JP4195352B2 - 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 - Google Patents
発光素子基板およびそれを用いた発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4195352B2 JP4195352B2 JP2003319105A JP2003319105A JP4195352B2 JP 4195352 B2 JP4195352 B2 JP 4195352B2 JP 2003319105 A JP2003319105 A JP 2003319105A JP 2003319105 A JP2003319105 A JP 2003319105A JP 4195352 B2 JP4195352 B2 JP 4195352B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- layer
- light emitting
- refractive index
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 165
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 46
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 35
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 288
- 239000010408 film Substances 0.000 description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 description 43
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 38
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 15
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- -1 tris (8-quinolinol) aluminum Chemical compound 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 2
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis[(2,5-ditert-butylphenyl)carbamoyl]perylene-3,4-dicarboxylic acid Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=C(C(C)(C)C)C(NC(=O)C=2C(=C3C=4C=CC=C5C=CC=C(C=45)C=4C=CC(=C(C3=4)C=2C(O)=O)C(O)=O)C(=O)NC=2C(=CC=C(C=2)C(C)(C)C)C(C)(C)C)=C1 DAYVBDBBZKWNBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylphenyl)naphthalene Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=CC=CC2=CC=CC=C12 MXVLMYZRJAHEIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrooxadiazole Chemical compound N1NC=CO1 VEUMBMHMMCOFAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RLFZYIUUQBHRNV-UHFFFAOYSA-N 2,5-dihydrooxadiazole Chemical class C1ONN=C1 RLFZYIUUQBHRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methylphenyl)-n-[4-[4-[3-(2-methylphenyl)anilino]phenyl]phenyl]aniline Chemical group CC1=CC=CC=C1C1=CC=CC(NC=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(NC=3C=C(C=CC=3)C=3C(=CC=CC=3)C)=CC=2)=C1 OWEOYUSGIQAOBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-naphthalen-1-ylethylamino)-4-oxobutanoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CCNC(=O)CCC(=O)O)=CC=CC2=C1 CMSGUKVDXXTJDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)-n-[4-[4-(4-phenyl-n-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 WXAIEIRYBSKHDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 7-[(z)-3-methyl-4-(4-methyl-5-oxo-2h-furan-2-yl)but-2-enoxy]chromen-2-one Chemical compound C=1C=C2C=CC(=O)OC2=CC=1OC/C=C(/C)CC1OC(=O)C(C)=C1 CFNMUZCFSDMZPQ-GHXNOFRVSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000733 Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical class N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010420 art technique Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229920006351 engineering plastic Polymers 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N ketorolac tromethamine Chemical compound OCC(N)(CO)CO.OC(=O)C1CCN2C1=CC=C2C(=O)C1=CC=CC=C1 BWHLPLXXIDYSNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical class C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N quinolin-2-ol Chemical compound C1=CC=C2NC(=O)C=CC2=C1 LISFMEBWQUVKPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940042055 systemic antimycotics triazole derivative Drugs 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
また、よく知られているように、反射防止膜は、波長依存性が大きいため、上記構造では発光波長によって光の取り出し効率が大きく変動する。このため、同文献記載の技術を白色発光の素子に適用した場合、基板外部へ放出される光量が波長によって大きく相違することとなりホワイトバランスの劣化が問題となる。
さらに、反射防止膜は光の干渉を利用して光の反射を打ち消すものであるため、膜厚や屈折率が所定の条件を満たすように形成される必要がある。したがって、製造要因により膜厚が微妙に変動すると反射防止膜の反射率が変動することとなるため、素子性能のばらつきが生じやすい。
本発明はこうした事情に鑑みなされたものであって、その目的とすることころは、上記従来技術の有する課題を解決した光取り出し効率に優れる発光素子基板およびそれを用い
た発光素子を提供することにある。
高屈折率領域から低屈折率領域へ光が進行する場合、これらの領域の界面において光の反射や損失が発生する。上記構成によれば、光制御層上に発光部を設け透明基板から光を出射するようにしたとき、光が進む方向に沿って屈折率が低くなる層構造となる。このため、上記のような光の反射や損失の発生する界面が発生せず、光取り出し効率が顕著に改善される。上記構成における屈折率分布は、透明基板の側から上部に向かって屈折率が減少するものであるが、その態様は、階段状に減少するものであってもよいし、連続的に減少するものであってもよい。また、光制御層全体にわたって膜厚方向に屈折率減少するものであってもよいし、屈折率が一部の領域で減少するものであってもよい。
また、発光素子基板に搭載される発光素子の発光ピーク波長をλとし、第一の層の屈折率をn1、層厚をd1としたとき、n1d1≧λ/2とすることができる。
また、第二の層の屈折率をn2、層厚をd2としたとき、n2d2≧λ/2とすることができる。
こうすることにより、第一および第二の層の界面において、発光が好適に波面変換されて平面波状の光となり、光取り出し効率の向上効果が安定的に得られる。
本発明に係る透明基板には、発光素子駆動回路が設けられていてもよい。たとえばTFT等の素子が形成されていてもよい。
なお、上記発明において、透明基板側から光制御部に向かう方向を「上」方向と規定している。
(第一の実施の形態)
第一の層30の屈折率をn1、第二の層40の屈折率をn2、電極層60の屈折率をn3としたとき、
n1≧n2≧n3
となっている。例えば、第一の層30の屈折率が2.4で、形成する電極層60の屈折率が1.75の場合、第二の層40の屈折率はこの間の屈折率とする。n1/n2の値は、1を超える値であれば良いが、好ましくは1.1以上、さらに好ましくは1.25以上である。
図4は、本実施形態に係る発光素子基板を利用した無機エレクトロルミネッセンス素子の断面模式図の一例である。光透明性基板10の一方の面に光制御層20を具備し、その上に電極層60、絶縁層90、無機発光層100、絶縁層90、電極層61を順次具備する。光制御層20は、光透明性基板10の屈折率よりも高い屈折率を有する第一の層30と、第一の層30の屈折率よりも低い屈折率を有する第二の層40を光透明性基板10側から順次具備する。第一の層30は光透明性基板10側に位置する。なお、無機エレクトロルミネッセンス素子構成や構成材料は公知のものを任意に選択することができる。
本実施形態では、第一の実施の形態で説明した発光素子基板を有機エレクトロルミネッセンス素子に適用した例を示す。図5は、本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス素子の素子構造の断面模式図の一例である。本実施形態に係る発光素子基板上に、陽極80、発光層130、陰極120を順次具備している。
本実施形態に係る発光素子基板の構成を図10に示す。光制御層25は、層中に不純物金属がドープされた誘電体からなる。光制御層25中の不純物濃度分布は、透明性基板10側から電極層60に向かって次第に高濃度となるように構成されている。これにより、透明性基板10側から電極層60に向かって屈折率が漸次的に減少するようになっている。
光透明性基板として、屈折率1.457の溶融石英を使用し、その光透明性基板の一方の面に、スパッタリング法により光制御層の第一の層として屈折率2.30のTiO2膜を700nmの厚さに成膜し、さらに、その上に光制御層の第二の層として、スパッタリング法により1.99の屈折率を有するTiO2/SiO2混合膜を378nmの厚さに成膜し、発光素子基板を作製した。
実施例1で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子において、TiO2膜厚を200nmに変更した。電流効率は、6.3cd/Aであり、比較例1の結果を上回る結果が得られた。
実施例1で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子において、TiO2膜厚を2000nmに変更した。電流効率は、4.9cd/Aであり、比較例1の結果を上回る結果が得られた。
実施例1で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子において、TiO2/SiO2混合膜厚を200nmに変更した。電流効率は、6.0cd/Aであり、比較例1の結果を上回る結果が得られた。
実施例1で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子において、TiO2/SiO2混合膜厚を3000nmに変更した。電流効率は、4.0cd/Aであり、比較例1の結果を上回る結果が得られた。
実施例6
実施例1で作製した有機エレクトロルミネッセンス素子において、TiO2膜厚を116nm、TiO2/SiO2混合膜厚を134nmに変更した。電流効率は、3.6cd/Aであり、比較例1の結果を上回る結果が得られた。
光制御層を具備しないこと以外は実施例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の電流効率は3.0 cd/Aであった。
光制御層の第一の層を具備せず、光制御層の第二の層だけを、光透明性基板にスパッタリング法により2.30の屈折率を有するTiO2膜を378nmの厚さに成膜する以外は比較例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の電流効率は2.9 cd/Aであった。
光制御層の第二の層を具備せず、光制御層の第一の層だけを、スパッタリング法により屈折率2.30のTiO2膜/SiO2混合膜を700nmの厚さに成膜する以外は比較例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の電流効率は2.4cd/Aであった。
TiO2膜(第一の層)の厚さを15nmとする以外は実施例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の電流効率は、2.9cd/Aであり光取り出し効率の改善は観察されなかった。この例では、第一の層の厚みが薄すぎたため、第一および第二の層の界面が充分な波面変換機能を有さず、光取り出し効率の向上が図られなかったと考えられる。
光透明性基板として、屈折率1.512のソーダガラスを使用すること、および、光制御層を具備しないこと以外は実施例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。この素子の電流効率は3.0 cd/Aであった。
光制御層の第二の層として、ゾルゲル法により屈折率1.25のSiO2膜を使用すること以外は実施例8と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。作製した有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率は3.1cd/Aであったが、発光しない点(ダークスポット)が多数観察された。
光制御層に代えて反射防止膜を設けたこと以外はすべて実施例1と同一の層構造、製造方法により有機エレクトロルミネッセンス素子を得た。反射防止膜としては、スパッタリング法により屈折率1.59のTiO2/SiO2混合膜を84nmの厚みで成膜した膜を使用した。この素子の電流効率は、2.8cd/Aであり、光取り出し効率の改善は観察されなかった。反射防止膜を設ける方法では、その機能上、充分に光の取り出し効率を向上させることが困難なことが明らかにされた。
20 光制御層
30 第一の層
40 第二の層
50 発光素子基板
60 電極層
70 反射防止膜
80 陽極
90 絶縁層
100 無機発光層
120 陰極
130 発光層
140 正孔輸送層
150 青色発光層
160 白色発光層
501、504 青色出射光
502、505 緑色出射光
503、506 赤色出射光
507 白色発光
510、511 色変換フィルタ
520、521、522 カラーフィルタ
Claims (7)
- 透明基板と、
該透明基板上に設けられ、層中に屈折率分布を有し、球面波の入射光を平面波状の光に変換して前記透明基板に導く光制御層と、
該光制御部上に設けられた電極層と、
該電極層上に設けられた発光層とを備え、
前記光制御層は、前記透明基板上に設けられた第一の層と、該第一の層上に接して設けられ、該第一の層よりも低い屈折率を有する第二の層とを含み、
前記発光層の発光ピーク波長をλ、前記第一の層の屈折率をn 1 、層厚をd 1 、前記第二の層の屈折率をn 2 、層厚をd 2 としたとき、
n 1 d 1 ≧λ/2
n 2 d 2 ≧λ/2
であり、
前記電極層は、前記第二の層よりも低い屈折率を有することを特徴とする発光素子。 - 請求項1に記載の発光素子において、
前記透明基板に色変換フィルタが設けられたことを特徴とする発光素子。 - 請求項1または2に記載の発光素子において、
前記透明基板にカラーフィルタが設けられたことを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至3いずれかに記載の発光素子において、
前記発光層からの発光が単色光であることを特徴とする発光素子。 - 請求項4に記載の発光素子において、
前記単色光が青色光であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至5いずれかに記載の発光素子において、
有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする発光素子。 - 請求項1乃至6いずれかに記載の発光素子基板において、
前記透明基板に、発光素子駆動回路が設けられたことを特徴とする発光素子基板。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003319105A JP4195352B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
KR1020040033232A KR100590237B1 (ko) | 2003-09-10 | 2004-05-11 | 발광소자기판 및 이를 이용한 발광소자 |
US10/916,479 US7180235B2 (en) | 2003-09-10 | 2004-08-12 | Light-emitting device substrate with light control layer and light-emitting device using the same |
DE602004030194T DE602004030194D1 (de) | 2003-09-10 | 2004-09-06 | Substrat einer lichtemittierenden Vorrichtung und lichtemittierende Vorrichtung das Substrat nutzend |
EP04090343A EP1515369B1 (en) | 2003-09-10 | 2004-09-06 | Light-emitting device substrate and light-emitting device using the same |
CNB2004100770807A CN100420349C (zh) | 2003-09-10 | 2004-09-10 | 发光器件衬底和使用该衬底的发光器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003319105A JP4195352B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005085709A JP2005085709A (ja) | 2005-03-31 |
JP4195352B2 true JP4195352B2 (ja) | 2008-12-10 |
Family
ID=34132017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003319105A Expired - Lifetime JP4195352B2 (ja) | 2003-09-10 | 2003-09-10 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7180235B2 (ja) |
EP (1) | EP1515369B1 (ja) |
JP (1) | JP4195352B2 (ja) |
KR (1) | KR100590237B1 (ja) |
CN (1) | CN100420349C (ja) |
DE (1) | DE602004030194D1 (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
KR100730121B1 (ko) * | 2004-11-29 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP2008543074A (ja) * | 2005-06-03 | 2008-11-27 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機エレクトロルミネッセント光源 |
US20070013293A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having spacers |
TWI271883B (en) * | 2005-08-04 | 2007-01-21 | Jung-Chieh Su | Light-emitting devices with high extraction efficiency |
DE102006033502A1 (de) * | 2006-05-03 | 2007-11-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Halbleiterkörper mit Trägersubstrat und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
JP2008108514A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 色変換発光デバイスとその製造方法 |
KR100796615B1 (ko) * | 2006-12-22 | 2008-01-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자 및 그의 제조방법 |
US7973473B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-05 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
US7977877B2 (en) * | 2007-03-02 | 2011-07-12 | Global Oled Technology Llc | Flat panel OLED device having deformable substrate |
DE102007052181A1 (de) * | 2007-09-20 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
DE102008016487A1 (de) * | 2008-03-31 | 2009-10-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils |
KR20100035134A (ko) | 2008-09-25 | 2010-04-02 | 주식회사 엘지화학 | 고효율 유기발광소자 및 이의 제조 방법 |
CN102257651B (zh) * | 2008-12-19 | 2014-11-19 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 透明有机发光二极管 |
US20110132455A1 (en) * | 2009-12-03 | 2011-06-09 | Du Pont Apollo Limited | Solar cell with luminescent member |
KR101635106B1 (ko) * | 2009-12-15 | 2016-06-30 | 삼성전자주식회사 | 원고대, 화상독취부 및 이를 구비하는 화상형성장치 |
WO2012121287A1 (ja) * | 2011-03-10 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | 蛍光体基板および表示装置 |
KR20190092492A (ko) * | 2011-10-13 | 2019-08-07 | 캄브리오스 필름 솔루션스 코포레이션 | 금속 나노와이어들을 통합한 전극을 갖는 광전기 디바이스들 |
KR101393703B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2014-05-14 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN102820433B (zh) * | 2012-08-31 | 2016-05-25 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | Oled的增透结构 |
CN105268110B (zh) * | 2014-06-19 | 2018-03-13 | 昆山科技大学 | 黄疸光疗装置 |
CN104795430A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示器件及其制作方法 |
CN108878674A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
KR102168964B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2020-10-22 | 에스제이나노텍 주식회사 | 눈부심 방지 기능을 갖는 고투명 배리어 필름 및 그 제조방법 |
CN111697160B (zh) * | 2020-06-22 | 2022-11-29 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN114267811A (zh) * | 2021-12-16 | 2022-04-01 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2670572B2 (ja) | 1987-06-18 | 1997-10-29 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子 |
JPH01220394A (ja) | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 高輝度el素子 |
JPH01314795A (ja) | 1988-06-14 | 1989-12-19 | Daido Sanso Kk | 酸素漂白法に於ける酸素供給方法 |
JP3231331B2 (ja) * | 1995-03-08 | 2001-11-19 | 株式会社 日立製作所 | 積層型近接場光ヘッドおよび光情報記録再生装置 |
TW386609U (en) * | 1996-10-15 | 2000-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent illumination apparatus |
US5994835A (en) * | 1997-01-13 | 1999-11-30 | Xerox Corporation | Thin film organic light emitting diode with edge emitter waveguide and electron injection layer |
US6392338B1 (en) | 1998-04-23 | 2002-05-21 | Matsushita Electrical Industrial Co., Ltd. | Organic light emitter having optical waveguide for propagating light along the surface of the substrate |
JP4279971B2 (ja) | 1999-11-10 | 2009-06-17 | パナソニック電工株式会社 | 発光素子 |
JP4524838B2 (ja) | 2000-02-07 | 2010-08-18 | 東レ株式会社 | 眼用レンズ |
CN1170458C (zh) | 2000-03-07 | 2004-10-06 | 出光兴产株式会社 | 有源驱动型有机el显示装置及其制造方法 |
US6777871B2 (en) * | 2000-03-31 | 2004-08-17 | General Electric Company | Organic electroluminescent devices with enhanced light extraction |
US20020036958A1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-03-28 | Hidenori Wada | Optical element, optical head, optical recording/reproducing apparatus and optical recording/reproducing method |
AU2001247342A1 (en) | 2000-11-02 | 2002-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Brightness enhancement of emissive displays |
TW589913B (en) | 2001-01-18 | 2004-06-01 | Ind Tech Res Inst | Organic light-emitting device |
JP2003031374A (ja) | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
JP2003115377A (ja) * | 2001-10-03 | 2003-04-18 | Nec Corp | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP4226835B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2009-02-18 | 三星エスディアイ株式会社 | 発光素子、その製造方法およびこれを用いた表示装置 |
JP4341332B2 (ja) * | 2002-07-31 | 2009-10-07 | 旭硝子株式会社 | 光ヘッド装置 |
JP4703108B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2011-06-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 |
-
2003
- 2003-09-10 JP JP2003319105A patent/JP4195352B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-11 KR KR1020040033232A patent/KR100590237B1/ko active IP Right Grant
- 2004-08-12 US US10/916,479 patent/US7180235B2/en active Active
- 2004-09-06 DE DE602004030194T patent/DE602004030194D1/de active Active
- 2004-09-06 EP EP04090343A patent/EP1515369B1/en active Active
- 2004-09-10 CN CNB2004100770807A patent/CN100420349C/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050062399A1 (en) | 2005-03-24 |
KR20050026846A (ko) | 2005-03-16 |
DE602004030194D1 (de) | 2011-01-05 |
CN1596040A (zh) | 2005-03-16 |
EP1515369A2 (en) | 2005-03-16 |
CN100420349C (zh) | 2008-09-17 |
US7180235B2 (en) | 2007-02-20 |
JP2005085709A (ja) | 2005-03-31 |
KR100590237B1 (ko) | 2006-11-23 |
EP1515369A3 (en) | 2008-01-09 |
EP1515369B1 (en) | 2010-11-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4703108B2 (ja) | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 | |
JP4195352B2 (ja) | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 | |
JP4470627B2 (ja) | 光学基板、発光素子および表示装置 | |
US7741771B2 (en) | Light-emitting element and display device and lighting device using same | |
JP5109303B2 (ja) | 有機発光素子および表示装置 | |
US20040145303A1 (en) | Display device and display unit using the same | |
JP5698848B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2003036969A (ja) | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 | |
WO2010002031A1 (en) | Light emitting display apparatus | |
JP6168610B2 (ja) | 有機el照明パネル用基板、有機el照明パネルおよび有機el照明装置 | |
US20100327304A1 (en) | Organic el device and design method thereof | |
JP2003045643A (ja) | 発光素子、および表示装置 | |
WO2013146350A1 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
JP4726411B2 (ja) | 発光素子基板およびそれを用いた発光素子 | |
WO2015004811A1 (ja) | 有機el素子及びそれを用いた有機el照明装置 | |
JP4893816B2 (ja) | 光学基板、発光素子、表示装置およびそれらの製造方法 | |
JP2006040784A (ja) | 有機el素子 | |
JP2007265708A (ja) | 有機el表示装置 | |
WO2014087462A1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置及びこれに用いる有機エレクトロルミネッセンス素子並びにこれらに用いる光取出しシート |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070814 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071113 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071211 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080310 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080826 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4195352 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111003 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121003 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131003 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |