CN107768540A - 具有减少的缺陷的显示设备 - Google Patents
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Abstract
提供了能够在显示设备的制造期间或在制造之后的使用中减少缺陷的产生的显示设备。显示设备包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，基底在弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；无机绝缘层，位于基底上方，并包括是第一开口或第一凹槽的第一特征，第一特征被定位为与弯曲区域对应；有机材料层，至少部分地填充第一特征，并包括是第二开口或第二凹槽的第二特征，所第二特征沿基底的边缘延伸。
Description
本申请要求于2016年8月18日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0104990号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种能够在制造期间或在后续的使用中减少缺陷的出现的显示设备。
背景技术
通常，显示设备包括位于基底上方的显示单元。当这样的显示设备被至少部分弯曲时，可以改善各种角度下的可视性，或可以减小非显示区域的尺寸。
然而，在根据现有技术的显示设备中，在制造或后期使用期间，在弯曲部分处或其附近可能出现缺陷。
发明内容
一个或更多个实施例包括能够在显示设备的制造期间或制造之后的使用中减少缺陷的出现的显示设备。
附加方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地从描述中将是清楚的，或者可以通过实施给出的实施例或其他实施例了解到。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，基底在弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；无机绝缘层，位于基底上方，并包括是第一开口或第一凹槽的第一特征，第一特征被定位为与弯曲区域对应；有机材料层，至少部分地填充第一特征，并包括是第二开口或第二凹槽的第二特征，第二特征沿基底的边缘延伸。
第一开口和第二凹槽中的至少一个可以与弯曲区域叠置。第一开口或第一凹槽的面积可以比弯曲区域的面积大。第二开口或第二凹槽的长度可以比弯曲区域的在从第一区域到第二区域的方向上的宽度大。
显示设备还可以包括位于有机材料层上方的第一导电层，第一导电层从第一区域穿过弯曲区域延伸至第二区域。
第一开口和第一凹槽中的一个的宽度可以比第二开口和第二凹槽中的一个的长度大。显示设备还可以包括覆盖第一导电层和有机材料层的附加有机材料层，其中，附加有机材料层可以包括是第三开口或第三凹槽的第三特征，第三特征沿基底的边缘延伸以与第二开口或第二凹槽对应。
第二开口和第二凹槽中的一个的长度可以比第三开口和第三凹槽中的一个的长度大。
附加有机材料层可以覆盖第二开口或第二凹槽的侧面。显示设备还可以包括位于第二开口或第二凹槽的侧面的至少一部分的上方的导电残留层，其中，附加有机材料层可以覆盖所述导电残留层。导电残留层可以包括与第一导电层相同的材料。
显示设备还可以包括在第一区域或第二区域中的第二导电层，以位于与第一导电层所位于的层不同的层上，第二导电层电连接至第一导电层。第一导电层的伸展率可以比第二导电层的伸展率大。
有机材料层还可以包括沿基底的边缘延伸以与第二开口或第二凹槽相邻的附加开口或附加凹槽。附加开口或所述附加凹槽的长度可以比第二开口或第二凹槽的长度小，附加开口或附加凹槽可以与虚线交叉，虚线与弯曲轴平行并与弯曲区域的中心交叉。
第二开口或第二凹槽可以在邻近弯曲区域的中心的第一部分处具有第一宽度，并并在远离第一部分处具有第二宽度，第一宽度大于第二宽度。
有机材料层还可以包括连接至第二开口或第二凹槽并在与第二开口或第二凹槽延伸的方向交叉的方向上延伸的辅助开口或辅助凹槽。
显示设备还可以包括填充第二开口或第二凹槽的弯曲保护层。弯曲保护层可以覆盖弯曲区域。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，基底在弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；第一导电层，从第一区域穿过弯曲区域延伸至第二区域；绝缘层，所述基底和第一导电层之间，并包括开口或凹槽，开口或凹槽在与弯曲轴交叉的方向上延伸，以与在弯曲区域中的基底的边缘和第一导电层之间的部分对应。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/其他方面将变得清楚并且更容易理解，在附图中：
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图；
图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图3是图1的显示设备的一部分的示意性平面图；
图4是沿图3的线IV-IV截取的示意性剖视图；
图5是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图6是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；
图7是图6的部分A的放大的剖视图；
图8是沿图3的线VIII-VIII截取的示意性剖视图；
图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图10是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图11是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图12是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图13是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图14是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图；
图15是沿图14的线XV-XV截取的示意性剖视图；
图16是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图；以及
图17是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言，给出的实施例可以具有不同的形式并且不应被解释为受限于在此阐述的描述。因此，通过参照附图仅在下面描述实施例以解释本描述的多个方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表达出现在一列元件之后时，修饰整列元件而非修饰该列的单个元件。所有数值是近似的，并且可以变化。特定材料和成分的所有示例将被认为是非限制性的并且仅为示例性的。可以使用其他合适的材料和成分代替。
在下文中，将通过参照附图说明发明构思的优选实施例来详细描述本公开。附图中同样的附图标记指示同样的元件。
为便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。换言之，由于附图中的组件的尺寸和厚度是为了便于说明而任意示出的，因此以下实施例不限于此，并且各附图不必按尺寸绘制。
在以下示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并可以以更广泛地意义来理解。例如，x轴、y轴和z轴可以相互垂直，或者可以表示不相互垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示设备的示意性透视图，图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图，图3是图1的显示设备的一部分的示意性平面图。
如图1至图3所示，根据实施例的显示设备中的基底100包括在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A和第二区域2A之间。此外，如图1所示，基底100关于在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX被弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，例如，诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯(PAR)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括具有一种或更多种上述聚合物树脂的两个层，以及位于所述两个层之间的包括诸如氧化硅、氮化硅和氮氧化硅的无机材料的阻挡层。
在图1中，基底100贯穿第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A在y轴方向上具有恒定宽度，但不限于此。例如，如图3所示，基底100可以在第一区域1A内具有在y轴方向上变化的宽度。在此情况下，如图3所示，基底100在第一区域1A内的较窄的宽度可以与基底100在弯曲区域BA内或第二区域2A中的宽度相等。
第一区域1A包括显示区域DA。如图2所示，除了显示区域DA之外，第一区域1A还可以包括位于显示区域DA外侧的非显示区域的一部分。第二区域2A也可以包括非显示区域。
在基底100的显示区域DA中，如图2所示，除了显示装置300之外，还可以设置电连接至显示装置300的薄膜晶体管(TFT)210。在图2中，有机发光装置位于显示区域DA中作为显示装置300。有机发光装置与TFT 210的电连接可以理解为像素电极310电连接至TFT210。
TFT 210可以包括包含非晶硅、多晶硅或有机半导体材料的半导体层211。TFT 210也可以包括栅电极213、源电极215a和漏电极215b。为了确保半导体层211和栅电极213之间的绝缘，栅极绝缘层120可以形成在半导体层211和栅电极213之间，其中，栅极绝缘层120包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。此外，层间绝缘层130可以位于栅电极213上，源电极215a和漏电极215b可以位于层间绝缘层130上，其中，层间绝缘层130包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。包括无机材料的绝缘层可通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这将被应用到将在后面描述的其他实施例及其修改。
缓冲层110可以位于基底100和具有上述结构的TFT 210之间。缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以改善基底100的上表面的平滑度，或者防止或减少杂质从基底100向TFT210的半导体层211中的渗入。
平坦化层140可以布置在TFT 210上。例如，如图2所示，当有机发光装置位于TFT210上时，平坦化层140可使TFT 210的上部平坦化。平坦化层140可包括例如以亚克力、苯丙环丁烯(BCB)、六甲基二硅氧烷(HMDSO)为例的有机材料。在图2中，虽然平坦化层140具有单层结构，但是平坦化层140可以具有各种变形。例如，平坦化层140可以具有多层结构。此外，如图2所示，平坦化层140可以在显示区域DA外部具有开口，使得平坦化层140位于显示区域DA中的一部分和平坦化层140位于第二区域2A中的一部分可以物理地彼此分离。因此，来自外部的杂质不会经由平坦化层140到达显示区域DA。
在基底100的显示区域DA中，显示装置300可以位于平坦化层140上。显示装置300可以是有机发光装置，所述有机发光装置包括像素电极310、对电极330以及位于像素电极310与对电极330之间并包括发射层的中间层320。如图2所示，像素电极310可以经由形成在平坦化层140中的开口接触源电极215a和漏电极215b中的一个并可以电连接至TFT 210。
像素限定层150可以位于平坦化层140上。像素限定层150包括分别与子像素对应的开口(即，至少暴露像素电极310的中心部分的开口)以限定像素。此外，在图2中示出的示例中，像素限定层150使像素电极310的边缘和像素电极310上方的对电极330之间的距离增大，以防止在像素电极310的边缘处产生电弧(arc)。像素限定层150可以包括有机材料，例如，PI或HMDSO。
有机发光装置的中间层320可以包括低分子量的有机材料或者聚合物材料。当中间层320包括低分子量的有机材料时，中间层320可以以单层或者多层结构包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)以及电子注入层(EIL)，有机材料的示例可以包括铜酞菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)以及三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。可以通过真空沉积法沉积低分子量的有机材料。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可包括HTL和EML。在此，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，EML可以包括聚亚苯基亚乙烯基(PPV)类或聚芴类聚合物材料。上述中间层320可以通过丝网印刷方法、喷墨印刷方法或激光诱导热成像(LITI)方法形成。
然而，中间层320不限于上述示例，并可以具有各种结构。此外，中间层320可以包括跨过多个像素电极310整体形成的层或被图案化为与多个像素电极310中的每个对应的层。
对电极330布置在显示区域DA上方，并且如图2所示，可以覆盖显示区域DA。即，对电极330可以相对于多个有机发光装置整体地形成，以与多个像素电极310对应。
由于有机发光装置会容易被外部湿气或氧损坏，因此，包封层400可以覆盖有机发光装置以保护有机发光装置。包封层400覆盖显示区域DA，并也可以延伸至显示区域DA外部。如图2所示，包封层420可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410覆盖对电极330，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。如果期望的话，可以在第一无机包封层410和对电极330之间形成诸如覆盖层(cappinglayer)的其他层。由于第一无机包封层410根据其底层结构成形，因此第一无机包封层410可以具有不均匀的上表面。有机包封层420覆盖第一无机包封层410，与第一无机包封层410不同，有机包封层420可以具有均匀的或基本上平坦的上表面。更详细地，有机包封层420可以在与显示区域DA对应的部分处基本具有均匀的上表面。有机包封层420可以包括从PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷中选择的至少一种材料。第二无机包封层430覆盖有机包封层420，并可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。第二无机包封层430可以在其位于显示区域DA外部的边缘处接触第一无机包封层410，以不将有机包封层420暴露至外部。
如上所述，由于包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，因此即使在上述多层结构中的包封层400中存在裂纹，裂纹也可以在第一无机包封层410和有机包封层420之间或有机包封层420和第二无机包封层430之间断开。如此，可以减小形成使外部湿气或氧会渗透到显示区域DA中的路径的可能性。
偏振板520可以经由光学透明粘合剂(OCA)510附着在包封层400上。偏振板520可以减少外部光的反射。例如，当穿过偏振板520的外部光被对电极330的上表面反射然后再次穿过偏振板520时，外部光穿过偏振板520两次并且外部光的相位会改变。因此，反射光的相位与进入偏振板520的外部光的相位不同，因此发生相消干涉。因此，可以降低外部光的反射并且提高可视性。如图2所示，OCA 510和偏振板520可以覆盖平坦化层140中的开口。根据一个或更多个实施例的显示设备可以不必包括偏振板510，如果期望的话，偏振板520可以被省略或被其他元件取代。例如，可以省略偏振板520，并且可以使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。
此外，包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以被共同称为无机绝缘层。如图2所示，此无机绝缘层可以包括第一特征，第一特征是与弯曲区域BA对应的第一开口。即，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别包括与弯曲区域BA对应的开口110a、120a和130a。第一开口对应于弯曲区域BA可以表示开口与弯曲区域BA叠置。在此，第一开口的面积可以大于弯曲区域BA的面积。为此，在图2中，第一开口的宽度OW大于弯曲区域BA的宽度BAw。在此，第一开口的面积可以限定为缓冲层110的开口110a、栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a的面积中最小的面积。在图2中，第一开口的面积由缓冲层110中的开口110a的面积来限定。
在缓冲层110中形成开口110a之后，可以同时形成栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a。当形成TFT 210时，为了使源电极215a和漏电极215b接触半导体层211，必须形成穿透栅极绝缘层120和层间绝缘层130的接触孔。因此，当形成接触孔时，可以同时形成栅极绝缘层120的开口120a和层间绝缘层130的开口130a。因此，栅极绝缘层120的开口120a的内表面和层间绝缘层130的开口130a的内表面可以形成如图2所示的单个连续表面。
根据实施例的显示设备包括至少部分地填充无机绝缘层的第一开口的有机材料层160。在图2中，有机材料层160完全填充第一开口。此外，根据实施例的显示设备包括第一导电层215c，第一导电层215c从第一区域1A穿过弯曲区域BA延伸至第二区域2A并位于有机材料层160上方。在不提供有机材料层160的情况下，第一导电层215c也可以延伸至诸如层间绝缘层130的无机绝缘层上方。可以通过使用与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成第一导电层215c。
如上所述，虽然图2为便于描述而示出显示设备未弯曲的状态，但是如图1所示，根据实施例的显示设备实际可以处于基底100在弯曲区域BA处被弯曲的状态。为此，制造显示设备使得基底100是平坦的，如图2所示，之后，在弯曲区域BA处弯曲基底100使得显示设备可以具有如图1所示的形状。在此，当在弯曲区域BA处弯曲基底100时，会在第一导电层215c中诱发拉应力。然而，在根据实施例的显示设备中，可以防止或减少在弯曲工艺期间在第一导电层215c中的缺陷的出现。
如果诸如缓冲层110、栅极绝缘层120和/或层间绝缘层130的无机绝缘层不包括与弯曲区域BA对应的开口，而是从第一区域1A连续延伸至第二区域2A，并且如果第一导电层215c位于这样的无机绝缘层上，则在将基底100弯曲期间会向第一导电层215c施加大的拉应力。具体地，由于无机绝缘层具有比有机材料层的硬度大的硬度，因此裂纹容易形成在弯曲区域BA中的无机绝缘层中，当裂纹出现在无机绝缘层中时，裂纹也会出现在无机绝缘层上的第一导电层215c中，因此极大地增加了在第一导电层215c中产生诸如断开的缺陷的可能性。
然而，根据实施例的显示设备，无机绝缘层包括与弯曲区域BA对应的第一开口，第一导电层215c与弯曲区域BA对应的部分位于至少部分地填充第一开口的有机材料层160上。由于无机绝缘层包括与弯曲区域BA对应的第一开口，因此极大地降低了在无机绝缘层中出现裂纹的可能性，并且由于有机材料的特性，有机绝缘层160不易具有裂纹。因此，可以防止或减少在第一导电层215c的位于有机材料层160上的部分中的裂纹的出现，其中，第一导电层215c的所述部分对应于弯曲区域BA。由于有机材料层160具有比无机材料层的硬度低的硬度，因此有机材料层160可以吸收由于基底100的弯曲而产生的拉应力，从而减少第一导电层215c中的拉应力的集中。
在图2中，无机绝缘层具有第一开口，但不限于此。例如，无机绝缘层可具有作为第一凹槽而非第一开口的第一特征。例如，不同于图2中示出的示例，缓冲层110可以不包括开口110a，而是可以以连续的方式从第一区域A1穿过弯曲区域BA延伸至第二区域2A。之后，栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以仅包括开口120a和130a。在此情况下，包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以被共同称为无机绝缘层，在此情况下，无机绝缘层可以被理解为具有与弯曲区域BA对应的第一凹槽。此外，有机材料层160可以至少部分地填充第一凹槽。
在上述情况下，由于无机绝缘层具有与弯曲区域BA对应的第一凹槽，因此在弯曲区域BA中无机绝缘层的厚度减小，因此，基底100可以更容易弯曲。此外，由于有机材料层160位于弯曲区域BA中并且第一导电层215c位于有机材料层160上方，因此可以有效地防止在弯曲操作期间对第一导电层215c的损坏。为便于描述，在上面的实施例以及之后将描述的其他实施例或它们的修改的示例中描述了无机绝缘层包括第一开口的示例，但是无机绝缘层可以代替地包括如上所述的第一凹槽。
除了第一导电层215c之外，根据实施例的显示设备还可以包括第二导电层213a和213b。第二导电层213a和213b可以位于第一区域1A或第二区域2A上方，以位于与第一导电层215c所位于的层不同的层处，并且可以电连接至第一导电层215c。在图2中，第二导电层213a和213b位于同一层，即，位于栅极绝缘层120上并使用与栅电极213的材料相同的材料。此外，第一导电层215c经由层间绝缘层130中的接触孔接触第二导电层213a和213b。此外，第二导电层213a位于第一区域1A中，第二导电层213b位于第二区域2A中。
第一区域1A中的第二导电层213a可以电连接至显示区域DA中的TFT210，因此，第一导电层215c可以经由第二导电层213a电连接至显示区域DA中的TFT 210。第二区域2A中的第二导电层213b也可以经由第一导电层215c电连接至显示区域DA中的TFT 210。如此，位于显示区域DA的外部的第二导电层213a和213b可以电连接至显示区域DA中的元件，或者可以朝向显示区域DA延伸使得第二导电层213a和213b的至少一些部分可以位于显示区域DA中。
如上所述，虽然为便于描述在图2中示出显示设备为未弯曲的状态，但是根据实施例的显示设备实际处于基底100在弯曲区域BA处被弯曲的状态，如图1所示。为此，显示设备被制造为使得基底100为平坦的，如图2所示，随后，在弯曲区域BA处弯曲基底100使得显示设备可以具有如图1所示的形状。在此，当基底100在弯曲区域BA处被弯曲时，拉应力会被施加到位于弯曲区域BA中的元件。
因此，由于跨过弯曲区域BA的第一导电层215c包括具有高伸展率的材料，因此可以防止诸如第一导电层215c中的裂纹或第一导电层215c的断开的缺陷。此外，包括比第一导电层215c的伸展率低的伸展率以及与第一导电层215c的电气/物理特性不同的电气/物理特性的材料的第二导电层213a和213b形成在第一区域1A或第二区域2A中，因此可以提高显示设备中传输电信号的效率，或者可以降低显示设备的制造工艺期间的缺陷率。
例如，第二导电层213a和213b可以包括钼，第一导电层215c可以包括铝。如果期望的话，第一导电层215c以及第二导电层213a和213b可以具有多层结构。例如，第一导电层215c可以具有诸如钛层/铝层/钛层结构的多层结构，第二导电层213a和213b可以均具有诸如钼层/钛层结构的多层结构。然而，一个或更多个实施例不限于此，即，第一导电层215c可以延伸至显示区域DA以直接电连接至TFT 210的源电极215a、漏电极215b或栅电极213。
此外，如图2所示，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层的第一开口的内表面。如上所述，由于第一导电层215c可以包括与源电极215a和漏电极215b相同的材料并可以与源电极215a和漏电极215b同时形成，因此可以在基底100的整个表面上方在层间绝缘层130上形成导电层，并可以将导电层图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。如果有机材料层160没有覆盖缓冲层110中的开口110a、栅极绝缘层120中的开口120a或者层间绝缘层130中的开口130a的内侧表面，则导电层的导电材料不会被从这些内侧表面去除，而是会残留在这些内侧表面上。在此情况下，残留的导电材料会在不同的导电层之间引起短路。
因此，当形成有机材料层160时，有机材料层160可以覆盖无机绝缘层中的第一开口的内侧表面。如果有机材料层160包括作为将在后面描述的第二开口160a的第二特征，以使有机材料层160覆盖无机绝缘层中的第一开口的内表面，则无机绝缘层在从第一区域1A朝向第二区域2A的方向上的宽度OW可以大于有机材料层160的第二开口160a的在第二开口160a延伸的方向上的长度d。
在图2中，有机材料层160示出为具有大部分地恒定的厚度，但有机材料层160可以具有根据所处的位置而变化的厚度，使得有机材料层160的上表面可以在缓冲层110中的开口110a、栅极绝缘层120中的开口120a和层间绝缘层130中的开口130a的边缘附近具有平缓的曲线。因此，在将导电层图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c期间，可以防止原本应被去除的剩余的导电材料。
此外，弯曲保护层(BPL)600可以位于显示区域DA外部。即，BPL 600可以位于至少与弯曲区域BA对应的第一导电层215c的上方。
当堆叠结构被弯曲时，在堆叠结构中存在应力中和面。如果不存在BPL 600，则当基底100被弯曲时，由于第一导电层215c的位置不会与应力中和面对应，因此过多的拉应力会被施加到弯曲区域BA中的第一导电层215c。然而，通过形成BPL 600并调整BPL 600的厚度和模量，可以调整包括基底100、第一导电层215c和BPL 600的结构中的应力中和面的位置。因此，应力中和面可以经由BPL 600被调整到第一导电层215c周围，因此可以减小施加到第一导电层215c的拉应力或者可以向第一导电层215c施加压应力。BPL 600可以包括亚克力。当压应力被施加到第一导电层215c时，损坏第一导电层215c的可能性比当拉应力被施加到第一导电层215c时小得多。
在图4中，BPL 600的面对基底100的边缘的端部表面(+y方向)不与基底100的端部表面一致，而是位于基底100的顶表面上。然而，一个或更多个实施例不限于此，即，BPL 600的端部表面可以与基底100的端部表面对应(见图15)。另外，不同于图4中示出的示例，可以设置附加BPL，附加BPL与BPL 600分隔开以定位为更靠近基底100的边缘(+y方向)。这可以理解为：与将在后面描述的有机材料层160的第二开口160a相似，BPL 600在上下方向上具有穿透BPL的开口。
具体地，当在母基底上形成多个显示单元并然后切割母基底以同时制造多个显示设备时，可以在切割工艺之前形成BPL 600。在此情况下，当切割母基底时BPL也被切割，因此，BPL 600的端部表面可以与基底100的端部表面对应。可以通过向母基底辐射激光束来执行切割。
此外，在图2中，BPL 600的在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520(在+z方向上)的上表面对应，但是不限于此。例如，BPL 600的在朝向显示区域DA方向(-x方向)上的端部可以部分覆盖偏振板520的边缘处的上表面。另外，BPL 600的在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的端部可以不接触偏振板520和/或OCA 510。在后一种情况下，在形成BPL 600期间或之后，可以防止从BPL 600产生的气体在朝向显示区域DA方向(-x方向)上的移动，所述移动具有使显示装置300劣化的风险。
如图2所示，如果BPL 600的在朝向显示区域DA的方向(-x方向)上的上表面与偏振板520在+z方向上的上表面一致，如果BPL 600的在显示区域DA方向(-x方向)上的端部部分覆盖偏振板520的端部处的上表面，或者如果BPL 600的在显示区域DA方向(-x方向)上的端部接触OCA 510，则BPL 600的与显示区域DA(-x方向)对应的厚度可以大于BPL 600中的其他部分的厚度。由于可以施用液相材料或膏型材料并使其硬化以形成BPL 600，因此BPL600的体积可以通过硬化工艺而减小。在此，如果BPL 600的与显示区域DA(-x方向)对应的部分与偏振板520和/或OCA 510接触，则BPL 600的此部分被固定在所处的位置，因此，体积减小发生在BPL 600的剩余部分中。因此，BPL 600的与显示区域DA(-x方向)对应或邻近的厚度可以大于BPL 600的其余部分的厚度。
此外，根据实施例的显示设备中的有机材料层160包括如图3所示的沿基底100的边缘延伸的第二开口160a。在图3中，有机材料层160包括延伸至邻近基底100的边缘的第二开口160a。由于有机材料层160具有第二开口160a，可以减少在制造显示设备或使用制造的显示设备期间的缺陷的出现。
虽然为便于描述在图3中示出基底100为未弯曲的状态，但是根据实施例的显示设备实际上在弯曲区域BA处是弯曲的，如图1所示。因此，弯曲区域BA位于显示设备的边缘处。在制造工艺期间或之后，冲击(shock)可能被施加到弯曲区域BA。具体地，冲击更容易在+y方向或-y方向上被施加到弯曲区域BA的边缘，在此情况下，如作为沿图3的线IV-IV截取的示意性剖视图的图4所示，裂纹CR会由于外部冲击而出现在有机材料层160中。如果这样的裂纹CR到达弯曲区域BA的中心部分，则裂纹也会出现在诸如第一导电层215c的布线中，从而在显示设备中产生缺陷。
然而，根据实施例的显示设备，有机材料层160包括如上所述的第二开口160a。第二开口160a沿基底100的边缘(当假如在基底100未被弯曲时观看，在+x方向上)延伸。因此，即使裂纹CR如图4所示地出现在有机材料层160的边缘处，裂纹CR也不会到达弯曲区域BA的中心部分，而会被第二开口160a阻止。如此，即使在制造工艺期间或之后冲击被施加到弯曲区域BA的外部，也可以防止或减少由于显示设备中的裂纹而导致的缺陷的产生。
为了在整个弯曲区域BA上促进缺陷防止或减少的效果，第二开口160a在其纵长方向(见图3)上的长度d可以大于弯曲区域BA从第一区域1A到第二区域2A的宽度BAw。如此，可以防止或减少由于施加到基底100的边缘的冲击而导致的在整个弯曲区域BA中的裂纹的出现。
此外，有机材料层160的第二开口160a可以不必如上穿透有机材料层160。例如，如在作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图的图5中所示，有机材料层160可以包括作为第二凹槽160a而非第二开口160a的第二特征。在此情况下，可以通过第二凹槽160a有效地防止在有机材料层160中产生的裂纹CR朝向弯曲区域BA的中心部分的蔓延。第二开口160a的上述和其他描述可以被应用到第二凹槽160a。
此外，如图6所示，图6是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图，除了包括第二开口160a的有机材料层160，位于有机材料层160上方的平坦化层140也可以包括第三特征，第三特征是与第二开口160a对应的第三开口140a。平坦化层140的第三开口140a可以与有机材料层160的第二开口160a相似地沿基底100的边缘延伸。即，与图3中示出的第二开口160a类似，平坦化层140可以具有沿基底100的边缘延伸的第三开口140a。
第三开口140a沿基底100的边缘(当假如在基底100未被弯曲时观看，在+x方向上)延伸。因此，如图6所示，即使在有机材料层160和/或平坦化层140的边缘处出现裂纹CR，裂纹CR也不会到达弯曲区域BA的中心部分，而会在第二开口160a和第三开口140a周围被阻止。如此，即使在制造工艺或制造之后的使用过程期间冲击被施加到弯曲区域BA的外部，也可以防止或减少在显示设备中由裂纹导致的缺陷。
为了在整个弯曲区域BA促进缺陷防止或减少影响，平坦化层140的第三开口140a的长度可以大于弯曲区域BA的从第一区域1A到第二区域2A的宽度BAw。如此，可以防止或减少由于施加到基底100的边缘的冲击而导致的整个弯曲区域BA中的裂纹的出现。
平坦化层140可以不必具有如上穿透平坦化层140的第三开口140a。即，平坦化层140可以包括是第三凹槽而非第三开口140a的第三特征。这也被应用至前述实施例、将在后面描述的实施例或它们的修改示例。此外，实施例可以以各种方式修改，例如，有机材料层160可以不包括第二开口160a或第二凹槽160a，可以仅平坦化层140包括第三开口140a或第三凹槽140a。这也被应用至前述实施例、将在后面描述的实施例或它们的修改示例。
如上所述，当有机材料层160具有第二开口160a并且平坦化层140具有第三开口140a时，BPL 600可以至少部分地填充第二开口160a或至少部分地填充第三开口140a。BPL600不仅可以至少部分地填充第二开口160a或第三开口140a，而且可以覆盖弯曲区域BA。
如上所述，BPL 600调整应力中和面的位置。如果BPL 600不填充第二开口160a或第三开口140a，则应力中和面位于第二开口160a或第三开口140a下方的基底100的上表面和下表面之间的中间部分以及其周边部分。因此，当基底100被弯曲时，压应力被施加到例如从基底100的中心部分朝向下表面的部分，而拉应力被施加到例如从基底100的中心部分朝向上表面的部分。因此，裂纹或撕裂会出现在基底100的中心部分和上表面之间。然而，BPL 600至少部分地填充第二开口160a或第三开口140a，从而调整应力中和面的位置，因此可以防止或减少基底100中的缺陷的出现。即使裂纹CR出现在有机材料层160和/或平坦化层140中，第二开口160a或第三开口140a也可以防止或减少裂纹CR朝向弯曲区域BA的中心部分的蔓延。
此外，如图6所示，平坦化层140可以覆盖有机材料层160中的第二开口160a的内侧表面。如上所述，第一导电层215c可以通过使用与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a和漏电极215b同时形成。为实现此，贯穿基底100的几乎整个表面在有机材料层160和/或层间绝缘层130上方形成导电层，之后将其图案化以形成源电极215a、漏电极215b和第一导电层215c。因此，如图7所示，图7是图6的部分A的放大的剖视图，导电材料会残留在有机材料层160中的第二开口160a的内侧表面上，因此，导电残留层215c'会沿第二开口160a的内侧表面至少部分地残留。
导电残留层215c'会在两个不同的导电层之间导致短路，或导致缺陷。例如，当形成像素电极310(见图2)时，形成像素电极310的材料会在导电残留层215c'周围结块。这是由于如果导电残留层215c'包括铝并且像素电极310包括银(Ag)，银会与铝反应以在导电残留层215c'周围形成块。
因此，如图7所示，由于平坦化层140覆盖有机材料层160中的第二开口160a的内侧表面，从而覆盖导电残留层215c'，因此导电残留层215c'可以不被暴露。如此，可以防止或减少在制造工艺期间的缺陷的出现。由于当如上所述形成第一导电层215时会产生导电残留层215c'，因此导电残留层215c'可以包括第一导电层215中包括的材料中的至少一些。如上所述，第一导电层215可以包括钛或铝，并且如果期望的话，可以具有包括钛层/铝层/钛层的多层结构。因此，导电残留层215c'也可以包括钛、铝或它们的混合物或化合物。
图8是沿图3的线VIII-VIII截取的示意性剖视图。如图8所示，有机材料层160中的第二开口160a的长度d(见图3)可以大于平坦化层140中的第三开口140a的长度。因此，如上面参照图7所述，平坦化层140可以覆盖会残留在第二开口160a的内侧表面上的导电材料。
在上面的描述中，描述了有机材料层160包括第二开口160a的情况，但是一个或更多个实施例不限于此。如图9所示，图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，有机材料层160可以包括附加开口160b或附加凹槽。附加开口160b或附加凹槽可以沿基底100的与第二开口160a相邻的边缘延伸。如上所述，由于有机材料层160除了第二开口160a之外还包括附加开口160b或附加凹槽，裂纹CR(见图4至图6)朝向弯曲区域BA的中心部分的蔓延会被阻断两次。
此外，虽然为便于描述图9示出了基底100未弯曲的状态，但是如图1所示，根据实施例的显示设备实际在弯曲区域BA处被弯曲。因此，不同于图9所示，弯曲区域BA位于显示设备的边缘处，具体地，与弯曲轴BAX(见图1)平行并与弯曲区域BA的中心交叉的虚线IL位于显示设备的边缘。因此，外部冲击可以被施加到弯曲区域BA的虚线IL所处的部分。因此，有机材料层160的附加开口160b或附加凹槽被定位为与虚线IL交叉，从而加倍地防止裂纹CR朝向弯曲区域BA的中心部分行进。即，虽然附加开口160b或附加凹槽的长度可以小于第二开口160a的长度，但是附加开口160b或附加凹槽仍可以与虚线IL交叉。
另外，为了获得与上述类似的效果，如图10所示，图10是根据实施例的显示设备的一部分示意性平面图，有机材料层160中的第二开口160a可以具有变化的宽度。即，第二开口160a可以在虚线IL交叉的部分具有与至少一个其他部分的宽度相比更大的宽度，所述虚线IL与弯曲轴BAX(见图1)平行并与弯曲区域BA的中心交叉。第二开口160a的宽度越大，裂纹CR在此位置蔓延的可能性越小。此外，如图11所示，图11是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，第二开口160a沿基底100的边缘延伸，但是第二开口160a在其长度方向的中间部分朝向弯曲区域BA的中心弯曲，使得第二开口160a可以具有弯月形状。
如图12所示，图12是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，有机材料层160还可以包括辅助开口160c或辅助凹槽。辅助开口160c或辅助凹槽可以连接至第二开口160a并可以在与第二开口160a的纵向方向交叉的方向上延伸。有机材料层160可以具有多个辅助开口160c或多个辅助凹槽，在此情况下，辅助开口160c或辅助凹槽可以可选择地在第二开口160a延伸的方向上位于第二开口160a的相对侧。
此外，如图13所示，图13是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，有机材料层160的第二开口160a沿基底100的边缘延伸，有机材料层160的多个岛可以位于其中。
此外，上面描述了第二开口或第二凹槽沿基底100的边缘延伸，但是一个或更多个实施例不限于此。此外，第二开口或第二凹槽可以不形成在有机材料层160中，而可以形成在其他部分中。即，当包括位于第一区域1A和第二区域2A之间的弯曲区域BA的基底100关于弯曲轴BAX被弯曲并且第一导电层215c从第一区域1A通过弯曲区域BA延伸至第二区域2A时，设置在基底100和第一导电层215c之间的绝缘层可以具有在与弯曲轴BAX交叉的方向上延伸的第一开口或第一凹槽，以与在弯曲区域BA处的基底100的边缘和第一导电层215c之间的部分对应。在此，如果显示设备包括多个第一导电层215c，则基底100的边缘和第一导电层215c之间的部分可以被理解为基底100的边缘和多个第一导电层215c中最靠近基底100的边缘的第一导电层之间的部分。
图14是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图，图15是沿图14的线XV-XV截取的示意性剖视图。根据实施例的显示设备在有机材料层160中的第二开口160a'的形状上与根据之前参照图3描述的实施例不同。如图14和图15所示，有机材料层160的第二开口160a'可以(在+y方向或-y方向上)延伸至基底100的端部。
在此情况下，平坦化层140(即，附加有机材料层)可以延伸至基底100的边缘以填充有机材料层160的延长的第二开口160a'。具体的，如图15所示，平坦化层140的侧端表面和BPL 600的侧端表面与基底100的侧端表面粗略地对应，因此，即使当有机材料层160包括第二开口160a'时，基底100的边缘也可以被平坦化层140和/或BPL 600充分地支撑。如此，即使柔性的或可弯曲的基底100在厚度上非常小，也可以有效地防止基底100的非意愿的变形。
此外，如图16所示，图16是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图，与有机材料层160类似，平坦化层140的第三开口140a'可以(在+y方向或-y方向上)延伸至基底100的端部。在此情况下，BPL 600的侧端表面与基底100的侧端表面粗略地对应，因此，即使当有机材料层160包括延长的第二开口160a'并且平坦化层140包括延长的第三开口140a'时，BPL 600也可以充分地支撑基底100的边缘。如此，即使柔性的或可弯曲的基底100在厚度上非常小，也可以有效地防止基底100的非意愿的变形。
如图17所示，图17是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图，有机材料层160可以延伸至基底100的边缘并且平坦化层140具有可以(在+y方向或-y方向上)延伸至基底100的端部的第三开口140a'。在此情况下，BPL 600的侧端表面可以与基底100的侧端表面粗略地对应。
在图15至图17中，有机材料层160包括延伸至基底100的边缘的第二开口160a'或者平坦化层140包括延伸至基底100的边缘的第三开口140a'，但是一个或更多个实施例不限于此。例如，有机材料层160可以包括延伸至基底100的边缘的第二凹槽，平坦化层140可以包括延伸至基底100的边缘的第三凹槽。
根据一个或更多个实施例，可以实现能够在制造期间或之后减少缺陷的产生的显示设备。然而，发明构思的范围不限于上述效果。
应理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性含义来考虑，而不是出于限制的目的。在每个实施例内对特征或方面的描述应被典型地认为可以用于其他实施例中的其他相似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的精神和范围的情况下，可以对其做出形式和细节上的各种改变。上述和其他实施例的各种特征可以以任何方式被混合以及配合，从而产生与本发明一致的另外的实施例。
Claims (20)
1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，所述基底在所述弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；
无机绝缘层，位于所述基底上方，并包括是第一开口或第一凹槽的第一特征，所述第一特征被定位为与所述弯曲区域对应；以及
有机材料层，至少部分地填充所述第一特征，并包括是第二开口或第二凹槽的第二特征，所述第二特征沿所述基底的边缘延伸。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第一开口和所述第一凹槽中的至少一个与所述弯曲区域叠置。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述第一开口或所述第一凹槽的面积比所述弯曲区域的面积大。
4.根据权利要求3所述的显示设备，其中，所述第二开口或所述第二凹槽的长度比所述弯曲区域的在从所述第一区域到所述第二区域的方向上的宽度大。
5.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述有机材料层上方的第一导电层，所述第一导电层从所述第一区域穿过所述弯曲区域延伸至所述第二区域。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述第一开口和所述第一凹槽中的一个的宽度比所述第二开口和所述第二凹槽中的一个的长度大。
7.根据权利要求6所述的显示设备，所述显示设备还包括覆盖所述第一导电层和所述有机材料层的附加有机材料层，其中，所述附加有机材料层包括是第三开口或第三凹槽的第三特征，所述第三特征沿所述基底的所述边缘延伸以与所述第二开口或所述第二凹槽对应。
8.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述第二开口和所述第二凹槽中的一个的长度比所述第三开口和所述第三凹槽中的一个的长度大。
9.根据权利要求7所述的显示设备，其中，所述附加有机材料层覆盖所述第二开口或所述第二凹槽的侧面。
10.根据权利要求9所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述第二开口或所述第二凹槽的侧面的至少一部分的上方的导电残留层，
其中，所述附加有机材料层覆盖所述导电残留层。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述导电残留层包括与所述第一导电层相同的材料。
12.根据权利要求5所述的显示设备，所述显示设备还包括在所述第一区域或所述第二区域中的第二导电层，以位于与所述第一导电层所位于的层不同的层上，所述第二导电层电连接至所述第一导电层。
13.根据权利要求12所述的显示设备，其中，所述第一导电层的伸展率比所述第二导电层的伸展率大。
14.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层包括沿所述基底的边缘延伸以与所述第二开口或所述第二凹槽相邻的附加开口或附加凹槽。
15.根据权利要求14所述的显示设备，其中，所述附加开口或所述附加凹槽的长度比所述第二开口或所述第二凹槽的长度小，所述附加开口或所述附加凹槽与虚线交叉，所述虚线与所述弯曲轴平行并与所述弯曲区域的中心交叉。
16.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述第二开口或所述第二凹槽在邻近所述弯曲区域的中心的第一部分处具有第一宽度，并并在远离所述第一部分处具有第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
17.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层还包括连接至所述第二开口或所述第二凹槽并在与所述第二开口或所述第二凹槽延伸的方向交叉的方向上延伸的辅助开口或辅助凹槽。
18.根据权利要求1所述的显示设备，所述显示设备还包括填充所述第二开口或所述第二凹槽的弯曲保护层。
19.根据权利要求18所述的显示设备，其中，所述弯曲保护层覆盖所述弯曲区域。
20.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域，所述基底在所述弯曲区域中关于弯曲轴弯曲；
第一导电层，从所述第一区域穿过所述弯曲区域延伸至所述第二区域；以及
绝缘层，位于所述基底和所述第一导电层之间，并包括开口或凹槽，所述开口或凹槽在与所述弯曲轴交叉的方向上延伸，以与在所述弯曲区域中的所述基底的边缘和所述第一导电层之间的部分对应。
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