CN107768405A - 显示设备 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 331
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims abstract description 94
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 148
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 29
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 12
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000004811 fluoropolymer Substances 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 wherein Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 101100074336 Xenopus laevis ripply2.1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 1
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 1
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N cellulose acetate Chemical compound OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OC1C(CO)OC(O)C(O)C1O.CC(=O)OCC1OC(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C1OC1C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(OC(C)=O)C(COC(C)=O)O1.CCC(=O)OCC1OC(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C1OC1C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(OC(=O)CC)C(COC(=O)CC)O1 HKQOBOMRSSHSTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC=C21 KYTZHLUVELPASH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N vinylsulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C=C NLVXSWCKKBEXTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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Abstract
提供了一种能够减少在制造工艺期间诸如断开的缺陷的产生,同时确保显示设备的更长的寿命的显示设备。所述显示设备包括:基底,包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域以在弯曲区域中围绕弯曲轴弯曲,基底包括堆叠的第一基底和第二基底;第一中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并且位于第一基底与第二基底之间;第一上部线,位于第二基底的上方以经由第二基底中的第一接触孔电连接到第一中间线。
Description
本申请要求于2016年8月19日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0105585号韩国专利申请的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备,更具体地,涉及一种能够减少在制造工艺期间的诸如断开的缺陷的产生同时确保其更长寿命的显示设备。
背景技术
通常,显示设备包括位于基底上的显示单元。在这样的显示设备中,显示设备的至少一部分可以被弯曲以改善各个角度的可视性或减小非显示区域的面积。
然而,根据相关技术的显示设备,通过制造被弯曲的显示设备的工艺,会出现缺陷,并且会使显示设备的寿命缩短。
发明内容
一个或更多个实施例包括一种显示设备,所述显示设备能够减少在制造工艺期间诸如断开的缺陷的产生,同时确保显示设备的更长的寿命。
另外的方面将在随后的描述中被部分地阐述,并且部分地将通过描述变得清楚,或者可通过所提出的实施例的实践而被获知。
根据一个或更多个实施例,一种显示设备包括:基底,包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域以在弯曲区域中围绕弯曲轴弯曲,基底包括堆叠的第一基底和第二基底;第一中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并且位于第一基底与第二基底之间;第一上部线,位于第二基底的上方以经由第二基底中的第一接触孔电连接到第一中间线。
第一上部线可以至少部分地位于第一区域中。
显示设备还可以包括:第二中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并且位于第一基底与第二基底之间;第二上部线,位于第二基底的上方以经由第二基底中的第二接触孔电连接到第二中间线。
第一中间线的与第一接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
在第一中间线中,与第一接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度,在第二中间线中,与第二接触孔叠置的部分的宽度可以比第二中间线的其它部分的宽度大,其中,第一中间线的与第一接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
显示设备还可以包括:第一附加线,至少部分地位于第二区域中,第二基底上方的第一附加线经由第二基底中的第一附加接触孔电连接到第一中间线。显示设备还可以包括:第二中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并位于第一基底和第二基底之间;第二附加线,位于第二基底上方以经由第二基底中的第二附加接触孔电连接到第二中间线。
第一附加接触孔可以位于第一中间线的上表面内。
第一区域可以包括显示区域,并且第一中间线的在与显示区域相对的方向上的端部可以比第一附加接触孔离显示区域远。
第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度,在第二中间线中,与第二附加接触孔叠置的部分具有比第二中间线的其它部分的宽度大的宽度,其中,第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
显示设备还可以包括:第一附加线,至少部分地位于第二区域中,第二基底上方的第一附加线经由第二基底中的第一附加接触孔电连接到第一中间线。
第一附加接触孔可以位于第一附加线的上表面内。
第一中间线的与第一附加接触孔对应的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
显示设备还可以包括:第二中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并位于第一基底和第二基底之间;第二附加线,位于第一基底上方以经由第一基底中的第二附加接触孔电连接到第二中间线。
第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
在第一附加线中,与第一附加接触孔叠置的部分可以具有比第一附加线的其它部分的宽度大的宽度,在第二附加线中,与第二附加接触孔叠置的部分可以具有比第二附加线的其它部分的宽度大的宽度,其中,第一附加线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二附加线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一附加线和第二附加线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
显示设备还可以包括位于第一附加线的表面上方的电子器件,第一附加线的所述表面远离第二基底。基底可以弯曲为使得第一基底的在第一区域中的一部分和第一基底的在第二区域中的至少一部分面对彼此,显示设备还可以包括位于第一基底的面对彼此的部分之间并包括用于容纳电子器件的凹部的支撑层。
第一区域可以包括显示区域,第一中间线的在朝向显示区域的方向上的端部可以比第一接触孔靠近显示区域。
第一中间线的与第一接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
第一中间线可以包括多个通孔,其中,所述多个通孔可以位于弯曲区域中。
第一上部线可以电连接到显示区域中的显示器件。
根据一个方面,一种显示设备包括:基底,包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域以在弯曲区域中围绕弯曲轴弯曲;第一中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并且位于基底的下表面的上方,其中,基底的下表面在弯曲区域中为内表面;第一上部线,位于基底的上表面的上方以经由基底中的第一接触孔电连接到第一中间线;下保护膜,覆盖第一中间线和基底的下表面。
第一上部线可以至少部分地位于第一区域中。
第一区域可以包括显示区域,第一中间线的在朝向显示区域的方向上的端部可以比第一接触孔靠近显示区域。
第一中间线的与第一接触孔对应的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
显示设备还可以包括:第二中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并布置在基底的下表面的上方,其中,基底的下表面在弯曲区域中为内表面;第二上部线,至少部分地位于第一区域中以经由基底中的第二接触孔电连接到第二中间线。
第一中间线的与第一接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
在第一中间线中,与第一接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度,在第二中间线中,与第二接触孔叠置的部分可以具有比第二中间线的其它部分的宽度大的宽度,其中,第一中间线的与第一接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
显示设备还可以包括:第一附加线,至少部分地位于第二区域中,并且布置在基底的上表面的上方以经由基底中的第一附加接触孔电连接到第一中间线。显示设备还可以包括:第二中间线,至少部分地位于弯曲区域中,并布置在基底的下表面的上方,其中,基底的下表面在弯曲区域中为内表面;第二附加线,位于基底的上表面的上方以经由基底中的第二附加接触孔电连接到第二中间线。
第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
在第一中间线中,与第一附加接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度,在第二中间线中,与第二附加接触孔叠置的部分可以具有比第二中间线的其它部分的宽度大的宽度,其中,第一中间线的与第一附加接触孔叠置的部分和第二中间线的与第二附加接触孔叠置的部分可以在与第一中间线和第二中间线延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
第一附加接触孔可以位于第一附加线的上表面内。
第一区域可以包括显示区域,并且第一中间线的在与显示区域相对的方向上的端部可以比第一附加接触孔离显示区域远。
在第一中间线中,与第一附加接触孔叠置的部分可以具有比第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
基底中的一部分(其中,所述部分与第一中间线对应)的厚度可以比基底中的其它部分的厚度小。在基底的下表面中,与第一中间线相邻的部分可以与第一中间线的远离基底的表面构造连续的表面。
第一中间线可以包括多个通孔,其中,所述多个通孔可以位于弯曲区域中。
第一上部线可以电连接到显示区域中的显示器件。
显示区域可以遍布第一区域、弯曲区域和第二区域。显示设备还可以包括在显示区域中彼此交叉的数据线和扫描线,其中,数据线和扫描线中的一种可以是第一上部线,第一上部线可以在数据线和扫描线彼此交叉的区域中连接到第一中间线,使得数据线和扫描线彼此不直接接触。
显示设备还可以包括:薄膜晶体管,位于第二基底的上方以定位在第一区域、弯曲区域和第二区域中的至少一个区域中;屏蔽层,在第一基底与第二基底之间定位为与薄膜晶体管对应以防止外部光到达薄膜晶体管,其中,屏蔽层可以包括与第一中间线的材料相同的材料。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述,这些和/或其它方面将会变得明显和更容易理解,在附图中:
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图;
图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图3是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图4是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图5是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图6是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图7是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图8是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图9是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图10是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图11是示出制造图10的显示设备的工艺的示意性剖视图;
图12是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图13是根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图;
图14是示出制造根据实施例的显示设备的工艺的示意性剖视图;
图15是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图16是示出制造图15的显示设备的工艺的示意性剖视图;
图17是示出制造根据实施例的显示设备的工艺的示意性剖视图;
图18是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图;
图19是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图;以及
图20是图19的显示设备的一部分的示意性剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例,在附图中示出实施例的示例,其中,同样的附图标记始终表示同样的元件。就这点而言,当前的实施例可以具有不同形式并且不应该被理解为限于这里阐述的描述。因此,在下面通过参照附图仅描述实施例,以说明本说明书的多个方面。如这里所使用的,术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意和全部组合。诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件之后时修饰整列元件,而非修饰所述列中的单个元件。
在下文中,将通过参照附图说明本发明构思的优选实施例来详细描述本公开。附图中同样的附图标记表示同样的元件。
为了便于说明,可以夸大附图中的组件的尺寸。换句话讲,由于为了便于说明而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度,所以下面的实施例不限于此。
在下面的示例中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,而是可以以更广泛的意义来解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以代表互不垂直的不同方向。
图1是根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图,图2是图1的显示设备的一部分的示意性剖视图。
在根据实施例的显示设备中,作为显示设备的一部分的基底100被部分地弯曲,因此,显示设备也具有与基底100一样的部分弯曲的形状。详细地,根据实施例的显示设备中的基底100具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A与第二区域2A之间。此外,如图1中所示,基底100围绕在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴BAX弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料,例如,诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。
更详细地,如图2中所示,基底100可以具有多层结构。也就是说,基底100可以包括彼此堆叠的第一基底101和第二基底102。第一基底101和第二基底102中的每个可以包括上面描述的聚合物树脂。在一些情况下,基底100还可以包括附加层。在图2中,基底100还可以包括位于第一基底101和第二基底102之间的阻挡层103。阻挡层103可以是例如包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、晶体硅、氧化铝和/或硅酸铪的薄的无机层。阻挡层103可以防止杂质经由第一基底101和/或第二基底102渗透到显示单元(未示出)中。
第一区域1A包括显示区域(未示出)。除了包括显示区域之外,第一区域1A也可以包括位于显示区域外部的非显示区域的一部分。在一些情况下,显示区域可以延伸到弯曲区域BA。第二区域2A包括非显示区域。
如图2中所示,如上所述的显示设备包括第一中间线171和第一上部线181。
第一中间线171至少部分地位于弯曲区域BA中。详细地,如图2中所示,第一中间线171可以在第一区域1A和第二区域2A以及弯曲区域BA中延伸。第一中间线171位于第一基底101和第二基底102之间。
第一上部线181至少部分地位于第一区域1A中。在图2中,第一上部线181完全仅位于第一区域1A中。第一上部线181位于第二基底102上,具体地,位于第二基底102的与朝向第一基底101的方向相对的表面上。在一些情况下,另一层可以位于第一上部线181和第二基底102之间。第一上部线181经由第二基底102中的第一接触孔1CT电连接到位于第一基底101和第二基底102之间的第一中间线171。在图2中,第一上部线181被示出为完全填充第一接触孔1CT以与第一中间线171直接接触。
在图1和图2中,基底100在弯曲区域BA处弯曲,因此,在显示设备的制造工艺中,在基底100平坦的状态下制造显示设备的各种组件,之后,使基底100在弯曲区域BA处弯曲,使得显示设备可以具有图1和图2中示出的形状。这里,在使基底100在弯曲区域BA处弯曲的同时,应力会作用于弯曲区域BA中的组件。然而,在根据实施例的显示设备中,可以防止或减少在弯曲工艺期间第一中间线171中的缺陷的产生。
详细地,如图2中所示,由于第一中间线171位于第一基底101和第二基底102之间,所以第一中间线171在整个基底100中位于基底100的大约中心处。因此,当基底100在弯曲区域BA处弯曲时,中性平面位于第一中间线171所位于的位置处或位于第一中间线171周围。因此,尽管在使基底100在弯曲区域BA处弯曲的同时,应力会作用于弯曲区域BA中的组件,但是应力不会作用于位于中性平面处的或位于中性平面周围的第一中间线171。即使应力作用于第一中间线171,也可以减小作用于第一中间线171的应力。因此,可以防止或减少对第一中间线171的损坏。
基底100上的第一上部线181允许电信号被传输到基底100上方的显示区域。如图2中所示,由于第一上部线181位于第一区域1A中,而不位于弯曲区域BA中,所以第一上部线181不因基底100的弯曲而损坏。如上所述,第一上部线181经由第二基底102中的第一接触孔1CT电连接到第一中间线171。除了第一区域1A之外,第一上部线181也可以延伸到弯曲区域BA。在这种情况下,第一上部线181经由位于第一区域1A中而不是弯曲区域BA中的第一接触孔1CT电连接到第一中间线171,因此即使第一上部线181的位于弯曲区域BA中的部分由于应力而损坏,也不会影响显示设备的性能。
另外,如图2中所示,根据实施例的显示设备还可以包括至少部分地位于第二区域2A中的第一附加线191。与第一上部线181类似,第一附加线191可以位于第二基底102的与朝向第一基底101的方向相对的表面上。
第一附加线191至少部分地位于第二区域2A中。在图2中,第一附加线191完全仅位于第二区域2A中。第一附加线191位于第二基底102的上方,具体地,位于与第一基底101背对的表面上。在一些情况下,另一层可以位于第一附加线191和第二基底102之间。第一附加线191经由第二基底102中的第一附加接触孔1ACT电连接到位于第一基底101和第二基底102之间的第一中间线171。在图2中,第一附加线191填充第一附加接触孔1ACT以与第一中间线171直接接触。
第一附加线191的至少一部分可以被理解为焊盘(pad,或称为“垫”)部分。因此,诸如印刷电路板或集成电路的电子器件(未示出)可以经由各向异性导电膜(ACF)电连接到第一附加线191。因此,来自诸如印刷电路板或集成电路的电子器件的电信号可以经由第一附加线191、第一中间线171和第一上部线181传输到显示器件。
如图2中所示,由于第一附加线191位于第二区域2A的上方,而不位于弯曲区域BA的上方,所以第一附加线191不会由于基底100的弯曲而损坏。除了第二区域2A之外,第一附加线191也可以延伸到弯曲区域BA。在这种情况下,第一附加线191经由位于第二区域2A中而不是弯曲区域BA中的第一附加接触孔1ACT电连接到第一中间线171,因此即使第一附加线191的位于弯曲区域BA上方的部分由于应力而损坏,也不会影响显示设备的性能。
下面将简要描述制造根据实施例的显示设备的方法。
首先,在具有足够足以在制造工艺期间用作支撑件的硬度的载体基底(未示出)上形成第一基底101。这可以通过将如上所述的聚合物树脂布置在载体基底上来执行。之后,在第一基底101上通过诸如沉积的工艺来形成阻挡层103,并且通过诸如沉积的方法将诸如金属的导电材料布置在阻挡层103上以形成第一中间线171。可以在上述工艺期间使用掩模以形成第一中间线171,其中,第一中间线171延伸到第一区域1A的与弯曲区域BA相邻的一部分和/或第二区域2A的与弯曲区域BA相邻的一部分。可选择地,在一些实施例中,可以在阻挡层103的整个表面上形成导电层并使导电层图案化以形成第一中间线171。
之后,在阻挡层103上定位如上所述的聚合物树脂来覆盖第一中间线171以形成第二基底102。此外,在第二基底102中形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT以部分地暴露第一中间线171。例如,如图2中所示,可以在第二基底102中形成第一接触孔1CT和第一附加接触孔1ACT,以分别暴露第一中间线171的与第一区域1A和第二区域2A对应的部分。可以通过各种方法来形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT,例如,可以通过使用光致抗蚀剂执行蚀刻方法,或者可以将激光束照射到第二基底102以部分地去除第二基底102。
在形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT之后,通过诸如沉积的方法在第二基底102上定位诸如金属的导电材料,以形成第一上部线181。在此工艺中,可以使用掩模以至少在第一区域1A中形成第一上部线181。可选择地,在一些实施例中,可以在第二基底102的整个表面上形成导电层并使导电层图案化以形成第一上部线181。如上所述,在形成第一上部线181的同时,形成第一上部线181的材料可以填充第一接触孔1CT,因此,第一上部线181可以经由第一接触孔1CT电连接到第一中间线171。
当形成第一上部线181时,可以同时形成第一附加线191。在这种情况下,在形成第一上部线181和第一附加线191期间,形成第一上部线181和第一附加线191的材料可以填充第一附加接触孔1ACT以及第一接触孔1CT,因此,第一上部线181和第一附加线191可以经由第一接触孔1CT和第一附加接触孔1ACT电连接到第一中间线171。
在制造基底100上的显示单元的组件时,可以同时形成如上所述的第一上部线181和/或第一附加线191。如果在基底100上形成另一层,并且在所述另一层上定位第一上部线181和/或第一附加线191,则在所述另一层中形成与第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT对应的接触孔,然后形成第一上部线181和/或第一附加线191。可选择地,在一些实施例中,在第二基底102中形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT之前形成另一层,然后形成穿过第二基底102和所述另一层的第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT,并且可以形成第一上部线181和/或第一附加线191。
在上面的描述中,描述了在第一基底101上形成阻挡层103,在阻挡层103上形成第一中间线171,然后形成第二基底102,但是一个或更多个实施例不限于此。例如,可以在第一基底101上形成第一中间线171,可以在第一基底101的整个表面上形成阻挡层103以覆盖第一中间线171,之后,可以在阻挡层103上形成第二基底102。在这种情况下,可以穿过阻挡层103以及第二基底102形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT。如果第一中间线171和第二基底102彼此直接接触,则会削弱第一中间线171和第二基底102之间的粘合力。因此,可以在第一中间线171和第二基底102之间定位阻挡层103,以防止粘合力弱化。然而,可以应用各种修改,例如,阻挡层可以定位在第一中间线171的上方和下方两个方位处。
图3是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。
如上所述,根据实施例的显示设备包括具有第一基底101、第二基底102和阻挡层103的基底100。基底100具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区域BA。弯曲区域BA在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A和第二区域2A之间。此外,基底100在弯曲区域BA中围绕在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲轴弯曲。然而,为了便于描述,在图3中显示设备未弯曲。在与稍后将描述的实施例相关的一些剖视图或平面图中,为了便于描述,显示设备未处于弯曲状态。第一中间线171位于基底100的第一基底101和第二基底102之间。上面参照图2描述了第一中间线171的形成。
第一区域1A包括显示区域DA。如图3中所示,除了包括显示区域DA之外,第一区域1A也可以包括位于显示区域DA外部的非显示区域的一部分。在一些情况下,显示区域DA可以延伸到弯曲区域BA。第二区域2A包括非显示区域。
如图3中所示,在基底100的显示区域DA中,可以定位显示器件300和薄膜晶体管210,其中,显示器件300电连接到薄膜晶体管210。在图3中,有机发光器件作为显示器件300位于显示区域DA中。有机发光器件与薄膜晶体管210的电连接可以包括像素电极310被电连接到薄膜晶体管210。在一些情况下,薄膜晶体管(未示出)也可以位于基底100的显示区域DA外部的外围区域中。外围区域中的薄膜晶体管可以是例如用于控制施加到显示区域DA的电信号的电路单元的一部分。
薄膜晶体管210可以包括半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。半导体层211可以包括非晶硅、多晶硅或有机半导体材料。为了确保半导体层211和栅电极213之间的绝缘,栅极绝缘层120可以位于半导体层211和栅电极213之间,其中,栅极绝缘层120包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。此外,层间绝缘层130可以位于栅电极213上,源电极215a和漏电极215b可以位于层间绝缘层130上,其中,层间绝缘层130包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。包括无机材料的绝缘层可以通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。这可以应用于稍后将描述的其它实施例及其修改。
缓冲层110可以位于具有上述结构的薄膜晶体管210和基底100之间,其中,缓冲层110可以包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。缓冲层110可以改善基底100的上表面的平滑度,并且可以防止或减少杂质从基底100渗透到薄膜晶体管210的半导体层211中。
平坦化层140可以布置在薄膜晶体管210上。例如,如图3中所示,当有机发光器件布置在薄膜晶体管210上时,平坦化层140可以使覆盖薄膜晶体管210的保护层的上部平坦化。例如,平坦化层140可以包括诸如丙烯酸、苯并环丁烯(BCB)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。在图3中,尽管平坦化层140具有单层结构,但是平坦化层140可以被不同地修改;例如,平坦化层140可以具有多层结构。
另外,如图3中所示,平坦化层140可以存在于第二区域2A中。在图3中,平坦化层140'位于第二区域2A中。位于第二区域2A中的平坦化层140'可以保护第一中间线171或者可以至少部分地覆盖第一上部线181和/或第一附加线191以保护第一上部线181和/或第一附加线191。具体地,如图3中所示,平坦化层140'覆盖在第一上部线181和第一附加线191连接到第一中间线171所通过的第一接触孔1CT或第一附加接触孔1ACT的上方,因此,可以防止杂质通过第一接触孔1CT或第一附加接触孔1ACT的渗透并可以防止对第一中间线171的损坏。
在这种情况下,显示区域DA中的平坦化层140可以与第二区域2A中的平坦化层140'物理地隔离,以防止从外部渗透的杂质经由平坦化层到达显示区域DA的内部。
在基底100的显示区域DA中,有机发光器件可以位于平坦化层140上,其中,有机发光器件包括像素电极310、对电极330以及位于像素电极310与对电极330之间并包括发射层的中间层320。如图3中所示,像素电极310可以经由形成在平坦化层140中的开口与源电极215a和漏电极215b中的一个接触,并且可以电连接到薄膜晶体管210。
像素限定层150可以位于平坦化层140上。像素限定层150包括分别与子像素对应的开口,即,至少暴露像素电极310的中心部分的开口,以限定像素。另外,在图3中示出的示例中,像素限定层150使像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离增大,以防止在像素电极310的边缘处产生电弧。像素限定层150可以包括例如PI或六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。
有机发光器件的中间层320可以包括低分子量有机材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量有机材料时,中间层320可以包括单层或多层结构的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL),有机材料的示例可以包括铜钛菁(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。低分子量有机材料可以通过真空沉积法来沉积。
当中间层320包括聚合物材料时,中间层320可以包括HTL和EML。这里,HTL可以包括PEDOT,EML可以包括聚苯撑乙烯撑(PPV)类或聚芴类聚合物材料。上述中间层320可以通过丝网印刷法、喷墨印刷法或激光诱导热成像(LITI)法形成。
然而,中间层320不限于上述示例,而是可以具有各种结构。此外,中间层320可以包括遍布多个像素电极310一体形成的层,或者被图案化为与多个像素电极310中的每个对应的层。
对电极330布置在显示区域DA的上方,并且如图3中所示,可以覆盖显示区域DA。也就是说,对电极330可以相对于多个有机发光器件一体形成,以与多个像素电极310对应。
由于有机发光器件会容易被外部湿气或氧损坏,所以包封层400可以覆盖有机发光器件以保护有机发光器件。包封层400覆盖显示区域DA,并且也可以延伸到显示区域DA的外部。如图3中所示,包封层400可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410覆盖对电极330,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在一些情况下,诸如覆盖层的另一层可以位于第一无机包封层410和对电极330之间。如图3中所示,由于第一无机包封层410根据其下面的结构形成,所以第一无机包封层410可以具有不均匀的上表面。有机包封层420覆盖第一无机包封层410,并且与第一无机包封层410不同,有机包封层420可以具有均匀的上表面。更详细地,有机包封层420可以在与显示区域DA对应的部分处基本具有均匀的上表面。有机包封层420可以包括从由PET、PEN、PC、PI、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯和六甲基二硅氧烷组成的组中选择的至少一种材料。第二无机包封层430覆盖有机包封层420,并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。在显示区域DA外部,第二无机包封层430可以在其边缘处与第一无机包封层410接触,以不使有机包封层420暴露于外部。
如上所述,由于包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430,所以即使在上述多层结构的包封层400中存在裂纹,也可以使裂纹在第一无机包封层410和有机包封层420之间或者在有机包封层420和第二无机包封层430之间断开。这样,可以防止或减少形成外部湿气或氧会渗透到显示区域DA中所经过的路径。
在一些情况下,可以在包封层400上形成具有用于执行触摸屏功能的各种图案的触摸电极或用于保护触摸电极的触摸保护层。这样的上述触摸电极或触摸保护层可以通过沉积工艺形成在包封层400上。一个或更多个实施例可以不限于此,也就是说,预先准备的并且包括触摸电极的触摸面板可以附于包封层400,使得显示设备可以具有触摸屏功能。
偏振板520可以经由光学透明粘合剂(OCA)510位于包封层400上。偏振板520可以减少外部光的反射。例如,当穿过偏振板520的外部光被对电极330的上表面反射,然后再次穿过偏振板520时,外部光穿过偏振板520两次,可以改变外部光的相位。因此,反射光的相位与进入偏振板520的外部光的相位不同,从而发生相消干涉,因此,可以减少外部光的反射,并且可以改善可视性。如图3中所示,OCA 510和偏振板520可以覆盖平坦化层140中的开口。根据一个或更多个实施例的显示设备可以不包括偏振板520,在一些情况下,可以省略偏振板520或由其它元件替代偏振板520。例如,可以省略偏振板520,并且可以使用黑矩阵和滤色器来减少外部光的反射。
在制造工艺期间,可以在形成第一上部线181和/或第一附加线191之前在第二基底102中形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT。可以通过各种方法制造第二基底102中的第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT;例如,可以通过使用光致抗蚀剂来蚀刻第二基底102的预设部分,或者可以将激光束照射到第二基底102以去除第二基底102的一部分。具体地,由于第二基底102包括聚合物树脂,所以可以使用激光束。在通过使用激光束的激光烧蚀技术(LAT)形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT的情况下,第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT的内侧表面与基底100之间的角度比通过使用光致抗蚀剂形成的接触孔的内侧表面与基底100之间的角度更接近90°。通过使用光致抗蚀剂形成的接触孔的示例是形成为使源电极215a和漏电极215b与半导体层211接触的接触孔。
如上所述,尽管为了便于描述,图3示出了基底100不弯曲的状态,但是如图2中所示,基底100实际上在弯曲区域BA处弯曲。在制造工艺中,在形成显示器件300之后执行弯曲操作。因此,在根据本实施例的显示设备中,可以防止或减少在弯曲工艺期间第一中间线171中缺陷的产生。
详细地,如图3中所示,由于第一中间线171位于第一基底101和第二基底102之间,所以第一中间线171在整个基底100中位于基底100的大约中心处。因此,当基底100在弯曲区域BA处弯曲时,中性平面位于第一中间线171所位于的部分处或位于第一中间线171周围。因此,尽管在使基底100在弯曲区域BA处弯曲时,应力会作用于弯曲区域BA中的组件,但是应力不会作用于位于中性平面处的或位于中性平面周围的第一中间线171上或者可以在位于中性平面处的或位于中性平面周围的第一中间线171上减小应力。因此,可以减少或防止对第一中间线171的损坏。
由于用于将电信号传输到基底100上的显示区域的位于基底100上的第一上部线181或第一附加线191位于第一区域1A或第二区域2A中,而不位于弯曲区域BA中,如图3中所示,所以第一上部线181或第一附加线191不因基底100的弯曲而损坏。除了第一区域1A或第二区域2A之外,第一上部线181和第一附加线191也可以延伸到弯曲区域BA。在这种情况下,第一上部线181和第一附加线191经由位于第一区域1A和第二区域2A中(而不是位于弯曲区域BA中)的第一接触孔1CT和第一附加接触孔1ACT电连接到第一中间线171,因此即使第一上部线181和第一附加线191的位于弯曲区域BA中的部分由于应力而被损坏,显示设备的性能也不会因该损坏而受到影响。
第一附加线191的至少一部分可以被理解为焊盘部分。因此,诸如印刷电路板或集成电路的电子器件(未示出)可以经由ACF电连接到第一附加线191。因此,来自诸如印刷电路板或集成电路的电子器件的电信号可以经由第一附加线191、第一中间线171和第一上部线181传输到显示器件。在图3中,为了便于描述,第一上部线181未电连接到显示器件或薄膜晶体管,但是第一上部线181可以电连接到显示器件或薄膜晶体管。
连接第一中间线171和第一上部线181所通过的第一接触孔1CT位于第一区域1A中,而不位于弯曲区域BA中,因此,如图3中所示,第一接触孔1CT可以位于显示区域DA的外部,或者可以位于显示区域DA中。在稍后的情况中,第一中间线171位于弯曲区域BA中,并且同时可以延伸到显示区域DA。
此外,如图3中所示,显示设备还可以包括位于显示区域DA中的附加中间线171'。附加中间线171'位于显示区域DA中,并且可以设置在第一基底101和第二基底102之间。附加中间线171'定位成对应于薄膜晶体管210,并且用作可以防止外部光穿过基底100并到达薄膜晶体管210的屏蔽层。附加中间线171'也可以用作电容器的电极或另一线。在上述各种结构中,可以调整位于附加中间线171'上面和下面的第一基底101和第二基底102的厚度,以在附加中间线171'上形成中性平面。此外,可以将第二基底102和缓冲层110的厚度的总和调整为比栅极绝缘层120和层间绝缘层130的厚度的总和大,以增加导电层之间的距离,因此,可以减小寄生电容。在显示设备的制造工艺期间,可以通过使用与第一中间线171相同的材料与第一中间线171同时形成附加中间线171'。
在图3中,第一附加线191的与弯曲区域BA对应或相邻的部分仅示出为被平坦化层140'覆盖,但是一个或更多个实施例不限于此。例如,如作为根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图的图4中所示,平坦化层140'可以覆盖第一附加线191的所有边缘,并且可以具有暴露第一附加线191的中心部分的开口。第一附加线191可以用作与诸如驱动芯片或印刷电路板的电子器件电连接的焊盘。
可选择地,如作为根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图的图5中所示,显示设备可以不包括第一附加线191,第一中间线171可以用作焊盘。在这种情况下,第一中间线171充分地延伸到第二区域2A,并且部分地去除缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和第二基底102以部分地暴露第一中间线171。如上所述,第一中间线171的暴露部分可以用作与诸如驱动芯片或印刷电路板的电子器件电连接的焊盘。
图6是根据另一实施例的显示设备的一部分的示意性平面图。如图6中所示,第一接触孔1CT可以在第一中间线171的上表面内。如上所述,由于第一接触孔1CT可以通过LAT形成,所以当第一接触孔1CT形成在第一中间线171的表面中时,因为包含金属的第一中间线171可以阻挡激光束,所以可以防止激光束照射到第一中间线171下方的第一基底101上并且可以防止对第一基底101的损坏。在根据实施例的显示设备中,第一区域1A可以包括显示区域DA,并且第一中间线171的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第一接触孔1CT靠近显示区域DA。因此,第一接触孔1CT可以容易地定位在第一中间线171的表面内。同样,第一附加接触孔1ACT也可以定位在第一中间线171的表面内。在这种情况下,第一中间线171的在与显示区域DA相对的方向上的端部可以比第一附加接触孔1ACT离显示区域DA远。因此,第一附加接触孔1ACT可以容易地定位在第一中间线171的表面内。
在图6中,为了便于描述,第一中间线171示出为平坦的,但第一中间线171与第一基底101和第二基底102一起在弯曲区域BA处弯曲。如上所述,由于第一中间线171位于中性平面处或位于中性平面周围,所以可以防止或减少由于弯曲而导致的对第一中间线171的损坏。此外,如图6中所示,第一中间线171可以包括多个通孔171a。这样,可以减小第一中间线171的强度,使得第一中间线171可以被平滑地弯曲。多个通孔171a可以仅定位在弯曲区域BA中。
此外,如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图7中所示,第一中间线171的一部分(其中,所述部分与第一接触孔1CT叠置)可以具有比第一中间线171的其它部分的宽度W2大的宽度W1。这里,第一中间线171的所述其它部分可以不表示除了与第一接触孔1CT叠置的部分之外的所有其它部分。例如,在一些情况下,第一中间线171的一些部分可以具有等于或大于与第一接触孔1CT叠置的部分的宽度W1的宽度。这可以应用于稍后将描述的实施例以及其修改示例。
如上所述,由于第一接触孔1CT可以通过LAT形成,所以当第一中间线171的与第一接触孔1CT叠置的部分的宽度W1增大时,可以防止激光束照射到第一中间线171下面的第一基底101上并且可以防止对第一基底101的损坏。同样地,第一中间线171的一部分(其中,所述部分与第一附加接触孔1ACT叠置)的宽度W1可以比第一中间线171的任何其它部分的宽度W2大。
上面描述了显示设备包括第一中间线171、第一上部线181和第一附加线191的情况,但是一个或更多个实施例不限于此。例如,如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图8中所示,显示设备还可以包括第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。
第二中间线172与第一中间线171类似至少部分地位于弯曲区域BA中,并且设置在第一基底101和第二基底102之间。这里,第二中间线172与第一中间线171在相同的方向上延伸,并且与第一中间线171间隔开。第二上部线182与第一上部线181类似位于第二基底102上以至少部分地位于第一区域1A中,并且经由第二基底102中的第二接触孔2CT电连接到第二中间线172。第二附加线192与第一附加线191类似位于第二基底102上以至少部分地位于第二区域2A中,并且经由第二基底102中的第二附加接触孔2ACT电连接到第二中间线172。通过上述构造,来自电连接到第二附加线192的诸如印刷电路板或集成电路的电子器件的电信号可以经由第二中间线172和第二上部线182传输到显示器件。
上面关于第一中间线171、第一上部线181和第一附加线191的描述可以分别应用于第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。例如,第二接触孔2CT可以位于第二中间线172的上表面内,并且第二中间线172的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第二接触孔2CT靠近显示区域DA。第二附加接触孔2ACT也可以位于第二中间线172的上表面内。在这种情况下,第二中间线172的在与显示区域DA相对的方向上的端部可以比第二附加接触孔2ACT离显示区域DA远。此外,第二中间线172也可以包括多个通孔。
此外,第二中间线172的一部分(其中,所述部分与第二接触孔2CT叠置)可以具有比第二中间线172的其它部分的宽度大的宽度。第二中间线172的一部分(其中,所述部分与第二附加接触孔2ACT叠置)也可以具有比第二中间线172的其它部分的宽度大的宽度。这里,与第一中间线171中的第一接触孔1CT对应的部分和与第二中间线172中的第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一中间线171的一部分(其中,所述部分与第一附加接触孔1ACT叠置)和第二中间线172的一部分(其中,所述部分与第二附加接触孔2ACT叠置)可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。这样,即使在第一中间线171具有局部厚的部分并且第二中间线172具有局部厚的部分时,也可以防止由于厚的部分之间的接触而引起的短路。
如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图9中所示,第一中间线171和第二中间线172可以不具有厚的部分。尽管如此,如图9中所示,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分和第二中间线172的与第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一中间线171的与第一附加接触孔1ACT对应的部分和第二中间线172的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
图10是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。对于第一附加线191的位置,根据该实施例的显示设备与根据前一实施例的显示设备不同。
根据该实施例的显示设备中的第一附加线191至少部分地位于第二区域2A中,并且位于第一基底101上,而不位于第二基底102上。具体地,第一附加线191位于第一基底101的表面上,其中,所述表面背离第二基底102。如图10中所示,由于在第一基底101的表面中形成凹槽,并且第一附加线191可以位于凹槽中,所以第一基底101中的凹槽的底表面也可以被理解为第一基底101的表面的一部分,其中,第一基底101的所述表面背离第二基底102。第一附加线191经由第一附加接触孔1ACT电连接到第一中间线171。这里,填充第一附加接触孔1ACT的材料可以不是包括在第一附加线191中的材料,而可以是包括在第一中间线171中的材料。
图11是示出制造图10的显示设备的工艺的剖视图。如图11中所示,通过使用导电材料在载体基底900上形成第一附加线191。可以通过使用掩模的沉积方法形成第一附加线191,或者可以通过在形成导电层之后通过使用光致抗蚀剂等使导电层图案化来形成第一附加线191。
之后,通过使用聚合物树脂等形成第一基底101以覆盖第一附加线191。因此,第一基底101的与第一附加线191对应的部分可以具有比第一基底101的其它部分的厚度t2(参见图10)小的厚度t1(参见图10)。此外,在第一基底101的远离第二基底102的表面中,与第一附加线191相邻的部分可以与第一附加线191的远离第二基底102的表面一起构造连续的表面。在第一基底101的远离第二基底102的表面中,与第一附加线191相邻的部分与载体基底900(在+z方向上)的上表面接触,并且第一附加线191的远离第二基底102的表面也与载体基底900(在+z方向上)的上表面接触。
在形成第一基底101之后,在第一基底101中形成暴露第一附加线191的至少一部分的第一附加接触孔1ACT。在一些情况下,在形成第一附加接触孔1ACT之前,可以在第一基底101上形成阻挡层103。在这种情况下,可以在阻挡层103和第一基底101中形成暴露第一附加线191的至少一部分的第一附加接触孔1ACT。可以通过各种方法形成第一附加接触孔1ACT;例如,可以使用利用光致抗蚀剂的蚀刻方法,或者将激光束照射到第一基底101的远离载体基底900的表面中以去除第一基底101的一部分。
之后,在第一基底101或阻挡层103上形成第一中间线171。可以通过使用掩模的沉积方法形成第一中间线171,或者可以通过在形成导电层之后通过使用光致抗蚀剂使导电层图案化来形成第一中间线171。这里,用于形成第一中间线171的材料填充第一附加接触孔1ACT,使得第一中间线171可以电连接到第一附加线191。
在形成第一中间线171之后,形成第二基底102,然后在第二基底102中形成第一接触孔1CT,并且形成第一上部线181。然后,用于形成第一上部线181的材料可以填充第一接触孔1CT,使得第一上部线181可以电连接到第一中间线171。如上面参照图3所示的,在一些情况下,在第二基底102中形成第一接触孔1CT之前,可以形成缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130。然后,可以在第二基底102中形成第一接触孔1CT。
之后,在基底100上方设置显示器件,并且将基底100与载体基底900分开。然后,使基底100在弯曲区域BA处弯曲,以制造出如图10中所示的显示设备。
在上面的描述中,在第一基底101上形成阻挡层103,在阻挡层103上形成第一中间线171,然后形成第二基底102。然而,一个或更多个实施例不限于此。例如,可以在第一基底101上形成第一中间线171,可以在第一基底101的整个表面上方形成阻挡层103以覆盖第一中间线171。之后,可以在阻挡层103上形成第二基底102。在这种情况下,可以穿过整个阻挡层103以及第二基底102形成第一接触孔1CT和/或第一附加接触孔1ACT。当第一中间线171和第二基底102彼此直接接触时,会削弱第一中间线171和第二基底102之间的粘合力,因此,可以在第一中间线171和第二基底102之间设置阻挡层103,以防止粘合力弱化。可以以各种方式修改阻挡层103;例如,阻挡层103可以定位在第一中间线171的上方和下方两个方位处。这可以应用于稍后将描述的实施例或其修改示例。在一些情况下,可以在载体基底900上形成第一附加线191,可以形成阻挡层103以覆盖第一附加线191。在这种情况下,此后可以执行第一基底101的形成。这可以应用于稍后将描述的实施例或其修改示例。
此外,如图10中所示,根据实施例的显示设备还可以包括电子器件600。电子器件600可以是诸如集成电路的电子芯片。电子器件600可以位于第一附加线191的表面上,其中,所述表面远离第二基底102。这样,来自电子器件600的电信号可以经由第一附加线191、第一中间线171和第一上部线181传输到显示器件或薄膜晶体管。此外,在根据实施例的显示设备中,由于电子器件600位于基底100内部,所以可以有效地保护电子器件600免受外部冲击的影响。也就是说,使基底100弯曲,使得第一基底101的位于第一区域1A中的至少一部分和第一基底101的位于第二区域2A中的至少一部分可以彼此面对,并且电子器件600位于第一基底101的面对的部分之间,以有效地保护显示器件600免受外部冲击的影响。
此外,如图10中所示,根据实施例的显示设备还可以包括设置在第一基底101的面对的部分之间的支撑层700,其中,支撑层700具有用于容纳电子器件600的凹部。在这种情况下,支撑层700可以支撑基底100,同时可以保护电子器件600。此外,在一些情况下,支撑层700可以具有弹性以吸收外部冲击。
在第一附加线191位于第一基底101上而不位于第二基底102上的情况下,可以应用上面参照图6的描述。例如,第一接触孔1CT可以位于第一中间线171的上表面内,并且第一中间线171的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第一接触孔1CT靠近显示区域DA。因为在形成第一附加线191之后形成第一附加接触孔1ACT,所以第一附加接触孔1ACT可以位于第一附加线191的上表面内。在这种情况下,第一附加线191的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第一附加接触孔1ACT靠近显示区域DA。这样,可以确保第一附加接触孔1ACT在第一附加线191的上表面内的定位。
此外,如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图12中所示,如上面参照图7所描述的,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分可以具有比第一中间线171的其它部分的宽度大的宽度。然而,与图7中示出的示例不同,因为在形成第一附加线191之后形成第一附加接触孔1ACT,所以如图12中所示,第一附加线191的与第一附加接触孔1ACT对应的部分可以具有比第一附加线191的其它部分的宽度大的宽度。
此外,如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性平面图的图13中所示,显示设备还可以包括第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。第二中间线172与第一中间线171类似至少部分地位于弯曲区域BA中,并且设置在第一基底101和第二基底102之间。这里,第二中间线172在与第一中间线171的延伸方向相同的方向上延伸,并且与第一中间线171间隔开。第二上部线182与第一上部线181类似至少部分地位于第一区域1A中,并且经由第二基底102中的第二接触孔2CT电连接到第二中间线172。第二附加线192与第一附加线191类似位于第一基底101的表面上(其中,所述表面远离第二基底102)以至少部分地位于第二区域2A中,并且经由第一基底101中的第二附加接触孔2ACT电连接到第二中间线172。通过上述构造,来自电连接到第二附加线192的诸如印刷电路板或集成电路的电子器件的电信号可以经由第二中间线172和第二上部线182传输到显示器件。
关于第一中间线171、第一上部线181和第一附加线191的上面的描述可以分别应用于第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。例如,第二接触孔2CT可以位于第二中间线172的上表面内,并且第二中间线172的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第二接触孔2CT靠近显示区域DA。第二附加接触孔2ACT也可以位于第二附加线192的上表面内。此外,在这种情况下,第二附加线192的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第二附加接触孔2ACT靠近显示区域DA。
此外,如图13中所示,如上面参照图8所描述的,在第二中间线172中,与第二接触孔2CT对应的部分的宽度可以大于第二中间线172的其它部分的宽度。然而,如图13中所示,由于与图8的示例不同,在形成第二附加接触孔2ACT之前形成第二附加线192,所以第二附加线192的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以具有比第二附加线192的其它部分的宽度大的宽度。
这里,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分和第二中间线172的与第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一附加线191的与第一附加接触孔1ACT对应的部分和第二附加线192的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以在与第一附加线191和第二附加线192延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。这样,即使当第一中间线171、第二中间线172、第一附加线191和第二附加线192具有局部厚的部分时,也可以防止由于厚的部分之间的接触而引起的短路。
图9的平面图可以应用于参照图10示出的显示设备。也就是说,与图13中示出的示例不同,第一中间线171、第二中间线172、第一附加线191和第二附加线192可以不具有如图9中所示的局部厚的部分。尽管如此,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分和第二中间线172的与第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一附加线191的与第一附加接触孔1ACT对应的部分和第二附加线192的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以在与第一附加线191和第二附加线192延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
此外,如图11中所示,当在载体基底900上形成第一附加线191时,当在后续工艺中将基底100与载体基底900分开时,第一附加线191不会容易地与载体基底900分开。为了解决这个问题,如作为示出制造根据实施例的显示设备的工艺的示意性剖视图的图14中所示,可以在形成第一附加线191之前,在载体基底900的其上将要形成第一附加线191的部分上形成结合弱化层910。当在结合弱化层910上形成包括金属的第一附加线191时,第一附加线191和结合弱化层910之间的结合力低,因此当将基底100与载体基底900分开时,可以容易地使第一附加线191与结合弱化层910分开。结合弱化层910可以包括例如石墨烯。
图15是根据实施例的显示设备的一部分的示意性剖视图。对于第一中间线171的位置以及下保护膜800的存在,根据该实施例的显示设备与根据前一实施例的显示设备不同。
如图15中所示,在根据该实施例的显示设备中,第一中间线171至少部分地位于弯曲区域BA中,并且设置在基底100的下表面上,其中,基底100的下表面在弯曲区域BA中是内表面。此外,第一上部线181位于基底100的上表面上,使得第一上部线181的至少一部分位于第一区域1A中,并且经由基底100中的第一接触孔1CT电连接到基底100的下表面上的第一中间线171。此外,基底100的下表面和第一中间线171被下保护膜800覆盖。
下保护膜800包括具有PET或PI的保护膜基体以及具有压敏粘合剂(PSA)的粘合层。此外,下保护膜800通过粘合层附于基底100的下表面。通常,第一基底101和第二基底102均可以具有约几十微米的厚度,并且下保护膜800具有约100μm的厚度。因此,下保护膜800比基底100厚。然而,由于下保护膜800中的粘合层具有PSA,所以粘合层可以减缓在基底100弯曲时产生的应力。因此,在包括下保护膜800和基底100的堆叠结构中,弯曲区域BA中的堆叠结构中的中性平面形成在下保护膜800的粘合层的周围。如上所述,第一中间线171位于基底100的下表面和下保护膜800之间,因此,中性平面可以位于第一中间线171处或位于第一中间线171周围,因此,可以防止在堆叠结构弯曲时对第一中间线171的损坏。
如图15中所示,根据实施例的显示设备可以包括第一附加线191,第一附加线191至少部分地位于第二区域2A中,并且位于基底100的上表面上,以经由基底100中的第一附加接触孔1ACT电连接到第一中间线171。第一附加线191可以与第一上部线181同时形成。当诸如薄膜晶体管的组件形成在显示区域中时,第一附加线191和第一上部线181可以同时形成。诸如印刷电路板或集成电路的电子器件可以电连接到第一附加线191。
如图15中所示,第一接触孔1CT可以位于第一中间线171的上表面内。如上所述,第一接触孔1CT可以通过LAT形成,因此,当第一接触孔1CT形成在第一中间线171的上表面内时,可以防止激光束照射到第一中间线171下方的载体基底900上,并且可以防止对载体基底900的损坏。这是因为包括金属的第一中间线171可以阻挡激光束。在根据实施例的显示设备中,第一区域1A包括显示区域DA,并且第一中间线171的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第一接触孔1CT靠近显示区域DA。因此,第一接触孔1CT可以位于第一中间线171的上表面内。同样,第一附加接触孔1ACT也可以位于第一中间线171的上表面内。在这种情况下,第一中间线171的在与显示区域DA相对的方向上的端部可以比第一附加接触孔1ACT离显示区域DA远。因此,第一附加接触孔1ACT可以位于第一中间线171的上表面内。
如上面参照图6所描述的,第一中间线171可以包括多个通孔171a。这样,可以减小第一中间线171的强度,并且可以使第一中间线171平滑地弯曲。多个通孔171a可以仅位于弯曲区域BA中。
上面参照图7至图9的描述可以应用于参照图15示出的实施例。也就是说,如图7中所示,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分可以具有比第一中间线171的其它部分的宽度W2大的宽度W1。这样,可以阻挡激光束照射到第一中间线171下面的载体基底900上以防止对载体基底900的损坏。同样地,第一中间线171的与第一附加接触孔1ACT对应的部分可以具有比第一中间线171的其它部分的宽度W2大的宽度W1。
如图8中所示,根据实施例的显示设备还可以包括第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。
第二中间线172与第一中间线171类似至少部分地位于弯曲区域BA中,并且位于基底100的下表面上。这里,第二中间线172与第一中间线171在相同的方向上延伸,并且与第一中间线171间隔开。第二上部线182位于基底100上以至少部分地位于第一区域1A中,并且经由基底100中的第二接触孔2CT电连接到第二中间线172。第二附加线192与第一附加线191类似位于基底100上以至少部分地位于第二区域2A中,并且经由基底100中的第二附加接触孔2ACT电连接到第二中间线172。这样,来自电连接到第二附加线192的诸如印刷电路板或集成电路的电子器件的电信号可以经由第二中间线172和第二上部线182传输到显示器件。
上面关于第一中间线171、第一上部线181和第一附加线191的描述可以分别应用于第二中间线172、第二上部线182和第二附加线192。例如,第二接触孔2CT可以位于第二中间线172的上表面内,并且第二中间线172的在朝向显示区域DA的方向上的端部可以比第二接触孔2CT靠近显示区域DA。第二附加接触孔2ACT也可以位于第二中间线172的上表面内。在这种情况下,第二中间线172的在与显示区域DA相对的方向上的端部可以比第二附加接触孔2ACT离显示区域DA远。此外,第二中间线172也可以包括多个通孔。
另外,在第二中间线172中,与第二接触孔2CT对应的部分可以具有比第二中间线172的其它部分的宽度大的宽度。此外,在第二中间线172中,与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以具有比第二中间线172的其它部分的宽度大的宽度。这里,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分和第二中间线172的与第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一中间线171的与第一附加接触孔1ACT对应的部分和第二中间线172的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。这样,即使第一中间线171具有局部厚的部分并且第二中间线172具有局部厚的部分时,也可以防止由于厚的部分之间的接触而引起的短路。
在一些情况下,如图9中所示,第一中间线171和第二中间线172可以不具有厚的部分。此外,如图9中所示,第一中间线171的与第一接触孔1CT对应的部分和第二中间线172的与第二接触孔2CT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。同样地,第一中间线171的与第一附加接触孔1ACT对应的部分和第二中间线172的与第二附加接触孔2ACT对应的部分可以在与第一中间线171和第二中间线172延伸所沿的方向交叉的方向上彼此不相邻。
图16是示出制造图15的显示设备的工艺的示意性剖视图。如图16中所示,在载体基底900上形成包括导电材料的第一中间线171。可以通过使用掩模的沉积方法形成第一中间线171,或者可以通过形成导电层并通过使用光致抗蚀剂使导电层图案化来形成第一中间线171。
之后,形成包括聚合物树脂的第一基底101以覆盖第一中间线171。因此,第一基底101的在与第一中间线171对应的部分处的厚度t3(参见图15)可以比第一基底101的其它部分的厚度t4(参见图15)小。此外,在第一基底101的远离第二基底102的表面(即,基底100的下表面)中,与第一中间线171相邻的部分可以与第一中间线171的远离第二基底102的表面形成连续的或平齐的表面。在第一基底101的远离第二基底102的表面中,与第一中间线171相邻的部分与载体基底900的(在+z方向上的)上表面接触,并且第一中间线171的远离第二基底102的表面也与载体基底900的(在+z方向上的)上表面接触。
在形成第一基底101之后,形成第二基底102。在一些情况下,可以在第一基底101和第二基底102之间形成阻挡层103。此外,在基底100中形成第一接触孔1CT,以部分地暴露第一中间线171,然后,形成第一上部线181使得第一上部线181的材料填充第一接触孔1CT,并且使得第一上部线181电连接到第一中间线171。如上面参照图3所描述的,在基底100中形成第一接触孔1CT之前,在一些情况下可以形成缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130。之后,可以在基底100中形成第一接触孔1CT。可以通过例如使用LAT形成第一接触孔1CT。
之后,在基底100上形成显示器件,将基底100与载体基底900分开,将下保护膜800附于第一中间线171的下表面和基底100的下表面,并且使基底100和下保护膜800在弯曲区域BA处弯曲,以获得如图15中所示的显示设备。
此外,如图16中所示,当在载体基底900上形成第一中间线171时,在将基底100与载体基底900分离时,第一中间线171不会容易地与载体基底900分离。为了解决这个问题,如作为示出制造根据实施例的显示设备的工艺的示意性剖视图的图17中所示,可以提前在载体基底900的其上将要形成第一中间线171的部分上形成结合弱化层910。当在结合弱化层910上形成包括金属材料的第一中间线171时,第一中间线171和结合弱化层910之间的结合力弱,因此当将基底100与载体基底900分开时,可以容易地使第一中间线171与结合弱化层910分离。结合弱化层910可以包括例如石墨烯。
此外,尽管在图16中基底100示出为包括第一基底101、第二基底102和阻挡层103,但是参照图16的描述可以应用于图18中所示的具有单层的基底100。
此外,如作为根据实施例的显示设备的一部分的示意性透视图的图19中所示,弯曲区域BA可以不位于显示区域的外部。也就是说,如图19中所示,第二区域2A可以具有与第一区域1A的面积相等或几乎相等的面积,在这种情况下,显示区域遍布第一区域1A、弯曲区域BA和第二区域2A定位。
在这种情况下,位于弯曲区域BA中的(子)像素中的线可以具有与第一中间线171或附加中间线171'的结构相同的结构。也就是说,如作为图19的显示设备中的弯曲区域BA的一部分的示意性剖视图的图20中所示,可以通过使用附加中间线171”来实现数据线,以防止数据线在弯曲区域BA中被损坏。在图20中,示意性地示出了位于弯曲区域BA中的(子)像素。此外,图20示出了位于第一基底101和第二基底102之间的附加中间线171”电连接到薄膜晶体管210的源电极215a以用作数据线。
此外,在位于第一区域1A或第二区域2A(而不是弯曲区域BA)中的显示区域中,数据线可以与图3中示出的示例类似地位于与源电极215a的层级相同的层级。非弯曲区域的数据线可以与图6至图9、图12和图13中示出的结构类似地经由接触孔电连接到执行为弯曲区域BA中的数据线的附加中间线171”。在一些情况下,位于第一基底101和第二基底102之间的附加中间线可以执行为非弯曲区域中的数据线。
如上所述,附加中间线171”作为位于弯曲区域BA中的显示区域中的数据线,同时,如图20中所示,第一基底101和第二基底102之间的附加中间线171'定位为对应于薄膜晶体管210,以执行为防止外部光穿过基底100并到达薄膜晶体管210的屏蔽层。在一些情况下,附加中间线171'可以用作电容器的电极或另一线。附加中间线171”和/或附加中间线171'可以通过使用与第一附加线171的材料相同的材料与第一附加线171同时形成。
上面描述了显示设备,但是其制造方法也属于本公开的范围。
根据一个或更多个实施例,可以实现能够减少在制造工艺期间诸如断开的缺陷,同时确保显示设备的更长的寿命的显示设备。本公开的范围不限于上述效果。
应该理解的是,这里描述的实施例应当仅以描述性的含义来考虑,而不是出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它相似的特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例,但本领域的普通技术人员将理解的是,在不脱离如由所附权利要求限定的精神和范围的情况下,在这里可以进行形式和细节上的各种改变。
Claims (10)
1.一种显示设备,所述显示设备包括:
基底,包括位于第一区域和第二区域之间的弯曲区域以在所述弯曲区域中围绕弯曲轴弯曲,所述基底包括堆叠的第一基底和第二基底;
第一中间线,至少部分地位于所述弯曲区域中,并且位于所述第一基底与所述第二基底之间;以及
第一上部线,位于所述第二基底的上方以经由所述第二基底中的第一接触孔电连接到所述第一中间线。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一上部线至少部分地位于所述第一区域中。
3.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
第二中间线,至少部分地位于所述弯曲区域中,并且位于所述第一基底与所述第二基底之间;以及
第二上部线,位于所述第二基底的上方以经由所述第二基底中的第二接触孔电连接到所述第二中间线。
4.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:第一附加线,至少部分地位于所述第二区域中,所述第一附加线在所述第二基底的上方经由所述第二基底中的第一附加接触孔电连接到所述第一中间线。
5.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:第一附加线,至少部分地位于所述第二区域中,所述第一附加线在所述第一基底的上方经由所述第一基底中的第一附加接触孔电连接到所述第一中间线。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一区域包括显示区域,并且所述第一中间线的在朝向所述显示区域的方向上的端部比所述第一接触孔靠近所述显示区域。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一中间线的与所述第一接触孔叠置的部分具有比所述第一中间线的其它部分的宽度大的宽度。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一区域包括显示区域,并且所述第一上部线电连接到位于所述显示区域中的显示器件。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述显示区域遍布所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域。
10.根据权利要求1所述的显示设备,所述显示设备还包括:
薄膜晶体管,位于所述第二基底的上方以定位在所述第一区域、所述弯曲区域和所述第二区域中的至少一个区域中;以及
屏蔽层,在所述第一基底与所述第二基底之间定位为与所述薄膜晶体管对应以防止外部光到达所述薄膜晶体管,
其中,所述屏蔽层包括与所述第一中间线的材料相同的材料。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160105585A KR102557892B1 (ko) | 2016-08-19 | 2016-08-19 | 디스플레이 장치 |
KR10-2016-0105585 | 2016-08-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107768405A true CN107768405A (zh) | 2018-03-06 |
CN107768405B CN107768405B (zh) | 2023-07-14 |
Family
ID=61192171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710710963.4A Active CN107768405B (zh) | 2016-08-19 | 2017-08-18 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10121977B2 (zh) |
KR (1) | KR102557892B1 (zh) |
CN (1) | CN107768405B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |