WO2013146350A1 - 発光装置および発光装置の製造方法 - Google Patents

発光装置および発光装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013146350A1
WO2013146350A1 PCT/JP2013/057414 JP2013057414W WO2013146350A1 WO 2013146350 A1 WO2013146350 A1 WO 2013146350A1 JP 2013057414 W JP2013057414 W JP 2013057414W WO 2013146350 A1 WO2013146350 A1 WO 2013146350A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
electrode
region
substrate
layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/057414
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
近藤　邦夫
享祐 舛谷
みゆき 冨田
Original Assignee
昭和電工株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 昭和電工株式会社 filed Critical 昭和電工株式会社
Publication of WO2013146350A1 publication Critical patent/WO2013146350A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device and a method for manufacturing the light emitting device.
  • Organic light-emitting elements have excellent characteristics such as self-emission and low power consumption, and are expected to be applied to dot matrix displays and lighting devices in recent years.
  • An organic light emitting element generally has a structure in which a light emitting layer in which an organic compound containing a light emitting material is formed in a thin film is sandwiched between an anode and a cathode. A voltage is applied between these electrodes to recombine holes and electrons in the light emitting layer, thereby exciting the light emitting material to emit light.
  • a light-emitting device using an organic light-emitting element usually forms a conductive pattern made of a conductive material such as a lower electrode and wirings and electrode terminals for connecting the upper and lower electrodes to the outside on a substrate, and then forms a light-emitting layer.
  • An organic compound layer and a counter electrode (upper electrode) are sequentially stacked using a method such as coating or vapor deposition. At this time, the counter electrode is formed so as to be connected to a wiring, an electrode terminal or the like.
  • the contact resistance between the wiring and electrode terminal and the counter electrode is increased, and the wiring and electrode terminal are insulated from the counter electrode. Problems occur.
  • Patent Document 1 describes a method for manufacturing an organic light emitting element in which a conductive film is formed in advance at a connection portion between a counter electrode and a wiring so as to be higher than the surrounding surface. Thereby, the organic compound layer formed by the coating method does not spread on the conductive film, and the counter electrode can be electrically connected.
  • Patent Document 2 discloses a conductive material such as a wiring or an electrode terminal.
  • An organic light-emitting element is disclosed in which a layer is formed on a substrate-side surface of a sealing member and this is electrically connected to a counter electrode on an organic compound layer.
  • the conductive layer and the counter electrode are electrically connected via a conductive paste or the like in an adhesive region where the substrate and the sealing member are bonded.
  • Patent Document 3 discloses an organic light emitting device in which a sealing material on which an auxiliary electrode is formed and a counter electrode are connected via a conductive portion made of a conductive paste or the like provided at an end of the auxiliary electrode. .
  • an organic compound layer is formed between the counter electrode and a conductive layer such as a wiring or an electrode terminal after the counter electrode is formed. Therefore, problems such as an increase in the contact resistance do not occur.
  • the counter electrode since the counter electrode is formed in the adhesion region by the vapor deposition method, the adhesion strength between the substrate and the sealing member is reduced, and the sealing is performed. May become incomplete. Further, the counter electrode and the electrode terminal are electrically connected by bonding with a sealing material including a conductive spacer.
  • a sealing material including a conductive spacer if the contact area between the counter electrode or electrode terminal and the conductive spacer is increased in order to reduce the contact resistance, there arises a problem that the adhesion area is reduced and the adhesion strength is lowered.
  • the adhesion area is increased in order to ensure the adhesion strength, the contact area between the counter electrode or electrode terminal and the conductive spacer is reduced, resulting in poor connection with the conductive spacer.
  • An object of the present invention is to suppress a decrease in adhesive strength of an adhesive region and a decrease in luminous efficiency of the light emitting region in a light emitting device using an organic light emitting element.
  • a substrate a first electrode formed on the substrate, an organic compound layer including a light emitting layer formed in contact with the first electrode, and a second electrode formed on the organic compound layer
  • at least one organic light emitting element including a sealing member that is bonded to the substrate in an adhesion region provided outside the light emitting region including the organic light emitting element and seals the organic light emitting element together with the substrate from the outside air
  • the sealing member includes at least one conductive portion, and the conductive portion is located outside the adhesion region from the inside of the sealing space sandwiched between the substrate and the sealing member.
  • the conductive portion extends in the connection region provided in at least a part of a region between the light emitting region and the adhesion region and a region between the two adjacent organic light emitting elements. Electrically with the second electrode It continued, and the second electrode of the organic light emitting device, the light emitting device is provided, wherein the conductive part and the opposing surfaces of the second electrode at the connection region has an uneven structure.
  • the connection region it is preferable that an uneven structure is formed on the substrate or an uneven structure is formed on the surface of a thin film layer formed on the substrate.
  • the conductive portion and the second electrode are electrically connected via a conductive member made of a material different from that of the conductive portion and the second electrode.
  • the conductive portion and the second electrode are electrically connected only in the connection region.
  • the organic light emitting device further includes a dielectric layer formed on the substrate in the upper surface of the first electrode and the connection region, and the dielectric layer includes at least a plurality of through portions penetrating the dielectric layer
  • the organic compound layer is formed so as to be in contact with the first electrode in the penetrating portion.
  • the through portion of the dielectric layer which is preferably 10 2 to 10 8 formed in any 1mm square of the dielectric layer.
  • a surface of the conductive portion facing the substrate has an uneven structure. It is preferable that an uneven structure is formed on the first electrode in the organic light emitting device.
  • a method of manufacturing a light emitting device having a connecting region the step of forming a first electrode on the substrate, the step of forming a dielectric layer on the first electrode, and penetrating at least the dielectric layer Providing a plurality of through portions, forming an organic compound layer including a light emitting layer so as to be in contact with the first electrode in the through portion of the dielectric layer, and forming the dielectric layer in the connection region Process and the invitation of the connection area
  • a method for manufacturing a light emitting device is provided.
  • a decrease in the adhesive strength of the adhesion region is suppressed, and further, a decrease in the light emission efficiency of the light emission region is suppressed.
  • the connection region between the conductive portion of the sealing member of the light emitting device and the counter electrode when a concavo-convex structure is provided on the substrate, the surface of the counter electrode extending thereon becomes uneven, and the contact point between the counter electrode and the conductive portion As the contact area of the part increases, the contact resistance decreases. For this reason, the area ratio of the light emitting region on the substrate surface is maintained high, and the driving voltage of the light emitting device is lowered.
  • FIG. 1 is a schematic plan view and a schematic sectional view showing an example of a light emitting device 1 to which the first embodiment of the present invention is applied.
  • 1A is a schematic plan view
  • FIG. 1B is a schematic cross-sectional view taken along the line XX of FIG. 1A
  • FIG. 1C is another embodiment.
  • the light-emitting device 1 will be described with reference to FIGS. 1 (a), 1 (b), and 1 (c).
  • the light emitting device 1 includes at least one organic light emitting element 10 formed on a substrate 110 and a light emitting region A including all the organic light emitting elements 10. It has the sealing member 160 adhere
  • the sealing member 160 has a conductive portion 161 that extends from the inner side to the outer side of the sealing space D that is located inside the adhesion region C and sandwiched between the substrate 110 and the sealing member 160.
  • the organic light emitting device 10 is formed on a first electrode (anode) 120 formed on the substrate 110, an organic compound layer 140 including a light emitting layer formed in contact with the first electrode 120, and the organic compound layer 140. And a second electrode (cathode) 150.
  • a voltage is applied to the first electrode 120 and the second electrode 150, a portion where the first electrode 120, the second electrode 150, and the organic compound layer 140 overlap in plan view emits light.
  • the second electrode connection portions 151 are respectively provided on the substrate 110 so as to be continuous with both end portions of the second electrode 150, and have a concavo-convex structure on the surface facing the conductive portions 161.
  • the conductive portion 161 is electrically connected to the second electrode 150 via the second electrode connection portion 151 and the conductive member 152 in the connection region B provided in the region between the organic light emitting element 10 and the adhesion region C. ing.
  • the connection region B is provided in at least a part of the outer peripheral portion of each of the plurality of organic light emitting elements 10.
  • the surface of the second electrode connection portion 151 that faces the conductive portion 161 has irregularities.
  • the convex portion 111 is provided on the substrate 110 to form a concavo-convex structure.
  • the light emitting device 1 of the present invention includes one or more organic light emitting elements 10 formed on the substrate 110, and the light emitting region A is a region including all of the organic light emitting elements 10. That is, the light emitting region A is a region including one or a plurality of organic light emitting elements 10 and a gap between the plurality of organic light emitting elements 10. In the present embodiment, since the light emitting device 1 has one organic light emitting element 10, this one organic light emitting element 10 becomes the light emitting region A. Hereinafter, each structure of the light-emitting device 1 is demonstrated.
  • the substrate 110 is a support for forming the organic light emitting element 10, and a material that satisfies the mechanical strength required for the organic light emitting element 10 is used.
  • the material of the substrate 110 is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. When light is extracted from the substrate 110 side of the organic light emitting device 10, it is necessary to transmit light emitted from the organic compound layer 140, and the material may not scatter or attenuate light emitted from the organic compound layer 140 described later. preferable.
  • the substrate 110 include, for example, glasses such as yttria stabilized zirconia (YSZ), sapphire glass, soda glass, and quartz glass; high refractive index glass; metal nitride such as aluminum nitride; transparent metal oxide such as alumina.
  • Inorganic materials such as polyethylene; polyesters such as polyethylene terephthalate, polybutylene phthalate and polyethylene naphthalate; organics such as polystyrene, polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyimide, polycycloolefin, norbornene resin, and poly (chlorotrifluoroethylene) Materials.
  • non-alkali glass for the material in order to reduce ions eluted from the glass.
  • soda-lime glass it is preferable to use what applied barrier coats, such as a silica.
  • an organic material it is preferable that it is excellent in heat resistance, dimensional stability, solvent resistance, electrical insulation, and workability.
  • the substrate 110 may be colorless and transparent or colored and transparent as long as it is light transmissive. In the present embodiment, it is preferably colorless and transparent from the viewpoint that light emitted from a light emitting layer to be described later is not scattered or attenuated.
  • the material of the substrate 110 is not limited to a material that transmits light emitted from the organic compound layer 140, and an opaque material can also be used.
  • FRP fiber reinforced plastics
  • the substrate 110 is a metal
  • the substrate 110 is insulated from the first electrode 120 and the second electrode 150.
  • the thickness of the substrate 110 is appropriately selected according to the required mechanical strength. In the present embodiment, it is preferably 0.01 mm to 10 mm, more preferably 0.1 mm to 2 mm.
  • the shape, structure, size, and the like of the substrate 110 are not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the use, purpose, and the like of the light-emitting element.
  • the substrate 110 is preferably plate-shaped.
  • a single layer structure and a laminated structure are mentioned, for example. Moreover, it may be formed of a single member or may be formed of two or more members.
  • a moisture permeation preventing layer can be provided on the front surface or the back surface of the substrate 110.
  • the material for the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) inorganic materials such as silicon nitride and silicon oxide are preferably used.
  • the moisture permeation preventing layer (gas barrier layer) can be formed by, for example, a high frequency sputtering method.
  • a thermoplastic substrate is used, a hard coat layer, an undercoat layer, or the like may be further provided as necessary.
  • a passivation layer can be provided as a base.
  • the moisture permeation preventive layer is preferably used within a range that does not impair the transmittance of light emitted from the organic compound layer 140.
  • the convex portion 111 is provided on the substrate 110 to form a concavo-convex structure. Details of the concavo-convex structure will be described later.
  • the organic light emitting device 10 When the organic light emitting device 10 is a flat light emitting device, at least one of the first electrode (anode) 120 and the second electrode (cathode) 150 needs to transmit light emitted from the organic compound layer 140.
  • the phrase “the electrode transmits light” includes not only the case where the electrode material is light transmissive but also the case where an opening is provided in the electrode.
  • both the first electrode (anode) 120 and the second electrode (cathode) 150 may not transmit light emitted from the organic compound layer 140.
  • the organic compound layer 140 is preferably stacked from the first electrode (anode) 120 side in the order of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer.
  • a hole injection layer and / or an electron transporting intermediate layer may be provided between the light emitting layer and the electron transport layer between the hole transport layer and the anode.
  • a hole transporting intermediate layer may be provided between the light emitting layer and the hole transport layer, and similarly, an electron injection layer may be provided between the cathode and the electron transport layer.
  • Each layer may be composed of a plurality of layers.
  • each layer constituting the organic compound layer 140 examples include dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering; wet film forming methods such as transfer, printing, coating, ink jet, and spray. It is done.
  • dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering
  • wet film forming methods such as transfer, printing, coating, ink jet, and spray. It is done.
  • each component of the organic light emitting element 10 will be described.
  • the first electrode (anode) 120 normally has a function as an electrode for supplying holes to the organic compound layer 140, and the shape, structure, size, and the like are not particularly limited.
  • the material of the first electrode 120 include metals, alloys, metal oxides, conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include conductive metal oxides such as tin oxide doped with antimony or fluorine (ATO, FTO), tin oxide, zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc.
  • Metals such as gold, silver, chromium, nickel, copper, platinum, tungsten, titanium, tantalum and niobium; mixtures of the aforementioned metals and conductive metal oxides, alloys or laminates such as stainless steel, copper iodide, Examples thereof include inorganic conductive materials such as copper sulfide; organic conductive materials such as polyaniline, polythiophene, and polypyrrole; and laminates of these with ITO. Among these, conductive metal oxides are preferable, and ITO is particularly preferable from the viewpoints of productivity, high conductivity, transparency, and the like.
  • a film formation method of the first electrode 120 for example, a wet method such as a printing method or a coating method, a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method, or a chemical method such as CVD or plasma CVD method. Etc.
  • a direct current or high frequency sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, or the like can be employed.
  • the formation position of the first electrode 120 of the organic light emitting device 10 is not particularly limited, and can be appropriately selected according to the use and purpose of the light emitting device. In this embodiment mode, it is preferably formed over the substrate 110.
  • the first electrode 120 may be formed on the entire area of one surface of the substrate 110 or may be formed on a part thereof. Examples of the patterning method for forming the first electrode 120 include chemical etching by photolithography or the like; physical etching by laser light irradiation or the like; vacuum deposition or sputtering using a mask; lift-off method, printing method, or the like. .
  • the first electrode 120 has electrical conductivity, and the surface resistance (sheet resistance) in the temperature range of ⁇ 5 ° C. to 80 ° C. is preferably 10 3 ⁇ / ⁇ or less, and more preferably 10 2 ⁇ / ⁇ or less.
  • the first electrode (anode) 120 has a large work function, and the work function is preferably 4.5 eV or more.
  • the transmittance is preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.
  • the thickness of the first electrode 120 is appropriately selected depending on the material constituting the first electrode 120 and is not particularly limited, but is usually about 2 nm to 50 ⁇ m, preferably 10 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 30 nm to 250 nm.
  • the film thickness is excessively thin, the surface resistance tends to increase, and when the film thickness is excessively thick, the light transmittance tends to decrease.
  • the performance of the layer to be overcoated eg, adhesion to the first electrode 120, surface smoothness, hole injection barrier, etc.
  • Specific surface treatment methods include high-frequency plasma treatment, sputtering treatment, corona treatment, UV (ultraviolet) ozone irradiation treatment, ultraviolet irradiation treatment, oxygen plasma treatment, and the like.
  • the work function can be measured by, for example, ultraviolet photoelectron spectroscopy.
  • the organic compound layer 140 of the organic light emitting element 10 includes at least a light emitting layer.
  • the layer other than the light emitting layer include a hole transport layer, an electron transport layer, a charge blocking layer, a hole injection layer, and an electron injection layer.
  • the film forming method for each layer constituting the organic compound layer 140 include dry film forming methods such as vapor deposition and sputtering; wet coating methods, transfer methods, printing methods, and ink jet methods, and the like. A method can be selected. Further, when the organic compound layer 140 is composed of a plurality of layers, these film forming methods may be combined or the same film forming method may be selected.
  • the light emitting layer receives holes from the first electrode (anode) 120, the hole injection layer, or the hole transport layer when a voltage electric field is applied to the organic light emitting element 10, and the second electrode ( Cathode) 150, a layer having a function of receiving electrons from the electron injection layer or the electron transport layer and providing a field for recombination of holes and electrons to emit light.
  • the light emitting layer may be composed of only a light emitting material, or may be composed of a host material and a light emitting material.
  • a luminescent organic material can be used. Moreover, a phosphorescent luminescent material, a fluorescent luminescent material, etc. are mentioned. Moreover, in the case of a luminescent organic material, any of a luminescent low molecular compound and a luminescent high molecular compound can be used. As the luminescent organic material, a phosphorescent organic compound and a metal complex are preferable. Some metal complexes exhibit phosphorescence, and such metal complexes are also preferably used.
  • Examples of phosphorescent materials generally include complexes containing transition metal atoms or lanthanoid atoms.
  • a cyclometalated complex as the metal complex of the light-emitting organic material from the viewpoint of improving the light emission efficiency.
  • Examples of cyclometalated complexes include 2-phenylpyridine derivatives, 7,8-benzoquinoline derivatives, 2- (2-thienyl) pyridine derivatives, 2- (1-naphthyl) pyridine derivatives, 2-phenylquinoline derivatives, and the like.
  • Examples thereof include iridium (Ir), palladium (Pd), and platinum (Pt) complexes having a ligand. Among these, iridium (Ir) complexes are particularly preferable.
  • the cyclometalated complex may have other ligands in addition to the ligands necessary for forming the cyclometalated complex.
  • the cyclometalated complex includes a compound that emits light from triplet excitons, which is preferable from the viewpoint of improving luminous efficiency.
  • Examples of the light-emitting polymer compound include poly-p-phenylene vinylene (PPV) such as 2-methoxy-5- (2′-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene copolymer (MEH-PPV). ) Derivatives; ⁇ -conjugated polymer compounds such as polyfluorene derivatives; polymers obtained by introducing a low molecular weight dye and tetraphenyldiamine or triphenylamine into the main chain or side chain. Moreover, a luminescent high molecular compound and a luminescent low molecular weight compound can also be used together.
  • PPV poly-p-phenylene vinylene
  • MEH-PPV 2-methoxy-5- (2′-ethylhexyloxy) -1,4-phenylene vinylene copolymer
  • ⁇ -conjugated polymer compounds such as polyfluorene derivatives
  • Fluorescent materials generally include benzoxazole, benzimidazole, benzothiazole, styrylbenzene, polyphenyl, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, naphthalimide, coumarin, pyran, perinone, oxadiazole, aldazine, pyralidine, cyclohexane Pentadiene, bisstyrylanthracene, quinacridone, pyrrolopyridine, thiadiazolopyridine, cyclopentadiene, styrylamine, aromatic dimethylidin compounds, condensed polycyclic aromatic compounds (anthracene, phenanthroline, pyrene, perylene, rubrene, pentacene, etc.), 8 -Metal complexes of quinolinol, various metal complexes represented by pyromethene complexes and rare earth complexes, organosilanes, and derivatives
  • the thickness of the light emitting layer is not particularly limited, and is usually preferably 2 nm to 1 ⁇ m, more preferably 3 nm to 500 nm, and further preferably 5 nm to 200 nm.
  • the hole injection layer and the hole transport layer are layers having a function of receiving holes from the first electrode (anode) 120 side and transporting them to the second electrode (cathode) 150 side.
  • Examples of the hole injecting material and hole transporting material used for these layers include low molecular compounds and high molecular compounds.
  • pyrrole derivatives carbazole derivatives, triazole derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives , Styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatic tertiary amine compounds, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds, phthalocyanine compounds, porphyrin compounds, thiophene derivatives, organosilane derivatives, And carbon.
  • the hole injection layer or the hole transport layer can contain an electron accepting dopant.
  • the electron-accepting dopant include an inorganic compound or an organic compound that is electron-accepting and has a property of oxidizing an organic compound.
  • the inorganic compound include metal halides such as ferric chloride, aluminum chloride, gallium chloride, indium chloride, and antimony pentachloride; metal oxides such as vanadium pentoxide and molybdenum trioxide.
  • the organic compound include compounds having a nitro group, halogen, cyano group, trifluoromethyl group and the like as a substituent, quinone compounds, acid anhydride compounds, fullerenes, and the like.
  • a known hole injection material can be used.
  • conductive polymers such as polyacetylene, polyparaphenylene, polyaniline, polythiophene, polyparaphenylene vinylene; organic compounds such as arylamine and phthalocyanine Compound; Examples thereof include oxides such as vanadium oxide, zinc oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and titanium oxide. These can contain the above-mentioned electron-accepting dopant.
  • Examples of using dopants include a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT) and polystyrene sulfonic acid (PSS) (PEDOT / PSS), polyaniline (PANI) and polystyrene sulfonic acid (PSS). A mixture (PANI / PSS) etc. are mentioned.
  • PEDOT poly (3,4-ethylenedioxythiophene)
  • PSS polystyrene sulfonic acid
  • PANI polyaniline
  • PSS polystyrene sulfonic acid
  • the hole transport material a known material as described above can be used.
  • TPD N, N′-diphenyl-N, N′-bis (3-methylphenyl) -1,1′- ⁇ -NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl); m-MTDATA (4,4 ′, 4 ′′ -tris)
  • Low molecular triphenylamine derivatives such as (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine); polyvinylcarbazole; polymer compounds obtained by polymerizing the above triphenylamine derivative by introducing a polymerizable substituent.
  • the thickness of the hole injection layer or the hole transport layer depends on the conductivity of each layer and is not particularly limited, but the thickness of the hole injection layer and the hole transport layer in this embodiment is 1 ⁇ m or less, respectively. It is preferable that The thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 5 nm to 500 nm. The thickness of the hole injection layer is preferably from 0.1 nm to 1 ⁇ m, more preferably from 0.5 nm to 500 nm, and even more preferably from 1 nm to 300 nm.
  • the hole injection layer and the hole transport layer may have a single-layer structure composed of one or more of the materials described above, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions. .
  • the electron injection layer and the electron transport layer are layers having a function of receiving electrons from the second electrode (cathode) 150 side and transporting them to the first electrode (anode) 120 side.
  • Examples of the electron injecting material and the electron transporting material used for these layers include low molecular compounds and high molecular compounds.
  • Alq (8-quinolinolato) aluminum
  • bis (2-methyl-8-quinolinolato) (4-phenylphenolato) aluminum bis [2 -(2-hydroxyphenyl) benzothiazolate] zinc
  • 2- (4-biphenylyl) -5- (4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole and the like.
  • the electron injection layer or the electron transport layer may contain an electron donating dopant.
  • an electron donating dopant it is sufficient if it has an electron donating property and has a property of reducing an organic compound, such as alkali metals such as Li, alkaline earth metals such as Mg and Ca, transition metals including rare earth metals, and reducing properties.
  • Organic compounds and the like are preferably used. Specific examples include Li, Na, K, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Cs, La, Sm, Gd, and Yb.
  • a nitrogen-containing compound, a sulfur-containing compound, a phosphorus-containing compound etc. are mentioned, for example.
  • the thickness of the electron injection layer or the electron transport layer depends on the conductivity of each layer and is not particularly limited. However, the thickness of the electron injection layer and the electron transport layer in this embodiment is 1 ⁇ m or less, respectively. preferable.
  • the thickness of the electron transport layer is preferably 1 nm to 1 ⁇ m, and more preferably 5 nm to 500 nm. Further, the thickness of the electron injection layer is preferably 0.1 nm to 1 ⁇ m, more preferably 0.2 nm to 500 nm, and particularly preferably 0.5 nm to 100 nm.
  • the electron injection layer and the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the hole blocking layer is a layer having a function of preventing holes transported from the first electrode (anode) 110 side to the light emitting layer from passing through to the second electrode (cathode) 150 side.
  • the hole blocking layer can be provided on the second electrode (cathode) 150 side of the light emitting layer.
  • the compound constituting the hole blocking layer include aluminum complexes such as BAlq, triazole derivatives, phenanthroline derivatives such as BCP, and the like.
  • the thickness of the hole blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and particularly preferably 10 nm to 100 nm.
  • the hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the electron blocking layer is a layer having a function of preventing electrons transported from the second electrode (cathode) 150 side to the light emitting layer from passing through to the first electrode (anode) 110 side.
  • the electron blocking layer can be provided on the first electrode (anode) 110 side of the light emitting layer.
  • the compound constituting the electron blocking layer for example, those mentioned as the hole transporting material described above can be applied.
  • the thickness of the electron blocking layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm, and particularly preferably 10 nm to 100 nm.
  • the hole blocking layer may have a single layer structure composed of one or more of the above-described materials, or may have a multilayer structure composed of a plurality of layers having the same composition or different compositions.
  • the entire organic light emitting device 10 may be protected by a protective layer.
  • a material contained in the protective layer any material may be used as long as it has a function of preventing materials that promote device deterioration such as moisture and oxygen from entering the device.
  • metals such as In, Sn, Pb, Al, and Ti, MgO, SiO, SiO 2 , Al 2 O 3 , GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3 , Y 2 O 3 , metal oxides such as TiO 2, SiNx, metal nitrides such as SiNxOy, MgF 2, LiF, AlF 3, CaF 2 , etc.
  • the protective layer for example, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization (high frequency excitation ion plating) ), Plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, coating method, printing method, transfer method and the like.
  • the second electrode (cathode) 150 normally has a function as an electrode for injecting electrons into the organic compound layer 140, and the shape, structure, size and the like are not particularly limited. As shown in FIG. 1B, the second electrode 150 is provided with a second electrode connection portion 151 on the substrate 110 in succession at both ends of the second electrode 150.
  • the second electrode 150 When light is extracted from the second electrode 150 side of the organic light emitting element 10 (when the surface on the second electrode 150 side is a surface from which light is extracted, that is, a light emitting surface), the second electrode 150 is emitted from the organic compound layer 140. It is preferable to use a material that transmits light. On the other hand, when it is not necessary to extract light from the second electrode 150 side of the organic light emitting device 10, the second electrode 150 is not limited to a material that transmits light, and an opaque material can also be used.
  • the second electrode 150 since the second electrode 150 is used as a cathode, it is preferable that the work function is low and the material is chemically stable.
  • the material constituting the second electrode 150 include metals, alloys, metal oxides, electrically conductive compounds, and mixtures thereof. Specific examples include alkali metals (Li, Na, K, Cs, etc.); magnesium (Mg) and alkaline earth metals (Ca, etc.); gold, silver, lead, aluminum, sodium-potassium alloy, lithium-aluminum alloy, Examples thereof include rare earth metals such as magnesium-silver alloy, indium, and ytterbium. Two or more of these can be used in combination.
  • the film formation method of the second electrode 150 for example, a wet method such as a printing method or a coating method; a physical method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, or an ion plating method; a chemical method such as a CVD method or a plasma CVD method.
  • the patterning method for forming the second electrode 150 includes chemical etching by photolithography or the like; physical etching by laser light irradiation or the like; vacuum deposition or sputtering using a mask; lift-off method or printing method. Can be mentioned.
  • the formation position of the second electrode 150 of the organic light emitting element 10 is not particularly limited, and may be formed on the entire area of the organic compound layer 140 or may be formed on a part thereof.
  • a layer having a work function lower than that of the second electrode 150 may be provided as an electron injection layer between the second electrode 150 and the organic compound layer 140. This can lower the electron injection barrier from the second electrode 150 to the organic compound layer 140 and increase the electron injection efficiency.
  • metal materials are preferably used.
  • alkali metals Na, K, Rb, Cs
  • alkaline earth metals Sr, Ba, Ca, Mg
  • rare earth metals Pr, Sm, Eu, Yb
  • the thickness of the electron injection layer is preferably from 0.1 nm to 50 nm, more preferably from 0.3 nm to 20 nm, and even more preferably from 0.5 nm to 10 nm.
  • This layer can be formed by, for example, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like.
  • the thickness of the second electrode 150 is appropriately selected depending on the material constituting the second electrode 150 and is not particularly limited, but is usually about 10 nm to 5 ⁇ m, preferably 50 nm to 1 ⁇ m.
  • the second electrode 150 may be light transmissive (can transmit light emitted from the organic compound layer 140), or may be opaque.
  • the light transmissive second electrode 150 is also formed by thinly forming the material of the second electrode 150 to a thickness of 1 nm to 10 nm and further laminating a transparent conductive material such as ITO or IZO. be able to.
  • the second electrode connection portion 151 is provided continuously at both ends of the second electrode 150, and has a concavo-convex structure on the surface facing the conductive portion 161. Details of the concavo-convex structure will be described later.
  • sealing member 160 As shown in FIG. 1B, in this embodiment, the sealing member 160 is bonded to the substrate 110 at the bonding portion 162 in the bonding region C provided on the outer peripheral portion of the light emitting region A, thereby sealing space. D is formed, and the organic light emitting element 10 is sealed in the sealed space D to be shielded from the outside air.
  • the material of the sealing member 160 is not particularly limited as long as it can block the organic light emitting element 10 from the outside air and can be sealed, and may be insulative or conductive. Specifically, the same material as the substrate 110 described above can be used.
  • the sealing member 160 has a conductive portion 161 on the surface on the organic light emitting element 10 side.
  • the conductive portion 161 is formed under or integrally with the sealing member 160 and extends from the inside to the outside of the sealing space D.
  • “under the sealing member 160” means, for example, a case where the sealing member 160 and the conductive portion 161 are laminated
  • “integrated with the sealing member 160” means, for example, a sealing.
  • the conductive portion 161 may be formed to extend to the end face or the upper portion of the sealing member 160.
  • the conductive portion 161 is electrically connected to the second electrode connecting portion 151 inside the sealed space D of the light emitting device 1 and connected to a driving power source (not shown) outside the sealed space D, thereby A driving voltage can be applied to the second electrode 150 through the part 161.
  • the electrical connection between the conductive portion 161, the second electrode connecting portion 151, and the drive power supply may be connected between each other via another conductive material.
  • the sealing member 160 is conductive, an appropriate portion of the sealing member 160 and a driving power source can be connected.
  • the connection between the conductive part 161 and the drive power supply outside the sealed space D may be any part of the conductive part 161.
  • the lower surface of the conductive portion 161 that is, the surface of the light emitting device 1 on the substrate 110 side
  • the end surface of the conductive portion 161 that is, the side surface of the conductive portion 161
  • the upper surface of the conductive portion 161 not shown.
  • the sealing space D of the corresponding conductive portion of the sealing member 160 can be connected to the drive power supply.
  • a through hole may be provided in a part of the portion of the sealing member 160 where the conductive portion 161 is formed, and the drive power supply and the conductive portion 161 may be electrically connected through the through hole.
  • wiring or the like is inserted into the through hole and electrically connected to the conductive portion 161 formed inside the sealing space D of the sealing member 160, or a conductive material coating or conductive material is applied to the surface of the through hole.
  • the conductive member 161 is filled and electrically connected, or the conductive member 161 is continuously formed in the through hole up to the upper surface of the sealing member 160 (opposite side of the sealing space D side). And may be connected to a driving power source.
  • Examples of the conductive material that forms the conductive portion 161 include the same material as the first electrode 120 or the second electrode 150 described above.
  • the conductive portion 161 is simply electrically connected to the second electrode 150 as a conductive material, it can be used regardless of the value of the work function. Further, since it is not necessary to transmit light generated from the organic compound layer 140, it can be used regardless of the transparency. Therefore, it is possible to select a material having better conductivity or better adhesion than the electrode.
  • the place where the conductive portion 161 is formed may be formed on the entire surface of the sealing member 160 facing the substrate 110 or may be formed on only a part. The conductive portion 161 may also serve as the conductive sealing member 160.
  • the conductive portion 161 is also formed in the light emitting region A in plan view, it is preferable to stack an insulating protective layer on the region of the second electrode 150.
  • the insulating protective layer can insulate the second electrode 150 and the conductive portion 161 in the light emitting region A.
  • connection region B of the light emitting device 1 includes the second electrode connecting portion 151 of the second electrode 150 formed extending from the light emitting region A and the conductive member integrally formed with the sealing member 160.
  • a region 161 is electrically connected directly or via another conductive member 152.
  • the connection region B is formed on the outer peripheral portion of the organic light emitting element 10 in the sealed space D of the light emitting device 1.
  • the conductive portion 161 and the second electrode connection portion 151 of the second electrode 150 are electrically connected only directly or via the conductive member 152 only in the connection region B.
  • connection region B is formed separately from the region of the organic light emitting element 10 and the adhesion region C.
  • the connection region B the second electrode connection portion 151 provided at the end of the second electrode 150 and the conductive portion 161 are electrically connected.
  • the 2nd electrode 150 and the electroconductive part 161 are electrically connected.
  • two connection regions B are formed for one organic light emitting element 10, but there is no particular limitation, and one or more connection regions B may be formed for one organic light emitting element 10. It ’s fine.
  • connection region B is provided in at least a part of the outer peripheral portion of each organic light emitting element 10.
  • the contact area increases because the area to be connected increases.
  • an insulating layer (not shown) is formed on the side surface of the first electrode 120 in the vicinity of the connection region B, and further, the region above the insulating layer and the region from this region to the connection region B.
  • a general electroconductive material can be used.
  • the same material and conductive paste as the first electrode 120 and the second electrode 150 can be used.
  • the conductive member 152 can be used regardless of the value of the work function because it electrically connects the conductive portion 161 and the second electrode connecting portion 151 as a conductive material.
  • it since it is not necessary to transmit light generated from the organic compound layer 140, it can be used regardless of transparency, and therefore, it is possible to select a material having better conductivity or better adhesion than the electrode. It is.
  • the conductive portion 161 In order for the conductive portion 161 to electrically connect to the second electrode connection portion 151 in the connection region B, it is important that the conductive portion 161 is in close contact with the concavo-convex structure formed in the second electrode connection portion 151. Become.
  • the conductive member 152 When the conductive member 152 is used, the conductive member 152 can be formed in advance on the concavo-convex structure of the second electrode connection portion 151, and the conductive member 152 can be easily adhered to the second electrode connection portion 151. .
  • the conductive member 152 By forming the conductive member 152 on the concavo-convex structure of the second electrode connecting portion 151, the conductive member 152 without the concavo-convex structure and the conductive portion 161 of the sealing member 160 can be easily electrically connected. become.
  • Examples of a method for connecting the conductive portion 161 and the second electrode connection portion 151 of the second electrode 150 include a method using heating or laser beam irradiation (see paragraph [0096] of Japanese Patent Laid-Open No. 2010-277756).
  • a conductive adhesive or conductive paste may be used, and heating or UV curing may be performed as necessary.
  • the conductive member 152 is the second of the conductive portion 161 and the second electrode 150. It is preferable to use a material different from that of the electrode connection portion 151. If the conductive member 152 uses a material different from that of the conductive portion 161 and the second electrode connecting portion 151, for example, the conductive member 152 absorbs heat or laser light when connecting the conductive portion 161 and the second electrode connecting portion 151. By using an easy material, the conductive member 152 can be selectively softened. As a result, the adhesion between the conductive member 152, the conductive portion 161, and the second electrode connection portion 151 is improved, and electrical connection is facilitated.
  • the light-emitting device 1 to which the present exemplary embodiment is applied has the second electrode connection portion 151 formed at the end of the second electrode 150 in the connection region B.
  • An uneven structure is provided on the surface facing the conductive portion 161.
  • the light emitting area is narrowed to enlarge the connection region B, or the connection region B outside the light emitting region A is enlarged to enlarge the sealing space D to enlarge the light emitting device 1.
  • the ratio of the light emitting area to the light emitting device is reduced (the ratio of the non-light emitting area is increased), and the light emitting device becomes inefficient.
  • the uneven structure is provided as in the present invention, the non-light-emitting region in the sealed space D can be narrowed, and unlike the above-described method, the occupied area of the light-emitting region A can be increased, and an efficient light-emitting device can be obtained. Can be provided.
  • the drive voltage can be reduced.
  • the concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 110 or formed on the substrate 110 in the connection region B of the light emitting device 1.
  • An uneven structure is formed on the surface of the thin film layer 112 (which may be a multilayer structure).
  • the convex part or the concave part may be an island part.
  • the surface of the substrate 110 itself may be processed into a concavo-convex shape, or as shown in FIG.
  • the protrusions 111 may be formed of different materials.
  • the concave portion does not penetrate to the surface of the substrate 110.
  • the second electrode connection portion 151 is further formed on the surface of the substrate 110 on which the concavo-convex structure is formed or on the surface of the thin film layer 112, so that the second electrode connection portion follows the shape of the concavo-convex structure.
  • An uneven structure is formed on the surface of the sealing member 160 side of 151.
  • an uneven structure may be formed on the surface of the conductive portion 161 facing the substrate 110 in the connection region B.
  • the contact interface between the second electrode connecting portion 151 and the conductive portion 161 can be easily formed into a concavo-convex structure without using the conductive member 152.
  • the uneven structure formed on the upper surface of the second electrode connection portion 151 is somewhat flattened in the process of forming the organic light emitting element 10, the second electrode connection portion 151 is formed by the uneven structure formed in the conductive portion 161.
  • the conductive interface 161 can have a concavo-convex structure.
  • the second electrode connection portion 151 and the conductive portion 161 are formed with a concavo-convex structure and both of them are hard materials, the second electrode connection portion 151 and / or the conductive portion 161 are exposed by heat or laser light irradiation. Can be softened and adhered. Further, the second electrode connecting portion 151 and the conductive portion 161 may be bonded via the conductive member 152.
  • the conductive member 152 When the conductive member 152 is flexible, the conductive member 152 is sandwiched between the second electrode connecting portion 151 and the conductive portion 161 as it is, so that the contact interface between the conductive member 152 and the second electrode connecting portion 151 and the conductivity The contact interface between the member 152 and the conductive portion 161 can have an uneven structure.
  • the conductive member 152 is selectively softened by heat or laser light irradiation so that the contact interface between the conductive member 152 and the second electrode connection portion 151 and the contact interface between the conductive member 152 and the conductive portion 161 are formed. An uneven structure can be obtained.
  • the material of the convex portion 111 formed on the substrate 110 and the thin film layer 112 on which the concavo-convex structure is formed is not particularly limited, and may be an insulating material or a conductive material. These concavo-convex structures are formed, for example, by forming a thin film on the substrate 110 using an insulating material or the like, and performing concavo-convex processing thereon. In this case, the recess may or may not penetrate to the surface of the substrate 110.
  • a convex portion 111 as shown in FIG. 1B is formed. Is done.
  • a thin film layer 112 having an uneven surface as shown in FIG. 1C is formed.
  • the electric resistivity is usually 10 8 ⁇ cm or more, preferably 10 12 ⁇ cm or more.
  • Materials include metal nitrides such as silicon nitride, boron nitride, and aluminum nitride; metal oxides such as silicon oxide (silicon dioxide) and aluminum oxide.
  • polymer compounds such as polyimide, polyvinylidene fluoride, and parylene can also be used.
  • the first electrode is connected so that the second electrode connection portion 151 is not electrically connected to the first electrode 120. It is necessary to insulate by forming an insulating material between 120 and the convex portion 111 formed of a conductive material or the thin film layer 112 having a concavo-convex structure formed on the surface.
  • Examples of the conductive material for forming the convex portion 111 and the thin film layer 112 having a concavo-convex structure on the surface thereof are not particularly limited, and examples thereof include materials used for the first electrode 120 and the second electrode 150.
  • the shape of the convex portion 111 in the connection region B, the concave and convex shape of the surface of the thin film layer 112 and the concave and convex shape of the substrate 110 whose surface is processed into a concave and convex shape are the sealing member of the second electrode connecting portion 151 formed thereon. Any shape may be used as long as the surface on the 160 side is uneven.
  • the cross-sectional shapes of the convex and concave portions of the concavo-convex shape include various shapes such as a polygon such as a triangle or a quadrangle, a semicircle, a semi-ellipse, and a polygon with rounded corners. Can be adopted.
  • the convex portion and the concave portion may all be formed in the same shape, or may be formed by combining different shapes. Furthermore, the uneven shape may be periodically arranged or aperiodically arranged. Moreover, you may form using the several convex part 111 of the same magnitude
  • the degree of unevenness of the uneven structure on the surface of the second electrode connection portion 151 is not particularly limited, but the surface area of the uneven structure in the connection region B is 1. It is preferably 2 to 5 times, more preferably 1.5 to 3 times. If the ratio of the surface area of the concavo-convex structure to the area of the connection region B in plan view is excessively small, the increase in the contact area is small and the decrease in contact resistance is small. Therefore, the conductive portion 161 or the conductive member 152 cannot be brought into close contact with the uneven structure of the second electrode connecting portion 151, and the contact area cannot be increased.
  • a thin film layer 112 such as an insulating material is formed on the substrate 110 in the connection region B.
  • the method for forming the thin film layer 112 is not particularly limited, and a general method can be used.
  • a metal nitride, a metal oxide, or the like for example, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, or the like can be given.
  • a resistance heating vapor deposition method or a coating method is preferable.
  • the coating method include a spin coating method, a dip coating method, an ink jet method, a printing method, a spray method, and a dispenser method.
  • the surface of the thin film layer 112 such as an insulating material formed on the substrate 110 is roughened.
  • the method for forming the unevenness is not particularly limited, and a general method can be used. For example, (1) after forming the thin film layer 112 of an insulating material or the like in the portion corresponding to the connection region B by the above method, patterning by removal using a solvent used, removal by an adhesive, laser ablation, etching, etc. (2) A method of patterning using a mask in vacuum deposition or sputtering when forming a film using an insulating material or the like can be given.
  • the second electrode connection portion 151 By forming the second electrode connection portion 151 on the surface of the thin film layer 112 thus formed in an uneven shape, an uneven structure is formed on the surface of the second electrode connection portion 151 following the uneven shape. It is formed.
  • the method of providing a concavo-convex structure on the surface on the sealing member 160 side of the second electrode connection portion 151 is not limited to the method described above.
  • the following method is mentioned as another method of providing the uneven structure in the second electrode connection portion 151.
  • the sealing member 160 forms a sealed space D by being bonded to the substrate 110 by the bonding portion 162 in the bonding region C provided on the outer peripheral portion of the light emitting region A.
  • the adhesive used for the adhesive portion 162 is not particularly limited as long as stable adhesive strength can be maintained and airtightness is good. Examples of the adhesive include thermosetting and ultraviolet curable adhesives, and those having low gas permeability such as water vapor are particularly preferable.
  • a photocurable epoxy resin that is cured by irradiation with ultraviolet light (UV) is used as the adhesive.
  • an auxiliary electrode wiring As another member arrange
  • a color filter, a black matrix, a polarizing plate, and the like can be provided.
  • a desiccant such as zeolite, calcium oxide, barium oxide or the like can be provided in the sealed space D.
  • the first electrode 120 is described as an anode and the second electrode 150 is described as a cathode, but the reverse may be possible.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view showing an example of the light emitting device 2 to which the second embodiment of the present invention is applied.
  • 2A is a schematic plan view
  • FIG. 2B is a schematic cross-sectional view of the YY cross section of FIG. 2A.
  • the same names are used for configurations similar to those in FIG. 1, and detailed descriptions thereof are omitted.
  • the light emitting device 2 includes at least one organic light emitting element 20 formed on the substrate 210 and a light emitting region A including all the organic light emitting elements 20. It has a sealing member 260 bonded to the substrate 210 by the bonding portion 262 in the bonding region C provided on the outside.
  • the sealing member 260 has a conductive portion 261 that extends from the inner side to the outer side of the sealing space D that is inside the adhesion region C and sandwiched between the substrate 210 and the sealing member 260.
  • the organic light emitting element 20 includes a first electrode (anode) 220 formed on the substrate 210, an organic compound layer 240, and a second electrode (cathode) 250.
  • Second electrode connection portions 251 are respectively provided continuously at both ends of the second electrode 250, and have a concavo-convex structure on the surface facing the conductive portion 261.
  • the concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 210 or formed on the substrate 210 in the connection region B as in the first embodiment.
  • An uneven structure is formed on the surface of the thin film layer (which may be a multilayer structure). Among these, FIG.
  • FIG. 2B shows a case where a concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 210 by providing the convex portions 211 with a material different from that of the substrate on the surface of the substrate 210.
  • the convex portion 211 is formed on the substrate 210, and the second electrode connection portion 251 is further formed on the convex portion 211.
  • an uneven structure along the shape of the convex portion 211 is formed following the surface shape of the convex portion 211.
  • the conductive portion 261 is electrically connected to the second electrode 250 via the second electrode connection portion 251 and the conductive member 252 in the connection region B provided in the region between the organic light emitting element 20 and the adhesion region C. ing.
  • the present embodiment is different from the first embodiment in that in the bonding region C, the surface of the substrate 210 (which may have a thin film layer on the surface) to which the sealing member 260 is bonded by the bonding portion 262 is used. That is, a concavo-convex structure is formed at least partially. In order to form a concavo-convex structure on the surface of the substrate 210 (which may have a thin film layer on the surface), the concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 210 or a thin film layer formed on the substrate 210. An uneven structure is formed on the surface (which may be a multilayer structure).
  • either the convex portion or the concave portion may be an island portion.
  • a concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 210
  • the surface of the substrate 210 itself may be processed into a concavo-convex shape, or different from the substrate on the surface of the substrate 210 as shown in FIG.
  • the convex portion 211 may be formed of a material.
  • the recess does not penetrate to the surface of the substrate 210.
  • the shape of the concavo-convex structure formed on the surface of the substrate 210 to which the adhesion region C is bonded is not particularly limited.
  • the uneven structure formed on the surface of the substrate 210 in the connection region B or the uneven structure formed on the thin film layer on the substrate 210 and the uneven structure formed on the surface of the substrate 210 to be bonded in the adhesion region C are shown in FIG. May be formed in a similar shape, but may be different.
  • both the concavo-convex structure formed on the substrate 210 or the thin film layer in the connection region B and the concavo-convex structure formed on the substrate 210 or the thin film layer to be bonded in the adhesion region C are formed in the same process, the manufacturing is performed. Is preferable because it becomes easier. Since the surface on the substrate 210 side to be bonded in the bonding region C is formed in an uneven shape, the bonding area between the bonding portion 262 and the substrate 210 is increased, and the bonding strength can be improved.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a light-emitting device 3 to which the third embodiment of the present invention is applied.
  • the same names are used for configurations similar to those in FIG. 1, and detailed descriptions thereof are omitted.
  • FIG. 3 shows a cross-sectional view of the connection region B and the adhesion region C of the light emitting device 3.
  • the light emitting device 3 includes an organic light emitting element 30 formed on the substrate 310 and a sealing member that is bonded to the substrate 310 by the bonding portion 362 in the bonding region C provided outside the light emitting region A including the organic light emitting element 30. 360.
  • the sealing member 360 includes a conductive portion 361 provided on the substrate 310 side.
  • the organic light emitting device 30 includes a first electrode (anode) 320 formed on the substrate 310, a dielectric layer 330 formed by providing a plurality of through portions 331 on the first electrode 320, and a plurality of through portions 331. And an organic compound layer 340 formed on the dielectric layer 330 and a second electrode (cathode) 350 formed on at least the organic compound layer 340 are sequentially formed. Second electrode connection portions 351 are respectively provided continuously at both ends of the second electrode 350, and have a concavo-convex structure on the surface facing the conductive portion 361.
  • the surface of the substrate 310 is formed in a concavo-convex shape or formed on the substrate 310 in the connection region B as in the first embodiment.
  • the surface of the thin film layer (which may be a multilayer structure) is formed in an uneven shape.
  • FIG. 3 shows a case where the surface of the substrate 310 is formed in a concavo-convex shape by providing the convex portion 311 with a material different from that of the substrate.
  • the convex portion 311 is formed on the substrate 310, and the second electrode connection portion 351 is further formed on the convex portion 311, thereby forming the second electrode.
  • a concavo-convex structure is formed along the shape of the convex portion 311 following the surface shape of the convex portion 311.
  • the conductive portion 361 is electrically connected to the second electrode 350 via the second electrode connection portion 351 and the conductive member 352 in the connection region B provided in the region between the organic light emitting element 30 and the adhesion region C. ing.
  • This embodiment is different from the first embodiment in that a dielectric layer 330 provided with a plurality of through portions 331 is formed on the first electrode 320 as shown in FIG.
  • a dielectric layer 330 provided with a plurality of through portions 331 is formed on the first electrode 320 as shown in FIG.
  • the dielectric layer 330 formed on the first electrode 320 has a plurality of through portions 331, when the organic compound layer 340 is formed on the dielectric layer 330, the organic compound layer 340 passes through the through portions 331.
  • the first electrode 320 can be contacted.
  • the light beam traveling angle of the emitted light generated from the organic compound layer 340 can be changed by the uneven shape of the dielectric layer 330 and the refractive index difference of the uneven portion, the light extraction efficiency can be improved, or the light distribution characteristics Can be controlled.
  • a concavo-convex structure is formed on the surface of the substrate 310 other than the portion where the first electrode 320 of the light emitting region A is formed.
  • the shape, material, and manufacturing method of the concavo-convex structure of the connection region B and the light emitting region A may be the same or different. However, for the purpose of forming in the same process, both the concavo-convex structure have the same shape, material.
  • the production method is preferable because it facilitates production.
  • the planar shape and the cross-sectional shape of the through portion 331 of the dielectric layer 330 can be any shape.
  • it may have a circular shape or a polygonal shape.
  • the maximum width of the penetrating portion 331 is preferably 10 ⁇ m or less.
  • the maximum width of the penetrating portion 331 refers to the diameter of the smallest circle including the planar shape at the interface between the penetrating portion 331 of the dielectric layer 330 and the first electrode 320.
  • the dielectric layer 330 on the first electrode 320 of the organic light emitting element 30 is preferably formed using a material having an electrical resistivity of 10 8 ⁇ cm or more, preferably 10 12 ⁇ cm or more.
  • Examples thereof include metal nitrides such as silicon nitride, boron nitride, and aluminum nitride; metal oxides such as silicon oxide (silicon dioxide) and aluminum oxide.
  • polymer compounds such as polyimide, polyvinylidene fluoride, and parylene can also be used.
  • the thickness of the dielectric layer 330 does not exceed 1 ⁇ m in order to suppress the overall thickness of the organic light emitting device 30, is more preferably 10 nm to 500 nm, and particularly preferably 30 nm to 200 nm. .
  • the through portion 331 penetrating the dielectric layer 330 is a perforated portion (not shown) of the first electrode 320 under the dielectric layer 330 or a through hole connected to the through portion 331 (not shown). ). Furthermore, you may have the through-hole connected with the perforation part 331 which penetrated the 1st electrode 320, and the perforation part which perforated the board
  • the perforated portion refers to a hole in which a concave portion is formed in a corresponding layer, and the depth of the concave portion is smaller than the thickness of the corresponding layer.
  • the organic compound layer 340 of the organic light emitting element 30 is in contact with the surface of the first electrode 320 exposed in the through hole.
  • FIG. 4 is a schematic plan view and a schematic sectional view showing an example of a light emitting device 4 to which the fourth embodiment of the present invention is applied.
  • 4A is a schematic plan view
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the ZZ cross section of FIG. 4A.
  • the same names are used for configurations similar to those in FIG. 1, and detailed descriptions thereof are omitted.
  • the light emitting device 4 includes four organic light emitting elements 40 formed on the substrate 410 and a sealing member that is bonded to the substrate 410 by the bonding portion 462 in the bonding region C provided outside the light emitting region A including them.
  • the sealing member 460 includes a conductive portion 461 that extends from the inner side to the outer side of the sealing space D that is inside the adhesion region C and sandwiched between the substrate 410 and the sealing member 460.
  • Each of the organic light emitting elements 40 includes a first electrode (anode) 420 formed on the substrate 410, an organic compound layer 440 including a light emitting layer formed in contact with the first electrode 420, and an organic compound layer 440.
  • the second electrode 450 is provided with a second electrode connection portion 451 so as to be in contact with the end portion side surface of the substrate 410, and has a concavo-convex structure on a surface facing the conductive portion 461. That is, in the connection region B, the surface facing the conductive portion 461 of the second electrode connection portion 451 has irregularities.
  • the light emitting region A includes four organic light emitting elements 40 and their gaps. In two connection regions B, convex portions 411 are provided on the substrate 410 to form an uneven structure.
  • connection region B is formed on one side on the adhesion region C side among the four sides of the rectangular organic light-emitting element 40, and 2 of the organic light-emitting elements 40 aligned vertically in FIG. Each of them is electrically connected to the conductive portion 461 of the sealing member 460 in one connection region B.
  • the connection region B may be formed between the organic light emitting elements 40 in the light emitting region A.
  • First electrode forming step When manufacturing the light-emitting device 1 (see FIG. 1) to which the present embodiment is applied, first, for example, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, or an ion plating is formed on the substrate 110 of the light-emitting device 1.
  • the first electrode 120 is formed using a method, a CVD method, or the like.
  • metal fine particles such as silver, fine particles such as copper iodide, carbon black, conductive metal oxide fine particles, and conductive polymer fine powder as the material of the first electrode 120, these are appropriately used.
  • the first electrode 120 can also be formed by dispersing it in a binder resin solution and applying it on the substrate 110.
  • a method such as a spin coating method, a dip coating method, an ink jet method, a printing method, a spray method, or a dispenser method, followed by heat treatment.
  • a plurality of convex portions 111 are formed on a portion of the substrate 110 corresponding to the connection region B of the light emitting device 1.
  • the plurality of convex portions 111 are usually formed by forming a thin film using an insulating material or the like on a portion of the substrate 110 corresponding to the connection region B, and performing uneven processing (patterning) thereon.
  • the film forming method is preferably a resistance heating vapor deposition method or a coating method.
  • a coating method is particularly preferably used for forming a layer containing a high molecular organic compound.
  • Examples of the coating method include a spin coating method, a dip coating method, an ink jet method, a printing method, a spray method, and a dispenser method.
  • a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method and the like can be mentioned, and a vacuum vapor deposition method or a sputtering method is particularly preferably used.
  • Examples of the method of patterning a thin film using an insulating material include a method of forming a thin film, masking it if necessary, and then removing by a solvent used for film formation, removing by an adhesive, laser ablation, etching, and the like.
  • a method of forming a protective film so as to separate the plurality of convex portions 111 in advance, forming a thin film of an insulating material, and then removing the protective film a method of using a mask in vacuum deposition or sputtering, etc. It is done.
  • an ink jet method or a printing method can also be used.
  • the substrate 210 corresponding to the adhesion region C of the light emitting device 2 is also formed in the same manner as the portion corresponding to the connection region B.
  • a plurality of convex portions 211 are formed.
  • the plurality of convex portions 211 are preferably formed in the same process on the substrates 210 in both the connection region B and the adhesion region C of the light emitting device 2.
  • a body layer 330 is formed.
  • a thin film is formed on the substrate 110 using an insulating material or the like, as in the method of manufacturing the convex portion 111 described above, and uneven processing (patterning) is performed on this. It is formed by applying.
  • the dielectric layer 330 provided with the plurality of through portions 331 and the plurality of convex portions 311 use the same insulating material, and are formed on the first electrode 320 of the light emitting region A of the light emitting device 3 and the connection region B.
  • the substrate 310 is preferably formed in the same process.
  • an organic compound layer 140 including a light emitting layer is formed on the first electrode 120 formed in the light emitting region A.
  • the resistance heating vapor deposition method or the coating method is more preferable for the film formation of each layer included in the organic compound layer 140, and the coating method is particularly preferable for the film formation of the layer containing the polymer organic compound.
  • a coating solution in which a material constituting a layer to be formed is dissolved or dispersed in a predetermined solvent such as an organic solvent or water is applied.
  • various methods such as spin coating, spray coating, dip coating, ink jet, slit coating, dispenser, and printing can be used. After coating, a desired layer is formed by drying the coating solution by heating or vacuuming.
  • the organic compound layer 340 covers the dielectric layer 330 (the plurality of through portions 331 are formed) on the first electrode 320.
  • the surface of the organic compound layer 340 on the second electrode 350 side may be uneven or flat.
  • the second electrode 150 is formed on the organic compound layer 140 in the light emitting region A, and the second electrode connection portion 151 is formed integrally with the second electrode 150 on the convex portion 111 provided in the connection region B.
  • a method of forming the second electrode 150 a method similar to the formation of the first electrode 120 described above is used.
  • the light emitting devices 1 and 2 are used.
  • 3, 4 a plurality of convex portions 111, 211, 311, 411 are formed on the substrates 110, 210, 310, 410, and further on the plurality of convex portions 111, 211, 311, 411.
  • the convex portions 111 By forming the two-electrode connecting portions 151, 251, 351, 451, the convex portions 111, Following the surface shapes of 211, 311, 411, a concavo-convex structure is formed along the shapes of the convex portions 111, 211, 311, 411.
  • conductive members 152, 252, 352, 452 made of a conductive material are formed on the surfaces of the second electrode connection portions 151, 251, 351, 451 formed in the connection region B of the light emitting devices 1, 2, 3, 4. Is deposited. Subsequently, the sealing members 160, 260, 360, 460 in which the conductive portions 161, 261, 361, 461 are formed in advance and the substrates 110, 210, 310, 410 are connected, and the conductive portions 161, 261, 361, 461 are connected to the substrate 110.
  • connection region B the second electrode connection portions 151, 251, 351, 451 provided at the ends of the second electrodes 150, 250, 350, 450 and the conductive portions 161, 261, 361, 461 are electrically connected. ing. Accordingly, the second electrodes 150, 250, 350, 450 and the conductive portions 161, 261, 361, 461 are electrically connected.
  • the second electrode connecting portions 151, 251, 351, 451 and the conductive portions 161, 261, 361, 461 directly or via the conductive members 152, 252, 352, 452, as necessary Then, it may be heated or irradiated with laser light.
  • the contact area with the conductive portion 161 is increased by forming a concavo-convex structure on the surface of the second electrode connection portion 151 of the second electrode 150.
  • Contact resistance is reduced. Therefore, a decrease in light emission efficiency in the light emitting region A can be suppressed and a driving voltage can be suppressed.
  • the contact area can be increased without enlarging the connection region B by forming an uneven structure on the surface of the second electrode connection portion 151. As a result, the light emitting area A occupying the light emitting device 1 can be expanded, and an efficient light emitting device 1 can be provided.
  • connection region B is formed separately from the light emitting region A and the adhesion region C, and the second electrode connection portion 151 and the conductive portion 161 are formed in the adhesion region C. Since it is not necessary to connect the sealing member 160 to the substrate 110, it is possible to easily improve the adhesive strength. Furthermore, when the concavo-convex structure is also formed in the bonding region C where the sealing member 160 is bonded to the substrate 110, the bonding area is increased and the bonding strength can be improved. Further, when the concavo-convex structure is formed on the substrate 110 of the organic light emitting element 10 in the light emitting region A, the first electrode 120, or the like, light extraction can be improved.
  • the light emitting device 1 shown in FIG. 1 was produced by the following operation. First, a glass substrate (72 mm ⁇ 55 mm, thickness: 0.7 mm, corresponding to the substrate 110) with 150 nm thick ITO (Indium Tin Oxide) on the surface was prepared. Next, the ITO film was etched so as to leave a 40 mm ⁇ 40 mm region at the center of the glass substrate and an anode terminal as an anode (corresponding to the first electrode 120). Next, a thin film of silicon dioxide was formed in a region corresponding to the connection region B on the substrate on both sides of the anode.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • Film formation was performed using a sputtering apparatus (E-401s manufactured by Canon Anelva Co., Ltd.).
  • the region where the film was formed is 10 mm ⁇ 10 mm, and the film thickness is 1 ⁇ m.
  • the distance from the anode is 2 mm.
  • the formed silicon dioxide thin film was patterned.
  • a photoresist (AZ1500 manufactured by AZ Electronic Materials Co., Ltd.) was formed to a thickness of about 1 ⁇ m by spin coating.
  • a mask corresponding to a pattern in which square (plate thickness: 3 mm) was used as a base material and squares were arranged in a square lattice shape was produced.
  • Exposure was performed by irradiating the photoresist layer with ultraviolet rays through a mask at a 1/5 reduction ratio using a stepper exposure apparatus (manufactured by Nikon, model NSR-1505i6).
  • the resist film is developed with a 1.2% solution of TMAH (Tetra methyl ammonium hydroxide): (CH 3 ) 4 NOH, and a plurality of resist films arranged in a square lattice pattern as shown in the connection region B of FIG. Patterned into a square. Then, it heated at 130 degreeC for 10 minute (s). In the obtained pattern, the size of one square is 1 ⁇ m ⁇ 1 ⁇ m, and the distance between adjacent squares is 1 ⁇ m.
  • TMAH Tetra methyl ammonium hydroxide
  • the photoresist layer is masked under the conditions of pressure 0.3 Pa, bias power 50 W, and ICP power 100 W.
  • the silicon dioxide film was patterned by dry etching. Etching was performed until the substrate surface was exposed. Then, the resist residue was removed with a resist removing solution.
  • a plurality of convex portions 111 having a square shape of 1 ⁇ m square in plan view and a height of 1 ⁇ m arranged in a grid pattern in the connection region B were formed.
  • the solution A was applied by a spin coating method (rotational speed: 3000 rpm), and then left at 120 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere to form a light emitting layer. Thereafter, the light emitting layer formed on the connection region B and the first electrode terminal was removed with a xylene solvent.
  • a 2 nm thick sodium as a cathode buffer layer is formed in a region extending from the top of the light emitting layer (light emitting region A) to the region where the plurality of convex portions 111 are formed (connection region B).
  • a (Na) film was formed by vacuum deposition.
  • an aluminum (Al) layer having a thickness of 150 nm was formed as a cathode layer on the cathode buffer layer.
  • a 82 mm ⁇ 50 mm glass plate having a thickness of 0.7 mm was prepared as the sealing member 160.
  • an ITO thin film (film thickness: 150 nm, conductive) is previously formed in a region extending from the portion facing the connection region B on the organic light emitting element 10 side to the edge of the glass plate when the glass plate is bonded. Equivalent to the portion 161).
  • the photocurable conductive paste was supplied to the connection region of the second electrode by a dispenser.
  • a photocurable resin was placed by a dispenser in a region corresponding to the adhesion region C of the sealing member 160 (width of about 1 mm), and this was placed on the substrate 110 on which the organic light emitting element 10 was formed.
  • the photocurable resin was spread and spread over the entire adhesion region C (approximately 2 mm width), and a sealing space D was formed between the substrate 110 and the sealing member 160.
  • light curing 1000 mW / cm 2
  • the functional resin was cured. As described above, the light emitting device 1 shown in FIG. 1 was manufactured.
  • Example 1 The light emitting device 1 was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the plurality of convex portions 111 were not formed in the connection region B.
  • Example 2 The light emitting device 2 shown in FIG. 2 was produced by the following operation. First, a glass substrate (60 mm ⁇ 51 mm, thickness 0.7 mm, corresponding to the substrate 210) with 150 nm thick ITO (Indium Tin Oxide) on the surface was prepared. Next, the ITO film was etched so as to leave a 40 mm ⁇ 40 mm region at the center of the glass substrate and the anode terminal as the anode (corresponding to the first electrode 220). Next, a silicon dioxide thin film was formed by sputtering on both sides of the anode over a part of the region corresponding to the bonding region C from the region corresponding to the connection region B on the substrate.
  • ITO Indium Tin Oxide
  • the region where the film is formed is 40 mm (in the direction of the side of the anode) ⁇ 8 mm, and the film thickness is 1 ⁇ m.
  • the distance from the anode is 1 mm.
  • a plurality of convex portions 211 having a square shape of 1 ⁇ m square in plan view and a height of 1 ⁇ m arranged in a lattice form from the region corresponding to the connection region B to a part of the region corresponding to the adhesion region C are formed. It was done. Thereafter, the light emitting device 2 shown in FIG.
  • Example 2 The light emitting device 2 was manufactured in the same manner as in Example 2 except that the plurality of convex portions 211 were not formed from a region corresponding to the connection region B to a part of a region corresponding to the adhesion region C.
  • a voltage is applied stepwise to the light emitting devices manufactured in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 using a constant voltage power source (SM2400 manufactured by Keithley Instruments Co., Ltd.), and the light emission intensity at the front of the organic light emitting device was measured with a luminance meter (BM-9 manufactured by Topcon Corporation). Then, the voltage at which the front luminance was 1000 nit was measured as the driving voltage. As a result, the driving voltage in Comparative Example 1 was 8.5V, whereas the driving voltage in Example 1 was 6.2V. The driving voltage in Comparative Example 2 was 8.0V, while the driving voltage in Example 2 was 5.8V. From the above, it can be seen that the contact resistance of the connection region B is reduced by forming the uneven structure in the connection region B.
  • SM2400 constant voltage power source
  • BM-9 luminance meter
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a test piece for evaluating the adhesive strength.
  • a test piece as shown in FIG. 5 was prepared and the adhesion strength was evaluated.
  • two glass pieces having a width of 5 mm, a length of 70 mm, and a thickness of 0.7 mm were prepared, and one end (region having a length of 2 mm and a width of 5 mm) was provided on one side.
  • a plurality of convex portions were formed.
  • the material, shape, and arrangement of the plurality of convex portions are the same as those in the first embodiment.
  • the convex portions were formed of silicon dioxide, and the shape was a cube having a side of 1 ⁇ m and arranged in a square lattice shape (the interval between the convex portions was 1 ⁇ m).
  • Two pieces of glass so that a portion (2 mm in length) of the glass piece on which the convex portion is formed (a length of 2 mm) overlaps a portion of one end of the glass piece on which the convex portion is not formed. The pieces were glued. The same adhesive as that used in Example 2 was used.
  • the test piece corresponding to the comparative example 2 was produced in the same manner as the test piece corresponding to the example 2 except that two glass pieces not forming the uneven structure were used.
  • a tensile shear test (based on JIS K6850) was used to measure the stress when the adhesive surface peels or the glass piece breaks to evaluate the adhesive strength.
  • interfacial peeling between the glass piece and the adhesive layer occurred in the adhesive region, and the adhesive strength at this time was 220 kgf / cm 2 .
  • the glass piece was broken, and the adhesive strength at this time was 450 kgf / cm 2 . It can be seen that the adhesive strength is improved by forming a plurality of convex portions.

Abstract

　基板１１０と、基板１１０上に形成された第１電極１２０、第１電極１２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層１４０、有機化合物層１４０上に形成された第２電極１５０を含む少なくとも１個の有機発光素子１０と、有機発光素子１０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて基板１１０に接着され、有機発光素子１０を基板１１０とともに外気から封止する封止部材１６０と、を有し、封止部材１６０は少なくとも１個の導電部１６１を備え、導電部１６１は、基板１１０と封止部材１６０との間に挟まれた封止空間の内側から接着領域Ｃの外側にかけて延在し、且つ、導電部１６１は、発光領域Ａと接着領域Ｃの間の領域および隣接する２個の有機発光素子１０の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域Ｂにおいて第２電極１５０と電気的に接続し、有機発光素子１０の第２電極１５０は、接続領域Ｂにおいて第２電極１５０の導電部１６１と対向する面が凹凸構造を有している発光装置１は、接着領域Ｃの接着強度の低下及び発光領域Ａの発光効率の低下が抑制されている。

Description

発光装置および発光装置の製造方法
　本発明は、発光装置および発光装置の製造方法に関する。
　有機発光素子は、自発光や低消費電力等の優れた特徴を有し、近年、ドットマトリクスディスプレイや照明装置等への応用が期待されている。有機発光素子は、一般的に、陽極と陰極との間に、発光材料を含む有機化合物を薄膜状に形成した発光層を挟む構造をしている。そして、これらの電極間に電圧を印加し、発光層内で正孔と電子を再結合させることによって発光材料を励起させ、発光させている。
　有機発光素子を用いる発光装置は、通常、基板上に下部電極、及び上下の電極を外部に接続するための配線及び電極端子等の導電性材料からなる導電パターンを形成し、次いで、発光層を含む有機化合物層や対向電極（上部電極）を、塗布や蒸着等の方法を用いて順次積層して製造される。この際、対向電極は配線や電極端子等に接続するように形成される。この製造工程において、有機化合物層が、対向電極と接続する配線や電極端子の上にも拡がると、配線や電極端子と対向電極間の接触抵抗の増大や配線や電極端子が対向電極から絶縁される等の問題が起こる。
　特許文献１には、対向電極と配線の接続部分に、予め、周囲の表面よりも高くなるように導電膜を形成する有機発光素子の製造方法が記載されている。これにより、塗布法により成膜された有機化合物層が導電膜上には拡がらず、対向電極を電気的に接続できるとされている。
　また、スピンコート塗布法等の場合に、成膜された有機化合物層が配線や電極端子等の導電膜上を覆うという問題を避ける方法として、特許文献２には、配線や電極端子等の導電層を封止部材の基板側の面に形成し、これを有機化合物層上の対向電極と電気的に接続した有機発光素子が開示されている。この場合、導電層と対向電極とは、基板と封止部材とを接着する接着領域において、導電性ペースト等を介して電気的に接続される。
　特許文献３には、補助電極を形成した封止材と対向電極を、補助電極の端部に設けられた導電性ペースト等からなる導通部を介して接続させた有機発光素子が開示されている。
　特許文献２及び特許文献３に記載された有機発光素子では、対向電極の形成後に対向電極と配線や電極端子等の導電層とを接続するため、これらの間に有機化合物層が形成されることはなく、従って上記の接触抵抗の増大等の問題は起こらない。
特開２００７－３２３８８９号公報 特開２００１－０３５６５４号公報 特開２００６－１２７９１６号公報
　しかしながら、例えば、特許文献２に記載された有機発光素子の場合、蒸着法により接着領域に対向電極を成膜しているため、基板と封止部材との間の接着強度が低下し、封止が不完全になる場合がある。また、対向電極と電極端子を、導電性スペーサを内包した封止材で接着することにより電気的に接続している。ここで、接触抵抗を小さくするために対向電極や電極端子と導電性スペーサとの接触面積を増やすと、接着面積が減少し接着強度が低下するという問題が生じる。一方、接着強度を確保するために接着面積を増やすと、対向電極や電極端子と導電性スペーサとの接触面積が減り、導電性スペーサとの接続不良が生じる。
　さらに、特許文献３に記載された有機発光素子の場合、導通部を構成する導電性部材中に含まれる成分が発光層中へ浸透し、発光効率が低下するという問題がある。
　従って、封止部材上の導電層と対向電極とは接着領域と発光領域の間で接続することが望ましい。この場合、接点部の面積を小さくすれば基板面に占める発光領域の面積の割合を高く維持できるが、反面、接触抵抗が大きくなるため、有機発光素子の駆動電圧が上昇するという問題がある。
　本発明の目的は、有機発光素子を用いる発光装置における接着領域の接着強度の低下及び発光領域の発光効率の低下を抑制することにある。
　本発明によれば、基板と、前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極に接して形成された発光層を含む有機化合物層、当該有機化合物層上に形成された第２電極を含む少なくとも１個の有機発光素子と、前記有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において前記基板に接着され、当該有機発光素子を当該基板とともに外気から封止する封止部材と、を有し、前記封止部材は少なくとも１個の導電部を備え、前記導電部は、前記基板と前記封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在し、且つ、前記導電部は、前記発光領域と前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域において前記第２電極と電気的に接続し、前記有機発光素子の前記第２電極は、前記接続領域において当該第２電極の前記導電部と対向する面が凹凸構造を有していることを特徴とする発光装置が提供される。
　ここで、前記接続領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または、当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることが好ましい。
　前記接続領域において、前記導電部及び前記第２電極とは異なる材料からなる導電性部材を介し、当該導電部と当該第２電極とが電気的に接続されていることが好ましい。
　前記導電部と前記第２電極とは、前記接続領域のみにおいて電気的に接続していることが好ましい。
　前記接着領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることが好ましい。
　前記有機発光素子の前記第１電極の上面および前記接続領域における前記基板上に形成された誘電体層をさらに有し、当該誘電体層には、少なくとも当該誘電体層を貫通する複数の貫通部が設けられ、前記有機化合物層は、当該貫通部内の当該第１電極に接するように形成されることが好ましい。
　前記誘電体層の前記貫通部は、当該誘電体層の任意の１ｍｍ四方中に１０２個～１０８個形成されていることが好ましい。
　前記接続領域において、前記導電部の前記基板と対向する面が凹凸構造を有することが好ましい。
　前記有機発光素子における前記第１電極上に凹凸構造が形成されていることが好ましい。
　次に、本発明によれば、基板上に形成された少なくとも１個の有機発光素子と、当該有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において当該基板に接着される封止部材からなり、当該発光領域と当該接着領域の間及び隣接する有機発光素子の間の領域の一部に、当該有機発光素子と当該封止部材の内側に形成された導電部とを電気的に接続する接続領域を有する発光装置の製造方法であって、前記基板上に第１電極を形成する工程と、前記第１電極上に誘電体層を形成する工程と、少なくとも前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、前記誘電体層の前記貫通部内の前記第１電極に接するように発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、前記接続領域の前記誘電体層に複数の凹部を設ける工程と、前記有機化合物層上および前記接続領域に延在して第２電極を形成する工程と、前記有機発光素子を含む発光領域が形成された前記基板と、当該発光領域を外気から封止する封止部材を、前記接着領域において接着する工程と、前記封止部材に、前記基板と当該封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在して前記導電部を形成する工程と、前記導電部を、前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた前記接続領域で、前記第２電極と電気的に接続する工程と、を含むことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。
　ここで、前記発光装置の製造方法において、前記第１電極上及び前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、前記第１電極上及び前記接続領域に形成された前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、を含むことが好ましい。
　本発明によれば、有機発光素子を用いる発光装置において、接着領域の接着強度の低下が抑制され、さらに、発光領域の発光効率の低下が抑制される。
　また、発光装置の封止部材の導電部と対向電極の接続領域において、基板上に凹凸構造を設けた場合、その上に延在する対向電極の表面が凹凸化し、対向電極と導電部の接点部の接触面積が拡がるとともに接触抵抗が低下する。このため、基板面における発光領域の面積割合が高く維持され、且つ発光装置の駆動電圧が低下する。
第１の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。 第２の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略断面図である。 第３の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略断面図である。 第４の実施形態が適用される発光装置の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。 接着強度を評価するための試験片を説明する図である。
　以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することが出来る。また、使用する図面は、本実施の形態を説明するための一例であり、実際の大きさを表すものではない。
＜発光装置１＞
（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態が適用される発光装置１の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。図１（ａ）は、概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＸ－Ｘ断面の概略断面図であり、図１（ｃ）は他の実施形態である。以下、図１（ａ）、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に基づいて発光装置１を説明する。
　図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、発光装置１は、基板１１０上に形成された少なくとも１個の有機発光素子１０と、全ての有機発光素子１０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部１６２により基板１１０に接着される封止部材１６０とを有している。封止部材１６０は、接着領域Ｃの内側であって基板１１０と封止部材１６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部１６１を有している。
　有機発光素子１０は、基板１１０上に形成された第１電極（陽極）１２０と、第１電極１２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層１４０と、有機化合物層１４０上に形成された第２電極（陰極）１５０とを有している。第１電極１２０と第２電極１５０に電圧を印加した際、第１電極１２０、第２電極１５０および有機化合物層１４０が平面視上重なる部分が発光する。第２電極１５０の両端部に連続して、第２電極接続部１５１がそれぞれ基板１１０上に設けられており、それらの導電部１６１と対向する面に凹凸構造を有している。
　導電部１６１は、有機発光素子１０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部１５１及び導電性部材１５２を介して第２電極１５０と電気的に接続している。尚、図示しないが、複数の有機発光素子１０が形成されている場合は、接続領域Ｂは、複数の有機発光素子１０について、個々その外周部のうちの少なくとも一部分に設けられる。さらに、接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部１５１の導電部１６１と対向する面に凹凸を有している。また、接続領域Ｂにおいて、基板１１０上に凸部１１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。
　尚、本発明の発光装置１は、基板１１０上に形成された１つまたは２つ以上の有機発光素子１０を含み、発光領域Ａは有機発光素子１０全てを包含する領域である。すなわち、発光領域Ａは、１つまたは複数の有機発光素子１０と、複数の有機発光素子１０の間隙を含む領域のことである。本実施の形態では、発光装置１は有機発光素子１０を１つ有しているため、この１つの有機発光素子１０が発光領域Ａとなる。
　以下、発光装置１の各構成について説明する。
（基板１１０）
　基板１１０は、有機発光素子１０を形成するための支持体であり、有機発光素子１０に要求される機械的強度を満たす材料が用いられる。
　基板１１０の材料は特に限定されず、目的に応じて適宜選択することができる。有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す場合、有機化合物層１４０から発せられる光を透過することが必要で、後述する有機化合物層１４０から発せられる光を散乱又は減衰させない材料であることが好ましい。
　基板１１０の具体例としては、例えば、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、サファイアガラス、ソーダガラス、石英ガラス等のガラス類；高屈折率ガラス；窒化アルミ等の金属窒化物；アルミナ等の透明金属酸化物等の無機材料；ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料が挙げられる。
　基板１１０としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカ等のバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、及び加工性に優れていることが好ましい。
　基板１１０は、光透過性であれば、無色透明または有色透明であってもよい。本実施の形態では、後述する発光層から発せられる光を散乱又は減衰等させることがない点で無色透明であることが好ましい。
　有機発光素子１０の基板１１０側から光を取り出す必要がない場合、基板１１０の材料としては、有機化合物層１４０から発せられる光を透過する材料に限定されず不透明材料も使用できる。具体的には、上記材料に加えて、シリコン（Ｓｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）等の金属単体またはこれらの合金；ステンレス；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等の酸化物；シリコン（ｎ－Ｓｉ）等の半導体、あるいは不透明ガラス、不透明プラスチック、ヒ化ガリウム等の半導体材料、繊維強化プラスチック（ＦＲＰ）等の複合材料等からなる材料が挙げられる。
　基板１１０が金属の場合、基板１１０と第１電極１２０及び第２電極１５０が絶縁されていることが好ましい。基板１１０の厚さは、要求される機械的強度に応じ適宜選択される。本実施の形態では、好ましくは、０．０１ｍｍ～１０ｍｍ、より好ましくは０．１ｍｍ～２ｍｍである。
　基板１１０の形状、構造、大きさ等は特に限定されず、発光素子の用途、目的等に応じて適宜選択することができる。本実施の形態では、基板１１０の形状は、板状であることが好ましい。基板１１０の構造は、例えば、単層構造、積層構造が挙げられる。また、単一部材で形成されていてもよいし、２種以上の部材で形成されていてもよい。
　本実施の形態では、基板１１０の表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素等の無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法等により形成することができる。熱可塑性基板を用いる場合は、さらに必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層等を設けてもよい。さらに、基板１１０上にＴＦＴを形成する際に、下地にパシベーション層を設けることができる。基板１１０側から光を取り出す場合、透湿防止層は有機化合物層１４０から発せられる光の透過性を損なわない範囲で使用することが好ましい。
　尚、本実施の形態では、発光装置１の接続領域Ｂにおいて、基板１１０上に凸部１１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。凹凸構造の詳細については後述する。
（有機発光素子１０）
　有機発光素子１０が平面発光素子の場合には、第１電極（陽極）１２０と第２電極（陰極）１５０のうち少なくとも一方の電極は、有機化合物層１４０から発せられる光を透過する必要がある。尚、ここで電極が光を透過するとは、電極材料が光透過性である場合の他、電極に開口部が設けられている場合を含む。一方、有機発光素子１０が端面発光素子の場合には第１電極（陽極）１２０と第２電極（陰極）１５０は共に有機化合物層１４０から発せられる光を透過しなくてもよい。本実施の形態において、有機化合物層１４０の積層の形態としては、第１電極（陽極）１２０側から、正孔輸送層、発光層、電子輸送層の順に積層されている態様が好ましい。更に、正孔輸送層と陽極との間に正孔注入層、及び／又は発光層と電子輸送層との間に、電子輸送性中間層を設けても良い。また、発光層と正孔輸送層との間に正孔輸送性中間層を、同様に陰極と電子輸送層との間に電子注入層を設けてもよい。尚、各層は複数の層からなっていても良い。有機化合物層１４０を構成する各層の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法等の乾式成膜法；転写法、印刷法、塗布法、インクジェット法、スプレー法等の湿式成膜法等が挙げられる。
　以下、有機発光素子１０の各構成要素について説明する。
（第１電極１２０）
　第１電極（陽極）１２０は、通常、有機化合物層１４０に正孔を供給する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に限定されない。第１電極１２０の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物又はこれらの混合物が挙げられる。具体例としては、例えば、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物；金、銀、クロム、ニッケル、銅、白金、タングステン、チタン、タンタル、ニオブ等の金属；前述の金属と導電性金属酸化物との混合物、ステンレス等の合金又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質；ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料；及びこれらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。この中では、導電性金属酸化物が好ましく、特に、生産性、高導電性、透明性等の点からはＩＴＯが好ましい。
　第１電極１２０の成膜方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等が挙げられる。本実施の形態では、例えば、ＩＴＯを用いて第１電極１２０を成膜する場合、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等を採用することができる。
　有機発光素子１０の第１電極１２０の形成位置は特に制限はなく、発光素子の用途、目的に応じて適宜選択することができる。本実施の形態では、基板１１０上に形成されるのが好ましい。第１電極１２０は、基板１１０の一方の表面の全域に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。第１電極１２０を形成する際のパターニング法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング；レーザ光照射等による物理的エッチング；マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング等；リフトオフ法、印刷法等が挙げられる。
　第１電極１２０は電気伝導性を有し、－５℃～８０℃の温度範囲における表面抵抗（シート抵抗）は、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。具体的には第１電極（陽極）１２０として仕事関数が大きいものであり、仕事関数は、４．５ｅＶ以上であることが好ましい。第１電極１２０が光透過性である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。第１電極１２０側から発光を取り出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
　第１電極１２０の厚さは、第１電極１２０を構成する材料により適宜選択され特に限定されないが、通常、２ｎｍ～５０μｍ程度であり、１０ｎｍ～１μｍが好ましく、さらに３０ｎｍ～２５０ｎｍがより好ましい。膜厚が過度に薄いと表面抵抗が高くなる傾向があり、膜厚が過度に厚いと光透過率が低くなる傾向がある。
　基板１１０や第１電極１２０の表面処理を行うことで、オーバーコートされる層の性能（例えば、第１電極１２０との密着性、表面平滑性、正孔注入障壁等）を改善することができる。具体的な表面処理方法としては、高周波プラズマ処理を始めとして、スパッタリング処理、コロナ処理、ＵＶ（紫外線）オゾン照射処理、紫外線照射処理、または酸素プラズマ処理等が挙げられる。尚、仕事関数は、例えば、紫外線光電子分光分析法により測定することができる。
（有機化合物層１４０）
　本実施の形態において、有機発光素子１０の有機化合物層１４０は、少なくとも発光層を含んでいる。さらに、発光層以外の他の層としては、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層が挙げられる。有機化合物層１４０を構成する各層の成膜方法としては、蒸着法、スパッタ法等の乾式成膜法；湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等が挙げられ、これらの方法から適した方法を選択することができる。さらに有機化合物層１４０が複数の層からなる場合、これらの成膜方法を組み合わせても同じ成膜方法を選択しても構わない。
（発光層）
　本実施の形態において、発光層は、有機発光素子１０に電圧電界を印加した時に、第１電極（陽極）１２０、正孔注入層、又は正孔輸送層から正孔を受け取り、第２電極（陰極）１５０、電子注入層、又は電子輸送層から電子を受け取り、正孔と電子の再結合の場を提供して発光させる機能を有する層である。発光層は、発光材料のみで構成されていてもよく、ホスト材料と発光性材料を含んだ構成でもよい。
　発光性材料としては、発光性有機材料を用いることができる。また燐光性発光材料、蛍光性発光材料等が挙げられる。また、発光性有機材料の場合、発光性低分子化合物及び発光性高分子化合物のいずれも使用することができる。発光性有機材料としては、燐光性有機化合物および金属錯体が好ましい。金属錯体の中には燐光性を示すものもあり、このような金属錯体も好ましく用いられる。
　燐光発光性材料としては、一般に、遷移金属原子又はランタノイド原子を含む錯体が挙げられる。本実施の形態では、発光性有機材料の金属錯体として、特に、シクロメタル化錯体を用いることが発光効率向上の観点から非常に好ましい。シクロメタル化錯体としては、例えば、２－フェニルピリジン誘導体、７，８－ベンゾキノリン誘導体、２－（２－チエニル）ピリジン誘導体、２－（１－ナフチル）ピリジン誘導体、２－フェニルキノリン誘導体等の配位子を有するイリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）および白金（Ｐｔ）等の錯体が挙げられる。これらの中でも、イリジウム（Ｉｒ）錯体が特に好ましい。
　シクロメタル化錯体は、シクロメタル化錯体を形成するのに必要な配位子以外に、他の配位子を有していてもよい。尚、シクロメタル化錯体には、三重項励起子から発光する化合物も含まれ、発光効率向上の観点から好ましい。
　また、発光性高分子化合物としては、例えば、２－メトキシ－５－（２’－エチルヘキシルオキシ）－１，４－フェニレンビニレン共重合体（ＭＥＨ－ＰＰＶ）等のポリ－ｐ－フェニレンビニレン（ＰＰＶ）誘導体；ポリフルオレン誘導体、等のπ共役系の高分子化合物；低分子色素とテトラフェニルジアミンやトリフェニルアミンを主鎖や側鎖に導入したポリマー等が挙げられる。また、発光性高分子化合物と発光性低分子化合物とを併用することもできる。
　蛍光発光性材料としては、一般には、ベンゾオキサゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、スチリルベンゼン、ポリフェニル、ジフェニルブタジエン、テトラフェニルブタジエン、ナフタルイミド、クマリン、ピラン、ペリノン、オキサジアゾール、アルダジン、ピラリジン、シクロペンタジエン、ビススチリルアントラセン、キナクリドン、ピロロピリジン、チアジアゾロピリジン、シクロペンタジエン、スチリルアミン、芳香族ジメチリディン化合物、縮合多環芳香族化合物（アントラセン、フェナントロリン、ピレン、ペリレン、ルブレン、またはペンタセン等）、８－キノリノールの金属錯体、ピロメテン錯体や希土類錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン、及びこれらの誘導体等が挙げられる。
　発光層の厚さは、特に限定されず、通常、２ｎｍ～１μｍであるのが好ましく、３ｎｍ～５００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであるのが更に好ましい。
（正孔注入層、正孔輸送層）
　正孔注入層、正孔輸送層は、第１電極（陽極）１２０側から正孔を受け取り第２電極（陰極）１５０側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる正孔注入材料、正孔輸送材料としては、低分子化合物、高分子化合物が挙げられる。具体的には、例えば、ピロール誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン誘導体、有機シラン誘導体、カーボン、等が挙げられる。
　正孔注入層または正孔輸送層には、電子受容性ドーパントを含有させることができる。電子受容性ドーパントとしては、電子受容性で有機化合物を酸化する性質を有する無機化合物または有機化合物が挙げられる。具体的には、無機化合物としては、塩化第二鉄、塩化アルミニウム、塩化ガリウム、塩化インジウム、五塩化アンチモン等のハロゲン化金属；五酸化バナジウム、三酸化モリブデン等の金属酸化物等が挙げられる。有機化合物としては、置換基としてニトロ基、ハロゲン、シアノ基、トリフルオロメチル基等を有する化合物、キノン系化合物、酸無水物系化合物、フラーレン等が挙げられる。
　正孔注入層としては、公知の正孔注入材料を使用することができ、例えば、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリパラフェニレンビニレン等の導電性高分子；アリールアミン、フタロシアニン等の有機化合物；酸化バナジウム、酸化亜鉛、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化チタン等の酸化物が挙げられる。これらに上記の電子受容性ドーパントを含有させることができる。ドーパントを使用した例として、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）との混合物（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては、上記のような公知の材料を使用することができ、例えば、ＴＰＤ（Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－１，１’－ビフェニル－４，４’ジアミン）；α－ＮＰＤ（４，４’－ビス［Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ］ビフェニル）；ｍ－ＭＴＤＡＴＡ（４、４’，４’’－トリス（３－メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン）等の低分子トリフェニルアミン誘導体；ポリビニルカルバゾール；上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物等が挙げられる。
　正孔注入層または正孔輸送層の厚さは、各層の導電性等に依存し、特に限定されないが、本実施の形態における正孔注入層、正孔輸送層の厚さは、各々１μｍ以下であることが好ましい。正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ～１μｍであるのが好ましく、５ｎｍ～５００ｎｍであるのがより好ましい。また、正孔注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ～１μｍであるのが好ましく、０．５ｎｍ～５００ｎｍであるのがより好ましく、１ｎｍ～３００ｎｍであるのがさらに好ましい。正孔注入層、正孔輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（電子注入層、電子輸送層）
　電子注入層、電子輸送層は、第２電極（陰極）１５０側から電子を受け取り第１電極（陽極）１２０側に輸送する機能を有する層である。これらの層に用いる電子注入材料、電子輸送材料としては、低分子化合物、高分子化合物が挙げられる。具体的には、ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、フタラジン誘導体、フェナントロリン誘導体、トリアジン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８－キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、シロールに代表される有機シラン誘導体、等が挙げられる。
　電子輸送層に使用される材料として、具体的には、トリス（８－キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、ビス（２－メチル－８－キノリノラト）（４－フェニルフェノラト）アルミニウム、ビス［２－（２－ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛、２－（４－ビフェニリル）－５－（４－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール等が挙げられる。
　電子注入層または電子輸送層には、電子供与性ドーパントを含有させることもできる。電子供与性ドーパントとしては、電子供与性で有機化合物を還元する性質を有していればよく、Ｌｉ等のアルカリ金属、Ｍｇ及びＣａ等のアルカリ土類金属、希土類金属を含む遷移金属や還元性有機化合物等が好適に用いられる。具体的には、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｃｓ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｇｄ、およびＹｂ等が挙げられる。また、還元性有機化合物としては、例えば、含窒素化合物、含硫黄化合物、含燐化合物等が挙げられる。
　電子注入層または電子輸送層の厚さは、各層の導電性等に依存し、特に限定されないが、本実施の形態における電子注入層、電子輸送層の厚さは、各々１μｍ以下であることが好ましい。電子輸送層の厚さとしては、１ｎｍ～１μｍであることが好ましく、５ｎｍ～５００ｎｍであることがより好ましい。また、電子注入層の厚さとしては、０．１ｎｍ～１μｍであることが好ましく、０．２ｎｍ～５００ｎｍであることがより好ましく、０．５ｎｍ～１００ｎｍであることが特に好ましい。電子注入層、電子輸送層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（正孔ブロック層）
　正孔ブロック層は、第１電極（陽極）１１０側から発光層に輸送された正孔が、第２電極（陰極）１５０側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。正孔ブロック層は、発光層の第２電極（陰極）１５０側に設けることができる。正孔ブロック層を構成する化合物の例としては、ＢＡｌｑ等のアルミニウム錯体、トリアゾール誘導体、ＢＣＰ等のフェナントロリン誘導体等が挙げられる。
　正孔ブロック層の厚さとしては、１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであることが特に好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（電子ブロック層）
　電子ブロック層は、第２電極（陰極）１５０側から発光層に輸送された電子が、第１電極（陽極）１１０側に通りぬけることを防止する機能を有する層である。本実施の形態では、電子ブロック層は、発光層の第１電極（陽極）１１０側に設けることができる。電子ブロック層を構成する化合物の例としては、例えば、前述の正孔輸送材料として挙げたものが適用できる。
　電子ブロック層の厚さは、１ｎｍ～５００ｎｍであることが好ましく、５ｎｍ～２００ｎｍであることがより好ましく、１０ｎｍ～１００ｎｍであることが特に好ましい。正孔ブロック層は、上述した材料の１種又は２種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
（保護層）
　本実施の形態では、有機発光素子１０全体は、保護層によって保護されていてもよい。保護層に含まれる材料としては、水分や酸素等の素子劣化を促進するものが素子内に入ることを抑止する機能を有しているものであればよい。具体的には、例えば、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｌ、Ｔｉ等の金属、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＴｉＯ２等の金属酸化物、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ等の金属窒化物、ＭｇＦ２、ＬｉＦ、ＡｌＦ３、ＣａＦ２等の金属フッ化物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルメタクリレート、ポリイミド、ポリウレア、ポリテトラフルオロエチレン、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリジクロロジフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレンとジクロロジフルオロエチレンとの共重合体、テトラフルオロエチレンと少なくとも１種のコモノマーとを含むモノマー混合物を共重合させて得られる共重合体、共重合主鎖に環状構造を有する含フッ素共重合体、吸水率１％以上の吸水性物質、吸水率０．１％以下の防湿性物質等が挙げられる。
　保護層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、ＭＢＥ（分子線エピタキシ）法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法（高周波励起イオンプレーティング法）、プラズマＣＶＤ法、レーザＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ガスソースＣＶＤ法、コーティング法、印刷法、転写法等が挙げられる。
（第２電極１５０）
　第２電極（陰極）１５０は、通常、有機化合物層１４０に電子を注入する電極としての機能を有し、その形状、構造、大きさ等については特に限定されない。図１（ｂ）に示すように、第２電極１５０には、第２電極１５０の両端部に連続して、第２電極接続部１５１がそれぞれ基板１１０上に設けられている。
　有機発光素子１０の第２電極１５０側から光を取り出す場合（第２電極１５０側の面が光を取り出す面、すなわち、発光面となる場合）、第２電極１５０は有機化合物層１４０から発せられる光を透過する材料を用いることが好ましい。一方、有機発光素子１０の第２電極１５０側から光を取り出す必要のない場合、第２電極１５０は発光する光を透過する材料に限定されず不透明な材料も使用することができる。
　本実施形態では第２電極１５０が陰極として用いられるため、仕事関数が低く、かつ化学的に安定なものが好ましい。第２電極１５０を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物等が挙げられる。具体例としては、アルカリ金属（Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）；マグネシウム（Ｍｇ）及びアルカリ土類金属（Ｃａ等）；金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム－カリウム合金、リチウム－アルミニウム合金、マグネシウム－銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属等が挙げられる。これらは、２種以上を併用することができる。
　第２電極１５０の成膜方法としては、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式；真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式；ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式等が挙げられる。また、第２電極１５０を形成する際のパターニング法としては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチング；レーザ光照射等による物理的エッチング；マスクを用いた真空蒸着やスパッタリング等；リフトオフ法や印刷法等が挙げられる。
　有機発光素子１０の第２電極１５０の形成位置は特に制限はなく、有機化合物層１４０上の全域に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。また、第２電極１５０と有機化合物層１４０との間に、電子注入層として第２電極１５０より仕事関数の低い層を設けることもできる。このことにより第２電極１５０から有機化合物層１４０への電子の注入障壁を下げ、電子の注入効率を上げることもできる。
　これらの材料として金属材料が好適に用いられ、例えば、アルカリ金属（Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）、希土類金属（Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｙｂ）、あるいはこれら金属のフッ化物、塩化物、酸化物から選ばれる単体あるいは２つ以上の混合物を使用することができる。電子注入層の厚さは０．１ｎｍ～５０ｎｍが好ましく、０．３ｎｍ～２０ｎｍがより好ましく、０．５ｎｍ～１０ｎｍがより一層好ましい。この層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により形成することができる。
　第２電極１５０の厚みは、第２電極１５０を構成する材料により適宜選択され特に限定されないが、通常１０ｎｍ～５μｍ程度であり、５０ｎｍ～１μｍが好ましい。第２電極１５０は、光透過性（有機化合物層１４０から発せられた光を透過できる）であってもよいし、不透明であってもよい。なお、光透過性の第２電極１５０は、第２電極１５０の材料を１ｎｍ～１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、さらにＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することによっても形成することができる。
　尚、本実施の形態では、第２電極１５０の両端部に連続して第２電極接続部１５１がそれぞれ設けられており、それらの導電部１６１と対向する面に凹凸構造を有している。凹凸構造の詳細については後述する。
（封止部材１６０）
　図１（ｂ）に示すように、本実施の形態では、封止部材１６０を、発光領域Ａの外周部に設けられた接着領域Ｃにおいて基板１１０に接着部１６２で接着することにより封止空間Ｄを形成し、この封止空間Ｄ内に有機発光素子１０を密封して外気から遮断している。封止部材１６０の材料としては、有機発光素子１０を外気から遮断し、密封できるものであれば特に限定されず、また、絶縁性でも導電性でも良い。具体的には、上述した基板１１０と同じ材料を使用することができる。
（導電部１６１）
　図１（ｂ）に示すように、本実施の形態において、封止部材１６０は、有機発光素子１０側の面に導電部１６１を有する。導電部１６１は、封止部材１６０下に、または封止部材１６０と一体となって形成され、封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在している。ここで、「封止部材１６０下に」とは、例えば、封止部材１６０と導電部１６１が積層されている場合を言い、「封止部材１６０と一体となって」とは、例えば、封止部材１６０の一部または全体が導電部１６１となっている場合等が挙げられる。さらに、導電部１６１は、封止部材１６０の端面や上部に延在して形成されていても良い。
　導電部１６１は、発光装置１の封止空間Ｄの内側で第２電極接続部１５１と電気的に接続し、封止空間Ｄの外側で駆動電源（図示せず）と接続することにより、導電部１６１を通じて第２電極１５０に駆動電圧を印加することができる。導電部１６１と第２電極接続部１５１及び駆動電源の電気的接続は、各々の間に他の導電性材料を介して接続されていても良い。封止部材１６０が導電性である場合は、封止部材１６０の適切な部位と駆動電源を接続することができる。
　封止空間Ｄ外における導電部１６１と駆動電源との接続は導電部１６１のどの部分でも良い。例えば、図１（ｂ）における導電部１６１の下面（すなわち、発光装置１の基板１１０側表面）、導電部１６１の端面（すなわち、導電部１６１の側面）、導電部１６１の上面（図示せず）等が挙げられる。また、絶縁性の封止部材１６０と導電部１６１が積層され、封止部材１６０の導電部１６１と接触する部分が導電性の場合、封止部材１６０の該当する導電性部分の封止空間Ｄ外の部分を駆動電源と接続することができる。さらに、封止部材１６０の導電部１６１を形成する部位の一部に貫通孔を設け、その貫通孔を通じて駆動電源と導電部１６１を電気的に接続しても良い。具体的には貫通孔に配線等と入れて封止部材１６０の封止空間Ｄ内側に形成された導電部１６１と電気的に接続させたり、貫通孔の表面に導電材料のコーティングや導電材料を充填させて導電部１６１と電気的に接続させたり、導電部１６１を貫通孔内にも連続して封止部材１６０の上面（封止空間Ｄ側の反対側）まで形成し封止部材１６０上面で駆動電源と接続しても良い。
　導電部１６１を形成する導電性材料としては、例えば、前述した第１電極１２０又は第２電極１５０と同様な材料が挙げられる。ここで導電部１６１は単に導電材料として第２電極１５０に電気的に接続するため、仕事関数の値に関係なく使用することができる。また、有機化合物層１４０から発生した光を透過する必要がないため、透過性に関係なく使用することができる。そのため電極よりも導電性の良い材料や密着性の良い材料を選択することが可能である。また、導電部１６１が形成される場所は、封止部材１６０の基板１１０と対向する面の全面に形成されていてもよく、一部分のみに形成されていてもよい。導電部１６１は導電性の封止部材１６０が兼ねてもよい。
　導電部１６１が平面視上、発光領域Ａにも形成される場合、第２電極１５０の当該領域に、絶縁性の保護層を積層することが好ましい。この絶縁性の保護層により、発光領域Ａにおいて第２電極１５０と導電部１６１間を絶縁することができる。
（接続領域Ｂ）
　本実施の形態において、発光装置１の接続領域Ｂは、発光領域Ａより延在して形成された第２電極１５０の第２電極接続部１５１と、封止部材１６０と一体に形成された導電部１６１とが、直接または他の導電性部材１５２を介して電気的に接続する領域を言う。図１（ｂ）に示すように、接続領域Ｂは、発光装置１の封止空間Ｄ内において、有機発光素子１０の外周部に形成されている。
　前述したように、導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とは、この接続領域Ｂにおいてのみ、直接または導電性部材１５２を介して電気的に接続している。
　本実施の形態が適用される発光装置１では、接続領域Ｂが、有機発光素子１０の領域や接着領域Ｃから分離して形成されている。接続領域Ｂでは、第２電極１５０の端部に設けた第２電極接続部１５１と導電部１６１とが電気的に接続している。これにより、第２電極１５０と導電部１６１とが電気的に接続されている。
　本実施の形態では１個の有機発光素子１０に対し、接続領域Ｂは２か所形成されているが、特に限定されず、１個の有機発光素子１０に対し１か所以上形成されていれば良い。
　尚、図示しないが、封止空間Ｄ内に複数個の有機発光素子１０が形成されている場合、接続領域Ｂは各有機発光素子１０の外周部のうちの少なくとも一部分に設けられる。接続領域Ｂが大きくなると、接続する面積が増えるため接触抵抗が低減する。また、接続領域Ｂにおいて、接続領域Ｂの近傍にある第１電極１２０の側面に絶縁層（図示せず）を形成し、さらに、絶縁層の上の領域、およびこの領域から接続領域Ｂにかけて第２電極接続部１５１を形成することで、第１電極１２０と第２電極接続部１５１とを絶縁することができる。
　尚、他の導電性部材１５２を介して接続する場合、導電性部材１５２の材料としては、導電性を有していれば特に限定されず一般的な導電性材料を用いることができる。例えば、第１電極１２０、第２電極１５０と同様な材料や導電性ペースト等が挙げられる。ここで導電性部材１５２は単に導電材料として導電部１６１と第２電極接続部１５１を電気的に接続するため、仕事関数の値に関係なく使用することができる。また、有機化合物層１４０から発生した光を透過する必要がないため、透過性に関係なく使用することができるため、電極よりも導電性の良い材料や密着性の良い材料を選択することが可能である。
　接続領域Ｂにおいて導電部１６１が第２電極接続部１５１と電気的に良好な接続をするためには、導電部１６１を第２電極接続部１５１に形成された凹凸構造に密着させることが重要になる。導電性部材１５２を用いると、予め第２電極接続部１５１の凹凸構造上に導電性部材１５２を形成することができ、第２電極接続部１５１に導電性部材１５２を容易に密着させることができる。この導電性部材１５２を第２電極接続部１５１の凹凸構造上に形成することにより、凹凸構造のない導電性部材１５２と封止部材１６０の導電部１６１を容易に電気的に接続することが可能になる。
　導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とを接続する方法としては、例えば、加熱やレーザ光照射による方法が挙げられる（特開２０１０－２７７９５６公報の段落［００９６］参照）。また、特に他の導電性部材１５２を介して接続する場合は、導電性接着剤や導電性ペーストを使用して、必要に応じて加熱やＵＶ硬化を行っても良い。
　本実施の形態のように導電部１６１と第２電極接続部１５１を、導電性部材１５２を介して電気的に接続させる場合、導電性部材１５２は、導電部１６１と第２電極１５０の第２電極接続部１５１とは異なる材料を使用することが好ましい。導電性部材１５２が導電部１６１及び第２電極接続部１５１と異なる材料を使用すると、導電部１６１と第２電極接続部１５１を接続する際、例えば導電性部材１５２に熱やレーザ光を吸収しやすい材料を用いることにより選択的に導電性部材１５２を軟化させることができる。その結果、導電性部材１５２と導電部１６１及び第２電極接続部１５１の密着性が向上し、電気的な接続が容易になる。
（第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造）
　図１（ｂ）または図１（ｃ）に示すように、本実施の形態が適用される発光装置１は、接続領域Ｂにおいて、第２電極１５０の端部に形成した第２電極接続部１５１の導電部１６１と対向する面に、凹凸構造が設けられている。第２電極接続部１５１に凹凸構造を設けることにより、導電部１６１と電気的に接続している導電性部材１５２と第２電極接続部１５１の接触面積が増大する。その結果、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触抵抗が低減する。
　他に接触抵抗を下げる方法として、発光面積を狭くして接続領域Ｂを拡げるか、発光領域Ａの外側の接続領域Ｂを拡げて封止空間Ｄを拡大し発光装置１を大きくする方法がある。しかし、このようにするといずれも発光装置に占める発光領域の割合が小さくなり（非発光領域の割合が大きくなる）、非効率的な発光装置になってしまう。本発明のように凹凸構造を設けると封止空間Ｄ内の非発光領域を狭くすることができ、前述の方法と異なり発光領域Ａの占有面積を増大させることができ、効率的な発光装置を提供することができる。さらに接触抵抗が低下することで電圧のロスが小さくなるため、駆動電圧を低下させることができる。
　本実施の形態では、第２電極接続部１５１の表面に凹凸構造を設けるために、発光装置１の接続領域Ｂにおいて、基板１１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板１１０上に形成された薄膜層１１２（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。これらの凹凸構造の形状は、上方から海島構造として見た場合に、凸部と凹部のいずれが島の部分であってもよい。また、基板１１０の表面に凹凸構造を形成する場合は、図示しないが基板１１０自体の表面を凹凸状に加工してもよく、または図１（ｂ）に示すように基板１１０の表面に基板とは異なる材料により凸部１１１を形成してもよい。また、図１（ｃ）に示すように基板１１０上に形成された薄膜層１１２の表面に凹凸構造を形成する場合は、凹部は基板１１０の表面までは貫通しない。そして、凹凸構造が形成された基板１１０の表面上または薄膜層１１２の表面上にさらに第２電極接続部１５１を成膜することにより、これらの凹凸構造の形状に倣って、第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面に凹凸構造が形成される。
　尚、図示しないが、接続領域Ｂにおいて、導電部１６１の基板１１０と対向する面に凹凸構造を形成しても良い。
　導電部１６１にも凹凸構造を形成すると導電性部材１５２を介さなくても容易に第２電極接続部１５１と導電部１６１の接触界面を凹凸構造にすることができる。また、第２電極接続部１５１の上面に形成された凹凸構造が、有機発光素子１０の形成工程においていくらか平坦化された場合でも、導電部１６１に形成された凹凸構造によって第２電極接続部１５１と導電部１６１の接触界面を凹凸構造にすることができる。
　第２電極接続部１５１及び導電部１６１の表面に共に凹凸構造が形成されていて、これらが共に硬い材料の場合は、熱やレーザ光照射などにより第２電極接続部１５１及び／または導電部１６１を軟化させて密着させることができる。さらに導電性部材１５２を介して第２電極接続部１５１と導電部１６１を接着させても良い。
　導電性部材１５２が柔軟な場合は、そのまま導電性部材１５２を第２電極接続部１５１と導電部１６１間に挟むことで、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触界面及び導電性部材１５２と導電部１６１との接触界面を凹凸構造にすることができる。また、導電性部材１５２に選択的に熱やレーザ光照射を行って軟化させ、導電性部材１５２と第２電極接続部１５１との接触界面及び導電性部材１５２と導電部１６１との接触界面を凹凸構造にすることができる。
　基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２の材料は、特に限定されず、絶縁材料でも導電材料でも構わない。これらの凹凸構造は、例えば、基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工を施すことにより形成される。この場合、凹部は基板１１０の表面まで貫通していても貫通していなくても良い。ここで、例えば、薄膜の表面に所定のパターンのマスクを形成し、マスクで覆われていない部分を基板表面が露出するまでエッチングすれば、図１（ｂ）に示すような凸部１１１が形成される。また、例えば、基板１１０の表面が露出しないように薄膜をエッチングすれば、図１（ｃ）に示すような表面が凹凸状の薄膜層１１２が形成される。
　基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２に使用可能な絶縁材料としては、通常、電気抵抗率としては１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１２Ωｃｍ以上有する材料が挙げられる。具体的な材料としては、例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。
　基板１１０上に形成される凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２が導電性材料の場合は、第２電極接続部１５１が第１電極１２０と導通しないように、第１電極１２０と導電性材料で形成された凸部１１１または表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２の間に絶縁材料を形成するなどして絶縁する必要がある。凸部１１１及び表面に凹凸構造が形成される薄膜層１１２を形成する導電性材料の例としては、特に限定されないが、第１電極１２０や第２電極１５０に用いられるような材料が挙げられる。
　接続領域Ｂにおける凸部１１１の形状、薄膜層１１２の表面の凹凸形状及び表面が凹凸状に加工された基板１１０の凹凸形状は、この上に形成される第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面が凹凸化するものであればどのような形状でも構わない。本実施の形態では、上記凹凸形状の凸状部分及び凹状部分の断面形状としては、例えば、三角形や四角形などの多角形、半円、半楕円、角が丸められた多角形等の種々の形状を採用することができる。また、上記凸状部分及び凹状部分は全て同じ形状のもので形成してもよく、異なる形状のものを組み合わせて形成してもよい。さらに、上記凹凸形状は周期的に配列したものであってもよく、非周期的に配列したものであってもよい。また、同じ大きさの複数の凸部１１１を用いて形成してもよく、異なる大きさの複数の凸部１１１を組み合わせて形成してもよい。
　第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造の凹凸の程度は特に限定されるものではないが、接続領域Ｂの平面視上の面積に対し、接続領域Ｂにおける上記凹凸構造の表面積が、１．２倍～５倍になることが好ましく、さらに１．５倍～３倍になることがより好ましい。接続領域Ｂの平面視上の面積に対し凹凸構造の表面積の比が過度に小さいと接触面積の増大が小さく接触抵抗の低下が少ない、逆に過度に大きいと、凹部が深くなったり形状が複雑になるため、導電部１６１あるいは導電性部材１５２が第２電極接続部１５１の凹凸構造に密着できなくなり接触面積を大きくすることができない。
　次に、第２電極接続部１５１の表面の凹凸構造の製造方法について説明する。本実施の形態では、先ず、接続領域Ｂにおいて基板１１０上に絶縁材料等の薄膜層１１２を成膜する。この薄膜層１１２の成膜方法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、金属窒化物、金属酸化物等を用いる場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられる。高分子化合物を用いる場合、抵抗加熱蒸着法または塗布法が好ましい。塗布法としては、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等が挙げられる。
　次に、基板１１０上に成膜した絶縁材料等の薄膜層１１２の表面を凹凸化する。この凹凸化の方法は特に限定されず、一般的な方法を用いることができる。例えば、（１）上記の方法で接続領域Ｂに対応する部分に絶縁材料等の薄膜層１１２を形成した後に、使用した溶媒による除去、粘着剤による除去、レーザアブレーション、エッチング等によりパターニングする方法、（２）絶縁材料等を用いて成膜を行う際に、真空蒸着またはスパッタリング法においてマスクを使用してパターニングする方法が挙げられる。
　このようにして凹凸状に形成された薄膜層１１２の表面に第２電極接続部１５１を成膜することにより、この凹凸状の形状に倣って、第２電極接続部１５１の表面に凹凸構造が形成される。
　尚、第２電極接続部１５１の封止部材１６０側の表面に凹凸構造を設ける方法は、上述した方法に限定されない。第２電極接続部１５１に凹凸構造を設ける他の方法として、以下の方法が挙げられる。例えば、（１）接続領域Ｂにおいて、基板１１０の表面を凹凸状に加工し、その上に第２電極接続部１５１を形成する方法、（２）有機化合物層１４０を接続領域Ｂにも形成後、マスク蒸着により有機化合物層１４０の表面を凹凸状に加工し、その上に第２電極接続部１５１を形成する方法、（３）第２電極接続部１５１の表面にマスクを使用して直接凹凸構造を形成する方法、等が挙げられる。
（接着領域Ｃ）
　本実施の形態において、封止部材１６０は、発光領域Ａの外周部に設けられた接着領域Ｃにおいて、基板１１０に接着部１６２により接着されることにより封止空間Ｄを形成している。接着部１６２に使用する接着剤としては、安定した接着強度を維持することができ、気密性が良好であれば特に限定されない。接着剤の例として、熱硬化性、紫外線硬化性等の接着剤が挙げられ、特に、水蒸気等のガス浸透性が低いものが好ましい。本実施形態では、接着剤として、紫外光（ＵＶ）の照射により硬化する光硬化性エポキシ樹脂が用いられている。
（その他の部材）
　尚、本実施の形態が適用される発光装置１に配置されるその他の部材として、例えば、補助電極配線、光取り出しに必要な回折格子、微粒子、レンズ等を設けることができる。また、その他の層として、例えば、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、偏光板等を設けることができる。さらに、ゼオライト、酸化カルシウム、酸化バリウム等の乾燥剤を封止空間Ｄ内に設けることができる。なお、以上詳述した有機発光素子１０では、第１電極１２０が陽極、第２電極１５０が陰極として説明したが、逆であっても構わない。
（第２の実施形態）
　図２は、本発明の第２の実施形態が適用される発光装置２の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、概略平面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＹ－Ｙ断面の概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
　図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、発光装置２は、基板２１０上に形成された少なくとも１個の有機発光素子２０と、全ての有機発光素子２０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部２６２により基板２１０に接着される封止部材２６０とを有している。封止部材２６０は、接着領域Ｃの内側であって基板２１０と封止部材２６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部２６１を有している。
　図２（ｂ）に示すように、有機発光素子２０は、基板２１０上に形成された第１電極（陽極）２２０と、有機化合物層２４０と、第２電極（陰極）２５０とを有している。第２電極２５０の両端部に連続して第２電極接続部２５１がそれぞれ設けられ、導電部２６１と対向する面に凹凸構造を有している。
　第２電極接続部２５１の表面に凹凸構造を設けるためには、第１の実施形態と同様に、接続領域Ｂにおいて、基板２１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板２１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。このうち、基板２１０の表面に基板とは異なる材料により凸部２１１を設けることにより基板２１０の表面に凹凸構造を形成する場合を図２（ｂ）に示している。
　図２（ｂ）に示すように、発光装置２では、接続領域Ｂにおいて、基板２１０上に凸部２１１が形成され、凸部２１１上にさらに第２電極接続部２５１を成膜することにより、第２電極接続部２５１の封止部材２６０側の表面に、凸部２１１の表面形状に倣い、凸部２１１の形状に沿った凹凸構造が形成される。
　導電部２６１は、有機発光素子２０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部２５１及び導電性部材２５２を介して第２電極２５０と電気的に接続している。
　本実施の形態が第１の実施形態と異なる点は、接着領域Ｃにおいて、封止部材２６０が接着部２６２により接着される基板２１０（表面に薄膜層を有していてもよい）の表面の少なくとも一部に凹凸構造が形成されていることである。この基板２１０（表面に薄膜層を有していてもよい）の表面に凹凸構造を形成するには、基板２１０の表面に凹凸構造を形成するか、または、基板２１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面に凹凸構造を形成する。これらの凹凸状の形状は、上方から海島構造として見た場合に、凸部と凹部のいずれが島の部分であってもよい。また、基板２１０の表面に凹凸構造を形成する場合は、図示しないが、基板２１０自体の表面を凹凸状に加工してもよく、または図２に示すように基板２１０の表面に基板とは異なる材料により凸部２１１を形成してもよい。また、図示しないが、基板２１０上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造を形成する場合は、凹部は基板２１０の表面までは貫通しない。
　本実施の形態が適用される発光装置２では、接着領域Ｃの接着を行う基板２１０の表面に形成される凹凸構造の形状は特に限定されない。接続領域Ｂにおいて基板２１０の表面に形成される凹凸構造または基板２１０上の薄膜層に形成される凹凸構造と、接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０の表面に形成される凹凸構造は、図２に示すように同様な形状で形成されていてもよいが、異なっていてもよい。また、接続領域Ｂにおいて基板２１０上または薄膜層上に形成される凹凸構造と接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０上または薄膜層上に形成される凹凸構造の両方を、同一工程で形成すると製造が容易になるため好ましい。
　接着領域Ｃにおいて接着を行う基板２１０側の表面が凹凸状に形成されていることにより、接着部２６２と基板２１０との接着面積が増大し、接着強度を向上させることができる。
（第３の実施形態）
　図３は、本発明の第３の実施形態が適用される発光装置３の一例を示す概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
　図３には、発光装置３の接続領域Ｂ及び接着領域Ｃの断面図が示されている。発光装置３は、基板３１０上に形成された有機発光素子３０と、有機発光素子３０を含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部３６２により基板３１０に接着される封止部材３６０とを有している。封止部材３６０は、基板３１０側に設けた導電部３６１を有している。
　有機発光素子３０は、基板３１０上に形成された第１電極（陽極）３２０と、第１電極３２０上に複数の貫通部３３１を設けて形成された誘電体層３３０と、複数の貫通部３３１の内部及び誘電体層３３０の上部に形成された有機化合物層３４０と、少なくとも有機化合物層３４０上に形成された第２電極（陰極）３５０と、が順に形成されている。第２電極３５０の両端部に連続して第２電極接続部３５１がそれぞれ設けられ、その導電部３６１と対向する面に凹凸構造を有している。
　第２電極接続部３５１の表面に凹凸構造を設けるためには、第１の実施形態と同様に、接続領域Ｂにおいて、基板３１０の表面を凹凸状に形成するか、または、基板３１０上に形成された薄膜層（多層構造でもよい）の表面を凹凸状に形成する。このうち、基板３１０の表面に基板とは異なる材料により凸部３１１を設けることにより基板３１０の表面を凹凸状に形成する場合を図３に示す。
　図３に示すように、発光装置３では、接続領域Ｂにおいて、基板３１０上に凸部３１１が形成され、凸部３１１上にさらに第２電極接続部３５１を成膜することにより、第２電極接続部３５１の封止部材３６０側の表面に、凸部３１１の表面形状に倣い、凸部３１１の形状に沿った凹凸構造が形成されている。
　導電部３６１は、有機発光素子３０と接着領域Ｃの間の領域に設けられた接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部３５１及び導電性部材３５２を介して第２電極３５０と電気的に接続している。
　本実施の形態が第１の実施形態と異なる点は、図３に示すように、第１電極３２０上に複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０が形成されていることである。第１電極３２０と有機化合物層３４０の間に複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０を形成することにより、有機化合物層３４０の第２電極３５０側の表面が凹凸化し、第２電極３５０の封止部材３６０側の表面を凹凸構造にすることができる。
　第１電極３２０上に形成する誘電体層３３０は複数の貫通部３３１を有しているため、この誘電体層３３０の上に有機化合物層３４０を形成すると、有機化合物層３４０は貫通部３３１を通じて第１電極３２０と接することができる。また、誘電体層３３０の凹凸の形状や凹凸部分の屈折率差により、有機化合物層３４０から発生した発光光の光線進行角度を変えることができるため、光取出し効率を向上させたり、配光特性を制御することができる。
　本実施の形態が適用される発光装置３では、発光領域Ａの第１電極３２０を形成した部分以外の基板３１０の表面に凹凸構造が形成されている。この接続領域Ｂと発光領域Ａの凹凸構造の形状、材料及び製造法は、同じでも異なっていても構わないが、同一工程で形成する目的のために、これらの凹凸構造を共に同じ形状、材料、製造法にすると、製造が容易になり好ましい。
　特に、有機発光素子３０の第１電極３２０上において、誘電体層３３０の貫通部３３１の平面形状や断面形状は、任意の形状にすることができる。例えば、円形形状や多角形形状をしていても良い。また、貫通部３３１の最大幅は１０μｍ以下が好ましい。ここで貫通部３３１の最大幅とは、誘電体層３３０の貫通部３３１の第１電極３２０との界面における平面形状についてこれを包含する最小円の直径を言う。本実施の形態では、この貫通部３３１は、誘電体層３３０形成部の１ｍｍ四方中に１０２個～１０８個形成されていることが好ましい。
　有機発光素子３０の第１電極３２０上の誘電体層３３０は、電気抵抗率が１０８Ωｃｍ以上、好ましくは１０１２Ωｃｍ以上有する材料を用いて形成することが好ましい。例えば、窒化ケイ素、窒化ホウ素、窒化アルミニウム等の金属窒化物；酸化ケイ素（二酸化ケイ素）、酸化アルミニウム等の金属酸化物が挙げられる。さらに、ポリイミド、ポリフッ化ビニリデン、パリレン等の高分子化合物も使用可能である。誘電体層３３０の厚さは、有機発光素子３０の全体の厚さを抑制するために１μｍを越えないことが好ましく、１０ｎｍ～５００ｎｍであることがさらに好ましく、３０ｎｍ～２００ｎｍであることが特に好ましい。
　尚、本実施の形態では、誘電体層３３０を貫通する貫通部３３１は誘電体層３３０下の第１電極３２０の穿孔部（図示せず）または貫通部３３１と連結した貫通孔（図示せず）を有してもよい。さらに第１電極３２０を貫通した貫通部３３１や基板３１０を穿孔した穿孔部と連結した貫通孔を有していてもよい。ここで、穿孔部とは、該当する層に凹部を形成し、該当する層の厚みより凹部の深さが小さい孔のことを言う。この場合、有機発光素子３０の有機化合物層３４０は、貫通孔に露出している第１電極３２０の表面と接している。
（第４の実施形態）
　図４は、本発明の第４の実施形態が適用される発光装置４の一例を示す概略平面図及び概略断面図である。図４（ａ）は概略平面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＺ－Ｚ断面の概略断面図である。図１と同様な構成については同じ名称を用い、詳細な説明は省略する。
　発光装置４は、基板４１０上に形成された４個の有機発光素子４０と、それらを含む発光領域Ａの外側に設けられた接着領域Ｃにおいて接着部４６２により基板４１０に接着される封止部材４６０とを有している。封止部材４６０は、接着領域Ｃの内側であって基板４１０と封止部材４６０の間に挟まれた封止空間Ｄの内側から外側にかけて延在する導電部４６１を有している。
　有機発光素子４０のそれぞれは、基板４１０上に形成された第１電極（陽極）４２０と、第１電極４２０に接して形成された発光層を含む有機化合物層４４０と、有機化合物層４４０上に形成された第２電極（陰極）４５０とを有している。第２電極４５０には、基板４１０の端部側表面に接するように第２電極接続部４５１がそれぞれ設けられ、導電部４６１と対向する面に凹凸構造を有している。すなわち、接続領域Ｂにおいて、第２電極接続部４５１の導電部４６１と対向する面に凹凸を有している。本実施の形態では、発光領域Ａは、４個の有機発光素子４０及びその間隙が含まれる。２カ所の接続領域Ｂにおいて、基板４１０上に凸部４１１が設けられ、凹凸構造が形成されている。
　発光装置４では、四角形状の有機発光素子４０の４辺のうち、接着領域Ｃ側の１辺に各々接続領域Ｂが形成され、図４（ａ）の上下に並んだ有機発光素子４０の２個ずつを１個の接続領域Ｂにおいて、封止部材４６０の導電部４６１と電気的に接続している。尚、接続領域Ｂは発光領域Ａのうち、有機発光素子４０間に形成されても良い。
　次に、発光装置の製造方法について説明する。
＜発光装置の製造方法＞
（第１電極形成工程）
　本実施の形態が適用される発光装置１（図１参照）を製造する場合、先ず、発光装置１の基板１１０上に、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等を用いて第１電極１２０を形成する。また、第１電極１２０の素材として銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いる場合には、これらを適当なバインダ樹脂溶液に分散させて基板１１０上に塗布することにより第１電極１２０を形成することもできる。この場合は、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等の方法を用いて成膜した後、加熱処理して形成することも可能である。
（凹凸構造形成工程）
　続いて、発光装置１の接続領域Ｂに対応する部分の基板１１０上に、複数の凸部１１１を形成する。複数の凸部１１１は、通常、接続領域Ｂに対応する部分の基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工（パターニング）を施すことにより形成される。絶縁材料が有機化合物の場合、成膜法は抵抗加熱蒸着法または塗布法が好ましい。高分子有機化合物を含む層の成膜には、特に塗布法が好ましく用いられる。塗布法としては、例えば、スピンコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、印刷法、スプレー法、ディスペンサ法等が挙げられる。酸化物、金属を用いる成膜の場合、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等が挙げられ、特に真空蒸着またはスパッタリング法が好ましく用いられる。
　絶縁材料による薄膜をパターニングする方法は、薄膜を成膜し、必要に応じマスキングした後に、成膜の際に使用した溶媒による除去、粘着剤による除去、レーザアブレーション、エッチング等による方法が挙げられる。また、例えば、予め複数の凸部１１１を分離するように保護膜を形成し、絶縁材料による薄膜を形成後、保護膜を除去する方法；真空蒸着またはスパッタリング法においてマスクを使用する方法等が挙げられる。また塗布法では、インクジェットや印刷法を用いることもできる。
　ここで、本実施の形態が適用される発光装置２（図２参照）を製造する場合、発光装置２の接着領域Ｃに対応する基板２１０上にも、接続領域Ｂに対応する部分と同様に、複数の凸部２１１を形成する。この場合、複数の凸部２１１は、発光装置２の接続領域Ｂと接着領域Ｃの両方の基板２１０上に、同一工程で形成することが好ましい。
　また、本実施の形態が適用される発光装置３（図３参照）を製造する場合、発光装置３の基板３１０上に形成された第１電極３２０上に、複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０を形成する。誘電体層３３０に複数の貫通部３３１を設ける方法は、前述した凸部１１１の製法と同様に、基板１１０上に絶縁材料等を用いて薄膜を成膜し、これに凹凸加工（パターニング）を施すことにより形成される。
　尚、この場合、複数の貫通部３３１を設けた誘電体層３３０と複数の凸部３１１とは、同じ絶縁材料を用い、発光装置３の発光領域Ａの第１電極３２０上と接続領域Ｂの基板３１０上に、同一工程で形成することが好ましい。
（有機化合物層形成工程）
　次に、発光領域Ａに形成された第１電極１２０の上に、発光層を含む有機化合物層１４０を形成する。本実施の形態では、有機化合物層１４０に含まれる各層の成膜には、抵抗加熱蒸着法または塗布法がより好ましく、ポリマー有機化合物を含む層の成膜を行うには、特に塗布法が好ましい。塗布法により成膜を行う場合は、成膜を行いたい層を構成する材料を、有機溶媒や水等の所定の溶媒に溶解または分散させた塗布溶液の塗布を行う。塗布を行う際にはスピンコーティング法、スプレーコーティング法、ディップコーティング法、インクジェット法、スリットコーティング法、ディスペンサ法、印刷等の種々の方法を使用することができる。塗布を行った後は、加熱あるいは真空引きを行って塗布溶液を乾燥させることで所望の層が形成される。
　尚、本実施の形態が適用される発光装置３（図３参照）では、第１電極３２０上の誘電体層３３０（複数の貫通部３３１が形成されている）を覆うように有機化合物層３４０を形成する。有機化合物層３４０の第２電極３５０側の表面は凹凸状であっても良いし、平坦であっても良い。
（第２電極形成工程）
　さらに、発光領域Ａの有機化合物層１４０上に第２電極１５０を形成するとともに、接続領域Ｂに設けた凸部１１１上に、第２電極１５０と一体に第２電極接続部１５１を形成する。第２電極１５０を形成する方法としては、上述した第１電極１２０の形成と同様な方法が用いられる。
　本実施の形態が適用される発光装置１（図１参照）、発光装置２（図２参照）、発光装置３（図３参照）及び発光装置４（図４参照）では、発光装置１，２，３，４の接続領域Ｂにおいて、基板１１０，２１０，３１０，４１０上に複数の凸部１１１，２１１，３１１，４１１が形成され、複数の凸部１１１，２１１，３１１，４１１上にさらに第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１を成膜することにより、第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１の封止部材１６０，２６０，３６０，４６０側の表面に、凸部１１１，２１１，３１１，４１１の表面形状に倣い、凸部１１１，２１１，３１１，４１１の形状に沿った凹凸構造が形成されている。
（封止工程）
　次に、発光装置１，２，３，４の接続領域Ｂに形成された第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１の表面に導電性材料からなる導電性部材１５２，２５２，３５２，４５２を成膜する。続いて、予め導電部１６１，２６１，３６１，４６１を形成した封止部材１６０，２６０，３６０，４６０と基板１１０，２１０，３１０，４１０とを、導電部１６１，２６１，３６１，４６１を基板１１０，２１０，３１０，４１０と対向させ、接着領域Ｃの接着部１６２，２６２，３６２，４６２を介して接合し、発光装置１，２，３，４を封止空間Ｄ内に封止する。
　接続領域Ｂでは、第２電極１５０，２５０，３５０，４５０の端部に設けた第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１と導電部１６１，２６１，３６１，４６１とが電気的に接続している。これにより、第２電極１５０，２５０，３５０，４５０と導電部１６１，２６１，３６１，４６１とが電気的に接続されている。
　第２電極接続部１５１，２５１，３５１，４５１と導電部１６１，２６１，３６１，４６１を直接、あるいは導電性部材１５２，２５２，３５２，４５２を介して電気的に接続する目的で、必要に応じて、加熱したりレーザ光を照射しても良い。
　上述したように、本実施の形態が適用される発光装置１では、第２電極１５０の第２電極接続部１５１表面に凹凸構造を形成することにより、導電部１６１との接触面積を増大させ、接触抵抗を低下させている。そのため、発光領域Ａにおける発光効率の低下が抑制されるとともに駆動電圧を抑制することができる。
　また、接触抵抗を減らすためには接続面積を増やす必要があるが、第２電極接続部１５１表面に凹凸構造を形成することにより接続領域Ｂを拡大することなく接触面積を増やすことができる。その結果、発光装置１に占める発光領域Ａを拡大することができ、効率的な発光装置１を提供することができる。
　さらに、本実施の形態が適用される発光装置１では、接続領域Ｂが、発光領域Ａや接着領域Ｃと分離して形成されており、接着領域Ｃで第２電極接続部１５１と導電部１６１との接続をする必要がなくなり、封止部材１６０と基板１１０の接着のみを行うことができるため、接着強度の向上が容易になる。
　さらに、凹凸構造を、封止部材１６０を基板１１０に接着する接着領域Ｃにも形成すると、接着面積が増大し、接着強度を向上させることができる。また、凹凸構造を発光領域Ａの有機発光素子１０の基板１１０上や第１電極１２０等に形成すると、光取出しを向上させることができる。
　以下、実施例に基づき本発明をさらに詳細に説明する。但し、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
［燐光発光性高分子化合物の合成］
　国際公開第２０１０／０１６５１２号（ＷＯ２０１０／０１６５１２Ａ１）の段落［００７７］に記載された方法に従い、燐光発光性高分子化合物（Ａ）を合成した。得られた燐光発光性高分子化合物（Ａ）の重量平均分子量は５２，０００であり、各繰り返し単位のモル比はｋ：ｍ：ｎ＝６：４２：５２である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
［発光材料溶液の調製］
　このようにして合成した燐光発光性高分子化合物（Ａ）３重量部を９７重量部のキシレンに溶解させ、発光材料溶液（以下、「溶液Ａ」ともいう。）を調製した。
［発光装置の作製］
　以下の操作により、図１に示す発光装置１を作製した。
　先ず、表面に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）付きのガラス基板（７２ｍｍ×５５ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ、基板１１０に相当）を用意した。次に、陽極（第１電極１２０に相当）としてガラス基板の中央部の４０ｍｍ×４０ｍｍの領域と陽極端子を残すようにＩＴＯ膜のエッチングを行った。
　次に、陽極の両側で基板上の接続領域Ｂに相当する領域に二酸化ケイ素の薄膜を形成した。成膜はスパッタ装置（キャノンアネルバ株式会社製Ｅ－４０１ｓ）を用いて行った。成膜を行った領域は１０ｍｍ×１０ｍｍで、膜厚は１μｍである。また、陽極との間隔は２ｍｍである。
　次に、成膜した二酸化ケイ素薄膜のパターニングを行った。先ず、フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製ＡＺ１５００）をスピンコート法により約１μｍ成膜した。続いて石英（板厚３ｍｍ）を基材とし、正方形を正方格子状に配置したパターンに対応するマスクを作製した。ステッパー露光装置（ニコン製、型式ＮＳＲ－１５０５ｉ６）を用い、マスクを通して１／５縮小倍率でフォトレジスト層に紫外線を照射することにより露光を行った。その後、ＴＭＡＨ（Ｔｅｔｒａ　ｍｅｔｈｙｌ　ａｍｍｏｎｉｕｍ　ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）：（ＣＨ３）４ＮＯＨ　１．２％溶液により現像し、レジスト膜を、図１（ａ）の接続領域Ｂに示すような正方格子状に配列した複数の正方形にパターン化した。その後、１３０℃で１０分間加熱した。得られたパターンにおいて、１つの正方形の大きさは１μｍ×１μｍであり、隣接する正方形間の距離は１μｍである。
　次に、反応性イオンエッチング装置（サムコ株式会社製ＲＩＥ－２００ｉＰ）を用いて反応ガスとしてＣＨＦ３を使用し、圧力０．３Ｐａ、バイアス電力５０Ｗ、ＩＣＰ電力１００Ｗの条件で、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行うことにより二酸化ケイ素膜のパターン化を行った。エッチングは基板面が露出するまで行った。そしてレジスト除去液によりレジスト残渣を除去した。この結果、接続領域Ｂに格子状に配列した、平面視が１μｍ角の正方形で高さが１μｍの複数の凸部１１１が形成された。
　次に、溶液Ａをスピンコート法（回転数：３０００ｒｐｍ）により塗布し、次いで窒素雰囲気下、１２０℃で１時間放置して、発光層を形成した。
　その後、接続領域Ｂおよび第１電極端子上に形成された発光層をキシレン溶媒にて除去した。
　次に、マスクを使用して、発光層（発光領域Ａ）の上から複数の凸部１１１が形成されている領域（接続領域Ｂ）の上にわたる領域に、陰極バッファ層として厚さ２ｎｍのナトリウム（Ｎａ）膜を真空蒸着により形成した。続いて、陰極バッファ層の上に陰極層として、厚さ１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）層を形成した。
　次に、封止部材１６０として８２ｍｍ×５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス板を用意した。このガラス板の片面において、これを貼り合わせたときに有機発光素子１０側の接続領域Ｂに対向する部分からガラス板の縁部にわたる領域には、予め、ＩＴＯの薄膜（膜厚：１５０ｎｍ、導電部１６１に相当）が形成されている。
　次に、光硬化型導電性ペーストを第２電極の接続領域にディスペンサにより供給した。
　続いて、封止部材１６０の接着領域Ｃに相当する領域（幅約１ｍｍ）に、光硬化性樹脂をディスペンサにより配置し、これを有機発光素子１０が形成された基板１１０に載せた。このとき光硬化性樹脂を押し拡げて接着領域Ｃ全域に行き渡らせ（約２ｍｍ幅）、基板１１０と封止部材１６０との間に封止空間Ｄを形成した。その後、封止部材１６０側からメタルハライドランプを用いて接続領域Ｂの光硬化型導電性ペーストと接着領域Ｃの光硬化性樹脂に１０秒間光照射（１０００ｍＷ／ｃｍ２）を行うことにより、光硬化性樹脂を硬化させた。
　以上のようにして、図１に示す発光装置１を作製した。
（比較例１）
　接続領域Ｂに複数の凸部１１１を形成しなかったこと以外は、実施例１と同様にして発光装置１を作製した。
（実施例２）
　以下の操作により、図２に示す発光装置２を作製した。
　先ず、表面に膜厚１５０ｎｍのＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）付きのガラス基板（６０ｍｍ×５１ｍｍ、厚さ０．７ｍｍ、基板２１０に相当）を用意した。次に、陽極（第１電極２２０に相当）としてガラス基板の中央部の４０ｍｍ×４０ｍｍの領域と陽極端子を残すようにＩＴＯ膜のエッチングを行った。
　次に、陽極の両側で基板上の接続領域Ｂに相当する領域から接着領域Ｃに相当する領域の一部わたって二酸化ケイ素の薄膜をスパッタリングにより形成した。成膜を行った領域は４０ｍｍ（陽極の辺方向）×８ｍｍで、膜厚は１μｍである。また、陽極との間隔は１ｍｍである。この結果、接続領域Ｂに相当する領域から、接着領域Ｃに相当する領域の一部にわたって、格子状に配列した、平面視が１μｍ角の正方形で高さが１μｍの複数の凸部２１１が形成された。
　以降は、実施例１と同様にして図２に示す発光装置２を作製した。
（比較例２）
　接続領域Ｂに相当する領域から接着領域Ｃに相当する領域の一部にわたって複数の凸部２１１を形成しなかったこと以外は、実施例２と同様にして発光装置２を作製した。
［特性評価］
　実施例１、２および比較例１、２で作製した発光装置に、定電圧電源（ケイスレーインスツルメンツ株式会社製ＳＭ２４００）を用いて段階的に電圧を印加して、有機発光素子の正面の発光強度を輝度計（株式会社トプコン製ＢＭ－９）で計測した。そして、正面輝度が１０００ｎｉｔになる電圧を駆動電圧として測定した。その結果、比較例１における駆動電圧が８．５Ｖであるのに対し、実施例１の駆動電圧は６．２Ｖであった。また、比較例２における駆動電圧が８．０Ｖであるのに対し、実施例２の駆動電圧は５．８Ｖであった。以上により、凹凸構造を接続領域Ｂに形成することにより、接続領域Ｂの接触抵抗が低下したことがわかる。
［接着強度の評価］
　図５は、接着強度を評価するための試験片を説明する図である。実施例２のように接着領域Ｃに複数の凸部２１１を形成したことの効果を調べるため、図５に示すような試験片を作製して接着強度の評価を行った。
　先ず、実施例２に対応する試験片として、幅５ｍｍ、長さ７０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍのガラス片を２枚用意し、一方の端部（長さ２ｍｍ、幅５ｍｍの領域）の片面に複数の凸部を形成した。複数の凸部の材料、形状および配列は、実施例１と同じある。すなわち、凸部は二酸化ケイ素で形成し、形状は一辺が１μｍ立方体で、正方格子状に配列した（凸部の間隔は１μｍ）。この凸部を形成したガラス片の凸部を形成した部分（長さ２ｍｍ）に、凸部を形成していないガラス片の一方の端部の長さ２ｍｍの部分が重なるように２枚のガラス片を接着させた。接着剤は実施例２に用いたものと同じものを使用した。また、比較例２に対応する試験片は、凹凸構造を形成しない２枚のガラス片を用いることを除き、実施例２に対応する試験片と同様にして作製した。
　引っ張りせん断試験（ＪＩＳ　Ｋ６８５０準拠）により、接着面が剥離するかガラス片が破壊するときの応力を測定し、接着強度を評価した。
　比較例２に対応する試験片では、接着領域でガラス片と接着層の界面剥離が起こり、このときの接着強度は２２０ｋｇｆ／ｃｍ２であった。一方、実施例２に対応する試験片では、ガラス片の破壊が起こり、このときの接着強度は４５０ｋｇｆ／ｃｍ２であった。複数の凸部を形成することにより接着強度が向上することが分かる。
１，２，３，４…発光装置、１０，２０，３０，４０…有機発光素子、１１０，２１０，３１０，４１０…基板、１１１，２１１，３１１，４１１…凸部、１１２…薄膜層、１２０，２２０，３２０，４２０…第１電極、１４０，２４０，３４０，４４０…有機化合物層、１５０，２５０，３５０，４５０…第２電極、１５１，２５１，３５１，４５１…第２電極接続部、１５２，２５２，３５２，４５２…導電性部材、１６０，２６０，３６０，４６０…封止部材、１６１，２６１，３６１，４６１…導電部、１６２，２６２，３６２，４６２…接着部、３３０…誘電体層、３３１…貫通部、Ａ…発光領域、Ｂ…接続領域、Ｃ…接着領域、Ｄ…封止空間

Claims (11)

  1. 　基板と、
    　前記基板上に形成された第１電極、当該第１電極に接して形成された発光層を含む有機化合物層、当該有機化合物層上に形成された第２電極を含む少なくとも１個の有機発光素子と、
    　前記有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において前記基板に接着され、当該有機発光素子を当該基板とともに外気から封止する封止部材と、を有し、
    　前記封止部材は少なくとも１個の導電部を備え、
    　前記導電部は、前記基板と前記封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在し、
    　且つ、前記導電部は、前記発光領域と前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた接続領域において前記第２電極と電気的に接続し、
    　前記有機発光素子の前記第２電極は、前記接続領域において当該第２電極の前記導電部と対向する面が凹凸構造を有していることを特徴とする発光装置。
  2. 　前記接続領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
  3. 　前記接続領域において、前記導電部及び前記第２電極とは異なる材料からなる導電性部材を介し、当該導電部と当該第２電極とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
  4. 　前記導電部と前記第２電極とは、前記接続領域のみにおいて電気的に接続していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
  5. 　前記接着領域において、前記基板上に凹凸構造が形成されているか、または当該基板上に形成された薄膜層の表面に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の発光装置。
  6. 　前記有機発光素子の前記第１電極の上面および前記接続領域における前記基板上に形成された誘電体層をさらに有し、当該誘電体層には、少なくとも当該誘電体層を貫通する複数の貫通部が設けられ、前記有機化合物層は、当該貫通部内の当該第１電極に接するように形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の発光装置。
  7. 　前記誘電体層の前記貫通部は、当該誘電体層の任意の１ｍｍ四方中に１０２個～１０８個形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
  8. 　前記接続領域において、前記導電部の前記基板と対向する面が凹凸構造を有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光装置。
  9. 　前記有機発光素子における前記第１電極上に凹凸構造が形成されていることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
  10. 　基板上に形成された少なくとも１個の有機発光素子と、当該有機発光素子を含む発光領域の外側に設けられた接着領域において当該基板に接着される封止部材からなり、当該発光領域と当該接着領域の間及び隣接する有機発光素子の間の領域の一部に、当該有機発光素子と当該封止部材の内側に形成された導電部とを電気的に接続する接続領域を有する発光装置の製造方法であって、
    　前記基板上に第１電極を形成する工程と、
    　前記第１電極上に誘電体層を形成する工程と、
    　少なくとも前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、
    　前記誘電体層の前記貫通部内の前記第１電極に接するように発光層を含む有機化合物層を形成する工程と、
    　前記接続領域に誘電体層を形成する工程と、
    　前記接続領域の前記誘電体層に複数の凹部を設ける工程と、
    　前記有機化合物層上および前記接続領域に延在して第２電極を形成する工程と、
    　前記有機発光素子を含む発光領域が形成された前記基板と、当該発光領域を外気から封止する封止部材を、前記接着領域において接着する工程と、
    　前記封止部材に、前記基板と当該封止部材との間に挟まれた封止空間の内側から前記接着領域の外側にかけて延在して前記導電部を形成する工程と、
    　前記導電部を、前記接着領域の間の領域および隣接する２個の前記有機発光素子の間の領域のうちの少なくとも一部分に設けられた前記接続領域で、前記第２電極と電気的に接続する工程と、
    を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
  11. 　請求項１０に記載の発光装置の製造方法であって、
    　前記第１電極上及び前記接続領域に前記誘電体層を形成する工程と、
    　前記第１電極上及び前記接続領域に形成された前記誘電体層を貫通する複数の貫通部を設ける工程と、
    を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
PCT/JP2013/057414 2012-03-30 2013-03-15 発光装置および発光装置の製造方法 WO2013146350A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-082891 2012-03-30
JP2012082891 2012-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013146350A1 true WO2013146350A1 (ja) 2013-10-03

Family

ID=49259611

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/057414 WO2013146350A1 (ja) 2012-03-30 2013-03-15 発光装置および発光装置の製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JPWO2013146350A1 (ja)
WO (1) WO2013146350A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085923A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 パイオニア株式会社 発光装置
WO2017068103A1 (fr) * 2015-10-23 2017-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif electronique organique a microstructures
WO2019142582A1 (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
JP2019133959A (ja) * 2019-05-21 2019-08-08 パイオニア株式会社 発光装置
JP2021039956A (ja) * 2020-12-08 2021-03-11 パイオニア株式会社 発光装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1167446A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2000515309A (ja) * 1997-05-22 2000-11-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント装置
JP2001249627A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2002343560A (ja) * 2001-03-16 2002-11-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2005093397A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
JP2007200838A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
WO2011043210A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 昭和電工株式会社 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000515309A (ja) * 1997-05-22 2000-11-14 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネセント装置
JPH1167446A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子及びその製造方法
JP2001249627A (ja) * 2000-03-07 2001-09-14 Idemitsu Kosan Co Ltd アクティブ駆動型有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2002343560A (ja) * 2001-03-16 2002-11-29 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2005093397A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Sony Corp 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
JP2007200838A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
WO2011043210A1 (ja) * 2009-10-05 2011-04-14 昭和電工株式会社 電界発光素子、電界発光素子の製造方法、表示装置および照明装置

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085923A (ja) * 2014-10-28 2016-05-19 パイオニア株式会社 発光装置
WO2017068103A1 (fr) * 2015-10-23 2017-04-27 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Dispositif electronique organique a microstructures
WO2019142582A1 (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
JPWO2019142582A1 (ja) * 2018-01-18 2021-03-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
JP7235681B2 (ja) 2018-01-18 2023-03-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置及び電子機器
US11903285B2 (en) 2018-01-18 2024-02-13 Sony Semiconductor Solutions Corporation Display device and electronic device with peripheral connection to cathode electrode
JP2019133959A (ja) * 2019-05-21 2019-08-08 パイオニア株式会社 発光装置
JP2021039956A (ja) * 2020-12-08 2021-03-11 パイオニア株式会社 発光装置
JP2022103406A (ja) * 2020-12-08 2022-07-07 パイオニア株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2013146350A1 (ja) 2015-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4470627B2 (ja) 光学基板、発光素子および表示装置
US11108015B2 (en) Organic electroluminescent illumination panel, manufacturing method thereof, and organic electroluminescent illumination device with spacers protruding from a second electrode
US20080265757A1 (en) Low Index Grids (LIG) To Increase Outcoupled Light From Top or Transparent OLED
US20100327304A1 (en) Organic el device and design method thereof
US20090184628A1 (en) Oled and Fabricating Method of the Same
WO2012114616A1 (ja) 有機ｅｌデバイス
JP6168610B2 (ja) 有機ｅｌ照明パネル用基板、有機ｅｌ照明パネルおよび有機ｅｌ照明装置
JP2011065773A (ja) 有機電界発光装置
WO2013146350A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2004296219A (ja) 発光素子
WO2012114615A1 (ja) 有機ｅｌデバイス
JP2007324062A (ja) 端面発光型発光素子
JP2848386B1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4777077B2 (ja) 機能素子
JP5613590B2 (ja) 有機ｅｌデバイス
JP5692775B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及びこれを用いた照明器具
JP2015037168A (ja) 有機発光素子
KR20170030637A (ko) 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법
US10038167B2 (en) Thick-ETL OLEDs with sub-ITO grids with improved outcoupling
JP4893816B2 (ja) 光学基板、発光素子、表示装置およびそれらの製造方法
WO2012114618A1 (ja) 有機ｅｌデバイス
JP6665856B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
TW201203647A (en) Light-emitting device
JP2012243517A (ja) 有機発光素子、有機発光素子の製造方法、表示装置および照明装置
JP2002280164A (ja) 有機発光素子

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13770036

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014507693

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13770036

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1