CN114072911B - 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板 - Google Patents

显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN114072911B
CN114072911B CN202080000678.3A CN202080000678A CN114072911B CN 114072911 B CN114072911 B CN 114072911B CN 202080000678 A CN202080000678 A CN 202080000678A CN 114072911 B CN114072911 B CN 114072911B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
layer
via hole
display
organic layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202080000678.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114072911A (zh
Inventor
朱小研
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Publication of CN114072911A publication Critical patent/CN114072911A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114072911B publication Critical patent/CN114072911B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1237—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a different composition, shape, layout or thickness of the gate insulator in different devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
    • H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
    • H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

一种显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板。显示基板包括衬底基板(101，401)、第一导电图案(102，403)、有机层(103，201A，201B，405)和第二导电层(104，408)，显示基板具有像素区和绑定区(A)，第一导电图案(102，403)位于显示基板的绑定区(A)；有机层(103，201A，201B，405)上开设有沿垂直于衬底基板(101，401)的方向贯穿有机层(103，201A，201B，405)的过孔(105，406)，过孔(105，406)的位置与第一导电图案(102，403)的位置相对应，且第二导电层(104，408)通过过孔(105，406)与第一导电图案(102，403)电连接；显示基板还包括填充过孔(105，406)的填充结构(106，206，409)，填充结构(106，206，409)远离衬底基板(101，401)一侧的表面与衬底基板(101，401)之间距离和有机层(103，201A，201B，405)远离衬底基板(101，401)一侧的表面与衬底基板(101，401)之间距离的距离差小于预设阈值。能够降低过孔105，406)处应力集中的可能性，从而降低显示基板损坏的可能性。

Description

显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置和显示面板。
背景技术
随着Micro-LED(微型发光二极管)技术的成熟，Micro-LED的使用也越来越普遍。一种相关技术中的Micro-LED显示基板包括像素区和绑定区，并在绑定区与绑定电路(bonding IC)绑定(bonding)以实现电连接，然而在绑定过程中，可能出现应力集中，导致显示基板损坏的可能性增加。
发明内容
在一个方面中，本公开实施例提供了一种显示基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的第一导电图案、位于所述第一导电图案远离所述衬底基板一侧的有机层和位于所述有机层远离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述显示基板具有像素区和绑定区，所述第一导电图案位于所述显示基板的绑定区；
所述有机层上开设有沿垂直于所述衬底基板的方向贯穿所述有机层的过孔，所述过孔的位置与所述第一导电图案的位置相对应，且所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电图案电连接；
所述显示基板还包括填充所述过孔的填充结构，所述填充结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离和所述有机层远离衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离的距离差小于预设阈值。
可选的，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述有机层远离所述衬底基板的一侧，所述阻挡层与所述过孔对应的区域位于所述填充结构和所述第二导电层之间。
可选的，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述有机层远离所述衬底基板的一侧，所述阻挡层与所述过孔对应的区域位于所述填充结构远离所述衬底基板的一侧。
可选的，还包括位于所述阻挡层远离所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值。
可选的，还包括位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、介电层中的一项或多项，所述第一栅极绝缘层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值，所述第二栅极绝缘层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值，所述介电层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值。
在第二个方面中，本公开实施例提供了一种显示面板，包括以上任一项所述的显示基板。
在第三个方面中，本公开实施例提供了一种显示装置，包括以上所述的显示面板。
在第四个方面中，本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作第一导电图案；
在所述第一导电图案远离所述衬底基板的一侧制作有机层；
在所述有机层上开设过孔；
在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电图案电连接；
制作填充结构以填充所述过孔，所述填充结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离和所述有机层远离衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离的距离差小于预设阈值。
可选的，所述制作填充结构以填充所述过孔之后，还包括：
在所述填充结构远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层，所述阻挡层与所述衬底基板之间的距离均匀。
可选的，所述制作填充结构以填充所述过孔之前，还包括：
在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层；
所述制作填充结构以填充所述过孔，包括：
在所述阻挡层远离所述衬底基板一侧，制作填充结构以填充所述过孔。
与相关技术相比，本公开实施例所述的显示基板及其制作方法、显示装置和显示面板通过在绑定区的过孔中设置填充过孔的填充结构，这样，能够通过该填充结构实现分担绑定过程中产生的压力，降低过孔处应力集中的可能性，从而降低显示基板损坏的可能性。
附图说明
图1A是本公开至少一实施例中显示基板的一结构示意图；
图1B是本公开至少一实施例中显示基板的又一结构示意图；
图1C是本公开至少一实施例中显示基板的又一结构示意图；
图1D是本公开至少一实施例中显示基板的又一结构示意图；
图2A是相关技术中显示基板的仿真模型；
图2B是相关技术中显示基板的应力仿真结果；
图2C是本公开至少一实施例中显示基板的仿真模型；
图2D是本公开至少一实施例中显示基板的应力仿真结果；
图3是本公开至少一实施例中显示基板的制作方法的流程图；
图4A是本公开至少一实施例中显示基板一中间制程示意图；
图4B是本公开至少一实施例中显示基板又一中间制程示意图；
图4C是本公开至少一实施例中显示基板又一中间制程示意图；
图4D是本公开至少一实施例中显示基板又一中间制程示意图；
图4E是本公开至少一实施例中显示基板又一中间制程示意图；
图4F是本公开至少一实施例中显示基板又一中间制程示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开至少一实施例提供了一种显示基板。
如图1A和图1B所示，该显示基板包括衬底基板101、位于衬底基板101上的第一导电图案102、位于第一导电图案102远离衬底基板101一侧的有机层103和位于有机层103远离衬底基板101一侧的第二导电层104。
其中，显示基板具有像素区和绑定区，像素区包括多个像素以及用于向多个像素提供电信号的驱动线路，绑定区包括与驱动线路相连接的绑定结构(例如绑定端子)，用于绑定(bonding)COF(Chip On Flex，覆晶薄膜)或IC(Integrated Circuit，集成电路)等外部驱动电路。
第一导电图案102位于图1A所示的绑定区A。
如图1A所示，衬底基板101的材质为刚性材料，例如可以为玻璃，显示基板在制作完成之后需要从该衬底基板101上剥离。有机层103上开设有沿垂直于衬底基板101的方向贯穿有机层103的过孔105，过孔105的位置与第一导电图案102的位置相对应，且第二导电层104通过过孔105与第一导电图案102电连接。
第一导电图案102为绑定结构的一部分，用于实现外部驱动电路与显示基板上驱动线路的电连接，第一导电图案102的可以为钛铝钛(Ti/Al/Ti)的叠层结构，其厚度控制在60至200纳米，也可以为铜做的单层结构，其厚度控制在约80至150纳米，但不以此为限。
有机层103可以选用PI(聚酰亚胺)，有机层103的厚度约为6至20微米，更为具体的，约为6至10微米。有机层103上开设有过孔105，过孔105的区域与第一导电图案102所在的区域对应，这样，第一导电图案102由过孔105暴露出来，第二导电层104通过该过孔105与第一导电图案102电连接，进一步的，第二导电层104可以与显示基板的其他结构电连接，从而实现使得与第一导电图案102电连接的绑定结构与显示基板的电连接。
第二导电层104可以选择铝、铜等金属材料或金属材料的复合材料，但不局限于此，其厚度约为60至200纳米，第二导电层104与第一导电图案102电接触，且分层走线。
如图1D所示，降显示基板中的衬底基板101剥离之后，第一导电图案102靠近衬底基板101的一侧表面暴露出来，第二导电层104被第一导电图案102所遮挡，这样，可以避免第二导电层104与外部环境接触，有助于降低第二导电层104由于腐蚀等因素失效的可能性。
如图1B所示，显示基板还包括填充过孔105的填充结构106，填充结构106远离衬底基板101一侧的表面与衬底基板101之间距离和有机层103远离衬底基板101一侧的表面与衬底基板101之间距离的距离差小于预设阈值。
填充结构106可以选择与有机层103相同的材料制作而成，填充结构106远离衬底基板101一侧的表面与衬底基板101之间距离和有机层103远离衬底基板101一侧的表面与衬底基板101之间距离的距离差小于预设阈值指的是，当制作有填充结构106的时候，填充结构106远离衬底基板101的一侧表面和衬底基板101之间的距离和有机层103远离衬底基板101一侧表面的距离两者的距离差相对较小。
在一个可选的具体实施方式中，该预设阈值不大于有机层103厚度的10％，例如，有机层103的厚度为6微米，则该预设阈值不大于600纳米，显然，实际实施时，该预设阈值越小，则后续制作的膜层的平坦度也就越高，有助于进一步提高显示面板的可靠性。
应当理解的是，如果未制作该填充结构106，位于过孔105远离衬底基板101一侧的部分膜层的形状与该过孔105过孔105的形状相匹配，也就是说，这些膜层在过孔105所在的区域和过孔105之外的区域存在与过孔深度尺寸相当的高度差。通过制作填充结构106，位于过孔105远离衬底基板101一侧的部分膜层可以直接设置在填充结构上，使得膜层整体处于相对平坦的状态。
与相关技术相比，本公开实施例的显示基板及其制作方法、显示装置和显示面板通过在绑定区A的过孔105中设置填充过孔105的填充结构106，这样，能够通过该填充结构106实现分担绑定过程中产生的压力，降低过孔105处应力集中的可能性，从而降低显示基板损坏的可能性。
如图1A和图1B所示，显示基板还可以包括其他一些膜层结构，例如，还可能包括牺牲层(DBL,De-Bonding-Layer)107、保护层等，显然，这些膜层结构并非必须的，可以根据实际情况选择增加其他结构膜层。
在本公开的至少一实施例中，牺牲层107位于第一导电图案102和衬底基板101之间，其材料可以选择类PI(类聚酰亚胺)材料，厚度约为50至150纳米，其用于使第一导电图案102与衬底基板101相分离，以便将绑定结构与显示基板相绑定且与第一导电图案102电接触。
在本公开至少一实施例中，保护层包括第一保护层108A和第二保护层108B，其中，第一保护层108A位于第一导电图案102远离衬底基板101的一侧，可以选择利用二硅的氧化物制作，一般来说，其厚度大于第一导电图案102的厚度，具体的，约为100至400纳米，以保护第一导电图案102，同时增加第一导电图案102与有机层103之间的附着力。
第二保护层108B位于有机层103和第二导电层104之间，其可以选择利用硅的氮化物材料制作，其厚度约为10至200纳米，主要用于防止水氧等渗入有机层103而腐蚀第二导电层104。
进一步的，本公开的至少一个实施例中还包括阻挡层109，阻挡层109的材料可以选择SiNx或硅的氧化物(SiOx)，其厚度约为40至200纳米，阻挡层109主要用于降低激光剥离过程中激光照射可能对薄膜晶体管(TFT)结构造成的不利影响。
阻挡层109的位置并不是固定的。
可选的，在一个具体实施方式中，阻挡层109位于有机层103远离衬底基板101的一侧，阻挡层109与过孔105对应的区域位于填充结构106和第二导电层104之间。
可选的，在另一个具体实施方式中，阻挡层109位于有机层103远离衬底基板101的一侧，阻挡层109与过孔105对应的区域位于填充结构106远离衬底基板101的一侧。
也就是说，可以在阻挡层109远离衬底基板101的一侧设置填充结构106以填充过孔105，也可以在设置填充结构106填充过孔105之后再制作阻挡层109。
可选的，还包括位于阻挡层109远离衬底基板101一侧的缓冲层110，缓冲层110的不同区域与衬底基板101之间距离差小于预设阈值。
缓冲层110通常为由硅的氮化物、硅的氧化物中的一种或多种材料形成的无机层，厚度在250nm至400nm左右。
可以理解的是，通过设置填充结构106，缓冲层110与过孔105对应的部分位于填充结构106远离衬底基板101的一侧，所以其膜层不包括与过孔105形状适配的凹陷区域，而是处于基本平坦状态，这样，所制作出来的缓冲层110的不同区域与衬底基板101之间的距离差较小，缓冲层110处于相对平坦的状态。
可选的，还包括位于阻挡层109远离衬底基板101一侧的第一栅极绝缘层111A、第二栅极绝缘层111B、介电层113中的一项或多项，第一栅极绝缘层111A的不同区域与衬底基板101之间距离差小于预设阈值，第二栅极绝缘层111B的不同区域与衬底基板101之间距离差小于预设阈值，介电层113的不同区域与衬底基板101之间距离差小于预设阈值。
换句话说，也就是上述第一栅极绝缘层111A、第二栅极绝缘层111B、介电层113中的一项或多项远离衬底基板101的一侧经平坦化处理形成平坦的表面。
本实施例中，第一栅极绝缘层111A、第二栅极绝缘层111B可以由硅的氮化物或硅的氧化物等绝缘材料制作，而介电层113则选择有机材料，其厚度约为30至150纳米。
具体的，第一栅极绝缘层111A位于于阻挡层109远离衬底基板101一侧，相关技术中，第一栅极绝缘层111A需要适应过孔105的结构，所以在过孔105对应的区域需要适应过孔105的形状而爬坡，在过孔105对应的区域，第一栅极绝缘层111A与衬底基板之间的距离较小，而在第一栅极绝缘层111A之外的区域，第一栅极绝缘层111A与衬底基板之间的距离较大，该距离差约为过孔105的深度。
而本公开实施例的技术方案中，由于设置了填充结构106，在过孔105对应的区域，第一栅极绝缘层111A和衬底基板101之间还具有填充结构，所以第一栅极绝缘层111A的不同区域与衬底基板101之间距离差将显著减小。
具体而言，该预设阈值不大于600纳米，也就是说，第一栅极绝缘层111A、第二栅极绝缘层111B、介电层113的平坦度不大于600纳米。进一步的，在一个具体实施方式中，该预设阈值不大于200纳米，能进一步提高各膜层的平坦度。
与缓冲层110的结构类似，由于设置了填充结构106，后续其他膜层的结构也随之发生了变化，不需要适应过孔105的形状而爬坡，所以结构相对平坦，也可以理解为这些膜层的不同区域与衬底基板101之间的距离相对均匀，其距离差较小。
同时，由于这些膜层形状是相对平坦的，不需要制作与过孔105的形状相适配的结构，因此，在制作这些膜层时，只需要进行材料的沉积，而不需要采用mask工艺(掩膜版曝光)对过孔105对应的区域进行曝光，从而可以减少mask(掩膜版)的使用。
例如，可以减少制作第一栅极绝缘层111A、第二栅极绝缘层111B和介电层113所需的mask，这样，就节约了4次构图工艺，有助于节约成本并节约工艺流程，同时，由于不需要采用曝光、刻蚀等操作，也能够降低光刻胶(PR)和制作过程中金属在过孔105对应的区域残留的可能性，从而有助于提高显示基板的品质。
进一步的，如图1C和图1D所示，如显示基板包括薄膜晶体管，则显示基板中还可以包括但不限于例如有源层116、第一栅极层112A、第二栅极层112B、第一源漏电极115A、第二源漏电极115B、第一平坦层114A、第二平坦层114B、第三保护层108C、第四保护层108D和第三导电层117等膜层。
第三保护层108C和第四保护层108D上开设有多个贯穿该第三保护层108和第四保护层108D的排气孔118，应当理解的是，该第三保护层108C和第四保护层108D均为致密的无机层，通过设置该排气孔118，能够降低后续高温工艺中，这些膜层鼓泡的可能性。
进一步的，在第四保护层108D以及第三导电层117远离衬底基板一侧制作像素单元，像素单元的驱动电极与第三导电层117电连接。如图1D所示，当显示基板中的像素为无机发光二极管119时，需要将无机发光二极管119通过转移的方式绑定在制备有驱动线路的衬底基板上。且无机发光二极管119的P电极、N电极分别与第三导电层117中相对应的电极电连接。
请参阅图2A至图2D，图2A为相关技术中显示基板的仿真模型，仿真模型主要用于对显示基板的力学性能进行仿真模拟。其中，图2A中示出了包括通孔的有机层201A，并示意性的示出了设置在有机层201A通孔中的金属层202A，以及位于金属层202A上方的其他膜层203A。图2C是本公开至少一实施例中显示基板的仿真模型，示出了包括通孔的有机层201B，并示意性的示出了设置在有机层201B通孔中的金属层202B，以及填充在由于通孔的存在而使得金属层202B对应通孔位置处出现的凹陷部的填充结构206，以及位于金属层202B和填充结构206上方的其他膜层203B。上述显示基板的其他结构203A、203B指代图1C和图1D所示显示基板中，位于有机层103远离衬底基板101一侧的各膜层结构的集合。
在图2A和图2C所示的仿真模型中，显示基板的上边界的边界条件设置为U1＝0，U2＝0，R12＝0，也就是说，显示基板的上边界的横向、纵向位移均为0，旋转为0，图中箭头代表在显示基板的下边界设定为施加的荷载，在一次仿真模拟中，施加荷载为0.3兆帕(MPa)。
实际绑定过程中，显示基板在图2A中所示的上方边界是固定的，通过上边界的边界条件模拟，绑定压头由图中下边界的方向施加压力，以实现显示基板与绑定结构的绑定，通过上述荷载模拟。
如图2B和图2D所示，图中的单位为MPa，图2B所示相关技术的显示基板的仿真结果中，可见过孔处出现了较大的应力集中，图2D所示的本公开一实施例的显示基板的仿真结果中，过孔处的应力集中显著减小。
本公开至少一实施例所述的显示面板可以包括上述的显示基板。
本公开至少一实施例所述的显示装置可以包括上述的显示面板。
本公开至少一实施例所提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本公开实施例提供了一种显示基板的制作方法，如图3所示，包括以下步骤：
步骤301：提供一衬底基板。
如图4A所示，在本公开的至少一具体实施方式中，首先在衬底基板401上制作牺牲层402。
步骤302：在所述衬底基板上制作第一导电图案。
如图4B所示，进一步的，在牺牲层402上制作第一导电图案403。
步骤303：在所述第一导电图案远离所述衬底基板的一侧制作有机层。
步骤304：在所述有机层上开设过孔。
如图4C所示，首先，在第一导电图案403上制作第一保护层404，然后制作有机层405，进一步的，在有机层405上开设过孔406，然后制作第二保护层407。
步骤305：在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电图案电连接。
如图4D所指示，接下来，制作第二导电层408，第二导电层408通过过孔406与第一导电图案403电接触。
步骤306：制作填充结构以填充所述过孔，所述填充结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离和所述有机层远离衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离的距离差小于预设阈值。
本实施例中上述步骤301至步骤305的过程均可参考相关技术。
如图4E所示，当完成第二导电层408的制作之后，制作填充结构409以填充过孔，其具体可以通过涂覆(coating)或者喷墨打印等方式填充到过孔内，其材料可以选择耐高温PI，从而适应显示基板制作中的部分高温工艺，避免在高温工艺中损坏。
由于本实施例能够制作上述显示基板实施例中的显示基板，因此至少能实现上述显示基板实施例的全部技术效果，此处不再赘述。
在本公开的至少一实施例中，还包括制作阻挡层410的步骤，该步骤可以在上述步骤306之前制作，也可以在上述步骤306之后制作。
可选的，在一个具体实施方式中，在步骤306之后，还包括：
在所述填充结构远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层。
可选的，在另一个具体实施方式中，在步骤306之前，还包括：
在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层；
步骤306具体包括：
在所述阻挡层远离所述衬底基板一侧，制作填充结构以填充所述过孔。
也就是说，如图4F所示，可以先制作阻挡层410，如图4E所示，然后制作填充结构409填充该过孔；也可以先制作填充结构填充过孔，然后在填充结构远离衬底基板的一侧制作阻挡层。
进一步的，在阻挡层制作完成之后，还可能包括一些其他结构的制作，例如包括但不限于源漏电极层、平坦层、钝化层等的制作，以及LED的转移绑定等。
其中，其他膜层结构的制作工艺及材料等均可参考相技术，LED的转移可以选择巨量转移，也可以选择单颗转移，LED的绑定方式可以选择共晶焊或导电胶等不同的绑定方式，这些过程均可参考相关技术，此处不做进一步限定和描述。
以上所述是本公开的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本公开的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的第一导电图案、位于所述第一导电图案远离所述衬底基板一侧的有机层和位于所述有机层远离所述衬底基板一侧的第二导电层，所述显示基板具有像素区和绑定区，所述第一导电图案位于所述显示基板的绑定区；
所述有机层上开设有沿垂直于所述衬底基板的方向贯穿所述有机层的过孔，所述过孔的位置与所述第一导电图案的位置相对应，且所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电图案电连接；
所述显示基板还包括填充所述过孔、且位于所述第二导电层远离所述衬底基板一侧的填充结构，所述填充结构在所述衬底基板上的正投影位于所述过孔在所述衬底基板上的正投影内，所述填充结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离和所述有机层远离衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离的距离差小于预设阈值。
2.如权利要求1所述的显示基板，其中，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述有机层远离所述衬底基板的一侧，所述阻挡层与所述过孔对应的区域位于所述填充结构和所述第二导电层之间。
3.如权利要求1所述的显示基板，其中，还包括阻挡层，所述阻挡层位于所述有机层远离所述衬底基板的一侧，所述阻挡层与所述过孔对应的区域位于所述填充结构远离所述衬底基板的一侧。
4.如权利要求3所述的显示基板，其中，还包括位于所述阻挡层远离所述衬底基板一侧的缓冲层，所述缓冲层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值。
5.如权利要求4所述的显示基板，其中，还包括位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、介电层中的一项或多项，所述第一栅极绝缘层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值，所述第二栅极绝缘层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值，所述介电层的不同区域与所述衬底基板之间距离差小于所述预设阈值。
6.一种显示面板，包括权利要求1至5中任一权利要求所述的显示基板。
7.一种显示装置，包括权利要求6所述的显示面板。
8.一种显示基板的制作方法，包括以下步骤：
提供一衬底基板；
在所述衬底基板上制作第一导电图案；
在所述第一导电图案远离所述衬底基板的一侧制作有机层；
在所述有机层上开设过孔；
在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作第二导电层，所述第二导电层通过所述过孔与所述第一导电图案电连接；
制作填充结构以填充所述过孔，所述填充结构位于所述第二导电层远离所述衬底基板的一侧，所述填充结构在所述衬底基板上的正投影位于所述过孔在所述衬底基板上的正投影内，所述填充结构远离所述衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离和所述有机层远离衬底基板一侧的表面与所述衬底基板之间距离的距离差小于预设阈值。
9.如权利要求8所述的显示基板的制作方法，其中，所述制作填充结构以填充所述过孔之后，还包括：
在所述填充结构远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层。
10.如权利要求8所述的显示基板的制作方法，其中，所述制作填充结构以填充所述过孔之前，还包括：
在所述有机层远离所述衬底基板的一侧制作阻挡层；
所述制作填充结构以填充所述过孔，包括：
在所述阻挡层远离所述衬底基板一侧，制作填充结构以填充所述过孔。
CN202080000678.3A 2020-05-06 2020-05-06 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板 Active CN114072911B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2020/088695 WO2021223086A1 (zh) 2020-05-06 2020-05-06 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114072911A CN114072911A (zh) 2022-02-18
CN114072911B true CN114072911B (zh) 2024-04-19

Family

ID=78467729

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080000678.3A Active CN114072911B (zh) 2020-05-06 2020-05-06 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20230136160A1 (zh)
EP (1) EP4040491A4 (zh)
JP (1) JP2023533094A (zh)
KR (1) KR20230005105A (zh)
CN (1) CN114072911B (zh)
WO (1) WO2021223086A1 (zh)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728188A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备和用于制造该显示设备的方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7858451B2 (en) * 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US10181424B2 (en) * 2016-04-12 2019-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and manufacturing method of flexible device
TWI727041B (zh) * 2016-05-20 2021-05-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置
CN205750219U (zh) * 2016-06-21 2016-11-30 厦门天马微电子有限公司 一种液晶显示装置
CA2987165A1 (en) * 2017-11-30 2019-05-30 Chaji, Reza High efficient micro devices
TWI695356B (zh) * 2018-05-08 2020-06-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US10943526B2 (en) * 2018-07-31 2021-03-09 Innolux Corporation Display device, backlight module and electronic device
CN109949703B (zh) * 2019-03-26 2021-08-06 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板、显示面板、显示装置及制作方法
KR20210111529A (ko) * 2020-03-03 2021-09-13 삼성전자주식회사 측면 배선이 형성된 글라스 기판을 구비한 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈 제조 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109728188A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 乐金显示有限公司 显示设备和用于制造该显示设备的方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP4040491A1 (en) 2022-08-10
KR20230005105A (ko) 2023-01-09
JP2023533094A (ja) 2023-08-02
EP4040491A4 (en) 2023-01-04
WO2021223086A1 (zh) 2021-11-11
CN114072911A (zh) 2022-02-18
US20230136160A1 (en) 2023-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20190148653A1 (en) Flexible display substrate and method for manufacturing the same, and flexible display device
CN1945856B (zh) 半导体器件及其制造方法
US7105422B2 (en) Thin film circuit device, manufacturing method thereof, electro-optical apparatus, and electronic system
EP1921690A2 (en) Organic light emitting display and fabrication method thereof
US20150287799A1 (en) Semiconductor device, display panel, and semiconductor device manufacturing method
US8841763B2 (en) Three-dimensional system-in-a-package
CN113724590A (zh) 可拉伸显示面板
KR101320787B1 (ko) 기판 및 그 제조방법, 표시장치
US20070120480A1 (en) Glass encapsulation cap, organic electroluminescent device having the same, mother glass substrate for producing multiple glass encapsulation caps, and manufacturing method thereof
US20050218491A1 (en) Circuit component module and method of manufacturing the same
WO2015039493A1 (zh) 电致发光装置及其制备方法
CN113835557B (zh) 显示面板及其制造方法
CN109860143B (zh) 阵列基板、显示装置及制备方法、拼接显示装置
EP3816766A1 (en) Display device
CN114072911B (zh) 显示基板、其制作方法、显示装置和显示面板
KR20170112416A (ko) 유기발광 표시장치 및 제조방법
JP2008270443A (ja) 積層配線基板及びその製造方法
US20190364671A1 (en) Mounting method, mounting device, and production device
US20070111475A1 (en) Method for the structured application of a laminatable film to a substrate for a semiconductor module
JP2018014200A (ja) 有機エレクトロニクス装置の製造方法
CN114388597A (zh) 显示面板及显示终端
JP2006165286A (ja) 半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体素子の製造方法、半導体素子及び電気光学装置の製造方法
CN111883695A (zh) 一种显示面板的制作方法、显示面板及显示装置
JP2009049226A (ja) 電子部品の実装構造体及び電子部品の実装構造体の製造方法
JP2005056985A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置および電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant