JP3231331B2 - 積層型近接場光ヘッドおよび光情報記録再生装置 - Google Patents

積層型近接場光ヘッドおよび光情報記録再生装置

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JP3231331B2 JP52675196A JP52675196A JP3231331B2 JP 3231331 B2 JP3231331 B2 JP 3231331B2 JP 52675196 A JP52675196 A JP 52675196A JP 52675196 A JP52675196 A JP 52675196A JP 3231331 B2 JP3231331 B2 JP 3231331B2
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optical
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顕知 伊藤
俊通 新谷
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株式会社 日立製作所
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Description

【発明の詳細な説明】
技術分野 本発明は、光ディスク装置、及びそれを用いた光情報
処理装置にかかわる。 背景技術 光ディスク装置は、これまで大容量の可換媒体として
注目されてきた。しかし、最近の磁気ディスク装置の急
速な大容量化の進展により、記録密度は1ギガビット/
平方インチと、ほぼ同等となり、また、その大容量化の
進展速度の差から、ここ数年で、記録密度の点で磁気デ
ィスク装置に追い抜かれるのは確実な状況となってい
る。光ディスク装置における記録マイクの大きさは、ほ
ぼ数式2で表わされる。
【数式2】 ここで、λは記録再生に用いるレーザ光の波長、NAは
開口数と呼ばれ、光軸とレンズで集光される光のうち光
軸と最大の角度をなす光線の光軸に対する角度θを用い
て、NA=sinθと表わされる。そこで従来、光ディスク
装置の高密度化は、使用する半導体レーザ光の短波長
化、集光レンズの高NA化を中心に、微小な情報記録マー
クを形成する技術、および光スポット径より小さい情報
記録マークを精度よく再生する技術の4つの方向から推
進されてきた。第1のアプローチについては、最近II−
VI族の半導体による緑色レーザの室温連続発振、ガリウ
ム・窒素系のIII−V族半導体による青色発光ダイオー
ドの製品化など画期的な進歩があり、第3、第4のアプ
ローチも着実な進歩を遂げているが、これらを総合して
もやっと1けたの記録密度向上がはかれる程度であると
推定されている。この根本的な原因は、光の回折現象に
より、光を光の波長より小さくすることができないため
である。 この限界を打ち破り、記録密度を現状より2桁向上す
る方法として、近接場(エバネセント場)を利用した光
記録再生方法が注目されている。例えば、アプライド・
フィジクス・レターズ、61巻、2号の142頁から144頁
(Applied Physics Lettes,Vol.62,No.2,pp.142−14
4,1992)に記載されているように、光ファイバの先端を
コーン状に加工し、その先端の数10nmの領域以外を金属
の被膜で覆ったプローブを作製し、これをピエゾ素子を
用いた精密アクチュエータに搭載して位置を制御して、
直径60nmの記録マークをプラチナ/コバルトの多層膜上
に記録再生した例が報告されている。この例の場合、記
録密度は45ギガビット/平方インチに達し、現状の約50
倍とすることができる。更に最近、アプライド・フィジ
クス・レターズ、65巻、4号の388頁から390頁(Applie
d Physics Lettes,Vol.65,No.4,pp.388−390,1994)
には、図2に示す固体液浸レンズ(Solid Immersion
Lens 以下SILと略記)を用いて、実効的に開口数NAを
上げることにより、原理的に40ギガビット/平方インチ
が達成できることが報告されている。 発明の開示 しかし、上記従来例には以下のような課題がある。 まず第一の光プローブを用いる例では、信号レベルが
小さいことがあげられる。 上記第1の従来例では、検出パワーは、わずか100nW程
度ときわめて小さく、光ディスク装置には使用できるレ
ベルにない。これを改善するために、例えば、アプライ
ド・フィジクス・レターズ、63巻、26号の3550頁から35
52頁(Applied Physics Lettes,Vol.63,No.26,pp.355
0−3552,1993)では、Ndドープのファイバレーザを用い
て、45mWの入力で、金の反射膜に対し、0.3mWの出力を
得ることに成功しているが、ファイバレーザを用いるた
め、共振周波数が92kHzと小さく高速の情報転送ができ
ないという問題が生じている。 一方第2のSILを用いる従来例では、SIL以外の部分は
従来の光学系がそのまま使用でき、再生信号およびサー
ボ信号の検出方式も従来方式を踏襲できるので、第1の
従来例と異なり、信号レベル、転送速度など基本的な性
能は、従来型の光ディスク装置と遜色ない。しかし、第
2図に示すように、球状のSIL21を媒体にきわめて近接
して設置する必要があり、まず第1に対物レンズ22とSI
L21の位置合わせが難しいという課題がある。第2に、S
ILは直径0.3mmときわめて小さいので、その実装方法に
課題がある。第3に、SILは光記録媒体23に距離100nm程
度と極めて近接して設置する必要があり、従来のフォー
カシング・サーボ方法は使用できない。したがって、フ
ォーカシング・サーボを必要としない駆動機構が必要と
いう課題がある。 上記の課題を解決するため、本発明では以下のような
手段を構じる。 まず、基板と、該基板上、または該基板内、または該
基板に密着して形成された半導体レーザと、該半導体レ
ーザから出射した光を集光するレンズと、該レンズに対
し半導体レーザとは反対側から入射する該集光光に共役
な光を該半導体レーザとは異なる位置に分岐する分岐手
段と、該分岐手段によって分岐された光を受光するホト
ディテクタとによって構成された光ヘッドにおいて、該
レンズを少なくとも2枚以上のレンズと該レンズを埋め
込む高屈折率材料とで構成し、該レンズで集光される光
線と光軸のなす角の最大値が、該高屈折材料と空気の界
面における全反射角より大きくなるよう、該レンズ系を
設計する。さらにまた、集光レンズをグレーティングレ
ンズによって構成する。 さらに、前記光ヘッドの該半導体レーザの出射側共振
器ミラーと集光レンズとの空隙を透明材料で充填し、一
体構造とする。あるいはまた、半導体レーザとして共振
器を基板に対して垂直方向に形成した面発光型の半導体
レーザを用いる。 さらに、前記光ヘッドの集光レンズの口径を1mm以下
とする。さらにまた、前記光ヘッドにおいては、光出射
側の表面にセラミック膜を装荷する。 さらに光ヘッドにおいて、前記レンズで集光される光
線と光軸のなす角の最大値がθmax、半導体レーザの波
長がλ、高屈折率材料の屈折率がnであるとき、光記録
媒体を前記高屈折材料から数1で示される距離dの範囲
に設置する。 さらに前記光ヘッドを、浮上スライダ上に搭載する。
あるいはまた光ヘッド自身を浮上スライダとして用い
る。 さらに、上記光ヘッドと、浮上スライダと、光情報記
録媒体からなる光情報記録再生装置を構成し、さらに光
記録媒体と、積層型近接場光ヘッドと、該光ヘッドを移
動させるアクチュエータと、それらを内部に包含し外気
と遮断する筐体を一体としてとりはずせるようにする。 上記手段は、以下のように作用する。 基板と、該基板上、または該基板内、または該基板に
密着して形成された半導体レーザと、該半導体レーザか
ら出射した光を集光するレンズと、該レンズに対し半導
体レーザとは反対側から入射する該集光光に共役な光を
該半導体レーザとは異なる位置に分岐する分岐手段と、
該分岐手段によって分岐された光を受光するホトディテ
クタとによって構成された光ヘッドにおいて、該レンズ
を少なくとも2枚以上のレンズと該レンズを埋め込む高
屈折率材料とで構成し、該レンズで集光される光線と光
軸のなす角の最大値が、該高屈折材料と空気の界面にお
ける全反射角より大きくなるよう、該レンズ系を設計
し、特に集光レンズをグレーティングレンズによって構
成し、半導体プロセス技術を用いて作製可能とすること
で、SILと同等のNA向上効果を得るとともに、レンズ系
の位置合わせを不要とし、かつ実装をきわめて容易にす
る。 さらに、前記光ヘッドの該半導体レーザの出射側共振
器ミラーと集光レンズとの空隙を透明材料で充填し、一
帯構造とする。あるいはまた、半導体レーザとして共振
器を基板に対して垂直方向に形成した面発光型の半導体
レーザを用いることで、すべての光学部品を半導体レー
ザが形成されている基板上に積層一括形成し、全光学部
品の位置合わせをも不要とし、かつ光ヘッドの大幅な小
型化を実現できる。 さらに、前記光ヘッドの集光レンズの口径を1mm以下
とするとすることで、収差に対するレンズの加工誤差、
調整誤差を大幅に軽減し、実際にグレーティングレンズ
の使用を可能とする。 さらに前記光ヘッドにおいて、前記レンズで集光され
る光線と光軸のなす角の最大値がθmax、半導体レーザ
の波長がλ、高屈折率材料の屈折率がnであるとき、光
記録媒体を前記高屈折材料から数式1で示される距離d
の範囲に設置することで、エバネセント光の透過効率を
高め、より小さな光スポットを得ることができる。 また、前記のような超小型の積層型の光ヘッドを実現
することで、光ヘッドをスライダ上に搭載できるように
なる。これにより、フォーカシング・サーボを不要とす
ることができる。 図面の簡単な説明 第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。第2
図は本発明で用いるレンズ系と、従来のSILの動作を比
較した図である。第3図は本発明の他の実施例である。
第4図は焦点ずれ、トラックずれ信号発生用の回折格子
の一例である。第5図は焦点ずれ信号を表わす図であ
る。第6図は焦点ずれ、トラックずれ信号の発生回路を
表わす図である。第7図は光磁気検出用の信号検出回路
を表わす図である。第8図は本発明の位置合わせ、アク
セス機構系を表わす図である。第9図は本発明の光ヘッ
ド、機構系を搭載したドライブ装置の概念図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。 第1図は本発明の第1の実施例である。面発光レーザ
1から出射したレーザ光は、充填層2に入り、コリメー
トレンズ11によりコリメートされ、屈折率の異なる他の
材料で構成されたグレーティング素子3を透過する。こ
れにより、若干の光が回折されるが、これは不要とな
る。グレーティングを透過した光は、第1、第2のグレ
ーティングレンズ4、5で回折されたのち、さらに第3
のグレーティングレンズ6で集光される。このとき、光
軸と集光された光とのなす最大角θmaxは、カバー層7
の端面における全反射角より大きい値となっている。な
お、カバー層7の端面はレンズ系の焦点位置に設定され
ている。さらに、カバー層7の端面から、僅かに離れた
近接場領域に、光記録媒体8を配置すると、全反射角θ
c以下の角度で入射してきた光のみならず、θc以上の
角度で入射してきた光も一部透過し、実効的にNAが大き
くなり、より小さなスポット9に絞れこまれる。光記録
媒体8からの反射光は、レンズ系4、5、6を再び透過
し、グレーティング素子3によって回折され、面発光レ
ーザ1に隣接して設けられたホトダイオード10上に集光
され、再生信号およびサーボ信号が検出される。 以下、実施例1の動作について第2図でさらに詳しく
説明する。第2図(b)に、本実施例と第2図(a)に
示した従来のSILの動作を比較して示す。 従来のSILでは、対物レンズ22の集光点付近にSIL21を
設置する。対物レンズ22のNAをNA=sinθ0とする。SIL
21の屈折率をn、半径をrとする。さらにSIL21の下部
を中心から長さr/nの位置まで研磨して落とし、SIL21の
中心を対物レンズ22の焦点位置よりnrの位置に設置す
る。このとき、集光された光はSIL表面で屈折され、研
磨面23の一点に集光される。入射角をθ1、屈折角をθ
2とすると、スネルの法則より、sinθ1=n・sinθ2
が成り立つ。三角形の相似よりθ2=θ0、θ1=θma
xとなる。したがって、スポット径は数式3のように表
わされる。
【数3】 これにより、実効的にNAがn倍に、さらにスポット径
が1/n2になる。λ=780nm、対物レンズ22のNA=0.5、n
=1.9とすると、実効NAは0.95に、スポット径σ=430nm
となり、SILを用いない場合に比べ、約1/3.6となる。た
だし、このままでは全反射角θc=sin-1(1/n)以上の
角度で入射した光は透過することができないので、SIL
の近接場領域に光記録媒体8を配置し、θc以上の角度
で入射する光をも取り出すことが可能となる。 一方本実施例で用いたグレーティングレンズでは、NA
はもっぱらグレーティングの周期で決まる。例えば、第
1のグレーティングレンズは、平面波を球面波に変える
とし、その焦点距離をf1、カバー層6の屈折率をn1とす
ると、中心からm番目の溝の周期は、近似的に数式4で
表わされる。
【数4】 本実施例で、レンズ直径0.1mm、λ=780nm、NA=0.
5、n1=1.5とすると、f1=0.086mmであるから、レンズ
の溝の最小周期は890nmとなる。これは、通常のリソグ
ラフィプロセスで作製可能な周期である。 次に、第2のグレーティングレンズと第1のグレーテ
ィングレンズの距離をa、第1、第2のグレーティング
レンズの2つレンズ系の焦点距離をf2とすると、中心か
らm番目の溝の周期は、近似的に数式5で表わされる。
【数5】 a=0.04mm、f2=0.024mmとすると、レンズの最小の
溝の周期は、680nmであり、通常のリソグラフィプロセ
スで作製可能な周期である。 さらに、第3のグレーティングレンズと第2のグレー
ティングレンズとの距離をb、3つのグレーティングレ
ンズの合成レンズの焦点距離をf3、最上カバー層の屈折
率をn2とすると、中心からm番目の溝の周期は、同様に
数式6で表わされる
【数6】 b=0.02mm、f3=0.02mm、n2=1.9とすると、レンズ
の最小の溝の周期は、550nmであり、通常のリソグラフ
ィプロセスで作製可能な周期である。合成のNAは0.91、
スポット径は450nmと従来型のSILを用いた場合とほぼ同
等とする。すなわち、本実施例では、2枚の現実に作製
可能なグレーティングレンズを用いて、SILを用いるの
と同等のNA、およびスポット径を実現している。 また、本実施例では従来のSILを用いる方式に対し、
次のようなメリットがある。前記のように通常のSILで
は、球レンズを中心からr/nの距離まで研磨しなければ
ならない。焦点ずれΔzが存在しても十分良好な像が得
られる範囲すなわち焦点深度は、例えば尾上守夫編の光
ディスク技術(ラジオ技術者)の60頁によれば、数式7
で与えられる。
【数7】 SILを用いる上記例のレンズ系ではNAは0.95と極めて
大きいので、Δz=430nmと極めて小さい。しかし、研
磨によって球レンズの寸法をこの範囲内に合わせること
は極めて困難である。また、対物レンズとSILの位置合
わせ精度もほぼこのレベルであり、位置合わせ、さらに
位置合わせ後の対物レンズ、SILの実装、固定もまた極
めて困難である。これに対し本実施例では、Δz=450n
mと極めて小さいが、作製時に、カバー層6をCVD法等の
薄膜成長法で2μm成長させれば良い。薄膜成長では10
0nmの制御は容易であり、十分に上記焦点深度内へカバ
ー層6の表面位置をおさめることが可能である。また、
3つのグレーティングレンズの距離86μm、20μmも、
適当な厚膜成長装置で成長可能であり、また極めて高精
度に相互の距離を制御することも可能である。 また、上記のような構成は収差に関するレンズの加工
誤差、調整誤差を相対的に軽減できるという特徴をも
つ。NA一定のままレンズ口径を小さくするということ
は、光学系を相似的に縮小するということに相当する。
光学系を縮小すれば、収差も相似的に縮小するが、そこ
に通す光の波長は縮小されないので、波長に対する収差
量はこの倍率だけ小さくなる。光学系の許容収差量は通
常波長によって決まるため、レンズの加工誤差や、調整
誤差の許容量も大きくとることができる。例えば、本実
施例では面発光レーザ1より出射した1/e2半幅約10度の
光をレーザから距離0.284mmの位置にあるコリメートレ
ンズによってコリメートするため、ビームの直径は0.1m
mと通常の光学系の1/10以下であり、上記効果が顕著に
なると考えられる。簡単のため、第1のグレーティング
レンズ4について考察する。グレーティングレンズの球
面収差Wは入射光線の高さをhとすると、数式8で与え
られる。
【数8】 W=Ah4 ここで、特に問題となる入射光線の波長の変動にとも
なういわゆる色収差を考えると、波長がλからλ+Δλ
となった場合、数式8は数式9となる。
【数9】 半導体レーザの波長変動量は通常5nm程度であるか
ら、本実施例の場合最大の光線高さh=0.05mmにたいし
て0.013λとなり、光記録装置に用いることが十分可能
な収差量となる。これは、光線の光軸からの傾きによっ
て生じるコマ収差などほかの収差にもあてはまり、本光
学系が大きな加工誤差や、調整誤差の許容量を有してい
ることを示している。 第3図は、本発明の第2の実施例を示したものであ
る。本発明では、第1の実施例中の3枚のグレーティン
グレンズが、1枚のグレーティングレンズ31(焦点距離
0.02、NA0.90)で構成されており、31の上にカバー層6
が20μmほど厚膜形成法で作製できる。グレーティング
レンズの最小周期は208nmであり、ホトリソグラフィ技
術では作製が難しいので、電子ビームリソグラフィ法を
用いて作製する。従って、現在の加工技術の水準では、
スループットの点から実施例1の方が実現容易である
が、将来、電子ビームリソグラフィ法のスループットに
大幅な改善がみられれば、実施例2はより簡潔な構成で
あり、利点がおおいにでてくるものと予想される。 なお、これまでの実施例では面発光型の半導体レーザ
を用いていたが、通常の端面発光型の半導体レーザを用
いてももちろんよい。また、半導体レーザと光検出器
は、従来のように別々の部品を実装する方法も、上記効
果は変わらない。 第4図に、各種信号検出用のグレーティング3とホト
ダイオード10の構成例を示す。グレーティング3は、中
央線を境界として両側とも45゜傾き、互いに直交した直
線形状の回折格子である。ホトダイオード10は、光記録
媒体からの反射光の、両側それぞれの回折格子による±
1次光を受光できるように4か所に配置されている。そ
れぞれのホトダイオードは、グレーティングの分割方向
と垂直にさらに2分割されている。さらに、前記分割線
は、記録媒体の記録溝と平行な方向に配置されている。 第5図は、ホトダイオードによる焦点ずれの検出の例
を示す。4つのディテクタそれぞれに入射する光の、後
焦点時、合焦点時、前焦点時の光分布を示す。これによ
り4分割されたディテクタそれぞれに対して、2分割ホ
トダイオードの出力の差をとれば、焦点ずれ信号を検出
できる。従来のバルク光学部品をアセンブリする場合に
大いに問題となるホトダイオードの調整精度は、本実施
例では、光軸に垂直方向はホトマスクの精密な位置決め
で十分対応でき、または光軸方向の調整精度は薄膜ない
し厚膜の精密な膜厚制御で対応できる。したがって、従
来のような煩雑な部品位置調整は不要となる。 また、トラックずれ信号は、光記録媒体のグループか
らの回折光分布の不均一から得られる。すなわち、左右
両側のグレーティング3に入射する光量の差を取る。 第6図に、焦点ずれ信号とトラックずれ信号の作製方
法を示す。トラックずれ信号は、図中上段左側2つと下
段右側2つの和と、下段左側2つと上段右側2つの和の
差として得られる。 検出信号は、光記録媒体がコンパクトディスクのよう
なROM媒体または相変化媒体の場合は、全ホトダイオー
ドからの出力の総和をとる。 光磁気信号を検出する場合は、さらに第7図のように
する。すなわち、上記ホトダイオードの上に、面発光レ
ーザ1の偏光方向71と±45゜傾いた方向に透過偏光方向
を有する偏光子をはりつける。信号は、それらの偏光子
の下に配置された分割ホトダイオードの出力の和の差を
とることによって検出できる。 本実施例が従来例第2図と大いに異なる他の点とし
て、光ヘッドの大きさがきわめて小さいことがあげられ
る。すなわち、本実施例では面発光レーザ1からカバー
層7まで僅か0.4−0.5mmの大きさである。したがって、
第1図に示した光ヘッドを筐体に入れ、これを浮上スラ
イダ上に搭載することが可能である。 第8図に、本発明の積層型の光ヘッドを浮上型スライ
ダに搭載した例を示す。81は本発明の積層型光ヘッド、
82は実装時に光ヘッドと光記録媒体との距離を微調節す
るための駆動素子、83は磁気ディスク用のスライダ、8
4、85は支持用のアーム、86はアームを光記録媒体のト
ラック方向へ微動させるための駆動機構、87はヘッドス
イングアーム、88はスライダをアクセスするための駆動
機構である。前述のように、本発明の光ヘッドでは、焦
点深度は高々±200nm程度である。現在の標準的な磁気
ディスク装置の浮上量は、約70−80±10nmであるから、
光ヘッドを前記焦点深度内に保持しつつ、浮上させるこ
とは十分に可能である。ただし本光ヘッドは、磁気ヘッ
ドと異なり、磁気スライダ中に埋め込まれているわけで
はないので、研磨によってヘッド面を露出させることは
困難である。そこで、本実施例では、光ヘッド81を±10
nm程度の分解能を有する駆動機構、例えば圧電素子82の
上に搭載し、装置駆動時に前記の焦点ずれ検出信号を用
いて浮上量の微調整を行い、前記焦点深度内に光ヘッド
位置を保持する。一端位置制御が終了すれば、その後は
スライダの浮上により光ヘッドの位置は±10nm以下の変
動に保たれ、ダイナミックな焦点ずれ補正は不要とな
る。光ヘッドのトラッキング動作は、前述のトラックず
れ検出信号を用いて86の微動機構で行う。このようなシ
ンプルな磁気ディスクと同様な駆動系が用いられる理由
は、本実施例の光ヘッドが一括積層された極めて小型・
軽量の光ヘッドであるからであり、従来のSILを用いる
光ヘッドにない特徴である。 第9図は、本光ヘッド、トラッキングアクチュエータ
を内蔵したディスクパーッケージの実施例を示す。外気
と内部を遮断する箱91の中に、光ヘッド、スライダ、ト
ラッキング、アクセス駆動機構が収納され、箱外部に
は、電源入力端子、信号端子を備える。これを、92に示
される記録、再生装置に挿入することで、情報の記録・
再生を行う。このような磁気ディスク装置と同様な密封
構造とすることで、カバーガラスを不要化し、ゴミを遮
断して近接場浮上型の光ディスク装置を実現することが
できる。 以上により、本発明によれば、複雑な信号処理、光記
録媒体構造を用いなくても、現状の波長780nmの半導体
レーザを用いて、ビットピッチ400nm、トラックピッチ4
00nm、面記録密度4Gbit/inch2が達成可能である。将来
の青色光源を用いれば、さらに4倍の16Gbit/inch2が達
成可能である。また、前記実施例ではカバー層として屈
折率1.9のガラス層を用いているが、例えば屈折率が2.5
程度のII−VI族の半導体を用いれば、前記のようにスポ
ット径はカバー層の屈折率の反比例するするので、記録
密度はさらに28Gbit/inch2とすることができる。このよ
うに、本発明では、カバー層の屈折率を大きくとること
で、一層の高密度化も可能となる。従来のSILは、球状
のレンズ21を形成する必要があり、ガラスの硝材の屈折
率の上限が1.9程度であるので、それ以上の高屈折率物
質を使用することは極めて困難である。この点でも本発
明は、従来のSILを用いる光ヘッドに比べ大きな利点が
ある。 産業上の利用可能性 以上のように本発明によれば、超高記録密度の光記録
装置用の光ヘッドを、小型に構成することが可能で、こ
れを浮上スライダに搭載し、焦点ずれ調整不要の光記録
装置を構成することが可能となる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平8−7323(JP,A) 特開 平7−93797(JP,A) 特開 平5−189796(JP,A) 特開 平5−34129(JP,A) Applied Physics L etters,Volume 61 (2),p.142−144,1992年7月 Applied Physics L etters,Volume 63 (26),p.3550−3552,1993年12月 Applied Physics L etters,Volume 65 (4),p.388−390,1994年7月 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 7/12 - 7/22 G11B 11/105 G02B 19/00 - 21/00 JICSTファイル(JOIS)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板と、該基板上、または該基板内、また
    は該基板に密着して形成された半導体レーザと、該半導
    体レーザから出射した光を集光するコンデンサーレンズ
    と、該コンデンサーレンズに対し半導体レーザとは反対
    側から入射する該集光光に共役な光を該半導体レーザと
    は異なる位置に分岐する分岐手段と、該分岐手段によっ
    て分岐された光を受光するホトディテクタとによって構
    成された光ヘッドにおいて、該レンズが高屈折率材料で
    埋め込まれており、該レンズで集光される光線と光軸の
    なす角の最大値が、該高屈折材料と空気の界面における
    全反射角より大きく、 該コンデンサーレンズがグレーティングレンズによって
    構成されており、 該高屈折材料は該グレーティングレンズに対して該半導
    体レーザと反対側にあることを特徴とする積層型近接場
    光ヘッド。
  2. 【請求項2】請求項1記載の積層型近接場光ヘッドにお
    いて、該半導体レーザの射出側共振器ミラーと集光レン
    ズとの空隙を透明材料で充填し、一体構造としたことを
    特徴とする積層型近接場光ヘッド。
  3. 【請求項3】請求項1又は2のいずれかに記載の積層型
    近接場光ヘッドにおいて、半導体レーザが共振器を基板
    に対して垂直方向に形成した面発光型の半導体レーザで
    あることを特徴とする積層型近接場光ヘッド。
  4. 【請求項4】請求項1〜3のうちいずれかに記載の積層
    型近接場光ヘッドにおいて、集光レンズの口径が1mm以
    下であることを特徴とする積層型近接場光ヘッド。
  5. 【請求項5】請求項1〜4のうちいずれかに記載の積層
    型近接場光ヘッドにおいて、光出射側の表面にセラミッ
    ク膜を装荷したことを特徴とする積層型近接場光ヘッ
    ド。
  6. 【請求項6】基板と、該基板上、または該基板内、また
    は該基板に密着して形成された半導体レーザと、該半導
    体レーザから出射した光を集光するレンズと、該レンズ
    に対し半導体レーザとは反対側から入射する該集光光に
    共役な光を該半導体レーザとは異なる位置に分岐する分
    岐手段と、該分岐手段によって分岐された光を受光する
    ホトディテクタとによって構成された光ヘッドにおい
    て、該レンズが高屈折率材料で埋め込まれており、該レ
    ンズで集光される光線と光軸のなす角の最大値が、該高
    屈折材料と空気の界面における全反射角より大きいこと
    を特徴とする積層型近接場光ヘッドにより光記録媒体の
    アクセスを行う光記録再生装置において、上記レンズで
    集光される光線と光軸のなす角の最大値がθmax、半導
    体レーザ数式の波長がλ、高屈折率材料の屈折率がnで
    あるとき、上記光記録媒体が前記高屈折材料から以下の
    式で示される距離dの範囲に設置されていることを特徴
    とする光記録再生装置。
  7. 【請求項7】請求項6記載の積層型近接場光ヘッドが、
    浮上スライダ上に搭載されていることを特徴とする光記
    録再生装置。
  8. 【請求項8】請求項6記載の積層型近接場光ヘッド自身
    を浮上スライダとして用いることを特徴とする光記録再
    生装置。
  9. 【請求項9】請求項6記載の光情報記録再生装置であっ
    て、光記録媒体と、積層型近接場光ヘッドと、該光ヘッ
    ドを移動させるアクチュエータと、それらを内部に包含
    し外気と遮断する筐体を一体としてとりはずせることを
    特徴とする光情報記録再生装置。
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