JP6998652B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態の一つは、有機ＥＬ表示装置や液晶装置などの表示装置とその作製方法に関する。例えば、可撓性の表示装置とその作製方法に関する。

表示装置の代表例として、液晶素子や発光素子を各画素に有する液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置などが挙げられる。これらの表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に液晶素子あるいは有機発光素子（以下、発光素子）を有している。液晶素子や発光素子は一対の電極間に液晶あるいは有機化合物を含む層（以下、有機層、あるいはＥＬ層と記す）をそれぞれ有しており、一対の電極間に電圧を印加する、あるいは電流を供給することで駆動される。

このような表示装置の基板に可撓性を付与することで、可撓性の表示装置を作製することができる。例えば特許文献１では、一枚の可撓性の基板上に複数の表示領域を有する表示装置が開示されている。表示領域間において基板を任意の角度で折り曲げることで、複数の表示装置を異なる曲面上に設置することができる。

特開２０１１－１８３９１６号公報

本発明の実施形態は、信頼性の高い表示装置、可撓性の表示装置を提供することを目的の一つとする。あるいは、本発明の実施形態は、上記表示装置の作製方法を提供することを目的の一つとする。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、第１の領域と、第１の領域を挟む複数の第２の領域を含有するベースフィルムを有する。表示装置はさらに、ベースフィルム上に位置し、複数の第２の領域においてベースフィルムと接する無機絶縁膜と、第１の領域と重なる複数の第１の画素と、無機絶縁膜を介して複数の第２の領域と重なる複数の第２の画素を有する。無機絶縁膜は、第１の領域で分断され、複数の第２の領域間で不連続である。

本発明の実施形態の一つは表示装置である。表示装置は、第１の領域と第２の領域を含有するベースフィルムと、ベースフィルム上に位置し、第１の領域と第２の領域においてベースフィルムと接する下地膜と、第１の領域と第２の領域とそれぞれ重なる複数の第１の画素と複数の第２の画素を有する。複数の第１の画素と複数の第２の画素はそれぞれ、互いに重なる半導体膜とゲート電極と、半導体膜とゲート電極間のゲート絶縁膜を有し、第１の領域における下地膜の厚さは、第２の領域における下地膜の厚さよりも小さい。

本発明の実施形態の一つは、表示装置である。表示装置は、複数の第１の画素を有する第１の表示領域、複数の第２の画素を有する第２の表示領域、および第１の表示領域と第２の表示領域の間の第１の領域を含有するベースフィルムと、第１の表示領域と第２の表示領域においてベースフィルムと重なる無機絶縁膜を有する。ベースフィルムは、第１の領域において無機絶縁膜から露出する。

本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的斜視図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的展開図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的斜視図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の画素の模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の作製方法を示す模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的断面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の配線の上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の配線の上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。 本発明の実施形態の一つである表示装置の模式的上面図。

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。

本発明において、ある一つの膜を加工して複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。

（第１実施形態）
本実施形態では、本発明の実施形態の一つである表示装置１００の構造に関して説明する。

［１．全体構造］
表示装置１００の模式的な斜視図を図１に示す。図１に示すように、表示装置１００は基板１０２と対向基板１０４を有し、基板１０２と対向基板１０４の間に、行方向と列方向に配置される複数の画素１０６を有する。複数の画素１０６が設けられる領域が表示領域１０８である。

各画素１０６は、液晶素子や発光素子などの表示素子を有している。基板１０２上にはさらに、走査線駆動回路１１０、データ線駆動回路１１２が設けられる。画素１０６を駆動するための各種信号が、基板１０２上に設けられた端子１１４に接続されるフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）などのコネクタを経由して、外部回路（図示せず）から走査線駆動回路１１０やデータ線駆動回路１１２に入力される。これらの信号に基づいて各画素１０６内の表示素子が制御され、表示領域１０８に映像が再現される。

走査線駆動回路１１０、データ線駆動回路１１２のいずれか、あるいは両方は、基板１０２の上に直接形成される必要はなく、基板１０２とは異なる基板（半導体基板など）上に形成された駆動回路を基板１０２やコネクタ上に設け、これらの駆動回路によって各画素１０６を制御してもよい。図１では、表示領域１０８と、基板１０２上に形成された走査線駆動回路１１０が対向基板１０４に覆われ、一方、別基板上に形成されたデータ線駆動回路１１２が基板１０２上に搭載される例が示されている。

基板１０２、対向基板１０４として可塑性を有する基板を用いることができる。この場合、基板１０２はベースフィルム、基材などと呼ばれることがあり、対向基板１０４はキャップフィルム、基材とも呼ばれる。可撓性を有する基板１０２、対向基板１０４を用いることで、表示装置１００に可撓性を付与することができる。対向基板１０４には樹脂フィルムや円偏光板を用いることができる。

図２に表示装置１００の模式的な展開図を示す。図２に示すように、表示装置１００は、基板１０２に接するように設けられる下地膜１１６を基板１０２上に有する。下地膜１１６は基板１０２の上面の全てを覆う必要はなく、部分的に覆えばよい。具体的には、基板１０２の一部は下地膜１１６と接することなく、下地膜１１６から露出する。下地膜１１６は、後述する無機絶縁体を含むことができる。よって、下地膜１１６は無機絶縁膜と呼ばれる。表示装置１００では、複数の画素１０６は、下地膜１１６が設けられる領域、および下地膜１１６が基板１０２と接しない領域の両方にわたって配置される。

下地膜１１６と対向基板１０４の間にはパターニングされた種々の絶縁膜、導電膜が設けられ、これらの積層膜によって画素１０６や走査線駆動回路１１０、端子１１４などが構成される。

図３に表示装置１００の上面模式図を示す。図３では、基板１０２とその上に設けられる下地膜１１６が描かれており、表示領域１０８や走査線駆動回路１１０が設けられる領域は点線で示されている。上述したように、下地膜１１６は基板１０２の全てを覆う必要はない。具体的には、基板１０２の一部の領域（第１の領域）１２０には設けられず、この領域では基板１０２の上面は下地膜１１６から露出する。図３に示した例では、基板１０２は帯状の第１の領域１２０を有し、さらに、第１の領域１２０を挟み、下地膜１１６に覆われる２つの領域（第２の領域）１２２を有する。下地膜１１６は第１の領域１２０において分断され、２つの第２の領域１２２間で不連続である。換言すると、下地膜１１６は開口部、あるいはスリットを有しており、開口部やスリットが設けられる領域が第１の領域１２０である。

第１の領域１２０は表示領域１０８を横切るように設けられ、複数の画素１０６（第１の画素）が第１の領域１２０と重なる。この時、第１の領域１２０と重なる画素１０６はマトリクスを形成することができる。一方、２つの第２の領域１２２も表示領域１０８、およびこれに含まれる複数の画素１０６（第２の画素）と重なる。すなわち、各第２の領域１２２と重なる画素１０６はマトリクスを形成することができる。図３に示すように、第１の領域１２０は走査線駆動回路１１０と重なってもよい。

図４に図３の鎖線Ａ－Ａ’に沿った断面模式図を示す。図４に示すように、第１の領域１２０では基板１０２が下地膜１１６から露出するのに対し、第２の領域１２２においては基板１０２と下地膜１１６が接している。第１の領域１２０、第２の領域１２２はいずれも複数の画素１０６と重なる。各画素１０６には発光素子１７０などの表示素子が設けられる。したがって、表示装置１００では、第１の領域１２０と第２の領域１２２と重なる表示領域１０８の全体で映像を再現することができる。

［２．断面構造］
図５に、互いに隣接し、発光素子１７０を含む２つの画素１０６の上面模式図を示す。ここでは見やすさを考慮し、構成要素が互いに重ならないように示されているが、複数の構成要素が互いに重なってもよい。また、一部の構成要素は省略されている。

図５に示すように、表示装置１００は複数のゲート線１３２、複数のデータ線１３０、複数の電流供給線１３４などの配線を有する。ゲート線１３２には複数の画素１０６が電気的に接続され、そのうちの２つが図５に示されている。データ線１３０、電流供給線１３４は、これらの配線に沿って配置される複数の画素１０６と接続される。

画素１０６は、トランジスタ１４０、１５０を有する。トランジスタ１４０は、半導体膜１４２、ゲート１４４（ゲート電極）、ドレイン１４６（ドレイン電極）、ソース１４８（ソース電極）などを有する。ゲート１４４はゲート線１３２の一部であり、ドレイン１４６はデータ線１３０の一部である。

トランジスタ１５０は、半導体膜１６４の一部、ゲート１５２（ゲート電極）、ドレイン１５４（ドレイン電極）、ソース１５６（ソース電極）などを有する。ドレイン１５４は電流供給線１３４の一部である。トランジスタ１４０のソース１４８は、ゲート線１３２と同一の層に存在する第１の容量電極１６０と接続され、第１の容量電極１６０の一部がトランジスタ１５０のゲート１５２として機能する。したがって、データ線駆動回路１１２が生成し、データ線１３０から入力される信号は、トランジスタ１４０を介してトランジスタ１５０のゲート１５２に入力される。

第１の容量電極１６０と重なるように半導体膜１６４と第２の容量電極１６２が設けられる。図５では図示しないが、後述するように、第１の容量電極１６０と半導体膜１６４の間には、トランジスタ１４０やトランジスタ１５０のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜が設けられ、半導体膜１６４と第２の容量電極１６２の間には、トランジスタ１４０やトランジスタ１５０のゲート１４４、１５２を覆う層間膜として機能する絶縁膜が設けられる。第１の容量電極１６０、ゲート絶縁膜、半導体膜１６４、層間膜、および第２の容量電極１６２によって容量１５８が形成され、トランジスタ１５０のゲート１５２の電位の維持に寄与する。

画素１０６にはさらに付加容量電極１６６が設けられ、付加容量電極１６６は電流供給線１３４と電気的に接続されることができる。各画素１０６には画素電極として機能する第１の電極１７２が設けられる。図５では、見やすさを考慮し、左側の画素１０６では第１の電極１７２は図示していない。第１の電極１７２はトランジスタ１５０のソース１５６と電気的に接続される。図５では図示していないが、付加容量電極１６６と第１の電極１７２、およびこれらの間に設けられる絶縁膜によって付加容量が形成され、トランジスタ１５０のゲート１５２の電位の維持に寄与する。

図５では示されていないが、発光素子１７０の第２の電極１７８が第１の電極１７２上に形成される。第２の電極１７８は複数の画素１０６にわたって設けられ、したがって、第２の電極１７８は複数の画素１０６によって共有される。第１の電極１７２と第２の電極１７８の間には図示しないＥＬ層が形成され、これらによって発光素子１７０が形成される。図示しないが、画素１０６の構成は図５に示したものに限られず、画素１０６はさらに、他の配線やトランジスタ、容量などを含んでいてもよい。あるいは、付加容量を設けなくてもよい。

図５の鎖線Ｂ－Ｂ’に沿った断面模式図を図６（Ａ）、（Ｂ）に示す。ここで、図６（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ、第２の領域１２２と第１の領域１２０内に設けられる画素１０６の断面模式図である。

図６（Ａ）に示すように、第２の領域１２２において各画素１０６は、基板１０２上に下地膜１１６を有している。下地膜１１６は無機絶縁体を含むことができ、無機絶縁体としては、酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの含ケイ素無機物が例示される。下地膜１１６は単層構造、積層構造のいずれを有してもよい。図６（Ａ）では、下地膜１１６が３つの層（第１の層１１６＿１、第２の層１１６＿２、第３の層１１６＿３）を有する例が示されている。この場合、例えば第２の層１１６＿２として窒化ケイ素を含む膜を用い、第１の層１１６＿１、第３の層１１６＿３として酸化ケイ素を含む膜を使用することができる。この時の第１の層１１６＿１、第２の層１１６＿２、第３の層１１６＿３の厚さは、それぞれ２０ｎｍから５０ｎｍ、２０ｎｍから５０ｎｍ、１００ｎｍから５００ｎｍとすることができる。

第２の領域１２２では、トランジスタ１５０が下地膜１１６上に備えられる。トランジスタ１５０のゲート絶縁膜１１８の一部、および半導体膜１６４は下地膜１１６と接することができる。

半導体膜１６４の一部は容量１５８の電極の一つを兼ねており、この上にゲート絶縁膜１１８、第１の容量電極１６０が設けられ、さらに第１の容量電極１６０とゲート１５２を覆う層間膜１２４が形成される。層間膜１２４の上には、第１の容量電極１６０と重なる第２の容量電極１６２が設けられる。第２の容量電極１６２はソース１５６を兼ねる。

画素１０６はさらに、任意の構成として、トランジスタ１５０や容量１５８を覆うように第１のパッシベーション膜１２６を有してもよい。

トランジスタ１５０や容量１５８の上には、これらの素子に起因して生じる凹凸を吸収し、平坦な表面を与えるための平坦化膜１６８が設けらる。平坦化膜１６８は開口部を有し、開口部において、接続電極１８０を介して発光素子１７０の第１の電極１７２がトランジスタ１５０のソース１５６と電気的に接続される。

平坦化膜１６８上には、平坦化膜１６８に設けられる開口部や第１の電極１７２の端部に起因する凹凸を吸収するための隔壁１８６が設けられ、第１の電極１７２と隔壁１８６の上にはＥＬ層１８８、および第２の電極１７８が形成される。第１の電極１７２、ＥＬ層１８８、および第２の電極１７８によって発光素子１７０が形成される。

画素１０６は、任意の構成として第２のパッシベーション膜１９０を発光素子１７０上に有することができ、これにより、外部から水や酸素などの不純物が発光素子１７０へ侵入することを防ぐことができる。

発光素子１７０、あるいは第２のパッシベーション膜１９０上に対向基板１０４が設けられる。図示していないが、発光素子１７０、あるいは第２のパッシベーション膜１９０と対向基板１０４の間には接着層などを設けることができる。

一方、第１の領域１２０の画素１０６では、下地膜１１６が設けられず、このため、例えばゲート絶縁膜１１８の一部が基板１０２と接することができる。また、半導体膜１６４も下地膜１１６と接してもよい。下地膜１１６が設けられない点を除き、第１の領域１２０の画素の構造は第２の領域１２０のそれと同様であるが、前者には下地膜１１６が存在しないため、平坦化膜１６８の厚さは、第２の領域１２２内よりも第１の領域１２０内の方が大きい。

上述したように、下地膜１１６は無機絶縁体を含む膜であり、有機物を含む膜と比較して硬い。このため、表示装置１００を曲げる、あるいは折りたたんで変形すると下地膜１１６にはクラックが発生しやすい。クラックの発生は、下地膜１１６の上に設けられる配線の破損、断線を誘発する。例えば、ゲート線１３２やデータ線１３０、電流供給線１３４などの配線、あるいは第１の容量電極１６０や第２の容量電極１６２、付加容量電極１６６や第１の電極１７２などの電極が破損、断線される。その結果、表示装置１００内において一部、あるいは全ての画素１０６からの発光が得られなくなり、表示装置１００は表示装置として機能することができなくなる。

しかしながら図３や図４に示すように、下地膜１１６が設けられない第１の領域１２０を形成することで、第１の領域１２０において表示装置１００を容易に、あるいは選択的に曲げることができる。例えば表示装置１００、および基板１０２が図７に示すような三次元構造をとる場合、第１の領域１２０において基板１０２が曲げられ、２つの第２の領域１２２が互いに重なるように変形される。第１の領域１２０では、下地膜１１６の破損に起因した配線や電極の破損、断線が生じない。その結果、配線の破損、断線を効果的に抑制することができ、表示装置１００の破壊を防ぐことができる。このため、本実施形態を適用することで、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することが可能となる。

（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態とは異なる構造を有する表示装置２００について説明する。第１実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。

表示装置２００は、第１の領域１２０と第２の領域１２２の両方に下地膜１１６が設けられる点、および第１の領域１２０内の下地膜１１６の厚さが、第２の領域１２２内の下地膜１１６の厚さよりも小さい点で、表示装置１００と異なる。

図８（Ａ）、（Ｂ）に、表示装置２００の画素１０６の断面模式図を示す。図８（Ａ）、（Ｂ）は図５の鎖線Ｂ－Ｂ’に対応しており、それぞれ第２の領域１２２、第１の領域１２０の画素１０６の断面を模式的に示す。図８（Ａ）に示すように、第２の領域１２２の画素１０６は表示装置１００のそれと同様であり、基板１０２とトランジスタ１５０の間に下地膜１１６が配置され、下地膜１１６は基板１０２と接する。

表示装置２００では、第２の領域１２２の下地膜１１６の一部が第１の領域１２０へ延伸し、第１の領域１２０の画素１０６内においてトランジスタ１５０と基板１０２の間に挟持される。図８（Ｂ）では第１の層１１６＿１が第２の領域１２２から第１の領域１２０へ延伸している例が示されている。このため、第１の領域１２０における下地膜１１６が含む層の数、あるいは下地膜１１６の厚さは、第２の領域１２２における下地膜１１６が含む層の数、あるいは下地膜１１６の厚さよりも小さい。図示していないが、第１の領域１２０へ延伸する下地膜１１６は、第２の層１１６＿２でもよく、第３の層１１６＿３でもよい。

このような構成を採用することで、第１実施形態と同様、第１の領域１２０に対し、第２の領域１２２よりも高い柔軟性を与えることができ、表示装置２００の第１の領域１２０は第２の領域１２２と比較して容易に変形することができる。第１の領域１２０を曲げて表示装置２００を変形しても、この領域では下地膜１１６は薄いため、下地膜１１６にクラックが発生しにくい。このため、配線や電極の破損、断線の誘発を抑制することができ、表示装置２００の破壊を防止することができる。このため、本実施形態を適用することで、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することが可能となる。

また、第１の領域１２０にも下地膜１１６を設置することで、基板１０２からアルカリイオンなどの不純物がトランジスタ１４０、１５０へ侵入することを防ぐことができ、表示装置を駆動するための半導体素子に対しても高い信頼性を付与することができる。

（第３実施形態）
本実施形態では、第１実施形態で述べた表示装置１００の作製方法を図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図９（Ａ）から図１７を参照して説明する。第１実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。図９（Ａ）から図１７は、図６（Ａ）あるいは図６（Ｂ）に対応し、図５に示した鎖線Ｂ－Ｂ’に沿った、第２の領域１２２、あるいは第１の領域１２０における画素１０６の断面模式図である。

［１．下地膜］
図９（Ａ）に示すように、支持基板１２８上に基板１０２を形成する。支持基板１２８は、基板１０２やその上に形成されるトランジスタ１４０、１５０、容量１５８、発光素子１７０などの種々の素子を支持する機能を有する。したがって支持基板１２８には、この上に形成される上記素子のプロセスの温度に対する耐熱性とプロセスで使用される薬品に対する化学的安定性を有する材料を使用すればよい。具体的には、支持基板１２８はガラスや石英、プラスチック、金属、セラミックなどを含むことができる。

基板１０２は可撓性を有する絶縁膜であり、例えば高分子材料を含むことができる。高分子材料としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートなどが挙げられる。これらの高分子は鎖状高分子でもよく、分子間で架橋して三次元ネットワークを形成していてもよい。基板１０２は、例えば印刷法やインクジェット法、スピンコート法、ディップコーティング法などの湿式成膜法、あるいはラミネート法などを適用して作製することができる。あるいは基板１０２は、上記高分子の前駆体を支持基板１２８上に形成し、その後前駆体に対して高分子反応を行うことで形成してもよい。

次に図９（Ａ）に示すように、基板１０２上の第２の領域１２２に下地膜１１６を形成する。第１実施形態でも述べたように、下地膜１１６は窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機絶縁体を含むことができる。下地膜１１６は化学気相成長法（ＣＶＤ法）やスパッタリング法などを適用して単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えば下地膜１１６を基板１０２のほぼ全面に形成した後、エッチングを行って第１の領域１２０上の下地膜１１６を選択的に除去すればよい。下地膜１１６に積層構造を適用する場合、例えば窒化ケイ素を含む膜を酸化ケイ素を含む膜で挟持した構造を用いることができる。図９（Ａ）では、下地膜１１６が第１の層１１６＿１、第２の層１１６＿２、第３の層１１６＿３を含む三層の構造を有する例が示されている。

［２．トランジスタ］
次に、半導体膜１６４を各画素１０６に形成する（図９（Ｂ））。半導体膜１６４は例えばケイ素などの１４族元素を含むことができる。あるいは半導体膜１６４は酸化物半導体を含んでもよい。酸化物半導体としては、インジウムやガリウムなどの第１３族元素を含むことができ、例えばインジウムとガリウムの混合酸化物（ＩＧＯ）が挙げられる。酸化物半導体を用いる場合、半導体膜１６４はさらに１２族元素を含んでもよく、一例としてインジウム、ガリウム、および亜鉛を含む混合酸化物（ＩＧＺＯ）が挙げられる。半導体膜１６４の結晶性に限定はなく、半導体膜１６４は単結晶、多結晶、微結晶、あるいはアモルファスの結晶状態をとることができる。あるいは、これらの結晶状態が半導体膜１６４内に混在していてもよい。

半導体膜１６４がケイ素を含む場合、半導体膜１６４は、シランガスなどを原料として用い、ＣＶＤ法によって形成すればよい。得られるアモルファスシリコンに対して加熱処理、あるいはレーザなどの光を照射することで結晶化を行ってもよい。半導体膜１６４が酸化物半導体を含む場合、スパッタリング法などを利用して形成することができる。

次に、半導体膜１６４に対して一回目のドーピングを行う。具体的には、トランジスタ１５０のチャネル領域を形成する部分を覆うように、レジストマスク１９８を半導体膜１６４上に形成する（図９（Ｂ））。この状態でイオンを半導体膜１６４にドープする。イオンとしては、例えばｎ型導電性を付与するりんや窒素のイオン、あるいはｐ型導電性を付与するホウ素などを用いることができる。その後レジストマスク１９８を除去する。これにより、図１０（Ａ）に示すように、半導体膜１６４にドープ領域１６４＿１とアンドープ領域１６４＿２が形成される。

次に半導体膜１６４を覆うようにゲート絶縁膜１１８を形成する（図１０（Ａ））。ゲート絶縁膜１１８は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１１６で使用可能な材料を含むことができる。ゲート絶縁膜１１８はＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。

引き続き、ゲート絶縁膜１１８上にゲート１５２、およびゲート１５２と同一の層に存在する第１の容量電極１６０をスパッタリング法やＣＶＤ法を用いて形成する（図１０（Ｂ））。ゲート１５２は、アンドープ領域１６４＿２と重なるように設けられる。一方、第１の容量電極１６０はドープ領域１６４＿１と重なるように設けられる。ゲート１５２や第１の容量電極１６０は、チタンやアルミニウム、銅、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属やその合金などを用い、単層、あるいは積層構造を有するように形成することができる。例えばアルミニウムや銅などの高導電性金属上にチタンやタングステン、モリブデンなどの高融点金属が積層された構造、あるいは高導電性金属が高融点金属で挟持された構造などを採用することができる。

次に、ゲート１５２をマスクとして用い、半導体膜１６４に対して二回目のドーピングを行う。この時のドーピング条件は、一回目のドーピングと比較して低濃度で半導体膜１６４がドープされるように調整される。これにより、アンドープ領域１６４＿２のゲート１５２と重ならない領域に低濃度不純物領域１６４＿３が形成される（図１１（Ａ））。低濃度不純物領域１６４＿３は、ドープ領域１６４＿１と比較して不純物の濃度が小さい。アンドープ領域１６４＿２は不純物がドープされない、あるいは実質的にドープされない領域であり、チャネル領域として機能する。

次にゲート１５２、第１の容量電極１６０上に層間膜１２４を形成する（図１１（Ｂ））。層間膜１２４は単層構造、積層構造のいずれの構造を有していてもよく、下地膜１１６で使用可能な材料を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。

次に、層間膜１２４とゲート絶縁膜１１８に対してエッチングを行い、ドープ領域１６４＿１に達する開口部を形成する（図１１（Ｂ））。開口部は、例えばフッ素含有炭化水素を含むガス中でプラズマエッチングを行うことで形成することができる。

次に開口部を覆うように金属膜を形成し、エッチングを行って金属膜を成形することで、ソース１５６、ドレイン１５４を形成する（図１２（Ａ））。ここで、ソース１５６は第２の容量電極１６２を兼ねており、一部が第１の容量電極１６０と重なる。第１の容量電極１６０と重なるドープ領域１６４＿１とゲート絶縁膜１１８、第１の容量電極１６０、第１の容量電極１６０と第２の容量電極１６２に挟まれる層間膜１２４、および第２の容量電極１６２により容量１５８が形成され、ゲート１５２の電位の維持に寄与する。

金属膜は、ゲート１５２で使用可能な金属を含むことができ、単層構造、積層構造のいずれの構造を有してもよい。金属膜は、スパッタリング法やＣＶＤ法を適用して形成することができる。

以上の工程により、トランジスタ１５０が形成される。トランジスタ１４０も同一のプロセスで形成することができる。

［３．中間層］
任意の構成として、トランジスタ１５０の上に第１のパッシベーション膜１２６を形成してもよい（図１２（Ａ））。第１のパッシベーション膜１２６も単層構造、あるいは積層構造を有することができ、無機絶縁体を含むことができる。無機絶縁体としては酸化ケイ素や窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などのシリコンを含有する無機絶縁体が挙げられ、これらを含む膜はスパッタリング法やＣＶＤ法によって形成することができる。

次に平坦化膜１６８を形成する（図１２（Ｂ））。平坦化膜１６８は、トランジスタ１５０や容量１５８などに起因する凹凸を吸収し、平坦な面を与える。平坦化膜１６８は有機絶縁体で形成することができる。有機絶縁体としてエポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナート、ポリシロキサンなどの高分子材料が挙げられ、上述した湿式成膜法などによって形成することができる。

次に平坦化膜１６８と第１のパッシベーション膜１２６に対してエッチングを行い、ソース１５６に達する開口部を形成する（図１２（Ｂ））。その後開口部を覆うように接続電極１８０を形成する（図１３（Ａ））。接続電極１８０は例えばインジウム―スズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム―亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの透光性を有する導電性酸化物を用い、スパッタリング法などを適用して形成することができる。接続電極１８０は必ずしも設置する必要はないが、設置することによって引き続くプロセスにおいてソース１５６の表面など、露出している金属の表面を保護することができ、コンタクト抵抗の増大を防ぐことができる。

図示しないが、接続電極１８０の形成後に付加容量電極１６６を形成することができる（図５参照）。付加容量電極１６６は、例えばアルミニウム、銅、チタン、モリブデン、タングステン、タンタルなどの金属あるいはこれらの合金を含むことができる。付加容量電極１６６も単層構造、積層構造いずれの構造をとることができ、例えばモリブデン／アルミニウム／モリブデンの積層構造を適用することができる。付加容量電極１６６は、後に形成される発光素子１７０の第１の電極１７２とともに付加容量を形成する。

この後、絶縁膜１８２を形成する（図１３（Ａ））。絶縁膜１８２は付加容量の誘電体としても機能する。絶縁膜１８２は窒化ケイ素など、下地膜１１６やゲート絶縁膜１１８に用いることができる材料を含むことができ、これらの膜の形成方法を適用することができる。絶縁膜１８２はトランジスタ１５０と発光素子１７０の電気的な接続を行うコンタクト部（すなわち、平坦化膜１６８の開口部に形成された接続電極１８０の底面）の一部を露出するための開口部を有している。

［４．発光素子］
次に発光素子１７０の第１の電極１７２を形成する（図１３（Ｂ））。発光素子１７０からの発光を第１の電極１７２を通して取り出す場合には透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。一方、発光素子１７０からの発光を第１の電極１７２とは反対側から（第２の電極１７８を通して）取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属、あるいはこれらの合金を用いることができる。あるいは上記金属や合金と導電性酸化物との積層、例えば金属を導電性酸化物で挟持した積層構造（例えばＩＴＯ／銀／ＩＴＯなど）を採用することができる。

第１の電極１７２の形成後、隔壁１８６を形成する（図１４）。隔壁１８６は第１の電極１７２の端部、ならびに平坦化膜１６８に設けられた開口部に起因する段差を吸収し、かつ、隣接する画素１０６の第１の電極１７２を互いに電気的に絶縁する機能を有する。隔壁１８６はバンク（リブ）とも呼ばれる。隔壁１８６は平坦化膜１６８で使用可能な材料を用いて形成することができる。隔壁１８６は、第１の電極１７２の一部を露出するように開口部を有しており、その開口端はなだらかなテーパー形状となるのが好ましい。これにより、後に形成されるＥＬ層１８８や第２の電極１７８のカバレッジ不良を防ぐことができる。

図１３（Ａ）や図１３（Ｂ）、図１４に示すように、絶縁膜１８２には、平坦化膜１６８と隔壁１８６が直接接触できるように開口部１８４を設けてもよい。このような構造を採用することにより、隔壁１８６形成後の熱処理等において、平坦化膜１６８から脱離する水などの不純物を隔壁１８６を通じて解放することができる。

隔壁１８６の形成後、発光素子１７０のＥＬ層１８８、およびＥＬ層１８８上の第２の電極１７８を形成する（図１５）。ここでは、ＥＬ層１８８は第１の層１７４、第２の層１７５、第３の層１７６の３層からなる構成を示しているが、ＥＬ層１８８の構成はこれに限られず、単層の構造、あるいは４層以上の構造を有するＥＬ層１８８を用いてもよい。例えば電荷注入層、電荷輸送層、発光層、電荷阻止層、励起子阻止層などを適宜用いることができる。あるいは一つの層が複数の層の機能を兼ねてもよい。ＥＬ層１８８は蒸着法、インクジェット法、印刷法、スピンコート法などによって形成することができる。

図１５に示した例では、ＥＬ層１８８のうち第１の層１７４と第３の層１７６は電荷注入層、電荷輸送層、あるいはこれらの積層であり、隣接する画素１０６に跨るように形成することができる。すなわち、各画素１０６によって共有される。これに対して第２の層１７５は発光層であり、図示していないが、隣接する画素１０６間で異なる材料あるいは構造を有することができ、これにより、隣接する画素１０６同士で異なる発光色を得ることがでる。ただし、第２の層１７５を白色発光する構成とし、全ての画素１０６に共有されるように形成してもよい。この場合、カラーフィルタなどを用いて各画素１０６から取り出す光の波長を選択し、フルカラー表示を行えばよい。

ＥＬ層１８８の形成後、第２の電極１７８を形成する（図１５）。第１の電極１７２、ＥＬ層１８８、第２の電極１７８によって発光素子１７０が形成される。第１の電極１７２と第２の電極１７８からキャリア（電子、ホール）がＥＬ層に注入され、キャリアの再結合によって得られる励起状態が基底状態に緩和するプロセスを経て発光が得られる。したがって発光素子１７０のうち、ＥＬ層１８８と第１の電極１７２が互いに直接接している領域が発光領域である。

発光素子１７０からの発光を第１の電極１７２を通して取り出す場合には、アルミニウムや銀などの金属あるいはこれらの合金を第２の電極１７８に用いることができる。一方、発光素子１７０からの発光を第２の電極１７８を通して取り出す場合には、上記金属や合金を用い、可視光を透過する程度の膜厚を有するように第２の電極１７８を形成する。あるいは第２の電極１７８には、透光性を有する材料、例えばＩＴＯやＩＺＯなどの導電性酸化物を用いることができる。また、上記金属や合金と導電性酸化物との積層構造（例えばＭｇ－Ａｇ／ＩＴＯなど）を第２の電極１７８に採用することができる。第１の電極１７２、第２の電極１７８はいずれも、スパッタリング法やＣＶＤ法などによって形成することができる。

以上のプロセスにより、発光素子１７０が形成される。

［５．第２のパッシベーション膜］
第２の電極１７８の形成後、任意の構成として、第２のパッシベーション膜１９０を形成してもよい（図１６）。第２のパッシベーション膜１９０は発光素子１７０に対して外部からの水分の侵入を防止することを機能の一つとしており、第２のパッシベーション膜１９０としてはガスバリア性の高いものが好ましい。第２のパッシベーション膜１９０の構成は任意に選択できるが、図１６に示すように、３層（第１の層１９２、第２の層１９４、第３の層１９６）の構造を有することができる。

第１の層１９２は、例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素、窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素などの無機材料を含むことができ、ＣＶＤ法やスパッタリング法などによって形成することができる。

引き続き第２の層１９４を形成する。第２の層１９４は、アクリル樹脂やポリシロキサン、ポリイミド、ポリエステルなどを含む有機樹脂を含有することができる。また、図１６に示すように第２の層１９４は、隔壁１８６に起因する凹凸を吸収するよう、かつ、平坦な面を与えるような厚さで形成してもよい。第２の層１９４はインクジェット法などの湿式成膜法によって形成することができる。あるいは、上記高分子材料の原料となるオリゴマーを減圧下で霧状あるいはガス状にし、これを第１の層１９２に吹き付けて、その後オリゴマーを重合することによって第２の層１９４を形成してもよい。

その後、第３の層１９６を形成する。第３の層１９６は、第１の層１９４で使用可能な材料を含むことができ、第１の層１９４の形成に適用可能な方法で形成することができる。

［６．剥離工程］
引き続き図１７に示すように、対向基板１０４を発光素子１７０、あるいは第２のパッシベーション膜１９０上に形成する。図示しないが、接着層を用いて対向基板１０４を発光素子１７０、あるいは第２のパッシベーション膜１９０へ接合してもよい。対向基板１０４としては、基板１０２と同様、高分子材料を含むことができる。

その後、レーザ光などの光を照射し、支持基板１２８と基板１０２間の接着力を低下させる。引き続き物理的な力を利用し、支持基板１２８と基板１０２間の界面（図１７中の矢印参照）で支持基板１２８を剥離する。

以上のプロセスにより、表示装置１００を作製することができる。

（第４実施形態）
本実施形態では、第１、第２実施形態とは異なる構造を有する表示装置３００について説明する。第１、第２実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。

表示装置３００は、第１実施形態の表示装置１００と同様、第１の領域１２０と第２の領域１２２を有しており、第２の領域１２２に下地膜１１６が設けられる。第２の領域１２２は、複数の画素１０６と重なる。第２の領域１２２と重なる複数の画素１０６はマトリクス状に配置される。一方、表示装置１００と異なり、第１の領域１２０には部分的に複数の下地膜１１６が設けられる。第１の領域１２０に設けられる下地膜１１６はストライプ状に配置され、その幅は画素１０６の幅、あるいは長さよりも小さい。このため、表示装置３００において第１の領域１２０に設けられる下地膜１１６は、複数の画素１０６と重なるが、これらの画素１０６はマトリクスを形成できない。

具体的な構造を図１８に示す。図１８では、基板１０２とその上に設けられる下地膜１１６が描かれており、表示領域１０８や走査線駆動回路１１０が設けられる領域は点線で示されている。図８に示すように、基板１０２は第１の領域１２０と、それを挟むように２つの第２の領域１２２を有し、第１の領域１２０には部分的に下地膜１１６が設けられる。例えば図１８の拡大図に示すように、第１の領域１２０にはストライプ状に形成される複数の下地膜１１６が設けられる。ここでは、下地膜１１６は画素１０６の行方向に平行になるように配置される。第１の領域１２０では、一つの下地膜１１６と重なる画素１０６は、マトリクス状に配列されず、直線状に配列する

画素１０６の断面構造の一例を図１９に示す。図１９は、図５に示した鎖線Ｃ－Ｃ’に沿った断面模式図であり、第１の領域１２０の画素１０６の断面を示している。図１９に示すように、ゲート線１３２やトランジスタ１４０のゲート１４４と重なる領域に下地膜１１６が選択的に設けらる。一方、例えば第２の容量電極１６２と重なる領域では下地膜１１６は設けられず、半導体膜１６４が基板１０２と接することができる。図１９に示すように、半導体膜１４２や１６４のうち、トランジスタ１４０、１５０のチャネル領域として機能する部分と基板１０２との間にも下地膜１１６を設けてもよい。

下地膜１１６が設けられる領域では基板１０２の可撓性は小さい。これに対し、下地膜１１６が設けらない領域の可撓性は大きく、変形しやすい。したがって、表示装置３００を変形する場合、下地膜１１６が設けらない領域において基板１０２は優先的に変形する。このため、第１の領域１２０を曲げても下地膜１１６に対して大きな負荷がかからないため、下地膜１１６におけるクラックの発生を抑制することができる。その結果、下地膜１１６に加え、下地膜１１６上に形成されるゲート線１３２の破損、断線を防ぐことができる。したがって、本実施形態により、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することができる。

（第５実施形態）
本実施形態では、第１、第３、第４実施形態とは異なる構造を有する表示装置４００、４１０について説明する。第１、第３、第４実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。

表示装置４００の上面図を図２０（Ａ）に示す。図２０（Ａ）では、基板１０２とその上に設けられる下地膜１１６が描かれており、表示領域１０８や走査線駆動回路１１０が設けられる領域は点線で示されている。図２０（Ａ）に示すように、表示装置４００は、第１の領域１２０を複数有する点で表示装置１００、２００と異なる。第２の領域１２２の数は、第１の領域１２０の数よりも多くすることができ、第１の領域１２０は隣接する第２の領域１２２によって挟持される。図２０（Ａ）では第１の領域１２０の数は２つであるが、第１の領域１２０は３つ以上設けてもよい。第１の領域１２０を複数設けることで、表示装置４００を複数個所で曲げる、あるいは折りたたむことが可能となる。

図２０（Ｂ）に表示装置４１０の上面模式図を示す。図２０（Ａ）と同様、図２０（Ｂ）でも、基板１０２とその上に設けられる下地膜１１６が描かれており、表示領域１０８や走査線駆動回路１１０が設けられる領域は点線で示されている。表示装置４１０は、第１の領域１２０が表示領域１０８の長辺に平行な帯状に設けられている点で表示装置１００、２００と異なる。この場合、第１の領域１２０はデータ線駆動回路１１２や端子１１４と重なってもよい。このような構成を適用することで、表示領域１０８の短辺に平行な方向を曲げるように表示装置を変形することができる。

（第６実施形態）
本実施形態では、第１、および第３から第５実施形態とは異なる構造を有する表示装置５００、５１０、５２０について説明する。第１、第３から第５実施形態と同様の構成に関しては説明を割愛することがある。

表示装置５００は、基板１０２上に複数の表示領域１０８を有している点、複数の表示領域１０８は第２の領域１２２上に選択的に設けられる点、複数の表示領域１０８の間に第１の領域１２０が設けられる点で表示装置１００、２００、３００、４００、４１０と異なる。

図２１に、表示装置５００の基板１０２とその上に設けられる下地膜１１６の上面図を模式的に示す。ここでは、表示領域１０８や走査線駆動回路１１０などが設けられる領域は点線で示されている。図２１に示すように、表示装置５００の基板１０２は、下地膜１１６が設けられる複数（図２１では２つ）の第２の領域１２２を有している。基板１０２はさらに、２つの第２の領域１２２の間に第１の領域１２０を有している。２つの第２の領域１２２にはそれぞれ表示領域１０８＿１、１０８＿２が設けられ、各表示領域１０８＿１、１０８＿２には複数の画素１０６が形成される。一方、画素１０６は第１の領域１２０とは重ならない。表示領域１０８＿１、１０８＿２は、走査線駆動回路１１０などによってそれぞれ独立に駆動され、異なる映像を再現することができる。表示領域１０８＿１、１０８＿２は互いに相似形でもよく、形や面積が異なっていてもよい。

端子１１４からは、データ線駆動回路１１２を介して配線１３６が画素１０６へ延伸し、一方、端子１１５からは配線１３８が走査線駆動回路１１０へ延伸する。配線１３６は、例えばデータ線１３０や電流供給線１３４として機能する。配線１３６は、端子１１４に近い方の表示領域１０８＿１内の画素１０６と接続され、さらに第１の領域１２０を横断し、端子１１４から遠い側の表示領域１０８＿２の画素１０６と電気的に接続される。同様に、配線１３８は、端子１１５に近い方の走査線駆動回路１１０と接続され、さらに第１の領域１２０を横断し、端子１１５から遠い側の走査線駆動回路１１０と電気的に接続される。したがって、コネクタを表示装置５００の一辺にのみ接続することで、２つの表示領域１０８＿１、１０８＿２の両方を駆動することができる。

配線１３６や１３８のレイアウトは図２１に示すレイアウトに限られない。たとえば図２５に示す表示装置５１０のように、端子１１４から延伸する配線１３６の全て、あるいは一部は、表示領域１０８＿１と第１の領域１２０を横切ったのち、表示領域１０８＿２と端子１１４から遠い側の走査線駆動回路１１０の間を延伸し、その後、表示領域１０８＿２と接続されるよう配置してもよい。この場合、表示領域１０８＿１では、画素１０６は端子１１４から近い順に配線１３６に接続されるが、表示領域１０８＿２では、端子１１４から遠い側から配線１３６に接続される。

あるいは図２６に示すように、コネクタと接続される端子１１４や１１５を基板１０２の二つの辺に配置し、第１の領域１２０に配線１３６、１３８を設置しないようなレイアウトを採用してもよい。このような配線レイアウトが適用された表示装置５２０では、端子１１４や１１５は、基板１０２の対向する二つの辺に沿って配置される。表示領域１０８＿１やそれを駆動する走査線駆動回路１１０へ信号を供給する配線１３６や１３８は、表示領域１０８＿１の、第１の領域１２０とは反対側の一辺の近傍に配置される端子１１４、１１５から延伸する。一方、表示領域１０８＿２やそれを駆動する走査線駆動回路１１０へ信号を供給する配線１３６や１３８は、表示領域１０８＿２の、第１の領域１２０とは反対側の一辺の近傍に配置される端子１１４、１１５から延伸する。このような構造を用いることで、より容易に変形しやすい第１の領域１２０を形成することができる。

表示装置５００の断面構造を図２２に示す。図２２は、図２１の鎖線Ｄ－Ｄ’に沿った断面である。図２２に示すように、例えばデータ線１３０が表示領域１０８＿１から表示領域１０８＿２へ延伸する。図示していないが、電流供給線１３４も層間膜１２４上において、表示領域１０８＿１から表示領域１０８＿２へ延伸する。

第１の領域１２０ではゲート絶縁膜１１８が基板１０２と接している。これに対し第２の領域１２２では、基板１０２は下地膜１１６と接する。なお、図示しないが、第２実施形態で示した表示装置２００のように、第１の領域１２０に、第２の領域１２２の下地膜１１６よりも厚さの小さい下地膜１１６を形成してもよい。この場合、第１の領域１２０において、ゲート絶縁膜１１８は膜厚の小さい下地膜１１６と接することができる。

下地膜１１６を設けない第１の領域１２０は、第２の領域１２２と比較して柔軟性が高い。したがって第１の領域１２０は第２の領域１２２よりも容易に曲げることができる。この第１の領域１２０では、第２の領域１２２と比較し、配線１３６、１３８の幅が大きくなるように表示装置５００を構成してもよい。例えば図２３（Ａ）に示すように、配線１３６、１３８は、第１の領域１２０では第２の領域１２２よりも大きな幅を有することができる。

この場合、配線１３６、１３８は、図２３（Ａ）の配線１３６のように、第１の領域１２０において、配線１３６や１３８が延伸する方向に平行であり、かつ配線１３６、あるいは１３８の中心を通過する直線に関して対称な構造をとることができる。

あるいは図２３（Ｂ）に示すように、配線１３６や１３８は、配線１３６や１３８が延伸する方向に平行であり、かつ幅の大きい部分の中心を通過する直線が、幅の小さい部分を通過しないような形状を持つように構成してもよい。この場合配線１３６、１３８は、図２３（Ｃ）に示すように、幅の大きい部分と幅の小さい部分の間において、配線１３６、１３８が延伸する方向に対して垂直なベクトルを持つ直線部（図中、点線の円内の構造）を有してもよい。

あるいは図２４に示すように、幅を大きくするだけでなく、配線１３６、１３８が延伸する方向に対して斜めのベクトルを有する直線部（図中、点線の円内の構造）を含むよう、配線１３６、１３８を構成してもよい。このような構成を用いることで、曲げや折り曲げに対する耐久性が向上し、配線１３６、１３８の破損や断線を防止することができる。

表示装置５００、５１０、５２０の変形時に曲げられる第１の領域１２０には、下地膜１１６が設けられない、あるいは厚さの小さい下地膜１１６が設けられる。従って、表示装置５００、５１０を第１の領域１２０において変形しても、下地膜１１６のクラック発生に起因する配線や電極の破損、断線を回避ことができ、表示装置の破壊を防止することができる。このため、本実施形態を適用することで、信頼性の高い可撓性表示装置を提供することが可能となる。

本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省ほぼもしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

本明細書においては、開示例として主にＥＬ表示装置の場合を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。

１００：表示装置、１０２：基板、１０４：対向基板、１０６：画素、１０８：表示領域、１１０：走査線駆動回路、１１２：データ線駆動回路、１１４：端子、１１５：端子、１１６：下地膜、１１６＿１：第１の層、１１６＿２：第２の層、１１６＿３：第３の層、１１８：ゲート絶縁膜、１２０：第１の領域、１２２：第２の領域、１２４：層間膜、１２６：第１のパッシベーション膜、１２８：支持基板、１３０：データ線、１３２：ゲート線、１３４：電流供給線、１３６：配線、１３８：配線、１４０：トランジスタ、１４２：半導体膜、１４４：ゲート、１４６：ドレイン、１４８：ソース、１５０：トランジスタ、１５２：ゲート、１５４：ドレイン、１５６：ソース、１５８：容量、１６０：第１の容量電極、１６２：第２の容量電極、１６４：半導体膜、１６４＿１：ドープ領域、１６４＿２：アンドープ領域、１６４＿３：低濃度不純物領域、１６６：付加容量電極、１６８：平坦化膜、１７０：発光素子、１７２：第１の電極、１７４：第１の層、１７５：第２の層、１７６：第３の層、１７８：第２の電極、１８０：接続電極、１８２：絶縁膜、１８４：開口部、１８６：隔壁、１８８：ＥＬ層、１９０：第２のパッシベーション膜、１９２：第１の層、１９４：第２の層、１９６：第３の層、１９８：レジストマスク、２００：表示装置、３００：表示装置、４００：表示装置、４１０：表示装置、５００：表示装置、５１０：表示装置、５２０：表示装置

Claims (14)

1. 表示装置の短辺に平行な方向に曲げることが可能な第１の領域と、前記第１の領域を挟む複数の第２の領域を含有するベースフィルムと、
   前記ベースフィルム上に位置し、前記複数の第２の領域において前記ベースフィルムと接する無機絶縁膜と、
   前記第１の領域と重なる複数の第１の画素と、
   前記無機絶縁膜を介して前記複数の第２の領域と重なる複数の第２の画素を有し、
   前記無機絶縁膜は、前記第１の領域で分断され、前記複数の第２の領域間で不連続であり、
   前記複数の第１の画素はそれぞれ第１のトランジスタを有し、
   前記複数の第２の画素はそれぞれ第２のトランジスタを有し、
   前記第１の領域と重なる前記第１のトランジスタは、前記複数の第２の領域と重なる前記第２のトランジスタよりも、前記ベースフィルムに近い位置に設けられる表示装置。
2. 前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、
   互いに重なる半導体膜とゲート電極と、
   前記半導体膜と前記ゲート電極間のゲート絶縁膜を有し、
   前記複数の第２の領域において、前記無機絶縁膜は前記ベースフィルムと前記ゲート絶縁膜に挟まれ、
   前記第１のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極よりも、前記ベースフィルムに近い位置に設けられる、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記ベースフィルムは可撓性を有する、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記ベースフィルムはポリイミドを有する、請求項２に記載の表示装置。
5. 前記第１の領域において前記ゲート絶縁膜が前記ベースフィルムと直接接する、請求項３の表示装置。
6. 前記ベースフィルムの前記第１の領域が屈曲している、請求項３に記載の表示装置。
7. 前記複数の第２の領域の１つと前記第１の領域とに跨って配置される配線を有し、
   前記配線は、前記第２の領域における前記配線の幅よりも、幅が大きい部分を前記第１の領域に有する、請求項３に記載の表示装置。
8. 前記複数の第２の領域の１つと前記第１の領域とに跨って配置される配線を有し、
   前記配線は、
   第１の方向に延びる第１の部分と、
   前記第１の部分の端部から前記第１の方向とは異なる第２の方向に延びる第２の部分と、
   前記第２の部分の前記第１の部分とは反対の側の端部から、前記第１の方向に延びる第３の部分と、を含み、
   前記第１の部分の少なくとも一部は、前記複数の第２の領域に位置し、
   前記第３の部分は、前記第１の領域に位置する、請求項３に記載の表示装置。
9. 表示装置の短辺に平行な方向に曲げることが可能な第１の領域と、第２の領域を含有するベースフィルムと、
   前記ベースフィルム上に位置し、前記第１の領域と前記第２の領域において前記ベースフィルムと接する下地膜と、
   前記第１の領域と前記第２の領域とそれぞれ重なる複数の第１の画素と複数の第２の画素を有し、
   前記複数の第１の画素は、それぞれ第1のトランジスタを有し、
   前記複数の第２の画素は、それぞれ第２のトランジスタを有し、
   前記第１のトランジスタ及び前記第２のトランジスタはそれぞれ、
   互いに重なる半導体膜とゲート電極と、
   前記半導体膜と前記ゲート電極間のゲート絶縁膜を有し、
   前記第１の領域における前記下地膜の厚さは、前記第２の領域における前記下地膜の厚さよりも小さく、
   前記第１のトランジスタの前記ゲート電極は、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極よりも、前記ベースフィルムに近い位置に設けられている表示装置。
10. 前記下地膜は複数の無機絶縁膜を有し、
    前記第１の領域における前記下地膜は、前記第２の領域における前記下地膜よりも前記無機絶縁膜の数が少ない、請求項９に記載の表示装置。
11. 前記ベースフィルムは可撓性を有する、請求項１０に記載の表示装置。
12. 前記第１の領域と前記第２の領域とに跨って配置される配線を有し、
    前記配線は、前記第２の領域における前記配線の幅よりも、幅が大きい部分を前記第１の領域に有する、請求項１０に記載の表示装置。
13. 前記ベースフィルムは、前記第２の領域を複数有し、
    前記第１の領域は前記複数の前記第２の領域に挟まれる、請求項１０に記載の表示装置。
14. 前記ベースフィルムの前記第１の領域が屈曲している、請求項１３に記載の表示装置。

Images