JP4735412B2

JP4735412B2 - 光記録ヘッド及び光記録装置

Info

Publication number: JP4735412B2
Application number: JP2006138724A
Authority: JP
Inventors: 真奈美杭迫; 直樹西田; 裕昭上田; 賢治金野; 洋波多野; 昌広興津; 孝二郎関根
Original assignee: Konica Minolta Opto Inc
Current assignee: Konica Minolta Opto Inc
Priority date: 2006-05-18
Filing date: 2006-05-18
Publication date: 2011-07-27
Anticipated expiration: 2026-05-18
Also published as: JP2007310958A

Description

本発明は、光記録ヘッド及び光記録装置に関する。

磁気記録方式では、記録密度が高くなると磁気ビットが外部温度等の影響を顕著に受けるようになる。このため高い保持力を有する記録媒体が必要となる。このような記録媒体を使用すると記録時に必要な磁界も大きくなる。記録ヘッドによって発生する磁界は飽和磁束密度によって上限が決まる。この飽和磁束密度は材料の限界に近づいており飛躍的な増大は望めない。そこで記録時に局所的に加熱して磁気軟化を生じさせ保持力が小さくなった状態で記録し、その後に加熱を止めて自然冷却することにより記録した磁気ビットの安定を保証する方式が提案されている。この方式は、熱アシスト磁気記録方式と呼ばれている。

熱アシスト磁気記録方式では、記録媒体の加熱を瞬間的に行うことが望ましい。また、加熱する機構と記録媒体とが接触することは許されない。このため、加熱は光の吸収を利用して行われるのが一般的であり、この加熱に光を用いる方式が光アシスト式と呼ばれている。レーザー光を磁気記録面に加熱のために照射する方法として以下がある。

レーザー光を出射するレーザー光出射手段と、レーザー光出射手段からのレーザー光が入射する第１面、第１面に入射した前記レーザー光を反射する第２面、および第２面で反射したレーザー光が集光して光スポットが形成される第３面を有し、第３面から滲み出た近接場光により記録又は再生を行わせる透明集光用媒体とを備えている光ヘッドがある（例えば、特許文献１参照）。

また、レーザー光を集光して光スポットを形成する光ヘッドにおいて、レーザー光を出射するレーザー光出射手段と、レーザー光出射手段からのレーザー光を所定の点に集光する集光手段と、所定の点と光スポットが形成される点とを２焦点とする回転楕円面の一部からなり外側に反射体が形成された反射面、レーザー光出射手段からのレーザー光が入射される入射面、および光スポットが形成されるスポット形成面を有し、集光手段によって集光され、所定の点で反射あるいは屈折して反射面に向かうレーザー光を反射体で反射させて集光面上の所定の点に光スポットを形成する透明集光用媒体とを備えている光ヘッドがある（例えば、特許文献２参照）。

光アシスト式磁気記録方式で超高密度記録を行う場合、必要なスポット径は２０ｎｍ程度なり、通常の光学系では回折限界があるため集光することが出来ない。そこで、非伝搬光である近接場光を用いて加熱する方式がいくつか提案されている（例えば、特許文献３参照）。この方式では、適当な波長のレーザー光を光学系によって集光し、数十ｎｍの大きさの金属（プラズモンプローブと呼ばれる。）に照射して近接場光を発生させ、その近接場光を加熱手段としている。
特開２００２−３５２４６８号公報特開２０００−１４９３１７号公報特開２００５−１１６１５５号公報

しかしながら、特許文献１に記載されてある光ヘッドは、第３面に光スポットが形成され、第３面から滲み出た近接場光により記録又は再生を行わせる透明集光媒体を備えているとしてある。この第３面に集光して形成する光スポットをできるだけ微小とするため、第３面のＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌａｐｅｒｔｕｒｅ）を大きくする必要がある。ＮＡを大きくするためには、第３面への光の収束角を大きくする必要ある。収束角が大きいために、光スポットが形成される近傍に磁気記録用に使うための磁気ヘッドを載せようとすると第３面の透明集光媒体側に設けることができない。また、第３面の透明集光媒体の反対側に磁気ヘッドを載せようとすると近接場光を十分に磁気記録媒体に近づけることができない。このため、例えば、磁気ヘッドを情報記録面の反対側に置くことが必要となる。１つのディスクへの書き込みに対して２つのヘッドが必要となり、また高密度化がさらに要求される場合、光学ヘッドと磁気ヘッドとの位置を、仕様にも依るが例えば、少なくとも記録時は常時１０μｍ程度以内に収める必要がある。よって、小型化が容易でなくまた複雑な記録ヘッドの制御が必要となると考えられるが、これらに関しての記述がされてない。

また、レーザー光を反射する第２面は球面、回転放物面またはこれらの同等の機能を有する反射型ホログラムとしている。この場合、第２面に入射する光束は平行光とする必要があり、ＮＡを大きくするためには、この平行光の光束の直径を大きくする必要がある。従って、小型化が容易でなくなると考えられる。更に、この平行光を得るために、レーザー光源から出射される光を平行光に変換する光学素子、例えば、コリメータレンズが必要となり、更に透明集光用媒体との複雑な光軸調整をして設けることが必要である。

特許文献２に記載されてある光ヘッドは、反射面に回転楕円面を使用して、この回転楕円面の２焦点の一方にレーザー光を集光する手段を必要としている。よって、このレーザー光を集光する手段は、少なくともレーザー光源から出射される光を平行光に変換する光学素子、例えば、コリメータレンズが必要となり、透明集光用媒体との複雑な光軸調整をして設けることが必要である。

また、スポット形成面に形成される光スポットは、できるだけ微小とするためにスポット形成面のＮＡを大きくしてある。よって、上記の特許文献１に関する内容と同様に、磁気ヘッドの配置に関する問題が生じるが、これに関しての記述がされてない。

また、通常のレンズやＳＩＬ（ｓｏｌｉｄｉｍｍｅｒｓｉｏｎｌｅｎｓ）でディスク上に光スポットを形成する場合、スポットサイズを小さくするためには、ＮＡを大きくとらなければならない。従って上述した内容と同様に磁気ヘッドの配置に関する問題が生じる。

高密度情報記録においては、１枚のディスク上の情報の高密度化は勿論であり、更にディスクを多層配置する、又はできるだけ小型の筐体に収納することで空間的に高密度化することも必要である。例えば、多層のディスク配置を想定した場合、ディスク同士の間隔はできるだけ小さいことが要望され、光ヘッドの厚みは、例えば、磁気ヘッドも含めて１ｍｍ以下とすることが望まれている。

本発明は、上記の課題を鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、小型で、高密度な記録を可能とする光記録ヘッド及びこの光記録ヘッドを用いた光記録装置を提供することにある。

上記の課題は、以下の構成により解決される。

１．光を出射する光源と、
前記光源と該光源からの光を反射して光スポットが形成される点とを２焦点とする回転楕円面の一部からなる反射面を有する１個の導光光学素子と、
前記光源からの光を導波して記録媒体に照射するための光導波路とを備えた光記録ヘッドであって、
前記導光光学素子は、前記光源からの光を集光し、前記光導波路の端面に垂直入射させて前記光スポットを形成し、
前記光導波路は、前記光スポットを導波して前記光スポットの径を小さくして前記記録媒体に照射することを特徴とする光記録ヘッド。

２．光を出射する光源と、
前記光源と該光源からの光を反射して光スポットが形成される点とを２焦点とする反射面を、回転放物面又は回転楕円面のいずれかの一部からなる面を２つ組み合わせて構成している１個の導光光学素子と、
前記光源からの光を導波して記録媒体に照射するための光導波路とを備えた光記録ヘッドであって、
前記導光光学素子は、前記光源からの光を集光し、前記光導波路の端面に垂直入射させて前記光スポットを形成し、
前記光導波路は、前記光スポットを導波して前記光スポットの径を小さくして前記記録媒体に照射することを特徴とする光記録ヘッド。

３．前記光導波路は、使用波長に対する屈折率が２以上の材料で構成されていることを特徴とする１又は２に記載の光記録ヘッド。

４．前記光源は、波長が近赤外帯域であることを特徴とする１から３の何れか一つに記載の光記録ヘッド。

５．前記光源からの光を反射して前記反射面に導くための第２の反射面をさらに備え、
前記２焦点のうちの一方は、前記第２の反射面が存在しない場合の仮想的な前記光源の位置であることを特徴とする１から４の何れか一つに記載の光記録ヘッド。

６．前記光導波路の光出射位置に近接場光発生用のプラズモンプローブを有し、前記プラズモンプローブが曲率半径２０ｎｍ以下の頂点を有するアンテナ又はアパーチャから成ることを特徴とする１から５の何れか一つに記載の光記録ヘッド。

７．１から６の何れか一つに記載の光記録ヘッドは、磁気記録素子を有することを特徴とする光記録ヘッド。

８．１から７の何れか一つに記載の光記録ヘッドを備えていることを特徴とする光記録装置。

本発明によれば、光源から出射される光は、１個で構成される導光光学素子が有する回転放物面又は回転楕円面からなる反射面にて反射して光導波路の光入射面に垂直に入射する光スポットを形成することができる。

よって、光学素子が１個であることから、小型化を容易ととすることができ、また反射面は、光源からの光を波長に依存することなく無収差で光導波路の入射面に垂直に入射させ光スポットを形成することができることから、光源からの光を効率よく光導波路に導くことができる。更に光導波路は、入射面に光が垂直方向に入射されるため、入射された光を効率良く導波して記録媒体に照射することができ、更に入射した光スポットの径を小さくする構成をとることができる。また、光導波路が設けてあることで、この光導波路の周辺に磁気記録素子を設けることが可能となる。

従って、小型で、高密度な記録を可能とする光記録ヘッド及びこの光記録ヘッドを用いた光記録装置を提供することができる。

以下、本発明に係わる光記録ヘッドに磁気記録素子を有する光アシスト式磁気記録ヘッドとそれを備えた光記録装置等を図面を参照しつつ説明する。尚、各実施の形態の相互で同一の部分や相当する部分には同一の符号を付して重複の説明を適宜省略する。

図１に光アシスト式磁気記録ヘッドを搭載した光記録装置（例えばハードディスク装置）の概略構成例を示す。この光記録装置１０は、記録用のディスク（磁気記録媒体）２と、支軸５を支点として矢印Ａの方向（トラッキング方向）に回転可能に設けられたサスペンション４と、サスペンション４に取り付けられたトラッキング用アクチュエータ６と、サスペンション４の先端に取り付けられた光アシスト式磁気記録ヘッド３（以下、光記録ヘッド３と称する。）と、ディスク２を矢印Ｂの方向に回転させるモータ（図示しない）と、を筐体１の中に備えており、光記録ヘッド３がディスク２の上で浮上しながら相対的に移動しうるように構成されている。

光記録ヘッド３は、ディスク２に対する情報記録に光を利用する光記録ヘッドであって、半導体レーザー、光ファイバー等からなる光源部と、ディスク２の被記録部分を近赤外レーザー光でスポット加熱するための光アシスト部と、光源部からの近赤外レーザー光を光アシスト部に導く光学系（以降、導光光学素子と称する。）と、ディスク２の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録部と、ディスク２に記録されている磁気情報の読取を行う磁気再生部と、を備えている。光源部を構成している半導体レーザーは近赤外光源であり、その半導体レーザーから出射した近赤外波長（近赤外帯域としては、０．８μｍから２μｍ程度であり、レーザー光の波長としては、１０００ｎｍ、１３１０ｎｍ、１５５０ｎｍ等が挙げられる。）を有するレーザー光は、光ファイバーで所定の位置（光源部）まで導光される。光源部から出射した近赤外レーザー光は、光学系により光アシスト部に導光され、光アシスト部の光導波路を通って光記録ヘッド３から出射する。光アシスト部から出射した近赤外レーザー光が微小なスポットとしてディスク２に照射されると、ディスク２の照射された部分の温度が一時的に上昇してディスク２の保持力が低下する。その保持力の低下した状態の照射された部分に対して、磁気記録部により磁気情報が書き込まれる。この光記録ヘッド３の詳細を以下に説明する。

図２、４，６に示す光記録ヘッド３Ａ，３Ｂ、３Ｃは、光記録ヘッド３（図１）に相当し、これら光記録ヘッド３Ａ，３Ｂ、３Ｃをそれぞれ実施例１、２、３として以下で説明する。

光記録ヘッド３Ａ、３Ｂ、３Ｃのそれぞれに設けてある導光光学素子に関してコンストラクションデータを実施例１から３として以下に挙げ、また、図３，５、７にそれぞれの光学断面を示す。尚、図５に示す光学断面においては、光記録ヘッド３Ｂ（図４）に示している光路を折り曲げる反射面１８は示していない。図４に示す光記録ヘッド３Ｂのように、実際の光学配置において、途中にミラー等の光路を折り曲げるための平面反射面を設けても良い。また、実施例３において、光源と集光点とを数値計算の都合上入れ替えているが、光の逆進性を利用して、光源と集光点とを入れ替えることができる。

各実施例のコンストラクションデータにおいては、次の通りである。ｒｉ（ｉ＝１，２，３・・・）は、実施例１及び２では光源側から数えてｉ番目の面Ｓｉ（ｉ＝１，２，３・・・）の曲率半径、実施例３では集光点側から数えてｉ番目の面Ｓｉ（ｉ＝１，２，３・・・）の曲率半径を示し、ｄｉ（ｉ＝１，２，３・・・）は、実施例１及び２では光源側から数えてｉ番目の軸上面間隔（ｍｍ）、実施例３では集光点側から数えてｉ番目の軸上面間隔（ｍｍ）を示しており、各面Ｓｉを定義する際の基準となる座標軸をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸それぞれの平行偏芯量及び傾き量として示している。

実施例１及び２における偏芯データ（ローカル面頂点基準）は、光源基準グローバル座標での偏芯データを含めたものを新たな座標とした上での偏芯量を示している。同様に、実施例３における偏芯データ（ローカル面頂点基準）は、集光点基準グローバル座標での偏芯データを含めたものを新たな座標とした上での偏芯量を示している。すなわち、光源の位置を原点として、光源側から順次面を定義していく。この順次面を定義する際の原点は、その都度示されている偏芯データを反映する。従って、面を定義する毎に座標軸が変化していくことになる。光源の次に定義する面の座標の偏芯データを「光源基準グローバル座標」と表している。また、これ以降に定義する面の座標の偏芯データを「ローカル面頂点基準」と表している。

偏芯データの表記に関して説明する。Ｘ、Ｙ、Ｚ各軸の偏芯量をそれぞれＸＳＣ、ＹＳＣ、ＺＳＣとして示す。また、Ｘ、Ｙ、Ｚ各軸を回転軸としたときの各面の傾き角をそれぞれＡＳＣ、ＢＳＣ、ＣＳＣとして示す。また、傾き方向は各軸の原点方向見て時計回り方向をマイナス（−）とする。具体的には、原点となる座標軸の例を実施例１の光学断面である図３に示す。光源ＬＳから光が進む方向をＺ軸とし、これに直交する座標をＸ軸、Ｙ軸としている。

反射面を構成する非球面は以下の式（１）による形状である。
Ｚ＝（Ｃ＊ｈ²）／（１＋（１−（１＋ｋ）＊ｃ²＊ｈ²）^1/2）・・・・・・（１）
但し、Ｚは面頂点からの距離、ｈは光軸からの高さ、Ｃは曲率（＝１／ｒｉ）、ｋは円錐定数である。

尚、実施例１及び２の光源位置ＬＳは光ファイバー１４の出射端面に相当し、Ｆｐは集光点を示している。実施例３の集光点Ｆｐは光ファイバー１４の出射端面に相当し、ＬＳは集光点を示している。また、光源側のＮＡ（ｎｕｍｅｒｉｃａｌａｐｅｒｔｕｒｅ）及び焦点距離をあわせて示す。また、実施例３においては、実用上光源となる集光点ＦｐにおけるＮＡを参考として併せて示している。

（実施例１）

（実施例２）

（実施例３）

実施例１、３（図２、図６）の反射面１７Ｓは回転楕円面、実施例２（図４）の反射面１７Ｓ−１及び反射面１７Ｓ−２は回転放物面であることから、導光光学素子１３は、原理的に光源１４（詳しくは、発光点１５）から出射される光を反射して、光の波長に依存することなく、無収差の集光が可能で集光点１６に微小なスポットを形成することが可能になる。

実施例１から３において、磁気記録部１２Ｂはディスク２に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録素子であり、磁気再生部１２Ｃはディスク２に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生素子であり、光アシスト部１２Ａはディスク２の被記録部分を近赤外レーザー光でスポット加熱するための光アシスト素子である。なお、各実施例ではディスク２の記録領域の流入側から流出側（図２矢印で示す方向）にかけて、磁気再生部１２Ｃ，光アシスト部１２Ａ、磁気記録部１２Ｂの順に配置されているが、配置順はこれに限らない。光アシスト部１２Ａの流出側直後に磁気記録部１２Ｂが位置すればよいので、例えぱ、光アシスト部１２Ａ、磁気記録部１２Ｂ、磁気再生部１２Ｃの順に配置してもよい。

実施例１から３の光記録ヘッド３Ａ、３Ｂ、３Ｃは、別途設けてある半導体レーザーから出射した近赤外光を取り込み発光点１５に導光している光ファイバー（光源部）１４と、その光ファイバー１４が取り付けることができるベースを兼ね、光ファイバー１４からの近赤外光を光アシスト部１２Ａに導くための導光光学素子１３と、導光光学素子１３が取り付けられた状態でディスク２（図１）の上で浮上しながら相対的に移動するスライダ１１と、で構成されている。

また、スライダ１１には、光アシスト部１２Ａに加えて、ディスク２の被記録部分に対して磁気情報の書き込みを行う磁気記録部１２Ｂと、ディスク２に記録されている磁気情報の読み取りを行う磁気再生部１２Ｃと、を備えている。

実施例１（図２）の導光光学素子を説明する。導光光学素子１３にはＶ溝（不図示）が設けられており、そのＶ溝に直径１２５μｍの光ファイバー１４が設置されている。光ファイバー１４の光出射端面は斜めにカットされているため、光束は光ファイバー１４から右上方に出射した後、この光ファイバー１４の光出射端面に接している導光光学素子１３への入射面に入射する。入射した光は、光ファイバー１４のコア径でほぼ決まるＮＡ（通常０．１程度）でもって広がりながら形状が回転楕円面である反射面１７Ｓに到達し、反射される。反射された光は、光アシスト部１２Ａ内の光導波路の端面に垂直に入射して集光され、光導波路との結合が完了する。

図２において、導光光学素子１３は、例えば、シリコンで構成することができる。導光光学素子１３に入射した光が反射面１７Ｓで反射することになり、反射効率を良くするために導光光学素子１３の反射面１７Ｓ（外側面）に増反射膜を設けるのが好ましい。また、導光光学素子１３から出射する光を光アシスト部１２Ａ内の光導波路に対して垂直に入射させるため、導光光学素子１３に光を入射させる角度は３０°上向きにする必要がある。シリコンの屈折率を３．５０２とし、光ファイバー１４の屈折率を１．５０３５９とすると、光ファイバー１４の光出射端面を垂直より＋４８．８°（図２ θ１）とすることで対応できる。

また、反射面１７Ｓを有する導光光学素子を構成する場合、図８に示す様に、上述の様に導光する媒体を全てシリコン（図８（Ａ））とする以外に、全て空気（図８（Ｃ））または空気とシリコン（図８（Ｂ））とする構成をとるができる。図８（Ｂ）、（Ｃ）に示すように光ファイバー１４の光出射端部の導光光学素子１３の導光媒体が空気とする場合、光ファイバー１４の屈折率を１．５０３５９とすると、光ファイバー１４の光出射端面を垂直より下向きに−３８．１°（図８（Ｂ）θ１）とすることで対応できる。

光源にファイバーを使用しないで、例えば、レーザー光を発光するレーザーチップを導光光学素子１３の光入射位置に直接設ける場合は、光が射出する角度が３０°となるようにレーザーチップ傾けて設置することで対応することができる。

実施例２（図４）の導光光学素子を説明する。導光光学素子１３にはＶ溝（不図示）が設けられており、そのＶ溝に直径１２５μｍの光ファイバー１４が設置されている。光ファイバー１４の光出射端面は垂直にカットされているため、光束は光ファイバー１４から右水平方向に出射した後、この光ファイバー１４の光出射端面に接している導光光学素子１３の入射面に入射する。入射した光は、光ファイバー１４のコア径でほぼ決まるＮＡ（通常０．１程度）でもって広がりながら全反射ミラー部１８により９０°上に折り曲げられる。その後、形状が回転放物面である反射面１７Ｓ−１に到達し、ほぼ平行光束となり次の回転放物面である反射面１７Ｓ−２に到達し反射される。反射された光は、光アシスト部１２Ａ内の光導波路の端面に垂直に入射し集光され、光導波路との結合が完了する。尚、本実施例２では、反射面１７Ｓ−１及び１７Ｓ−２を回転放物面として構成しているが、両反射面を回転楕円面として構成することもできる。

また、反射面１７Ｓ−１、１７Ｓ−２を有する導光光学素子を構成する場合、図９に示す様に、上述の様に導光する媒体を全てシリコン（図９（Ａ））とする以外に、全て空気（図９（Ｃ））または空気とシリコン（図９（Ｂ））とする構成とすることができる。

実施例３（図６）の導光光学素子を説明する。導光光学素子１３にはＶ溝（不図示）が設けられており、そのＶ溝に直径１２５μｍの光ファイバー１４が設置されている。光ファイバー１４の光出射側端面は斜めにカットされているため、光束は光ファイバー１４から右上方に出射した後、光ファイバー１４のコア径でほぼ決まるＮＡ（通常０．１程度）でもって広がりながら空気中を進み形状が回転放物面である反射面１７Ｓに到達し、反射される。反射された光は、光アシスト部１２Ａ内の光導波路の端面に垂直に入射し集光され、光導波路との結合が完了する。

図６において、導光光学素子１３は、例えば、シリコンで構成することができる。導光光学素子１３に入射した光が反射面１７Ｓで反射することになり、反射効率を良くするために導光光学素子１３の反射面１７Ｓに増反射膜を設けるのが好ましい。また、導光光学素子１３から出射する光を光アシスト部１２Ａ内の光導波路に対して垂直に入射させるため、導光光学素子１３に光を入射させる角度は１２°上向きにする必要がある。シリコンの屈折率を３．５０２とし、光ファイバー１４の屈折率を１．５０３５９とすると、光ファイバー１４の光出射端面を垂直より−２１．６°（図６ θ１）とすることで対応できる。

本実施例の反射面１７Ｓを有する導光光学素子を構成する場合、図８に示す様に、上述のように導光する媒体を全て空気（図８（Ｃ））とする以外に、全てシリコン（図８（Ａ））または空気とシリコン（図８（Ｂ））とする構成とすることができる。図８（Ａ）に示す様に、光ファイバー１４の光出射端部の導光光学素子の導光媒体がシリコンとなる場合、光ファイバー１４の屈折率を１．５０３５９とすると、光ファイバー１４の光出射端面を垂直より下向きに＋２０．５°（図９（Ａ） θ１）とすることで対応できる。

実施例１から３に示した導光光学素子１３が出射する光は、何れも光アシスト部１２Ａ内の光導波路の端面に垂直方向としている。これは、垂直から傾くにつれて光導波路で導波する効率が悪くなり、３０°程度傾くとほとんど導波しなくなるからである。従って、導光光学素子１３が出射する光は、何れも光アシスト部１２Ａ内の光導波路の端面に垂直方向とするのが好ましい。

実施例１から３において、光ファイバー１４のモードフィールド径は約９μｍであり、光アシスト部１２Ａ内の光導波路モードフィールド径も約９μｍであるため、この導光光学素子の倍率は１：１である。光アシスト部１２Ａから出射した光束が微小な光スポットとしてディスク２（図１）に照射されると、ディスク２の照射された部分の温度が一時的に上昇してディスク２の保磁力が低下する。その保磁カの低下した状態の照射された部分に対して、磁気記録部１２Ｂにより磁気情報の書き込みが行われる。

実施例１から３に示す導光光学素子１３Ａ、１３Ｂにおける集光点Ｆｐ、導光光学素子１３Ｃにおける光源ＬＳから光路の最も高い位置までの高さは、約０．７ｍｍとすることができる。導光光学素子１３にスライダ１１を取り付けることで、小型の光記録ヘッドを構成することができる。また、各導光光学素子１３は何れも１部品で構成することができるため、小さい複数の光学部品を並べて光軸調整をするといった難度の高い組み立て作業を不要とすることができる。また、各導光光学素子１３に、波長を、例えば、１０００ｎｍ、１３１０ｎｍ、１５５０ｎｍとする近赤外レーザー光に対して透光性があるシリコンを用いることができる。シリコンの加工には半導体プロセスを用いることができるので、微小な段差や溝などを容易に作製することができるため光源などの配置の位置決めとなる形状（例えば、光ファイバーを設けるＶ溝）やスライダとの位置決めとなる形状等を導光光学素子を成す同じ部材で作製することが可能である。このように他の部品を配置するための部材も導光光学素子と同一材料で一部品として作製することで、組み立て工程を簡略化することが可能である。また、各導光光学素子１３の導光媒体部分を、例えば、空気として、その反射面を有する構造をシリコンを用いて構成することができるのは勿論である。

次に実施例１から３の各光記録ヘッド３Ａ、３Ｂ、３Ｃがスライダ１１内に有する光アシスト部１２Ａを具体例１から３を挙げて説明する。図１０から図１２に光アシスト部の具体例１を示し、図１３及び図１４に光アシスト部の具体例２を示し、図１５及び図１６に光アシスト部の具体例３を示す。図１０は具体例１を斜視図で示しており、図１１、図１３及び図１５は具体例１から３を流出端側（つまり、ディスク２（図１）の記録領域の流出側）から見た様子を断面図でそれぞれ示しており、図１２、図１４及び図１６は具体例１から３を横から見た様子を断面図（図２、図４、図６の断面に対応する）でそれぞれ示している。

具体例１、２の光アシスト部１２Ａは、コア２１ａ（例えばＳｉ）、サブコア２３ａ（例えばＳｉＯＮ）及びクラッド２４ａ（例えばＳｉＯ₂）からなる光導波路を有しており、具体例３の光アシスト部１２Ａは、コア２１ａ及びクラッド２４ａからなる光導波路を有している。その光導波路の光射出位置又はその近傍には、図１２、図１４及び図１６にそれぞれ示す様に、近接場光発生用のプラズモンプローブ３０が配置されている。そのプラズモンプローブ３０の具体例を図１７に示す。

図１７において、（Ａ）は三角形の平板状金属薄膜（材料例：アルミニウム、金、銀等）からなるプラズモンプローブ３０、（Ｂ）はボウタイ型の平板状金属薄膜（材料例：アルミニウム、金、銀等）からなるプラズモンプローブ３０であり、何れも曲率半径２０ｎｍ以下の頂点Ｐを有するアンテナからなっている。また、（Ｃ）は開口を有する平板状金属薄膜（材料例：アルミニウム、金、銀等）からなるプラズモンプローブ３０であり、曲率半径２０ｎｍ以下の頂点Ｐを有するアパーチャからなっている。これらのプラズモンプローブ３０に光が作用すると、その頂点Ｐ近辺に近接場光が発生して、非常に小さいスポットサイズの光を用いた記録又は再生を行うことが可能となる。つまり、光導波路の光射出位置又はその近傍にプラズモンプローブ３０を設けることにより局所プラズモンを発生させれば、光導波路で形成された光スポットのサイズを小さくすることができ、高密度記録に有利となる。なおコア２１ａの中央にプラズモンプローブ３０の頂点Ｐが位置することが好ましく、また、近赤外波長１５５０ｎｍでは、金属薄膜の材料として金を用いるのが好ましい。

光アシスト式で超高密度記録を行う場合に必要なスポット径が２０ｎｍ程度であり、光の利用効率を考えると、プラズモンプローブ３０におけるモードフィールド（ＭＦＤ）は０．３μｍ程度が望ましい。そのままの大きさでは光の入射が困難であるため、スポット径を５μｍ程度から数１００ｎｍまで小さくするスポットサイズ変換を行う必要がある。光アシスト部１２Ａの具体例１から３では、光導波路の一部でスポットサイズ変換器を構成することにより、光入射を容易にするためのスポットサイズ変換をおこなう構成としている。

具体例１でのコア２１ａの幅は、図１２が示す断面では光入力側から光出力側にかけて一定になっているが、図１１（Ａ）に示す断面ではサブコア２３ａ内において光入力側から光出力側にかけて徐々に広くなるように変化している。この光導波路径の滑らかな変化によりモードフィールド径が変換される。つまり、具体例１における光導波路のコア２１ａの幅は、図１１（Ａ）に示すように、光入力側で０．１μｍ以下、光出力側で０．３μｍとなっているが、図１１（Ｂ）に示すように、光入力側ではサブコア２３ａによりＭＦＤが５μｍ程度の光導波路が構成され、その後徐々にコア２１ａに光結合してモードフィールド径が小さくなる。具体例２では、具体例１とは逆に、図１４に示す断面でのコア２１ａの膜厚を光出力側（プラズモンプローブ３０側）に向けて厚くし、図１３に示す断面では膜厚を変えずにモードフィールド径を調節する構成になっている。このように、光導波路の光出力側のモードフィールド径をｄとし、光導波路の光入力側のモードフィールド径をＤとしたとき、光導波路径を滑らかに変化させることによりモードフィールド径を変換して、Ｄ＞ｄを満たすようにすることが好ましい。

光導波路の先端を徐々に細く（又は薄く）なるようにしておくと、光導波路のコアを伝搬してきた光がスポットサイズ変換用光導波路のコア部分にさしかかると、光がクラッドへ漏れ出す量が多くなり、光の電界分布が広がることになる。その結果、スポットサイズが大きくなる。しかしながら、変換用光導波路のコアの幅を極端に細く又は厚みを薄くすると、光導波路として伝搬モードが存在出来ない状態、すなわちカットオフ状態となる。この時、光はサブコア（ＳｉＯＮ）及びクラッド（ＳｉＯ₂）で構成された光導波路と結合し、大きな光スポットを形成することが出来る。これは、小さい光スポットを拡大する方向での説明であるが、光の逆進性により上記のように拡大された光スポットと同じ形状の光を入射させれば、光スポットを縮小することが出来る。尚、細く又は薄くする方向が一方向であっても、光スポットを２次元的に拡大することが出来る。

具体例３でのコア２１ａの幅は、図１５、図１６に示すように、両方向の断面において光入力側から光出力側にかけて徐々に細くなるように変化している。つまり、具体例３における光導波路のコア２１ａの幅は、図１５に示すように、光入力側で５μｍ、光出力側で０．３μｍとなっている。この光導波路の滑らかな変化により、モードフィールド径が変換される。このように、光導波路のコアを徐々に太く（又は厚く）なるようにすると、その形状に依存して光スポットは拡大する。光の逆進性により上記のように拡大された光スポットと同じ形状の光を入射させれば、光スポットを縮小することが出来る。

光導波路の長さは、０．６ｍｍ程度と現状ではされているが、今後より一層小型化が要望されることで更に短く０．２ｍｍ程度となると予想できる。光導波路を短くすると、光導波路により光スポットを縮小するに際しての光エネルギー損失が大きくなる。例えば、導波路を構成するコアの使用波長に対する屈折率を１．５（例えば、石英を材料とする。）、光スポットサイズ変換器による縮小率を１／５とすると光エネルギー損失は、３０％程度となる。これに対してコアの使用波長に対する屈折率を２以上とすると、光エネルギー損失を３０％以下とすることができるので好ましい。また、コアの使用波長に対する屈折率の上限は、使用可能な材料から制限されると考えられるが、フレネル損失の観点から５以下とするのが好ましい。

上記の具体例１から３では、光導波路をコアとクラッドとを持つ構成としているが、例えば、具体例３におけるクラッドを有していない光導波路を構成することができる。この場合、コアの周囲は光を通さない部材とする。この構成の場合、コアからなる光導波路の外側の部材との界面で反射しながら光束が導波される。光が導波される際、界面において外周の部材が光エネルギーを取り込んでしまうため光エネルギーの損失が生じる。この時、光エネルギーの損失を少なくするためにはコアの屈折率が大きいことが好ましい。また、コアのみで光スポットサイズ変換器を構成することができる。この場合も、上記と同じように光スポットを縮小して光導波路の長さを短くする場合、光エネルギー損失が大きくなる。この損失を抑えるためにコアの使用波長に対する屈折率を２以上とすることが好ましい。また、コアの使用波長に対する屈折率の上限は、使用可能な材料から制限されると考えられるが、フレネル損失の観点から５以下とするのが好ましい。

前述したように、通常のレンズやＳＩＬでディスクの上に光スポットを形成する場合、スポットサイズを小さくするためにＮＡを大きくする必要がある。これは、集光点に向かう光線の角度が大きいことを意味するので、光が磁気記録部や磁気再生部と干渉してしまうことになり、また、ビーム径や光記録ヘッドの大型化を招くことにもなる。それに対し前述した光記録ヘッド３Ａ、３Ｂ、３Ｃでは、スライダ１１に光導波路を有する構成になっているため、磁気記録部や磁気再生部との配置的干渉は問題とならない。また、光導波路で構成される光スポットサイズ変換器を設けることで、スライダ１１の上部におけるモードフィールド径を大きくしておけば、導光光学素子１３の射出側のＮＡを小さくすることができ、導光光学素子１３の中を通過するビーム径も小さくとることが出来るため、導光光学素子１３の小型化に寄与することが出来る。

通常、光導波路部の長さはスライダ１１の厚さと一致させるが、特殊な構成ではその前後としてもよい。例えば、位置合わせ用としてスライダに凹形状（又は凸形状）を設け、逆に導光光学素子１３と兼ねたベンチに凸形状（又は凹形状）を設けた場合では、光導波路部の長さがスライダ厚さと一致していなくてよい。また、スポットサイズ変換の長さは、０．２ｍｍ以上であることが好ましい。スポットサイズ変換を急激に行うと漏れ光が発生し、この過剰損失を低減するには０．２ｍｍ以上の長さが必要となるからである。尚、具体例１から３におけるスポットサイズ変換器の長さは、コア２１ａの幅が光入射側から光出力側にかけて徐々に変化している部分の長さ相当し、具体例１及び２ではサブコア２３ａの長さに相当する。

次に、具体例１の光アシスト部１２Ａを有するスライダ１１の作製方法を図１８の工程図を用いて説明する。図１８（Ａ）に示す様に、基板１９（材料：ＡｌＴｉＣ等）に磁気再生部１２Ｃを作製した後、平坦化する。（Ｂ）に示す様にＣＶＤ法（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を用いてＳｉＯ₂層２０を３μｍ成膜し、続いてＳｉ層２１を３００ｎｍ成膜する。その上にレジストを塗布し、（Ｃ）に示すように、電子ビームリソグラフィー（或いは露光によるフォトリソグラフィー）によりコア形状をパターニングしてレジストパターン２２を形成する。このときコア形状が所望のテーパ形状となるようにレジストパターンを形成する。ＲＩＥ法（ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｃｈｉｎｇ）を用いてＳｉ層２１を加工し、（Ｄ）に示すようにコア２１ａを形成する。（Ｅ）に示す様にＣＶＤ法を用いてＳｉＯＮ層２３を３μｍ積層する。フォトリソグラフィー工程でＳｉＯＮ２３を３μｍ幅に加工し、（Ｆ）に示すようにサブコア２３ａ形成する。（Ｇ）に示すように、ＣＶＤを用いてＳｉＯ₂層２４を５μｍ成膜した後、平坦化し、磁気記録部１２Ｂを作製する。この後、ディスク２と対峙する面に対して、浮上特性向上のための空気ベアリング面（以下、ＡＢＳと称する）加工を行う。（Ｈ）に示す様に、ダイシング、ミリング等の加工方法により、スライダ形状に切断加工する。クラッド２４ａはＳｉＯ₂層２０とＳｉＯ₂層２４とで構成される。尚、基板１９はＡｌＴｉＣからなっているがシリコンからなるものを用いてもよい。

具体例２の光アシスト部１２Ａを有するスライダ１１を作製する場合には、図１８（Ｄ）でのコア２１ａの形成後（図１９（Ａ））、図１９（Ｂ）に示すようにドライエッチング装置での斜めエッチングを行うことによりテーパ形状を形成し、図１８（Ｆ）でのサブコア２３ａの形成後、図１９（Ｃ）に示す様にＳｉＯ₂層２４を成膜してクラッド２４ａを構成する（図１９（Ｃ）中のサブコア２３ａは省略する。）。具体例３の光アシスト部１２Ａを有するスライダ１１を作製する場合には、具体例２における斜めエッチングとは逆の方向からの斜めエッチングを行えばよい。

上記の様に、光導波路のコア材料が屈折率が２以上であるシリコンであり、光導波路の使用波長が近赤外波長であることが好ましい。いろいろな高屈折率材料が一般的に知られており、その高屈折率材料を使用することにより、紫外線から可視光、近赤外光まで洋々な波長に対応することができ、レーザーや光学系の部材の選択肢が広がる。しかし、一般に高屈折率材料はドライエッチング装置で加工してもエッチング速度が遅く、レジストとの選択比も取り難く、性能の良い微細構造を形成するためには困難が伴う。例えば、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の材料では可視光を用いることは出来るが、加工が困難である。シリコンは半導体プロセスの一般的材料であり、その加工方法が確立されているため、比較的簡単に加工を行うことが出来る。従って、シリコンを光導波路のコア材料として用いるのが好ましい。但し、シリコンを光導波路のコア材料として用いると、可視光を使用することができないので、光導波路に使用する光としては近赤外光を用いるのが好ましい。つまり、使用波長として近赤外波長（１０００ｎｍ、１３１０ｎｍ、１５５０ｎｍ等が挙げられる。）の光源を用いれば、実績のあるシリコンをコア材料として用いることが出来るため、加工性が向上して有利になる。

シリコンは屈折率が石英に比べてはるかに高いので、シリコンを光導波路のコア材料として用いることにより、コアとクラッドとの屈折率差Δｎを大きくすることができ、単純な構成で微小スポット（つまり高エネルギー密度）を得ることが可能となる。例えば、上記のようにコアをシリコンで構成しクラッドをＳｉＯ₂で構成することにより、屈折率差Δｎを大きくすることができ、スポット径を１μｍ以下、０．５μｍ程度まで小さくすることができる。尚、コア材料が石英の光導波路で得られるスポット径は１０μｍ程度である。

コアとクラッドとの屈折率差Δｎは、コアの屈折率（ここではシリコン等）をｎ１とし、クラッドの屈折率（ここではＳｉＯ₂等）をｎ２とすると以下の式（１）で定義される。
Δ（％）＝（ｎ１²−ｎ２²）／（２・ｎ１²）×１００・・・・（１）
図２０に、コアの屈折率と屈折率差Δｎとの関係（クラッドの屈折率：１．４５６の場合）をグラフで示す。尚、ＳｉＯ₂の屈折率は１．４５６、ＳｉＯＮの屈折率は１．５、Ｓｉの屈折率は３．５である。

光導波路においてコアとクラッドとの屈折率差Δｎは２０％以上であることが望ましい。屈折率差Δｎが２０％以上となると高屈折率差の光導波路を用いることにより、単純な構成で微小なスポットを得ることが可能となる。基本モードのビーム径が１μｍ以下になるので、屈折率差Δｎは２０％以上必要である。また、屈折率差Δｎは５０％以下である。なぜなら、コアの屈折率をいくら高くしても屈折率差Δｎの式（１）は５０％に漸近するだけだからである。

前述したようにシリコンは近赤外波長用として有効なコア材料であるが、加工上のメリットを要しない場合には、コア材料として他の屈折率が２以上の高屈折率材料を用いることにより、紫外光から可視光、近赤外光まで広い波長域で微小スポットの効果を得ることが出来る。シリコン以外の高屈折率材料（屈折率：波長域）の例としては、ダイヤモンド（２．４：可視全域）、III−Ｖ族半導体：ＡｌＧａＡｓ（３．５：近赤外〜赤）、ＧａＮ（２．６：緑、青）、ＧａＡｓ（３．５８：赤、橙、青）、ＧａＰ（３．２９：赤、黄、緑）、ＡｌＧａＩｎＰ（３．５：橙、黄、緑）、II−VI族半導体：ＺｎＳｅ（２．４：青）が挙げられる。また、シリコン以外の高屈折率材料の加工方法の例としては、ダイヤモンドでは、Ｏ₂ガスによるドライエッチングが挙げられ、ＧａＡｓ系、ＧａＰ系、ＺｎＳｅ、ＧａＮ系では、Ｃｌ₂系ガス又はメタン水素を用いたＩＣＰエッチング装置でのドライエッチング加工が挙げられる。

また前述したように、ハードディスク装置等のディスク装置では、高容量化の要請から複数枚の記録用ディスクを用いることが一般的である。その場合、光記録ヘッドはその隙間に入って動くことが可能となる薄さが必須要件となっている。記録用ディスクを複数枚使用しない場合でも、小型のハードディスク装置等では筐体の壁とディスクとの間が狭くなっており、同様に光記録ヘッドは薄くする必要がある。その空間はおおよそ１ｍｍ程度である。

前述した光記録ヘッド３では、スポットサイズ変換器を用いることにより、光出力側のスポットと比較して、光入力側の光スポットを大きくしている。これにより、ＮＡの小さい導光光学素子を用いることができるため、光学系を薄型にすることが可能となる。また、スライダと光学系とに必要とされる配置精度も光入力側の光スポットが大きいため緩くなり、組み立て時にも有利となる。

以上の要件から、光導波路の光出力側のモードフィールド径をｄとし、光導波路の光入力側のモードフィールド径をとしたとき、光導波路径を滑らかに変化させることによりモードフィールド径を変換してＤ＞ｄを満たすことが望ましい。例えば、具体例１の場合、Ｄ＝５μｍ、ｄ＝０．３μｍである（図１１（Ｂ））。光導波路径を滑らかに変化させることによりモードフィールド径を変換して、光導波路の光入力側のモードフィールド径よりも光導波路の光出力側のモードフィールド径が小さくなるようにする構成により、小さな光スポットを得ることが可能になる。そして、光スポットサイズが小さくなることにより、記録の高密度化が可能になる。倍率の上限に関しては、作製時の原理的な問題（広げることができる最大光スポットサイズの限界と、作ることのできる最も小さい光スポットサイズの限界）と、倍率の実用上必要とされる値（光出力側サイズ：０．２５μｍ、光入力側サイズ：１０μｍ）と、から４０倍程度と規定するのがことができる。従って、モードフィールド径が４０ｄ＞Ｄ＞ｄを満たすことが更に望ましい。

また、光学系とスライダとを合わせた光記録ヘッドの最大高さが、ディスクと部材（例えば、ディスク及びスライダを収容する筐体、記録用の第２のディスク等）との間の距離より小さいことが望ましい。図１に示す光記録装置１０では、ディスク２に情報を書き込むために光導波路を有し、且つ、ディスク２の上で浮上しながら相対的に移動するスライダ１１（図２等）と光導波路に光を入射させる光学系と、を合わせた光記録ヘッド３の最大高さが、スライダ１１の移動経路を覆うように配置された筐体１とディスク２との間の距離より小さく、更に隣り合って位置するディスク２間の距離より小さい構成になっている。そしてこの構成により、光記録装置１０の小型化を達成している。

前述した光記録ヘッド３は、ディスク２に対する情報記録に光を利用する光アシスト式磁気記録ヘッドであるが、記録媒体に対する情報記録に光を利用する光記録ヘッドであって、記録媒体の上で浮上しながら相対的に移動するスライダを有し、そのスライダにコアの屈折率が２以上の光導波路を有するものであれば、光アシスト式磁気記録ヘッドに限らない。例えば、近接場光記録、相変化記録等の記録を行う光記録ヘッドにおいても、上述の特徴のある光導波路を用いることにより同様の効果を得ることが可能である。図２１にそのような光導波路１２ａを有する光記録ヘッド３Ｄを示す。この光記録ヘッド３Ｄは、磁気を利用しない光記録を行う構成となっており、磁気再生部１２Ｃと磁気記録部１２Ｂを有しない他は、実施例１（図２）の光記録ヘッド３と同様の構成となっている。尚、前述したプラズモンプローブ３０を光導波路１２の光出射位置又はその近傍に配置してもよい。

次に、実施例１（図２）の光記録ヘッド３Ａを例に挙げて、導光光学素子１３とスライダ１１との位置調整、接着等を説明する。導光光学素子１３とスライダ１１とは、図２２で示すように別々に作製して組み付けることができる。

導光光学素子１３とスライダ１１との水平方向の位置決めは、それらの上部からカメラ等で観察しながら、図２３に示す様に位置決めマーク（例えば、＋）等を基準に行うことが可能である。カメラでの観察は赤外光で行うことができる。シリコンは赤外波長に対して透明であるため、赤外光を用いることにより＋マークを基準とする位置決めが可能である。位置決めマーク＋が２点あれば導光光学素子１３とスライダ１１との貼り合わせ面内での直交する２方向（ｘ、ｙ）及び貼り合わせ面に垂直な軸の回転角度θを調整することが可能である。尚、導光光学素子１３の上部には光ファイバー１４の構造物があるのであるので、導光光学素子１３の裏面に位置決めマーク＋を設けるのが好ましい。

導光光学素子１３とスライダ１１との傾き調整は、赤外光を用いた相互の干渉を利用して行うことができる（傾き調整１）。例えば、図２４（Ａ）中の実線矢印で示すように導光光学素子１３の上から赤外光を照射し、導光光学素子１３の底面での反射光とスライダ１１の上面での反射光との干渉により得られる干渉縞（図２４（Ｂ））を見ながら、傾き調整を行うことができる。また、傾き調整は赤外光を用いたオートコリメーターを利用して行うことができる（傾き調整２）。図２５（Ａ）にオートコリメーター２５でスライダ１１の傾きを計測しながら調整する様子を示し、図２５（Ｂ）にそのときのオートコリメーター画像を示す。図２５（Ｃ）にオートコリメーター２５で導光光学素子１３の傾きを計測しながら調整する様子を示し、図２５（Ｄ）にそのときのオートコリメーター画像を示す。

導光光学素子１３とスライダ１１との固定は、接着剤を用いるのが好ましい。接着剤の例としては、熱硬化性接着剤（液状、シート状）、２液混合型接着剤（液状）、嫌気性接着剤（液状）が挙げられる。熱硬化性接着剤の例としては、使用波長を透過する（透明な）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、熱硬化性ポリイミドが挙げられ、２液混合型接着剤の例としては、使用波長を透過する（透明な）アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂が挙げられ、嫌気性接着剤（液状）の例としては空気に触れている間は硬化せず、空気を遮断することで硬化するもの、使用波長を透過する（透明な）アクリル樹脂（例えば、ロックタイト（商品名））が挙げられる。

一般的に光学部品の接着に用いられるＵＶ硬化性樹脂は、ＵＶがシリコンベンチやスライダ材料透過しないので好ましくない。横からＵＶ照射使用としても、接着層が薄いと届かないので好ましくない。溶剤の揮発により基材同士が結びつき接着するタイプは、接着層が薄いため溶剤が揮発できず好ましくない。空気中又は物体表面の水分と反応して固化するシアノアクリレート接着剤（瞬間接着剤）は、接着面に水分が名入り込めないので好ましくない。また、導光光学素子１３とスライダ１１との接着に基板直接接合法を用いても良い。この方法は、一般に材質が異なる２種の基板を面と面とで直接圧接し、加熱等を行うことにより、原子オーダーで接合させる方法である。この方法には、ハンダや接着剤等の中間物質を必要としないというメリットがある。

光記録装置の概略構成例を示す斜視図である。光アシスト式磁気記録ヘッドの実施例１を示す断面図である。実施例１の光アシスト式磁気記録ヘッドを構成する導光光学素子の光学断面を示す図である。光アシスト式磁気記録ヘッドの実施例２を示す断面図。実施例２の光アシスト式磁気記録ヘッドを構成する導光光学素子の光学断面を示す図である。光アシスト式磁気記録ヘッドの実施例３を示す断面図。実施例３の光アシスト式磁気記録ヘッドを構成する導光光学素子の光学断面を示す図である。実施例１、３における同じ反射面を有する導光光学素子の構成例を示す図である。実施例２における同じ反射面を有する導光光学素子の構成例を示す図である。光アシスト部の具体例１を示す斜視図である。光アシスト部の具体例１を流出端側から見た状態で示す断面図である。光アシスト部の具体例１を横から見た状態で示す断面図である。光アシスト部の具体例２を流出端側から見た状態で示す断面図である。光アシスト部の具体例２を横から見た状態で示す断面図である。光アシスト部の具体例３を流出端側から見た状態で示す断面図である。光アシスト部の具体例３を横から見た状態で示す断面図である。プラズモンプローブの具体例を示す平面図である。光アシスト部の具体例１を有するスライダの作製工程を示す断面図である。光アシスト部の具体例２におけるコアの形成工程を示す断面図である。コアの屈折率と△ｎとの関係を示すグラフである。光アシスト式磁気記録ヘヅド以外の微小記録ヘヅドの実施例を示す断面図である。シリコンベンチとスライダとの組み立てを説明するための断面図である。シリコンベンチとスライダとの水平方向の位置調整を説明するための平面図であるシリコンベンチとスライダとの傾き調整１を説明するための図である。シリコンベンチとスライダとの傾き調整２を説明するための図である。

符号の説明

１筐体
２記録用ディスク（記録媒体）
３、３Ａ、３Ｂ、３Ｃ光記録ヘッド
４サスペンション
５支軸
６トラッキング用アクチュエータ
１０光記録装置（ハードディスク装置）
１１スライダ
１２Ａ光アシスト部（光アシスト素子、光導波路）
１２Ｂ磁気記録部（磁気記録素子）
１２Ｃ磁気再生部（磁気再生素子）
１３導光光学素子
１４光ファイバー
１５発光点
１６集光点
１７Ｓ反射面

Claims

光を出射する光源と、
前記光源と該光源からの光を反射して光スポットが形成される点とを２焦点とする回転楕円面の一部からなる反射面を有する１個の導光光学素子と、
前記光源からの光を導波して記録媒体に照射するための光導波路とを備えた光記録ヘッドであって、
前記導光光学素子は、前記光源からの光を集光し、前記光導波路の端面に垂直入射させて前記光スポットを形成し、
前記光導波路は、前記光スポットを導波して前記光スポットの径を小さくして前記記録媒体に照射することを特徴とする光記録ヘッド。
光を出射する光源と、
前記光源と該光源からの光を反射して光スポットが形成される点とを２焦点とする反射面を、回転放物面又は回転楕円面のいずれかの一部からなる面を２つ組み合わせて構成している１個の導光光学素子と、
前記光源からの光を導波して記録媒体に照射するための光導波路とを備えた光記録ヘッドであって、
前記導光光学素子は、前記光源からの光を集光し、前記光導波路の端面に垂直入射させて前記光スポットを形成し、
前記光導波路は、前記光スポットを導波して前記光スポットの径を小さくして前記記録媒体に照射することを特徴とする光記録ヘッド。
前記光導波路は、使用波長に対する屈折率が２以上の材料で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光記録ヘッド。
前記光源は、波長が近赤外帯域であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の光記録ヘッド。
前記光源からの光を反射して前記反射面に導くための第２の反射面をさらに備え、
前記２焦点のうちの一方は、前記第２の反射面が存在しない場合の仮想的な前記光源の位置であることを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載の光記録ヘッド。
前記光導波路の光出射位置に近接場光発生用のプラズモンプローブを有し、前記プラズモンプローブが曲率半径２０ｎｍ以下の頂点を有するアンテナ又はアパーチャから成ることを特徴とする請求項１から５の何れか一項に記載の光記録ヘッド。
請求項１から６の何れか一項に記載の光記録ヘッドは、磁気記録素子を有することを特徴とする光記録ヘッド。
請求項１から７の何れか一項に記載の光記録ヘッドを備えていることを特徴とする光記録装置。