JP2013214496A - 有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置、電子機器 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光効率に優れ高い表示品質を有する有機ＥＬ装置の製造方法、有機ＥＬ装置、及び電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極２４と陰極２５との間に発光層６４を有する発光素子を複数備え、液相プロセスを用いて発光層６４を形成する工程と、発光層６４と陰極２５との間において発光層６４に接して、気相プロセスを用いて中間層７４を形成する工程と、を備え、中間層７４は発光層６４に含まれる低分子のホスト材料を含むことを特徴とする。
【選択図】図４

Description

本発明は有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Electro-Luminescence）装置の製造方法、有機ＥＬ装置、電子機器に関する。
上記有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に有機発光材料からなる発光層が挟持された構造を有している。有機ＥＬ装置の製造方法としては、例えば、特許文献１に記載のように、印刷法及び蒸着法の互いのメリットを採用した製造方法が用いられる。
例えば、まず、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光色に対応する塗り分け性を考慮して、材料使用効率の高い印刷法によって発光層まで形成する。次に、有機材料からなる緩衝層を蒸着法によって形成する。該有機材料は、発光層に対する電子注入性、ホールブロック性を確保するために電子注入材料を用いることが好ましいとされている。これにより、長い発光寿命を有する有機ＥＬ素子（発光素子）を効率的に形成することができるとしている。
特開２００１−７６８７４号公報
しかしながら、印刷法によって形成された発光層と、蒸着法によって形成された緩衝層との界面において十分な親和性が得られず、発光層への電子の輸送がスムーズに行われないため、ダークスポットの発生や発光面積が縮小するという問題があった。また、電子輸送性を高めるための膜を発光層と緩衝層との間に配置してダークスポットが改善されたとしても、効率的に発光させることができないという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法は、陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子を複数備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、液相プロセスを用いて前記発光層を形成する工程と、前記発光層と前記陰極との間において前記発光層に接して、気相プロセスを用いて中間層を形成する工程と、を備え、前記中間層は前記発光層に含まれる低分子のホスト材料を含むことを特徴とする。
本適用例によれば、液相プロセスで形成された発光層と気相プロセスで形成された陰極との間に、発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む気相プロセスで形成された中間層が発光層に接して配置される。したがって、塗布膜である発光層と陰極との間に、例えば気相プロセスで形成された電子輸送層を挟む場合に比べて、中間層は発光層に対する親和性が優れているので、陰極から発光層に電子の輸送をスムーズに行うことができる。よって、ダークスポットの発生や発光面積が縮小することを抑えることが可能となり、優れた発光効率を有する有機ＥＬ装置を製造することができる。なお、発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。
［適用例２］本適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法は、第１陽極と共通陰極との間に第１発光層を有する第１発光素子と、第２陽極と前記共通陰極との間に第２発光層を有する第２発光素子とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、液相プロセスを用いて前記第１発光層を形成する工程と、前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第２陽極と前記共通陰極との間に、気相プロセスを用いて前記第２発光層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、前記第１発光層と前記第２発光層との間において前記第１発光層に接して、気相プロセスを用いて中間層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、を備え、前記中間層は、前記第１発光層に含まれる低分子のホスト材料を含むことを特徴とする。
本適用例によれば、第１発光素子において、第１陽極と共通陰極との間に、液相プロセスで形成された第１発光層と気相プロセスで形成された第２発光層とを有していても、中間層は第１発光層に対する親和性に優れているので、第１発光層を選択的に発光させることができる。つまり、第１発光素子では第１発光層が発光し、第２発光素子では第２発光層が発光する有機ＥＬ装置を、第１発光層と第２発光層とを塗り分けすることなく、液相プロセスと気相プロセスとを利用して、効率的に製造することが可能な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
［適用例３］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法では、前記第１陽極と前記第１発光層との間及び前記第２陽極と前記中間層との間において、前記第１陽極及び前記第２陽極に接して、液相プロセスを用いて正孔注入層を形成する工程と、前記正孔注入層と前記第１発光層との間において前記正孔注入層に接して、液相プロセスを用いて第１正孔輸送層を形成する工程と、前記中間層と前記第２発光層との間に、気相プロセスを用いて第２正孔輸送層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、を備え、前記第２発光層は、前記第２正孔輸送層に接して形成されることが好ましい。
この方法によれば、液相プロセスで形成された第１発光層には、同じく液相プロセスで形成された第１正孔輸送層が接し、気相プロセスで形成された第２発光層には、同じく気相プロセスで形成された第２正孔輸送層が接しているので、それぞれの発光層において効率よく正孔が注入される。したがって、第１発光層及び第２発光層における高い発光効率を実現できる。
［適用例４］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法では、前記中間層と前記第２正孔輸送層との間において前記中間層に接して、気相プロセスを用いてキャリア調整層を形成する工程をさらに備え、前記キャリア調整層は、電子輸送性を有する金属化合物を含むことが好ましい。
この方法によれば、第１発光素子において、第１発光層と共通陰極の間に、中間層や第２発光層を有していても、中間層に接して形成されたキャリア調整層が電子輸送性を有しているため、第１発光層へ電子を効率的に輸送することができ、第１発光層における高い発光効率を実現できる。
［適用例５］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記金属化合物は、炭酸セシウムであることが好ましい。
この方法によれば、優れた電子輸送性を有するキャリア調整層を形成することができる。
［適用例６］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記第２正孔輸送層は、低分子の正孔輸送材料を含み、前記第２発光素子の前記第２陽極と前記中間層との間において前記正孔注入層に接して、液相プロセスを用いて前記低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層を形成する工程をさらに備え、前記第３正孔輸送層を形成する工程は、前記第１発光層を形成する工程の後に行われることが好ましい。
この方法によれば、第２発光素子の正孔注入層と前記中間層との間に、第２正孔輸送層に含まれる低分子の正孔輸送材料を含んだ第３正孔輸送層が形成されるので、第２発光層への正孔の輸送性がさらに向上する。したがって、第２発光素子の第２発光層における高い発光効率を実現できる。また、第３正孔輸送層の形成は第１発光層が形成された後に液相プロセスで形成されるので、第１発光層を形成する前に第３正孔輸送層を形成する場合に比べて、第１発光層形成時の加熱等の乾燥プロセスによって低分子の正孔輸送材料が凝集して第３正孔輸送層の機能が低下することを防ぐことができる。
［適用例７］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、第３陽極と前記共通陰極との間に第３発光層を有する第３発光素子をさらに備え、液相プロセスを用いて前記第３発光層を形成する工程を有し、前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする。
この方法によれば、優れた発光効率を有すると共に、第１発光層、第２発光層、第３発光層をそれぞれ選択的に発光させることができる有機ＥＬ装置を製造することができる。
［適用例８］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、赤色の発光色を示す前記第１発光層を形成し、青色の発光色を示す前記第２発光層を形成し、緑色の発光色を示す前記第３発光層を形成することが好ましい。
この方法によれば、優れた発光効率を有すると共にフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を製造することができる。
［適用例９］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記中間層の厚みは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。
この方法によれば、中間層の厚みが上記範囲内に設定されているので、中間層を発光層と陰極あるいは共通陰極との間に形成することによる駆動電圧の上昇や発光効率の低下を抑えることができる。
［適用例１０］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記低分子のホスト材料は、電子輸送性を有することが好ましい。
この方法によれば、中間層が電子輸送性を有しているので、陰極あるいは共通陰極からの電子をよりスムーズに発光層に移動させることが可能となり、発光効率を向上させることができる。
［適用例１１］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置の製造方法において、前記液相プロセスは、機能層形成材料を含む機能液を液滴として吐出する液滴吐出法であることが好ましい。
この方法によれば、所望の領域に所定量の機能液を液滴として精度よく吐出できるので、所望の発光特性を有する有機ＥＬ装置を効率よく製造することができる。
［適用例１２］本適用例に係わる有機ＥＬ装置は、基板に、陽極と、蒸着膜である陰極と、前記陽極と前記陰極との間に、塗布膜である発光層と、前記発光層と前記陰極との間に、前記発光層に接して、前記発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜である中間層と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、塗付膜である発光層と蒸着膜である陰極との間に、発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜である中間層が発光層に接して配置される。したがって、塗布膜である発光層と蒸着膜である陰極との間に、例えば蒸着膜である電子輸送層を挟む場合に比べて、中間層は発光層に対する親和性が優れているので、陰極から発光層に電子の輸送をスムーズに行うことができる。よって、ダークスポットの発生や発光面積が縮小することを抑えることが可能となり、優れた発光特性を有する有機ＥＬ装置を提供することができる。
［適用例１３］本適用例に係わる有機ＥＬ装置は、基板に、第１陽極と蒸着膜である共通陰極との間に、塗布膜である第１発光層と蒸着膜である第２発光層とを有する第１発光素子と、第２陽極と前記共通陰極との間に前記第２発光層を有する第２発光素子と、前記第１発光層と前記第２発光層との間及び前記第２陽極と前記第２発光層との間に、前記第１発光層に接して前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成され、前記第１発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜である中間層と、を有することを特徴とする。
本適用例によれば、第１発光素子において、第１陽極と共通陰極との間に、塗布膜である第１発光層と蒸着膜である第２発光層とを有していても、中間層は第１発光層に対する親和性に優れているので、第１発光層を選択的に発光させることができる。つまり、第１発光素子では第１発光層が発光し、第２発光素子では第２発光層が発光する有機ＥＬ装置を、第１発光層と第２発光層とを塗り分けすることなく、液相プロセスと気相プロセスとを利用して、効率的に製造することが可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
［適用例１４］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、前記第１陽極と前記第１発光層との間及び前記第２陽極と前記中間層との間に、前記第１陽極及び前記第２陽極に接して、塗布膜である正孔注入層と、前記正孔注入層と前記第１発光層との間に、前記正孔注入層に接して、塗布膜である第１正孔輸送層と、前記中間層と前記第２発光層との間に、蒸着膜である第２正孔輸送層と、さらに備えることが好ましい。
この構成によれば、塗布膜である第１発光層には、同じく塗布膜である第１正孔輸送層が接し、蒸着膜である第２発光層には、同じく蒸着膜である第２正孔輸送層が接しているので、それぞれの発光層において効率よく正孔が注入される。したがって、第１発光層及び第２発光層における高い発光効率を実現できる。
［適用例１５］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、前記中間層と前記第２正孔輸送層との間に、前記中間層に接して、蒸着膜であるキャリア調整層をさらに備え、前記キャリア調整層は、電子輸送性を有する金属化合物を含むことが好ましい。
この構成によれば、第１発光素子において、第１発光層と共通陰極の間に、中間層や第２発光層を有していても、中間層に接して形成されたキャリア調整層が電子輸送性を有しているため、第１発光層へ電子を効率的に輸送することができ、第１発光層における高い発光効率を実現できる。
［適用例１６］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、前記第２正孔輸送層は、低分子の正孔輸送材料を含み、前記第２発光素子の前記第２陽極と前記中間層との間に、前記第２陽極に接して、塗布膜である前記低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層をさらに備えることが好ましい。
この構成によれば、第２発光素子の正孔注入層と中間層との間に、第２正孔輸送層に含まれる低分子の正孔輸送材料を含んだ第３正孔輸送層が配置されているので、第２発光層への正孔の輸送性がさらに向上する。したがって、第２発光素子の第２発光層における高い発光効率を実現できる。
［適用例１７］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、第３陽極と前記共通陰極との間に塗布膜である第３発光層を有する第３発光素子をさらに備え、前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする。
この構成によれば、優れた発光効率を有すると共に、第１発光層、第２発光層、第３発光層をそれぞれ選択的に発光させることができる有機ＥＬ装置を提供できる。
［適用例１８］上記適用例に係わる有機ＥＬ装置において、前記第１発光素子の前記第１発光層は赤色の発光色を示し、前記第２発光素子の前記第２発光層は青色の発光色を示し、前記第３発光素子の前記第３発光層は緑色の発光色を示すことが好ましい。
この構成によれば、優れた発光効率を有すると共にフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
［適用例１９］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、効率よく製造可能であって、優れた発光効率を有する有機ＥＬ装置を備えているので、コストパフォーマンスに優れた電子機器を提供することができる。
［適用例２０］本適用例に係わる電子機器は、上記適用例に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、優れた発光効率を有する有機ＥＬ装置を備えているので、見栄えのよい電子機器を提供することができる。
第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図。 比較例１の発光素子の構成を示す模式断面図。 比較例１〜４及び実施例１〜７における各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 （ｆ）〜（ｊ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態における比較例５と実施例８〜１２の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表。 第３実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図。 第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 第３実施形態における比較例５と実施例１３〜１７の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表。 第４実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図。 第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 第４実施形態における比較例５と実施例１８〜２２の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表。 電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。また、有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でもよい。本実施形態では、ボトムエミッション構造を例に説明する。
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５との間に発光層を含む機能層２６を有する発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２に保持された電位の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、機能層２６を流れる電流量に応じた輝度で発光する。
図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置１１の構成を、図２を参照しながら説明する。
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４がマトリックス状に配列されている。複数のサブ画素３４の各々に、前述した発光素子２７が設けられており、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
基板３１の図中下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
図３は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置１１の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、図３は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４２において発光が行われるものであり、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４と、発光素子層４４上に形成された陰極（共通陰極）２５とを有する。基板３１は、透明な例えばガラスやプラスチックなどの基板が用いられる。なお、有機ＥＬ装置１１がトップエミッション構造である場合には、基板３１は透明な基板だけでなく、不透明な例えばシリコンやセラミックスなどの基板を用いることができる。
回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜などからなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料や金属材料の合金などが用いられたゲート電極５３が形成されている。
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
駆動用ＴＦＴ２３の半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された電源線１４と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。
陽極２４は、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明のＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）膜からなり、例えば、平面的に略矩形状の形状となっている。サブ画素３４の発光色に対応して、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと呼ぶこともある。陽極２４Ｒが本発明における第１陽極に相当し、陽極２４Ｂが本発明における第２陽極に相当し、陽極２４Ｇが本発明における第３陽極に相当する。
なお、回路素子層４３には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂに接続された駆動用のトランジスター（駆動用ＴＦＴ２３）が形成されている。
発光素子層４４は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画するバンク（隔壁）６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３（図４参照）、発光層６４、発光層６４に接して形成された中間層７４などを含んで構成されている。
回路素子層４３とバンク６２との間には、絶縁層６６が形成されている。絶縁層６６としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）などの無機材料が挙げられる。絶縁層６６は、隣り合う陽極２４間の絶縁性を確保すると共に、発光領域４２の形状を所望の形状（例えば、トラック形状）にするために、陽極２４の周縁部上に乗り上げるように形成されている。つまり、陽極２４と絶縁層６６とは、平面的に一部が重なるように配置された構造となっている。更に言い換えれば、絶縁層６６は、発光領域４２を除いた領域に形成されていることになる。
バンク６２は、例えば、断面が傾斜面を有する台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、囲まれた領域がバンク６２の開口部６７となる。バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性、耐溶剤性を有する有機材料が挙げられる。
正孔注入層６３（図４参照）は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
なお、図３には記載されていないが、正孔注入層６３の上には正孔輸送層７１が設けられている（図４参照）。発光層６４は、正孔輸送層７１の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。発光層６４の上には中間層７４が形成され、その上には電子輸送層７８（図４参照）などが形成される。機能層２６の上方、バンク６２上を含む基板３１上の全体には、機能層２６に接して陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
陰極２５は、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）層、カルシウム（Ｃａ）層及びアルミニウム（Ａｌ）層を積層した構成や、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）などの合金を用いた構成を採用することができる。また、それ以外にも、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、銅、銀、金などの金属単体または合金を用いてもよい。また、炭酸セシウム（Ｃｓ２ＣＯ３）を用いるようにしてもよい。
陰極２５の上には、水や酸素の浸入を防ぐための、樹脂などからなる封止部材３８と、封止基板２０とが積層されている。陽極２４と、機能層２６と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。
陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４に陽極２４側から正孔が、また、陰極２５側から電子が注入される。発光層６４において、これらのキャリア（正孔・電子）が結合したときに生ずるエネルギーが光となって発光する。
＜発光素子の構成＞
図４は第１実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図である。以下、発光素子の構成を、図４を参照しながら説明する。
図４に示すように、発光素子２７は、基板３１側から順に陽極２４、正孔注入層６３、正孔輸送層７１、発光層６４、中間層７４、電子輸送層７８、電子注入層７９、陰極２５を有している。
基板３１は、発光素子２７の支持体として用いられる。基板３１は、前述したように例えば、ガラスまたはプラスチックなどが用いられる。なお、発光素子２７の支持体として機能するものであれば、これらの材料に限定されない。
陽極２４の材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、フッ素添加ＳｎＯ2、Ｓｂ添加ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ａｌ添加ＺｎＯ、Ｇａ添加ＺｎＯなどの金属酸化物、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｃｕまたはこれらを含む合金などが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
陽極２４の膜厚は、特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、３０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、有機ＥＬ装置１１を、ボトムエミッション構造のディスプレイパネルとする場合、陽極２４には光透過性が求められるため、上述した構成材料のうち、光透過性を有する金属酸化物が好適に用いられる。
正孔注入層６３は、陽極２４からの正孔注入を容易にする機能を有するものである。正孔注入層６３の材料としては、後述する、正孔注入層６３の形成工程において、液相プロセスを用いて形成し得るように、導電性高分子材料（または導電性オリゴマー材料）に電子受容性ドーパントを添加したイオン伝導性正孔注入材料が好適に用いられる。
このようなイオン伝導性正孔注入材料としては、例えば、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）のようなポリチオフォン系正孔注入材料や、ポリアニリン−ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡＮＩ／ＰＳＳ）のようなポリアニリン系正孔注入材料や、オリゴアニリン誘導体と、電子受容性ドーパントとで塩を形成してなるオリゴアニリン系正孔注入材料が挙げられる。このような正孔注入層６３の膜厚は、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
正孔輸送層７１は、正孔注入層６３から注入された正孔を発光層６４まで輸送する機能を有する。また、正孔輸送層７１は、発光層６４から入って正孔輸送層７１を通過する電子をブロックする機能を有する場合もある。
この正孔輸送層７１の材料としては、液相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、トリフェニルアミン系ポリマーなどのアミン系化合物が好適に用いられる。そのほかポリフルオレン誘導体（ＰＦ）やポリパラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）を含むポリシラン系などの高分子有機材料を用いることができる。
正孔輸送層７１の膜厚は、特に限定されないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
発光層６４は、発光材料から構成される。発光層６４の構成において、陽極２４と陰極２５間に電圧を印加すると、発光層６４に電荷が注入される。すると正孔と電子が再結合し、励起エネルギーが生成され該励起エネルギーが発光材料に移動して発光が得られる。
発光層６４を構成する発光材料は、正孔や電子を輸送し再結合させるホスト材料と、ホスト材料から再結合した際に生ずるエネルギーを受け取り発光する若しくは、それ自身で正孔と電子の再結合が行われるドーパントとで構成されている。
ホスト材料としては、ＣＢＰ（４，４’−bis（９−dicarbazolyl）−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ’−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４'−bis（９−carbazolyl）−２，２'−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphine oxide）−９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（W−bis（triphenylsilyl）benzene）などがある。これのホスト材料はいずれも低分子の有機材料であり、電子輸送性を有する。本実施形態において、低分子とは、分子量が１０００未満であることを言う。また、高分子とは、主要骨格が繰り返された構造を有し、分子量が１０００以上であることを言う。
ドーパント材料は、燐光を発する燐光材料と、蛍光を発する蛍光材料とがあり、燐光材料としては、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（Fac−tris（２−phenypyridine）iridium）、Ｐｐｙ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ２）iridium（acetylacetone）、Ｂｔ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−phenylbenxothiozolato−Ｎ，Ｃ２’）iridium（III）（acetylacetonate））、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）（Bis（２−２'−benzothienyl）−pyridinato−Ｎ，Ｃ３）Iridium（acetylacetonate）、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ，２，）−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）'）、ＦＩｒＮ４（（（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate）、Ｆｉｒｔａｚ（（Iridium（III）bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazo−late）、ＰｔＯＥＰ（２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−Octaethyl−２１Ｈ，２３Ｈ−porphine，platinum（II）、などがある。
蛍光材料としては、Ａｌｑ３（８−ヒドロキシキノリナート）アルミニウム，ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドンなどがある。
発光層６４の膜厚は、特に限定されないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
中間層７４は、発光層６４に含まれる低分子のホスト材料を含み、発光層６４に接して形成されている。また、中間層７４は気相プロセス（蒸着法）を用いて形成される。
中間層７４を構成する材料は、例えば、上述したＣＢＰ（４，４’−bis（９−dicarbazolyl）−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate））aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４'−bis（９−carbazolyl）−２，２'−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphine oxide）−９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（W−bis（（triphenylsilyl）benzene）がある。なお、中間層７４は、上記のホスト材料のうち少なくとも１種を含んで構成され、複数種を含んで構成されてもよい。
中間層７４の厚みは、１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であるのが好ましい。中間層７４の厚みを、上記範囲内に設定するので、中間層７４を発光層６４と電子輸送層７８との間に入れることによる駆動電圧の上昇や発光効率の低下を抑えることができる。
電子輸送層７８は、陰極２５から注入された電子を中間層７４ならびに発光層６４に輸送する機能を有するものである。
電子輸送層７８の材料（電子輸送材料）としては、特に限定されないが、後述する、電子輸送層形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、ＢＡｌｑ、ＯＸＤ−１、１，３，５−トリ（５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＢＣＰ（Bathocuproine）、ＰＢＤ（２−（４−ビフェニル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１１，２，４−オキサジアゾール）、ｔＢｕ−ＰＢＤ（２−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−（４−ビフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＰＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ジフェニルエテニル）ビフェニル）、ＢＮＤ（２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール）、ＤＴＶＢｉ（４，４’−ビス（１，１−ビス（４−メチルフェニル）エテニル）ビフェニル）、ＢＢＤ（２，５−ビス（４−ビフェニリル）−１，３，４−オキサジアゾール）といった、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ＴＡＺ（３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール）のようなトリアゾール誘導体、フェナンソロリン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン誘導体、ジフェノキノン誘導体、ヒドロキシキノリン誘導体なしいその誘導体を配位子とする有機金属錯体などのキノリン誘導体、シロール誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体含窒素複素環誘導体などが好適に用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子輸送層７８の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、電子輸送層７８に注入された電子を好適に発光層６４に輸送することができる。
電子注入層７９は、陰極２５から電子輸送層７８への電子の注入効率を向上させる機能を有するものである。電子注入層７９を構成する電子注入材料としては、特に限定されないが、蒸着法などの気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、アルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物を挙げることができる。
アルカリ金属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。これらのアルカリ金属化合物やアルカリ土類金属化合物うちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
電子注入層７９の膜厚は、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。なお、電子注入層７９は、電子輸送層７８と陰極２５の構成材料の種類及びその膜厚などの組み合わせによっては省略することもできる。
陰極２５は、電子注入層７９を介して電子輸送層７８に電子を注入する電極である。この陰極２５の材料としては、仕事関数の小さい材料を用いるのが好ましく、後述する、陰極２５の形成工程において、気相プロセスを用いて形成し得るように、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ａｕまたはこれらを含む合金などが用いられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体など）用いることができる。
また、陰極２５は、陽極２４よりも仕事関数が小さい金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物などを用いることが望ましい。例えば、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、即ちリチウムやセシウムなどのアルカリ金属及びマグネシウム、カルシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属及びこれらを含む合金であるＭｇＡｇ、ＡＬＬｉ、ユーロピウム、イッテルビウムなどがある。
特に、本実施形態のように、ボトムエミッション構造の有機ＥＬ装置１１とする場合、陰極２５には光透過性が求められず、陰極２５の構成材料のとしては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、ＡｌＡｇ、ＡｌＮｄなどの金属または合金が好ましく用いられる。かかる金属または合金を陰極２５の構成材料として用いることにより、陰極２５の電子注入効率及び安定性の向上を図ることができる。
ボトムエミッション構造における陰極２５の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
なお、有機ＥＬ装置１１がトップエミッション構造である場合、陰極２５の構成材料としては、ＭｇＡｇ、ＭｇＡｌ、ＭｇＡｕ、ＡｌＡｇなどの合金を用いるのが好ましい。かかる金属または合金を陰極２５の構成材料として用いることにより、陰極２５の光透過性を維持しつつ、陰極２５の電子注入効率及び安定性の向上を図ることができる。
トップエミッション構造における陰極２５の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、２０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。続いて、発光素子２７の製造方法を説明する。
＜発光素子の製造方法＞
（正孔注入層形成工程）
正孔注入層形成工程では、まず、正孔注入層形成用インクをインクジェット法によって塗布する。具体的には、正孔注入材料を含有する正孔注入層形成用インク（液状材料）を、インクジェットプリント装置のヘッドから吐出し、陽極２４上に塗布する。
ここで、正孔注入層形成用インクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイトなどの各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリンなどのアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリンなどの脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、３−フェノキシトルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリルなどのニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒などが挙げられる。
なお、陽極２４上に塗布された正孔注入層形成用インク（液状材料）は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陽極２４がバンク６２により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、正孔注入層６３の輪郭形状が正確に規定される。
次に、塗布した正孔注入層形成用インクに対して後処理を施す。具体的には、陽極２４上に塗布した正孔注入層形成用インクを乾燥し、正孔注入層６３を形成する。この乾燥によって、溶媒または分散媒を除去することができる。乾燥の手法としては、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理（例えば４０℃以上、８０℃以下程度）による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法などが挙げられる。さらに、必要に応じて、正孔注入層６３が形成された基板３１を１００℃以上、３００℃以下程度で加熱（ベーク）する。この加熱により、乾燥後に正孔注入層６３の膜内に残留した溶媒または分散媒を、取り除くことができる。
また、加熱により架橋し溶媒に対して不溶化するような正孔注入材料を用いている場合は、この加熱によって正孔注入層６３を不溶化させることもできる。また、この加熱後、正孔注入層６３の未不溶化部分を除去するために、正孔注入層６３が形成された基板３１の表面を溶媒によってリンス（洗浄）することもある。このリンスによって、正孔注入層６３の未不溶化部分が、正孔注入層６３の上に形成される正孔輸送層７１に、混入することを防ぐことができる。
（正孔輸送層形成工程）
正孔輸送層形成工程では、まず正孔輸送層形成用インクを正孔注入層６３上に正孔注入層形成工程と同様のインクジェット法によって塗布し、次に塗布した正孔輸送層形成用インクに対して正孔注入層形成工程と同様の後処理を施す。但し、正孔輸送層形成用インクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件などは、正孔輸送層７１の形成に適したものを適宜選択する。
ここで、正孔輸送層形成用インクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイトなどの各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリンなどのアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリンなどの脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、３−フェノキシトルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリルなどのニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒などが挙げられる。
（発光層形成工程）
発光層形成工程では、まず、発光層形成用インクを正孔輸送層７１上にインクジェット法によって塗布し、次に塗布した発光層形成用インクに対して正孔注入層形成工程と同様の後処理を施す。但し、発光層形成用インクに用いるインク溶媒またはインク分散媒や、後処理の手法や条件などは、発光層６４の形成に適したものを適宜選択する。
ここで、発光層形成用インクの調製に用いる溶媒（インク溶媒）または分散媒（インク分散媒）としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイトなどの各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリンなどのアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）などのエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブなどのセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、テトラリンなどの脂環式炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、３−フェノキシトルエンなどの芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドンなどの芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）などのアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタンなどのハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチルなどのエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホランなどの硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリルなどのニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸などの有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒などが挙げられる。
以上の、正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程、発光層形成工程には、インクジェット法を用いることが好ましい。インクジェット法では、インクの吐出量及びインク滴の着弾位置を、基板３１の面積の大小に関わらず高精度に制御できるため、かかる方法を用いることにより、画素サイズの微小化、さらには有機ＥＬ装置１１の大面積化を図ることができる。
また、正孔注入層形成工程、正孔輸送層形成工程、発光層形成工程には、インクジェット法に限らず、例えば、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法などの液相プロセスを用いることができる。
（中間層形成工程）
中間層形成工程では、発光層６４に含まれる低分子のホスト材料を含む中間層７４を発光層６４に接して形成する。中間層７４の形成方法は、例えば、蒸着法などの気相プロセスが挙げられる。後処理の手法や条件などは、中間層７４の形成に適したものを適宜選択する。
（電子輸送層形成工程）
電子輸送層形成工程では、中間層７４を覆うように、蒸着法などの気相プロセスを用いて電子輸送層７８を形成する。これにより、各発光素子２７に亘って電子輸送層７８が共通に形成される。
（電子注入層形成工程）
電子注入層形成工程では、電子輸送層７８を覆うように、蒸着法などの気相プロセスを用いて電子注入層７９を形成する。これにより、各発光素子２７に亘って電子注入層７９が共通に形成される。
（陰極形成工程）
陰極形成工程では、電子注入層７９を覆うように、蒸着法などの気相プロセスを用いて陰極２５を形成する。これにより、各発光素子２７に亘って陰極２５が共通に形成される。以上のような工程を経て、有機ＥＬ装置１１が完成される。
上記発光素子２７において、機能層２６のうち発光層６４までをそれぞれインクジェット法のような液相プロセスを用いて成膜することにより、発光色の異なる発光層６４を容易に塗り分け、且つ、有機ＥＬ装置１１の大面積化を容易に実現することができる。
また、上記発光素子２７において、発光層６４より上層の膜を気相プロセスを用いて形成することにより、各発光素子２７は、実用レベルの発光寿命を十分に備えるものとなる。
また、液相プロセスで形成した発光層６４と、気相プロセスで形成した電子輸送層７８との間に、気相プロセスにおいて発光層６４に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜からなる中間層７４を配置することにより、陰極２５から発光層６４に電子の輸送をスムーズに行うことが可能となる。よって、ダークスポットの発生や発光面積が縮小することを抑えることが可能となり、表示特性を向上させることができる。
次に、具体的な比較例１〜４や実施例１〜７を示した図５及び図６を参照して説明する。図５は、比較例１の発光素子の構成を示す模式断面図である。図６は、比較例１〜４及び実施例１〜７における各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表である。なお、比較例１〜４において実施例１と同じ構成については同じ符号を付して詳細な説明は省略する。図６の表中で、ＨＩＬは正孔注入層を指し、ＨＴＬは正孔輸送層を指し、ＥＭＬは発光層を指し、ＥＴＬは電子輸送層を指すものである。また、電子注入層の構成は、比較例１〜４及び実施例１〜７において同じであるため、表中における記載を省略した。
（比較例１）
図５に示すように、比較例１の発光素子２７Ｃは、基板３１の陽極２４上に、液相プロセスにより、正孔注入層６３、正孔輸送層７１、発光層６４を形成する。その後、気相プロセスによって電子輸送層７８、電子注入層７９、陰極２５を形成する。つまり、発光素子２７Ｃの機能層２６Ｃは発光層６４と電子輸送層７８との間に中間層７４を含まない構成となっている。
各層の膜厚は、図６に示すように、正孔注入層６３が５０ｎｍ、正孔輸送層７１が１０ｎｍ、発光層６４が３０ｎｍ、電子輸送層７８が２０ｎｍ、陰極２５が２００ｎｍである。材料などの詳細は、中間層７４を除いて、上記実施形態の発光素子２７の構成と同様である。
具体的には、まず、厚さ１．０ｍｍの透明なガラス基板を基板３１として用意した。次に、この基板３１上に、スパッタ法により、膜厚が５０ｎｍのＩＴＯ膜を形成した後、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィー法を用いてパターニングすることで陽極２４を形成する。そして、陽極２４が形成された基板３１をアセトン、２−プロパノールの順に浸漬し、超音波洗浄した後、酸素プラズマ処理を施す。
次に、陽極２４が形成された基板３１上に、スピンコート法により、アクリル系樹脂で構成される絶縁層を形成した後、この絶縁層をフォトリソグラフィー法を用いて陽極２４を露出するようにパターニングすることでバンク６２を形成した。さらに、バンク６２が形成された基板３１の表面を、まずＯ2ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより陽極２４の表面とバンク６２の表面（壁面を含む）が活性化され親液化する。続いて、バンク６２が形成された基板３１の表面を、ＣＦ4ガスを処理ガスとしてプラズマ処理する。これにより、アクリル系樹脂からなるバンク６２の表面のみにＣＦ4ガスが反応して撥液化される。
次に、発光素子２７を形成すべき領域に位置するバンク６２の内側に、インクジェット法を用いて、正孔注入層形成用インクである１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を塗布した。
次に、上記各工程で塗布したＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を乾燥した後、大気中にて基板３１を加熱し、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳで構成される膜厚５０ｎｍのイオン伝導性の正孔注入層６３を形成する。
次に、発光層６４を形成すべき領域に位置するバンク６２の内側に、インクジェット法を用いて、正孔輸送層形成用インクであるトリフェニルアミン系ポリマー１．５ｗｔ％テトラメチルベンゼン溶液を塗布する。
次に、上記各工程で塗布したトリフェニルアミン系ポリマーのテトラメチルベンゼン溶液を乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３１を加熱した。さらに、基板３１の、発光層６４の形成すべき領域をキシレンによってリンスした。これにより、各正孔注入層６３上に、それぞれ、トリフェニルアミン系ポリマーで構成される膜厚が１０ｎｍの正孔輸送層７１を形成する。
次に、発光層６４を形成すべき領域に位置するバンク６２の内側に、インクジェット法を用いて、ホスト材料としてのＣＢＰ及びｍＣＰとドーパントＩｒｐｐｙ３の３種を１．２ｗｔ％含む発光層形成用インクであるテトラメチルベンゼン溶液を塗布する。
次に、塗布した発光層形成用インクを乾燥した後、窒素雰囲気中にて基板３１を加熱する。これにより、正孔輸送層７１上に、それぞれ、ホスト材料ＣＢＰとｍＣＰとドーパントＩｒｐｐｙ３で構成される膜厚３０ｎｍの発光層６４を形成する。
次に、発光層６４上に、蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される膜厚が２０ｎｍの電子輸送層７８を形成する。
次に、電子輸送層７８上に、蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、膜厚が１ｎｍの電子注入層７９を形成する。
次に、電子注入層７９上に、蒸着法を用いてＡｌで構成される、膜厚が２００ｎｍの陰極２５を形成する。
次に、各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止する。以上の工程により、図５に示すようなボトムエミッション構造の発光素子２７Ｃを有する有機ＥＬ装置を製造する。
（比較例２）
図６に示すように、比較例２は、比較例１に対して、発光層６４の膜厚を２９．５ｎｍとし、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である電子輸送層７８との間に、発光層６４に含まれるホスト材料であるＣＢＰを膜厚が０．５ｎｍとなるように蒸着法で形成して中間層７４を構成したものである。
（比較例３）
図６に示すように、比較例３は、比較例１に対して、発光層６４の膜厚を２０．０ｎｍとし、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である電子輸送層７８との間に、発光層６４に含まれるホスト材料であるＣＢＰを膜厚が１０．０ｎｍとなるように蒸着法で形成して中間層７４を構成したものである。
（比較例４）
図６に示すように、比較例４は、比較例１に対して、発光層６４の膜厚を１０．０ｎｍとし、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である電子輸送層７８との間に、発光層６４に含まれるホスト材料であるＣＢＰを膜厚が２０．０ｎｍとなるように蒸着法で形成して中間層７４を構成したものである。
（実施例１）
図６に示すように、実施例１の発光素子２７は、陽極２４上に、液相プロセスにより正孔注入層６３、正孔輸送層７１、発光層６４を形成する。その後、気相プロセスによって中間層７４、電子輸送層７８、電子注入層７９、陰極２５を形成する。つまり、比較例１に対して、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である電子輸送層７８との間に、蒸着膜である中間層７４を加えたものである。
具体的には、正孔輸送層７１上に、それぞれ、ホスト材料ＣＢＰとｍＣＰとドーパントＩｒｐｐｙ３化合物で構成される膜厚２９ｎｍの発光層６４を液相プロセス（インクジェット法）で形成する。
次に、発光層６４上に中間層７４を蒸着法を用いて発光層６４に含まれるホスト材料ＣＢＰを膜厚１ｎｍで形成する。発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は３０ｎｍである。
次に、中間層７４上に、蒸着法を用いて、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）で構成される膜厚が２０ｎｍの電子輸送層７８を形成する。
次に、電子輸送層７８上に、蒸着法を用いてフッ化リチウム（ＬｉＦ）で構成される、膜厚が１ｎｍの電子注入層７９を形成する。
次に、電子注入層７９上に、蒸着法を用いてＡｌで構成される、膜厚が２００ｎｍの陰極２５を形成する。
次に、各層を覆うように、ガラス製の保護カバー（封止部材）を被せ、エポキシ樹脂により固定、封止する。以上の工程により、図４に示すようなボトムエミッション構造の発光素子２７を有する有機ＥＬ装置１１を製造する。
（実施例２）
実施例２は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２７．０ｎｍとし、中間層７４の膜厚を３．０ｎｍとしたものである。すなわち、発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
（実施例３）
実施例３は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２５．０ｎｍとし、中間層７４の膜厚を５．０ｎｍとしたものである。すなわち、発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
（実施例４）
実施例４は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２５．０ｎｍとし、ホスト材料であるｍＣＰを用いて中間層７４を構成し、その膜厚を５．０ｎｍとしたものである。すなわち、発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
（実施例５）
実施例５は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２５．０ｎｍとし、ＣＢＰとｍＣＰの２種のホスト材料により中間層７４を構成し、その膜厚を５．０ｎｍとしたものである。すなわち、発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
（実施例６）
実施例６は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２５．０ｎｍとし、ＣＢＰとｍＣＰの２種のホスト材料にさらにドーパントであるＩｒｐｐｙ３を加えて中間層７４を構成し、その膜厚を５．０ｎｍとしたものである。すなわち、塗布膜である発光層６４に発光層６４と材料構成が同じ中間層７４を蒸着法により形成したものであり、発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
（実施例７）
実施例７は、実施例１に対して、発光層６４の膜厚を２５．０ｎｍとし、ＣＢＰとｍＣＰの２種のホスト材料とドーパントであるＩｒｐｐｙ３と、さらに電子輸送材料であるＢＡｌｑを加えて中間層７４を構成し、その膜厚を５．０ｎｍとしたものである。発光層６４と中間層７４の膜厚の合計は、実施例１と同様に３０ｎｍである。
比較例１〜４及び実施例１〜７の素子特性の評価は、発光効率、輝度半減寿命、ダークスポットの３項目により評価した。発光効率は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる電流量に基づいて比較例１を基準として数値化している。輝度半減寿命は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の半分である５００ｃｄ／ｍ2となる通電時間に基づき比較例１を基準として数値化している。ダークスポットは輝度が半減した時点における発生の有無を基準としている。評価は、これらの３項目を総合して、実用レベルでない「×」、実用レベルに到達している「○」、実用レベルを越えている「◎」のいずれかを与えている。
図６に示すように、比較例１及び比較例２の有機ＥＬ装置は、発光効率と輝度半減寿命において同等であるものの、半減寿命後にダークスポットが観測されたことから評価は「×」である。
実施例１〜実施例３の有機ＥＬ装置１１は、発光効率及び輝度半減寿命が、比較例１と同等以上であり、且つ、半減寿命後にダークスポットが観測されなかったことから評価は「○」である。特に、中間層７４の膜厚を３ｎｍとした実施例２は、発光効率及び輝度半減寿命共に比較例１及び比較例２よりも優れている。
中間層７４の膜厚を１０ｎｍ以上とした比較例３及び比較例４は、ダークスポットの発生が見られないものの、発光層６４と電子輸送層７８との間に中間層７４を挟むことによる発光効率と輝度半減寿命の低下が見られたので、評価は「×」である。
中間層７４を構成するホスト材料は、ＣＢＰに限定されず実施例４のようにｍＣＰを用いたとしても、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である電子輸送層７８との間に、蒸着膜である中間層７４を挟む効果が得られる。また、中間層７４を構成するホスト材料は１種に限定されず、実施例５〜実施例７のように複数種のホスト材料だけでなく、Ｉｒｐｐｙ３のようなドーパントやＢＡｌｑのような電子輸送材料を含んでもその効果が発揮される。したがって、実施例４〜実施例７の評価は「○」である。
中でも、実施例６の有機ＥＬ装置の構成が、比較例１に対して最も優れた発光効率（１．３倍）と発光寿命（１．６倍）とが得られる点で好ましいと考えられる。
上記第１実施形態の効果は、以下の通りである。
（１）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１１及びその製造方法によれば、塗布膜である発光層６４と蒸着膜である陰極２５（具体的には電子輸送層７８）との間に、発光層６４に含まれる低分子のホスト材料を含む中間層７４が発光層６４に接して、気相プロセス（蒸着法）によりが形成されているので、陰極２５から発光層６４に電子の輸送をスムーズに行うことができる。よって、ダークスポットの発生や発光面積が縮小することを抑えることが可能となり、優れた発光効率と発光寿命とを有する発光素子２７を備えた有機ＥＬ装置１１を提供または製造することができる。
（２）また、中間層７４及び発光層６４の膜厚の合計を発光波長によって規定された所定の範囲に（例えば、３０ｎｍに）設定するので、発光効率を向上させることができると共に、所定の色を表示させることができる。なお、発光効率とは、電流効率または外部量子効率のことを指す。また、中間層７４の厚みを、１ｎｍ以上５ｎｍ以下に設定するので、中間層７４を発光層６４と電子輸送層７８との間に形成することによる駆動電圧の上昇や発光効率の低下を抑えることができる。
（第２実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置について、図７及び図８を参照して説明する。図７は第２実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略断面図、図８は第２実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図である。第２実施形態の有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１に対して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光素子の構成を異ならせたものである。なお、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図７に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、赤（Ｒ）のサブ画素に対応して設けられた発光素子２７Ｒ（本発明の第１発光素子に相当）と、緑（Ｇ）のサブ画素に対応して設けられた発光素子２７Ｇ（本発明の第３発光素子に相当）と、青（Ｂ）のサブ画素に対応して設けられた発光素子２７Ｂ（本発明の第２発光素子に相当）とを備えた基板３１を有する。また、基板３１の各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂを封止する封止部材３８と、封止部材３８を挟んで基板３１に接着された封止基板２０とを有する。
基板３１は、透明な例えばガラスなどからなり、各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂからの発光が基板３１側から取り出されるボトムエミッション構造となっている。なお、ボトムエミッション構造に限定されず、トップエミッション構造にも適用可能である。また、図７では図示を省略しているが、上記第１実施形態と同様に、各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂを発光させるための駆動用ＴＦＴ２３を含む画素回路や周辺回路及び配線などを含む回路素子層４３が基板３１に設けられている。
発光素子２７Ｒは、陽極２４Ｒと共通陰極である陰極２５との間に、赤色の発光が得られる発光層１６４を含む機能層２６Ｒを有している。発光素子２７Ｇは、陽極２４Ｇと共通陰極である陰極２５との間に、緑色の発光が得られる発光層１６５を含む機能層２６Ｇを有している。発光素子２７Ｂは、陽極２４Ｂと共通陰極である陰極２５との間に青色の発光が得られる発光層１７７を含む機能層２６Ｒを有している。
赤の発光層１６４は、バンク６２で囲まれた陽極２４Ｒ上において液相プロセスを用いて形成されている。緑の発光層１６５は、バンク６２で囲まれた陽極２４Ｇ上において同じく液相プロセスを用いて形成されている。青の発光層１７７は、各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに跨って気相プロセスを用いて形成されている。
より具体的には、図８に示すように、発光素子２７Ｒは、陽極２４Ｒと、陽極２４Ｒ上において、液相プロセスを用いて順に形成された正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、第１発光層としての赤の発光層１６４と、気相プロセスで順に形成された中間層１７４、第２正孔輸送層１７６、第２発光層としての青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５とを有している。同じく、発光素子２７Ｇは、陽極２４Ｇと、陽極２４Ｇ上において、液相プロセスを用いて順に形成された正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、第３発光層としての緑の発光層１６５と、気相プロセスで順に形成された中間層１７４、第２正孔輸送層１７６、青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５とを有している。発光素子２７Ｂは、陽極２４Ｂと、陽極２４Ｂ上において、液相プロセスを用いて形成された正孔注入層１６３と、気相プロセスで順に形成された中間層１７４、第２正孔輸送層１７６、青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５とを有している。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する正孔注入層１６３は、第１実施形態における正孔注入層６３と同じく、高分子の正孔注入材料を含む正孔注入層形成用インクを用いて形成されている。
発光素子２７Ｒと発光素子２７Ｇに共通する第１正孔輸送層１７１は、第１実施形態における正孔輸送層７１と同じく、高分子の正孔輸送材料を含む正孔輸送層形成用インクを用いて形成されている。なお、正孔輸送材料は高分子材料であることに限定されず、低分子材料であってもよい。
発光素子２７Ｒの赤の発光層１６４と、発光素子２７Ｇの緑の発光層１６５とは、第１実施形態における発光層６４と同じく、低分子のホスト材料とドーパントとを含む発光層形成用インクを用いて形成されている。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する中間層１７４は、塗布膜である発光層１６４及び発光層１６５に含まれる低分子のホスト材料を含んで、例えば蒸着法などの気相プロセスを用いて形成されている。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する第２正孔輸送層１７６は、低分子の正孔輸送材料を含んで、例えば蒸着法などの気相プロセスを用いて形成されている。低分子の正孔輸送材料としては、例えば、銅フタロシアニン（ＴＡＰＣ）、１，１−ビス［４−（ジ−ｐ−トリル）アミニフェニル］シクロヘキサン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（１−ナフチル）−１，１’ビフェニル−４，４’−ジアミン（α−ＮＰＤ）、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス（Ｎ，Ｎ−（２−ナフチル）フェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＴＣＴＡ）、トリス−（４−カルバゾール−９−イル−フェニル）−アミン（スピローＴＡＤ）、ＤＰＰＤ（ＤＴＰ）、ＨＴＭ１、トリス−ｐ−トリルアミン（ＨＴＭ２）、１，１−ビス［（ジ−４−トリルアミノ）フェニル］シクロヘキサン（ＴＰＴ１）、１，３，５−トリス（４−ピリジル）−２，４，６−トリアジン（ＴＰＴＥ）、トリフェニルアミン−テトラマーなどが挙げられる。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する発光層１７７は、低分子のホスト材料と青色の発光が得られるドーパントとを含んで、例えば蒸着法などの気相プロセスを用いて形成されている。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する電子輸送層１７８は、第１実施形態の電子輸送層７８と同じく低分子の電子輸送材料を含んで、例えば蒸着法などの気相プロセスを用いて形成されている。
各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂに共通する電子注入層１７９は、第１実施形態の電子注入層７９と同じく電子注入材料を含んで、例えば蒸着法などの気相プロセスを用いて形成されている。
このような有機ＥＬ装置１１１は、発光素子２７Ｒ，２７Ｇに共通して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である発光層１７７との間に、蒸着膜であって、発光層１６４，１６５に含まれる低分子のホスト材料を含む中間層１７４を有しているので、陰極２５側から注入される電子を発光層１６４，１６５に効率よく輸送することができる。したがって、発光素子２７Ｒ，２７Ｇは、発光色が異なる発光層１７７を有していても、本来の赤、緑の発光を得られる。
一方、発光素子２７Ｂは、青の発光層１７７に接して陰極２５側に電子輸送層１７８を有すると共に、陽極２４Ｂ側に第２正孔輸送層１７６を有しているので、キャリアとしての正孔と電子とがバランスよく注入されて青の発光が得られる。
すなわち、本実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、液相プロセスと気相プロセスとを利用して、赤の発光層１６４と緑の発光層１６５とを塗り分け、青の発光層１７７を塗り分けることなく共通に形成して、赤、緑、青のそれぞれの発光が選択的に得られる構成となっている。とりわけ、液相プロセスで形成される赤や緑の発光層１６４，１６５は発光輝度や発光寿命の点において実用レベルに到達しているが、液相プロセスで形成される青の発光層は未だに実用レベルに到達していない。本実施形態では、青の発光層１７７を実用レベルに到達している気相プロセスで形成しているので、発光輝度及び発光寿命の点において実用レベルに到達した有機ＥＬ装置１１１を提供できる。
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、図９〜図１１を参照して第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、より具体的に説明する。図９は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１０（ａ）〜（ｅ）及び図１１（ｆ）〜（ｊ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図１０及び図１１では、基板３１における回路素子層４３の表示を省略している。駆動用ＴＦＴ２３を含む回路素子層４３の形成方法は、公知の方法を用いることができる。
図９に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、正孔注入層形成工程（ステップＳ１１）と、第１正孔輸送層形成工程（ステップＳ１２）と、Ｒ，Ｇ発光層形成工程（ステップＳ１３）と、中間層形成工程（ステップＳ１４）と、第２正孔輸送層形成工程（ステップＳ１５）と、Ｂ発光層形成工程（ステップＳ１６）と、電子輸送層形成工程（ステップＳ１７）と、電子注入層形成工程（ステップＳ１８）と、陰極形成工程（ステップＳ１９）と、封止基板接着工程（ステップＳ２０）とを備えている。
まず、図１０（ａ）に示すように、赤、緑、青の発光画素に対応する陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂと、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂのそれぞれを区画するように形成されたバンク６２とを有する基板３１を用意する。第１実施形態では、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂを電気的に絶縁するためにまず絶縁層６６を設けたが（図３参照）、本実施形態では絶縁層６６の形成を省略している。また、バンク６２は、絶縁性を有すると共に、後に用いる機能層形成用インクに対して撥液性を示す撥液材料を含む例えば感光性のアクリル系樹脂やポリイミド樹脂を用いて形成されている。よって、バンク６２に撥液性を付与するＣＦ4プラズマ処理を必要としない。なお、バンク６２の形成時に陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂの表面に残った残渣を取り除くため、例えばＵＶオゾン処理（紫外線を照射して発生したオゾンにより、有機物からなる残渣を取り除く処理）を施してもよい。
図９の正孔注入層形成工程（ステップＳ１１）では、図１０（ｂ）に示すように、バンク６２で区画された領域のそれぞれに、正孔注入層形成用インク７０を塗布する。正孔注入層形成用インク７０の塗布は、複数のノズル１０１を有するインクジェットヘッド１００と基板３１とを対向配置して、相対的に移動させる間に、複数のノズル１０１から正孔注入層形成用インク７０を液滴として吐出するインクジェット法（液滴吐出法）を用いる。塗布された正孔注入層形成用インク７０は、バンク６２で区画された領域に万遍なく充填されて表面張力により盛り上がる。そして、塗布された正孔注入層形成用インク７０に加熱処理を施したり、減圧処理を施したりする乾燥処理を行うことにより、図１０（ｃ）に示すように、陽極２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂのそれぞれに接した正孔注入層１６３を形成する。正孔注入層形成用インク７０は、第１実施形態にて説明した正孔注入材料と溶媒とを含むものであり、例えば１．０ｗｔ％ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ水分散液を用いることができる。正孔注入層１６３の膜厚は特に限定されるものではないが、５ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。そして、ステップＳ１２へ進む。
図９の第１正孔輸送層形成工程（ステップＳ１２）では、図１０（ｄ）に示すように、バンク６２で区画された陽極２４Ｒ，２４Ｇの正孔注入層１６３上に正孔輸送層形成用インク８０を塗布する。正孔輸送層形成用インク８０の塗布もインクジェットヘッド１００を用いる。正孔輸送層形成用インク８０は、第１実施形態にて説明した高分子の正孔輸送材料を含むものであり、例えばトリフェニルアミン系ポリマーを１．５ｗｔ％含んだテトラメチルベンゼン溶液を用いることができる。塗布された正孔輸送層形成用インク８０は、バンク６２で区画された領域に万遍なく充填されて表面張力により盛り上がる。そして、塗布された正孔輸送層形成用インク８０に加熱処理を施したり、減圧処理を施したりする乾燥処理を行うことにより、図１０（ｅ）に示すように、陽極２４Ｒ，２４Ｇに対応して形成された正孔注入層１６３に接した第１正孔輸送層１７１を形成する。第１正孔輸送層１７１の膜厚は、特に限定されるものではないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
陽極２４Ｂに対応して形成された正孔注入層１６３上には第１正孔輸送層１７１は形成されない。そして、ステップＳ１３へ進む。
図９のＲ，Ｇ発光層形成工程（ステップＳ１３）では、図１１（ｆ）に示すように、バンク６２で区画された陽極２４Ｒの第１正孔輸送層１７１上に発光層形成用インク９０Ｒを塗布する。また、バンク６２で区画された陽極２４Ｇの第１正孔輸送層１７１上に発光層形成用インク９０Ｇを塗布する。発光層形成用インク９０Ｒ，９０Ｇの塗布もそれぞれに対応するインクが充填されたインクジェットヘッド１００Ｒ，１００Ｇを用いる。発光層形成用インク９０Ｒ，９０Ｇは、第１実施形態にて説明した低分子のホスト材料とドーパントとを含むものであり、例えばホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰとドーパントＩｒｐｐｙ３の３種を１．２ｗｔ％含むテトラメチルベンゼン溶液を用いることができる。塗布された発光層形成用インク９０Ｒ，９０Ｇは、それぞれバンク６２で区画された対応する領域に万遍なく充填されて表面張力により盛り上がる。そして、塗布された発光層形成用インク９０Ｒ，９０Ｇに減圧処理を施したり、加熱処理を施したりする乾燥処理を行うことにより、図１１（ｇ）に示すように、陽極２４Ｒ上において第１正孔輸送層１７１に接した赤の発光層１６４と、陽極２４Ｇ上において第１正孔輸送層１７１に接した緑の発光層１６５とを塗り分けて形成する。発光層１６４，１６５の膜厚は特に限定されるものではないが、１０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下程度であるのが好ましく、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。そして、ステップＳ１４へ進む。
図９の中間層形成工程（ステップＳ１４）では、図１１（ｈ）に示すように、赤の発光層１６４と、緑の発光層１６５と、陽極２４Ｂ上の正孔注入層１６３と、バンク６２とを覆う中間層１７４を気相プロセスである蒸着法により形成する。中間層１７４は、赤の発光層１６４及び緑の発光層１６５に含まれる低分子のホスト材料を含むものであり、第１実施形態にて説明したＣＢＰやｍＣＰなどのホスト材料を挙げることができる。中間層１７４の厚みは、第１実施形態と同様に、１ｎｍ以上、５ｎｍ以下程度であることが好ましい。そして、ステップＳ１５へ進む。
図９の第２正孔輸送層形成工程（ステップＳ１５）では、図１１（ｉ）に示すように、中間層１７４を覆う第２正孔輸送層１７６を気相プロセスである蒸着法により形成する。第２正孔輸送層１７６は、低分子の正孔輸送材料を含むものである。低分子の正孔輸送材料としては、α−ＮＰＤなどを挙げることができる。第２正孔輸送層１７６の膜厚は、１０ｎｍ〜４０ｎｍであることが好ましい。そして、ステップＳ１６へ進む。
図９のＢ発光層形成工程（ステップＳ１６）では、第２正孔輸送層１７６を覆う青（Ｂ）の発光層１７７を気相プロセスである蒸着法により形成する。発光層１７７は、低分子のホスト材料とドーパントとを含むものであり、低分子のホスト材料としては、ＣＢＰ（４，４’−bis（９−dicarbazolyl）−２，２’−biphenyl）、ＢＡｌｑ（Bis−（２−methyl−８−quinolinolate）−４−（phenylphenolate）aluminium）、ｍＣＰ（Ｎ，Ｎ−dicarbazolyl−３，５−benzene：ＣＢＰ誘導体）、ＣＤＢＰ（４，４’−bis（９−carbazolyl）−２，２’−dimethyl−biphenyl）、ＤＣＢ（Ｎ，Ｎ’−Dicarbazolyl−１，４−dimethene−benzene）、Ｐ０６（２，７−bis（diphenylphosphineoxide）−９，９−dimethylfluorene）、ＳｉｍＣＰ（３，５−bis（９−carbazolyl）tetraphenylsilane）、ＵＧＨ３（W−bis（triphenylsilyl）benzene）などが挙げられる。特に、蒸着法を用いて形成される青の発光層１７７のホスト材料としては、アントラセン誘導体を用いることが好ましい。
青の発光が得られるドーパントとしては、ＦＩｒｐｉｃ（Iridium−bis（４，６−difluorophenyl−pyridinato−Ｎ，Ｃ，２，)−picolinate）、Ｉｒ（ｐｍｂ）３（Iridium−tris（１−phenyl−３−methylbenzimidazolin−２−ylidene−Ｃ，Ｃ（２）’）、ＦＩｒＮ４（（（Iridium(III)bis（４，６−difluorophenylpyridinato）５−（pyridin−２−yl）−tetrazolate）、Ｆｉｒｔａｚ（（Iridium(III)bis（４，６−difluorophenylpyridinato）（５−（pyridine−２−yl）−１，２，４−triazo−late）などのイリジウム錯体が挙げられ、前述したホスト材料に添加することで青色の燐光を得ることができる。
また、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス−（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（２−メチルスチリル）−２−メチルベンゼン、などのスチリルベンゼン誘導体をドーパントとして用い、前述したホスト材料に添加することで青色の蛍光を得ることができる。
発光層１７７の膜厚は、特に限定されないが、２０ｎｍ以上、６０ｎｍ以下であることが好ましい。そして、ステップＳ１７へ進む。
図９の電子輸送層形成工程（ステップＳ１７）では、青の発光層１７７を覆う電子輸送層１７８を気相プロセスである蒸着法により形成する。電子輸送層１７８の構成は、第１実施形態の電子輸送層７８と同じである。電子輸送層１７８の膜厚は、特に限定されないが、１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、５ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。そして、ステップＳ１８に進む。
図９の電子注入層形成工程（ステップＳ１８）では、電子輸送層１７８を覆う電子注入層１７９を気相プロセスである蒸着法により形成する。電子注入層１７９の構成は、第１実施形態の電子注入層７９と同じである。電子注入層１７９の膜厚は、特に限定されないが、０．０１ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。そして、ステップＳ１９へ進む。
図９の陰極形成工程（ステップＳ１９）では、電子注入層１７９を覆う陰極２５を気相プロセスである蒸着法により形成する。陰極２５の膜厚は、特に限定されないが、５０ｎｍ以上、１０００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。これにより、図１１（ｊ）に示すように、陽極２４Ｒと陰極２５との間に赤の発光層１６４を含む機能層２６Ｒが形成され、陽極２４Ｇと陰極２５との間に緑の発光層１６５を含む機能層２６Ｇが形成され、陽極２４Ｂと陰極２５との間に青の発光層１７７を含む機能層２６Ｂが形成される。そして、ステップＳ２０へ進む。
図９の封止基板接着工程（ステップＳ２０）では、図７に示したように、基板３１の各発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂを覆って封止する透明な樹脂からなり、接着性を有する封止部材３８を介して、基板３１と封止基板２０とを接着する。これにより、有機ＥＬ装置１１１ができあがる。
次に、具体的な比較例５や実施例８〜１２が示された図１２を参照して説明する。図１２は第２実施形態における比較例５と実施例８〜１２の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表である。なお、図１２の表中で、ＨＩＬは正孔注入層を指し、１−ＨＴＬは第１正孔輸送層を指し、１，３−ＥＭＬは第１発光層である赤の発光層と第３発光層である緑の発光層を指し、２−ＨＴＬは第２正孔輸送層を指し、２−ＥＭＬは第２発光層である青の発光層を指し、ＥＴＬは電子輸送層を指すものである。また、電子注入層の構成は、比較例５及び実施例８〜１２において同じであるため、表中における記載を省略した。
比較例５、実施例８〜１２の素子特性の評価は、第１実施形態と同様であって、発光効率、輝度半減寿命、ダークスポットの３項目により評価した。発光効率は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる電流量に基づいて比較例５を基準として数値化している。輝度半減寿命は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の半分である５００ｃｄ／ｍ2となる通電時間に基づき比較例５を基準として数値化している。ダークスポットは輝度が半減した時点における発生の有無を基準としている。評価は、これらの３項目を総合して、実用レベルでない「×」、実用レベルに到達している「○」、実用レベルを越えている「◎」のいずれかを与えている。
（比較例５）
比較例５の有機ＥＬ装置は、図１２に示すように、上記第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間の中間層１７４を除いた構成となっている。
具体的には、正孔注入層１６３は正孔注入材料として高分子のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを含み、膜厚が５０ｎｍである。第１正孔輸送層１７１は高分子の正孔輸送材料であるトリフェニルアミン系ポリマー（ＴＦＰ）を含み、膜厚が１０ｎｍである。第１発光層としての赤の発光層１６４は低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントとしてのＰｔＯＥＰを含み、膜厚が６０ｎｍである。第３発光層しての緑の発光層１６５は低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントとしてのＩｒｐｐｙ３を含み、膜厚が６０ｎｍである。第２正孔輸送層１７６は低分子の正孔輸送材料としてα−ＮＰＤを含み、膜厚が２０ｎｍである。第２発光層としての青の発光層１７７は低分子のホスト材料であるＣＢＰと、ドーパントであるＦＩｒｐｉｃを含み、膜厚が４０ｎｍである。電子輸送層１７８は低分子の正孔輸送材料としてのＢＡｌｑを含み、膜厚が２０ｎｍとなっている。ちなみに、電子注入層１７９の膜厚は５ｎｍであり、陰極２５の膜厚は２００ｎｍである。
正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、発光層１６４，１６５はそれぞれ液相プロセス（インクジェット法）を用いて形成され、第２正孔輸送層１７６、発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５はそれぞれ気相プロセス（蒸着法）を用いて形成されている。
（実施例８）
実施例８は、図１２に示すように、比較例５に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、中間層１７４を気相プロセス（蒸着法）で形成したものである。中間層１７４は、発光層１６４，１６５に含まれる低分子のホスト材料であるＣＢＰを含み、膜厚が５．０ｎｍとなっている。また、発光層１６４，１６５の膜厚はそれぞれ５５．０ｎｍとなっている。すなわち、発光層１６４，１６５と中間層１７４の膜厚の合計が６０ｎｍとなっている。
（実施例９）
実施例９は、図１２に示すように、実施例８に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料をｍＣＰとしたものである。
（実施例１０）
実施例１０は、図１２に示すように、実施例８に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料としてＣＢＰとｍＣＰとを含むものである。
（実施例１１）
実施例１１は、図１２に示すように、実施例８に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３とを含むものである。
（実施例１２）
実施例１２は、図１２に示すように、実施例８に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３と、電子輸送材料であるＢＡｌｑとを含むものである。
比較例５の評価は、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４がなく、輝度が半減したときにダークスポットが確認されたので、「×」である。
塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４を備えた実施例８と実施例９は、比較例５に対して発光効率が同等である一方で輝度半減寿命が１．２倍となり、ダークスポットも確認されなかったので、その評価は「○」である。
中間層１７４に２種の低分子のホスト材料を含む実施例１０〜実施例１２は、比較例５に対して、発光効率及び輝度半減寿命において優れた数値を示し、ダークスポットも確認されなかったので、その評価は「○」である。特に、中間層１７４にドーパントであるＩｒｐｐｙ３をさらに含んだ実施例１１は、比較例５に対して、発光効率が１．３倍、輝度半減寿命が１．６倍となったのでより好ましい。
上記第２実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）上記第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１及びその製造方法によれば、赤の発光層１６４と緑の発光層１６５とを液相プロセスにより塗り分けて形成し、さらに青の発光層１７７を気相プロセス（蒸着法）により共通に形成して、赤、緑、青のそれぞれの発光が選択的に得られる構成となっている。そして、液相プロセスで形成される赤や緑の発光層１６４，１６５は発光輝度や発光寿命の点において実用レベルに到達している。また、青の発光層１７７を気相プロセスで形成することにより、青の発光層１７７を実用レベルに到達させている。したがって、発光輝度及び発光寿命の点において実用レベルに到達した発光素子２７Ｒ，２７Ｇ，２７Ｂをそれぞれサブ画素３４に備えた有機ＥＬ装置１１１を提供することができる。また、赤、緑、青の発光層を例えば蒸着マスクを用いて個々に成膜する場合に比べて、蒸着マスクを必要としないので、効率よく有機ＥＬ装置１１１を製造することができる。
（２）また、蒸着膜である中間層１７４は、塗布膜である発光層１６４，１６５に含まれる電子輸送性の低分子のホスト材料を含んでいるので、陰極２５側から注入される電子を効率よく発光層１６４，１６５に輸送することができる。また、中間層１７４の膜厚が１ｎｍ以上５ｎｍ以下となっているので、発光層１６４，１６５と第２正孔輸送層１７６との間に中間層１７４を形成することによる駆動電圧の上昇や発光効率の低下を抑制することができる。
（３）さらに、青の発光層１７７において、陽極２４Ｂ側には第２正孔輸送層１７６が気相プロセスで形成され、陰極２５側には電子輸送層１７８が同じく気相プロセスで形成されているので、キャリアである正孔と電子が発光層１７７に効率よく輸送されて青の発光を得ることができる。
（第３実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
次に、第３実施形態の有機ＥＬ装置について、図１３を参照して説明する。図１３は第３実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図である。第３実施形態の有機ＥＬ装置は、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１に対して、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各発光素子の構成を異ならせたものである。なお、第２実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図１３に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、陽極２４Ｒと共通陰極である陰極２５との間に機能層２２６Ｒを有する発光素子２２７Ｒと、陽極２４Ｇと共通陰極である陰極２５との間に機能層２２６Ｇを有する発光素子２２７Ｇと、陽極２４Ｂと共通陰極である陰極２５との間に機能層２２６Ｂを有する発光素子２２７Ｂと、を備えている。
発光素子２２７Ｒの機能層２２６Ｒは、陽極２４Ｒ側から液相プロセスを用いて順に形成された、正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、第１発光層としての赤の発光層１６４を有している。また、気相プロセスを用いて順に形成された、中間層１７４、キャリア調整層１７５、第２正孔輸送層１７６、第２発光層としての青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９を有している。
発光素子２２７Ｇの機能層２２６Ｇは、陽極２４Ｇ側から液相プロセスを用いて順に形成された、正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、第３発光層としての緑の発光層１６５を有している。また、気相プロセスを用いて順に形成された、中間層１７４、キャリア調整層１７５、第２正孔輸送層１７６、第２発光層としての青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９を有している。
発光素子２２７Ｂの機能層２２６Ｂは、陽極２４Ｂ側から液相プロセスを用いて形成された正孔注入層１６３と、気相プロセスを用いて順に形成された、中間層１７４、キャリア調整層１７５、第２正孔輸送層１７６、第２発光層としての青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９を有している。
つまり、本実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１に対して、蒸着膜である中間層１７４と第２正孔輸送層１７６との間に、キャリア調整層１７５を有している点が異なっている。
キャリア調整層１７５は、電子輸送性を有する金属化合物を含んで構成されている。該金属化合物としては、電子輸送性に優れたアルカリ金属やアルカリ土類金属の化合物が挙げられる。
アルカリ金属化合物としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ2ＣＯ3、ＬｉＣｌ、ＮａＦ、Ｎａ2ＣＯ3、ＮａＣｌ、ＣｓＦ、Ｃｓ2ＣＯ3、ＣｓＣｌなどのアルカリ金属塩が挙げられる。また、アルカリ土類金属化合物としては、例えば、ＣａＦ2、ＣａＣＯ3、ＳｒＦ2、ＳｒＣＯ3、ＢａＦ2、ＢａＣＯ3などのアルカリ土類金属塩が挙げられる。
特に、電子輸送性に優れる点で、炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）を用いることが好ましい。
キャリア調整層１７５の膜厚は、０．２ｎｍ以上１．０ｎｍ以下であることが好ましい。これによって、中間層１７４を介して赤の発光層１６４と緑の発光層１６５とにそれぞれ電子をより効率よく輸送することができる。また、中間層１７４と第２正孔輸送層１７６との間にキャリア調整層１７５を配置することによる駆動電圧の上昇や第２発光層としての青の発光層１７７の発光効率が低下することを抑制することができる。
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図１４を参照して説明する。図１４は第３実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法は、正孔注入層形成工程（ステップＳ２１）と、第１正孔輸送層形成工程（ステップＳ２２）と、Ｒ，Ｇ発光層形成工程（ステップＳ２３）と、中間層形成工程（ステップＳ２４）と、キャリア調整層形成工程（ステップＳ２５）と、第２正孔輸送層形成工程（ステップＳ２６）と、Ｂ発光層形成工程（ステップＳ２７）と、電子輸送層形成工程（ステップＳ２８）と、電子注入層形成工程（ステップＳ２９）と、陰極形成工程（ステップＳ３０）と、封止基板接着工程（ステップＳ３１）とを備えている。つまり、本実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法は、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法に対して、キャリア調整層形成工程が追加された点が異なっている。したがって、以降、第２実施形態と異なる工程について説明する。
図１４のキャリア調整層形成工程（ステップＳ２５）では、蒸着膜である中間層１７４を覆うキャリア調整層１７５を気相プロセスである蒸着法により形成する。キャリア調整層１７５は、前述したように電子輸送性のアルカリ金属化合物またはアルカリ土類金属化合物を含み、例えば炭酸セシウムを蒸着法により膜厚がおよそ０．５ｎｍとなるように形成して構成される。
次に、具体的な比較例と実施例とを挙げ、図１５を参照して説明する。図１５は第３実施形態における比較例５と実施例１３〜１７の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表である。なお、図１５の表中で、ＨＩＬは正孔注入層を指し、１−ＨＴＬは第１正孔輸送層を指し、１，３−ＥＭＬは第１発光層である赤の発光層と第３発光層である緑の発光層を指し、ＣＴＬはキャリア調整層を指し、２−ＨＴＬは第２正孔輸送層を指し、２−ＥＭＬは第２発光層である青の発光層を指し、ＥＴＬは電子輸送層を指すものである。また、電子注入層の構成は、比較例５及び実施例１３〜１７において同じであるため、表中における記載を省略した。
比較例５、実施例１３〜１７の素子特性の評価は、第１実施形態と同様であって、発光効率、輝度半減寿命、ダークスポットの３項目により評価した。発光効率は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる電流量に基づいて比較例５を基準として数値化している。輝度半減寿命は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の半分である５００ｃｄ／ｍ2となる通電時間に基づき比較例５を基準として数値化している。ダークスポットは輝度が半減した時点における発生の有無を基準としている。評価は、これらの３項目を総合して、実用レベルでない「×」、実用レベルに到達している「○」、実用レベルを越えている「◎」のいずれかを与えている。
（比較例５）
比較例５は、図１５に示すように、上記第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間の中間層１７４とキャリア調整層１７５とを除いた構成となっている。
具体的な各層の構成は、第２実施形態において説明したので、ここでは詳細な説明は省略する。
正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、発光層１６４，１６５はそれぞれ液相プロセス（インクジェット法）を用いて形成され、第２正孔輸送層１７６、発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５はそれぞれ気相プロセス（蒸着法）を用いて形成されている。
（実施例１３）
実施例１３は、図１５に示すように、比較例５に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、中間層１７４とキャリア調整層１７５とを気相プロセス（蒸着法）で形成したものである。中間層１７４は、発光層１６４，１６５に含まれる低分子のホスト材料であるＣＢＰを含み、膜厚が５．０ｎｍとなっている。また、発光層１６４，１６５の膜厚はそれぞれ５５．０ｎｍとなっている。すなわち、発光層１６４，１６５と中間層１７４の膜厚の合計が６０ｎｍとなっている。キャリア調整層１７５は、電子輸送性のアルカリ金属化合物である炭酸セシウムを含み、膜厚が０．５ｎｍとなっている。
（実施例１４）
実施例１４は、図１５に示すように、実施例１３に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料をｍＣＰとしたものである。
（実施例１５）
実施例１５は、図１５に示すように、実施例１３に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料としてＣＢＰとｍＣＰとを含むものである。
（実施例１６）
実施例１６は、図１５に示すように、実施例１３に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３とを含むものである。
（実施例１７）
実施例１７は、図１５に示すように、実施例１３に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３と、電子輸送材料であるＢＡｌｑとを含むものである。
比較例５の評価は、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４とキャリア調整層１７５とがなく、輝度が半減したときにダークスポットが確認されたので、「×」である。
塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４とキャリア調整層１７５とを備えた実施例１３と実施例１４は、比較例５に対して発光効率が同等である一方で輝度半減寿命が１．２倍となり、ダークスポットも確認されなかった。また、キャリア調整層１７５を有することにより、第１発光層としての赤の発光層１６４や第３発光層としての緑の発光層１６５へ電子の輸送がさらに効率化され、発光層１６４，１６５におけるキャリア（正孔と電子）のバランスが改善されるため、輝度半減時における発光層１６４，１６５の発光色の変化が抑制されるので、その評価は第２実施形態の実施例８や実施例９に比べても優れ「◎」である。
中間層１７４に２種の低分子のホスト材料を含む実施例１５〜実施例１７は、比較例５に対して、発光効率及び輝度半減寿命において優れた数値を示し、ダークスポットも確認されず、輝度半減時における発光色の変化も抑えられているので、その評価は「◎」である。特に、中間層１７４にドーパントであるＩｒｐｐｙ３をさらに含んだ実施例１６は、比較例５に対して、発光効率が１．３倍、輝度半減寿命が１．６倍となったのでより好ましい。
上記第３実施形態によれば、上記第２実施形態の効果（１）〜（３）に加えて以下の効果が得られる。
（４）上記第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１及びその製造方法によれば、塗布膜である赤の発光層１６４及び緑の発光層１６５と、蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４に加えて電子輸送性のキャリア調整層１７５が気相プロセスを用いて形成されているので、赤の発光層１６４及び緑の発光層１６５におけるキャリアバランスが好適になり、輝度半減後においてもそれぞれの発光色の変化が抑えられ、優れた表示品質（発光特性）を有する有機ＥＬ装置２１１を提供及び製造することができる。
（第４実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
次に、第４実施形態の有機ＥＬ装置について、図１６を参照して説明する。図１６は第４実施形態の有機ＥＬ装置における発光素子の構成を示す模式断面図である。第４実施形態の有機ＥＬ装置は、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１に対して、青（Ｂ）の発光素子の構成を異ならせたものである。なお、第３実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
図１６に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、陽極２４Ｒと共通陰極である陰極２５との間に機能層２２６Ｒを有する発光素子２２７Ｒと、陽極２４Ｇと共通陰極である陰極２５との間に機能層２２６Ｇを有する発光素子２２７Ｇと、陽極２４Ｂと共通陰極である陰極２５との間に機能層３２６Ｂを有する発光素子３２７Ｂと、を備えている。
以下、上記第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１と異なる青の発光素子３２７Ｂの構成について詳しく説明する。
発光素子３２７Ｂの機能層３２６Ｂは、陽極２４Ｂ側から液相プロセスを用いて形成された正孔注入層１６３及び第３正孔輸送層１７３と、気相プロセスを用いて順に形成された、中間層１７４、キャリア調整層１７５、第２正孔輸送層１７６、第２発光層としての青の発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９を有している。
つまり、本実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１に対して、塗布膜である正孔注入層１６３と蒸着膜である中間層１７４との間に、第３正孔輸送層１７３を有している点が異なっている。
第３正孔輸送層１７３は、低分子の正孔輸送材料を含んで液相プロセスで形成されている。この低分子の正孔輸送材料は気相プロセスで形成された第２正孔輸送層１７６に含まれるものと同じものが用いられている。これによって、第２発光層としての蒸着膜である青の発光層１７７への正孔の輸送をより効率的に行うことができる構成となっている。つまりは、青の発光層１７７における発光効率の改善効果が得られる。低分子の正孔輸送材料としては、前述したようにα−ＮＰＤなどが挙げられる。
第３正孔輸送層１７３の膜厚は、特に限定されるものではないが、５ｎｍ以上、１００ｎｍ以下程度であるのが好ましく、１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下程度であるのがより好ましい。
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法について、図１７を参照して説明する。図１７は第４実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャートである。
本実施形態の有機ＥＬ装置３１１の製造方法は、正孔注入層形成工程（ステップＳ４１）と、第１正孔輸送層形成工程（ステップＳ４２）と、Ｒ，Ｇ発光層形成工程（ステップＳ４３）と、第３正孔輸送層形成工程（ステップＳ４４）と、中間層形成工程（ステップＳ４５）と、キャリア調整層形成工程（ステップＳ４６）と、第２正孔輸送層形成工程（ステップＳ４７）と、Ｂ発光層形成工程（ステップＳ４８）と、電子輸送層形成工程（ステップＳ４９）と、電子注入層形成工程（ステップＳ５０）と、陰極形成工程（ステップＳ５１）と、封止基板接着工程（ステップＳ５２）とを備えている。つまり、本実施形態の有機ＥＬ装置３１１の製造方法は、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法に対して、第３正孔輸送層形成工程が追加された点が異なっている。したがって、以降、第３実施形態と異なる工程について説明する。
図１７の第３正孔輸送層形成工程（ステップＳ４４）では、陽極２４Ｂ上に液相プロセス（インクジェット法）により形成された正孔注入層１６３に接して、同じく液相プロセス（インクジェット法）により第３正孔輸送層１７３を形成する。第３正孔輸送層１７３は、前述したように、第２正孔輸送層１７６と同じ低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層形成用インクをバンク６２で囲まれた領域に塗布し、塗布された第３正孔輸送層形成用インクに減圧処理や加熱処理などの乾燥処理を施すことにより形成される。したがって、一旦形成された第３正孔輸送層１７３に再び乾燥処理などの加熱処理が加わると、低分子の正孔輸送材料が凝集して、部分的に欠陥が生ずるおそれがある。それゆえに、第３正孔輸送層形成工程は、Ｒ，Ｇ発光層形成工程（ステップＳ４３）の後に行われる。
低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層１７３を気相プロセスを用いて形成することも考えられるが、陽極２４Ｂ上に選択的に形成する必要があるので、本実施形態では生産性を考慮して液相プロセス（インクジェット法）を採用している。
次に、具体的な比較例５や実施例１８〜２２を示した図１８を参照して説明する。図１８は第４実施形態における比較例５と実施例１８〜２２の各層の構成と素子特性の評価結果とを示す表である。なお、図１８の表中で、ＨＩＬは正孔注入層を指し、１−ＨＴＬは第１正孔輸送層を指し、１，３−ＥＭＬは第１発光層である赤の発光層と第３発光層である緑の発光層を指し、３−ＨＴＬは第３正孔輸送層を指し、ＣＴＬはキャリア調整層を指し、２−ＨＴＬは第２正孔輸送層を指し、２−ＥＭＬは第２発光層である青の発光層を指し、ＥＴＬは電子輸送層を指すものである。また、電子注入層の構成は、比較例５及び実施例１８〜２２において同じであるため、表中における記載を省略した。
比較例５、実施例１８〜２２の素子特性の評価は、第１実施形態と同様であって、発光効率、輝度半減寿命、ダークスポットの３項目により評価した。発光効率は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2となる電流量に基づいて比較例５を基準として数値化している。輝度半減寿命は、輝度が１０００ｃｄ／ｍ2の半分である５００ｃｄ／ｍ2となる通電時間に基づき比較例５を基準として数値化している。ダークスポットは輝度が半減した時点における発生の有無を基準としている。評価は、これらの３項目を総合して、実用レベルでない「×」、実用レベルに到達している「○」、実用レベルを越えている「◎」のいずれかを与えている。
（比較例５）
比較例５は、図１８に示すように、上記第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間の中間層１７４とキャリア調整層１７５とを除くと共に、陽極２４Ｂ上における正孔注入層１６３と中間層１７４との間の第３正孔輸送層１７３を除いた構成となっている。
具体的な各層の構成は、第２実施形態において説明したので、ここでは詳細な説明は省略する。
正孔注入層１６３、第１正孔輸送層１７１、発光層１６４，１６５はそれぞれ液相プロセス（インクジェット法）を用いて形成され、第２正孔輸送層１７６、発光層１７７、電子輸送層１７８、電子注入層１７９、陰極２５はそれぞれ気相プロセス（蒸着法）を用いて形成されている。
（実施例１８）
実施例１８は、図１８に示すように、比較例５に対して、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、中間層１７４とキャリア調整層１７５とを気相プロセス（蒸着法）で形成したものである。また、陽極２４Ｂ上の正孔注入層１６３と中間層１７４との間に第３正孔輸送層１７３を形成したものである。第３正孔輸送層１７３は、低分子の正孔輸送材料であるα−ＮＰＤを含み、膜厚が４０．０ｎｍとなっている。中間層１７４は、発光層１６４，１６５に含まれる低分子のホスト材料であるＣＢＰを含み、膜厚が５．０ｎｍとなっている。また、発光層１６４，１６５の膜厚はそれぞれ５５．０ｎｍとなっている。すなわち、発光層１６４，１６５と中間層１７４の膜厚の合計が６０ｎｍとなっている。キャリア調整層１７５は、炭酸セシウムを含み、膜厚が０．５ｎｍとなっている。
（実施例１９）
実施例１９は、図１８に示すように、実施例１８に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料をｍＣＰとしたものである。
（実施例２０）
実施例２０は、図１８に示すように、実施例１８に対して、中間層１７４を構成する低分子のホスト材料としてＣＢＰとｍＣＰとを含むものである。
（実施例２１）
実施例２１は、図１８に示すように、実施例１８に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３とを含むものである。
（実施例２２）
実施例２２は、図１８に示すように、実施例１８に対して、中間層１７４を構成する成分として、低分子のホスト材料であるＣＢＰ及びｍＣＰと、ドーパントであるＩｒｐｐｙ３と、電子輸送材料であるＢＡｌｑとを含むものである。
比較例５の評価は、塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４とキャリア調整層１７５とがなく、且つ、陽極２４Ｂ上の正孔注入層１６３と中間層１７４との間に第３正孔輸送層１７３がないため、輝度が半減したときにダークスポットが確認されたので、「×」である。
塗布膜である発光層１６４，１６５と蒸着膜である第２正孔輸送層１７６との間に、蒸着膜である中間層１７４とキャリア調整層１７５とを備え、陽極２４Ｂ上の正孔注入層１６３と中間層１７４との間に低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層１７３を備えた実施例１８と実施例１９は、比較例５に対して発光効率が１．２倍、輝度半減寿命が１．４倍となり、ダークスポットも確認されなかった。特に青の発光層１７７における発光効率が改善された。また、キャリア調整層１７５を有することにより、第１発光層としての赤の発光層１６４や第３発光層としての緑の発光層１６５へ電子の輸送がさらに効率化され、発光層１６４，１６５におけるキャリア（正孔と電子）のバランスが改善されるため、輝度半減時における発光層１６４，１６５の発光色の変化が抑制されるので、その評価は第３実施形態の実施例１３や実施例１４に比べても優れ「◎」である。
中間層１７４に２種の低分子のホスト材料を含む実施例２０〜実施例２２は、比較例５に対して、発光効率及び輝度半減寿命において優れた数値を示し、ダークスポットも確認されず、輝度半減時における発光色の変化も抑えられているので、その評価は「◎」である。特に、中間層１７４にドーパントであるＩｒｐｐｙ３をさらに含んだ実施例２１は、比較例５に対して、特に青の発光層１７７における発光効率がさらに改善され、発光効率が１．６倍、輝度半減寿命が１．８倍となったのでより好ましい。
上記第４実施形態によれば、上記第２実施形態の効果（１）〜（３）と第３実施形態の効果（４）に加えて以下の効果が得られる。
（５）上記第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１及びその製造方法によれば、青の発光素子３２７Ｂは、陽極２４Ｂ上の塗布膜である正孔注入層１６３と蒸着膜である中間層１７４との間に、低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層１７３が液相プロセスにより選択的に形成されているため、青の発光層１７７への正孔の輸送性が向上し、発光効率が改善される。つまり、より優れた発光効率と発光寿命とが実現された青の発光素子３２７Ｂを有する有機ＥＬ装置３１１を提供及び製造することができる。
（第５実施形態）
＜電子機器の構成＞
図１９は電子機器の一例としてスマートフォンを示す模式図である。以下、上記した有機ＥＬ装置を備えたスマートフォンの構成を、図１９を参照しながら説明する。
図１９に示すように、スマートフォン８１は、表示部８２及びアイコン８３を有している。表示部８２には、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１が内部に組み込まれている。したがって、高品位な表示を行うことができる。なお、表示部８２に前述した第２〜第４実施形態の有機ＥＬ装置１１１，２１１，３１１のいずれかを搭載してもよい。
また、有機ＥＬ装置１１，１１１，２１１，３１１のいずれかが適用される電子機器は、上記スマートフォン８１の他、携帯電話機、ヘッドマウントディスプレイ、小型プロジェクター、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器などを挙げることができる。
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う有機ＥＬ装置及び該有機ＥＬ装置の製造方法ならびに該有機ＥＬ装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
（変形例１）上記第４実施形態において、キャリア調整層１７５を備えることが望ましいが、キャリア調整層１７５を無くしても、第３正孔輸送層１７３を設けることで、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１に比べて青の発光層１７７における発光効率を改善することができる。
（変形例２）上記実施形態の有機ＥＬ装置１１，１１１，２１１，３１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のサブ画素３４を一組とした単位画素によって画像を表示する構成であったが、これに限定されない。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）以外の例えば黄色や橙色のサブ画素３４を備え、当該サブ画素３４の発光層を液相プロセスによって塗り分け、気相プロセスで形成された青（Ｂ）の発光層を共有する構成としてもよい。
１１，１１１，２１１，３１１…有機ＥＬ装置、２４，２４Ｒ，２４Ｇ，２４Ｂ…陽極、２５…陰極、２６，２６Ｒ，２６Ｇ，２６Ｂ、２２６Ｒ，２２６Ｇ，２２６Ｂ，３２６Ｂ…機能層、２７…発光素子、２７Ｒ，２２７Ｒ…第１発光素子としての発光素子、２７Ｂ，２２７Ｂ，３２７Ｂ…第２発光素子としての発光素子、２７Ｇ，２２７Ｇ…第３発光素子としての発光素子、３１…基板、３４…サブ画素、６３，１６３…正孔注入層、６４…塗布膜である発光層、７１…正孔輸送層、７４…中間層、７８…電子輸送層、７９…電子注入層、８１…電子機器としてのスマートフォン、１６４…塗布膜である第１発光層としての赤の発光層、１６５…塗布膜である第３発光層としての緑の発光層、１７１…第１正孔輸送層、１７３…第３正孔輸送層、１７４…中間層、１７５…キャリア調整層、１７６…第２正孔輸送層、１７７…蒸着膜である第２発光層としての青の発光層、１７８…電子輸送層、１７９…電子注入層。

Claims (20)

  1. 陽極と陰極との間に発光層を有する発光素子を複数備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    液相プロセスを用いて前記発光層を形成する工程と、
    前記発光層と前記陰極との間において前記発光層に接して、気相プロセスを用いて中間層を形成する工程と、を備え、
    前記中間層は前記発光層に含まれる低分子のホスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
  2. 第１陽極と共通陰極との間に第１発光層を有する第１発光素子と、第２陽極と前記共通陰極との間に第２発光層を有する第２発光素子とを備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    液相プロセスを用いて前記第１発光層を形成する工程と、
    前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第２陽極と前記共通陰極との間に、気相プロセスを用いて前記第２発光層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、
    前記第１発光層と前記第２発光層との間において前記第１発光層に接して、気相プロセスを用いて中間層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、を備え、
    前記中間層は、前記第１発光層に含まれる低分子のホスト材料を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
  3. 前記第１陽極と前記第１発光層との間及び前記第２陽極と前記中間層との間において、前記第１陽極及び前記第２陽極に接して、液相プロセスを用いて正孔注入層を形成する工程と、
    前記正孔注入層と前記第１発光層との間において前記正孔注入層に接して、液相プロセスを用いて第１正孔輸送層を形成する工程と、
    前記中間層と前記第２発光層との間に、気相プロセスを用いて第２正孔輸送層を前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成する工程と、を備え、
    前記第２発光層は、前記第２正孔輸送層に接して形成されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  4. 前記中間層と前記第２正孔輸送層との間において前記中間層に接して、気相プロセスを用いてキャリア調整層を形成する工程をさらに備え、
    前記キャリア調整層は、電子輸送性を有する金属化合物を含むことを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  5. 前記金属化合物は、炭酸セシウムであることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  6. 前記第２正孔輸送層は、低分子の正孔輸送材料を含み、
    前記第２発光素子の前記第２陽極と前記中間層との間において前記正孔注入層に接して、液相プロセスを用いて前記低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層を形成する工程をさらに備え、
    前記第３正孔輸送層を形成する工程は、前記第１発光層を形成する工程の後に行われることを特徴とする請求項３乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  7. 第３陽極と前記共通陰極との間に第３発光層を有する第３発光素子をさらに備え、
    液相プロセスを用いて前記第３発光層を形成する工程を有し、
    前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、
    前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  8. 赤色の発光色を示す前記第１発光層を形成し、
    青色の発光色を示す前記第２発光層を形成し、
    緑色の発光色を示す前記第３発光層を形成することを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  9. 前記中間層の厚みは、１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  10. 前記低分子のホスト材料は、電子輸送性を有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  11. 前記液相プロセスは、機能層形成材料を含む機能液を液滴として吐出する液滴吐出法であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
  12. 基板に、
    陽極と、
    蒸着膜である陰極と、
    前記陽極と前記陰極との間に、塗布膜である発光層と、
    前記発光層と前記陰極との間に、前記発光層に接して、前記発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜である中間層と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
  13. 基板に、
    第１陽極と蒸着膜である共通陰極との間に、塗布膜である第１発光層と蒸着膜である第２発光層とを有する第１発光素子と、
    第２陽極と前記共通陰極との間に前記第２発光層を有する第２発光素子と、
    前記第１発光層と前記第２発光層との間及び前記第２陽極と前記第２発光層との間に、前記第１発光層に接して前記第１発光素子と前記第２発光素子とに跨って形成され、前記第１発光層に含まれる低分子のホスト材料を含む蒸着膜である中間層と、を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
  14. 前記第１陽極と前記第１発光層との間及び前記第２陽極と前記中間層との間に、前記第１陽極及び前記第２陽極に接して、塗布膜である正孔注入層と、
    前記正孔注入層と前記第１発光層との間に、前記正孔注入層に接して、塗布膜である第１正孔輸送層と、
    前記中間層と前記第２発光層との間に、蒸着膜である第２正孔輸送層と、さらにを備えたことを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ装置。
  15. 前記中間層と前記第２正孔輸送層との間に、前記中間層に接して、蒸着膜であるキャリア調整層をさらに備え、
    前記キャリア調整層は、電子輸送性を有する金属化合物を含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ装置。
  16. 前記第２正孔輸送層は、低分子の正孔輸送材料を含み、
    前記第２発光素子の前記第２陽極と前記中間層との間に、前記第２陽極に接して、塗布膜である前記低分子の正孔輸送材料を含む第３正孔輸送層をさらに備えたことを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
  17. 第３陽極と前記共通陰極との間に塗布膜である第３発光層を有する第３発光素子をさらに備え、
    前記第２発光層は、前記第１発光層と前記共通陰極との間及び前記第３発光層と前記共通陰極との間に形成され、
    前記第１発光層、前記第２発光層、前記第３発光層は、それぞれ異なる発光色を示すことを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ装置。
  18. 前記第１発光素子の前記第１発光層は赤色の発光色を示し、
    前記第２発光素子の前記第２発光層は青色の発光色を示し、
    前記第３発光素子の前記第３発光層は緑色の発光色を示すことを特徴とする請求項１７に記載の有機ＥＬ装置。
  19. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
  20. 請求項１２乃至１８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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