JP2018077982A - 有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】反射防止用偏光板を必要としない有機ＥＬ表示装置を実現する。【解決手段】表示画面を有し、有機ＥＬ層１１２が下部電極１１０と上部電極１１３の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記有機ＥＬ層１１２は画素毎に異なる色の発光をし、前記有機ＥＬ層よりも前記表示画面側に前記有機ＥＬ層と同じ色のカラーフィルタ１０が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】図６

Description

本発明は表示装置に係り、特に外光反射を抑制し、コントラストを向上させた有機ＥＬ表示装置に関する。

有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置は表示装置を薄くすることによって、フレキシブルに湾曲させて使用することができる。この場合、素子を形成する基板を薄いガラスあるいは薄い樹脂によって形成する。有機ＥＬ表示装置は、バックライトを使用しないので、薄型化にはより有利である。

有機ＥＬ表示装置では、発光層が赤、緑、青等の３色を発光し、カラー画像を形成するタイプと、発光層は白色を発光し、カラーフィルタを用いてカラー画像を形成するものとがある。また、発光層よりもＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成された基板側から光を取り出す、ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置と、発光層からＴＦＴ等が形成された基板側と反対の方向から光を取り出す、トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置が存在する。

特許文献１および特許文献２には、ＴＦＴ等が形成された基板側から光を取り出す、ボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置において、白色の有機ＥＬ層を用い、発光層よりも基板側にカラーフィルタを配置した構成が記載されている。

特開２００９−８７９０８号公報 特開２００６−１４７３６４号公報

有機ＥＬ表示装置では、光の利用効率を向上させるために、発光層に対して表示画面と反対側に反射電極を配置している。しかし、反射電極が存在するために、外光が反射電極において反射され、画面が見づらくなる。これを防止するために、表示画面に偏光板を貼り付けて反射防止をおこなっている。

しかし、偏光板は値段が高いので、有機ＥＬ表示装置のコストを上昇させる。また、偏光板は貼り付けるための粘着材を含めると、０．１５ｍｍ程度の厚さになり、表示装置の薄型化には不利である。

本発明の課題は、偏光板を用いずに、外光反射を抑制することが出来る有機ＥＬ表示装置を実現することである。

本発明は上記課題を克服するものであり、代表的な手段は次のとおりである。

（１）表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（２）表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面と反対側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

（３）表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、
前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面と反対側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されており、
ＴＦＴのドレイン電極または、ソース電極は、無機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記無機絶縁膜の上に延在し、
前記カラーフィルタは、前記ドレイン電極または前記ソース電極と、前記有機ＥＬ層との間に存在し、
前記ドレイン電極または前記ソース電極は反射電極となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。

フレキシブル表示装置の平面図である。 比較例としての図１のＡ−Ａ断面図である。 比較例の機能を示す断面図である。 比較例の表示領域の断面図である。 本発明を示す断面図である。 本発明の実施例１の機能を示す断面図である。 実施例１の表示領域の断面図である。 本発明の実施例２の機能を示す断面図である。 実施例２の表示領域の断面図である。 実施例３の表示領域の断面図である。

以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。

図１は本発明が適用されるフレキシブル基板１００を有する有機ＥＬ表示装置の平面図である。本発明の有機ＥＬ表示装置は、フレキシブルに湾曲させることが出来る表示装置である。有機ＥＬ表示装置はバックライトが不要なので、フレキシブル表示装置には有利である。図１において、有機ＥＬ表示装置は表示領域１０００と端子部１５０を有し、端子部１５０には有機ＥＬ表示装置に電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板１６０が接続している。

図２は比較例としての、偏光板が存在している場合の図１のＡ−Ａ断面図である。樹脂基板１００の上にＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や映像信号線、走査線、電源線等を含むＴＦＴ層１２０が形成されている。樹脂基板１００の中でも、ポリイミド基板は、フレキシブル表示装置用の基板としては特に優れた性質をもっているので、以後、樹脂基板１００はポリイミド基板として説明するが、本発明は、ポリイミド基板の場合に限らない。

ＴＦＴ層１２０の上に有機ＥＬ層を含むアレイ層１３０が形成されている。
アレイ層１３０を覆って窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等による保護層１１４が形成されている。アレイ層１３０内に形成されている有機ＥＬ層を外部からの水分等から保護するためである。保護層１１４を覆って反射防止用の偏光板２００が粘着材２０１を介して貼り付けられている。図２の有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型である。トップエミッション型は、有機ＥＬ層に対し表示画面と反対側に反射電極を有している。反射電極が存在すると、画面が外光を反射し、画面が見えにくくなる。これを防止するために、偏光板２００が貼り付けられ、外光の反射を防止している
ＴＦＴ層１２０やアレイ層１３０が形成されていない部分は端子部１５０となっている。端子部１５０には、ＴＦＴ層１２０から引出し線が延在して端子に接続している。端子には、電源や信号を供給するためのフレキシブル配線基板１６０が接続している。フレキシブル配線基板１６０は、例えば、熱圧着によって端子に接続する。

図２において、ポリイミド基板１００の厚さは、１０μｍ乃至２０μｍ程度なので、取扱いに不便をきたす場合もあり、また、機械的に強度が十分でない場合もある。これを対策するために、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やアクリル等で形成された支持基板５０を、粘着材を介してポリイミド基板１００に貼り付ける。支持基板の厚さは０．１ｍｍあるいはそれ以上ある場合が多い。

図３は、図２の構成の有機ＥＬ表示装置の機能を示す断面図である。図３において、ポリイミド基板１００の上にＴＦＴや配線を含むＴＦＴ層１２０が形成され、その上に、有機ＥＬ層を含むアレイ層１３０が形成されている。アレイ層１３０は、有機ＥＬ層１１２、下部電極１１０、上部電極１１３、反射電極１０９を含む層である。図３において、各画素には、赤発光層Ｒまたは緑発光層Ｇまたは青発光層Ｂとなる有機ＥＬ層１１２が形成されている。各有機ＥＬ層１１２の間にはブラックマトリクス２０が形成されている。

有機ＥＬ層１１２の下部には透明導電膜による下部電極１１０が形成され、上側には透明導電膜による上部電極１１３が形成されている。下部電極１１０の下側には反射電極１０９が配置して光を表示画面側に向ける。下部電極１１０は画素毎に形成され、上部電極１１３は各画素共通に形成される。

図３において、有機ＥＬ層１１２を水分等から保護するために、上部電極１１３の上に保護層１１４が形成されている。保護層１１４を覆って、反射防止のために偏光板２００が粘着材２０１を介して貼り付けられている。

図４は、図２および図３の有機ＥＬ表示装置の表示領域の詳細断面図である。図４において、厚さ１０μｍ乃至２０μｍのフレキシブル基板１００はポリイミドで形成されている。なお、フレキシブル基板１００は、ポリイミドに限らず、他の樹脂あるいはガラスでもよい。フレキシブル基板１００の上には、下地膜１０１が形成されている。下地膜１０１の目的は、主に、ポリイミド側からの水分の遮断である。下地膜１０１は、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）およびＳｉＮｘの積層体で形成されている。下地膜１０１は、例えば、基板１００側から、厚さ５０ｎｍのＳｉＯｘ、厚さ５０ｎｍのＳｉＮｘ、厚さ３００ｎｍのＳｉＯｘの３層で形成されている場合もある。

下地膜１０１の上には半導体層１０２が形成されている。半導体層１０２は当初はＣＶＤによって非晶質シリコンａ−Ｓｉを形成し、これをエキシマレーザによって結晶質シリコンＰｏｌｙ−Ｓｉに変換したものである。

半導体層１０２を覆ってＣＶＤを用いたＴＥＯＳ（テトラエトシキシラン）によるＳｉＯｘによってゲート絶縁膜１０３を形成する。ゲート絶縁膜１０３の上にゲート電極１０４を形成する。その後、イオンインプランテーションによって、半導体層１０２に対しゲート電極１０４に対応する以外の部分を導電層とする。半導体層１０２において、ゲート電極１０４に対応する部分がチャネル部１０２１になる。

ゲート電極１０４を覆って層間絶縁膜１０５をＣＶＤによるＳｉＮｘによって形成する。その後、層間絶縁膜１０５およびゲート絶縁膜１０３にスルーホールを形成し、ドレイン電極１０６およびソース電極１０７を形成する。図４において、ドレイン電極１０６、ソース電極１０７、層間絶縁膜１０５を覆って有機パッシベーション膜１０８を形成する。有機パッシベーション膜１０８は平坦化膜を兼ねているので、２乃至３μｍと、厚く形成される。有機パッシベーション膜１０８は例えばアクリル樹脂によって形成する。

有機パッシベーション膜１０８の上に、反射電極１０９を形成し、その上に陽極となる下部電極１１０をＩＴＯ等の透明導電膜によって形成する。反射電極１０９は反射率の高いＡｌ合金によって形成する。反射電極１０９は、有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介してＴＦＴのソース電極１０７と接続する。

下部電極１１０の周辺にはアクリル等によるバンク１１１が形成される。バンク１１１を形成する目的は、次に形成される発光層を含む有機ＥＬ層１１２や上部電極１１３が段切れによって導通不良となることを防ぐことである。バンク１１１は、アクリル樹脂等の透明樹脂を全面にコートし、下部電極１１０に対応する部分に光を取り出すためのホールを形成することによって形成される。なお、バンク１１１に黒色顔料を混入させることによってブラックマトリクスとすることが出来る。

図４において、下部電極１１０の上に有機ＥＬ層１１２が形成される。有機ＥＬ層１１２は、例えば電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層、ホール注入層等で形成される。有機ＥＬ層１１２の上には、カソードとしての上部電極１１３が形成される。上部電極は、透明導電膜であるＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等によって形成されるほか、銀等の金属の薄膜で形成される場合もある。

その後、上部電極１１３側からの水分の侵入を防止するために、上部電極１１３の上に保護層１１４を、ＣＶＤを用いてＳｉＮｘによって形成する。有機ＥＬ層１１２は熱に弱いために、保護層１１４を形成するためのＣＶＤは１００℃程度の低温ＣＶＤによって形成される。

トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、反射電極１０９が存在しているために、画面は、外光を反射してコントラストが低下する。これを防止するために、表面に偏光板２００を配置して、外光による反射を防止している。偏光板２００は、一方の面に粘着材２０１を有しており、保護層１１４に圧着することによって、有機ＥＬ表示装置に接着している。粘着材２０１の厚さは３０μｍ程度であり、偏光板２００の厚さは１２０μｍ程度である。

偏光板２００は高価であり、有機ＥＬ表示装置の製造コストを押し上げる。また、厚さも０．１５ｍｍ程度と、他の層に比較して厚く、表示装置を薄くしたい場合はネックになる。本発明の目的は、偏光板２００をとり除いても、画質が大きく劣化しない有機ＥＬ表示装置の構成を実現するものである。

図５は本発明による有機ＥＬ表示装置の断面図であり、図１のＡ−Ａ断面に相当する。図５の構成は、偏光板２００が存在しない他は図２と同じである。ただし、アレイ層１２０の構成が異なっている。図５の有機ＥＬ表示装置は偏光板２００が存在しない分、図２の有機ＥＬ表示装置よりも薄くなっている。

図６は実施例１の機能を示す断面図である。図６において、ポリイミド基板１００の上にＴＦＴや配線を含むＴＦＴ層１２０が形成され、その上に、有機ＥＬ層１１２を含むアレイ層が形成されている。本実施例におけるアレイ層は、有機ＥＬ層１１２、下部電極１１０、上部電極１１３、反射電極１０９、さらにカラーフィルタ１０を含む層である。図６において、ＲＦは赤カラーフィルタ、ＧＦは緑カラーフィルタ、ＢＦは青カラーフィルタである。

有機ＥＬ層１１２の下部には透明導電膜による下部電極１１０が形成され、上側には透明導電膜による上部電極１１３が形成されている。下部電極１１０の下側には反射電極１０９が配置して光を表示画面側に向ける。下部電極１１０は画素毎に形成され、上部電極１１３は各画素共通に形成される。

図６の特徴は、上部電極１１３の上に、有機ＥＬ層１１２の発光色と同じ色のカラーフィルタ１０が配置されていることである。図６に示すように、白色である外光Ｗは、例えば緑カラーフィルタＧＦを通過し、さらに、有機ＥＬ層１１２を通過して反射電極１０９で反射し、再び有機ＥＬ層１１２およびカラーフィルタ１０を通過して観察者の眼に入る。

外光Ｗは緑カラーフィルタによって、赤色、青色は吸収されるので、光強度は１／３になる。また、反射した外光はカラーフィルタ１０と有機ＥＬ層１１２を２回通過しているので、これによる減衰を生ずる。したがって、カラーフィルタ１０を有機ＥＬ層１１２と併用することによって、反射防止用偏光板２００を使用しなくとも、外光の反射を大幅に抑えることが出来る。

図７は実施例１における各画素の断面図である。図７が図４と異なる点は、有機ＥＬ層１１２の上の上部電極１１３の上にカラーフィルタ１０が形成され、カラーフィルタ１０を覆って保護層１１４が形成されている点である。そして、保護層１１４の上には偏光板は存在しない。

カラーフィルタ１０は画素毎に異なるカラーフィルタを形成する必要がある。蒸着等のドライプロセスで形成する場合は、マスクを用いて３回の蒸着を行うことになる。また、ウェットプロセスで形成する場合、３色のカラーフィルタ毎にフォトリソグラフィを行う。

一方、図７の構成のカラーフィルタ１０はインクジェットで形成することも可能である。インクジェットは、他の方法に比べて作業性に優れている。また、インクジェットにおけるインクの粘度、乾燥速度等を制御することによって、カラーフィルタをレンズ形状とすることによって、レンズ作用を持たせ、光の指向性を改善することも出来る。

なお、本実施例におけるカラーフィルタは、対向基板にカラーフィルタを作り込んで、この対向基板をアレイ層が形成された基板に接着する方法でもよい。

図７では、カラーフィルタは上部電極１１３の上に直接形成されている。カラーフィルタ１０から顔料等が染み出して有機ＥＬ層１１２等に影響を与える場合もある。これを防止するためには、上部電極１１３とカラーフィルタ１０との間にアクリル樹脂等によるオーバーコート膜を形成すればよい。オーバーコート膜は各画素共通に形成することが出来る。

図８は実施例２の機能を示す断面図である。図８において、ポリイミド基板１００の上にＴＦＴや配線を含むＴＦＴ層１２０が形成され、その上に、有機ＥＬ層を含むアレイ層が形成されている。本実施例におけるアレイ層は、有機ＥＬ層１１２、下部電極１１０、上部電極１１３、反射電極１０９、さらにカラーフィルタ１０を含む層である。

実施例２の特徴は、ＴＦＴ層１２０の上にまず、反射電極１０９を形成し、その上にカラーフィルタ１０を形成することである。そして、カラーフィルタ１０の上に下部電極１１０を形成し、その上に有機ＥＬ層１１２を形成し、有機ＥＬ層１１２を上部電極１１３によって覆う。

図８の特徴は、下部電極１１０の下に、有機ＥＬ層１１２の発光色と同じ色のカラーフィルタ１０が配置していることである。そして、カラーフィルタ１０の下に反射電極１０９が存在している。図８に示すように、白色である外光Ｗは、有機ＥＬ層１１２を通過し、例えば緑カラーフィルタＧＦを通過し、反射電極１０９で反射する。そして、再び緑カラーフィルタ１０と有機ＥＬ層１１２を通過して観察者の眼に入る。

外光Ｗは緑カラーフィルタによって、赤色、青色は吸収されるので、光強度は１／３になる。また、反射した外光はカラーフィルタ１０と有機ＥＬ層１１２を２回通過するので、これによる減衰を生ずる。したがって、本実施例においても、カラーフィルタ１０を有機ＥＬ層１１２と併用することによって、反射防止用偏光板を使用しなくとも、外光の反射を大幅に抑えることが出来る。

図９は実施例２における各画素の断面図である。図９において、有機パッシベーション膜１０８の上に、反射電極１０９が形成される。反射電極１０９を覆ってカラーフィルタ１０が形成されている。カラーフィルタ１０は、上に形成される有機ＥＬ層１１２の発光色と同じ色のカラーフィルタである。

図９において、カラーフィルタ１０の上に下部電極１１０がＩＴＯ等によって形成される。下部電極１１０がカラーフィルタ１０および有機パッシベーション膜１０８に形成されたスルーホールを介してソース電極１０７と接続し、映像信号が下部電極１１０に供給される。

下部電極１１０の上には有機ＥＬ層１１２が形成され、有機ＥＬ層１１２の上に上部電極１１３が形成されている。上部電極１１３を覆って保護層１１４が形成され、有機ＥＬ層１１２を保護する。保護層１１４の上には、偏光板は存在していない。図８で説明したように、偏光板が無くとも、外光反射は１／３以下に抑えることが出来るので、画像の視認性を極端に低下させることは無い。

本実施例においても、色の異なるカラーフィルタ１０を画素毎に形成する必要がある。蒸着等のドライプロセスを使用する場合は、マスクを用いて、３種類のカラーフィルタを形成することになる。また、ウェットエッチングで形成する場合は、３回のフォトリソグラフィを行うことになる。一方、画素毎にインクジェットでカラーフィルタを形成することも可能である。

図１０は、本発明の実施例３を示す断面図である。本実施例もカラーフィルタ１０が有機ＥＬ層１１２の下方に配置されている点で、実施例２と同じである。つまり、本発明の機能も図８で説明したのと同様である。本実施例の特徴は、有機パッシベーション膜１０８を形成せず、その代わりにカラーフィルタ１０を使用していることである。

図１０は、実施例３における表示領域の断面図である。図１０において、層間絶縁膜１０５に形成されたドレイン電極１０６あるいはソース電極１０７を覆ってカラーフィルタ１０が形成されている。このカラーフィルタ１０は、例えば、有機ＥＬ層１１２が緑発光であれば、緑カラーフィルタである。

カラーフィルタ１０の上に下部電極１１０が形成されている。下部電極１１０は、カラーフィルタ１０に形成されたスルーホールを介してＴＦＴのソース電極１０７と接続している。下部電極１１０の上に有機ＥＬ層１１２が形成され、その上に上部電極１１３が形成されている。上部電極１１３を覆って、保護層１１４が形成されている。そして、保護層１１４の上には偏光板は存在していない。

図１０の特徴は、ドレイン電極１０６を面状に広く形成し、ドレイン電極１０６に反射電極の役割を持たせていることである。これによって、反射電極の形成プロセスを省略することが出来る。なお、実施例１および２の反射電極１０９もドレイン電極１０６と同じ材料(例えばＡｌ合金)で形成されている。したがって、本実施例の反射電極も他の実施例と同様な反射特性を有している。

なお、図１０においては、ドレイン電極１０６を広げて反射電極とした例であるが、ソース電極１０７を広げて反射電極とすることも出来る。また、ドレイン電極１０６とソース電極１０７の両方を反射電極とすることも出来る。

本実施例においても、カラーフィルタの存在によって、外光の反射は１／３に低減するので、偏光板を省略することが出来る。

以上の例では、上部電極１１３の上に保護層１１４のみが存在しているとして説明しているが、水分等に対するバリア特性をより改善するために、他のバリア層を形成することも出来る。また、図４、７、９、１０等の層構成は例であり、他の層構造である場合もある。さらに、ＴＦＴ層１２０が形成されている基板は樹脂基板であるとして説明したが、基板がガラスである場合も同様に適用することが出来る。

また、以上の例ではトップエミッションの場合を例に説明したが、ボトムエミッションの場合も作用は基本的に同じである。ボトムエミッションの場合は、実施例１または２で説明した有機ＥＬ層、下部電極、上部電極、反射電極、カラーフィルタの位置関係が上下逆になると考えればよい。

１０…カラーフィルタ、 ２０…ブラックマトリクス、 ５０…支持基板、 １００…樹脂基板、 １０１…下地膜、 １０２…半導体層、 １０３…ゲート絶縁膜、 １０４…ゲート電極、 １０５…層間絶縁膜、 １０６…ドレイン電極、 １０７…ソース電極、 １０８…有機パッシベーション膜、 １０９…反射電極、 １１０…下部電極、 １１１…バンク、 １１２…有機ＥＬ層、 １１３…上部電極、 １１４…保護層、 １２０…ＴＦＴ層、 １３０…アレイ層、 １５０…端子部、 １６０…フレキシブル配線基板、 １０００…表示領域、 １０２１…チャンネル部、 Ｗ…外光、 Ｇ…緑光

Claims (14)

1. 表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、
   前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
2. 前記カラーフィルタは前記上部電極の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
3. 前記カラーフィルタと前記上部電極の間には、樹脂によるオーバーコート膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
4. 前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面とは反対側に反射電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
5. 前記反射電極は前記下部電極と接して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
6. 表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
   前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、
   前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面と反対側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
7. 前記カラーフィルタは前記下部電極の下に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
8. 前記カラーフィルタと前記下部電極の間には、樹脂によるオーバーコート膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
9. 前記カラーフィルタに対し前記表示画面とは反対側に反射電極が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
10. 前記反射電極は前記カラーフィルタと接して形成されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
11. 表示画面を有し、有機ＥＬ層が下部電極と上部電極の間に配置された構成の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置であって、
    前記有機ＥＬ層は画素毎に異なる色の発光をし、
    前記有機ＥＬ層に対し前記表示画面と反対側に前記有機ＥＬ層が発光する色と同じ色のカラーフィルタが形成されており、
    ＴＦＴのドレイン電極または、ソース電極は、無機絶縁膜に形成されたスルーホールを介して前記無機絶縁膜の上に延在し、
    前記カラーフィルタは、前記ドレイン電極または前記ソース電極と、前記有機ＥＬ層との間に存在し、
    前記ドレイン電極または前記ソース電極は反射電極となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
12. 前記カラーフィルタは、前記下部電極と接して形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
13. 前記カラーフィルタと前記下部電極の間には、樹脂によるオーバーコート膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。
14. 前記下部電極は、前記カラーフィルタに形成されたスルーホールを介して前記ドレイン電極または前記ソース電極と接続していることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ表示装置。

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