CN106098738B - 有机发光显示装置及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机发光显示装置及其制备方法，该方法包括：提供基板；在基板上设置第一像素电极、像素限定层、以及发热网格；像素限定层设置在第一像素电极的外周；发热网格包围第一像素电极；在基板上设置有机层，有机层覆盖发热网格，并且覆盖在第一像素电极上；在有机层上设置第二像素电极；加热发热网格，使与发热网格接触的有机层至少达到有机层的阈值温度。该方法通过发热网格升温至阈值温度，使得相应部分的有机层处于电绝缘状态，从而使得相邻的像素单元之间不产生串扰现象，并且设置有机层的过程中，无需使用高精度掩模板，减少制备工序，降低成本。该显示装置通过该方法制备得到。

Description

有机发光显示装置及其制备方法

技术领域

本发明涉及显示装置领域，特别是涉及一种有机发光显示装置及其制备方法。

背景技术

有机发光显示装置具有自发光、视角宽、响应时间短、厚度薄、功耗低等优点，其在显示装置领域的应用越来越广泛。

对于普通的有机发光显示装置，空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层可促进电荷载流子(空穴或电子)移动。这些层可有相对高的导电率以改善自发光效率。然而，这些层被涂覆在基板上，电荷载流子会产生横向的移动，当一个像素单元发光时，会带动相邻像素单元跟随发光，产生串扰现象。

发明内容

基于此，有必要提供一种不易产生串扰现象的有机发光显示装置及其制备方法。

一种有机发光显示装置制备方法，其包括如下步骤：提供基板；在所述基板上设置第一像素电极、像素限定层、以及发热网格；所述像素限定层设置在所述第一像素电极的外周；所述发热网格包围所述第一像素电极；在所述基板上设置有机层，所述有机层覆盖所述发热网格，并且覆盖在所述第一像素电极上；在所述有机层上设置第二像素电极；加热所述发热网格，使与所述发热网格接触的所述有机层至少达到所述有机层的阈值温度。

上述有机发光显示装置的制备方法，有机层就不需要高精度掩模板设置在基板上，通过发热网格升温至阈值温度，使得相应部分的有机层处于电绝缘状态，从而使得相邻的像素单元之间不产生串扰现象，并且设置有机层的过程中，无需使用高精度掩模板，减少制备工序，降低成本。

在其中一个实施例中，在加热所述发热网格之前还包括：将所述基板放置在加热腔室中，所述加热腔室的温度低于所述阈值温度。

在其中一个实施例中，所述发热网格为导电导热网格，通过导通所述导电导热网格以加热发热网格。

在其中一个实施例中，所述基板在设置第一像素电极之前设置平坦层，所述第一像素电极和所述发热网格都设置在所述平坦层上。

在其中一个实施例中，所述发热网格设置在像素限定层上。

在其中一个实施例中，所述有机层包括有机发光层和至少一个电荷传输层。

在其中一个实施例中，所述有机发光层设置在所述像素限定层内，所述至少一个电荷传输层覆盖所述发热网格。

在其中一个实施例中，所述发热网格为导电导热网格，所述发热网格的电导率小于所述至少一个电荷传输层的电导率。

在其中一个实施例中，所述第一像素电极成排成列的设置，所述发热网格包括成排成列设置的子网格，所述子网格包围一个第一像素电极。

一种有机发光显示装置，其根据如上的有机发光显示装置制备方法制备得到。

附图说明

图1至图4、图6、图7为根据本发明实施例的制造方法中有机发光显示装置的截面图；

图5为图4中有机发光显示装置的俯视图。

具体实施方式

以下通过具体实施方式来对本发明进行说明。附图中所述的组成部件的尺寸和厚度仅仅是为了更好的理解和描述的方便而任意给出的，本发明并不限于所示的尺寸和厚度。

请参考图1-4，图6、图7为按顺序示出根据本发明实施例的制备有机发光显示装置的方法的截面图。

请参考图1，在基板110上沉积有平坦层120。基板110可以为由SiO₂作为主要成分的透明玻璃材料制成，基板110可由不透明材料或者诸如塑料部件之类的其它材料制成。然而，对于图像被体现在基板侧的底部发射有机发光显示装置等来说，基板110必须由透明材料制成。而对于诸如柔性显示装置而言，该基板110需为如聚酰亚胺塑料、聚醚醚酮或透明导电涤纶等高分子材料制成，使该基板110具有柔性可弯折的特点，并且该基板110具有重量轻、厚度薄等优点。

在本实施方式中当该有机发光显示装置为有源矩阵有机电致发光显示装置，该基板110可以为薄膜晶体管阵列基板，本领域技术人员可以理解的是，该基板110包括薄膜晶体管T1、电容C1以及外围电路等，该薄膜晶体管T1包括具有源区111a、沟道区111b、漏区111c的有源层111、栅极绝缘层112以及栅极113，该薄膜晶体管T1的源区111a和漏区111c设置有相应的引出电极114，电容C1包括下电极115、介质层116以及上电极117，薄膜晶体管T1和电容C1各个相应的部分可以在相同的工序中完成。

在薄膜晶体管阵列基板上沉积平坦层120，使得该薄膜晶体管阵列基板具有平整度较高的沉积表面。

请参考图2，在源区111a或漏区111c的引出电极相应的平坦层120开设有接触孔，并且沉积并图案化金属层形成第一像素电极130，该第一像素电极130通过与源区111a或漏区111c的引出电极而与相应的薄膜晶体管T1电性连接。第一像素电极130可以根据薄膜晶体管T1阵列排列方式、实际需求等原因来设置相应的排列方式。

请参考图3，在基板110上设置像素限定层140，像素限定层140设置在第一像素电极130的外周，像素限定层140用以限定有机发光显示装置的像素单元。

请参考图4，在基板110上设置发热网格150，这些发热网格150包围第一像素电极130。请参考图5，图5为图4的俯视图，在本实施方式中，第一像素电极130成排成列的设置在平坦层120上，发热网格150将这些第一像素电极130一一包围，即该发热网格150包括若干成排成列设置的子网格，每一个子网格包围一个第一像素电极130。

在本实施方式中，该发热网格150为导电导热网格，可以通过导通该导电导热网格进行升温。本领域技术人员可以理解的是，该发热网格150也可以为其他具有发热功能的材料制备而成，只需其在一定的条件下具有升温功能即可。

该发热网格150可以设置在平坦层120上，优选的，该发热网格150可以使用与第一像素电极130相同的材料制备而成。当在平坦层120上沉积金属层后，将该金属层图案化形成相应的第一像素电极130和发热网格150，并且两者之间是绝缘的，这样可以减少制备工序，降低制备工艺的复杂度。

当然，该发热网格150也可以设置在像素限定层140上，其可以通过掩模蒸镀或气相沉积等方式设置在像素限定层140上，可以有效的限制像素单元的发光区域设置在像素限定层140限定区域之内。

请参考图6，设置有机层160，该有机层160覆盖发热网格150和第一像素电极130。该有机层160可以不通过掩模板等图案化工具设置在基板110上，而是直接整面未经图形化的设置在基板上。在本实施方式中，该有机层160可以包括有机发光层161和至少一个电荷传输层162，该电荷传输层162可以为空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层等，通过设置电荷传输层162可以提高有机发光层161的发光效率。有机发光层161和电荷传输层162都可以不经图案化的设置。优选的，有机发光层161通过与高精度掩模板等配合设置在像素限定层140内，使得发光区域限制在像素限定层140所限定的范围内，而电荷传输层162可以不通过掩模板的配合，整面设置在基板110上，并且其覆盖发热网格150，并且根据电荷传输层162传输类型的不同，设定有机发光层161和电荷传输层162的设置顺序。

请参考图7，在有机层160设置第二像素电极170，这样有机层160处于第一像素电极130和第二像素电极170之间，基本形成了有机发光单元的结构。

有机层160处于高于某温度时，其会发生变性或结构破坏，从而不具有载流子传输能力，在此定义该温度为阈值温度。加热发热网格150使得与其接触的有机层160的温度至少上升至有机层的阈值温度，从而该接触的部分发生变形或结构破坏，从而使相邻像素单元所对应的有机层电绝缘，第一像素电极130上形成相应的像素单元，而相邻的像素单元之间始终处于绝缘状态，不会发生串扰现象。在本实施方式中，由于有机发光层161限定在像素定义层130内，有机发光层161并未与发热网格150接触，而电荷传输层162是并未图案化的设置在基板110上，其与发热网格150接触，发热网格150能够使得电荷传输层162与其接触的部分升温至阈值温度，该部分的电荷传输层162会发生变性或结构破坏，该部分电绝缘，载流子不会通过电荷传输层162流向相邻的像素单元。

在本实施方式中，导电导热网格的电导率小于电荷传输层162的电导率，使得导电导热网格具有较好的发热性能，并且如果电荷传输层162由于加热温度不够等原因导致局部区域绝缘性不佳，载流子也不易从导电导热网格传输至相邻像素单元，而产生串扰。

为了降低能耗，在加热过程中，可以先将基板110放置在加热腔室中，设置该加热腔室的温度低于阈值温度；然后在加热腔室中，加热发热网格150至阈值温度，使得相邻的像素单元之间处于绝缘状态。如该阈值温度为100摄氏度，而可以设置该加热腔室的温度为90摄氏度，而发热网格150发热的温度能够达到10摄氏度以上。

本实施方式还披露了一种有机发光显示装置，该有机发光显示装置根据上述有机发光显示装置的制备方法制造得到，该有机发光显示装置可以为显示面板、电视、显示器、手机、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种有机发光显示装置制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供基板；

在所述基板上设置第一像素电极、像素限定层、以及发热网格；所述像素限定层设置在所述第一像素电极的外周；所述发热网格包围所述第一像素电极；

在所述基板上设置有机层，所述有机层覆盖所述发热网格，并且覆盖在所述第一像素电极上；

在所述有机层上设置第二像素电极；

加热所述发热网格，使与所述发热网格接触的所述有机层至少达到所述有机层的阈值温度，所述阈值温度为使得所述有机层受热而发生变性或结构破坏的最低温度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在加热所述发热网格之前还包括：

将所述基板放置在加热腔室中，所述加热腔室的温度低于所述阈值温度。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述发热网格为导电导热网格，通过导通所述导电导热网格以加热发热网格。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基板在设置第一像素电极之前设置平坦层，所述第一像素电极和所述发热网格都设置在所述平坦层上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述发热网格设置在像素限定层上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有机层包括有机发光层和至少一个电荷传输层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述有机发光层设置在所述像素限定层内，所述至少一个电荷传输层覆盖所述发热网格。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述发热网格为导电导热网格，所述发热网格的电导率小于所述至少一个电荷传输层的电导率。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一像素电极成排成列的设置，所述发热网格包括成排成列设置的子网格，所述子网格包围一个第一像素电极。

10.一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置根据权利要求1-9任一项所述的有机发光显示装置制备方法制备得到。