走行し、制御手段の制御によって
前記磁気記録ディスクの磁気記録層に対して情報の記録
および再生を行う光アシスト磁気ヘッドを有する光アシ
スト磁気ディスク装置において、前記光アシスト磁気ヘ
ッドは、前記磁気記録層にレーザ光出射口からレーザ光
を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射口の
周りに巻回され、前記レーザ光の出射によって加熱され
た前記磁気記録層に磁界を印加して情報を記録するコイ
ルと、前記コイルの内側に配置され、前記磁気記録層に
記録された前記情報を検出する磁気センサとを備えたこ
とを特徴とする光アシスト磁気ディスク装置を提供す
る。

【００１０】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施の形
態に係る光アシスト磁気ヘッドの主要部を示し、同図
（ａ）は側面概略図、同図（ｂ）は側面主要部拡大図、
同図（ｃ）は底面主要部拡大図である。この光アシスト
磁気ヘッド１は、同図（ａ）に示すように、浮上スライ
ダ２の後端面２ａに、半導体レーザ３、熱絶縁膜４、磁
気抵抗センサ５を順に集積し、さらに、同図（ｂ），
（ｃ）に示すように、底面のレーザ光出射口３５にプラ
ズモン励起体としての一対の台形状の金属膜３６Ａ，３
６Ｂ（以下「ボータイ型金属膜３６」という。）を配置
し、レーザ光出射口３５および磁気抵抗センサ５の周り
を取り巻くように薄膜コイル６を配置したものである。

【００１１】半導体レーザ３は、図１（ｂ）に示すよう
に、ｎ型ＧａＡｓ基板３０上に、ｎクラッド層３２、活
性層３１、ｐクラッド層３３が順次積層され、さらにコ
ンタクト層（図略）を介してｐ電極３４ａが接合された
構造を有し、ｐ電極３４ａとｎ電極３４ｂ間に順方向の
電流を流すことにより、活性層３１においてレーザ発振
がなされ、レーザ光出射口３５からレーザ光（近接場
光）７を出射するものである。半導体レーザ３として
は、例えば、ＧａＩｎＰ系の赤色（６５０ｎｍ）半導体
レーザ３やＧａＩｎＮ系の青色（４０５ｎｍ）半導体レ
ーザを用いることができる。青色半導体レーザの場合、
基板にサファイアやＧａＮ、ＳｉＮなどの硬質の材料を
使用するため、基板を浮上スライダ２として使用しても
よい。これにより半導体レーザ３と磁気抵抗センサ５を
連続的に形成できるため、プロセスを簡素化することが
できる。

【００１２】熱絶縁膜４としては、例えば、厚さ２ｍｍ
のＰＳＧ膜を用いることができる。このＰＳＧ膜は、熱
ＣＶＤにより着膜する。また、ＰＳＧ膜の代わりにポリ
イミド等の有機膜を塗布してもよい。これにより熱絶縁
効果を更に上げることができる。

【００１３】ボータイ型金属膜３６は、高屈折率を有す
る図示しない誘電体に埋め込まれており、図１（ｃ）に
示すように、数十ｎｍの間隔を設けて一対の台形状の金
属膜３６Ａ，３６Ｂを配置し、それらの並ぶ方向と半導
体レーザ３からのレーザ光７の偏光方向を一致（ＴＭモ
ード）させることにより、レーザ光７の照射によりプラ
ズモン励起された電子の振動がダイポールアンテナを形
成するため、発生するレーザ光７の強度を上げることが
でき、発生効率を高めることができる。金属膜３６とし
ては、Ａｕ，Ａｇ，Ａｌ等の低抵抗の金属やＴｉ，Ｔ
ａ，Ｗ等の比較的遷移金属を用いることができる。Ａ
ｇ，Ａｌ等の金属は、酸化しやすいので、それらを用い
る場合には、表面を誘電体膜でコーティングするとよ
い。

【００１４】磁気抵抗センサ５は、通常のＧＭＲ(Giant
Magnetic Sensor)を用いることができる。この磁気抵
抗センサ５は、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、スピ
ンバルブ膜５１とその電極５２ａ，５２ｂが絶縁膜５３
ａ，５３ｂを介して、磁気ヘッド部のヨークを兼ねる磁
気シールド膜５４ａ，５４ｂに挟まれた構造を有する。
信号再生は、磁気記録層８ａからの磁界の強度変化を、
スピンバルブ膜５１の抵抗変化として検出することによ
り行う。なお、磁気記録層８ａとして、遷移金属と希土
類金属からなるフェリ磁性体を使用する場合には、補償
点温度を調節することで加熱による読み出し磁化の強度
を上げることができるので、その場合には、再生時にも
照射を行う。これにより、磁気記録層８ａの加熱された
部分だけからの信号を再生できるため、記録感度を上げ
られるのみならず、再生時の隣接トラックからのクロス
トークを下げることができる。

【００１５】薄膜コイル６は、図１（ｃ）に示すよう
に、レーザ光出射口３５と磁気抵抗センサ５の周りに螺
旋状に巻かれている。これにより、磁界強度を実質的に
下げずに、レーザ光出射口３５と磁気抵抗センサ５の検
出部であるスピンバルブ膜５１との距離を大幅に近づけ
ることが可能となる。磁気抵抗センサ５の厚さは１〜２
μｍ程度であり、ボータイ型金属膜３６のサイズも同程
度であるため、熱絶縁膜４１を挟んで、両者の距離は、
２〜３μｍ程度にすることができる。従って、トラック
幅を０．１μｍとした場合、レーザ光出射口３５とスピ
ンバルブ膜５１を結ぶ線と記録トラックとの角度ずれの
許容度は１０ミリラジアン以上となり、十分組立て調整
可能な範囲となる。

【００１６】次に、この光アシスト磁気ヘッド１の製造
方法の一例を説明する。浮上スライダ２の材料として
は、例えば、通常のハードディスクの磁気ヘッドに使用
されるアルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＯ₂）を用いる。ま
た、ＧａＡｓウェーハ上に半導体レーザ３、熱絶縁膜４
および磁気抵抗センサ５を薄膜プロセスを用いて積層し
た後、このウェハーをアルチックのウェハーに貼り付け
る。さらに、磁気ヘッドでなされるように、各ヘッドチ
ップに切り出し、その断面を浮上スライダ用のエアベア
リング面２ｂとして加工し、さらに薄膜プロセスを用い
て薄膜コイル６を底面に形成する。このようにして光ア
シスト磁気ヘッド１が製造される。

【００１７】次に、この光アシスト磁気ヘッド１の動作
を説明する。この光アシスト磁気ヘッド１は、浮上スラ
イダ２の凹部２ｃが形成されたエアベアリング面２ｂに
より、磁気ディスク８の基板８ｂ上に形成された磁気記
録層８ａ上を浮上走行する。半導体レーザ３から出射さ
れるレーザ光７により磁気記録層８ａを加熱して抗磁力
を下げ、薄膜コイル６に記録信号に基づく電流を印加し
て磁界５６の強度を変調し、それによって磁気記録層８
ａの記録トラック９上に記録を行う。レーザ光７は連続
点灯でも、パルス点灯でもよい。連続点灯にすることに
より、半導体レーザ３のピーク出力を抑えられ、より小
さな半導体レーザ３を使用することができる。また、パ
ルス点灯とすることにより、記録位置での冷却速度を速
めることができ、記録マークのエッジをより安定に形成
することができる。このことは、高密度記録において重
要となる。また、磁界５６は、記録信号と同期してサイ
ン波状に変調し、レーザ光７を記録信号に応じて記録信
号の間隔より短い周期でパルス的に変調してもよい。こ
れにより、磁界変調速度を上げることが可能となり、高
転送レートの記録が可能となる。信号再生は、磁気記録
層８ａからの磁界の強度変化を、磁気抵抗センサ５のス
ピンバルブ膜５１の抵抗変化として検出することにより
行う。

【００１８】この第１の実施の形態によれば、レーザ光
出射口３５と磁気抵抗センサ５のスピンバルブ膜５１と
の距離を従来の２０μｍ（２層とした場合）から２〜３
μｍと大幅に近づけることが可能となるので、レーザ光
出射口３５と磁気抵抗センサ５を同時に同一の狭トラッ
ク上をトラッキングさせることが可能となる。また、ト
ラック幅を０．１μｍとした場合、レーザ光出射口３５
とスピンバルブ膜５１を結ぶ線と記録トラックとの角度
ずれの許容度は１０ミリラジアン以上となり、十分組立
て調整が可能な範囲となる。また、半導体レーザ３の発
熱による磁気抵抗センサ５のスピンバルブ膜５１の温度
上昇を熱絶縁膜４により低減できるので、熱的安定化が
図れる。

【００１９】なお、図１（ａ）に示す構成において、半
導体レーザの位置に光導波路を配置し、半導体レーザか
ら光導波路を介してレーザ光７を出射してもよい。この
場合、半導体レーザ３の活性層３１の位置に光導波路の
コアが来るように設置する。これにより、発熱源である
半導体レーザを熱に弱い磁気抵抗センサ５から遠ざけら
れるため、熱的安定化が図れ、信頼性が向上する。この
場合の出射モードは、やはりＴＭモードとすることは言
うまでもない。また、光導波路を用いた光スイッチでな
されているように、内部に薄膜レンズを設け、レーザ光
出射口３５付近にレーザ光を集光することにより、さら
に出射効率を上げることが可能となる。

【００２０】図２は、レーザ光出射口３５付近の構造の
変形例を示す。

【００２１】図２（ａ）は、一対の金属膜３６Ａ，３６
Ｂの並ぶ方向を、図１（ｃ）の例に対して９０度回転し
た例を示す。これに合わせてレーザ光の偏光方向３７も
９０度回転しており、そのため半導体レーザ３はＴＥモ
ードで発振する。これにより、図１（ｃ）の場合と比較
してレーザ発振の閾値が低く、安定した発振が可能とな
る。なお、一対の金属膜３６Ａ，３６Ｂの形状は、三角
形や長方形でもよい。また、プラズモン励起体として
は、単一の金属片でもよい。

【００２２】図２（ｂ）は、開口３６ｂを有する遮光体
としての金属膜３６ａを示す。この金属膜３６ａは、レ
ーザ光７に対して不透明なＴｉ等の材料からなる。開口
３６ｂをレーザ光出射口３５に配置することにより、レ
ーザ光７のサイズを微小化することができる。開口３６
ｂは、長方形状を有し、その長手方向を記録トラック９
と平行にし、レーザ光の偏光方向３７を開口３６ｂの長
手方向に垂直、すなわち記録トラック９と垂直になるよ
うに設定する。これにより、記録トラック９の幅を狭め
ることができるとともに、開口３６ｂの長さを長くでき
るため、比較的レーザ光７の強度を上げることができ、
高効率の記録が可能となる。また、この場合の記録に
は、レーザ光とともに、磁界も変調する、いわゆる磁界
変調記録を行うとよい。これにより、一つ前の信号パル
スで記録された、例えば上向きの磁化の後端部を、次の
パルスにより打ち消す形で記録がなされるため、比較的
長い開口から出射される縦長のレーザ光によっても高密
度の記録が可能となる。なお、開口３６ｂの中心に開口
３６ｂよりサイズの小さい金属膜からなるレーザ光散乱
体を配置してもよい。このレーザ光散乱体によりレーザ
光７を散乱させ、レーザ光散乱体において励起されるプ
ラズモンから放射される近接場光を磁気記録層８ａの昇
温に利用することができる。

【００２３】図２（ｃ）は、ボータイ型金属膜３６の中
心側にテーパー状の傾斜面３６ｃを設けたものである。
これにより、傾斜面３６ｃにおいてレーザ光の集光効果
が生じ、レーザ光の出射効率を上げることができる。図
２（ｂ）に示す金属膜３６ａの開口３６ｂ側をテーパー
状の傾斜面を設けても同様の効果が得られる。

【００２４】図２（ｄ）は、図１（ｃ）に示すボータイ
型金属膜３６の一方の金属膜３６Ｂの先端付近にパーマ
ロイ等の軟磁性体からなる金属片５７を設けた例を示
す。これにより、磁界がこの金属片５７付近に集中し、
磁界強度を数十倍に高められるため、薄膜コイル６への
印加電流を大幅に低減でき、発熱量を減らすことが可能
となる。

【００２５】図２（ｅ）に示すように、金属片５７の位
置は、それぞれ金属膜３６の上に配置してもよく、ま
た、図２（ｆ）に示すように、金属膜３６の内部に配置
してもよい。前者の場合は、金属膜３６のパターニング
を必要としないため、プロセスを単純にできる。また、
後者の場合には、金属片５７を磁気記録層８ａに近づけ
られるため、磁気記録層８ａにおける磁界強度を上げる
ことができる。

【００２６】図２（ｇ）に示すように、軟磁性体からな
る金属片５７は、両方の金属膜３６Ａ，３６Ｂに設けて
もよく、図２（ｈ）に示すように、開口３６ｂを介して
金属膜３６ａの対向する位置にそれぞれ設けてもよい。
これにより、磁力線が広がらずに垂直になるため、磁界
が強くなる、コイルを小さくできる等の効果が得られ
る。

【００２７】図３は、半導体レーザ３の変形例を示す。
なお、薄膜コイル６は図示を省略する。同図（ａ）は、
ｐ電極３４ａのレーザ光出射口３５付近をカットしたも
のである。これにより、レーザ光出射口３５付近の電流
が減少してスピンバルブ膜５１付近の温度上昇を低減す
ることができる。同図（ｂ）は、さらに活性層３１のレ
ーザ光出射口３５付近の部分３１ａのバンドギャップを
拡散や再成長により広げた構造を有している。これによ
り、活性層の部分３１ａでの電流を完全に阻止してスピ
ンバルブ膜５１付近の温度上昇を低減することができる
とともに、この部分３１ａでの光吸収を防ぐことによ
り、同図（ａ）の場合よりもレーザ光７の発生効率を上
げることができる。

【００２８】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る
光アシスト磁気ディスク装置を示す。この光アシスト磁
気ディスク装置６０は、磁気記録層６１ａとしてＰｔ／
Ｃｒ等からなる垂直磁気記録媒体を使用した磁気ディス
ク６１と、磁気ディスク６１を回転させるモータ６２
と、磁気記録層６１ａ上を浮上走行して磁気記録層６１
ａに記録・再生を行う光アシスト磁気ヘッド７０と、光
アシスト磁気ヘッド７０を支えるスイングアーム６３
と、スイングアーム６３を走査するためのボイスコイル
モータ６４と、記録時には記録信号を処理し、光アシス
ト磁気ヘッド７０のレーザ光と磁界とを変調し、再生時
には光アシスト磁気ヘッド７０からの光強度信号を用い
て記録情報を再生する信号処理回路６５と、記録・再生
時にモータ６２やボイスコイルモータ６４を制御する制
御回路６６とを備える。なお、磁気記録層としては、Ｔ
ｅＦｅＣｏやＧｄＦｅＣｏ等の光磁気記録媒体を使用し
てもよい。また、半導体レーザから光導波路を介してレ
ーザ光を照射してもよい。

【００２９】この構成において、記録時には信号入力に
基づいて強度変調されたレーザ光が半導体レーザのレー
ザ光出射口から出射され、その直下に配置された磁気記
録層６１ａに入射して、磁気記録層６１ａに情報を記録
する。また、再生時には、半導体レーザから磁気記録層
６１ａの記録に影響を与えない程度に弱いレーザ光を磁
気記録層６１ａに照射し、磁気記録層６１ａからの磁界
の強度を磁気抵抗センサ５により検出して情報を再生す
る。

【００３０】また、記録・再生時には、光アシスト磁気
ヘッド７０から出射したレーザ光を磁気記録層６１ａ上
の特定の記録トラック（図示せず）上に移動し、かつ、
磁気抵抗センサの検出信号に基づいてトラッキングさせ
る。これは、ボイスコイルモータ３２の駆動による位置
制御を用いて行われる。すなわち、磁気ディスク６１の
アドレス情報を読み取り、その情報に基づいて形成した
駆動信号により、ボイスコイルモータ３２を駆動して光
アシスト磁気ヘッド７０を所定の記録トラック付近に移
動させた後、ボイスコイルモータ３２と圧電素子によっ
てヘッド７０を駆動するより、高精細に所定の記録トラ
ックを追従させる。

【００３１】この第２の実施の形態によれば、レーザ光
出射口と磁気抵抗センサが同時に同一の狭トラック上を
トラッキングさせることができ、熱的に安定な光アシス
ト磁気ヘッド７０を磁気ディスク６１の記録・再生に使
用することにより、高密度化、高転送レート化を図るこ
とができる。

【００３２】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、コ
イルの径を比較的大きくできるので、コイルの電気抵抗
を低減でき、発熱量を減らして熱的安定化が図れる。ま
た、磁気センサをコイルの内側に配置することにより、
レーザ光出射口と磁気センサとの距離が短くなり、組立
調整が容易となる。この結果、レーザ光出射口と磁気セ
ンサを同時に同一の狭トラック上をトラッキングさせる
ことが可能となる。また、レーザ光出射口の近傍に軟磁
性体からなる金属片を配置することにより、コイルによ
る磁界が微小片に集中し、磁界強度を数十倍に高められ
るため、コイルへの印加電流を大幅に低減でき、発熱量
を減らすことができるので、熱的安定化が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドの主要部を示し、（ａ）は側面概略図、（ｂ）
は側面主要部拡大図、（ｃ）は底面主要部拡大図であ
る。

【図２】（ａ）〜（ｈ）は本発明の第１の実施の形態に
係る光アシスト磁気ヘッドのレーザ光出射口付近の構造
の変形例を示す図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係る光アシスト磁
気ヘッドの半導体レーザの変形例を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施の形態に係る光アシスト磁
気ディスク装置の概略構成を示す図である。

【図５】従来の光アシスト磁気ヘッドの断面図である。

【符号の説明】

１光アシスト磁気ヘッド２浮上スライダ２ａ後端面２ｂエアベアリング面２ｃ凹部３半導体レーザ４熱絶縁膜５磁気抵抗センサ６薄膜コイル７レーザ光７近接場光８磁気ディスク８ａ磁気記録層８ｂ基板９記録トラック３０基板３１活性層３１ａ活性層の部分３２クラッド層３２ボイスコイルモータ３３クラッド層３４ａ，３４ｂ電極３５レーザ光出射口３６ボータイ型金属膜３６Ａ，３６Ｂ金属膜３６ａ金属膜３６ｂ開口３６ｃ傾斜面３７偏光方向４１熱絶縁膜４５レーザ光５１スピンバルブ膜５２ａ，５２ｂ電極５３ａ，５３ｂ絶縁膜５４ａ，５４ｂ磁気シールド膜５６磁界５７金属片６０光アシスト磁気ディスク装置６１磁気ディスク６１ａ磁気記録層６２モータ６３スイングアーム６４ボイスコイルモータ７０光アシスト磁気ヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気記録媒体にレーザ光出射口からレーザ
光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射口の周りに巻回され、前記レーザ光の
出射によって加熱された前記磁気記録媒体に磁界を印加
して情報を記録するコイルと、前記コイルの内側に配置され、前記磁気記録媒体に記録
された前記情報を検出する磁気センサとを備えたことを
特徴とする光アシスト磁気ヘッド。
【請求項２】前記レーザ光出射手段は、活性層の出射端
面を前記レーザ光出射口とする半導体レーザであること
を特徴とする請求項１記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項３】前記半導体レーザは、電極が前記活性層の
前記出射端面と同一の面に達しないように前記半導体レ
ーザの活性層よりも短く形成されていることを特徴とす
る請求項２記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項４】前記半導体レーザは、前記活性層の前記出
射端面付近のバンドギャップが、前記レーザ光の波長に
相当するバンドギャップよりも大きく形成され、この部
分においてレーザ光の吸収が生じないようにしたことを
特徴とする請求項２記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項５】前記磁気センサは、熱絶縁膜を介して前記
半導体レーザ上に形成されたことを特徴とする請求項２
記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項６】前記レーザ光出射手段は、レーザ光を出射
する半導体レーザと、コアの出射端面を前記半導体レー
ザからの前記レーザ光の前記レーザ光出射口とする光導
波路とを備えたことを特徴とする請求項１記載の光アシ
スト磁気ヘッド。
【請求項７】前記レーザ光出射口は、前記レーザ光出射
口から出射された前記レーザ光を増強するプラズモン励
起体を備えことを特徴とする請求項１記載の光アシスト
磁気ヘッド。
【請求項８】前記プラズモン励起体は、前記レーザ光出
射口の中心に対して対称位置に配置された一対の金属膜
を備え、前記レーザ光出射手段は、前記レーザ光の偏光方向が前
記一対の金属膜が並ぶ方向と一致することを特徴とする
請求項７記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項９】前記プラズモン励起体は、軟磁性体からな
る金属片を備えたことを特徴とする請求項７記載の光ア
シスト磁気ヘッド。
【請求項１０】前記プラズモン励起体は、前記レーザ光
出射口の中心側にテーパー状の傾斜面を備えたことを特
徴とする請求項７記載の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１１】前記レーザ光出射口は、前記レーザ光に
対して不透明な材料からなり、前記レーザ光出射口から
出射された前記レーザ光のサイズを小さくする開口を有
する遮光体を備えたことを特徴とする請求項１記載の光
アシスト磁気ヘッド。
【請求項１２】前記遮光体は、軟磁性体からなる金属片
を備えたことを特徴とする請求項１１記載の光アシスト
磁気ヘッド。
【請求項１３】前記遮光体は、前記開口の周縁にテーパ
ー状の傾斜面を備えたことを特徴とする請求項１１記載
の光アシスト磁気ヘッド。
【請求項１４】磁気記録媒体にレーザ光出射口からレー
ザ光を出射するレーザ光出射手段と、前記レーザ光出射口の周りに巻回され、前記レーザ光の
出射によって加熱された前記磁気記録媒体に磁界を印加
して情報を記録するコイルと、前記レーザ光出射口の近傍に配置された軟磁性体からな
る金属片とを備えたことを特徴とする光アシスト磁気ヘ
ッド。
【請求項１５】磁気記録ディスク上を浮上走行し、駆動
手段によって前記磁気記録ディスクの磁気記録層に対し
て情報の記録および再生を行う光アシスト磁気ヘッドを
有する光アシスト磁気ディスク装置において、前記光アシスト磁気ヘッドは、前記磁気記録層にレーザ
光出射口からレーザ光を出射するレーザ光出射手段と、
前記レーザ光出射口の周りに巻回され、前記レーザ光の
出射によって加熱された前記磁気記録層に磁界を印加し
て情報を記録するコイルと、前記コイルの内側に配置さ
れ、前記磁気記録層に記録された前記情報を検出する磁
気センサとを備えたことを特徴とする光アシスト磁気デ
ィスク装置。
【請求項１６】前記駆動手段は、前記磁気記録層への記
録時に、前記コイルへの印加電流を記録信号に同期して
サイン波状に変調し、前記レーザ光出射手段から出射さ
れる前記レーザ光を記録信号に応じてパルス的に変調す
ることを特徴とする請求項１５記載の光アシスト磁気デ
ィスク装置。
【請求項１７】前記駆動手段は、前記磁気記録層への記
録時に、前記コイルの印加電流を連続とし、前記レーザ
光出射手段から出射される前記レーザ光を記録信号に応
じてパルス的に変調することを特徴とする請求項１５記
載の光アシスト磁気記録装置。
【請求項１８】前記駆動手段は、前記磁気記録層の再生
時に、前記レーザ光出射手段から出射される前記レーザ
光を前記磁気記録層に連続的に出射させることを特徴と
する請求項１５記載の光アシスト磁気ディスク装置。