JP5879741B2 - 発光素子、表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、発光素子、表示装置および電子機器に関するものである。

有機エレクトロルミネッセンス素子（いわゆる有機ＥＬ素子）は、陽極と陰極との間に少なくとも１層の発光性有機層を介挿した構造を有する発光素子である。このような発光素子では、陰極と陽極との間に電界が印加されることにより、発光層に対して陰極側から電子が注入されるとともに陽極側から正孔が注入され、発光層中で電子と正孔が再結合することにより励起子が生成し、この励起子が基底状態に戻る際に、そのエネルギー分が光として放出される。

このような発光素子としては、例えば、陰極と陽極との間に、２層以上の発光層を有するものが知られており（例えば、特許文献１参照。）、かかる構成とすることで、発光素子の高発光効率化や高寿命化を図ること等が検討されている。
しかしながら、これらの発光素子では、各発光層をほぼ同時に発光させた状態で、長寿命化を図ることが検討されており、その寿命は、最も長寿命の発光層の寿命に依存してしまう。そのため、発光素子の十分な高寿命化を図ることは難しかった。

特開２００６−３２４２３３号公報

本発明の目的は、陰極と陽極の間に同色の光を発光する複数の発光層を備え、これら複数の発光層を、時間差をもって発光させることで長寿命化が図られた発光素子、さらにかかる発光素子を備える表示装置および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の発光素子は、陽極と、
陰極と、
前記陽極と前記陰極との間に設けられた第１の発光層と、
前記陰極と前記第１の発光層との間に設けられた前記第１の発光層の発光色と同色の光を発光する第２の発光層とを有し、
さらに、前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、前記第１の発光層側から、電子注入層と正孔輸送層とがこの順で接触して積層された積層体を有し、
前記電子注入層は、前記第１の発光層に接触し、Ｃｓ _２ ＣＯ _３ を含有し、前記電子注入層の平均厚さが、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下であり、
前記正孔輸送層は、前記第２の発光層に接触し、アミン系化合物を含有し、前記正孔輸送層の平均厚さが、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、
前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加する初期状態では、前記第２の発光層が発光することなく前記第１の発光層が選択的に発光し、
前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加する連続駆動時では、前記第１の発光層の劣化に伴って、前記第２の発光層が発光することを特徴とする。
これにより、陽極と陰極との間に電圧を印加して発光素子を発光させた初期には、第１の発光層を選択的に発光させ、この第１の発光層の発光光が減衰した連続駆動時には、第２の発光層を発光させることにより、これら発光層を、時間差をもって発光させることができるため、発光素子の長寿命化が図られる。
また、前記第１の発光層は、前記電子注入層に接触していることにより、電子注入層に含まれる構成材料が、正孔輸送層側に拡散することとなり、さらに、前記第２の発光層は、前記正孔輸送層に接触していることで、正孔輸送層によりブロックされた電子を、第２の発光層に注入することができる。
また、初期状態における第２の発光層の劣化を確実に防止することができる。
また、第１の発光層の劣化に伴って、第２の発光層が発光する構成とすることで、発光素子としての寿命を長寿命なものとすることができる。

本発明の発光素子では、前記第１の発光層のフォトルミネッセンス発光の中心波長と、前記第２の発光層のフォトルミネッセンス発光の中心波長との差が±５０ｎｍ以下であることが好ましい。
このようにフォトルミネッセンス発光の中心波長の差を±５０ｎｍ以下とすることで、第１の発光層の発光時と、第２の発光層の発光時とにおける色調の変化を最小限に留めることができる。

本発明の発光素子では、前記第１の発光層および前記第２の発光層の発光色は、青色であることが好ましい。
青色の発光光を発光する青色発光層（特に、液相プロセスを用いて形成された青色発光層）は、一般的に寿命が短いため、このような青色発光層を備える発光素子に、本発明の発光素子を適用するのが有効である。

本発明の表示装置は、本発明の発光素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い表示装置を得ることができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器を得ることができる。

本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。 実施例１の発光素子を模式的に示した縦断面図である。 比較例１の発光素子を模式的に示した縦断面図である。 実施例１、比較例１の発光素子における発光輝度の経時変化を示すグラフである。 実施例１の発光素子の発光輝度が初期から８０％となった時点における発光光の発光波長を示すグラフである。 実施例１の発光素子の発光輝度が初期から７０％となった時点における発光光の発光波長を示すグラフである。 実施例１の発光素子の発光輝度が初期から６０％となった時点における発光光の発光波長を示すグラフである。 実施例１の発光素子の発光輝度が初期から５０％となった時点における発光光の発光波長を示すグラフである。

以下、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態について説明する。
（表示装置）
まず、本発明の発光素子を説明するのに先立って、本発明の発光素子を備える表示装置（本発明の表示装置）について説明する。
なお、以下では、本発明の表示装置を、ディスプレイ装置に適用した場合を一例に説明する。

図１は、本発明の表示装置を適用したディスプレイ装置の実施形態を示す縦断面図である。
図１に示すディスプレイ装置１００は、基板２１と、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応して設けられた複数の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂと、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂをそれぞれ駆動するための複数の駆動用トランジスタ２４とを有している。
なお、本実施形態において、ディスプレイ装置１００は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが光Ｒ、Ｇ、Ｂを発光すると、その光Ｒ、Ｇ、Ｂを基板２１側から透過させるボトムエミッション構造のディスプレイパネルである。

基板２１上には、複数の駆動用トランジスタ２４が設けられ、これらの駆動用トランジスタ２４を覆うように、絶縁材料で構成された平坦化層２２が形成されている。
各駆動用トランジスタ２４は、シリコン等の半導体材料からなる半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。

また、平坦化層２２上には、各駆動用トランジスタ２４に対応して、発光素子（有機ＥＬ素子）１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが設けられている。
発光素子１Ｒは、平坦化層２２上に、陽極３と、正孔注入層４１と、第１の赤色発光層５１Ｒと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の赤色発光層５２Ｒと、電子輸送層６２と、陰極８とがこの順に積層されている。

また、発光素子１Ｇは、平坦化層２２上に、陽極３と、正孔注入層４１と、第１の緑色発光層５１Ｇと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の緑色発光層５２Ｇと、電子輸送層６２と、陰極８とがこの順に積層されている。
さらに、発光素子１Ｂは、平坦化層２２上に、陽極３と、正孔注入層４１と、第１の青色発光層５１Ｂと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の青色発光層５２Ｂと、電子輸送層６２と、陰極８とがこの順に積層されている。

かかる構成の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの隣接するもの同士の間には、隔壁３１が設けられ、これにより各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが個別に設けられている。
本実施形態では、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂにおいて、陽極３、正孔注入層４１および第１の発光層５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂが隔壁３１で区画されることにより個別に設けられている。そして、第１の発光層５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂ上に形成される各層の内、第２の発光層５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを除く、電子注入層６１、正孔輸送層４３、電子輸送層６２および陰極８が一体的に設けられている。かかる構成とすることで、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、画素電極を構成し、さらに、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陰極８は、共通電極を構成する。また、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの陽極３は、各駆動用トランジスタ２４のドレイン電極２４５に導電部（配線）２７により電気的に接続されている。

このように、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを備えるディスプレイ装置１００において、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの作動を駆動用トランジスタ２４を用いて制御することにより、すなわち発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂへの電圧の印加を制御することにより、ディスプレイ装置１００のフルカラー表示が可能となる。
かかる構成の発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに本発明の発光素子が適用されるが、これら発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの詳細については後に説明する。

さらに、これらの発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ上には、本実施形態では、これらを覆うように、エポキシ樹脂で構成されたエポキシ層３５が形成されている。
そして、エポキシ層３５上に、これらを覆うように封止基板２０が設けられている。これにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの気密性が確保され、酸素や水分の浸入を防止できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上を図ることができる。

以上説明したようなディスプレイ装置１００は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを同時に発光させることで単色表示が可能であり、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを組み合わせて発光させることでフルカラー表示も可能となる。
かかる構成のディスプレイ装置１００において、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに、本発明の発光素子が適用される。以下、これら発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂについて、順次説明する。

（発光素子１Ｂ）
発光素子（青色発光素子）１Ｂは、正孔注入層４１と、第１の青色発光層（第１の発光素子）５１Ｂと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の青色発光層（第２の発光層）５２Ｂと、電子輸送層６２とが、陽極３側からこの順に積層された積層体が、陽極３と陰極８との間に介挿されてなるものである。

換言すれば、発光素子１Ｂは、陽極３と、陰極８と、陽極３と陰極８との間に設けられた第１の青色発光層５１Ｂと、陰極８と第１の青色発光層５１Ｂとの間に設けられた第２の青色発光層５２Ｂとを有し、さらに、第１の青色発光層５１Ｂと第２の青色発光層５２Ｂとの間に、第１の青色発光層５１Ｂ側から電子注入層６１と正孔輸送層４３とがこの順で積層された積層体４６を有するものである。
かかる構成の発光素子１Ｂにおいて、陽極３および陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３は正孔注入層４１に正孔を注入する電極として機能し、陰極８は電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。

以下、発光素子１Ｂを構成する各部について順次説明する。
［陽極３］
陽極３は、正孔注入層４１に正孔を注入する電極である。
この陽極３の構成材料としては、特に限定されないが、仕事関数が大きく、導電性に優れる材料が好適に用いられる。

陽極３の構成材料としては、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、フッ素添加ＳｎＯ_２、Ｓｂ添加ＳｎＯ_２、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯ等の金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような陽極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、ディスプレイ装置１００を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極３には光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。

［正孔注入層４１］
正孔注入層４１は、陽極３からの正孔注入を容易にする機能を有し、かつ、本実施形態では、陽極３からの正孔を第１の青色発光層５１Ｂにまで輸送する機能を有するものである。
この正孔注入層４１の構成材料（正孔注入材料）としては、特に限定されないが、後述する、正孔注入層４１の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。

このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、下記一般式（１）で表わされるオリゴアニリン誘導体と、下記一般式（４）で表わされる電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立して未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基を示し、ＡおよびＢは、それぞれ独立して下記一般式（２）または下記一般式（３）で表される二価の基であり、Ｒ^４〜Ｒ^１１、はそれぞれ独立して水素原子、水酸基、未置換もしくは置換の一価炭化水素基またはオルガノオキシ基、アシル基、またはスルホン酸基であり、ｍおよびｎは、それぞれ独立して１以上の正数で、ｍ＋ｎ≦２０を満足する。］

［式中、Ｄは、ベンゼン環、ナフタレン環、アトラセン環、フェナントレン環または複素環を表し、Ｒ^１２、Ｒ^１３は、それぞれ独立してカルボキシル基またはヒドロキシル基を表す。］

このような正孔注入層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、この正孔注入層４１は、発光素子１Ｂを構成する、陽極３および第１の青色発光層５１Ｂの構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。

［第１の青色発光層５１Ｂ］
第１の青色発光層５１Ｂは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、青色の光を発光する機能を有する。
このような第１の青色発光層５１Ｂの構成材料は、特に限定されないが、後述する、第１の青色発光層５１Ｂの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、第１の青色発光層５１Ｂの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子青色発光材料および低分子青色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（５）で表わされる高分子青色発光材料（American Dye Source社製、「ＡＤＳ１３６ＢＥ」）が挙げられる。

このような第１の青色発光層５１Ｂの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

［積層体４６］
積層体４６は、第１の青色発光層５１Ｂ側から、電子注入層６１と正孔輸送層４３とがこの順で積層されたものである。
発光素子１Ｂにおいて、積層体４６は、この積層体４６で輸送されるキャリア（正孔および電子）の量を経時的に制御することにより、陽極３と陰極８との間に電圧を印加する初期状態では、第２の青色発光層５２Ｂを発光させることなく、第１の青色発光層５１Ｂを選択的に発光させ、連続駆動時では、第１の青色発光層５１Ｂの劣化に伴って、第２の青色発光層５２Ｂを発光させる機能を発揮する。
なお、陽極３と陰極８との間に電圧を印加した初期状態では第１の青色発光層５１Ｂが選択的に発光し、その後の連続駆動による、この第１の青色発光層５１Ｂの劣化に伴って第２の青色発光層５２Ｂが発光するメカニズムについては後に詳述する。

［電子注入層６１］
電子注入層６１は、積層体４６を構成する層の１つであり、第１の青色発光層５１Ｂに接する層である。
この電子注入層６１の構成材料としては、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、アルカリ土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、希土類金属塩（酸化物、フッ化物、塩化物等）、金属錯体等のような電子注入材料（金属系材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子注入層６１をこのような電子注入材料（金属系材料）を主材料として構成されるものとすることで、陽極３と陰極８との間に電圧を印加する初期状態では、積層体４６を介した、第２の青色発光層５２Ｂから第１の青色発光層５１Ｂへの電子の注入効率をより向上させることができる。さらに、連続駆動時では、第１の青色発光層５１Ｂへの電子の注入をブロックする電子ブロック層としての機能を発揮する。なお、かかる現象が生じるメカニズムについては後に詳述する。

アルカリ金属としては、例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓが挙げられる。また、アルカリ土類金属としては、例えば、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが挙げられる。さらに、希土類金属としては、例えば、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｂ、Ｅｕが挙げられる。
アルカリ金属塩としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ_２ＣＯ_３、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ_２ＣＯ_３、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ_２ＣＯ_３、ＣｓＣｌが挙げられる。また、アルカリ土類金属塩としては、例えば、ＣａＦ_２、ＣａＣＯ_３、ＳｒＦ_２、ＳｒＣＯ_３、ＢａＦ_２、ＢａＣＯ_３が挙げられる。さらに、希土類金属塩としては、例えば、ＳｍＦ_３、ＥｒＦ_３が挙げられる。

金属錯体としては、例えば、８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）やトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体が挙げられる。
また、電子注入層６１の形成プロセスは、真空蒸着法（蒸着法）やスパッタ法のような気相プロセスを用いても良いし、インクジェット法やスリットコート法のような液相プロセスを用いても良い。

なお、電子注入層６１は、２種以上の電子注入層が積層される形で形成されていても良い。これによって、積層体４６の発光素子１Ｂにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。
電子注入層６１の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。電子注入層６１の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、積層体４６の発光素子１Ｂにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。

［正孔輸送層４３］
正孔輸送層４３は、積層体４６を構成する層の１つであり、第２の青色発光層５２Ｂに接する層である。
この正孔輸送層４３の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、正孔輸送層４３の形成工程において、真空蒸着法のような気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（ｍ−トリル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、下記式（８）で表わされるビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）、下記式（９）で表わされる化合物のようなベンジジン誘導体等のアミン系化合物、銅フタロシアニン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

このような正孔輸送層４３の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。正孔輸送層４３の平均厚さをかかる範囲内に設定することにより、積層体４６の発光素子１Ｂにおけるキャリア注入動作が的確に行われる。

［第２の青色発光層５２Ｂ］
第２の青色発光層５２Ｂは、青色に発光する青色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、青色の光を発光する機能を有する。
この第２の青色発光層５２Ｂの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、第２の青色発光層５２Ｂの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、例えば、下記式（１０）で表わされるスチリル誘導体の青色発光材料が挙げられる。

また、その他に第２の青色発光層５２Ｂの構成材料としては、青色発光材料をゲスト材料としてホスト材料にドープしたものが用いられる。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合させて励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを青色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させる機能を有する。このホスト材料の機能により、ゲスト材料である青色発光材料が効率よく励起され、発光する。

ここで、ホスト材料としては、例えば、下記式（１１）、下記式（１２）および下記式（１３）で表わされるアントラセン誘導体、４，４’−ビス（９−カルバゾールイル）−２，２’−ビフェニル（ＣＢＰ）、ビス（２−メチル−８−キノリノネート）−４−（フェニルフェノレート）アルミニウム（ＢＡｌｑ）、Ｎ，Ｎ−ジカルバゾイル−３，５−ベンゼン（ｍＣＰ）、４，４’−ビス（９−カルバゾイル）−２，２’−ジメチル−ビフェニル（ＣＤＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾール−１，４−ジメチルベンゼン（ＤＣＰ）２，７−ビス（ジフェニルフォスフィンオキシド）−９，９−ジメチルフルオレン（Ｐ０６）、３，５−ビス（９−カルバゾイル）テトラフェニルシラン（ＳｉｍＣＰ）、Ｗ−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン（ＵＧＨ３）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。また、ゲスト材料としての青色発光材料としては、例えば、下記式（１４）、下記式（１５）および下記式（１６）で表わされるスチリル誘導体が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

なお、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、第２の青色発光層５２Ｂ中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。
このような第２の青色発光層５２Ｂの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

なお、第２の青色発光層５２Ｂのフォトルミネッセンス発光（ＰＬ発光）の中心波長と、第１の青色発光層５１Ｂのフォトルミネッセンス発光の中心波長との差は、±５０ｎｍ以下であるのが好ましく、±２５ｎｍ以下であるのがより好ましい。これにより、第１の青色発光層５１Ｂの発光時と、第２の青色発光層５２Ｂの発光時とにおいて、発光素子１Ｂの発光光に色調の変化が生じてしまうのを、最小限に留めることができる。

［電子輸送層６２］
電子輸送層６２は、陰極８から電子輸送層６２に注入された電子を第２の青色発光層５２Ｂに輸送する機能を有するものである。また、電子輸送層６２は、第２の青色発光層５２Ｂから電子輸送層６２へ通過しようとする正孔をブロックする機能を有する場合もある。

電子輸送層６２の構成材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、後述する、電子輸送層６２の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）や８−キノリノラトリチウム（Ｌｉｑ）等の８−キノリノールなしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）のようなオキサジアゾール誘導体、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）のようなトリアゾール誘導体、下記式（１７）で表わされる化合物のようなシロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、下記式（１８）で表わされる化合物のような含窒素複素環誘導体等が好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

電子輸送層６２の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、第２電子注入層６３から注入された電子を好適に第２の青色発光層５２Ｂに輸送することができる。
なお、この電子輸送層６２は、発光素子１Ｂを構成する第１の青色発光層５１Ｂ、電子注入層６１、正孔輸送層４３、第２の青色発光層５２Ｂ、および陰極８の構成材料の種類およびその膜厚等の組み合わせによっては省略することもできる。

［陰極８］
陰極８は、電子輸送層６２に電子を注入する電極である。
この陰極８の構成材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましい。陰極８の構成材料のとしては、後述する、陰極８の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金等が用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。

特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造のディスプレイ装置１００とする場合、陰極８には光透過性が求められず、陰極８の構成材料のとしては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄ等の金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、ディスプレイ装置１００がトップエミッション構造の表示装置である場合、陰極８の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇ等の金属または合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極８の構成材料として用いることにより、陰極８の光透過性を維持しつつ、陰極８の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。

このような陰極８の平均厚さは、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｂの陽極３、正孔注入層４１、第１の青色発光層５１Ｂ、電子注入層６１、正孔輸送層４３、第２の青色発光層５２Ｂ、電子輸送層６２および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。

例えば、正孔注入層４１と第１の青色発光層５１Ｂとの間には、正孔注入層４１から注入された正孔を赤色発光層５Ｒまで輸送する機能を有する正孔輸送層が設けられていてもよい。
この正孔輸送層の構成材料としては、特に限定されないが、後述する、ディスプレイ装置１００の製造方法において、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、下記一般式（２１）で表わされるトリフェニルアミン系ポリマー等のアミン系化合物が好適に用いられる。

このような正孔輸送層の平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
さらに、陰極８と電子輸送層６２との間には、陰極８から電子輸送層６２への電子の注入効率を向上させる機能を有する電子注入層が設けられていてもよい。
電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、特に限定されないが、例えば、前述の電子注入層６１の構成材料として挙げたものと同様のものを用いることができる。

なお、この電子注入層および電子注入層６１の構成材料（電子注入材料）は、それぞれ、これらを挾持する２つの層の構成材料の組み合わせに応じて、最適な注入効率が得られるものが選択されるため、電子注入層の構成材料と電子注入層６１の構成材料とは、同一であっても異なっていてもよい。
電子注入層の平均厚さは、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

かかる構成の発光素子１Ｂにおいて、上述したように、積層体４６は、電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、陽極３（第１の青色発光層５１Ｂ）側からこの順に積層された構成をなしている。
このような積層体４６は、第２の青色発光層５２Ｂから積層体４６に注入される電子の量を、陽極３と陰極８との間に電圧を印加して発光素子１Ｂを発光させた初期と、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した連続駆動時とに対して選択的に制御する層である。すなわち、積層体４６は、発光素子１Ｂを発光させた初期と、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した後とにおいて、キャリアの流れが選択される機能を有する層である。

具体的には、発光素子１Ｂのように、積層体４６の陽極３側で、電子注入層６１に第１の青色発光層５１Ｂが接触していると、陽極３と陰極８との間に電圧を印加して発光素子１Ｂを発光させた初期には、積層体４６は、第２の青色発光層５２Ｂから積層体４６に流れてくる電子を第１の青色発光層５１Ｂに円滑に注入する（キャリア注入動作）。このため、第２の青色発光層５２Ｂにおいて、正孔と電子との再結合が的確に抑制または防止されるため、陽極３と陰極８との間に電圧を印加して発光素子１Ｂを発光させた初期では、第２の青色発光層５２Ｂは、青色発光しないか、青色発光したとしてもその発光は的確に抑制される。これに対して、第１の青色発光層５１Ｂには、陰極８側から第２の青色発光層５２Ｂを介して電子が供給（注入）されるとともに、陽極３側から正孔が供給（注入）される。そして、第１の青色発光層５１Ｂでは、正孔と電子とが再結合し、この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、発光素子１Ｂを発光させた初期には、第１の青色発光層５１Ｂが青色発光する。

その後、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した頃には、積層体４６は第１の青色発光層５１Ｂから積層体４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を第１の青色発光層５１Ｂに留める（キャリアブロック動作）。このため、第１の青色発光層５１Ｂにおいて、陽極３側から供給（注入）された正孔と、陰極８側から供給（注入）された電子とが、再結合しやすくなる。この再結合によって励起子（エキシトン）が生成し、励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを蛍光やりん光として放出するため、第１の青色発光層５１Ｂは、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した際に、効率良く発光する。
このように、積層体４６は、陽極３と陰極８との間に電圧を印加した初期状態と、第１の青色発光層５１Ｂの劣化が進行した連続駆動時とでは、キャリア注入動作を行ったり、キャリアブロック動作を行ったりする。

以下、陽極３と陰極８との間に電圧を印加した初期状態における積層体４６の挙動と、第１の青色発光層５１Ｂの劣化が進行した連続駆動時における積層体４６の挙動が異なる理由を、正孔注入層４１がイオン伝導性の正孔注入材料（金属系材料）を含有する場合を一例に説明する。
まず、陽極３と陰極８との間に電圧を印加して発光素子１Ｂを発光させた初期では、電子注入層６１を構成している電子注入材料（金属系材料）が、正孔輸送層４３内に拡散し、これにより、正孔輸送層４３が有する電子ブロック機能が大きく低下する。その結果、第２の青色発光層５２Ｂから正孔輸送層４３へ電子が円滑に注入される。さらに、第１の青色発光層５１Ｂと、正孔輸送層４３との間に存在する電子注入層６１の機能により、正孔輸送層４３から、第１の青色発光層５１Ｂへの電子の注入も円滑に行われる。

以上より、陽極３と陰極８との間に電圧を印加した初期状態では、積層体４６は、第２の青色発光層５２Ｂから積層体４６に流れてくる電子を、それぞれ、第１の青色発光層５１Ｂに円滑に注入する（キャリア注入動作）。すなわち、積層体４６は、第２の青色発光層５２Ｂから、第１の青色発光層５１Ｂに、電子（キャリア）を円滑に流す動作を行う。
その結果、陽極３と陰極８との間に電圧を印加した初期では、第２の青色発光層５２Ｂの発光が抑制され、第１の青色発光層５１Ｂが選択的に発光する。

一方、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した連続駆動時では、正孔輸送層４３に拡散していた電子注入材料がさらに拡散し、正孔輸送層４３中における含有量が低下する。これにより、低下していた正孔輸送層４３の電子ブロック機能が回復（向上）することとなる。その結果、第２の青色発光層５２Ｂから正孔輸送層４３へ流れてくる電子が、正孔輸送層４３によってブロックされ、これに接触して設けられた第２の青色発光層５２Ｂ内に留まる。以上より、第１の青色発光層５１Ｂの発光光が減衰した連続駆動時には、積層体４６は第２の青色発光層５２Ｂから積層体４６に流れてくる電子をブロックし、これら電子を第２の青色発光層５２Ｂに留める（キャリアブロック動作）。すなわち、積層体４６は、第２の青色発光層５２Ｂから流れてくる電子（キャリア）の流れを抑制する動作を行う。
その結果、陽極３と陰極８との間に電圧を印加する連続駆動時では、第１の青色発光層５１Ｂの劣化に伴って、第２の青色発光層５２Ｂが発光する。

（発光素子１Ｇ）
発光素子（緑色発光素子）１Ｂは、正孔注入層４１と、第１の緑色発光層（第１の発光素子）５１Ｇと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の緑色発光層（第２の発光層）５２Ｇと、電子輸送層６２とが、陽極３側からこの順に積層された積層体が、陽極３と陰極８との間に介挿されてなるものである。

発光素子１Ｇにおいて、積層体４６は、電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、第１の緑色発光層５１Ｇ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｇにおいて、陽極３および陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３は正孔注入層４１に正孔を注入する電極として機能し、陰極８は電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。

以下、発光素子１Ｇについて説明するが、前述した発光素子１Ｂとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
発光素子１Ｇは、第１の青色発光層５１Ｂに代えて第１の緑色発光層５１Ｇを備え、第２の青色発光層５２Ｂに代えて第２の緑色発光層５２Ｇを備えること以外は、前述の発光素子１Ｂと同様の構成のものである。

［第１の緑色発光層５１Ｇ］
第１の緑色発光層５１Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、緑色の光を発光する機能を有する。
このような第１の緑色発光層５１Ｇの構成材料は、特に限定されないが、後述する、第１の緑色発光層５１Ｇの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、第１の緑色発光層５１Ｇの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子緑色発光材料および低分子緑色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（１９）および下記一般式（２０）で表わされる高分子緑色発光材料が挙げられる。

このような第１の緑色発光層５１Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

［第２の緑色発光層５２Ｇ］
第２の緑色発光層５２Ｇは、緑色に発光する緑色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、緑色の光を発光する機能を有する。
この第２の緑色発光層５２Ｇの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、第２の緑色発光層５２Ｇの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）が挙げられ、その他、緑色発光材料をゲスト材料としてホスト材料にドープしたものが用いられる。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合させて励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを緑色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させる機能を有する。このホスト材料の機能により、ゲスト材料である緑色発光材料が効率よく励起され、発光する。

ここで、ホスト材料としては、例えば、第２の青色発光層５２Ｂのホスト材料として挙げたのと同様のものを用いることができる。また、ゲスト材料としての緑色発光材料としては、例えば、Fac-tris(2-phenypyridine)iridium（Ｉｒ（ｐｐｙ））、Bis(2- phenyl-pyridinato-N,C2)iridium(acetylacetone)（Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ））のようなイリジウム錯体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

なお、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、第２の緑色発光層５２Ｇ中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。

このような第２の緑色発光層５２Ｇの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｇの陽極３、正孔注入層４１、第１の緑色発光層５１Ｇ、電子注入層６１、正孔輸送層４３、第２の緑色発光層５２Ｇ、電子輸送層６２および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。

（発光素子１Ｒ）
発光素子（赤色発光素子）１Ｒは、正孔注入層４１と、第１の赤色発光層（第１の発光素子）５１Ｒと、電子注入層６１と、正孔輸送層４３と、第２の赤色発光層（第２の発光層）５２Ｒと、電子輸送層６２とが、陽極３側からこの順に積層された積層体が、陽極３と陰極８との間に介挿されてなるものである。

発光素子１Ｒにおいて、積層体４６は、電子注入層６１と正孔輸送層４３とが、第１の赤色発光層５１Ｒ側からこの順に積層された積層体により構成される。また、発光素子１Ｒにおいて、陽極３および陰極８は、それぞれ、個別電極および共通電極を構成し、陽極３は正孔注入層４１に正孔を注入する電極として機能し、陰極８は電子輸送層６２に電子を注入する電極として機能する。

以下、発光素子１Ｒについて説明するが、前述した発光素子１Ｂとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
発光素子１Ｒは、第１の青色発光層５１Ｂに代えて第１の赤色発光層５１Ｒを備え、第２の青色発光層５２Ｂに代えて第２の赤色発光層５２Ｒを備えること以外は、前述の発光素子１Ｂと同様の構成のものである。

［第１の赤色発光層５１Ｒ］
第１の赤色発光層５１Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、赤色の光を発光する機能を有する。
このような第１の赤色発光層５１Ｒの構成材料は、特に限定されないが、後述する、第１の赤色発光層５１Ｒの形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、溶液化または分散液化できることが望ましい。そこで、第１の赤色発光層５１Ｒの構成材料としては、溶媒または分散媒に、溶解または分散することができる、高分子赤色発光材料および低分子赤色発光材料が好適に用いられ、例えば、下記一般式（６）および下記一般式（７）で表わされる高分子赤色発光材料が挙げられる。

このような第１の赤色発光層５１Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。

［第２の赤色発光層５２Ｒ］
第２の赤色発光層５２Ｒは、赤色に発光する赤色発光材料を含んで構成され、陽極３と陰極８との間に電圧を印加することで、赤色の光を発光する機能を有する。
この第２の赤色発光層５２Ｒの構成材料としては、特に限定されないが、後述する、第２の赤色発光層５２Ｒの形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るものが好適に用いられ、例えば、赤色発光材料をゲスト材料としてホスト材料にドープしたものが用いられる。ホスト材料は、正孔と電子とを再結合させて励起子を生成するとともに、その励起子のエネルギーを赤色発光材料に移動（フェルスター移動またはデクスター移動）させる機能を有する。このホスト材料の機能により、ゲスト材料である赤色発光材料が効率よく励起され、発光する。

ここで、ホスト材料としては、例えば、第２の青色発光層５２Ｂのホスト材料として挙げたのと同様のものを用いることができる。また、ゲスト材料としての赤色発光材料としては、例えば、Bis(2-2'-benzothienyl)-pyridinato-N,C3）Iridium(acetylacetonate)（Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ））のようなイリジウム錯体、2,3,7,8,12,13,17,18-Octaethyl-21H,23H-porphine,platinum(II)（ＰｔＯＥＰ）のようなプラチナ錯体ルブレン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることもできる。

なお、このようなゲスト材料およびホスト材料を用いる場合、第２の赤色発光層５２Ｒ中におけるゲスト材料の含有量（ドープ量）は、ホスト材料に対して重量比で０．１％以上、２０％以下程度であるのが好ましく、０．５％以上、１０％以下程度であるのがより好ましい。ゲスト材料の含有量をこのような範囲内とすることで、発光効率を最適化することができる。

このような第２の赤色発光層５２Ｒの平均厚さは、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、かかる構成の発光素子１Ｒの陽極３、正孔注入層４１、第１の赤色発光層５１Ｒ、電子注入層６１、正孔輸送層４３、第２の赤色発光層５２Ｒ、電子輸送層６２および陰極８の各層の間には、任意の層が設けられていてもよい。

（ディスプレイ装置１００の製造方法）
以上のようなディスプレイ装置１００は、例えば、次のようにして製造することができる。
［１］まず、基板２１を用意し、形成すべきサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂに対応するように、複数の駆動用トランジスタ２４を形成したのち、これら駆動用トランジスタ２４を覆うように平坦化層２２を形成する（第１の工程）。

［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、駆動用トランジスタ２４を形成する。
［１−Ａａ］まず、基板２１上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが３０ｎｍ以上、７０ｎｍ以下程度のアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。

［１−Ａｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ^２程度に設定される。
［１−Ａｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とすることで半導体層２４１を得、これら島状の半導体層２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが６０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度の酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。

［１−Ａｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ａｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。

［１−Ｂ］次に、駆動用トランジスタ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｂａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。

［１−Ｃ］次に、ドレイン電極２４５と、各陽極３とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｃａ］まず、第１平坦化層上に、第２平坦化層を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
なお、［１−Ｂ］工程および［１−Ｃ］工程において形成された第１平坦化層および第２平坦化層により平坦化層２２が構成される。

［２］次に、平坦化層２２上に、各配線２７に対応するように、陽極（個別電極）３を形成する（第２の工程）。
この陽極３は、平坦化層２２上に、陽極３の構成材料を主材料として構成される薄膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。
［３］次に、平坦化層２２上に、各陽極３を区画するように、すなわち、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ（サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を形成する領域を区画するように、隔壁（バンク）３１を形成する（第３の工程）。
隔壁３１は、各陽極３を覆うように平坦化層２２上に、絶縁膜を形成した後、各陽極３が露出するようにフォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。

ここで、隔壁３１の構成材料は、耐熱性、撥液性、インク溶剤耐性、平坦化層２２等との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、隔壁３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ_２のような無機材料が挙げられる。
また、隔壁３１の開口の形状は、四角形の他、例えば、円形、楕円形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。

なお、隔壁３１の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、正孔注入層４１および発光層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを、後述するような液状材料を用いて形成する際に、これらの液状材料を、隔壁３１の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。
このような隔壁３１の高さは、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの厚さに応じて適宜設定され、特に限定されないが、０．５μｍ以上、５μｍ以下程度とするのが好ましい。かかる高さとすることにより、十分に隔壁（バンク）としての機能が発揮される。

なお、インクジェット法によって、正孔注入層４１および発光層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂを形成する場合、隔壁３１が形成された基板２１は、プラズマ処理されることが望ましい。具体的には、隔壁３１が形成された基板２１の表面を、まずＯ_２ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極３の表面と隔壁３１の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。次に、ＣＦ_４等のフッ素系ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、有機材料である感光性樹脂からなる隔壁３１の表面のみにフッ素系ガスが反応して撥液化される。これによって、隔壁３１の隔壁としての機能がより効果的に発揮される。

［４］次に、発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１および第１の赤色発光層５１Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１および第１の緑色発光層５１Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側には、正孔注入層４１および第１の青色発光層５１Ｂを形成する（第４の工程）。この第４の工程について、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂ毎に以下に詳述する。

［発光素子１Ｂ］
発光素子１Ｂを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１および第１の青色発光層５１Ｂをこの順番に形成する。それぞれの層を形成する工程を正孔注入層４１形成工程、第１の青色発光層５１Ｂ形成工程とし、以下に詳述する。
［正孔注入層４１形成工程］
まず、正孔注入層４１をインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層４１形成用のインク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、各陽極３上に塗布する（塗布工程）。

ここで、正孔注入層形成用のインクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリン等の脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陽極３上に塗布された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極３が隔壁３１により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層４１の輪郭形状が正確に規定される。

次に、塗布した正孔注入層４１に対して後処理を施す（後処理工程）。具体的には、各陽極３上に塗布した正孔注入層形成用のインク（液状材料）を乾燥し、正孔注入層４１を形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理(例えば４０℃以上、８０℃以下程度)による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法等が挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層４１が形成された基板２１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層４１の膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層４１を不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層４１の未不溶化部分を除去するために、正孔注入層４１が形成された基板２１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層４１の未不溶化部分が、正孔注入層４１の上に形成される第１の青色発光層５１Ｂに、混入することを防ぐことができる。

［第１の青色発光層５１Ｂ形成工程］
第１の青色発光層５１Ｂ形成工程では、まず、第１の青色発光層５１Ｂを正孔注入層４１上に、正孔注入層４１形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した第１の青色発光層５１Ｂに対して正孔注入層４１形成工程と同様の後処理を施す。ただし、第１の青色発光層５１Ｂ形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、第１の青色発光層５１Ｂの形成に適したものを適宜選択する。

以上の、正孔注入層４１形成工程、第１の青色発光層５１Ｂ形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量およびインク滴の着弾位置を、基板の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、正孔注入層４１の薄膜化、画素サイズの微小化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を図ることができる。また、各層を形成するためのインク（液状材料）を、隔壁３１の内側に選択的に供給することができるため、インクのムダを省くことができる。

ただし、これら、正孔注入層４１形成工程、第１の青色発光層５１Ｂ形成工程には、インクジェット法に限らず、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等の気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法等の液相プロセスも用いることができる。

［発光素子１Ｇ］
発光素子１Ｇを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１および第１の緑色発光層５１Ｇをこの順番に発光素子１Ｂと同様の手法を用いて形成する。ただし、正孔注入層４１、第１の緑色発光層５１Ｇのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。

［発光素子１Ｒ］
発光素子１Ｒを形成すべき領域に位置する隔壁３１の内側に、正孔注入層４１および第１の赤色発光層５Ｒをこの順番に発光素子１Ｂと同様の手法を用いて形成する。ただし、正孔注入層４１、第１の赤色発光層５１Ｒのそれぞれの層において、層の形成用のインクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件等は、それぞれの層の形成に適したものを適宜選択する。
以上のように、正孔注入層４１および第１の発光層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂの各層をインクジェット法によって形成する場合、各層は塗布工程と後処理工程を経て完全に形成されるが、各層の塗布工程は、他の層の塗布工程と同時に行っても良いし、各層の後処理工程は、他の層の後処理工程と同時に行っても良い。

［５］次に、第１の赤色発光層５１Ｒ、第１の緑色発光層５１Ｇ、第１の青色発光層５１Ｂおよび隔壁３１に重なるように、すなわち、隔壁３１の平坦化層２２と接している面と反対側の全面を覆うように、電子注入層６１を形成する（第５の工程）。
これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子注入層６１が一括（一体的）に形成される。

この電子注入層６１も、前記工程［発光素子１Ｂ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、第１の赤色発光層５１Ｒ、第１の緑色発光層５１Ｇ、第１の青色発光層５１Ｂと電子注入層６１との間での層溶解を防止しつつ、電子注入層６１を確実に形成することができる。

［６］次に、電子注入層６１の全面を覆うように、正孔輸送層４３を形成する（第６の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の正孔輸送層４３が一括に形成される。
［７］次に、正孔輸送層４３を覆うように、発光素子１Ｒを形成すべき領域に対応する位置には、第２の赤色発光層５２Ｒを形成し、発光素子１Ｇを形成すべき領域に対応する位置には、第２の緑色発光層５２Ｇを形成し、さらに、発光素子１Ｂを形成すべき領域に対応する位置には、第２の青色発光層５２Ｂを形成する（第７の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに対応して、第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇおよび第２の青色発光層５２Ｂがそれぞれ形成される。

これら第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇおよび第２の青色発光層５２Ｂの形成は、例えば、これらを形成すべき領域の形状に対応した開口部を有するマスクをそれぞれ用意し、正孔輸送層４３の各領域に対応する位置に、第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇおよび第２の青色発光層５２Ｂを形成するための材料をそれぞれ選択的に供給することにより行うことができる。

また、これら第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇおよび第２の青色発光層５２Ｂも、前記工程［発光素子１Ｂ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、正孔輸送層４３と、第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇ、第２の青色発光層５２Ｂとの間での層溶解を防止しつつ、第２の発光層５２Ｒ、５２Ｇ５２Ｂを確実に形成することができる。その結果、液相プロセスを用いる場合と比較して、長寿命な第２の発光層５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂが成膜される。

［８］次に、第２の赤色発光層５２Ｒ、第２の緑色発光層５２Ｇ、第２の青色発光層５２Ｂおよび正孔輸送層４３の全面を覆うように、電子輸送層６２を形成する（第８の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子輸送層６２が一括に形成される。
［９］次に、電子輸送層６２の全面を覆うように、陰極８を形成する（第９の工程）。これにより、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の陰極８が一括に形成される。

なお、前記工程［６］、［８］、［９］で形成する各層も、前記工程［発光素子１Ｂ］で説明した気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、中でも、気相プロセスを用いるのが好ましい。気相プロセスを用いることにより、隣接する層同士間における層溶解を防止しつつ、形成すべき層を確実に形成することができる。
また、前記工程［発光素子１Ｒ］、［発光素子１Ｇ］および［発光素子１Ｂ］において、それぞれ、第１の発光層５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂをインクジェット法のような液層プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる第１の発光層５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂを容易に塗り分け、かつディスプレイ装置１００の大面積化を容易に実現することができる。加えて、前記工程［６］および［７］において、それぞれ、正孔輸送層４３および第２の発光層５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂを気相プロセス（気相成膜法）を用いて形成することにより、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂは、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。

また、前記工程［５］および［６］において、それぞれ、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂに共通の電子注入層６１および正孔輸送層４３を一括して形成する構成とした、すなわち電子注入層６１および正孔輸送層４３で構成される積層体４６を一体的に形成する構成としたことから、高精細マスクを用いて、発光素子１Ｂに対して選択的に電子注入層６１および正孔輸送層４３を成膜する必要がないため、工程の簡略化、さらにはディスプレイ装置１００の大面積化を容易に図ることができる。
以上のようにして、駆動用トランジスタ２４に対応して、複数の赤色、緑色および青色にそれぞれ発光する発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが形成される。

［１１］ 次に、封止基板２０を用意し、陰極８と封止基板２０との間にエポキシ系の接着剤を介在させた後、この接着剤を乾燥させる。
これにより、エポキシ層３５を介して、封止基板２０で陰極８を覆うように陰極８と封止基板２０とを接合することができる。
この封止基板２０は、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂを保護する保護基板としての機能を発揮する。このような封止基板２０を、陰極８上に設ける構成とすることで、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが酸素や水分に接触するのをより好適に防止または低減できることから、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの信頼性の向上や、変質・劣化の防止等の効果をより確実に得ることができる。

以上のような工程を経て、各発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂが封止基板２０により封止されたディスプレイ装置（本発明の表示装置）１００が完成される。
なお、本実施形態では、発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂの各発光素子に、本発明の発光素子を適用する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、これら発光素子１Ｒ、１Ｇ、１Ｂのうちの少なくとも１つに本発明の発光素子が適用されていればよいが、発光素子１Ｂに、本発明の発光素子を適用するのが好ましい。

ここで、青色の発光光を発光する青色発光層（特に、液相プロセスを用いて形成された青色発光層）は、一般的に寿命が短い。そのため、本実施形態で説明したように、第１の青色発光層５１Ｂを、液相プロセスを用いて形成した場合、この第１の青色発光層５１Ｂは、他の発光素子１Ｒ、１Ｇが備える第１の発光層５１Ｒ、５１Ｇと比較してその寿命が短くなる。そのため、発光素子１Ｂを、第２の青色発光層５２Ｂを備える構成とすることで、発光素子１Ｂの長寿命化を図ることができ、その結果、発光素子１Ｂは、実用レベルの発光寿命特性を十分に備えるものとなる。

（電子機器）
このようなディスプレイ装置１００（本発明の表示装置）は、各種の電子機器（本発明の電子機器）に組み込むことができる。
図２は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図３は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

図４は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部が前述のディスプレイ装置１００で構成されている。

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。

なお、本発明の電子機器は、図２のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図３の携帯電話機、図４のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の発光素子、表示装置および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものでない。
例えば、前記実施形態では、表示装置は、発光素子として、赤色、緑色および青色の光を発光するものを備える場合としたが、この場合に限定されず、黄色や橙色のような光を発光する発光素子を備えるものであってもよい。この場合、これら黄色や橙色の光を発光する発光素子にも本発明の発光素子を適用することができる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．発光素子の製造
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３２１として用意した。次に、この基板３２１上に、スパッタ法により、平均厚さ５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成することで陽極３０３（ＩＴＯ電極）を形成した。
そして、陽極３０３が形成された基板３２１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施した。

＜２＞ 次に、陽極３０３上に、インクジェット法を用いて、１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した後、このＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３２１を加熱することで、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される平均厚さ５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層３４１を形成した。
＜３＞ 次に、正孔注入層３４１上に、インクジェット法を用いて、以下に示す構成材料を供給し、乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３２１を加熱した。これにより、正孔注入層３４１上に、平均厚さ６０ｎｍの第１の緑色発光層３５１Ｇを形成した。

ここで、第１の緑色発光層３５１Ｇの構成材料としては、ホスト材料としてＣＢＰを用い、ゲスト材料としてＩｒ（ｐｐｙ）_３を用いた。また、第２の緑色発光層中のゲスト材料（ドーパント）の含有量（ドープ濃度）は、ホスト材料に対して重量比で５．０％とした。
なお、この第１の緑色発光層３５１Ｇのフォトルミネッセンス発光（ＰＬ発光）の中心波長は、５１５ｎｍである。

＜４＞ 次に、第１の緑色発光層３５１Ｇ上に、Ｃｓ_２ＣＯ_３を蒸着源として真空蒸着法にて形成した平均厚さ０．５ｎｍのＣｓを含む蒸着膜を形成し、電子注入層３６１とした。
ここで、Ｃｓを「含む薄膜」とは、少なくともＣｓ塩を構成する金属材料であるＣｓ単体を含む薄膜となっていることを意味しており、金属含有層が蒸着材料である金属塩を含んでいても良い。発明者は、別途行った予備実験により以下に示すような現象を観察しており、真空蒸着した膜がＣｓ塩のみからなる膜ではなく、Ｃｓ単体を含む膜となっていることを間接的に確かめている。

具体的には、Ｃｓ_２ＣＯ_３を蒸着源として形成した蒸着膜にＡｌの蒸着膜を積層したものを大気に曝すと、Ａｌの表面が激しく発砲し、表面に顕著な凹凸が生じることが確認された。蒸着膜としてＣｓ_２ＣＯ_３が成膜されているならば、積層したＡｌ膜に顕著な変化は起きないはずである。これは蒸着膜がＣｓ単体を含むため、大気暴露によって急激にＣｓ単体部が酸化や吸湿をしたためであると考えられる。

＜５＞ 次に、電子注入層３６１上に、真空蒸着法を用いて、α−ＮＰＤで構成される平均厚さ１０ｎｍの正孔輸送層３４３を形成した。
＜６＞ 次に、正孔輸送層３４３上に、真空蒸着法を用いてトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）で構成される平均厚さ２０ｎｍの第２の緑色発光層３５２Ｇを形成した。
なお、この第２の緑色発光層３５２Ｇのフォトルミネッセンス発光（ＰＬ発光）の中心波長は、５２５ｎｍである。

＜７＞ 次に、第２の緑色発光層３５２Ｇ上に、真空蒸着法を用いて、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（ｐ−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＢＡｌｑ）で構成される平均厚さ２０ｎｍの電子輸送層３６２を形成した。
＜８＞ 次に、電子輸送層３６２上に、真空蒸着法を用いてＡｌで構成される、平均厚さ１００ｎｍの陰極３０８を形成した。
＜９＞ 次に、形成した各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止した。
以上の工程により、図５に示すようなボトムエミッション構造を有する実施例１の発光素子を製造した。

（比較例１）
電子注入層３６１、正孔輸送層３４３、第２の緑色発光層３５２Ｇおよび電子輸送層３６２の形成を省略して、陽極３０３と陰極３０８との間に、正孔注入層３４１と第１の緑色発光層３５１Ｇとが積層された構成をなす、図６に示すようなボトムエミッション構造を有する比較例１の発光素子を製造した。

２．評価
実施例１および比較例１の発光素子について、それぞれ、初期輝度が１，０００ｃｄ／ｍ^２となるように発光素子に定電流を流し、初期輝度の５０％程度となるまで、その輝度を測定した。
そして、実施例１の発光素子については、初期輝度の８０％、７０％、６０％および５０％となった時点における発光光の発光波長を測定した。

これらの結果を図７〜図１１に示す。
なお、図７では、実施例１および比較例１の発光素子の初期輝度を、基準として規格した値をそれぞれ示した。
図７から明らかなように、実施例１の発光素子では、比較例１の発光素子と比較して、発光素子の長寿命化が図られていることが判った。

また、図８〜１１から明らかなように、実施例１の発光素子において、定電流を流した初期から一定時間流した後では、発光波長の中心波長が長波長側にシフトしていることが判った。このことから、定電流を流した初期では、ＰＬ発光の中心波長が低波長の第１の緑色発光層３５１Ｇが主に発光し、その後、この第１の緑色発光層３５１Ｇの発光光が減衰するにしたがって、ＰＬ発光の中心波長が高波長の第２の緑色発光層３５２Ｇが主に発光しているものと推察された。

１Ｒ……赤色発光素子 １Ｇ……緑色発光素子 １Ｂ……青色発光素子 ３、３０３……陽極 ４１、３４１……正孔注入層 ４３、３４３……正孔輸送層 ４６……積層体 ５１Ｒ……第１の赤色発光層 ５１Ｇ、３５１Ｇ……第１の緑色発光層 ５１Ｂ……第１の青色発光層 ５２Ｒ……第２の赤色発光層 ５２Ｇ、３５２Ｇ……第２の緑色発光層 ５２Ｂ……第２の青色発光層 ６１、３６１……電子注入層 ６２、３６２……電子輸送層 ８、３０８……陰極 １００……ディスプレイ装置 １００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ……サブ画素 ２０……封止基板 ２１、３２１……基板 ２２……平坦化層 ２４……駆動用トランジスタ ２４１……半導体層 ２４２……ゲート絶縁層 ２４３……ゲート電極 ２４４……ソース電極 ２４５……ドレイン電極 ２７……配線 ３１……隔壁 ３５……エポキシ層 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００……ディジタルスチルカメラ １３０２……ケース（ボディー） １３０４……受光ユニット １３０６……シャッタボタン １３０８……回路基板 １３１２……ビデオ信号出力端子 １３１４……データ通信用の入出力端子 １４３０……テレビモニタ １４４０……パーソナルコンピュータ

Claims (5)

1. 陽極と、
   陰極と、
   前記陽極と前記陰極との間に設けられた第１の発光層と、
   前記陰極と前記第１の発光層との間に設けられた前記第１の発光層の発光色と同色の光を発光する第２の発光層とを有し、
   さらに、前記第１の発光層と前記第２の発光層との間に、前記第１の発光層側から、電子注入層と正孔輸送層とがこの順で接触して積層された積層体を有し、
   前記電子注入層は、前記第１の発光層に接触し、Ｃｓ_２ＣＯ_３を含有し、前記電子注入層の平均厚さが、０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下であり、
   前記正孔輸送層は、前記第２の発光層に接触し、アミン系化合物を含有し、前記正孔輸送層の平均厚さが、５ｎｍ以上、３０ｎｍ以下であり、
   前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加する初期状態では、前記第２の発光層が発光することなく前記第１の発光層が選択的に発光し、
   前記陽極と前記陰極との間に電圧を印加する連続駆動時では、前記第１の発光層の劣化に伴って、前記第２の発光層が発光することを特徴とする発光素子。
2. 前記第１の発光層のフォトルミネッセンス発光の中心波長と、前記第２の発光層のフォトルミネッセンス発光の中心波長との差が±５０ｎｍ以下である請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１の発光層および前記第２の発光層の発光色は、青色である請求項１または２に記載の発光素子。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の発光素子を備えることを特徴とする表示装置。
5. 請求項４に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。

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