CN109860226B - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
公开了一种显示装置,该显示装置包括:基板,包括像素阵列层和连接到像素阵列层的焊盘部;电路膜,附接到焊盘部;以及涂层,设置在焊盘部上的电路膜与像素阵列层之间,其中,涂层包含遮光材料,由此可以确保涂层的柔性和电路膜的接合刚度,并且可以防止由于激光释放处理而损坏焊盘部和线路。
Description
技术领域
本公开涉及一种显示装置。
背景技术
除了电视机或监视器的显示屏幕之外,显示装置还已广泛用作笔记本计算机、平板计算机、智能电话、便携式显示装置和便携式信息装置的显示屏幕。
液晶显示装置和有机发光显示装置通过使用薄膜晶体管作为开关装置来显示图像。由于液晶显示装置不是自发光型(self-emission type),因此液晶显示装置使用从布置在液晶显示面板下方的背光单元照射的光来显示图像。由于液晶显示装置具有背光单元,因此存在设计上的限制,并且亮度和响应速度可能劣化。由于有机发光显示装置包括有机物质,因此有机发光显示装置易受水影响,从而可靠性和使用寿命可能劣化。
近来,正在研究和开发使用微发光二极管的有机发光显示装置,并且该有机发光显示装置由于高清晰度和高可靠性而作为下一代显示装置受到了很多关注。
相关技术的显示装置包括对应于薄膜晶体管阵列基板的有源区域(active area)的显示区域以及对应于非有源区域(non-active area)的非显示区域。相关技术的显示装置包括基于设置在玻璃基板上的下基板而制造的显示面板,并且与玻璃基板接合的上基板设置在显示区域上,而焊盘部设置在非显示区域上。
然而,相关技术的显示装置具有以下问题:在通过激光释放处理去除接合至上基板的玻璃基板的过程中,下基板上的焊盘部和线路被损坏。此外,相关技术的显示装置还具有以下问题:尽管使用不使激光透射以防止焊盘部和线路被损坏的金属掩模执行掩模处理,但是由于金属掩模不是柔性的并且玻璃基板的边缘不平滑,所以焊盘部和线仍然被损坏。
发明内容
鉴于上述问题做出了本公开,并且本公开的目的是提供一种显示装置,该显示装置在像素阵列层和焊盘上的电路膜之间设置了包含遮光材料的涂层,以防止水渗透到像素阵列层中并防止焊盘部和线路被激光释放处理损坏。
本公开的另一个目的是提供一种显示装置,该显示装置使用通过将防潮绝缘构件与遮光材料以一定比率混合而获得的涂层,由此可以确保涂层的柔性和电路膜的接合刚度(bond stiffness),并且可以在激光释放处理期间屏蔽激光以免激光穿透到焊盘部和线路中。
本公开的另一个目的是提供一种显示装置,该显示装置使用通过将具有疏水性和低杨氏模量的防潮绝缘构件与具有低激光透射率的遮光材料以一定比率混合而获得的涂层,从而涂层可以实现为适用于柔性显示器和可拉伸显示器(stretchable display)。
根据本公开的一个方面,通过提供一种显示装置可以实现上述和其他目的,该显示装置包括:基板,包括像素阵列层和连接到像素阵列层的焊盘部;电路膜,附接到焊盘部;以及涂层,设置在像素阵列层与焊盘部上的电路膜之间,其中,涂层包含遮光材料。
其他实施例的细节包括在详细描述和附图中。
附图说明
根据以下结合附图的详细描述,将更清楚地理解本公开的上述和其他目的、特征和优点,在附图中:
图1是示出根据本公开的一个实施例的显示装置的平面图;
图2是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿I-I'线截取的截面图;
图3是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿II-II'线截取的截面图;
图4是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿III-III'线截取的截面图;
图5是在根据本公开的另一实施例的显示装置中沿I-I'线截取的截面图;
图6A至图6G是沿着图2中所示的线I-I'截取的、示出制造根据本公开的一个实施例的显示装置的方法的处理步骤的截面图;
图7是示出根据本公开的一个实施例的显示装置中的取决于遮光材料的含量以及激光的波长的激光透射率的曲线图;以及
图8是示出根据本公开的一个实施例的显示装置中的取决于遮光材料的含量的关于紫外波长的激光透射率的曲线图。
具体实施方式
将通过以下参照附图描述的实施例来阐明本公开的优点和特征以及其实现方法。然而,可以以不同的形式实施本公开,并且本公开不应当被理解为限于本文所陈述的实施例。实际上,提供这些实施例以使得本公开将是彻底和完备的并且将向本领域技术人员充分传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求的范围所限定。
用于描述本公开的实施例的附图中所公开的形状、尺寸、比率、角度和数目仅是示例,并且因此本公开不限于所示出的细节。相似的附图标记始终指代相似的元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊了本公开的重点时,将省略详细描述。在使用本说明书中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅……”,否则可以添加另一部分。除非相反地指明,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
在对元件进行解释时,尽管没有明确描述,但是元件被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时,例如,当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下方”和“在……旁边”时,除非使用“恰恰”或“直接”,否则一个或更多个部分可以布置在两个其他部分之间。
将要理解的是,尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应当受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如,在没有脱离本公开的范围的情况下,第一元件可以被称为第二元件,并且类似地,第二元件可以被称为第一元件。
在描述本公开的元件时,可以使用术语“第一”、“第二”等。这些术语旨在从其他元件中识别出相应的元件,并且相应元件的基础、顺序或数量不受这些术语的限制。元件“连接”或“耦接”至另一元件的表达应该被理解为该元件可以直接连接或耦接至另一个元件,可以在相应元件之间插入第三元件,或者相应元件可以通过第三元件彼此连接或耦接。
因此,本公开中的显示装置可以包括例如液晶模块(LCM)和有机发光二极管(OLED)模块的狭义的显示装置以及作为包括LCM和OLED模块的应用产品或最终消费者装置的成套装置。
例如,如果显示面板是OLED显示面板,则显示面板可以包括多条栅极线和数据线、以及形成在栅极线和数据线的交叉区域中的像素。此外,显示面板可以包括:阵列基板,其包括作为用于将电压选择性地施加至每个像素的元件的薄膜晶体管;阵列基板上的有机发光二极管(OLED)层;以及布置在阵列基板上以覆盖OLED层的封装基板。封装基板可以保护薄膜晶体管和OLED层免受外部冲击,并且可以防止水或氧气渗透到OLED层中。形成在阵列基板上的层可以包括无机发光层,例如,纳米材料层或量子点。
显示面板还可以包括附接到显示面板的例如金属板的背衬(backing)。显示面板可以包括另外的结构而不限于金属板。
如本领域技术人员可以充分理解的,本公开的各个实施例的特征可以部分地或整体地彼此结合或组合,并且可以以各种方式彼此协作并在技术上被驱动。本公开的实施例可以彼此独立地执行,或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中,将参照附图具体地描述本公开的实施例。
图1是示出根据本公开的一个实施例的显示装置的平面图,图2是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿I-I'线截取的截面图,图3是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿II-II'线截取的截面图,并且图4是在根据本公开的一个实施例的显示装置中沿III-III'线截取的截面图。
参考图1至图4,显示装置100包括第一基板110、多缓冲层120、像素阵列层130、封装层150、填充层160、第二基板170、显示驱动电路180、扫描驱动电路190和涂层200。
第一基板110是基底基板(base substrate),并且可以是柔性基板。例如,第一基板110可以包括透明的聚酰亚胺材料。考虑到进行高温沉积处理,可以使用能够耐受高温的、具有优异的耐热性的聚酰亚胺作为聚酰亚胺材料的第一基板110。由聚酰亚胺材料制成的第一基板110可以是在设置在载体玻璃基板上的牺牲层的前表面上以恒定厚度涂覆的硬化的聚酰亚胺树脂。在第一基板110和第二基板170彼此完全接合并且在第一基板110的非显示区域NA上形成电路膜181之后,可以通过使用激光释放处理释放牺牲层而将载体玻璃基板与第一基板110分离。牺牲层可以通过非晶硅(a-Si)或硅氮化物膜(SiNx)制成。
根据一个实施例,第一基板110可以是玻璃基板。例如,第一基板110可以包括SiO2或Al2O3作为主要成分。
第一基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NA。显示区域AA是用于显示图像的区域,并且可以被限定在第一基板110的中心部分处。在这种情况下,显示区域AA可以对应于像素阵列层130的有源区域。例如,显示区域AA可以包括按照由多个栅极线(未示出)和多个数据线(未示出)交叉的像素区域形成的多个像素(未示出)。在这种情况下,多个像素中的每一个可以被定义为用于发光的最小单位的区域。
非显示区域NA是在其中不显示图像的区域,并且可以被限定在第一基板110的围绕显示区域AA的边缘部分处。
根据一个实施例,显示装置100还可以包括设置在第一基板110下方的第一覆盖膜105。第一覆盖膜105可以设置在第一基板110下方以支承第一基板110并保护第一基板110。
多缓冲层120可以设置在第一基板110上。多缓冲层120可以形成在第一基板110的整个表面上,以屏蔽通过第一基板110渗透到像素阵列层130中的水。多缓冲层120可以以沉积多个无机膜的方式形成。例如,多缓冲层120可以由交替沉积的硅氧化物(SiOx)膜、硅氮化物(SiNx)膜和SiON膜中的一个或更多个无机膜的多层膜形成。
多缓冲层120可以包括多个缓冲层。多个缓冲层顺序地沉积在第一基板110上,并且可以是金属缓冲层。例如,多个缓冲层中的每一个可以包括SiOx、SiNx和SiON中的至少一种。多个缓冲层中的每一个可以通过溅射或电子束(e-beam(electron beam))蒸渡而顺序地沉积在第一基板110上。由于多缓冲层120可以包括多个缓冲层,所以可以提高面板的水蒸气透过率(WVTR)。
像素阵列层130可以包括薄膜晶体管T、平坦化层137、有机发光二极管E和堤142。
薄膜晶体管T可以设置在多缓冲层120上的显示区域AA中。薄膜晶体管T可以包括半导体层131、栅极绝缘层132、栅电极133、钝化层134、漏电极135和源电极136。
半导体层131可以设置在第一基板110的显示区域AA中。半导体层131可以被布置成与栅电极133、漏电极135和源电极136交叠。半导体层131可以与漏电极135和源电极136直接接触,并且可以通过在其与栅电极133之间插入栅极绝缘层132而面对栅电极133。根据一个实施例,半导体层131的一部分可以由未掺杂掺杂剂的半导体材料制成,并且半导体层131的另一部分可以由掺杂有掺杂剂的半导体材料制成。
栅极绝缘膜132可以设置在半导体层131上。具体地,栅极绝缘膜132可以布置在半导体层131和多缓冲层120上,并且其可以使半导体层131与栅电极133绝缘。栅极绝缘膜132可以形成在第一基板110的显示区域AA的整个表面上,并且栅极绝缘膜132的对应区域可以被去除,使得半导体层131可以与漏电极135或源电极136接触。例如,栅极绝缘膜132可以包括使漏电极135穿过的第一接触孔、以及使源电极136穿过的第二接触孔。栅极绝缘膜132可以但不限于由无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、SiON或者SiO2、SiNx和SiON的多层膜制成。
栅电极133可以设置在栅极绝缘膜132上。通过在栅电极133和半导体层131之间插入栅极绝缘膜132,栅电极133可以与半导体层131的中心区域交叠。例如,栅电极133可以是但不限于包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu或它们的合金中任意一种的单层或者多层。
钝化层134可以设置在栅电极133上。钝化层134可以用于保护薄膜晶体管T。钝化层134可以但不限于由无机绝缘材料例如SiO2(二氧化硅)、SiNx(硅氮化物)、SiON、或者SiO2、SiNx和SiON的多层膜制成。钝化层134的对应区域可以被去除,使得半导体层131可以与漏电极135或源电极136接触。例如,钝化层134可以包括使漏电极135穿过的第一接触孔、以及使源电极136穿过的第二接触孔。在这种情况下,钝化层134的第一接触孔和第二接触孔可以分别与栅极绝缘膜132的第一接触孔或第二接触孔连接。
漏电极135和源电极136可以在钝化层134上设置为彼此间隔开。漏电极135可以通过设置在栅极绝缘膜132和钝化层134中的第一接触孔与半导体层131的一端接触,并且源电极136可以通过设置在栅极绝缘膜132和钝化层134中的第二接触孔与半导体层131的另一端接触。源电极136可以通过平坦化层137的第三接触孔与有机发光二极管E的阳极电极138直接接触。
平坦化层137可以设置在薄膜晶体管T上以使薄膜晶体管T的上端平坦化。平坦化层137的对应区域可以被去除,使得阳极电极138可以与源电极136接触。例如,平坦化层137可以包括使阳极电极138穿过的第三接触孔。根据一个实施例,平坦化层137可以但不限于由例如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂的有机绝缘材料制成。平坦化层137可以不延伸到非显示区域NA。
有机发光二极管E设置在平坦化层137上,并且可以与薄膜晶体管T电连接。有机发光二极管E可以包括阳极电极138、有机发光层139和阴极电极141。
阳极电极138可以设置在平坦化层137上。阳极电极138可以通过设置在平坦化层137中的第三接触孔与薄膜晶体管T的源电极136接触。根据一个实施例,阳极电极138可以由具有很好的功函数值的透明导电材料例如ITO、IZO、ZnO或In2O3制成,因而可以用作阳极。
有机发光层139可以设置在阳极电极138上。有机发光层139可以设置在由堤142限定的单个像素区域上。根据一个实施例,有机发光层139可以包括空穴传输层、有机发光层和电子传输层。此外,有机发光层139还可以包括用于提高发光层的发光效率和/或使用寿命的至少一个功能层。
阴极电极141可以设置在有机发光层139上。阴极电极141可以实现为所有像素共用的电极类型,而不按像素区域划分。也就是说,阴极电极141可以形成在堤142以及有机发光层139上。如果向阳极电极138和阴极电极141施加电压,则空穴和电子分别通过空穴传输层和电子传输层移动到有机发光层,并在有机发光层中彼此结合以发光。阴极电极141可以用作有机发光二极管E的阴极,并且可以实现为由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或它们的化合物制成的不透明金属材料。
堤142可以设置在平坦化层137上。堤142可以设置在彼此相邻的阳极电极138之间,以分隔阳极电极138。因此,堤142可以使相邻的阳极电极彼此电绝缘。堤142可以但不限于由例如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和苯并环丁烯(BCB)的有机绝缘材料制成。
封装层150可以设置在阴极电极141的整个上端上。封装层150可以防止水从外部渗透,由此可以避免有机发光层139的劣化。根据一个实施例,封装层150可以由金属例如Cu和Al或它们的合金制成,但是可以实现为本领域中已知的各种材料而不限于该示例。
填充层160填充在第一基板110和第二基板170之间的空间中,并且借助坝162而不扩散到显示装置100的外部。填充层160可以布置在第一基板110和第二基板170之间以避免光损失,并且可以增加第一基板110和第二基板170之间的粘附。
坝162可以插入在第一基板110和第二基板170之间。坝162可以以围绕显示区域AA的框的形式实现。坝162可以与平坦化层137、阴极电极141和封装层150部分地交叠,但不一定如此。根据一个实施例,坝162可以由可以形成精细图案的诸如聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂和BCB的有机膜制成。坝162可以防止填充层160扩散到显示装置100的外部。另外,坝162可以将第一基板110接合至第二基板170。
第二基板170可以设置在填充层160的整个上端上。第二基板170可以布置在第一基板110上,以屏蔽设置在第一基板110上的薄膜晶体管T和有机发光二极管E免受外部的水、空气等的影响。根据一个实施例,第二基板170可以布置成面对第一基板110,并且第一基板110和第二基板170可以通过沿它们的边缘布置的密封构件(未示出)彼此接合。例如,第二基板170可以是玻璃基板或塑料基板。
滤色器172可以布置在填充层160与第二基板170之间。滤色器172可以布置在有机发光二极管E上以转换从有机发光二极管E发射的白光的颜色。例如,滤色器172可以包括红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤器。因此,多个子像素中的红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素可以包括滤色器172,并且可以在没有滤色器的情况下实现白色子像素。
黑矩阵174可以布置在填充层160与第二基板170之间。黑矩阵174可以布置在滤色器172的两侧,以不与有机发光二极管E交叠,从而可以防止光泄漏到非显示区域NA,并且可以解决漏光和可见性的劣化。
显示驱动电路180可以连接到设置在第一基板110的非显示区域NA中的焊盘部(未示出),并且可以在每个像素上显示与从显示驱动系统提供的图像数据对应的图像。根据一个实施例,显示驱动电路180可以包括多个电路膜181、多个数据驱动集成电路183、印刷电路板185和时序控制器187。
设置在多个电路膜181中的每一个的一侧的输入端子可以通过膜附接处理附接到印刷电路板185,并且设置在多个电路膜181中的每一个的另一侧的输出端子可以通过膜附接处理附接到焊盘部。多个电路膜181中的每一个可以实现为柔性电路膜以减小显示装置100的边框区域,并且可以弯曲以围绕第二基板170的侧面。
多个数据驱动集成电路183中的每一个可以被封装在多个电路膜181中的每一个中。多个数据驱动集成电路183中的每一个可以接收从时序控制器187提供的数据控制信号和像素数据,根据数据控制信号将像素数据转换为模拟类型数据信号,并将转换后的数据信号提供给相应的数据线。例如,多个数据驱动集成电路183中的每一个可以根据相应的电路膜181的弯曲而布置在第二基板170的侧面。
印刷电路板185可以支承时序控制器187,并在显示驱动电路180的元件之间传输信号和电源。印刷电路板185可以根据电路膜181的弯曲而布置在第二基板170的前表面上。
时序控制器187可以封装在印刷电路板185中,并且可以通过设置在印刷电路板185中的用户连接器来接收从显示驱动系统提供的图像数据和时序同步信号。时序控制器187可以通过基于时序同步信号将图像数据对准为与像素布置结构匹配来生成像素数据,并可以将生成的像素数据提供至对应的数据驱动集成电路183。另外,时序控制器187可以基于时序同步信号生成数据控制信号和扫描控制信号中的每一个,通过数据控制信号控制多个数据驱动集成电路183中的每一个的驱动定时,并通过扫描控制信号控制扫描驱动电路190的驱动定时。在这种情况下,可以通过多个柔性电路膜181中的第一和/或最后的柔性电路膜将扫描控制信号提供至对应的扫描驱动电路190。
扫描驱动电路190可以设置在第一基板110的非显示区域NA上。扫描驱动电路190可以根据从显示驱动电路180提供的扫描控制信号生成扫描信号,并将生成的扫描信号提供给对应于设定顺序的扫描线。根据一个实施例,扫描驱动电路190可以与薄膜晶体管一起形成在第一基板110的非显示区域NA中。
涂层200可以设置在像素阵列层130与焊盘部上的电路膜181之间。具体地,涂层200可以被设置为直接覆盖坝162的侧面、多缓冲层120的上表面和焊盘部上的电路膜181。也就是说,涂层200可以(直接或间接地)覆盖电路膜181与焊盘部之间的接触表面、像素阵列层130的侧面、封装层150的侧面、填充层160的侧面、第二基板170的侧面以及在电路膜181和像素阵列层130之间露出的第一基板110的上表面。因此,涂层200可以防止水或颗粒渗透到像素阵列层130和焊盘部中,并且防止焊盘部因与诸如温度、水、腐蚀性气体或导电颗粒的外部环境发生反应而产生电极短路。涂层200可以获得电路膜181的接合刚度,同时具有可应用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的柔性,并且可以防止第一基板110上的焊盘部和线在激光释放处理期间被损坏。
涂层200可以包括用于防止水渗透到像素阵列层130中的防潮绝缘构件210、以及与防潮绝缘构件210混合的遮光材料220。例如,可以在将防潮绝缘构件210与遮光材料220混合之后,通过热硬化处理形成涂层200。涂层200的杨氏模量、水接触角和激光透射率可以根据防潮绝缘构件210和遮光材料220的材料和混合比来确定。
根据一个实施例,防潮绝缘构件210可以是聚二甲基硅氧烷(PDMS)。具体地,防潮绝缘构件210可以通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂以特定比率混合而形成。在这种情况下,涂层200的杨氏模量、介电常数和水接触角可以根据硅弹性体基体和硅弹性体固化剂的混合比来确定。防潮绝缘构件210可以通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂混合以具有低杨氏模量和高泊松比而被用于柔性显示装置和可拉伸显示装置。
根据一个实施例,防潮绝缘构件210可以通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂混合以具有360kPa至870kPa的杨氏模量来形成。在这种情况下,杨氏模量指的是表示施加到物体的压力与根据该压力的物体的变形之间的关系的弹性系数。也就是说,杨氏模量是指当物体以单位比率变形时所需的变形力,并且表示物体的原始弹力。例如,如果杨氏模量低,则甚至通过低变形力物体也可以以单位比率变形,而如果杨氏模量高,则需要高变形力以使物体以单位比率变形。因此,防潮绝缘构件210具有360kPa至870kPa的杨氏模量,由此该杨氏模量低于现有防潮绝缘构件的杨氏模量,并且可以用于柔性显示装置和可拉伸显示装置。
根据一个实施例,防潮绝缘构件210可以通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂混合以具有0.48至0.5的泊松比来形成。在这种情况下,泊松比是指当向物体施加拉力时水平变形和垂直变形之间的比率。例如,当物体对应于其体积相对于外部压力不发生改变的完全不可压缩材料时,泊松比可以具有0.5的值。因此,防潮绝缘构件210具有0.48至0.5的泊松比,由此防潮绝缘构件210具有高于现有防潮绝缘构件的泊松比的泊松比,
根据一个实施例,防潮绝缘构件210可以通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂混合以具有100°或更大的水接触角来形成。防潮绝缘构件210可以通过具有100°或更大的水接触角而具有疏水性。在这种情况下,水接触角是指在物体的表面上水与物体的表面之间的角度。例如,如果水接触角小,则物体具有亲水性,而如果水接触角大,则物体具有疏水性。因此,防潮绝缘构件210可以具有100°或更大的水接触角,以提高显示面板的水蒸气透过率(WVTR),从而可以防止水渗透到显示面板中。
根据一个实施例,防潮绝缘构件210可以具有2.3至2.8的介电常数,以防止在第一基板110上形成寄生电容。具体地,由于防潮绝缘构件210具有2.3至2.8的介电常数,因此防潮绝缘构件210对应于非导体。由于防潮绝缘构件210尽管在其中包含遮光材料220但还是形成了围绕遮光材料的单元(cell),因此可以防止在第一基板110上形成寄生电容,以防止在第一基板110上发生磁场干扰和电子干涉。因此,由于防潮绝缘构件210具有2.3至2.8的介电常数,所以可以防止第一基板110上的焊盘部和线路产生电极短路。
遮光材料220可以与防潮绝缘构件210以一定比率混合,以降低涂层200的激光透射率。根据一个实施例,遮光材料220可以包括用于降低在激光释放处理期间照射的紫外线的UV(紫外)透射率的材料。遮光材料220可以包括下述材料:该材料可以通过具有3.2eV至3.6eV的带隙能量来吸收紫外线。例如,遮光材料220可以是包括ZnO、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、SiC和β-Ga2O3中的至少一种的纳米颗粒组合物。因此,遮光材料220可以通过与防潮绝缘构件210混合来降低在用于去除载体玻璃基板的激光释放处理期间照射的紫外线的透射率,从而防止焊盘部和线路被损坏。
根据一个实施例,涂层200可以包括以重量百分比为15至50的比率混合的遮光材料220。具体地,可以通过将遮光材料220与防潮绝缘构件210以重量百分比为15至50的比率混合来形成涂层200。例如,可以通过将具有重量百分比为15至50的比率的遮光材料220与硅弹性体基体和硅弹性体固化剂混合、然后进行热硬化处理来形成涂层200。因此,遮光材料220可以保持要用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的弹力、同时保持防潮绝缘功能,并且可以在激光释放处理期间屏蔽紫外线的穿透。因此,涂层200可以防止水或颗粒渗透到显示面板中,防止第一基板110上的焊盘部和线路通过与诸如温度、水、腐蚀性气体或导电颗粒的外部环境的反应而产生电极短路,并且在激光释放处理期间防止第一基板110上的焊盘部和线路被UV激光损坏。
根据一个实施例,可以通过切割涂层200的截面来识别防潮绝缘构件210和遮光材料220的混合比。具体地,可以通过将防潮绝缘材料210与遮光材料220混合并执行热硬化处理来形成涂层200。例如,可以通过聚焦离子束(FIB)切割涂层200,并且可以通过FIB切割防潮绝缘构件210和遮光材料220以具有平坦的截面。此时,涂层200的切割表面的面积可以对应于防潮绝缘构件210的面积与遮光材料220的面积之和。在这种情况下,可以通过电子显微镜(例如,扫描电子显微镜(SEM))识别防潮绝缘构件210的面积和遮光材料220的面积中的每一个。遮光材料220的面积比和遮光材料220的重量百分比可以彼此成比例。因此,可以通过从涂层200的切割表面的面积中计算遮光材料220的面积比来识别防潮绝缘构件210和遮光材料220的混合比。
根据一个实施例,涂层200还可以包括甲苯以调节涂层200的粘度。具体地,涂层200还可以包括甲苯,以调节涂层200在将硅弹性体基体、硅弹性体固化剂和遮光材料200彼此混合的处理期间的粘度。因此,涂层200可以通过还包括甲苯来调节涂层200的弹力和柔性。
图5是在根据本公开的另一个实施例的显示装置中沿I-I'线截取的截面图。在这种情况下,图5的显示装置与图2的显示装置的区别为涂层200,并且将简要地描述或省略与上述描述相同的元件。
参考图5,涂层200可以设置在像素阵列层130与焊盘部上的电路膜181之间。具体地,涂层200可以被设置为直接覆盖坝162的侧面、多缓冲层120的上表面和焊盘部上的电路膜181。也就是说,涂层200可以(直接或间接地)覆盖电路膜181与焊盘部之间的接触表面、像素阵列层130的侧面、封装层150的侧面、填充层160的侧面、第二基板170的侧面以及在电路膜181和像素阵列层130之间露出的第一基板110的上表面。因此,涂层200可以防止水或颗粒渗透到像素阵列层130和焊盘部中,并且防止焊盘部通过与诸如温度、水、腐蚀性气体或导电颗粒的外部环境发生反应而产生电极短路。涂层200可以获得电路膜181的接合刚度,同时具有可应用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的柔性,并且可以防止第一基板110上的焊盘部和线路在激光释放处理期间被损坏。
涂层200可以包括用于防止水渗透到像素阵列层130中的防潮绝缘构件210、以及用于在防潮绝缘构件210上形成单层的遮光材料220。涂层200的杨氏模量、水接触角和激光透射率可以根据防潮绝缘构件210和遮光材料220的材料以及单层的构造来确定。
遮光材料220可以通过在防潮绝缘构件210上形成单层来降低涂层200的激光透射率。例如,在通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂以一定的比例混合而形成防潮绝缘构件210之后,涂层200可以通过使用遮光材料220而在防潮绝缘构件210上形成单层。根据一个实施例,遮光材料220可以包括用于降低在激光释放处理期间照射的紫外线的UV透射率的材料。遮光材料220可以包括下述材料,该材料可以通过具有3.2eV至3.6eV的带隙能量来吸收紫外线。例如,遮光材料220可以是包括ZnO、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、SiC和β-Ga2O3中的至少一种的纳米颗粒组合物。因此,遮光材料220可以通过在防潮绝缘构件210上形成单层来降低在用于去除载体玻璃基板的激光释放处理期间照射的紫外线的透射率,从而防止焊盘部和线路被损坏。
图6A至图6G是沿着图2中所示的线I-I'截取的、示出用于制造根据本公开的一个实施例的显示装置的方法的处理步骤的截面图。
参考图6A,为了制造根据本公开的显示装置100,设置第一载体玻璃基板10,并且可以在第一载体玻璃基板10上沉积牺牲层(未示出)。在这种情况下,牺牲层可以由非晶硅(a-Si)或硅氮化物膜(SiNx)制成。第一基板110、多缓冲层120、像素阵列层130、封装层150和填充层160可以顺序地设置在第一载体玻璃基板10上。第一载体玻璃基板10可以在第一基板110、多缓冲层120、像素阵列层130、封装层150和填充层160正被顺序地沉积的同时支承第一基板110。因此,第一载体玻璃基板10可以暂时用作支承基板。
设置第二载体玻璃基板20,并且可以在第二载体玻璃基板20上沉积牺牲层(未示出)。第二基板170、滤色器172(图6A中未示出;参照图4)和黑矩阵174(图6A中未示出;参照图4)可以顺序地设置在第二载体玻璃基板20上。如果第一基板110、多缓冲层120、像素阵列层130、封装层150和填充层160完全沉积在第一载体玻璃基板10上,并且第二基板170、滤色器172和黑矩阵174完全沉积在第二载体玻璃基板20上,则第一基板110和第二基板170可以彼此接合。
在第一基板110和第二基板170彼此接合之后,可以通过穿透性划线切割(CPS)处理切割第一基板110上的非显示区域NA。
参考图6B,电路膜181可以与第一基板110上的非显示区域NA中的、第一基板110上的焊盘部(未示出)电连接。具体地,可以在第一基板110上的非显示区域NA中设置孔图案(未示出)以使焊盘部露出,并且电路膜181可以通过填充在孔图案中的各向异性导电膜(ACF)与焊盘部电连接。根据一个实施例,电路膜181可以实现为柔性电路膜以减小显示装置100的边框区域,并且可以弯曲以围绕第二基板170的侧面。
参考图6C,涂层200可以设置在像素阵列层130与焊盘部上的电路膜181之间。具体地,涂层200可以被设置为直接覆盖坝162的侧面、多缓冲层120的上表面和焊盘部上的电路膜181。也就是说,涂层200可以(直接或间接)覆盖电路膜181与焊盘部之间的接触表面、像素阵列层130的侧面、封装层150的侧面、填充层160的侧面、第二基板170的侧面以及在电路膜181和像素阵列层130之间露出的第一基板110的上表面。
涂层200可以包括用于防止水渗透到像素阵列层130中的防潮绝缘构件210、以及与防潮绝缘构件210混合的遮光材料220。因此,涂层200可以防止水或颗粒渗透到像素阵列层130和焊盘部中,防止焊盘部通过与诸如温度、水、腐蚀性气体或导电颗粒的外部环境发生反应而产生电极短路,并且防止在激光释放处理期间第一基板110上的焊盘部和线路被损坏。
参考图6D,可以在电路膜181与第一基板110上的焊盘部电连接并且像素阵列层130和焊盘部上的电路膜181之间设置了涂层200之后,通过激光释放处理去除第一载体玻璃基板10。具体地,牺牲层和第一基板110可以顺序地沉积在第一载体玻璃基板10上,并且如果紫外激光照射到牺牲层,则牺牲层与第一基板110的界面分离,由此可以从第一基板110去除第一载体玻璃基板10。例如,牺牲层可以由非晶硅(a-Si)或硅氮化物膜(SiNx)制成。
参考图6E,如果从第一基板110的下表面去除第一载体玻璃基板10,则第一覆盖膜105可以附接到第一基板110的下表面。在这种情况下,第一覆盖膜105可以由透明的并且具有柔性的工程塑料材料例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)材料制成。第一覆盖膜105可以实现为具有优异的气体和水阻挡效果以及优异的透光率的材料。根据一个实施例,第一覆盖膜105可以通过基板附接构件附接到第一基板110的下表面,以保护和支承第一基板110。因此,第一覆盖膜105可以布置在第一基板110的下表面上,从而在未完成的处理期间支承第一基板110,并且保护第一基板110免受外部环境的影响。
参考图6F,可以通过激光释放处理去除第二载体玻璃基板20。具体地,第二载体玻璃基板20可以通过牺牲层(未示出)附接到第二基板170,并且如果紫外激光照射到牺牲层,则牺牲层与第二基板170的界面分离,由此可以从第二基板170去除第二载体玻璃基板20。例如,牺牲层可以由非晶硅(a-Si)或硅氮化物膜(SiNx)制成。
涂层200可以设置在像素阵列层130与焊盘部上的电路膜181之间。具体地,涂层200可以被设置为直接覆盖坝162的侧面、多缓冲层120的上表面和焊盘部上的电路膜181。也就是说,涂层200可以(直接或间接地)覆盖电路膜181与焊盘部之间的接触表面、像素阵列层130的侧面、封装层150的侧面、填充层160的侧面、第二基板170的侧面以及在电路膜181和像素阵列层130之间露出的第一基板110的上表面。因此,涂层200可以在针对第二载体玻璃基板20的激光释放处理期间防止紫外激光到达第一基板110上,从而可以防止第一基板110上的焊盘部和线路被损坏。
参考图6G,如果从第二基板170的上表面去除第二载体玻璃基板20,则第二覆盖膜175可以附接到第二基板170的上表面。在这种情况下,第二覆盖膜175可以由透明的并且具有柔性的工程塑料材料例如PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)材料制成。第二覆盖膜175可以实现为具有优异的气体和水阻挡效果以及优异的透光率的材料。根据一个实施例,第二覆盖膜175可以通过基板附接构件附接到第二基板170的上表面,以保护和支承第二基板170。因此,由于第二覆盖膜175可以布置在第二基板170的上表面上,所以可以防止水或颗粒渗透到显示装置中,从而可以提高显示装置的耐久性。
图7是示出根据本公开的一个实施例的显示装置中的取决于遮光材料的含量以及激光的波长的激光透射率的曲线图。具体地,图7示出了取决于遮光材料220的含量的、根据激光的波长的涂层200的激光透射率。图7的曲线图示出了当防潮绝缘构件210是聚二甲基硅氧烷(PDMS)并且遮光材料220是ZnO纳米颗粒时涂层200的激光透射率。
参考图7,可以根据防潮绝缘构件210和遮光材料220的混合比来确定涂层200的激光透射率。
例如,如果遮光材料220的混合比为0至10的重量百分比,则涂层200的紫外(UV)透射率低于其可见光透射率。因此,注意到涂层200包括吸收紫外激光的遮光材料220。然而,涂层200由于其中遮光材料220的含量的不足而不能充分地屏蔽紫外线。
再例如,如果遮光材料220的混合比为15至25的重量百分比,则注意到,当激光的波长接近340nm时涂层200的激光透射率迅速降低至18%或更低。因此,如果遮光材料220的混合比为15的重量百分比或更多,则涂层200可以用作紫外线屏蔽层,以防止激光释放处理期间第一基板110上的焊盘部和线路被损坏。如果遮光材料220的混合比为15至25的重量百分比,则防潮绝缘构件210的含量相对较高,由此涂层200可以保持要用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的弹力、同时保持防潮绝缘功能,并且此时可以屏蔽在激光释放处理期间紫外线的穿透。
又例如,如果遮光材料220的混合比为30至50的重量百分比,则注意到,当激光的波长接近340nm时涂层200的激光透射率迅速降低至0%。因此,如果遮光材料220的混合比为30至50的重量百分比,则涂层200可以完全屏蔽紫外线。也就是说,如果遮光材料220的混合比为30至50的重量百分比,则涂层200可以用作紫外线屏蔽层,以防止第一基板110上的焊盘部和线路在激光释放处理期间被损坏。如果遮光材料220的混合比为30至50的重量百分比,则防潮绝缘构件210的含量相对较低。因此,遮光材料220可以在涂层200中保持从15至50的重量百分比的范围的混合比,由此涂层200的防潮绝缘功能、柔性和弹力以及电路膜181的接合刚度可以确保为最大,并且同时可以在激光释放处理期间最大程度地屏蔽紫外线的穿透。
最终,可以将遮光材料220的含量确定在适当的水平,使得涂层200的防潮绝缘功能、柔性和弹力以及电路膜181的接合刚度可以确保为最大,并且同时可以在激光释放处理期间最大程度地屏蔽紫外线的穿透。
图8是示出根据本公开的一个实施例的显示装置中取决于遮光材料的含量的关于紫外(UV)波长的激光透射率的曲线图。具体地,图8示出了取决于遮光材料220的含量的涂层200的UV透射率。图8的曲线图示出了当防潮绝缘构件210是聚二甲基硅氧烷(PDMS)、遮光材料220是ZnO纳米颗粒并且UV波长是343nm时涂层200的UV透射率。
参考图8,可以根据防潮绝缘构件210和遮光材料220的混合比来确定涂层200的UV透射率。
例如,如果ZnO纳米颗粒的混合比为0至10的重量百分比,则涂层200的UV透射率对应于85%至90%。因此,如果ZnO纳米颗粒的混合比为0至10的重量百分比,则涂层200不能用作UV屏蔽层。
再例如,如果ZnO纳米颗粒的混合比为15至25的重量百分比,则注意到涂层200的UV透射率迅速降低至18%或更低。因此,如果ZnO纳米颗粒的混合比为15的重量百分比或更多,则涂层200可以用作UV屏蔽层,以防止激光释放处理期间第一基板110上的焊盘部和线路被损坏。如果ZnO纳米颗粒的混合比为15至25的重量百分比,则PDMS的含量相对较高,由此涂层200可以保持要用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的弹力、同时保持防潮绝缘功能,并且同时可以屏蔽激光释放处理期间紫外线的穿透。
又例如,如果ZnO纳米颗粒的混合比为30至50的重量百分比,则注意到涂层200的UV透射率降低至接近0%。因此,如果ZnO纳米颗粒的混合比为30至50的重量百分比,则涂层200可以完全屏蔽紫外线。因此,如果ZnO纳米颗粒的混合比为30至50的重量百分比,则涂层200可以用作UV屏蔽层,以防止激光释放处理期间第一基板110上的焊盘部和线路被损坏。如果ZnO纳米颗粒的混合比为30至50的重量百分比,则与ZnO纳米颗粒的混合比为15至25的重量百分比的情况相比,PDMS的含量相对较低。因此,ZnO纳米颗粒可以在涂层200中保持从15至50的重量百分比的范围的混合比,由此涂层200的防潮绝缘功能、柔性和弹性力以及电路膜181的接合刚度可以确保为最大,同时可以在激光释放处理期间最大程度地屏蔽紫外线的穿透。
最终,可以将遮光材料220的含量确定在适当的水平,使得涂层200的防潮绝缘功能、柔性和弹力以及电路膜181的接合刚度可以确保为最大,同时可以在激光释放处理期间最大程度地屏蔽紫外线的穿透。
因此,根据本公开的显示装置可以防止水或颗粒渗透到像素阵列层130和焊盘部中,并且防止焊盘部通过与诸如温度、水、腐蚀性气体或导电颗粒的外部环境发生反应而产生电极短路。此外,显示装置可以包括涂层200以获得电路膜181的接合刚度,同时具有可应用于柔性显示装置和可拉伸显示装置的柔性,并且可以防止第一基板110上的焊盘部和线路在激光释放处理期间被损坏。
如上所述,根据本公开,可以获得以下效果和优点。
在根据本公开的显示装置中,包含遮光材料的涂层可以设置在像素阵列层与焊盘部上的电路膜之间,以防止水渗透到像素阵列层中并防止焊盘部和线路被激光释放处理损坏。
在根据本公开的显示装置中,可以使用通过将防潮绝缘构件与遮光材料以一定比率混合而获得的涂层,由此可以确保涂层的柔性和电路膜的接合刚度,并且可以在激光释放处理期间屏蔽激光以免激光穿透到焊盘部和线路中。
在根据本公开的显示装置中,可以使用通过将具有疏水性和低杨氏模量的防潮绝缘构件与具有低激光透射率的遮光材料以一定比率混合而获得的涂层,由此涂层可以实现为适用于柔性显示器和可拉伸显示器。
除了如上所述的本公开的效果之外,本领域技术人员将从本公开的以上描述中清楚地理解本公开的另外的优点和特征。
对于本领域技术人员来说将会明显的是,上述本公开不受上述实施例和附图的限制,并且在不脱离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开中进行各种替换、修改和变型。因此,本公开的范围由所附权利要求限定,并且从权利要求的含义、范围和等同概念获得的所有变型或修改旨在落入本公开的范围内。
可以对上面描述的各种实施例进行组合以提供另外的实施例。本说明书中引用的和/或在申请数据表中列出的所有美国专利、美国专利申请公开、美国专利申请、外国专利、外国专利申请和非专利公开的全部内容通过引用并入本文。必要时可以修改实施例的各方面以采用各个专利、申请和公开的概念来提供另外的实施例。
可以根据以上详细描述对实施例进行这些或者其他改变。通常,在所附权利要求中,所使用的术语不应被解释为将权利要求限于说明书和权利要求书中公开的具体实施例,而应被解释为包括所有可能的实施例以及这样的权利要求的等同内容的全部范围。因此,权利要求不受本公开限制。
Claims (8)
1.一种显示装置,包括:
基板,包括像素阵列层和连接到所述像素阵列层的焊盘部;
电路膜,附接到所述焊盘部;以及
涂层,设置在所述像素阵列层与在所述焊盘部上的所述电路膜之间,
其中,所述涂层含有遮光材料,以及
其中,所述涂层包括用于防止水渗透到所述像素阵列层中的防潮绝缘构件以及与所述防潮绝缘构件混合的所述遮光材料。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述遮光材料是包括ZnO、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、SiC和β-Ga2O3中的至少一种的纳米颗粒组合物。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述涂层包括以重量百分比为15至50的比率混合的所述遮光材料。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述防潮绝缘构件是聚二甲基硅氧烷PDMS。
5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,通过将硅弹性体基体与硅弹性体固化剂混合以具有360kPa至870kPa的杨氏模量而形成所述防潮绝缘构件。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述涂层还包括甲苯以调节所述涂层的粘度。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述防潮绝缘构件通过具有100°或更大的水接触角而具有疏水性。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述防潮绝缘构件具有2.3至2.8的介电常数,以防止在所述基板上形成寄生电容。
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