KR20170030637A - 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법 - Google Patents
광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170030637A KR20170030637A KR1020177004347A KR20177004347A KR20170030637A KR 20170030637 A KR20170030637 A KR 20170030637A KR 1020177004347 A KR1020177004347 A KR 1020177004347A KR 20177004347 A KR20177004347 A KR 20177004347A KR 20170030637 A KR20170030637 A KR 20170030637A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- current distribution
- supply line
- current
- current supply
- Prior art date
Links
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims abstract description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 213
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 137
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 17
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 14
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 12
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 8
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 5
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 5
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-dinaphthalen-1-yl-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C2(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C2=C1 PQCAURRJHOJJNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BOPVDKBKABSTCC-UHFFFAOYSA-N CC1(C)c2ccccc2-c2cccc(c12)-c1ccccc1 Chemical compound CC1(C)c2ccccc2-c2cccc(c12)-c1ccccc1 BOPVDKBKABSTCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 4
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 4
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-2-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C=CC=CC2=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)C=C1 BLFVVZKSHYCRDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=NC2=CC=CC=C2N1C1=CC=CC=C1 XNCMQRWVMWLODV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 2,9-dinaphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 XESMNQMWRSEIET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTPNJFWMUYHPEP-UHFFFAOYSA-N 2-(4-phenylphenyl)-5-[6-[6-[5-(4-phenylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]pyridin-2-yl]pyridin-2-yl]-1,3,4-oxadiazole Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C=2OC(=NN=2)C=2N=C(C=CC=2)C=2N=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 GTPNJFWMUYHPEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WXDXMXYEAGYOKI-UHFFFAOYSA-N 2-(6-pyridin-2-ylpyridin-2-yl)-5-[3-[5-(6-pyridin-2-ylpyridin-2-yl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2OC(=NN=2)C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2N=C(C=CC=2)C=2N=CC=CC=2)=N1 WXDXMXYEAGYOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYTUDCZDAVNDOI-UHFFFAOYSA-N 2-[9,9-dimethyl-7-[5-(6-pyridin-2-ylpyridin-2-yl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]fluoren-2-yl]-5-(6-pyridin-2-ylpyridin-2-yl)-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=C2C(C)(C)C3=CC(C=4OC(=NN=4)C=4N=C(C=CC=4)C=4N=CC=CC=4)=CC=C3C2=CC=C1C(O1)=NN=C1C(N=1)=CC=CC=1C1=CC=CC=N1 RYTUDCZDAVNDOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRCVVSHNOIGJGW-UHFFFAOYSA-N 2-[phenyl(2H-pyran-2-yl)phosphoryl]-2H-pyran Chemical compound C1(=CC=CC=C1)P(C1OC=CC=C1)(C1OC=CC=C1)=O JRCVVSHNOIGJGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-bis(3-methylphenyl)-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C4(C5=CC=CC=C5C5=CC=CC=C54)C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 QZTQQBIGSZWRGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 2-n',7-n'-dinaphthalen-1-yl-2-n',7-n'-diphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2',7'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C23C4=CC=CC=C4C4=CC=CC=C43)C2=C1 ZDAWFMCVTXSZTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOSISXPKNIMGRP-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,2-n',2-n'-tetraphenyl-9,9'-spirobi[fluorene]-2,2'-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C4=CC=CC=C43)N(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)C3=CC=CC=C3C2=CC=1)C1=CC=CC=C1 ZOSISXPKNIMGRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 2-n,7-n-bis(3-methylphenyl)-2-n,7-n,9,9-tetraphenylfluorene-2,7-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C3C(C4=CC(=CC=C4C3=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 NFZUWPDINLFCGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CELPGKFEUDCZOU-UHFFFAOYSA-N 2-naphthalen-2-yl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=C(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)N=C21 CELPGKFEUDCZOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BSVILDUORGWESI-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-2-(4-naphthalen-2-ylphenyl)imidazo[4,5-f][1,10]phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C3=CC=C(C=C3)C=3N(C4=C(C5=CC=CN=C5C5=NC=CC=C54)N=3)C)=CC=C21 BSVILDUORGWESI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-n-[4-[1-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]cyclohexyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C1(CCCCC1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(C)=CC=1)C=1C=CC(C)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 ZOKIJILZFXPFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 4-naphthalen-1-yl-3,5-diphenyl-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C(N1C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)=NN=C1C1=CC=CC=C1 AOQKGYRILLEVJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXVNUSIHWZLMGF-UHFFFAOYSA-N 4-phenyl-N-(4-phenylphenyl)-N-[4-[9-[4-(4-phenyl-N-(4-phenylphenyl)anilino)phenyl]fluoren-9-yl]phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C2(C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 NXVNUSIHWZLMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RFVBBELSDAVRHM-UHFFFAOYSA-N 9,10-dinaphthalen-2-yl-2-phenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=C(C(C=2C=C3C=CC=CC3=CC=2)=C2C(C=CC=C2)=C2C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C2=C1 RFVBBELSDAVRHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 9-n,9-n,10-n,10-n-tetrakis(4-methylphenyl)anthracene-9,10-diamine Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C(N(C=2C=CC(C)=CC=2)C=2C=CC(C)=CC=2)=C2C=CC=CC2=1)C1=CC=C(C)C=C1 FWXNJWAXBVMBGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M lithium;quinolin-8-olate Chemical compound [Li+].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 FQHFBFXXYOQXMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBFXFIPIIMAZPK-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-phenanthren-9-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylphenanthren-9-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C=2)C=C1 LBFXFIPIIMAZPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N n-[4-[9-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]fluoren-9-yl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC=C(C=C3)C3(C=4C=CC(=CC=4)N(C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C=4C=C5C=CC=CC5=CC=4)C4=CC=CC=C4C=4C3=CC=CC=4)=CC=C21 PKQHEBAYOGHIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C21 MZYHMUONCNKCHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 150000003967 siloles Chemical group 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N tris(2,4,6-trimethyl-3-pyridin-3-ylphenyl)borane Chemical compound CC1=C(B(C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C=2C(=C(C=3C=NC=CC=3)C(C)=CC=2C)C)C(C)=CC(C)=C1C1=CC=CN=C1 RFDGVZHLJCKEPT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 4-tert-butyl-2-(4-tert-butylpyridin-2-yl)pyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=NC(C=2N=CC=C(C=2)C(C)(C)C)=C1 TXNLQUKVUJITMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004607 CdSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005264 GaInO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910017902 MgIn2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002302 Nylon 6,6 Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000003978 Tissue Plasminogen Activator Human genes 0.000 description 1
- 108090000373 Tissue Plasminogen Activator Proteins 0.000 description 1
- 229910003107 Zn2SnO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007694 ZnSnO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001252 acrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N dipyrazino[2,3-f:2',3'-h]quinoxaline-2,3,6,7,10,11-hexacarbonitrile Chemical compound C12=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=NC(C#N)=C(C#N)N=C2C2=C1N=C(C#N)C(C#N)=N2 DKHNGUNXLDCATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N f16cupc Chemical compound [Cu+2].[N-]1C(N=C2C3=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C3C(N=C3C4=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C4C(=N4)[N-]3)=N2)=C(C(F)=C(F)C(F)=C2F)C2=C1N=C1C2=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C2C4=N1 FJAOBQORBYMRNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002503 iridium Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003366 poly(p-phenylene terephthalamide) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N ruthenium(3+) Chemical compound [Ru+3] BPEVHDGLPIIAGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H01L51/5212—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H01L27/3237—
-
- H01L27/3297—
-
- H01L51/441—
-
- H01L51/5228—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H01L2251/5361—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
본 발명은 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법에 관한 것이다. 광전자 컴포넌트(1)는 상이한 실시예들로 제공된다. 상기 광전자 컴포넌트(1)는 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)에 형성되어 있는 적어도 하나의 외부 전극 세그먼트(51) 및 상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 간격을 두고 형성되어 있는 적어도 하나의 내부 전극 세그먼트(53)를 포함하는 제 1 전극(20);
적어도 상기 외부 전극 세그먼트(51)에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물(64) 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트(53)에 걸쳐서 연장되어 상기 외부 부분 구조물(64)에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물(66)을 포함하는, 상기 제 1 전극(20) 위에 형성된 전기 전도성 전류 분배 구조물(electrically conductive current distribution structure)(60);
상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 상기 내부 부분 구조물(66) 쪽으로 연장되고, 상기 내부 부분 구조물(66)에 전기적으로 결합되어 있으며, 상기 외부 부분 구조물(64)로부터 전기적으로 절연되어 있고, 그 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하는 적어도 하나의 전류 공급 라인(62);
상기 전류 분배 구조물(60) 및 상기 전류 공급 라인(62)을 덮는 절연 구조물;
상기 제 1 전극(20), 상기 전류 분배 구조물(60), 상기 전류 공급 라인(62) 및 상기 절연 구조물(84) 위에 있는 유기 기능성 층 구조물(22); 및
상기 유기 기능성 층 구조물(22) 위에 있는 제 2 전극(23)을 구비한다.
적어도 상기 외부 전극 세그먼트(51)에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물(64) 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트(53)에 걸쳐서 연장되어 상기 외부 부분 구조물(64)에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물(66)을 포함하는, 상기 제 1 전극(20) 위에 형성된 전기 전도성 전류 분배 구조물(electrically conductive current distribution structure)(60);
상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 상기 내부 부분 구조물(66) 쪽으로 연장되고, 상기 내부 부분 구조물(66)에 전기적으로 결합되어 있으며, 상기 외부 부분 구조물(64)로부터 전기적으로 절연되어 있고, 그 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하는 적어도 하나의 전류 공급 라인(62);
상기 전류 분배 구조물(60) 및 상기 전류 공급 라인(62)을 덮는 절연 구조물;
상기 제 1 전극(20), 상기 전류 분배 구조물(60), 상기 전류 공급 라인(62) 및 상기 절연 구조물(84) 위에 있는 유기 기능성 층 구조물(22); 및
상기 유기 기능성 층 구조물(22) 위에 있는 제 2 전극(23)을 구비한다.
Description
본 발명은 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법과 관련이 있다.
광전자 컴포넌트는 광을 방출하거나 또는 흡수한다. 상기 광전자 컴포넌트는 예를 들어 발광 다이오드, 예컨대 유기 발광 다이오드(OLED), 광 검출기 또는 태양 전지이다. OLED는 애노드 및 캐소드, 그리고 상기 애노드와 캐소드 사이에 유기 기능성 층 시스템을 포함한다. 상기 유기 기능성 층 시스템은, 전자기 방사선을 발생시키는 하나 또는 다수의 이미터 층, 전하 캐리어 쌍을 발생하기 위한 각각 2개 또는 그 이상의 전하 캐리어 쌍-발생 층(Charge Generating Layer, CGL)으로 이루어진 전하 캐리어 쌍-발생 층 구조물, 그리고 전류 흐름을 조절하기 위한 정공 운반 층(들)(Hole Transport Layer, HTL)로도 언급되는 하나 또는 다수의 전자 차단 층 및 전자 운반 층(들)(Electron Transport Layer, ETL)로도 언급되는 하나 또는 다수의 정공 차단 층을 포함할 수 있다.
현재 OLED-개발 분야에서는 세그먼트화된 발광면의 경향을 확인할 수 있다. OLED는 세그먼트화될 수 있고, 그에 따라 다수의 OLED-소자를 포함할 수 있다. 상기 OLED-소자들은 예를 들어 전기적으로 병렬 접속될 수 있고/있거나, 적어도 하나의 공동 전극을 나누어 가질 수 있다. 예를 들어 2개의 OLED-소자는 동일한 캐소드를 갖지만, 서로 분리된 유기 기능성 층 구조물들 및 그에 상응하게 서로 분리된 애노드들을 갖는다. 이와 같은 경우, 상기 OLED-소자들은 일체형 발광면으로서 구동 및 사용될 수 있다. 그러나 상기 OLED-소자들은 서로 독립적으로 기능할 수 있고/있거나, 서로 독립적으로 구동될 수도 있다. 이 경우 문제는, 내부 OLED-소자들로 안내되는 전류 공급 라인들이 외부 발광면들의 발광상(lighting image) 및/또는 외형을 해치지 않고, 내부 OLED-소자들을 구동하는 데서 발생한다. 지금까지, 내부 OLED-소자들에 의해 나타나고 외부 발광 영역들로부터 독립적으로 발광하는 내부 발광 영역들은 적어도 하나의 위치에서 에지까지 안내되었다. 지금까지 자체적으로 지지 되는 내부 발광면들은 상응하는 발광면의 외부에 추가 발광면이 놓이지 않을 때에만 가능했다.
연속하는 발광면들의 영역에서는 전극들 중 하나의 전극에 전기 전도성 전류 분배 구조물(electrically conductive current distribution structure)을 형성하는 것이 공지되어 있는데, 상기 전기 전도성 분배 구조물은 네트(net)처럼 상응하는 발광면에 걸쳐서 연장되고 전류의 균일한 분배에 기여한다. 상기 전류 분배 구조물은 예를 들어, 일체형으로 연속하고 서로 사전 결정된 각을 형성하는 다수의 직선형 전류 안내 섹션을 포함할 수 있다. 예를 들어 육각형, 예컨대 정육각형으로 이루어진 구조물을 갖는 전류 분배 구조물이 공지되어 있고, 이때 상기 육각형의 측면들이 전류 안내 섹션들을 나타내며, 이때 형성되는 각은 예컨대 각각 120°일 수 있다. 상기 전류 분배 구조물은 버스 바-구조물로서 표현될 수 있고, 상기 전류 안내 섹션들은 버스 바들로서 표현될 수 있다.
본 발명의 과제는 광전자 컴포넌트를 제공하는 것으로, 상기 광전자 컴포넌트는 하나 또는 다수의 내부 기능성 표면, 예컨대 방출 표면들 또는 흡수 표면들을 포함하고, 상기 내부 기능성 표면들은 상기 광전자 컴포넌트의 측면 에지를 접촉하지 않으면서 이와 같은 에지로부터 간격을 두고 배치되어 있으며, 그리고/또는 의도한 기능을 충족하는, 예를 들어 상기 광전자 컴포넌트의 작동 중에 발광하는, 예컨대 균일하게 발광하는 외부 기능성 표면들에 의해 둘러싸여 있고, 그리고/또는 상기 내부 기능성 표면들에서는 전류의 공급 또는 배출이 간단하게 이루어진다.
본 발명의 추가 과제는 광전자 컴포넌트의 제조 방법을 제공하는 것으로, 상기 광전자 컴포넌트의 제조 방법은 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 실시 가능하고, 그리고/또는 하나 또는 다수의 내부 기능성 표면, 예컨대 방출 표면들 또는 흡수 표면들을 포함하고, 상기 내부 기능성 표면들은 상기 광전자 컴포넌트의 측면 에지를 접촉하지 않으면서 이와 같은 에지로부터 간격을 두고 배치되어 있으며, 그리고/또는 의도한 기능을 충족하는, 예를 들어 상기 광전자 컴포넌트의 작동 중에 발광하는, 예컨대 균일하게 발광하는 외부 기능성 표면들에 의해 둘러싸여 있고, 그리고/또는 전류의 공급 또는 배출이 간단하게 이루어지는 상기 광전자 컴포넌트를 제공한다.
상기 과제는 본 발명의 한 가지 양상에 따라, 제 1 전극의 측면 에지에 형성되어 있는 적어도 하나의 외부 전극 세그먼트 및 상기 제 1 전극의 에지로부터 간격을 두고 형성되어 있는 적어도 하나의 내부 전극 세그먼트를 포함하는 제 1 전극을 구비한 광전자 컴포넌트에 의해 해결된다. 상기 제 1 전극 위에는 전기 전도성 전류 분배 구조물이 형성되어 있고, 상기 전류 분배 구조물은 적어도 상기 외부 전극 세그먼트에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트에 걸쳐서 연장되고 상기 외부 부분 구조물에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물을 포함한다. 적어도 하나의 전류 공급 라인이 상기 제 1 전극의 측면 에지로부터 상기 내부 부분 구조물 쪽으로 연장되어, 상기 내부 부분 구조물에 전기적으로 결합되어 있고 그리고 상기 외부 부분 구조물로부터 전기적으로 절연되어 있으며, 이때 상기 전류 공급 라인의 구조는 전류 분배 구조물과 일치한다. 절연 구조물은 상기 전류 분배 구조물 및 상기 전류 공급 라인을 덮는다. 유기 기능성 층 구조물은 상기 제 1 전극, 상기 전류 분배 구조물, 상기 전류 공급 라인 및 상기 절연 구조물 위에 형성되어 있다. 제 2 전극은 상기 유기 기능성 층 구조물 위에 형성되어 있다.
그 구조가 상기 전류 분배 구조물과 일치하는 상기 전류 공급 라인은 상기 내부 부분 구조물에 외부에서 전류를 공급하거나, 또는 상기 내부 부분 구조물로부터 외부로 전류를 배출하는 것을 가능하게 한다. 상기 전류 공급 라인의 구조가 상기 전류 분배 구조물과 일치함으로써, 상기 전류 공급 라인 및 상기 전류 분배 구조물은 상기 내부 부분 구조물 쪽으로 안내되고, 그리고 상기 절연 구조물 아래로 감춰지며, 그 결과 외부에서 상기 전류 분배 구조물의 전기적 절연을 위한 상기 절연 구조물 이외에 다른 구조물이 식별되지 않는다. 상기 내부 부분 구조물은 상기 광전자 컴포넌트의 내부 기능성 표면의 한 소자, 예컨대 하나 또는 다수의 OLED-소자의 한 소자이고, 상응하는 내부 기능성 표면이 의도한 기능을 충족하도록, 예를 들어 상기 광전자 컴포넌트의 작동 중에 발광하도록, 예컨대 균일하게 발광하도록 하며, 그리고/또는 상기 내부 기능성 표면 쪽으로 전류의 공급, 또는 상기 내부 기능성 표면으로부터 전류의 배출이 간단하게 이루어지도록 한다. 특히 그 구조가 상기 전류 분배 구조물과 일치하는 상기 전류 공급 라인에 의해 균일하게 전류 공급되고 자체적으로 지지 되는 상이한 발광면들이 규정될 수 있으며, 이때 이러한 전류 공급 라인은 외부에서 보이지 않는다.
상기 전류 분배 구조물은 2개 또는 그 이상의 기능성 표면에 걸쳐서 전류를 분배하기 위해 사용되고, 상기 전류 공급 라인은 내부 기능성 표면쪽으로 전류의 공급 또는 내부 기능성 표면으로부터 전류의 배출을 위해 사용된다. 이 경우, 우선 상기 전류 분배 구조물에 속하는 전류 분배 섹션들이 전류 안내용 전류 공급 라인으로서 이용될 수 있다. 다른 말로 하면, 버스 바들은 전류 분배를 위해서뿐만 아니라, 부품의 내부 깊은 곳에 형성된 발광면들 쪽으로 전류를 의도적으로 안내하기 위해서도 이용된다. 대안적으로 전류 공급 라인이 전류 분배 섹션들에 대해 추가적으로 형성될 수 있고, 이때 광전자 컴포넌트의 사용자는 상기 전류 공급 라인을 그 구조로 인해 외부에서 상기 전류 안내 섹션들로부터 구분하지 못한다.
일 개선예에 따르면, 전류 공급 라인의 구조는 전류 분배 구조물과 기하학적(geometric)으로 유사하다. 다시 말해, 상기 전류 공급 라인의 구조는 회전, 반사, 이동, 연신 및/또는 연장에 의해서 상기 전류 분배 구조물 상에 투영될 수 있다. 예를 들어 상기 전류 분배 구조물 내에서 발생하는 각도는 상기 전류 공급 라인 내에서 발생하는 각도에 상응하고, 그리고/또는 상기 전류 분배 구조물의 전류 안내 섹션들의 길이는 상기 전류 공급 라인의 전류 공급 라인 섹션들의 길이에 상응한다. 상기 기하학적 유사성에 의해, 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성될 수 있으며, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 상기 전류 분배 구조물과 함께 상기 절연 구조물 아래에 형성될 수 있다.
일 개선예에 따르면, 외부 부분 구조물은 일체형으로 형성되어 있고, 다수의 직선형 전류 분배 섹션을 포함하며, 이때 전류 공급 라인은 상기 전류 분배 섹션들에 이웃하여 진행한다. 특히 전류 공급 라인 섹션들이 상기 전류 분배 섹션들에 이웃하여 진행한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 상기 전류 공급 라인의 구조는 상기 전류 분배 구조물과 일치하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않으며, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 상기 전류 분배 구조물과 함께 상기 절연 구조물 아래에 형성될 수 있다.
일 개선에 따르면, 전류 공급 라인은 전류 분배 섹션들의 측면 옆에서, 또는 위에서 진행한다. 특히 전류 공급 라인 섹션들이 상기 전류 분배 섹션들의 측면 옆에서 또는 위에서 진행한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 상기 전류 공급 라인의 구조는 상기 전류 분배 구조물과 일치하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않으며, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 상기 전류 분배 구조물과 함께 상기 절연 구조물 아래에 형성될 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 공급 라인은 전류 분배 섹션들에 대해 평행하게 진행한다. 특히 전류 공급 라인 섹션들이 상기 전류 분배 섹션들에 대해 평행하게 진행한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 상기 전류 공급 라인의 구조는 상기 전류 분배 구조물과 일치하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않으며, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 상기 전류 분배 구조물과 함께 상기 절연 구조물 아래에 형성될 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 공급 라인은 내부 부분 구조물과 일체형으로 형성되어 있다. 예를 들어 상기 전류 공급 라인은 본래 전류 분배 구조물의 부분으로서 형성될 수 있고, 그런 다음 외부 부분 구조물로부터 전기적으로 절연될 수 있다. 이와 같은 상황에 의해, 상기 전류 공급 라인은 간단하게 형성될 수 있다.
일 개선예에 따르면, 외부 전극 세그먼트는 제 1 전극의 측면 에지와 내부 전극 세그먼트 사이에 형성되어 있다. 이와 같은 상황에 의해, 상기 내부 전극 세그먼트를 포함하는 내부 기능성 표면을 상기 외부 전극 세그먼트를 포함하는 외부 기능성 표면으로부터 독립적으로 작동시킬 수 있다.
일 개선예에 따르면, 내부 전극 세그먼트는 측면 방향으로 하나의 외부 전극 세그먼트, 하나의 추가 외부 전극 세그먼트 및/또는 다수의 외부 전극 세그먼트에 의해 둘러싸여 있다. 이와 같은 상황에 의해, 자체적으로 지지 되는, 다시 말해 모든 방향으로 에지로부터 간격을 두고 배치된, 상기 내부 전극 세그먼트를 포함하는 내부 기능성 표면을 상기 외부 전극 세그먼트를 포함하는 외부 기능성 표면으로부터 독립적으로 작동시킬 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 분배 구조물의 하나의 전류 분배 섹션 및 상기 전류 분배 섹션에 가장 가까운 전류 공급 라인의 전류 공급 라인 섹션은 절연 구조물의 일체형 절연 구조물 섹션에 의해 덮여 있다. 특히 상기 전류 분배 섹션 및 상기 전류 공급 라인 섹션의 연장 방향에 대해 수직인 단면에서 상기 절연 구조물 섹션의 상응하는 단면이 일체형으로 형성되어 있다. 다른 말로 하면, 상기 전류 분배 구조물의 절연을 위해 형성되어 있는 상기 절연 구조물은 상기 전류 공급 라인의 절연 및 커버를 위해서도 사용되며, 이때 상기 전류 공급 라인 섹션들은 상기 전류 분배 섹션들 가까이에서 진행함으로써, 이와 같은 전류 공급 라인 섹션들 및 전류 분배 섹션들은 동일한 절연 구조물 섹션에 의해 절연되고 덮인다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 상기 전류 공급 라인의 구조는 상기 전류 분배 구조물과 일치하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않는다.
일 개선예에 따르면, 전류 분배 구조물의 하나의 안내 섹션은 절연 구조물의 제 1 절연 구조물 섹션에 의해 덮여 있고, 상기 안내 섹션에 가장 가까운 전류 공급 라인의 전류 공급 라인 섹션은 상기 절연 구조물의 제 2 절연 구조물 섹션에 의해 덮여 있으며, 이때 상기 제 1 절연 구조물 섹션과 상기 제 2 절연 구조물 섹션은 물리적으로 서로 분리되어 있다. 특히 상기 전류 분배 섹션 및 상기 전류 공급 라인 섹션의 연장 방향에 대해 수직인 단면에서 상기 절연 구조물 섹션의 상응하는 단면이 2개의 부분으로 형성되어 있다. 다른 말로 하면, 하나의 전류 공급 라인 섹션 및 이웃한 전류 분배 섹션은 2개의 상이한 절연 구조물 섹션에 의해 절연되고 덮이지만, 이때 이와 같은 전류 공급 라인 섹션 및 전류 분배 섹션은 서로 가까이에 놓임으로써, 상기 전류 공급 라인 섹션 및 전류 분배 섹션은 사용자에 의해 외부에서 단일 절연 구조물 섹션으로서 인식된다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 상기 전류 공급 라인의 구조는 상기 전류 분배 구조물과 일치하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인은 외부에서 상기 전류 분배 구조물로부터 구분되지 않는다.
상기 과제는 추가의 일 양상에 따라, 광전자 컴포넌트의 제조 방법에 의해 해결된다. 상기 제조 방법에서는 제 1 전극의 측면 에지에 형성되어 있는 적어도 하나의 외부 전극 세그먼트 및 상기 제 1 전극의 에지로부터 간격을 두고 형성되어 있는 적어도 하나의 내부 전극 세그먼트를 포함하는 제 1 전극을 제공한다. 상기 제 1 전극 위에는, 적어도 상기 외부 전극 세그먼트에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트에 걸쳐서 연장되고 상기 외부 부분 구조물에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물을 포함하는 전기 전도성 전류 분배 구조물을 형성한다. 상기 외부 전극의 에지로부터 상기 내부 부분 구조물 쪽으로 연장되고, 상기 내부 부분 구조물에 전기적으로 결합되어 있으며, 상기 외부 부분 구조물로부터 전기적으로 절연되어 있고, 그리고 그 구조가 상기 전류 분배 구조물과 일치하는 적어도 하나의 전류 공급 라인을 형성한다. 상기 전류 분배 구조물 및 상기 전류 공급 라인 위에 절연 구조물을 형성한다. 상기 제 1 전극, 상기 전류 분배 구조물, 상기 전류 공급 라인 및 상기 절연 구조물 위에 유기 기능성 층 구조물을 형성한다. 상기 유기 기능성 층 구조물 위에 제 2 전극을 형성한다.
일 개선예에 따르면, 제 1 전극을 우선 일체형으로 형성하고, 그런 다음 전극 세그먼트들이 형성되도록 분리한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 전극 세그먼트들을 구비한 광전자 컴포넌트를 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성할 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 분배 구조물을 우선 일체형으로 형성하고, 그런 다음 부분 구조물들이 형성되도록 분리함으로써, 전류 분배 구조물을 형성한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 부분 구조물들을 구비한 광전자 컴포넌트를 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성할 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 공급 라인을 전류 분배 구조물에 의해 형성한다. 예를 들어, 우선 전류 분배 구조물이 광전자 컴포넌트의 전체 활성 영역에 걸쳐서 연장되도록 상기 전류 분배 구조물을 형성한다. 후속하여, 부분 구조물들 및 전류 공급 라인이 형성되도록, 상기 전류 분배 구조물의 전류 분배 섹션들을 나머지 전류 분배 구조물로부터 전기적으로 절연하는데, 예를 들어 상기 전류 분배 구조물의 연결부들을 분리하며, 이때 상기 전류 공급 라인과 내부 부분 구조물은 서로 연결된 상태로 유지되고 외부 부분 구조물에 대해 전기적으로 절연되어 있다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 전류 공급 라인들 및/또는 부분 구조물들을 구비한 광전자 컴포넌트를 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성할 수 있다. 특히 상기 전류 공급 라인을 간단하게 그리고/또는 비용 저렴하게 형성할 수 있다.
일 개선예에 따르면, 전류 공급 라인을 전류 분배 구조물에 대해 추가적으로 형성한다. 이와 같은 상황에 의해 간단한 방식으로, 다른 내부 기능성 표면들에 의해 둘러싸인 추가의 내부 기능성 표면들을 형성하고 그리고/또는 독립적으로 작동시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들은 도면들에 나타나 있고, 다음에서 더 상세하게 설명된다.
도 1은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 단면도이고,
도 2는 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 3은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 4는 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 1 상태에서 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 5는 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 2 상태에서 도 4에 따른 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 6은 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 3 상태에서 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 7은 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 대안적인 제 3 상태에서 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 8은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이며,
도 9는 도 8에 따른 전류 분배 구조물의 평면도이고,
도 10은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이며,
도 11은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이고,
도 12는 도 11에 따른 전류 분배 구조물의 평면도이며,
도 13은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 상세한 단면도이다.
도 1은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 단면도이고,
도 2는 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 3은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 4는 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 1 상태에서 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 5는 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 2 상태에서 도 4에 따른 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 6은 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 제 3 상태에서 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이며,
도 7은 광전자 컴포넌트의 제조 공정 동안에, 대안적인 제 3 상태에서 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역의 평면도이고,
도 8은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이며,
도 9는 도 8에 따른 전류 분배 구조물의 평면도이고,
도 10은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이며,
도 11은 전류 분배 구조물의 일 실시예의 상세한 단면도이고,
도 12는 도 11에 따른 전류 분배 구조물의 평면도이며,
도 13은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 상세한 단면도이다.
다음에 기술되는 상세 설명은 첨부된 도면들을 참조하며, 상기 도면들은 이와 같은 상세 설명의 부분을 형성하고, 상기 도면들에는 설명을 위해 본 발명이 구현될 수 있는 특수한 실시예들이 도시되어 있다. 이와 같은 관점에서 예컨대 "위", "아래", "앞", "뒤", "전방", "후방" 등과 같은 방향 용어는 기술된 도면(들)의 배향과 관련하여 사용된다. 실시예들의 구성 소자들이 다수의 상이한 배향으로 위치 설정될 수 있기 때문에, 상기 방향 용어는 설명을 위해 이용되고, 어떠한 방식으로도 제한되지 않는다. 본 발명의 보호 범주에서 벗어나지 않으면서, 다른 실시예들이 이용될 수 있고, 구조적인 또는 논리적인 변경들이 실시될 수 있는 것으로 이해된다. 특별히 달리 제시되어 있지 않는 한, 본 출원서에 기술된 상이한 실시예들의 특징들은 서로 조합될 수 있는 것으로 이해된다. 따라서 다음에서 기술되는 상세 설명은 제한된 개념으로 간주되지 않으며, 본 발명의 보호 범주는 첨부된 청구항들에 의해 규정된다.
이와 같은 상세 설명의 범주에서 "연결된", "접속된" 및 "결합 된"의 용어들은 직접적인 및 간접적인 연결부, 직접적인 또는 간접적인 접속부 및 직접적인 또는 간접적인 결합부를 기술하기 위해 사용된다. 바람직한 경우에 한해, 도면들에서 동일한 또는 유사한 부재들에는 동일한 도면 부호들이 제공된다.
광전자 컴포넌트는 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트 또는 전자기 방사선을 흡수하는 컴포넌트일 수 있다. 전자기 방사선을 흡수하는 컴포넌트는 예를 들어 태양 전지 또는 광 검출기일 수 있다. 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 상이한 실시예들에서 전자기 방사선을 방출하는 반도체 컴포넌트일 수 있고/있거나, 전자기 방사선을 방출하는 다이오드로서, 유기 전자기 방사선을 방출하는 다이오드로서, 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터로서 또는 유기 전자기 방사선을 방출하는 트랜지스터로서 형성될 수 있다. 상기 방사선은 예를 들어 가시광선, 자외선 및/또는 적외선일 수 있다. 이와 같은 맥락에서 상기 전자기 방사선을 방출하는 컴포넌트는 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Diode, LED)로서, 유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED)로서, 발광 트랜지스터로서 또는 유기 발광 트랜지스터로서 형성될 수 있다. 상기 발광 컴포넌트는 상이한 실시예들에서 통합 회로의 부분일 수 있다. 계속해서 다수의 발광 컴포넌트가 예를 들어 공동 하우징 내에 수용되어 제공될 수 있다.
도 1은 광전자 컴포넌트(1), 특히 유기 발광 다이오드(OLED)의 일 실시예를 도시한다.
상기 광전자 컴포넌트(1)는 캐리어(12)를 포함한다. 상기 캐리어(12) 상에는 광전자 층 구조물이 형성되어 있다. 상기 광전자 층 구조물은 제 1 콘택 섹션(16), 제 2 콘택 섹션(18) 및 제 1 전극(20)을 포함하는 제 1 전기 전도층(14)을 포함한다. 상기 제 1 전기 전도층(14)을 구비한 상기 캐리어(12)는 기판으로서 표현될 수 있다. 상기 제 2 콘택 섹션(18)은 광전자 층 구조물의 상기 제 1 전극(20)에 전기적으로 결합되어 있다. 상기 제 1 전극(20)은 전기 절연 배리어(21)에 의해 상기 제 1 콘택 섹션(16)으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 상기 제 1 전극(20) 위에는 광전자 층 구조물의 광학 기능성 층 구조물, 예컨대 유기 기능성 층 구조물(22)이 형성되어 있다. 상기 유기 기능성 층 구조물(22)은 예를 들어 1개, 2개 또는 그 이상의 중첩되어 형성된 부분 층을 포함할 수 있고, 이는 계속해서 아래에서 도 13과 관련하여 더 상세하게 설명된다. 상기 유기 기능성 층 구조물(22) 위에는 광전자 층 구조물의 제 2 전기 전도층, 특히 제 2 전극(23)이 형성되어 있고, 상기 제 2 전극은 상기 제 1 콘택 섹션(16)에 전기적으로 결합되어 있다.
상기 제 1 전극(20)은 예를 들어 광전자 층 구조물의 애노드 또는 캐소드로서 이용된다. 상기 제 2 전극(23)은 상기 제 1 전극(20)에 대응하도록 광전자 층 구조물의 캐소드 또는 애노드로서 이용된다.
상기 광전자 컴포넌트(1)는 세그먼트화되어 있고, 외부 세그먼트 및 내부 세그먼트를 포함한다. 상기 외부 세그먼트는 외부 기능성 표면을 형성하고, 그리고 상기 내부 세그먼트는 내부 기능성 표면을 형성한다. 상기 외부 세그먼트는 외부 발광 다이오드 소자(50)에 의해 형성되어 있다. 상기 내부 세그먼트는 내부 발광 다이오드 소자(52)에 의해 형성되어 있다. 상기 외부 발광 다이오드 소자(50)는 상기 광전자 컴포넌트(1)의 광학 활성 영역의 측면 에지를 형성한다. 상기 내부 발광 다이오드 소자(52)는 상기 측면 에지로부터 간격을 두고 배치되어 있다. 상기 외부 발광 다이오드 소자(50)는 상기 내부 발광 다이오드 소자(52)와 상기 측면 에지 사이에 형성되어 있다. 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)은 유기 기능성 층 구조물(22)의 서로 분리된 세그먼트들 및 상기 제 1 전극(20)의 서로 분리된 세그먼트들을 포함한다. 특히 상기 제 1 전극(20)은 상기 외부 발광 다이오드 소자(50)의 외부 전극 세그먼트(51) 및 상기 내부 발광 다이오드 소자(52)의 내부 전극 세그먼트(53)를 포함한다. 상기 광전자 컴포넌트(1)가 더 많거나 또는 더 적은 세그먼트를 포함하는 경우, 상기 제 1 전극(20)은 그에 상응하게 더 많거나 또는 더 적은 전극 세그먼트(51, 53)를 포함한다. 상기 발광 다이오드 소자들(50, 51)은 세그먼트화되지 않은 상기 제 2 전극(23)을 나누어 갖는다. 상기 전극 세그먼트들(51, 53)은 도시되어 있지 않은, 서로 전기적으로 절연된 상기 제 2 콘택 섹션(18)의 상이한 영역들에 전기적으로 결합되어 있고, 그 결과 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)은 서로 독립적으로 작동될 수 있다. 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)은 전기적으로 병렬 접속되어 있다.
상기 제 1 전극(20) 위에는 전기 전도성 전류 분배 구조물(60)이 형성되어 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 상기 제 1 전극(20)에 직접 물리적으로 접촉하도록 형성되어 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 상기 광전자 컴포넌트의 광학 활성 영역에 걸쳐서 전류를 분배하기 위해 이용된다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 버스 바-구조물로서 표현될 수도 있다.
상기 전류 분배 구조물(60) 위에는 절연 구조물(61)이 형성되어 있다. 상기 절연 구조물(61)은 상기 전류 분배 구조물(60)을 덮고 이와 같은 전류 분배 구조물을 상기 유기 기능성 층 구조물(22)에 대해 전기적으로 절연한다. 상기 절연 구조물(61)은 투과성을 갖도록 형성되어 있다. 상기 절연 구조물(61)을 위해서는 투명 재료들이 사용될 수 있는데, 예를 들어 광활성 폴리이미드 래커, 노볼락 수지 및/또는 에폭시드 수지가 사용될 수 있다. 상기 투명 재료들은 오로지 몇몇 파장 범위들에서만 투과성을 갖고, 다른 파장 범위들에서는 투과성을 갖지 않고/않거나 흡수 작용할 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60) 및 상기 절연 구조물(61)은 도 1에서 설명을 위해 전체 광전자 컴포넌트(1)를 기준으로 비교적 크게 묘사되어 있다. 실제로 상기 전류 분배 구조물(60) 및/또는 상기 절연 구조물(61)은 현저히 더 작게 형성될 수 있다.
상기 제 2 전극(23) 위, 그리고 부분적으로 상기 제 1 콘택 섹션(16) 위, 그리고 부분적으로 상기 제 2 콘택 섹션(18) 위에는 광전자 층 구조물의 인캡슐레이션 층(encapsulation layer)(24)이 형성되어 있고, 상기 인캡슐레이션 층은 상기 광전자 층 구조물을 밀봉한다. 상기 인캡슐레이션 층(24) 내에는 상기 제 1 콘택 섹션(16) 위에 상기 인캡슐레이션 층(24)의 제 1 리세스 및 상기 제 2 콘택 섹션(18) 위에 상기 인캡슐레이션 층(24)의 제 2 리세스가 형성되어 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)의 상기 제 1 리세스 내에는 제 1 콘택 영역(32)이 노출되어 있고, 그리고 상기 인캡슐레이션 층(24)의 제 2 리세스 내에는 제 2 콘택 영역(34)이 노출되어 있다.
상기 제 1 콘택 영역(32)은 상기 제 1 콘택 섹션(16)의 전기적 콘택팅을 위해 이용되고, 그리고 상기 제 2 콘택 영역(34)은 상기 제 2 콘택 섹션(18)의 전기적 콘택팅을 위해 이용된다.
상기 인캡슐레이션 층(24) 위에는 접착제 층(36)이 형성되어 있다. 상기 접착제 층(36) 위에는 커버 몸체(38)가 형성되어 있다.
상기 접착제 층(36)은 상기 커버 몸체(38)를 상기 인캡슐레이션 층(24)에 접착하기 위해 이용된다. 상기 커버 몸체(38)는 예를 들어 외부의 기계적 힘 작용으로부터 상기 광전자 컴포넌트(1)를 보호하기 위해 이용된다. 또한, 상기 커버 몸체(38)는 상기 광전자 컴포넌트(1) 내에서 발생하는 열의 분배 및/또는 배출을 위해 이용될 수 있다. 상기 기판은 상기 커버 몸체(38) 아래에서 측면으로 돌출한다.
대안적으로 광전자 컴포넌트(1)는 2개 또는 그 이상의 외부 발광 다이오드 소자(50) 및 그에 상응하는 외부 전극 세그먼트들(51)을 포함하고, 그리고/또는 2개 또는 그 이상의 내부 발광 다이오드 소자(52) 및 그에 상응하는 내부 전극 세그먼트들(53)을 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)은 예를 들어, 이러한 발광 다이오드 소자들을 이용하여 기호, 심볼, 숫자, 문자 또는 이미지를 나타내도록 형성될 수 있다. 또한, 다른 내부 발광 다이오드 소자들(52)에 의해 완전히 둘러싸인 내부 발광 다이오드 소자들(52)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)에서 상기 제 1 전극(20) 대신에 상기 제 2 전극(23)이 세그먼트화될 수 있고, 그리고/또는 상기 제 1 전극(20)은 세그먼트화될 수 없고/없거나 일체형으로 형성될 수 없다. 또한, 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)은 동일한 유기 기능성 층 구조물(22)을 포함할 수 있다. 다른 말로 하면, 상기 유기 기능성 층 구조물(22)은 세그먼트화되지 않을 수 있고 분리된 세그먼트들을 포함하지 않을 수 있다. 예를 들어 상기 유기 기능성 층 구조물(22)은, 자체 색상 및 광도와 관련하여 유사하고, 그리고/또는 단지 개별적으로, 다시 말해 서로 독립적으로 스위치-온 또는 스위치-아웃 되는 발광 다이오드 소자들(50, 52)에 의해 분리되지 않을 수 있다. 그에 반해, 상기 발광 다이오드 소자들(50, 52)이 자체 색상 및 광도와 관련하여 현저히 상이하게 구현되는 경우, 예를 들어 20% 이상의 광도차가 있는 경우에는 세그먼트화된 유기 기능성 층 구조물(22)이 바람직하다. 또한, 상기 절연 구조물(61)은 투과성을 갖지 않도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 기판과 상기 커버 몸체(38)는 그들의 측면 에지에서 동일한 평면상에 또는 거의 동일한 평면상에 형성될 수 있고, 이때 커버 몸체(38) 및/또는 캐리어(12) 내에 있는 리세스 및/또는 홀을 통해 상기 콘택 영역들(32, 34)의 콘택팅이 이루어질 수 있다. 또한, 상기 캐리어(12)가 생략될 수 있고, 상기 제 1 전기 전도층(14)이 캐리어로서 사용될 수 있다. 또한, 상기 커버 몸체(38)가 생략될 수 있다. 상기 광전자 컴포넌트(1)는 예컨대 가요성을 갖도록 형성될 수 있다.
도 2는 광전자 컴포넌트(1)의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도를 도시한다. 상기 광전자 컴포넌트(1)는 예를 들어 도 1에 도시된 광전자 컴포넌트(1)에 전반적으로 상응하도록 형성될 수 있다. 상기 광학 활성 영역은 상기 광전자 컴포넌트(1)가 전자기 방사선, 예컨대 광을 방사하는 영역이다. 상기 광학 활성 영역은 평면도에서 직사각형으로 형성되어 있다. 상기 광학 활성 영역의 측면 에지(55)는 외부 발광 다이오드 소자(50)에 의해, 특히 외부 전극 세그먼트(51)에 의해 형성되어 있다. 내부 전극 세그먼트(53)는 직사각형으로 형성되어 있다. 내부 발광 다이오드 소자(52) 및 특히 내부 전극 세그먼트(53)는 상기 외부 발광 다이오드 소자(50) 또는 상기 외부 전극(51)에 의해 완전히 둘러싸여 있다. 다른 말로 하면, 상기 외부 전극(51)은 상기 내부 전극(53)과 상기 측면 에지(55) 사이에 형성되어 있다.
절연 구조물(61)은 상기 광전자 컴포넌트(1)의 전체 광학 활성 영역에 걸쳐서 일체형으로 연장된다. 도 2에서 상기 절연 구조물(61)에 의해 덮여 있는 전류 분배 구조물(60)은 상기 광전자 컴포넌트(1)의 전체 광학 활성 영역에 걸쳐서 일체형으로 연장되지 않는다. 특히 상기 전류 분배 구조물(60)은 서로 전기적으로 절연된 부분 구조물들을 포함하고, 이는 계속해서 아래에서 더 상세하게 설명된다. 뿐만 아니라, 상기 절연 구조물(61) 아래에는 추가로 하나 또는 다수의 전류 공급 라인이 형성되어 있고, 이는 계속해서 아래에서 더 상세하게 설명된다. 그에 따라, 상기 광전자 컴포넌트(1)의 사용자는 외부에서 단지 상기 절연 구조물(61)만을 인식하고, 이는 도 2에 도시되어 있다.
상기 절연 구조물(61)은 다수의 규칙적인 육각형을 구비한 육각형 격자(hexagonal grid)를 형성한다. 상기 절연 구조물(61)은 예를 들어 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한, 다시 말해 부분 파장 범위에서 투명한 재료에 의해 형성될 수 있거나, 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한 재료를 포함할 수 있다. 상기 재료는 예를 들어 광활성 폴리이미드 래커, 노볼락 수지 및/또는 에폭시드 수지를 포함할 수 있다. 상기 내부 발광 다이오드 소자(52) 및/또는 상기 내부 전극 세그먼트(53)의 구조는 상기 절연 구조물(16)과 무관하다. 다른 말로 하면, 상기 내부 전극 세그먼트(53)의 구조와 상기 절연 구조물(61)은 서로 일치하지 않는다.
상기 외부 발광 다이오드 소자(50)는 외부 기능성 표면을 형성한다. 상기 내부 발광 다이오드 소자(52)는 내부 기능성 표면을 형성하고, 이는 도 2에서 빗금으로 표시되어 있다. 상기 외부 기능성 표면 및 상기 내부 기능성 표면은 상기 광전자 컴포넌트(1)의 작동중에 전자기 방사선, 예컨대 광의 방출을 위해 이용된다. 상기 광전자 컴포넌트(1)의 사용자는 이러한 광전자 컴포넌트(1)의 작동중에 상기 내부 및/또는 상기 외부 기능성 표면을 발광면으로서 인식한다. 상기 광전자 컴포넌트(1)의 작동중에 상기 내부 기능성 표면은 상기 외부 기능성 표면으로부터 독립적으로 작동될 수 있는데, 예를 들어 구동 및/또는 제어될 수 있다. 예를 들어 상기 광전자 컴포넌트(1)는, 오로지 상기 내부 기능성 표면만이 발광하거나, 오로지 상기 외부 기능성 표면만이 발광하도록, 또는 2개의 표면이 동시에, 또는 시차를 두고 발광하도록, 예컨대 교대로 또는 시간적으로 중첩되어 발광하도록 구동될 수 있다.
대안적으로 절연 구조물(61)은 6개 미만의 각, 예컨대 3개, 4개 또는 5개의 각을 구비한 다각형 또는 6개 이상의 각을 구비한 다각형을 가질 수 있다. 또한, 상기 내부 발광 다이오드 소자(52) 및/또는 상기 외부 발광 다이오드 소자(50)는 다른 형태를 가질 수 있는데, 예를 들어 4개 이상 또는 미만의 각을 구비한 다각형을 갖거나, 또는 둥근 형태, 예컨대 타원형 또는 원형을 가질 수 있다. 또한, 상기 내부 발광 다이오드 소자(52) 및/또는 상기 내부 전극 세그먼트(53)는 기호, 심볼, 문자, 숫자 및/또는 이미지의 형태를 가질 수 있다. 또한, 다수의 내부 발광 다이오드 소자(52)가 형성될 수 있고, 상기 내부 발광 다이오드 소자들을 이용하여 문자 및/또는 숫자를 나타낼 수 있다. 또한, 상기 외부 기능성 표면 및/또는 상기 내부 기능성 표면은 상기 광전자 컴포넌트(1)의 작동중에, 예를 들어 광 검출을 위해, 또는 에너지 발생을 위해 전자기 방사선을 흡수할 목적으로 이용될 수 있다.
도 3은 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도를 도시하는데, 상기 광전자 컴포넌트는 예를 들어 앞에서 설명된 광전자 컴포넌트(1)에 전반적으로 상응하도록 형성되어 있다. 상기 광전자 컴포넌트(1)에서 내부 전극 세그먼트(53)의 구조는 절연 구조물(61)과 일치한다. 특히 상기 내부 전극 세그먼트(53)의 에지는 상기 절연 구조물(61)을 따라서, 그리고/또는 상기 절연 구조물(61)에 대해 평행하게 진행한다. 그에 따라, 내부 기능성 표면의 구조는 상기 절연 구조물(61)과 일치한다.
도 4는 광전자 컴포넌트(1)의 제조 공정 동안에, 광전자 컴포넌트의 일 실시예의 광학 활성 영역의 평면도를 도시하는데, 상기 광전자 컴포넌트는 예를 들어 앞에서 설명된 광전자 컴포넌트(1)에 전반적으로 상응한다. 특히 도 4는 제 1 전극(20)이 평평하게, 그리고 세그먼트화되지 않은 형태로 형성되어 있는 상기 광전자 컴포넌트(1)의 제 1 상태를 도시한다. 전류 분배 구조물(60)은 상기 제 1 전극(20) 위에, 특히 상기 제 1 전극(20) 상에 형성되어 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 상기 제 1 상태에서 상기 제 1 전극(20)에 걸쳐서 연속하는 네트를 형성한다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 육각형 버스 바 격자로서 표현될 수도 있다.
상기 전류 분배 구조물(60)은 다수의 전류 분배 섹션(80)에 의해 형성되어 있다. 상기 전류 분배 섹션들(80)은 직선형이고, 한 쌍으로 각각 120°의 각도를 형성한다. 상기 전류 분배 섹션들(80)은 다수의 규칙적인 육각형을 구비한 육각형 격자를 형성한다. 상기 전류 분배 구조물(60)의 구조는 절연 구조물(61)에 반영되는데, 그 이유는 상기 절연 구조물(61)이 상기 전류 분배 구조물(60)을 덮기 때문이다. 상기 전류 분배 구조물(60)과 상기 절연 구조물(61)은 서로 일치한다.
상기 전류 분배 섹션들(80)은 금속을 포함하거나, 또는 금속에 의해 형성되어 있다. 상기 금속은 예를 들어 은, 구리, 금 및/또는 알루미늄을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로 전류 분배 섹션들(80)은 탄소 나노 튜브들, 예컨대 단일벽- 또는 다중벽-탄소 나노 튜브들을 포함하고, 그리고/또는 전기 전도성 금속 산화물, 예컨대 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 아연 산화물 및/또는 니켈 산화물을 포함할 수 있거나, 또는 상기 탄소 나노 튜브들 및/또는 상기 전기 전도성 산화물에 의해 형성될 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 상기 제 1 전극(20)의 금속화층으로서 구현될 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 예컨대 700㎚의 높이를 가질 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 평행한 방향으로 예컨대 ...의 폭을 가질 수 있다. 경우에 따라, 상기 절연 구조물은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 10㎛의 높이를 가질 수 있다. 상기 절연 구조물은 도면 평면에 대해 평행한 방향으로 예컨대 ...의 폭을 가질 수 있다.
다음에서 절연 구조물(61)은 전류 분배 구조물(60) 위에 형성될 수 있다.
도 5는 광전자 컴포넌트(1)의 제조 공정 동안에, 말하자면 제 2 상태에서 도 4에 따른 광전자 컴포넌트(1)의 광학 활성 영역의 평면도를 도시한다. 특히 도 5는 도 4에 따른 전류 분배 구조물(60)을 구비한 제 1 전극(20)을 도시하고, 이때 상기 전류 분배 구조물(60) 및 경우에 따라 절연 구조물(61)은 국부적으로 분리되어 있는데, 예를 들어 절단되어 있다.
상기 전류 분배 구조물(60)은, 기존의 전류 분배 구조물(60)에 의해 전류 공급 라인(62), 외부 부분 구조물(64) 및 내부 부분 구조물(66)이 형성되도록 분리되어 있다. 상기 내부 부분 구조물(66)은 자체적으로 연속적으로, 일체형으로 형성되어 있고, 그리고 경우에 따라 상기 절연 구조물(61) 아래에 형성되어 있다. 상기 외부 부분 구조물(64)은 자체적으로 연속적으로, 일체형으로 형성되어 있고, 그리고 경우에 따라 상기 절연 구조물(61) 아래에 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인(62)은 자체적으로 연속적으로, 일체형으로 형성되어 있고, 그리고 경우에 따라 상기 절연 구조물(61) 아래에 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인(62)과 상기 내부 부분 구조물(66)은 연속적으로 그리고 일체형으로 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인(62)과 상기 내부 부분 구조물(66)은 서로 전기적으로 결합되어 있다. 상기 전류 공급 라인(62) 및 상기 내부 부분 구조물(66)은 상기 외부 부분 구조물(64)로부터 전기적으로 절연되어 있다.
상기 전류 공급 라인(62)은 다수의 전류 공급 라인 섹션(82)을 포함하거나, 또는 이와 같은 다수의 전류 공급 라인 섹션(82)에 의해 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 기존에, 다시 말해 상기 전류 분배 구조물(60)의 분리 공정 이전에, 전류 분배 섹션들(80)에 의해 형성되어 있고, 상기 분리 공정 이후에는 전류 공급 라인 섹션들(82)로 표현된다. 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치한다. 특히 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 기하학적으로 유사하다. 특히 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 수학적으로 회전, 반사 및/또는 이동에 의해 상기 전류 분배 구조물(60) 상에 투영될 수 있다. 특히 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 직선형으로 형성되어 있고, 한 쌍으로 각각 120°의 각도를 형성한다. 특히 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 상기 전류 분배 섹션들(80)에 대해 평행하게 형성되어 있다.
절연 구조물(61)이 아직 형성되어 있지 않은 경우, 이와 같은 절연 구조물(61)은 이제 상기 전류 분배 구조물(60) 위에, 특히 상기 내부 부분 구조물(66) 및 상기 외부 부분 구조물(64) 위에, 그리고 상기 전류 공급 라인(62) 위에 형성될 수 있다.
도 6은 제조 공정 동안에, 제 3 상태에서 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(1)의 광학 활성 영역을 도시한다. 제 1 전극(20)은 경로(90)를 따라 분리되어 있는데, 특히 절단되어 있다. 상기 경로(90)의 구조는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 전류 분배 구조물(60)과 일치한다. 특히 상기 경로(90)의 구조는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 상기 전류 분배 구조물(60)과 기하학적으로 유사하다. 특히 상기 경로(90)는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 상기 전류 공급 라인(62)에 대해 측면 옆에서, 이웃하여 그리고 평행하게 진행한다.
상기 경로(90)의 구조는 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하지 않는다. 특히 상기 경로(90)의 구조는 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 상기 전류 분배 구조물(60)과 기하학적으로 유사하지 않다. 상기 경로(90)는 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 분배 구조물(60)로부터 독립적으로 진행한다.
상기 제 1 전극(20)의 분리 공정은 상기 제 1 전극(20)의 세그먼트화로서 표현될 수도 있다. 상기 분리 공정에 의해 상기 외부 전극(51)과 상기 내부 전극(53)은 서로 전기적으로 절연되어 있다. 뿐만 아니라, 상기 전류 공급 라인(62)은 상기 외부 전극(51)으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 또한, 상기 세그먼트화는 내부 기능성 표면의 구조 및 외부 기능성 표면의 구조를 규정한다. 도 6에 나타나 있는 구조에 의해 도 2에 도시된 기능성 표면들이 생성된다. 선택적으로 상기 제 2 전극(20)의 분리 공정 및 상기 전류 분배 구조물(60)의 분리 공정은 하나의 작업으로, 다시 말해 하나의 단계에 의해 실시될 수 있다.
절연 구조물(61)이 아직 형성되어 있지 않은 경우, 이와 같은 절연 구조물은 이제 상기 전류 분배 구조물(60) 위에, 특히 내부 부분 구조물(66) 및 외부 부분 구조물(64) 위에, 그리고 상기 전류 공급 라인(62) 위에 형성될 수 있다.
도 7은 제조 공정 동안에, 대안적인 제 3 상태에서 도 5에 따른 광전자 컴포넌트(1)의 광학 활성 영역을 도시하는데, 상기 대안적인 제 3 상태에서 제 1 전극(20)은 도 5에 나타나 있는 제 2 상태에서 경로(90)를 따라 분리되어 있다. 상기 경로(90)의 구조는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 그리고 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 전류 분배 구조물(60)과 일치한다. 특히 상기 경로(90)의 구조는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 그리고 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 공급 라인(62)의 구조 및 상기 전류 분배 구조물(60)과 기하학적으로 유사하다. 특히 상기 경로(90)는 전류 공급 라인(62)의 영역에서 그리고 내부 전극(53)과 외부 전극(51) 사이에서 상기 전류 공급 라인(62) 또는 상기 전류 분배 구조물(60)에 대해 측면 옆에서, 이웃하여, 그리고 평행하게 진행한다.
상기 제 1 전극(20)의 분리 공정은 상기 제 1 전극(20)의 세그먼트화로서 표현될 수도 있다. 상기 분리 공정에 의해 상기 외부 전극(51)과 상기 내부 전극(53)은 서로 전기적으로 절연되어 있다. 뿐만 아니라, 상기 전류 공급 라인(62)은 상기 외부 전극(51)으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 또한, 상기 세그먼트화는 내부 기능성 표면의 구조 및 외부 기능성 표면의 구조를 규정한다. 도 7에 나타나 있는 구조에 의해 도 3에 도시된 기능성 표면들이 생성된다. 선택적으로 상기 제 1 전극(20)의 분리 공정 및 상기 전류 분배 구조물(60)의 분리 공정은 하나의 작업으로, 다시 말해 하나의 단계에 의해 실시될 수 있다.
절연 구조물(61)이 아직 형성되어 있지 않은 경우, 이와 같은 절연 구조물은 이제 상기 전류 분배 구조물(60) 위에, 특히 내부 부분 구조물(66) 및 외부 부분 구조물(64) 위에, 그리고 상기 전류 공급 라인(62) 위에 형성될 수 있다.
앞에서 설명된 광전자 컴포넌트(1)의 제조 방법에서, 전류 공급 라인(62)이 본래 전류 분배 구조물(60)에 속하는 전류 분배 섹션들(80)에 의해 형성된다는 점에서, 전류 분배 구조물(60)은 전류 공급 라인(62)을 제조하기 위해 사용된다. 이와 같은 사실은 자동으로, 상기 전류 공급 라인(62)의 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하도록 한다. 이와 반대로, 다음에서 기술되는 도 8 내지 도 12에서는 전류 공급 라인(62)이 전류 분배 구조물(60)에 대해 추가적으로 형성되는 광전자 컴포넌트(1)의 실시예들이 기술된다. 이와 같은 실시예들에서도 전류 공급 라인(62)의 구조가 전류 분배 구조물(60)과 일치하도록 전류 공급 라인(62)이 형성된다.
전류 공급 라인(62)의 구조가 전류 분배 구조물(60)과 일치한다는 사실은, 예를 들어, 상기 전류 공급 라인(62)의 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)의 구조와 기하학적으로 유사하고, 상기 전류 공급 라인(62)의 전류 공급 라인 섹션들(82)은 상기 전류 분배 구조물(60)의 전류 분배 섹션들(80)에 대해 이웃하여 형성되어 있으며, 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 상기 전류 분배 섹션들(80)에 대해 평행하게 형성되어 있고, 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 상기 전류 분배 섹션들(80)의 측면 옆에서 또는 수직 방향으로 위에서 형성되어 있으며, 상기 전류 공급 라인 섹션들(82)은 상기 전류 분배 섹션들(80) 가까이에 형성되어 있음으로써, 광전자 컴포넌트(1)의 사용자는 외부에서 이와 같은 전류 공급 라인 섹션들 및 전류 분배 섹션들을 개별 소자들로서 해체하지 못하고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인 섹션들 및 전류 분배 섹션들은 절연 구조물(61)의 절연 구조물 섹션 아래에 배치되어 있고, 그리고/또는 상기 전류 공급 라인(62)은 상기 전류 분배 구조물(60)을 전기적으로 절연하기 위한 상기 절연 구조물(61)에 의해 덮여 있다는 것을 의미한다.
도 8은 전류 분배 구조물(60)의 일 실시예의 상세한 단면도를 도시한다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 평면도에서 예를 들어 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 전류 분배 구조물들(60)에 따라 형성될 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 전류 분배 섹션(80)을 포함한다. 상기 전류 분배 섹션(80)은 절연 구조물 섹션(84)에 의해 덮여 있다. 상기 절연 구조물 섹션(84)은 전체 전류 분배 구조물(60)에 걸쳐서 연장되는 절연 구조물(61)의 부분이다. 상기 전류 분배 섹션(80)은 전극층(14) 상에 형성되어 있다. 상기 절연 구조물 섹션(84)은 도면 평면에 대해 수직 방향으로, 상기 도면 평면에 놓인 상기 절연 구조물 섹션(84)의 폭보다 작은 길이를 갖는다.
전류 공급 라인(62)은 전기 전도성 재료에 의해 형성되어 있는 전류 공급 라인 섹션(82)을 포함한다. 상기 전류 공급 라인 섹션(82)은 상기 전류 분배 섹션(80)에 대해 추가적으로 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인 섹션(82)은 전극층(14) 상에 형성되어 있다. 상기 전류 공급 라인 섹션(82)은 상기 전류 분배 섹션(80)의 측면 옆에 배치되어 있는데, 말하자면 이와 같은 전류 분배 섹션에 대해 이웃하여, 상기 전류 공급 라인 섹션 및 전류 분배 섹션이 동일한 절연 구조물 섹션(84)에 의해 덮이도록 가까이에 배치되어 있다. 또한, 상기 전류 공급 라인 섹션(82)과 상기 전류 분배 섹션(80)은 서로 이웃하여, 그리고 서로 평행하게 형성되어 있다. 그에 따라 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하도록 형성되어 있다.
완성된 광전자 컴포넌트(1)에서는 외부에서 오로지 일반적으로 투과성을 갖지 않는 절연 구조물(61)만이 식별된다. 상기 절연 구조물(61)은 상기 전류 공급 라인(62)으로부터 독립적으로 상기 전류 분배 구조물(60)을 전기적으로 절연하기 위해 형성되어 있다. 따라서, 상기 전류 공급 라인(62)을 상기 전류 분배 구조물(60)과 동일한 절연 구조물(84) 아래에 형성하는 것은 상기 광전자 컴포넌트(1)의 상응하는 기능성 표면의 추가 광학적 제약을 나타내지는 않는다.
선택적으로, 1개, 2개 또는 그 이상의 전기 라인, 예컨대 전류 공급 라인이 서로 이웃하여, 그리고 동일한 절연 구조물 섹션(84) 아래에 배치될 수 있다.
도 9는 도 8에 따른 전류 분배 구조물(60)의 평면도를 도시한다.
상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 예컨대 700㎚의 높이를 가질 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 평행하게 예컨대 ...의 폭을 가질 수 있다. 경우에 따라, 절연 구조물은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 10㎛의 높이를 가질 수 있다. 상기 절연 구조물(61)은 예를 들어 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한, 다시 말해 부분 파장 범위에서 투명한 재료에 의해 형성될 수 있거나, 또는 이와 같은 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한 재료를 포함할 수 있다. 상기 재료는 예를 들어 광활성 폴리이미드 래커, 노볼락 수지 및/또는 에폭시드 수지를 포함할 수 있다.
도 10은 전류 분배 구조물(60)의 일 실시예의 상세한 단면도를 도시한다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 평면도에서 예를 들어 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 전류 분배 구조물들(60)에 따라 상응하게 형성될 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60) 및 전류 공급 라인(62)은 도 8에 도시된 전류 인입선 및 전류 공급 라인(62)에 전반적으로 상응하게 형성되어 있고, 이때 전류 분배 섹션(80)은 제 1 절연 구조물 섹션(86)에 의해 덮여 있고 전기적으로 절연되어 있으며, 그리고 전류 공급 라인 섹션(82)은 제 2 절연 구조물 섹션(88)에 의해 덮여 있고 전기적으로 절연되어 있다. 상기 제 1 절연 구조물 섹션(86)과 상기 제 2 절연 구조물 섹션(88)은 서로 물리적으로 분리되어 있다. 그러나 상기 제 1 절연 구조물 섹션(86)과 상기 제 2 절연 구조물 섹션(88)은 서로 가까이에서 이웃하여 배치됨으로써, 상기 제 1 절연 구조물 섹션 및 제 2 절연 구조물 섹션은 광전자 컴포넌트(1)의 사용자에 의해 외부에서 일체형 구조물로서 인식되고, 분리된 구조물들로서 해체될 수 없다. 또한, 상기 전류 공급 라인 섹션(82)과 상기 전류 분배 섹션(80)은 서로 이웃하여, 그리고 서로 평행하게 형성되어 있다. 그에 따라 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하도록 형성되어 있다.
선택적으로, 1개, 2개 또는 그 이상의 전기 라인, 예컨대 전류 공급 라인이 서로 이웃하여, 그리고 추가의 절연 구조물 섹션들 아래에 배치될 수 있다.
도 11은 전류 분배 구조물(60)의 일 실시예의 상세한 단면도를 도시한다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 평면도에서 예를 들어 도 2, 도 3 및 도 4에 도시된 전류 분배 구조물들(60)에 따라 형성될 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60) 및 전류 공급 라인(62)은 도 8에 도시된 전류 분배 구조물(60) 또는 전류 공급 라인(62)에 전반적으로 상응하게 형성되어 있고, 이때 전류 공급 라인 섹션(82)은 전류 분배 섹션(80)의 수직 방향 위에서 형성되어 있다. 또한, 상기 전류 공급 라인 섹션(82)과 상기 전류 분배 섹션(80)은 서로 이웃하여, 그리고 서로 평행하게 형성되어 있다. 그에 따라 상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하도록 형성되어 있다. 광학 활성 영역의 평면도에서 상기 전류 공급 라인(62)은 상기 전류 분배 구조물(60)에 대해 추가적인 구조물로서 식별되지 않는다.
상기 전류 공급 라인(62)을 상기 전류 분배 구조물(60) 위에 형성하는 것은, 예를 들어 프린팅(printing)에 의해 이루어질 수 있다. 예를 들어 프린팅에 의해, 예컨대 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅 또는 닥터 블레이드 공정에 의해 전류 분배 섹션(80), 그런 다음 절연 구조물 섹션(84)의 재료, 그리고 나서 전류 공급 라인 섹션(82)이 연속적으로, 그리고 중첩적으로 형성될 수 있다.
선택적으로, 1개, 2개 또는 그 이상의 전기 라인, 예컨대 전류 공급 라인이 중첩적으로, 그리고 동일한 절연 구조물 섹션(84) 아래에 배치될 수 있다.
도 12는 도 11에 따른 전류 분배 구조물(60)의 평면도를 도시한다.
상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 예컨대 700㎚의 높이를 가질 수 있다. 상기 전류 분배 구조물(60)은 도면 평면에 대해 평행하게 예컨대 ...의 폭을 가질 수 있다. 경우에 따라, 절연 구조물은 도면 평면에 대해 수직 방향으로 10㎛의 높이를 가질 수 있다. 상기 절연 구조물(61)은 예를 들어 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한, 다시 말해 부분 파장 범위에서 투명한 재료에 의해 형성될 수 있거나, 또는 이와 같은 투명한, 또는 적어도 부분적으로 투명한 재료를 포함할 수 있다. 상기 재료는 예를 들어 광활성 폴리이미드 래커, 노볼락 수지 및/또는 에폭시드 수지를 포함할 수 있다.
내부 기능성 표면이 대략 10㎠의 표면적을 갖고, 2.5mA/㎠의 전류 밀도를 필요로 하는 경우, 전류 공급 라인(62)은 6V에서 25mA의 전류를 문제없이 운반할 수 있어야 한다. 예컨대 0.125V의 전압 강하를 허용할 경우, 4Ω(R=U/I; 125V/25A=5Ω)의 최대 허용 저항이 주어진다. 도체 트랙의 저항은 R=rho*길이/단면적의 식에 의해 계산될 수 있고, 이때 rho는 도체 트랙 재료의 특수 비저항(specific resistance)이다. 알루미늄의 경우, rho_Alu=2.6510*10-2Ω ㎟/m가 적용된다.
알루미늄으로부터 형성되어 있고, 그 전류 공급 라인 섹션들(82)이 상응하는 전류 분배 섹션들(80)과 동일한 절연 구조물 섹션들(84) 아래에 형성되어 있는, 70㎛의 폭, 4.2㎛의 높이 및 5㎝의 길이를 갖는 전류 공급 라인(62)은 4.2Ω의 저항을 갖고, 내부 기능성 표면들, 예컨대 내부 발광면들에 전류를 공급한다.
종래의 전류 분배 구조물(60), 특히 버스 바는 예컨대 700㎚의 금속화층 높이를 갖고, 상응하는 절연 구조물(61)은 상기 전류 분배 구조물(60) 위에서 대략 10㎛의 높이를 갖는다. 이와 다르게, 전류 분배 구조물(60) 위에 있는 절연 구조물(61)의 높이가 약간 감소하고, 그리고 상기 전류 분배 구조물의 금속화층이 더 두껍게 구현되면, 동일한 외부 치수에서 필요한 전도성 구조물을 문제없이 제공할 수 있다.
절연 구조물(61) 아래에 감춰진 다수의 전류 공급 라인(62)을 통해 발광면에 전류를 공급함으로써 상황은 추가로 완화된다. 예를 들어 내부 기능성 표면을 위해 1개의 전류 공급 라인(62) 대신에 4개의 전류 공급 라인(62)이 사용되면, 상황은 현저히 완화된다. 이 경우, 전류 공급 라인들(62)의 병렬 회로가 형성되기 때문에, 전체적으로 허용된 5Ω을 달성하기 위해, 전류 공급 라인(62)당 20Ω의 저항이 발생할 수 있다. 이와 같은 상황은 알루미늄의 경우, 이미 1.4㎛의 높이 및 5㎛의 폭에서 달성된다. 구리(1.678*10-2㎟/m) 또는 은(1.587*10-2㎟/m)을 사용함으로써, 필요한 단면적은 추가로 60％만큼 감소한다.
도 13은 광전자 컴포넌트, 예를 들어 앞에서 설명된 광전자 컴포넌트(1), 예컨대 발광 다이오드 소자들(50, 52) 중 하나의 발광 다이오드 소자의 일 실시예의 층 구조물의 상세한 단면도를 도시하고, 이때 도 13에는 전류 분배 구조물(60), 절연 구조물(61) 및 전류 공급 라인(62)은 나타나 있지 않다. 상기 광전자 컴포넌트(1)는 탑-이미터(top-emitter) 및/또는 바톰-이미터(bottom-emitter)로서 형성될 수 있다. 상기 광전자 컴포넌트(1)가 탑-이미터 및 바톰-이미터로서 형성되어 있는 경우, 상기 광전자 컴포넌트(1)는 광학적으로 투명한 컴포넌트로서, 예컨대 투명한 유기 발광 다이오드로서 표현될 수 있다.
상기 광전자 컴포넌트(1)는 캐리어(12) 및 상기 캐리어(12) 위에 활성 영역을 포함한다. 상기 캐리어(12)와 상기 활성 영역 사이에는 도시되지 않은 제 1 배리어 층, 예컨대 제 1 배리어 박막층이 형성될 수 있다. 상기 활성 영역은 제 1 전극(20), 유기 기능성 층 구조물(22) 및 제 2 전극(23)을 포함한다. 상기 활성 영역 위에는 인캡슐레이션 층(24)이 형성되어 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)은 제 2 배리어 층, 예컨대 제 2 배리어 박막층으로서 형성될 수 있다. 상기 활성 영역 위에, 그리고 경우에 따라 상기 인캡슐레이션 층(24) 위에는 커버 몸체(38)가 배치되어 있다. 상기 커버 몸체(38)는 예를 들어 접착제 층(36)에 의해 상기 인캡슐레이션 층(24) 상에 배치될 수 있다.
상기 활성 영역은 전기 활성 영역이고/이거나 광학 활성 영역의 일부이다. 상기 활성 영역은 예를 들어, 광전자 컴포넌트(1)를 작동시키기 위한 전류가 흐르고, 그리고/또는 전자기 방사선이 발생하거나, 또는 흡수되는 상기 광전자 컴포넌트(1)의 영역이다.
상기 유기 기능성 층 구조물(22)은 1개, 2개 또는 그 이상의 기능성 층 구조물-유닛 및 상기 층 구조물-유닛들 사이에 1개, 2개 또는 그 이상의 중간층을 포함할 수 있다.
상기 캐리어(12)는 반투명하게 또는 투명하게 형성될 수 있다. 상기 캐리어(12)는 전자 소자들 또는 층들을 위해, 예컨대 발광 소자들을 위해 캐리어 소자로서 이용된다. 상기 캐리어(12)는 예를 들어 유리, 석영 및/또는 반도체 재료 또는 어떠한 다른 적합한 재료를 포함할 수 있거나, 또는 유리, 석영 및/또는 반도체 재료 또는 어떠한 다른 적합한 재료로 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐리어(12)는 플라스틱 필름 또는 하나 또는 다수의 플라스틱 필름을 구비한 적층물을 포함할 수 있거나, 또는 플라스틱 필름 또는 하나 또는 다수의 플라스틱 필름을 구비한 적층물로 형성될 수 있다. 상기 플라스틱은 하나 또는 다수의 폴리올레핀을 포함할 수 있다. 또한, 상기 플라스틱은 폴리비닐클로라이드(PVC), 폴리스티롤(PS), 폴리에스테르 및/또는 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰(PES) 및/또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN)를 포함할 수 있다. 상기 캐리어(12)는 예를 들어 구리, 은, 금, 백금, 철과 같은 금속, 예컨대 강철과 같은 금속 화합물을 포함할 수 있거나, 또는 상기 금속 또는 상기 금속 화합물로 형성될 수 있다. 상기 캐리어(12)는 금속 필름 또는 금속 코팅된 필름으로서 형성될 수 있다. 상기 캐리어(12)는 미러 구조물의 부분일 수 있거나, 또는 이와 같은 미러 구조물을 형성할 수 있다. 상기 캐리어(12)는 기계적으로 강성의 영역 및/또는 기계적으로 연성의 영역을 포함할 수 있거나, 또는 기계적으로 강성의 영역 및/또는 기계적으로 연성의 영역으로 형성될 수 있다.
상기 제 1 전극(20)은 애노드 또는 캐소드로서 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(20)은 반투명하게 또는 투명하게 형성될 수 있다. 상기 제 1 전극(20)은 전기 전도성 재료, 예컨대 금속 및/또는 투명 전도성 산화물(Transparent Conductive Oxide, TCO)을 포함하거나, 또는 금속 또는 TCO를 포함하는 다수의 층의 층 스택을 포함한다. 상기 제 1 전극(20)은 예를 들어 TCO 층상에 금속 층이 조합된 층 스택 또는 역으로 금속 층상에 TCO 층이 조합된 층 스택을 포함할 수 있다. 일 예시는 인듐-주석-산화물-층(ITO)상에 제공된 은 층(ITO 상의 Ag) 또는 ITO-Ag-ITO 다중 층들이다.
금속으로는 예를 들어 Ag, Pt, Au, Mg, Al, Ba, In, Ca, Sm 또는 Li, 그리고 이와 같은 재료들의 화합물들, 조합물들 또는 합금들이 사용될 수 있다.
투명 전도성 산화물들은 투명한 전도성 재료들, 예를 들어 산화아연, 산화주석, 산화카드뮴, 산화티타늄, 산화인듐 또는 인듐-주석-산화물(ITO)과 같은 예컨대 금속 산화물들이다. 예를 들어 ZnO, SnO2 또는 In2O3와 같은 2성분 금속 산소 화합물들 이외에, 예를 들어 AlZnO, Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 또는 In4Sn3O12와 같은 3성분 금속 산소 화합물들, 혹은 상이한 투명 전도성 산화물들의 혼합물들이 TCO 그룹에 속한다.
상기 제 1 전극(20)은 언급된 재료들에 대해 대안적으로 또는 추가적으로, 금속 나노 와이어들 및 금속 나노 입자들, 예컨대 Ag로 이루어진 조직망들, 탄소-나노 튜브들, 그래핀 입자들 및 그래핀 층들로 이루어진 조직망들 및/또는 반도전성 나노 와이어들로 이루어진 조직망들을 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 제 1 전극(20)은 다음의 구조물들, 즉 전도성 폴리머와 조합된 금속 나노 와이어들, 예컨대 Ag로 이루어진 조직망, 전도성 폴리머와 조합된 탄소-나노 튜브들로 이루어진 조직망 및/또는 그래핀 층들 그리고 합성물들 중 하나의 구조물을 포함할 수 있거나, 또는 상기 구조물들 중 하나의 구조물로 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 전극(20)은 전기 전도성 폴리머 또는 전이 금속 산화물들을 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극(20)은 예를 들어 10㎚ 내지 500㎚, 예컨대 25㎚ 내지 250㎚, 예컨대 50㎚ 내지 100㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있다.
상기 제 1 전극(20)은 제 1 전위가 인가될 수 있는 제 1 전기 접속부를 포함할 수 있다. 상기 제 1 전위는 에너지원(도시되지 않음), 예컨대 전류원 또는 전압원으로부터 제공될 수 있다. 대안적으로 제 1 전위는 캐리어(12)에 인가될 수 있고, 그리고 상기 캐리어(12)를 통해 제 1 전극(20)에 간접적으로 공급될 수 있다. 상기 제 1 전위는 예를 들어 접지 전위 또는 사전 결정된 다른 기준 전위일 수 있다.
상기 유기 기능성 층 구조물(22)은 정공 주입 층, 정공 운반 층, 이미터 층, 전자 운반 층 및/또는 전자 주입 층을 포함할 수 있다.
상기 정공 주입 층은 상기 제 1 전극(20) 상에 또는 위에 형성될 수 있다. 상기 정공 주입 층은 다음의 재료들, 즉 HAT-CN, Cu(Ⅰ)pFBz, MoOx, WOx, VOx, ReOx, F4-TCNQ, NDP-2, NDP-9, Bi(Ⅲ)pFBz, F16CuPc; NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 베타-NPB N, N'-비스(나프탈렌-2-일)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 스피로-TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 스피로-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-스피로); DMFL-TPD N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디메틸-플루오렌); DMFL-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디메틸-플루오렌); DPFL-TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디페닐-플루오렌); DPFL-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디페닐-플루오렌); 스피로-TAD (2, 2', 7, 7'-테트라키스(n, n-디페닐아미노)-9, 9'-스피로비플루오렌); 9, 9-비스[4-(N, N-비스-비페닐-4-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9, 9-비스[4-(N, N-비스-나프탈렌-2-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9, 9-비스[4-(N, N'-비스-나프탈렌-2-일-N, N'-비스-페닐-아미노)-페닐]-9H-플루오르; N, N' 비스(페난트렌-9-일)-N, N'비스(페닐)-벤지딘; 2, 7-비스[N, N-비스(9, 9-스피로-비플루오렌-2-일)-아미노]-9, 9-스피로-비플루오렌; 2, 2'-비스[N, N-비스(비페닐-4-일)아미노]9, 9-스피로-비플루오렌; 2, 2'-비스(N, N-디-페닐-아미노)9, 9-스피로-비플루오렌; 디-[4-(N, N-디톨일-아미노)-페닐]시클로헥산; 2, 2', 7, 7'-테트라(N, N-디-톨일)아미노-스피로-비플루오렌; 및/또는 N, N, N', N'-테트라-나프탈렌-2-일-벤지딘 중 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료들 중 하나 또는 다수의 재료로 형성될 수 있다.
상기 정공 주입 층은 대략 10㎚ 내지 대략 1000㎚의 범위, 예컨대 대략 30㎚ 내지 대략 300㎚의 범위, 예컨대 대략 50㎚ 내지 대략 200㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있다.
상기 정공 주입 층 상에 또는 위에는 상기 정공 운반 층이 형성될 수 있다. 상기 정공 운반 층은 다음의 재료들, 즉 NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 베타-NPB N, N'-비스(나프탈렌-2-일)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 스피로-TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-벤지딘); 스피로-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-스피로); DMFL-TPD N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디메틸-플루오렌); DMFL-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디메틸-플루오렌); DPFL-TPD (N, N'-비스(3-메틸페닐)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디페닐-플루오렌); DPFL-NPB (N, N'-비스(나프탈렌-1-일)-N, N'-비스(페닐)-9, 9-디페닐-플루오렌); 스피로-TAD (2, 2', 7, 7'-테트라키스(n, n-디페닐아미노)-9, 9'-스피로비플루오렌); 9, 9-비스[4-(N, N-비스-비페닐-4-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9, 9-비스[4-(N, N-비스-나프탈렌-2-일-아미노)페닐]-9H-플루오렌; 9, 9-비스[4-(N, N'-비스-나프탈렌-2-일-N, N'-비스-페닐-아미노)-페닐]-9H-플루오르; N, N' 비스(페난트렌-9-일)-N, N'비스(페닐)-벤지딘; 2, 7-비스[N, N-비스(9, 9-스피로-비플루오렌-2-일)-아미노]-9, 9-스피로-비플루오렌; 2, 2'-비스[N, N-비스(비페닐-4-일)아미노]9, 9-스피로-비플루오렌; 2, 2'-비스(N, N-디-페닐-아미노)9, 9-스피로-비플루오렌; 디-[4-(N, N-디톨일-아미노)-페닐]시클로헥산; 2, 2', 7, 7'-테트라(N, N-디-톨일)아미노-스피로-비플루오렌; 및 N, N, N', N'-테트라-나프탈렌-2-일-벤지딘 중 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료들 중 하나 또는 다수의 재료로 형성될 수 있다.
상기 정공 운반 층은 대략 5㎚ 내지 대략 50㎚의 범위, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 30㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있는데, 예를 들어 대략 20㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
상기 정공 운반 층 상에 또는 위에는, 예를 들어 형광성 이미터(fluorescent emitter) 및/또는 인광성 이미터(phosphorescent emitter)를 구비한 상기 하나 또는 다수의 이미터 층이 형성될 수 있다. 상기 이미터 층은 유기 폴리머, 유기 올리고머, 유기 단량체, 유기 비폴리머 소분자("small molecules") 또는 이와 같은 재료들의 조합을 포함할 수 있다. 상기 이미터 층은 비폴리머 이미터로서 다음의 재료들, 즉 폴리플루오렌, 폴리티오펜 및 폴리페닐렌의 유도체들(예컨대 2-치환된 또는 2, 5-치환된 폴리-p-페닐렌비닐렌)과 같은 유기 화합물들 또는 유기 금속 화합물들 그리고 금속 복합물, 예컨대 청색 인광성 FIrPic (비스(3, 5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐-(2-카복시피리딜)-이리듐 Ⅲ), 녹색 인광성 Ir(ppy)3 (트리스(2-페닐피리딘)이리듐 Ⅲ)과 같은 이리듐 복합물, 적색 인광성 Ru (dtb-bpy)3*2(PF6) (트리스[4, 4'-디-테르트-부틸-(2, 2')-비피리딘]루테늄(Ⅲ)복합물) 그리고 청색 형광성 DPAVBi (4, 4-비스[4-(디-p-톨일아미노)스티릴]비페닐), 녹색 형광성 TTPA (9, 10-비스[N, N-디-(p-톨일)-아미노]안트라센) 및 적색 형광성 DCM2 (4-디시아노메틸렌)-2-메틸-6-줄롤리딜-9-에닐-4H-피란) 중 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료들 중 하나 또는 다수의 재료로 형성될 수 있다. 이러한 비폴리머 이미터들은 예를 들어 열 증착법에 의해 증착될 수 있다. 또한, 예를 들어 스핀-온 증착 공정(spin-on deposition)(스핀 코팅으로도 언급됨)과 같은 예컨대 습식 화학 공정에 의해 증착될 수 있는 폴리머 이미터들이 사용될 수 있다. 상기 이미터 재료들은 적합한 방식으로 매트릭스 재료, 예컨대 기술적 세라믹스(technical ceramics) 내에 매립될 수 있거나, 또는 폴리머, 예컨대 에폭시드 내에, 또는 실리콘 내에 매립될 수 있다.
제 1 이미터 층은 대략 5㎚ 내지 대략 50㎚의 범위, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 30㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있는데, 예를 들어 대략 20㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
상기 이미터 층은 단색 또는 다색(예컨대 청색 및 황색 또는 청색, 녹색 및 적색) 방출 이미터 재료들을 포함할 수 있다. 대안적으로 이미터 층은 상이한 색상의 광을 방출하는 다수의 부분 층을 포함할 수 있다. 상이한 색상들을 혼합함으로써, 백색 색인상을 갖는 광이 방출될 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 이와 같은 층들에 의해 발생한 1차 방사선의 빔 경로 내에 변환기 재료가 배치될 수 있고, 상기 변환기 재료는 상기 1차 방사선을 적어도 부분적으로 흡수하고 그리고 다른 파장의 2차 방사선을 방출함으로써, 결과적으로 (아직 백색이 아닌) 상기 1차 방사선으로부터 1차 방사선과 2차 방사선의 조합에 의해 백색의 색 인상이 주어진다.
상기 이미터 층 상에 또는 위에는 전자 운반 층이 형성될 수 있는데, 예컨대 증착될 수 있다. 상기 전자 운반 층은 다음의 재료들, 즉 NET-18; 2, 2', 2''-(1, 3, 5-벤지네트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸); 2-(4-비페닐일)-5-(4-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸, 2, 9-디메틸-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린(BCP); 8-히드록시퀴놀리놀라토-리튬, 4-(나프탈렌-1-일)-3, 5-디페닐-4H-1, 2, 4-트리아졸; 1, 3-비스[2-(2, 2'-비피리딘-6-일)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]벤젠; 4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린(BPhen); 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-테르트-부틸페닐-1, 2, 4-트리아졸; 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄; 6, 6'-비스[5-(비페닐-4-일)-1, 3, 4-옥사디아조-2-일]-2, 2'-비피리딜; 2-페닐-9, 10-디(나프탈렌-2-일)-안트라센; 2, 7-비스[2-(2, 2'-비피리딘-6-일)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]-9, 9-디메틸플루오렌; 1, 3-비스[2-(4-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]벤젠; 2-(나프탈렌-2-일)-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린; 2, 9-비스(나프탈렌-2-일)-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린; 트리스(2, 4, 6-트리메틸-3-(피리딘-3-일)페닐)보란; 1-메틸-2-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)-1H-이미다조[4, 5-f][1, 10]페난트롤린; 페닐-디피레닐포스핀 옥시드; 나프탈린테트라카복실산디안히드리드 또는 그 이미드; 페릴렌테트라카복실산디안히드리드 또는 그 이미드; 및 실라시클로펜타디엔 단위의 실롤에 기초하는 물질들 중 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료들 중 하나 또는 다수의 재료로 형성될 수 있다.
상기 전자 운반 층은 대략 5㎚ 내지 대략 50㎚의 범위, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 30㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있는데, 예를 들어 대략 20㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
상기 전자 운반 층 상에 또는 위에는 전자 주입 층이 형성될 수 있다. 상기 전자 주입 층은 다음의 재료들, 즉 NDN-26, MgAg, Cs2CO3, Cs3PO4, Na, Ca, K, Mg, Cs, Li, LiF; 2, 2', 2''-(1, 3, 5-벤지네트리일)-트리스(1-페닐-1-H-벤즈이미다졸); 2-(4-비페닐일)-5-(4-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아졸, 2, 9-디메틸-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린(BCP); 8-히드록시퀴놀리놀라토-리튬, 4-(나프탈렌-1-일)-3, 5-디페닐-4H-1, 2, 4-트리아졸; 1, 3-비스[2-(2, 2'-비피리딘-6-일)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]벤젠; 4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린(BPhen); 3-(4-비페닐일)-4-페닐-5-테르트-부틸페닐-1, 2, 4-트리아졸; 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이트)-4-(페닐페놀라토)알루미늄; 6, 6'-비스[5-(비페닐-4-일)-1, 3, 4-옥사디아조-2-일]-2, 2'-비피리딜; 2-페닐-9, 10-디(나프탈렌-2-일)-안트라센; 2, 7-비스[2-(2, 2'-비피리딘-6-일)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]-9, 9-디메틸플루오렌; 1, 3-비스[2-(4-테르트-부틸페닐)-1, 3, 4-옥사디아조-5-일]벤젠; 2-(나프탈렌-2-일)-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린; 2, 9-비스(나프탈렌-2-일)-4, 7-디페닐-1, 10-페난트롤린; 트리스(2, 4, 6-트리메틸-3-(피리딘-3-일)페닐)보란; 1-메틸-2-(4-(나프탈렌-2-일)페닐)-1H-이미다조[4, 5-f][1, 10]페난트롤린; 페닐-디피레닐포스핀 옥시드; 나프탈린테트라카복실산디안히드리드 또는 그 이미드; 페릴렌테트라카복실산디안히드리드 또는 그 이미드; 및 실라시클로펜타디엔 단위의 실롤에 기초하는 물질들 중 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료들 중 하나 또는 다수의 재료로 형성될 수 있다.
상기 전자 주입 층은 대략 5㎚ 내지 대략 200㎚의 범위, 예컨대 대략 20㎚ 내지 대략 50㎚의 범위 내에서 층 두께를 가질 수 있는데, 예를 들어 대략 30㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
유기 기능성 층 구조물(22)이 2개 또는 그 이상의 유기 기능성 층 구조물-유닛을 구비한 경우, 상기 유기 기능성 층 구조물-유닛들 사이에 상응하는 중간층들이 형성될 수 있다. 상기 유기 기능성 층 구조물-유닛들은 각각 개별적으로 앞에서 설명된 유기 기능성 층 구조물(22)의 형상에 따라 형성될 수 있다. 상기 중간층은 중간 전극으로서 형성될 수 있다. 상기 중간 전극은 외부 전압원에 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 외부 전압원은 상기 중간 전극에 예를 들어 제 3 전위를 제공할 수 있다. 그러나 상기 중간 전극은 외부 전기 접속부를 포함하지 않을 수 있는데, 이때 예를 들어 상기 중간 전극은 아직 결정되지 않은 전위를 갖는다.
상기 유기 기능성 층 구조물-유닛은 예를 들어 대략 최대 3㎛, 예컨대 대략 최대 1㎛, 예컨대 대략 최대 300㎚의 층 두께를 가질 수 있다.
상기 광전자 컴포넌트(1)는, 예를 들어 상기 하나 또는 다수의 이미터 층 상에 또는 위에, 또는 상기 전자 운반 층 상에 또는 위에 선택적으로 추가의 기능성 층들을 포함할 수 있다. 상기 추가 기능성 층들은 예를 들어 상기 광전자 컴포넌트(1)의 기능성 및 그에 따라 효율을 계속 향상시킬 수 있는 내부 또는 외부 커플링/디커플링 구조물들일 수 있다.
상기 제 2 전극(23)은 상기 제 1 전극(20)의 형상들 중 하나의 형상에 따라 형성될 수 있고, 이때 상기 제 1 전극(20) 및 상기 제 2 전극(23)은 동일하게 또는 상이하게 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(23)은 애노드 또는 캐소드로서 형성될 수 있다. 상기 제 2 전극(23)은 제 2 전위가 인가될 수 있는 제 2 전기 접속부를 포함할 수 있다. 상기 제 2 전위는 상기 제 1 전위와 동일한 또는 다른 에너지원으로부터 제공될 수 있다. 상기 제 2 전위는 상기 제 1 전위와 상이할 수 있다. 상기 제 2 전위의 값은, 예를 들어 상기 제 1 전위에 대해 차이가 대략 1.5Ⅴ 내지 대략 20Ⅴ의 범위, 예컨대 대략 2.5Ⅴ 내지 대략 15Ⅴ의 범위, 예컨대 대략 3Ⅴ 내지 대략 12Ⅴ의 범위 내에서 값을 갖도록 정해질 수 있다.
상기 인캡슐레이션 층(24)은 박막 인캡슐레이션으로서 표현될 수도 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)은 반투명 층 또는 투명 층으로서 형성될 수 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)은 화학적 불순물들 또는 대기 물질들, 특히 물(습기) 및 산소에 대해 배리어를 형성한다. 다른 말로 하면, 상기 인캡슐레이션 층(24)은, 상기 광전자 컴포넌트를 손상시킬 수 있는 물질들, 예컨대 물, 산소 또는 용매가 전혀 또는 가급적 매우 적은 비율로 침투될 수 있도록 형성되어 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)은 단일 층, 층 스택 또는 층 구조물로서 형성될 수 있다.
상기 인캡슐레이션 층(24)은 산화알루미늄, 산화아연, 산화지르코늄, 산화티타늄, 산화하프늄, 산화탄탈, 산화란탄늄, 산화규소, 질화규소, 산질화규소, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 알루미늄-도핑 된 산화아연, 폴리(p-페닐렌테레프탈아미드), 나일론 66, 그리고 상기 물질들의 혼합물들 및 합금들을 포함할 수 있거나, 또는 상기 물질들, 상기 물질들의 혼합물들 및 합금들로 형성될 수 있다.
상기 인캡슐레이션 층(24)은 대략 0.1㎚(원자층) 내지 대략 1000㎚, 예컨대 대략 10㎚ 내지 대략 100㎚, 예컨대 대략 40㎚의 층 두께를 가질 수 있다. 상기 인캡슐레이션 층(24)은 고굴절 재료를 포함할 수 있는데, 예를 들어 높은 굴절률, 예컨대 1.5 내지 3, 예컨대 1.7 내지 2.5, 예컨대 1.8 내지 2의 굴절률을 갖는 하나 또는 다수의 재료를 포함할 수 있다.
경우에 따라 상기 캐리어(12) 상의 제 1 배리어 층은 상기 인캡슐레이션 층(24)의 형상과 일치하도록 형성될 수 있다.
상기 인캡슐레이션 층(24)은 예를 들어 적합한 증착 공정에 의해 형성될 수 있는데, 예컨대 원자층 증착 공정(Atomic Layer Deposition, ALD), 예컨대 플라즈마 강화 원자층 증착 공정(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition, PEALD) 또는 플라즈마 없는 원자층 증착 공정(Plasma-less Atomic Layer Deposition, PLALD)에 의해, 또는 화학 기상 증착 공정(Chamical Vapor Deposition, CVD), 예컨대 플라즈마 강화 기상 증착 공정(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD), 또는 플라즈마 없는 기상 증착 공정(Plasma-less Chemical Vapor Deposition, PLCVD)에 의해, 또는 대안적으로 다른 적합한 증착 공정들에 의해 형성될 수 있다.
커플링 층 또는 디커플링 층은 선택적으로 예를 들어 상기 캐리어(12) 상의 외부 필름(도시되지 않음) 또는 상기 광전자 컴포넌트(1)의 층 횡단면 내 내부 디커플링 층(도시되지 않음)으로서 형성될 수 있다. 상기 커플링/디커플링 층은 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산된 산란 중심들을 포함할 수 있고, 이때 상기 커플링/디커플링 층의 평균 굴절률은 전자기 방사선이 제공되는 층의 평균 굴절률보다 크다. 또한, 추가적으로 하나 또는 다수의 비반사 층이 형성될 수 있다.
상기 접착제 층(36)은, 상기 커버 몸체(38)를 예를 들어 상기 인캡슐레이션 층(24) 상에 배치하는, 예컨대 접착하는 예를 들어 접착 물질 및/또는 래커를 포함할 수 있다. 상기 접착제 층(36)은 투명하게 또는 반투명하게 형성될 수 있다. 상기 접착제 층(36)은 예를 들어 전자기 방사선을 산란시키는 입자, 예컨대 광 산란 입자를 포함할 수 있다. 그럼으로써 상기 접착제 층(36)은 산란 층으로서 작용할 수 있고, 그리고 색조 각(hue angle)의 뒤틀림을 개선하고 디커플링 효율을 향상시킬 수 있다.
광 산란 입자로서, 예를 들어 금속 산화물, 예컨대 산화규소(SiO2), 산화아연(ZnO), 산화지르코늄(ZrO2), 인듐-주석-산화물(ITO) 또는 인듐-아연-산화물(IZO), 산화갈륨(Ga2Ox), 산화알루미늄 또는 산화티타늄으로 이루어진 유전체성 산란 입자가 제공될 수 있다. 상기 접착제 층(36)의 매트릭스의 유효 굴절률과 상이한 굴절률을 갖는 경우에 한해서, 다른 입자도 적합할 수 있는데, 예컨대 기포, 아크릴레이트 또는 유리 버블이 적합할 수 있다. 또한, 예를 들어 금, 은과 같은 금속들의 금속 나노 입자, 철-나노 입자 등이 광 산란 입자로서 제공될 수 있다.
상기 접착제 층(36)은 1㎛보다 두꺼운 층 두께를 가질 수 있는데, 예컨대 수 ㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 상이한 실시예들에서 상기 접착 물질은 적층물-접착 물질일 수 있다.
상기 접착제 층(36)은 커버 몸체(38)의 굴절률보다 작은 굴절률을 가질 수 있다. 상기 접착제 층(36)은 예를 들어 대략 1.3의 굴절률을 갖는 예컨대 아크릴레이트와 같은 저굴절 접착 물질을 포함할 수 있다. 그러나 상기 접착제 층(36)은, 예컨대 비산란성 고굴절 입자를 포함하고, 대략 상기 유기 기능성 층 구조물(22)의 평균 굴절률에 상응하는 층 두께 평균의 굴절률을 갖는, 예컨대 대략 1.6 내지 2.5, 예컨대 1.7 내지 대략 2.0의 범위 내에서 굴절률을 갖는 고굴절 접착 물질을 포함할 수도 있다.
상기 활성 영역 상에 또는 위에는 소위 게터-층(getter layer) 또는 게터-구조물(getter structure), 다시 말해 측면 구조화된 게터-층(도시되지 않음)이 배치될 수 있다. 상기 게터-층은 반투명하게, 투명하게 또는 불투명하게 형성될 수 있다. 상기 게터-층은, 상기 활성 영역에 유해한 물질들을 흡수하고 저지하는 재료를 포함할 수 있거나, 또는 상기 재료로 형성될 수 있다. 게터-층은 예를 들어 제올라이트-유도체를 포함할 수 있거나, 또는 제올라이트-유도체로 형성될 수 있다. 상기 게터-층은 1㎛보다 두꺼운 층 두께, 예컨대 수㎛의 층 두께를 가질 수 있다. 상이한 실시예들에서 상기 게터-층은 적층물-접착 물질 포함할 수 있거나, 또는 상기 접착제 층(36) 내에 매립될 수 있다.
상기 커버 몸체(38)는 예를 들어 유리 몸체, 금속 필름 또는 밀봉된 플라스틱 필름-커버 몸체에 의해 형성될 수 있다. 상기 커버 몸체(38)는 예를 들어 종래의 유리 납땜 공정에 의한 프릿-결합(영문: glass frit bonding/glass soldering/seal glass bonding)에 의해 상기 광전자 컴포넌트(1)의 기하학적 에지 영역들 내에서 상기 인캡슐레이션 층(24) 또는 상기 활성 영역 상에 배치될 수 있다. 상기 커버 몸체(38)는 (예를 들어 633㎚의 파장에서) 예컨대 1.3 내지 3, 예컨대 1.4 내지 2, 예컨대 1.5 내지 1.8의 굴절률을 가질 수 있다.
본 발명은 제시된 실시예들에만 제한되지 않는다. 예를 들어 도 8, 도 10 및 도 11에 도시된 실시예들은 서로 조합될 수 있다. 예를 들어 2개 또는 그 이상의 전류 공급 라인 섹션(82) 및/또는 전류 분배 섹션(80)이 서로 가까이에서, 이웃하여, 측면 옆으로, 수직 방향으로 위로, 그리고/또는 서로 평행하게 형성될 수 있다. 예를 들어 추가의 전류 공급 라인 섹션들(82)이 동일한 절연 구조물 섹션(84) 아래에, 또는 적어도 도 10에 따라 서로 가까이에서 형성될 수 있다. 이와 같은 상황은 예를 들어, 2개 또는 그 이상의 내부 기능성 표면을 구현하기 위해 이용될 수 있으며, 이때 상기 내부 기능성 표면들은 측면으로 서로 이웃하여, 그리고/또는 서로 맞물려서 연결될 수 있다. 예를 들어 서로 상이한 전류 공급 라인들(62) 또는 상응하는 전류 공급 라인 섹션들(83)에 의해, 하나 또는 다수의 다른 내부 기능성 표면에 의해 측면 방향으로 완전히 둘러싸인 내부 기능성 표면이 구현될 수 있다.
Claims (15)
- 광전자 컴포넌트(1)로서,
제 1 전극(20)의 측면 에지(55)에 형성되어 있는 적어도 하나의 외부 전극 세그먼트(51) 및 상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 간격을 두고 형성되어 있는 적어도 하나의 내부 전극 세그먼트(53)를 포함하는 제 1 전극(20),
적어도 상기 외부 전극 세그먼트(51)에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물(64) 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트(53)에 걸쳐서 연장되어 상기 외부 부분 구조물(64)에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물(66)을 포함하는, 상기 제 1 전극(20) 위에 형성된 전기 전도성 전류 분배 구조물(electrically conductive current distribution structure)(60),
상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 상기 내부 부분 구조물(66) 쪽으로 연장되고, 상기 내부 부분 구조물(66)에 전기적으로 결합되어 있으며, 상기 외부 부분 구조물(64)로부터 전기적으로 절연되어 있고, 그 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하는 적어도 하나의 전류 공급 라인(62),
상기 전류 분배 구조물(60) 및 상기 전류 공급 라인(62)을 덮는 절연 구조물(84),
상기 제 1 전극(20), 상기 전류 분배 구조물(60), 상기 전류 공급 라인(62) 및 상기 절연 구조물(84) 위에 있는 유기 기능성 층 구조물(22),
상기 유기 기능성 층 구조물(22) 위에 있는 제 2 전극(23)을 구비한, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)의 구조는 상기 전류 분배 구조물(60)과 기하학적(geometric)으로 유사한, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 전류 분배 구조물(60)은 일체형으로 형성되어 있고, 다수의 직선형 전류 분배 섹션(80)을 포함하며, 상기 전류 공급 라인(62)은 상기 전류 분배 섹션들(80)에 이웃하여 진행하는, 광전자 컴포넌트. - 제 3 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)은 상기 전류 분배 섹션들(80)의 측면 옆에서, 또는 수직 방향으로 위에서 진행하는, 광전자 컴포넌트. - 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)은 상기 전류 분배 섹션들(80)에 대해 평행하게 진행하는, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)은 상기 내부 부분 구조물(66)과 일체형으로 형성되어 있는, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 외부 전극 세그먼트(53)는 상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)와 상기 내부 전극 세그먼트(53) 사이에 형성되어 있는, 광전자 컴포넌트. - 제 7 항에 있어서,
상기 내부 전극 세그먼트(53)는 측면 방향으로 하나의 외부 전극 세그먼트(51), 하나의 추가 외부 전극 세그먼트(51) 및/또는 다수의 외부 전극 세그먼트(51)에 의해 둘러싸여 있는, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 분배 구조물(60)의 하나의 전류 분배 섹션(80) 및 상기 전류 분배 섹션에 가장 가까운 상기 전류 공급 라인(62)의 전류 공급 라인 섹션(82)은 상기 절연 구조물의 일체형 절연 구조물 섹션(84)에 의해 덮여 있는, 광전자 컴포넌트. - 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 분배 구조물(60)의 하나의 전류 분배 섹션(80)은 상기 절연 구조물의 제 1 절연 구조물 섹션(86)에 의해 덮여 있고, 상기 전류 분배 섹션에 가장 가까운 상기 전류 공급 라인(62)의 전류 공급 라인 섹션(82)은 상기 절연 구조물의 제 2 절연 구조물 섹션(88)에 의해 덮여 있으며, 이때 상기 제 1 절연 구조물 섹션(86)과 상기 제 2 절연 구조물 섹션(88)은 물리적으로 서로 분리되어 있는, 광전자 컴포넌트. - 광전자 컴포넌트(1)의 제조 방법으로서,
제 1 전극(20)의 측면 에지(55)에 형성되어 있는 적어도 하나의 외부 전극 세그먼트(51) 및 상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 간격을 두고 형성되어 있는 적어도 하나의 내부 전극 세그먼트(53)를 포함하는 제 1 전극(20)을 제공하고,
적어도 상기 외부 전극 세그먼트(51)에 걸쳐서 연장되는 적어도 하나의 외부 부분 구조물(64) 및 적어도 상기 내부 전극 세그먼트(53)에 걸쳐서 연장되어 상기 외부 부분 구조물(64)에 대해 전기적으로 절연되어 있는 적어도 하나의 내부 부분 구조물(66)을 포함하는 전기 전도성 전류 분배 구조물(60)을 상기 제 1 전극(20) 위에 형성하며,
상기 제 1 전극(20)의 측면 에지(55)로부터 상기 내부 부분 구조물(66) 쪽으로 연장되고, 상기 내부 부분 구조물(66)에 전기적으로 결합되어 있으며, 상기 외부 부분 구조물(64)로부터 전기적으로 절연되어 있고, 그 구조가 상기 전류 분배 구조물(60)과 일치하는 적어도 하나의 전류 공급 라인(62)을 형성하고,
상기 전류 분배 구조물(60) 및 상기 전류 공급 라인(62) 위에 절연 구조물(84)을 형성하며,
상기 제 1 전극(20), 상기 전류 분배 구조물(60), 상기 전류 공급 라인(62) 및 상기 절연 구조물(84) 위에 유기 기능성 층 구조물(22)을 형성하고, 그리고
상기 유기 기능성 층 구조물(22) 위에 제 2 전극(23)을 형성하는, 광전자 컴포넌트의 제조 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 제 1 전극(20)을 우선 일체형으로 형성하고, 그런 다음 상기 전극 세그먼트들(51, 53)이 형성되도록 분리함으로써, 상기 전극 세그먼트들(51, 53)을 형성하는, 광전자 컴포넌트의 제조 방법. - 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
상기 전류 분배 구조물(60)을 우선 일체형으로 형성하고, 그런 다음 상기 부분 구조물들(64, 66)이 형성되도록 분리함으로써, 상기 전류 분배 구조물(60)을 형성하는, 광전자 컴포넌트의 제조 방법. - 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)을 상기 전류 분배 구조물(60)에 의해 형성하는, 광전자 컴포넌트의 제조 방법. - 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 전류 공급 라인(62)을 상기 전류 분배 구조물(60)에 대해 추가적으로 형성하는, 광전자 컴포넌트의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102014110052.2A DE102014110052B4 (de) | 2014-07-17 | 2014-07-17 | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| DE102014110052.2 | 2014-07-17 | ||
| PCT/EP2015/066306 WO2016008994A1 (de) | 2014-07-17 | 2015-07-16 | Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20170030637A true KR20170030637A (ko) | 2017-03-17 |
| KR102304282B1 KR102304282B1 (ko) | 2021-09-17 |
Family
ID=53776565
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020177004347A KR102304282B1 (ko) | 2014-07-17 | 2015-07-16 | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10141535B2 (ko) |
| KR (1) | KR102304282B1 (ko) |
| CN (1) | CN106537627B (ko) |
| DE (1) | DE102014110052B4 (ko) |
| WO (1) | WO2016008994A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102491877B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| DE102016108262A1 (de) * | 2016-05-04 | 2017-11-09 | Osram Oled Gmbh | Lichtemittierende baugruppe und verfahren zum betreiben einer lichtemittierenden baugruppe |
| KR102652261B1 (ko) * | 2016-12-07 | 2024-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090091706A (ko) * | 2006-11-24 | 2009-08-28 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 | 유기 발광 다이오드형 발광 소자의 전극 |
| KR20110074518A (ko) * | 2008-09-04 | 2011-06-30 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 유기 복사 방출 소자의 제조 방법 및 유기 복사 방출 소자 |
| KR20120035027A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 장치 및 이를 이용한 조명 장치 |
| JP2012227459A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性基板、太陽電池、及び表示装置 |
| KR20130015099A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
| WO2013114295A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Koninklijke Philips N.V. | Oled device and manufacture thereof |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE10324880B4 (de) * | 2003-05-30 | 2007-04-05 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von OLEDs |
| DE102004013449B3 (de) * | 2004-03-11 | 2005-12-29 | Samsung SDI Co., Ltd., Suwon | OLED-Display mit Elektroden hoher Leitfähigkeit und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102006030536B3 (de) * | 2006-06-26 | 2008-02-21 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung flächiger elektromagnetische Strahlung emittierender Elemente mit organischen Leuchtdioden |
| DE102007063617B4 (de) | 2007-02-16 | 2021-09-02 | Pictiva Displays International Limited | Verfahren zur Reparatur eines elektrolumineszenten organischen Halbleiterelements |
| DE102011017383A1 (de) * | 2011-04-18 | 2012-10-18 | Ident Technology Ag | OLED-Interface |
| EP2698836A1 (en) * | 2012-08-17 | 2014-02-19 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Foil, electro-optic component and method of manufacturing these |
-
2014
- 2014-07-17 DE DE102014110052.2A patent/DE102014110052B4/de active Active
-
2015
- 2015-07-16 US US15/326,503 patent/US10141535B2/en active Active
- 2015-07-16 CN CN201580038737.5A patent/CN106537627B/zh active Active
- 2015-07-16 KR KR1020177004347A patent/KR102304282B1/ko active IP Right Grant
- 2015-07-16 WO PCT/EP2015/066306 patent/WO2016008994A1/de active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090091706A (ko) * | 2006-11-24 | 2009-08-28 | 꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 | 유기 발광 다이오드형 발광 소자의 전극 |
| KR20110074518A (ko) * | 2008-09-04 | 2011-06-30 | 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하 | 유기 복사 방출 소자의 제조 방법 및 유기 복사 방출 소자 |
| KR20120035027A (ko) * | 2010-10-04 | 2012-04-13 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 장치 및 이를 이용한 조명 장치 |
| JP2012227459A (ja) * | 2011-04-22 | 2012-11-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性基板、太陽電池、及び表示装置 |
| KR20130015099A (ko) * | 2011-08-02 | 2013-02-13 | 한국전자통신연구원 | 유기 발광 소자 |
| WO2013114295A1 (en) * | 2012-02-03 | 2013-08-08 | Koninklijke Philips N.V. | Oled device and manufacture thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170213995A1 (en) | 2017-07-27 |
| DE102014110052B4 (de) | 2020-04-16 |
| KR102304282B1 (ko) | 2021-09-17 |
| CN106537627B (zh) | 2019-02-05 |
| CN106537627A (zh) | 2017-03-22 |
| WO2016008994A1 (de) | 2016-01-21 |
| US10141535B2 (en) | 2018-11-27 |
| DE102014110052A1 (de) | 2016-01-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8890136B2 (en) | Planar light emitting device | |
| US20160329515A1 (en) | Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component | |
| JP6157866B2 (ja) | 有機電界発光素子、照明装置及び照明システム | |
| KR20160054044A (ko) | 발광 컴포넌트와 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 | |
| KR102372545B1 (ko) | 광전 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR102299345B1 (ko) | 광전자 소자 및 광전자 소자를 제조하기 위한 방법 | |
| KR20140033518A (ko) | 발광 컴포넌트들과 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 | |
| JP6388996B2 (ja) | オプトエレクトロニクスアセンブリ及びオプトエレクトロニクスアセンブリを製造するための方法 | |
| KR102304282B1 (ko) | 광전자 컴포넌트 및 광전자 컴포넌트의 제조 방법 | |
| KR20130086052A (ko) | 전자 컴포넌트 및 전자 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 | |
| WO2013146350A1 (ja) | 発光装置および発光装置の製造方法 | |
| US9825246B2 (en) | Process for producing an optoelectronic component and optoelectronic component | |
| JP5297400B2 (ja) | 発光装置 | |
| KR102080630B1 (ko) | 발광 컴포넌트 및 발광 컴포넌트를 제조하기 위한 방법 | |
| US9947729B2 (en) | Organic electroluminescent element, lighting device, and lighting system | |
| CN105409024A (zh) | 光电子器件、用于制造光电子器件的方法和镜设备 | |
| US20130270542A1 (en) | Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component | |
| US10068958B2 (en) | Organic light-emitting component and method for producing an organic light-emitting component | |
| US20160240815A1 (en) | Optoelectronic component, optoelectronic assembly, method for producing an optoelectronic component and method for producing an optoelectronic assembly | |
| US20160268550A1 (en) | Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component | |
| JP2013239456A (ja) | 発光装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |