JP6962673B2 - 樹脂基板 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 65
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 63
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 195
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 118
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 49
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 28
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
- H10K19/20—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00 comprising components having an active region that includes an inorganic semiconductor
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の平面図である。図2は、本発明の第1の実施形態に係る表示装置の側面図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、樹脂基板10を有する。樹脂基板10は、表示領域DA及び表示領域DAを囲む周辺領域PAを含む。樹脂基板10には、周辺領域PAで、第1フレキシブルプリント基板12が接続されている。第1フレキシブルプリント基板12には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ14が搭載されている。第1フレキシブルプリント基板12には、さらに、第2フレキシブルプリント基板16が接続されている。第2フレキシブルプリント基板16には、外部との電気的接続のためのコネクタ18が設けられ、電子部品20が搭載されている。
図9は、本発明の第2の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図10は、本発明の第3の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。なお、中間部分を省略して示してある。
図11は、本発明の第4の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図12は、本発明の第5の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図13は、本発明の第6の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第1領域で切断して示す断面図である。本実施形態では、図4に示す誘電絶縁膜48が、周辺領域PAに至るように延びて、無機絶縁層678の1層を構成する。誘電絶縁膜48は、無機絶縁層678の最上層になっている。誘電絶縁膜48の下には、表示領域DAから延びて来た層間絶縁層32があり、両者が配線668を覆っている。配線668の下には、表示領域DAから延びて来たゲート絶縁膜28及び下地絶縁膜22がある。
図15は、本発明の第7の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第1領域で切断して示す断面図である。
図16は、本発明の第8の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第1領域で切断して示す断面図である。
Claims (9)
- 複数の単位画素が形成された回路領域及び前記回路領域の周辺の周辺領域を含む樹脂基板であって、
前記回路領域で前記樹脂基板に封止層が設けられ、
前記周辺領域で前記樹脂基板に複数層が積層され、
前記複数層は、複数の端子に向かう配線方向にそれぞれが延びる複数の配線を含む導電層と、少なくとも1層からなる無機絶縁層と、を含み、
前記無機絶縁層は、前記複数の配線にそれぞれ重なる複数の第1領域と、隣同士の前記第1領域の間にそれぞれが位置する複数の第2領域と、に設けられ、
前記無機絶縁層は、前記複数の第1領域のそれぞれに第1部分を有し、
前記無機絶縁層は、前記複数の第2領域のそれぞれに第2部分を有し、
前記第1部分は、前記配線方向に連続し、
前記第2部分は、前記配線方向に並ぶ複数のスリットによって複数の第2部分に分離され、隣接する前記第1部分に連結し、
前記複数のスリットは、前記複数の第2領域で、千鳥状に配列されていることを特徴とする樹脂基板。 - 請求項1に記載された樹脂基板において、
前記第2部分は、前記第1部分よりも薄くなっており、
前記無機絶縁層は、複数層の無機絶縁層からなり、
前記複数層の無機絶縁層の少なくとも1層は、前記複数の第1領域及び前記複数の第2領域に設けられ、
前記複数層の無機絶縁層の他の少なくとも1層は、前記複数の第2領域を避けて、前記複数の第1領域に設けられていることを特徴とする樹脂基板。 - 請求項1又は2に記載された樹脂基板において、
前記無機絶縁層は、前記回路領域でも前記樹脂基板に積層することを特徴とする樹脂基板。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された樹脂基板において、
前記回路領域に、複数の薄膜トランジスタをさらに有し、
前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜及び前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜は、前記周辺領域に至るように延びて、前記無機絶縁層の少なくとも1層を構成することを特徴とする樹脂基板。 - 請求項4に記載された樹脂基板において、
前記無機絶縁層は、前記ゲート絶縁膜を含み、
前記回路領域では、前記ゲート絶縁膜の直上に、前記薄膜トランジスタのゲート電極があり、
前記周辺領域では、前記ゲート絶縁膜の直上に、前記複数の配線があることを特徴とする樹脂基板。 - 請求項5に記載された樹脂基板において、
前記無機絶縁層は、前記層間絶縁膜を含み、
前記回路領域では、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が、前記層間絶縁層の直上にあって前記層間絶縁層を貫通し、
前記周辺領域では、前記層間絶縁層の直上に、前記複数の配線があることを特徴とする樹脂基板。 - 請求項4から6のいずれか1項に記載された樹脂基板において、
前記複数の薄膜トランジスタによって駆動される複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれに対応するキャパシタをさらに有し、
前記キャパシタは、前記複数の発光素子のそれぞれの一部を構成する画素電極と、容量電極と、前記画素電極と前記容量電極の間に介在する誘電絶縁膜と、を含み、
前記誘電絶縁膜は、前記周辺領域に至るように延びて、前記無機絶縁層の1層を構成することを特徴とする樹脂基板。 - 請求項7に記載された樹脂基板において、
前記誘電絶縁膜は、前記無機絶縁層の最上層であることを特徴とする樹脂基板。 - 請求項1から8のいずれか1項に記載された樹脂基板において、
前記第2部分は、前記第1部分よりも薄く設けられていることを特徴とする樹脂基板。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016177705A JP6962673B2 (ja) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | 樹脂基板 |
TW106123568A TWI652813B (zh) | 2016-09-12 | 2017-07-14 | 顯示裝置 |
US15/675,844 US9991284B2 (en) | 2016-09-12 | 2017-08-14 | Display device |
CN201710761670.9A CN107819007B (zh) | 2016-09-12 | 2017-08-30 | 显示装置 |
KR1020170114433A KR101913512B1 (ko) | 2016-09-12 | 2017-09-07 | 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016177705A JP6962673B2 (ja) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | 樹脂基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018044985A JP2018044985A (ja) | 2018-03-22 |
JP6962673B2 true JP6962673B2 (ja) | 2021-11-05 |
Family
ID=61560941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016177705A Active JP6962673B2 (ja) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | 樹脂基板 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9991284B2 (ja) |
JP (1) | JP6962673B2 (ja) |
KR (1) | KR101913512B1 (ja) |
CN (1) | CN107819007B (ja) |
TW (1) | TWI652813B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016143106A1 (ja) * | 2015-03-11 | 2016-09-15 | 富士機械製造株式会社 | 部品種類自動判別方法及び部品種類自動判別システム並びに画像処理用部品データ作成方法及び画像処理用部品データ作成システム |
US11380222B2 (en) * | 2018-03-27 | 2022-07-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device |
WO2019186819A1 (ja) * | 2018-03-28 | 2019-10-03 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
KR102454248B1 (ko) * | 2018-03-29 | 2022-10-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US11943955B2 (en) * | 2018-09-27 | 2024-03-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device and method for manufacturing display device |
KR102656492B1 (ko) | 2018-12-31 | 2024-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007288080A (ja) | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Seiko Epson Corp | フレキシブル電子デバイス |
WO2010032640A1 (en) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
JP2010098645A (ja) | 2008-10-20 | 2010-04-30 | Seiko Epson Corp | プロジェクター、投写システム、プログラムおよび情報記憶媒体 |
US9601557B2 (en) * | 2012-11-16 | 2017-03-21 | Apple Inc. | Flexible display |
KR102076666B1 (ko) | 2013-04-11 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시패널 |
US9472507B2 (en) * | 2013-06-17 | 2016-10-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Array substrate and organic light-emitting display including the same |
CN203365869U (zh) | 2013-08-12 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
KR102047920B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2019-11-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치용 패널 및 그 제조 방법 |
KR102085961B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2020-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
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US9276055B1 (en) * | 2014-08-31 | 2016-03-01 | Lg Display Co., Ltd. | Display device with micro cover layer and manufacturing method for the same |
CN105720071A (zh) | 2014-12-02 | 2016-06-29 | 上海和辉光电有限公司 | 有机发光二极管显示装置 |
JP6512833B2 (ja) * | 2015-01-16 | 2019-05-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
CN105609660B (zh) * | 2016-03-22 | 2017-11-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示面板及其封装方法、显示装置 |
-
2016
- 2016-09-12 JP JP2016177705A patent/JP6962673B2/ja active Active
-
2017
- 2017-07-14 TW TW106123568A patent/TWI652813B/zh active
- 2017-08-14 US US15/675,844 patent/US9991284B2/en active Active
- 2017-08-30 CN CN201710761670.9A patent/CN107819007B/zh active Active
- 2017-09-07 KR KR1020170114433A patent/KR101913512B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9991284B2 (en) | 2018-06-05 |
CN107819007B (zh) | 2021-08-10 |
TWI652813B (zh) | 2019-03-01 |
JP2018044985A (ja) | 2018-03-22 |
TW201820604A (zh) | 2018-06-01 |
KR20180029892A (ko) | 2018-03-21 |
CN107819007A (zh) | 2018-03-20 |
US20180076221A1 (en) | 2018-03-15 |
KR101913512B1 (ko) | 2018-10-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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