JP4705165B2 - 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 - Google Patents
磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4705165B2 JP4705165B2 JP2008510856A JP2008510856A JP4705165B2 JP 4705165 B2 JP4705165 B2 JP 4705165B2 JP 2008510856 A JP2008510856 A JP 2008510856A JP 2008510856 A JP2008510856 A JP 2008510856A JP 4705165 B2 JP4705165 B2 JP 4705165B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- sensor element
- magnetic sensor
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B2005/0002—Special dispositions or recording techniques
- G11B2005/0005—Arrangements, methods or circuits
- G11B2005/0021—Thermally assisted recording using an auxiliary energy source for heating the recording layer locally to assist the magnetization reversal
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
- G11B5/3133—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure
- G11B5/314—Disposition of layers including layers not usually being a part of the electromagnetic transducer structure and providing additional features, e.g. for improving heat radiation, reduction of power dissipation, adaptations for measurement or indication of gap depth or other properties of the structure where the layers are extra layers normally not provided in the transducing structure, e.g. optical layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
以下、図面を参照しながら、本発明の第1実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。本発明の第1実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図1の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第2実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図3は、本発明の第2実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号21〜36を付け、その説明を省略することがある。本発明の第2実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図3の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第3実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図4は、本発明の第3実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号41〜56を付け、その説明を省略することがある。本発明の第3実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図4の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第4実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図5は、本発明の第4実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号61〜76を付け、その説明を省略することがある。本発明の第4実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図5の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第5実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図6は、本発明の第5実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号81〜96を付け、その説明を省略することがある。本発明の第5実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図6の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第6実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図8は、本発明の第6実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号101〜116を付け、その説明を省略することがある。本発明の第6実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図8の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第7実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図9は、本発明の第7実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号121〜136を付け、その説明を省略することがある。本発明の第7実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図9の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第8実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図10は、本発明の第8実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号141〜156を付け、その説明を省略することがある。本発明の第8実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図10の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第9実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図11は、本発明の第9実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号161〜176を付け、その説明を省略することがある。本発明の第8実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図11の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第10実施形態に係る磁気センサー素子について説明する。図12は、本発明の第10実施形態に係る磁気センサー素子の主要部を磁気記録媒体対向面側から見た際の一部拡大平面図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号181〜196を付け、その説明を省略することがある。本発明の第8実施形態に係る磁気センサー素子の主要部のX−Y断面形状は、図12の平面図と同様の形状である。
次に、本発明の第11実施形態に係る磁気再生ヘッドについて説明する。図13は、本発明の第11実施形態に係る磁気再生ヘッドの主要部の斜視図である。図14は、図13の磁気再生ヘッドの側面(Y−Z平面)図である。なお、第1実施形態の符合1〜16と同様の部分には、順に符号201〜216を付け、その説明を省略することがある。
次に、本発明の第12実施形態に係る磁気再生装置について説明する。図15は、本発明の第12実施形態に係る磁気再生装置の摸式構成図である。
図1に示す第1実施形態の磁気センサー素子1と同構成の素子について、金属体層13の突起形状部の先端付近に波長680nmの光ビーム15を照射した場合の磁気記録媒体対向面における電場強度を、FDTD(Finite Difference Time Domain)法を用いてシミュレーションした。その結果を図16に示す。なお、シミュレーションに際しては光ビーム15の強度分布をガウス分布とし、スポット径を700nmとした。また、入射光の偏向方向は図16中のY方向とした。光ビーム15の電場のピーク強度は1(V/m)2とした。また、金属体層13の突起形状部の先端と、磁性体層11との距離は25nmとした。
図1に示す第1実施形態の磁気センサー素子1と同構成の素子における、金属体層13と磁性体層11との間隔を変化させた場合の電場強度の変化について、FDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図17に示す。図17における横軸は、金属体層13の突起形状部の先端と磁性体層11との間の距離hを、縦軸は、磁気記録媒体対向面における電場強度を示している。
図3に示す第2実施形態の磁気センサー素子21と同構成の素子について、実施例1と同じ条件でFDTD法を用いたシミュレーションを行った。すなわち、金属体層33の突起形状部の先端付近に波長680nmの光ビーム35を照射し、磁気記録媒体対向面における電場強度をシミュレーションした。その結果を図18に示す。
図3に示す第2実施形態の磁気センサー素子21と同構成の素子における、金属体層33と金属体層37との間隔を変化させた場合の電場強度の変化について、FDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図19に示す。図19における横軸は、金属体層33の突起形状部の先端と金属体層37との間の距離hを、縦軸は、媒体対向面における電場強度を示している。図19には、実施例2の結果も合わせて示した。なお、金属体層33と金属体層37との間隔を変化させた以外の条件は実施例3のシミュレーション条件と同じである。
図3に示す第2実施形態の磁気センサー素子21と同構成の素子における金属体層37の膜厚と電場強度との関係について、FDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図20に示す。なお、本実施例において、金属体層37の膜厚を変化させた以外の条件は実施例3のシミュレーション条件と同じである。
図4に示す第3実施形態の磁気センサー素子41と同構成の素子について、実施例1と同じ条件でFDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図21に示す。
図5に示す第4実施形態の磁気センサー素子61と同構成の素子について、金属体層77の膜厚を20nmとして、実施例1と同じ条件でFDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図22に示す。
図6に示す第5実施形態の磁気センサー素子81と同構成の素子について、実施例1と同じ条件でFDTD法を用いたシミュレーションを行った。その結果を図23に示した。
図6に示す第5実施形態の磁気センサー素子81と同構成の素子について、誘電体層92のY方向の長さ(高さ)hとX方向の長さ(幅)wとをそれぞれ変化させた場合の電場強度(媒体対向面における)の変化をシミュレーションした。なお、誘電体層92のY方向の長さ(高さ)hとX方向の長さ(幅)wとを変化させた以外の条件は実施例8のシミュレーション条件と同じである。
図6に示す第5実施形態の磁気センサー素子81と同構成の素子における、金属体層93の膜厚と電場強度との関係について、シミュレーションを行った。その結果を図26に示す。なお、金属体層93の膜厚を変化させた以外の条件は実施例8のシミュレーション条件と同じである。
図8に示す第6実施形態の磁気センサー素子101と同構成の素子について、実施例8と同じ条件でシミュレーションを行った。その結果を図27に示す。
図9に示す第7実施形態の磁気センサー素子121と同構成の素子について、実施例8と同じ条件でシミュレーションを行った。その結果を図28に示す。
図10に示す第8実施形態の磁気センサー素子141と同構成の素子について、実施例8と同じ条件でシミュレーションを行った。その結果を図29に示す。
2、11、22、31、42、51、62、71、82、91、102、111、122、131、142、151、162、171、182、191、202、211、231 磁性体層
3、8、23、28、43、48、63、68、83、88、103、108、123、128、143、148、163、168、183、188、203、208 バッファ層
4、24、44、64、84、104、124、144、164、184、204 磁化固定層
5、25、45、65、85、105、125、145、165、185、205 非磁性体層
6、26、46、66、86、106、126、146、166、186、206 磁化自由層
7、27、47、67、87、107、127、147、167、187、207、22 7磁気センシング部
9、29、49、69、89、109、129、149、169、189、209 不導体層
10、30、50、70、90、110、130、150、170、190、210 バイアス層
12、32、52、72、92、112、132、152、172、192、212、232、234 誘電体層
13、33、37、53、73、77、93、113、133、137、153、157、173、193、197、213、233 金属体層
14、34、54、74、94、114、134、154、174、194、214 近接場光発生部
15、35、55、75、95、115、135、155、175、195、215 光ビーム
16、36、56、76、96、116、136、156、176、196、216 近接場光
17、97、301 基板
18、98、217 絶縁層
153a 突起形状部
221 磁気記録再生素子
233a、233b 電極
233c 狭窄部
235a 磁界
302 ABS面形状
402、403 電極層
501 遮光体
601 磁気記録媒体
602 スピンドル
603 サスペンションアーム
604 ボイスコイルモーター
605 制御回路
606 回転駆動制御装置
607 信号処理装置
608 出力制御装置
609 メモリ装置
Claims (23)
- 磁性体層上に誘電体層、第1の金属体層の順に積層された近接場光発生部と、
前記近接場光発生部の前記磁性体層外側または前記第1の金属体層外側に形成されている磁気センシング部とを有している磁気センサー素子であって、
前記第1の金属体層が、前記磁性体層方向に突起した突起形状部を有していることを特徴とする磁気センサー素子。 - 前記磁性体層と前記第1の金属体層における突起形状部先端との間の距離が、5nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサー素子。
- 前記磁性体層と前記第1の金属体層における突起形状部先端との間の距離が、15nm以上50nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサー素子。
- 前記磁性体層が、前記第1の金属体層における突起形状部の形状に沿った窪み形状を有していることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気センサー素子。
- 前記磁性体層と前記誘電体層との間に、第2の金属体層が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の磁気センサー素子。
- 前記第2の金属体層と前記第1の金属体層における突起形状部先端との間の距離が、2nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の磁気センサー素子。
- 前記第2の金属体層と前記第1の金属体層における突起形状部先端との間の距離が、15nm以上70nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の磁気センサー素子。
- 前記第2の金属体層の膜厚が2nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項5に記載の磁気センサー素子。
- 磁性体層上に誘電体層、第1の金属体層の順に積層された近接場光発生部と、
前記近接場光発生部の前記磁性体層外側または前記第1の金属体層外側に形成されている磁気センシング部とを有している磁気センサー素子であって、
前記磁性体層と前記第1の金属体層との間に、前記第1の金属体層側表面に溝部を有する第2の金属体層が設けられているとともに、前記誘電体層全体が前記溝部を充塞するように形成されていることを特徴とする磁気センサー素子。 - 磁性体層上に誘電体層、第1の金属体層の順に積層された近接場光発生部と、
前記近接場光発生部の前記磁性体層外側または前記第1の金属体層外側に形成されている磁気センシング部とを有している磁気センサー素子であって、
前記磁性体層の前記第1の金属体層側表面に溝部が形成されているとともに、前記誘電体層全体が前記溝部を充塞するように形成されていることを特徴とする磁気センサー素子。 - 磁性体層上に誘電体層、第1の金属体層の順に積層された近接場光発生部と、
前記近接場光発生部の前記磁性体層外側または前記第1の金属体層外側に形成されている磁気センシング部とを有している磁気センサー素子であって、
前記第1の金属体層の前記磁性体層側表面に溝部が形成されているとともに、前記誘電体層全体が前記溝部を充塞するように形成されていることを特徴とする磁気センサー素子。 - 前記第1の金属体層が、前記磁性体層方向に突起した突起形状部を有していることを特徴とする請求項10または11のいずれか1項に記載の磁気センサー素子。
- 前記誘電体層の膜厚が5nm以上20nm以下、膜面方向の幅が50nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項9に記載の磁気センサー素子。
- 前記第1の金属体層の最も薄い部分の膜厚が8nm以上100nm以下であることを特徴とする請求項9に記載の磁気センサー素子。
- 前記磁性体層と前記誘電体層との間に、第2の金属体層が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の磁気センサー素子。
- 前記第1の金属体層が、Au,Ag,Al又はこれらを主体とする合金から形成されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気センサー素子。
- 前記第1の金属体層及び前記第2の金属体層が、Au,Ag,Al又はこれらを主体とする合金から形成されていることを特徴とする請求項5又は15に記載の磁気センサー素子。
- 請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気センサー素子が表面に形成されている基体と、
前記基体の前記磁気センサー素子における近接場光出射側の面に形成されているABS面形状とを有していることを特徴とする磁気再生ヘッド。 - 前記磁気センサー素子において近接場光を発生させるためのレーザー光源が、前記基体上に形成されていることを特徴とする請求項18に記載の磁気再生ヘッド。
- 前記基体上において前記磁気センサー素子に照射される光ビームの光軸上の一部に、前記磁気センサー素子に含まれる磁気センシング部に前記光ビームが照射されることを防ぐための遮光体が設けられていることを特徴とする請求項18に記載の磁気再生ヘッド。
- 請求項18に記載の磁気再生ヘッドと、
前記磁気再生ヘッドによって磁気再生が行われる磁気記録媒体とを備えている磁気再生装置。 - 前記磁気再生ヘッドにおける磁気センサー素子が、前記磁気再生ヘッドにおける近接場光発生位置よりも前記磁気記録媒体の移動方向の後方に配設されていることを特徴とする請求項21に記載の磁気再生装置。
- 請求項21に記載の磁気再生装置を用い、前記磁気再生ヘッドにおける磁気センサー素子から近接場光が発せられ、前記近接場光により磁気記録媒体上に加熱領域が形成されるとともに、前記加熱領域から生じる磁界を前記磁気センサー素子に含まれる磁気センシング部を用いて検出することを特徴とする磁気再生方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008510856A JP4705165B2 (ja) | 2006-04-13 | 2007-03-27 | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006111369 | 2006-04-13 | ||
JP2006111369 | 2006-04-13 | ||
JP2008510856A JP4705165B2 (ja) | 2006-04-13 | 2007-03-27 | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 |
PCT/JP2007/056295 WO2007119519A1 (ja) | 2006-04-13 | 2007-03-27 | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007119519A1 JPWO2007119519A1 (ja) | 2009-08-27 |
JP4705165B2 true JP4705165B2 (ja) | 2011-06-22 |
Family
ID=38609298
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008510856A Expired - Fee Related JP4705165B2 (ja) | 2006-04-13 | 2007-03-27 | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8208214B2 (ja) |
JP (1) | JP4705165B2 (ja) |
WO (1) | WO2007119519A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5005602B2 (ja) * | 2008-04-01 | 2012-08-22 | シャープ株式会社 | 近接場光発生素子、近接場光発生素子の製造方法、および記録ヘッド |
JP4944849B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2012-06-06 | シャープ株式会社 | 磁界および近接場発生素子、その使用方法、光アシスト磁気記録方法、並びに、光アシスト磁気記録装置 |
US8036069B1 (en) * | 2010-05-28 | 2011-10-11 | Headway Technologies, Inc. | Plasmon shield to shape and reduce optical spot |
US8045422B2 (en) * | 2009-01-07 | 2011-10-25 | Tdk Corporation | Near-field light generating element comprising surface plasmon antenna and waveguide with groove |
US8139447B2 (en) * | 2009-04-08 | 2012-03-20 | Headway Technologies, Inc. | Heat-assisted magnetic recording head with near-field light generating element |
US8089830B2 (en) * | 2009-05-13 | 2012-01-03 | Tdk Corporation | Near-field light generating device including near-field light generating element with edge part opposed to waveguide |
US8233358B2 (en) * | 2009-06-15 | 2012-07-31 | Headway Technologies, Inc. | Plasmon antenna with magnetic core for thermally assisted magnetic recording |
US7911883B2 (en) * | 2009-06-26 | 2011-03-22 | Headway Technologies, Inc. | Near-field light generating element having two different angles |
US8223425B2 (en) * | 2009-11-06 | 2012-07-17 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Plasmonic device tuned using physical modulation |
US8284637B2 (en) * | 2010-01-25 | 2012-10-09 | Headway Technologies, Inc. | Shaped plasmon generators for thermally-assisted magnetic recording |
US8242510B2 (en) * | 2010-01-28 | 2012-08-14 | Intersil Americas Inc. | Monolithic integration of gallium nitride and silicon devices and circuits, structure and method |
US8325441B2 (en) * | 2010-03-31 | 2012-12-04 | Headway Technologies, Inc. | Thermally assisted magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive |
US8351151B2 (en) | 2010-11-02 | 2013-01-08 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Thermally assisted magnetic write head employing a near field transducer (NFT) having a diffusion barrier layer between the near field transducer and a magnetic lip |
US8553505B2 (en) * | 2010-11-24 | 2013-10-08 | HGST Netherlands B.V. | Thermally assisted magnetic write head employing a plasmonic antenna comprising an alloyed film to improve the hardness and manufacturability of the antenna |
US8861138B2 (en) | 2013-03-18 | 2014-10-14 | Headway Technologies, Inc. | Multilayer plasmon generator |
US8830799B1 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-09 | Headway Technologies, Inc. | Near-field light generator and thermally-assisted magnetic recording head |
US8867170B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-10-21 | Headway Technologies, Inc. | Multilayer plasmon generator |
US8988975B1 (en) * | 2013-09-24 | 2015-03-24 | Headyway Technologies, Inc. | Thermally assisted magnetic head, method of manufacturing the same, head gimbal assembly, and hard disk drive |
JP6355731B2 (ja) * | 2014-06-06 | 2018-07-11 | 株式会社イノバステラ | デバイス及び記録装置 |
US11545180B1 (en) * | 2021-06-23 | 2023-01-03 | Seagate Technology Llc | Heat-assisted magnetic recording head with a near-field oscillator pair |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003006803A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 光磁気ヘッドおよび光磁気ディスク装置 |
JP2004151046A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | 近接場光発生プローブ及び近接場光発生装置 |
JP2005004901A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記録方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4070983B2 (ja) | 2000-12-19 | 2008-04-02 | シャープ株式会社 | 磁気記録ヘッドおよび磁気記録装置 |
JP3903365B2 (ja) * | 2001-03-29 | 2007-04-11 | 株式会社東芝 | 光アシスト磁気記録ヘッド及び光アシスト磁気記録装置 |
US6982844B2 (en) * | 2001-12-18 | 2006-01-03 | International Business Machines Corporation | Optical aperture for data recording having transmission enhanced by surface plasmon resonance |
US7106935B2 (en) * | 2002-01-07 | 2006-09-12 | Seagate Technology Llc | Apparatus for focusing plasmon waves |
JP2003203304A (ja) | 2002-01-07 | 2003-07-18 | Fuji Xerox Co Ltd | 光アシスト磁気ヘッド及び光アシスト磁気ディスク装置 |
US7027700B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-04-11 | Seagate Technology Llc | Planar waveguide for heat assisted magnetic recording |
JP4445192B2 (ja) | 2002-10-16 | 2010-04-07 | シャープ株式会社 | 光学素子および光学センサ |
JP4004984B2 (ja) | 2003-03-28 | 2007-11-07 | シャープ株式会社 | 電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置 |
JP4602043B2 (ja) | 2004-10-13 | 2010-12-22 | シャープ株式会社 | 電磁界発生素子、情報記録再生ヘッド、及び情報記録再生装置 |
US7489597B2 (en) * | 2004-09-27 | 2009-02-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electromagnetic field generating element, information recording/reproducing head, and information recording/reproducing apparatus |
JP4005087B2 (ja) | 2004-09-27 | 2007-11-07 | シャープ株式会社 | 電磁界発生素子、情報記録再生ヘッドおよび情報記録再生装置 |
JP4025348B2 (ja) | 2005-10-03 | 2007-12-19 | シャープ株式会社 | 電磁界検出素子、電磁界検出センサ、電磁界検出回路、磁気記録再生ヘッド、情報記録再生装置 |
JP4938486B2 (ja) | 2005-10-03 | 2012-05-23 | シャープ株式会社 | 位相制御回路及びその制御方法、電磁界検出回路 |
US7649677B2 (en) * | 2006-04-04 | 2010-01-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Multi-ridged subwavelength aperture for optical transmission and thermally assisted magnetic recording |
JP4462346B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2010-05-12 | Tdk株式会社 | 熱アシスト磁気ヘッド |
US7898909B2 (en) * | 2009-02-12 | 2011-03-01 | Tdk Corporation | Thermal-assisted magnetic recording head having substrate and light reflection section |
-
2007
- 2007-03-27 JP JP2008510856A patent/JP4705165B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-03-27 WO PCT/JP2007/056295 patent/WO2007119519A1/ja active Application Filing
- 2007-03-27 US US12/225,901 patent/US8208214B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003006803A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Fuji Xerox Co Ltd | 光磁気ヘッドおよび光磁気ディスク装置 |
JP2004151046A (ja) * | 2002-11-01 | 2004-05-27 | Hitachi Ltd | 近接場光発生プローブ及び近接場光発生装置 |
JP2005004901A (ja) * | 2003-06-12 | 2005-01-06 | Hitachi Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記録方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2007119519A1 (ja) | 2009-08-27 |
WO2007119519A1 (ja) | 2007-10-25 |
US8208214B2 (en) | 2012-06-26 |
US20090219638A1 (en) | 2009-09-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4705165B2 (ja) | 磁気センサー素子、磁気再生ヘッド、磁気再生装置及び磁気再生方法 | |
US7804655B2 (en) | Thermally assisted magnetic head | |
US8077556B2 (en) | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
US7876646B2 (en) | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
JP4800896B2 (ja) | 磁気センサー素子及びその製造方法、磁気ヘッド、磁気再生装置、並びに磁気再生方法 | |
US7940486B2 (en) | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
US8014101B2 (en) | Near-field light generator plate, thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
US8374061B2 (en) | Thermally-assisted magnetic recording head capable of reducing the number of binding wires | |
US7974043B2 (en) | Thermally assisted magnetic head | |
US7957085B2 (en) | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk drive | |
US7710677B2 (en) | Thermally assisted magnetic head | |
US20080192376A1 (en) | Thermally assisted magnetic head | |
US8243558B2 (en) | Thermally assisted magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk apparatus | |
JP2010080044A (ja) | 傾斜した受光面を有するプラズモン・アンテナ | |
JP2007335027A (ja) | 熱アシスト磁気記録用光源ユニット | |
US8400886B2 (en) | Thermally-assisted magnetic recording head, head gimbal assembly and magnetic recording device | |
JP4680825B2 (ja) | 磁気記録再生ヘッド、磁気記録再生装置及び磁気情報記録再生方法 | |
JP2008152868A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド | |
JP2008152869A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド | |
JP2008059691A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 | |
JP2008059693A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド | |
JP2009043368A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 | |
JP2008269689A (ja) | 磁気記録装置 | |
JP2008159156A (ja) | 熱アシスト磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ及びハードディスク装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081009 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100601 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100713 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110310 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |