CN107731869B - 显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示设备，所述显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；无机绝缘层，布置在基底上，无机绝缘层具有与弯曲区对应的开口或沟槽；布线单元，通过弯曲区延伸到第二区域，布线单元布置在无机绝缘层上且其至少一部分与开口或沟槽叠置；有机材料层，位于无机绝缘层与布线单元之间，有机材料层构造为填充开口或沟槽，其中，布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，开口或沟槽与第一布线叠置的宽度与开口或沟槽与第二布线叠置的宽度不同。

Description

显示设备
本申请要求于2016年8月12日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0103202号韩国专利申请的权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
一个或更多个实施例涉及一种显示设备，更具体地，涉及一种减少诸如断裂布线的缺陷的显示设备。
背景技术
显示设备是在视觉上显示数据的设备。显示设备可以包括分成显示区和非显示区的基底。在显示区中，栅极线和数据线彼此电分离，栅极线和数据线的相交可以在显示区中限定多个像素区。此外，在显示区中，可以根据各个像素区布置薄膜晶体管(TFT)和电连接到薄膜晶体管的像素电极。在非显示区中，可以布置诸如向显示区传输电信号的布线的各种导电层。
通过对显示设备的一部分进行弯曲可以改善从各种角度的可视性或者可以减小非显示区的面积。已经提出了减少在上述的弯曲显示设备的制造期间会发生的缺陷并且也提出了降低制造成本的方法。
发明内容
提供了一种可以减少诸如断裂布线的缺陷的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。
附加的方面将在下面的描述中进行部分地阐述，且部分地将通过描述而明显，或者可以通过提出的实施例的实践而了解。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，该显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；无机绝缘层，布置在基底上，无机绝缘层具有与弯曲区对应的开口或沟槽；布线单元，通过弯曲区延伸到第二区域，布线单元布置在无机绝缘层上且其至少一部分与开口或沟槽叠置；有机材料层，位于无机绝缘层与布线单元之间，有机材料层构造为填充开口或沟槽，其中，布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，开口或沟槽与第一布线叠置的宽度与开口或沟槽与第二布线叠置的宽度不同。
根据实施例，当从上方观察时，开口或沟槽的边缘的一部分可以看起来具有不平坦图案。
根据实施例，不平坦图案可以具有以规则的交替顺序布置的凸部和凹部，第一布线可以经过凸部，第二布线可以经过与凸部相邻的凹部。
根据实施例，当从上方观察时，有机材料层可以看起来具有与不平坦图案对应的形状。
根据实施例，无机绝缘层还可以包括开口或沟槽周围的且具有比开口或沟槽小的面积的附加开口或附加沟槽。
根据实施例，附加开口或附加沟槽可以布置在第一区域和第二区域中的至少一个中。
根据实施例，开口或沟槽的面积可以比弯曲区的面积大。
根据实施例，有机材料层可以覆盖开口或沟槽的内表面并且延伸到无机绝缘层的顶表面。
根据实施例，有机材料层可以包括位于其顶表面的至少一部分上的凹凸表面。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，该显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；无机绝缘层，布置在基底上，无机绝缘层具有与弯曲区对应的开口或沟槽；布线单元，通过弯曲区延伸到第二区域，布线单元布置在无机绝缘层上且其至少一部分与开口或沟槽叠置；有机材料层，位于无机绝缘层与布线单元之间，有机材料层构造为填充开口或沟槽，其中，布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，有机材料层上的第一布线的一部分距离基底的顶表面的高度与有机材料层上的第二布线的一部分距离基底的顶表面的高度不同。
根据实施例，所述无机绝缘层可以包括缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层；缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层和有机材料层可以顺序地层叠在第一布线的一部分的下方；缓冲层和有机材料层可以顺序地层叠在第二布线的一部分的下方。
根据实施例，第一布线的一部分和第二布线的一部分可以布置在无机绝缘层的顶表面和有机材料层的顶表面彼此接合的边界区中。
根据实施例，显示设备还可以包括布置在第一区域或第二区域中并且包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，其中，第一布线和第二布线包括与源电极和漏电极的材料相同的材料。
根据实施例，显示设备还可以包括位于布线单元上方的应力中和层。
一个或更多个实施例包括一种显示设备，该显示设备包括：基底，具有位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；无机绝缘层，位于基底上，无机绝缘层具有与弯曲区对应的开口或沟槽；布线单元，通过弯曲区延伸到第二区域，布线单元布置在无机绝缘层上并且布线单元的至少一部分与开口或沟槽叠置；有机材料层，位于无机绝缘层与布线单元之间，有机材料层构造为填充开口或沟槽，其中，开口或沟槽的边缘的一部分包括凹凸表面，凹凸表面包括凸部和凹部，布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，多个凸部或多个凹部布置在第一布线与第二布线之间。
根据实施例，第一布线和第二布线可以经过凸部。
根据实施例，有机材料层可以覆盖开口或沟槽的内表面并且延伸到无机绝缘层的顶表面。
根据实施例，开口或沟槽的面积可以比弯曲区的面积大。
根据实施例，显示设备还可以包括导电层，该导电层在第一区域或第二区域中布置在与其上布置第一布线的层不同的层上并且电连接到第一布线。
根据实施例，显示设备还可以包括布置在第一区域或第二区域中并且包括源电极、漏电极和栅电极的薄膜晶体管，其中，第一布线与源电极和漏电极布置在同一层上，导电层与栅电极布置在同一层上。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得明显并且更容易理解，在附图中：
图1是根据一个或更多个实施例的显示设备的一部分的透视图；
图2是图1的显示设备的所述部分的剖视图；
图3示出了沿线a-a'和b-b'截取的图2的显示设备的剖视图的部分；
图4是图2中的部分I的放大的平面图；
图5是图4的沿线II-II'截取的剖视图的一部分；
图6A是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6AA是图6A的沿线II-II'截取的剖视图；
图6B是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6BB是图6B的沿线IV-IV'截取的剖视图；
图6C是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6D是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6E是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6F是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图6G是根据另一实施例的显示设备的一部分的平面图；
图7A是根据另一实施例的显示设备的一部分的剖视图；
图7B是根据另一实施例的显示设备的一部分的剖视图。
具体实施方式
现在将详细参照实施例，实施例的示例示出在附图中，附图中同样的附图标记始终表示同样的元件。在这方面，本实施例可以具有不同的形式并且不应解释为局限于在此阐述的描述。因此，下面通过参照附图来仅描述实施例以解释本描述的方面。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何和所有组合。
因为本公开允许各种改变和许多实施例，所以将在附图中示出并在书面描述中详细地描述实施例。然而，这并不意图将本公开限制于特定的实施模式，将理解的是，不脱离本公开的精神和技术范围的所有改变、等同物和替代物包括在本公开中。
现在将参照示出本公开的实施例的附图更全面地描述本公开。附图中的同样的附图标记表示同样的元件，因此将省略它们的重复描述。
虽然可以使用诸如“第一”、“第二”等的术语来描述各种组件，但是这些组件不限于以上术语。以上术语仅用来将一个组件与另一组件区分开。
如在此使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”也意图包括复数形式。
还将理解的是，在此使用的术语“包括”和/或“包含”说明存在所陈述的特征或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
为了便于解释，可以夸大附图中的元件的尺寸。换言之，因为为了便于解释而任意示出附图中的组件的尺寸和厚度，所以下面的实施例不限于此。
在下面的示例中，将理解的是，当层、区域或组件被称作“连接到”另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可直接连接所述另一层、区域或组件，或者可间接连接到所述另一层、区域或组件并且有中间层、中间区域或中间组件布置在它们之间。例如，在本公开中，当层、区域、组件电连接到另一层、区域或组件时，该层、区域或组件可直接电连接到所述另一层、区域或组件，或者可间接连接到所述另一层、区域或组件并且有中间层、中间区域或中间组件布置在它们之间。
在下面的示例中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示不彼此垂直的不同方向。
显示设备是构造为显示图像的设备，并且可以包括液晶显示器、电泳显示器、有机发光显示器、无机发光显示器、场发射显示器、表面传导电子发射显示器、等离子体显示器、阴极射线显示器等。
以下，将以有机发光显示器作为示例来描述根据一个或更多个实施例的显示设备。然而，根据本公开的显示设备不限于此，可以使用各种其它显示设备。
图1是根据一个或更多个实施例的显示设备的一部分的透视图。图2是图1的显示设备的所述部分的剖视图，图3示出了沿线a-a'和b-b'截取的图2的显示设备的剖视图的部分。图4是图2中的部分I的放大的平面图。
根据实施例，因为基底100的一部分(即，显示设备的一部分)如图1中所示地弯曲，所以显示设备的一部分可以具有如基底100的弯曲形状。然而，为了便于说明，在图2和图3中，显示设备以未弯曲状态示出。在下面将描述的实施例的剖视图和平面图中，为了便于说明，显示设备将以非弯曲状态示出，供参考。
如图1至图3中所示，根据实施例，包括在显示设备中的基底100可以具有在第一方向(+y方向)上延伸的弯曲区BA。弯曲区BA可以在与第一方向交叉的第二方向(+x方向)上位于第一区域1A与第二区域2A之间。例如，如图1中所示，基底100可以围绕弯曲轴BAX弯曲，弯曲轴BAX作为中心弯曲轴在第一方向(+y方向)上延伸。在图1中，基底100被示出为以均匀的曲率半径围绕弯曲轴BAX弯曲。然而，实施例不限于此。基底100可以以非均匀的曲率半径围绕弯曲轴BAX弯曲。基底100可以包括具有柔性或可弯曲特性的各种材料，并且可以包括例如诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)和醋酸丙酸纤维素(CAP)的聚合物树脂。基底100可以具有由所述材料形成的单层结构或多层结构，并且在多层结构的情况下还可以包括无机材料层。
第一区域1A可以包括显示区DA。如图2中所示，除了显示区DA之外，第一区域1A还可以包括显示区DA外部的非显示区NDA的一部分。第二区域2A也可以包括非显示区NDA的一部分。
用于显示图像的多个像素P可以布置在基底100的显示区DA中。诸如薄膜晶体管(TFT)、有机发光二极管(OLED)和电容器(Cst)的元件可以布置在显示区DA中。
显示区DA还可以包括诸如传输栅极信号的栅极线GL、传输数据信号的数据线DL、传输电力的驱动电源线和公共电源线的信号线，可以通过连接到栅极线GL、数据线DL和驱动电源线的TFT、Cst、OLED等的电组合来形成用于显示图像的每个像素P。每个像素P可以响应于数据信号而发光并且发射与根据供应给像素P的驱动电源和共电源经过OLED的驱动电流对应的亮度的光。信号线可以经由非显示区NDA中的布线215c连接到可以被连接到端子单元20的控制器(未示出)。多个像素P可以以诸如条状阵列和PenTile阵列的各种形状布置。显示设备还可以包括包封构件，包封构件包封显示区DA以使其与外部气体隔离。
在非显示区NDA中，可以布置端子单元20、驱动电源线30和布线单元40。此外，虽然未示出，但是还可以在非显示区NDA中布置公共电源线、栅极驱动器、数据驱动器等。
端子单元20可以布置在非显示区NDA的一端处并且包括多个端子21和22。端子单元20可以不被绝缘层覆盖而是可以被暴露的，并且可以电连接到诸如柔性印刷电路板(PCB)和驱动器集成电路(IC)的控制器(未示出)。控制器可以提供数据信号、栅极信号、驱动电压(ELVDD)、共电压(ELVSS)等。
驱动电源线30可以经由端子22连接到控制器并且向像素P提供由控制器供应的驱动电压ELVDD。驱动电源线30可以布置在非显示区NDA中并且覆盖显示区DA的一个侧表面。在这种情况下，向显示区DA供应数据信号或栅极信号的布线215c可以形成为与驱动电源线30交叉。在这种情况下，布线215c可以经由接触孔连接到其它层上的布线。
布线单元40可以包括至少一条布线215c。布线单元40可以与弯曲区BA叠置。在这种情况下，布线215c可以从第一区域1A通过弯曲区BA延伸到第二区域2A。布线单元40的布线215c可以延伸越过弯曲轴BAX并且与弯曲轴BAX交叉。例如，布线215c可以在与弯曲轴BAX垂直的方向上延伸，但是不限于此。布线215c可以具有各种其它修改，诸如在相对于弯曲轴BAX的非垂直方向上并以一定角度延伸。此外，布线215c可以具有诸如弯曲形状和之字形状的各种形状。根据一些实施例，布线215c可以不具有线性形状。
图3示出了显示装置300在显示区DA中包括有机发光二极管(OLED)。当OLED电连接到TFT 210时，像素电极310可以电连接到TFT 210。在一些情况下，TFT(未示出)可以布置在基底100的显示区DA外部的外围区中。布置在外围区中的TFT可以是例如电路单元的一部分以控制施加到显示区DA的电信号。
TFT 210可以包括包含非晶硅、多晶硅或氧化物半导体或者有机半导体材料的半导体层211、栅电极213、源电极215a和漏电极215b。
栅电极213可以连接到向TFT 210提供导通/截止信号的栅极布线(未示出)，并且可以包括低电阻金属材料。例如，栅电极213可以是由包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛(Ti)等的导电材料组成的单层或多层。
源电极215a和漏电极215b可以包括高导电性的单层或多层，并且分别连接到半导体层211的源区和漏区。例如，源电极215a和漏电极215b可以包括由包括Al、Cu和/或Ti等的导电材料组成的单层或多层。
源电极215a和漏电极215b可以经由接触孔C1和C2连接到半导体层211。接触孔C1和C2可以通过同时蚀刻层间绝缘层130和栅极绝缘层120而形成。
根据实施例的TFT 210可以具有栅电极213布置在半导体层211上方的顶栅型，但是实施例不限于此。根据另一实施例的TFT 210可以具有栅电极213布置在半导体层211下方的底栅型。
栅极绝缘层120可以位于半导体层211与栅电极213之间。栅极绝缘层120可以包括确保半导体层211与栅电极213之间绝缘的诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料。此外，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的层间绝缘层130可以布置在栅电极213上，源电极215a和漏电极215b可以布置在层间绝缘层130上。包括无机材料的绝缘层可以经由化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)形成。该形成方法也应用于下面描述的实施例及其各种修改。
在上述的结构中，包括诸如氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅的无机材料的缓冲层110可以布置在TFT 210与基底100之间。缓冲层110可以增大基底100的顶表面的平整度，或防止或者减少杂质从基底100等向TFT 210的半导体层211的渗透。缓冲层110可以包括诸如氧化物和氮化物的无机材料或有机材料或者它们的组合，并且具有单层或多层结构。根据另一实施例，缓冲层110可以具有由氧化硅/氮化硅/氮氧化硅组成的三层结构。
平坦化层140可以布置在TFT 210上。例如，当OLED布置在TFT 210上方时，如图3中所示，平坦化层140可以用于使覆盖TFT 210的保护层的顶表面平坦化。平坦化层140可以包括例如诸如压克力、苯并环丁烯(BCB)和六甲基二硅氧烷(HMDSO)的有机材料。在图3中，平坦化层140示出为单层；然而，可以对平坦化层140进行各种修改。例如，平坦化层140可以具有多层结构。此外，如图3中所示，平坦化层140可以包括显示区DA外部的开口，从而平坦化层140的显示区DA中的部分和平坦化层140的第二区域2A中的部分可以彼此物理地分离。这样的布置防止已经从外部渗透的杂质通过平坦化层140到达显示区DA的内部。
包括像素电极310、对电极330和设置在像素电极310与对电极330之间并且包括发光层的中间层320的OLED可以布置在平坦化层140上并且位于基底100的显示区DA中。如图3中所示，像素电极310可以经由形成在平坦化层140等中的开口与源电极215a和漏电极215b中的任意一个接触，并且电连接到TFT 210。
像素限定层150可以布置在平坦化层140上。像素限定层150可以通过具有与各个子像素对应的开口(即，至少使像素电极310的中心部分被暴露的开口)来限定像素。此外，如图3中所示，像素限定层150可以通过增大像素电极310的边缘与像素电极310上方的对电极330之间的距离来防止像素电极310的边缘上的电弧等的发生。像素限定层150可以包括例如诸如PI和HMDSO的有机材料。
OLED的中间层320可以包括低分子量材料或聚合物材料。当中间层320包括低分子量材料时，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等可以具有包括单层或多层的层叠结构，并且包括各种有机材料，诸如酞菁铜(CuPc)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)和三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。上述的层可以经由真空沉积法形成。
当中间层320包括聚合物材料时，中间层320可以具有通常包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可以包括聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，发光层可以包括诸如聚苯撑乙烯撑(PPV)和聚芴的高分子(聚合物)材料。中间层320可以经由丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI)等形成。
然而，中间层320不限于此并且可以具有各种其它结构。此外，中间层320可以包括覆盖多个像素电极310的一体化层并且包括与多个像素电极310中的每个像素电极对应的图案化层。
如图3中所示，对电极330可以布置在显示区DA的顶部上并且覆盖显示区DA。换言之，对电极330可以具有包括多个OLED的一体化结构，因此，可以与多个像素电极310对应。
因为OLED会被来自外部的湿气、氧等损害，所以包封层400可以通过包封OLED来保护OLED。包封层400可以覆盖显示区DA并且延伸到显示区DA的外部。如图3中所示，包封层400可以包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430。
第一无机包封层410可以覆盖对电极330，并且包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。在一些情况下，诸如覆盖层的其它层可以布置在第一无机包封层410与对电极330之间。如图3中所示，因为第一无机包封层410根据其下方的结构形成，所以第一无机包封层410的顶表面不会是平坦的。有机包封层420可以覆盖第一无机包封层410，与第一无机包封层410不同，有机包封层420的顶表面可以是大体平滑的。详细地，在与显示区DA对应的区域中，有机包封层420的顶表面可以是近似平坦的。有机包封层420可以包括从PET、PEN、PC、PI、聚醚砜(PES)、聚甲醛(POM)、聚烯丙酯和己二甲基硅氧烷(PDMS)中选择的至少一种材料。第二无机包封层430可以覆盖有机包封层420，并且包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等。第二无机包封层430可以通过在布置在显示区DA外部的边缘处覆盖第一无机包封层410和/或与第一无机包封层410接触来防止有机包封层420暴露到外部。
因为包封层400包括第一无机包封层410、有机包封层420和第二无机包封层430，所以由于上述的多层结构，即使当包封层400中发生裂纹时，裂纹也不会在第一无机包封层410与有机包封层420之间或有机包封层420与第二无机包封层430之间连接。因此，可以通过上述结构来防止或者减少湿气或氧的从外部到显示区DA的渗透路径的形成。
根据实施例，显示设备可以包括设置在包封层400上方的偏振板520且光学透明粘合剂(OCA)510设置在包封层400与偏振板520之间。偏振板520可以减少外部光的反射。例如，当通过偏振板520透射的外部光在对电极330的顶表面上被反射并且再次穿过偏振板520时，由于穿过偏振板520两次，所以外部光的相位可以改变。结果，反射光的相位可以变得与进入偏振板520的外部光的相位不同，可以发生相消干涉；因此，可以减少外部光的反射，并且可以改善可视性。如图3中所示，OCA510和偏振板520可以覆盖例如平坦化层140的开口。然而，根据实施例的显示设备可以不必总是包括偏振板520，在一些情况下，可以省略或者由其它组件代替偏振板520。例如，可以通过省略偏振板520并且使用黑矩阵和滤色器来减少外部反射。
包括无机材料的缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以统称为无机绝缘层125。如图3中所示，无机绝缘层125可以包括与弯曲区BA对应的沟槽GR。沟槽GR可以理解为在向下的方向(–z方向)上已经去除了无机绝缘层125的一部分并且保留无机绝缘层125的另一部分的区域。例如，缓冲层110可以遍布第一区域1A、弯曲区BA和第二区域2A是连续的。此外，栅极绝缘层120可以包括与弯曲区BA对应的开口120a，层间绝缘层130可以包括也与弯曲区BA对应的开口130a。因此，将理解的是，包括缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的无机绝缘层125可以具有与弯曲区BA对应的沟槽GR。无机绝缘层125可以包括与上述的形状不同的各种形状的沟槽GR。例如，使得可以去除缓冲层110的顶表面(+z方向)的一部分，和/或可以不去除而是保留栅极绝缘层120的底表面(-z方向)的各种其它修改可以是可能的。
当沟槽GR与弯曲区BA对应时，沟槽GR可以与弯曲区BA叠置。在这种情况下，沟槽GR的面积可以比弯曲区BA的面积大。为显示该效果，在图3中，沟槽宽度GW示出为比弯曲区BA的宽度大。在此，沟槽GR的面积可以定义为栅极绝缘层120和层间绝缘层130的开口之中的具有最小面积的开口的面积。
在根据实施例的显示设备中，有机材料层160可以填充沟槽GR的至少一部分。换言之，有机材料层160可以与弯曲区BA叠置。有机材料层160可以延伸到非弯曲区的一部分。
此外，根据实施例，显示设备可以包括布线215c。布线215c可以从第一区域1A通过弯曲区BA延伸到第二区域2A，并且布置在有机材料层160上。布线215c可以布置在不存在有机材料层160的诸如层间绝缘层130的无机绝缘层125上并且与不存在有机材料层160的诸如层间绝缘层130的无机绝缘层125直接接触。布线215c可以用于向显示区DA传输电信号，并且由与源电极215a或漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a或漏电极215b同时形成。
如上所述，为了便于描述，显示设备在图3中示出为非弯曲。然而，如图1中所示，根据实施例的显示设备的基底100等在弯曲区BA中实际上可以是弯曲状态。在制造过程中，可以以如图3中所示的大体平滑的状态来制造显示设备的基底100，其后，基底100等可以在弯曲区BA中弯曲，从而显示设备近似地具有如图1中所示的形状。在这种情况下，在弯曲区BA中，布线215c会在基底100等的弯曲过程中受到拉应力。然而，在根据本实施例的显示设备中，可以防止或者减少弯曲过程期间布线215c中的缺陷的发生。
当无机绝缘层125不具有沟槽GR并且具有从第一区域1A至第二区域2A的连续形状且布线215c布置在无机绝缘层125上时，在基底100等的弯曲过程中高的拉应力会施加到布线215c。特别地，因为无机绝缘层125的硬度比有机材料层160的硬度大，所以会存在弯曲区BA中的无机绝缘层125中发生裂纹等的高可能性。此外，当裂纹发生在无机绝缘层125中时，也会存在无机绝缘层125上的布线215c中发生裂纹等的高可能性，并且会发生布线215c中的诸如断裂布线的缺陷。
然而，在根据如上所述的实施例的显示设备的情况下，无机绝缘层125可以包括弯曲区BA中的沟槽GR，布线215c的弯曲区BA中的部分可以布置在填充无机绝缘层125的沟槽GR的至少一部分的有机材料层160上。因为无机绝缘层125包括弯曲区BA中的沟槽GR，所以在无机绝缘层125中发生裂纹等的可能性可以比无机绝缘层125不具有沟槽GR的情况显著低。在有机材料层160的情况下，由于有机材料的特性，裂纹发生的可能性低。因此，可以防止布置在弯曲区BA中的有机材料层160上的布线215c中的裂纹等的发生，或者可以减小裂纹发生的可能性。因为有机材料层160的硬度比无机材料层的硬度小，所以有机材料层160可以吸收由基底100等的弯曲引起的拉应力，因此，可以有效地减少布线215c中的拉应力的集中。
可以在形成包括在显示区DA中的有机材料层时由与包括在显示区DA中的有机材料层相同的材料形成有机材料层160。例如，当由有机材料形成平坦化层140时，可以由相同的有机材料同时形成有机材料层160。对于另一示例，可以在形成像素限定层150时由与像素限定层150相同的材料同时形成有机材料层160。对于另一示例，可以在形成包封层400的有机包封层420时由与有机包封层420相同的材料同时形成有机材料层160。
此外，当由介电有机材料形成层间绝缘层130时，可以由相同的介电有机材料同时形成有机材料层160。换言之，各种其它修改可以是可能的。在一些情况下，可以不考虑平坦化层140而在单独的工艺中形成有机材料层160。
由与包括在显示区DA中的有机材料层相同的材料来与包括在显示区DA中的有机材料层同时形成有机材料层160的结构可以应用于上述的或将描述的显示设备。
根据实施例，除了布线215c之外，显示设备还可以包括连接到布线215c的第一导电层213a和第二导电层213b。第一导电层213a和第二导电层213b可以位于第一区域1A或第二区域2A中并且位于与其上布置有布线215c的层不同的层上。图3示出了第一导电层213a和第二导电层213b包括与TFT210的栅电极213相同的材料并且与栅电极213位于同一层上(即，位于栅极绝缘层120上)。此外，示出了布线215c经由形成在层间绝缘层130中的接触孔CNT1和CNT2与第一导电层213a和第二导电层213b接触。还示出了第一导电层213a位于第一区域1A中而第二导电层213b位于第二区域2A中。
位于第一区域1A中的第一导电层213a可以电连接到显示区DA中的TFT等，因此，布线215c可以经由第一导电层213a电连接到显示区DA中的TFT等。位于第二区域2A中的第二导电层213b也可以经由布线215c电连接到显示区DA中的TFT等。第一导电层213a和第二导电层213b可以在位于显示区DA外部的同时电连接到显示区DA中的组件。此外，第一导电层213a和第二导电层213b可以在显示区DA的方向上延伸，并且在位于显示区DA外部的同时，第一导电层213a和第二导电层213b的至少一部分可以位于显示区DA中。
如上所述，为了方便起见，显示设备在图3中以非弯曲状态示出；然而，根据实施例的显示设备实际上处于如图1中所示的基底100等在弯曲区BA中弯曲的状态。在该结构中，如图3中所示，可以在制造工艺中以近似平坦的状态制造显示设备的基底100，其后，通过在弯曲区BA中使基底100等弯曲，可以使显示设备具有近似图1中所示的形状。在这种情况下，在弯曲区BA中，弯曲区BA中的组件可以在弯曲基底100等的过程中接收拉应力。
因此，在布线215c与弯曲区BA交叉的情况下，可以通过包括具有高伸长率的材料来防止布线215c中的裂纹或布线215c中的诸如断裂布线的缺陷的发生。此外，通过由具有比布线215c的伸长率低的伸长率且同时具有与布线215c的电气/物理特性不同的电气/物理特性的材料来在第一区域1A或第二区域2A中形成第一导电层213a和第二导电层213b，可以提高显示设备中的电信号传输效率，并且可以减小制造工艺中的缺陷发生率。例如，第一导电层213a和第二导电层213b可以包括Mo，同时布线215c可以包括Al。此外，在一些情况下，布线215c或第一导电层213a和第二导电层213b可以具有多层结构。
与如图3中所示的不同，在第二导电层213b位于第二区域2A中的情况下，第二导电层213b的顶表面的至少一部分可以不被平坦化层140等覆盖而是暴露到外部，因此可以电连接到各种电子器件、PCB等。
应力中和层(SNL)600可以位于显示区DA外部。换言之，SNL 600可以位于布线215c上，以至少与弯曲区BA对应。
当使层叠结构弯曲时，应力中性平面可以存在于层叠结构内部。如果省略SNL600，则过大的拉应力等会由于基底100等的弯曲而施加到弯曲区BA中的布线215c。原因是布线215c的位置不会与应力中性平面的位置对应。然而，可以通过控制SNL 600存在并且修改SNL600的厚度和弹性模量等来在包括所有基底100、布线215c、SNL 600等的层叠结构中调整应力中性平面的位置。因此，可以通过经由SNL 600使应力中性平面布置在布线215c周围来减小施加到布线215c的拉应力。
与如图3中所示的不同，SNL 600可以延伸到显示设备的基底100的边缘的端部。例如，在第二区域2A中，布线215c、第一导电层213a和第二导电层213b和/或电连接到它们的其它导电层等可以不具有其被层间绝缘层130、平坦化层140等覆盖的至少一部分，而是电连接到各种电子器件、印刷电路板等。因此，布线215c、第一导电层213a和第二导电层213b和/或电连接到它们的其它导电层可以具有电连接到各种电子器件、印刷电路板等并电连接到彼此的部分。在这种情况下，通过具有这样的被SNL 600覆盖的电连接部分，可以保护电连接部分免受诸如外部湿气的杂质的影响，并且SNL 600可以用作保护层。为此目的，SNL600可以延伸到例如显示设备的基底100的边缘的端部。
在图3中，显示区DA的方向(–x方向)上的SNL 600的顶表面示出为与(在+z方向上的)偏振板520的顶表面重合(即，平齐)。然而，实施例不限于此。例如，显示区DA的方向(–x方向)上的SNL 600的边缘可以覆盖偏振板520的边缘处的顶表面的一部分。可选择地，SNL600的在显示区DA的方向(–x方向)上的边缘可以不与偏振板520和/或OCA 510接触。特别地，在后一种情况下，可以防止会在SNL 600的形成期间或之后在SNL 600中产生的气体在显示区DA的方向(–x方向)上的移动引起诸如OLED等的显示器件的劣化。
当显示区DA的方向(–x方向)上的SNL 600的顶表面与(+z方向的)偏振板520的顶表面如图3中所示地重合，或者SNL 600的边缘覆盖偏振板520的边缘处的顶表面的一部分，或者SNL 600的在显示区DA的方向(–x方向)上的边缘与OCA 510接触时，SNL 600的在显示区DA的方向(–x方向)上的部分的厚度可以比SNL 600的另一部分的厚度大。在形成SNL 600时，液态或膏型的材料可以被掺杂并被硬化。SNL 600的体积会在硬化工艺中减小。在这种情况下，当SNL 600的在显示区DA的方向(–x方向)上的部分与偏振板520和/或OCA 510接触时，SNL 600的相应部分的位置可以变得固定，因此，体积减小可以发生在SNL 600的剩余部分中。因此，SNL 600的在显示区DA的方向(–x方向)上的部分的厚度可以比SNL 600的另一部分的厚度大。
此外，根据实施例的显示设备可以包括布置在包封层400上的用于触摸屏功能的具有各种图案的触摸电极(未示出)和用于覆盖并且保护触摸电极的触摸保护层。此外，显示设备还可以包括用于保护基底100的(–z方向的)底表面的保护膜(未示出)。在这种情况下，保护膜可以包括与弯曲区BA对应的开口。
图4是图2中的I部分的放大的平面图。图5是图4的沿线II-II'截取的剖视图的一部分。参照图4，当从上方观察时，无机绝缘层125中的沟槽的边缘的一部分可以看起来包括第一方向(+y方向)上的不平坦图案。不平坦图案可以包括凸部125a和凹部125b，凸部125a在第二方向(+x方向)上或在与第二方向相反的方向(–x方向)上从沟槽GR的一个侧壁突出，凹部125b相对于凸部125a凹陷。如图4中所示，不平坦图案可以包括以规则的交替顺序布置的凸部125a和凹部125b。然而，实施例不限于此。不平坦图案可以具有使得凸部125a和凹部125b不规则地布置的各种其它修改。
可以布置有机材料层160，同时使有机材料层160填充无机绝缘层125的沟槽并且覆盖沟槽的侧壁。在这种情况下，不平坦图案可以增大有机材料层160与无机绝缘层125之间的接触面积以提高有机材料层160与无机绝缘层125之间的粘附力。
如上所述，因为布线单元40的布线215c1、215c2和215c可以由与源电极215a和漏电极215b的材料相同的材料与源电极215a和漏电极215b同时形成，所以在基底100的整个表面上形成导电材料层并且随后使导电材料层图案化之后，可以形成源电极215a、漏电极215b以及布线215c1、215c2和215c。在这种情况下，当在无机绝缘层125的顶表面和有机材料层160的顶表面彼此接合的边界区处存在台阶或者斜坡不平缓时，在使导电材料层图案化的工艺中，导电材料不会从边界区去除而是保留在相应的区域中。然后，保留的导电材料会引起布线之间的短路。可以通过确保无机绝缘层125的顶表面和有机材料层160的顶表面彼此接合的边界区中的布线215c1、215c2和215c之间的距离来防止上述短路。
在另一实施例中，布线单元40可以包括彼此相邻的第一布线215c1和第二布线215c2，沟槽的与第一布线215c1叠置的第一宽度W1可以与沟槽的与第二布线215c2叠置的第二宽度W2不同。可选择地，在实施例中，第一布线215c1可以经过凸部125a，第二布线215c2可以经过与凸部125a相邻的凹部125b。
因此，如图5中所示，在第一布线215c1与第二布线215c2之间，不仅在第一方向(+y方向)上而且在第三方向(+z方向)上可以出现间隙。换言之，在无机绝缘层125的顶表面和有机材料层160的顶表面彼此接合的边界区中，布线215c1、215c2和215c之间的距离可以较长。
参照图5，从基底100的顶表面至有机材料层160上的第一布线215c1的一部分的第一高度h1可以与从基底100的顶表面至第二布线215c2的一部分的第二高度h2不同。换言之，因为缓冲层110、栅极绝缘层120、层间绝缘层130和有机材料层160顺序地层叠在第一布线215c1的一部分的下方，同时仅缓冲层110和有机材料层160顺序地层叠在第二布线215c2下方，所以可以出现第一布线215c1的高度和第二布线215c2的高度的差异。
图6A至图6G是根据各个实施例的显示设备的一部分的平面图。详细地，图6A至图6G是与图2中的部分I对应的部分的平面图。此外，图6AA是图6A的沿线II-II'截取的剖视图，图6BB是图6B的沿线IV-IV'截取的剖视图。
参照图6A，当从上方观察时，无机绝缘层125的沟槽GR的边缘的一部分可以看起来包括第一方向(+y方向)上的不平坦图案，不平坦图案可以包括凸部125a和凹部125b。布线单元40可以包括彼此相邻的第一布线215c1和第二布线215c2，多个凸部125a和多个凹部125b可以位于第一布线215c1与第二布线215c2之间。
当不平坦图案的凸部125a和/或凹部125b密集地布置时，可以增强有机材料层160与无机绝缘层125之间的粘附力。
参照作为沿线II-II'截取的图6A的剖视图的图6AA，根据实施例，第一布线215c1和第二布线215c2皆可以布置在距离基底100的顶表面的同一高度处。因为在第一布线215c1与第二布线215c2之间去除了栅极绝缘层120和层间绝缘层130的一部分，并且有机材料层160填充了被去除的部分，所以可以改善有机材料层160与无机绝缘层(参照图6A的125)之间的粘附力。
参照图6B，无机绝缘层125还可以包括通过去除无机绝缘层125的一部分形成的沟槽GR，并且还可以包括位于沟槽GR周围的具有比沟槽GR的面积小的面积的附加开口或附加沟槽125g。附加开口或附加沟槽125g可以包括穿透无机绝缘层125的孔，或者具有无机绝缘层125的一部分被去除的沟槽形状。
根据实施例，多个附加开口或附加沟槽125g可以位于彼此相邻的第一布线215c1和第二布线215c2之间。图6B示出了附加开口或附加沟槽125g布置在所有第一区域1A和第二区域2A中。然而，实施例不限于此。使得附加开口或附加沟槽125g可以仅布置在第一区域1A中或者仅布置在第二区域2A中的各种其它修改可以是可能的。
附加开口或附加沟槽125g可以被有机材料层160填充。此外，有机材料层160可以在填充沟槽GR和附加开口或附加沟槽125g的同时延伸到无机绝缘层125的顶表面。因此，可以增强有机材料层160与无机绝缘层125之间的粘附力。
在图6B中，沟槽GR的一个侧壁可以附加地包括上述不平坦图案。
参照作为图6B的沿线IV-IV'截取的剖视图的图6BB，根据本实施例，第一布线215c1和第二布线215c2可以布置在距离基底100的顶表面的同一高度处。因为附加开口或附加沟槽125g位于第一布线215c1与第二布线215c2之间，并且有机材料层160填充位于第一布线215c1和第二布线215c2之间的附加开口或附加沟槽125g，所以可以增强有机材料层160与无机绝缘层125之间的粘附力。
根据各种实施例，不平坦图案可以具有各种形状。例如，不平坦图案可以具有如图6C中所示的蜿蜒的曲线形状或如图6D中所示的之字形图案。此外，不平坦图案可以具有对凸部125a和凹部125b的尺寸和间隙上的各种其它修改。
到目前为止，布置在无机绝缘层125的侧壁上的不平坦图案示出为关于作为中心的弯曲轴BAX是对称的。然而，实施例不限于此。如图6E中所示，不平坦图案可以不关于作为中心的弯曲轴BAX对称，并且第一区域1A和第二区域2A中的侧壁上的不平坦图案可以彼此不同。此外，如图6F中所示，不平坦图案可以仅布置在一个侧壁上并且可以不布置在另一相对的侧壁上。
参照图6G，有机材料层160可以包括与布置在无机绝缘层125的沟槽GR的侧壁上的不平坦图案对应的形状。在这种情况下，有机材料层160可以不位于不平坦图案的凸部125a的顶表面上，因此，可以减少由于有机材料层160而出现的台阶。因此，可以在使第一布线215c1、第二布线215c2和布线215c图案化的工艺中减少缺陷的发生。
图7A和图7B是根据另一个实施例的显示设备的一部分的剖视图。具体地，图7A和图7B是示出弯曲区BA的附近的剖视图。
参照图7A，布置在无机绝缘层125的沟槽GR中的有机材料层160的(在+z方向上的)顶表面的至少一部分可以包括凹凸表面。因此，可以增大沟槽GR中的有机材料层160的顶表面的表面积以及布线215c的顶表面和下表面的表面积。有机材料层160的顶表面以及布线215c的顶表面和下表面的较大的表面积可以表示用于形状改变的更大空间，以减小由于基底100等的弯曲而产生的拉应力。
作为参考，因为布线215c位于有机材料层160上，所以布线215c的下表面可以具有与有机材料层160的凹凸表面160a对应的形状。
根据另一实施例，当形成第一有机材料层160时，通过使用光致抗蚀剂材料并且在第一有机材料层160的顶表面的仍然基本处于平滑状态的各个部分上经由狭缝掩模或半色调掩模来改变曝光量，可以使特定部分比其它部分相对被蚀刻(去除)得更多。在这种情况下，较多蚀刻的部分可以被称作第一有机材料层160的顶表面上的凹部。然而，根据实施例的显示设备的制造方法不限于此。例如，可以使用各种其它方法，使得在形成了有机材料层160的基本处于平滑状态的顶表面之后，经由干法蚀刻等仅去除特定部分。
参照图7B，无机绝缘层125可具有与弯曲区BA对应的开口。在此，无机绝缘层125的开口可以被称作使布置在无机绝缘层125的底部处的层暴露的区域。换言之，缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130可以分别具有与弯曲区BA对应的开口110a、120a和130a。与弯曲区BA对应的上述开口可以被称作与弯曲区BA叠置的开口。在这种情况下，开口的面积可以比弯曲区BA的面积大。为了显示该效果，开口OW的宽度示出为比弯曲区BA的宽度大。开口的面积可以限定为缓冲层110、栅极绝缘层120和层间绝缘层130的开口110a、120a和130a之中的具有最小面积的开口的面积。图3示出了开口的面积限定为缓冲层110的开口110a的面积。
因为无机绝缘层125的硬度比有机材料层160的硬度高，所以在弯曲区BA中的无机绝缘层125中发生裂纹的可能性会非常高。当裂纹发生在无机绝缘层125中时，裂纹传播到布线215c的可能性会高。然而，可以通过在无机绝缘层125中形成沟槽GR来减小无机绝缘层125中发生裂纹的可能性。此外，还可以通过在弯曲区BA中的缓冲层110中形成开口110a来减小无机绝缘层125中发生裂纹的可能性。
到此为止，已经描述了可应用于本公开的实施例的各种实施例。这样的实施例可以以单独的实施例实现或者以彼此组合的实施例实现。例如，使得在图6A至图6G中示出的将不平坦图案用于无机绝缘层125的侧壁的实施例可以应用于在图7B中示出的在无机绝缘层125中形成开口的实施例的各种组合可以是可能的。
应该理解的是，在此描述的实施例应仅以描述性的含义被考虑而非出于限制的目的。每个实施例中的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施例中的其它相似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求所限定的精神和范围的情况下，在此可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；
无机绝缘层，布置在所述基底上方，所述无机绝缘层具有与所述弯曲区对应的开口或沟槽；
布线单元，通过所述弯曲区延伸到所述第二区域，所述布线单元布置在所述无机绝缘层上并且所述布线单元的至少一部分与所述开口或所述沟槽叠置；以及
有机材料层，位于所述无机绝缘层与所述布线单元之间，所述有机材料层构造为填充所述开口或所述沟槽，
其中，所述布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，所述开口或所述沟槽与所述第一布线叠置的宽度与所述开口或所述沟槽与所述第二布线叠置的宽度不同。
2.根据权利要求1所述的显示设备，其中，当从上方观察时，所述开口或所述沟槽的边缘的一部分看起来具有不平坦图案。
3.根据权利要求2所述的显示设备，其中，所述不平坦图案具有以规则的交替顺序布置的凸部和凹部，所述第一布线经过所述凸部，所述第二布线经过与所述凸部相邻的所述凹部。
4.根据权利要求2所述的显示设备，其中，当从上方观察时，所述有机材料层看起来具有与所述不平坦图案对应的形状。
5.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述无机绝缘层还包括位于所述开口或所述沟槽周围的且具有比所述开口或所述沟槽小的面积的附加开口或附加沟槽。
6.根据权利要求5所述的显示设备，其中，所述附加开口或所述附加沟槽布置在所述第一区域和所述第二区域中的至少一个中。
7.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述开口或所述沟槽的面积比所述弯曲区的面积大。
8.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层覆盖所述开口或所述沟槽的内表面并且延伸到所述无机绝缘层的顶表面。
9.根据权利要求1所述的显示设备，其中，所述有机材料层包括位于所述有机材料层的顶表面的至少一部分上的凹凸表面。
10.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；
无机绝缘层，布置在所述基底上方，所述无机绝缘层具有与所述弯曲区对应的开口或沟槽；
布线单元，通过所述弯曲区延伸到所述第二区域，所述布线单元布置在所述无机绝缘层上并且所述布线单元的至少一部分与所述开口或所述沟槽叠置；以及
有机材料层，位于所述无机绝缘层与所述布线单元之间，所述有机材料层构造为填充所述开口或所述沟槽，
其中，所述布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，所述有机材料层上的所述第一布线的一部分距离所述基底的顶表面的高度与所述有机材料层上的所述第二布线的一部分距离所述基底的所述顶表面的高度不同。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中：
所述无机绝缘层包括缓冲层、栅极绝缘层和层间绝缘层，
所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述层间绝缘层和所述有机材料层顺序地层叠在所述第一布线的一部分的下方，
所述缓冲层和所述有机材料层顺序地层叠在所述第二布线的一部分的下方。
12.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述第一布线的一部分和所述第二布线的一部分布置在所述无机绝缘层的顶表面和所述有机材料层的顶表面彼此接合的边界区中。
13.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，布置在所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极，
其中，所述第一布线和所述第二布线包括与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料。
14.根据权利要求10所述的显示设备，所述显示设备还包括位于所述布线单元上方的应力中和层。
15.一种显示设备，所述显示设备包括：
基底，包括位于第一区域与第二区域之间的弯曲区；
无机绝缘层，布置在所述基底上方，所述无机绝缘层具有与所述弯曲区对应的开口或沟槽；
布线单元，布置在所述无机绝缘层上并且以从所述第一区域横跨所述弯曲区域延伸到所述第二区域的方式与所述开口或所述沟槽叠置；以及
有机材料层，位于所述无机绝缘层与所述布线单元之间，所述有机材料层构造为填充所述开口或所述沟槽，
其中，所述开口或所述沟槽的边缘的一部分包括位于所述第一区域中的第一凹凸表面和位于所述第二区域中的第二凹凸表面，所述第一凹凸表面和所述第二凹凸表面中的每个包括凸部和凹部，所述布线单元包括彼此相邻的第一布线和第二布线，多个凸部或多个凹部位于所述第一布线与所述第二布线之间。
16.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述第一布线和所述第二布线经过所述第一凹凸表面和所述第二凹凸表面中的每个的所述凸部。
17.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述有机材料层覆盖所述开口或所述沟槽的内表面并且延伸到所述无机绝缘层的顶表面。
18.根据权利要求15所述的显示设备，其中，所述开口或所述沟槽的面积比所述弯曲区的面积大。
19.根据权利要求15所述的显示设备，所述显示设备还包括：
导电层，在所述第一区域或所述第二区域中布置在与其上布置所述第一布线的层不同的层上并且电连接到所述第一布线。
20.根据权利要求19所述的显示设备，所述显示设备还包括：
薄膜晶体管，布置在所述第一区域或所述第二区域中并包括源电极、漏电极和栅电极，
其中，所述第一布线与所述源电极和所述漏电极位于同一层上，所述导电层与所述栅电极位于同一层上。
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