JP4520524B2 - 熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダ及びそれを用いた熱アシスト記録装置 - Google Patents
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Description
に関する。
[実施例1]
まず、近接場光素子へ入射光を伝える手段として導波路を用いた場合について説明する。
図1および図2に、導波路を用いた熱アシスト記録装置用ヘッドの実施例を示す。ヘッドの母体となるスライダ5の中に、近接場光発生素子に光を導くための導波路(コア3およびクラッド4から構成される)を形成し、その下部に、近接場光を発生させるための散乱体1を形成した。導波路のコア3の材質はTa2O5(屈折率=2.18)とし、クラッドの材質はSiO2とした。導波路の断面形状は正方形とし、幅Wx,Wyはいずれも500nmとした。クラッドの断面形状も正方形とし、幅Cx,Cyはいずれも1.0μmとした。
次に、近接場光素子へ入射光を伝える手段としてレンズを用いた場合について説明する。
図11に、レンズを用いた場合の実施例を示す。本実施例では、レンズとして材質がBi4Ge3O12(屈折率=2.23)である半球レンズを用いた。このレンズ16をスライダ5底面に形成し、この半球レンズの底面で光が集光するように入射光6を入射させた。このレンズの底面の焦点位置に散乱体1を形成した。散乱体の形状、材質は前記実施例と同じとした。散乱体1の周辺には、半球状の低屈折率部2を形成した。低屈折率部2の材質はSiO2とした。ここで、低屈折率部2の厚さd1は、レンズの集光特性を劣化させない程度に小さくする必要がある。そのためには、低屈折率部2の厚さd1は、レンズ中の光波長(真空中の波長をλ0、レンズの屈折率をnLとしたとき、λ0/ nL)以下にする必要がある。本実施例ではd1は250nmとした。
次に、本発明の近接場光発生器を磁気ディスク装置に用いられる単磁極ヘッドと組み合わせた場合の実施例について説明する。
図13は、単磁極ヘッドと散乱体を組み合わせた記録ヘッドの断面図を示す。スライダ5の表面に近接場光を発生させるための散乱体1を形成し、その周辺に低屈折率部2を形成した。光は波長785nmの半導体レーザを用いて発生させ、半導体レーザから発生する光を導波路22を用いてスライダ5まで導いた。導波路22から出射した光は、コリメートレンズ23を用いて平行光にした。その光はミラー24で折り返し、集光レンズ25を用いて、近接場光発生素子につながる導波路(コア3およびクラッド4から構成される導波路)にカップリングさせた。磁界は、薄膜コイル17を用いて発生させ、発生した磁界を主磁極18によって散乱体1の近くに導いた。薄膜コイル17の反対側には、閉磁路を形成するための補助磁極19を形成した。導波路の横には、記録マークを再生するための、磁気再生素子(Giant Magneto Resistive (GMR)素子又はTunneling Magneto Resistive (TMR)素子)20を形成した。磁気再生素子20の周辺には、周りからの磁界を遮蔽するためのシールド21を形成した。
2 低屈折率部
3 導波路コア部
4 導波路クラッド部
5 スライダ
6 入射光
7 反射光
8 媒体
9 エアーギャップ
10 遮光膜
11 近接場光が発生する頂点
12 保護膜
13 記録層
14 下地層
15 基板
16 レンズ
17 コイル
18 主磁極
19 補助磁極
20 磁気再生素子
21 シールド
22 導波路
23 コリメートレンズ
24 ミラー
25 集光レンズ
26 記録ヘッド
27 サスペンション
28 ボイスコイルモータ
29 記録ディスク
30 スピンドル
31 信号処理用LSI
32 半導体レーザ用パッケージ
33 導波路
Claims (8)
- 記録磁界を発生する主磁極と、補助磁極と、磁界再生素子と、当該磁界再生素子の周辺に形成されたシールドとを有する熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダにおいて、
前記主磁極に隣接して設けられた、所定波長の光を導波するための導波路と、
当該導波路の端部であって前記磁気ヘッドスライダの浮上面側に配置された近接場発生素子と、
当該近接場発生素子と前記導波路との間に形成された光導波部とを有し、
前記光導波部の屈折率は前記導波路の屈折率よりも小さく、
前記近接場発生素子は前記導波路から離間しており、前記導波路の磁気ヘッドスライダ側端部から前記近接場発生素子までの距離は、前記光導波部を伝搬する光の波長よりも小さいことを特徴とする熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダ。 - 記録磁界を発生する主磁極と、補助磁極と、磁界再生素子と、当該磁界再生素子の周辺に形成されたシールドとを有する熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダにおいて、
前記主磁極に隣接して設けられた、コアとクラッドからなる導波路と、
当該導波路の磁気ヘッドスライダ浮上面側端部に形成された、前記コアよりも屈折率の低い低屈折率材料層と、
当該材料層の前記浮上面側に形成された近接場発生素子とを有し、
前記近接場発生素子は前記導波路から離間しており、前記導波路と前記低屈折率材料層との界面から当該低屈折率材料層と前記近接場発生素子との界面との距離は、前記低屈折率材料層を伝搬する光の波長よりも小さいことを特徴とする熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダ。 - 請求項1又は2に記載の熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダにおいて、前記近接場発生素子は、前記浮上面側からみた形状が三角形の金属膜により構成されることを特徴とする熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダ。
- 請求項1又は2に記載の熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダにおいて、前記近接場発生素子は、開口を有するC字型の金属膜により構成されることを特徴とする熱アシスト記録用磁気ヘッドスライダ。
- 記録媒体と、当該記録媒体に対して記録及び再生動作を行う機能を備えた磁気ヘッドスライダとを有する熱アシスト記録装置において、
前記磁気ヘッドスライダは、
記録磁界を発生する主磁極と、
補助磁極と、
磁界再生素子と、
当該磁界再生素子の周辺に形成されたシールドと、
前記主磁極に隣接して設けられた、所定波長の光を導波するための導波路と、
当該導波路の端部であって前記磁気ヘッドスライダの浮上面側に配置された近接場発生素子と、
当該近接場発生素子と前記導波路との間に形成された光導波部とを有し、
前記光導波部の屈折率は前記導波路の屈折率よりも小さく、
前記近接場発生素子は前記導波路から離間しており、前記導波路の磁気ヘッドスライダ側端部から前記近接場発生素子までの距離は、前記光導波部を伝搬する光の波長よりも小さいことを特徴とする熱アシスト記録装置。 - 記録媒体と、当該記録媒体に対して記録及び再生動作を行う機能を備えた磁気ヘッドスライダとを有する熱アシスト記録装置において、
前記磁気ヘッドスライダは、
記録磁界を発生する主磁極と、
補助磁極と、
磁界再生素子と、
当該磁界再生素子の周辺に形成されたシールドと、
前記主磁極に隣接して設けられた、コアとクラッドからなる導波路と、
当該導波路の磁気ヘッドスライダ浮上面側端部に形成された、前記コアよりも屈折率の低い低屈折率材料層と、
当該材料層の前記浮上面側に形成された近接場発生素子とを有し、
前記近接場発生素子は前記導波路から離間しており、前記導波路と前記低屈折率材料層との界面から当該低屈折率材料層と前記近接場発生素子との界面との距離は、前記低屈折率材料層を伝搬する光の波長よりも小さいことを特徴とする熱アシスト記録装置。 - 請求項5又は6に記載の熱アシスト記録装置において、前記近接場発生素子は、前記浮上面側からみた形状が三角形の金属膜により構成されることを特徴とする熱アシスト記録装置。
- 請求項5又は6に記載の熱アシスト記録装置において、前記近接場発生素子は、開口を有するC字型の金属膜により構成されることを特徴とする熱アシスト記録装置。
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