WO2020065825A1 - 表示デバイス、表示デバイスの製造方法 - Google Patents

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WO2020065825A1
WO2020065825A1 PCT/JP2018/035956 JP2018035956W WO2020065825A1 WO 2020065825 A1 WO2020065825 A1 WO 2020065825A1 JP 2018035956 W JP2018035956 W JP 2018035956W WO 2020065825 A1 WO2020065825 A1 WO 2020065825A1
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slit
film
inorganic insulating
insulating film
layer
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PCT/JP2018/035956
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村上　晋三
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シャープ株式会社
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    • H10K59/1201—Manufacture or treatment

Definitions

  • the present invention relates to a display device provided with a light emitting element.
  • Patent Document 1 describes a technique in a display device in which a part of a flexible substrate is folded back to a back surface.
  • Patent Literature 1 When the substrate of the display device described in Patent Literature 1 is further bent in a direction different from the bending direction of the already folded substrate, the metal layer including the wiring formed at the already folded position is easily broken. There is a problem.
  • a display device of the present invention includes a display region having a plurality of display elements, and a frame region around the display region, and a film layer and a TFT layer are stacked in this order.
  • the TFT layer includes at least one layer of an inorganic insulating film, and in the frame region, is a display device including a terminal portion and a bent portion between the terminal portion and the display region;
  • An inorganic insulating film first slit and a film layer first slit are provided on each of the inorganic insulating film and the film layer so as to overlap with the bent portion and extend in a direction intersecting the edge of the frame region;
  • the layer further includes a first resin film provided to fill the first slit of the inorganic insulating film, and overlaps with the bent portion and intersects with the bent portion.
  • connection wirings for electrically connecting the terminals and the wirings in the display region are provided on an upper layer of the inorganic insulating film and the first resin film, and the connection wirings overlap with the bent portions.
  • a method for manufacturing a display device includes a display region having a plurality of display elements, and a frame region around the display region, and a film layer and a TFT layer are arranged in this order.
  • the method for manufacturing a display device wherein the TFT layer includes at least one layer of an inorganic insulating film, and includes a terminal portion in the frame region, and a bent portion between the terminal portion and the display region.
  • the film layer forming step and the TFT layer forming step include: A first slit of the inorganic insulating film and a first slit of the film layer so as to extend in a direction intersecting the edge of the inorganic insulating film and the film layer, respectively. Forming an inorganic insulating film first slit and a film layer first slit forming step, wherein the TFT layer forming step includes forming a first resin film provided to fill the inorganic insulating film first slit. Forming a first resin film, overlapping the bent portion, and intersecting the bent portion, in the upper layer of the inorganic insulating film and the first resin film, the terminal and the display region.
  • the present invention it is possible to provide a display device that can be easily bent in a direction different from the direction in which the bent portion is bent, while reducing breakage of the wiring in the bent portion.
  • FIG. 2 is a schematic top view and a schematic rear view of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view in a display area of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged view of an upper surface of a bent portion of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of a bent portion of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is another schematic cross-sectional view of a bent portion of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • 5 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a TFT layer of a display device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic top view and a schematic rear view when the bent portion is bent in the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of a bent portion of the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is another schematic cross-sectional view of a bent portion of the display device according to the first embodiment of the present invention. It is a schematic sectional view in a bent part of a display device concerning a modification of the present invention. It is an enlarged view of the upper surface in the bent part of the display device concerning Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic top view and a schematic rear view when the bent portion is bent in the display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic sectional view of a bent portion of the display
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a bent portion of the display device according to the second embodiment of the present invention. It is another schematic sectional drawing in the bending part of the display device which concerns on Embodiment 2 of this invention.
  • 9 is a flowchart illustrating an example of a method for manufacturing a TFT layer of a display device according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of a bent portion of the display device according to the second embodiment of the present invention. It is another schematic sectional drawing in the bent part of the display device concerning Embodiment 2 of this invention. It is the schematic top view and schematic back view of the display device which concerns on Embodiment 3 of this invention. It is an enlarged view of the upper surface in the bent part of the display device concerning Embodiment 3 of the present invention.
  • “same layer” means being formed in the same process
  • “lower layer” means being formed in a process earlier than the layer to be compared
  • the “upper layer” means that it is formed in a process subsequent to the layer to be compared.
  • FIG. 1A is a top view of the display device 2 according to the present embodiment
  • FIG. 1B is a rear view of the display device 2 according to the present embodiment
  • 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 1A
  • FIG. 3 is a region B in FIG. 1A, that is, a third inorganic insulating film It is an enlarged top view of the periphery of the slit 20B.
  • FIG. 1 illustrates a state in which the display device 2 is not bent at a bent portion FD described in detail later, and the display device 2 is substantially on a plane.
  • the right side is defined as the positive direction of the X-axis
  • the upper side is defined as the positive direction of the Y-axis
  • the front side is defined as the positive direction of the Z-axis as viewed in the plane of FIG. I do. It is assumed that the relationship among the X axis, the Y axis, and the Z axis shown in each drawing in this specification corresponds to each axis in the other drawings. That is, as shown in FIG.
  • the longitudinal direction of the display area DA of the display device 2 is the X-axis direction
  • the short direction of the display area DA of the display device 2 is the Y-axis direction
  • the thickness direction of the display device 2 is defined as a Z-axis direction.
  • the display device 2 has a display area DA and a frame area NA adjacent to the display area DA as shown in FIG.
  • the configuration of each layer in the display area DA of the display device 2 according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.
  • the display device 2 includes a film layer 10, an adhesive layer 11, a resin layer 12, a TFT layer 4, a light emitting element layer 5, a sealing layer 6 and a functional film 29.
  • the functional film 29 may have an optical compensation function, a touch sensor function, a protection function, and the like.
  • the film layer 10 is a base film of the display device 2 and may include, for example, an organic resin material.
  • the adhesive layer 11 is a layer for bonding the film layer 10 and the resin layer 12, and may be formed using a conventionally known adhesive.
  • the TFT layer 4 includes, in order from the lower layer, a barrier layer 3, a semiconductor film 15, a first inorganic insulating film 16 (gate insulating film), a gate electrode GE, a second inorganic insulating film 18, a capacitor electrode CE, It includes a third inorganic insulating film 20, a source wiring SH (metal wiring layer), and a planarizing film 21 (interlayer insulating film).
  • a thin-film transistor (TFT) Tr is configured to include the semiconductor film 15, the first inorganic insulating film 16, and the gate electrode GE.
  • the barrier layer 3 is a layer that prevents foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the TFT layer 4 and the light emitting element layer 5 when the display device 2 is used.
  • the barrier layer 3 can be composed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film formed by CVD, or a stacked film thereof.
  • the semiconductor film 15 is made of, for example, low-temperature polysilicon (LTPS) or an oxide semiconductor. Note that in FIG. 2, a TFT having the semiconductor film 15 as a channel is illustrated as having a top gate structure; however, a TFT having a bottom gate structure may be employed (for example, a case where the channel of the TFT is an oxide semiconductor).
  • LTPS low-temperature polysilicon
  • the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH are used for the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH. May be included. That is, the gate electrode GE, the capacitor electrode CE, or the source wiring SH is formed of a single-layer film or a stacked film of the above-described metal.
  • the first inorganic insulating film 16, the second inorganic insulating film 18, and the third inorganic insulating film 20 are, for example, a silicon oxide (SiOx) film, a silicon nitride (SiNx) film, or a stacked film thereof formed by a CVD method.
  • SiOx silicon oxide
  • SiNx silicon nitride
  • the barrier layer 3, the first inorganic insulating film 16, the second inorganic insulating film 18, and the third inorganic insulating film 20 are included in the inorganic insulating film 4A.
  • the flattening film 21 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the light-emitting element layer 5 (for example, an organic light-emitting diode layer) includes, in order from the lower layer, a pixel electrode 22 (a first electrode, for example, an anode), a cover film (edge cover) 23 covering the edge of the pixel electrode 22, and a light-emitting layer 24. And an upper electrode (a second electrode, for example, a cathode) 25.
  • the light-emitting element layer 5 includes, for each sub-pixel SP (pixel), a light-emitting element (for example, an OLED: organic light-emitting diode) including an island-shaped pixel electrode 22, an island-shaped light-emitting layer 24, and an upper electrode 25; And a driving sub-pixel circuit.
  • a transistor Tr is formed for each sub-pixel circuit, and the sub-pixel circuit is controlled by controlling the transistor Tr.
  • the pixel electrode 22 is provided at a position overlapping the planarization film 21 and a contact hole that is an opening of the planarization film 21 in a plan view.
  • the pixel electrode 22 is electrically connected to the source wiring SH via a contact hole. Therefore, a signal in the TFT layer 4 is supplied to the pixel electrode 22 via the source wiring SH.
  • the thickness of the pixel electrode 22 may be, for example, 100 nm.
  • the pixel electrode 22 is formed in an island shape for each of the plurality of sub-pixels SP, is made of, for example, a stack of an alloy containing ITO (Indium Tin In Oxide) and Ag, and has light reflectivity.
  • the upper electrode 25 is formed as a solid layer as a common layer of the plurality of sub-pixels SP, and can be made of a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide).
  • the cover film 23 is an organic insulating film, is formed at a position covering the edge of the pixel electrode 22, has an opening 23c for each of the plurality of sub-pixels SP, and partially exposes the pixel electrode 22.
  • the light emitting layer 24 is formed by, for example, stacking a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in this order from the lower layer side.
  • at least one layer of the light emitting layer 24 is formed by an evaporation method.
  • each layer of the light emitting layer 24 may be formed in an island shape for each sub-pixel SP, or may be formed in a solid shape as a common layer of a plurality of sub-pixels SP.
  • the light emitting element layer 5 is an OLED layer
  • holes and electrons are recombined in the light emitting layer 24 by a driving current between the pixel electrode 22 and the upper electrode 25, and the excitons generated by the recombination fall to the ground state.
  • Light is emitted. Since the upper electrode 25 has a light-transmitting property and the pixel electrode 22 has a light-reflecting property, light emitted from the light-emitting layer 24 goes upward, and becomes top emission.
  • the sealing layer 6 includes a first inorganic sealing film 26 above the upper electrode 25, an organic sealing film 27 above the first inorganic sealing film 26, and a first inorganic sealing film 27 above the organic sealing film 27. 2 and an inorganic sealing film 28 to prevent foreign substances such as water and oxygen from penetrating into the light emitting element layer 5.
  • the first inorganic sealing film 26 and the second inorganic sealing film 28 can be formed of, for example, a silicon oxide film, a silicon nitride film, a silicon oxynitride film, or a stacked film thereof formed by CVD. .
  • the organic sealing film 27 can be made of a coatable photosensitive organic material such as polyimide or acrylic.
  • the layers from the film layer 10 to the TFT layer 4 are formed in the frame region NA. Further, a terminal portion T and a bent portion FD are formed in the frame region NA.
  • the terminal portion T is formed at one end of the frame region NA.
  • a driver or the like (not shown) that supplies a signal for driving each light emitting element in the display area DA via a connection line CL from the display area DA is mounted on the terminal portion T.
  • the shape of the terminal portion T is not limited.
  • the bent portion FD is formed between the terminal portion T and the display region DA along one side of the frame region NA.
  • the display device 2 can bend a part of the frame area NA to the back side of the display device 2 by bending at the bent portion FD.
  • the display device 2 is bent at the bent portion FD, a part of the frame region NA is turned back, and the terminal portion T is arranged on the back side of the display device 2 to reduce the area of the frame region NA when the display device 2 is viewed from above. Can be reduced.
  • FIG. 3 is an enlarged top view of a region B in FIG. 4A is a sectional view taken along line X1-X1 in FIG. 3, and FIG. 4B is a sectional view taken along line X2-X2 in FIG.
  • FIG. 3C is a sectional view taken along line X3-X3 in FIG.
  • FIG. 5A is a sectional view taken along line Y1-Y1 in FIG. 3, and FIG. 5B is a sectional view taken along line Y2-Y2 in FIG.
  • the barrier layer first slit 3A which is a slit of the barrier layer 3, is provided at a position overlapping with the bent portion FD, as shown in FIGS. 3, 4A and 4B. Is formed.
  • a first slit 16A, a second inorganic insulating film first slit 18A, and a third inorganic insulating film first slit 20A are respectively formed. That is, a first slit SA of the inorganic insulating film, which is a slit of the inorganic insulating film 4A, is formed at a position overlapping the bent portion FD.
  • the barrier layer first slit 3A and the third inorganic insulating film which are the lower and upper ends of the inorganic insulating film first slit SA are illustrated.
  • the inorganic insulating film first slit SA is formed to extend in a direction intersecting the edge of the frame area NA. That is, the inorganic insulating film first slit SA is formed from one end to the other end of the frame region NA along the Y-axis direction.
  • FIGS. 3 and 4C show the barrier layer second slit 3B and the third inorganic insulating film second slit 20B which are the lower and upper ends of the inorganic insulating film second slit SB. ing.
  • the inorganic insulating film second slit SB is formed between the plurality of adjacent connection lines CL. Therefore, the connection wiring CL does not overlap with the second slit SB of the inorganic insulating film.
  • the TFT layer 4 includes a first gate electrode layer frame wiring GE1 drawn from the display region DA and a second gate electrode layer drawn from the terminal portion T, as shown in FIG. And a frame wiring GE2.
  • the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2 are the same layer as the gate electrode GE, and are formed on the first inorganic insulating film 16.
  • the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2 may be formed together with the formation of the gate electrode GE.
  • the TFT layer 4 includes a first capacitor electrode layer frame wiring CE1 drawn from the display region DA and a second capacitor drawn from the terminal portion T. And an electrode layer frame wiring CE2.
  • the first capacitance electrode layer frame wiring CE1 and the second capacitance electrode layer frame wiring CE2 are the same layer as the capacitance electrode CE, and are formed on the second inorganic insulating film.
  • the first capacitor electrode layer frame wiring CE1 and the second capacitor electrode layer frame wiring CE2 may be formed together with the formation of the capacitor electrode CE.
  • the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the first capacitance electrode layer frame wiring CE1 are alternately formed. Further, in the present embodiment, the second gate electrode layer frame wiring GE2 and the second capacitor electrode layer frame wiring CE2 are formed alternately. As described above, in the frame region NA, the wirings adjacent to each other are formed of metal layers in different layers, so that a short circuit between the wirings can be reduced.
  • the TFT layer 4 is formed as a first resin film provided so as to fill the inorganic insulating film first slit SA and the inorganic insulating film second slit SB.
  • a layer 19 is provided.
  • the bent portion resin layer 19 may be made of the same material as the flattening film 21 or the resin layer 12, or may be an organic resin material different from the flattening film 21 and the resin layer 12. Further, as shown in FIG. 4, the bent portion resin layer 19 may be provided so as to fill the inorganic insulating film first slit SA and the inorganic insulating film second slit SB.
  • the source wiring layer frame wiring SC is formed in the upper layer of the bent portion resin layer 19 and the third inorganic insulating film 20.
  • the source wiring layer frame wiring SC is the same layer as the source wiring SH, and may be formed together with the formation of the source wiring SH.
  • the source wiring layer frame wiring SC is electrically connected to the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2. Further, the source wiring layer frame wiring SC is electrically connected to the first capacitance electrode layer frame wiring CE1 and the second capacitance electrode layer frame wiring CE2. The electrical connection is formed inside the contact holes of the second inorganic insulating film 18 and the third inorganic insulating film 20, as shown in FIGS. 3, 4A and 4B. This is performed via the contact portion CH of the source wiring layer frame wiring SC.
  • connection wirings CL that electrically connect the terminal portion T and the wiring in the display area DA with the source wiring layer frame wiring SC, the first gate electrode layer frame wiring GE1, and the second gate electrode layer frame wiring GE2. Is formed.
  • the connection wiring CL is also formed by the source wiring layer frame wiring SC, the first capacitance electrode layer frame wiring CE1, and the second capacitance electrode layer frame wiring CE2.
  • a flattening film 21 is formed as a second resin film above the bent portion resin layer 19 and the source wiring layer frame wiring SC exposed from the bent portion resin layer 19 among the connection wires CL.
  • the film layer first slit which is a slit of the film layer 10
  • the film layer first slit is provided at a position overlapping the bent portion FD and the inorganic insulating film first slit SA.
  • a slit 10A is formed.
  • the film layer first slit 10A is also formed so as to extend in a direction intersecting the edge of the frame area NA. For this reason, as is clear from FIG. 5A, the film layer 10 is not formed at the position overlapping the bent portion FD.
  • the resin layer 12 is more flexible than the film layer 10, a part of the frame area NA can be folded back to the back side of the display device 2 in the bent portion FD. Note that if the width at which the bending portion FD curves is equal to or less than the width of the film layer first slit 10A, the bending at the bending portion FD can be realized.
  • the adhesive layer 11 is formed even at the position where the film layer 10 is not formed.
  • the present invention is not limited to this, and the adhesive layer 11 in the film layer first slit 10A is It may not be formed and may partially remain.
  • a film layer second slit 10B branched from the film layer first slit 10A is formed at a position overlapping with the bent portion FD.
  • the film layer second slit 10B is formed between the adjacent connection wirings CL. Therefore, as is apparent from FIG. 5B, the connection wiring CL does not overlap with the film layer second slit 10B.
  • the adhesive layer 11 in the film layer second slit 10B may not be formed, and may remain partially.
  • the barrier layer second slit 3B is formed to extend beyond both ends of the barrier layer first slit 3A on both the display area DA side and the terminal part T side.
  • the third slit 20B of the third inorganic insulating film is formed to extend beyond both ends of the first slit 20A of the third inorganic insulating film on the display area DA side and the terminal portion T side.
  • the film layer second slit 10B is formed to extend beyond both ends of the film layer first slit 10A on the display area DA side and the terminal part T side.
  • the bent portion resin layer 19 has an end portion 19A formed beyond the inorganic insulating film first slit SA and an end portion formed beyond the inorganic insulating film second slit SB. 19B.
  • the end portion 19B is formed at a position exceeding both the display region DA side and the terminal portion T side of the end portion 19A.
  • the inorganic insulating film second slit SB is also provided on the display region side and the terminal portion side with respect to the inorganic insulating film first slit SA.
  • the film layer second slit 10B is also provided on the display area side and the terminal part side with respect to each of the inorganic insulating film first slit SA and the film layer first slit 10A.
  • the end 19A is formed to extend beyond the third inorganic insulating film first slit 20A.
  • the width of the third slit 20A of the third inorganic insulating film is larger than the width of the first slit 3A of the barrier layer.
  • the width of the barrier layer first slit 3A is larger than the width of the film layer first slit 10A. Accordingly, the width of the first slit SA of the inorganic insulating film and the bent portion resin layer 19 on the first slit SA are larger than the width of the first slit 10A of the film layer.
  • the end 19B is formed to extend beyond the third inorganic insulating film second slit 20B.
  • the width of the third slit 20B of the third inorganic insulating film is larger than the width of the second slit 3B of the barrier layer.
  • the width of the barrier layer second slit 3B is larger than the width of the film layer second slit 10B. Therefore, the width of the inorganic insulating film second slit SB and the bent portion resin layer 19 above it is larger than the width of the film layer second slit 10B.
  • the resin layer 12 is formed on a light-transmitting support substrate (for example, a mother glass substrate) (Step S1).
  • the barrier layer 3 is formed on the resin layer 12 (Step S2).
  • the barrier layer first slit 3A and the barrier layer second slit 3B may be formed.
  • the barrier layer 3 may be formed and the barrier layer 3 need not be patterned.
  • Step S3 Next, another TFT layer 4 excluding the barrier layer 3 is formed on the barrier layer 3 (step S3).
  • Step S3 will be described in more detail with reference to the flowchart of FIG.
  • film formation refers to forming a thin film of a corresponding member, and does not intend to pattern the thin film.
  • Forming refers to patterning after forming a thin film of a corresponding member.
  • the semiconductor film 15 is formed (Step S21).
  • the first inorganic insulating film 16 is formed (Step S22).
  • a gate electrode GE and a gate wiring connected to the date electrode GE are formed (Step S23).
  • step S23 the formation of the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2 is also performed.
  • step S24 the semiconductor film 15 is doped with impurities.
  • step S24 various impurity doping methods for the channel of the conventional TFT can be applied.
  • the second inorganic insulating film 18 is formed (Step S25).
  • the capacitance electrode CE is formed (Step S26).
  • step S26 the first capacitor electrode layer frame wiring and the second capacitor electrode layer frame wiring may be formed together.
  • the third inorganic insulating film 20 is formed (Step S27).
  • Step S28 patterning of the formed first inorganic insulating film 16, second inorganic insulating film 18, and third inorganic insulating film 20 is performed using, for example, photolithography or the like.
  • contact holes in which the contact portions CH of the source wiring layer frame wiring SC are formed are also formed in the second inorganic insulating film 18 and the third inorganic insulating film 20.
  • Step S29 formation of the inorganic insulating film first slit SA and the inorganic insulating film second slit SB is performed (Step S29).
  • Step S29 is performed by forming the inorganic insulating film first slit SA and the inorganic insulating film second slit SB by patterning using photolithography.
  • step S2 if only the barrier layer 3 is formed and patterning is not performed, the barrier layer 3 may be patterned in step S29. That is, in step S29, the barrier layer first slit 3A and the barrier layer second slit 3B may be formed.
  • step S29 the inorganic insulating film 4A is collectively etched to the resin layer 12, whereby the slits of the inorganic insulating films included in the inorganic insulating film first slit SA are formed so as to overlap each other. Further, in step S29, the inorganic insulating film 4A is collectively etched to the resin layer 12 so that the slits of each inorganic insulating film included in the inorganic insulating film second slit SB are also formed to overlap each other. .
  • step S28 and step S29 are executed separately, step S28 and step S29 may be executed simultaneously.
  • the bent portion resin layer 19 is formed so as to fill the inorganic insulating film first slit SA and the inorganic insulating film second slit SB (Step S30).
  • the source wiring SH is formed (Step S31).
  • step S31 the formation of the source wiring layer frame wiring SC and the contact portion CH are also performed.
  • a flattening film 21 is formed (Step S32), and the formation of the TFT layer 4 is completed.
  • step S21, step S23, step S26, and steps S28 to S32 may be realized by performing photolithography after forming the member.
  • a top emission type light emitting element layer (for example, an OLED element layer) 5 is formed (Step S4).
  • each layer of the light emitting element layer 5 may be formed by a conventionally known method, and in particular, the light emitting layer 24 may be formed by a vapor deposition method or the like.
  • Step S5 Next, the sealing layer 6 is formed (Step S5). Next, a top film is attached (Step S6). Next, the support substrate is peeled off from the laminate (Step S7). The separation of the support substrate is performed by, for example, irradiating the lower surface of the resin layer 12 with a laser beam through the support substrate to reduce the bonding force between the support substrate and the resin layer 12 and separating the support substrate from the resin layer 12. May be performed. Next, the film layer 10 is adhered to the resin layer 12 via the adhesive layer 11 as a lower surface film (Step S8). In step S8, the formation of the film layer first slit 10A and the film layer second slit 10B may be performed.
  • step S9 the laminate from the film layer 10 to the top film is cut by laser irradiation or the like to obtain a plurality of pieces.
  • step S10 the film layer 10 is partially removed by irradiating a laser beam from the film layer 10 side of each piece to form a film layer first slit 10A and a film layer second slit 10B (step S10).
  • step S8 for example, a lower surface film in which slits are cut according to the shape of the film layer first slit 10A and the film layer second slit 10B may be attached using a mold.
  • the film layer first slit 10A and the film layer second slit 10B can be formed by peeling the slit portion in step S10.
  • an electronic circuit board for example, an IC chip, FPC or COF (Chip on Film)
  • an electronic circuit board for example, an IC chip, FPC or COF (Chip on Film)
  • the upper surface film of each individual piece is peeled off (Step 12), and the functional film 29 is attached to the upper surface of each individual piece (Step S13).
  • the display device 2 is bent from the end of the bent portion FD on the display area DA side (Step S14). Thereby, a part of the frame area NA including the terminal portion T is folded back to the back side of the display device 2. For this reason, the terminal portion T is located on the back side of the display device 2. After the electronic circuit board is mounted on the terminal portion T, a part of the frame region including the terminal portion T is folded back to the back side of the display device 2, so that the area of the frame region NA in a top view is reduced, and the display device 2 Can be narrowed.
  • FIG. 8B is a schematic view of the display device 2 shown in FIG. As shown in FIG. 8, the display device 2 is folded at the bent portion FD, so that the folded region FL, which is a part of the frame region NA including the terminal portion T, is folded back to the back side of the display device 2. .
  • FIGS. 9A is a sectional view taken along line CC of FIG. 8A
  • FIG. 9B is a sectional view taken along line DD of FIG. 8A. is there.
  • FIG. 10A is a sectional view taken along line EE of FIG. 8A.
  • FIG. 9A and 9B are cross-sectional views at positions overlapping with the connection wiring CL and the third inorganic insulating film second slit 20B in the X-axis direction.
  • FIG. 10A is a cross-sectional view in a plane that does not overlap with the film layer first slit 10A and intersects with the film layer second slit 10B in a plane perpendicular to the X axis.
  • (A) of FIG. 10 corresponds to a cross-sectional view taken along line FF in (a) of FIG. 9 and (b) of FIG.
  • the display device 2 is curved to have an R shape in an enlarged view.
  • the size of the R shape may be determined by the thickness of the film layer 10.
  • the film layer 10 is removed by the film layer first slit 10A or the film layer second slit 10B at a position overlapping the bent portion FD. For this reason, even if the display device 2 is bent at the bent portion FD, strong stress is not applied to the film layer 10.
  • the barrier layer 3, the first inorganic insulating film 16, the second inorganic insulating film 18, and the third inorganic insulating film 20, which have high flexural rigidity, are removed by slits of the corresponding members. For this reason, at a position overlapping the bent portion FD of the frame region NA, the layer above the resin layer 12 is composed of only the bent portion resin layer 19, the flattening film 21, and the source wiring layer frame wiring SC having low bending rigidity. Have been. Therefore, the stress applied to each layer of the display device 2 in a state where the display device 2 is bent at the bent portion FD can be reduced.
  • the source wiring layer frame wiring SC overlaps with the film layer 10 even when the folding area FL is folded on the back surface of the display device 2. That is, the film layer second slit 10B does not overlap with the connection wiring CL on the turn-back area FL. Similarly, the second slit SB of the inorganic insulating film does not overlap with the connection wiring CL on the folded region FL.
  • the display device 2 shown in FIG. 10A is curved in a direction perpendicular to the bending direction of the bent portion FD, that is, in a direction in which a peak of bending is formed along the X-axis direction, is illustrated.
  • FIG. 10 (b) the display device 2 has a film layer 10 and an inorganic insulating film that are higher than a rigid portion S having a relatively high flexural rigidity on which the film layer 10 and the inorganic insulating film are formed.
  • the curving is larger.
  • connection wiring CL formed at a position overlapping with the rigid portion S having a small curvature even if the connection wiring CL is curved, and the possibility of breakage due to the curvature of the display device 2 is reduced.
  • the display device 2 is more likely to bend in a direction perpendicular to the bending direction of the bent portion FD, that is, in a direction in which a ridge is formed along the X-axis direction. . Therefore, it is easier for the display device 2 to bend in a direction different from the direction in which the bent portion FD is bent, while reducing breakage of the connection wiring CL in the bent portion FD.
  • the display device 2 including both the film layer second slit 10B and the inorganic insulating film second slit SB has been described.
  • the present invention is not limited to this, and the display device 2 having the above-described effects can be obtained by having one of the film layer second slit 10B and the inorganic insulating film second slit SB.
  • the breakage of the connection wiring CL can be further reduced, and the bent portion FD can be curved in a direction different from the direction in which the bent portion FD is bent.
  • the display device 2 which is easier can be realized.
  • the shapes of the film layer second slit 10B and the inorganic insulating film second slit SB are respectively changed from the film layer first slit 10A and the inorganic insulating film first slit SA into semicircles.
  • the shape of the second slit 10B of the film layer and the second slit SB of the inorganic insulating film are not particularly limited as long as the curved portion is included in the portion where stress is concentrated.
  • connection wiring CL on the folded region FL is connected to the first gate electrode layer frame wiring GE1, the second gate electrode layer frame wiring GE2, the first capacitance electrode layer frame wiring CE1, and the second capacitance electrode layer frame wiring CE2.
  • the case of using two types has been described. However, the present embodiment is not limited to this. In particular, when there is a margin in the wiring width and the interval between adjacent wirings, a wiring using only one of the wirings may be used. Further, when it is desired to increase the types of signals to be applied to the wiring, such as when a wiring to which a function signal such as a touch panel signal and a plurality of signals such as a video signal line are applied is routed in the same area, the type of the wiring is changed. Two or more types may be used.
  • the end portion 19B formed beyond the inorganic insulating film second slit SB is replaced with the end portion unless the breakage to the wiring CL portion or the environmental resistance has a problem. It may be formed at a position overlapping with 19A.
  • a structure in which a protective resin layer is further formed on the flattening film 21 at the bent portion to further strengthen the environment outside the display device 2 may be adopted.
  • the protective resin layer may be formed at any stage irrespective of before and after bending at the bent portion FD.
  • a space formed between the film layer 10 and the resin layer 12 is further coated with a protective resin, so that a space outside the display device 2 is provided.
  • a structure that is further strengthened against the environment may be adopted.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the display device 2 according to the present modification at a position corresponding to FIG.
  • the display device 2 includes a capacitor electrode layer frame wiring CC that electrically connects the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2 to the inorganic insulating film first slit. Prepare for a position that overlaps with SA.
  • the capacitance electrode layer frame wiring CC is made of the same layer and the same material as the capacitance electrode CE. Therefore, the capacitor electrode layer frame wiring CC is connected to the first gate electrode layer frame wiring GE1 and the second gate electrode layer frame wiring GE2 via the contact portion CH in the contact hole formed in the second inorganic insulating film 18. And electrically connected.
  • the capacitor electrode layer frame wiring CC is formed below the bent portion resin layer 19.
  • the source wiring layer frame The wiring SC is formed.
  • the capacitor electrode layer frame wiring CC and the source wiring layer frame wiring SC are formed at positions overlapping with the inorganic insulating film first slits SA so as to be alternately adjacent to each other.
  • the frame wiring of the capacitor electrode layer frame wiring CC and the frame wiring of the source wiring layer SC different from each other are provided at positions overlapping the inorganic insulating film first slit SA. For this reason, since the layers to be formed are different from each other, the short circuit between the frame wirings adjacent to each other can be further reduced.
  • FIG. 12 is an enlarged top view corresponding to FIG. 3 of the display device 2 according to the present embodiment.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 according to the previous embodiment in that the bent resin layer 19 serving as the first resin film has the bent resin layer recess 19C as the first resin film recess. Have.
  • the bent portion resin layer concave portion 19C has a bottom portion 19D.
  • the display device 2 according to the present embodiment is different from the display device 2 according to the previous embodiment in that the flattening film 21 as the second resin film is flatter as the second resin film slit in the frame region NA.
  • An oxide film slit 21B is provided. Except for the points described above, the display device 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • FIGS. 13A is a sectional view taken along line X1-X1 in FIG. 12, and FIG. 13B is a sectional view taken along line X2-X2 in FIG.
  • FIG. 13C is a sectional view taken along line X3-X3 in FIG. 14A is a sectional view taken along line Y1-Y1 in FIG. 12, and FIG. 14B is a sectional view taken along line Y2-Y2 in FIG.
  • the display device 2 does not include the bent portion resin layer recess 19C and the flattening film slit 21B at the position overlapping the connection wiring CL. Therefore, at the position where the connection wiring CL is formed, the display device 2 according to the present embodiment has the same layer structure as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • the display device 2 is located at a position overlapping with the third slit 20B of the third inorganic insulating film, the second slit 3B of the barrier layer, and the second slit 10B of the film layer. , And a flattening film slit 21B.
  • the display device 2 includes a bent portion resin layer concave portion 19C at a position overlapping with the flattening film slit 21B.
  • the bent portion resin layer concave portion 19C and the planarizing film slit 21B are formed between the adjacent connection lines CL and do not overlap with the connection lines CL.
  • step S32 the flattening film slit 21B and the bent portion resin layer concave portion 19C are formed (step S33).
  • Step S33 is performed by patterning the flattening film 21 and the bent portion resin layer 19 using, for example, photolithography.
  • the formation of the bent portion resin layer concave portion 19C is performed so that the bottom portion 19D having a thickness from the resin layer 12 is formed.
  • the display device 2 is bent from the end of the bent portion FD on the display region DA side, and a part of the frame region NA including the terminal portion T is folded back to the back side of the display device 2. be able to.
  • the structure around the bent part FD when a part of the frame area NA including the terminal part T is folded back to the back side of the display device 2 will be described in more detail with reference to FIGS. 16 (a), FIG. 16 (b), and FIG. 17 (a) correspond to (a) of FIG. 9, (b) of FIG. 9, and (a) of FIG. 10, respectively.
  • FIG. 16 (a), FIG. 16 (b), and FIG. 17 (a) correspond to (a) of FIG. 9, (b) of FIG. 9, and (a) of FIG. 10, respectively.
  • the film layer 10 has the film layer first slit 10A or the film layer second slit 10B. Has been removed by For this reason, even if the display device 2 is bent at the bent portion FD, strong stress is not applied to the film layer 10.
  • the bent portion FD is formed by the adhesive layer 11, the resin layer 12, and the bent portion. It overlaps with only the resin layer 19. Therefore, the display device 2 according to the present embodiment can be more easily curved at the bent portion FD.
  • the second slit 10B of the film layer and the second slit SB of the inorganic insulating film do not overlap with the connection wiring CL on the folded region FL.
  • the bent portion resin layer concave portion 19C and the flattening film slit 21B similarly do not overlap with the connection wiring CL on the folded region FL.
  • FIG. 17B shows a case where the display device 2 shown in FIG. 17A is curved in a direction perpendicular to the bending direction of the bent portion FD.
  • the display device 2 in the display device 2, not only the film layer 10 and the inorganic insulating film but also a part of the bent portion resin layer 19 and the flattening film 21 in the curved portion R. Has been removed. For this reason, the bending rigidity of the curved portion R is lower than that of the rigid portion S as compared with the previous embodiment, and the display device 2 is more likely to bend at the curved portion R more easily.
  • the curvature of the rigid portion S is further reduced, and the possibility that the connection wiring CL formed at a position overlapping with the rigid portion S is broken by the curvature of the display device 2 is further reduced.
  • the display device 2 can further easily bend the bending portion FD in a direction different from the bending direction.
  • the flattening film slit 21B was formed. Further, in the present embodiment, by removing a part of the thickness of the bent portion resin layer 19 at a position where the film layer 10 and the connection wiring CL do not overlap in the thickness direction of the display device 2, the bent portion is removed. A resin layer recess 19C was formed.
  • the present invention is not limited to this, and in the present embodiment, only a part of the thickness of the flattening film 21 at a position where the film layer 10 and the connection wiring CL do not overlap may be removed.
  • a flattening film concave portion may be formed, and may be used instead of the bent portion resin layer concave portion 19C and the flattening film slit 21B. Also in this case, the display device 2 has an effect that it is easier to bend the bending portion FD in a direction different from the direction in which the bending portion FD is bent.
  • FIG. 18A is a top view of the display device 2 according to the present embodiment
  • FIG. 18B is a rear view of the display device 2 according to the present embodiment
  • FIG. 19 is an enlarged top view of a region F in FIG. 18A, that is, the periphery of the third inorganic insulating film second slit 20B. Note that, similarly to FIG. 1, FIG. 18 also illustrates a state in which the display device 2 is not bent at the bent portion FD and the display device 2 is substantially on a plane.
  • At least one inorganic insulating film second slit SB is inclined with the end of the inorganic insulating film first slit SA on the display area DA side. Intersects. Furthermore, in the display device 2 according to the present embodiment, at least one film layer second slit 10B obliquely intersects the end of the film layer first slit 10A on the display area DA side. In addition, at least one inorganic insulating film second slit SB and at least one film layer second slit 10B overlap.
  • connection wiring CL is inclined with the end of the inorganic insulating film first slit SA on the display area DA side so as to be along the inorganic insulating film second slit SB. Intersects.
  • connection wiring CL obliquely intersects the end of the first slit 10A on the display area DA side of the first slit 10A so as to be along the second slit 10B of the film layer. I have.
  • connection wiring CL extends from the terminal portion T side and vertically intersects the end portion of the inorganic insulating film first slit SA and the film layer first slit 10A on the terminal portion T side. For this reason, since the connection wiring CL obliquely intersects the end of the inorganic insulating film first slit SA and the end of the film layer first slit 10A on the display area DA side, the connection wiring CL is formed on the inorganic insulating film first slit SA and in the film layer first slit SA. It has a bending point P that bends obliquely on one slit 10A.
  • the bent portion resin layer concave portion 19C and the flattening film slit 21B are aligned with the above-described inorganic insulating film second slit SB and film layer second slit 10B. It is formed. That is, the bent portion resin layer concave portion 19C and the flattening film slit 21B obliquely intersect the ends of the inorganic insulating film first slit SA and the film layer first slit 10A on the display area DA side.
  • the display device 2 according to the present embodiment has the same configuration as the display device 2 according to the previous embodiment. Further, the display device 2 according to the present embodiment may be obtained by the same manufacturing method as the display device 2 according to the previous embodiment.
  • At least one of the inorganic insulating film second slit SB and the film layer second slit 10B is provided on the display region DA side of the inorganic insulating film first slit SA and the film layer first slit 10A. It crosses the end diagonally. For this reason, the distance from the end of the inorganic insulating film first slit SA and the end of the film layer first slit 10A to the display area DA can be reduced. Therefore, it is possible to further reduce the area of the frame region NA.
  • the inorganic insulating film second slit SB at the center of the bent portion FD is the same as the inorganic insulating film first slit SA. Intersects perpendicularly with both ends.
  • the inorganic insulating film second slit SB closer to the end than the center of the bent portion FD obliquely intersects one end of the inorganic insulating film first slit SA on the display area DA side.
  • Each of the inorganic insulating film second slits SB obliquely intersecting with the end of the inorganic insulating film first slit SA is inclined so as to be closer to the end from the center of the bent portion FD on the display area DA side. ing.
  • an angle at which the center axis of the inorganic insulating film second slit SB intersects a straight line parallel to the Y-axis direction is defined as ⁇ .
  • ⁇ is a right angle ⁇ A.
  • ⁇ is an obtuse angle ⁇ B.
  • an angle at which the center axis of the inorganic insulating film second slit SB intersects a straight line parallel to the Y-axis direction is set to ⁇ .
  • ⁇ is a right angle ⁇ C regardless of the position of the inorganic insulating film second slit SB. That is, in this embodiment, all the inorganic insulating film second slits SB vertically intersect with one end of the inorganic insulating film first slit SA on the terminal portion T side.
  • the arrangement of the inorganic insulating film second slits SB shortens the formation distance of the connection wiring CL and reduces the distance between the plurality of terminal portions T.
  • the mounting area can be reduced.
  • the film layer second slit 10B on the end side of the center of the bent portion FD is also inclined with one end of the film layer first slit 10A on the display area DA side. May cross.
  • the bending point P at which the formation angle of the connection wiring CL changes is superimposed on the inorganic insulating film first slit SA and the film layer first slit 10A, and is disposed near the center of the film layer first slit 10A.
  • the present embodiment is not limited to this. If the position overlaps with the inorganic insulating film first slit SA, for example, the positions of the individual bending points P may be different from each other so that the terminal portions T It may be moved in the direction or the display area DA direction.
  • the second slit SB of the inorganic insulating film, the second slit 10B of the film layer, the concave portion 19C of the bent portion of the resin layer, and the flattening film slit 21B are also moved in the direction of the terminal portion T or the display area DA in accordance with the movement of the bending point P. You may move in the direction.
  • connection wiring CL drawn from the terminal portion T side extends in a direction perpendicular to the film layer first slit 10A, and is oblique to the connection wiring CL drawn from the display area DA side.
  • the configuration of crossing has been described.
  • the formation direction of the connection wiring CL is not limited to this direction, and the connection wiring CL drawn from the terminal portion T is connected to the connection wiring drawn from the display area DA side with respect to the film layer first slit 10A.
  • the film may be stretched in an oblique direction different from the angle of the CL in the oblique direction.
  • the shape of the inorganic insulating film second slit SB, the film layer second slit 10B, the bent portion resin layer concave portion 19C, and the flattening film slit 21B are formed along the connection wiring CL drawn from the display area DA side. May be formed.
  • the display device 2 may include a display panel having a flexible and bendable display element.
  • the display elements include a display element whose luminance and transmittance are controlled by a current, and a display element whose luminance and transmittance are controlled by a voltage.
  • the display device 2 may include an OLED (Organic Light Emitting Diode) as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be an organic EL (Electro Luminescence) display.
  • the display device 2 according to each of the above embodiments may include an inorganic light emitting diode as a current control display element.
  • the display device according to the present embodiment may be a QLED display including an EL display QLED (Quantum dot Light Emitting Diode) such as an inorganic EL display.
  • QLED Quantum dot Light Emitting Diode
  • a display element for voltage control there is a liquid crystal display element or the like.
  • the display device includes a display region including a plurality of display elements and a frame region around the display region, and a film layer and a TFT layer including at least one inorganic insulating film are stacked in this order.
  • a display device comprising, in the frame region, a terminal portion and a bent portion between the terminal portion and the display region, at least overlapping with the bent portion and intersecting an edge of the frame region.
  • An inorganic insulating film first slit and a film layer first slit are provided on each of the inorganic insulating film and the film layer so as to extend in the direction, and the TFT layer fills the inorganic insulating film first slit.
  • a first resin film provided on the inorganic insulating film and the first resin film so as to overlap with the bent portion and intersect with the bent portion.
  • a film layer second slit intersecting with the film layer first slit is provided between the plurality of adjacent connection wires.
  • the width of the first slit of the inorganic insulating film is larger than the width of the first slit of the film layer.
  • the first resin film is further provided so as to fill the second slit of the inorganic insulating film.
  • a first resin film recess is formed in the first resin film so as to overlap the second slit of the inorganic insulating film or the second slit of the film layer.
  • a second resin film is formed on the first resin film and the connection wiring, and the second resin film is overlapped with the second slit of the inorganic insulating film or the second slit of the film layer. Then, a second resin film slit or a second resin film recess is formed.
  • the inorganic insulating film second slit is provided on the display area side and the terminal portion side with respect to the inorganic insulating film first slit, or the film layer second slit is formed on the film layer second slit. It is also provided on the display area side and the terminal section side with respect to one slit.
  • At least one of the inorganic insulating film second slits obliquely intersects with the end of the inorganic insulating film first slit on the display region side, or at least one of the film layer second slits. , Obliquely intersects the end of the film layer first slit on the display area side.
  • connection wiring obliquely intersects at least the end of the inorganic insulating film first slit on the display region side along the inorganic insulating film second slit, or The connection wiring obliquely intersects at least the end of the film layer first slit on the display region side along the two slits.
  • the inorganic insulating film second slit at the center of the bent portion vertically intersects both end portions of the inorganic insulating film first slit, and
  • the second slit of the inorganic insulating film on the end side with respect to the central portion of the above crosses one end of the first slit of the inorganic insulating film obliquely.
  • connection wiring extends from the terminal portion side and vertically intersects an end of the inorganic insulating film first slit or the film layer first slit on the terminal portion side, and the inorganic insulating film second slit. On one slit or on the first slit of the film layer, there is a bending point that bends obliquely.
  • the inorganic insulating film second slit or the film layer second slit obliquely intersects the end of the inorganic insulating film first slit or the film layer first slit, and the inorganic insulating film second slit or the film layer second slit.
  • a first resin film recess is formed in the first resin film so as to overlap the second slit of the insulating film or the second slit of the film layer.
  • a second resin film is formed on the first resin film and the connection wiring, and the inorganic insulating film obliquely intersects an end of the first slit of the inorganic insulating film or the first slit of the film layer.
  • a second resin film slit or a second resin film slit is formed along the film second slit or the film layer second slit and so as to overlap with the inorganic insulating film second slit or the film layer second slit.
  • a second resin film recess is formed.
  • both the inorganic insulating film second slit and the film layer second slit are provided.
  • the width of the second slit of the inorganic insulating film is larger than the width of the second slit of the film layer.
  • the method for manufacturing a display device comprising: a display region having a plurality of display elements; and a frame region around the display region, and forming a film layer and a TFT layer including at least one inorganic insulating film in this order.
  • a method for manufacturing a display device comprising: laminating, in the frame region, a terminal portion, and a bent portion between the terminal portion and the display region, wherein a film layer forming step of forming the film layer; A TFT layer forming step of forming the TFT layer, wherein the film layer forming step and the TFT layer forming step are such that the inorganic insulating layer extends in a direction intersecting the edge of the frame region at the bent portion.
  • the TFT layer forming step includes a first resin film forming step of forming a first resin film provided so as to fill the inorganic insulating film first slit, and the bending.
  • connection wirings for electrically connecting the terminal and the wiring in the display region on an upper layer of the inorganic insulating film and the first resin film so as to overlap with the portion and intersect with the bent portion; And a connection wiring forming step of forming the first insulating film, wherein in the film layer forming step or the TFT layer forming step, the inorganic insulating film second slit intersects with the inorganic insulating film first slit in the bent portion, or A film layer second slit intersecting with the film layer first slit is formed between the plurality of adjacent connection wirings.

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Abstract

折り曲げ部（ＦＤ）を備え、端子部（Ｔ）と表示領域（ＤＡ）における配線とを電気的に接続する接続配線（ＣＬ）を備えた表示デバイス（２）は、前記折り曲げ部において、額縁領域（ＮＡ）の縁と交差する方向に伸びるように、無機絶縁膜およびフィルム層（１０）のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリット（ＳＡ）およびフィルム層第１スリット（１０Ａ）が設けられる。また、前記表示デバイスは、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット（ＳＢ）、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリット（１０Ｂ）を、隣り合う複数の前記接続配線の間に備える。

Description

表示デバイス、表示デバイスの製造方法
　本発明は、発光素子を備えた表示デバイスに関する。
　特許文献１には、表示装置において、フレキシブル基板の一部を背面に折り返す技術が記載されている。
日本国公開特許公報「特開２０１７－１８７７０５号」
　特許文献１に記載の表示装置の基板を、既に折り返された基板の折り曲げ方向とは異なる方向に、さらに湾曲させる場合、既に折り返された位置に形成された、配線を含む金属層が破断しやすくなる問題がある。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスは、複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、フィルム層とＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、前記ＴＦＴ層は、少なくとも一層の無機絶縁膜を含み、前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスであって、少なくとも、前記折り曲げ部と重畳し、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットが設けられ、前記ＴＦＴ層は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜をさらに備え、前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線が設けられ、前記折り曲げ部と重畳し、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に備える。
　上記課題を解決するために、本発明の表示デバイスの製造方法は、複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、フィルム層とＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、前記ＴＦＴ層は、少なくとも一層の無機絶縁膜を含み、前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスの製造方法であって、前記フィルム層を形成するフィルム層形成工程と、前記ＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程とを備え、前記フィルム層形成工程および前記ＴＦＴ層形成工程は、前記折り曲げ部において、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットを形成する、無機絶縁膜第１スリット形成工程およびフィルム層第１スリット形成工程をそれぞれ備え、前記ＴＦＴ層形成工程は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線を形成する接続配線形成工程とをさらに備え、前記フィルム層形成工程または前記ＴＦＴ層形成工程においては、前記折り曲げ部において、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に形成する。
　本発明により、折り曲げ部における配線の破断を低減しつつ、折り曲げ部を折り曲げる方向とは異なる方向において湾曲しやすい表示デバイスを提供できる。
本発明の実施形態１に係る表示デバイスの概略上面図および概略背面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの表示領域における概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの折り曲げ部における上面の拡大図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの折り曲げ部における概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの折り曲げ部における他の概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの製造方法を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスのＴＦＴ層の製造方法の１例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスにおいて、折り曲げ部を折り曲げた場合における概略上面図および概略背面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの折り曲げられた折り曲げ部における概略断面図である。 本発明の実施形態１に係る表示デバイスの折り曲げられた折り曲げ部における他の概略断面図である。 本発明の変形例に係る表示デバイスの折り曲げ部における概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの折り曲げ部における上面の拡大図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの折り曲げ部における概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの折り曲げ部における他の概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスのＴＦＴ層の製造方法の１例を説明するためのフローチャートである。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの折り曲げられた折り曲げ部における概略断面図である。 本発明の実施形態２に係る表示デバイスの折り曲げられた折り曲げ部における他の概略断面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの概略上面図および概略背面図である。 本発明の実施形態３に係る表示デバイスの折り曲げ部における上面の拡大図である。
　〔実施形態１〕
　以下においては、「同層」とは同一のプロセスにて形成されていることを意味し、「下層」とは、比較対象の層よりも先のプロセスで形成されていることを意味し、「上層」とは比較対象の層よりも後のプロセスで形成されていることを意味する。
　図１の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図であり、図１の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス２の背面図である。図２は、図１の（ａ）におけるＡ－Ａ線矢視断面図であり、図３は、図１の（ａ）における領域Ｂ、すなわち、後に詳述する、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂの周辺の拡大上面図である。なお、図１においては、後に詳述する折り曲げ部ＦＤにおいて、表示デバイス２が折り曲げられず、表示デバイス２が略平面上にある状態を図示している。
　なお、図１の（ａ）においては、図１の（ａ）の紙面に向かって右方をＸ軸の正方向、上方をＹ軸の正方向、奥から手前をＺ軸の正方向と定義する。また、本明細書の各図において示した、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸の関係は、その他の図における各軸と対応しているものとする。すなわち、図１の（ａ）に示すように、本明細書においては、表示デバイス２の表示領域ＤＡの長手方向をＸ軸方向、表示デバイス２の表示領域ＤＡの短手方向をＹ軸方向、表示デバイス２の厚み方向をＺ軸方向とする。
　本実施形態に係る表示デバイス２は、図１の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡと、当該表示領域ＤＡの周囲に隣接する額縁領域ＮＡとを有する。図２を参照して、本実施形態に係る表示デバイス２の、表示領域ＤＡにおける各層の構成を詳細に説明する。
　図２に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２は、下層から順に、フィルム層１０と、接着層１１と、樹脂層１２と、ＴＦＴ層４と、発光素子層５と、封止層６と、機能フィルム２９を備える。機能フィルム２９は、光学補償機能、タッチセンサ機能、保護機能等を有していてもよい。
　フィルム層１０は、表示デバイス２の基材フィルムであり、例えば、有機樹脂材料を含んでいてもよい。接着層１１は、フィルム層１０と樹脂層１２とを接着する層であり、従来公知の接着剤を使用して形成してもよい。樹脂層１２の材料としては、例えば、ポリイミドが挙げられる。
　ＴＦＴ層４は、下層から順に、バリア層３と、半導体膜１５と、第１無機絶縁膜１６（ゲート絶縁膜）と、ゲート電極ＧＥと、第２無機絶縁膜１８と、容量電極ＣＥと、第３無機絶縁膜２０と、ソース配線ＳＨ（金属配線層）と、平坦化膜２１（層間絶縁膜）とを含む。半導体膜１５と、第１無機絶縁膜１６と、ゲート電極ＧＥとを含むように、薄層トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔｒが構成される。
　バリア層３は、表示デバイス２の使用時に、水、酸素等の異物がＴＦＴ層４、発光素子層５に浸透することを防ぐ層である。バリア層３は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。
　半導体膜１５は、例えば低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）あるいは酸化物半導体で構成される。なお、図２においては、半導体膜１５をチャネルとするＴＦＴがトップゲート構造で示されているが、ボトムゲート構造であってもよい（例えば、ＴＦＴのチャネルが酸化物半導体の場合）。
　ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つを含んでいてもよい。すなわち、ゲート電極ＧＥ、容量電極ＣＥ、またはソース配線ＳＨは、上述の金属の単層膜あるいは積層膜によって構成される。
　第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０は、例えば、ＣＶＤ法によって形成された、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）膜あるいは窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜またはこれらの積層膜によって構成することができる。
　本実施形態においては、バリア層３、第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０は、無機絶縁膜４Ａに含まれる。
　平坦化膜２１は、例えば、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　発光素子層５（例えば、有機発光ダイオード層）は、下層から順に、画素電極２２（第１電極、例えばアノード）と、画素電極２２のエッジを覆うカバー膜（エッジカバー）２３と、発光層２４と、上部電極（第２電極、例えばカソード）２５とを含む。発光素子層５は、サブピクセルＳＰ（画素）ごとに、島状の画素電極２２、島状の発光層２４、および上部電極２５を含む発光素子（例えば、ＯＬＥＤ：有機発光ダイオード）と、これを駆動するサブ画素回路とが設けられる。また、ＴＦＴ層４において、当該サブ画素回路ごとにトランジスタＴｒが形成され、トランジスタＴｒの制御をもって、サブ画素回路が制御される。
　画素電極２２は、平面視において、平坦化膜２１と当該平坦化膜２１の開口であるコンタクトホールとに重畳する位置に設けられる。画素電極２２は、コンタクトホールを介してソース配線ＳＨと電気的に接続される。このため、ＴＦＴ層４における信号が、ソース配線ＳＨを介して画素電極２２に供給される。なお、画素電極２２の厚みは、例えば、１００ｎｍであってもよい。
　画素電極２２は、複数のサブピクセルＳＰごとに島状に形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）とＡｇを含む合金との積層によって構成され、光反射性を有する。上部電極２５は、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透光性の導電材によって構成することができる。
　カバー膜２３は有機絶縁膜であり、画素電極２２のエッジを覆う位置に形成され、複数のサブピクセルＳＰごとに開口２３ｃを備え、画素電極２２の一部が露出する。
　発光層２４は、例えば、下層側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層することで構成される。本実施形態においては、発光層２４の少なくとも１層は、蒸着法によって形成される。また、本実施形態においては、発光層２４の各層は、サブピクセルＳＰごとに島状に形成されていてもよく、複数のサブピクセルＳＰの共通層としてベタ状に形成されていてもよい。
　発光素子層５がＯＬＥＤ層である場合、画素電極２２および上部電極２５間の駆動電流によって正孔と電子が発光層２４内で再結合し、これによって生じたエキシトンが基底状態に落ちることによって、光が放出される。上部電極２５が透光性を有し、画素電極２２が光反射性を有するため、発光層２４から放出された光は上方に向かい、トップエミッションとなる。
　封止層６は、上部電極２５よりも上層の第１無機封止膜２６と、第１無機封止膜２６よりも上層の有機封止膜２７と、有機封止膜２７よりも上層の第２無機封止膜２８とを含み、水、酸素等の異物の発光素子層５への浸透を防ぐ。第１無機封止膜２６および第２無機封止膜２８は、例えば、ＣＶＤにより形成される、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、あるいは酸窒化シリコン膜、またはこれらの積層膜で構成することができる。有機封止膜２７は、ポリイミド、アクリル等の塗布可能な感光性有機材料によって構成することができる。
　本実施形態において、額縁領域ＮＡには、図２に示した各層のうち、フィルム層１０からＴＦＴ層４までが形成されている。さらに、額縁領域ＮＡには、端子部Ｔと、折り曲げ部ＦＤが形成されている。
　端子部Ｔは、額縁領域ＮＡの一端部に形成される。端子部Ｔには、表示領域ＤＡからの接続配線ＣＬを介して表示領域ＤＡにおける各発光素子を駆動するための信号を供給する、図示しないドライバ等が実装される。本実施形態において、端子部Ｔの形状は限定されない。
　折り曲げ部ＦＤは、端子部Ｔと表示領域ＤＡとの間に、額縁領域ＮＡの一辺に沿って形成されている。表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤにおいて湾曲することにより、額縁領域ＮＡの一部を、表示デバイス２の背面側に折り返すことができる。折り曲げ部ＦＤにおいて表示デバイス２を湾曲させて、額縁領域ＮＡの一部を折り返し、端子部Ｔを表示デバイス２の背面側に配置することにより、表示デバイス２の上面視における額縁領域ＮＡの面積を低減できる。
　折り曲げ部ＦＤの周辺の構造について、図３から図５までを参照し詳細に説明する。図３は、図１の（ａ）における領域Ｂの拡大上面図である。図４の（ａ）は、図３における、Ｘ１－Ｘ１線矢視断面図であり、図４の（ｂ）は、図３における、Ｘ２－Ｘ２線矢視断面図であり、図４の（ｃ）は、図３における、Ｘ３－Ｘ３線矢視断面図である。図５の（ａ）は、図３における、Ｙ１－Ｙ１線矢視断面図であり、図５の（ｂ）は、図３における、Ｙ２－Ｙ２線矢視断面図である。
　額縁領域ＮＡにおいて、図３と図４の（ａ）と図４の（ｂ）とに示すように、折り曲げ部ＦＤと重畳する位置に、バリア層３のスリットである、バリア層第１スリット３Ａが形成される。
　さらに、折り曲げ部ＦＤおよびバリア層第１スリット３Ａと重畳する位置に、第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０のスリットである、第１無機絶縁膜第１スリット１６Ａ、第２無機絶縁膜第１スリット１８Ａ、および第３無機絶縁膜第１スリット２０Ａがそれぞれ形成される。すなわち、折り曲げ部ＦＤと重畳する位置には、無機絶縁膜４Ａのスリットである、無機絶縁膜第１スリットＳＡが形成される。図３と図４の（ａ）と図４の（ｂ）とにおいては、無機絶縁膜第１スリットＳＡのうち、下端および上端のスリットである、バリア層第１スリット３Ａおよび第３無機絶縁膜第１スリット２０Ａを図示している。無機絶縁膜第１スリットＳＡは、額縁領域ＮＡの縁と交差する方向に伸びるように形成されている。すなわち、無機絶縁膜第１スリットＳＡは、Ｙ軸方向に沿って、額縁領域ＮＡの一端から他端までに渡り形成されている。
　加えて、折り曲げ部ＦＤと一部重畳し、無機絶縁膜第１スリットＳＡから分岐する、無機絶縁膜第２スリットＳＢがそれぞれ形成される。図３と図４の（ｃ）とにおいては、無機絶縁膜第２スリットＳＢのうち、下端および上端のスリットである、バリア層第２スリット３Ｂおよび第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂを図示している。無機絶縁膜第２スリットＳＢは、隣り合う前記複数の接続配線ＣＬの間に形成されている。したがって、接続配線ＣＬは、無機絶縁膜第２スリットＳＢと重畳しない。
　額縁領域ＮＡにおいて、ＴＦＴ層４は、図４の（ａ）に示すように、表示領域ＤＡから引き出された第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１と、端子部Ｔから引き出された第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２とを備える。第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１および第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２は、ゲート電極ＧＥと同層であり、第１無機絶縁膜１６の上層に形成されている。第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１および第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２は、ゲート電極ＧＥの形成と併せて形成されてもよい。
　さらに、額縁領域ＮＡにおいて、ＴＦＴ層４は、図４の（ｂ）に示すように、表示領域ＤＡから引き出された第１容量電極層額縁配線ＣＥ１と、端子部Ｔから引き出された第２容量電極層額縁配線ＣＥ２とを備える。第１容量電極層額縁配線ＣＥ１および第２容量電極層額縁配線ＣＥ２は、容量電極ＣＥと同層であり、第２無機絶縁膜１８の上層に形成されている。第１容量電極層額縁配線ＣＥ１および第２容量電極層額縁配線ＣＥ２は、容量電極ＣＥの形成と併せて形成されてもよい。
　なお、本実施形態においては、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１と第１容量電極層額縁配線ＣＥ１とが、交互に形成されている。さらに、本実施形態においては、第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２と第２容量電極層額縁配線ＣＥ２とが、交互に形成されている。このように、額縁領域ＮＡにおいて、互いに隣接する配線同士が、異なる層における金属層にて形成されているため、配線同士の短絡を低減することができる。
　さらに、額縁領域ＮＡにおいて、ＴＦＴ層４は、図４に示すように、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよび無機絶縁膜第２スリットＳＢを埋めるように設けられた第１樹脂膜として、折り曲げ部樹脂層１９を備える。折り曲げ部樹脂層１９は、平坦化膜２１または樹脂層１２と同一の材料からなっていてもよく、平坦化膜２１および樹脂層１２とは異なる有機系の樹脂材料であってもよい。また、図４に示すように、折り曲げ部樹脂層１９は、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよび無機絶縁膜第２スリットＳＢを埋めるように設けられていてもよい。
　加えて、折り曲げ部樹脂層１９および第３無機絶縁膜２０の上層において、ソース配線層額縁配線ＳＣが形成されている。ソース配線層額縁配線ＳＣは、ソース配線ＳＨと同層であり、ソース配線ＳＨの形成と併せて形成されてもよい。
　ソース配線層額縁配線ＳＣと、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１および第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２とは、電気的に接続している。また、ソース配線層額縁配線ＳＣと、第１容量電極層額縁配線ＣＥ１および第２容量電極層額縁配線ＣＥ２とは、電気的に接続している。当該電気的接続は、図３と図４の（ａ）と図４の（ｂ）とに示すように、第２無機絶縁膜１８および第３無機絶縁膜２０のコンタクトホール内部に形成された、ソース配線層額縁配線ＳＣのコンタクト部ＣＨを介してなされる。
　ソース配線層額縁配線ＳＣと、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１と、第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２とにより、端子部Ｔと表示領域ＤＡにおける配線とを電気的に接続する複数の接続配線ＣＬが形成される。また、ソース配線層額縁配線ＳＣと、第１容量電極層額縁配線ＣＥ１と、第２容量電極層額縁配線ＣＥ２とによっても、接続配線ＣＬが形成される。折り曲げ部樹脂層１９と、接続配線ＣＬのうち、折り曲げ部樹脂層１９から露出したソース配線層額縁配線ＳＣとの上層には、第２樹脂膜として、平坦化膜２１が形成される。
　また、図１の（ｂ）、図３、および図４に示すように、折り曲げ部ＦＤ、および無機絶縁膜第１スリットＳＡと重畳する位置に、フィルム層１０のスリットである、フィルム層第１スリット１０Ａが形成される。フィルム層第１スリット１０Ａにおいても、額縁領域ＮＡの縁と交差する方向に伸びるように形成されている。このため、図５の（ａ）からも明らかであるように、折り曲げ部ＦＤと重畳する位置においては、フィルム層１０が形成されていない。
　ここで、樹脂層１２は、フィルム層１０と比較して柔軟であるため、折り曲げ部ＦＤにおいて、額縁領域ＮＡの一部を、表示デバイス２の背面側に折り返すことができる。なお、折り曲げ部ＦＤにおいて湾曲する幅が、フィルム層第１スリット１０Ａの幅以下であれば、折り曲げ部ＦＤにおける折り曲げを実現することができる。
　なお、図４および図５においては、フィルム層１０が形成されていない位置においても、接着層１１が形成されているが、これに限られず、フィルム層第１スリット１０Ａ内の接着層１１は、形成されなくてもよく、部分的に残っていてもよい。
　さらに、折り曲げ部ＦＤと重畳する位置に、フィルム層第１スリット１０Ａから分岐するフィルム層第２スリット１０Ｂが形成される。フィルム層第２スリット１０Ｂは、隣り合う前記複数の接続配線ＣＬの間に形成されている。したがって、図５の（ｂ）からも明らかであるように、接続配線ＣＬはフィルム層第２スリット１０Ｂと重畳しない。フィルム層第２スリット１０Ｂ内の接着層１１についても、形成されなくてもよく、部分的に残っていてもよい。
　図３に示されているように、バリア層第２スリット３Ｂは、バリア層第１スリット３Ａの表示領域ＤＡ側および端子部Ｔ側の両方の端部を超過して形成されている。同様に、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂは、第３無機絶縁膜第１スリット２０Ａの表示領域ＤＡ側および端子部Ｔ側の両方の端部を超過して形成されている。さらに同様に、フィルム層第２スリット１０Ｂは、フィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側および端子部Ｔ側の両方の端部を超過して形成されている。
　なお、図３に示すように、折り曲げ部樹脂層１９は、無機絶縁膜第１スリットＳＡを超過して形成された端部１９Ａと無機絶縁膜第２スリットＳＢを超過して形成された端部１９Ｂとを有する。端部１９Ｂは、端部１９Ａの表示領域ＤＡ側および端子部Ｔ側の両方を超過した位置に形成されている。
　したがって、無機絶縁膜第２スリットＳＢは、無機絶縁膜第１スリットＳＡよりも表示領域側および端子部側においても設けられている。同様に、フィルム層第２スリット１０Ｂは、無機絶縁膜第１スリットＳＡ、およびフィルム層第１スリット１０Ａのそれぞれよりも表示領域側および端子部側においても設けられている。
　ここで、図４の（ａ）および図４の（ｂ）に示されているように、端部１９Ａは、第３無機絶縁膜第１スリット２０Ａを超過して形成されている。また、第３無機絶縁膜第１スリット２０Ａの幅は、バリア層第１スリット３Ａの幅よりも大きい。さらに、バリア層第１スリット３Ａの幅は、フィルム層第１スリット１０Ａの幅よりも大きい。したがって、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびその上層の折り曲げ部樹脂層１９の幅は、フィルム層第１スリット１０Ａの幅よりも大きい。
　同様に、図４の（ｃ）に示されているように、端部１９Ｂは、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂを超過して形成されている。また、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂの幅は、バリア層第２スリット３Ｂの幅よりも大きい。さらに、バリア層第２スリット３Ｂの幅は、フィルム層第２スリット１０Ｂの幅よりも大きい。したがって、無機絶縁膜第２スリットＳＢおよびその上層の折り曲げ部樹脂層１９の幅は、フィルム層第２スリット１０Ｂの幅よりも大きい。
　本実施形態に係る表示デバイスの製造方法について、図６のフローチャートを参照して詳細に説明する。
　はじめに、透光性の支持基板（例えば、マザーガラス基板）上に樹脂層１２を形成する（ステップＳ１）。次いで、樹脂層１２の上層にバリア層３を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２において、バリア層第１スリット３Ａおよびバリア層第２スリット３Ｂの形成を実行してもよく、対して、バリア層３の成膜を行い、バリア層３のパターニングを実行しなくともよい。
　次いで、バリア層３の上層に、バリア層３を除く他のＴＦＴ層４を形成する（ステップＳ３）。ステップＳ３について、図７のフローチャートを参照して、より詳細に説明する。なお、以下において、「成膜」とは、対応する部材の薄膜を成膜することを指し、さらに当該薄膜をパターニングすることを意図していない。また、「形成」とは、対応する部材の薄膜の成膜後、パターニングを行うことまでを指す。
　はじめに、半導体膜１５を形成する（ステップＳ２１）。次いで、第１無機絶縁膜１６を成膜する（ステップＳ２２）。次いで、ゲート電極ＧＥおよび当該デート電極ＧＥと接続するゲート配線を形成する（ステップＳ２３）。ここで、ステップＳ２３において、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１および第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２の形成を併せて実行する。
　次いで、半導体膜１５に対する不純物のドープを実行する（ステップＳ２４）。ステップＳ２４は、従来のＴＦＴのチャネルに対する種々の不純物ドープの手法を適用できる。次いで、第２無機絶縁膜１８を成膜する（ステップＳ２５）。次いで、容量電極ＣＥを形成する（ステップＳ２６）。ステップＳ２６において、第１容量電極層額縁配線および第２容量電極層額縁配線を併せて形成してもよい。次いで、第３無機絶縁膜２０を成膜する（ステップＳ２７）。
　次いで、成膜された第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィ等を用いて実行する（ステップＳ２８）。ここで、ステップＳ２８において、ソース配線層額縁配線ＳＣのコンタクト部ＣＨが形成されるコンタクトホールも、第２無機絶縁膜１８および第３無機絶縁膜２０に形成する。
　次いで、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよび無機絶縁膜第２スリットＳＢの形成を実行する（ステップＳ２９）。ステップＳ２９は、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよび無機絶縁膜第２スリットＳＢを、フォトリソグラフィを用いたパターニングにより形成することにより実行される。
　さらに、ステップＳ２において、バリア層３の成膜のみを実行し、パターニングを行わなかった場合、ステップＳ２９において、バリア層３のパターニングを実行してもよい。すなわち、ステップＳ２９において、バリア層第１スリット３Ａおよびバリア層第２スリット３Ｂの形成が実行されてもよい。
　ステップＳ２９において、無機絶縁膜４Ａを一括して樹脂層１２までエッチングすることにより、無機絶縁膜第１スリットＳＡに含まれる各無機絶縁膜のスリットが、互いに重畳するように形成される。さらに、ステップＳ２９において、無機絶縁膜４Ａを一括して樹脂層１２までエッチングすることにより、無機絶縁膜第２スリットＳＢに含まれる各無機絶縁膜のスリットについても、互いに重畳するように形成される。ステップＳ２８とステップＳ２９とを分けて実行するように説明したが、ステップＳ２８とステップＳ２９とは同時に実行してもよい。
　次いで、無機絶縁膜第１スリットＳＡ、および無機絶縁膜第２スリットＳＢを埋めるように、折り曲げ部樹脂層１９を形成する（ステップＳ３０）。次いで、ソース配線ＳＨを形成する（ステップＳ３１）。ここで、ステップＳ３１において、ソース配線層額縁配線ＳＣおよびコンタクト部ＣＨの形成を併せて実行する。次いで、平坦化膜２１を形成し（ステップＳ３２）、ＴＦＴ層４の形成が完了する。
　ここで、ステップＳ２１、ステップＳ２３、ステップＳ２６、ステップＳ２８～Ｓ３２における各部材の形成は、当該部材の成膜後、フォトリソグラフィを実行することにより実現してもよい。
　次いで、トップエミッション型の発光素子層（例えば、ＯＬＥＤ素子層）５を形成する（ステップＳ４）。ステップＳ４においては、発光素子層５の各層を従来公知の手法により形成してもよく、特に、発光層２４を、蒸着法等により形成してもよい。
　次いで、封止層６を形成する（ステップＳ５）。次いで、上面フィルムを貼り付ける（ステップＳ６）。次いで、支持基板を積層体から剥離する（ステップＳ７）。支持基板の剥離は、例えば、支持基板越しに樹脂層１２の下面にレーザ光を照射して、支持基板と樹脂層１２との結合力を低下させ、支持基板を樹脂層１２から剥離する手法により実行してもよい。次いで、下面フィルムとして、フィルム層１０を、接着層１１を介して樹脂層１２に貼り付ける（ステップＳ８）。ステップＳ８において、フィルム層第１スリット１０Ａおよびフィルム層第２スリット１０Ｂの形成が実行されてもよい。
　次いで、レーザ照射等により、フィルム層１０から上面フィルムまでの積層体を分断し、複数の個片を得る（ステップＳ９）。次いで、各個片のフィルム層１０側からレーザ光を照射して、フィルム層１０を一部除去し、フィルム層第１スリット１０Ａおよびフィルム層第２スリット１０Ｂを形成する（ステップＳ１０）。
　本実施形態においては、レーザ光を照射してフィルム層１０を部分的に除去する方法を上述したが、これに限定されない。ステップＳ８において、例えば、金型を用いてフィルム層第１スリット１０Ａおよびフィルム層第２スリット１０Ｂの形状に合わせたスリットの切り込みを入れた下面フィルムを貼り付けてもよい。この場合、ステップＳ１０において当該スリット部分を剥離することにより、フィルム層第１スリット１０Ａおよびフィルム層第２スリット１０Ｂを形成できる。
　次いで、端子部Ｔに電子回路基板（例えば、ＩＣチップ、ＦＰＣまたはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　ｆｉｌｍ）等）をマウントする（ステップＳ１１）。次いで、各個片の上面フィルムを剥離し（ステップ１２）、機能フィルム２９を各個片の上面に貼り付ける（ステップＳ１３）。
　最後に、折り曲げ部ＦＤの表示領域ＤＡ側の端部から、表示デバイス２を折り曲げる（ステップＳ１４）。これにより、端子部Ｔを含む額縁領域ＮＡの一部を表示デバイス２の背面側に折り返す。このため、端子部Ｔは表示デバイス２の背面側に位置することとなる。端子部Ｔに電子回路基板をマウントした後、端子部Ｔを含む額縁領域の一部を表示デバイス２の背面側に折り返しているため、額縁領域ＮＡの上面視における面積を低減し、表示デバイス２の狭額縁化を図ることができる。
　図８の（ａ）は、端子部Ｔを含む額縁領域ＮＡの一部が、背面側に折り返された状態における、表示デバイス２の上面視における概略図である。図８の（ｂ）は、図８の（ａ）に示す表示デバイス２の背面視における概略図である。図８に示すように、表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤにおいて折り曲げられることにより、端子部Ｔを含む額縁領域ＮＡの一部である折り返し領域ＦＬが、表示デバイス２の背面側に折り返されている。
　表示デバイス２の折り返し領域ＦＬの周囲における構造を、図９および図１０を参照して詳細に説明する。図９の（ａ）は、図８の（ａ）のＣ－Ｃ線矢視断面図であり、図９の（ｂ）は、図８の（ａ）のＤ－Ｄ線矢視断面図である。また、図１０の（ａ）は、図８の（ａ）のＥ－Ｅ線矢視断面図である。
　すなわち、図９の（ａ）および図９の（ｂ）は、Ｘ軸方向において、接続配線ＣＬおよび第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂのそれぞれと重畳する位置における断面図である。また、図１０の（ａ）は、Ｘ軸と直交する平面において、フィルム層第１スリット１０Ａと重畳せず、かつ、フィルム層第２スリット１０Ｂと交差する平面における断面図である。図１０の（ａ）は、図９の（ａ）および図９の（ｂ）におけるＦ－Ｆ線矢視断面図に対応する。
　図９の（ａ）および（ｂ）に示すように、折り曲げ部ＦＤにおいて、表示デバイス２は、拡大視において、Ｒ形状となるように湾曲している。当該Ｒ形状の大きさは、フィルム層１０の厚みによって決定してもよい。ここで、折り曲げ部ＦＤに重畳する位置おいては、フィルム層１０が、フィルム層第１スリット１０Ａまたはフィルム層第２スリット１０Ｂによって取り除かれている。このため、折り曲げ部ＦＤにおいて表示デバイス２を折り曲げても、フィルム層１０に強い応力がかからない。
　さらに、曲げ剛性が高いバリア層３、第１無機絶縁膜１６、第２無機絶縁膜１８、および第３無機絶縁膜２０が、対応する部材のスリットによって取り除かれている。このため、額縁領域ＮＡの折り曲げ部ＦＤに重畳する位置においては、樹脂層１２より上層が、曲げ剛性の低い、折り曲げ部樹脂層１９、平坦化膜２１、およびソース配線層額縁配線ＳＣのみで構成されている。このため、折り曲げ部ＦＤにおいて表示デバイス２を折り曲げた状態における、表示デバイス２の各層に掛かる応力を低減できる。
　図１０の（ａ）に示すように、折り返し領域ＦＬが表示デバイス２の背面に折り返された場合においても、ソース配線層額縁配線ＳＣは、フィルム層１０と重畳している。すなわち、フィルム層第２スリット１０Ｂは、折り返し領域ＦＬ上の接続配線ＣＬとも重畳していない。なお、無機絶縁膜第２スリットＳＢについても同様に、折り返し領域ＦＬ上の接続配線ＣＬと重畳していない。
　ここで、図１０の（ａ）に示す表示デバイス２を、折り曲げ部ＦＤの折り曲げ方向と垂直な方向、すなわち、Ｘ軸方向に沿って折り曲げの山ができる方向において、湾曲させた場合を、図１０の（ｂ）に示す。ここで、図１０の（ｂ）に示すように、表示デバイス２は、フィルム層１０および無機絶縁膜が形成された、曲げ剛性が比較的高い硬直部Ｓよりも、フィルム層１０および無機絶縁膜が取り除かれた、曲げ剛性が比較的低い湾曲部Ｒにおいて、より大きく湾曲する。
　このため、湾曲が小さい硬直部Ｓと重畳する位置に形成された接続配線ＣＬには湾曲しても応力がかかりにくく、表示デバイス２の湾曲により破断する可能性が低減される。さらに、湾曲部Ｒが無い場合と比較して、表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤの折り曲げ方向と垂直な方向、すなわち、Ｘ軸方向に沿って折り曲げの山ができる方向において、より湾曲しやすくなる。したがって、表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤにおける接続配線ＣＬの破断を低減しつつ、折り曲げ部ＦＤを折り曲げる方向とは異なる方向において湾曲させることがより容易である。
　本実施形態においては、フィルム層第２スリット１０Ｂと、無機絶縁膜第２スリットＳＢとを、両方備えた表示デバイス２について説明した。しかしながら、これに限られず、フィルム層第２スリット１０Ｂと、無機絶縁膜第２スリットＳＢとの何れか一方を有することにより、上述した効果を奏する表示デバイス２が得られる。ただし、フィルム層第２スリット１０Ｂと、無機絶縁膜第２スリットＳＢとを、両方備えることにより、より接続配線ＣＬの破断を低減し、折り曲げ部ＦＤを折り曲げる方向とは異なる方向において湾曲させることがより容易となる表示デバイス２を実現できる。
　また、本実施形態においては、フィルム層第２スリット１０Ｂと、無機絶縁膜第２スリットＳＢの形状を、それぞれ、フィルム層第１スリット１０Ａと、無機絶縁膜第１スリットＳＡから分岐した、半円に近い形状で図示している。しかし、これに限定されず、フィルム層第２スリット１０Ｂと、無機絶縁膜第２スリットＳＢの形状は、応力集中する部分に曲線形状を含んでいれば特に限定されない。
　また、折り返し領域ＦＬ上の接続配線ＣＬを、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１、第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２と、第１容量電極層額縁配線ＣＥ１、第２容量電極層額縁配線ＣＥ２との２種を用いて形成する場合について説明した。しかし、本実施形態においてはこれに限定されず、特に、配線幅と隣接する配線の間隔とに余裕がある場合、いずれか１種の配線のみの配線を使ったものであってもよい。さらに、タッチパネル信号等の機能信号とビデオ信号線等の複数の信号とが印加される配線を、同領域において引き回したい場合等、配線に印加する信号の種類を増やしたい場合は、配線の種類を２種類以上にしても良い。
　また、本実施形態においては図示していないが、配線ＣＬ部への破断や耐環境性に問題がない限り、無機絶縁膜第２スリットＳＢを超過して形成される端部１９Ｂを、端部１９Ａと重畳する位置に形成しても良い。
　また、本実施形態においては図示していないが、折り曲げ部の平坦化膜２１上に、さらに保護樹脂層を形成して、表示デバイス２の外部の環境に対してさらに強化した構造を取ってもよい。保護樹脂層は、折り曲げ部ＦＤにおける折り曲げの前後に関わらず、いずれの段階においても形成してよい。
　また、本実施形態においては図示していないが、折り曲げ部ＦＤにおける折り曲げの後、フィルム層１０と樹脂層１２との間にできた空間に、さらに保護樹脂を塗って、表示デバイス２の外部の環境に対してさらに強化した構造を取ってもよい。
　〔変形例〕
　本実施形態の変形例に係る表示デバイス２の構成を、図１１を参照して説明する。図１１は、本変形例に係る表示デバイス２における、図４の（ａ）に対応した位置における断面図である。
　本変形例においては、表示デバイス２は、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１と、第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２とを電気的に接続する容量電極層額縁配線ＣＣを、無機絶縁膜第１スリットＳＡと重畳する位置に備える。容量電極層額縁配線ＣＣは、容量電極ＣＥと同層かつ同一材料からなる。このため、容量電極層額縁配線ＣＣは、第２無機絶縁膜１８に形成されたコンタクトホールにおけるコンタクト部ＣＨを介して、第１ゲート電極層額縁配線ＧＥ１と、第２ゲート電極層額縁配線ＧＥ２とに、電気的に接続する。また、容量電極層額縁配線ＣＣは、折り曲げ部樹脂層１９よりも下層に形成される。
　なお、本変形例においては、図４の（ｂ）に示すように、第１容量電極層額縁配線ＣＥ１と、第２容量電極層額縁配線ＣＥ２とが引き出された位置においては、ソース配線層額縁配線ＳＣが形成されている。このため、本変形例においては、無機絶縁膜第１スリットＳＡと重畳する位置に、容量電極層額縁配線ＣＣとソース配線層額縁配線ＳＣとが互いに交互に隣接するように形成される。
　本変形例においては、無機絶縁膜第１スリットＳＡと重畳する位置に、容量電極層額縁配線ＣＣとソース配線層額縁配線ＳＣとの、互いに異なる額縁配線を有する。このため、各々の形成される層が異なることから、互いに隣接する額縁配線同士の短絡をさらに低減することができる。
　〔実施形態２〕
　図１２は、本実施形態に係る表示デバイス２の、図３に対応する拡大上面図である。本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、第１樹脂膜である折り曲げ部樹脂層１９が、第１樹脂膜凹部として、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃを備えている。折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃは、底部１９Ｄを有する。さらに、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と比較して、第２樹脂膜である平坦化膜２１が、額縁領域ＮＡにおいて、第２樹脂膜スリットとして、平坦化膜スリット２１Ｂを備えている。上述した点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備える。
　本実施形態における表示デバイス２の折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂを、図１３および図１４を参照して、より詳細に説明する。図１３の（ａ）は、図１２における、Ｘ１－Ｘ１線矢視断面図であり、図１３の（ｂ）は、図１２における、Ｘ２－Ｘ２線矢視断面図であり、図１３の（ｃ）は、図１２における、Ｘ３－Ｘ３線矢視断面図である。図１４の（ａ）は、図１２における、Ｙ１－Ｙ１線矢視断面図であり、図１４の（ｂ）は、図１２における、Ｙ２－Ｙ２線矢視断面図である。
　図１３の（ａ）および図１３の（ｂ）に示すように、表示デバイス２は、接続配線ＣＬと重畳する位置においては、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂを備えていない。このため、接続配線ＣＬが形成された位置においては、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の層構造を備える。
　一方、図１２および図１３の（ｃ）に示すように、表示デバイス２は、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂ、バリア層第２スリット３Ｂ、およびフィルム層第２スリット１０Ｂと重畳する位置に、平坦化膜スリット２１Ｂを備えている。また、図１２および図１３の（ｃ）に示すように、表示デバイス２は、平坦化膜スリット２１Ｂと重畳する位置に、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃを備えている。また、図１４の（ａ）および（ｂ）に示すように、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂは、互いに隣接する接続配線ＣＬの間に形成され、接続配線ＣＬと重畳しない。
　本実施形態に係る表示デバイス２の製造方法を、図１５のフローチャートを参照して説明する。ステップＳ３２までは、前実施形態における表示デバイス２の製造方法と同一であるため、説明を省略する。本実施形態においては、ステップＳ３２に次いで、平坦化膜スリット２１Ｂと折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃとを形成する（ステップＳ３３）。ステップＳ３３は、平坦化膜２１および折り曲げ部樹脂層１９のパターニングを、例えば、フォトリソグラフィ等を用いて実施することにより実行される。折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃの形成は、樹脂層１２からの厚みを有する底部１９Ｄが形成されるように実施される。
　本実施形態に係る表示デバイス２においても、折り曲げ部ＦＤの表示領域ＤＡ側の端部から、表示デバイス２を折り曲げ、端子部Ｔを含む額縁領域ＮＡの一部を表示デバイス２の背面側に折り返すことができる。端子部Ｔを含む額縁領域ＮＡの一部を表示デバイス２の背面側に折り返した場合における、折り曲げ部ＦＤの周囲の構造について、図１６および図１７を参照してより詳細に説明する。なお、図１６の（ａ）、図１６の（ｂ）、および図１７の（ａ）は、それぞれ、図９の（ａ）、図９の（ｂ）、および図１０の（ａ）に対応する断面図である。
　本実施形態においても、図１６の（ａ）および（ｂ）に示すように、折り曲げ部ＦＤに重畳する位置おいては、フィルム層１０が、フィルム層第１スリット１０Ａまたはフィルム層第２スリット１０Ｂによって取り除かれている。このため、折り曲げ部ＦＤにおいて表示デバイス２を折り曲げても、フィルム層１０に強い応力がかからない。
　さらに、図１６の（ｂ）に示すように、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂが形成されている位置においては、折り曲げ部ＦＤは、接着層１１、樹脂層１２、および折り曲げ部樹脂層１９のみと重畳する。このため、本実施形態に係る表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤにおいて、より容易に湾曲させることが可能である。
　図１７の（ａ）に示すように、本実施形態においても、フィルム層第２スリット１０Ｂおよび無機絶縁膜第２スリットＳＢは、折り返し領域ＦＬ上の接続配線ＣＬと重畳していない。加えて、図１７の（ａ）に示すように、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂについても同様に、折り返し領域ＦＬ上の接続配線ＣＬと重畳していない。
　ここで、図１７の（ａ）に示す表示デバイス２を、折り曲げ部ＦＤの折り曲げ方向と垂直な方向において、湾曲させた場合を、図１７の（ｂ）に示す。ここで、図１７の（ｂ）に示すように、表示デバイス２は、湾曲部Ｒにおいて、フィルム層１０および無機絶縁膜のみならず、折り曲げ部樹脂層１９の一部および平坦化膜２１についても取り除かれている。このため、前実施形態と比較して、湾曲部Ｒの曲げ剛性は、硬直部Ｓの曲げ剛性よりもより低くなり、表示デバイス２は、湾曲部Ｒにおいてより大きく湾曲しやすくなる。
　このため、硬直部Ｓの湾曲がさらに低減され、硬直部Ｓと重畳する位置に形成された接続配線ＣＬが、表示デバイス２の湾曲により破断する可能性がさらに低減される。加えて、湾曲部Ｒの曲げ剛性がより低くなることにより、表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤを折り曲げる方向とは異なる方向において湾曲させることがさらに容易となる。
　本実施形態においては、表示デバイス２の厚み方向において、フィルム層１０と接続配線ＣＬとが重畳していない位置における、平坦化膜２１の全膜厚分を除去することにより、平坦化膜スリット２１Ｂを形成した。さらに、本実施形態においては、表示デバイス２の厚み方向において、フィルム層１０と接続配線ＣＬとが重畳していない位置における、折り曲げ部樹脂層１９の一部膜厚を除去することにより、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃを形成した。しかし、これに限られず、本実施形態においては、フィルム層１０と接続配線ＣＬとが重畳していない位置における、平坦化膜２１の一部膜厚のみを除去してもよい。これにより、平坦化膜凹部を形成し、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂの代わりとしてもよい。この場合においても、表示デバイス２は、折り曲げ部ＦＤを折り曲げる方向とは異なる方向において湾曲させることがさらに容易となる効果を奏する。
　〔実施形態３〕
　図１８の（ａ）は、本実施形態に係る表示デバイス２の上面図であり、図１８の（ｂ）は、本実施形態に係る表示デバイス２の背面図である。図１９は、図１８の（ａ）における領域Ｆ、すなわち、第３無機絶縁膜第２スリット２０Ｂの周辺の拡大上面図である。なお、図１と同様に、図１８においても、折り曲げ部ＦＤにおいて、表示デバイス２が折り曲げられず、表示デバイス２が略平面上にある状態を図示している。
　図１８および図１９に示すように、本実施形態に係る表示デバイス２においては、少なくとも１つの無機絶縁膜第２スリットＳＢが、無機絶縁膜第１スリットＳＡの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差している。さらに、本実施形態に係る表示デバイス２においては、少なくとも１つのフィルム層第２スリット１０Ｂが、フィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差している。加えて、少なくとも１つの無機絶縁膜第２スリットＳＢと、少なくとも１つのフィルム層第２スリット１０Ｂとが重畳している。
　加えて、本実施形態に係る表示デバイス２においては、接続配線ＣＬが、上述の無機絶縁膜第２スリットＳＢに沿うように、無機絶縁膜第１スリットＳＡの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差している。同様に、本実施形態に係る表示デバイス２においては、接続配線ＣＬが、フィルム層第２スリット１０Ｂに沿うように、フィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差している。
　一方、接続配線ＣＬは、端子部Ｔ側から延伸して無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａの端子部Ｔ側の端部と垂直に交差する。このため、接続配線ＣＬは、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差するために、無機絶縁膜第１スリットＳＡ上およびフィルム層第１スリット１０Ａ上において、斜めに屈曲する屈曲点Ｐを有する。
　ここで、本実施形態においては、図１９に示すように、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂは、上述する無機絶縁膜第２スリットＳＢおよびフィルム層第２スリット１０Ｂに沿うように形成される。すなわち、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃおよび平坦化膜スリット２１Ｂは、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差する。
　上述した点を除いて、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の構成を備える。また、本実施形態に係る表示デバイス２は、前実施形態に係る表示デバイス２と同一の製造方法によって得られてもよい。
　本実施形態に係る表示デバイス２においては、少なくとも１つの無機絶縁膜第２スリットＳＢおよびフィルム層第２スリット１０Ｂが、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の端部と斜めに交差している。このため、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａの端部から、表示領域ＤＡまでの距離を低減することができる。このため、額縁領域ＮＡの面積をより低減することが可能である。
　本実施形態においては、図１８に示すように、複数の無機絶縁膜第２スリットＳＢのうち、折り曲げ部ＦＤの中心部にある無機絶縁膜第２スリットＳＢは、無機絶縁膜第１スリットＳＡの両端部と垂直に交差する。一方、折り曲げ部ＦＤの中心部よりも端部側における無機絶縁膜第２スリットＳＢは、無機絶縁膜第１スリットＳＡの表示領域ＤＡ側の一端部と斜めに交差する。
　無機絶縁膜第１スリットＳＡの端部と斜めに交差する無機絶縁膜第２スリットＳＢは、何れも、表示領域ＤＡ側において、折り曲げ部ＦＤの中心部から端部側に近くなるように傾斜している。
　ここで、折り曲げ部ＦＤの表示領域ＤＡ側において、無機絶縁膜第２スリットＳＢの中心軸と、Ｙ軸方向に平行な直線とが交わる角度をθとおく。この場合、図１８の（ａ）に示すように、無機絶縁膜第２スリットＳＢが折り曲げ部ＦＤの中心部にある場合、θは、直角のθＡとなる。また、図１８の（ａ）に示すように、無機絶縁膜第２スリットＳＢが折り曲げ部ＦＤの中心部よりもＹ軸の正方向にある場合、θは、鈍角のθＢとなる。
　次いで、折り曲げ部ＦＤの端子部Ｔ側において、無機絶縁膜第２スリットＳＢの中心軸と、Ｙ軸方向に平行な直線とが交わる角度をθとおく。この場合、図１８の（ａ）に示すように、無機絶縁膜第２スリットＳＢの位置によらず、θは、直角のθＣとなる。すなわち、本実施形態においては、全ての無機絶縁膜第２スリットＳＢが、無機絶縁膜第１スリットＳＡの端子部Ｔ側の一端部と垂直に交差する。
　図１８の（ａ）に示すように、無機絶縁膜第２スリットＳＢが、配置されていることにより、接続配線ＣＬの形成距離を短縮しつつ、複数の端子部Ｔ同士の距離を近接させて、実装領域を小さくできる。なお、図１８の（ｂ）に示すように、折り曲げ部ＦＤの中心部よりも端部側におけるフィルム層第２スリット１０Ｂについても、フィルム層第１スリット１０Ａの表示領域ＤＡ側の一端部と斜めに交差してもよい。
　本実施形態においては、接続配線ＣＬの形成角度が変わる屈曲点Ｐを、無機絶縁膜第１スリットＳＡおよびフィルム層第１スリット１０Ａと重畳し、かつ、フィルム層第１スリット１０Ａの中央付近に配置した。しかしながら、本実施形態においてはこれに限定されず、無機絶縁膜第１スリットＳＡと重畳する位置であれば、例えば、個々の屈曲点Ｐの位置を、それぞれ異なる位置になるように、端子部Ｔ方向または表示領域ＤＡ方向に移動させてもよい。また、無機絶縁膜第２スリットＳＢ、フィルム層第２スリット１０Ｂ、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃ、および平坦化膜スリット２１Ｂについても、屈曲点Ｐの移動に合わせて、端子部Ｔ方向または表示領域ＤＡ方向に移動してもよい。
　また、本実施形態においては、端子部Ｔ側から引き出された接続配線ＣＬを、フィルム層第１スリット１０Ａに対して垂直方向に延伸し、表示領域ＤＡ側から引き出された接続配線ＣＬと斜めに交差させる構成を説明した。しかしながら、接続配線ＣＬの形成方向は、当該方向に限定されず、端子部Ｔ側から引き出された接続配線ＣＬを、フィルム層第１スリット１０Ａに対して、表示領域ＤＡ側から引き出された接続配線ＣＬの斜め方向の角度とは異なる斜め方向に延伸してもよい。この場合においても、表示領域ＤＡ側から引き出された接続配線ＣＬに沿って、無機絶縁膜第２スリットＳＢ、フィルム層第２スリット１０Ｂ、折り曲げ部樹脂層凹部１９Ｃ、および平坦化膜スリット２１Ｂの形状を形成すればよい。
　上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、柔軟性を有し、湾曲可能な表示素子を備えた表示パネルを備えていてもよい。上記表示素子は、電流によって輝度や透過率が制御される表示素子と、電圧によって輝度や透過率が制御される表示素子とがある。
　例えば、上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、電流制御の表示素子として、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode：有機発光ダイオード）を備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、有機ＥＬ（Electro Luminescence：エレクトロルミネッセンス）ディスプレイであってもよい。
　または、上述の各実施形態に係る表示デバイス２は、電流制御の表示素子として、無機発光ダイオードを備えていてもよい。この場合、本実施形態に係る表示デバイスは、無機ＥＬディスプレイ等のＥＬディスプレイＱＬＥＤ（Quantum dot Light Emitting Diode：量子ドット発光ダイオード）を備えた、ＱＬＥＤディスプレイであってもよい。
　また、電圧制御の表示素子としては、液晶表示素子等がある。
　〔まとめ〕
　様態１の表示デバイスは、複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、フィルム層と少なくとも一層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスであって、少なくとも、前記折り曲げ部と重畳し、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットが設けられ、前記ＴＦＴ層は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜をさらに備え、前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線が設けられ、前記折り曲げ部と重畳し、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に備える。
　様態２においては、前記無機絶縁膜第１スリットの幅が、前記フィルム層第１スリットの幅よりも大きい。
　様態３においては、前記第１樹脂膜が、さらに、前記無機絶縁膜第２スリットを埋めるように設けられる。
　様態４においては、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第１樹脂膜に第１樹脂膜凹部が形成される。
　様態５においては、前記第１樹脂膜および前記接続配線の上に第２樹脂膜が形成され、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第２樹脂膜に第２樹脂膜スリットまたは第２樹脂膜凹部が形成される。
　様態６においては、前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットよりも表示領域側および端子部側においても設けられた、または、前記フィルム層第２スリットが、前記フィルム層第１スリットよりも表示領域側および端子部側においても設けられる。
　様態７においては、前記無機絶縁膜第２スリットの少なくとも一つが、前記無機絶縁膜第１スリットの前記表示領域側の端部と斜めに交差する、あるいは、前記フィルム層第２スリットの少なくとも一つが、前記フィルム層第１スリットの前記表示領域側の端部と斜めに交差する。
　様態８においては、前記無機絶縁膜第２スリットに沿うように、前記接続配線が、前記無機絶縁膜第１スリットの少なくとも前記表示領域側の端部と斜めに交差する、または、前記フィルム層第２スリットに沿うように、前記接続配線が、前記フィルム層第１スリットの少なくとも前記表示領域側の端部と斜めに交差する。
　様態９においては、前記無機絶縁膜第２スリットのうち、前記折り曲げ部の中央部における前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットの両端部と垂直に交差し、前記折り曲げ部の中央部よりも端部側における前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットの一端部と斜めに交差する。
　様態１０においては、前記接続配線が、前記端子部側から延伸して前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの前記端子部側の端部と垂直に交差し、無機絶縁膜第１スリット上または前記フィルム層第１スリット上において、斜めに屈曲する屈曲点を有する。
　様態１１においては、前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの端部と斜めに交差する前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットに沿うように、かつ、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第１樹脂膜に第１樹脂膜凹部が形成される。
　様態１２においては、前記第１樹脂膜および前記接続配線の上に第２樹脂膜が形成され、前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの端部と斜めに交差する前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットに沿うように、かつ、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第２樹脂膜に第２樹脂膜スリットまたは第２樹脂膜凹部が形成される。
　様態１３においては、前記無機絶縁膜第２スリットと前記フィルム層第２スリットとの両方を備える。
　様態１４においては、前記無機絶縁膜第２スリットの幅が、前記フィルム層第２スリットの幅よりも大きい。
　様態１５の表示デバイスの製造方法は、複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、フィルム層と少なくとも一層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスの製造方法であって、前記フィルム層を形成するフィルム層形成工程と、前記ＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程とを備え、前記フィルム層形成工程および前記ＴＦＴ層形成工程は、前記折り曲げ部において、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットを形成する、無機絶縁膜第１スリット形成工程およびフィルム層第１スリット形成工程をそれぞれ備え、前記ＴＦＴ層形成工程は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線を形成する接続配線形成工程とをさらに備え、前記フィルム層形成工程または前記ＴＦＴ層形成工程においては、前記折り曲げ部において、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に形成する。
　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
２　　　表示デバイス
４　　　ＴＦＴ層
４Ａ　　無機絶縁膜
１０　　フィルム層
１０Ａ　フィルム層第１スリット
１０Ｂ　フィルム層第２スリット
１６　　第１無機絶縁膜
１８　　第２無機絶縁膜
１９　　折り曲げ部樹脂層
１９Ｃ　折り曲げ部樹脂層凹部
２０　　第３無機絶縁膜
２０Ａ　第３無機絶縁膜第１スリット
２０Ｂ　第３無機絶縁膜第２スリット
２１　　平坦化膜
２１Ｂ　平坦化膜スリット
４０　　表示デバイスの製造装置
ＣＬ　　接続配線
ＤＡ　　表示領域
ＦＤ　　折り曲げ部
ＮＡ　　額縁領域
ＳＡ　　無機絶縁膜第１スリット
ＳＢ　　無機絶縁膜第２スリット
Ｐ　　　屈曲点
Ｔ　　　端子部

Claims (15)

  1. 　複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、
    　フィルム層と少なくとも一層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、
    　前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスであって、
    　少なくとも、前記折り曲げ部と重畳し、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットが設けられ、
    　前記ＴＦＴ層は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜をさらに備え、
    　前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子部と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線が設けられ、
    　前記折り曲げ部と重畳し、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に備えた表示デバイス。
  2. 　前記無機絶縁膜第１スリットの幅が、前記フィルム層第１スリットの幅よりも大きい請求項１に記載の表示デバイス。
  3. 　前記第１樹脂膜が、さらに、前記無機絶縁膜第２スリットを埋めるように設けられる請求項１または２に記載の表示デバイス。
  4. 　前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第１樹脂膜に第１樹脂膜凹部が形成される請求項１から３の何れか１項に記載の表示デバイス。
  5. 　前記第１樹脂膜および前記接続配線の上に第２樹脂膜が形成され、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第２樹脂膜に第２樹脂膜スリットまたは第２樹脂膜凹部が形成される請求項１から４の何れか１項に記載の表示デバイス。
  6. 　前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットよりも表示領域側および端子部側においても設けられた、または、前記フィルム層第２スリットが、前記フィルム層第１スリットよりも表示領域側および端子部側においても設けられる請求項１から５の何れか１項に記載の表示デバイス。
  7. 　前記無機絶縁膜第２スリットの少なくとも一つが、前記無機絶縁膜第１スリットの前記表示領域側の端部と斜めに交差する、あるいは、前記フィルム層第２スリットの少なくとも一つが、前記フィルム層第１スリットの前記表示領域側の端部と斜めに交差する請求項１から６の何れか１項に記載の表示デバイス。
  8. 　前記無機絶縁膜第２スリットに沿うように、前記接続配線が、前記無機絶縁膜第１スリットの少なくとも前記表示領域側の端部と斜めに交差する、または、前記フィルム層第２スリットに沿うように、前記接続配線が、前記フィルム層第１スリットの少なくとも前記表示領域側の端部と斜めに交差する請求項７に記載の表示デバイス。
  9. 　前記無機絶縁膜第２スリットのうち、前記折り曲げ部の中央部における前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットの両端部と垂直に交差し、前記折り曲げ部の中央部よりも端部側における前記無機絶縁膜第２スリットが、前記無機絶縁膜第１スリットの一端部と斜めに交差する請求項８に記載の表示デバイス。
  10. 　前記接続配線が、前記端子部側から延伸して前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの前記端子部側の端部と垂直に交差し、無機絶縁膜第１スリット上または前記フィルム層第１スリット上において、斜めに屈曲する屈曲点を有する請求項７から９の何れか１項に記載の表示デバイス。
  11. 　前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの端部と斜めに交差する前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットに沿うように、かつ、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第１樹脂膜に第１樹脂膜凹部が形成される請求項７から１０の何れか１項に記載の表示デバイス。
  12. 　前記第１樹脂膜および前記接続配線の上に第２樹脂膜が形成され、前記無機絶縁膜第１スリットまたは前記フィルム層第１スリットの端部と斜めに交差する前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットに沿うように、かつ、前記無機絶縁膜第２スリットまたは前記フィルム層第２スリットと重畳するように、前記第２樹脂膜に第２樹脂膜スリットまたは第２樹脂膜凹部が形成される請求項７から１１の何れか１項に記載の表示デバイス。
  13. 　前記無機絶縁膜第２スリットと前記フィルム層第２スリットとの両方を備えた請求項１から１２の何れか１項に記載の表示デバイス。
  14. 　前記無機絶縁膜第２スリットの幅が、前記フィルム層第２スリットの幅よりも大きい請求項１３に記載の表示デバイス。
  15. 　複数の表示素子を備えた表示領域と、該表示領域の周囲における額縁領域とを備え、
    　フィルム層と少なくとも一層の無機絶縁膜を含むＴＦＴ層とをこの順に積層して備え、
    　前記額縁領域において、端子部と、当該端子部と前記表示領域の間における折り曲げ部とを備えた表示デバイスの製造方法であって、
    　前記フィルム層を形成するフィルム層形成工程と、前記ＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程とを備え、
    　前記フィルム層形成工程および前記ＴＦＴ層形成工程は、前記折り曲げ部において、前記額縁領域の縁と交差する方向に伸びるように、前記無機絶縁膜および前記フィルム層のそれぞれに、無機絶縁膜第１スリットおよびフィルム層第１スリットを形成する、無機絶縁膜第１スリット形成工程およびフィルム層第１スリット形成工程をそれぞれ備え、
    　前記ＴＦＴ層形成工程は、前記無機絶縁膜第１スリットを埋めるように設けられた第１樹脂膜を形成する第１樹脂膜形成工程と、前記折り曲げ部と重畳し、かつ、前記折り曲げ部と交差するように、前記無機絶縁膜と前記第１樹脂膜との上層に、前記端子部と前記表示領域における配線とを電気的に接続する複数の接続配線を形成する接続配線形成工程とをさらに備え、
    　前記フィルム層形成工程または前記ＴＦＴ層形成工程においては、前記折り曲げ部において、前記無機絶縁膜第１スリットと交差する無機絶縁膜第２スリット、または、前記フィルム層第１スリットと交差するフィルム層第２スリットを、隣り合う前記複数の接続配線の間に形成する表示デバイスの製造方法。
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