CN104425550A - 柔性有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 246
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 78
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 69
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 51
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 27
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 26
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 26
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 claims 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 13
- 238000003892 spreading Methods 0.000 abstract description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 abstract description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 23
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 18
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- -1 acryl Chemical group 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000013138 pruning Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
提供了一种柔性有机电致发光装置及其制造方法。在该柔性电致发光装置中,在位于柔性印刷电路板所连接到的焊盘区中的多个无机层的表面上形成线孔图案,以防止由有机电致发光装置的反复弯曲和伸展所引起的裂缝的路径扩展至装置的内部。
Description
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置(或有机发光显示装置)。更具体地,本发明涉及一种能够使由具有在容易产生裂缝(crack)的焊盘区或者包括该焊盘区的非显示区中形成的线孔(line hole)的台阶部分产生裂缝最小化的柔性有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术
有机电致发光装置是平板显示器(FPD)中的一种,具有高亮度和低操作电压的特性。另外,因为有机电致发光装置是自发光装置,所以有机电致发光装置具有大的对比度,能够被用作超薄显示器,具有与几微秒(μs)一样快的响应时间以便于实现视频,在视角方面没有限制,在低温下稳定,并且以直流电流的从5V至15V范围内的低电压驱动。
另外,有机电致发光装置的制造工艺仅需要沉积和封装设备,因此非常简单。
将具有上述特性的有机电致发光装置划分为无源矩阵型有机电致发光装置和有源矩阵型有机电致发光装置。在无源矩阵型有机电致发光装置中,扫描线和信号线以矩阵形式交叉,并且为了驱动各像素,扫描线随时间被顺序地驱动。因此,为了获得所需的平均亮度,需要获得与通过将线的数量乘以平均亮度所获得的值相对应的瞬间亮度(即瞬间亮度与平均亮度和线的数量的乘积一样高)。
然而,在有源矩阵型有机电致发光装置中,薄膜晶体管(TFT)被用作接通或断开像素区的开关元件,并且设置在各像素区中。TFT连接至电源线和各像素区中的有机发光二极管(OLED)。
在这种情况下,连接至驱动TFT的第一电极通过像素区被接通和断开,并且面对第一电极的第二电极可以用作公共电极。第一电极和第二电极与插入在第一电极和第二电极之间的有机发光层一起形成OLED。
在具有前述特性的有源矩阵型有机电致发光装置中,施加至像素区的电压充入存储电容器Cst,以提供电力,直到施加下一帧信号为止,由此在单个画面期间不管扫描线的数量而连续地驱动装置。
因此,尽管施加了低电流,但可以获得相同的亮度,具有耗电少的优点,可以获得小点距(pitch),并且可以增加显示尺寸。这些特征使得增加了有源矩阵型有机电致发光装置的通常使用。
将参照图1和图2描述相关技术的有机电致发光装置。
图1是相关技术的有机电致发光装置的平面图。
图2是沿着图1中的线II-II截取的相关技术的有机电致发光装置的截面图。
在图1的相关技术的有机电致发光装置10中,在基板(未示出)中限定显示区AA,在显示区AA的外部限定具有焊盘区PD的非显示区(未示出),在显示区AA中设置被限定为由选通线(未示出)和数据线(未示出)所占据的区域的多个像素区(未示出),并且电源线(未示出)被设置为与数据线(未示出)平行。
在各像素区(未示出)中形成TFT。
在相关技术的有机电致发光装置10中,用保护膜(图2中的47)封装形成有TFT和有机电致发光元件(或OLED)E的基板(图2中的11)。
详细地,如图2所示,在基板11中限定显示区AA,并且在显示区AA的外部限定包括焊盘区PD的非显示区。在显示区AA中设置通过由选通线(未示出)和数据线(未示出)形成的区域所限定的多个像素区(未示出),并且电源线(未示出)被设置为与数据线(未示出)平行。
这里,在用玻璃材料制成的基板11上形成聚酰亚胺层15,并且在聚酰亚胺层15和基板11之间形成牺牲层(sacrificial layer)13。
在聚酰亚胺层15上形成用绝缘材料(例如,作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx))制成的缓冲层17。
另外,在显示区AA的各像素区中在缓冲层(未示出)上方形成有源层19。有源层19包括用纯多晶硅制成并具有形成沟道的中心部分的沟道区19a、形成在沟道区19a的两侧并高浓度掺杂的源区19b和漏区19c。
在包括有源区19的缓冲层(未示出)上形成栅绝缘层21,并且栅极23被形成为在栅绝缘层21的上方与各有源层19的沟道区19a相对应。
另外,选通线(未示出)被形成为在栅绝缘层21的上方沿一个方向从栅极23延伸。
在栅极23和选通线(未示出)的上方在显示区的整个表面上形成层间绝缘层25。在这种情况下,层间绝缘层25和下面的栅绝缘层21包括分别将设置在各有源层的沟道区19a的两侧的源区19b和漏区19c露出的接触孔(未示出)。
另外,在包括接触孔(未示出)的层间绝缘层25的上方形成数据线(未示出)。数据线与选通线(未示出)交叉以限定像素区,并且用金属制成。电源线(未示出)形成为与数据线隔开。这里,还可以在形成有选通线(未示出)的层上(即,在栅绝缘层上)将电源线(未示出)形成为与选通线隔开并且与选通线(未示出)平行。
在层间绝缘层25上形成源极27a和漏极27b。源极27a和漏极27b彼此隔开,分别与通过接触孔(未示出)露出的源区19b和漏区19c相接触,并且用与数据线(未示出)相同的金属制成。在这种情况下,顺序堆叠的有源层19、栅绝缘层21、栅极23和层间绝缘层25以及形成为彼此隔开的源极27a和漏极27b全部形成TFT(T)。
在TFT上形成具有将TFT(T)的漏极27b露出的漏接触孔的第一钝化层31和平整层33。
另外,在平整层33上形成第一电极35。第一电极35通过漏接触孔与TFT(T)的漏极27b接触,并且通过像素区分开。
在第一电极35上形成像素限定层37以独立地形成各像素区。在这种情况下,像素限定层37设置在相邻的像素区之间。
有机发光层39形成在由像素限定层37围绕的各像素区内的第一电极上,并且包括发出红光、绿光和蓝光的发光层(未示出)。
另外,基本在显示区AA的整个表面上(包括在有机发光层39和像素限定层37上)形成第二电极41。在这种情况下,第一电极35、第二电极41以及插入在两个电极35和41之间的有机发光层39形成有机电致发光元件E。
在包括第二电极41的基板的整个表面上形成有机层43,并且在有机层43上形成第二钝化层45。
阻挡膜(barrier film)47设置在第二钝化层45上,以对有机电致发光元件E进行封装并防止湿气透过。压敏粘合剂(PSA)(未示出)被插入以完全且紧密地附接到基板11和阻挡膜47,而没有空气层。在阻挡膜47上设置偏振板53。在这种情况下,第二钝化层45、PSA和阻挡膜47形成面密封结构。
以这种方式,通过PSA将基板11和阻挡膜47固定以形成面板状态,构成相关技术的有机电致发光装置。
为了将如上所述配置的有机电致发光装置10制造为柔性有机电致发光装置,首先,清洗有机电致发光装置10的基板11的后表面,并且照射激光以将插入在基板11和聚酰亚胺层15之间的牺牲层13分开,从而将基板11从有机电致发光装置10剥离(delaminate)。
之后,在分开的有机电致发光装置的聚酰亚胺层15的表面上层压背板,以形成柔性有机电致发光装置。
然而,当将基板11与有机电致发光装置分开以制造柔性有机电致发光装置时,由于构成有机电致发光装置的阻挡膜47、偏振板53和TFT(T)的自应力而导致有机电致发光装置10弯曲。
图3是示出裂缝从有机电致发光装置的焊盘区扩展以在有机电致发光装置中引起卷曲(curling)现象的情境的相关技术的有机电致发光装置的示意性立体图。
如图3所示,在没有基板11的聚酰亚胺层15的表面上层压背板(未示出)的工艺期间,反复弯曲和伸展而在脆弱(weak)区(例如,柔性印刷电路板(FPCB)所连接到的焊盘区PD)中产生裂缝C,并且裂缝C甚至扩展至TFT部分,导致有缺陷的有机电致发光装置。具体地,在去除了基板11之后,构成焊盘区PD的这些层大部分是无机层,并且聚酰亚胺层15是易碎的以至于容易产生裂缝。因此,在制造相关技术的柔性有机电致发光装置的过程中,因为由于反复弯曲和伸展而导致在FPCB所连接到的焊盘区PD(即脆弱区)中产生到装置内的TFT的裂缝C,所以制造了有缺陷的有机电致发光装置。
另外,在后续工艺期间裂缝增加,而与面板的信号线干扰,这导致了有缺陷的驱动和有缺陷的屏幕。
发明内容
因此,本发明致力于一种基本避免了由于相关技术的局限性和缺点所导致的一个或更多个问题的柔性有机电致发光装置及其制造方法。
本发明的一个优点在于提供一种柔性有机电致发光装置,其中,在位于FPCB所连接到的焊盘区(由于在制造有机电致发光装置时的反复弯曲和伸展,导致所述焊盘区脆弱)中的多个无机层的表面上形成线孔图案,以重定向裂缝路径,使得裂缝不扩展到装置的内部。因此,使对柔性有机电致装置的损坏最小化。
为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的,如这里实现和广义描述的,一种柔性有机电致发光装置包括:基板,其具有包括多个像素区的显示区和在所述显示区的外部的包括焊盘区的非显示区;多个薄膜晶体管(TFT),其形成在所述基板上的各个所述像素区中;层间绝缘层和钝化层,其形成在包括所述TFT的所述显示区和所述非显示区的所述焊盘区中的所述非显示区中;至少一个线孔图案,其形成在位于所述非显示区的所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一个中;第一电极,其形成在所述平整层上并在各像素区中,并且连接至各TFT的漏极;像素限定层,其形成在包括所述第一电极和所述非显示区的所述基板的各像素区的周围;有机发光层,其分开地形成在所述第一电极上并在各像素区中;以及第二电极,其形成在所述显示区的整个表面上并在所述有机发光层的上方。
为了实现这些和其它优点并且根据本说明书的目的,如这里实现和广义描述的,一种制造有机电致发光装置的方法包括以下步骤:提供基板,在所述基板中限定了包括多个像素区的显示区和所述显示区的外部的包括焊盘区的非显示区;在所述基板上的各个所述像素区中形成多个薄膜晶体管(TFT);在包括所述TFT的所述基板的整个表面上形成层间绝缘层和钝化层;在位于所述非显示区的所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一个中形成至少一个线孔图案;在所述钝化层上形成平整层;在所述平整层上在各像素区中形成连接至各TFT的漏极的第一电极;在所述基板的包括所述第一电极的各像素区周围形成像素限定层;在所述第一电极的上方在各像素区中形成有机发光层;以及在包括所述有机发光层的所述显示区的所述整个表面上形成第二电极。
根据本实施方式的柔性有机电致装置及其制造方法,在位于由于在制造有机电致发光装置时的反复弯曲和伸展导致的脆弱区(即FPCB所连接到的焊盘区或包括焊盘区的非显示区)中的多个无机层(即栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层)的表面中形成线孔图案。因此,裂缝的路径被重定向并且防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
具体地,因为在邻近切割线(scribe line)的脆弱点形成多个线孔图案以重定向在脆弱点中的线损坏和裂缝的路径,所以可以防止作为关键点的面板布线裂缝。
此外,在制造柔性有机电致发光装置的过程中,对限定在面板的焊盘区的上部和下部的边缘处的修剪线进行修剪切割,因为在焊盘区的上部和下部形成曲线孔图案以围绕焊盘区的修剪线,使得裂缝的路径被重定向并防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
此外,在制造柔性有机电致发光装置的过程中,对位于与包括焊盘区的上部和下部的边缘的焊盘区相对的非显示区的上部和下部的边缘处所限定的修剪线进行修剪切割的情况下,因为在包括焊盘区的非显示区进一步形成从曲线孔图案延伸的线孔图案以围绕修剪线和显示区,使得裂缝的路径被重定向并防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
本申请的进一步的应用范围从下面给出的详细描述将变得明显。然而,应当理解的是,因为对于本领域技术人员而言在本发明的精神和范围内的各种变化和修改根据详细的描述将变得明显,所以仅通过说明的方式给出了指示本发明的优选实施方式的详细的描述和特定示例。
附图说明
附图被包括以提供本发明的进一步理解并且所述附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分,所述附图示出示例性实施方式,并且与描述一起用于解释本发明的原理。
附图中:
图1是示出根据相关技术的有机电致发光装置的平面图。
图2是沿着图1中的线II-II截取的相关技术的有机电致发光装置的截面图。
图3是示出裂缝从有机电致发光装置的焊盘区蔓延以引起有机电致发光装置卷边的相关技术的有机电致发光装置的示意性立体图。
图4是示意性示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的平面图。
图5是沿图4的线V-V截取的根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的示意性截面图。
图6是根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的放大截面图。
图7A至图7S是示出根据本发明实施方式的制造柔性有机电致发光装置的工艺的截面图。
图8是根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的示意性立体图。
图9是示出裂缝的路径沿多个线孔图案绕过的状态的根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的放大平面图。
图10是示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的线孔图案的另一个示例的立体图。
图11是示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的线孔图案的又一个示例的立体图。
具体实施方式
将参照附图详细描述根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置。
下面,将参照附图详细描述实施方式,以使本发明所属领域的技术人员可以容易实施所述实施方式。在描述本发明的过程中,如果认为对相关的已知功能或结构的详细解释没必要地偏离了本发明的要点,则这样的解释将会被省略,但将会被本领域技术人员理解。另外,在整个说明书中,类似的标号用于类似的部件。
可以基于所发射的光传输的方向将根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置划分为顶部发光型装置和底部发光型装置。下面,将底部发光型装置作为示例进行描述。
将参照附图详细描述根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置。
图4是示意性示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的平面图。
图5是沿图4的线V-V截取的根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的截面图。
图6是根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区PD的放大截面图。
这里,薄膜晶体管(T)假定与图5中所示的驱动薄膜晶体管(T)相同。另外,薄膜晶体管(T)可以被用作开关薄膜晶体管。
在根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置100中,通过阻挡膜151对形成有薄膜晶体管(TFT)(未示出)和有机电致发光元件E的基板101进行封装。
详细地,参见图4和图5,在根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置100中,在用诸如玻璃制成的基板101上限定显示区AA,在显示区AA的外部限定具有焊盘区PD的非显示区NA,在显示区AA中设置被限定为通过选通线(未示出)和数据线(未示出)的交叉而形成的区域的多个像素区(未示出),并且将电源线(未示出)设置为与数据线(未示出)平行。
这里,在制造了有机电致发光装置之后,将用例如玻璃制成的基板101剥离,并且将柔性背板(未示出)(图7S中的161)层压在剥离的部分上。用柔性玻璃基板或具有柔性的诸如聚酰亚胺膜的柔性材料形成背板161,以使尽管例如将柔性有机电致发光装置像纸一样弯曲(或翘曲),但该装置仍然作为显示器进行操作。
另外,在基板101上形成聚酰亚胺层105,并且在聚酰亚胺层105上形成用诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料制成的具有例如多层结构的缓冲层107。在本实施方式中,在后续工艺中形成的有源层109下面形成缓冲层107的原因是防止由于当有源层109结晶时从基板101的内部发射碱离子而导致的有源层109的特性劣化。
在基板101和聚酰亚胺层105之间形成用非晶硅或硅氮化物(SiNx)制成的牺牲层103。牺牲层103用于在制造了有机电致发光装置之后通过激光照射工艺使基板101容易与聚酰亚胺层105剥离并与聚酰亚胺层105分开。
另外,在显示区AA的各像素区中在缓冲层107的上方形成有源层109。有源层109包括用纯多晶硅制成并具有形成沟道的中心部分的沟道区109a、形成在沟道区109a的两侧并高浓度掺杂的源区109b和漏区109c。
在包括有源层109的缓冲层107上形成栅绝缘层113,并且在栅绝缘层113的上方与各有源层109的沟道区109a相对应地形成栅极115a。可以在焊盘区PD的长边方向上(即,在设置在焊盘区PD中的层间绝缘层121中与显示区AA相对)形成至少一个线孔图案125c。
另外,选通线(未示出)被形成为在栅绝缘层113上方沿一个方向从栅极115a延伸。栅极115a和选通线(未示出)可以用诸如铝(Al)、Al合金(AlNd)、铜(Cu)、Cu合金、钼(Mo)和钼钛(molytitanium,MoTi)中的任一种的第一金属材料制成,以具有单层结构,或可以用两种或更多种的第一金属材料形成以具有双层或三层结构。在附图中,栅极115a和选通线(未示出)被示出为具有单层结构。
在包括栅极115a和选通线(未示出)的基板的显示区的整个表面上形成层间绝缘层121。用诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成层间绝缘层121。在这种情况下,层间绝缘层121和下面的栅绝缘层113包括分别将位于有源层109的沟道区109a的两侧的源区109a和漏区109c露出的有源层接触孔(未示出)。
另外,位于焊盘区PD中的层间绝缘层121中形成有至少一个第一线孔图案125c。这里,第一线孔图案125c形成在焊盘区PD的长边方向上(即,与显示区AA相对)。
另外,在包括有源层接触孔(未示出)的层间绝缘层121的上方形成数据线(未示出)。数据线与选通线(未示出)交叉以限定像素区(未示出)。数据线可以用诸如铝(Al)、Al合金(AlNd)、铜(Cu)、Cu合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任一种或两种或更多种的第二金属材料制成。电源线(未示出)被形成为与数据线隔开。在这种情况下,电源线(未示出)还可以被形成在形成有选通线的层上(即,在栅绝缘层113上),以使电源线与选通线隔开。
在层间绝缘层121上形成源极127a和漏极127b。源极127a和漏极127b彼此隔开,分别与通过有源层接触孔露出的源区109b和漏区109c相接触,并且用与数据线(未示出)的材料相同的第二金属材料制成。在本实施方式中,顺序堆叠的有源层109、栅绝缘层113、栅极115a和层间绝缘层121以及形成为彼此隔开的源极127a和漏极127b形成TFT(T)。
在附图中,数据线(未示出)、源极127a和漏极127b都被示出为具有单层结构,但是这些还可以具有双层或三层结构。
虽然未示出,但在开关区域(未示出)中形成TFT。开关TFT(未示出)电连接至驱动TFT、选通线(未示出)和数据线(未示出)。即,选通线(未示出)和数据线(未示出)连接至开关TFT(未示出)的栅极(未示出)和源极(未示出),并且开关TFT(未示出)的漏极(未示出)电连接至驱动TFT(T)的栅极。
同时,在根据本发明的实施方式的有机电致发光装置中,例如,驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)具有多晶硅的有源层109并被配置为顶栅型,但是驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)还可以被配置为具有非晶硅的有源层的底栅型。
在驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)被配置为底栅型时,其堆叠结构包括栅极、栅绝缘层、用掺杂非晶硅的欧姆接触层形成并与纯非晶硅的有源层隔开的有源层、以及彼此隔开的源极和漏极。在这种情况下,选通线被形成为在上面形成有开关TFT的栅极的层中连接至该栅极,并且数据线被形成为在上面形成有开关TFT的源极的层中连接到该源极。
同时,在驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)上堆叠将驱动TFT(T)的漏极127b露出的钝化层131和平整层133。在这种情况下,诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料被用作层间绝缘层121的材料。另外,可以使用包括光亚克力(photo acryl)的有机材料以形成平整层133。
同时,在位于焊盘区PD中的钝化层131的一部分中形成至少一个第二线孔图案135b。在这种情况下,第二线孔图案135b被形成在焊盘区PD的长边方向上(即,与显示区AA相对)。可以形成至少一个第二线孔图案135b,使得所述至少一个第二线孔图案135b与下面的第一线孔图案125c交叠或可以不与第一线孔图案125c交叠。
另外,在平整层133上形成第一电极137。第一电极137通过漏接触孔(未示出)与驱动TFT(T)的漏极127b相接触,并且通过各像素区分开。第一电极137可以被设置为透明电极或反射电极。在第一电极137被用作透明电极时,第一电极137可以用ITO、IZO、ZnO或In2O3制成,而在第一电极137被用作反射电极时,第一电极137可以用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物等形成,并且其上可以形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
在第一电极137的上方在各像素区的边界区域中形成用绝缘材料(具体地,例如BCB、聚酰亚胺或光亚克力)制成的像素限定层139。在这种情况下,像素限定层139围绕各像素区(未示出)并与第一电极137的边缘交叠,并且具有在整个显示区AA中具有多个开口的网格形式。
在由像素限定层139所围绕的各像素区中,在第一电极137上形成用发射红光、绿光和蓝光的有机材料制成的有机发光层141。有机发光层141可以被配置为用有机发光材料制成的单层。另外,尽管未示出,但有机发光层141可以被配置为包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层以及电子注入层的多层,以提高发光效率。
另外,基本在显示区AA的整个表面上(包括在有机发光层141和像素限定层139上)形成第二电极143。在这个实施方式中,第一电极137、第二电极143和插入两个电极137和143之间的有机发光层141构成有机电致发光元件E。
因此,在根据选择的颜色信号将预定电压施加到有机电致发光元件E的第一电极137和第二电极143时,从第一电极137注入的空穴和从第二电极143提供的电子被传输至有机发光层141以形成激子,并且当激子从激发态迁移至基态时,以可见光的形式产生光并发射光。在这种情况下,所发出的光通过透明第二电极143而被释放至外部,由此柔性有机电致发光装置实现特定图像。
同时,在包括第二电极143的基板的整个表面上形成用具体地作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成的下钝化层145。在这种情况下,仅通过第二电极143不能完全防止湿气侵入到有机发光层141,所以在第二电极143上形成下钝化层145,从而完全防止湿气侵入到有机发光层141。
另外,在显示区AA中的下钝化层145上形成用诸如聚合物的聚合物有机材料制成的有机层147。在这种情况下,作为用于形成有机层147的聚合物,可以使用烯烃基聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等。
为了防止湿气通过有机层147侵入,在包括有机层147的基板的整个表面上另外形成用诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成的上钝化层149。
在包括上钝化层149的基板的整个表面上设置阻挡膜151,以对有机电致发光元件E进行封装。在基板101和阻挡膜151之间,插入用透明且具有结合特性的玻料(frit)、有机绝缘材料和聚合物材料中的任一种制成的粘合剂(未示出),以使得基板101和阻挡膜151完全且紧密地附接而没有空气层。在阻挡膜151上设置偏振板153。
当通过粘合剂(未示出)将基板101和阻挡膜151固定以形成面板状态时,根据本发明的实施方式的有机电致发光装置完成。
另外,为了将如上所述配置的有机电致发光装置制成柔性有机电致发光装置,首先清洗有机电致发光装置的基板101的后表面,并且照射激光以分开插入在基板101和聚酰亚胺层105之间的牺牲层103。因此,将基板101从有机电致发光装置剥离。
之后,将背板层压在分开的有机电致发光装置的聚酰亚胺层105的表面上,以形成柔性有机电致发光装置。
以这种方式,根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置,因为在多个无机层(即位于FPCB所连接到的焊盘区(PD)中的栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层,在制造有机电致发光装置时,由于反复的弯曲和伸展导致所述焊盘区是脆弱的)的表面中形成线孔图案,以重定向裂缝的路径,从而防止裂缝的路径扩展至装置的内部,所以可以使对柔性有机电致装置的损坏最小化。
具体地,因为在邻近切割线SL的脆弱点形成诸如125c和135b的多个线孔图案,所以在产生裂缝时,在脆弱点中线损坏和裂缝路径被旁路,从而防止作为关键点的面板布线裂缝。
下面,将参照图7A至图7S描述根据本发明的实施方式的制造柔性有机电致装置的方法。
图7A至图7S是示出根据本发明的实施方式的制造柔性有机电致发光装置的工艺的截面图。
这里,假定术语膜晶体管(T)与图5所示的驱动薄膜晶体管(T)相同。另外,薄膜晶体管(T)可以用作开关薄膜晶体管。
如图7A所示,制备诸如玻璃基板的基板101,在基板101中限定了显示区AA和在显示区AA的外部的包括焊盘区PD的非显示区(未示出)。在制造有机电致装置之后将基板101剥离或去除,然后在有机电致发光装置上层压柔性背板(图7S中的161)。背板161用柔性玻璃基板或具有柔性的材料形成,使得尽管柔性有机电致发光装置像纸一样弯曲(或翘曲),但柔性有机电致发光装置可以照原样具有显示性能。
另外,在基板101上形成聚酰亚胺层105,并且在聚酰亚胺层105上形成具有用诸如硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的无机绝缘材料制成的多层结构的缓冲层107。在后续工艺中形成的有源层109的下面形成缓冲层107的原因是为了防止由于在有源层109结晶时碱离子从基板101的内部发射而导致的有源层109的特性劣化。
在基板101和聚酰亚胺层105之间形成用非晶硅或硅氮化物(SiNx)制成的牺牲层103。牺牲层103用于使基板101在制造了有机电致发光装置之后通过激光照射工艺容易地从聚酰亚胺层105剥离或分开。
如图7B所示,在显示区AA中的各像素区中在缓冲层107的上方形成有源层109。有源层109包括用纯多晶硅制成并具有形成沟道的中心部分的沟道区109a、形成在沟道区109a两侧并高浓度掺杂的源区109b和漏区109c,这参照图7F和图7G进行说明并描述。
在缓冲层107上形成有源层109。在这种情况下,在显示区AA中的各像素区中用纯多晶硅制成有源层109。
随后,如图7C所示,在有源层109上涂敷第一光敏膜(未示出),并且通过曝光和显影工艺选择性地对第一光敏膜进行构图,以形成第一光敏膜图案111。
之后,如图7D所示,通过使用第一光敏膜图案111作为蚀刻掩模选择性地去除有源层109。
随后,如图7E所示,随着第一光敏膜图案111被去除,在缓冲层107上(包括在有源层109上)顺序地沉积栅绝缘层113和第一金属材料层115。在这种情况下,第一金属材料层115可以用诸如铝(Al)、Al合金(AlNd)、铜(Cu)、Cu合金、钼(Mo)和钼钛(MoTi)中的任一种的第一金属材料制成以具有单层结构,或者可以用两种或更多种的第一金属材料形成以具有双层或三层结构。在附图中,栅极和选通线(未示出)被示出为具有单层结构。
之后,在第一金属材料层115上涂敷第二光敏膜(未示出),并且通过曝光和显影工艺选择性地对第二光敏膜进行构图以形成第二光敏膜图案117。
随后,如图7F所示,通过使用第二光敏膜图案117作为蚀刻掩模选择性地蚀刻第一金属材料层115以形成栅极115a。选通线(未示出)被形成为在栅极绝缘层113的上方沿一个方向从栅极115a延伸。
随后,去除第二光敏膜图案117,并且将杂质注入到在栅极115a下面的有源层109的两侧,以形成在有源层109的中心部分形成沟道的沟道区109a,并且基于沟道区109a形成彼此隔开的源区109b和漏区109c。
随后,如图7G所示,在栅极115a和选通线(未示出)的上方在显示区的整个表面上形成用诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成的层间绝缘层121。
之后,在层间绝缘层121上涂敷第三光敏膜(未示出),并且通过曝光和显影工艺选择性地对第三光敏膜进行构图以形成第三光敏膜图案123。
随后,如图7H所示,使用第三光敏膜图案123作为蚀刻掩模选择性地蚀刻层间绝缘层121和下面的栅绝缘层113,以同时形成将有源层109的源区109b和漏区109c露出的源区接触孔125a和漏区接触孔125b。在这种情况下,在形成源区接触孔125a和漏区接触孔125b的过程中,还在层间绝缘层121的位于焊盘区PD中的部分中形成至少一个第一线孔图案125c。在焊盘区的长边方向上(即与显示区AA相对)形成第一线孔图案125c。
随后,如图7I所示,去除第三光敏膜图案123,并且在包括第一线孔125c的层间绝缘层121上形成第二金属材料层127。第二金属材料层127与选通线(未示出)交叉以限定像素区(未示出)。在这种情况下,第二金属材料层127可以用铝(Al)、Al合金(AlNd)、铜(Cu)、Cu合金、钼(Mo)、钼钛(MoTi)、铬(Cr)和钛(Ti)中的任一种或两种或更多种制成。
随后,在第二金属材料层127上涂敷第四光敏膜(未示出),并且通过曝光和显影工艺选择性地对第四光敏膜进行构图以形成第四光敏膜图案129。
之后,如图7J所示,通过使用第四光敏膜图案129作为蚀刻掩模选择性地蚀刻第二金属材料层127,以形成与选通线(未示出)交叉以限定像素区P的数据线(未示出)和与数据线隔开的电源线(未示出)。在这种情况下,电源线(未示出)可以形成在形成有选通线的层上(即,在栅绝缘层上),使得电源线与选通线(未示出)并排地隔开。
另外,在形成数据线(未示出)的过程中,在层间绝缘层121上形成源极127a和漏极127b。源极127a和漏极127b彼此隔开,分别与通过有源层接触孔(未示出)露出的源区109b和漏区109c相接触,并且用与数据线(未示出)的材料相同的第二金属材料制成。顺序堆叠的有源层109、栅绝缘层113、栅极115a和层间绝缘层121以及形成为彼此隔开的源极127a和漏极127b形成TFT(T)。
同时,在附图中,数据线(未示出)、源极127a和漏极127b被示出为具有单层结构,但是这些还可以具有双层或三层结构。
尽管未示出,但形成具有与驱动TFT(T)的结构相同的堆叠结构的开关TFT(未示出)。在这种情况下,开关TFT(未示出)电连接至驱动TFT、选通线(未示出)和数据线(未示出)。也就是说,选通线(未示出)和数据线(未示出)连接至开关TFT(未示出)的栅极(未示出)和源极(未示出),并且开关TFT(未示出)的漏极(未示出)电连接至驱动TFT(T)的栅极。
同时,在根据本发明实施方式的有机电致发光装置中,例如,驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)具有多晶硅的有源层109,并且被配置为顶栅型,但驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)还可以被配置为具有非晶硅的有源层的底栅型。
在驱动TFT(T)和开关TFT(未示出)被配置为底栅型时,其堆叠结构包括栅极、栅绝缘层、用掺杂非晶硅的欧姆接触层形成并与纯非晶硅的有源层隔开的有源层、以及彼此隔开的源极和漏极。在这种情况下,选通线被形成为在形成有开关TFT的栅极的层中连接至该栅极,并且数据线被形成为在形成有开关TFT的源极的层中连接至该源极。
随后,如图7K所示,随着第四光敏膜图案129已经被去除,在包括源极127a和漏极127b的基板的整个表面上形成钝化层131。在这种情况下,使用诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料作为钝化层131的材料。
随后,如图7L所示,在钝化层131上形成用有机材料制成的平整层133。在这种情况下,有机材料可以是作为具有绝缘属性的疏水性有机材料的从由聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、苯并环丁烯(BCB)和酚树脂组成的组中选择出的一种。
随后,如图7M所示,顺序地刻蚀平整层133和下面的钝化层131以形成将漏极127b露出的漏接触孔135a。在这种情况下,在形成漏接触孔135a的过程中,还在钝化层131的位于焊盘区PD中的部分中形成至少一个第二线孔图案135b。这里,第二线孔图案135b可以形成在焊盘区PD的长边方向上(即与显示区AA相对),并且可以不与形成在层间绝缘层121中的第一线孔图案125c交叠或可以与第一线孔图案125c交叠。
随后,如图7N所示,在平整层133上沉积导电材料层(未示出)并且通过掩模工艺选择性地刻蚀导电材料层以形成第一电极137,所述第一电极137与TFT(T)的漏极127b相接触并且被各像素区分开。在这种情况下,导电材料层(未示出)可以设置为透明电极或反射电极。在第一电极137被用作透明电极时,第一电极137可以用ITO、IZO、ZnO或In2O3制成,而在第一电极137被用作反射电极时,反射层可以用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、其化合物等形成,并且可以在其上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
随后,如图7O所示,在第一电极137上在各像素区的边界区域中形成用诸如BCB、聚酰亚胺或光亚克力制成的绝缘材料层(未示出)。
随后,选择性地对绝缘材料层(未示出)进行构图以形成像素限定层139。在这种情况下,像素限定层139被形成为与第一电极137的边缘交叠,使得像素限定层139围绕各像素区,并且具有在整个显示区AA上具有多个开口的网格形式。
随后,如图7P所示,在被像素限定层139围绕的各像素区内的第一电极层上形成发射红光、绿光和蓝光的有机发光层141。在这种情况下,有机发光层141可以被配置为用有机发光材料制成的单层。另外,尽管未示出,但有机发光层141可以被配置为包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层的多层结构,从而增强发光效率。
之后,如图7Q所示,在包括有机发光层141的显示区AA的整个表面以及像素限定层139的上部和侧部上形成第二电极143。在这种情况下,第二电极143可以被设置为透明电极或反射电极。在第二电极143被用作透明电极时,第二电极143被用作阴极,从而朝向有机层129沉积具有小的功函(work function)的金属(即Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物),其中,在所述有机层129上可以用诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等的透明电极形成材料来形成辅助电极层或总线电极线。在第二电极143被用作反射电极时,完全沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物。
因此,根据电流的流动发射红光、绿光和蓝光以显示预定图像信息的有机电致发光元件E包括连接至TFT(T)的漏极127b以从其提供正电(positive power)的第一电极137、设置为覆盖整个像素以提供负电的第二电极143、以及设置在第一电极137和第二电极143之间以发射光的有机发光层141。
第一电极137和第二电极143通过有机发光层141而彼此绝缘,并且在施加电压时,有机发光层141发射光。
因此,在根据选择的颜色信号将预定电压施加到有机电致发光元件E的第一电极137和第二电极143时,从第一电极137注入的空穴和从第二电极143提供的电子被传输至有机发光层141以形成激子,并且当激子从激发态迁移至基态时,以可见光的形式产生光并发射光。在这种情况下,所发射的光通过透明第二电极143被释放至外部,由此柔性有机电致发光装置实现特定图像。
随后,如图7R所示,在包括第二电极143的基板的整个表面上形成用绝缘材料(具体地,作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx))制成的下钝化层145。在这种情况下,仅用第二电极143不能完全防止湿气侵入到有机发光层141。所以,在第二电极143上形成下钝化层145。因此,完全防止湿气侵入到有机发光层141。
之后,通过诸如丝网印刷的方法在下钝化层145上在显示区AA和非显示区中形成用诸如聚合物的聚合物有机材料制成的有机层147。在这种情况下,可以使用烯烃基聚合物(聚乙烯或聚丙烯)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、环氧树脂、氟树脂、聚硅氧烷等作为用于形成有机层147的聚合物。在显示区AA中形成有机层147。
为了防止湿气通过有机层147侵入,在包括有机层147的基板的整个表面上另外形成用诸如作为无机绝缘材料的硅氧化物(SiO2)或硅氮化物(SiNx)的绝缘材料制成的上钝化层149。
随后,在包括上钝化层149的基板的整个表面上设置阻挡膜151,以对有机电致发光元件E进行封装。在基板101和阻挡膜151之间,插入用透明且具有结合特性的玻料、有机绝缘材料和聚合物材料中的任一种制成的粘合剂(未示出),以使得基板101和阻挡膜151完全且紧密地附接而没有空气层。之后,偏振板153被附接至阻挡膜151。
随着通过粘合剂(未示出)将基板101和阻挡膜151固定以形成面板状态,根据本发明实施方式的制造有机电致发光装置的工艺完成。
之后,如图7S所示,为了将所描述的配置的有机电致发光装置制成柔性有机电致发光装置,首先清洗有机电致发光装置的基板的后表面,并照射激光以分开插入在基板101和聚酰亚胺层105之间的牺牲层103。因此,基板101从有机电致发光装置剥离。
之后,在分开的有机电致发光装置的聚酰亚胺层105的表面上层压背板161,从而完成柔性有机电致发光装置的制造工艺。
图8是根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的示意性立体图。
图9是示出沿多个线孔图案重定向裂缝的路径的状态的根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区PD的放大平面图。
这里,薄膜晶体管(T)假定与图5所示的驱动薄膜晶体管(T)相同。此外,薄膜晶体管(T)可以被用作开关薄膜晶体管。
如图8所示,在位于焊盘区PD中的诸如层间绝缘层121和钝化层131的多个无机层的表面中形成线孔图案125c和135b,其中,FPCB170连接至所述焊盘区,由于在制造有机电致发光装置时反复的弯曲和伸展导致所述焊盘区脆弱。
如图9所示,线孔图案125c和135b被形成为邻近位于焊盘区PD中的层间绝缘层121和钝化层131的表面中的面板切割线,以使由于在外部冲击的情况下的吸收和对脆弱点的损坏而产生的裂缝的蔓延路径旁路,因此可以使裂缝到显示区内部的蔓延最小化,其中,FPCB170连接至所述焊盘区,由于在制造有机电致发光装置时反复弯曲和伸展导致焊盘区脆弱。
下面,将参照图10描述根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区中设置的线孔图案的另一个示例。
图10是示意性示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的线孔图案的另一个示例的立体图。
在根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置中,可以根据应用领域按需要设置诸如照相机的独立构件或任意其它构件。在这种情况下,可以不将这样的构件设置在显示区AA中,而是使用焊盘区PD。在这种情况下,因为照相机或其它部件将被设置在焊盘区PD的一部分中,所以在设计焊盘区的过程中,可能同样减小了焊盘区PD的面积。
在这种情况下,因为根据本发明的实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区PD的面积减小,所以应该改变形成在焊盘区PD中的线孔图案的形状。
这里,将作为示例描述这样的情况:在图5中所示的本发明的第一实施方式的栅绝缘层113、层间绝缘层121和钝化层131上形成根据本发明的另一个实施方式的第一孔图案225和第二线孔图案235。
即,将作为示例描述这样的情况:在层间绝缘层121中形成第一线孔图案225并且在钝化层(图5中的131)上形成线孔图案235。
参见图10,在根据本发明实施方式的柔性有机发光装置200中,在基板(未示出)上限定显示区AA,并且在显示区AA的外部限定包括焊盘区PD的非显示区NA。
在非显示区的两个边缘部分中设置空间部分240,使得空间部分240与焊盘区PD相邻,以允许在空间部分240中设置照相机或任意其它构件。焊盘区PD具有比第一实施方式的焊盘区PD小的面积,因此,形成在位于焊盘区PD中的层间绝缘层(未示出)和钝化层(未示出)中的第一线孔图案225和第二线孔图案235具有与先前公开的形状不同的形状。
这里,第一线孔图案225和第二线孔图案235分别包括直线部分225a和235a以及弯曲部分225b和235b。直线部分225a和235a与第一线孔图案225和第二线孔图案235的中心区相对应,弯曲部分225b和235b与第一线孔图案225和第二线孔图案235的两侧端部区相对应。
因此,因为考虑到焊盘区PD的面积根据需要而减小,弯曲部225b和235b形成在第一和第二线孔图案225和235的两侧端部区中,所以可以使由于撞击等导致的裂缝的路径或由于在制造柔性有机发光装置中反复翘曲(或弯曲)或伸展而产生的裂缝的路径旁路,以使所述路径不蔓延至装置的内部,从而使对柔性有机发光装置的损坏最小化。
以这种方式,根据本发明实施方式的柔性有机发光装置,在位于因为在制造有机电致发光装置时被反复弯曲和伸展而导致的脆弱区(即FPCB所连接到的焊盘区PD)中的多个无机层(即,栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层)的表面中形成线孔图案。因此,裂缝的路径被重定向并且被防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
具体地,因为在与切割线邻近的脆弱点中形成多个线孔图案以重定向在脆弱点中的线损坏和裂缝的路径,所以可以防止作为关键点的面板布线裂缝。
下面,将参照图11描述在根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区中设置的线孔图案的又一个示例。
图11是示意性示出根据本发明实施方式的柔性有机电致发光装置的焊盘区的线孔图案的又一个示例的立体图。
在根据本发明的又一个实施方式的柔性有机电致发光装置300中,在用例如玻璃制成的基板(未示出)上限定显示区AA,在显示区AA的外部限定具有焊盘区PD的非显示区NA,在显示区AA中设置被限定为通过选通线(未示出)和数据线(未示出)的交叉而形成的区域的多个像素区(未示出),并且与数据线(未示出)平行地设置电源线(未示出)。
在非显示区NA的外部限定切割线SL,在焊盘区PD的上部和下部的边缘限定第一修剪线TL1,并且在位于与焊盘区相对的非显示区的上部和下部的边缘限定第二修剪线TL2。
在制造柔性有机电致发光装置的过程中,对第一修剪线TL1和第二修剪线TL2进行修剪切割。
如图11所示,在焊盘区PD的上部和下部的边缘形成围绕第一修剪线的第一孔图案325a。第一孔图案325a可以通过曲线型或直线型而形成。因此,由于第一孔图案325a使得裂缝的路径被重定向并且防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
此外,如图11所示,在位于与焊盘区PD相对的显示区AA的外部的非显示区NA形成从第一孔图案325a延伸的第二孔图案325b。裂缝防止孔图案325包括第一孔图案325a和第二孔图案325b。
因此,因为由第一孔图案325a和第二孔图案325b形成所有裂缝防止孔图案325,所以裂缝的路径被重定向并且防止扩展至装置的内部(例如,从第二修剪线扩展至显示区AA的内部的裂缝,以及从焊盘区的第一修剪线扩展至显示区AA的内部的裂缝)。
如上,根据本实施方式的柔性有机电致装置及其制造方法,在位于由于在制造有机电致发光装置时反复弯曲和伸展而导致的脆弱区(即FPCB所连接到的焊盘区或包括焊盘区的非显示区)中的多个无机层(即栅绝缘层、层间绝缘层和钝化层)的表面中形成线孔图案。因此,裂缝的路径被重定向并且防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
具体地,因为在邻近切割线的脆弱点形成多个线孔图案以重定向在脆弱点中的线损坏和裂缝的路径,所以可以防止作为关键点的面板布线裂缝。
此外,因为在修剪线的外围部分形成曲线孔图案以围绕焊盘区的修剪线,所以使得裂缝的路径被重定向并防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
同时,因为在包括焊盘区的非显示区进一步形成从曲线孔图案延伸的线孔图案以围绕修剪线和显示区,所以使得裂缝的路径被重定向并防止扩展至装置的内部,这使对柔性有机电致发光装置的损坏最小化。
前述的实施方式和优点仅为示例性的,并且不能被认为限制本公开。本教导可以容易地应用于其它类型的装置。本描述意在为说明性的,并且不限制权利要求的范围。多种替代、修改和变型对于本领域技术人员来说是明显的。这里所述的示例性实施方式的特征、结构、方法和其它特性可以以各种方式组合以获得另外的和/或替代的示例性实施方式。
因为这些特征在不脱离其特性的情况下可以以多种形式实现,所以应当理解的是上述实施方式不被前面描述的任意细节所限定,除非另有指定,而应该被广义地认为在所附权利要求所限定的范围内,因此落入权利要求的边界和范围或者这样的边界和范围的等同物内的所有变化和修改因此意在被所附权利要求包含。
Claims (17)
1.一种柔性有机电致发光装置,所述柔性有机电致发光装置包括:
基板,其具有包括多个像素区的显示区和在所述显示区的外部的包括焊盘区的非显示区;
多个薄膜晶体管TFT,其形成在所述基板上的各个所述像素区中;
层间绝缘层,其形成在包括所述TFT的所述显示区和所述非显示区中,并且具有形成在所述非显示区的所述焊盘区中的至少一个第一线孔图案;
钝化层,其形成在所述层间绝缘层上;
至少一个线孔图案,其形成在位于所述非显示区的所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一个中;
平整层,其形成在所述钝化层上;
第一电极,其形成在所述钝化层上并在各像素区中,并且连接至各TFT的漏极;
像素限定层,其形成在包括所述第一电极和所述非显示区的所述基板的各像素区的周围;
有机发光层,其分开地形成在所述第一电极上并在各像素区中;以及
第二电极,其形成在所述显示区的整个表面上并在所述有机发光层的上方。
2.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,所述柔性有机电致发光装置还包括:
下钝化层,其形成在包括所述第二电极的所述基板的所述整个表面上;
有机层,其形成在所述下钝化层上并在所述显示区中;
上钝化层,其形成在包括所述有机层的所述第一钝化层上;
阻挡膜,其设置为面对所述基板;以及
偏振板,其附接至所述阻挡膜。
3.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,所述基板是具有柔性特性的柔性玻璃基板或用柔性材料制成。
4.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,所述线孔图案交叠。
5.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,所述线孔图案不交叠。
6.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,所述线孔图案形成在所述非显示区的焊盘区或形成在包括所述焊盘区的所述非显示区。
7.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,所述至少一个线孔图案还形成在所述栅绝缘层的所述焊盘区中。
8.如权利要求6所述的柔性有机电致发光装置,其中,形成在包括所述焊盘区的非显示区的曲线型的所述线孔图案包括:第一孔图案,其具有围绕形成在所述焊盘区的上部和下部的边缘的修剪线的曲线部分;以及第二孔图案,其从具有直线部分的所述第一孔图案延伸,以在位于所述显示区的外部的与所述焊盘区相对的所述非显示区围绕所述显示区。
9.如权利要求1所述的柔性有机电致发光装置,其中,聚酰亚胺层和多个缓冲层插入在所述基板和所述多个薄膜晶体管之间。
10.一种制造有机电致发光装置的方法,所述方法包括以下步骤:
提供基板,在所述基板中限定包括多个像素区的显示区和所述显示区的外部的包括焊盘区的非显示区;
在所述基板上的各个所述像素区中形成多个薄膜晶体管TFT;
在包括所述TFT的所述基板的整个表面上形成层间绝缘层;
在所述层间绝缘层上形成钝化层;
在位于所述非显示区的所述层间绝缘层和所述钝化层中的至少一个中形成至少一个线孔图案;
在所述钝化层上形成平整层;
在所述平整层上在各像素区中形成连接至各TFT的漏极的第一电极;
在所述基板的包括所述第一电极的各像素区周围形成像素限定层;
在所述第一电极的上方在各像素区中形成有机发光层;以及
在包括所述有机发光层的所述显示区的所述整个表面上形成第二电极。
11.根据权利要求10所述的方法,所述方法还包括以下步骤:
在包括所述有机发光层的所述显示区的所述整个表面上形成所述第二电极之后,
在包括所述第二电极的所述基板的整个表面上形成下钝化层;
在所述下钝化层上在所述显示区中形成有机层;
在包括所述有机层的所述第一钝化层上形成上钝化层;在所述上钝化层上与阻挡膜一起形成偏振板;
剥离所述基板;以及
将背板层压至剥离了所述基板的部分。
12.根据权利要求10所述的方法,其中,所述线孔图案被形成为交叠。
13.根据权利要求10所述的方法,其中,所述线孔图案被形成为不交叠。
14.如权利要求10所述的方法,其中,所述线孔图案形成在非显示区的焊盘区或形成在包括所述焊盘区的所述非显示区。
15.如权利要求10所述的方法,其中,在所述栅绝缘层的所述焊盘区中形成至少一个线孔图案。
16.如权利要求14所述的方法,其中,形成在包括所述焊盘区的所述非显示区的所述线孔图案包括:第一孔图案,其具有围绕形成在所述焊盘区的上部和下部的边缘的修剪线的曲线部分;以及第二孔图案,其从具有直线部分的所述第一孔图案延伸,以在位于所述显示区的外部的与所述焊盘区相对的所述非显示区围绕所述显示区。
17.如权利要求10所述的方法,其中,在所述基板和所述多个薄膜晶体管之间插入聚酰亚胺层和多个缓冲层。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20130104342 | 2013-08-30 | ||
KR10-2013-0104342 | 2013-08-30 | ||
KR1020130149446A KR102223650B1 (ko) | 2013-08-30 | 2013-12-03 | 전계 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
KR10-2013-0149446 | 2013-12-03 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104425550A true CN104425550A (zh) | 2015-03-18 |
CN104425550B CN104425550B (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=52581856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310757250.5A Active CN104425550B (zh) | 2013-08-30 | 2013-12-24 | 柔性有机电致发光装置及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9876064B2 (zh) |
JP (1) | JP5964807B2 (zh) |
CN (1) | CN104425550B (zh) |
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US11765937B2 (en) | 2017-12-19 | 2023-09-19 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
CN110034159A (zh) * | 2017-12-19 | 2019-07-19 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
CN110034159B (zh) * | 2017-12-19 | 2023-10-13 | 乐金显示有限公司 | 显示装置 |
US12108628B2 (en) | 2017-12-19 | 2024-10-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
US11101453B2 (en) | 2018-05-21 | 2021-08-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof |
CN108735785A (zh) * | 2018-05-21 | 2018-11-02 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制造方法 |
CN108735791A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-11-02 | 云谷(固安)科技有限公司 | 显示面板及其制造方法和显示终端 |
US10944075B2 (en) | 2018-07-05 | 2021-03-09 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Display panels, methods of manufacturing the same, and display terminals |
WO2020191888A1 (zh) * | 2019-03-27 | 2020-10-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板、显示模组及制作方法 |
CN112420939A (zh) * | 2019-08-22 | 2021-02-26 | 群创光电股份有限公司 | 电子装置及其制造方法 |
US11121333B2 (en) | 2019-09-16 | 2021-09-14 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel and method for fabricating same |
CN110718558A (zh) * | 2019-09-16 | 2020-01-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
WO2021051728A1 (zh) * | 2019-09-16 | 2021-03-25 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104425550B (zh) | 2018-12-18 |
US20220028946A1 (en) | 2022-01-27 |
US20180130862A1 (en) | 2018-05-10 |
US20150060778A1 (en) | 2015-03-05 |
US11164928B2 (en) | 2021-11-02 |
US10541288B2 (en) | 2020-01-21 |
US11818924B2 (en) | 2023-11-14 |
JP2015050181A (ja) | 2015-03-16 |
JP5964807B2 (ja) | 2016-08-03 |
US20200119116A1 (en) | 2020-04-16 |
US9876064B2 (en) | 2018-01-23 |
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---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
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C10 | Entry into substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |