KR102491877B1 - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역 및 상기 화소전극의 상기 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역을 포함하는 제1 하부중간층; 상기 제1 하부중간층의 적어도 일부 상에 배치되며 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성(lyohpilic)을 갖는 부착층; 상기 부착층 상에 배치된 제2 하부중간층; 상기 제2 하부중간층 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 대향전극;을 포함한다.
Description
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 유기 발광 소자의 발광 품질을 개선한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등과 같은 표시 장치는 박막트랜지스터(Thin Film Transistor, TFT), 커패시터, 및 복수의 배선을 포함한다. 표시 장치가 제작되는 기판은 TFT, 커패시터, 및 배선 등의 미세 패턴으로 이루어지고, TFT, 커패시터 및 배선 간의 복잡한 연결에 의해 표시 장치가 작동된다.
한편, 유기 발광 표시 장치는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극 그리고 이들 사이에 형성되어 있는 유기 발광층을 포함하는 유기 발광 소자를 구비하며, 정공 주입 전극에서 주입되는 정공과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 유기 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시키는 자발광형 표시 장치이다.
자발광형 표시 장치인 유기 발광 표시 장치는 별도의 광원이 불필요하므로 저전압으로 구동이 가능하고 경량의 박형으로 구성할 수 있으며, 시야각, 콘트라스트(contrast), 응답 속도 등의 특성이 우수하기 때문에 MP3 플레이어나 휴대폰 등과 같은 개인용 휴대기기에서 텔레비전(TV)에 이르기까지 응용 범위가 확대되고 있다.
유기 발광 표시 장치는 유기 발광 소자 및 유기 발광 소자를 구동하기 위한 회로를 포함한다.
유기 발광 소자는 격벽을 이용하여 화소를 구획한다. 격벽은 유기 물질로 구성되며 화소전극의 가장자리를 덮도록 배치된다. 격벽을 구성하는 유기 물질로부터 발생한 가스는 유기 발광 소자에 포함된 발광층을 포함하는 중간층에 침투할 수 있으며, 이러한 아웃개싱(outgasing)에 의해 유기 발광 소자의 수명이 감소할 수 있다.
또한, 발광층으로부터 방출된 광의 적어도 일부는 상기 격벽에 의해 반사되거나 굴절된 후 외부로 방출될 수 있으며, 이에 의해 발광 품질이 저하될 수 있다.
본 발명의 실시예들은, 유기 발광 소자의 발광 품질과 수명을 개선하면서 제조 비용을 경감한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 박막트랜지스터; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역 및 상기 화소전극의 상기 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역을 포함하는 제1 하부중간층; 상기 제1 하부중간층의 적어도 일부 상에 배치되며 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성(lyohpilic)을 갖는 부착층; 상기 부착층 상에 배치된 제2 하부중간층; 상기 제2 하부중간층 상에 배치된 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치된 대향전극;을 포함한다.
상기 부착층, 상기 제2 하부중간층, 및 상기 발광층은 상기 제2 영역에 대응되도록 배치될 수 있다.
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 동일한 화학식을 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상기 제2 영역의 면적은 상기 화소전극의 면적보다 작을 수 있다.
상기 제1 영역은 약 10-8 S/cm 이하의 도전도(conductivity)를 갖는 물질을 포함할 수 있다.
상기 부착층의 상기 제1 하부중간층에 대한 친액성은 상기 제2 하부중간층의 상기 제1 하부중간층에 대한 친액성보다 높을 수 있다.
상기 발광층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 전자수송층; 및 상기 전자수송층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 전자주입층;을 더 포함할 수 있다.
상기 전자수송층, 상기 전자주입층, 및 상기 대향전극은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응되도록 배치될 수 있다.
상기 부착층의 두께는 상기 제2 하부중간층의 두께보다 얇을 수 있다.
상기 부착층의 두께는 약 10 nm 이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법은, 기판 상에 박막트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역 및 상기 화소전극의 상기 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역을 포함하는 제1 하부중간층을 형성하는 단계; 상기 제1 하부중간층의 적어도 일부 상에, 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성을 갖는 부착층을 형성하는 단계; 상기 부착층 상에 제2 하부중간층을 형성하는 단계; 상기 제2 하부중간층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및 상기 발광층 상에 대향전극을 형성하는 단계;를 포함한다.
제1 하부중간층을 형성하는 단계는, 상기 화소전극을 덮도록 정공주입물질을 프린팅하는 단계; 및 제1 마스크를 이용하여 상기 정공주입물질의 상기 제1 영역에 자외광을 조사하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 자외광을 조사하는 단계는, 상기 제1 영역에 약 6 J/cm2 이상의 자외광을 조사하는 단계일 수 있다.
상기 부착층을 형성하는 단계는, 상기 제1 하부중간층 상에, 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성을 갖는 부착물질을 프린팅하는 단계; 및 제2 마스크를 이용하여 상기 제1 영역에 대응하는 상기 부착물질을 제거함으로써, 상기 제2 영역에 대응하는 상기 부착층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 제2 하부중간층을 형성하는 단계는, 상기 부착층 상에 정공수송물질을 프린팅하는 단계; 및 상기 정공수송물질을 건조시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 발광층을 형성하는 단계는, 상기 제2 하부중간층 상에 발광물질을 프린팅하는 단계; 및 상기 발광물질을 건조시키는 단계;를 포함할 수 있다.
상기 발광층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 전자수송층을 형성하는 단계; 및 상기 전자수송층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 전자 주입층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 유기 발광 소자의 발광 품질과 수명을 개선하면서 제조 비용을 경감한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공할 수 있다.
물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 제1 하부중간층에 조사되는 광의 세기에 따른 제1 하부중간층의 전도도 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 5는 도 2에 도시된 제1 하부중간층에 조사되는 광의 세기에 따른 제1 하부중간층의 전도도 변화를 나타낸 그래프이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 또한, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
한편, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 또한, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 다른 부분의 "바로 위에" 또는 "바로 상에" 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.
이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.
도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(1)는 액티브 영역(AA) 및 액티브 영역(AA)을 둘러싸는 데드 영역(DA)을 포함한다 액티브 영역(AA)은 화소 영역(PA)들을 포함하며, 각 화소 영역(PA)마다 화소가 구비된다. 각 화소 영역(PA)에는 화소 회로 및 화소 회로와 연결된 유기 발광 소자(OLED, organic light emitting diode)가 구비된다.
도 2는 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이고, 도 5는 도 2에 도시된 제1 하부중간층에 조사되는 광의 세기에 따른 제1 하부중간층의 전도도 변화를 나타낸 그래프이다.
도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 트랜지스터(TR), 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된 화소전극(210), 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역(221a) 및 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역(221b)을 포함하는 제1 하부중간층(221), 제1 하부중간층(221)의 적어도 일부상에 배치되며 제1 하부중간층(221)에 대하여 친액성(lyophilic)을 갖는 부착층(222), 부착층(222) 상에 배치된 제2 하부중간층(223), 제2 하부중간층(223) 상에 배치된 발광층(224), 및 발광층(224) 상에 배치된 대향전극(230)을 포함한다.
기판(110)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등 다양한 재료로 구성될 수 있다.
기판(110) 상에는 버퍼층(120)이 배치된다. 버퍼층(120)은 기판(110)으로부터트랜지스터(TR)로 불순 원소가 침투되는 것을 방지하며 기판(110)의 표면을 평탄화하는 역할을 한다. 버퍼층(120)은 예컨대, 실리콘 산화물(SiO2) 및 실리콘 질화물(SiNx) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 버퍼층(120)은 실리콘 산화물(SiO2)의 단일막, 실리콘 질화물(SiNx)의 단일막, 또는 실리콘 산화물(SiO2)과 실리콘 질화물(SiNx)이 적층된 이중막 구조일 수 있다.
버퍼층(120) 상에는 트랜지스터(TR)가 배치된다. 트랜지스터(TR)는 활성층(A), 게이트전극(G), 소스전극(SE), 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
활성층(A)은 불순물이 도핑되어 도전성을 띄며 서로 이격되어 있는 소스영역(S)과 드레인영역(D), 및 소스영역(S)과 드레인영역(D) 사이에 배치되며 반도체 물질로 구성된 채널 영역(C)을 포함할 수 있다.
버퍼층(120) 상에는 활성층(A)을 덮는 게이트절연막(140)이 배치되며 게이트절연막(140) 상에는 활성층(A)의 적어도 일부에 대응되는 게이트전극(G)이 배치될 수 있다.
게이트절연막(140)은 무기물 또는 유기물을 포함하는 단층 또는 다층의 박막으로 이루어질 수 있다. 단층의 박막으로 이루어진 게이트절연막(140)은 활성층(A)과 게이트전극(G) 사이에 개재되며, 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
도시하진 않았지만, 게이트절연막(140)은 다층의 박막으로 이루어질 수 있다. 일 실시예에 따르면, 게이트절연막(140)은 실리콘 산화물(SiO2)을 포함하는 하부 박막과 실리콘 질화물(SiNx)을 포함하는 상부 박막으로 이루어질 수 있다. 실리콘 산화물(SiO2)보다 에칭액에 강한 실리콘 질화물(SiNx)이 실리콘 산화물(SiO2)의 상부에 배치되면, 게이트전극(G)을 형성하기 위한 패터닝 공정 중에 게이트절연막(140)이 손상되는 문제를 감소시킬 수 있다.
게이트전극(G)은 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 니켈(Ni), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 몰리텅스텐(MoW), 금(Au) 등 다양한 도전성 물질로 구성될 수 있다.
게이트절연막(140) 상에는 게이트전극(G)을 덮는 층간절연막(160)이 배치될 수 있다. 층간절연막(160)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx)을 포함할 수 있다.
게이트절연막(140)과 층간절연막(160)은 소스영역(S) 및 드레인영역(D)을 각각 노출하는 소스콘택홀(SCH) 및 드레인콘택홀(DCH)을 포함할 수 있다.
층간절연막(160) 상에는 트랜지스터(TR)의 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)이 배치될 수 있다. 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)은 각각 소스콘택홀(SCH) 및 드레인콘택홀(DCH)을 통해 소스영역(S) 및 드레인영역(D)에 연결될 수 있다.
층간절연막(160) 상에는 소스전극(SE) 및 드레인전극(DE)을 덮는 비아절연막(180)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 비아절연막(180)은 아크릴계 유기물, 폴리이미드(polyimide) 또는 BCB(Benzocyclobutene) 등의 유기 물질 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등의 무기 물질로 이루어질 수 있다. 비아절연막(180)은 비아절연막(180)의 하부에 배치된 화소 회로에 포함된 트랜지스터(TR) 등의 소자를 보호하는 역할 및 화소 회로에 의한 단차를 해소하여 상면을 평탄화시키는 역할을 할 수 있다.
비아절연막(180)은 트랜지스터(TR)의 드레인전극(DE)을 노출하는 비아홀(VIA)을 포함할 수 있다. 층간절연막(160)에 포함된 드레인콘택홀(DCH)에는 트랜지스터(TR)의 드레인전극(DE)이 매립될 수 있다. 비아홀(VIA)을 통해 드레인전극(DE)과 유기 발광 소자(OLED)의 화소전극(210)은 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 화소전극(210)은 드레인콘택홀(DCH) 및 비아홀(VIA)을 통해 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결될 수 있다.
비아절연막(180) 상에는 유기 발광 소자(OLED)의 화소전극(210)이 배치될 수 있다. 화소전극(210)은 높은 일함수를 갖는 물질로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(110)의 상부 방향으로 화상이 표시되는 전면발광형일 수 있으며, 이 경우, 화소전극(210)은 은(Ag), 마그네슘(Mg), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr) 등의 금속 반사막과 ITO, IZO, ZnO, ITZO 등의 투명 도전막으로 구성될 수 있다. 다른 실시예에 따르면, 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(110)의 하부 방향으로 화상이 표시되는 배면발광형일 수 있으며, 이 경우, 화소전극(210)은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 등의 투명 도전막으로 구성될 수 있으며, 추가적으로 반투과 금속층을 더 포함할 수 있다.
비아절연막(180) 상에는 제1 하부중간층(221)이 배치될 수 있다. 제1 하부중간층(221)은 화소전극(210)의 가장자리를 덮는 제1 영역(221a) 및 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역(221b)을 포함할 수 있다.
제1 영역(221a)과 제2 영역(221b)은 동일한 화학식을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)은 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)를 포함할 수 있다. PEDOT에 자외광을 조사하는 경우 전도도(conductivity)가 낮아질 수 있으며, 소정의 값 이상의 세기로 자외광을 조사하는 경우 절연성을 가질 수 있다.
도 5를 참조하면, 조사된 광의 세기와 PEDOT의 전도도는 반비례한다. 일 실시예에 따르면, 약 6 J/cm2 (A 지점) 이상의 세기로 자외광을 조사하는 경우, PEDOT으로 구성된 제1 하부중간층(221)의 제1 영역(221a)은 약 10-8 S/cm 이하의 도전도를 가지며, 이때 제1 영역(221a)을 구성하는 PEDOT는 절연성을 가질 수 있다.
다시 도 2를 참조하면, 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)에 포함된 화합물은 PEDOT에 한정되지 않는다. 즉, 제1 영역(221a)과 제2 영역(221b)은 구리프탈로시아닌 등의 프탈로시아닌 화합물, DNTPD (N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine,N,N'-디페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨일-아미노)-페닐]-비페닐-4,4'-디아민), m-MTDATA(4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino) triphenylamine, 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민),TDATA(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N,N'-디페닐아미노)트리페닐아민), 2TNATA(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine, 4,4',4"-트리스{N,-(2-나프틸)-N-페닐아미노}-트리페닐아민) 등의 디아민 또는 트리아민 화합물, PEDOT/PSS(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate), 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌술포네이트)), PANI/DBSA(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid, 폴리아닐린/도데실벤젠술폰산),PANI/CSA(Polyaniline/Camphor sulfonicacid, 폴리아닐린/캠퍼술폰산) 또는 PANI/PSS (Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate, 폴리아닐린/폴리(4-스티렌술포네이트)) 등의 고분자 화합물로 구성될 수 있다.
제1 영역(221a)은 절연성을 갖는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 제1 영역(221a)의 도전도(conductivity)는 약 10-8 S/cm 이하일 수 있다. 일 실시예에 따르면, 비아절연막(180) 상에 화소전극(210)을 덮는 정공주입물질(221’, 도 3b)이 형성된 후, 제1 영역(221a)에 한하여 자외광이 조사됨으로써, 제1 영역(221a)에만 절연성을 갖는 물질이 포함될 수 있다. 따라서, 비아절연막(180) 상에 별도의 유기 절연 물질을 배치하지 않고도 제1 영역(221a)에 의해 화소전극(210)의 가장자리 영역을 덮음으로써 화소 영역(PA)을 정의할 수 있으며, 제조 공정 중 유기 절연 물질에 의해 발생된 가스에 의해 유기 발광 소자(OLED)의 특성이 변화되는 문제를 방지할 수 있다.
제2 영역(221b)은 화소전극(210)의 제1 영역(221a)에 의해 덮여있는 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮을 수 있으며, 제1 영역(221a)과 직접 접할 수 있다. 즉, 제2 영역(221b)의 면적은 화소전극(210)의 면적보다 작을 수 있다.
화소전극(210)으로부터 발광층(224)으로 정공을 주입하는 역할을 할 수 있다.
제1 하부중간층(221)의 적어도 일부 상에는 부착층(222)이 배치될 수 있고, 부착층(222) 상에는 제2 하부중간층(223)이 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 부착층(222)과 제2 하부중간층(223)은 제2 영역(221b)에 대응되도록 배치될 수 있다. 즉, 부착층(222) 및 제2 하부중간층(223)은 제1 영역(221a)에는 배치되지 않고 제2 영역(221b)에만 배치될 수 있다. 또한, 부착층(222)의 두께는 제2 하부중간층(223)의 두께보다 얇을 수 있으며, 부착층(222)의 제1 두께(t1)는 예를 들어, 약 10nm 이하일 수 있다.
부착층(222)은 제1 하부중간층(221)에 대하여 친액성(lyohpilic)을 갖는 물질로 구성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 부착층(222)의 제1 하부중간층(221)에 대한 친액성은 제2 하부중간층(223)의 제1 하부중간층(221)에 대한 친액성보다 높을 수 있다. 따라서, 제2 하부중간층(223)이 제1 하부중간층(221)에 대한 친액성이 낮음으로 인해 제1 하부중간층(221) 상에 직접 배치되지 못한다 하더라도, 제1 하부중간층(221)에 대한 친액성이 높은 부착층(222)이 제1 하부중간층(221) 상에 배치됨으로써, 제2 하부중간층(223)이 제1 하부중간층(221)의 상부에 배치될 수 있다. 이때, 제2 하부중간층(223)은 부착층(222)에 대하여 친액성을 갖는 물질로 구성될 수 있다. 즉, 부착층(222)은 매우 얇은 두께로 형성되어 제1 하부중간층(221) 및 제2 하부중간층(223) 모두에 대하여 친액성을 가질 수 있으며, 제1 하부중간층(221)이 제2 하부중간층(223) 상에 용이하게 형성될 수 있도록 매개하는 역할을 수행할 수 있다.
제2 하부중간층(223)은 발광층(224)으로 정공을 수송하는 역할을 할 수 있다.
부착층(222) 및 제2 하부중간층(223)은 예를 들어, 각각 N-페닐카바졸, 폴리비닐카바졸 등의 카바졸 유도체, TPD(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-디페닐-[1,1-비페닐]-4,4'-디아민), TCTA(4,4',4"-tris(Ncarbazolyl)triphenylamine, 4,4',4"-트리스(N-카바졸일)트리페닐아민) 등과 같은 트리페닐아민계 화합물, NPB(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine, N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘) 등으로 구성될 수 있다.
제2 하부중간층(223) 상에는 발광층(224)이 배치될 수 있다. 발광층(224)은 적색광, 녹색광, 청색광 또는 백색광을 방출할 수 있다.
발광층(224)은 호스트 물질과 도펀트 물질을 포함하도록 형성될 수 있다.
호스트로서, 예를 들어, Alq3(트리스(8-퀴놀리노레이트)알루미늄), CBP(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl,4,4'-비스(N-카바졸일)-1,1'-비페닐), PVK(poly(n-vinylcabazole), 폴리(n-비닐카바졸)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene, 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센), TCTA(4,4',4''-Tris(carbazol-9-yl)- triphenylamine, 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)-트리페닐아민), TPBI(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene, 1,3,5-트리스(N-페닐벤즈이미다졸-2-일)벤젠), TBADN(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl)anthracene, 3-터트-부틸-9,10-디(나프트-2-일) 안트라센), DSA(distyrylarylene, 디스티릴아릴렌), E3 또는 CDBP(4,4′-bis(9-carbazolyl)-2,2′-dimethyl-biphenyl, 4,4′-비스(9-카바졸일)-2,2′-디메틸-비페닐) 등이 사용될 수 있다.
도펀트로서, PtOEP(Pt(II) octaethylporphine: Pt(II) 옥타에틸포르핀), Ir(piq)3 (tris(2-phenylisoquinoline)iridium: 트리스(2-페닐이소퀴놀린)이리듐), Btp2Ir(acac) (bis(2-(2'-benzothienyl)-pyridinato-N,C3')iridium(acetylacetonate): 비스(2-(2'-벤조티에닐)-피리디나토-N,C3')이리듐(아세틸아세토네이트)), Ir(ppy)3 (tris(2-phenylpyridine) iridium: 트리스(2-페닐피리딘) 이리듐), Ir(ppy)2(acac) (Bis(2-phenylpyridine)(Acetylacetonato)iridium(III): 비스(2-페닐피리딘)(아세틸아세토) 이리듐(III)), Ir(mppy)3(tris(2-(4-tolyl)phenylpiridine)iridium: 트리스(2-(4-톨일)페닐피리딘) 이리듐), C545T (10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7,8-ij]-quinolizin-11-one: 10-(2-벤조티아졸일)-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7,-테트라하이드로-1H,5H,11H-[1]벤조피라노 [6,7,8-ij]-퀴놀리진-11-온), F2Irpic (Bis[3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl](picolinato)iridium(III): 비스[3,5-디플루오로-2-(2-피리딜)페닐(피콜리나토) 이리듐(III)), (F2ppy)2Ir(tmd), Ir(dfppz)3, DPVBi (4,4'-bis(2,2'-diphenylethen-1-yl)biphenyl: 4,4'-비스(2,2'-디페닐에텐-1-일)비페닐), DPAVBi (4,4'-Bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl: 4,4'-비스(4-디페닐아미노스티릴)비페닐), TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene: 2,5,8,11-테트라-터트-부틸 페릴렌) 등이 사용될 수 있다.
발광층(224) 상에는 대향전극(230)이 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 부착층(222), 제2 하부중간층(223) 및 발광층(224)이 배치된 제2 영역(221b) 상에 배치될 수 있으며, 제2 영역(221b)으로부터 제1 영역(221a)까지 연장되어 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)에 대응되도록 배치될 수 있다. 대향전극(230)은 유기 발광 표시 장치(1)가 전면 발광형인 경우 투명 또는 반투명 전극으로 구성될 수 있으며, 유기 발광 표시 장치(1)가 배면 발광형인 경우 반사 전극으로 구성될 수 있다. 대향전극(230)은 낮은 일함수를 갖는 합금으로 구성될 수 있다.
도시하진 않았지만, 대향전극(230) 상에는 봉지기판(미도시) 또는 봉지층(미도시)이 배치될 수 있다.
상술한 실시예에 따르면, 제조 공정을 줄이고 유기 발광 소자(OLED)의 특성을 개선하여 표시 품질이 우수한 고해상도의 유기 발광 표시 장치(1)를 구현할 수 있다. 또한, 유기 발광 소자(OLED)의 수명을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 3a 내지 도 3f는 도 2의 유기 발광 표시 장치를 제조하는 방법을 순차적으로 나타낸 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(110) 상에 버퍼층(120)을 형성하고, 버퍼층(120) 상에 트랜지스터(TR)를 형성한다. 트랜지스터(TR)는 활성층(A), 게이트전극(G), 소스전극(SE), 및 드레인전극(DE)을 포함할 수 있다.
다음으로, 트랜지스터(TR)를 덮도록 비아절연막(180)을 형성하고, 비아절연막(180) 상부에 화소전극(210)을 형성한다. 화소전극(210)은 비아홀(VIA)을 통해 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된다.
도 3b를 참조하면, 비아절연막(180) 상에 화소전극(210)을 덮도록 정공주입물질(221’)을 형성할 수 있다. 정공주입물질(221’)은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 이때, 정공주입물질(221’)은 PEDOT(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)로 구성될 수 있다.
다음으로, 광을 투과시키는 제1 투광부(M11) 및 광을 차단하는 제1 차광부(M12)를 포함하는 제1 마스크(M1)를 이용하여 정공주입물질(221’)에 자외광을 조사할 수 있다. 제1 투광부(M11)는 화소전극(210)의 가장자리를 포함하는 영역을 마스킹할 수 있고, 제1 차광부(M12)는 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역을 마스킹할 수 있다. 따라서, 자외광은 제1 투광부(M11)를 투과하여 화소전극(210)의 가장자리를 포함하는 영역에 조사되는 반면, 제1 차광부(M12)에 의해 차단되어 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역에 조사되지 않을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 약 6 J/cm2 이상의 자외광이 조사될 수 있다. 자외광이 조사된 결과, 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역(221a, 도 3c) 및 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역(221b, 도 3c)을 포함하는 제1 하부중간층(221, 도 3c)이 형성된다. 이때, 제1 영역(221a, 도 3c)은 약 6 J/cm2 이상의 자외광이 조사되어 약 10-8 S/cm 이하의 도전도를 갖는 물질을 포함함으로써, 절연성을 가질 수 있다.
도 3c를 참조하면, 제1 하부중간층(221) 상에 부착물질(222’)을 형성할 수 있다. 부착물질(222’)은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법으로 형성될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 부착물질(222’)은 약 10nm 이하의 두께로 형성됨으로써, 제1 하부중간층(221) 및 제2 하부중간층(223) 각각에 대하여 친액성을 가질 수 있다.
다음으로, 광을 투과시키는 제2 투광부(M21) 및 광을 차단하는 제2 차광부(M22)를 포함하는 제2 마스크(M2)를 이용하여 부착물질(222’)에 광을 조사할 수 있다. 따라서, 제1 하부중간층(221)의 제2 영역(221b)에 대응하는 부착물질(222’)에는 광이 조사되지 않고, 제1 영역(221a)에 대응하는 부착물질(222’)에만 광이 조사될 수 있다.
제2 마스크(M2)는 제1 마스크(M1)와 동일한 마스크일 수 있으며, 하나의 마스크를 복수의 공정에 이용함에 따라 제조 비용을 경감할 수 있다.
부착물질(222’)에 광을 조사한 후, 부착물질(222’) 중 광이 조사된 영역 즉, 제1 영역(221a)에 대응하는 부착물질(222’)을 제거함으로써, 제2 영역(221b)에 대응하는 부착층(222, 도 3d)을 형성할 수 있다.
도 3d를 참조하면, 부착층(222) 상에 정공수송물질(223’)을 형성할 수 있다. 정공수송물질(223’)은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법으로 부착층(222)이 형성된 제2 영역(221b)에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 정공수송물질(223’)은 부착층(222)이 형성되지 않은 제2 영역(221b)에는 형성되지 않을 수 있다.
다음으로, 정공수송물질(223’)을 건조시킴으로써, 부착층(222) 상에 제2 하부중간층(223, 도 3e)을 형성한다. 이때, 는 제2 하부중간층(223, 도 3e)의 제2 두께(t2)는 부착층(222)의 제1 두께(t1) 보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 3e를 참조하면, 제2 하부중간층(223) 상에 발광물질(224’)을 형성할 수 있다. 발광물질(224’)은 잉크젯 프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이 프린팅, 스핀 코팅, 슬릿 코팅 등의 방법으로 제2 하부중간층(223)이 형성된 제2 영역(221b)에 대응되도록 형성될 수 있다. 즉, 발광물질(224’)은 제2 하부중간층(223)이 형성되지 않은 제2 영역(221b)에는 형성되지 않을 수 있다.
다음으로, 발광물질(224’)을 건조시킴으로써, 제2 하부중간층(223) 상에 발광층(224, 도 3f)을 형성한다.
도 3f를 참조하면, 제1 하부중간층(221), 부착층(222), 제2 하부중간층(223) 및 발광층(224)을 덮는 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 제1 영역(221a)과 제2 영역(221b)에 걸쳐 형성될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 별도의 유기 물질로 구성된 격벽을 배치하지 않고도, 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 중앙 영역에 한하여, 정공주입층의 역할을 수행하는 제1 하부중간층(221)의 제2 영역(221b), 정공수송층의 역할을 수행하는 제2 하부중간층(223), 및 발광층(224)을 형성함으로써, 화소를 구획할 수 있다. 따라서, 격벽 제조 공정을 생략함으로써 제조 비용을 경감할 수 있고, 격벽으로 인해 유기 발광 소자(OLED)의 발광 품질이 저하되는 문제를 개선할 수 있으며, 격벽을 구성하는 유기 물질로부터 발생한 가스로 인해 유기 발광 소자(OLED)의 수명이 감소하는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 제1 하부중간층(221) 및 부착층(222)을 제조하는 공정에서 하나의 마스크를 이용함으로써, 제조 비용을 경감할 수 있다.
도 4는 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 기판(110), 기판(110) 상에 배치된 트랜지스터(TR), 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된 화소전극(210), 화소전극(210)의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역(221a) 및 화소전극(210)의 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역(221b)을 포함하는 제1 하부중간층(221), 제1 하부중간층(221)의 적어도 일부상에 배치되며 제1 하부중간층(221)에 대하여 친액성(lyophilic)을 갖는 부착층(222), 부착층(222) 상에 배치된 제2 하부중간층(223), 제2 하부중간층(223) 상에 배치된 발광층(224), 발광층(224) 상에 배치된 전자수송층(225), 전자수송층(225) 상에 배치된 전자주입층(226), 및 전자주입층(226) 상에 배치된 대향전극(230)을 포함한다.
발광층(224) 상부에 배치되는 전자수송층(225) 및 전자주입층(226)은, 제1 하부중간층(221) 및 제2 하부중간층(223)에 대응하여 각각 제1 상부중간층 및 제2 상부중간층이라 할 수 있다.
전자수송층(225)은 부착층(222), 제2 하부중간층(223), 및 발광층(224)이 배치된 제2 영역(221b) 상에 배치될 수 있으며, 제2 영역(221b)으로부터 제1 영역(221a)까지 연장되어 배치될 수 있다. 즉, 전자수송층(225)은 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)에 대응되도록 배치될 수 있다.
전자수송층(225)은 예를 들면, Alq3, BCP(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline, 2,9-디메틸-4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), Bphen(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline, 4,7-디페닐-1,10-페난트롤린), TAZ(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole, 3-(4-비페닐릴)-4-페닐-5-터트-부틸페닐-1,2,4-트리아졸), NTAZ(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole, 4-(나프탈렌-1-일)-3,5-디페닐-4H-1,2,4-트리아졸), tBu-PBD(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole, 2-(4-비페닐릴)-5-(4-tert-부틸페닐)-1,3,4-옥사디아졸),BAlq(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토-N1,O8)-(1,1'-비페닐-4-오라토)알루미늄), Bebq2(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate, 베릴륨 비스(벤조퀴놀리-10-노에이트)), ADN(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthrascene, 9,10-디(나프탈렌-2-일)안트라센) 등으로 구성될 수 있다.
전자주입층(226)은 부착층(222), 제2 하부중간층(223), 발광층(224), 및 전자수송층(225)이 배치된 제2 영역(221b) 상에 배치될 수 있으며, 제2 영역(221b)으로부터 제1 영역(221a)까지 연장되어 배치될 수 있다. 즉, 전자주입층(226)은 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)에 대응되도록 배치될 수 있다.
전자주입층(226)은 예를 들면, 염화 리튬(LiCl), 염화 나트륨(NaCl), 염화 칼륨(KCl), 염화 루비듐(RbCl), 염화 세슘(CsCl), 이터븀(Yb), 스칸듐(Sc), 바나듐(V), 이트륨(Y), 인듐(In), 세륨(Ce), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 및 터븀(Tb) 중 적어도 하나로 구성될 수 있다.
대향전극(230)은 부착층(222), 제2 하부중간층(223), 발광층(224), 전자수송층(225), 및 전자주입층(226)이 배치된 제2 영역(221b) 상에 배치될 수 있으며, 제2 영역(221b)으로부터 제1 영역(221a)까지 연장되어 배치될 수 있다. 즉, 대향전극(230)은 제1 영역(221a) 및 제2 영역(221b)에 대응되도록 배치될 수 있다.
도시하진 않았지만, 대향전극(230) 상에는 봉지기판(미도시) 또는 봉지층(미도시)이 배치될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
1: 유기 발광 표시 장치
AA: 액티브 영역
DA: 데드 영역
PA: 화소 영역
AA: 액티브 영역
DA: 데드 영역
PA: 화소 영역
Claims (17)
- 기판;
상기 기판 상에 배치된 화소전극;
상기 화소전극 상부에 배치되고, 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역 및 상기 화소전극의 상기 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역을 포함하는 제1 하부중간층;
상기 제1 하부중간층의 적어도 일부 상에 배치되며 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성(lyohpilic)을 갖는 부착층;
상기 부착층 상에 배치된 제2 하부중간층;
상기 제2 하부중간층 상에 배치된 발광층; 및
상기 발광층 상에 배치된 대향전극;을 포함하고,
상기 제1 하부중간층의 제2 영역은 정공 주입층인, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 부착층, 상기 제2 하부중간층, 및 상기 발광층은 상기 제2 영역에 대응되도록 배치된, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 영역 및 상기 제2 영역은 동일한 화학식을 갖는 물질을 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제2 영역의 면적은 상기 화소전극의 면적보다 작은, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 제1 영역은 10-8 S/cm 이하의 도전도(conductivity)를 갖는, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 부착층의 상기 제1 하부중간층에 대한 친액성은 상기 제2 하부중간층의 상기 제1 하부중간층에 대한 친액성보다 높은, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 발광층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 전자수송층; 및
상기 전자수송층 및 상기 대향전극 사이에 배치된 전자주입층;을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제7항에 있어서,
상기 전자수송층, 상기 전자주입층, 및 상기 대향전극은 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응되도록 배치된, 유기 발광 표시 장치. - 제1항에 있어서,
상기 부착층의 두께는 상기 제2 하부중간층의 두께보다 얇은, 유기 발광 표시 장치. - 제9항에 있어서,
상기 부착층의 두께는 10 nm 이하인, 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 화소전극을 형성하는 단계;
상기 화소전극의 상부에, 상기 화소전극의 가장자리를 덮으며 절연성을 갖는 제1 영역 및 상기 화소전극의 상기 가장자리를 제외한 나머지 영역을 덮는 제2 영역을 포함하는 제1 하부중간층을 형성하는 단계;
상기 제1 하부중간층의 적어도 일부 상에, 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성을 갖는 부착층을 형성하는 단계;
상기 부착층 상에 제2 하부중간층을 형성하는 단계;
상기 제2 하부중간층 상에 발광층을 형성하는 단계; 및
상기 발광층 상에 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하고,
상기 제1 하부중간층의 제2 영역은 정공 주입층인, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
제1 하부중간층을 형성하는 단계는,
상기 화소전극을 덮도록 정공주입물질을 프린팅하는 단계; 및
제1 마스크를 이용하여 상기 정공주입물질의 상기 제1 영역에 자외광을 조사하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제12항에 있어서,
상기 자외광을 조사하는 단계는,
상기 제1 영역에 6 J/cm2 이상의 자외광을 조사하는 단계인, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 부착층을 형성하는 단계는,
상기 제1 하부중간층 상에, 상기 제1 하부중간층에 대하여 친액성을 갖는 부착물질을 프린팅하는 단계; 및
제2 마스크를 이용하여 상기 제1 영역에 대응하는 상기 부착물질을 제거함으로써, 상기 제2 영역에 대응하는 상기 부착층을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 제2 하부중간층을 형성하는 단계는,
상기 부착층 상에 정공수송물질을 프린팅하는 단계; 및
상기 정공수송물질을 건조시키는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 발광층을 형성하는 단계는,
상기 제2 하부중간층 상에 발광물질을 프린팅하는 단계; 및
상기 발광물질을 건조시키는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법. - 제11항에 있어서,
상기 발광층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 전자수송층을 형성하는 단계; 및
상기 전자수송층 상에 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역에 대응하는 전자 주입층을 형성하는 단계;를 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조 방법.
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Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (11)
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|---|---|---|---|---|
| US6821645B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex |
| KR100736008B1 (ko) * | 2004-06-07 | 2007-07-06 | 가시오게산키 가부시키가이샤 | 표시장치 및 그 제조방법 |
| US8383470B2 (en) * | 2008-12-25 | 2013-02-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor (TFT) having a protective layer and manufacturing method thereof |
| WO2012087955A1 (en) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Compositions for electronic applications |
| GB201110770D0 (en) * | 2011-06-24 | 2011-08-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Process for controlling the acceptor strength of solution-processed transition metal oxides for OLED applications |
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| KR101927848B1 (ko) * | 2012-09-17 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101970539B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102212457B1 (ko) * | 2013-05-30 | 2021-02-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그의 제조방법 |
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| DE102014110052B4 (de) * | 2014-07-17 | 2020-04-16 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
-
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-
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012226891A (ja) * | 2011-04-18 | 2012-11-15 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置およびその製造方法、電子機器 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |