CN109728188A - 显示设备和用于制造该显示设备的方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种显示设备和用于制造该显示设备的方法。该显示设备包括：多缓冲层；像素阵列层，所述像素阵列层形成在所述多缓冲层上并且包括分别形成在多条选通线和多条数据线的交叉处的多个像素；封装层，所述封装层形成在所述像素阵列层上；以及封装基板，所述封装基板形成在所述封装层上并且包括显示区和包围所述显示区的非显示区，其中，所述封装基板用于支撑所述显示区和所述非显示区，使得在所述显示设备中没有底部基板。

Description

显示设备和用于制造该显示设备的方法
技术领域
本公开涉及显示设备。
背景技术
除了电视(TV)或监视器的显示屏之外，显示设备还正被广泛用作笔记本计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示设备和便携式信息装置的显示屏。
液晶显示(LCD)设备和有机发光显示设备通过使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件来显示图像。由于LCD装置本身不发光，因此LCD设备通过使用从设置在液晶显示面板下方的背光单元发射的光来显示图像。由于LCD设备包括背光单元，因此在设计方面受到限制，并且亮度和响应时间劣化。由于有机发光显示设备包含有机材料，因此有机发光显示设备容易受水分的影响，从而导致可靠性和寿命劣化。
近来，正在对包括微发光器件的发光二极管显示设备进行研究和开发。发光二极管显示设备具有高图像质量和高可靠性，因此作为下一代显示设备而备受关注。
现有技术的显示设备包括与TFT阵列基板的有源区对应的显示区以及与无源区对应的非显示区。现有技术的显示设备包括基于设置在玻璃基板上的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)制造的显示面板。另外，在显示区中设置有偏振膜，并且在非显示区中设置有焊盘部分。
然而，在现有技术的显示设备中，可视性因底部基板而劣化，可靠性因颗粒以及层与底部基板的局部脱离而降低，并且处理成本和处理时间增加。另外，在现有技术的显示设备中，由于焊盘部分没有被封装基板支撑，因此在激光释放工艺中容易出现裂缝。
发明内容
本公开提供一种显示设备和用于制造该显示设备的方法，其能够解决现有技术中的上述技术问题。
根据本公开的实施方式，显示设备包括：多缓冲层；像素阵列层，所述像素阵列层形成在所述多缓冲层上并且包括分别形成在多条选通线和多条数据线的交叉处的多个像素；封装层，所述封装层形成在所述像素阵列层上；以及封装基板，所述封装基板形成在所述封装层上并且包括显示区和包围所述显示区的非显示区，其中，所述封装基板用于支撑所述显示区和所述非显示区，使得在所述显示设备中没有底部基板。
根据本公开的实施方式，用于制造显示设备的方法包括以下步骤：设置多个牺牲层；在所述多个牺牲层上顺序层叠多缓冲层、像素阵列层、封装层和封装基板，所述封装基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区；通过激光释放工艺去除所述非显示区中的所述多个牺牲层；与在所述非显示区中的所述多缓冲层中设置的焊盘部件对应地形成孔图案，以在与所述封装基板相反地方向上暴露所述焊盘部件；在所述孔图案中填充各向异性导电膜ACF，所述焊盘部件经由所述ACF连接至电路膜；以及通过激光释放工艺去除所述显示区中的所述多个牺牲层。
在根据本实施方式的显示设备中，由于封装基板500同时支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2，而无需应用显示面板的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此能够防止在释放工艺中出现裂缝，由此能够增强可视性并且防止层的部分脱离以及水分和颗粒的渗透，从而增强了可靠性。
此外，在根据本公开的实施方式的显示设备中，显示区和非显示区可以同时被封装基板支撑，而无需应用显示面板的底部基板，由此增强了可视性和可靠性。
附图说明
附图被包括进来以提供对本公开的进一步理解，附图并入并构成本申请的部分，附图例示了本公开的实施方式并且与本说明书一起用来解释本公开的原理。在附图中：
图1是例示根据本公开的实施方式的显示设备的平面图；
图2是根据本公开的实施方式的显示设备中的沿图1所示的线I-I’截取的截面图；
图3是根据本公开的另一个实施方式的显示设备中的沿图1所示的线I-I’截取的截面图；并且
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F是示意性例示制造根据本公开的实施方式的显示设备的方法的工艺截面图，并且是沿图2所示的线I-I'截取的工艺截面图。
具体实施方式
现在，将详细参照本公开的示例性实施方式，在附图中例示这些实施方式的示例。尽可能地，将在附图中通篇使用相同的附图标记来表示相同或相似的部件。
将通过参照附图描述的以下实施方式来阐明本公开的优点和特征及其实现方法。然而，本公开可以按照不同的方式来实施并且不应该被理解为限于本文中阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本公开的范围充分传达给本领域的技术人员。另外，本公开仅通过权利要求的范围来限定。
附图中用于描述本公开的实施方式而公开的形状、大小、比率、角度和数量仅仅是示例，因此，本公开不限于所例示的细节。相似的附图标记始终指示相似的元件。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或配置的详细描述不必要地使得本公开的要点模糊时，将省略该详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下，除非使用“仅”，否则可添加另一部件。单数形式的术语可包括复数形式，除非做相反表示。
在理解元件时，元件被解释为包括误差范围，尽管没有进行明确描述。
在描述位置关系时，例如，当两个部件之间的位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时，除非使用了“正好”或“直接”，否则可在这两个部件之间设置一个或更多个其它部件。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接着”和“在……之前”时，除非使用了“正好”或“直接”，否则可包括不连续的情况。
应该理解，虽然在本文中可使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语只是用于将一个元件与另一个区分开。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可被称为第二元件，并且类似地，第二元件可被称为第一元件。
在描述本公开的元件时，可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语仅仅用于将一个元件与另一个元件区分开，并且对应元件的性质、顺序、次序或数目不应该受这些术语限制。应该理解，当元件或层被描述为“连接”、“联接”或“粘附”至另一个元件或层时，该元件或层可直接连接或粘附至另一个元件或层，但是其它元件或层可“设置”在该元件或层和该另一个元件或层之间，或者该元件或层和该另一个元件或层可以通过其它元件或层彼此“连接”、“联接”或“粘附”。
因此，在本公开中，显示设备的示例可以包括诸如液晶模块(LCM)或有机发光显示(OLED)模块的狭义显示设备本身以及作为包括LCM或OLED模块的最终消费装置或应用产品的成套装置。
例如，当显示面板是有机发光显示面板时，显示面板可以包括多条选通线、多条数据线和分别设置在由选通线和数据线的交叉而限定的多个像素区中的多个像素。另外，显示面板可以包括：阵列基板，该阵列基板包括作为用于选择性地向各个像素施加电压的元件的TFT；有机发光器件层，该有机发光器件层在阵列基板上；以及封装基板，该封装基板设置在阵列基板上以覆盖有机发光器件层。封装基板可以保护TFT和有机发光器件层免受外部冲击，并且可以防止水分或氧气渗透到有机发光器件层中。另外，设置在阵列基板上的层可以包括无机发光层(例如，纳米级的材料层、量子点等)。
此外，显示面板还可以包括附接在显示面板上的诸如金属板的背衬。然而，本实施方式不限于金属板，显示面板可以包括其它结构。
本公开的各种实施方式的特征可被部分或全体彼此联接或组合，并且可按各种方式彼此相互作用并且在技术上进行驱动，如本领域的技术人员可充分理解地那样。本公开的实施方式可彼此独立地执行，或者可一起按相互依赖关系来执行。
在下文中，将参照附图来详细地描述本公开的实施方式。
图1是例示根据本公开的实施方式的显示设备的平面图。
参照图1，显示设备可以包括像素P、第一孔图案111、第二孔图案113和第三孔图案115、第一焊盘部件630、第二焊盘部件631和第三焊盘部件632以及封装基板500。
封装基板500可以包括显示区AA和多个非显示区PA1和PA2。显示区AA可以是显示图像的区域，并且可以被限定为在封装基板500的中心部分中。这里，显示区AA可以对应于像素阵列层的有源区。例如，显示区AA可以包括分别设置在由多条选通线GL和多条数据线DL的交叉所限定的多个像素区中的多个像素P。这里，多个像素P中的每个可以被定义为发光的最小单位区域。
封装基板500的显示区AA可以包括多条选通线GL、与多条选通线GL交叉的多条数据线DL以及与多条数据线DL平行的多条电源线PL。另外，基于各个像素P的驱动方法，可以在封装基板500的显示区AA中另外设置多条辅助电源线。各个像素P可以设置在显示区AA中的由选通线GL和数据线DL限定的像素区中的对应像素区中。根据实施方式，各个像素P可以包括薄膜晶体管(TFT)、平整层、填充层、有机发光器件、堤和封装层。
封装基板500可以支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2。这里，非显示区PA1和PA2中的每个可以是包围显示区AA的区域，并且可对应于不显示图像的区域。非显示区PA1和PA2可以包括与封装基板500的长边长度方向X平行的第一非显示区PA1和与封装基板500的短边长度方向Y平行的第二非显示区PA2。例如，第一非显示区PA1和第二非显示区PA2中的每个可以被设置成具有数百微米或更小的宽度，以使显示设备的边框宽度BW最小化。
封装基板500可以设置在像素阵列层上，以保护TFT和有机发光器件免受外部水分、空气等的影响。例如，封装基板500可以是玻璃基板或塑料基板。
第一孔图案111可以设置在封装基板500的第二非显示区PA2中。根据实施方式，孔图案111可以设置在封装基板500的与多条选通线GL中的每条的一端相邻的第二非显示区PA2中。
第二孔图案113和第三孔图案115可以设置在封装基板500的第一非显示区PA1中。根据实施方式，第二孔图案113和第三孔图案115可以设置在封装基板500的与多条数据线DL中的每条数据线DL的一端相邻的第一非显示区PA1中。
可以通过激光工艺或湿刻工艺形成第一孔图案111以及第二孔图案113和第三孔图案115，并且例如，可以通过激光工艺形成第一孔图案111以及第二孔图案113和第三孔图案115，以提高生产率并且简化制造工艺。
第一焊盘部件630可以设置在多缓冲层中，通过第一缓冲层的第一孔图案111与电路膜电连接，并且通过选通延长线GLe与对应选通线GL的一端单独连接。这里，选通延长线GLe和第一孔图案111可以被设置成从对应的选通线GL的一端延伸到第二非显示区PA2。
第二焊盘部件631可以设置在封装基板500的第一非显示区PA1中，并且可以通过第二孔图案113暴露。第二焊盘部件631可以由金属材料形成，通过第二孔图案113与外部电路电连接，并且与多条数据线DL中的每条的一端单独连接。这里，第二焊盘部件631可以通过多条数据延长线DLe与多条数据线DL连接。也就是说，多条数据延长线DLe中的每条可以被设置成从对应的数据线DL的一端延伸到第一非显示区PA1。
第三焊盘部件632可以设置在封装基板500的第一非显示区PA1中，并且可以通过第三孔图案115暴露。第三焊盘部件632可以由金属材料形成，通过第三孔图案115与外部电路电连接，并且与多条电源线DL中的每条的一端单独连接。这里，第三焊盘部件632可以通过多条电源延长线PLe与多条电源线PL连接。也就是说，多条电源延长线PLe中的每条可以被设置成从对应的电源线PL的一端延伸到第一非显示区PA1。
根据实施方式，第一焊盘部件630以及第二焊盘部件631和第三焊盘部件632可以连同遮光层一起形成，遮光层包含金属材料并且设置在多缓冲层上，用于阻挡照射到TFT的半导体层上的光。
形成有第二焊盘部件631和第三焊盘部件632的区域的结构与形成有第一焊盘部件630的区域的结构相似或相同。
图2是根据本公开的实施方式的显示设备中的沿图1所示的线I-I’截取的截面图。
参照图2，在显示设备中，封装基板500可以同时支撑显示区AA和多个非显示区PA1和PA2而无需应用显示面板的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，由此增强了可视性和可靠性。详细地，可以在牺牲层上设置多缓冲层100。这里，可以在顺序层叠多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500之后，去除牺牲层。根据实施方式，牺牲层可以包括载体玻璃基板和层叠在载体玻璃基板的上端上的释放层。这里，释放层可以由非晶硅(a-Si)、硅氮化物(SiNx)和/或类似物形成。另外，在完成多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500的层叠之后，可通过激光释放工艺来去除牺牲层。
可通过层叠多个无机层来形成多缓冲层100。例如，多缓冲层100可以包括其中层叠有硅氧化物(SiOx)、SiNx和硅氮氧化物(SiON)中的一个或多个无机层的多层。
多缓冲层100可以包括第一缓冲层110、第二缓冲层120和第三缓冲层130。
第一缓冲层110可以设置在牺牲层上。第一缓冲层110可以是金属缓冲层。例如，第一缓冲层110可以由二氧化硅(SiO2)形成。可以通过溅射工艺或电子束(e束)蒸发工艺在牺牲层上沉积第一缓冲层110。
根据实施方式，第一缓冲层110可以由SiO2形成，并且牺牲层中的释放层可以由a-Si或SiNx形成，由此可以通过激光释放工艺使第一缓冲层110与牺牲层分离。详细地，在根据本公开的显示设备中，由于没有应用底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此设置在多缓冲层100的最下部部分中的第一缓冲层110可以直接接触牺牲层。因此，可以基于第一缓冲层110和牺牲层中的每个的材料来确定激光释放工艺的可靠性。也就是说，由于牺牲层中的释放层由a-Si或SiNx形成，因此可以容易地使牺牲层中的释放层与第一缓冲层110分离。因此，在根据本公开的显示设备中，由于第一缓冲层110由SiO2形成并且牺牲层中的释放层由a-Si或SiNx形成，因此即使没有应用底部基板，也可以通过激光释放工艺来去除牺牲层。
第一缓冲层110可以包括第一孔图案111，第一孔图案111设置在与第一焊盘部件630交叠的区域中。第一孔图案111可以设置在第一缓冲层110的非显示区PA2中，用于将第一焊盘部件630在与封装基板500相反的方向上暴露。第一孔图案111可以被填充各向异性导电膜(ACF)650，ACF 650将电路膜610附接在第一焊盘部件630上。因此，电路膜610可以面向第一焊盘部件630，使第一孔图案111处于其间，并且可以通过掩埋在第一孔图案111中的ACF 650与第一焊盘部件630电连接。
第一焊盘部件630可以与设置在第一缓冲层110上的非显示区PA2中的第一孔图案111交叠。第一焊盘部件630可以设置在封装层500的边缘区域中。例如，金属可以沉积在第一缓冲层110上，然后可以被曝光和图案化，由此形成第一焊盘部件630。由于通过对所沉积的金属进行曝光和图案化来形成第一焊盘部件630，因此与通过边框印刷工艺形成的遮光图案或黑底相比可以更精确地形成第一焊盘部件630。
根据实施方式，第一焊盘部件630和遮光层670可以设置在同一层上并且可以彼此分隔开。详细地，第一焊盘部件630可以设置在第一缓冲层110上的非显示区PA2中，并且同时，遮光层670可以设置在第一缓冲层110上的与TFT的半导体层210交叠的区域中。因此，第一焊盘部件630和遮光层670可以同时设置在第一缓冲层110上的非显示区PA2中以及与半导体层210交叠的区域中。结果，在现有技术的显示设备中，可以通过单独的工艺形成与TFT对应的遮光层和与边框区域对应的黑底。另一方面，在根据本公开的显示设备中，可以通过一次图案化工艺来同时形成设置在非显示区PA2中的第一焊盘部件630和与半导体层210交叠的遮光层670，由此减少了处理成本和处理时间，增强了可靠性并且形成了精确的遮光图案。如上所述，在根据本公开的显示设备中，由于形成了精确的遮光图案，因此防止了漏光，而可视性没有降低。
根据实施方式，第一焊盘部件630可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)或银(Ag)或其合金的金属形成，但是不限于此。在其它实施方式中，第一焊盘部件630可以由本领域的技术人员熟知的各种材料形成。
第二缓冲层120可以设置在第一缓冲层110和第一焊盘部件630中的每个的上端上。详细地，第二缓冲层120可以包括第一层121、第二层123和第三层125。这里，第二缓冲层120的第一层121、第二层123和第三层125可以各自是金属缓冲层，并且可以由与第一缓冲层110的材料相同或不同的材料形成。例如，在多缓冲层100中，第二缓冲层120的第一层121和第二层123可以由SiNx形成，并且第三层125可以由SiO2形成，由此增强了水蒸气透过率(WVTR)并且提高了可视性。可以通过溅射工艺或e束蒸发工艺在第一缓冲层110和第一焊盘部件630上沉积第二缓冲层120。因此，第二缓冲层120可以使其上设置有第一焊盘部件630的第一缓冲层110平整。
第三缓冲层130可以设置在第二缓冲层120的上端上。根据实施方式，第三缓冲层130可以是金属缓冲层，并且可以由与第一缓冲层110或第二缓冲层120的材料相同或不同的材料形成。例如，第三缓冲层130可以由SiOx、SiNx、SiON和/或类似物形成。可以通过溅射工艺或e束蒸发工艺在第二缓冲层120上沉积第三缓冲层130。
因此，根据本实施方式的显示设备可以包括顺序层叠在牺牲层上的第一缓冲层110、第二缓冲层120和第三缓冲层130以及被第一缓冲层110和第二缓冲层120包围的第一焊盘部件630，由此防止漏光，防止可视性降低并且增强了WVTR。
像素阵列层可以包括TFT T、平整层310、填充层330、有机发光器件E和堤350。
TFT T可以设置在多缓冲层100上的显示区AA中。TFT T可以包括半导体层210、栅极绝缘层220、栅电极230、钝化层240、源电极250和漏电极260。
半导体层210可以设置在第一缓冲层110上的显示区AA中。半导体层210可以与栅电极230、源电极250和漏电极260交叠地设置。半导体层210可以直接接触源电极250和漏电极260，并且可以彼此面对，使栅电极230和栅极绝缘层220处于其间。根据实施方式，半导体层210的一部分可以由未掺杂有掺杂物的半导体材料形成，并且半导体层210的另一部分可以由掺杂有掺杂物的半导体材料形成。
根据实施方式，半导体层210可以在多缓冲层100上经图案化形成，并且可以由诸如锌氧化物、锡氧化物、Ga-In-Zn氧化物、In-Zn氧化物或In-Sn氧化物的氧化物半导体形成，但是却不限于此，半导体层210可以由基于硅的半导体形成。例如，半导体层210可以包括通过导电工艺而形成为具有导电性的漏极区和源极区，并且可以包括通过导电工艺而形成为不具有导电性的沟道区。这里，漏极区和源极区可以与它们之间的沟道区平行地设置。半导体层210的沟道区可以与栅极绝缘层220交叠。
栅极绝缘层220可以设置在半导体层210的沟道区中。详细地，栅极绝缘层220可以设置在半导体层210上并且可以使半导体层210与栅电极230绝缘。栅极绝缘层220可以由无机绝缘材料形成，并且例如，可以由SiOx、SiNx、SiON或其多层形成，但是不限于此。
栅电极230可以设置在栅极绝缘层220上，并且可以连同选通线GL一起形成。详细地，栅电极230可以与半导体层210的中心区域交叠，在其间具有栅极绝缘层220。栅电极230可以在栅极绝缘层220上经图案化形成，以与半导体层210的沟道区交叠。当通过使用干刻工艺执行将栅极绝缘层220图案化的图案化工艺时，由于干刻气体，使得栅电极230可以用作使半导体层210的沟道区能够不具有导电性的掩模。例如，栅电极230可以由包含钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)或其合金中的一种的单层或多层形成。
钝化层240可以设置在栅电极230上。详细地，钝化层240可以设置在包括栅电极230的显示区AA的整个表面上。钝化层240可以执行保护TFT T的功能。钝化层240可以由无机绝缘材料形成，并且例如，可以由SiOx、SiNx、SiON或其多层形成，但是不限于此。在钝化层240中，可以去除对应的区域，以使半导体层210接触源电极250或漏电极260。例如，钝化层240可以包括源电极250穿过的第一接触孔和漏电极260穿过的第二接触孔。
源电极250和漏电极260可以设置在钝化层240上并且可以彼此分隔开。详细地，源电极250和漏电极260可以连同数据线DL和电源线PL一起形成。
源电极250可以通过设置在钝化层240中的第一接触孔接触半导体层210的一端，并且可以通过平整层310的第三接触孔直接接触有机发光器件E的阳极电极410。另外，漏电极260可以通过设置在钝化层240中的第二接触孔接触半导体层210的另一端。
平整层310可以设置在TFT T上以使TFT T的上端平整。在平整层310中，可以去除对应的区域，以使阳极电极410接触源电极250。例如，平整层310可以包括阳极电极410穿过的第三接触孔。根据实施方式，平整层310可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂或聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料形成，但是不限于此。
填充层330可以设置在平整层310上，并且可以去除填充层330的对应区域，以使阳极电极410接触源电极250。例如，填充层330可以包括阳极电极410穿过的第四接触孔。这里，平整层310的第三接触孔可以连接至填充层330的第四接触孔，以使阳极电极410穿过第三接触孔和第四接触孔。
在填充层330上可以设置堤350。堤350可以设置在相邻的阳极电极410之间，并且可以分割出多个阳极电极410。因此，堤350可以使相邻的阳极电极410电绝缘。堤350可以由有机绝缘材料(例如，聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯(BCB))形成，但是不限于此。
有机发光器件E可以设置在填充层330上，并且可以电连接至TFT T。有机发光器件E可以包括阳极电极410、有机发光层430和阴极电极450。
阳极电极410可以设置在填充层330上。阳极电极410可以通过设置在平整层310中的第三接触孔和设置在填充层330中的第四接触孔接触TFT T的源电极250。根据实施方式，阳极电极410可以由功函数值高的诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、铟氧化物(In2O3)的透明导电材料形成，并且可以充当阳极。
有机发光层430可以设置在阳极电极410上。详细地，有机发光层430可以设置在阳极电极410上限定的多个像素P中的每个的发光区域中。这里，多个像素P中的每个的发光区域可以是除了阳极电极410的边缘之外的部分，并且可以由设置在填充层330上的堤350限定。也就是说，堤350可以被设置成覆盖阳极电极410和TFT T的边缘，因此可以暴露除了阳极电极410的边缘之外的部分。因此，有机发光层430可以设置在由堤350限定的发光区中的阳极电极410上。根据实施方式，有机发光层430可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。另外，有机发光层430还可以包括用于提高发光层的发光效率和寿命的至少一个功能层，
阴极电极450可以设置在有机发光层430上。阴极电极450可以按在所有像素中公共设置而不是独立地在多个像素区中的每个中设置的电极形式来实现。也就是说，阴极电极450可以设置在堤350以及有机发光层430上。当电压被施加到阳极电极410和阴极电极450时，空穴和电子可以通过空穴传输层和电子传输层移动到发光层，并且可以在发光层中复合，从而发光。阴极电极450可以充当有机发光显示设备的阴极，并且可以由不透明金属材料形成，并且例如可以由锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、Al或Mg或其化合物形成。
封装层370可以设置在阴极电极450的整个上端上。封装层370可以防止外部水分等渗透到内部，由此防止有机发光层430劣化。根据实施方式，封装层370可以由诸如Cu或Al或其合金的金属形成，但是不限于此。可以用本领域的技术人员熟知的各种材料形成封装层370。例如，封装层370可以设置在多缓冲层100的整个上表面上，因此，封装层370可以通过原子层沉积工艺而非溅射工艺形成，用于改善层的质量并且防止透水分。
封装基板500可以设置在封装层370的整个上端上。封装基板500可以设置在像素阵列层上，用于保护TFT T和有机发光器件E免受外部水分、空气等的影响。另外，可以在多缓冲层100上设置封装基板500。根据实施方式，封装基板500可以被设置为与多缓冲层100相对，并且多缓冲层100和封装基板500可以通过沿着其边缘设置的密封构件(未示出)彼此接合。例如，封装基板500可以是塑料基板、玻璃基板等。
封装基板500可以由透明且具有柔性的工程塑料材料(例如，聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET))形成。根据实施方式，封装基板500可以通过基板粘合构件附接在封装层370的上表面上，因此，在将多缓冲层100的下表面附接在电路膜610上以及设置偏振膜700的处理中，可以充当支撑基板。另外，在完成在多缓冲层100的下表面上形成电路膜610和偏振膜700的工艺之后，封装基板500可以保持被附接在封装层370的上表面上的状态。因此，封装基板500可以支撑设置在显示区AA中的偏振膜700和设置在非显示区PA2中的电路膜610。结果，在根据本实施方式的显示设备中，封装基板500可以同时支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2，而无需应用显示面板的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此防止在释放处理中出现裂缝，由此增强可视性和可靠性。
根据实施方式，显示设备可以基于包括阳极电极、阴极电极和有机化合物层的像素阵列层的结构，以诸如顶部发光型或底部发射型这样的类型来显示图像。在顶部发光型中，显示设备可以通过将从像素阵列层发射的可见光照射到偏振膜上来显示图像。在底部发光型中，显示设备可以通过将从像素阵列层发射的可见光照射到底部基板上来显示图像。
当现有技术的显示设备被实现为底部发光型时，现有技术的显示设备包括底部基板，该底部基板包含玻璃材料或含有透明聚酰亚胺的塑料材料。这里，在现有技术的显示设备中，由于从像素阵列层发射的可见光穿过底部基板，因此视角和反射率劣化。因此，当根据本公开的显示设备被实现为底部发光型时，封装基板500可以同时支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2，而无需应用底部基板，因此可以在从像素阵列层发射的可见光的路径中去除底部基板，由此增强可视性和可靠性。
根据实施方式，由于显示设备没有应用底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此尽管使用了不包括C板的偏振膜700，延迟也得以补充。详细地，在现有技术的显示设备中，由于从像素阵列层发射的可见光穿过底部基板，因此可视性劣化。另外，在现有技术的显示设备中，包括C板的偏振膜用于增强可视性，但是可视性低于不使用底部基板的情况。为了解决此问题，根据本公开的显示设备可以不应用底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，并且可以包括通过第一缓冲层110的另一表面处的第一孔图案111与第一焊盘部件630连接，并且可以使用封装基板500同时支撑偏振膜700和电路膜610，由此尽管使用了不包括C板的偏振膜700，可也补充了延迟。
根据另一个实施方式，封装基板500可以由柔性塑料材料(例如，透明的聚酰亚胺)形成。在这种情况下，可以通过处理在相对厚的牺牲层的载体玻璃基板上设置的释放层的上表面上涂覆成具有一定厚度的聚酰亚胺来形成封装基板500。因此，封装基板500可以通过基板粘合构件附接在封装层370的上表面上，因此，封装基板500可以在将电路膜610附接在多缓冲层100的下表面上以及设置偏振膜700的处理中充当支撑基板。另外，在完成在多缓冲层100的下表面上形成电路膜610和偏振膜700的处理之后，封装基板500可以保持附接在封装层370的上表面上的状态。
电路膜610可以与设置在非显示区PA2中的第一焊盘部件630连接，并且可以使得多个像素P中的每个显示与显示驱动系统所供应的视频数据对应的图像。根据实施方式，电路膜610可以与数据驱动电路(未示出)连接。
遮光层670可以在第一缓冲层110上与TFT T的半导体层210交叠地设置，由此保护半导体层210免受外部光的影响。详细地，遮光层670和第一焊盘部件630可以设置在同一层上并且可以彼此分隔开。更详细地，遮光层670可以设置在第一缓冲层110上的与TFT T的半导体层210交叠的区域中，并且第一焊盘部件630可以设置在第一缓冲层110的非显示区PA2中。因此，在第一缓冲层110上的非显示区PA2中和与半导体层210交叠的区域中，可以通过一次图案化工艺来设置第一焊盘部件630和遮光层670。结果，在现有技术的显示设备中，通过单独的工艺形成与TFT对应的遮光层和与边框区对应的黑底。另一方面，在根据本公开的显示设备中，可以通过一次图案化工艺来同时形成设置在非显示区PA2中的第一焊盘部件630和与半导体层210交叠的遮光层670，由此减少了处理成本和处理时间，增强了可靠性并且形成了精确的遮光图案。如上所述，在根据本公开的显示设备中，由于形成了精确的遮光图案，因此防止了漏光，而可视性没有降低。
防潮绝缘构件690可以覆盖电路膜610和第一缓冲层110之间的接触表面。详细地，防潮绝缘构件690可以密封电路膜610和第一焊盘部件630之间的接触表面以及电路膜610和第一缓冲层110之间的接触表面，由此防止水分或颗粒渗入到第一焊盘部件630中。因此，防潮绝缘构件690可以防止与电路膜610电连接的第一焊盘部件630由于与对应于外部环境的温度、水分、腐蚀性气体或导电颗粒反应而发生电极短路。
偏振膜700可以设置在第一缓冲层110下方的显示区AA中。详细地，偏振膜700可以通过膜粘合构件710附接在第一缓冲层110的下表面上。偏振膜700可以使由设置在像素阵列层上的TFT T和/或像素驱动线所反射的外部光发生圆形偏振，由此增强显示设备的可视性和对比度。
根据实施方式，偏振膜700和电路膜610可以设置在同一层上并且可以彼此分隔开。详细地，偏振膜700可以设置在第一缓冲层110下方的显示区AA中，并且电路膜610可以设置在第一缓冲层110下方的非显示区PA2中。因此，封装基板500可以同时支撑设置在显示区AA中的偏振膜700和设置在非显示区PA2中的电路膜610。因此，在根据本实施方式的显示设备中，封装基板500可以同时支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2，而无需应用显示面板的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此防止在释放处理中出现裂缝，由此增强可视性和可靠性。
图3是根据本公开的另一个实施方式的显示设备中的沿图1所示的线I-I’截取的截面图。与图2的显示设备不同，图3的显示设备可以包括屏障膜800和修改的防潮绝缘构件690。下文中，将主要描述这些元件，并且省略或将简要给出对其它元件的重复描述。
参照图3，显示设备还可包括设置在偏振膜700下方的屏障膜800。详细地，屏障膜800可以由阻挡气体和水分的效果良好并且透光率良好的材料形成。例如，屏障膜800可以由诸如SiOx、氧化铝(AlxOy)、氧化钽(TaxOy)或氧化钛(TiOx)的无机材料形成。通过溶胶-凝胶工艺或诸如等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或溅射工艺的真空沉积工艺，在高真空状态下在偏振膜700的表面上涂覆屏障膜800。因此，屏障膜800防止水分或颗粒渗入到显示设备中，由此增强显示设备的耐用性。
根据实施实施方式，防潮绝缘构件690可以覆盖电路膜610和第一缓冲层110之间的接触表面，并且同时，可以覆盖偏振膜700和屏障膜800的侧表面。详细地，防潮绝缘构件690可以覆盖电路膜610和第一缓冲层110之间的接触表面，并且可以密封偏振膜700和屏障膜800的侧表面，由此防止水分或颗粒渗入到显示设备中。因此，防潮绝缘构件690防止水分或颗粒渗入显示设备中，由此增强显示设备的耐用性。
图4A、图4B、图4C、图4D、图4E和图4F是示意性例示制造根据本公开的实施方式的显示设备的方法的工艺截面图，并且是沿图2所示的线I-I'截取的工艺截面图。
参照图4A，为了制造根据本公开的显示设备，可以设置多个牺牲层10和20。根据实施方式，多个牺牲层10和20可以包括载体玻璃基板10和释放层20，释放层20层叠在载体玻璃基板10上。在多个牺牲层10和20上，可以顺序层叠多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500。另外，在根据本公开的显示设备中，由于没有应用底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此在顺序层叠多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500同时，牺牲层10和20可以支撑多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500。因此，牺牲层10和20中的每个可以暂时充当支撑基板。另外，当完成了多缓冲层100、像素阵列层、封装层370和封装基板500的层叠时，可以去除牺牲层10和20。当去除了牺牲层10和20时，封装基板500可以支撑显示设备的显示区AA和非显示区PA1和PA2。
根据实施方式，第一缓冲层110可以由SiO2形成，并且牺牲层10和20的释放层20可以由a-Si或SiNx形成，由此可以通过激光释放工艺使第一缓冲层110与牺牲层10和20分离。详细地，在根据本公开的显示设备中，由于没有应用底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此设置在多缓冲层100的最下部部分中的第一缓冲层110可以直接接触牺牲层10和20中的释放层20。因此，可以基于第一缓冲层110和牺牲层10和20中的释放层20中的每个的材料来确定激光释放工艺的可靠性。也就是说，由于牺牲层10和20中的释放层20由a-Si或SiNx形成，因此可以容易地使牺牲层10和20中的释放层20与第一缓冲层110分离。因此，在根据本公开的显示设备中，由于第一缓冲层110由SiO2形成并且牺牲层10和20中的释放层20由a-Si或SiNx形成，因此即使没有应用底部基板，也可以通过激光释放工艺来去除牺牲层10和20。
参照图4B，可以通过激光释放工艺来去除牺牲层10和20中的每个的一部分。详细地，可以去除设置在非显示区PA2中的牺牲层10和20，用于附接电路膜610的附接工艺。即使在去除了设置在非显示区PA2中的牺牲层10和20中的每个的一部分时，封装基板500仍然可以支撑设置在非显示区PA2中的第一焊盘部件630和与第一焊盘部件630电连接的电路膜610。因此，在根据本公开的显示设备中，可以去除设置在非显示区PA2中的牺牲层10和20中的每个的仅仅一部分，而不是去除全部牺牲层10和20，因此防止在释放工艺中出现裂缝，由此增强可视性和可靠性。
参照图4C，可以在设置在与第一焊盘部件630交叠的区域中的第一缓冲层110上设置第一孔图案111。第一孔图案111可以设置在第一缓冲层110的非显示区PA2中，以将第一焊盘部件630在与封装基板500相反的方向上暴露。第一孔图案111可以被填充ACF 650，ACF650将电路膜610附接在第一焊盘部件630上。
参照图4D，电路膜610可以通过填充在第一孔图案111中的ACF 650与第一焊盘部件630电连接。也就是说，电路膜610和焊盘部分630可以彼此面对，第一孔图案111处于其间。结果，第一孔图案111可以在与封装基板500相反的方向上暴露，并且电路膜610可以在第一缓冲层110的另一个表面处连接到第一焊盘部件630，由此即使没有底部基板，电路膜610也可以得到封装基板500的支撑。
参照图4E，在完成附接电路膜610的附接工艺之后，可以通过激光释放工艺来去除牺牲层10和20中的每个的其它部分。详细地，可以去除设置在显示区AA中的牺牲层10和20中的每个的一部分，用于进行附接偏振膜700的附接工艺。即使当去除了设置在显示区AA中的牺牲层10和20中的每个的一部分时，封装基板500也仍然可以支撑多缓冲层100和像素阵列层。
参照图4F，偏振膜700可以设置在第一缓冲层110下方的显示区AA中。详细地，偏振膜700可以通过膜粘合构件710附接在第一缓冲层110的下表面上。偏振膜700可以使由设置在像素阵列层上的TFT T和/或像素驱动线所反射的外部光发生圆形偏振，由此增强显示设备的可视性和对比度。根据实施方式，显示设备还可包括设置在偏振膜700下方的屏障膜800。
因此，在根据本实施方式的显示设备中，由于封装基板500同时支撑显示区AA和非显示区PA1和PA2，而无需应用显示面板的底部基板(例如，聚酰亚胺基板)，因此尽管使用了不包括C板的偏振膜700，也可以防止在释放工艺中出现裂缝，由此增强了可视性并且防止了层的部分脱离以及水分和颗粒的渗透，从而增强了可靠性。
如上所述，在根据本公开的实施方式的显示设备中，显示区和非显示区可以同时被封装基板支撑，而无需应用显示面板的底部基板，由此增强可视性和可靠性。
此外，在根据本公开的实施方式的显示设备中，设置在显示区中的偏振膜和与设置在非显示区中的电连接到焊盘部件的电路膜可以设置在同一层上，因此显示区和非显示区也可以同时被封装基板支撑，而无需应用显示面板的底部基板。
此外，在根据本公开的实施方式的显示设备中，焊盘部件和遮光层可以设置在同一层上，并且多个缓冲层可以包围焊盘部件，由此增强水蒸气透过率。
此外，在根据本公开的实施方式的显示设备中，可以在非显示区和显示区中的每个上分别执行释放工艺，因此防止在释放工艺中出现裂缝，由此增强了刚性。
本领域的技术人员应该清楚，可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在本公开中进行各种修改和变形。因此，本公开旨在涵盖本公开的修改形式和变形形式，只要它们落入所附权利要求书及其等同物的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年10月31日提交的韩国专利申请No.10-2017-0143765的权益，该专利申请在此以引用方式并入，如同在本文中完全阐明。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
多缓冲层；
像素阵列层，所述像素阵列层形成在所述多缓冲层上并且包括分别形成在多条选通线和多条数据线的交叉处的多个像素；
封装层，所述封装层形成在所述像素阵列层上；以及
封装基板，所述封装基板形成在所述封装层上并且包括显示区和包围所述显示区的非显示区，
其中，所述封装基板用于支撑所述显示区和所述非显示区，使得在所述显示设备中未设置底部基板。
2.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
焊盘部件，所述焊盘部件形成在所述非显示区内的所述多缓冲层中。
3.根据权利要求2所述的显示设备，所述显示设备还包括：
孔图案，所述孔图案形成在与所述焊盘部件对应的所述多缓冲层中，以暴露所述焊盘部件。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述多缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述第三缓冲层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层顺序形成在所述像素阵列层下方，其中，所述第三缓冲层接触所述像素阵列层，并且
其中，所述焊盘部件形成在所述第二缓冲层中，并且所述孔图案形成在所述第一缓冲层中。
5.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述非显示区包括与所述多条选通线中的每一条的一端相邻的第一非显示区和与多条电源线和所述多条数据线中的每一条的一端相邻的第二非显示区，
其中，所述焊盘部件包括设置在所述第二非显示区中的第一焊盘部件以及设置在所述第一非显示区中的第二焊盘部件和第三焊盘部件，并且
其中，所述孔图案包括分别与所述第一焊盘部件、所述第二焊盘部件和所述第三焊盘部件对应的第一孔图案、第二孔图案和第三孔图案。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一焊盘部件连接至所述多条选通线中的对应的选通线并且通过形成在所述第一缓冲层中的所述第一孔图案连接至电路膜，
其中，所述第二焊盘部件连接至所述多条数据线中的对应的数据线并且通过所述第二孔图案连接至外部电路，并且
其中，所述第三焊盘部件连接至所述多条电源线中的对应的电源线并且通过所述第三孔图案连接至外部电路。
7.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述第一孔图案填充有各向异性导电膜ACF，所述ACF将所述电路膜连接至所述第一焊盘部件。
8.根据权利要求4所述的显示设备，所述显示设备还包括：
遮光层，所述遮光层形成在所述第二缓冲层中的与所述多个像素中的每一个中的TFT的半导体层交叠的区域中。
9.根据权利要求6所述的显示设备，所述显示设备还包括：
偏振膜，所述偏振膜形成在所述显示区中的所述多缓冲层下方。
10.根据权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括：
防潮绝缘构件，所述防潮绝缘构件覆盖所述电路膜和所述第一缓冲层之间的接触表面。
11.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括：
屏障膜，所述屏障膜设置在偏振膜下方，
其中，所述防潮绝缘构件覆盖所述偏振膜的侧表面和所述屏障膜的侧表面。
12.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述封装基板是玻璃基板或塑料基板。
13.根据权利要求4所述的显示设备，其中，所述第二缓冲层包括第一层、第二层和第三层，其中，所述第一层和所述第二层由SiNx形成并且所述第三层由SiO2形成。
14.根据权利要求6所述的显示设备，其中，所述电路膜连接至选通驱动电路。
15.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述像素阵列层包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述显示区中；
平整层，所述平整层设置在所述薄膜晶体管上，以使得所述薄膜晶体管的上端平整；以及
有机发光器件，所述有机发光器件设置在所述平整层上并且电连接至所述薄膜晶体管。
16.一种用于制造显示设备的方法，所述方法包括以下步骤：
设置多个牺牲层；
在所述多个牺牲层上顺序层叠多缓冲层、像素阵列层、封装层和封装基板，所述封装基板包括显示区和包围所述显示区的非显示区；
通过激光释放工艺去除所述非显示区中的所述多个牺牲层；
与在所述非显示区中的所述多缓冲层中设置的焊盘部件对应地形成孔图案，以在与所述封装基板相反地方向上暴露所述焊盘部件；
在所述孔图案中填充各向异性导电膜ACF，所述焊盘部件经由所述ACF连接至电路膜；以及
通过激光释放工艺去除所述显示区中的所述多个牺牲层。
17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述方法还包括以下步骤：
将偏振膜附接至所述显示区中的所述多缓冲层的下表面。
18.一种显示设备，所述显示设备包含显示区和与所述显示区相邻的非显示区，所述显示设备具有顶表面和底表面，所述显示设备包括：
多个缓冲层，所述多个缓冲层形成在所述显示设备的所述底表面附近；
像素阵列层，所述像素阵列层形成在所述多个缓冲层上并且包括与多条选通线和多条数据线的交叉处分别相邻地形成的多个像素；
封装层，所述封装层形成在所述像素阵列层上；以及
封装基板，所述封装基板形成在所述封装层上，所述封装基板形成所述显示设备的所述顶表面，
其中，所述封装基板提供对所述显示设备的所述显示区和所述非显示区两者的支撑，并且提供在所述显示设备的所述底表面处的结构支撑。
19.根据权利要求18所述的显示设备，所述显示设备还包括：
焊盘部件，所述焊盘部件形成在所述非显示区内的所述多个缓冲层中；以及
孔图案，所述孔图案形成在与所述焊盘部件对应的所述多个缓冲层中，以暴露所述焊盘部件。
20.根据权利要求19所述的显示设备，其中，所述多个缓冲层包括第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层，所述第三缓冲层、所述第二缓冲层和所述第一缓冲层顺序形成在所述像素阵列层下方，其中，所述第三缓冲层接触所述像素阵列层，并且
其中，所述焊盘部件形成在所述第二缓冲层中，并且所述孔图案形成在所述第一缓冲层中。
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