JP3426962B2 - 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 - Google Patents
光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置Info
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/1055—Disposition or mounting of transducers relative to record carriers
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- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/22—Apparatus or processes for the manufacture of optical heads, e.g. assembly
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ヘッドおよびそ
れを用いた光学的情報記録再生装置に関するものであ
る。
れを用いた光学的情報記録再生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスク等の光学的情報記録再
生装置に搭載する光ヘッドを小型化する方式として、例
えば特開昭６２−５８４３２号公報、特開昭６４−４６
２４２号公報、特開平４−２５５９２３号公報、特開平
６−２５１４１０号公報等に記載された技術が知られて
いる。特開昭６２−５８４３２号公報に記載の光ヘッド
においては、光源としてファブリ・ペロー（Fabri-Pero
t）水平共振器を有する半導体レーザと光検出素子とが
同一基板上に集積形成されている。一方、特開昭６４−
４６２４２号公報や特開平４−２５５９２３号公報およ
び特開平６−２５１４１０号公報に記載の光ヘッドにお
いては、光源としていわゆる面発光レーザを用いてい
る。
生装置に搭載する光ヘッドを小型化する方式として、例
えば特開昭６２−５８４３２号公報、特開昭６４−４６
２４２号公報、特開平４−２５５９２３号公報、特開平
６−２５１４１０号公報等に記載された技術が知られて
いる。特開昭６２−５８４３２号公報に記載の光ヘッド
においては、光源としてファブリ・ペロー（Fabri-Pero
t）水平共振器を有する半導体レーザと光検出素子とが
同一基板上に集積形成されている。一方、特開昭６４−
４６２４２号公報や特開平４−２５５９２３号公報およ
び特開平６−２５１４１０号公報に記載の光ヘッドにお
いては、光源としていわゆる面発光レーザを用いてい
る。
【０００３】他の関連する従来技術は、「光ディスク技
術」（尾上守夫監修：ラジオ技術社）、「光ディスク」
（電子情報通信学会編：オーム社）、「光エレクトロニ
クス」（島田潤一著：丸善）、「面発光レーザ」（伊賀
健一、小山二三男共著：オーム社）等の書籍に記載され
ている。
術」（尾上守夫監修：ラジオ技術社）、「光ディスク」
（電子情報通信学会編：オーム社）、「光エレクトロニ
クス」（島田潤一著：丸善）、「面発光レーザ」（伊賀
健一、小山二三男共著：オーム社）等の書籍に記載され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開昭６２−５８４３
２号公報に記載の光ヘッドの場合、光ディスク装置等の
光学的情報記録再生装置へ適用するためには、半導体レ
ーザから出射した光束の光軸を９０度曲げる必要があ
る。同公報ではエッチング等の技術を使って反射ミラー
を形成する方法が開示されているが、製造プロセス上は
多大な困難が伴なう。さらに、半導体レーザと光検出素
子では注入する不純物濃度に大きな差があるため、同一
のプロセスで両者を形成すると、両者とも必要充分な特
性を得ることが難しいという問題点がある。
２号公報に記載の光ヘッドの場合、光ディスク装置等の
光学的情報記録再生装置へ適用するためには、半導体レ
ーザから出射した光束の光軸を９０度曲げる必要があ
る。同公報ではエッチング等の技術を使って反射ミラー
を形成する方法が開示されているが、製造プロセス上は
多大な困難が伴なう。さらに、半導体レーザと光検出素
子では注入する不純物濃度に大きな差があるため、同一
のプロセスで両者を形成すると、両者とも必要充分な特
性を得ることが難しいという問題点がある。
【０００５】一方、特開昭６４−４６２４２号公報や特
開平４−２５５９２３号公報および特開平６−２５１４
１０号公報に記載の光ヘッドのように、光源としていわ
ゆる面発光レーザを用いれば、特開昭６２−５８４３２
号公報に記載の光ヘッドのように反射ミラーを形成する
必要がないため、製造プロセス上は若干簡単になる。し
かしながら、面発光レーザは高出力化および出射光の偏
光方向固定が難しい点で、記録可能な光学的情報記録再
生装置への適用は現時点では困難である。
開平４−２５５９２３号公報および特開平６−２５１４
１０号公報に記載の光ヘッドのように、光源としていわ
ゆる面発光レーザを用いれば、特開昭６２−５８４３２
号公報に記載の光ヘッドのように反射ミラーを形成する
必要がないため、製造プロセス上は若干簡単になる。し
かしながら、面発光レーザは高出力化および出射光の偏
光方向固定が難しい点で、記録可能な光学的情報記録再
生装置への適用は現時点では困難である。
【０００６】本発明の目的は、簡易な製造プロセスによ
って光源と光検出素子を同一基板上に集積形成可能で、
かつ、記録可能な光学的情報記録再生装置に適用するこ
とが可能な超小型の光ヘッド、およびその光ヘッドを用
いた光学的情報記録再生装置を提供することにある。
って光源と光検出素子を同一基板上に集積形成可能で、
かつ、記録可能な光学的情報記録再生装置に適用するこ
とが可能な超小型の光ヘッド、およびその光ヘッドを用
いた光学的情報記録再生装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、単結
晶透明基板上に選択成長技術を用いて柱状の半導体結晶
からなる光導波層を形成し、この光導波層の側面に活性
層を設けるとともに、前記単結晶基板に対して垂直に光
が出射するように、前記活性層の出射端面の前後に超格
子構造高反射膜となるブラッグ反射器（Bragg Reflecto
r）を設けて垂直共振器とした半導体レーザ素子を光源
とする。さらに選択成長技術における絶縁層マスクのパ
ターンを工夫することにより、前記半導体レーザ光源と
同一基板上にあって前記光源の近傍に光検出素子を形成
することとする。
晶透明基板上に選択成長技術を用いて柱状の半導体結晶
からなる光導波層を形成し、この光導波層の側面に活性
層を設けるとともに、前記単結晶基板に対して垂直に光
が出射するように、前記活性層の出射端面の前後に超格
子構造高反射膜となるブラッグ反射器（Bragg Reflecto
r）を設けて垂直共振器とした半導体レーザ素子を光源
とする。さらに選択成長技術における絶縁層マスクのパ
ターンを工夫することにより、前記半導体レーザ光源と
同一基板上にあって前記光源の近傍に光検出素子を形成
することとする。
【０００８】本発明の光ヘッドでは、前記単結晶透明基
板において、前記半導体レーザ素子と対向する面にプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第１
透明層を積層し、その下面にフォトマスク露光プロセス
およびイオン交換プロセス等により回折格子を形成して
光束分離素子とする。次に、第１透明層の下部にプラズ
マＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第２透
明層を積層し、その下面に１／４波長板に相当する位相
差発生素子を形成する。続いて、第２透明層の下部にプ
ラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により第３
透明層を積層し、その下面にフォトマスク露光プロセス
等によるグレーティングレンズ、またはイオン交換プロ
セス等による屈折率分布レンズあるいは凸レンズ等を形
成し集光素子とする。さらに、第３透明層の下部にプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により第４透
明層を積層し、その下面にスパッタリング法等によりセ
ラミック材料等の耐摺動保護層を形成する。前記第４透
明層および耐摺動保護層を情報記録媒体と対向させて近
接配置する。
板において、前記半導体レーザ素子と対向する面にプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第１
透明層を積層し、その下面にフォトマスク露光プロセス
およびイオン交換プロセス等により回折格子を形成して
光束分離素子とする。次に、第１透明層の下部にプラズ
マＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第２透
明層を積層し、その下面に１／４波長板に相当する位相
差発生素子を形成する。続いて、第２透明層の下部にプ
ラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により第３
透明層を積層し、その下面にフォトマスク露光プロセス
等によるグレーティングレンズ、またはイオン交換プロ
セス等による屈折率分布レンズあるいは凸レンズ等を形
成し集光素子とする。さらに、第３透明層の下部にプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等により第４透
明層を積層し、その下面にスパッタリング法等によりセ
ラミック材料等の耐摺動保護層を形成する。前記第４透
明層および耐摺動保護層を情報記録媒体と対向させて近
接配置する。
【０００９】前記半導体レーザ光源より出射した光は、
第１透明層、光束分離素子、第２透明層、位相差発生素
子、第３透明層をそれぞれ通過し、集光素子によって第
４透明層において情報記録媒体と対向する面近傍に集光
スポットを形成する。前記情報記録媒体で反射された光
は、第４透明層、集光素子、第３透明層、位相差発生素
子、第２透明層をそれぞれ通過する。さらに、第２透明
層を通過した光は光束分離素子によって複数の光束に分
離され、前記半導体レーザ光源の近傍に集積形成された
光検出素子へと導かれる。
第１透明層、光束分離素子、第２透明層、位相差発生素
子、第３透明層をそれぞれ通過し、集光素子によって第
４透明層において情報記録媒体と対向する面近傍に集光
スポットを形成する。前記情報記録媒体で反射された光
は、第４透明層、集光素子、第３透明層、位相差発生素
子、第２透明層をそれぞれ通過する。さらに、第２透明
層を通過した光は光束分離素子によって複数の光束に分
離され、前記半導体レーザ光源の近傍に集積形成された
光検出素子へと導かれる。
【００１０】本発明によれば、ファブリ・ペロー（Fabr
i−Perot）水平共振器を有する半導体レーザと同様に、
光源として使用する半導体レーザが活性層の端面から光
束を出射する構造であるため、高出力化や偏光方向制御
の観点でいわゆる面発光レーザよりも有利であり、記録
可能な光学的情報記録再生装置にも適用可能な光ヘッド
を実現することができる。また、フォトマスク露光プロ
セス等の半導体製造プロセス技術を用いて、光源と光検
出素子のみならずそれ以外の機能素子を一体プロセスで
形成することが可能であるため、小型で安価な光ヘッド
を実現することができる。
i−Perot）水平共振器を有する半導体レーザと同様に、
光源として使用する半導体レーザが活性層の端面から光
束を出射する構造であるため、高出力化や偏光方向制御
の観点でいわゆる面発光レーザよりも有利であり、記録
可能な光学的情報記録再生装置にも適用可能な光ヘッド
を実現することができる。また、フォトマスク露光プロ
セス等の半導体製造プロセス技術を用いて、光源と光検
出素子のみならずそれ以外の機能素子を一体プロセスで
形成することが可能であるため、小型で安価な光ヘッド
を実現することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照して詳細に説明する。
照して詳細に説明する。
【００１２】−第１実施例−
図１は本発明の第１実施例に係る光ヘッド１００の構成
断面図である。この光ヘッド１００においては、半導体
レーザ光源１はサファイア（ａ−Ａｌ2Ｏ3）または炭化
珪素（ａ−ＳｉＣ）等の単結晶透明基板２上に配置され
ており、半導体レーザ光源１の活性層２０９は前記透明
基板２に対して垂直に形成されている。また、前記透明
基板２上には半導体レーザ光源１の近傍に光検出素子３
が集積形成されている。半導体レーザ光源１および光検
出素子３の具体的構成については後述する。
断面図である。この光ヘッド１００においては、半導体
レーザ光源１はサファイア（ａ−Ａｌ2Ｏ3）または炭化
珪素（ａ−ＳｉＣ）等の単結晶透明基板２上に配置され
ており、半導体レーザ光源１の活性層２０９は前記透明
基板２に対して垂直に形成されている。また、前記透明
基板２上には半導体レーザ光源１の近傍に光検出素子３
が集積形成されている。半導体レーザ光源１および光検
出素子３の具体的構成については後述する。
【００１３】透明基板２において、前記半導体レーザ光
源１と対向する面にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッ
タリング法等によって第１透明層４が積層形成されてお
り、その下面４ａにはフォトマスク露光プロセスおよび
イオン交換プロセス等により光束分離素子としての回折
格子５が形成されている。第１透明層４の下部にはプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第２
透明層６が積層形成されており、その下面６ａには１／
４波長板に相当する位相差発生素子７が形成されてい
る。位相差発生素子７の光学軸は半導体レーザ光源１の
活性層２０９に対して４５度方向に設定する。第２透明
層６の下部にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリン
グ法等により第３透明層８が積層形成されており、その
下面８ａにはフォトマスク露光プロセス等によるグレー
ティングレンズ９が集光素子として形成されている。第
３透明層８の下部にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッ
タリング法等により第４透明層１０が積層形成されてお
り、その下面１０ａにはスパッタリング法等によってセ
ラミック材料等の耐摺動保護層１１が形成されている。
第４透明層１０および耐摺動保護層１１は、情報記録媒
体１３と対向させて近接配置される。
源１と対向する面にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッ
タリング法等によって第１透明層４が積層形成されてお
り、その下面４ａにはフォトマスク露光プロセスおよび
イオン交換プロセス等により光束分離素子としての回折
格子５が形成されている。第１透明層４の下部にはプラ
ズマＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって第２
透明層６が積層形成されており、その下面６ａには１／
４波長板に相当する位相差発生素子７が形成されてい
る。位相差発生素子７の光学軸は半導体レーザ光源１の
活性層２０９に対して４５度方向に設定する。第２透明
層６の下部にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッタリン
グ法等により第３透明層８が積層形成されており、その
下面８ａにはフォトマスク露光プロセス等によるグレー
ティングレンズ９が集光素子として形成されている。第
３透明層８の下部にはプラズマＣＶＤ法あるいはスパッ
タリング法等により第４透明層１０が積層形成されてお
り、その下面１０ａにはスパッタリング法等によってセ
ラミック材料等の耐摺動保護層１１が形成されている。
第４透明層１０および耐摺動保護層１１は、情報記録媒
体１３と対向させて近接配置される。
【００１４】半導体レーザ光源１より出射した光は、透
明基板２、第１透明層４、回折格子５、第２透明層６、
位相差発生素子７、第３透明層８をそれぞれ通過し、グ
レーティングレンズ９によって第４透明層１０において
情報記録媒体１３と対向する下面１０ａ近傍に集光スポ
ット１２を形成する。位相差発生素子７の光学軸が半導
体レーザ光源１の活性層２０９に対して４５度方向に設
定されているため、位相差発生素子７を通過した光は円
偏光となって情報記録媒体１３に集光される。
明基板２、第１透明層４、回折格子５、第２透明層６、
位相差発生素子７、第３透明層８をそれぞれ通過し、グ
レーティングレンズ９によって第４透明層１０において
情報記録媒体１３と対向する下面１０ａ近傍に集光スポ
ット１２を形成する。位相差発生素子７の光学軸が半導
体レーザ光源１の活性層２０９に対して４５度方向に設
定されているため、位相差発生素子７を通過した光は円
偏光となって情報記録媒体１３に集光される。
【００１５】情報記録媒体１３は基板１３ａと情報記録
膜１３ｂおよび保護膜１３ｃから構成されており、集光
スポット１２と情報記録媒体１３の間隔は１μｍ以下に
設定する。第４透明層１０の屈折率をｎ、グレーティン
グレンズ９の開口数をＮＡとすると、グレーティングレ
ンズ９から集光スポット１２に至る実効的な開口数はｎ
×ＮＡとなる。ＮＡ＝０．６となるようなグレーティン
グレンズ９は設計可能であり、第４透明層１０の屈折率
としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、実効的な開口数
を１以上とすることができる。これによって、極めて微
小な集光スポット１２の形成が可能となる。
膜１３ｂおよび保護膜１３ｃから構成されており、集光
スポット１２と情報記録媒体１３の間隔は１μｍ以下に
設定する。第４透明層１０の屈折率をｎ、グレーティン
グレンズ９の開口数をＮＡとすると、グレーティングレ
ンズ９から集光スポット１２に至る実効的な開口数はｎ
×ＮＡとなる。ＮＡ＝０．６となるようなグレーティン
グレンズ９は設計可能であり、第４透明層１０の屈折率
としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、実効的な開口数
を１以上とすることができる。これによって、極めて微
小な集光スポット１２の形成が可能となる。
【００１６】情報記録媒体１３で反射された光は、第４
透明層１０、グレーティングレンズ９、第３透明層８、
位相差発生素子７、第２透明層６をそれぞれ通過する。
その際、位相差発生素子７の出射光は同素子を２回通過
することになるので、その偏光方向は半導体レーザ光源
１の出射光に対して９０度回転する。第２透明層６を通
過した光は回折格子５によって回折され、半導体レーザ
光源１の近傍に集積形成された光検出素子３へと導かれ
る。
透明層１０、グレーティングレンズ９、第３透明層８、
位相差発生素子７、第２透明層６をそれぞれ通過する。
その際、位相差発生素子７の出射光は同素子を２回通過
することになるので、その偏光方向は半導体レーザ光源
１の出射光に対して９０度回転する。第２透明層６を通
過した光は回折格子５によって回折され、半導体レーザ
光源１の近傍に集積形成された光検出素子３へと導かれ
る。
【００１７】回折格子５は、例えばジャパニーズ・ジャ
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス第３６巻（１
９９７年）５８９〜５９０頁（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.36(1997) pp.589−590）に記載のように、高分子液晶
を用いた偏光性回折格子であり、半導体レーザ光源１側
から入射する光に対しては回折格子として作用せず、情
報記録媒体１３からの反射光、すなわち位相差発生素子
７を２回通過することによって偏光方向が９０度回転し
た光に対しては回折格子として作用するように設定され
ている。このような構成を採用することにより、半導体
レーザ光源１への戻り光が減少し、かかる戻り光の影響
で発生するレーザ雑音を抑圧することができるという効
果もある。
ーナル・オブ・アプライド・フィジックス第３６巻（１
９９７年）５８９〜５９０頁（Jpn. J. Appl. Phys. Vo
l.36(1997) pp.589−590）に記載のように、高分子液晶
を用いた偏光性回折格子であり、半導体レーザ光源１側
から入射する光に対しては回折格子として作用せず、情
報記録媒体１３からの反射光、すなわち位相差発生素子
７を２回通過することによって偏光方向が９０度回転し
た光に対しては回折格子として作用するように設定され
ている。このような構成を採用することにより、半導体
レーザ光源１への戻り光が減少し、かかる戻り光の影響
で発生するレーザ雑音を抑圧することができるという効
果もある。
【００１８】以上の説明においては、各透明層をプラズ
マＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって積層形
成する場合について示したが、各透明層を個別に作成
し、それぞれ密着させて張り合わせる構成を採用するこ
とも可能である。すなわち、回折格子５を形成した第１
透明層４、位相差発生素子７を形成した第２透明層６、
グレーティングレンズ９を形成した第３透明層８、耐摺
動保護層１１を形成した第４透明層１０をそれぞれ個別
に作成し、これら各透明層をサファイア等による透明基
板２に積層して接着すれば良い。位相差発生素子７とし
ては、例えばニオブ酸リチウム等の異方性光学結晶の結
晶軸方向を制御して成長させる、あるいは、通常の１／
４波長板を作成する場合と同様に、単板あるいは張り合
わせの水晶板を使用する等、従来公知の種々の技術が適
用可能である。
マＣＶＤ法あるいはスパッタリング法等によって積層形
成する場合について示したが、各透明層を個別に作成
し、それぞれ密着させて張り合わせる構成を採用するこ
とも可能である。すなわち、回折格子５を形成した第１
透明層４、位相差発生素子７を形成した第２透明層６、
グレーティングレンズ９を形成した第３透明層８、耐摺
動保護層１１を形成した第４透明層１０をそれぞれ個別
に作成し、これら各透明層をサファイア等による透明基
板２に積層して接着すれば良い。位相差発生素子７とし
ては、例えばニオブ酸リチウム等の異方性光学結晶の結
晶軸方向を制御して成長させる、あるいは、通常の１／
４波長板を作成する場合と同様に、単板あるいは張り合
わせの水晶板を使用する等、従来公知の種々の技術が適
用可能である。
【００１９】図２は回折格子５と光検出素子３の概念図
である。回折格子５は、ピッチおよび角度の異なる４つ
の格子領域から構成されている。前述のように、情報記
録媒体１３からの反射光は１／４波長板に相当する位相
差発生素子７を２回通過することになるので、復路にお
ける直線偏光の偏光方向は往路の偏光方向に対して直交
する。復路の直線偏光に対しては回折格子５が格子とし
て作用し、８本の光束（４領域それぞれに対して＋１次
および−１次回折光が発生するため）に分割される。ま
た、回折格子５は、溝構造を有する情報記録媒体１３を
使用した場合、前記溝から回折された光によってグレー
ティングレンズ９の瞳上に生じる光強度分布が同図の光
束強度パターン１４に示す状態となるよう配置される。
光検出素子３は１２の受光領域（３ａ〜３ｌ）から構成
されており、フォーカスエラーおよびトラックエラーと
いった光点制御信号、あるいは情報記録媒体１３上に記
録されている情報信号を検出、再生する。
である。回折格子５は、ピッチおよび角度の異なる４つ
の格子領域から構成されている。前述のように、情報記
録媒体１３からの反射光は１／４波長板に相当する位相
差発生素子７を２回通過することになるので、復路にお
ける直線偏光の偏光方向は往路の偏光方向に対して直交
する。復路の直線偏光に対しては回折格子５が格子とし
て作用し、８本の光束（４領域それぞれに対して＋１次
および−１次回折光が発生するため）に分割される。ま
た、回折格子５は、溝構造を有する情報記録媒体１３を
使用した場合、前記溝から回折された光によってグレー
ティングレンズ９の瞳上に生じる光強度分布が同図の光
束強度パターン１４に示す状態となるよう配置される。
光検出素子３は１２の受光領域（３ａ〜３ｌ）から構成
されており、フォーカスエラーおよびトラックエラーと
いった光点制御信号、あるいは情報記録媒体１３上に記
録されている情報信号を検出、再生する。
【００２０】図３は、フォーカスエラーが発生した場合
における各受光領域（３ａ〜３ｌ）の光束パターンと各
種信号検出のための光検出器出力演算方法を示す説明図
である。なお、後述するように、本実施例に係る光ヘッ
ド１００を浮上スライダー等に搭載して情報記録媒体１
３上を浮上走行させる場合、上記光点制御信号のうちフ
ォーカスエラー信号は光ヘッド１００全体を駆動するた
めの信号として必ずしも必要とするわけではないが、例
えば浮上量変動等によってフォーカスエラーが発生した
場合の各種補償信号として使用することができる。ま
た、以上述べた光検出素子３の受光領域の構成は一例で
あり、光点制御信号および記録された情報信号検出の目
的では、本実施例の構成に限定されるものではない。
における各受光領域（３ａ〜３ｌ）の光束パターンと各
種信号検出のための光検出器出力演算方法を示す説明図
である。なお、後述するように、本実施例に係る光ヘッ
ド１００を浮上スライダー等に搭載して情報記録媒体１
３上を浮上走行させる場合、上記光点制御信号のうちフ
ォーカスエラー信号は光ヘッド１００全体を駆動するた
めの信号として必ずしも必要とするわけではないが、例
えば浮上量変動等によってフォーカスエラーが発生した
場合の各種補償信号として使用することができる。ま
た、以上述べた光検出素子３の受光領域の構成は一例で
あり、光点制御信号および記録された情報信号検出の目
的では、本実施例の構成に限定されるものではない。
【００２１】図４〜図６は半導体レーザ光源１の製造工
程を示す説明図であり、これらの図において（ａ）は断
面図、（ｂ）は平面図をそれぞれ示している。以下、こ
れらの図に示す製造工程とともに半導体レーザ光源１の
構成を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、単結
晶サファイア基板２０１上に、ＧａＮバッファ層２０
２、ＧａＮ光導波層２０３、ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ超
格子構造高反射膜２０４、ｎ型ＧａＮ光導波層２０５を
順次有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりエピタキ
シャル成長させる。次に、ｎ型ＧａＮ光導波層２０５上
にＴｉＮ薄膜２０６を蒸着し、ＴｉＮ薄膜２０６にフォ
トリソグラフィープロセスを用いてエッチングにより正
六角形状の窓領域を形成する。その後、ＴｉＮ薄膜２０
６を覆うようにして絶縁膜２０７を形成し、ＴｉＮ薄膜
２０６が表面に出ないようにフォトリソグラフィーとエ
ッチングにより、図４（ｂ）に示すような正六角形状の
窓領域を形成する。その後、ｎ型ＧａＮ光導波層２０
８、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＩｎＮからなる多重量子
井戸構造の活性層２０９を選択成長させる。さらに、活
性層２０９に接触させるようにｐ型ＧａＮ光導波層２１
０を形成する。
程を示す説明図であり、これらの図において（ａ）は断
面図、（ｂ）は平面図をそれぞれ示している。以下、こ
れらの図に示す製造工程とともに半導体レーザ光源１の
構成を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、単結
晶サファイア基板２０１上に、ＧａＮバッファ層２０
２、ＧａＮ光導波層２０３、ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ超
格子構造高反射膜２０４、ｎ型ＧａＮ光導波層２０５を
順次有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法によりエピタキ
シャル成長させる。次に、ｎ型ＧａＮ光導波層２０５上
にＴｉＮ薄膜２０６を蒸着し、ＴｉＮ薄膜２０６にフォ
トリソグラフィープロセスを用いてエッチングにより正
六角形状の窓領域を形成する。その後、ＴｉＮ薄膜２０
６を覆うようにして絶縁膜２０７を形成し、ＴｉＮ薄膜
２０６が表面に出ないようにフォトリソグラフィーとエ
ッチングにより、図４（ｂ）に示すような正六角形状の
窓領域を形成する。その後、ｎ型ＧａＮ光導波層２０
８、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＩｎＮからなる多重量子
井戸構造の活性層２０９を選択成長させる。さらに、活
性層２０９に接触させるようにｐ型ＧａＮ光導波層２１
０を形成する。
【００２２】次に、図５（ａ）に示すように、ｎ型Ｇａ
Ｎ光導波層２０８の側面に形成された活性層２０９を残
し、フォトリソグラフィープロセスを用いて各層２０
８、２０９、２１０の上部をエッチング加工により除去
する。図５（ｂ）に示すように、六方晶構造の単結晶や
（１１１）面方位を有する立方晶構造の単結晶基板上で
は、対称性が六回対称となるため選択成長により正六角
柱状の半導体結晶を成長できる。この半導体結晶を光導
波路として側面に活性層２０９を設けると、基板２０１
に対して垂直な方向に共振器を形成することが可能とな
る。
Ｎ光導波層２０８の側面に形成された活性層２０９を残
し、フォトリソグラフィープロセスを用いて各層２０
８、２０９、２１０の上部をエッチング加工により除去
する。図５（ｂ）に示すように、六方晶構造の単結晶や
（１１１）面方位を有する立方晶構造の単結晶基板上で
は、対称性が六回対称となるため選択成長により正六角
柱状の半導体結晶を成長できる。この半導体結晶を光導
波路として側面に活性層２０９を設けると、基板２０１
に対して垂直な方向に共振器を形成することが可能とな
る。
【００２３】しかる後、図６（ｂ）に示すように、正六
角柱状の半導体結晶の一辺のみを残し、フォトリソグラ
フィープロセスを用いて他の辺をエッチングにより除去
する。その後、図６（ａ）に示すように、活性層２０９
の上に誘電体高反射膜２１１を形成し、ｐ側電極２１２
およびｎ側電極２１３を蒸着する。以上の工程により、
前述した半導体レーザ光源１が得られる。なお、上記の
構造において、ＴｉＮ薄膜２０６は必ずしも必要なもの
ではなく、前述したＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造
高反射膜２０４と誘電体高反射膜２１１とで共振器を形
成した構成の素子も実現可能である。
角柱状の半導体結晶の一辺のみを残し、フォトリソグラ
フィープロセスを用いて他の辺をエッチングにより除去
する。その後、図６（ａ）に示すように、活性層２０９
の上に誘電体高反射膜２１１を形成し、ｐ側電極２１２
およびｎ側電極２１３を蒸着する。以上の工程により、
前述した半導体レーザ光源１が得られる。なお、上記の
構造において、ＴｉＮ薄膜２０６は必ずしも必要なもの
ではなく、前述したＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ超格子構造
高反射膜２０４と誘電体高反射膜２１１とで共振器を形
成した構成の素子も実現可能である。
【００２４】図７は光検出素子３の製造工程を示す断面
図であり、同図に示すように、単結晶サファイア基板２
０１上にＧａＮバッファ層２０２を形成し、その上に多
量のｎ型不純物を添加したｎ＋型ＧａＮ層２１４を形成
する。次に、ｎ＋型ＧａＮ層２１４の上に光吸収層とし
てＧａＮ層２１５を成長させる。ただし、光吸収層のバ
ンドギャップは活性層より小さくする必要があるため、
例えばＧａＩｎＮ等を用いる。さらに、ＧａＮ層２１５
の上部にｐ型ＧａＮ層２１６を部分的に成長させ、その
一部をマスクしてＳｉＯ2絶縁層２１７を形成し、続い
て、マスクを除去し電極２１８を形成する。
図であり、同図に示すように、単結晶サファイア基板２
０１上にＧａＮバッファ層２０２を形成し、その上に多
量のｎ型不純物を添加したｎ＋型ＧａＮ層２１４を形成
する。次に、ｎ＋型ＧａＮ層２１４の上に光吸収層とし
てＧａＮ層２１５を成長させる。ただし、光吸収層のバ
ンドギャップは活性層より小さくする必要があるため、
例えばＧａＩｎＮ等を用いる。さらに、ＧａＮ層２１５
の上部にｐ型ＧａＮ層２１６を部分的に成長させ、その
一部をマスクしてＳｉＯ2絶縁層２１７を形成し、続い
て、マスクを除去し電極２１８を形成する。
【００２５】以上の説明では半導体レーザ光源１と光検
出素子３を個別に説明したが、両者を同時に集積形成す
ることも可能である。この場合、光検出素子３について
は、図４（ａ）に示すｎ型ＧａＮ光導波層２０８の上部
をエッチング加工により除去した後、活性層を透明基板
２に対して平行に形成すれば良い。
出素子３を個別に説明したが、両者を同時に集積形成す
ることも可能である。この場合、光検出素子３について
は、図４（ａ）に示すｎ型ＧａＮ光導波層２０８の上部
をエッチング加工により除去した後、活性層を透明基板
２に対して平行に形成すれば良い。
【００２６】−第２実施例−
図８は本発明の第２実施例に係る光ヘッド１０１の構成
断面図である。この光ヘッド１０１は、光検出素子３を
透明基板２において半導体レーザ光源１と向かい合う端
面２ａ上に形成させたものであり、それ以外の構成は第
１実施例の光ヘッド１００と基本的に同じである。本実
施例のような構成を採用することにより、半導体レーザ
光源１と光検出素子３とを異なるプロセスで作成するこ
とが可能となるため、各素子の集積形成プロセスの自由
度が増加する。また、光検出素子３としては、光ヘッド
１０１作製とは別のプロセスによって作製した素子を、
透明基板２上に配置、接着してもかまわない。
断面図である。この光ヘッド１０１は、光検出素子３を
透明基板２において半導体レーザ光源１と向かい合う端
面２ａ上に形成させたものであり、それ以外の構成は第
１実施例の光ヘッド１００と基本的に同じである。本実
施例のような構成を採用することにより、半導体レーザ
光源１と光検出素子３とを異なるプロセスで作成するこ
とが可能となるため、各素子の集積形成プロセスの自由
度が増加する。また、光検出素子３としては、光ヘッド
１０１作製とは別のプロセスによって作製した素子を、
透明基板２上に配置、接着してもかまわない。
【００２７】−第３実施例−
図９は本発明の第３実施例に係る光ヘッドの構成断面図
であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１の周囲にコイル１５を設け、アクチュエータ
１６を構成した例を示している（ただし、図９は光ヘッ
ド１００を備えたものである）。アクチュエータ１６の
駆動方向としては、いわゆるフォーカス方向（情報記録
媒体１３の法線方向）とトラッキング方向（情報記録媒
体１３上に形成された情報記録トラックの偏心移動に追
従する方向）のいずれか一方あるいは両方であっても良
い。
であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１の周囲にコイル１５を設け、アクチュエータ
１６を構成した例を示している（ただし、図９は光ヘッ
ド１００を備えたものである）。アクチュエータ１６の
駆動方向としては、いわゆるフォーカス方向（情報記録
媒体１３の法線方向）とトラッキング方向（情報記録媒
体１３上に形成された情報記録トラックの偏心移動に追
従する方向）のいずれか一方あるいは両方であっても良
い。
【００２８】−第４実施例−
図１０は本発明の第４実施例に係る光ヘッドの構成断面
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１を浮上型スライダ１７に搭載した例を示して
いる。同図（ａ）では光ヘッド１００，１０１が浮上型
スライダ１７の端面に搭載され、同図（ｂ）では光ヘッ
ド１００，１０１が浮上型スライダ１７の底面に搭載さ
れている。浮上型スライダ１７は酸化ジルコニウムやチ
タン酸カルシウム等のセラミック材料、あるいは半導体
レーザ光源１の発熱に対処するためサファイア等熱伝導
率の高い材料を用いる。スライダ１７を別の材質で形成
し、情報記録媒体１３と対向する面に耐摺動保護膜１７
ａとして上記のセラミック材料等を形成しても良い。
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１を浮上型スライダ１７に搭載した例を示して
いる。同図（ａ）では光ヘッド１００，１０１が浮上型
スライダ１７の端面に搭載され、同図（ｂ）では光ヘッ
ド１００，１０１が浮上型スライダ１７の底面に搭載さ
れている。浮上型スライダ１７は酸化ジルコニウムやチ
タン酸カルシウム等のセラミック材料、あるいは半導体
レーザ光源１の発熱に対処するためサファイア等熱伝導
率の高い材料を用いる。スライダ１７を別の材質で形成
し、情報記録媒体１３と対向する面に耐摺動保護膜１７
ａとして上記のセラミック材料等を形成しても良い。
【００２９】−第５実施例−
図１１は本発明の第５実施例に係る光ヘッドの構成断面
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１におけるグレーティングレンズ９を形成した
第３透明層８まで積層した素子１０２を用いた例を示し
ている。素子１０２の周囲にはコイル１８が配置され、
素子１０２全体をフォーカス方向に駆動するアクチュエ
ータ１９が構成されている。同図（ａ）では素子１０２
とは別の部材２０に半球状レンズ２１が搭載されてお
り、グレーティングレンズ９から出射した光は半球状レ
ンズ２１に入射し、同レンズ２２における情報記録媒体
１３と対向する面近傍に集光スポット１２を形成する。
半球状レンズ２１の屈折率をｎ、グレーティングレンズ
９の開口数をＮＡとすると、グレーティングレンズ９か
ら集光スポット１２に至る実効的な開口数はｎ×ＮＡと
なる。第１実施例で述べたように、半球状レンズ２１の
屈折率としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、実効的な
開口数を１以上とすることができる。これによって、極
めて微小な集光スポット１２の形成が可能となる。な
お、上記の半球状レンズ２１にかえてイオン交換プロセ
ス等による屈折率分布型レンズを使用することもでき
る。さらに、素子１０２と部材２０の周囲にはコイル２
２が配置されており、素子１０２と部材２０を一体とし
てトラッキング方向に駆動させる。なお、コイル２２は
本実施例における必須の構成要素ではなく、例えば素子
１０２と部材２０を一体化していわゆるスイングアーム
等の機構に搭載し、トラッキング方向に駆動させても良
い。
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１におけるグレーティングレンズ９を形成した
第３透明層８まで積層した素子１０２を用いた例を示し
ている。素子１０２の周囲にはコイル１８が配置され、
素子１０２全体をフォーカス方向に駆動するアクチュエ
ータ１９が構成されている。同図（ａ）では素子１０２
とは別の部材２０に半球状レンズ２１が搭載されてお
り、グレーティングレンズ９から出射した光は半球状レ
ンズ２１に入射し、同レンズ２２における情報記録媒体
１３と対向する面近傍に集光スポット１２を形成する。
半球状レンズ２１の屈折率をｎ、グレーティングレンズ
９の開口数をＮＡとすると、グレーティングレンズ９か
ら集光スポット１２に至る実効的な開口数はｎ×ＮＡと
なる。第１実施例で述べたように、半球状レンズ２１の
屈折率としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、実効的な
開口数を１以上とすることができる。これによって、極
めて微小な集光スポット１２の形成が可能となる。な
お、上記の半球状レンズ２１にかえてイオン交換プロセ
ス等による屈折率分布型レンズを使用することもでき
る。さらに、素子１０２と部材２０の周囲にはコイル２
２が配置されており、素子１０２と部材２０を一体とし
てトラッキング方向に駆動させる。なお、コイル２２は
本実施例における必須の構成要素ではなく、例えば素子
１０２と部材２０を一体化していわゆるスイングアーム
等の機構に搭載し、トラッキング方向に駆動させても良
い。
【００３０】図１１（ｂ）では、上記半球状レンズ２１
の代わりに球の一部を切り欠いたいわゆる超半球レンズ
２３を用い、この超半球レンズ２３を部材２０に搭載し
てある。この場合、超半球レンズ２３の屈折率をｎ、グ
レーティングレンズ９の開口数をＮＡとすると、グレー
ティングレンズ９から集光スポット１２に至る実効的な
開口数はｎ2×ＮＡとなる。したがって、超半球状レン
ズ２３の屈折率としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、
実効的な開口数を半球状レンズ２１の場合より大きくす
ることができる。これによって、図１１（ａ）よりもさ
らに微小な集光スポット１２の形成が可能となる。なお
本実施例においても、超半球レンズ２３に代えてイオン
交換プロセス等による屈折率分布型レンズを使用しても
良い。
の代わりに球の一部を切り欠いたいわゆる超半球レンズ
２３を用い、この超半球レンズ２３を部材２０に搭載し
てある。この場合、超半球レンズ２３の屈折率をｎ、グ
レーティングレンズ９の開口数をＮＡとすると、グレー
ティングレンズ９から集光スポット１２に至る実効的な
開口数はｎ2×ＮＡとなる。したがって、超半球状レン
ズ２３の屈折率としてｎ＝１．７程度の材質を選べば、
実効的な開口数を半球状レンズ２１の場合より大きくす
ることができる。これによって、図１１（ａ）よりもさ
らに微小な集光スポット１２の形成が可能となる。なお
本実施例においても、超半球レンズ２３に代えてイオン
交換プロセス等による屈折率分布型レンズを使用しても
良い。
【００３１】−第６実施例−
図１２は本発明の第６実施例に係る光ヘッドの構成断面
図である。前述の第５実施例では、集光スポット１２は
情報記録媒体１３における情報記録膜１３ｂに対して基
板１３ａと逆側から集光されているが、本実施例では、
グレーティングレンズ９から出た光は基板１３ａを通過
した後、情報記録膜１３ｂに集光される。図１２（ａ）
において、部材２０に搭載されているレンズ２４は、図
中の点線で示すように、情報記録媒体１３の基板１３ａ
と一体で考えた場合に半球状レンズとなるように形状が
加工されている。本実施例は、図１１（ａ）における半
球状レンズ２１の光束絞り込み光路中に厚さｄの空気層
が存在することと等価である。この空気層によって集光
スポット１２には若干球面収差が発生するが、空気層の
厚さがわかっていれば、発生する球面収差を補正するよ
うにグレーティングレンズ９を設計することは可能であ
る。また、図１２（ｂ）において、部材２０に搭載され
ているレンズ２５は、図中の点線で示すように、情報記
録媒体１３の基板１３ａと一体で考えた場合に図１１
（ｂ）に示した超半球レンズとなるように形状が加工さ
れている。図１２（ａ），（ｂ）いずれの場合も、レン
ズ２４，２５と基板１３ａ間距離ｄは、半導体レーザ光
源１の波長に対して充分小さくする必要がある（例え
ば、波長に対して１／８から１／１０程度）が、外部振
動等外乱の影響で光ヘッドが情報記録媒体１３と接触す
ることによって、情報記録膜１３ｂが損傷を受けること
を回避することができる。
図である。前述の第５実施例では、集光スポット１２は
情報記録媒体１３における情報記録膜１３ｂに対して基
板１３ａと逆側から集光されているが、本実施例では、
グレーティングレンズ９から出た光は基板１３ａを通過
した後、情報記録膜１３ｂに集光される。図１２（ａ）
において、部材２０に搭載されているレンズ２４は、図
中の点線で示すように、情報記録媒体１３の基板１３ａ
と一体で考えた場合に半球状レンズとなるように形状が
加工されている。本実施例は、図１１（ａ）における半
球状レンズ２１の光束絞り込み光路中に厚さｄの空気層
が存在することと等価である。この空気層によって集光
スポット１２には若干球面収差が発生するが、空気層の
厚さがわかっていれば、発生する球面収差を補正するよ
うにグレーティングレンズ９を設計することは可能であ
る。また、図１２（ｂ）において、部材２０に搭載され
ているレンズ２５は、図中の点線で示すように、情報記
録媒体１３の基板１３ａと一体で考えた場合に図１１
（ｂ）に示した超半球レンズとなるように形状が加工さ
れている。図１２（ａ），（ｂ）いずれの場合も、レン
ズ２４，２５と基板１３ａ間距離ｄは、半導体レーザ光
源１の波長に対して充分小さくする必要がある（例え
ば、波長に対して１／８から１／１０程度）が、外部振
動等外乱の影響で光ヘッドが情報記録媒体１３と接触す
ることによって、情報記録膜１３ｂが損傷を受けること
を回避することができる。
【００３２】−第７実施例−
図１３は本発明の第７実施例に係る光ヘッドの構成断面
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１における位相差発生素子７を形成した第２透
明層６まで積層した素子１０３を用いた例を示してい
る。素子１０３と分離して対物レンズ２６を搭載したア
クチュエータ２７を配置し、対物レンズ２６をフォーカ
ス方向およびトラッキング方向に駆動する。同図中に点
線で示すように、素子１０３とアクチュエータ２７の周
囲にコイル２８を配置し、これによって素子１０３とア
クチュエータ２６を一体化してトラッキング方向に駆動
しても良い。本実施例のような構成を採用すれば、対物
レンズ２６として従来公知の技術によるガラス性非球面
レンズ等、一般的に市場に流通している部品を用いるこ
とができるため、光学系設計の自由度が増加する。ま
た、適当な対物レンズ２６を選定することにより、対物
レンズ２６と情報記録媒体１３間の距離を充分にとりつ
つ（例えば約０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度）、情報記録媒体
１３の基板１３ａ越しに集光スポット１２を形成するこ
とができる。これにより、光ヘッド全体を大幅に小型化
すると同時に、現在市場に出ているＣＤ、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の一般的な光学
的情報記録再生装置に用いる光ヘッドとの互換性を保つ
ことが可能となる。
図であり、第１実施例および第２実施例の光ヘッド１０
０，１０１における位相差発生素子７を形成した第２透
明層６まで積層した素子１０３を用いた例を示してい
る。素子１０３と分離して対物レンズ２６を搭載したア
クチュエータ２７を配置し、対物レンズ２６をフォーカ
ス方向およびトラッキング方向に駆動する。同図中に点
線で示すように、素子１０３とアクチュエータ２７の周
囲にコイル２８を配置し、これによって素子１０３とア
クチュエータ２６を一体化してトラッキング方向に駆動
しても良い。本実施例のような構成を採用すれば、対物
レンズ２６として従来公知の技術によるガラス性非球面
レンズ等、一般的に市場に流通している部品を用いるこ
とができるため、光学系設計の自由度が増加する。ま
た、適当な対物レンズ２６を選定することにより、対物
レンズ２６と情報記録媒体１３間の距離を充分にとりつ
つ（例えば約０．５ｍｍ〜１ｍｍ程度）、情報記録媒体
１３の基板１３ａ越しに集光スポット１２を形成するこ
とができる。これにより、光ヘッド全体を大幅に小型化
すると同時に、現在市場に出ているＣＤ、ＣＤ−ＲＯ
Ｍ、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等の一般的な光学
的情報記録再生装置に用いる光ヘッドとの互換性を保つ
ことが可能となる。
【００３３】−第８実施例−
図１４は本発明の第８実施例に係る光ヘッドの構成断面
図であり、情報記録媒体１３の情報記録膜１３ｂとして
いわゆる光磁気記録媒体を用いた場合への適用例を示し
ている。本実施例の光ヘッドでは、第１実施例および第
２実施例の光ヘッド１００，１０１における情報記録媒
体１３と対向する第４透明層１０上に薄膜状のコイル２
９を形成し、情報記録膜１３ｂに対して、情報記録媒体
１３の表面に垂直な方向に記録する情報に応じて強度変
調あるいは局性反転された磁界を印加する。情報記録時
に、半導体レーザ光源１は高出力で発光するが、一定強
度で連続的に発光してもパルス状に発光しても良い。い
ずれの場合においても、光磁気情報記録膜１３ｂに対し
ていわゆる磁界変調記録を行なう。一般に、磁界変調記
録方式の方がいわゆる光変調記録方式に比べて微小な記
録マークを形成することが可能である。
図であり、情報記録媒体１３の情報記録膜１３ｂとして
いわゆる光磁気記録媒体を用いた場合への適用例を示し
ている。本実施例の光ヘッドでは、第１実施例および第
２実施例の光ヘッド１００，１０１における情報記録媒
体１３と対向する第４透明層１０上に薄膜状のコイル２
９を形成し、情報記録膜１３ｂに対して、情報記録媒体
１３の表面に垂直な方向に記録する情報に応じて強度変
調あるいは局性反転された磁界を印加する。情報記録時
に、半導体レーザ光源１は高出力で発光するが、一定強
度で連続的に発光してもパルス状に発光しても良い。い
ずれの場合においても、光磁気情報記録膜１３ｂに対し
ていわゆる磁界変調記録を行なう。一般に、磁界変調記
録方式の方がいわゆる光変調記録方式に比べて微小な記
録マークを形成することが可能である。
【００３４】光磁気信号を再生する場合、一般的には光
磁気情報記録膜に直線偏光を照射し、反射光における偏
光面の回転（カー回転）を検出する。しかしながら、
「光メモリシンポジウム‘８８講演予稿集ｐｐ．３５〜
３６」記載のように、光磁気記録膜の円二色性を利用す
れば、円偏光を照射した場合でも光磁気信号の検出が可
能である。光磁気記録膜の円二色性は、同記録膜におけ
るカー楕円率が大きいほどその効果が大きい。「第１５
回日本応用磁気学会学術講演会 講演番号３１ｐＢ−５
（同講演予稿集ｐｐ．３１０）」に示されているよう
に、光磁気記録膜のカー楕円率は照射する光の波長が短
かくなるほど大きくなる。したがって、「電子情報通信
学会技術研究報告 報告番号ＭＲ９１−７４（１９９１
年）」記載のように、光源波長が短波長化するほど円二
色性の効果を利用した光磁気信号再生が有利となる。
磁気情報記録膜に直線偏光を照射し、反射光における偏
光面の回転（カー回転）を検出する。しかしながら、
「光メモリシンポジウム‘８８講演予稿集ｐｐ．３５〜
３６」記載のように、光磁気記録膜の円二色性を利用す
れば、円偏光を照射した場合でも光磁気信号の検出が可
能である。光磁気記録膜の円二色性は、同記録膜におけ
るカー楕円率が大きいほどその効果が大きい。「第１５
回日本応用磁気学会学術講演会 講演番号３１ｐＢ−５
（同講演予稿集ｐｐ．３１０）」に示されているよう
に、光磁気記録膜のカー楕円率は照射する光の波長が短
かくなるほど大きくなる。したがって、「電子情報通信
学会技術研究報告 報告番号ＭＲ９１−７４（１９９１
年）」記載のように、光源波長が短波長化するほど円二
色性の効果を利用した光磁気信号再生が有利となる。
【００３５】図１４に示した第８実施例によれば、情報
記録媒体１３ｂには円偏光が照射されることになる。半
導体レーザ光源１を形成する材料としてＧａＮ系の材料
を用いると、光源波長は約４００〜４５０ｎｍ程度とな
る。例えばＴｂＦｅＣｏ系あるいはＧｄＴｅＦｅＣｏ系
の非晶質薄膜、あるいはＰｔＣｏ系の超格子積層膜等を
用いると、前記の波長領域においては円二色性効果を利
用した光磁気信号再生方式が有効となるような情報記録
膜１３ｂを構成することが可能である。また、本実施例
によれば、同一の光ヘッドによって、情報記録媒体上に
形成された凹凸形状の記録マーク、反射率変化による記
録マーク（いわゆる相変化記録）および磁化の向きによ
る記録マーク（光磁気記録）を全て検出再生することが
可能である。
記録媒体１３ｂには円偏光が照射されることになる。半
導体レーザ光源１を形成する材料としてＧａＮ系の材料
を用いると、光源波長は約４００〜４５０ｎｍ程度とな
る。例えばＴｂＦｅＣｏ系あるいはＧｄＴｅＦｅＣｏ系
の非晶質薄膜、あるいはＰｔＣｏ系の超格子積層膜等を
用いると、前記の波長領域においては円二色性効果を利
用した光磁気信号再生方式が有効となるような情報記録
膜１３ｂを構成することが可能である。また、本実施例
によれば、同一の光ヘッドによって、情報記録媒体上に
形成された凹凸形状の記録マーク、反射率変化による記
録マーク（いわゆる相変化記録）および磁化の向きによ
る記録マーク（光磁気記録）を全て検出再生することが
可能である。
【００３６】なお、前述した第１ないし第７実施例にお
いて、情報記録膜として第８実施例で述べた光磁気記録
膜を用いるとともに、集光スポット１２近傍に磁界印加
用のコイル２９を配置すれば、第８実施例と同様の効果
が得られる。
いて、情報記録膜として第８実施例で述べた光磁気記録
膜を用いるとともに、集光スポット１２近傍に磁界印加
用のコイル２９を配置すれば、第８実施例と同様の効果
が得られる。
【００３７】−第９実施例−
図１５は本発明の第９実施例に係る光学的情報記録再生
装置３００の斜視図である。この光学的情報記録再生装
置３００では、上記第４実施例（図１０参照）の光ヘッ
ド１００，１０１を搭載した浮上型スライダ１７が支持
アーム３０によって支持されており、アクチュエータ３
１によって情報記録媒体１３（本実施例ではディスク形
状）の半径方向に移動する。情報記録媒体１３である光
ディスクは、開閉可能なシャッタ３２および防塵機能を
有するカートリッジ３３に挿入されており、光学的情報
記録再生装置３００の開口部３４より装置内に挿入され
る。光学的情報記録再生装置３００全体は防塵ケース３
５によって覆われている。なお、本実施例においては、
アクチュエータ３１の構造としていわゆるスイングアー
ム型の例を示したが、これに限定されるものではない。
また、同図において、各種信号処理回路、光ディスク回
転のためのスピンドルモータあるいは各種の入出力端子
等は図示省略してあるが、実際の装置においては必要な
構成要素であることはいうまでもない。本実施例によれ
ば、光ヘッドが小型化されるため、光学的情報記録再生
装置３００全体の小型薄型化を実現できると同時に、高
速アクセス可能な高性能の光学的情報記録再生装置３０
０を実現することができる。
装置３００の斜視図である。この光学的情報記録再生装
置３００では、上記第４実施例（図１０参照）の光ヘッ
ド１００，１０１を搭載した浮上型スライダ１７が支持
アーム３０によって支持されており、アクチュエータ３
１によって情報記録媒体１３（本実施例ではディスク形
状）の半径方向に移動する。情報記録媒体１３である光
ディスクは、開閉可能なシャッタ３２および防塵機能を
有するカートリッジ３３に挿入されており、光学的情報
記録再生装置３００の開口部３４より装置内に挿入され
る。光学的情報記録再生装置３００全体は防塵ケース３
５によって覆われている。なお、本実施例においては、
アクチュエータ３１の構造としていわゆるスイングアー
ム型の例を示したが、これに限定されるものではない。
また、同図において、各種信号処理回路、光ディスク回
転のためのスピンドルモータあるいは各種の入出力端子
等は図示省略してあるが、実際の装置においては必要な
構成要素であることはいうまでもない。本実施例によれ
ば、光ヘッドが小型化されるため、光学的情報記録再生
装置３００全体の小型薄型化を実現できると同時に、高
速アクセス可能な高性能の光学的情報記録再生装置３０
０を実現することができる。
【００３８】−第１０実施例−
図１６は本発明の第１０実施例に係る光学的情報記録再
生装置３０１の側面図である。この光学的情報記録再生
装置３０１は、いわゆるスタック構造の情報記録再生装
置であり、上記第９実施例と同様に、光ヘッド１００，
１０１を搭載した浮上型スライダ１７が支持アーム３０
によって支持されており、アクチュエータ３６によって
積層配置された光ディスク１３の半径方向に移動する。
光ディスク１３はスピンドルモータ３７に固定されてお
り、光学的情報記録再生装置３０１全体は防塵ケース３
５によって覆われている。本実施例によれば、小型で超
大容量の情報記録装置を実現することができる。
生装置３０１の側面図である。この光学的情報記録再生
装置３０１は、いわゆるスタック構造の情報記録再生装
置であり、上記第９実施例と同様に、光ヘッド１００，
１０１を搭載した浮上型スライダ１７が支持アーム３０
によって支持されており、アクチュエータ３６によって
積層配置された光ディスク１３の半径方向に移動する。
光ディスク１３はスピンドルモータ３７に固定されてお
り、光学的情報記録再生装置３０１全体は防塵ケース３
５によって覆われている。本実施例によれば、小型で超
大容量の情報記録装置を実現することができる。
【００３９】−第１１実施例−
図１７は本発明の第１１実施例に係る光学的情報記録再
生装置３０２の斜視図である。この光学的情報記録再生
装置３０２では、上記第５実施例（図１１参照）あるい
は上記第７実施例（図１３参照）の光ヘッド１０２，１
０３をキャリッジ３８に搭載し、キャリッジ移動機構３
９によって光ディスク１３の半径方向に移動させる。光
ディスク１３は、上記第９実施例と同様に、開閉可能な
シャッタ３２および防塵機能を有するカートリッジ３３
に挿入されており、光学的情報記録再生装置３０２の開
口部３４より装置内に挿入され、スピンドルモータ３７
によって回転する。光学的情報記録再生装置３０２全体
は防塵ケース３５によって覆われている。本実施例にお
いては、情報記録媒体として、基板越に集光スポットを
形成する構成、あるいは基板を透過しないで集光スポッ
トを形成する構成いずれであっても使用することができ
る。
生装置３０２の斜視図である。この光学的情報記録再生
装置３０２では、上記第５実施例（図１１参照）あるい
は上記第７実施例（図１３参照）の光ヘッド１０２，１
０３をキャリッジ３８に搭載し、キャリッジ移動機構３
９によって光ディスク１３の半径方向に移動させる。光
ディスク１３は、上記第９実施例と同様に、開閉可能な
シャッタ３２および防塵機能を有するカートリッジ３３
に挿入されており、光学的情報記録再生装置３０２の開
口部３４より装置内に挿入され、スピンドルモータ３７
によって回転する。光学的情報記録再生装置３０２全体
は防塵ケース３５によって覆われている。本実施例にお
いては、情報記録媒体として、基板越に集光スポットを
形成する構成、あるいは基板を透過しないで集光スポッ
トを形成する構成いずれであっても使用することができ
る。
【００４０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、フ
ァブリ・ペロー（Fabri−Perot）水平共振器を有する半
導体レーザと同様に、光源として使用する半導体レーザ
が活性層の端面から光束を出射する構造であるため、高
出力化や偏光方向制御の観点でいわゆる面発光レーザよ
りも有利であり、記録可能な光学的情報記録再生装置に
も適用可能な光ヘッドを実現することができ、。また、
フォトマスク露光プロセス等の半導体製造プロセス技術
を用いて、光源と光検出素子のみならずそれ以外の機能
素子を一体プロセスで形成することが可能であるため、
小型で安価な光ヘッドを実現することができる。
ァブリ・ペロー（Fabri−Perot）水平共振器を有する半
導体レーザと同様に、光源として使用する半導体レーザ
が活性層の端面から光束を出射する構造であるため、高
出力化や偏光方向制御の観点でいわゆる面発光レーザよ
りも有利であり、記録可能な光学的情報記録再生装置に
も適用可能な光ヘッドを実現することができ、。また、
フォトマスク露光プロセス等の半導体製造プロセス技術
を用いて、光源と光検出素子のみならずそれ以外の機能
素子を一体プロセスで形成することが可能であるため、
小型で安価な光ヘッドを実現することができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光ヘッドの構成断面
図である。
図である。
【図２】回折格子と光検出素子の概念図である。
【図３】光検出器受光領域における光強度分布と各種信
号検出方法を示す説明図である。
号検出方法を示す説明図である。
【図４】半導体レーザ光源の製造工程を示す説明図であ
る。
る。
【図５】半導体レーザ光源の製造工程を示す説明図であ
る。
る。
【図６】半導体レーザ光源の製造工程を示す説明図であ
る。
る。
【図７】光検出素子の製造工程を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施例に係る光ヘッドの構成断面
図である。
図である。
【図９】本発明の第３実施例に係る光ヘッドの構成断面
図である。
図である。
【図１０】本発明の第４実施例に係る光ヘッドの構成断
面図である。
面図である。
【図１１】本発明の第５実施例に係る光ヘッドの構成断
面図である。
面図である。
【図１２】本発明の第６実施例に係る光ヘッドの構成断
面図である。
面図である。
【図１３】本発明の第７実施例に係る光ヘッドの構成断
面図である。
面図である。
【図１４】本発明の第８実施例に係る光ヘッドの構成断
面図である。
面図である。
【図１５】本発明の第９実施例に係る光学的情報記録再
生装置の斜視図である。
生装置の斜視図である。
【図１６】本発明の第１０実施例に係る光学的情報記録
再生装置の側面図である。
再生装置の側面図である。
【図１７】本発明の第１１実施例に係る光学的情報記録
再生装置の斜視図である。
再生装置の斜視図である。
１ 導体レーザ光源
１００，１０１，１０２ 光ヘッド
２ 透明基板
２０１ サファイア基板
２０２ ＧａＮバッファ層
２０３ ＧａＮ光導波層
２０４ ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ反射膜
２０５ ｎ型ＧａＮ光導波層
２０６ ＴｉＮ薄膜
２０７ 絶縁膜
２０８ ｎ型ＧａＮ光導波層
２０９ ＡｌＧａＮ／ＧａＮ／ＧａＩｎＮ活性層
２１０ ｐ型ＧａＮ光導波層
２１１ 誘電体高反射膜
２１２ ｐ側電極
２１３ ｎ側電極
２１４ ｎ＋型ＧａＮ層
２１５ ＧａＮ光吸収層
２１６ ｐ型のＧａＮ層
２１７ 絶縁層
２１８ 電極
３ 光検出素子
３ａ〜３ｌ 受光領域
４ 第１透明層
５ 回折格子（光束分離素子）
６ 第２透明層
７ 位相差発生素子
８ 第３透明層
９ 集光素子（グレーティングレンズ）
１０ 第４透明層
１１ 耐摺動保護層
１２ 集光スポット
１３ 情報記録媒体
１３ａ 基板
１３ｂ 情報記録膜
１３ｃ 保護膜
１５，１８，２２，２８，２９ コイル
１６，１９，２７，３１，３６ アクチュエータ
１７ 浮上型スライダ
２０ 部材
２１ 半球状レンズ
２３ 超半球レンズ
２６ 対物レンズ
３０ 支持アーム
３２ シャッタ
３３ カートリッジ
３４ 開口部
３５ 防塵ケース
３７ スピンドルモータ
３８ キャリッジ
３９ キャリッジ移動機構
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 島野 健
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社 日立製作所 中央研究所内
(56)参考文献 特開 平６−251410（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−306062（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−311828（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−265742（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−351736（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−255923（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−18720（ＪＰ，Ａ)
国際公開96／027880（ＷＯ，Ａ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 7/135
Claims (23)
- 【請求項１】 光源と、この光源から出射する光束を情
報記録媒体に集光照射する集光素子と、前記光源からの
出射光および前記情報記録媒体からの反射光に所定の位
相差を与える位相差発生素子と、前記情報記録媒体から
の反射光を光束分離する光束分離素子と、前記反射光を
受光して前記情報記録媒体に記録されている情報信号を
検出する光検出素子とを備え、前記光源が前記光検出素
子と同一基板上に集積形成されるとともに、前記光源が
前記基板に対して垂直に形成された半導体結晶の側面に
活性層を設けた光導波路構造に対して垂直共振器を形成
した半導体レーザであることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光ヘッドにおいて、前
記光検出素子が前記基板に対して前記光源と同一面側に
集積形成されていることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光ヘッドにおいて、前
記光検出素子が前記基板に対して前記光源と対向する面
に集積形成されていることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項４】 請求項１から３のいずれかに記載の光ヘ
ッドにおいて、前記光源から出射した光束が前記基板を
透過した後に前記情報記録媒体に集光照射されることを
特徴とする光ヘッド。 - 【請求項５】 請求項１に記載の光ヘッドにおいて、前
記光束分離素子と前記位相差発生素子および前記集光素
子とを、前記基板に対して前記光源と対向する面に所定
の間隔をおいて集積形成したことを特徴とする光ヘッ
ド。 - 【請求項６】 請求項１および５のいずれかに記載の光
ヘッドにおいて、前記光束分離素子が回折格子であるこ
とを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項７】 請求項５に記載の光ヘッドにおいて、前
記位相差発生素子によって発生する位相差が１／４波長
であり、前記位相差発生素子の光学軸が前記半導体レー
ザの活性層に対して略４５度方向に設定されていること
を特徴とする光ヘッド。 - 【請求項８】 請求項１および５に記載のいずれかに光
ヘッドにおいて、前記集光素子がグレーティングレンズ
または屈折率分布レンズまたは凸レンズであることを特
徴とする光ヘッド。 - 【請求項９】 請求項１、５、８のいずれかに記載の光
ヘッドにおいて、前記集光素子がグレーティングレンズ
であり、前記グレーティングレンズから光束集光点まで
の光通過経路が固体材料で形成され、前記光束集光点が
前記情報記録媒体と対向して近接配置された前記固体材
料の表面近傍に形成されるとともに、前記グレーティン
グレンズによる実効的な開口数が１以上であることを特
徴とする光ヘッド。 - 【請求項１０】 請求項１、５、８のいずれかに記載の
光ヘッドにおいて、前記集光素子がグレーティングレン
ズと半球状レンズから構成され、かつ前記半球状レンズ
が前記光源側に凸となるように配置されており、前記グ
レーティングレンズと前記半球状レンズによる合成の開
口数が１以上であることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１１】 請求項１に記載の光ヘッドにおいて、
前記基板がサファイア（ａ−Ａｌ2Ｏ3）基板または炭化
珪素（ａ−ＳｉＣ）基板であることを特徴とする光ヘッ
ド。 - 【請求項１２】 請求項１から１１のいずれかに記載の
光ヘッドにおいて、前記集光素子における前記情報記録
媒体に対向する側面のうち、光束の集光される部分以外
に耐摺動機能を有する耐摺動保護膜を形成したことを特
徴とする光ヘッド。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の光ヘッドにおい
て、前記耐摺動保護膜がセラミック膜であることを特徴
とする光ヘッド。 - 【請求項１４】 請求項１２および１３のいずれかに記
載の光ヘッドにおいて、前記耐摺動保護膜上に薄膜状の
電磁コイルを設けたことを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１５】 請求項１から１４のいずれかに記載の
光ヘッドにおいて、前記光ヘッドが浮上型スライダーに
搭載されていることを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項１６】 請求項１５に記載の光ヘッドにおい
て、浮上量が１μｍ以下であることを特徴とする光ヘッ
ド。 - 【請求項１７】 請求項１から４のいずれかに記載の光
ヘッドにおいて、前記光束分離素子と前記位相差発生素
子とを前記基板に対して前記光源と対向する側面に所定
の間隔をおいて集積形成するとともに、この集積体に対
して前記集光素子を分離して配置したことを特徴とする
光ヘッド。 - 【請求項１８】 請求項１から４のいずれかに記載の光
ヘッドにおいて、前記光束分離素子と前記位相差発生素
子および前記集光素子とを、前記基板に対して前記光源
と対向する側に前記基板と分離して配置したことを特徴
とする光ヘッド。 - 【請求項１９】 請求項１７および１８のいずれかに記
載の光ヘッドにおいて、前記集光素子がグレーティング
レンズまたは屈折率分布レンズまたは凸レンズであるこ
とを特徴とする光ヘッド。 - 【請求項２０】 請求項１から１６のいずれかに記載の
光ヘッドと、前記光ヘッドの支持機構と、ディスク状の
情報記録媒体と、前記情報記録媒体の回転および支持機
構と、それらを内部に包含する防塵ケースとを具備して
なることを特徴とする光学的情報記録再生装置。 - 【請求項２１】 請求項２０に記載の光学的情報記録再
生装置において、前記光ヘッドは前記情報記録媒体上に
形成された情報記録膜に対して前記情報記録媒体基板と
対向する側に配置されるとともに、前記光源から出射す
る光束が前記情報記録媒体基板を通過せずに前記情報記
録膜に集光照射されることを特徴とする光学的情報記録
再生装置。 - 【請求項２２】 請求項１から１１および請求項１７か
ら１９のいずれかに記載の光ヘッドと、前記光ヘッドの
支持機構と、ディスク状の情報記録媒体と、前記情報記
録媒体の回転および支持機構と、それらを内部に包含す
る防塵ケースとを具備してなることを特徴とする光学的
情報記録再生装置。 - 【請求項２３】 請求項２２に記載の光学的情報記録再
生装置において、前記光ヘッドは前記情報記録媒体基板
に対して前記情報記録媒体上に形成された情報記録膜と
対向する側に配置されるとともに、前記光源から出射す
る光束が前記情報記録媒体基板を通過した後に前記情報
記録膜に集光照射されることを特徴とする光学的情報記
録再生装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13676698A JP3426962B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
| TW088107923A TW430791B (en) | 1998-05-19 | 1999-05-15 | Optical head and optical information recording and reproducing device using the head |
| KR1019990017550A KR100329864B1 (ko) | 1998-05-19 | 1999-05-17 | 광 헤드 및 그것을 사용한 광학적 정보기록 재생장치 |
| US09/313,211 US6272097B1 (en) | 1998-05-19 | 1999-05-18 | Optical head and apparatus for recording and reproducing optical information through the use of the optical head |
| CNB991080149A CN1153172C (zh) | 1998-05-19 | 1999-05-19 | 光头及使用光头的光学信息记录再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13676698A JP3426962B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11328717A JPH11328717A (ja) | 1999-11-30 |
| JP3426962B2 true JP3426962B2 (ja) | 2003-07-14 |
Family
ID=15183020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13676698A Expired - Fee Related JP3426962B2 (ja) | 1998-05-19 | 1998-05-19 | 光ヘッドおよびそれを用いた光学的情報記録再生装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6272097B1 (ja) |
| JP (1) | JP3426962B2 (ja) |
| KR (1) | KR100329864B1 (ja) |
| CN (1) | CN1153172C (ja) |
| TW (1) | TW430791B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW480479B (en) * | 1999-02-25 | 2002-03-21 | Hitachi Ltd | Optical information processor |
| JP2001043544A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Nec Corp | 光ヘッド装置 |
| US6351443B1 (en) * | 1999-11-04 | 2002-02-26 | Industrial Technology Research Institute | Diffractive stack pickup head for optical disk drives and method to fabricate the pickup head |
| JP2001195770A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Sharp Corp | 光ピックアップ |
| KR100657252B1 (ko) * | 2000-01-20 | 2006-12-14 | 삼성전자주식회사 | 근접장 기록재생용 광헤드 및 그 제조방법 |
| JP4019615B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-12-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 光磁気素子、光磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
| US6633377B1 (en) * | 2000-04-20 | 2003-10-14 | Image Processing Systems Inc. | Dark view inspection system for transparent media |
| JP2001319365A (ja) * | 2000-05-10 | 2001-11-16 | Fuji Xerox Co Ltd | 浮上記録ヘッド、ディスク装置、および浮上記録ヘッドの製造方法 |
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