JP2018044985A - 表示装置 - Google Patents
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
【課題】無機絶縁層７８の亀裂や配線６８の断線の発生を抑えることを目的とする。
【解決手段】周辺領域ＰＡで樹脂基板１０に積層された複数層は、複数の端子７０に向かう配線方向ＷＤにそれぞれが延びる複数の配線６８を含む導電層６６と、少なくとも１層からなる無機絶縁層７８と、を含む。無機絶縁層７８は、複数の配線６８にそれぞれ重なる複数の第１領域Ｒ１と、隣同士の第１領域Ｒ１の間にそれぞれが位置する複数の第２領域Ｒ２と、に設けられる。無機絶縁層７８は、複数の第１領域Ｒ１のそれぞれに第１部分８０を有する。無機絶縁層７８は、複数の第２領域Ｒ２のそれぞれに第２部分８２を有する。第１部分８０は、配線方向ＷＤに連続する。第２部分８２は、対応する１つの第２領域Ｒ２の一部を避けて設けられるか又は第１部分８０よりも薄く設けられるかの少なくとも一方であり、隣接する第１部分８０に連結する。
【選択図】図６
【解決手段】周辺領域ＰＡで樹脂基板１０に積層された複数層は、複数の端子７０に向かう配線方向ＷＤにそれぞれが延びる複数の配線６８を含む導電層６６と、少なくとも１層からなる無機絶縁層７８と、を含む。無機絶縁層７８は、複数の配線６８にそれぞれ重なる複数の第１領域Ｒ１と、隣同士の第１領域Ｒ１の間にそれぞれが位置する複数の第２領域Ｒ２と、に設けられる。無機絶縁層７８は、複数の第１領域Ｒ１のそれぞれに第１部分８０を有する。無機絶縁層７８は、複数の第２領域Ｒ２のそれぞれに第２部分８２を有する。第１部分８０は、配線方向ＷＤに連続する。第２部分８２は、対応する１つの第２領域Ｒ２の一部を避けて設けられるか又は第１部分８０よりも薄く設けられるかの少なくとも一方であり、隣接する第１部分８０に連結する。
【選択図】図６
Description
本発明は、表示装置に関する。
近年、表示装置の小型化あるいは表示領域の拡大のために、画像を表示する表示領域の周縁にある、いわゆる額縁領域を狭くすること（狭額縁化）が求められている。額縁領域には、配線や回路が設けられている。特に、スマートフォン等のモバイル機器において狭額縁化の要求が厳しくなってきている。しかし、狭額縁化のアイデアはすでに出尽くした感があり、別の方法で対応しなければならなくなっている。
そこで、フレキシブルディスプレイを使用し、その額縁領域を裏側に折り曲げることで、実質的に狭額縁化することが検討されている。特許文献１には、可撓性を有する樹脂基板上に回路層及び有機エレクトロルミネッセンス層が形成されたフレキシブルディスプレイが開示されている。
回路層を樹脂基板に形成する際には、樹脂基板からの汚染を防ぐために、ＳｉＮやＳｉＯなどの無機絶縁層からなる下地膜を形成しておくことが一般的である。下地膜の形成は、樹脂基板の表面へのダメージや、樹脂基板から発生する物質による設備への影響を減らし、配線と樹脂基板との密着性を上げるのに効果的である。しかしながら、無機絶縁層は比較的硬いため、樹脂基板の撚れや捻じれが生じると亀裂が生じやすく、その上に形成した配線の断線が問題になる。
そこで、配線の直下では下地膜を残して、隣同士の配線の間で下地膜を除去する方法が考えられる。しかし、多数の配線を形成する領域が広い場合、樹脂基板の撚れや捻じれが生じると、一部の配線に応力が集中して、下地膜の亀裂や配線の断裂がやはり問題となる。
本発明は、無機絶縁層の亀裂や配線の断線の発生を抑えることを目的とする。
本発明に係る表示装置は、表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む樹脂基板と、前記表示領域に設けられた複数の発光素子と、前記複数の発光素子を封止する封止層と、前記周辺領域で前記樹脂基板に積層された複数層と、を含み、前記複数層は、複数の端子に向かう配線方向にそれぞれが延びる複数の配線を含む導電層と、少なくとも１層からなる無機絶縁層と、を含み、前記無機絶縁層は、前記複数の配線にそれぞれ重なる複数の第１領域と、隣同士の前記第１領域の間にそれぞれが位置する複数の第２領域と、に設けられ、前記無機絶縁層は、前記複数の第１領域のそれぞれに第１部分を有し、前記無機絶縁層は、前記複数の第２領域のそれぞれに第２部分を有し、前記第１部分は、前記配線方向に連続し、前記第２部分は、対応する１つの前記第２領域の一部を避けて設けられるか又は前記第１部分よりも薄く設けられるかの少なくとも一方であり、隣接する前記第１部分に連結していることを特徴とする。
本発明によれば、無機絶縁層は、第１領域のみならず第２領域にも設けられるので、応力を分散することができ、これにより、無機絶縁層の亀裂や配線の断線の発生を抑えることができる。また、無機絶縁層の第２部分（配線と重ならない部分）は、第２領域の一部を避けて設けられるか又は第１部分（配線と重なる部分）よりも薄く設けられるかの少なくとも一方である。そのため、第２部分で応力を吸収し、第１部分の亀裂を抑え、第１部分に重なる配線の断線を抑えることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の側面図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、樹脂基板１０を有する。樹脂基板１０は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。樹脂基板１０には、周辺領域ＰＡで、第１フレキシブルプリント基板１２が接続されている。第１フレキシブルプリント基板１２には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１４が搭載されている。第１フレキシブルプリント基板１２には、さらに、第２フレキシブルプリント基板１６が接続されている。第２フレキシブルプリント基板１６には、外部との電気的接続のためのコネクタ１８が設けられ、電子部品２０が搭載されている。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の平面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の側面図である。表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を例に挙げる。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素（サブピクセル）を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、樹脂基板１０を有する。樹脂基板１０は、表示領域ＤＡ及び表示領域ＤＡを囲む周辺領域ＰＡを含む。樹脂基板１０には、周辺領域ＰＡで、第１フレキシブルプリント基板１２が接続されている。第１フレキシブルプリント基板１２には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ１４が搭載されている。第１フレキシブルプリント基板１２には、さらに、第２フレキシブルプリント基板１６が接続されている。第２フレキシブルプリント基板１６には、外部との電気的接続のためのコネクタ１８が設けられ、電子部品２０が搭載されている。
図３は、図２に示す表示装置の使用状態を示す図である。表示装置は、樹脂基板１０を曲げて例えば図示しない筐体に収納される。表示装置は、周辺領域ＰＡで曲げられており、表示領域ＤＡでは平坦な状態に維持される。
図４は、図１に示す表示装置のIV−IV線断面を一部省略して示す拡大図である。樹脂基板１０は、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタラート等からなり、例えば１０〜２０μｍの膜厚で可撓性を有する。樹脂基板１０には、それ自体が含有する不純物に対するバリアとなる下地絶縁膜２２が形成されている。下地絶縁膜２２は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などであり、それらの積層構造であってもよい。例えば、窒化膜、酸化膜及び窒化膜の３層構造であれば、それぞれ、２０〜５０ｎｍ、２０〜５０ｎｍ及び１００〜５００ｎｍの膜厚を有する。図１に示すように、下地絶縁膜２２は、四角形の四隅が切り落とされた平面形状になっている。すなわち、下地絶縁膜２２のコーナー部２２ａは、角部を無くして曲線で辺が接続されるか、角部があったとしても鈍角になっている。これにより、応力の集中を防止し信頼性を向上させている。
下地絶縁膜２２の上には半導体層２４が形成されている。半導体層２４は、例えば、アモルファスシリコン層をエキシマレーザでアニール処理して５０ｎｍの膜厚で形成するポリシリコン層である。半導体層２４にソース電極２６及びドレイン電極２７が電気的に接続し、半導体層２４を覆ってゲート絶縁膜２８が形成されている。ゲート絶縁膜２８は、化学式がＳｉ（ＯＣ２Ｈ５）４の化合物であるＴＥＯＳ（TetraEthOxySilane）などで、８０〜１００ｎｍの膜厚で形成する。ソース電極２６及びドレイン電極２７は、Ｍｏ、ＡｌＮｄ、ＭｏあるいはＴｉ、Ａｌ、Ｔｉなどの積層構造を有し、３層であれば、１００〜２００ｎｍ、３００〜６００ｎｍ及び３０〜１００ｎｍの膜厚をそれぞれ有する。
ゲート絶縁膜２８の上にはゲート電極３０が形成され、ゲート電極３０を覆って層間絶縁層３２が形成されている。ソース電極２６及びドレイン電極２７は、ゲート絶縁膜２８を貫通している。ソース電極２６及びドレイン電極２７は、表示領域ＤＡでは、層間絶縁層３２の直上にあって層間絶縁層３２を貫通する。半導体層２４、ソース電極２６、ドレイン電極２７及びゲート電極３０並びにゲート絶縁膜２８を含む薄膜トランジスタ３４が構成される。薄膜トランジスタ３４は、表示領域ＤＡに設けられる。表示領域ＤＡでは、ゲート絶縁膜２８の直上にゲート電極３０がある。薄膜トランジスタ３４を覆うように平坦化層３８が設けられている。平坦化層３８は、ポリイミド樹脂や感光性アクリル樹脂等の有機材料によって２〜３μｍの膜厚で形成する。
平坦化層３８の上には、複数の単位画素（サブピクセル）それぞれに対応するように構成される複数の画素電極４０（例えば陽極）が設けられている。画素電極４０は、ＭｇＡｇなどで形成する。画素電極４０は、電極膜と光反射膜の積層構造になるようにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＯ、Ａｇ及びＩＴＯの膜を、それぞれ、３０〜６０ｎｍ、３０〜６０ｎｍ、１００〜１５０ｎｍ及び１０〜２０ｎｍｔの膜厚で積層してもよい。あるいは、これらの膜厚でＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＺＯ、Ａｇ及びＩＺＯの膜を積層して、画素電極４０を形成してもよい。画素電極４０は、平坦化層３８を貫通するコンタクトホール３６によって、層間絶縁膜３２の上でソース電極２６及びドレイン電極２７の一方に電気的に接続している。
画素電極４０は、後述する発光素子４２の一部を構成するが、キャパシタ４４の一方の電極にもなっている。キャパシタ４４は、画素電極４０と、その下方にある容量電極４６と、画素電極４０と容量電極４６の間に介在する誘電絶縁膜４８と、を含む。誘電絶縁膜４８は、窒化膜及び酸化膜の積層あるいは窒化膜であって２００ｎｍ以下の膜厚を有する。容量電極４６は、Ｍｏ、ＡｌＮｄ及びＭｏあるいはＴｉ、Ａｌ及びＴｉなどの３層構造からなり、２００ｎｍ以下の膜厚を有する。キャパシタ４４は、画素電極４０に供給する電流を制御するための信号を保持する。
画素電極４０上に、ポリイミド樹脂やアクリル系樹脂などで、例えば１〜２μｍの膜厚を有する絶縁層５０が形成されている。絶縁層５０は、画素電極４０の周縁部に載り、画素電極４０の一部（例えば中央部）を開口させるように形成されている。絶縁層５０によって、画素電極４０の一部を囲むバンクが形成される。
画素電極４０上に発光層５２が設けられている。発光層５２は、画素電極４０ごとに別々に（分離して）設けられ、絶縁層５０にも載るようになっている。この場合は各画素に対応して青、赤又は緑で発光層５２が発光するようになる。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等でもよい。発光層５２は、例えば、蒸着により形成される。あるいは、発光層５２は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成してもよい。つまり、発光層５２を絶縁層５０上で連続するように形成してもよい。この場合、発光層５２は溶媒分散による塗布により形成する。発光層５２を複数の画素に亘るように形成する場合は、全サブピクセルにおいて白色で発光し、図示しないカラーフィルタを通して所望の色波長部分を取り出す構成になる。
発光層５２の上には、対向電極５４（共通電極又は陰極）が設けられている。対向電極５４は、バンクとなる絶縁層５０の上に載る。発光層５２並びに発光層５２を挟む画素電極４０及び対向電極５４を含む発光素子４２が構成される。発光層５２は、画素電極４０及び対向電極５４に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。発光層５２と画素電極４０との間には、図示しない正孔輸送層及び正孔注入層の少なくとも一層を設けてもよい。発光層５２と対向電極５４との間には、図示しない電子輸送層及び電子注入層の少なくとも一層を設けてもよい。複数の発光素子４２は、表示領域ＤＡに設けられて、複数の薄膜トランジスタ３４によって駆動される。複数の発光素子４２のそれぞれに対応してキャパシタ４４が設けられている。
複数の発光素子４２は封止層５６によって封止されている。発光素子４２は、対向電極５４に積層する封止層５６によって覆われることで封止されて水分から遮断される。封止層５６は、少なくとも一層の無機絶縁膜５８を含み、積層構造であってもよい。封止層５６は、一対の無機絶縁膜５８の間に樹脂などからなる少なくとも一層の有機絶縁膜６０を挟む構造であってもよい。一対の無機絶縁膜５８は、それぞれ、ＳｉＮなどの窒化膜であり、例えば１〜１０μｍの膜厚を有する。有機絶縁膜６０は、例えば５〜５０μｍの膜厚を有する。封止層５６は、表示領域ＤＡ（図１参照）を覆う。
図５は、図１に示す表示装置のＶ−Ｖ線断面を一部省略して示す拡大図である。対向電極５４は、周辺領域ＰＡでカソードコンタクト６２を介して周辺回路６４に接続されている。周辺領域ＰＡでは、封止層５６の一対の無機絶縁膜５８がその間にある有機絶縁膜６０からはみ出しており、有機絶縁膜６０の周囲で一対の無機絶縁膜５８が上下に接触している。
図６は、図１にVIで示す部分を切り出して拡大した斜視図である。樹脂基板１０には、周辺領域ＰＡに複数層が積層されている。複数層は、導電層６６を含む。導電層６６は、複数の配線６８を含む。配線６８は、ＭｏＷなどで形成する。配線６８が、Ｔｉ、Ａｌ及びＴｉの積層構造であれば、それぞれ、１００〜２００ｎｍ、１００〜３００ｎｍ及び１００〜２００ｎｍの膜厚を有する。複数の配線６８は、それぞれ、信号線、走査線、電源線及びグランド線などである。
図７は、図６に示すVII−VII線に沿って切断して示す周辺領域の断面図である。図８は、図６に示すVIII−VIII線に沿って切断して示す周辺領域の断面図である。複数の配線６８は、それぞれ、複数の端子７０に向かう方向（配線方向ＷＤ）に延びる。複数の端子７０は、図１に示す第１フレキシブルプリント基板１２に電気的に接続される。
端子７０は、半導体膜７２を含む。半導体膜７２は、図４に示す薄膜トランジスタ３４の半導体層２４と同じ材料で同時に形成されることで同層に位置する。端子７０は、電極膜７４を含む。電極膜７４は、ソース電極２６及びドレイン電極２７と同じ材料で同時に形成されることで同層に位置する。半導体膜７２と電極膜７４が積層されている。
図４に示す表示領域ＤＡにおいて、半導体層２４の下にある下地絶縁膜２２は、図７に示す周辺領域ＰＡに延びて半導体膜７２の下に至る。表示領域ＤＡの層間絶縁層３２は、周辺領域ＰＡに延びて、半導体膜７２の上で少なくともその中央部に開口７６を有する。電極膜７４は、層間絶縁層３２の開口７６では半導体膜７２に接触して載るように、開口７６の周縁では層間絶縁層３２に接触して載るようになっている。
図６に示すように、複数層は、少なくとも１層からなる無機絶縁層７８を含む。無機絶縁層７８は、複数の配線６８にそれぞれ重なる複数の第１領域Ｒ１に設けられている。無機絶縁層７８は、複数の第１領域Ｒ１のそれぞれに第１部分８０を有する。第１部分８０は、配線方向ＷＤに連続している。
無機絶縁層７８は、隣同士の第１領域Ｒ１の間にそれぞれが位置する複数の第２領域Ｒ２に設けられている。無機絶縁層７８は、複数の第２領域Ｒ２のそれぞれに第２部分８２を有する。第２部分８２は、隣接する第１部分８０に連結している。第２部分８２は、対応する１つの第２領域Ｒ２の一部を避けて設けられるか又は第１部分８０よりも薄く設けられるかの少なくとも一方（本実施形態では前者）である。
無機絶縁層７８は、複数の第２領域Ｒ２のそれぞれに、配線方向ＷＤに並ぶ複数のスリット８４を有する。第２部分８２は、複数のスリット８４によって配線方向ＷＤに並ぶ複数の第２部分８２に分離されている。複数の第２領域Ｒ２のそれぞれにある複数のスリット８４と、すぐ隣りの第２領域Ｒ２にある複数のスリット８４とは、隣り合うように配列されている。同様に、複数の第２領域Ｒ２のそれぞれにある複数の第２部分８２と、すぐ隣りの第２領域Ｒ２にある複数の第２部分８２とは、隣り合うように配列されている。
図４に示すゲート絶縁膜２８は、図７に示すように、周辺領域ＰＡに至るように延びて無機絶縁層７８の少なくとも１層を構成する。周辺領域ＰＡでは、ゲート絶縁膜２８の直上に、複数の配線６８がある。配線６８は、ゲート電極３０と同じ材料で同時に形成され、同層に位置する。図４に示す層間絶縁層３２も、周辺領域ＰＡに至るように延びて無機絶縁層７８の少なくとも１層を構成する。つまり、無機絶縁層７８は、表示領域ＤＡでも樹脂基板１０に積層する。
なお、ゲート絶縁膜２８及び層間絶縁層３２の一方のみが無機絶縁層７８の少なくとも１層を構成してもよい。また、表示領域ＤＡから周辺領域ＰＡにわたって、封止層５６の上に、有機材料からなるフィルム（図示せず）を貼り付けてもよい。そのフィルムは、無機絶縁層７８に積層してもよい。
本実施形態によれば、無機絶縁層７８は、第１領域Ｒ１のみならず第２領域Ｒ２にも設けられるので、応力を分散することができ、これにより、無機絶縁層７８の亀裂や配線６８の断線の発生を抑えることができる。また、無機絶縁層７８の第２部分８２（配線６８と重ならない部分）は、第２領域Ｒ２の一部を避けて設けられるか又は第１部分８０（配線６８と重なる部分）よりも薄く設けられるかの少なくとも一方である。そのため、第２部分８２で応力を吸収し、第１部分８０の亀裂を抑え、第１部分８０に重なる配線６８の断線を抑えることができる。
［第２の実施形態］
図９は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図９は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
無機絶縁層２７８は、複数のスリット２８４を有する。それぞれの第２領域Ｒ２に、一群のスリット２８４が配線方向ＷＤに配列している。一群のスリット２８４によって、一群の第２部分２８２が配線方向ＷＤに相互に離れて並んでいる。これらの詳細は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
本実施形態では、全体的に、複数のスリット２８４が千鳥状に配列されている。つまり、隣同士の第２領域Ｒ２にあるスリット２８４は、隣同士に並ばないようになっている。そのため、全体的に、複数の第２部分２８２も千鳥状に配列される。つまり、隣同士の第２領域Ｒ２にある第２部分２８２は、隣同士に並ばないようになっている。その他の内容は、第１の実施形態で説明した内容が該当する。
［第３の実施形態］
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。なお、中間部分を省略して示してある。
図１０は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。なお、中間部分を省略して示してある。
それぞれの第２領域Ｒ２には、配線方向ＷＤに沿って、表示領域ＤＡ（図１参照）に近い側の第１位置Ｐ１及び表示領域ＤＡから遠い側の第２位置Ｐ２に、第２部分３８２が配置されている。ここで、相互に最も離れた一対の第２領域Ｒ２２のそれぞれでは、第１位置Ｐ１１及び第２位置Ｐ２２は最も離れている。相互に最も離れた一対の第２領域Ｒ２２のそれぞれにある第１位置Ｐ１１は、他のいずれの第２領域Ｒ２にある第１位置Ｐ１よりも表示領域ＤＡ（図１参照）に近い。相互に最も離れた一対の第２領域Ｒ２２のそれぞれにある第２位置Ｐ２２は、他のいずれの第２領域Ｒ２にある第２位置Ｐ２よりも表示領域ＤＡ（図１参照）から最も遠い。
少なくとも１つの第２領域Ｒ２ごとに、第１位置Ｐ１及び第２位置Ｐ２のそれぞれが、対向方向に接近するようにずれている。これにより、複数の第２部分３８２が、Ｘ字状に交差する第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２に沿って並ぶので、少ない数の第２部分３８２によって、周辺領域ＰＡの無機絶縁層３７８の破損を防止することができる。
［第４の実施形態］
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図１１は、本発明の第４の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
無機絶縁層４７８は、複数層からなる。複数層の無機絶縁層４７８の少なくとも１層（例えば層間絶縁膜４３２）は、複数の第１領域Ｒ１及び複数の第２領域Ｒ２の両方に設けられている。複数層の無機絶縁層４７８の他の少なくとも１層（例えば下地絶縁膜４２２，ゲート絶縁膜４２８）は、複数の第２領域Ｒ２を避けて、複数の第１領域Ｒ１に設けられている。したがって、第２部分４８２は、第１部分４８０よりも薄くなっている。つまり、本実施形態では、第２領域Ｒ２で無機絶縁層４７８（第２部分４８２）を薄くすることで、第１の実施形態で説明した無機絶縁層７８にスリット８４を形成した構造と同等の効果を得られるようになっている。
［第５の実施形態］
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
図１２は、本発明の第５の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層の一部を示す斜視図である。
本実施形態は、第１の実施形態と第４の実施形態を組み合わせた特徴を有する。つまり、第２部分５８２が第１部分５８０よりも薄くなっており、かつ、無機絶縁層５７８は第２領域Ｒ２にスリット５８４を有する。
［第６の実施形態］
図１３は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。本実施形態では、図４に示す誘電絶縁膜４８が、周辺領域ＰＡに至るように延びて、無機絶縁層６７８の１層を構成する。誘電絶縁膜４８は、無機絶縁層６７８の最上層になっている。誘電絶縁膜４８の下には、表示領域ＤＡから延びて来た層間絶縁層３２があり、両者が配線６６８を覆っている。配線６６８の下には、表示領域ＤＡから延びて来たゲート絶縁膜２８及び下地絶縁膜２２がある。
図１３は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。本実施形態では、図４に示す誘電絶縁膜４８が、周辺領域ＰＡに至るように延びて、無機絶縁層６７８の１層を構成する。誘電絶縁膜４８は、無機絶縁層６７８の最上層になっている。誘電絶縁膜４８の下には、表示領域ＤＡから延びて来た層間絶縁層３２があり、両者が配線６６８を覆っている。配線６６８の下には、表示領域ＤＡから延びて来たゲート絶縁膜２８及び下地絶縁膜２２がある。
図１４は、本発明の第６の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第２領域で切断して示す断面図である。第２領域Ｒ２でも、誘電絶縁膜４８は、無機絶縁層６７８の最上層になっており、誘電絶縁膜４８の下には層間絶縁層３２、ゲート絶縁膜２８及び下地絶縁膜２２がある。
［第７の実施形態］
図１５は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。
図１５は、本発明の第７の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。
無機絶縁層７７８は、表示領域ＤＡから延びて来た層間絶縁層３２を含む。層間絶縁層３２は、半導体膜７７２の端部に重なる。半導体膜７７２の端部には、ゲート絶縁膜２８も重なる。半導体膜７７２の端部と配線７６８との間には、ゲート絶縁膜２８及び層間絶縁層３２が介在する。また、半導体膜７７２よりも樹脂基板１０の先端に近い位置にも層間絶縁層３２が存在する。
周辺領域ＰＡでは、層間絶縁層３２の直上に複数の配線７６８がある。複数の配線７６８は、図４に示すソース電極２６及びドレイン電極２７と同じ材料で同時に形成する。誘電絶縁膜４８が周辺領域ＰＡに至るように延びて、複数の端子７７０を除いて、複数の配線７６８を覆っている。誘電絶縁膜４８は、無機絶縁層７７８の１層（最上層）である。
［第８の実施形態］
図１６は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。
図１６は、本発明の第８の実施形態に係る表示装置の周辺領域で樹脂基板に積層された複数層を第１領域で切断して示す断面図である。
本実施形態は、層間絶縁層３２の形状が第７の実施形態と異なる。層間絶縁層３２は、半導体膜８７２の端部に重ならない。そのため、配線８６８が、半導体膜８７２の端部に隣接した位置で、ゲート絶縁膜２８に接触して重なる。また、半導体膜８７２よりも樹脂基板１０の先端に近い位置には、層間絶縁層３２が存在しない。
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子（ＱＬＥＤ：Quantum‐Dot Light Emitting Diode）のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよいし、液晶表示装置であってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
１０ 樹脂基板、１２ 第１フレキシブルプリント基板、１４ 集積回路チップ、１６ 第２フレキシブルプリント基板、１８ コネクタ、２０ 電子部品、２２ 下地絶縁膜、２２ａ コーナー部、２４ 半導体層、２６ ソース電極、２７ ドレイン電極、２８ ゲート絶縁膜、３０ ゲート電極、３２ 層間絶縁層、３４ 薄膜トランジスタ、３６ コンタクトホール、３８ 平坦化層、４０ 画素電極、４２ 発光素子、４４ キャパシタ、４６ 容量電極、４８ 誘電絶縁膜、５０ 絶縁層、５２ 発光層、５４ 対向電極、５６ 封止層、５８ 無機絶縁膜、６０ 有機絶縁膜、６２ カソードコンタクト、６４ 周辺回路、６６ 導電層、６８ 配線、７０ 端子、７２ 半導体膜、７４ 電極膜、７６ 開口、７８ 無機絶縁層、８０ 第１部分、８２ 第２部分、８４ スリット、１５０ 無機絶縁層、２７８ 無機絶縁層、２８２ 第２部分、２８４ スリット、３７８ 無機絶縁層、３８２ 第２部分、４２２ 下地絶縁膜、４２８ ゲート絶縁膜、４３２ 層間絶縁層、４７８ 無機絶縁層、４８０ 第１部分、４８２ 第２部分、５７８ 無機絶縁層、５８０ 第１部分、５８２ 第２部分、５８４ スリット、６６８ 配線、６７８ 無機絶縁層、７６８ 配線、７７０ 端子、７７２ 半導体膜、７７８ 無機絶縁層、８６８ 配線、８７２ 半導体膜、ＤＡ 表示領域、Ｄ１ 第１方向、Ｄ２ 第２方向、ＰＡ 周辺領域、ＷＤ 配線方向、Ｒ１ 第１領域、Ｒ２ 第２領域、Ｒ２２ 第２領域、Ｐ１ 第１位置、Ｐ１１ 第１位置、Ｐ２ 第２位置、Ｐ２２ 第２位置。
Claims (11)
- 表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域を含む樹脂基板と、
前記表示領域に設けられた複数の発光素子と、
前記複数の発光素子を封止する封止層と、
前記周辺領域で前記樹脂基板に積層された複数層と、
を含み、
前記複数層は、複数の端子に向かう配線方向にそれぞれが延びる複数の配線を含む導電層と、少なくとも１層からなる無機絶縁層と、を含み、
前記無機絶縁層は、前記複数の配線にそれぞれ重なる複数の第１領域と、隣同士の前記第１領域の間にそれぞれが位置する複数の第２領域と、に設けられ、
前記無機絶縁層は、前記複数の第１領域のそれぞれに第１部分を有し、
前記無機絶縁層は、前記複数の第２領域のそれぞれに第２部分を有し、
前記第１部分は、前記配線方向に連続し、
前記第２部分は、対応する１つの前記第２領域の一部を避けて設けられるか又は前記第１部分よりも薄く設けられるかの少なくとも一方であり、隣接する前記第１部分に連結していることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
前記無機絶縁層は、前記複数の第２領域のそれぞれに、前記配線方向に並ぶ複数のスリットを有し、
前記第２部分は、前記複数のスリットによって前記配線方向に並ぶ複数の第２部分に分離され、
前記複数の第２領域のそれぞれにある前記複数のスリットと、すぐ隣りの前記第２領域にある前記複数のスリットとは、隣り合うように配列されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
前記無機絶縁層は、前記複数の第２領域のそれぞれに一群のスリットが前記配線方向に配列するように、複数のスリットを有し、
前記第２部分は、前記一群のスリットによって前記配線方向に並ぶ複数の第２部分に分離され、
前記複数のスリットは、千鳥状に配列されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１に記載された表示装置において、
前記複数の第２領域のそれぞれで、前記表示領域に近い側及び前記表示領域から遠い側に、前記第２部分をそれぞれ配置する一対の位置があり、
相互に最も離れた一対の前記第２領域のそれぞれでは、前記一対の位置は最も離れており、前記表示領域に最も近い位置及び前記表示領域から最も遠い位置にあり、
少なくとも１つの前記第２領域ごとに、前記一対の位置のそれぞれが、前記一対の位置の対向方向に接近するようにずれていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１から４のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記第２部分は、前記第１部分よりも薄くなっており、
前記無機絶縁層は、複数層の無機絶縁層からなり、
前記複数層の無機絶縁層の少なくとも１層は、前記複数の第１領域及び前記複数の第２領域に設けられ、
前記複数層の無機絶縁層の他の少なくとも１層は、前記複数の第２領域を避けて、前記複数の第１領域に設けられていることを特徴とする表示装置。 - 請求項１から５のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記無機絶縁層は、前記表示領域でも前記樹脂基板に積層することを特徴とする表示装置。 - 請求項６に記載された表示装置において、
前記表示領域に、前記複数の発光素子のそれぞれを駆動するための薄膜トランジスタをさらに有し、
前記薄膜トランジスタのゲート絶縁膜及び前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜の少なくとも一方の絶縁膜は、前記周辺領域に至るように延びて、前記無機絶縁層の少なくとも１層を構成することを特徴とする表示装置。 - 請求項７に記載された表示装置において、
前記無機絶縁層は、前記ゲート絶縁膜を含み、
前記表示領域では、前記ゲート絶縁膜の直上に、前記薄膜トランジスタのゲート電極があり、
前記周辺領域では、前記ゲート絶縁膜の直上に、前記複数の配線があることを特徴とする表示装置。 - 請求項７に記載された表示装置において、
前記無機絶縁層は、前記層間絶縁膜を含み、
前記表示領域では、前記薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極が、前記層間絶縁層の直上にあって前記層間絶縁層を貫通し、
前記周辺領域では、前記層間絶縁層の直上に、前記複数の配線があることを特徴とする表示装置。 - 請求項１から９のいずれか１項に記載された表示装置において、
前記複数の発光素子のそれぞれに対応するキャパシタをさらに有し、
前記キャパシタは、画素電極と、容量電極と、前記画素電極と前記容量電極の間に介在する誘電絶縁膜と、を含み、
前記誘電絶縁膜は、前記周辺領域に至るように延びて、前記無機絶縁層の１層を構成することを特徴とする表示装置。 - 請求項１０に記載された表示装置において、
前記誘電絶縁膜は、前記無機絶縁層の最上層であることを特徴とする表示装置。
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