JP2018205565A - 表示装置 - Google Patents
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- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 60
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 126
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000013039 cover film Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/80—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass using temporary substrates
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1262—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate
- H01L27/1266—Multistep manufacturing methods with a particular formation, treatment or coating of the substrate the substrate on which the devices are formed not being the final device substrate, e.g. using a temporary substrate
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- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K71/50—Forming devices by joining two substrates together, e.g. lamination techniques
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】樹脂基板の上に積層される無機層の破損を抑制することを目的とする。【解決手段】表示装置は、第1面20及び第2面22を有する樹脂層18と、樹脂層18の第1面20に接触して積層する無機層24と、表示領域に画像を表示するための回路を含み、表示領域の外側に周辺領域を有して、無機層24の上に積層する回路層26と、を有する。樹脂層18、無機層24及び回路層26は、樹脂層18を内側にして屈曲する。樹脂層18は、屈曲前の平坦な状態で、第1面20に、相互に反対にある両端に至るように延びる凹部70を有する。無機層24は、屈曲前の平坦な状態で、凹部70の表面に沿って、凹部70の深さ方向に凸となるように湾曲する湾曲部72を有する。樹脂層18は、凹部70で、第1面20を外側にして屈曲する。無機層24は、湾曲部72で、湾曲の凹となる面を外側にして屈曲する。【選択図】図4
Description
本発明は、表示装置に関する。
近年、表示装置の小型化あるいは表示領域の拡大のために、画像を表示する表示領域の周縁にある、いわゆる額縁領域を狭くすること(狭額縁化)が求められている。額縁領域には、配線や回路が設けられている。特に、スマートフォン等のモバイル機器において狭額縁化の要求が厳しくなってきている。しかし、狭額縁化のアイデアはすでに出尽くした感があり、別の方法で対応しなければならなくなっている。
特許文献1には、フレキシブルディスプレイを曲げることが開示されている。フレキシブルディスプレイは、その額縁領域を裏側に折り曲げることで、実質的に狭額縁化することが可能である。また、特許文献2には、可撓性を有する樹脂基板上に回路層及び有機エレクトロルミネッセンス層が形成されたフレキシブルディスプレイが開示されている。
回路層を樹脂基板に形成する際には、樹脂基板からの水分の侵入や汚染を防ぐために、SiNやSiOなどの無機絶縁層からなる下地膜を形成しておくことが一般的である。しかし、無機絶縁層は比較的硬いため、樹脂基板を曲げると亀裂が生じやすく、その上に形成した配線の断線が問題になる。
本発明は、樹脂基板の上に積層される無機層の破損を抑制することを目的とする。
本発明に係る表示装置は、相互に反対にある第1面及び第2面を有する樹脂層と、前記樹脂層の前記第1面に接触して積層する無機層と、表示領域に画像を表示するための回路を含み、前記表示領域の外側に周辺領域を有して、前記無機層の上に積層する回路層と、を有し、前記樹脂層、前記無機層及び前記回路層は、前記樹脂層を内側にして屈曲し、前記樹脂層は、屈曲前の平坦な状態で、前記第1面に、相互に反対にある両端に至るように延びる凹部を有し、前記無機層は、屈曲前の平坦な状態で、前記凹部の表面に沿って、前記凹部の深さ方向に凸となるように湾曲する湾曲部を有し、前記樹脂層は、前記凹部で、前記第1面を外側にして屈曲し、前記無機層は、前記湾曲部で、湾曲の凹となる面を外側にして屈曲することを特徴とする。
本発明によれば、無機層は、屈曲させられたときに割れが生じやすい外側の面が、平坦な状態では湾曲の凹となる面であるため、破損を抑えることができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
さらに、本発明の詳細な説明において、ある構成物と他の構成物の位置関係を規定する際、「上に」「下に」とは、ある構成物の直上あるいは直下に位置する場合のみでなく、特に断りの無い限りは、間にさらに他の構成物を介在する場合を含むものとする。
図1は、本発明の実施形態に係る表示装置の斜視図である。表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置である。表示装置は、例えば、赤、緑及び青からなる複数色の単位画素(サブピクセル)を組み合わせて、フルカラーの画素を形成し、フルカラーの画像を表示するようになっている。表示装置は、表示領域DA及び表示領域DAを囲む周辺領域PAを含む。周辺領域PAは表示領域DAの外側にある。周辺領域PAには、フレキシブルプリント基板10が接続されている。フレキシブルプリント基板10には、画像を表示するための素子を駆動するための集積回路チップ12が搭載される。
表示装置は、端部(例えば両端部)において屈曲している。図1の例では、表示領域DAが長方形などの一方向に長い形状であり、長手方向の両端部の少なくとも一方が屈曲しているが、短手方向の両端部の少なくとも一方が屈曲していてもよい。図1の例では、周辺領域PAのみならず、表示領域DAの端部も屈曲しているが、表示領域DAが屈曲しないように周辺領域PAのみで屈曲してもよい。屈曲の内側にはスペーサ14が配置されており、曲率が大きくなり過ぎないように規制されている。また、屈曲状態を維持するため、屈曲の内側で端部が粘着材16によって固定されている。
図2は、図1に示す表示装置のII−II線断面の一部を拡大して示す図である。樹脂層18は、ポリイミド樹脂やポリエチレンテレフタラート等からなり、可撓性を有する。樹脂層18は、相互に反対にある第1面20及び第2面22を有する。樹脂層18には、樹脂層18自体が含有する不純物に対するバリアとなる無機層24が形成されている。樹脂層18の第1面20に接触して無機層24が積層する。無機層24は、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などであり、それらの積層構造であってもよい。
無機層24の上に回路層26が積層する。回路層26は、表示領域DAに画像を表示するための回路を含む。詳しくは、回路層26において、無機層24の上には半導体層28が形成されている。半導体層28にソース電極30及びドレイン電極32が電気的に接続し、半導体層28を覆ってゲート絶縁膜34が形成されている。ゲート絶縁膜34の上にはゲート電極36が形成され、ゲート電極36を覆って層間絶縁層38が形成されている。ソース電極30及びドレイン電極32は、ゲート絶縁膜34を貫通している。ソース電極30及びドレイン電極32は、表示領域DAでは、層間絶縁層38の直上にあって層間絶縁層38を貫通する。
半導体層28、ソース電極30、ドレイン電極32及びゲート電極36並びにゲート絶縁膜34から、薄膜トランジスタ40の少なくとも一部が構成される。薄膜トランジスタ40は、表示領域DAに設けられる。表示領域DAでは、ゲート絶縁膜34の直上にゲート電極36がある。薄膜トランジスタ40を覆うように平坦化層42が設けられている。平坦化層42は、ポリイミド樹脂や感光性アクリル樹脂等の有機材料によって形成する。
平坦化層42の上には、発光素子層44が設けられている。発光素子層44は、複数の画素電極46(例えば陽極)を含む。複数の画素電極46は、複数の単位画素(サブピクセル)それぞれに対応するように構成される。画素電極46は、電極膜と光反射膜の積層構造になっている。画素電極46は、平坦化層42を貫通するコンタクトホール48によって、層間絶縁層38の上でソース電極30及びドレイン電極32の一方に電気的に接続している。
画素電極46は、キャパシタCの一方の電極にもなっている。キャパシタCは、画素電極46と、その下方にある容量電極50と、画素電極46と容量電極50の間に介在する誘電絶縁膜52と、を含む。キャパシタCは、画素電極46に供給する電流を制御するための信号を保持する。
画素電極46上に、ポリイミド樹脂やアクリル系樹脂などで絶縁層54が形成されている。絶縁層54は、画素電極46の周縁部に載り、画素電極46の一部(例えば中央部)を開口させるように形成されている。絶縁層54によって、画素電極46の一部を囲むバンクが形成される。
発光素子層44は、有機エレクトロルミネッセンス層56を含む。有機エレクトロルミネッセンス層56は、複数の画素電極46の上に設けられ、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層を含む。発光層は、画素電極46ごとに別々に(分離して)設けられ、各画素に対応して青、赤又は緑で発光層が発光する。各画素に対応する色はこれに限られず、例えば、黄又は白等でもよい。有機エレクトロルミネッセンス層56を構成する層のうち発光層を除く層は、表示領域DA(図1参照)を覆う全面に、複数の画素に亘るように形成される。有機エレクトロルミネッセンス層56は絶縁層54上でも連続する。
発光素子層44は、共通電極58(例えば陰極)を含む。共通電極58は、有機エレクトロルミネッセンス層56の上に設けられ、バンクとなる絶縁層54の上に載る。有機エレクトロルミネッセンス層56並びにこれを挟む画素電極46及び共通電極58から発光素子60の少なくとも一部が構成される。有機エレクトロルミネッセンス層56は、画素電極46及び共通電極58に挟まれ、両者間を流れる電流によって輝度が制御されて発光する。複数の発光素子60は、表示領域DAに設けられて、複数の薄膜トランジスタ40によって駆動される。複数の発光素子60のそれぞれに対応してキャパシタCが設けられている。
発光素子層44(特に有機エレクトロルミネッセンス層56)は、封止膜62によって封止されて水分から遮断される。複数の発光素子60は、封止膜62によって封止されている。封止膜62は、窒化ケイ素などからなる一対の無機膜64,66の間に、樹脂などからなる少なくとも一層の有機膜68を挟む構造である。封止膜62は、表示領域DA(図1参照)を覆う。封止膜62には、図示を省略するが、粘着層を介して、有機保護膜、円偏光板及びカバー膜を積層してもよい。
図3は、屈曲前の表示装置を示す平面図である。図4は、図3に示す表示装置のIV−IV線断面の一部を拡大した図である。
樹脂層18は、屈曲前の平坦な状態で、第1面20に、相互に反対にある両端Eに至るように延びる第1凹部70を有する。第1凹部70は、凹曲面によって形成されている。無機層24は、屈曲前の平坦な状態で、第1凹部70の表面に沿って、第1凹部70の深さ方向に凸となるように湾曲する湾曲部72を有する。湾曲部72は、凸側では凸曲面から形成され、凹側では凹曲面から形成されている。樹脂層18は、屈曲前の平坦な状態で、第2面22に、相互に反対にある両端に至るように延びる第2凹部74を有する。第1凹部70は第2凹部74に重なる。第2凹部74の形状には、第1凹部70の内容が該当する。
図1に示す表示装置において、樹脂層18、無機層24及び回路層26などの積層体が、図4に矢印で示すように樹脂層18を内側にして屈曲している。樹脂層18は、第1凹部70で、第1面20を外側にして屈曲する。また、無機層24は、湾曲部72で、湾曲の凹となる面を外側にして屈曲する。本実施形態によれば、無機層24は、屈曲させられたときに割れが生じやすい外側の面が、平坦な状態では湾曲の凹となる面であるため、破損を抑えることができる。
図5(A)〜図5(D)は、本発明の実施形態に係る表示装置の製造方法を説明するための図である。
図5(A)に示すように、ガラス基板76にポリイミド樹脂などから樹脂層18を形成し、エッチングマスク78を介して、樹脂層18をエッチングする。エッチングマスク78は、フォトレジストからフォトリソグラフィによるパターニングを経て形成される。
図5(B)に示すように、樹脂層18の第1面20に第1凹部70を形成する。第1凹部70の形成にはエッチングを適用する。等方性エッチングを適用すれば凹曲面を形成しやすい。エッチング後にはエッチングマスク78を除去する。
図5(C)に示すように、樹脂層18の第1面20に、シリコン酸化膜又はシリコン窒化膜などから無機層24を形成する。無機層24の形成には、化学気相成長(CVD)や蒸着を適用することができる。あるいは、液状材料を使用した塗布を適用すれば、被覆性(カバレッジ)を良くすることができる。無機層24の上には、回路層26、平坦化層42、発光素子層44及び封止層などを積層する。
図5(D)に示すように、樹脂層18の第2面22からガラス基板76を剥離し、第2面22に第2凹部74を形成する。第2凹部74の形成には、上述した第1凹部70の形成プロセスを適用することができる。必要に応じて、第2面22には、図示しない保護フィルムを貼り付けてもよい。
図6は、本発明の実施形態に係る表示装置の変形例1を説明するための図である。この例では、第1樹脂層118の第1面120に第1無機層124が積層されていることに加えて、第2面122に第2無機層180が積層している。第1無機層124及び第2無機層180の詳細は、実施形態で説明した無機層24の内容が該当する。そして、第2無機層180の下に第2樹脂層182が積層する。第1樹脂層118及び第2樹脂層182は、実施形態で説明した樹脂層18の内容が該当する。
図7は、本発明の実施形態に係る表示装置の変形例2を説明するための図である。この例では、樹脂層が複数の凹部270を有する。複数の凹部270は、相互に交差する少なくとも一対の凹部270A,270Bを含む。樹脂層が矩形の平面形状を有し、いずれの凹部270も矩形のいずれかの辺に平行に延びている。例えば、長辺に沿って延びる凹部270Aと、短辺に沿って延びる凹部270Bが相互に交差する。複数の凹部270は、格子状になっている。そして、一対の凹部270A,270Bの一つを選択して、樹脂層を屈曲させることができる。
図8は、本発明の実施形態に係る表示装置の変形例3を説明するための図である。この例では、樹脂層が複数の凹部370を有する。複数の凹部370は、相互に交差する方向に延びる少なくとも一対の凹部370を含む。一対の凹部370は、樹脂層の平面形状である矩形のいずれの辺にも交差する方向に延びる。そして、一対の凹部370の一つを選択して、樹脂層を屈曲させることができる。
なお、表示装置は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置には限定されず、量子ドット発光素子(QLED:Quantum‐Dot Light Emitting Diode)のような発光素子を各画素に備えた表示装置であってもよい。
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
10 フレキシブルプリント基板、12 集積回路チップ、14 スペーサ、16 粘着材、18 樹脂層、20 第1面、22 第2面、24 無機層、26 回路層、28 半導体層、30 ソース電極、32 ドレイン電極、34 ゲート絶縁膜、36 ゲート電極、38 層間絶縁層、40 薄膜トランジスタ、42 平坦化層、44 発光素子層、46 画素電極、48 コンタクトホール、50 容量電極、52 誘電絶縁膜、54 絶縁層、56 有機エレクトロルミネッセンス層、58 共通電極、60 発光素子、62 封止膜、64 無機膜、66 無機膜、68 有機膜、70 第1凹部、72 湾曲部、74 第2凹部、76 ガラス基板、78 エッチングマスク、118 第1樹脂層、120 第1面、122 第2面、124 第1無機層、180 第2無機層、182 第2樹脂層、270 凹部、270A 凹部、270B 凹部、370 凹部、C キャパシタ、DA 表示領域、E 両端、PA 周辺領域。
Claims (7)
- 相互に反対にある第1面及び第2面を有する樹脂層と、
前記樹脂層の前記第1面に接触して積層する無機層と、
表示領域に画像を表示するための回路を含み、前記表示領域の外側に周辺領域を有して、前記無機層の上に積層する回路層と、
を有し、
前記樹脂層、前記無機層及び前記回路層は、前記樹脂層を内側にして屈曲し、
前記樹脂層は、屈曲前の平坦な状態で、前記第1面に、相互に反対にある両端に至るように延びる凹部を有し、
前記無機層は、屈曲前の平坦な状態で、前記凹部の表面に沿って、前記凹部の深さ方向に凸となるように湾曲する湾曲部を有し、
前記樹脂層は、前記凹部で、前記第1面を外側にして屈曲し、
前記無機層は、前記湾曲部で、湾曲の凹となる面を外側にして屈曲することを特徴とする表示装置。 - 請求項1に記載された表示装置において、
前記樹脂層は、屈曲前の前記平坦な状態で、前記第2面に、相互に反対にある両端に至るように延びる第2凹部を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項2に記載された表示装置において、
前記第1面にある前記凹部は、前記第2面にある前記第2凹部に重なることを特徴とする表示装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記樹脂層は、前記凹部が含まれる複数の凹部を有することを特徴とする表示装置。 - 請求項4に記載された表示装置において、
前記複数の凹部は、相互に交差する少なくとも一対の凹部を含み、
前記一対の凹部の一つで、前記樹脂層が屈曲することを特徴とする表示装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載された表示装置において、
前記樹脂層の前記第2面に積層する第2無機層をさらに有することを特徴とする表示装置。 - 請求項6に記載された表示装置において、
前記第2無機層の下に積層する第2樹脂層をさらに有することを特徴とする表示装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017111648A JP2018205565A (ja) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 表示装置 |
US15/985,739 US20180351118A1 (en) | 2017-06-06 | 2018-05-22 | Display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017111648A JP2018205565A (ja) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018205565A true JP2018205565A (ja) | 2018-12-27 |
Family
ID=64460855
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017111648A Pending JP2018205565A (ja) | 2017-06-06 | 2017-06-06 | 表示装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180351118A1 (ja) |
JP (1) | JP2018205565A (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9997010B2 (en) | 2015-12-18 | 2018-06-12 | Ags Llc | Electronic gaming device with external lighting functionality |
USD843473S1 (en) | 2017-04-07 | 2019-03-19 | Ags Llc | Gaming machine |
USD899526S1 (en) | 2018-02-02 | 2020-10-20 | Ags Llc | Support structure for gaming machine display |
USD939632S1 (en) | 2018-07-17 | 2021-12-28 | Ags Llc | Gaming machine |
USD969926S1 (en) | 2019-04-24 | 2022-11-15 | Ags Llc | Gaming machine |
USD978810S1 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Ags Llc | LED matrix display |
USD969927S1 (en) | 2019-08-02 | 2022-11-15 | Ags Llc | Gaming machine |
US11380157B2 (en) | 2019-08-02 | 2022-07-05 | Ags Llc | Servicing and mounting features for gaming machine display screens and toppers |
CN110634885B (zh) | 2019-08-20 | 2021-06-22 | 武汉华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10381581B2 (en) * | 2016-09-27 | 2019-08-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Display apparatus with flexible substrate |
-
2017
- 2017-06-06 JP JP2017111648A patent/JP2018205565A/ja active Pending
-
2018
- 2018-05-22 US US15/985,739 patent/US20180351118A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180351118A1 (en) | 2018-12-06 |
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