KR20200045904A - 표시 장치 - Google Patents
표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20200045904A KR20200045904A KR1020180126991A KR20180126991A KR20200045904A KR 20200045904 A KR20200045904 A KR 20200045904A KR 1020180126991 A KR1020180126991 A KR 1020180126991A KR 20180126991 A KR20180126991 A KR 20180126991A KR 20200045904 A KR20200045904 A KR 20200045904A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- pad
- transparent conductive
- encapsulation layer
- Prior art date
Links
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims abstract description 145
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 69
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 61
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 33
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 21
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 417
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 64
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 31
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 101000984710 Homo sapiens Lymphocyte-specific protein 1 Proteins 0.000 description 16
- 102100027105 Lymphocyte-specific protein 1 Human genes 0.000 description 16
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 14
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 14
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 13
- 101100455541 Drosophila melanogaster Lsp2 gene Proteins 0.000 description 11
- 101150069245 PAE2 gene Proteins 0.000 description 11
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 9
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 8
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 8
- 101100365491 Drosophila melanogaster Sp7 gene Proteins 0.000 description 6
- 102100026620 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Human genes 0.000 description 6
- 101710140859 E3 ubiquitin ligase TRAF3IP2 Proteins 0.000 description 6
- 101150008764 PAE1 gene Proteins 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 6
- 102100031102 C-C motif chemokine 4 Human genes 0.000 description 5
- 101000777470 Mus musculus C-C motif chemokine 4 Proteins 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 4
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 2
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
-
- H01L51/5243—
-
- H01L27/322—
-
- H01L27/3244—
-
- H01L51/5203—
-
- H01L51/5284—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
- H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
본 출원의 예에 따른 표시 장치는 복수의 픽셀을 갖는 표시 영역과 적어도 하나의 패드 전극을 갖는 패드 영역을 포함하는 기판, 복수의 픽셀 각각의 개구부 사이에 배치된 뱅크, 복수의 픽셀 각각의 개구부와 뱅크를 덮고 투명 도전층을 포함하는 봉지층, 및 봉지층 상에서 뱅크와 중첩되게 배치된 전도성 차광 패턴을 포함하며, 전도성 차광 패턴은 투명 도전층에 전기적으로 연결될 수 있다.
Description
본 출원은 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치는 텔레비전 또는 모니터의 표시 화면 이외에도 노트북 컴퓨터, 테블릿 컴퓨터, 스마트 폰, 휴대용 표시 기기, 휴대용 정보 기기 등의 표시 화면으로 널리 사용되고 있다.
최근에는, 마이크로 발광 소자를 이용한 발광 표시 장치에 대한 연구 및 개발이 진행되고 있으며, 이러한 발광 표시 장치는 고화질과 고신뢰성을 갖기 때문에 차세대 표시로서 각광받고 있다. 이러한 발광 표시 장치는 자발광 소자로서, 소비 전력이 낮고, 고속의 응답 속도, 높은 발광 효율, 높은 휘도 및 광시야각을 갖는다. 이러한 발광 표시 장치는 텔레비전, 모니터, 노트북 컴퓨터, 스마트 폰, 테블릿 컴퓨터, 전자 패드, 웨어러블 기기, 워치 폰, 휴대용 정보 기기, 네비게이션, 또는 차량 제어 디스플레이 기기 등의 전자 제품 또는 가전 제품에 탑재되어 영상을 표시하는 디스플레이로 사용될 수 있는 차세대 디스플레이로 주목 받고 있다.
발광 표시 장치는 상부 발광(Top emission) 방식 또는 하부 발광(Bottom emission) 방식으로 영상을 표시한다.
종래의 상부 발광 방식의 발광 표시 장치는 서브 픽셀 영역에 배치된 구동 박막 트랜지스터를 포함하는 픽셀 회로, 구동 박막 트랜지스터에 연결된 애노드 전극, 애노드 전극 상에 배치된 발광층, 및 발광층 상에 배치된 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 그러나, 종래의 상부 발광 방식의 발광 표시 장치는 하부 기판과 상부 기판의 합착 마진과 높은 셀 갭(Cell gap)으로 인하여 개구율이 감소하고, 수명이 저하되며 고해상도 표시 장치에 적용하기 어려운 문제점이 있다.
본 출원은 투명 도전층을 구비한 봉지층을 포함함으로써, 이물질에 의한 봉지층의 결함을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
그리고, 본 출원은 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극을 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
그리고, 본 출원은 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극 각각을 패드 영역에배치된 패드 보조 전극에 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
그리고, 본 출원은 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극 각각을 표시 영역을 지나는 보조 배선에 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
그리고, 본 출원은 표시 영역 내에서 봉지층의 투명 도전층과 전기적으로 연결되는 전도성 차광 패턴을 포함함으로써, 대면적 표시 장치에서도 투명 도전층의 플로팅을 방지할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
그리고, 본 출원은 표시 영역 내에서 봉지층의 투명 도전층과 전기적으로 연결되는 전도성 차광 패턴이 블랙 매트릭스의 역할을 수행할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 출원에 따른 표시 장치는 복수의 픽셀을 갖는 표시 영역과 적어도 하나의 패드 전극을 갖는 패드 영역을 포함하는 기판, 복수의 픽셀 각각의 개구부 사이에 배치된 뱅크, 복수의 픽셀 각각의 개구부와 뱅크를 덮고 투명 도전층을 포함하는 봉지층, 및 봉지층 상에서 뱅크와 중첩되게 배치된 전도성 차광 패턴을 포함하며, 전도성 차광 패턴은 투명 도전층에 전기적으로 연결될 수 있다.
기타 예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 투명 도전층을 구비한 봉지층을 포함함으로써, 이물질에 의한 봉지층의 결함을 방지할 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극을 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극 각각을 패드 영역에 배치된 패드 보조 전극에 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 봉지층의 투명 도전층과 캐소드 전극 각각을 표시 영역을 지나는 보조 배선에 전기적으로 연결함으로써, 투명 도전층과 캐소드 전극 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지할 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 표시 영역 내에서 봉지층의 투명 도전층과 전기적으로 연결되는 전도성 차광 패턴을 포함함으로써, 대면적 표시 장치에서도 투명 도전층의 플로팅을 방지할 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 표시 영역 내에서 봉지층의 투명 도전층과 전기적으로 연결되는 전도성 차광 패턴이 블랙 매트릭스의 역할을 수행할 수 있다.
위에서 언급된 본 출원의 효과 외에도, 본 출원의 다른 특징 및 이점들이 이하에서 기술되거나, 그러한 기술 및 설명으로부터 본 출원이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 일 예이다.
도 3은 도 2의 C 영역의 확대도이다.
도 4는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 5는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 다른 예이다.
도 6은 도 5의 F 영역의 확대도이다.
도 7은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 일 예이다.
도 8은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 다른 예이다.
도 9는 도 2의 D 영역의 확대도의 일 예이다.
도 10은 도 2의 D 영역의 확대도의 다른 예이다.
도 11은 도 2의 D 영역의 확대도의 또 다른 예이다.
도 12는 도 11에 도시된 제2 봉지층, 금속 전극 패턴, 및 수지 패턴의 적층 관계를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 투명 도전층의 효과를 설명하는 도면이다.
도 14는 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 봉지층의 두께에 따른 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 일 예이다.
도 3은 도 2의 C 영역의 확대도이다.
도 4는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 5는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 다른 예이다.
도 6은 도 5의 F 영역의 확대도이다.
도 7은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 일 예이다.
도 8은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 다른 예이다.
도 9는 도 2의 D 영역의 확대도의 일 예이다.
도 10은 도 2의 D 영역의 확대도의 다른 예이다.
도 11은 도 2의 D 영역의 확대도의 또 다른 예이다.
도 12는 도 11에 도시된 제2 봉지층, 금속 전극 패턴, 및 수지 패턴의 적층 관계를 나타내는 도면이다.
도 13은 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 투명 도전층의 효과를 설명하는 도면이다.
도 14는 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 봉지층의 두께에 따른 투과율을 나타내는 그래프이다.
본 출원의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 출원의 예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 출원을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 출원의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 출원 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.
구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.
위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.
제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.
본 출원의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 또는 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 다른 구성 요소가 "개재"되거나, 각 구성 요소가 다른 구성 요소를 통해 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
따라서, 본 출원에서의 표시 장치는 LCM, OLED 모듈 등과 같은 협의의 표시 장치 자체, 및 LCM, OLED 모듈 등을 포함하는 응용제품 또는 최종소비자용 장치인 세트 장치까지 포함할 수 있다.
예를 들어, 디스플레이 패널이 유기 전계 발광(OLED) 디스플레이 패널인 경우에는, 다수의 게이트 라인과 데이터 라인, 및 게이트 라인과 데이터 라인의 교차 영역에 형성되는 픽셀(Pixel)을 포함할 수 있다. 그리고, 각 픽셀에 선택적으로 전압을 인가하기 위한 소자인 박막 트랜지스터를 포함하는 어레이 기판과, 어레이 기판 상의 유기 발광 소자(OLED)층, 및 유기 발광 소자층을 덮도록 어레이 기판 상에 배치되는 봉지 기판 또는 인캡슐레이션(Encapsulation) 기판 등을 포함하여 구성될 수 있다. 봉지 기판은 외부의 충격으로부터 박막 트랜지스터 및 유기 발광 소자층 등을 보호하고, 유기 발광 소자층으로 수분이나 산소가 침투하는 것을 방지할 수 있다. 그리고, 어레이 기판 상에 형성되는 층은 무기 발광층(inorganic light emitting layer), 예를 들어 나노사이즈의 물질층(nano-sized material layer) 또는 양자점(quantum dot) 등을 포함할 수 있다.
본 출원의 여러 예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면 및 예를 통해 본 출원의 예를 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치를 나타내는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 픽셀 어레이층(190), 표시 구동 회로부(210), 및 스캔 구동 회로부(220)를 포함한다.
기판(110)은 베이스 기판으로서, 플렉서블 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 투명 폴리이미드(Polyimide) 재질을 포함할 수 있다. 폴리이미드 재질의 기판(110)은 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드 재질의 기판(110)은 캐리어 유리 기판에 마련되어 있는 희생층의 전면(Front Surfacae)에 일정 두께로 코팅된 폴리이미드 수지가 경화되어 형성될 수 있다. 여기에서, 캐리어 유리 기판은 레이저 릴리즈 공정에 의한 희생층의 릴리즈에 의해 기판(110)으로부터 분리될 수 있다. 그리고, 희생층은 비정질 실리콘(a-Si) 또는 실리콘 질화막(SiNx)을 통해 이루어질 수 있다.
일 예에 따르면, 기판(110)은 글라스 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O3)을 주성분으로서 포함할 수 있다.
기판(110)은 표시 영역(AA) 및 비표시 영역(NA)을 포함할 수 있다. 표시 영역(AA)은 영상이 표시되는 영역으로서, 기판(110)의 중앙 부분에 정의될 수 있다. 여기에서, 표시 영역(AA)은 픽셀 어레이층(190)의 활성 영역에 해당할 수 있다. 예를 들어, 표시 영역(AA)은 복수의 게이트 라인(미도시)과 복수의 데이터 라인(미도시)에 의해 교차되는 픽셀 영역마다 형성된 복수의 픽셀(미도시)로 이루어질 수 있다. 여기에서, 복수의 픽셀 각각은 광을 방출하는 최소 단위의 영역으로 정의될 수 있다.
비표시 영역(NA)은 영상이 표시되지 않는 영역으로서, 표시 영역(AA)을 둘러싸는 기판(110)의 가장자리 부분에 정의될 수 있다. 일 예에 따르면, 비표시 영역(NA)은 적어도 하나의 패드 전극을 갖는 패드 영역을 포함할 수 있다.
픽셀 어레이층(190)은 박막 트랜지스터층 및 발광 소자층을 포함한다. 박막 트랜지스터층은 박막 트랜지스터, 게이트 절연막, 층간 절연막, 보호막, 평탄화층을 포함할 수 있다. 그리고, 발광 소자층은 복수의 유기 발광 소자 및 복수의 뱅크를 포함할 수 있다. 픽셀 어레이층(190)의 구체적인 구성은 이하의 도 2 및 도 5에서 상세히 설명한다.
표시 구동 회로부(210)는 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 마련된 패드부에 연결되어 디스플레이 구동 시스템으로부터 공급되는 영상 데이터에 대응되는 영상을 각 픽셀에 표시할 수 있다. 일 예에 따르면, 표시 구동 회로부(210)는 복수의 회로 필름(211), 복수의 데이터 구동 집적 회로(213), 인쇄 회로 기판(215) 및 타이밍 제어부(217)를 포함할 수 있다.
복수의 회로 필름(211) 각각의 일측에 마련된 입력 단자들은 필름 부착 공정에 의해 인쇄 회로 기판(215)에 부착되고, 복수의 회로 필름(211) 각각의 타측에 마련된 출력 단자들은 필름 부착 공정에 의해 패드부에 부착될 수 있다. 일 예에 따르면, 복수의 회로 필름(211) 각각은 표시 장치(100)의 베젤 영역을 감소시키기 위하여 연성 회로 필름으로 구현되어 벤딩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 회로 필름(211)은 TCP(Tape Carrier Package) 또는 COF(Chip On Flexible Board 또는 Chip On Film)로 이루어질 수 있다.
복수의 데이터 구동 집적 회로(213) 각각은 복수의 회로 필름(211) 각각에 개별적으로 실장될 수 있다. 이러한 복수의 데이터 구동 집적 회로(213) 각각은 타이밍 제어부(217)로부터 제공되는 픽셀 데이터와 데이터 제어 신호를 수신하고, 데이터 제어 신호에 따라 픽셀 데이터를 아날로그 형태의 픽셀별 데이터 신호로 변환하여 해당하는 데이터 라인에 공급할 수 있다.
인쇄 회로 기판(215)은 타이밍 제어부(217)를 지지하고, 표시 구동 회로부(210)의 구성들 간의 신호 및 전원을 전달할 수 있다. 인쇄 회로 기판(215)은 각 픽셀에 영상을 표시하기 위해 타이밍 제어부(217)로부터 공급되는 신호와 구동 전원을 복수의 데이터 구동 집적 회로(213) 및 스캔 구동 회로부(220)에 제공할 수 있다. 이를 위해, 신호 전송 배선과 각종 전원 배선이 인쇄 회로 기판(215) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 인쇄 회로 기판(215)은 회로 필름(211)의 개수에 따라 하나 이상으로 구성될 수 있다.
타이밍 제어부(217)는 인쇄 회로 기판(215)에 실장되고, 인쇄 회로 기판(215)에 마련된 유저 커넥터를 통해 디스플레이 구동 시스템으로부터 제공되는 영상 데이터와 타이밍 동기 신호를 수신할 수 있다. 타이밍 제어부(217)는 타이밍 동기 신호에 기초해 영상 데이터를 픽셀 배치 구조에 알맞도록 정렬하여 픽셀 데이터를 생성하고, 생성된 픽셀 데이터를 해당하는 데이터 구동 집적 회로(213)에 제공할 수 있다. 그리고, 타이밍 제어부(217)는 타이밍 동기 신호에 기초해 데이터 제어 신호와 스캔 제어 신호 각각을 생성하고, 데이터 제어 신호를 통해 복수의 데이터 구동 집적 회로(213) 각각의 구동 타이밍을 제어하고, 스캔 제어 신호를 통해 스캔 구동 회로부(220)의 구동 타이밍을 제어할 수 있다. 여기에서, 스캔 제어 신호는 복수의 회로 필름(211) 중 첫번째 또는/및 마지막 연성 회로 필름과 기판(110)의 비표시 영역(NA)을 통해서 해당하는 스캔 구동 회로부(220)에 공급될 수 있다.
스캔 구동 회로부(220)는 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 마련될 수 있다. 스캔 구동 회로부(220)는 표시 구동 회로부(210)로부터 제공되는 스캔 제어 신호에 따라 스캔 신호를 생성하고, 설정된 순서에 해당하는 스캔 라인에 공급할 수 있다. 일 예에 따르면, 스캔 구동 회로부(220)는 박막 트랜지스터와 함께 기판(110)의 비표시 영역(NA)에 형성될 수 있다.
도 2는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 일 예이고, 도 3은 도 2의 C 영역의 확대도이다. 그리고, 도 4는 도 1의 A 영역의 확대도이다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 표시 장치(100)는 기판(110), 차광층(LS), 버퍼층(120), 박막 트랜지스터(T), 게이트 절연막(130), 층간 절연막(140), 보호층(150), 평탄화층(160), 유기 발광 소자(E), 뱅크(B), 봉지층(170), 전도성 차광 패턴(LSP), 컬러 필터(CF), 제1 및 제2 보조 전원 라인(EVSS1, EVSS2), 보조 배선(AL), 컨택 패드(CP), 신호 패드(SP), 패드 보조 전극(PAE), 패드 전극(PE), 및 저장 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
기판(110)은 베이스 기판으로서, 구부리거나 휠 수 있는 투명 플렉서블 기판일 수 있다. 일 예에 따르면, 기판(110)은 투명 폴리이미드(Polyimide) 재질을 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않고 폴리에틸렌 테레프탈레이드 (Polyethylene terephthalate) 등의 투명 플라스틱 재질로 이루어질 수 있다. 그리고, 폴리이미드 재질의 기판(110)은 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다.
일 예에 따르면, 기판(110)은 글라스 기판일 수 있다. 예를 들어, 기판(110)은 이산화규소(SiO2) 또는 산화알루미늄(Al2O3)을 주성분으로서 포함할 수 있다.
차광층(LS)은 박막 트랜지스터(T)와 중첩되도록 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 차광층(LS)은 기판(110) 상에 금속을 증착한 후 노광 패터닝을 수행하여 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 차광층(LS)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr) 및 은(Ag) 등의 금속 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않고 당업계에 공지된 다양한 재료로 구현될 수 있다. 그리고, 차광층(LS)은 하부 차광층(LS1) 및 상부 차광층(LS2)을 포함할 수 있다.
하부 차광층(LS1)은 기판(110)과 상부 차광층(LS2) 사이에 형성되어 기판(110)과 상부 차광층(LS2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 차광층(LS1)은 상부 차광층(LS2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 차광층(LS2)은 하부 차광층(LS1)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상부 차광층(LS2)은 하부 차광층(LS1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부 차광층(LS2)은 차광층(LS)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 차광층(LS1)보다 두껍게 형성될 수 있다.
버퍼층(120)은 기판(110) 및 차광층(LS) 상에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 버퍼층(120)은 복수의 무기막이 적층되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 버퍼층(120)은 실리콘 산화막(SiOx), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘 산질화막(SiON) 중 하나 이상의 무기막이 적층된 다중막으로 형성될 수 있다. 이러한 버퍼층은 기판(110)을 통해 유기 발광 소자에 침투하는 수분을 차단하기 위하여, 기판(110)의 상면 전체에 형성될 수 있다. 따라서, 버퍼층(120)은 복수의 무기막을 포함함으로써, 패널의 수분 투습도(WVTR, Water Vapor Transmission Rate)를 향상시킬 수 있다.
박막 트랜지스터(T)는 표시 영역(AA)에서 버퍼층(120) 상에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 박막 트랜지스터(T)는 액티브층(ACT), 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE), 및 드레인 전극(DE)을 포함할 수 있다.
액티브층(ACT)은 기판(110)의 표시 영역(AA)에 마련될 수 있다. 액티브층(ACT)은 버퍼층(120) 상에 배치되고, 게이트 전극(GE), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 중첩될 수 있다. 액티브층(ACT)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 직접 접촉하고, 게이트 전극(GE)과 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 마주할 수 있다.
일 예에 따르면, 액티브층(ACT)은 채널 영역(ACT1) 및 소스/드레인 영역(ACT2)을 포함할 수 있다. 채널 영역(ACT1)은 액티브층(ACT)의 중앙 영역에 형성되고, 소스/드레인 영역(ACT2)은 채널 영역(ACT1)을 사이에 두고 서로 나란하게 형성될 수 있다. 채널 영역(ACT1)은 게이트 전극(GE)과 중첩되고, 소스/드레인 영역(ACT2)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 중첩될 수 있다.
게이트 절연막(130)은 액티브층(ACT) 상에 마련될 수 있다. 그리고, 게이트 절연막(130)은 버퍼층(120) 상에 마련될 수 있다. 구체적으로, 게이트 절연막(130)은 액티브층(ACT)의 채널 영역(ACT1) 상에 배치될 수 있고, 액티브층(ACT)과 게이트 전극(GE)을 절연시킬 수 있다.
게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(130) 상에 마련될 수 있다. 게이트 전극(GE)은 게이트 절연막(130)을 사이에 두고, 액티브층(ACT)의 채널 영역(ACT1)과 중첩될 수 있다.
일 예에 따르면, 게이트 전극(GE)은 하부 게이트 전극(GE1) 및 상부 게이트 전극(GE2)을 포함할 수 있다.
하부 게이트 전극(GE1)은 게이트 절연막(130)과 상부 게이트 전극(GE2) 사이에 형성되어 게이트 절연막(130)과 상부 게이트 전극(GE2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있고, 상부 게이트 전극(GE2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 게이트 전극(GE2)은 하부 게이트 전극(GE1)의 상면에 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 상부 게이트 전극(GE2)의 두께는 하부 게이트 전극(GE1)의 두께보다 두껍게 형성됨으로써, 게이트 전극(GE)의 전체 저항이 감소할 수 있다.
층간 절연막(140)은 게이트 전극(GE) 상에 마련될 수 있다. 그리고, 층간 절연막(140)은 게이트 절연막(130) 및 버퍼층(120) 상에 마련될 수 있다. 층간 절연막(140)은 박막 트랜지스터(T)를 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 층간 절연막(140)은 액티브층(ACT)과 소스 전극(SE) 또는 드레인 전극(DE)을 접촉시키기 위하여 해당 영역이 제거될 수 있다. 예를 들어, 층간 절연막(140)은 소스 전극(SE)이 관통하는 컨택홀, 및 드레인 전극(DE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다.
소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(140) 상에서 서로 이격되어 마련될 수 있다. 소스 전극(SE)은 층간 절연막(140)에 마련된 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)의 소스/드레인 영역(ACT2)의 일단과 접촉하고, 드레인 전극(DE)은 층간 절연막(140)에 마련된 컨택홀을 통해 액티브층(ACT)의 소스/드레인 영역(ACT2)의 타단과 접촉할 수 있다. 그리고, 소스 전극(SE)은 보호층(150)의 컨택홀 및 평탄화층(160)의 컨택홀을 통해 애노드 전극(AE)과 직접 접촉할 수 있다.
일 예에 따르면, 소스 전극(SE)은 하부 소스 전극(SE1) 및 상부 소스 전극(SE2)을 포함할 수 있다.
하부 소스 전극(SE1)은 층간 절연막(140)과 상부 소스 전극(SE2) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 상부 소스 전극(SE2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 소스 전극(SE1)은 상부 소스 전극(SE2)의 하면을 보호함으로써 상부 소스 전극(SE2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 소스 전극(SE2)은 하부 소스 전극(SE1)의 상면에 형성될 수 있다. 상부 소스 전극(SE2)은 하부 소스 전극(SE1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상부 소스 전극(SE2)의 두께는 소스 전극(SE)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 소스 전극(SE1)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
일 예에 따르면, 드레인 전극(DE)은 하부 드레인 전극(DE1) 및 상부 드레인 전극(DE2)을 포함할 수 있다.
하부 드레인 전극(DE1)은 층간 절연막(140)과 상부 드레인 전극(DE2) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 상부 드레인 전극(DE2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있고, 상부 드레인 전극(DE2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 드레인 전극(DE2)은 하부 드레인 전극(DE1)의 상면에 형성될 수 있다. 상부 드레인 전극(DE2)은 하부 드레인 전극(DE1)보다 두껍게 형성되어, 드레인 전극(DE)의 전체 저항을 감소시킬 수 있다.
보호층(150)은 층간 절연막(140), 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE) 상에 마련될 수 있다. 보호층(150)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)을 보호하는 기능을 수행할 수 있다. 보호층(150)은 애노드 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 보호층(150)의 컨택홀은 애노드 전극(AE)을 관통시키기 위하여 평탄화층(160)의 컨택홀과 연결될 수 있다.
평탄화층(160)은 기판(110) 상에 배치되고, 표시 영역(AA)에 배치된 박막 트랜지스터(T)를 덮을 수 있다. 구체적으로, 평탄화층(160)은 보호층(150) 상에 마련되어, 박막 트랜지스터(T)의 상단을 평탄화시킬 수 있다. 일 예에 따르면, 애노드 전극(AE)과 컨택 패드(CP)는 평탄화층(160)의 상단에서 서로 이격되게 마련될 수 있다. 예를 들어, 평탄화층(160)은 애노드 전극(AE)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 여기에서, 평탄화층(160)의 컨택홀은 애노드 전극(AE)을 관통시키기 위하여 보호층(150)의 컨택홀과 연결될 수 있다.
유기 발광 소자(E)는 표시 영역(AA)의 평탄화층(160) 상에 배치되고, 박막 트랜지스터(T)와 전기적으로 연결될 수 있다. 유기 발광 소자(E)는 애노드 전극(AE), 발광층(EL), 및 캐소드 전극(CE)을 포함할 수 있다.
도 4에서, 애노드 전극(AE)은 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA)에 배치될 수 있다. 구체적으로, 애노드 전극(AE)은 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA)를 정의하는 뱅크(B)에 의해 둘러싸일 수 있다. 애노드 전극(AE)의 일부는 뱅크(B)에 의해 덮일 수 있고, 애노드 전극(AE)의 다른 일부는 뱅크(B)에 의해 덮이지 않고 개구부(OA)를 통해 노출될 수 있다.
애노드 전극(AE)은 표시 영역(AA)의 평탄화층(160) 상에 마련되고, 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(SE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 애노드 전극(AE)은 평탄화층(160)에 마련된 컨택홀을 통해 박막 트랜지스터(T)의 소스 전극(SE)에 접촉될 수 있다. 애노드 전극(AE)은 제1 애노드 전극(AE1), 제2 애노드 전극(AE2), 및 제3 애노드 전극(AE3)을 포함할 수 있다.
제1 애노드 전극(AE1)은 평탄화층(160)의 평탄면 상에 마련될 수 있다. 구체적으로, 제1 애노드 전극(AE1)의 산화도는 제2 애노드 전극(AE2)의 산화도보다 낮을 수 있다.
제2 애노드 전극(AE2)은 제1 애노드 전극(AE1)과 제3 애노드 전극(AE3) 사이에 형성될 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 애노드 전극(AE2)은 제1 애노드 전극(AE1)과 제3 애노드 전극(AE3)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 제2 애노드 전극(AE2)은 애노드 전극(AE)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 애노드 전극(AE1)과 제3 애노드 전극(AE3) 각각보다 두껍게 형성될 수 있다.
제3 애노드 전극(AE3)은 제2 애노드 전극(AE2) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제3 애노드 전극(AE3)은 제2 애노드 전극(AE2)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제3 애노드 전극(AE3)은 제2 애노드 전극(AE2)의 상면을 덮도록 형성됨으로써 제2 애노드 전극(AE2)이 부식되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제3 애노드 전극(AE3)의 산화도는 제2 애노드 전극(AE2)의 산화도보다 낮을 수 있다. 그리고, 제3 애노드 전극(AE3)은 제2 애노드 전극(AE2)보다 내식성이 강한 물질로 이루어질 수 있다.
발광층(EL)은 애노드 전극(AE)과 컨택 패드(CP) 상에 마련될 수 있다. 발광층(EL)은 픽셀 영역별로 구분되지 않고 전체 픽셀에 공통되도록 형성될 수 있다. 예를 들어, 발광층(EL)은 정공 수송층(Hole transporting layer), 발광층(Organic light emitting layer), 전자 수송층(Electron transporting layer)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 발광층(EL)은 발광층의 발광 효율 및 수명 등을 향상시키기 위한 적어도 하나 이상의 기능층을 더 포함할 수 있다. 그리고, 컨택 패드(CP) 상에 배치된 발광층(EL)은 컨택 패드(CP)와 캐소드 전극(CE) 간의 캐소드 컨택을 위해 제거될 수 있다.
캐소드 전극(CE)은 발광층(EL) 상에 마련될 수 있다. 캐소드 전극(CE)은 픽셀 영역별로 구분되지 않고 전체 픽셀에 공통되는 전극 형태로 구현될 수 있다. 일 예에 따르면, 캐소드 전극(CE)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어질 수 있다.
뱅크(B)는 표시 영역(AA)에서 평탄화층(160) 상에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 뱅크(B)는 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA) 사이에 배치됨으로써, 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA)를 정의할 수 있다. 예를 들어, 뱅크(B)는 애노드 전극(AE)의 일부를 덮을 수 있고, 뱅크(B)에 의해 덮이지 않는 애노드 전극(AE)의 다른 일부는 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA)를 통해 노출될 수 있다. 그리고, 뱅크(B)는 애노드 전극(AE) 및 컨택 패드(CP) 사이에 배치되어, 인접한 애노드 전극(AE)과 컨택 패드(CP)를 전기적으로 절연할 수 있다.
봉지층(170)은 복수의 픽셀 각각의 개구부(OA)와 뱅크(B)를 덮을 수 있다. 일 예에 따르면, 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)의 상단 전체에 마련될 수 있다. 봉지층(170)은 외부에서 유입될 수 있는 수분 등의 침투를 막아 발광층(EL)의 열화를 방지할 수 있다. 일 예에 따르면, 봉지층(170)은 적어도 하나의 무기막, 적어도 하나의 유기막, 및 투명 도전층의 조합으로 이루어질 수 있다.
봉지층(170)은 제1 봉지층(171), 투명 도전층(172), 및 제2 봉지층(173)을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE)을 덮을 수 있고, 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(171)은 이산화 실리콘(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiON) 또는 이들의 다중층으로 이루어진 무기막일 수 있다.
투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)과 제2 봉지층(173) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)을 덮으면서 표시 영역(AA)의 외곽까지 연장될 수 있다. 그리고, 투명 도전층(172)은 표시 영역(AA)의 전면(Full surface)을 덮으면서, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 투명 도전층(172)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어질 수 있다.
투명 도전층(172)은 패드 영역(PA)에서 패드 보조 전극(PAE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 보호층(150)은 패드 영역(PA)에 배치된 패드 보조 전극(PAE) 상에 마련될 수 있고, 투명 도전층(172)은 패드 영역(PA)에서 보호층(150) 상에 직접 배치될 수 있다. 그리고, 보호층(150)은 투명 도전층(172)이 관통하는 컨택홀을 포함할 수 있다. 따라서, 투명 도전층(172)은 보호층(150)에 마련된 컨택홀을 통해 패드 보조 전극(PAE)과 접촉될 수 있다. 결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 패드 보조 전극(PAE)과 전기적으로 연결시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
투명 도전층(172)은 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE) 상에 마련되고, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171) 상에 마련될 수 있다. 그리고, 제1 봉지층(171)은 투명 도전층(172)이 관통하는 컨택홀(CNT)을 포함할 수 있다. 따라서, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)에 마련된 컨택홀(CNT)을 통해 캐소드 전극(CE)과 접촉될 수 있다. 결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
제2 봉지층(173)은 투명 도전층(172)의 상면 전체를 덮을 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 봉지층(173)은 저온 공정을 통해 투명 도전층(172) 상에 형성됨으로써, 제1 봉지층(171), 투명 도전층(172), 및 유기 발광 소자(E)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지층(173)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 또는 폴리이미드계 수지(polyimides resin)로 이루어진 유기막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
일 예에 따르면, 제2 봉지층(173)은 저온 공정을 통해 투명 도전층을 포함하는 투명 도전층(172) 상에 마련될 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(171)의 형성 과정에서 이물질이 침투하는 경우, 제1 봉지층(171)의 일부가 제거되어 유기 발광 소자(E)의 상면 일부가 노출될 수 있다. 이 때, 제1 봉지층(171) 상에 무기막이 적층되는 경우, 제1 봉지층(171) 상에 마련된 무기막은 이물질에 의하여 유기 발광 소자(E)의 노출면을 모두 덮지 못할 수 있다. 그리고, 유기 발광 소자(E)의 노출면 상에 제2 봉지층(173)을 형성하기 위한 저온 공정이 진행되는 경우, 유기 발광 소자(E)가 손상될 수 있다.
따라서, 본 출원에 따른 표시 장치는 투명 도전층(172)을 통해 이물질과 유기 발광 소자(E)의 노출된 상면을 모두 덮음으로써, 제1 봉지층(171)의 결함을 보완할 수 있다. 결과적으로, 투명 도전층(172)은 제2 봉지층(173)을 형성하기 위한 저온 공정 시에 유기 발광 소자(E)를 보호할 수 있고, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 출원에 따른 표시 장치는 저온 공정을 통해 제2 봉지층(173)을 형성함으로써, 열 안정성이 취약한 플라스틱 필름을 사용하여 제조될 수 있다.
전도성 차광 패턴(LSP)은 봉지층(170) 상에서 뱅크(B)와 중첩되게 배치될 수 있다. 구체적으로, 전도성 차광 패턴(LSP)은 제2 봉지층(173) 상에 배치될 수 있고, 유기 발광 소자(E)의 개구부(OA)를 정의하는 뱅크(B)와 중첩될 수 있다.
도 4에서, 전도성 차광 패턴(LSP)은 유기 발광 소자(E)의 개구부(OA)와 중첩되지 않도록 제2 봉지층(173) 상에서 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 전도성 차광 패턴(LSP)은 복수의 픽셀 영역 각각의 개구부(OA)를 이격되게 둘러싸는 메쉬(Mesh) 구조로 형성되어, 뱅크(B)와 중첩될 수 있다.
그리고, 전도성 차광 패턴(LSP)은 서로 인접한 컬러 필터들(CF)의 사이에 배치되어, 컬러 필터(CF) 각각을 구획할 수 있다. 이와 같이, 전도성 차광 패턴(LSP)은 복수의 유기 발광 소자(E) 각각의 개구부를 둘러쌀 수 있고, 박막 트랜지스터(T)에 입사되는 광을 차단할 수 있다. 그리고, 전도성 차광 패턴(LSP)은 유기 발광 소자(E)에서 방출된 광이 비표시 영역(NA)으로 새어나가는 것을 차단하여 명암비의 감소를 방지할 수 있다. 따라서, 전도성 차광 패턴(LSP)은 픽셀 어레이층(190)의 개구율 및 투과성을 향상시킴으로써, 소비 전력을 감소시키고 휘도를 향상시킬 수 있다. 그리고, 전도성 차광 패턴(LSP)은 복수의 유기 발광 소자(E) 각각에서 방출된 광이 서로 혼합되는 것을 방지함으로써, 빛샘 및 시감 저하 현상을 개선할 수 있다.
전도성 차광 패턴(LSP)은 투명 도전층(172)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 제2 봉지층(173)은 투명 도전층(172) 상에 마련되고, 전도성 차광 패턴(LSP)은 제2 봉지층(173) 상에서 패터닝될 수 있다. 그리고, 제2 봉지층(173)은 전도성 차광 패턴(LSP)이 관통하는 컨택홀(CNT)을 포함할 수 있다. 따라서, 전도성 차광 패턴(LSP)은 제2 봉지층(173)에 마련된 컨택홀(CNT)을 통해 투명 도전층(172)과 접촉될 수 있다. 결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 전도성 차광 패턴(LSP)과 전기적으로 연결시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
그리고, 본 출원에 따른 표시 장치는 투명 도전층(172)을 표시 영역(AA) 내에 패터닝된 전도성 차광 패턴(LSP)에 전기적으로 연결시킴으로써, 표시 영역(AA)의 곳곳에서 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE)의 등전위를 유지할 수 있으므로, 대면적 표시 장치에서도 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 출원에 따른 표시 장치는 투명 도전층(172)의 플로팅을 방지하는 전도성 차광 패턴(LSP)이 블랙 매트릭스의 역할을 수행함으로써, 제품의 구성을 간소화하고 비용을 절감할 수 있다.
컬러 필터(CF)는 제2 봉지층(173) 상에 형성될 수 있고, 전도성 차광 패턴(LSP)으로 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 컬러 필터(CF)는 평면 상에서 전도성 차광 패턴(LSP)으로 둘러싸이고, 전도성 차광 패턴(LSP)의 상면 일부를 덮을 수 있다. 그리고, 컬러 필터(CF)는 복수의 픽셀 영역 각각의 개구부와 중첩될 수 있다. 예를 들어, 복수의 컬러 필터(CF) 각각은 복수의 유기 발광 소자(E) 각각에 대응하도록 서로 이격되게 배치될 수 있다. 다른 예를 들어, 인접한 컬러 필터들(CF) 각각은 복수의 유기 발광 소자(E) 각각에 대응하면서 서로 접촉할 수 있다. 컬러 필터(CF)는 유기 발광 소자(E)에 대응되게 배치되어, 유기 발광 소자(E)에서 방출되는 백색 광의 색을 변환시킬 수 있다. 예를 들어, 복수의 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터로 이루어질 수 있다. 따라서, 복수의 서브 픽셀 중 적색 서브 픽셀, 녹색 서브 픽셀, 및 청색 서브 픽셀은 컬러 필터(CF)를 포함할 수 있고, 백색 서브 픽셀은 컬러 필터 없이 구현될 수 있다.
제1 보조 전원 라인(EVSS1)은 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결되고, 게이트 전극(GE)과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제1 보조 전원 라인(EVSS1)은 게이트 절연막(130) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 보조 전원 라인(EVSS1)은 버퍼층(120)과 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 제2 보조 전원 라인(EVSS2)과 중첩될 수 있다. 제1 보조 전원 라인(EVSS1)은 하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)과 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb)을 포함할 수 있다. 이러한 제1 보조 전원 라인(EVSS1)은 기판(110)의 일측 가장자리에 배치된 패드 전극(PE)을 통해 표시 구동 회로부(210)로부터 공급되는 저전위 전압을 컨택 패드(CP)에 제공할 수 있다.
하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)은 게이트 절연막(130)과 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb) 사이에 형성되어 게이트 절연막(130)과 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)은 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb)은 하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb)은 하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부 제1 보조 전원 라인(EVSSb)은 제1 보조 전원 라인(EVSS1)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 제1 보조 전원 라인(EVSSa)보다 두껍게 형성될 수 있다.
제2 보조 전원 라인(EVSS2)은 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결되고, 차광층(LS)과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 구체적으로, 제2 보조 전원 라인(EVSS2)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 보조 전원 라인(EVSS2)은 버퍼층(120)과 게이트 절연막(130)을 사이에 두고 제1 보조 전원 라인(EVSS1)과 중첩될 수 있다. 제2 보조 전원 라인(EVSS2)은 하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)과 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd)을 포함할 수 있다. 이러한 제2 보조 전원 라인(EVSS2)은 기판(110)의 일측 가장자리에 배치된 패드 전극(PE)을 통해 표시 구동 회로부(210)로부터 공급되는 저전위 전압을 컨택 패드(CP)에 제공할 수 있다.
이와 같이, 제1 및 제2 보조 전원 라인(EVSS1, EVSS2)은 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결됨으로써, 컨택 패드(CP)와 연결되는 전극들의 두께의 합을 증가시킬 수 있다. 따라서, 제1 및 제2 보조 전원 라인(EVSS1, EVSS2)은 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결됨으로써, 컨택 패드(CP)와 연결되는 전극들의 전체 저항을 감소시킬 수 있다.
하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)은 기판(110)과 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd) 사이에 형성되어 기판(110)과 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)은 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd)은 하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd)은 하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부 제2 보조 전원 라인(EVSSd)은 제2 보조 전원 라인(EVSS2)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 제2 보조 전원 라인(EVSSc)보다 두껍게 형성될 수 있다.
보조 배선(AL)은 층간 절연막(140) 상에서 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 서로 이격되게 배치될 수 있다. 그리고, 보조 배선(AL)은 층간 절연막(140) 상에서 패드 영역(PA)에 배치된 패드 보조 전극(PAE)과 서로 이격되게 배치될 수 있다. 즉, 보조 배선(AL)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 및 패드 보조 전극(PAE)과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 보조 배선(AL)은 보호층(150)과 평탄화층(160)에 마련된 컨택홀을 통해 컨택 패드(CP)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 보조 배선(AL)은 보호층(150)과 평탄화층(160)에 마련된 컨택홀을 통해 컨택 패드(CP)와 접촉되고, 층간 절연막(140)에 마련된 컨택홀을 통해 제1 보조 전원 라인(EVSS1)과 접촉되며, 층간 절연막(140)과 버퍼층(120)에 마련된 컨택홀을 통해 제2 보조 전원 라인(EVSS2)과 접촉될 수 있다. 따라서, 컨택 패드(CP)와 연결된 보조 배선(AL)은 제1 및 제2 보조 전원 라인(EVSS1, EVSS2) 각각과 전기적으로 연결됨으로써, 컨택 패드(CP)와 연결되는 전극들의 두께의 합을 증가시킬 수 있다. 따라서, 보조 배선(AL)은 제1 및 제2 보조 전원 라인(EVSS1, EVSS2) 각각과 전기적으로 연결됨으로써, 컨택 패드(CP)와 연결되는 전극들의 전체 저항을 감소시킬 수 있다.
보조 배선(AL)은 하부 보조 배선(AL1) 및 상부 보조 배선(AL2)을 포함할 수 있다.
하부 보조 배선(AL1)은 층간 절연막(140)과 상부 보조 배선(AL2) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 상부 보조 배선(AL2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 보조 배선(AL1)은 상부 보조 배선(AL2)의 하면을 보호함으로써 상부 보조 배선(AL2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 보조 배선(AL2)은 하부 보조 배선(AL1)의 상면에 형성될 수 있다. 상부 보조 배선(AL2)은 하부 보조 배선(AL1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상부 보조 배선(AL2)의 두께는 보조 배선(AL)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 보조 배선(AL1)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
컨택 패드(CP)는 표시 영역(AA)의 평탄화층(160) 상에 배치되고, 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 컨택 패드(CP)는 평탄화층(160)에 마련된 컨택홀을 통해 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 컨택 패드(CP)는 제1 금속막(CP1), 제2 금속막(CP2), 및 제3 금속막(CP3)을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 금속막(CP1) 및 제3 금속막(CP3)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어지고, 제2 금속막(CP2)은 몰리브덴 티타늄 합금(MoTi), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 및 티타늄(Ti) 중 하나로 이루어질 수 있다.
제1 금속막(CP1)은 평탄화층(160)의 평탄면 상에 마련될 수 있다. 구체적으로, 제1 금속막(CP1)의 산화도는 제2 금속막(CP2)의 산화도보다 낮을 수 있다.
제2 금속막(CP2)은 제1 금속막(CP1)과 제3 금속막(CP3) 사이에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 금속막(CP2)은 제1 금속막(CP1)과 제3 금속막(CP3)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 제2 금속막(CP2)은 컨택 패드(CP)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 금속막(CP1)과 제3 금속막(CP3) 각각보다 두껍게 형성될 수 있다.
제3 금속막(CP3)은 제2 금속막(CP2) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제3 금속막(CP3)은 제2 금속막(CP2)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제3 금속막(CP3)은 제2 금속막(CP2)의 상면을 덮도록 형성됨으로써 제2 금속막(CP2)이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
신호 패드(SP)는 버퍼층(120) 상에 형성될 수 있다. 예를 들어, 신호 패드(SP)는 게이트 전극(GE)과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 신호 패드(SP)는 하부 신호 패드(SP1) 및 상부 신호 패드(SP2)를 포함할 수 있다.
하부 신호 패드(SP1)는 버퍼층(120)과 상부 신호 패드(SP2) 사이에 형성되어 버퍼층(120)과 상부 신호 패드(SP2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 신호 패드(SP1)는 상부 신호 패드(SP2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 신호 패드(SP2)는 하부 신호 패드(SP1)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 상부 신호 패드(SP2)는 하부 신호 패드(SP1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 상부 신호 패드(SP2)는 신호 패드(SP)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 신호 패드(SP1)보다 두껍게 형성될 수 있다.
패드 보조 전극(PAE)은 패드 영역(PA)에 배치되어 적어도 하나의 패드 전극(PE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 패드 보조 전극(PAE)은 층간 절연막(140) 상에서 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 서로 이격되게 배치될 수 있다. 즉, 패드 보조 전극(PAE)은 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 패드 보조 전극(PAE)은 신호 패드(SP) 및 패드 전극(PE) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 패드 보조 전극(PAE)은 층간 절연막(140)에 마련된 컨택홀을 통해 신호 패드(SP)와 접촉할 수 있고, 보호층(150)에 마련된 컨택홀을 통해 패드 전극(PE)과 접촉할 수 있다.
패드 보조 전극(PAE)은 패드 영역(PA)에서 투명 도전층(172)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 패드 보조 전극(PAE)은 보호층(150)에 마련된 컨택홀을 관통한 투명 도전층(172)과 접촉될 수 있다. 이러한 패드 보조 전극(PAE)은 패드 영역(PA)에 배치된 패드 전극(PE)을 통해 표시 구동 회로부(210)로부터 공급되는 저전위 전압을 투명 도전층(172)에 제공할 수 있다. 따라서, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 패드 보조 전극(PAE)과 전기적으로 연결시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
패드 보조 전극(PAE)은 하부 패드 보조 전극(PAE1) 및 상부 패드 보조 전극(PAE2)을 포함할 수 있다.
하부 패드 보조 전극(PAE1)은 층간 절연막(140)과 상부 패드 보조 전극(PAE2) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 상부 패드 보조 전극(PAE2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 하부 패드 보조 전극(PAE1)은 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 하면을 보호함으로써 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
상부 패드 보조 전극(PAE2)은 하부 패드 보조 전극(PAE1)의 상면에 형성될 수 있다. 상부 패드 보조 전극(PAE2)은 하부 패드 보조 전극(PAE1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 두께는 패드 보조 전극(PAE)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 하부 패드 보조 전극(PAE1)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
패드 전극(PE)은 보호층(150) 상에 형성될 수 있고, 애노드 전극(AE) 및 컨택 패드(CP)와 동일한 물질로 이루어질 수 있다. 그리고, 패드 전극(PE)은 패드 보조 전극(PAE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 패드 전극(PE)은 보호층(150)에 마련된 컨택홀을 통하여 패드 보조 전극(PAE)과 접촉할 수 있다. 패드 전극(PE)은 제1 패드 전극(PE1), 제2 패드 전극(PE2), 및 제3 패드 전극(PE3)을 포함할 수 있다.
제1 패드 전극(PE1)은 보호층(150) 상에 마련될 수 있다. 그리고, 제1 패드 전극(PE1)은 보호층(150)의 컨택홀을 통해 노출된 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 상면을 덮도록 형성됨으로써 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 부식을 방지할 수 있다. 따라서, 제1 패드 전극(PE1)이 상부 패드 보조 전극(PAE2)의 부식을 방지할 수 있기 때문에, 패드 보조 전극(PAE)은 전술한 2층 구조로 형성될 수 있다.
제2 패드 전극(PE2)은 제1 패드 전극(PE1)과 제3 패드 전극(PE3) 사이에 배치될 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 패드 전극(PE2)은 제1 패드 전극(PE1)과 제3 패드 전극(PE3)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 제2 패드 전극(PE2)은 패드 전극(PE)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 패드 전극(PE1) 및 제3 패드 전극(PE3) 각각보다 두껍게 형성될 수 있다.
제3 패드 전극(PE3)은 제2 패드 전극(PE2) 상에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제3 패드 전극(PE3)은 제2 패드 전극(PE2)이 외부로 노출되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 제3 패드 전극(PE3)은 제2 패드 전극(PE2)의 상면을 덮도록 형성됨으로써 제1 패드 전극(PE1)이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
저장 커패시터(Cst)는 하부 커패시터 전극(BC), 중앙 커패시터 전극(MC), 및 상부 커패시터 전극(TC)을 포함할 수 있다. 구체적으로, 하부 커패시터 전극(BC)과 중앙 커패시터 전극(MC)은 버퍼층(120)을 사이에 두고 서로 마주할 수 있고, 중앙 커패시터 전극(MC)과 상부 커패시터 전극(TC)은 층간 절연막(140)을 사이에 두고 서로 마주할 수 있다. 따라서, 저장 커패시터(Cst)는 하부 커패시터 전극(BC)과 중앙 커패시터 전극(MC) 간에 커패시턴스를 형성하면서, 중앙 커패시터 전극(MC)과 상부 커패시터 전극(TC) 간에도 커패시턴스를 형성함으로써, 전체 커패시턴스를 증가시킬 수 있다.
하부 커패시터 전극(BC)은 제1 하부 커패시터 전극(BC1) 및 제2 하부 커패시터 전극(BC2)을 포함할 수 있다. 여기에서, 하부 커패시터 전극(BC)은 차광층(LS) 및 제2 보조 전원 라인(EVSS2) 각각과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 하부 커패시터 전극(BC1)은 기판(110)과 제2 하부 커패시터 전극(BC2) 사이에 형성되어 기판(110)과 제2 하부 커패시터 전극(BC2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 제1 하부 커패시터 전극(BC1)은 제2 하부 커패시터 전극(BC2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
제2 하부 커패시터 전극(BC2)은 제1 하부 커패시터 전극(BC1)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 하부 커패시터 전극(BC2)은 제1 하부 커패시터 전극(BC1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 하부 커패시터 전극(BC2)은 하부 커패시터 전극(BC)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 하부 커패시터 전극(BC1)보다 두껍게 형성될 수 있다.
중앙 커패시터 전극(MC)은 제1 중앙 커패시터 전극(MC1) 및 제2 중앙 커패시터 전극(MC2)을 포함할 수 있다. 여기에서, 중앙 커패시터 전극(MC)은 게이트 전극(GE) 및 제1 보조 전원 라인(EVSS1) 각각과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 중앙 커패시터 전극(MC1)은 버퍼층(120)과 제2 중앙 커패시터 전극(MC2) 사이에 형성되어 버퍼층(120)과 제2 중앙 커패시터 전극(MC2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 제1 중앙 커패시터 전극(MC1)은 제2 중앙 커패시터 전극(MC2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
제2 중앙 커패시터 전극(MC2)은 제1 중앙 커패시터 전극(MC1)의 상면에 형성될 수 있다. 구체적으로, 제2 중앙 커패시터 전극(MC2)은 제1 중앙 커패시터 전극(MC1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 그리고, 제2 중앙 커패시터 전극(MC2)은 제2 커패시터 전극의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 중앙 커패시터 전극(MC1)보다 두껍게 형성될 수 있다.
상부 커패시터 전극(TC)은 제1 상부 커패시터 전극(TC1) 및 제2 상부 커패시터 전극(TC2)을 포함할 수 있다. 여기에서, 상부 커패시터 전극(TC)은 소스 전극(SE), 드레인 전극(DE), 보조 배선(AL), 및 패드 보조 전극(PAE) 각각과 동일층에서 동일한 물질로 이루어질 수 있다.
제1 상부 커패시터 전극(TC1)은 층간 절연막(140)과 제2 상부 커패시터 전극(TC2) 사이에 형성되어 층간 절연막(140)과 제2 상부 커패시터 전극(TC2) 사이의 접착력을 증진시킬 수 있다. 그리고, 제1 상부 커패시터 전극(TC1)은 제2 상부 커패시터 전극(TC2)의 하면을 보호함으로써 제2 상부 커패시터 전극(TC2)의 하면이 부식되는 것을 방지할 수 있다.
제2 상부 커패시터 전극(TC2)은 제1 상부 커패시터 전극(TC1)의 상면에 형성될 수 있다. 제2 상부 커패시터 전극(TC2)은 제1 상부 커패시터 전극(TC1)에 비하여 상대적으로 저항이 낮은 금속으로 이루어질 수 있다. 제2 상부 커패시터 전극(TC2)의 두께는 상부 커패시터 전극(TC)의 전체 저항을 줄이기 위하여, 제1 상부 커패시터 전극(TC1)의 두께보다 두껍게 형성될 수 있다.
도 5는 도 1의 절단선 I-I'의 단면도의 다른 예이고, 도 6은 도 5의 F 영역의 확대도이다. 여기에서, 도 5 및 도 6에 도시된 표시 장치는 도 2 및 도 3에 도시된 표시 장치와 봉지층(170)의 구성을 달리하는 것으로서, 전술한 구성과 동일한 구성은 간략히 설명하거나 생략하기로 한다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 봉지층(170)은 복수의 픽셀 각각의 개구부와 뱅크(B)를 덮을 수 있다. 일 예에 따르면, 봉지층(170)은 캐소드 전극(CE)의 상단 전체에 마련될 수 있다. 봉지층(170)은 외부에서 유입될 수 있는 수분 등의 침투를 막아 발광층(EL)의 열화를 방지할 수 있다. 일 예에 따르면, 봉지층(170)은 적어도 하나의 무기막, 적어도 하나의 유기막, 및 투명 도전층의 조합으로 이루어질 수 있다.
봉지층(170)은 제1 봉지층(171), 투명 도전층(172), 및 제2 봉지층(173)을 포함할 수 있다.
제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE) 상에 배치되고, 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 봉지층(171)은 표시 영역(AA)에 배치된 캐소드 전극(CE)의 전면(Full surface)을 덮을 수 있고, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 캐소드 전극(CE)의 끝단을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(CE)의 상면 끝단(CEa)과 측면(CEb)은 제1 봉지층(171)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(171)은 이산화 실리콘(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiON) 또는 이들의 다중층으로 이루어진 무기막일 수 있다.
투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)과 제2 봉지층(173) 사이에 배치될 수 있다. 구체적으로, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)을 덮으면서 표시 영역(AA)의 외곽까지 연장될 수 있다. 그리고, 투명 도전층(172)은 표시 영역(AA)의 전면(Full surface)을 덮으면서, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장되어, 캐소드 전극(CE)의 상면 끝단(CEa)과 측면(CEb)을 덮을 수 있다. 이와 같이, 제1 봉지층(171)이 캐소드 전극(CE)의 전면(Full surface)을 덮지 않는 경우, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)의 상면 끝단(171a)과 측면(171b)을 덮으면서, 캐소드 전극(CE)의 상면 끝단(CEa)과 측면(CEb)에 접촉될 수 있다. 따라서, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)이 형성되지 않은 영역에서 캐소드 전극(CE)과 직접 접촉하므로, 별도의 컨택홀 없이 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 즉, 본 출원에 따른 표시 장치는 별도의 컨택홀을 마련하기 위한 마스크 공정을 생략할 수 있고, 표시 장치의 제조 공정을 간략화하고 비용을 절감할 수 있다. 결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
제2 봉지층(173)은 투명 도전층(172)의 상면 전체를 덮을 수 있다. 일 예에 따르면, 제2 봉지층(173)은 저온 공정을 통해 투명 도전층(172) 상에 형성됨으로써, 제1 봉지층(171), 투명 도전층(172), 및 유기 발광 소자(E)를 보호할 수 있다. 예를 들어, 제2 봉지층(173)은 아크릴계 수지(acryl resin), 에폭시 수지(epoxy resin), 페놀 수지(phenolic resin), 폴리아미드계 수지(polyamides resin), 또는 폴리이미드계 수지(polyimides resin)로 이루어진 유기막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 7은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 일 예이다.
도 7을 참조하면, 보조 배선(AL)은 표시 영역(AA)을 지나면서 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장될 수 있다. 일 예에 따르면, 보조 배선(AL)은 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 보조 배선(AL)은 층간 절연막(140) 상에 배치될 수 있고, 보호층(150)은 보조 배선(AL) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 평탄화층(160)은 표시 영역(AA)에서 보호층(150) 상에 배치되며, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에 배치되지 않을 수 있다. 즉, 캐소드 전극(CE)은 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 보호층(150) 상에 배치될 수 있다. 이에 따라, 보호층(150)은 캐소드 전극(CE)이 관통하는 컨택홀(CNT)을 포함할 수 있고, 캐소드 전극(CE)은 보호층(150)에 마련된 컨택홀(CNT)을 통해 보조 배선(AL)과 접촉될 수 있다.
제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE) 상에 배치되고, 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 봉지층(171)은 표시 영역(AA)에 배치된 캐소드 전극(CE)의 전면(Full surface)을 덮을 수 있고, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 캐소드 전극(CE)의 끝단을 노출시킬 수 있다. 예를 들어, 캐소드 전극(CE)의 상면 끝단과 측면은 제1 봉지층(171)에 의해 덮이지 않고 노출될 수 있다.
투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)을 덮으면서 표시 영역(AA)의 외곽까지 연장될 수 있다. 그리고, 투명 도전층(172)은 표시 영역(AA)의 전면(Full surface)을 덮으면서, 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장되어, 제1 봉지층(171)의 상면 끝단과 측면을 덮을 수 있다. 이와 같이, 제1 봉지층(171)이 캐소드 전극(CE)의 전면(Full surface)을 덮지 않는 경우, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)의 상면 끝단과 측면을 덮으면서, 캐소드 전극(CE)에 접촉될 수 있다. 따라서, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)이 형성되지 않은 영역에서 캐소드 전극(CE)과 직접 접촉하므로, 별도의 컨택홀 없이 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결될 수 있다.
결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)을 캐소드 전극(CE)과 전기적으로 연결시키고, 캐소드 전극(CE)을 보조 배선(AL)에 전기적으로 시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
도 8은 도 1의 절단선 II-II'의 단면도의 다른 예이다.
도 8을 참조하면, 보조 배선(AL)은 표시 영역(AA)을 지나면서 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장될 수 있다. 일 예에 따르면, 보조 배선(AL)은 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 캐소드 전극(CE) 및 투명 도전층(172) 각각과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 보조 배선(AL)은 층간 절연막(140) 상에 배치될 수 있고, 보호층(150)은 보조 배선(AL) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 캐소드 전극(CE)은 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)에서 보호층(150) 상에 배치될 수 있다. 이러한 보호층(150)은 캐소드 전극(CE)이 관통하는 제1 컨택홀(CNT1) 및 투명 도전층(172)이 관통하는 제2 컨택홀(CNT2)을 포함할 수 있다. 따라서, 캐소드 전극(CE)은 제1 컨택홀(CNT1)을 통해 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결되고, 투명 도전층(172)은 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결됨으로써, 캐소드 전극(CE)과 투명 도전층(172) 각각은 서로 다른 지점에서 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE) 상에 배치되고, 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 일 예에 따르면, 제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE)의 전면(Full surface)을 덮을 수 있고, 제1 봉지층(171)의 전면(Full surface)은 투명 도전층(172)에 의해 덮일 수 있다. 그리고, 제1 봉지층(171)은 보호층(150)에 마련된 제1 컨택홀(CNT1)과 중첩될 수 있고, 보호층(150)에 마련된 제2 컨택홀(CNT2)과 중첩되지 않을 수 있다.
투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171)의 전면(Full surface)을 덮으면서 표시 영역(AA)의 외곽까지 연장될 수 있다. 그리고, 투명 도전층(172)은 패드 영역(PA) 또는 비표시 영역(NA)까지 연장될 수 있다. 예를 들어, 제1 봉지층(171)이 보호층(150)에 마련된 제2 컨택홀(CNT2)까지 연장되지 않으므로, 투명 도전층(172)은 제2 컨택홀(CNT2) 부근의 보호층(150)까지 연장되어 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이, 제1 봉지층(171)의 끝단이 제1 및 제2 컨택홀(CNT1, CNT2) 사이까지 연장되는 경우, 투명 도전층(172)은 보호층(150)에 마련된 제2 컨택홀(CNT2)을 통해 보조 배선(AL)과 전기적으로 연결될 수 있다.
결과적으로, 본 출원에 따른 표시 장치는 유기 발광 소자(E) 상에 마련된 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 각각을 보조 배선(AL)에 전기적으로 시킴으로써, 투명 도전층(172)과 캐소드 전극(CE) 사이에 커패시턴스가 발생하는 것을 방지하고, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지할 수 있다.
도 9는 도 2의 D 영역의 확대도의 일 예이고, 도 10은 도 2의 D 영역의 확대도의 다른 예이며, 도 11은 도 2의 D 영역의 확대도의 또 다른 예이다.
도 9를 참조하면, 전도성 차광 패턴(LSP)은 금속 전극 패턴(LSP1)으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 금속 전극 패턴(LSP1)은 봉지층(172)의 투명 도전층(172)과 연결됨으로써, 투명 도전층(172)이 전기적으로 플로팅되는 것을 방지하면서, 블랙 매트릭스의 역할을 수행할 수 있다. 또한, 전도성 차광 패턴(LSP)은 금속 전극 패턴(LSP1)으로 이루어짐으로써, 미세 패터닝이 가능하고 광 차단 효율이 우수할 수 있다.
도 10을 참조하면, 전도성 차광 패턴(LSP)은 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 차광 물질을 포함하는 수지 패턴은 블랙 수지(Black resin)를 패터닝함으로써 형성될 수 있다. 그리고, 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)은 투명 도전층(172)과 연결될 수 있고, 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)은 복수의 픽셀 각각의 개구부를 둘러쌈으로써, 복수의 유기 발광 소자(E) 각각에서 방출된 광이 서로 혼합되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 전도성 차광 패턴(LSP)은 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)으로 이루어짐으로써, 간단하게 가공될 수 있고 박막 트랜지스터(T)의 오작동을 방지할 수 있다.
도 11을 참조하면, 전도성 차광 패턴(LSP)은 봉지층(170) 상에 배치된 금속 전극 패턴(LSP1), 및 금속 전극 패턴(LSP1) 상에 배치되고 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)을 포함할 수 있다. 즉, 전도성 차광 패턴(LSP)은 금속 전극 패턴(LSP1), 및 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)을 포함함으로써, 미세 패터닝이 가능하고 광 차단 효율이 우수한 금속 전극 패턴(LSP1)의 장점과, 간단하게 가공될 수 있고 박막 트랜지스터(T)의 오작동을 방지할 수 있는 수지 패턴(LSP2)의 장점을 모두 포함할 수 있다. 따라서, 도 11에 도시된 전도성 차광 패턴(LSP)을 포함하는 표시 장치는 도 9 및 도 10에 도시된 표시 장치보다, 전도성 차광 패턴(LSP)의 두께를 감소시킬 수 있고 광 차단 효율을 더 향상시킬 수 있으며 박막 트랜지스터(T)의 오작동을 방지할 수 있다. 결과적으로, 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치는 다중층으로 구성된 전도성 차광 패턴(LSP)을 포함함으로써, 투명 도전층(172)의 플로팅을 방지하고 광이 누설되는 것을 방지할 수 있다.
도 12는 도 11에 도시된 제2 봉지층, 금속 전극 패턴, 및 수지 패턴의 적층 관계를 나타내는 도면이다.
도 12를 참조하면, 전도성 차광 패턴(LSP)은 봉지층(170) 상에 배치된 금속 전극 패턴(LSP1), 및 금속 전극 패턴(LSP1) 상에 배치되고 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 금속 전극 패턴(LSP1)은 봉지층(170)의 제2 봉지층(173) 상에 증착될 수 있고, 차광 물질을 포함하는 수지 패턴(LSP2)은 금속 전극 패턴(LSP1) 상에 포토 레지스트 공정을 통해 형성될 수 있다. 그리고, 전도성 차광 패턴(LSP)은 습식 식각(Wet etching) 공정을 통해 금속 전극 패턴(LSP1)을 식각할 수 있다. 여기에서, 습식 식각 공정은 수산화나트륨(NaOH), 수산화칼륨(KOH), 수산화암모늄(NH4OH), 또는 이들을 조합한 알칼리 화합물을 에칭액으로 사용함으로써, 금속 전극 패턴(LSP1)을 식각할 수 있다. 또한, 습식 식각 공정은 유기 발광 소자(E) 상에 봉지층(170)이 마련된 후 수행되기 때문에, 표시 장치의 신뢰성이 확보될 수 있다.
본 출원에 따른 표시 장치는 수지 패턴(LSP2)의 습식 식각 공정에서 금속 전극 패턴(LSP1)을 마스크의 용도로 사용함으로써, 별도의 마스크 공정을 추가하지 않고 금속 전극 패턴(LSP1)을 선택적으로 패터닝할 수 있다. 그리고, 금속 전극 패턴(LSP1)은 습식 식각 공정을 통해 식각됨으로써, 수지 패턴(LSP2)의 가장자리 양측에서 동일한 거리만큼 식각될 수 있다(d1=d2).
도 13은 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 투명 도전층의 효과를 설명하는 도면이다. 구체적으로, 도 13a는 제1 봉지층(1st PAS) 상에 배치된 제2 봉지층(2nd PAS)이 무기막(Inorganic film)으로 이루어진 구성을 나타내는 도면이고, 도 13b는 본 출원에 따른 표시 장치가 제1 봉지층(171) 및 투명 도전층(172)을 포함하는 구성을 나타내는 도면이다.
도 13a를 참조하면, 제1 봉지층(1st PAS)은 캐소드 전극(CE) 상에 배치될 수 있고, 제2 봉지층(2nd PAS)은 제1 봉지층(1st PAS) 상에 배치될 수 있으며, 제2 봉지층(2nd PAS)은 무기막(Inorganic film)으로 이루어질 수 있다.
이 때, 제1 봉지층(1st PAS)의 형성 과정에서 이물질(Foreign Material)이 침투하는 경우, 제1 봉지층(1st PAS)의 일부가 제거되어 캐소드 전극(CE)의 상면 일부가 노출될 수 있다. 그리고, 제1 봉지층(1st PAS) 상에 무기막을 포함하는 제2 봉지층(2nd PAS)이 적층되는 경우, 제2 봉지층(2nd PAS)은 이물질에 의하여 캐소드 전극(CE)의 노출면을 모두 덮지 못할 수 있다. 이에 따라, 캐소드 전극(CE)의 노출면 상에 제3 봉지층(미도시)를 형성하기 위한 저온 공정이 진행되는 경우, 유기 발광 소자(E)가 손상될 수 있다.
도 13b를 참조하면, 제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE) 상에 배치될 수 있고, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171) 상에 배치될 수 있으며, 투명 도전층(172)은 ITO(Indium Tin Oxide) 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)와 같은 투명 도전성 산화물(TCO)로 이루어질 수 있다.
예를 들어, 제1 봉지층(171)의 형성 과정에서 이물질(Foreign Material)이 침투하는 경우, 제1 봉지층(171)의 일부가 제거되어 캐소드 전극(CE)의 상면 일부가 노출될 수 있다. 그리고, 투명 도전층(172)은 제1 봉지층(171), 이물질(Foreign Material), 및 캐소드 전극(CE)의 노출된 상면을 모두 덮음으로써, 제1 봉지층(171)의 결함을 보완할 수 있다. 따라서, 투명 도전층(172)은 제2 봉지층(173)을 형성하기 위한 저온 공정 시에 유기 발광 소자(E)를 보호할 수 있고, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 그리고, 본 출원에 따른 표시 장치는 저온 공정을 통해 제2 봉지층(173)을 형성함으로써, 열 안정성이 취약한 플라스틱 필름을 사용하여 제조될 수 있다.
도 14는 본 출원의 일 예에 따른 표시 장치에서, 봉지층의 두께에 따른 투과율을 나타내는 그래프이다.
도 14를 참조하면, 제1 봉지층(171)은 캐소드 전극(CE)과 투명 도전층(172)의 사이에 배치될 수 있고, 제1 봉지층(171)은 이산화 실리콘(SiO2), 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산질화막(SiON) 또는 이들의 다중층으로 이루어진 무기막일 수 있다.
일 예에 따르면, 제1 봉지층(171)의 두께는 1700 내지 2900 옹스트롬(Å)에 해당할 수 있다. 구체적으로, 제1 봉지층(171)이 1700 내지 2900 옹스트롬(Å)의 두께를 갖는 이산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 경우, 제1 봉지층(171)의 투과율은 대략 82%에 해당할 수 있다. 따라서, 본 출원에 따른 표시 장치는 1700 내지 2900 옹스트롬(Å)의 두께를 갖는 이산화 실리콘(SiO2)으로 이루어진 제1 봉지층(171)을 포함함으로써, 최적 영역의 투과율(Optimum Transmittance)을 구현할 수 있다.
이상에서 설명한 본 출원은 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 출원의 기술적 사항을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 출원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 출원의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 출원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100: 표시 장치
110: 기판 120: 버퍼층
T: 박막 트랜지스터 LS: 차광층
130: 게이트 절연막 140: 층간 절연막
150: 보호층 160: 평탄화층
E: 유기 발광 소자 AE: 애노드 전극
EL: 발광층 CE: 캐소드 전극
B: 뱅크 170: 봉지층
171, 173: 제1 및 제2 봉지층 172: 투명 도전층
LSP: 전도성 차광 패턴 CF: 컬러 필터
EVSS1, EVSS2: 제1 및 제2 보조 전원 라인
AL: 보조 배선 CP: 컨택 패드
SP: 신호 패드 PAE: 패드 보조 전극
PE: 패드 전극 Cst: 저장 커패시터
210: 표시 구동 회로부 220: 스캔 구동 회로부
110: 기판 120: 버퍼층
T: 박막 트랜지스터 LS: 차광층
130: 게이트 절연막 140: 층간 절연막
150: 보호층 160: 평탄화층
E: 유기 발광 소자 AE: 애노드 전극
EL: 발광층 CE: 캐소드 전극
B: 뱅크 170: 봉지층
171, 173: 제1 및 제2 봉지층 172: 투명 도전층
LSP: 전도성 차광 패턴 CF: 컬러 필터
EVSS1, EVSS2: 제1 및 제2 보조 전원 라인
AL: 보조 배선 CP: 컨택 패드
SP: 신호 패드 PAE: 패드 보조 전극
PE: 패드 전극 Cst: 저장 커패시터
210: 표시 구동 회로부 220: 스캔 구동 회로부
Claims (20)
- 복수의 픽셀을 갖는 표시 영역과 적어도 하나의 패드 전극을 갖는 패드 영역을 포함하는 기판;
상기 복수의 픽셀 각각의 개구부 사이에 배치된 뱅크;
상기 복수의 픽셀 각각의 상기 개구부에 배치된 애노드 전극;
상기 애노드 전극 상에 배치된 발광층;
상기 복수의 픽셀 각각의 상기 발광층과 상기 뱅크 상에 배치된 캐소드 전극; 및상기 복수의 픽셀 각각의 개구부와 상기 뱅크를 덮고, 투명 도전층을 포함하는 봉지층을 포함하고,
상기 투명 도전층은 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 봉지층은,
적어도 하나의 무기막을 포함하는 제1 봉지층; 및
적어도 하나의 유기막을 포함하는 제2 봉지층을 더 포함하고,
상기 투명 도전층은 상기 제1 봉지층과 상기 제2 봉지층 사이에 배치된, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 봉지층 상에서 상기 뱅크와 중첩되게 배치된 전도성 차광 패턴을 더 포함하며,
상기 전도성 차광 패턴은 상기 투명 도전층에 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 차광 패턴은 상기 제2 봉지층에 마련된 컨택홀을 통해 상기 투명 도전층과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 패드 영역에 배치되어 상기 적어도 하나의 패드 전극과 전기적으로 연결된 패드 보조 전극을 더 포함하고,
상기 투명 도전층은 상기 패드 영역에서 상기 패드 보조 전극과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀 각각에 배치되어 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터를 더 포함하고,
상기 패드 보조 전극은 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 투명 도전층은 상기 제1 봉지층에 마련된 컨택홀을 통해 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 투명 도전층은 상기 제1 봉지층의 일측면을 덮으면서, 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 픽셀 각각에 배치되어 액티브층, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 포함하는 박막 트랜지스터; 및
상기 복수의 픽셀 각각에 배치되고 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 보조 배선을 더 포함하는, 표시 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 투명 도전층은 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 캐소드 전극은 상기 보조 배선과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 투명 도전층과 상기 캐소드 전극 각각은 서로 다른 지점에서 상기 보조 배선과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 캐소드 전극은 상기 표시 영역의 외곽에서 상기 보조 배선과 전기적으로 연결된, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제1 봉지층은 실리콘 산질화막(SiON), 실리콘 질화막(SiNx), 및 실리콘 산화막(SiOx) 중 적어도 하나의 무기막을 포함하는, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제1 봉지층의 두께는 1700 내지 2900 옹스트롬인, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 차광 패턴은 상기 복수의 픽셀 영역 각각의 개구부를 둘러싸는 메쉬 구조로 이루어진, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 제2 봉지층 상에서 상기 복수의 픽셀 영역 각각의 개구부와 중첩되게 배치되는 컬러 필터를 더 포함하는, 표시 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 컬러 필터는 평면 상에서 상기 전도성 차광 패턴으로 둘러싸이고, 상기 전도성 차광 패턴의 상면 일부를 덮는, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 차광 패턴은 금속 전극 패턴으로 이루어진, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 차광 패턴은 차광 물질을 포함하는 수지 패턴으로 이루어진, 표시 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전도성 차광 패턴은,
상기 봉지층 상에 배치된 금속 전극 패턴; 및
상기 금속 전극 패턴 상에 배치되고 차광 물질을 포함하는 수지 패턴을 포함하는, 표시 장치.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180126991A KR102682256B1 (ko) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180126991A KR102682256B1 (ko) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20200045904A true KR20200045904A (ko) | 2020-05-06 |
| KR102682256B1 KR102682256B1 (ko) | 2024-07-08 |
Family
ID=70737439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180126991A KR102682256B1 (ko) | 2018-10-23 | 2018-10-23 | 표시 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102682256B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220158057A1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180066667A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전자 기기 |
-
2018
- 2018-10-23 KR KR1020180126991A patent/KR102682256B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180066667A (ko) * | 2016-12-09 | 2018-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전자 기기 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220158057A1 (en) * | 2020-11-17 | 2022-05-19 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
| US12113160B2 (en) * | 2020-11-17 | 2024-10-08 | Lg Display Co., Ltd. | Display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102682256B1 (ko) | 2024-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102470375B1 (ko) | 디스플레이 장치 | |
| US10749140B2 (en) | Organic light-emitting display device | |
| CN108231834B (zh) | 发光显示装置及其制造方法 | |
| EP3331047B1 (en) | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same | |
| US11322698B2 (en) | Transparent organic light emitting display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US10388702B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| US9935159B2 (en) | Display panel and display device comprising the same | |
| US20190198802A1 (en) | Display apparatus | |
| US9343519B2 (en) | Method of manufacturing organic light emitting display device | |
| CN110034158B (zh) | 显示装置 | |
| US20210143373A1 (en) | Display device | |
| JP2018077982A (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP2018022624A (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
| KR102678277B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US20230422561A1 (en) | Flexible Display Device and Method of Manufacturing the Same | |
| KR102598834B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR102682256B1 (ko) | 표시 장치 | |
| KR20200062635A (ko) | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 | |
| KR102605559B1 (ko) | 표시 장치 및 이를 이용한 멀티 스크린 표시 장치 | |
| KR102119572B1 (ko) | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
| KR102567299B1 (ko) | 표시 장치 | |
| US11930688B2 (en) | Display device for blocking penetration of moisture into interior while extending cathode electrode | |
| US20240357914A1 (en) | Display device having repair structure | |
| KR102392326B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20200082097A (ko) | 유기 발광 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |