JP2017147044A - 表示装置、および表示装置の作製方法 - Google Patents

表示装置、および表示装置の作製方法 Download PDF

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Abstract

【課題】変形した際に発光領域が破壊されて表示不良が発生することが抑制された、可撓性の有機ＥＬ表示装置、ならびにその作製方法を提供する。【解決手段】基材と、基材の第１の面上にそれぞれ発光領域を有する複数の発光素子を有し、基材の第２の面に、前記複数の発光素子から選ばれる隣接する二つの発光素子の発光領域の間に挟まれた非発光領域と重なる第１の溝を有する表示装置が提供される。あるいは、基材と、基材の第１の面上にそれぞれ発光素子を有する複数の画素を有し、基材の第２の面に、複数の画素から選ばれる隣接する二つの画素の間に挟まれた領域と重なる第１の溝を有し、基材の第１の面には、第１の溝と重なり、基材からなるリッジを有する表示装置が提供される。【選択図】図３

Description

本発明は表示装置、ならびに表示装置の作製方法に関する。例えば、可撓性のＥＬ表示装置、ならびにその作製方法に関する。
表示装置の代表例として、液晶素子や発光素子を各画素に有する液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などが挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に液晶素子あるいは有機発光素子（以下、発光素子）を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極間に液晶あるいは有機化合物を含む層（以下、有機ＥＬ層）をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。
発光素子は全固体の表示素子として形成されるため、基板に可撓性を付与して折り曲げたり湾曲させても、液晶素子の場合と異なり基板間のギャップ変化が影響しないため、原則的に表示品質に影響を与えない。そこで、可撓性の基板上に発光素子が作製された、いわゆるフレキシブルディスプレイ（シートディスプレイ）が作製されている。例えば特許文献１、２では、折り曲げ可能な可撓性有機ＥＬ表示装置が開示されている。
特開２０１５−７２３６２号公報 特開２０１４−１８２３０６号公報
本発明は、高い信頼性を有する可撓性の表示装置、例えば可撓性の有機ＥＬ表示装置、ならびにその作製方法を提供することを目的の一つとする。あるいは、変形した際に発光領域が破壊されて表示不良が発生することが抑制された、可撓性の有機ＥＬ表示装置、ならびにその作製方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態は、基材と、基材の第１の面上にそれぞれ発光領域を有する複数の発光素子を有し、基材の第２の面に、前記複数の発光素子から選ばれる隣接する二つの発光素子の発光領域の間に挟まれた非発光領域と重なる第１の溝を有する、表示装置である。
本発明の一実施形態は、基材と、基材の第１の面上にそれぞれ発光素子を有する複数の画素を有し、基材の第２の面に、複数の画素から選ばれる隣接する二つの画素の間に挟まれた領域と重なる第１の溝を有し、基材の第１の面には、第１の溝と重なり、基材からなるリッジを有する、表示装置である。
本発明の一実施形態は、リッジを有する支持基板上に基材を形成し、基材の一方の面上に複数の画素を、リッジが複数の画素に挟まれた領域と重なるように形成し、支持基板を基材から分離することを含む、表示装置の作製方法である。
一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の作製方法を示す模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の上面模式図。 一実施形態に係る表示装置の断面模式図。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
また、本発明において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、第３の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置を図１乃至図６を用いて説明する。
図１に、本実施形態に係る表示装置１００の上面図を示す。表示装置１００は、複数の画素１６０を備えた表示領域１２０を基材１１０の一方の面（上面）に有している。複数の画素１６０のそれぞれには、発光領域４００が規定されている。表示領域１２０から配線１３０が基材１１０の側面に向かって延びている。配線１３０を介して表示領域１２０はＩＣチップ１５０と電気的に接続されている。基材１１０の端部には、コネクタ（図示せず）を介して外部回路（図示せず）とＩＣチップ１５０および表示領域１２０を電気的に接続するための端子１４０が形成されている。外部回路から供給された映像信号によって複数の画素１６０が制御され、映像が表示領域１２０上に再現される。なお、基材１１０に可撓性を有するフィルムなどを用いることで、表示装置１００全体に可撓性を付与することができる。本明細書や請求項中では、基材１１０はベースフィルムとも記すことがある。
図示していないが、表示装置１００はＩＣチップ１５０の替わりに駆動回路を表示領域１２０の周辺に有していてもよい。あるいは、ＩＣチップ１５０とともに駆動回路を表示領域１２０の周辺に有していてもよい。
画素１６０の各々には発光素子が備えられている。各画素１６０に例えば赤色、緑色、青色で発光する発光素子を設けることでフルカラー表示を行うことができる。あるいは、全画素１６０中で白色発光素子を用い、カラーフィルタを用いて画素１６０ごとに赤色、緑色、あるいは青色を取り出してフルカラー表示を行ってもよい。最終的に取り出される色は赤色、緑色、青色の組み合わせには限られず、例えば、赤色、緑色、青色、白色の４種類の色を画素１６０から取り出すこともできる。画素１６０の配列にも制限はなく、ストライプ配列、ペンタイル配列、モザイク配列などを採用することができる。
図２（Ａ）、（Ｂ）に画素１６０の拡大図を示す。なお、図２（Ａ）は図２（Ｂ）から第１の電極２８０を省略した図である。図２（Ａ）に示すように、ゲート線２００、２０２、信号線２１０、２１２、および電流供給線２２０などの配線が基材１１０上に設けられている。ゲート線２００、２０２、信号線２１０、および電流供給線２２０で定義される領域が一つの画素１６０である。ゲート線２０２や信号線２１２は、図２（Ａ）に示された画素１６０に隣接する画素１６０を制御する。なお、これらの配線の一部は隣接する二つあるいはそれ以上の画素１６０と共有されていてもよい。例えば電流供給線２２０は画素１６０とそれに隣接する画素１６０の両方で共有されていてもよい。
図２（Ａ）、（Ｂ）に図示した画素１６０は二つのトランジスタ２６０、２７０を有している。ゲート線２００はトランジスタ２６０にゲート信号を伝達する機能を有しており、ゲート線２００の一部（図中、下方向に突き出た部分）がトランジスタ２６０のゲート電極として機能する。信号線２１０はトランジスタ２６０に映像信号を伝達する機能を有しており、信号線２１０の一部（図中、右方向に突き出た部分）がトランジスタ２６０のソース電極として機能する。信号線２１０によって伝達された映像信号は半導体膜２３０を介してトランジスタ２６０のドレイン電極として機能する配線２４０に伝えられる。映像信号はさらに配線２４２を介してトランジスタ２７０に伝達される。すなわち、配線２４２の一部はトランジスタ２７０のゲート電極として機能し、トランジスタ２７０のオン―オフを制御する。トランジスタ２７０はソース電極として電流供給線２２０の一部（図中、左方向に突き出た部分）を有している。電流供給線２２０によって供給される電流が半導体膜２３２を介してドレイン電極として機能する配線２４４に伝えられる。前述のトランジスタ２６０、２７０は、信号線２１０、配線２４０、電流供給線２２０、及び配線２４４の電位によっては、ソース・ドレインの定義が逆転する場合もある。
配線２４４はコンタクトホール２５０を介して第１の電極２８０と電気的に接続されており、電流供給線２２０から供給される電流が第１の電極２８０へ供給される。第１の電極２８０上には隔壁３４０として機能する絶縁膜（後述）が設けられており、その開口部２９０において第１の電極２８０は有機ＥＬ層３５０（後述）と接している。図２（Ｂ）には、画素１６０の上、下、右に隣接する画素１６０の第１の電極２８０の一部が描かれている。
図２（Ｂ）では、第１の電極２８０はほぼ正方形であり、開口部２９０は鉤状の形状で描かれているが、第１の電極２８０や開口部２９０の形状に制限はない。第１の電極２８０や開口部２９０は正方形、ひし形、長方形などの多角形でもよく、円形でもよい。開口部２９０が多角形の場合、その角は曲線状であってもよい。ここでは画素１６０は二つのトランジスタ２６０、２７０を有するが、トランジスタの数に制限はなく、三つ以上のトランジスを有していてもよい。また、トランジスタ以外に容量を形成するための配線を有していてもよい。
図３、図４に図２（Ｂ）中の直線Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄに沿った断面の模式図をそれぞれ示す。図３に示すように画素１６０は基材１１０上に下地膜３００を介して半導体膜２３０を有している。半導体膜２３０上にはゲート絶縁膜３１０、ゲート線２００、層間絶縁膜３２０が設けられている。トランジスタ２６０の構成要素である半導体膜２３０やゲート線２００に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与えるために、層間絶縁膜３２０上には平坦化膜３３０が設けられている。平坦化膜３３０上には画素１６０、およびそれに隣接する画素１６０の第１の電極２８０が形成されている。画素１６０はさらに第１の電極２８０の端部を覆う隔壁３４０を有しており、これにより、隣接する画素１６０の第１の電極２８０同士が互いに電気的に絶縁される。
第１の電極２８０、隔壁３４０の上には有機化合物を含有する有機ＥＬ層３５０が設けられており、その上には第２の電極３６０が形成されている。隔壁３４０の開口部２９０において有機ＥＬ層３５０と第１の電極２８０が物理的に接触しており、第１の電極２８０、有機ＥＬ層３５０、第２の電極３６０で発光素子が形成される。有機ＥＬ層３５０と第１の電極２８０が接触している領域において有機ＥＬ
層３５０からの発光が得られ、この領域が発光素子の発光領域４００である。したがって、発光領域４００の形状は隔壁３４０の開口部２９０のそれと同一である。互いに隣接する二つの画素１６０の発光領域４００に挟まれた領域が非発光領域４１０である。第２の電極３６０上には封止膜３８０が設けられている。この封止膜は、後述するように、少なくとも１層以上あればよく、例えば３層構造であっても良い。封止膜３８０の上には、任意の構成として、例えば偏光板３９０などが設けられている。ここでは図示していないが、封止膜３８０上にはカラーフィルタや遮光膜、あるいはこれらの上に形成されるオーバーコート膜などが設けられていてもよい。
ここで非発光領域４１０において、すなわち隣接する二つの画素１６０に挟まれた領域において、基材１１０の他方の面（底面）には溝（第１の溝）１７０が設けられている。この第１の溝１７０における基材１１０の厚さＴ１は、発光領域４００の下における基材１１０の厚さＴ２と比較して小さい。図５に第１の溝１７０と画素１６０の位置関係を模式的に示すが、第１の溝１７０はゲート線２００に沿って延びている。
同様に図３に示すように、第２の電極３６０上に設けられた封止膜３８０にも溝（第２の溝）１８０が設けられている。この第２の溝１８０における封止膜３８０の厚さＴ３は、発光領域４００の上における封止膜３８０の厚さＴ４と比較して小さい。図５に示すように、第２の溝１８０もゲート線２００に沿って延びている。
図４の断面を参照すると、トランジスタ２６０あるいは２７０を構成するゲート絶縁膜３１０、層間絶縁膜３２０が下地膜３００を介して基材１１０上に形成されている。層間絶縁膜３２０上には電流供給線２２０、および画素１６０に隣接する画素１６０の信号線２１２が設けられている。これらの配線上にトランジスタ２６０あるいは２７０上に形成される平坦化膜３３０が形成されている。図３と同様に、平坦化膜３３０上には画素１６０とそれに隣接する画素１６０の第１の電極２８０、隔壁３４０、有機ＥＬ層３５０、第２の電極３６０、封止膜３８０が設けられている。また、任意の構成として、偏光板３９０などが設けられている。図３と同様、封止膜３８０上にはカラーフィルタや遮光膜、あるいはこれらの上に形成されるオーバーコート膜などが設けられていてもよい。
図３の断面構造と同様、図４に示す基材１１０にも溝（第１の溝）１７０が基材１１０の底面に設けられている。この第１の溝１７０における基材１１０の厚さＴ１は、発光領域４００の下における基材１１０の厚さＴ２と比較して小さい。また、図５に示すように第１の溝１７０は信号線２１０および電流供給線２２０に沿って延びている。
図４に示すように、第２の電極３６０上に設けられた封止膜３８０にも溝（第２の溝）１８０が設けられている。この第２の溝１８０における封止膜３８０の厚さは、発光領域４００の上における封止膜３８０の厚さと比較して小さい。図５に示すように、第２の溝１８０も信号線２１０および電流供給線２２０に沿って延びている。なお、第１の溝１７０と第２の溝１８０は、一部が重なっていなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０は、ゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０と重なっていてもよく、一部が重なっていなくてもよい。
上述したように、基材１１０として可撓性を有するフィルムを用いることで、表示装置１００は可撓性を有することができる。上記構成では、非発光領域４１０は、基材１１０、ならびに封止膜３８０の厚さが部分的に小さい領域を有している。そしてこの領域の基材１１０、ならびに封止膜３８０の厚さＴ１、Ｔ３は、発光領域４００のそれらＴ２、Ｔ４よりもそれぞれ小さい。したがって図６で模式的に示すように、表示装置１００を折り曲げたり湾曲するなどして変形する際、発光領域４００よりも非発光領域４１０の方がより大きく変形する。換言すると、発光領域４００を変形させない、あるいは変形を最小とし、かつ、非発光領域４１０を選択的に変形させることで表示装置１００全体を変形することができる。
可撓性の表示装置を変形する場合、表示装置を構成する膜の硬度や厚さがそれぞれ異なるため、膜の硬度に大きな差がある界面で剥離が生じやすい。例えば基材１１０や封止膜３８０は他の層と比較して膜厚が大きく、硬度が高い。そのため、変形時に基材１１０や封止膜３８０が剥離しやすい。発光領域４００やその近傍において界面剥離が生じた場合、発光素子へのダメージがより顕在化し、表示不良を招く。
これに対し本実施形態の構成のように、基材１１０や封止膜３８０の一部に溝１７０、１８０を形成して非発光領域４１０を選択的に変形させることで、発光領域４００に大きな負荷がかからないようにすることができる。したがって、表示不良が発生しにくく、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することができる。
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で説明した表示装置１００の作製方法の一例を図７乃至図１２を用いて説明する。それぞれの図では、図２（Ｂ）の直線Ａ−ＢとＣ−Ｄに沿った断面構造が示されている。
まず、リッジ４２２、４２４が形成された支持基板４２０を用意する（図７（Ａ））。支持基板４２０にはガラスや石英、セラミック、あるいは金属などを用いることができる。リッジ４２２は例えば平坦な基板をエッチングして形成してもよく、あるいは平坦な基板上に絶縁物などの構造体を形成することで設けてもよい。
次に支持基板４２０上に基材１１０を形成する（図７（Ｂ））。基材１１０には可撓性を有する材料を用いればよく、例えばポリイミドやポリアミド、ポリエステル、エポキシ樹脂などの高分子材料あるいはその前駆体を用いることができる。これらの材料にガラスの微粒子や繊維が混合されていてもよい。基材１１０はスピンコート法やインクジェット法、印刷法、ディップコーティング法などを用いて形成することができる。あるいはシート状の高分子を支持基板４２０上に圧着して基材１１０を形成してもよい。図７（Ａ）、（Ｂ）においては、支持基板４２０上のリッジ４２２、４２４に起因する凹凸を吸収して平坦な表面を与えるように基材１１０が設けられている。基材１１０の膜厚としては、３μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上５０μｍ以下、より好ましくは１０μｍ以上２０μｍ以下である。
この後、基材１１０上に下地膜３００を形成する（図７（Ｃ））。下地膜３００は基材１１０や支持基板４２０から不純物の拡散を防ぐ機能を有し、例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を用い、化学気相成長法（ＣＶＤ）などで形成される。図７（Ｃ）では下地膜３００が単層構造を有するように描かれているが、下地膜３００は複数の無機化合物の層が積層された構造を有していてもよい。
次に図８（Ａ）に示すように、下地膜３００上に半導体膜２３０（および半導体膜２３２）を形成する。半導体膜２３０はシリコンや酸化物半導体を含むことができ、ＣＶＤやスパッタリング法によって形成することができる。結晶性も任意に選択することができ、アモルファス、微結晶、多結晶、単結晶のいずれでもよい。半導体膜２３０（および半導体膜２３２）上にゲート絶縁膜３１０を単層、あるいは積層構造で形成する（図８（Ｂ））。ゲート絶縁膜３１０は、下地膜３００で用いる材料を適宜組み合わせて形成することができる。
次に図８（Ｃ）に示すように、ゲート線２００をゲート絶縁膜３１０上に形成する。ゲート線２００はアルミニウムや銅、チタン、モリブデン、タンタル、タングステンなどの金属を単層、あるいは積層構造で形成することができる。例えばアルミニウムや銅などの導電性の高い金属と、チタンやモリブデンなどのブロッキング性の高い金属を積層して形成してもよい。ゲート線２００の形成方法としては、例えばＣＶＤ法やスパッタリング法などが挙げられる。ゲート線２００と半導体膜２３０が重なる領域はトランジスタ２６０のゲート電極として機能する。なお図示していないが、ゲート線２００と同一層に存在する配線２４２なども同時に形成される。
次にゲート線２００上に層間絶縁膜３２０を形成する（図９（Ａ））。層間絶縁膜３２０は下地膜３００やゲート絶縁膜３１０で用いる材料を適宜組み合わせて、単層あるいは積層構造で形成することができる。なお、図示しないが、層間絶縁膜３２０を形成した後に、信号線２１０、２１２、電流供給線２２０などの配線が形成される。また、ゲート線２００、信号線２１０、２１２、電流供給線２２０などの配線は、リッジ４２２、４２４に沿って形成する。これらの配線の各々はリッジ４２２、４２４と一部、あるいは全てが重なっていてもよい。
ここまでのステップにより、基板上には凹凸が発生しているが、層間絶縁膜３２０上に平坦化膜３３０を形成することでこの凹凸を吸収し、平坦な表面を与えることができる（図９（Ｂ））。平坦化膜３３０は例えばエポキシ樹脂やポリイミド、ポリシロキサンなどの高分子材料を用い、スピンコート法やディップコーティング法、印刷法などによって形成することができる。なお図示していないが、平坦化膜３３０上にさらに保護膜、例えば無機絶縁膜で形成された保護膜を形成してもよい。
次に発光素子の第１の電極２８０を平坦化膜３３０上に形成する（図９（Ｃ））。第１の電極２８０には、可視光を反射する金属や、可視光を透過する導電性酸化物などを用いることができる。発光素子からの発光を基材１１０側から取り出す場合には、例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透光性を有する導電性酸化物を用い、スパッタリング法やゾル―ゲル法などを適用して第１の電極２８０を形成すればよい。逆に、発光素子からの発光を基材１１０とは反対の側から取り出す場合には、例えばアルミニウムや銀などの反射率の高い金属を第１の電極２８０に用いればよい。この際、これらの金属上に導電性酸化物を積層してもよい。
次に第１の電極２８０の端部を覆うように絶縁膜を形成し、隔壁３４０を形成する（図１０（Ａ））。隔壁３４０は第１の電極２８０の端部を覆うことで第１の電極２８０と第２の電極３６０間のショートを防ぐのみならず、隣接する画素１６０同士を分離する機能を有する。隔壁３４０には、例えばポリイミドやポリアミド、エポキシ樹脂、ポリシロキサンなどの高分子材料を用いることができる。
隔壁３４０の形成後、有機ＥＬ層３５０、ならびに第２の電極３６０を形成する（図１０（Ｂ））。有機ＥＬ層３５０は、第１の電極２８０と第２の電極３６０から注入された電荷の再結合を担う層であり、各種の機能層を組み合わせて形成される。例えばホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、ホールブロック層、電子ブロック層などを組み合わせて形成される。成膜方法として、蒸着法やインクジェット法、スピンコーティング法などが適用できる。第２の電極３６０は、第１の電極２８０と同様の材料を用いることができる。有機ＥＬ層３５０からの発光を第１の電極２８０側から取り出す場合には、第２の電極３６０には可視光に対して高い反射率を有する材料が好ましく、例えば銀やアルミニウムなどを用いることができる。これらの材料に蒸着法、あるいはスパッタリング法などを適用し、第２の電極３６０を形成することができる。一方第２の電極３６０側から光を取り出す場合、ＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。あるいは、マグネシウムや銀、あるいはこれらの合金を用い、可視光が透過する程度の厚さ（数〜数十ｎｍ）で形成することができる。これらの金属あるいは合金上に導電性酸化物を積層させて第２の電極３６０を形成してもよい。
次に、第２の電極３６０上に封止膜３８０を形成する（図１１（Ａ））。この封止膜３８０は外部から発光素子へ水や酸素などの不純物が浸入することを防ぐ機能を有する。封止膜３８０には第２の溝１８０が設けられる。第２の溝１８０により、非発光領域４１０において、部分的に厚さを小さくすることができる。第２の溝１８０はゲート線２００、信号線２１０、２１２、電流供給線２２０などの配線に沿って形成することができる。また、第２の溝はこれらの配線の各々の一部、あるいは全てと重なるように形成してもよい。
ここで、封止膜３８０は発光素子に酸素や水などの不純物の侵入を防ぐ封止機能を有し、例えば酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機化合物からなる無機絶縁膜を用いることができる。あるいはアクリル樹脂などの有機化合物からなる有機絶縁膜を用いてもよい。これらの材料は積層されていてもよく、例えばアクリル樹脂からなる有機絶縁膜を窒化ケイ素や酸化ケイ素の膜で挟持した構造を有するフィルムを封止膜３８０として用いてもよい。この場合、複数の層のうち、一つ以上の層に溝を形成することにより、第２の溝１８０を形成することができる。上記無機絶縁膜や有機絶縁膜は、スパッタリング法、蒸着法などの物理的気相成長法、ＣＶＤ法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法などの液相法、あるいはラミネート法などを適宜組み合わせて形成することができる。また、第２の溝１８０は、エッチングやナノインプリント法などにより形成することができる。
なお、上記３層構造についての例を図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）に示す。図３３（Ａ）、図３３（Ｂ）において、封止膜３８０は、無機絶縁膜３８１、３８３と、これら２つの膜に挟持された有機絶縁膜３８２の３層からなる。図３３（Ａ）においては、第２の溝１８０は無機絶縁膜３８１に設けられ、この形状が有機絶縁膜３８２と無機絶縁膜３８３に反映される。この場合、無機絶縁膜３８１の厚さが発光領域４００内よりも非発光領域４１０内の方が小さくなるようにすることで、第２の溝１８０を形成することができる。一方図３３（Ｂ）においては、第２の溝１８０は有機絶縁膜３８２に設けられ、この形状が無機絶縁膜３８３に反映される。この場合、有機絶縁膜３８２の厚さが発光領域４００内よりも非発光領域４１０内の方が小さくなるようにすることで、第２の溝１８０を形成することができる。図３３（Ｂ）に示すように、非発光領域４１０において二つの無機絶縁膜３８１と３８３が互いに接触してもよい。
次に、封止膜３８０の上に偏光板３９０を形成する（図１１（Ｂ））偏光板３９０としては直線偏光板や円偏光板などを用いることができ、ラミネート法などを用いて形成することができる。なお、偏光板３９０は形成しなくてもよい。図示していないが、封止膜３８０や偏光板３９０上、あるいは下にカラーフィルタや遮光膜などを形成してもよい。
次に、支持基板４２０を図１１（Ｂ）中矢印で示した界面に沿って基材１１０から分離する（図１２）。分離は、表示装置１００の上下を吸引チャックなどで固定し、物理的に引きはがすことによって行うことができる。分離前にレーザーを基材１１０に対して照射し、基材１１０と支持基板４２０間の接着力を低下させてもよい。
以上の工程を経ることにより、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい可撓性の表示装置１００を作製することができる。この表示装置１００は非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第３実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態で説明した画素１６０とは異なる構造を有する画素１６０について、図１３（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。図１３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図２（Ｂ）の直線Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄに沿った断面図に相当する。第１、第２実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。
図１３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、第１、第２実施形態と異なり本実施形態に係る表示装置１００の画素１６０では、基材１１０は第１の溝１７０を有しているが、封止膜３８０は第２の溝１８０を有していない。この場合でも、非発光領域４１０の一部では基材１１０の厚さが小さくなっている。この部分では基材１１０の厚さＴ１は発光領域４００の厚さＴ２よりも小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第４実施形態）
本実施形態では、第１乃至第３実施形態で説明した画素１６０とは異なる構造を有する画素１６０について、図１４、１５を用いて説明する。図１４、１５は図２（Ｂ）の直線Ａ−Ｂに沿った断面図に相当する。第１乃至第３実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。
図１４に示すように、本実施形態の画素１６０の基材１１０は第１の溝１７０を有しており、封止膜３８０は第２の溝１８０を有している。しかし第１乃至第３実施形態と異なり基材１１０は、第１の溝１７０に起因してその上面に突起を有している。すなわち、基材１１０は第１の溝１７０と重なるリッジ１９０を有している。このリッジ１９０は、基材１１０を形成する際に例えばラミネート法などを適用することによって形成することができる。あるいは、第１乃至第３実施形態と比較して基材１１０の厚さを小さくすることによってリッジ１９０を形成することができる。
なお、本実施形態の画素１６０の封止膜３８０は、図１５に示すように、第２の溝１８０を持たず、第１の溝１７０と重なる領域は平坦な上面を有していてもよい。
リッジ１９０を有するように基材１１０を形成することで、非発光領域４１０の基材１１０の一部の厚さをさらに小さくすることができ、より選択的に非発光領域４１０を変形することができる。このため、表示装置１００の変形時において、発光領域４００に対する負荷をさらに小さくすることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第５実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０のレイアウトが第１乃至第４実施形態で説明したそれと異なる表示装置１００について、図１６乃至図１８を用いて説明する。第１乃至第４実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図１６乃至図１８ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
第１実施形態の表示装置１００では、図５に示すように、隣接する画素１６０の間の全ての非発光領域４１０に第１の溝１７０と第２の溝１８０を有している。これに対し本実施形態では図１６乃至図１８に示すように、非発光領域４１０の一部に第１の溝１７０と第２の溝１８０が選択的に形成されている。
より具体的には図１６に示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０はそれぞれ、複数の画素１６０ごとに、ゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線と平行に形成することができる。図１６では第１の溝１７０と第２の溝１８０は二つの画素１６０ごとに形成され、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで定義される最小面積には４つの画素１６０が二行二列のマトリクス状に配置されている。ただし本実施形態の表示装置１００はこの構成に限られず、例えば三つの画素ごと、あるいは四つの画素ごとに第１の溝１７０と第２の溝１８０が形成されていてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで形成される最小面積に含まれる画素１６０の数にも制約はなく、マトリクスの行と列の数も互いに異なっていてもよい。
図１６で示した構成を採用することで、第１乃至第４実施形態で示した表示装置１００と比較して、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができる。換言すると、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。
あるいは図１７に示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０はゲート線２００と信号線２１０のいずれかに平行な方向のみに形成してもよい。図１７では信号線２１０に沿って延びるように、第１の溝１７０と第２の溝１８０が形成されている。なお、第１の溝１７０と第２の溝１８０は、複数の画素１６０ごとに形成されてもよく、この場合、隣接する第１の溝１７０あるいは第２の溝１８０は複数行、あるいは複数列に配置された複数の画素１６０を挟んで形成される。
図１７のような構成を採用することで、表示装置１００の曲げる方向によって柔軟性を変えることができる。図１７の構成では、信号線２１０が曲がるように変形させるよりも、ゲート線２００が曲がるように変形する方が容易となる。このように、図１７で示した構成は、表示装置１００の変形方向を制御する場合に適している。
あるいは図１８に示すように、第１の溝１７０はゲート線２００と信号線２１０に平行な方向に延びる、かつ互いに分断された複数の溝を与えるように形成してもよい。第２の溝１８０も同様であり、ゲート線２００と信号線２１０に平行な方向に延びる、かつ互いに分断された複数の溝を与えるように形成することができる。この場合、第１の溝１７０、第２の溝１８０は十字を形成する。
図１８の構成を採用することで、図１６の構成と同様に、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができ、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。
なお、本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図１６に示したように配置され、第２の溝１８０が図１７で示したように配置されてもよい。
第１乃至第４実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第６実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０のレイアウト、ならびに画素１６０のレイアウトが第１乃至第５実施形態で説明したそれらと異なる表示装置１００について、図１９乃至図２２を用いて説明する。第１乃至第４実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図２０乃至図２２ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
図１９（Ａ）に示すように、本実施形態の表示装置１００では、画素１６０はペンタイル配列を有している。ゲート線２００や信号線２１０は画素ごとに屈曲した構造を有しているが、全体としては表示領域１２０の短辺、あるいは長辺方向に延びている。なお、本実施形態の表示装置１００における画素１６０の配列はペンタイル配列に限られず、ストライプ配列でもモザイク配列でもよい。発光領域４００の形状も図１９（Ａ）ではひし形の形状をしているが、これに限られることはなく、円形あるいは正方形や長方形などの多角形でもよい。発光領域４００の角も曲線形状に限られない。
図１９（Ｂ）に示すように、本実施形態の表示装置１００の第１の溝１７０と第２の溝１８０は、表示領域１２０の短辺、あるいは長辺に対して斜めの方向に延びるように形成されている。したがって、第１の溝１７０はゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０のいずれとも交差する。同様に第２の溝１８０もゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０のいずれとも交差する。
図１９（Ｂ）に示したようなレイアウトで第１の溝１７０と第２の溝１８０を形成することで、表示領域１２０の短辺、あるいは長辺に対して斜めの方向に表示装置１００を曲げたり折り曲げたりすることが容易となる。
あるいは図２０に示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０はそれぞれ、複数の画素１６０ごとに形成することができる。図２０では第１の溝１７０と第２の溝１８０は二つの画素１６０ごとに形成され、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで定義される最小面積には４つの画素１６０が配置されている。ただし本実施形態の表示装置１００はこの構成に限られず、例えば三つの画素１６０ごと、あるいは四つの画素１６０ごとに第１の溝１７０と第２の溝１８０が形成されていてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで形成される最小面積に含まれる画素１６０の数にも制約はない。
図２０で示した構成を採用することで、第１乃至第４実施形態で示した表示装置１００と比較して、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができる。換言すると、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。
あるいは図２１に示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０はそれぞれ一つの方向に延びるよう、形成することができる。すなわち、第１の溝１７０の全て、第２の溝１８０の全てが同じ方向のベクトルを有するように形成することができる。
図２１に示した構成を採用することで、表示領域１２０の短辺や長辺に対して斜めの方向に、かつ一方向により変形しやすくなる。すなわち、変形方向を制御することが可能となる。
あるいは図２２に示すように、第１の溝１７０は全て一つの方向に延び、かつ互いに分断された複数の溝を与えるように形成してもよい。第２の溝１８０も同様であり、全て一つの方向に延び、かつ互いに分断された複数の溝を与えるように形成してもよい。この場合も、第１の溝１７０と第２の溝１８０はいずれも同じ方向のベクトルを有する。
図２２の構成を採用することで、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができ、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。
なお、本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図１９に示したように配置され、第２の溝１８０が図２０に示したように配置されてもよい。
第１乃至第５実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第７実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状が第１乃至第６実施形態で説明したそれと異なる表示装置１００について、図２３乃至図２６を用いて説明する。第１乃至第６実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図２４乃至図２６ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
本実施形態の表示装置１００では、第１の溝１７０と第２の溝１８０が曲線で表されるように形成される。具体的には、例えば図２３で示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０は、ゲート線２００、信号線２１０、あるいは電流供給線２２０のいずれかに沿って、波状に延びている。このような形状を有する第１の溝１７０と第２の溝１８０を形成することで、表示装置１００は様々な方向に変形することが可能となる。
あるいは図２４で示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０はそれぞれ波状の形状を有し、また、複数の画素１６０ごとに形成することができる。図２４では第１の溝１７０と第２の溝１８０は二つの画素１６０ごとに形成され、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで定義される最小面積には４つの画素１６０が二行二列のマトリクス状に配置されている。ただし本実施形態の表示装置１００はこの構成に限られず、例えば三つの画素ごと、あるいは四つの画素ごとに第１の溝１７０と第２の溝１８０が形成されていてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで形成される最小面積に含まれる画素１６０の数にも制約はなく、マトリクスの行と列の数も互いに異なっていてもよい。
図２４で示した構成を採用することで、第１乃至第４実施形態で示した表示装置１００と比較して、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができる。換言すると、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。
あるいは図２５や２６に示すように、第１の溝１７０と第２の溝１８０は波状の形状を有し、また、ゲート線２００と信号線２１０のいずれかに平行な方向のみに形成してもよい。第１の溝１７０と第２の溝１８０は、複数の画素１６０ごとに形成されてもよく、この場合、隣接する第１の溝１７０あるいは第２の溝１８０は複数行、あるいは複数列に配置された画素１６０を挟んで形成される。
図２５や２６のような構成を採用することで、表示装置１００の曲げる方向によって柔軟性を変えることができる。図２５の構成では、信号線２１０が曲がるように変形させるよりも、ゲート線２００が曲がるように変形する方がより容易となる。逆に図２６の構成では、ゲート線２００が曲がるように変形させるよりも、信号線２１０が曲がるように変形する方がより容易となる。このように、図２４、２５で示した構成は、表示装置１００の変形方向を制御する場合に適している。
なお、本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図２３に示したように配置され、第２の溝１８０が図２４で示したように配置されてもよい。
第１乃至第６実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第８実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状が第１乃至第７実施形態で説明したそれと異なる表示装置１００について、図２７、２８を用いて説明する。第１乃至第７実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図２８ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
本実施形態に係る表示装置１００では、第１の溝１７０は、互いに独立し、かつ閉じた平面形状を複数与える。同様に第２の溝１８０も、互いに独立し、かつ閉じた平面形状を複数与える。例えば図２７に示すように、表示装置１００はデルタ配列した画素１６０を有しており、隣接する４つの画素１６０を取り囲むように、平行四辺形の閉じた形状を与えるように第１の溝１７０、第２の溝１８０が形成されている。
この構成では、第１の溝１７０と第２の溝１８０それぞれで定義される最小面積には４つの画素１６０が配置されている。ただし本実施形態の表示装置１００はこの構成に限られず、第１の溝１７０と第２の溝１８０のそれぞれで定義される最小面積に含まれる画素１６０の数に制約はない。また、画素１６０の配列もデルタ配列に限られず、第１の溝１７０、第２の溝１８０が与える閉じた形状も平行四辺形に限られない
図２７で示した構成を採用することで、第１乃至第４実施形態で示した表示装置１００と比較して、表示装置１００にある程度の物理的強度を付与することができる。換言すると、表示装置１００の柔軟性を容易に制御することができる。また、表示領域１２０の短辺、あるいは長辺方向のみならず、斜め方向（図２７中の矢印の方向）の変形も容易となる。
図２８に示すように、本実施形態に係る表示装置１００では、第１の溝１７０、第２の溝１８０それぞれが与える複数の閉じた平面形状は、互いに線対称の関係であってもよい。図２８に例示した表示装置１００では、一対の閉じた形状ａｂは、画素１６０ａを含む行について線対称の関係にある。このような構成を採用することでも、表示領域１２０の短辺、あるいは長辺方向のみならず、二つの斜め方向（図２８中の矢印の方向）の変形も容易となる。
なお本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図２７に示したような形状を与え、第２の溝１８０が図２８で示した形状を与えるように配置してもよい。
第１乃至第７実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第９実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状が第１乃至第８実施形態で説明したそれと異なる表示装置１００について、図２９、３０を用いて説明する。第１乃至第８実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図３０ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
図２９に示すように、本実施形態に係る表示装置１００では、複数の第１の溝１７０、複数の第２の溝１８０はジグザグ構造を有しており、それぞれゲート線２００に沿って隣接する二つの画素１６０に挟まれる領域において信号線２１０と斜めに交差する。また、その領域における複数の第１の溝１７０のベクトルは、互いに同じである。このような構成を採用することで、表示領域１２０の長辺方向のみならず、斜め方向（図２９中の矢印の方向）の変形も容易となる。
あるいは図３０に示すように、複数の第１の溝１７０、複数の第２の溝１８０はジグザグ構造を有しており、それぞれゲート線２００に沿って隣接する二つの画素１６０に挟まれる領域において信号線２１０と斜めに交差する。またさらに、その領域における第１の溝１７０のベクトルが、隣接する第１の溝１７０と異なるように形成されている。同様に、その領域における複数の第２の溝１８０のベクトルが、隣接する第２の溝１８０と互いに異なるように形成されている。このような構成を採用することで、表示領域１２０の長辺方向のみならず、二つの斜め方向（図３０中の矢印の方向）の変形も容易となる。
なお、本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図２７に示したように配置され、第２の溝１８０が図２８で示したように配置されてもよい。
第１乃至第８実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
（第１０実施形態）
本実施形態では、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状が第１乃至第９実施形態で説明したそれと異なる表示装置１００について、図３１、３２を用いて説明する。第１乃至第９実施形態と同じ構成に関しては説明を割愛する。なお、見やすさを考慮し、図３１、３２ではゲート線２００、信号線２１０、電流供給線２２０などの配線は図示していない。
本実施形態に係る表示装置１００では、第１の溝１７０、第２の溝１８０は、複数の閉じた形状の多角形を与えるように、かつ、隣接する多角形の間で一つの辺が共有されるように形成されている。例えば図３１に示すように、第１の溝１７０は閉じた形状の六角形を与えるように形成されている。また、隣接する六角形は一つの辺を共有している。このため、複数の閉じた形状はハニカムパターンを形成する。
一つの閉じた形状の中では７つの画素１６０が含まれており、そのうち６つの画素１６０は六角形の頂点に位置している。ただし、本実施形態はこのような形態に限られず、一つの閉じた形状に含まれる画素１６０の数は７つに限定されることはない。
また、閉じた形状の多角形は六角形に限られることはなく、例えば図３２に示すように、三角形でもよい。ここでも三角形の一辺は隣接する三角形によって共有されている。図３２では一つの閉じた形状の三角形の中に三つの画素１６０が含まれる例を示しているが、これに限られることはなく、四つ以上の画素１６０が含まれていてもよい。このような構成を採用することで、表示領域１２０の長辺方向のみならず、二つの斜め方向（図３１、３２中の矢印の方向）の変形も容易となる。
なお、本実施形態では、第３実施形態で示したように第２の溝１８０は形成しなくてもよい。また、第１の溝１７０と第２の溝１８０の形状は互いに異なっていてもよい。例えば第１の溝１７０が図２７に示したような形状を与え、第２の溝１８０が図２８で示した形状を与えるように配置されてもよい。
第１乃至第７実施形態と同様に、本実施形態に係る表示装置では、非発光領域４１０において基材１１０と封止膜３８０の厚さが部分的に小さい。したがって非発光領域４１０を選択的に変形させることができ、発光領域４００に負荷をかけずに表示装置１００全体を変形させることができる。その結果、表示不良が発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１００：表示装置、１１０：基材、１２０：表示領域、１３０：配線、１４０：端子、１５０：ＩＣチップ、１６０：画素、１６０ａ：画素、１７０：第１の溝、１８０：第２の溝、１９０：リッジ、２００：ゲート線、２０２：ゲート線、２１０：信号線、２１２：信号線、２２０：電流供給線、２３０：半導体膜、２３２：半導体膜、２４０：配線、２４２：配線、２４４：配線、２５０：コンタクトホール、２６０：トランジスタ、２７０：トランジスタ、２８０：第１の電極、２９０：開口部、３００：下地膜、３１０：ゲート絶縁膜、３２０：層間絶縁膜、３３０：平坦化膜、３４０：隔壁、３５０：有機ＥＬ層、３６０：第２の電極、３８０：封止膜、３８１：無機絶縁膜、３８２：有機絶縁膜、３８３：無機絶縁膜、３９０：偏光板、４００：発光領域、４１０：非発光領域、４２０：支持基板、４２２：リッジ、４２４：リッジ

Claims (19)

  1. 基材と、
    前記基材の第１の面上にそれぞれ発光領域を有する複数の発光素子を有し、
    前記基材の第２の面に、前記複数の発光素子から選ばれる隣接する二つの発光素子の発光領域の間に挟まれた非発光領域と重なる第１の溝を有する、表示装置。
  2. 基材と、
    前記基材の第１の面上にそれぞれ発光素子を有する複数の画素を有し、
    前記基材の第２の面に、前記複数の画素から選ばれる隣接する二つの画素の間に挟まれた領域と重なる第１の溝を有し、
    前記基材の前記第１の面に、前記第１の溝と重なり、前記基材からなるリッジを有する、表示装置。
  3. 前記第１の溝内の基材の厚さは、前記発光素子の発光領域の下における前記基材の厚さよりも小さい、請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 無機絶縁膜を前記発光素子上に有し、
    前記無機絶縁膜が、前記第１の溝と重なる第２の溝を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
  5. 無機絶縁膜を前記発光素子上に有し、
    前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を有し、
    前記有機絶縁膜が、前記第１の溝と重なる第２の溝を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
  6. 前記第２の溝は前記第１の溝に沿って延びている、請求項４または５に記載の表示装置。
  7. 前記第２の溝が設けられた領域内における前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜の厚さは、前記第２の溝が設けられていない領域における前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜の厚さよりもそれぞれ小さい、請求項５に記載の表示装置。
  8. ゲート線と、
    信号線と、
    電流供給線を前記基材の前記第1の面上に有し、
    前記第１の溝と前記第２の溝は、少なくとも前記ゲート線、前記信号線、前記電流供給線の少なくとも一つと重なる、請求項４に記載の表示装置。
  9. 前記第１の溝と前記第２の溝の各々は、前記ゲート線、前記信号線、前記電流供給線の少なくとも一つに沿って延びている、請求項８に記載の表示装置。
  10. 前記基材は可撓性を有する、請求項１または２に記載の表示装置。
  11. リッジを有する支持基板上に基材を形成し、
    前記基材の一方の面上に、各々発光素子を有する複数の画素を、前記リッジが前記複数の画素に挟まれた領域と重なるように形成し、
    前記支持基板を前記基材から分離することを含む、表示装置の作製方法。
  12. 前記リッジ上における前記基材の厚さが、前記発光素子の発光領域の下における前記基材の厚さよりも小さくなるように前記基材に第１の溝を形成する、請求項１１に記載の表示装置の作製方法。
  13. 前記発光素子上に無機絶縁膜を形成し、
    前記無機絶縁膜に第２の溝を形成することをさらに含む、請求項１１に記載の表示装置の作製方法。
  14. 前記発光素子上に無機絶縁膜を形成し、
    前記無機絶縁膜上に有機絶縁膜を形成し、
    前記有機絶縁膜に第２の溝を形成することをさらに含む、請求項１２に記載の表示装置の作製方法。
  15. 前記第２の溝が設けられた領域における前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜の厚さが、前記発光領域の上であり、かつ前記第２の溝が設けられていない領域における前記無機絶縁膜および前記有機絶縁膜の厚さよりもそれぞれ小さい、請求項１４に記載の表示装置の作製方法。
  16. ゲート線と、信号線と、電流供給線を、前記ゲート線と、前記信号線と、前記電流供給線の少なくとも一つが前記リッジと重なるように、前記基材の前記一方の面上に形成することをさらに含む、請求項１１に記載の表示装置の作製方法。
  17. 前記ゲート線と、前記信号線と、前記電流供給線の少なくとも一つが前記リッジに沿って延びるように、前記ゲート線と、前記信号線と、前記電流供給線を形成する、請求項１６に記載の表示装置の作製方法。
  18. ゲート線と、信号線と、電流供給線を形成することをさらに含み、
    前記ゲート線と、前記信号線と、前記電流供給線の少なくとも一つと重なるように前記第２の溝を形成する、請求項１３に記載の表示装置の作製方法。
  19. 前記基材は可撓性を有する、請求項１１に記載の表示装置の作製方法。
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