JP2012226891A - 有機el装置およびその製造方法、電子機器 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 220
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 220
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 176
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 170
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 83
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims abstract description 42
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 143
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 62
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 48
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 707
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 265
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 75
- 230000006870 function Effects 0.000 description 56
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 35
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 28
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 28
- UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N prehnitene Chemical compound CC1=CC=C(C)C(C)=C1C UOHMMEJUHBCKEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- -1 Amine compounds Chemical class 0.000 description 20
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 8
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 6
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methylbutan-2-one Chemical compound CC(C)C(C)=O SYBYTAAJFKOIEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 2,5-dinaphthalen-1-yl-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC=C2C(C3=NN=C(O3)C=3C4=CC=CC=C4C=CC=3)=CC=CC2=C1 MUNFOTHAFHGRIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N Tetrahydropyran Chemical compound C1CCOCC1 DHXVGJBLRPWPCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 2
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000319 biphenyl-4-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C([H])C([H])=C1C1=C([H])C([H])=C([*])C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 2
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 1-(2-phenylethenyl)-4-[4-(2-phenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=CC=CC=1C=CC(C=C1)=CC=C1C(C=C1)=CC=C1C=CC1=CC=CC=C1 ZMLPKJYZRQZLDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 4,5-dimethyl-4,5-dihydro-1h-imidazole Chemical compound CC1NC=NC1C YWKSINPSASCIMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000251468 Actinopterygii Species 0.000 description 1
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N Ethylene carbonate Chemical compound O=C1OCCO1 KMTRUDSVKNLOMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001454 anthracenes Chemical class 0.000 description 1
- 229940027991 antiseptic and disinfectant quinoline derivative Drugs 0.000 description 1
- 125000006615 aromatic heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N carbon disulfide-14c Chemical compound S=[14C]=S QGJOPFRUJISHPQ-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N formic acid ethyl ester Natural products CCOC=O WBJINCZRORDGAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N phenanthrene Chemical group C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N propionitrile Chemical compound CCC#N FVSKHRXBFJPNKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940083082 pyrimidine derivative acting on arteriolar smooth muscle Drugs 0.000 description 1
- 150000003230 pyrimidines Chemical class 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003252 quinoxalines Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000542 sulfonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N trichloroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(Cl)(Cl)Cl YNJBWRMUSHSURL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
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Abstract
【解決手段】本適用例の有機EL装置は、陽極3R,3Gと共通陰極8との間に設けられた第1の色を発光する機能を有する第1の層としての発光機能層5R,5Gおよび第2の色を発光する機能を有する第2の層としての発光機能層5Bと、発光機能層5R,5Gと発光機能層5Bとの間に設けられた第3の層としての中間層61とを有し、第1の色を発光する第1発光素子1R,1Gと、陽極3Bと共通陰極8との間に設けられた発光機能層5Bを有する第2発光素子1Bと、を備え、発光機能層5R,5Gおよび中間層61が液相プロセスを用いて形成され、発光機能層5Bが気相プロセスを用いて形成され、中間層61は電子注入材料が分散された有機物からなる。
【選択図】図4
Description
インクジェット法のような塗布法を用いて作製された、赤色および緑色に発光する有機EL素子では、実用レベルの発光寿命(輝度寿命)や発光効率(電流効率または外部量子効率)を有するものの、青色に発光する有機EL素子では、実用レベルの発光寿命や発光効率に達しないことが多い。
これに対して、真空蒸着法を用いて作製された青色に発光する有機EL素子は、塗布法を用いて作製されたものと比較して、その発光寿命が数倍以上長く、実用レベルに達している。つまり、インクジェット法のような液相プロセスを用いて作製されたある発光色の有機EL素子が、実用レベルの発光寿命や発光効率に達しない場合でも、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて作製された同様の発光色の有機EL素子は、実用レベルの発光寿命や発光効率を有する場合がある。
そのため、赤色有機EL素子(赤色画素)および緑色有機EL素子(緑色画素)において、意図しない青色発光層が発光することにより、それぞれ、赤色および緑色としての色純度が低くなってしまうことがあった。
また、第3の層が電子注入材料が分散された有機物からなるため、電子注入材料単体からなる場合よりも電子注入材料が凝集し難いので、安定したキャリア制御が可能となる。
また、第3の層が電子注入材料が分散された有機物からなるため、電子注入材料単体からなる場合よりも電子注入材料が凝集し難いので、安定したキャリア制御が可能となる。
これによれば、第1発光素子の第1の層に第1正孔輸送層から正孔が効率よく輸送され、第2発光素子の第2の層に第2正孔輸送層から正孔が効率よく輸送される。したがって、第1発光素子および第2発光素子における発光効率をさらに高めることができる。
これによれば、第3の層から第1の層に電子を注入する機能をより強化できる。
これによれば、第3の層がアルカリ金属、アルカリ土類金属、若しくはそれらの化合物が分散された有機物からなるため、少なくとも第3の層から第1の層への電子の注入性をより向上させることができる。
これによれば、第3の層において電子注入材料が有機物中に均一に分散された状態となり、これによって安定したキャリア制御が可能となる。また、高分子化合物を用いていることから第3の層の形成が容易となる。
これによれば、第3の層において電子注入材料が有機物中に均一に分散された状態となり、これによってより安定したキャリア制御が可能となる。また、低分子化合物を用いていることから、例えばインクジェット法などの液体吐出法を用いて所望の位置に、所望の厚みを有する第3の層を形成することができる。
これによれば、フルカラーの発光が得られる有機EL装置を提供することができる。
また、第1の層および第3の層の形成に液相プロセスが用いられ、第2の層の形成にマスクレスの気相プロセスを用いるので、高い生産性を確保して異なる発光色が得られる複数の発光素子を有する有機EL装置を製造することができる。
また、第3の層が電子注入材料が分散された有機物を用いて形成されるため、電子注入材料単体からなる場合よりも電子注入材料が凝集し難いので、安定したキャリア制御が可能となる。
また、第3の層が電子注入材料が分散された有機物を用いて形成されるため、電子注入材料単体からなる場合よりも電子注入材料が凝集し難いので、安定したキャリア制御が可能となる。
この方法によれば、第1正孔輸送層から正孔が効率よく第1の層に輸送されるだけでなく、第2陽極と共通陰極との間において、第2正孔輸送層から正孔が効率よく第2の層に輸送されるので、第1の層および第2の層における発光効率をさらに向上させることができる。
この方法によれば、第3の層がアルカリ金属、アルカリ土類金属、若しくはそれらの化合物が分散された有機物を用いて形成されるため、少なくとも第3の層から第1の層への電子の注入性をより向上させることができる。
この方法によれば、第3の層を形成する工程において電子注入材料が均一に分散される高分子化合物を用いるので、安定したキャリア制御が可能な有機EL装置を製造することができる。また、高分子化合物を用いていることから第3の層の形成が容易となる。
この方法によれば、第3の層を形成する工程において電子注入材料が均一に分散される低分子化合物を用いるので、より安定したキャリア制御が可能な有機EL装置を製造することができる。また、低分子化合物を用いていることから、液相プロセスとして例えばインクジェット法などの液体吐出法を用いて所望の位置に、所望の厚みを有する第3の層を形成することができる。
この構成によれば、第1発光素子と第2発光素子とにおいて所望の層を選択的または支配的に発光させることが可能であると共に、第1の層と第3の層が液相プロセスを用いて形成され、第2の層がマスクレスの気相プロセスを用いて形成可能である有機EL装置を備えているので、見栄えがよく、高いコストパフォーマンスを有する電子機器を提供できる。
<有機EL装置>
まず、本発明の発光素子を備えた有機EL装置について図1〜図3を参照して説明する。図1は、第1実施形態の有機EL装置の構成を示す概略平面図、図2は第1実施形態の有機EL装置の構造を示す概略断面図、図3は第1実施形態の有機EL装置における発光素子の構成を示す模式図である。
なお、本実施形態において、有機EL装置100は、各発光素子1R,1G,1Bからの光R,G,Bを基板21側から射出させるボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。
各駆動用トランジスター24は、シリコン等の半導体材料からなる半導体層241と、半導体層241上に形成されたゲート絶縁層242と、ゲート絶縁層242上に形成されたゲート電極243と、ソース電極244と、ドレイン電極245とを有している。
また、平坦化層22上には、各駆動用トランジスター24に対応して、発光素子1R,1G,1Bが設けられている。
したがって、陽極3Rと陽極3Gが第1陽極に相当し、陽極3Bが第2陽極に相当する。また、赤色発光機能層5Rと緑色発光機能層5Gが第1の層に相当し、例えばインクジェット法などの液相プロセスを用いて形成されている。青色発光機能層5Bが第2の層に相当し、例えば真空蒸着法などの気相プロセスを用いて、3つの発光素子1R,1G,1Bに跨って形成されている。具体的には、発光素子1Rでは、赤色発光機能層5Rと共通陰極8との間に青色発光機能層5Bが形成されている。発光素子1Gでは、緑色発光機能層5Gと共通陰極8との間に青色発光機能層5Bが形成されている。発光素子1Bでは、陽極3Bと共通陰極8との間に青色発光機能層5Bが形成されている。
かかる構成の発光素子1R,1G,1Bの隣接するもの同士の間には、隔壁31(図2参照)が設けられ、これにより各発光素子1R,1G,1Bが個別に設けられている。
本実施形態では、図2に示すように、これらの発光素子1R,1G,1B上を覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層35が形成されている。そして、エポキシ層35を覆うように封止基板20が設けられている。これにより、発光素子1R,1G,1Bの気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子1R,1G,1Bの信頼性の向上を図ることができる。
以上説明したような有機EL装置100は、各発光素子1R,1G,1Bを選択的に発光させることで単色表示が可能であり、各発光素子1R,1G,1Bを組み合わせて発光させることでフルカラー表示も可能となる。
(発光素子1R)
発光素子(赤色発光素子)1Rは、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、赤色発光機能層5Rと、キャリア選択層46と、青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63とが、陽極3R側からこの順に積層された積層体が、陽極3Rと共通陰極8との間に介挿されてなるものである。
発光素子1Rにおいて、キャリア選択層46は、第3の層としての中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極3R側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子1Rにおいて、陽極3Rおよび共通陰極8は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極3Rは正孔注入層41Rに正孔を注入する電極として機能し、共通陰極8は電子注入層63を介して電子輸送層62に電子を注入する電極として機能する。
以下、発光素子1Rを構成する各部について順次説明する。
陽極3Rは、正孔注入層41に正孔を注入する電極である。
この陽極3Rの構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。
陽極3Rの構成材料としては、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、In2O3、SnO2、フッ素添加SnO2、Sb添加SnO2、ZnO、Al添加ZnO、Ga添加ZnO等の金属酸化物、Au、Pt、Ag、Cuまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
このような陽極3Rの平均厚さは、特に限定されないが、10nm以上、200nm以下程度であるのが好ましく、30nm以上、150nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、有機EL装置100を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極3Rには光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
正孔注入層41は、陽極3Rからの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層41の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層41の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料(または導電性オリゴマー材料)に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリ(スチレンスルホン酸)(PEDOT/PSS)のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ(スチレンスルホン酸)(PANI/PSS)のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記化学式(1)で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記化学式(4)で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。
このような正孔注入層41の平均厚さは、特に限定されないが、5nm以上、150nm以下程度であるのが好ましく、10nm以上、100nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、正孔注入層41Rは、発光素子1Rを構成する、陽極3R、第1正孔輸送層42Rおよび赤色発光機能層5Rの構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
第1正孔輸送層42は、正孔注入層41から注入された正孔を赤色発光機能層5Rまで輸送する機能を有する。また、第1正孔輸送層42は、赤色発光機能層5Rから第1正孔輸送層42へ通過しようとする電子をブロックする機能を有する場合もある。
この第1正孔輸送層42の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、第1正孔輸送層42の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記化学式(5)で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。
なお、第1正孔輸送層42は、発光素子1Rを構成する、陽極3R、正孔注入層41、赤色発光機能層5R、中間層61、第2正孔輸送層43、青色発光機能層5B、電子輸送層62、電子注入層63および共通陰極8の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
赤色発光機能層5Rは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成される。
発光素子1Rでは、この赤色発光機能層5Rが、陽極3Rとキャリア選択層46との間に設けられた第1の層を構成し、この赤色発光機能層5Rが発光素子1Rにおける第1の色(赤色)を発光する機能を有する。
このような赤色発光機能層5Rの構成材料は、特に限定されないが、後述する、赤色発光機能層5Rの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、赤色発光機能層5Rの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記化学式(6)および下記化学式(7)で表わされるフルオレン誘導体の高分子赤色発光材料が挙げられる。
このような赤色発光機能層5Rの平均厚さは、特に限定されないが、10nm以上、150nm以下程度であるのが好ましく、20nm以上、100nm以下程度であるのがより好ましい。
第3の層としての中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極3R側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層46が構成される。
発光素子1Rにおいて、キャリア選択層46は、青色発光機能層5Bからキャリア選択層46に流れてくる電子を赤色発光機能層5Rに円滑に注入するというキャリア注入動作を行う。このため、発光素子1Rにおいて、青色発光機能層5Bの発光は大幅に抑制され、赤色発光機能層5Rが選択的もしくは支配的に発光する。
中間層61は、キャリア選択層46を構成する1つの層であり、電子注入材料が分散された有機物からなり、赤色発光機能層5Rに接して形成されている。
中間層61をこのような電子注入材料が分散された有機物を用いて形成することで、キャリア選択層46を介して、青色発光機能層5Bから赤色発光機能層5Rへの電子の注入効率をより向上させることができる。
また、例えばキナクリドン、ジスチリルビフェニル及びその誘導体、クマリンとその誘導体、テトラフェニルブタジエンまたはその誘導体などの水溶性の低分子化合物を用いることもできる。
また、高分子の有機物中に低分子の有機物を分散させ、そこに上記電子注入材料を分散あるいは溶解させてもよい。
本実施形態の有機物における高分子とは分子量が10000以上を指し、低分子とは分子量が10000未満のものを指す。
第2正孔輸送層43は、キャリア選択層46を構成する1つの層であり、青色発光機能層5Bに接して形成されている。
この第2正孔輸送層43の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、第2正孔輸送層43の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ(m−トリル)−ベンジジン(TPD)、下記化学式(8)で表わされるビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル]ベンジジン(α−NPD)、下記化学式(9)で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物が挙げられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて用いることができる。
青色発光機能層5Bは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成されている。
本実施形態では、この青色発光機能層5Bが、陽極(3R,3G,3B)と共通陰極8との間に設けられた第2の層を構成し、この青色発光機能層5Bが第2の色(青色)を発光する機能を有する。
この青色発光機能層5Bの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、青色発光機能層5Bの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、例えば、下記化学式(10)で表わされるスチリル誘導体の青色発光材料が挙げられる。
さらに、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、青色発光機能層5B中におけるゲスト材料の含有量(ドープ量)は、ホスト材料に対して重量比で0.1%以上、20%以下程度であるのが好ましく、0.5%以上、10%以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような青色発光機能層5Bの平均厚さは、特に限定されないが、5nm以上、100nm以下程度であるのが好ましく、10nm以上、50nm以下程度であるのがより好ましい。
電子輸送層62は、共通陰極8から電子注入層63を介して電子輸送層62に注入された電子を青色発光機能層5Bに輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層62は、青色発光機能層5Bから電子輸送層62へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。
なお、この電子輸送層62は、発光素子1Rを構成する赤色発光機能層5R、中間層61、第2正孔輸送層43、青色発光機能層5B、電子注入層63および共通陰極8の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
電子注入層63は、共通陰極8から電子輸送層62への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。
この電子注入層63の構成材料(電子注入材料)としては、特に限定されないが、例えば、前述の中間層61を構成する電子注入材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。
なお、電子注入層63および中間層61の構成材料(電子注入材料)は、それぞれ、これらを挟持する2つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、電子注入層63の構成材料と中間層61の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
電子注入層63の平均厚さは、特に限定されないが、0.01nm以上、100nm以下程度であるのが好ましく、0.1nm以上、10nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、電子注入層63は、電子輸送層62と共通陰極8の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。
共通陰極8は、電子注入層63を介して電子輸送層62に電子を注入する電極である。
この共通陰極8の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。共通陰極8の構成材料としては、後述する、共通陰極8の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Li、Mg、Ca、Sr、La、Ce、Er、Eu、Sc、Y、Yb、Ag、Cu、Al、Cs、Rb、Auまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの1種または2種以上を組み合わせて(例えば、複数層の積層体等)用いることができる。
このような共通陰極8の平均厚さは、特に限定されないが、50nm以上、1000nm以下程度であるのが好ましく、100nm以上、500nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、有機EL装置100がトップエミッション構造の表示装置である場合、共通陰極8の構成材料としては、MgAg、MgAl、MgAu、AlAg等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を共通陰極8の構成材料として用いることにより、共通陰極8の光透過性を維持しつつ、共通陰極8の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。
このような共通陰極8の平均厚さは、特に限定されないが、1nm以上、50nm以下程度であるのが好ましく、5nm以上、20nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子1Rの陽極3R、正孔注入層41R、第1正孔輸送層42R、赤色発光機能層5R、中間層61、第2正孔輸送層43、青色発光機能層5B、電子輸送層62、電子注入層63および共通陰極8の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
発光素子(緑色発光素子)1Gは、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、緑色発光機能層5Gと、キャリア選択層46と、青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63とが、陽極3G側からこの順に積層された積層体が、陽極3Gと共通陰極8との間に介挿されてなるものである
発光素子1Gにおいて、キャリア選択層46は、中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極3G側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子1Gにおいて、陽極3Gおよび共通陰極8は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極3Gは正孔注入層41に正孔を注入する電極として機能し、共通陰極8は電子注入層63を介して電子輸送層62に電子を注入する電極として機能する。
以下、発光素子1Gについて説明するが、前述した発光素子1Rとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
発光素子1Gは、赤色発光機能層5Rに代えて緑色発光機能層5Gを備えること以外は、前述の発光素子1Rと同様の構成のものである。
緑色発光機能層5Gは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成される。
発光素子1Gでは、この緑色発光機能層5Gが、陽極3Gとキャリア選択層46との間に設けられた第1の層を構成し、この緑色発光機能層5Gが発光素子1Gにおける第1の色(緑色)を発光する機能を有する。
このような緑色発光機能層5Gの構成材料は、特に限定されないが、後述する、緑色発光機能層5Gの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、緑色発光機能層5Gの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記化学式(19)および下記化学式(20)で表わされるフェニレンビニレン誘導体の高分子緑色発光材料が挙げられる。
このような緑色発光機能層5Gの平均厚さは、特に限定されないが、10nm以上、150nm以下程度であるのが好ましく、20nm以上、100nm以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子1Gの陽極3G、正孔注入層41、第1正孔輸送層42、緑色発光機能層5G、中間層61、第2正孔輸送層43、青色発光機能層5B、電子輸送層62、電子注入層63および共通陰極8の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
発光素子(青色発光素子)1Bは、正孔注入層41と、キャリア選択層46と、青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63とが、陽極3B側からこの順に積層された積層体が、陽極3Bと共通陰極8との間に介挿されてなるものである。
発光素子1Bにおいて、キャリア選択層46は、第3の層としての中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極3B側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子1Bにおいて、陽極3Bおよび共通陰極8は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極3Bは正孔注入層41に正孔を注入する電極として機能し、共通陰極8は電子注入層63を介して電子輸送層62に電子を注入する電極として機能する。
以下、発光素子1Bについて説明するが、前述した発光素子1Rとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
正孔注入層41は、陽極3Bからの正孔注入を容易にする機能を有するものである。
この正孔注入層41の構成材料(正孔注入材料)としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層41の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料(または導電性オリゴマー材料)に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、前述した正孔注入層41の構成材料(正孔注入材料)として挙げたものと同様のものを用いることができる。
中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極3B側からこの順に積層された積層体により、キャリア選択層46が構成される。これら中間層61および第2正孔輸送層43を構成する材料としては、それぞれ、前述の発光素子1Rの中間層61および第2正孔輸送層43と同様のものを用いることができる。
発光素子1Bにおいて、キャリア選択層46は、青色発光機能層5Bからキャリア選択層46に流れてくる電子をブロックし、これら電子を青色発光機能層5Bに留めるというキャリアブロック動作を行う。このため、発光素子1Bにおいて、青色発光機能層5Bは効率よく発光する。このキャリアブロック動作を的確に行うためには、発光素子1Bの第2正孔輸送層43には、キャリアブロック機能を有するものを用いることが望ましい。例えば、前述の発光素子1Rの第2正孔輸送層43の構成材料として挙げたアミン系化合物を用いることにより、第2正孔輸送層43は電子ブロック機能を有するものとなる。
なお、かかる構成の発光素子1Bの陽極3B、正孔注入層41B、中間層61、第2正孔輸送層43、青色発光機能層5B、電子輸送層62、電子注入層63および共通陰極8の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。
本実施形態では、キャリア選択層46は、中間層61と第2正孔輸送層43とが、陽極(3R,3G,3B)側からこの順に積層された積層体により構成される。
かかる構成のキャリア選択層46は、青色発光機能層5Bからキャリア選択層46に注入される電子の量を、キャリア選択層46の陽極(3R,3G,3B)側に接する層に応じて、制御する機能を有する層である。
これに対して、赤色発光機能層5Rには、共通陰極8側から青色発光機能層5Bを介して電子が供給(注入)されるとともに、陽極3R側から正孔が供給(注入)される。そして、赤色発光機能層5Rでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子(エキシトン)が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、赤色発光機能層5Rが赤色に発光する。その結果、発光素子1Rは赤色に発光する。同様に、発光素子1Gにおいても、青色発光機能層5Bの発光は大幅に抑制され、緑色発光機能層5Gが選択的もしくは支配的に発光する。その結果、発光素子1Gは緑色に発光する。
このように、キャリア選択層46は、キャリア選択層46に接する層の種類によって、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。
まず、発光素子1Rおよび発光素子1Gのように、キャリア選択層46の陽極(3R、3G)側に接する層が、それぞれ、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gの場合、発光素子1Rおよび発光素子1Gのキャリア選択層46内の中間層61を構成している電子注入材料が、それぞれ、発光素子1Rおよび発光素子1Gの第2正孔輸送層43内に拡散し、これによって発光素子1Rおよび発光素子1Gの第2正孔輸送層43に備わっている電子ブロック機能が大きく低下する。この結果、発光素子1Rおよび発光素子1Gでは、青色発光機能層5Bから第2正孔輸送層43へ電子が円滑に注入される。さらに、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gと、第2正孔輸送層43との間に存在する中間層61の機能により、第2正孔輸送層43から、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gへの電子の注入も円滑に行われる。
以上により、発光素子1Rおよび発光素子1Gのように、キャリア選択層46の陽極(3R、3G)側に接する層が、それぞれ、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gの場合、キャリア選択層46は、青色発光機能層5Bからキャリア選択層46に流れてくる電子を、それぞれ、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gに円滑に注入する(キャリア注入動作)。すなわち、キャリア選択層46は、青色発光機能層5Bから、赤色発光機能層5Rおよび緑色発光機能層5Gに、電子(キャリア)を円滑に流す動作を行う。
そこで、高分子や低分子の有機化合物に電子注入材料を分散したものをインク化し、塗布法(液相プロセス)によって中間層61を成膜することで、電子注入材料の凝集を抑制し、安定してキャリア制御が可能な中間層61を形成することができる。
また、当該赤色発光素子では、共通陰極8側から青色発光機能層5Bに注入された電子を、赤色発光機能層5Rに円滑に注入(供給)することができないことに起因して、赤色発光機能層5Rにおける電子と正孔のキャリアバランスが崩れ、発光効率が低下することが判っている。
さらに、当該赤色発光素子では、共通陰極8側から青色発光機能層5Bに注入された電子を、赤色発光機能層5Rに円滑に注入(供給)することができないことに起因して、赤色発光機能層5Rの陰極側界面でのキャリアに対するエネルギー障壁が増加し、駆動電圧が上昇することが判っている。
同様に、液相プロセスで青色発光機能層5Bの成膜を行う場合、青色発光機能層5B内に極微量の溶媒が残留し、これが青色発光機能層5B全体を汚染する可能性がある。
次に、本実施形態の有機EL装置100の製造方法について図2を参照して説明する。
[1]まず、基板21を用意し、形成すべきサブ画素100R,100G,100Bに対応するように、複数の駆動用トランジスター(駆動用TFT)24を形成したのち、これら駆動用トランジスター24を覆うように平坦化層22を形成する(第1の工程)。
[1−A;駆動用TFT24の形成工程]
[1−Aa]まず、基板21上に、例えばプラズマCVD法等により、平均厚さが30nm以上、70nm以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
[1−Ab]次いで、半導体膜に対して、レーザーアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザーアニール法では、例えば、エキシマレーザーでビームの長寸が400mmのラインビームを用い、その出力強度は、例えば200mJ/cm2程度に設定される。
[1−Ac]次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層241を得、これら島状の半導体層241を覆うように、例えば、TEOS(テトラエトキシシラン)や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマCVD法等により、平均厚さが60nm以上、150nm以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層242を形成する。
[1−Ad]次いで、ゲート絶縁層242上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極243を形成する。
[1−Ae]次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極243に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。
[1−B]次に、駆動用TFT24に電気的に接続されるソース電極244およびドレイン電極245を形成する。
[1−Ba]まず、ゲート電極243を覆うように、第1平坦化層(図示省略)を形成した後、コンタクトホールを形成する。
[1−Bb]次いで、コンタクトホール内にソース電極244およびドレイン電極245を形成する。
[1−C]次に、ドレイン電極245と、各陽極3R,3G,3Bとを電気的に接続する配線(中継電極)27を形成する。
[1−Cb]次いで、コンタクトホール内に配線27を形成する。
なお、[1−B]工程および[1−C]工程において形成された第1平坦化層および第2平坦化層により平坦化層22が構成される。
この陽極3R,3G,3Bは、平坦化層22上に、陽極3R,3G,3Bの構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
隔壁31は、各陽極3R,3G,3Bを覆うように平坦化層22上に、絶縁膜を形成した後、各陽極3R,3G,3Bが露出するように例えばフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることにより形成することができる。
ここで、隔壁31の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層22などとの密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁31の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、SiO2のような無機材料が挙げられる。
また、隔壁31の開口つまりサブ画素100R,100G,100Bの平面形状は、図1に示すように、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、インクジェット法によって、正孔注入層41R,41G,41B、第1正孔輸送層42R,42Gおよび発光機能層5R,5Gを形成する場合、隔壁31が形成された基板21は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁31が形成された基板21の表面を、まずO2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極3R,3G,3Bの表面と隔壁31の表面(壁面を含む)が活性化され親液化する。次にCF4等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁31の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁31の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。
ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒(インク溶媒)または分散媒(インク分散媒)としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルイソプロピルケトン(MIPK)、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極3R上に塗布された液状材料は、流動性が高く(粘性が低く)、水平方向(面方向)に広がろうとするが、陽極3Rが隔壁31により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層41Rの輪郭形状が正確に規定される。
以上のように、正孔注入層41R,41G,41B、第1正孔輸送層42R,42Gおよび発光機能層5R,5Gの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、他の層の塗布工程と同時に行っても良いし、各層の後処理工程は、他の層の後処理工程と同時に行っても良い。
これにより、各発光素子1R,1G,1Bに共通の中間層61が一括(一体的)に形成される。
中間層61は、前述したように電子注入材料が分散された有機物を溶媒や分散媒に溶解または分散させた状態の溶液を用いることにより、赤色発光機能層5R、緑色発光機能層5G、正孔注入層41Bを覆って形成することができる。あるいはインクジェット法を用い当該溶液を液滴として隔壁31で囲まれた各領域に吐出して乾燥することにより形成することができる。前者の方法では、有機物として高分子化合物を用いることが好ましく、後者の方法では、有機物として低分子化合物を用いることが好ましい。
なお、上記工程[6]〜[10]で形成する各層も、上記工程[発光素子1R]で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
以上のようにして、駆動用トランジスター24に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子1R,1G,1Bが形成される。
これにより、エポキシ層35を介して、封止基板20で共通陰極8を覆うように共通陰極8と封止基板20とを接合することができる。
この封止基板20は、各発光素子1R,1G,1Bを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板20を、共通陰極8上に設ける構成とすることで、発光素子1R,1G,1Bが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子1R,1G,1Bの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。
以上のような工程を経て、各発光素子1R,1G,1Bが封止基板20により封止された有機EL装置(本発明の表示装置)100が完成される。
次に、第2実施形態の有機EL装置について、図4を参照して説明する。図4は第2実施形態の有機EL装置における発光素子の構成を示す模式図である。
第2実施形態の有機EL装置は、第1実施形態に対して、青色発光素子1Bにおける機能層の構成を異ならせたものである。したがって、上記第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
発光素子1Rの構成は、上記第1実施形態と同じであり、平坦化層22上に、陽極3Rと、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、第1の層としての赤色発光機能層5Rと、第3の層としての中間層61と、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
そして、発光素子20Bは、中間層61を有していないので、陽極3B側の正孔注入層41から注入された正孔は中間層61によってブロックされることなく、第2正孔輸送層43によって青色発光機能層5Bに効率よく運ばれる。また、共通陰極8側の電子注入層63から注入された電子は、電子輸送層62によって青色発光機能層5Bに効率よく運ばれる。それゆえに、青色発光機能層5Bにおいて運ばれた正孔と電子の結合により励起された蛍光またはりん光の発光が得られる。
なお、本実施例および比較例は大面積の有機EL装置に関するものであり、赤色発光素子および緑色発光素子をインクジェット法で、青色発光素子を高精細マスクによる塗り分けを必要としないマスクレスの真空蒸着法にて形成するものである。
実施例や比較例において上記第1実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
実施例1は、上記第1実施形態の有機EL装置100における発光素子1R,1G,1Bの構成およびその製造方法の一例を具体的に示すものである。
<1> まず、平均厚さ1.0mmの透明なガラス基板を基板21として用意した。次に、この基板21上に、スパッタ法により、平均厚さ50nmのITO膜を形成した後、このITO膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることでITO電極(陽極3R,3G,3B/個別電極)を形成した。
そして、陽極3R,3G,3Bが形成された基板21をアセトン、2−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。
ここで、青色発光機能層5Bの形成材料としては、ホスト材料として上記化学式(11)で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記化学式(14)で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層5B中のゲスト材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、ホスト材料に対して重量比で5.0%とした。
<12> 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー(封止部材)を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図2に示すようなボトムエミッション構造の有機EL装置100を製造した。
実施例2は、上記第2実施形態の有機EL装置200における発光素子1R,1G,20Bの構成およびその製造方法の一例を具体的に示すものである。
上記実施例1における上記工程<5−1〜5−3>、上記工程<6>、上記工程<7>、上記工程<8>および上記工程<9>を、それぞれ、下記工程<5−1’>、下記工程<5−2’>、下記工程<5−3’>、下記工程<6’>、下記工程<7’>、下記工程<8’>および下記工程<9’>のように変更したこと以外は、上記実施例1と同様にして、図2に示すようなボトムエミッション構造の有機EL装置200を製造した。以降、変更した工程について説明する。
<5−2’> 次に、緑色発光素子1Gを形成すべき領域に位置する隔壁の内側に、インクジェット法を用いて、上記化学式(20)で表わされる化合物の1.2wt%テトラメチルベンゼン溶液を塗布した。
<5−3’> 次に、上記各工程で塗布した、上記化学式(7)で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液と、上記化学式(20)で表わされる化合物のテトラメチルベンゼン溶液とを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板21を加熱する。これにより、各第1正孔輸送層42上に、それぞれ、上記化学式(7)で表わされる化合物で構成される平均厚さ50nmの赤色発光機能層5Rと、上記化学式(20)で表わされる化合物で構成される平均厚さ50nmの緑色発光機能層5Gとを形成した。
<7’> 次に、赤色発光素子1Rを形成すべき領域と、緑色発光素子1Gを形成すべき領域と、青色発光機能層5Bを形成すべき領域とに、それぞれ位置する、中間層61上および正孔注入層41上に、真空蒸着法を用いて、上記化学式(9)で表わされる化合物で構成される平均厚さ10nmの第2正孔輸送層43を形成した。
<8’> 次に、第2正孔輸送層43上に、真空蒸着法を用いて以下に示す青色発光機能層形成材料で構成される平均厚さ10nmの青色発光機能層5Bを形成した。
ここで、青色発光機能層5Bの形成材料としては、ホスト材料として上記化学式(13)で表わされる化合物を用い、ゲスト材料として上記化学式(15)で表わされる化合物を用いた。また、青色発光機能層5B中のゲスト材料(ドーパント)の含有量(ドープ濃度)は、ホスト材料に対して重量比で5.0%とした。
<9’> 次に、青色発光機能層5B上に、真空蒸着法を用いて、上記化学式(17)で表わされる化合物で構成される平均厚さ30nmの電子輸送層62を形成した。
図5に示すように、比較例1の有機EL装置300は、基板21上に赤色に対応した発光素子30Rと、緑色に対応した発光素子30Gと、青色に対応した発光素子30Bとを有している。
具体的には、発光素子30Rは、平坦化層22上に、陽極3Rと、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、第1の層としての赤色発光機能層5Rと、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
発光素子30Gは、平坦化層22上に、陽極3Gと、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、第1の層としての緑色発光機能層5Gと、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
発光素子30Bは、平坦化層22上に、陽極3Bと、正孔注入層41と、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
各機能層の構成およびその製造方法は、上記実施例1と同じである。つまり、比較例1の有機EL装置300における各発光素子30R,30G,30Bの構成は、上記実施例1の各発光素子1R,1G,1Bの構成から中間層61を除いた構成となっている。
図6に示すように、比較例2の有機EL装置400は、基板21上に赤色に対応した発光素子40Rと、緑色に対応した発光素子40Gと、青色に対応した発光素子40Bとを有している。
発光素子40Gは、平坦化層22上に、陽極3Gと、正孔注入層41と、第1正孔輸送層42と、第1の層としての緑色発光機能層5Gと、中間層61Vと、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
発光素子40Bは、平坦化層22上に、陽極3Bと、正孔注入層41と、中間層61Vと、第2正孔輸送層43と、第2の層としての青色発光機能層5Bと、電子輸送層62と、電子注入層63と、共通陰極8とが、この順に積層されている。
中間層61Vは、例えば、電子注入材料としてのCs2CO3を真空蒸着法にて平均の厚さが5nmとなるように成膜したものである。
中間層61Vを除く各機能層の構成およびその製造方法は、上記実施例1と同じである。つまり、比較例2の有機EL装置400における各発光素子40R,40G,40Bの構成は、上記実施例1の各発光素子1R,1G,1Bおける電子注入材料が分散された有機物からなる中間層61を、電子注入材料単体からなる中間層61Vに置き換えたものである。
<電子機器>
次に、本実施形態の電子機器について図8〜図10を参照して説明する。
上記実施形態の有機EL装置100,200は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図8は、電子機器の一例としてのモバイル型(またはノート型)のパーソナルコンピューターを示す斜視図である。
図8に示すように、電子機器としてのパーソナルコンピューター1100は、キーボード1102を備えた本体部1104と、表示部を備える表示ユニット1106とにより構成され、表示ユニット1106は、本体部1104に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピューター1100において、表示ユニット1106が備える表示部が前述の有機EL装置100(または有機EL装置200)で構成されている。
図9に示すように、電子機器としての携帯電話機1200は、複数の操作ボタン1202、受話口1204および送話口1206とともに、表示部を備えている。
携帯電話機1200において、この表示部が前述の有機EL装置100(または有機EL装置200)で構成されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、電子機器としてのディジタルスチルカメラ1300は、被写体の光像をCCD(Charge Coupled Device)などの撮像素子により光電変換して撮像信号(画像信号)を生成する。
図10に示すように、ディジタルスチルカメラ1300におけるケース(ボディー)1302の背面には、表示部が設けられ、CCDによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。
ディジタルスチルカメラ1300において、この表示部が前述の有機EL装置100(または有機EL装置200)で構成されている。
ケースの内部には、回路基板1308が設置されている。この回路基板1308は、撮像信号を格納(記憶)し得るメモリーが設置されている。
また、ケース1302の正面側(図示の構成では裏面側)には、光学レンズ(撮像光学系)やCCDなどを含む受光ユニット1304が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン1306を押下すると、その時点におけるCCDの撮像信号が、回路基板1308のメモリーに転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ1300においては、ケース1302の側面に、ビデオ信号出力端子1312と、データ通信用の入出力端子1314とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子1312にはテレビモニター1430が、データ通信用の入出力端子1314にはパーソナルコンピューター1440が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板1308のメモリーに格納された撮像信号が、テレビモニター1430や、パーソナルコンピューター1440に出力される構成になっている。
例えば、上記実施形態では、有機EL装置100は、青色よりも長波長の光を発光する発光素子として、赤色発光素子1Rおよび緑色発光素子1Gを備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色発光素子や橙色発光素子のような青色よりも長波長の光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。この場合、これら黄色発光素子および橙色発光素子に本発明の有機EL装置の構成が適用される。
Claims (15)
- 第1陽極と共通陰極との間に設けられた第1の色を発光する機能を有する第1の層および第2の色を発光する機能を有する第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた第3の層とを有し、前記第1の色を発光する第1発光素子と、
第2陽極と前記共通陰極との間に設けられた前記第2の層を有し、前記第2の色を発光する第2発光素子と、を備え、
前記第1の層および前記第3の層が液相プロセスを用いて形成され、
前記第2の層が気相プロセスを用いて形成され、
前記第3の層は、電子注入材料が分散された有機物からなることを特徴とする有機EL装置。 - 第1陽極と共通陰極との間に設けられた第1の色を発光する機能を有する第1の層および第2の色を発光する機能を有する第2の層と、前記第1の層と前記第2の層との間に設けられた第3の層とを有し、前記第1の色を発光する第1発光素子と、
第2陽極と前記共通陰極との間に設けられた前記第2の層と、前記第2陽極と前記第2の層との間に設けられた前記第3の層とを有し、前記第2の色を発光する第2発光素子と、を備え、
前記第1の層および前記第3の層が液相プロセスを用いて形成され、
前記第2の層が気相プロセスを用いて形成され、
前記第3の層は、電子注入材料が分散された有機物からなることを特徴とする有機EL装置。 - 前記第1陽極と前記第1の層との間および前記第2陽極と前記第2の層との間に設けられた第1正孔輸送層と、
前記第3の層と前記第2の層との間に設けられた第2正孔輸送層とを有することを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL装置。 - 前記第1の層と前記第3の層とが接して積層されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記電子注入材料がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記有機物が水溶性の高分子化合物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記有機物が水溶性の低分子化合物であることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の有機EL装置。
- 前記第1の色が赤色または緑色であって、
前記第2の色が青色であることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の有機EL装置。 - 第1陽極上と第2陽極上とにそれぞれ第1正孔輸送層を形成する工程と、
前記第1陽極側の前記第1正孔輸送層上に第1の色を発光する機能を有する第1の層を液相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第1の層上に電子注入材料が分散された有機物からなる第3の層を液相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第3の層上および前記第2陽極側の前記第1正孔輸送層上に第2の色を発光する機能を有する第2の層をマスクレスの気相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第2の層上に共通陰極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 第1陽極上と第2陽極上とにそれぞれ第1正孔輸送層を形成する工程と、
前記第1陽極側の前記第1正孔輸送層上に第1の色を発光する機能を有する第1の層を液相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第1の層上と前記第2陽極側の前記第1正孔輸送層上とに電子注入材料が分散された有機物からなる第3の層を液相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第3の層上に第2の色を発光する機能を有する第2の層をマスクレスの気相プロセスを用いて形成する工程と、
前記第2の層上に共通陰極を形成する工程と、を備えたことを特徴とする有機EL装置の製造方法。 - 前記第3の層と前記第2の層との間に第2正孔輸送層を形成する工程を有することを特徴とする請求項9または10に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記電子注入材料がアルカリ金属、アルカリ土類金属、もしくはそれらの化合物で構成されることを特徴とする請求項9または10に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記有機物が水溶性の高分子化合物であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
- 前記有機物が水溶性の低分子化合物であることを特徴とする請求項9乃至12のいずれか一項に記載の有機EL装置の製造方法。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の有機EL装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091801A JP5760630B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 有機el装置およびその製造方法、電子機器 |
US13/445,322 US8846426B2 (en) | 2011-04-18 | 2012-04-12 | Organic EL device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011091801A JP5760630B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 有機el装置およびその製造方法、電子機器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012226891A true JP2012226891A (ja) | 2012-11-15 |
JP5760630B2 JP5760630B2 (ja) | 2015-08-12 |
Family
ID=47005780
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011091801A Active JP5760630B2 (ja) | 2011-04-18 | 2011-04-18 | 有機el装置およびその製造方法、電子機器 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8846426B2 (ja) |
JP (1) | JP5760630B2 (ja) |
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JP7386653B2 (ja) | 2019-09-06 | 2023-11-27 | キヤノン株式会社 | 発光装置及びその製造方法、プリンタ、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置並びに移動体 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
US8846426B2 (en) | 2014-09-30 |
US20120261683A1 (en) | 2012-10-18 |
JP5760630B2 (ja) | 2015-08-12 |
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A977 | Report on retrieval |
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