JP2002333848A - 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 - Google Patents
複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 接着性充填材を用いて複数のアクティブマト
リクス基板が支持基板上に固定され、かつ接着性充填材
の漏れ出しのない複合アクティブマトリクス基板、その
製造方法、及び電磁波撮像装置を提供する。 【解決手段】 複合アクティブマトリクス基板１１ａ
は、隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板１
３と、アクティブマトリクス基板１３の裏面側に対向配
置された支持基板１２と、アクティブマトリクス基板１
３・支持基板１２間に配された枠状のシール材１４と、
アクティブマトリクス基板１３、支持基板１２、及びシ
ール材１４により囲まれた間隙に充填された第一充填材
１５と、複数のアクティブマトリクス基板１３の端面間
に充填された第二充填材１６とを含んでなる。第一充填
材１５はシール材１４により漏れ出しが防止される。ま
た、この複合アクティブマトリクス基板１１ａを用いて
電磁波撮像装置を提供する。
リクス基板が支持基板上に固定され、かつ接着性充填材
の漏れ出しのない複合アクティブマトリクス基板、その
製造方法、及び電磁波撮像装置を提供する。 【解決手段】 複合アクティブマトリクス基板１１ａ
は、隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板１
３と、アクティブマトリクス基板１３の裏面側に対向配
置された支持基板１２と、アクティブマトリクス基板１
３・支持基板１２間に配された枠状のシール材１４と、
アクティブマトリクス基板１３、支持基板１２、及びシ
ール材１４により囲まれた間隙に充填された第一充填材
１５と、複数のアクティブマトリクス基板１３の端面間
に充填された第二充填材１６とを含んでなる。第一充填
材１５はシール材１４により漏れ出しが防止される。ま
た、この複合アクティブマトリクス基板１１ａを用いて
電磁波撮像装置を提供する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線等の放射線、
可視光、赤外光等の電磁波を検出する電磁波撮像装置、
それに用いる複合アクティブマトリクス基板、及び複合
アクティブマトリクス基板の製造方法に関するものであ
る。
可視光、赤外光等の電磁波を検出する電磁波撮像装置、
それに用いる複合アクティブマトリクス基板、及び複合
アクティブマトリクス基板の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、画素電極やスイッチング素子が二
次元状に配置されたアクティブマトリクス基板は、表示
装置や撮像装置などに広く応用されている。例えば、Ａ
Ｖ(Audio Visual)機器やＯＡ(Office Automation) 機器
用のモニターとしての需要が急増しており、壁掛けテレ
ビへの応用が期待される液晶表示装置(LCD:Liquid Crys
tal Display)や、Ｘ線画像をフイルムレスで直接電気信
号として読み出すことができるＸ線撮像装置(FPXD:Flat
Panel X-ray Detector)が知られている。
次元状に配置されたアクティブマトリクス基板は、表示
装置や撮像装置などに広く応用されている。例えば、Ａ
Ｖ(Audio Visual)機器やＯＡ(Office Automation) 機器
用のモニターとしての需要が急増しており、壁掛けテレ
ビへの応用が期待される液晶表示装置(LCD:Liquid Crys
tal Display)や、Ｘ線画像をフイルムレスで直接電気信
号として読み出すことができるＸ線撮像装置(FPXD:Flat
Panel X-ray Detector)が知られている。
【０００３】このような表示装置や撮像装置に用いられ
るアクティブマトリクス基板は、ガラス基板などの絶縁
性基板上に、金属の配線や半導体の薄膜トランジスタ(T
FT:Thin Film Transistor)が高精細にマトリクス状に配
置されたものであり、これを製造する際には、フォトリ
ソグラフィをはじめとする高度な微細加工技術や、高価
な製造設備が要求される。このため、アクティブマトリ
クス基板の面積や精細度が増大するにつれて製造工程で
の良品率が著しく低下し、大面積を有するアクティブマ
トリクス基板を製造することが困難になるという課題を
有していた。また、製造設備を一旦構築すると、その製
造設備に適した基板サイズより大面積なアクティブマト
リクス基板を製造する事ができないという課題も有して
いた。つまり、表示装置や撮像装置の大型化に対応し
た、より大面積なアクティブマトリクス基板を製造する
ことは困難であった。
るアクティブマトリクス基板は、ガラス基板などの絶縁
性基板上に、金属の配線や半導体の薄膜トランジスタ(T
FT:Thin Film Transistor)が高精細にマトリクス状に配
置されたものであり、これを製造する際には、フォトリ
ソグラフィをはじめとする高度な微細加工技術や、高価
な製造設備が要求される。このため、アクティブマトリ
クス基板の面積や精細度が増大するにつれて製造工程で
の良品率が著しく低下し、大面積を有するアクティブマ
トリクス基板を製造することが困難になるという課題を
有していた。また、製造設備を一旦構築すると、その製
造設備に適した基板サイズより大面積なアクティブマト
リクス基板を製造する事ができないという課題も有して
いた。つまり、表示装置や撮像装置の大型化に対応し
た、より大面積なアクティブマトリクス基板を製造する
ことは困難であった。
【０００４】このような課題に対し、複数の小サイズの
アクティブマトリクス基板を連結接続することで、一枚
の複合アクティブマトリクス基板を形成する手法が提案
されている。例えば、「Large Area Liquid Crystal Di
splay Realized by Tiling of Four Back Panels( 文献
（１）：Proceedings of the 15th International Disp
lay Research Conference(ASIA DISPLAY '95.pp.201-20
4(1995))) 」には、液晶表示装置に用いるための複合ア
クティブマトリクス基板の構成が開示されている。ま
た、米国登録特許USP5,827,757（文献（２））には、複
合アクティブマトリクス基板の製造方法と、この複合ア
クティブマトリクス基板を利用したＸ線撮像装置が開示
されている。
アクティブマトリクス基板を連結接続することで、一枚
の複合アクティブマトリクス基板を形成する手法が提案
されている。例えば、「Large Area Liquid Crystal Di
splay Realized by Tiling of Four Back Panels( 文献
（１）：Proceedings of the 15th International Disp
lay Research Conference(ASIA DISPLAY '95.pp.201-20
4(1995))) 」には、液晶表示装置に用いるための複合ア
クティブマトリクス基板の構成が開示されている。ま
た、米国登録特許USP5,827,757（文献（２））には、複
合アクティブマトリクス基板の製造方法と、この複合ア
クティブマトリクス基板を利用したＸ線撮像装置が開示
されている。
【０００５】上記文献（１）に記載の複合アクティブマ
トリクス基板は、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、
バキュームチャック付きのステージ１０３上で、４枚の
小サイズのアクティブマトリクス基板１０１を、素子形
成面１０１ａを下向きにした状態で位置合わせした後、
これらアクティブマトリクス基板１０１の背面側（図１
３（ａ）では上側）に、一枚の支持基板１０２を接着樹
脂１０５で貼り合わせることによって形成される。ここ
では、接着樹脂１０５にスペーサ１０４が混入されてい
る。また、接着樹脂１０５としては、紫外線硬化型樹脂
が使用されている。
トリクス基板は、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すように、
バキュームチャック付きのステージ１０３上で、４枚の
小サイズのアクティブマトリクス基板１０１を、素子形
成面１０１ａを下向きにした状態で位置合わせした後、
これらアクティブマトリクス基板１０１の背面側（図１
３（ａ）では上側）に、一枚の支持基板１０２を接着樹
脂１０５で貼り合わせることによって形成される。ここ
では、接着樹脂１０５にスペーサ１０４が混入されてい
る。また、接着樹脂１０５としては、紫外線硬化型樹脂
が使用されている。
【０００６】一方、上記文献（２）に記載の複合アクテ
ィブマトリクス基板は、図１４（ａ）〜（ｇ）に示すよ
うに、複数の小サイズのアクティブマトリクス基板１１
１を一枚の支持基板１１２上に貼り合わせてなる。その
製法をより具体的に説明すると、素子形成面が保護膜１
２１により被覆されてなるアクティブマトリクス基板１
１１の端面部にダイシング、研磨を施した後（図１４
（ａ）・（ｂ）参照）、ステージ１１３上で、複数のア
クティブマトリクス基板１１１を素子形成面を下向きに
した状態で位置合わせし、これらアクティブマトリクス
基板１１１間の隙間に接着樹脂１４１を充填して接続す
る（図１４（ｃ）・（ｄ）参照）。その後、複数のアク
ティブマトリクス基板１１１の背面（図１４（ｄ）では
上側）に、一枚の支持基板１１２を接着樹脂１３１によ
り貼り合わせ、次いで、ステージ１１３から取り外した
後に保護膜１２１を剥離して複合アクティブマトリクス
基板が形成される（図１４（ｅ）〜（ｇ）参照）。この
とき、支持基板１１２に多数の規則的な貫通孔（接着樹
脂排出孔）１１２ａを形成しておけば、アクティブマト
リクス基板１１１と支持基板１１２との間に充填される
接着樹脂１３１への気泡の巻き込みが防止され、また余
分な接着樹脂１３１を逃がすことができる。
ィブマトリクス基板は、図１４（ａ）〜（ｇ）に示すよ
うに、複数の小サイズのアクティブマトリクス基板１１
１を一枚の支持基板１１２上に貼り合わせてなる。その
製法をより具体的に説明すると、素子形成面が保護膜１
２１により被覆されてなるアクティブマトリクス基板１
１１の端面部にダイシング、研磨を施した後（図１４
（ａ）・（ｂ）参照）、ステージ１１３上で、複数のア
クティブマトリクス基板１１１を素子形成面を下向きに
した状態で位置合わせし、これらアクティブマトリクス
基板１１１間の隙間に接着樹脂１４１を充填して接続す
る（図１４（ｃ）・（ｄ）参照）。その後、複数のアク
ティブマトリクス基板１１１の背面（図１４（ｄ）では
上側）に、一枚の支持基板１１２を接着樹脂１３１によ
り貼り合わせ、次いで、ステージ１１３から取り外した
後に保護膜１２１を剥離して複合アクティブマトリクス
基板が形成される（図１４（ｅ）〜（ｇ）参照）。この
とき、支持基板１１２に多数の規則的な貫通孔（接着樹
脂排出孔）１１２ａを形成しておけば、アクティブマト
リクス基板１１１と支持基板１１２との間に充填される
接着樹脂１３１への気泡の巻き込みが防止され、また余
分な接着樹脂１３１を逃がすことができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来の複合アクティブマトリクス基板、及びその製造方
法は、以下に示す問題を有している。例えば、上記文献
（１）に示す複合アクティブマトリクス基板は、位置合
わせされた複数のアクティブマトリクス基板１０１上に
流動性を有する接着樹脂１０５を塗布した後、支持基板
１０２を貼り合わせて製造されると考えられる。この
際、複数のアクティブマトリクス基板１０１と支持基板
１０２とを、スペーサーにより決定される間隙にまで接
近させた状態に接着する必要があるので、該接着樹脂１
０５がアクティブマトリクス基板１０１の周辺に溢れ出
る（押し出される）という問題が発生する。その結果、
接着樹脂１０５中への気泡の巻き込みの回避は困難とな
り、また、溢れ出た接着樹脂１０５の清掃作業が必要と
なるので、作業性が大幅に低下するという問題を招来す
る。
従来の複合アクティブマトリクス基板、及びその製造方
法は、以下に示す問題を有している。例えば、上記文献
（１）に示す複合アクティブマトリクス基板は、位置合
わせされた複数のアクティブマトリクス基板１０１上に
流動性を有する接着樹脂１０５を塗布した後、支持基板
１０２を貼り合わせて製造されると考えられる。この
際、複数のアクティブマトリクス基板１０１と支持基板
１０２とを、スペーサーにより決定される間隙にまで接
近させた状態に接着する必要があるので、該接着樹脂１
０５がアクティブマトリクス基板１０１の周辺に溢れ出
る（押し出される）という問題が発生する。その結果、
接着樹脂１０５中への気泡の巻き込みの回避は困難とな
り、また、溢れ出た接着樹脂１０５の清掃作業が必要と
なるので、作業性が大幅に低下するという問題を招来す
る。
【０００８】一方、上記文献（２）に示す複合アクティ
ブマトリクス基板では、支持基板１１２に予め多数の貫
通孔１１２ａが形成されているので、理論上は、支持基
板１１２とアクティブマトリクス基板１１１とを貼り合
わせる際に、接着樹脂１３１への気泡の巻き込みを回避
し、余分な接着樹脂１３１を貫通孔１１２ａを介して逃
がすことができる。しかし、製造される複合アクティブ
マトリクス基板が比較的大きい場合などでは、支持基板
１１２を貼り付ける際に、支持基板１１２を下方（アク
ティブマトリクス基板１１１側）に押さえ込む力に面内
ばらつきが発生する。このため、支持基板１１２を押さ
え込む力が比較的弱い箇所や、支持基板１１２の厚みが
完全に均一でなく、ほかの部分より若干薄くなっている
箇所では、気泡や接着樹脂１３１の逃がしが上手くいか
ない場合が発生し易くなるという問題を招来する。加え
て、支持基板１１２に多数の貫通孔１１２ａを形成する
ことはコストアップにつながるうえ、貫通孔１１２ａを
通じて溢れ出た接着樹脂１３１の清掃作業はやはり必要
であり、作業性が大幅に低下するという問題も招来す
る。
ブマトリクス基板では、支持基板１１２に予め多数の貫
通孔１１２ａが形成されているので、理論上は、支持基
板１１２とアクティブマトリクス基板１１１とを貼り合
わせる際に、接着樹脂１３１への気泡の巻き込みを回避
し、余分な接着樹脂１３１を貫通孔１１２ａを介して逃
がすことができる。しかし、製造される複合アクティブ
マトリクス基板が比較的大きい場合などでは、支持基板
１１２を貼り付ける際に、支持基板１１２を下方（アク
ティブマトリクス基板１１１側）に押さえ込む力に面内
ばらつきが発生する。このため、支持基板１１２を押さ
え込む力が比較的弱い箇所や、支持基板１１２の厚みが
完全に均一でなく、ほかの部分より若干薄くなっている
箇所では、気泡や接着樹脂１３１の逃がしが上手くいか
ない場合が発生し易くなるという問題を招来する。加え
て、支持基板１１２に多数の貫通孔１１２ａを形成する
ことはコストアップにつながるうえ、貫通孔１１２ａを
通じて溢れ出た接着樹脂１３１の清掃作業はやはり必要
であり、作業性が大幅に低下するという問題も招来す
る。
【０００９】また、上記文献（２）に示す複合アクティ
ブマトリクス基板では、ラバースキージ（図示せず）を
用いて、小サイズのアクティブマトリクス基板１１１同
士の間隙に接着樹脂１４１を充填・埋め込みしている。
よって、接着樹脂１４１がアクティブマトリクス基板１
１１の表面側（素子形成面側）に広がりやすく、かつラ
バースキージを通してアクティブマトリクス基板１１１
に外力が加わるなどの問題が生じる。このため、アクテ
ィブマトリクス基板１１１の表面を非常に厚い保護膜１
２１で被覆した状態で、接着樹脂１４１の充填作業を行
なう必要があった。
ブマトリクス基板では、ラバースキージ（図示せず）を
用いて、小サイズのアクティブマトリクス基板１１１同
士の間隙に接着樹脂１４１を充填・埋め込みしている。
よって、接着樹脂１４１がアクティブマトリクス基板１
１１の表面側（素子形成面側）に広がりやすく、かつラ
バースキージを通してアクティブマトリクス基板１１１
に外力が加わるなどの問題が生じる。このため、アクテ
ィブマトリクス基板１１１の表面を非常に厚い保護膜１
２１で被覆した状態で、接着樹脂１４１の充填作業を行
なう必要があった。
【００１０】本発明は、上記問題点を解決するためにな
されたものであって、その目的は、複数の小サイズのア
クティブマトリクス基板を支持基板上に固定してなる複
合アクティブマトリクス基板を製造する際に、小サイズ
のアクティブマトリクス基板の固定に用いられる接着樹
脂（接着性充填材）の溢れ出しや、気泡の巻き込みなど
の不具合が防止されてなる複合アクティブマトリクス基
板、その製造方法、及び該複合アクティブマトリクス基
板を用いた電磁波撮像装置を提供することにある。
されたものであって、その目的は、複数の小サイズのア
クティブマトリクス基板を支持基板上に固定してなる複
合アクティブマトリクス基板を製造する際に、小サイズ
のアクティブマトリクス基板の固定に用いられる接着樹
脂（接着性充填材）の溢れ出しや、気泡の巻き込みなど
の不具合が防止されてなる複合アクティブマトリクス基
板、その製造方法、及び該複合アクティブマトリクス基
板を用いた電磁波撮像装置を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明にかかる複合アク
ティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するため
に、表面にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同
士が略面一となるように隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス
基板の裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基
板と対向して配された一つの支持基板と、上記複数のア
クティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基板
との間に配された枠状のシール材と、上記各アクティブ
マトリクス基板、支持基板、及びシール材により囲まれ
た間隙に充填された接着性充填材Ａと、隣接配置された
上記複数のアクティブマトリクス基板の端面間に充填さ
れた接着性充填材Ｂとを含んでなることを特徴としてい
る。
ティブマトリクス基板は、上記の課題を解決するため
に、表面にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同
士が略面一となるように隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス
基板の裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基
板と対向して配された一つの支持基板と、上記複数のア
クティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基板
との間に配された枠状のシール材と、上記各アクティブ
マトリクス基板、支持基板、及びシール材により囲まれ
た間隙に充填された接着性充填材Ａと、隣接配置された
上記複数のアクティブマトリクス基板の端面間に充填さ
れた接着性充填材Ｂとを含んでなることを特徴としてい
る。
【００１２】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間の空間Ａ（接着性充填材Ａが
充填される間隙）と、隣接するアクティブマトリクス基
板の端面間に形成される空間Ｂ（接着性充填材Ｂが充填
される間隙）とが、シール材で完全に分離されている。
よって、接着性充填材Ａが空間Ａ外、特に空間Ｂ内に溢
れ出すことがないので、接着性充填材Ａによる各アクテ
ィブマトリクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アク
ティブマトリクス基板が支持基板に強固に固定されてな
る複合アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
クス基板と支持基板との間の空間Ａ（接着性充填材Ａが
充填される間隙）と、隣接するアクティブマトリクス基
板の端面間に形成される空間Ｂ（接着性充填材Ｂが充填
される間隙）とが、シール材で完全に分離されている。
よって、接着性充填材Ａが空間Ａ外、特に空間Ｂ内に溢
れ出すことがないので、接着性充填材Ａによる各アクテ
ィブマトリクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アク
ティブマトリクス基板が支持基板に強固に固定されてな
る複合アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
【００１３】また、空間Ａと空間Ｂとがシール材により
分離されているので、各アクティブマトリクス基板と支
持基板とを貼り合わせる接着性充填材Ａ、及び隣接する
アクティブマトリクス基板同士を接続する接着性充填材
Ｂとして、それぞれの目的に応じて互いに異なる特性の
ものを採用可能となる。
分離されているので、各アクティブマトリクス基板と支
持基板とを貼り合わせる接着性充填材Ａ、及び隣接する
アクティブマトリクス基板同士を接続する接着性充填材
Ｂとして、それぞれの目的に応じて互いに異なる特性の
ものを採用可能となる。
【００１４】さらに、複数のアクティブマトリクス基板
と支持基板との貼り合わせ時に、周辺に溢れ出る余分な
接着性充填材Ａが発生せず、接着性充填材Ａの利用効率
や貼り合わせ作業の効率をより向上させることができ
る。
と支持基板との貼り合わせ時に、周辺に溢れ出る余分な
接着性充填材Ａが発生せず、接着性充填材Ａの利用効率
や貼り合わせ作業の効率をより向上させることができ
る。
【００１５】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記接着性充填材Ａが、
光硬化性樹脂からなることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、上記接着性充填材Ａが、
光硬化性樹脂からなることがより好ましい。
【００１６】光硬化性樹脂は紫外線などの光を照射しな
い限り硬化が促進されないので、上記の構成によれば、
シール材に囲まれた空間Ａに、比較的低粘度な状態のま
ま接着性充填材Ａを充填可能である。また、接着性充填
材Ａの充填完了後に紫外線などの光を照射すれば、速や
かに接着性充填材Ａを硬化させることができる。つま
り、接着性充填材Ａの充填と硬化とをスムーズに行なう
ことができ、より容易に製造可能な複合アクティブマト
リクス基板を提供可能となる。
い限り硬化が促進されないので、上記の構成によれば、
シール材に囲まれた空間Ａに、比較的低粘度な状態のま
ま接着性充填材Ａを充填可能である。また、接着性充填
材Ａの充填完了後に紫外線などの光を照射すれば、速や
かに接着性充填材Ａを硬化させることができる。つま
り、接着性充填材Ａの充填と硬化とをスムーズに行なう
ことができ、より容易に製造可能な複合アクティブマト
リクス基板を提供可能となる。
【００１７】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に、ギャップ保持材が配され
てなることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、上記各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に、ギャップ保持材が配され
てなることがより好ましい。
【００１８】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間隙がギャップ保持材により一
定に保たれるので、接着性充填材Ａの厚みを均一にする
ことができる。よって、各アクティブマトリクス基板の
表面の平坦性がより一層向上されてなる複合アクティブ
マトリクス基板を提供可能となる。
クス基板と支持基板との間隙がギャップ保持材により一
定に保たれるので、接着性充填材Ａの厚みを均一にする
ことができる。よって、各アクティブマトリクス基板の
表面の平坦性がより一層向上されてなる複合アクティブ
マトリクス基板を提供可能となる。
【００１９】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の課題を解決するために、表面にアクティ
ブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面一となるよ
うに隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板
と、上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、
これら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配さ
れた一つの支持基板と、上記複数のアクティブマトリク
ス基板それぞれの裏面と上記支持基板との間に配され、
各アクティブマトリクス基板と支持基板とを貼り合わせ
るためのゲル粘着材と、隣接配置された上記複数のアク
ティブマトリクス基板の端面間に充填された接着性充填
材Ｂとを含んでなることを特徴としている。
基板は、上記の課題を解決するために、表面にアクティ
ブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面一となるよ
うに隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板
と、上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、
これら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配さ
れた一つの支持基板と、上記複数のアクティブマトリク
ス基板それぞれの裏面と上記支持基板との間に配され、
各アクティブマトリクス基板と支持基板とを貼り合わせ
るためのゲル粘着材と、隣接配置された上記複数のアク
ティブマトリクス基板の端面間に充填された接着性充填
材Ｂとを含んでなることを特徴としている。
【００２０】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して、柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材
を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板との貼り合わせの際に、隣接するアクティブマト
リクス基板の継ぎ目（端面間）から表面に接着性充填材
（ゲル粘着材）が溢れ出す（流出する）ことが無い。よ
って、接着性充填材（ゲル粘着材）による各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アクティ
ブマトリクス基板が支持基板に強固に固定されてなる複
合アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して、柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材
を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板との貼り合わせの際に、隣接するアクティブマト
リクス基板の継ぎ目（端面間）から表面に接着性充填材
（ゲル粘着材）が溢れ出す（流出する）ことが無い。よ
って、接着性充填材（ゲル粘着材）による各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アクティ
ブマトリクス基板が支持基板に強固に固定されてなる複
合アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
【００２１】また、各アクティブマトリクス基板または
支持基板において板厚の分布が著しく不均一で、貼り合
わせ時の両基板間のギャップが完全に均一とならない場
合でも、ゲル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギャ
ップを隙間無く充填可能である。さらに、アクティブマ
トリクス基板または支持基板の一方にゲル粘着材を付与
し、他方を例えば減圧下で貼り合せすれば、接着性充填
材（ゲル粘着材）を両基板間に容易に充填可能となる。
支持基板において板厚の分布が著しく不均一で、貼り合
わせ時の両基板間のギャップが完全に均一とならない場
合でも、ゲル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギャ
ップを隙間無く充填可能である。さらに、アクティブマ
トリクス基板または支持基板の一方にゲル粘着材を付与
し、他方を例えば減圧下で貼り合せすれば、接着性充填
材（ゲル粘着材）を両基板間に容易に充填可能となる。
【００２２】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材がシリコ
ーンゲルであることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材がシリコ
ーンゲルであることがより好ましい。
【００２３】上記の構成によれば、シリコーンゲルが化
学的に安定な材料であり、耐熱性にも優れているので、
化学的・熱的に安定した複合アクティブマトリクス基板
を提供可能となる。
学的に安定な材料であり、耐熱性にも優れているので、
化学的・熱的に安定した複合アクティブマトリクス基板
を提供可能となる。
【００２４】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材を取り囲
む枠状に形成されたシール材を含んでなることがより好
ましい。
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材を取り囲
む枠状に形成されたシール材を含んでなることがより好
ましい。
【００２５】上記の構成によれば、上記ゲル粘着材が露
出しないようにシール材が配されているので、洗浄の際
などにゲル粘着材からの有機成分不純物の染み出しが最
小限に抑制され、各アクティブマトリクス基板の表面汚
染が回避されてなる複合アクティブマトリクス基板を提
供可能となる。
出しないようにシール材が配されているので、洗浄の際
などにゲル粘着材からの有機成分不純物の染み出しが最
小限に抑制され、各アクティブマトリクス基板の表面汚
染が回避されてなる複合アクティブマトリクス基板を提
供可能となる。
【００２６】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の課題を解決するために、表面にアクティ
ブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面一となるよ
うに隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板
と、上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、
これら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配さ
れた一つの支持基板と、上記複数のアクティブマトリク
ス基板それぞれの裏面と上記支持基板との間に配され、
各アクティブマトリクス基板と支持基板とを貼り合わせ
るための粘着層を表裏両面に備えてなる両面接着シート
と、隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる
ことを特徴としている。
基板は、上記の課題を解決するために、表面にアクティ
ブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面一となるよ
うに隣接配置された複数のアクティブマトリクス基板
と、上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、
これら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配さ
れた一つの支持基板と、上記複数のアクティブマトリク
ス基板それぞれの裏面と上記支持基板との間に配され、
各アクティブマトリクス基板と支持基板とを貼り合わせ
るための粘着層を表裏両面に備えてなる両面接着シート
と、隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる
ことを特徴としている。
【００２７】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して固体状の両面接着シートを使用するので、複数のア
クティブマトリクス基板と支持基板との貼り合わせの際
に、隣接するアクティブマトリクス基板の継ぎ目から表
面に接着性充填材が溢れ出すことが無い。よって、接着
性充填材による各アクティブマトリクス基板の表面の汚
染がなく、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基
板に強固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基
板を提供可能となる。
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して固体状の両面接着シートを使用するので、複数のア
クティブマトリクス基板と支持基板との貼り合わせの際
に、隣接するアクティブマトリクス基板の継ぎ目から表
面に接着性充填材が溢れ出すことが無い。よって、接着
性充填材による各アクティブマトリクス基板の表面の汚
染がなく、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基
板に強固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基
板を提供可能となる。
【００２８】また、接着性充填材として両面接着シート
を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板との貼り合わせがより容易となる。つまり、接着
性充填材の塗布工程または注入工程を行う必要がなく、
より容易に製造可能な複合アクティブマトリクス基板を
提供可能となる。
を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板との貼り合わせがより容易となる。つまり、接着
性充填材の塗布工程または注入工程を行う必要がなく、
より容易に製造可能な複合アクティブマトリクス基板を
提供可能となる。
【００２９】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記両面接着シートが、
熱伝導性微粒子を含有していることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、上記両面接着シートが、
熱伝導性微粒子を含有していることがより好ましい。
【００３０】上記の構成によれば、支持基板側から複数
のアクティブマトリクス基板の温度を制御し易くなる。
よって、複合アクティブマトリクス基板上に、成膜温度
により性能が敏感に変化する膜（例えば、後述する変換
層（半導体膜））を形成する場合などに、基板温度をよ
り容易かつ好適な範囲に制御可能な複合アクティブマト
リクス基板を提供可能となる。
のアクティブマトリクス基板の温度を制御し易くなる。
よって、複合アクティブマトリクス基板上に、成膜温度
により性能が敏感に変化する膜（例えば、後述する変換
層（半導体膜））を形成する場合などに、基板温度をよ
り容易かつ好適な範囲に制御可能な複合アクティブマト
リクス基板を提供可能となる。
【００３１】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記両面接着シートが、
上記各アクティブマトリクス基板の裏面と支持基板との
間に一つ以上、互いに不連続に配されていることがより
好ましい。
基板は、上記の構成において、上記両面接着シートが、
上記各アクティブマトリクス基板の裏面と支持基板との
間に一つ以上、互いに不連続に配されていることがより
好ましい。
【００３２】上記の構成によれば、両面接着シートがス
トライプ状またはアイランド状のように不連続に配され
ているので、各アクティブマトリクス基板と支持基板と
を貼り合せる際に、両面接着シートが存在しない隙間部
分から気泡を排出することができる。つまり、各アクテ
ィブマトリクス基板と支持基板との間への気泡の巻き込
みが最小限に抑制され、かつ両基板が強固に貼り合わさ
れてなる複合アクティブマトリクス基板を提供可能とな
る。
トライプ状またはアイランド状のように不連続に配され
ているので、各アクティブマトリクス基板と支持基板と
を貼り合せる際に、両面接着シートが存在しない隙間部
分から気泡を排出することができる。つまり、各アクテ
ィブマトリクス基板と支持基板との間への気泡の巻き込
みが最小限に抑制され、かつ両基板が強固に貼り合わさ
れてなる複合アクティブマトリクス基板を提供可能とな
る。
【００３３】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記接着性充填材Ｂが、
空気の存在下での硬化が可能な接着樹脂であることがよ
り好ましい。
基板は、上記の構成において、上記接着性充填材Ｂが、
空気の存在下での硬化が可能な接着樹脂であることがよ
り好ましい。
【００３４】上記の構成によれば、隣接するアクティブ
マトリクス基板の継ぎ目（端面間）で接着性充填材Ｂが
露出する（空気と接触する）領域においても、接着性充
填材Ｂの硬化が十分に促進されるので、該接着性充填材
Ｂの露出面にタック性（tack性）が残らない。よって、
洗浄の際などに接着性充填材Ｂの露出面から有機成分不
純物が滲み出すことを最小限に抑制し、各アクティブマ
トリクス基板の表面汚染が回避されてなる複合アクティ
ブマトリクス基板を提供可能となる。
マトリクス基板の継ぎ目（端面間）で接着性充填材Ｂが
露出する（空気と接触する）領域においても、接着性充
填材Ｂの硬化が十分に促進されるので、該接着性充填材
Ｂの露出面にタック性（tack性）が残らない。よって、
洗浄の際などに接着性充填材Ｂの露出面から有機成分不
純物が滲み出すことを最小限に抑制し、各アクティブマ
トリクス基板の表面汚染が回避されてなる複合アクティ
ブマトリクス基板を提供可能となる。
【００３５】本発明にかかる電磁波撮像装置は、上記の
課題を解決するために、上記何れかの複合アクティブマ
トリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス基板
の表面側に形成され、電磁波を電荷に変換する変換層
と、上記変換層上に形成されたバイアス印加電極層とを
含んでなることを特徴としている。
課題を解決するために、上記何れかの複合アクティブマ
トリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス基板
の表面側に形成され、電磁波を電荷に変換する変換層
と、上記変換層上に形成されたバイアス印加電極層とを
含んでなることを特徴としている。
【００３６】本発明にかかる電磁波撮像装置はまた、上
記の課題を解決するために、上記何れかの複合アクティ
ブマトリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス
基板の表面側に形成され、電磁波を光に変換するシンチ
レータと、上記複数のアクティブマトリクス基板に備え
られ、上記光を電荷に変換する光電変換素子とを含んで
なることを特徴としている。
記の課題を解決するために、上記何れかの複合アクティ
ブマトリクス基板と、上記複数のアクティブマトリクス
基板の表面側に形成され、電磁波を光に変換するシンチ
レータと、上記複数のアクティブマトリクス基板に備え
られ、上記光を電荷に変換する光電変換素子とを含んで
なることを特徴としている。
【００３７】上記何れかの構成によれば、複数のアクテ
ィブマトリクス基板を継ぎ合わせた複合アクティブマト
リクス基板を用いるため、大面積でも比較的安価な電磁
波撮像装置を提供可能となる。
ィブマトリクス基板を継ぎ合わせた複合アクティブマト
リクス基板を用いるため、大面積でも比較的安価な電磁
波撮像装置を提供可能となる。
【００３８】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間に枠状のシール材を配し、上記複数のアクティ
ブマトリクス基板と支持基板とをシール材を介して接続
する工程と、次いで、上記各アクティブマトリクス基
板、支持基板、及びシール材により囲まれた間隙に、該
アクティブマトリクス基板、支持基板、またはシール材
の少なくとも一つに形成され、上記間隙に開口する注入
口を介して接着性充填材Ａを注入する工程とを含んでな
ることを特徴としている。
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間に枠状のシール材を配し、上記複数のアクティ
ブマトリクス基板と支持基板とをシール材を介して接続
する工程と、次いで、上記各アクティブマトリクス基
板、支持基板、及びシール材により囲まれた間隙に、該
アクティブマトリクス基板、支持基板、またはシール材
の少なくとも一つに形成され、上記間隙に開口する注入
口を介して接着性充填材Ａを注入する工程とを含んでな
ることを特徴としている。
【００３９】上記の方法によれば、注入口の形成部を除
いては、各アクティブマトリクス基板と支持基板との間
の空間（接着性充填材Ａが充填される上記間隙）が、他
の空間とシール材で完全に分離されている。よって、接
着性充填材Ａが上記空間外に溢れ出すことがないので、
接着性充填材Ａによる各アクティブマトリクス基板の表
面の汚染が防止され、また、接着性充填材Ａの利用効率
や貼り合わせ作業の効率をより向上させることが可能と
なる。
いては、各アクティブマトリクス基板と支持基板との間
の空間（接着性充填材Ａが充填される上記間隙）が、他
の空間とシール材で完全に分離されている。よって、接
着性充填材Ａが上記空間外に溢れ出すことがないので、
接着性充填材Ａによる各アクティブマトリクス基板の表
面の汚染が防止され、また、接着性充填材Ａの利用効率
や貼り合わせ作業の効率をより向上させることが可能と
なる。
【００４０】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間にゲル粘着材を配する工程と、次いで、上記複
数のアクティブマトリクス基板と支持基板とを、ゲル粘
着材により貼り合わせる工程とを含んでなることを特徴
としている。
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間にゲル粘着材を配する工程と、次いで、上記複
数のアクティブマトリクス基板と支持基板とを、ゲル粘
着材により貼り合わせる工程とを含んでなることを特徴
としている。
【００４１】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板（両基板と称する）との間に充填さ
れる接着性充填材として、柔軟性に富むが流動性は有し
ていないゲル粘着材を使用するので、両基板の貼り合わ
せの際に、接着性充填材（ゲル粘着材）による各アクテ
ィブマトリクス基板の表面の汚染が防止され、また、ゲ
ル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギャップを隙間
無く充填することができる。
クス基板と支持基板（両基板と称する）との間に充填さ
れる接着性充填材として、柔軟性に富むが流動性は有し
ていないゲル粘着材を使用するので、両基板の貼り合わ
せの際に、接着性充填材（ゲル粘着材）による各アクテ
ィブマトリクス基板の表面の汚染が防止され、また、ゲ
ル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギャップを隙間
無く充填することができる。
【００４２】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間に、粘着層を表裏両面に備えてなる両面接着シ
ートを配する工程と、次いで、上記複数のアクティブマ
トリクス基板と支持基板とを、両面接着シートにより貼
り合わせる工程とを含んでなることを特徴としている。
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板それぞれの裏面と上記支持基
板との間に、粘着層を表裏両面に備えてなる両面接着シ
ートを配する工程と、次いで、上記複数のアクティブマ
トリクス基板と支持基板とを、両面接着シートにより貼
り合わせる工程とを含んでなることを特徴としている。
【００４３】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板（両基板）との間に充填される接着
性充填材として固体状の両面接着シートを使用するの
で、両基板の貼り合わせの際に、接着性充填材による各
アクティブマトリクス基板の表面の汚染を防止すること
ができる。
クス基板と支持基板（両基板）との間に充填される接着
性充填材として固体状の両面接着シートを使用するの
で、両基板の貼り合わせの際に、接着性充填材による各
アクティブマトリクス基板の表面の汚染を防止すること
ができる。
【００４４】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、さらに、隣接
配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の端面
間に、アクティブマトリクス基板同士を接着する接着性
充填材Ｂを毛細管現象により充填する工程を含んでなる
ことがより好ましい。
基板の製造方法は、上記の方法において、さらに、隣接
配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の端面
間に、アクティブマトリクス基板同士を接着する接着性
充填材Ｂを毛細管現象により充填する工程を含んでなる
ことがより好ましい。
【００４５】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となる。よって、接着性充填材Ｂによる各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染を防止することができる。
また、製造工程において、各アクティブマトリクス基板
の表面を保護する保護膜をなくす、または必要最低限の
厚さとすることができ、保護度合いの低減、及び作業性
のより一層の向上を図ることができる。
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となる。よって、接着性充填材Ｂによる各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染を防止することができる。
また、製造工程において、各アクティブマトリクス基板
の表面を保護する保護膜をなくす、または必要最低限の
厚さとすることができ、保護度合いの低減、及び作業性
のより一層の向上を図ることができる。
【００４６】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板をその表面同士が略面一とな
るように隣接させて支持基板上に固定する工程と、次い
で、隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に、アクティブマトリクス基板同士を接着す
る接着性充填材Ｂを毛細管現象により充填する工程とを
含んでなることを特徴としている。
基板の製造方法は、上記の課題を解決するために、表面
にアクティブ素子が形成されてなり、該表面同士が略面
一となるように隣接配置された複数のアクティブマトリ
クス基板と、これら複数のアクティブマトリクス基板の
裏面側に、これら複数のアクティブマトリクス基板と対
向して配された一つの支持基板とを含んでなる複合アク
ティブマトリクス基板の製造方法であって、上記複数の
アクティブマトリクス基板をその表面同士が略面一とな
るように隣接させて支持基板上に固定する工程と、次い
で、隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に、アクティブマトリクス基板同士を接着す
る接着性充填材Ｂを毛細管現象により充填する工程とを
含んでなることを特徴としている。
【００４７】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となる。よって、接着性充填材Ｂによる各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染を防止することができる。
また、製造工程において、各アクティブマトリクス基板
の表面を保護する保護膜をなくす、または必要最低限の
厚さとすることができ、保護度合いの低減、及び作業性
のより一層の向上を図ることができる。
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となる。よって、接着性充填材Ｂによる各アクティブ
マトリクス基板の表面の汚染を防止することができる。
また、製造工程において、各アクティブマトリクス基板
の表面を保護する保護膜をなくす、または必要最低限の
厚さとすることができ、保護度合いの低減、及び作業性
のより一層の向上を図ることができる。
【００４８】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、上記複数のア
クティブマトリクス基板の端面間に充填する際の上記接
着性充填材Ｂの粘度が、５ｃＰ以上２００ｃＰ以下の範
囲内であることがより好ましい。
基板の製造方法は、上記の方法において、上記複数のア
クティブマトリクス基板の端面間に充填する際の上記接
着性充填材Ｂの粘度が、５ｃＰ以上２００ｃＰ以下の範
囲内であることがより好ましい。
【００４９】上記の方法によれば、特にスムーズに、毛
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となる。
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となる。
【００５０】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、上記複数のア
クティブマトリクス基板の端面間の間隙が２０μｍ以上
１５０μｍ以下の範囲内となるように、該複数のアクテ
ィブマトリクス基板を支持基板上に固定することがより
好ましい。
基板の製造方法は、上記の方法において、上記複数のア
クティブマトリクス基板の端面間の間隙が２０μｍ以上
１５０μｍ以下の範囲内となるように、該複数のアクテ
ィブマトリクス基板を支持基板上に固定することがより
好ましい。
【００５１】上記の方法によれば、特にスムーズに、毛
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となる。
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となる。
【００５２】
【発明の実施の形態】〔実施の形態１〕本発明の実施の
一形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、本発明の範囲は、特にこの実施の形
態の記載のみに限定されるものではない。
一形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、本発明の範囲は、特にこの実施の形
態の記載のみに限定されるものではない。
【００５３】図１（ａ）・（ｂ）に示すように、本発明
に係る複合アクティブマトリクス基板１１ａは、一枚の
大面積な支持基板１２の一面上に、二枚の小型のアクテ
ィブマトリクス基板１３・１３が、その表面（アクティ
ブ素子形成面）同士を略面一に揃えて隣接配置されてな
る。各アクティブマトリクス基板１３の表面側は、アク
ティブ素子、走査信号線、データ信号線、画素電極など
の構成（図示せず）が形成されたアクティブ素子形成部
１３ａを有し、複合アクティブマトリクス基板１１ａで
は、各アクティブマトリクス基板１３の表面側が露出す
るように、アクティブマトリクス基板１３の裏面（表面
の背向面）と支持基板１２とを対向させて互いに貼り合
わせしている。なお、アクティブ素子形成部１３ａが有
する構成、その形成法は、従来のアクティブマトリクス
基板に形成されるものと同様であり、詳細な説明は省略
する。また、アクティブ素子としては、ＴＦＴ(Thin Fi
lmTransistor)素子やＭＩＭ(Metal Insulator Metal)
素子が例示される。
に係る複合アクティブマトリクス基板１１ａは、一枚の
大面積な支持基板１２の一面上に、二枚の小型のアクテ
ィブマトリクス基板１３・１３が、その表面（アクティ
ブ素子形成面）同士を略面一に揃えて隣接配置されてな
る。各アクティブマトリクス基板１３の表面側は、アク
ティブ素子、走査信号線、データ信号線、画素電極など
の構成（図示せず）が形成されたアクティブ素子形成部
１３ａを有し、複合アクティブマトリクス基板１１ａで
は、各アクティブマトリクス基板１３の表面側が露出す
るように、アクティブマトリクス基板１３の裏面（表面
の背向面）と支持基板１２とを対向させて互いに貼り合
わせしている。なお、アクティブ素子形成部１３ａが有
する構成、その形成法は、従来のアクティブマトリクス
基板に形成されるものと同様であり、詳細な説明は省略
する。また、アクティブ素子としては、ＴＦＴ(Thin Fi
lmTransistor)素子やＭＩＭ(Metal Insulator Metal)
素子が例示される。
【００５４】各アクティブマトリクス基板１３と支持基
板１２との貼り合わせは、シール材１４、及び接着性を
有する第一充填材（接着性充填材Ａ）１５を介して行わ
れている。シール材１４は、各アクティブマトリクス基
板１３の裏面と支持基板１２との間に一つずつ配され、
それぞれアクティブマトリクス基板１３の裏面の外周に
沿った枠状（環状）に形成されている。また、第一充填
材１５は、各アクティブマトリクス基板１３、支持基板
１２、及びシール材１４により囲まれた間隙（つまり、
各アクティブマトリクス基板１３の裏面と支持基板１２
との隙間）に充填される。
板１２との貼り合わせは、シール材１４、及び接着性を
有する第一充填材（接着性充填材Ａ）１５を介して行わ
れている。シール材１４は、各アクティブマトリクス基
板１３の裏面と支持基板１２との間に一つずつ配され、
それぞれアクティブマトリクス基板１３の裏面の外周に
沿った枠状（環状）に形成されている。また、第一充填
材１５は、各アクティブマトリクス基板１３、支持基板
１２、及びシール材１４により囲まれた間隙（つまり、
各アクティブマトリクス基板１３の裏面と支持基板１２
との隙間）に充填される。
【００５５】図２に示すように、二枚のアクティブマト
リクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面間）
１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充填材
Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板１３
・１３の端面同士を接着している。また、第二充填材１
６は、シール材１４・１４間の隙間にも充填されてお
り、アクティブマトリクス基板１３・１３間や、アクテ
ィブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に生じる
隙間をできうる限り埋めるように構成されている。な
お、上記第一充填材１５、第二充填材１６の種類は、複
合アクティブマトリクス基板１１ａの製造方法の説明に
おいて具体的に例示する。
リクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面間）
１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充填材
Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板１３
・１３の端面同士を接着している。また、第二充填材１
６は、シール材１４・１４間の隙間にも充填されてお
り、アクティブマトリクス基板１３・１３間や、アクテ
ィブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に生じる
隙間をできうる限り埋めるように構成されている。な
お、上記第一充填材１５、第二充填材１６の種類は、複
合アクティブマトリクス基板１１ａの製造方法の説明に
おいて具体的に例示する。
【００５６】ところで、複合アクティブマトリクス基板
１１ａでは、シール材１４が各アクティブマトリクス基
板１３の裏面の外周に沿った四角形枠状に形成されてい
るが、少なくとも、各アクティブマトリクス基板１３の
裏面と支持基板１２との間に配されて、第一充填材１５
の漏れ出し（溢れ出し）を防止可能な枠状であれば、そ
の形状は特に限定されない。例えば、シール材を、シー
ル材１４より一回り小さな四角形枠状や、円環状などに
形成してもよい。なお、シール材１４・１４間に生じる
隙間をできるだけ小さくするためには、該シール材１４
をアクティブマトリクス基板１３の裏面の外周に沿った
枠状とすることが特に好ましい。
１１ａでは、シール材１４が各アクティブマトリクス基
板１３の裏面の外周に沿った四角形枠状に形成されてい
るが、少なくとも、各アクティブマトリクス基板１３の
裏面と支持基板１２との間に配されて、第一充填材１５
の漏れ出し（溢れ出し）を防止可能な枠状であれば、そ
の形状は特に限定されない。例えば、シール材を、シー
ル材１４より一回り小さな四角形枠状や、円環状などに
形成してもよい。なお、シール材１４・１４間に生じる
隙間をできるだけ小さくするためには、該シール材１４
をアクティブマトリクス基板１３の裏面の外周に沿った
枠状とすることが特に好ましい。
【００５７】以下、図３ないし図５に基づき、複合アク
ティブマトリクス基板１１ａの製造方法について詳細に
説明する。はじめに、製造工程（１）として、液晶ディ
スプレイ分野などで周知のプロセスにより絶縁基板１３
ｂの表面上に、アクティブ素子、走査信号線、データ信
号線などの構成を備えたアクティブ素子形成部１３ａを
作成し、小サイズのアクティブマトリクス基板１３を製
造する（図３（ａ）参照）。絶縁基板１３ｂの種類はア
クティブマトリクス基板用のものであれば特に限定され
ないが、例えば、コーニング社製の無アルカリガラス♯
１７３７などを使用すればよい。そして、絶縁基板１３
ｂ上に、１）マトリクス状の金属配線（走査信号線、デ
ータ信号線など）、２）ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）やｐ−ｓｉ（ポリシリコン）を半導体層に用いた薄
膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）、またはＭＩＭ構造
などのダイオード素子（ＭＩＭ素子）からなる複数のア
クティブ素子、３）画素毎に設けられた画素電極、など
の構造（アクティブ素子形成部１３ａとして図示）を形
成してアクティブマトリクス基板１３を製造する。
ティブマトリクス基板１１ａの製造方法について詳細に
説明する。はじめに、製造工程（１）として、液晶ディ
スプレイ分野などで周知のプロセスにより絶縁基板１３
ｂの表面上に、アクティブ素子、走査信号線、データ信
号線などの構成を備えたアクティブ素子形成部１３ａを
作成し、小サイズのアクティブマトリクス基板１３を製
造する（図３（ａ）参照）。絶縁基板１３ｂの種類はア
クティブマトリクス基板用のものであれば特に限定され
ないが、例えば、コーニング社製の無アルカリガラス♯
１７３７などを使用すればよい。そして、絶縁基板１３
ｂ上に、１）マトリクス状の金属配線（走査信号線、デ
ータ信号線など）、２）ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコ
ン）やｐ−ｓｉ（ポリシリコン）を半導体層に用いた薄
膜トランジスタ素子（ＴＦＴ素子）、またはＭＩＭ構造
などのダイオード素子（ＭＩＭ素子）からなる複数のア
クティブ素子、３）画素毎に設けられた画素電極、など
の構造（アクティブ素子形成部１３ａとして図示）を形
成してアクティブマトリクス基板１３を製造する。
【００５８】次いで、このアクティブマトリクス基板１
３の素子形成面（表面）に表面保護膜２０を形成する
（図３（ａ）参照）。表面保護膜２０は、後の基板切断
工程（製造工程（２））や、基板貼り合わせ工程（製造
工程（４）〜（６））での汚染や損傷からアクティブマ
トリクス基板１３を保護する。また、表面保護膜２０
は、基板貼り合わせ工程の最終段階で完全に剥離する必
要があるので、アクティブマトリクス基板１３表面の保
護性能と剥離容易性との双方がもとめられる。このた
め、表面保護膜２０としては、例えば、アクリル樹脂を
主成分とするＩＰＡ（イソプロピルアルコール）可溶性
の仮保護膜を使用し、スピンコータを用いてアクティブ
マトリクス基板１３の表面全体に約３μｍの厚みで塗布
形成する。この表面保護膜２０は、水には不溶であるが
ＩＰＡ（表面保護膜除去剤）には容易に溶解する特性を
示すので、水を用いた洗浄工程では溶解・剥落せず、一
方、製造の最終工程での剥離除去が容易である。なお、
使用される表面保護膜２０は、特にアクリル樹脂を主成
分とするＩＰＡ可溶性のものに限定されず、アルカリ溶
液や他の有機溶剤（表面保護膜除去剤）に可溶な各種仮
保護膜を採用してもよい。また、スピン塗布に限らず、
ドライフイルムの転写やスプレー法など各種手法で表面
保護膜２０を形成してもよい。
３の素子形成面（表面）に表面保護膜２０を形成する
（図３（ａ）参照）。表面保護膜２０は、後の基板切断
工程（製造工程（２））や、基板貼り合わせ工程（製造
工程（４）〜（６））での汚染や損傷からアクティブマ
トリクス基板１３を保護する。また、表面保護膜２０
は、基板貼り合わせ工程の最終段階で完全に剥離する必
要があるので、アクティブマトリクス基板１３表面の保
護性能と剥離容易性との双方がもとめられる。このた
め、表面保護膜２０としては、例えば、アクリル樹脂を
主成分とするＩＰＡ（イソプロピルアルコール）可溶性
の仮保護膜を使用し、スピンコータを用いてアクティブ
マトリクス基板１３の表面全体に約３μｍの厚みで塗布
形成する。この表面保護膜２０は、水には不溶であるが
ＩＰＡ（表面保護膜除去剤）には容易に溶解する特性を
示すので、水を用いた洗浄工程では溶解・剥落せず、一
方、製造の最終工程での剥離除去が容易である。なお、
使用される表面保護膜２０は、特にアクリル樹脂を主成
分とするＩＰＡ可溶性のものに限定されず、アルカリ溶
液や他の有機溶剤（表面保護膜除去剤）に可溶な各種仮
保護膜を採用してもよい。また、スピン塗布に限らず、
ドライフイルムの転写やスプレー法など各種手法で表面
保護膜２０を形成してもよい。
【００５９】次いで、製造工程（２）として、小サイズ
のアクティブマトリクス基板１３同士の接続面（端面）
の切り出しを行う（図３（ｂ）参照）。切り出しの際に
は、アクティブ素子形成部１３ａの端部と端面とが一致
するように精度良く切断する。また、切断の方法として
は、ダイヤモンドブレードを用いたダイシングが適して
おり、特に好適には粒度♯４００〜♯８００程度のダイ
ヤモンドブレードを用いて切断する。加工精度を向上さ
せるために、さらに必要に応じて、切り出された端面の
研磨を行なうこともできる。研磨により、ダイシング切
断時に端面エッジに発生したチッピング（はま欠け）領
域を削り落とし、精度良い切断面（端面）を得ることが
可能となる。
のアクティブマトリクス基板１３同士の接続面（端面）
の切り出しを行う（図３（ｂ）参照）。切り出しの際に
は、アクティブ素子形成部１３ａの端部と端面とが一致
するように精度良く切断する。また、切断の方法として
は、ダイヤモンドブレードを用いたダイシングが適して
おり、特に好適には粒度♯４００〜♯８００程度のダイ
ヤモンドブレードを用いて切断する。加工精度を向上さ
せるために、さらに必要に応じて、切り出された端面の
研磨を行なうこともできる。研磨により、ダイシング切
断時に端面エッジに発生したチッピング（はま欠け）領
域を削り落とし、精度良い切断面（端面）を得ることが
可能となる。
【００６０】次いで、製造工程（３）として、製造工程
（２）で得られたアクティブマトリクス基板１３を二
枚、または四枚準備し、それぞれの切断面（端面）が向
かい合うように、かつ端面間の隙間が画素ピッチ程度ま
たはそれ以下におさまるように隣接させて位置合わせす
る（図３（ｃ）参照）。例えば、真空チャック付きの平
坦性に優れたステージ２１上で、アクティブ素子形成部
１３ａ（つまり表面側）をステージ２１に対向させて
（裏向けて）、複数のアクティブマトリクス基板１３の
位置合わせを行い、位置合わせが完了した時点で真空チ
ャック（図示せず）によりアクティブマトリクス基板１
３を固定する。これにより、継ぎ合わされる複数のアク
ティブマトリクス基板１３間の表面段差をできるだけ無
くした状態にセット可能となる。
（２）で得られたアクティブマトリクス基板１３を二
枚、または四枚準備し、それぞれの切断面（端面）が向
かい合うように、かつ端面間の隙間が画素ピッチ程度ま
たはそれ以下におさまるように隣接させて位置合わせす
る（図３（ｃ）参照）。例えば、真空チャック付きの平
坦性に優れたステージ２１上で、アクティブ素子形成部
１３ａ（つまり表面側）をステージ２１に対向させて
（裏向けて）、複数のアクティブマトリクス基板１３の
位置合わせを行い、位置合わせが完了した時点で真空チ
ャック（図示せず）によりアクティブマトリクス基板１
３を固定する。これにより、継ぎ合わされる複数のアク
ティブマトリクス基板１３間の表面段差をできるだけ無
くした状態にセット可能となる。
【００６１】次いで、製造工程（４）として、一枚の支
持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一表面に
シール材（封止材、接着樹脂）１４を塗布する（図３
（ｄ）参照）。シール材１４のパターンは、例えば、貼
り合わせの対象である各アクティブマトリクス基板１３
の裏面の外周枠に沿って枠状に描写される。また、シー
ル材１４の材料としては、熱硬化型や光硬化型のエポキ
シ樹脂やアクリル樹脂、または室温硬化型のシリコーン
樹脂など、液晶ディスプレイ分野などで周知のシール材
を用いることができ、スクリーン印刷やディスペンサー
によって塗布（描写）すれば良い。
持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一表面に
シール材（封止材、接着樹脂）１４を塗布する（図３
（ｄ）参照）。シール材１４のパターンは、例えば、貼
り合わせの対象である各アクティブマトリクス基板１３
の裏面の外周枠に沿って枠状に描写される。また、シー
ル材１４の材料としては、熱硬化型や光硬化型のエポキ
シ樹脂やアクリル樹脂、または室温硬化型のシリコーン
樹脂など、液晶ディスプレイ分野などで周知のシール材
を用いることができ、スクリーン印刷やディスペンサー
によって塗布（描写）すれば良い。
【００６２】そして、支持基板１２と各アクティブマト
リクス基板１３とを、シール材１４を介して貼り合わせ
る。この時、必要に応じてシール材１４中にビーズやフ
ァイバなどのスペーサ（ギャップ保持材）１４ａを混入
しておくと良い。あるいは、支持基板１２またはアクテ
ィブマトリクス基板１３の対向する面の少なくとも一方
に、スペーサ（ギャップ保持材、図示せず）を散布ある
いは配置しても良い。支持基板１２と各アクティブマト
リクス基板１３との間にスペーサを配すれば、両基板間
の間隙を略一定に保つ事ができ、その結果、各アクティ
ブマトリクス基板１３の表面の平坦性がより一層向上さ
れる。なお、シール材１４の塗布（描写）は、支持基板
１２側ではなくアクティブマトリクス基板１３側に行な
うこともできる。
リクス基板１３とを、シール材１４を介して貼り合わせ
る。この時、必要に応じてシール材１４中にビーズやフ
ァイバなどのスペーサ（ギャップ保持材）１４ａを混入
しておくと良い。あるいは、支持基板１２またはアクテ
ィブマトリクス基板１３の対向する面の少なくとも一方
に、スペーサ（ギャップ保持材、図示せず）を散布ある
いは配置しても良い。支持基板１２と各アクティブマト
リクス基板１３との間にスペーサを配すれば、両基板間
の間隙を略一定に保つ事ができ、その結果、各アクティ
ブマトリクス基板１３の表面の平坦性がより一層向上さ
れる。なお、シール材１４の塗布（描写）は、支持基板
１２側ではなくアクティブマトリクス基板１３側に行な
うこともできる。
【００６３】次いで、製造工程（５）として、アクティ
ブマトリクス基板１３、支持基板１２、及びシール材１
４により囲まれた間隙に第一充填材１５を充填する（図
３（ｅ）、図４参照）。この工程には、例えば、図４に
示すように、予め支持基板１２に複数の貫通孔（注入口
または排気口）１２ｂを開けておき、この貫通孔１２ｂ
から第一充填材１５を充填する方法が採用される。複数
の貫通孔１２ｂは、各アクティブマトリクス基板１３、
支持基板１２、及びシール材１４により囲まれた間隙
（空間Ａとする）に開口して、この空間Ａそれぞれに二
つずつ設けられており、このうちの一方から第一充填材
１５を注入し、他方から排気を行なうと良い。この方法
により、簡便に第一充填材１５を注入することができ
る。なお、空間Ａに開口し、第一充填材１５の注入口と
なる貫通孔は、場合によっては各アクティブマトリクス
基板１３やシール材１４に設けてもよい。また、空間Ａ
を減圧し、該空間Ａに真空注入法によって第一充填材１
５を充填してもよい。
ブマトリクス基板１３、支持基板１２、及びシール材１
４により囲まれた間隙に第一充填材１５を充填する（図
３（ｅ）、図４参照）。この工程には、例えば、図４に
示すように、予め支持基板１２に複数の貫通孔（注入口
または排気口）１２ｂを開けておき、この貫通孔１２ｂ
から第一充填材１５を充填する方法が採用される。複数
の貫通孔１２ｂは、各アクティブマトリクス基板１３、
支持基板１２、及びシール材１４により囲まれた間隙
（空間Ａとする）に開口して、この空間Ａそれぞれに二
つずつ設けられており、このうちの一方から第一充填材
１５を注入し、他方から排気を行なうと良い。この方法
により、簡便に第一充填材１５を注入することができ
る。なお、空間Ａに開口し、第一充填材１５の注入口と
なる貫通孔は、場合によっては各アクティブマトリクス
基板１３やシール材１４に設けてもよい。また、空間Ａ
を減圧し、該空間Ａに真空注入法によって第一充填材１
５を充填してもよい。
【００６４】上記第一充填材１５としては、注入時に流
動性を有し、充填後に硬化する硬化性樹脂材料を用いる
ことが好ましい。硬化性樹脂材料としては、例えば、光
硬化性、熱硬化性、二液硬化性などの樹脂材料が挙げら
れるが、注入（充填）時に粘度変化が発生せず、かつ充
填完了後に短時間で硬化可能な点で一液性の光硬化性樹
脂が特に好適であり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など
が例示される。また、第一充填材１５の硬化前の粘度
は、貫通孔１２ｂより注入可能な値であれば特に限定さ
れないが、低粘度の方がよりスムーズな充填を行うこと
ができるので、４０ｃＰ〜３００ｃＰ程度であることが
より好ましい。
動性を有し、充填後に硬化する硬化性樹脂材料を用いる
ことが好ましい。硬化性樹脂材料としては、例えば、光
硬化性、熱硬化性、二液硬化性などの樹脂材料が挙げら
れるが、注入（充填）時に粘度変化が発生せず、かつ充
填完了後に短時間で硬化可能な点で一液性の光硬化性樹
脂が特に好適であり、アクリル樹脂、エポキシ樹脂など
が例示される。また、第一充填材１５の硬化前の粘度
は、貫通孔１２ｂより注入可能な値であれば特に限定さ
れないが、低粘度の方がよりスムーズな充填を行うこと
ができるので、４０ｃＰ〜３００ｃＰ程度であることが
より好ましい。
【００６５】一液性の光硬化性樹脂であり、かつ硬化前
の粘度が４０ｃＰ〜３００ｃＰの範囲内にある第一充填
材１５として、具体的には、Epoxy Technology社製のOG
146-2 （粘度約２００ｃＰ）、協立化学産業社製のワー
ルドロックXOC-03H2（粘度約１８０ｃＰ）、アーデル社
製のオプトクレーブV300（粘度約３００ｃＰ）などの紫
外線硬化型接着剤が挙げられる。これらの紫外線硬化型
接着剤を第一充填材１５として用いる場合には、該接着
剤を充填した後、透光性の支持基板１２の外側からケミ
カルＵＶ蛍光灯を用いて紫外線照射を行い、接着剤を硬
化させると良い。
の粘度が４０ｃＰ〜３００ｃＰの範囲内にある第一充填
材１５として、具体的には、Epoxy Technology社製のOG
146-2 （粘度約２００ｃＰ）、協立化学産業社製のワー
ルドロックXOC-03H2（粘度約１８０ｃＰ）、アーデル社
製のオプトクレーブV300（粘度約３００ｃＰ）などの紫
外線硬化型接着剤が挙げられる。これらの紫外線硬化型
接着剤を第一充填材１５として用いる場合には、該接着
剤を充填した後、透光性の支持基板１２の外側からケミ
カルＵＶ蛍光灯を用いて紫外線照射を行い、接着剤を硬
化させると良い。
【００６６】次いで、製造工程（６）として、アクティ
ブマトリクス基板１３・１３同士の端面間の隙間１３ｃ
に、第二充填材１６を充填する（図３（ｆ）、図５参
照）。この工程には、例えば、注入器２２を用いて、隣
接配置されたアクティブマトリクス基板１３・１３の端
面間に生じる隙間（間隙）１３ｃの一端から毛細管現象
により第二充填材１６を充填する方法が採用される（図
５参照）。この方法を用いれば、第二充填材１６は、ア
クティブマトリクス基板１３の分断端面により形成され
る隙間１３ｃおよびその下方に位置するシール材１４・
１４間の隙間にのみ充填されるので、基本的にはアクテ
ィブマトリクス基板１３の表面（厳密には表面保護膜２
０の表面）に第二充填材１６が付着する虞がない。従っ
て、簡便に、アクティブマトリクス基板１３の表面汚染
を最小限に抑えた状態で第二充填材１６を充填可能とな
る。
ブマトリクス基板１３・１３同士の端面間の隙間１３ｃ
に、第二充填材１６を充填する（図３（ｆ）、図５参
照）。この工程には、例えば、注入器２２を用いて、隣
接配置されたアクティブマトリクス基板１３・１３の端
面間に生じる隙間（間隙）１３ｃの一端から毛細管現象
により第二充填材１６を充填する方法が採用される（図
５参照）。この方法を用いれば、第二充填材１６は、ア
クティブマトリクス基板１３の分断端面により形成され
る隙間１３ｃおよびその下方に位置するシール材１４・
１４間の隙間にのみ充填されるので、基本的にはアクテ
ィブマトリクス基板１３の表面（厳密には表面保護膜２
０の表面）に第二充填材１６が付着する虞がない。従っ
て、簡便に、アクティブマトリクス基板１３の表面汚染
を最小限に抑えた状態で第二充填材１６を充填可能とな
る。
【００６７】なお、第二充填材１６が充填される溝（隙
間１３ｃ）の幅は画素ピッチ以内に設定することが望ま
しく、通常は１０μｍ〜１５０μｍ程度となる。このた
め、毛細管現象により、隙間１３ｃに迅速に第二充填材
１６を充填するためには、第二充填材１６として非常に
低粘度な材料を用いることが特に好ましい。実験によれ
ば、５ｃＰ〜２００ｃＰの範囲内の粘性を有する接着樹
脂（充填材）が特に好適であると判明した。また、毛細
管現象によるスムーズかつ十分な充填を可能とするため
には、アクティブマトリクス基板１３・１３間の隙間１
３ｃの幅が２０μｍ〜１５０μｍの範囲内にあれば特に
好適であると判明した。なお、上記接着樹脂の粘度の例
示や、隙間１３ｃの幅の例示は、特に好適な範囲を示す
ものであり、必ずしもこの範囲内に限定されない。
間１３ｃ）の幅は画素ピッチ以内に設定することが望ま
しく、通常は１０μｍ〜１５０μｍ程度となる。このた
め、毛細管現象により、隙間１３ｃに迅速に第二充填材
１６を充填するためには、第二充填材１６として非常に
低粘度な材料を用いることが特に好ましい。実験によれ
ば、５ｃＰ〜２００ｃＰの範囲内の粘性を有する接着樹
脂（充填材）が特に好適であると判明した。また、毛細
管現象によるスムーズかつ十分な充填を可能とするため
には、アクティブマトリクス基板１３・１３間の隙間１
３ｃの幅が２０μｍ〜１５０μｍの範囲内にあれば特に
好適であると判明した。なお、上記接着樹脂の粘度の例
示や、隙間１３ｃの幅の例示は、特に好適な範囲を示す
ものであり、必ずしもこの範囲内に限定されない。
【００６８】また、第二充填材１６としてアクリル樹脂
のように硬化時に嫌気性を示す接着樹脂（つまり空気の
存在下で硬化し難い接着樹脂）を用いることもできる
が、隙間１３ｃの表面では第二充填材１６が露出して空
気にさらされ、露出部で硬化不良が発生する虞もある。
この場合、硬化不良部分から染み出す有機成分・有機不
純物（第二充填材１６の一成分）がアクティブマトリク
ス基板１３の汚染源となる虞もある。よって、第二充填
材１６として、エポキシ系樹脂など、硬化時に嫌気性を
示さない接着樹脂（空気の存在下での硬化が可能な接着
樹脂）を使用することが特に好ましい。なお、「硬化時
に嫌気性を示さない」とは、空気の存在下での硬化が可
能であることを指し、必ずしも空気の存在により硬化反
応が起こるまたは促進されることを指すものではない。
のように硬化時に嫌気性を示す接着樹脂（つまり空気の
存在下で硬化し難い接着樹脂）を用いることもできる
が、隙間１３ｃの表面では第二充填材１６が露出して空
気にさらされ、露出部で硬化不良が発生する虞もある。
この場合、硬化不良部分から染み出す有機成分・有機不
純物（第二充填材１６の一成分）がアクティブマトリク
ス基板１３の汚染源となる虞もある。よって、第二充填
材１６として、エポキシ系樹脂など、硬化時に嫌気性を
示さない接着樹脂（空気の存在下での硬化が可能な接着
樹脂）を使用することが特に好ましい。なお、「硬化時
に嫌気性を示さない」とは、空気の存在下での硬化が可
能であることを指し、必ずしも空気の存在により硬化反
応が起こるまたは促進されることを指すものではない。
【００６９】粘性が５ｃＰ〜２００ｃＰの範囲内にあ
り、かつ、空気の存在下での硬化が可能な接着樹脂とし
て、より具体的には、Epoxy Technology社製のOG 146
（粘度約４０ｃＰ程度またはそれ未満）などの紫外線硬
化型接着剤（紫外線硬化性樹脂）等が採用可能である。
紫外線硬化型接着剤を用いる場合には、該接着剤を隙間
１３ｃに充填した後、アクティブマトリクス基板１３の
外側からケミカルＵＶ蛍光灯を用いて紫外線を照射し、
接着剤を硬化させる。これにより、表面に露出した第二
充填材１６をも良好に硬化させ、タック性を残さなくす
ることができる。
り、かつ、空気の存在下での硬化が可能な接着樹脂とし
て、より具体的には、Epoxy Technology社製のOG 146
（粘度約４０ｃＰ程度またはそれ未満）などの紫外線硬
化型接着剤（紫外線硬化性樹脂）等が採用可能である。
紫外線硬化型接着剤を用いる場合には、該接着剤を隙間
１３ｃに充填した後、アクティブマトリクス基板１３の
外側からケミカルＵＶ蛍光灯を用いて紫外線を照射し、
接着剤を硬化させる。これにより、表面に露出した第二
充填材１６をも良好に硬化させ、タック性を残さなくす
ることができる。
【００７０】図３ないし図５には示さないが、複合アク
ティブマトリクス基板１１ａの製造工程には、特に水を
用いた洗浄工程が組み込まれている。この際、表面に露
出した第二充填材１６が良好に硬化していれば、その露
出面からの有機成分・有機不純物の滲み出しが最小限に
抑制され、アクティブマトリクス基板１３の表面汚染が
より確実に回避される。
ティブマトリクス基板１１ａの製造工程には、特に水を
用いた洗浄工程が組み込まれている。この際、表面に露
出した第二充填材１６が良好に硬化していれば、その露
出面からの有機成分・有機不純物の滲み出しが最小限に
抑制され、アクティブマトリクス基板１３の表面汚染が
より確実に回避される。
【００７１】最後に、製造工程（７）として、アクティ
ブマトリクス基板１３の表面に設置された表面保護膜２
０を剥離除去する（図３（ｇ）参照）。例えば、表面保
護膜２０として、前述のアクリル樹脂を主成分とするＩ
ＰＡ可溶性の仮保護膜を用いた場合には、表面保護膜２
０が付いた複合アクティブマトリクス基板１１ａをＩＰ
Ａに浸漬し、その後純水で置換し、乾燥させればよい。
なお、ＩＰＡに浸漬する際には同時に超音波を照射する
ことがより好ましい。
ブマトリクス基板１３の表面に設置された表面保護膜２
０を剥離除去する（図３（ｇ）参照）。例えば、表面保
護膜２０として、前述のアクリル樹脂を主成分とするＩ
ＰＡ可溶性の仮保護膜を用いた場合には、表面保護膜２
０が付いた複合アクティブマトリクス基板１１ａをＩＰ
Ａに浸漬し、その後純水で置換し、乾燥させればよい。
なお、ＩＰＡに浸漬する際には同時に超音波を照射する
ことがより好ましい。
【００７２】本実施の形態にかかる複合アクティブマト
リクス基板の製造方法では、小サイズのアクティブマト
リクス基板１３の周囲に沿って形成された枠状のシール
材１４、アクティブマトリクス基板１３、及び支持基板
１２により囲まれた空間に第一充填材（接着樹脂）１５
が充填される。よって、第一充填材１５が周辺に溢れ出
すことなく両基板を貼り合わせ可能となり、作業性が向
上する。また、シール材１４を設けることで、アクティ
ブマトリクス基板１３・１３の継ぎ目（隙間１３ｃ）に
第一充填材１５が流入することがなく、各アクティブマ
トリクス基板１３の表面が第一充填材１５により汚染さ
れる虞もない。つまり、各アクティブマトリクス基板１
３の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマトリクス
基板１３が支持基板１２に強固に固定されてなる複合ア
クティブマトリクス基板１１ａを簡便な方法で提供可能
となる。
リクス基板の製造方法では、小サイズのアクティブマト
リクス基板１３の周囲に沿って形成された枠状のシール
材１４、アクティブマトリクス基板１３、及び支持基板
１２により囲まれた空間に第一充填材（接着樹脂）１５
が充填される。よって、第一充填材１５が周辺に溢れ出
すことなく両基板を貼り合わせ可能となり、作業性が向
上する。また、シール材１４を設けることで、アクティ
ブマトリクス基板１３・１３の継ぎ目（隙間１３ｃ）に
第一充填材１５が流入することがなく、各アクティブマ
トリクス基板１３の表面が第一充填材１５により汚染さ
れる虞もない。つまり、各アクティブマトリクス基板１
３の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマトリクス
基板１３が支持基板１２に強固に固定されてなる複合ア
クティブマトリクス基板１１ａを簡便な方法で提供可能
となる。
【００７３】また、各アクティブマトリクス基板１３と
支持基板１２とを第一充填材１５にて貼り合わせる際
に、周辺に溢れ出る余分な第一充填材１５が発生せず、
その利用効率も向上する。さらに、従来のように支持基
板１２に多数の貫通孔（接着樹脂排出孔）を設ける必要
が無く、それに伴うコストアップも発生しない。加え
て、シール材１４の存在により、アクティブマトリクス
基板１３・支持基板１２間に形成される空間（間隙）
と、隣接するアクティブマトリクス基板１３・１３の端
面間に形成される空間（間隙）とが完全に分離される。
それ故、各アクティブマトリクス基板１３と支持基板１
２とを貼り合わせる第一充填材（接着樹脂）１５と、隣
接するアクティブマトリクス基板１３・１３同士を接続
する第二充填材（接着樹脂）１６とを異なる特性の充填
材（接着樹脂）とすることも可能となり、必要に応じて
それぞれの目的に最適な充填材を選択することもでき
る。
支持基板１２とを第一充填材１５にて貼り合わせる際
に、周辺に溢れ出る余分な第一充填材１５が発生せず、
その利用効率も向上する。さらに、従来のように支持基
板１２に多数の貫通孔（接着樹脂排出孔）を設ける必要
が無く、それに伴うコストアップも発生しない。加え
て、シール材１４の存在により、アクティブマトリクス
基板１３・支持基板１２間に形成される空間（間隙）
と、隣接するアクティブマトリクス基板１３・１３の端
面間に形成される空間（間隙）とが完全に分離される。
それ故、各アクティブマトリクス基板１３と支持基板１
２とを貼り合わせる第一充填材（接着樹脂）１５と、隣
接するアクティブマトリクス基板１３・１３同士を接続
する第二充填材（接着樹脂）１６とを異なる特性の充填
材（接着樹脂）とすることも可能となり、必要に応じて
それぞれの目的に最適な充填材を選択することもでき
る。
【００７４】〔実施の形態２〕本発明の他の実施の形態
について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の通りで
ある。なお、上記実施の形態１で述べたものと同一の機
能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細
な説明を省略する。また、本発明の範囲は、特にこの実
施の形態の記載のみに限定されるものではない。
について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の通りで
ある。なお、上記実施の形態１で述べたものと同一の機
能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細
な説明を省略する。また、本発明の範囲は、特にこの実
施の形態の記載のみに限定されるものではない。
【００７５】本実施の形態にかかる複合アクティブマト
リクス基板１１ｂは、実施の形態１にかかる複合アクテ
ィブマトリクス基板１１ａと同様、一枚の大面積な支持
基板１２上に、二枚のアクティブマトリクス基板１３・
１３がアクティブ素子形成部１３ａ・１３ａを表面に露
出させるように貼り合わされてなる（図６（ａ）・
（ｂ）、図７参照）。実施の形態１との相違点は、各ア
クティブマトリクス基板１３と支持基板１２との貼り合
わせ方法にあり、本実施の形態ではシール材１４と第一
充填材１５との組合せに代えて、一層のゲル状の粘着材
（ゲル粘着材）２５を採用している。
リクス基板１１ｂは、実施の形態１にかかる複合アクテ
ィブマトリクス基板１１ａと同様、一枚の大面積な支持
基板１２上に、二枚のアクティブマトリクス基板１３・
１３がアクティブ素子形成部１３ａ・１３ａを表面に露
出させるように貼り合わされてなる（図６（ａ）・
（ｂ）、図７参照）。実施の形態１との相違点は、各ア
クティブマトリクス基板１３と支持基板１２との貼り合
わせ方法にあり、本実施の形態ではシール材１４と第一
充填材１５との組合せに代えて、一層のゲル状の粘着材
（ゲル粘着材）２５を採用している。
【００７６】図７に示すように、二枚のアクティブマト
リクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面間）
１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充填材
Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板１３
・１３の端面同士を接着している。なお、上記ゲル状の
粘着材２５の種類は、複合アクティブマトリクス基板１
１ｂの製造方法の説明において具体的に例示する。
リクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面間）
１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充填材
Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板１３
・１３の端面同士を接着している。なお、上記ゲル状の
粘着材２５の種類は、複合アクティブマトリクス基板１
１ｂの製造方法の説明において具体的に例示する。
【００７７】以下、図８に基づき、複合アクティブマト
リクス基板１１ｂの製造方法について詳細に説明する。
なお、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示す製造工程（１）〜
（３）については、実施の形態１と同様であり説明を省
略する（図３（ａ）〜図３（ｃ）参照）。
リクス基板１１ｂの製造方法について詳細に説明する。
なお、図８（ａ）〜図８（ｃ）に示す製造工程（１）〜
（３）については、実施の形態１と同様であり説明を省
略する（図３（ａ）〜図３（ｃ）参照）。
【００７８】製造工程（１）〜（３）を経て、表面側が
ステージ２１上に吸着された複数のアクティブマトリク
ス基板１３は、次いで、製造工程（４）で、支持基板１
２上に貼り合わされる（図８（ｄ）参照）。まず、一枚
の支持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一表
面の略全面にゲル状の粘着材２５の層を形成する。次い
で、複数のアクティブマトリクス基板１３と支持基板１
２とを、好ましくは減圧下で圧着し、両基板を貼り合わ
せる。なお、ゲル状の粘着材２５は各アクティブマトリ
クス基板１３の裏面と、支持基板１２の表面との間に配
されていればよいので、場合によっては、各アクティブ
マトリクス基板１３の裏面に対応する位置のみに、アイ
ランド状に粘着材２５の層を形成してもよい。
ステージ２１上に吸着された複数のアクティブマトリク
ス基板１３は、次いで、製造工程（４）で、支持基板１
２上に貼り合わされる（図８（ｄ）参照）。まず、一枚
の支持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一表
面の略全面にゲル状の粘着材２５の層を形成する。次い
で、複数のアクティブマトリクス基板１３と支持基板１
２とを、好ましくは減圧下で圧着し、両基板を貼り合わ
せる。なお、ゲル状の粘着材２５は各アクティブマトリ
クス基板１３の裏面と、支持基板１２の表面との間に配
されていればよいので、場合によっては、各アクティブ
マトリクス基板１３の裏面に対応する位置のみに、アイ
ランド状に粘着材２５の層を形成してもよい。
【００７９】上記ゲル状の粘着材２５とは、流動性を有
する懸濁液または溶液を、流動性を持たず自重でも崩れ
ない程度に固化した半固体状物で、かつ、基板同士を貼
り合わせ可能な粘着性を有するものを指す。具体的に
は、例えば、ゲル状のシリコーン樹脂（シリコーンゲ
ル）等が例示される。ゲル状のシリコーン樹脂は、化学
的に安定な材料であり、耐熱性にも優れているという点
で特に好適である。
する懸濁液または溶液を、流動性を持たず自重でも崩れ
ない程度に固化した半固体状物で、かつ、基板同士を貼
り合わせ可能な粘着性を有するものを指す。具体的に
は、例えば、ゲル状のシリコーン樹脂（シリコーンゲ
ル）等が例示される。ゲル状のシリコーン樹脂は、化学
的に安定な材料であり、耐熱性にも優れているという点
で特に好適である。
【００８０】ゲル状の粘着材２５の使用形態は特に限定
されるものではない。例えば、ゲル状の粘着材２５とし
て予めシート形状に成形されたものを使用する場合に
は、それを支持基板１２に貼り付ければよい（ゲルシー
トと称する）。一方、ゲル状の粘着材２５となる前段階
の流動性に優れた塗布液を使用し、これをスピン塗布に
よって支持基板１２上に塗布形成したのち、加熱などに
より適度に硬化（ゲル化）を促進させてゲル状の粘着材
２５としてもよい（ゲル塗布膜と称する）。ゲルシート
（特に市販品）と比較してゲル塗布膜を用いる利点は、
スピン塗布により１００μｍ程度の薄い厚みに均一に形
成しやすい点にある。なお、上記ゲル塗布膜を形成可能
な塗布液としては、例えば、東レダウコーニングシリコ
ーン社製のＳＥ１８８０（ゲル化によりシリコーンゲル
となる）などが挙げられるが特にこれに限定されない。
されるものではない。例えば、ゲル状の粘着材２５とし
て予めシート形状に成形されたものを使用する場合に
は、それを支持基板１２に貼り付ければよい（ゲルシー
トと称する）。一方、ゲル状の粘着材２５となる前段階
の流動性に優れた塗布液を使用し、これをスピン塗布に
よって支持基板１２上に塗布形成したのち、加熱などに
より適度に硬化（ゲル化）を促進させてゲル状の粘着材
２５としてもよい（ゲル塗布膜と称する）。ゲルシート
（特に市販品）と比較してゲル塗布膜を用いる利点は、
スピン塗布により１００μｍ程度の薄い厚みに均一に形
成しやすい点にある。なお、上記ゲル塗布膜を形成可能
な塗布液としては、例えば、東レダウコーニングシリコ
ーン社製のＳＥ１８８０（ゲル化によりシリコーンゲル
となる）などが挙げられるが特にこれに限定されない。
【００８１】そして、ゲル状の粘着材２５が付与された
支持基板１２と各アクティブマトリクス基板１３とを減
圧下（真空下を含む）で貼り合わせる。これにより、支
持基板１２と各アクティブマトリクス基板１３との隙間
に気泡を巻き込むことなく、両基板を貼り合わせ可能と
なる。また、弾性はあるものの流動性はないゲル状の粘
着材２５により両基板の貼り合わせを行うので、枠状の
シール材１４（実施の形態１参照）を配しなくとも粘着
材２５の溢れ出しが発生せず、各アクティブマトリクス
基板１３の表面が汚染されることもない。
支持基板１２と各アクティブマトリクス基板１３とを減
圧下（真空下を含む）で貼り合わせる。これにより、支
持基板１２と各アクティブマトリクス基板１３との隙間
に気泡を巻き込むことなく、両基板を貼り合わせ可能と
なる。また、弾性はあるものの流動性はないゲル状の粘
着材２５により両基板の貼り合わせを行うので、枠状の
シール材１４（実施の形態１参照）を配しなくとも粘着
材２５の溢れ出しが発生せず、各アクティブマトリクス
基板１３の表面が汚染されることもない。
【００８２】次いで、製造工程（５）として、必要に応
じてゲル状の粘着材２５の加熱処理を行い、粘着材２５
の接着性（粘着性）を向上させてもよい（図８（ｅ）参
照）。なお、ゲル状の粘着材２５として上記ＳＥ１８８
０をゲル化したものを使用する場合、加熱処理の条件
は、１２０℃〜１８０℃の温度範囲内で３０分程度行う
ことが特に好ましい。また、ゲル状の粘着材２５の露出
を防止するため、必要に応じて、複合アクティブマトリ
クス基板１１ｂの端面上に、粘着材２５を取り囲むよう
に封止材２６を設けてシールしてもよい。なお、封止材
２６はエポキシ樹脂などで構成され、場合によっては、
複数のアクティブマトリクス基板１３の裏面と支持基板
１２との間に、粘着材２５を取り囲むように設けてもよ
い。封止材２６を設ければ、後工程で複合アクティブマ
トリクス基板１１ｂを洗浄する際に粘着材２５から有機
物（汚染源）が流出することがなく、各アクティブマト
リクス基板１３の表面汚染が防止される。なお、製造工
程（５）の内容は特に必須なものではなく、状況に応じ
て採用すればよい。
じてゲル状の粘着材２５の加熱処理を行い、粘着材２５
の接着性（粘着性）を向上させてもよい（図８（ｅ）参
照）。なお、ゲル状の粘着材２５として上記ＳＥ１８８
０をゲル化したものを使用する場合、加熱処理の条件
は、１２０℃〜１８０℃の温度範囲内で３０分程度行う
ことが特に好ましい。また、ゲル状の粘着材２５の露出
を防止するため、必要に応じて、複合アクティブマトリ
クス基板１１ｂの端面上に、粘着材２５を取り囲むよう
に封止材２６を設けてシールしてもよい。なお、封止材
２６はエポキシ樹脂などで構成され、場合によっては、
複数のアクティブマトリクス基板１３の裏面と支持基板
１２との間に、粘着材２５を取り囲むように設けてもよ
い。封止材２６を設ければ、後工程で複合アクティブマ
トリクス基板１１ｂを洗浄する際に粘着材２５から有機
物（汚染源）が流出することがなく、各アクティブマト
リクス基板１３の表面汚染が防止される。なお、製造工
程（５）の内容は特に必須なものではなく、状況に応じ
て採用すればよい。
【００８３】次いで、製造工程（６）として、隣接する
アクティブマトリクス基板１３の端面間に第二充填材
（接着性充填材Ｂ）１６を充填し、アクティブマトリク
ス基板１３・１３の端面同士を接着する（図８（ｆ）参
照）。さらに、製造工程（７）として表面保護膜２０の
剥離を行い、複合アクティブマトリクス基板１１ｂが製
造される。なお、製造工程（６）・（７）に関しては、
上記実施の形態１の記載と同様であり詳細な説明は省略
する。
アクティブマトリクス基板１３の端面間に第二充填材
（接着性充填材Ｂ）１６を充填し、アクティブマトリク
ス基板１３・１３の端面同士を接着する（図８（ｆ）参
照）。さらに、製造工程（７）として表面保護膜２０の
剥離を行い、複合アクティブマトリクス基板１１ｂが製
造される。なお、製造工程（６）・（７）に関しては、
上記実施の形態１の記載と同様であり詳細な説明は省略
する。
【００８４】本実施の形態にかかる複合アクティブマト
リクス基板の製造方法では、複数の小サイズのアクティ
ブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に充填され
る接着性充填材として柔軟性に富んだゲル材料（ゲル状
の粘着材２５）を使用している。よって、アクティブマ
トリクス基板１３あるいは支持基板１２の板厚の分布が
著しく不均一で、貼り合わせ時の両基板間のギャップが
完全に均一とならない場合でも、両基板間のギャップ
（隙間）を隙間無く充填可能である。また、アクティブ
マトリクス基板１３または支持基板１２の一方にゲル状
の粘着材２５を付与し、他方を減圧下で貼り合せすれ
ば、粘着材２５を両基板間に容易に充填可能となる。
リクス基板の製造方法では、複数の小サイズのアクティ
ブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に充填され
る接着性充填材として柔軟性に富んだゲル材料（ゲル状
の粘着材２５）を使用している。よって、アクティブマ
トリクス基板１３あるいは支持基板１２の板厚の分布が
著しく不均一で、貼り合わせ時の両基板間のギャップが
完全に均一とならない場合でも、両基板間のギャップ
（隙間）を隙間無く充填可能である。また、アクティブ
マトリクス基板１３または支持基板１２の一方にゲル状
の粘着材２５を付与し、他方を減圧下で貼り合せすれ
ば、粘着材２５を両基板間に容易に充填可能となる。
【００８５】さらに、上記ゲル状の粘着材２５は柔軟性
に富むが流動性は有していないので、複数のアクティブ
マトリクス基板１３と支持基板１２との貼り合わせの際
に、隣接するアクティブマトリクス基板１３の継ぎ目
（端面間）から表面に粘着材２５が溢れ出すことが無
い。よって、粘着材２５による各アクティブマトリクス
基板１３の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマト
リクス基板１３が支持基板１２に強固に固定されてなる
複合アクティブマトリクス基板１１ｂを提供可能とな
る。
に富むが流動性は有していないので、複数のアクティブ
マトリクス基板１３と支持基板１２との貼り合わせの際
に、隣接するアクティブマトリクス基板１３の継ぎ目
（端面間）から表面に粘着材２５が溢れ出すことが無
い。よって、粘着材２５による各アクティブマトリクス
基板１３の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマト
リクス基板１３が支持基板１２に強固に固定されてなる
複合アクティブマトリクス基板１１ｂを提供可能とな
る。
【００８６】また、隣接するアクティブマトリクス基板
１３の端面間（間隙１３ｃ）に、毛細管現象にて第二充
填材（硬化性樹脂）１６を充填するので、アクティブマ
トリクス基板１３の表面側に第二充填材１６が全く付着
せず、かつ、アクティブマトリクス基板１３の表面に物
理的外力を加えない状態で第二充填材１６を充填可能と
なる。従って、表面保護膜２０を使用せずに、または、
使用する場合でも必要最低限の薄さ（本実施の形態では
３μｍ厚）とすることができ、保護度合いの低減及び作
業性の向上が実現可能となる。さらに、ゲル状の粘着材
２５として、ゲル状のシリコーン樹脂（シリコーンゲ
ル）を使用する場合には、化学的・熱的に安定した複合
アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
１３の端面間（間隙１３ｃ）に、毛細管現象にて第二充
填材（硬化性樹脂）１６を充填するので、アクティブマ
トリクス基板１３の表面側に第二充填材１６が全く付着
せず、かつ、アクティブマトリクス基板１３の表面に物
理的外力を加えない状態で第二充填材１６を充填可能と
なる。従って、表面保護膜２０を使用せずに、または、
使用する場合でも必要最低限の薄さ（本実施の形態では
３μｍ厚）とすることができ、保護度合いの低減及び作
業性の向上が実現可能となる。さらに、ゲル状の粘着材
２５として、ゲル状のシリコーン樹脂（シリコーンゲ
ル）を使用する場合には、化学的・熱的に安定した複合
アクティブマトリクス基板を提供可能となる。
【００８７】〔実施の形態３〕本発明のさらに他の実施
の形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、上記実施の形態１・２で述べたもの
と同一の機能を有する部材については同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。また、本発明の範囲
は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるもので
はない。
の形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、上記実施の形態１・２で述べたもの
と同一の機能を有する部材については同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。また、本発明の範囲
は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるもので
はない。
【００８８】本実施の形態にかかる複合アクティブマト
リクス基板１１ｃは、実施の形態１・２にかかる複合ア
クティブマトリクス基板１１ａ・１１ｂと同様、一枚の
大面積な支持基板１２上に、二枚のアクティブマトリク
ス基板１３・１３がアクティブ素子形成部１３ａ・１３
ａを表面に露出させるように貼り合わされてなる（図９
（ａ）・（ｂ）、図１０参照）。実施の形態１・２との
相違点は、各アクティブマトリクス基板１３と支持基板
１２との貼り合わせ方法にあり、本実施の形態ではシー
ル材１４と第一充填材１５との組合せや、ゲル状の粘着
材２５に代えて、両基板を貼り合わせるための粘着層を
表裏両面に備えた両面接着シート３５を採用している。
リクス基板１１ｃは、実施の形態１・２にかかる複合ア
クティブマトリクス基板１１ａ・１１ｂと同様、一枚の
大面積な支持基板１２上に、二枚のアクティブマトリク
ス基板１３・１３がアクティブ素子形成部１３ａ・１３
ａを表面に露出させるように貼り合わされてなる（図９
（ａ）・（ｂ）、図１０参照）。実施の形態１・２との
相違点は、各アクティブマトリクス基板１３と支持基板
１２との貼り合わせ方法にあり、本実施の形態ではシー
ル材１４と第一充填材１５との組合せや、ゲル状の粘着
材２５に代えて、両基板を貼り合わせるための粘着層を
表裏両面に備えた両面接着シート３５を採用している。
【００８９】図１０に示すように、二枚のアクティブマ
トリクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面
間）１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充
填材Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板
１３・１３の端面同士を接着している。また、第二充填
材１６は、隙間１３ｃ下で隣接する両面接着シート３５
・３５間にも充填されており、アクティブマトリクス基
板１３・１３間や、アクティブマトリクス基板１３と支
持基板１２との間に生じる隙間をできうる限り埋めるよ
うに構成されている。
トリクス基板１３・１３の接合部に生じる隙間（端面
間）１３ｃには、接着性を有する第二充填材（接着性充
填材Ｂ）１６が充填されて、アクティブマトリクス基板
１３・１３の端面同士を接着している。また、第二充填
材１６は、隙間１３ｃ下で隣接する両面接着シート３５
・３５間にも充填されており、アクティブマトリクス基
板１３・１３間や、アクティブマトリクス基板１３と支
持基板１２との間に生じる隙間をできうる限り埋めるよ
うに構成されている。
【００９０】以下、図１１に基づき、複合アクティブマ
トリクス基板１１ｃの製造方法について詳細に説明す
る。なお、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示す製造工程
（１）〜（３）については、実施の形態１と同様であり
説明を省略する（図３（ａ）〜図３（ｃ）参照）。
トリクス基板１１ｃの製造方法について詳細に説明す
る。なお、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示す製造工程
（１）〜（３）については、実施の形態１と同様であり
説明を省略する（図３（ａ）〜図３（ｃ）参照）。
【００９１】製造工程（１）〜（３）を経て、表面側が
ステージ２１上に吸着された複数のアクティブマトリク
ス基板１３は、次いで、製造工程（４）で、支持基板１
２上に貼り合わされる（図１１（ｄ）参照）。まず、一
枚の支持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一
表面の略全面に上記両面接着シート３５をストライプ状
に配列させて貼り付ける。次いで、複数のアクティブマ
トリクス基板１３と支持基板１２とを、好ましくは減圧
下で圧着し、両基板を貼り合わせて一体化する。なお、
両面接着シート３５は、支持基板１２側ではなく、各ア
クティブマトリクス基板１３の裏面側に配することもで
きる。
ステージ２１上に吸着された複数のアクティブマトリク
ス基板１３は、次いで、製造工程（４）で、支持基板１
２上に貼り合わされる（図１１（ｄ）参照）。まず、一
枚の支持基板１２、例えばガラス基板を準備し、その一
表面の略全面に上記両面接着シート３５をストライプ状
に配列させて貼り付ける。次いで、複数のアクティブマ
トリクス基板１３と支持基板１２とを、好ましくは減圧
下で圧着し、両基板を貼り合わせて一体化する。なお、
両面接着シート３５は、支持基板１２側ではなく、各ア
クティブマトリクス基板１３の裏面側に配することもで
きる。
【００９２】両面接着シート３５とは、シート状に形成
され、その表裏両面に粘着層を備えたものであればよ
く、例えば、１）支持フィルムの表裏両面に粘着層を形
成したシート体、２）支持フィルム自身が粘着性を有す
るシート体（つまり粘着性材料をシート状に成形したも
の）、等が挙げられ、また、合わせガラスの形成等に使
用される熱可塑性接着シート等も採用可能である。
され、その表裏両面に粘着層を備えたものであればよ
く、例えば、１）支持フィルムの表裏両面に粘着層を形
成したシート体、２）支持フィルム自身が粘着性を有す
るシート体（つまり粘着性材料をシート状に成形したも
の）、等が挙げられ、また、合わせガラスの形成等に使
用される熱可塑性接着シート等も採用可能である。
【００９３】また、両面接着シート３５は、支持基板１
２の表面全体をほぼ被うように一枚のみ配することもで
きるが、より好ましくは各アクティブマトリクス基板１
３と支持基板１２との間に一つまたは複数ずつ、互いに
独立して（互いに不連続に）配される。つまり、両面接
着シート３５は、複数のアクティブマトリクス基板１３
と支持基板１２との間に二つ以上、互いに独立して配さ
れることがより好ましい。これにより、複数のアクティ
ブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に、両面接
着シート３５が存在しない隙間部分が形成されて、この
隙間部分から気泡を排出可能となる。つまり、アクティ
ブマトリクス基板１３および／または支持基板１２と、
両面接着シート３５との間に気泡が巻き込まれることを
最小限に抑制可能となる。また、減圧下（真空下を含
む）で貼り合わせを行うと、気泡の巻き込みをより一層
抑制可能となる。
２の表面全体をほぼ被うように一枚のみ配することもで
きるが、より好ましくは各アクティブマトリクス基板１
３と支持基板１２との間に一つまたは複数ずつ、互いに
独立して（互いに不連続に）配される。つまり、両面接
着シート３５は、複数のアクティブマトリクス基板１３
と支持基板１２との間に二つ以上、互いに独立して配さ
れることがより好ましい。これにより、複数のアクティ
ブマトリクス基板１３と支持基板１２との間に、両面接
着シート３５が存在しない隙間部分が形成されて、この
隙間部分から気泡を排出可能となる。つまり、アクティ
ブマトリクス基板１３および／または支持基板１２と、
両面接着シート３５との間に気泡が巻き込まれることを
最小限に抑制可能となる。また、減圧下（真空下を含
む）で貼り合わせを行うと、気泡の巻き込みをより一層
抑制可能となる。
【００９４】複数のアクティブマトリクス基板１３と支
持基板１２との間に二つ以上、互いに独立に両面接着シ
ート３５を配置する方法は特に限定されるものではな
く、例えば、１）一方向に伸びたテープ状の両面接着シ
ート３５を、一定の間隔を開けながらストライプ状（縞
模様、格子状）に配置（図１０・１１参照）してもよ
く、２）両面接着シート３５をアイランド状など不連続
に配置してもよい。また、特に好ましくは、上記テープ
状の両面接着シート３５の幅を１ｃｍ〜２ｃｍの範囲内
として、この両面接着シート３５を一定の間隔を開けな
がらストライプ状に配置する。
持基板１２との間に二つ以上、互いに独立に両面接着シ
ート３５を配置する方法は特に限定されるものではな
く、例えば、１）一方向に伸びたテープ状の両面接着シ
ート３５を、一定の間隔を開けながらストライプ状（縞
模様、格子状）に配置（図１０・１１参照）してもよ
く、２）両面接着シート３５をアイランド状など不連続
に配置してもよい。また、特に好ましくは、上記テープ
状の両面接着シート３５の幅を１ｃｍ〜２ｃｍの範囲内
として、この両面接着シート３５を一定の間隔を開けな
がらストライプ状に配置する。
【００９５】なお、両面接着シート３５として、支持フ
ィルム（シート基材）または粘着層に、金属フィラーな
どの熱伝導性微粒子を含んでなるものを使用すれば、支
持基板１２側から各アクティブマトリクス基板１３の温
度をより好適な範囲内に制御し易くなる。よって、複合
アクティブマトリクス基板１１ｃ上（より具体的にはア
クティブマトリクス基板１３上）に、成膜温度により性
能が敏感に変化する膜（例えば、実施の形態４で述べる
変換層（半導体膜））を形成する場合などに、特に良好
な性能を有する膜を形成することができる。なお、熱伝
導微粒子の粒径は、アクティブマトリクス基板１３と支
持基板１２とのギャップ以下の大きさであれば特に限定
されるものではない。また、上記熱伝導性微粒子を含ん
でなる両面接着シート３５としては、例えば、寺岡製作
所製の熱伝導性両面テープＮｏ．７０９０などが挙げら
れるが特にこれに限定されない。
ィルム（シート基材）または粘着層に、金属フィラーな
どの熱伝導性微粒子を含んでなるものを使用すれば、支
持基板１２側から各アクティブマトリクス基板１３の温
度をより好適な範囲内に制御し易くなる。よって、複合
アクティブマトリクス基板１１ｃ上（より具体的にはア
クティブマトリクス基板１３上）に、成膜温度により性
能が敏感に変化する膜（例えば、実施の形態４で述べる
変換層（半導体膜））を形成する場合などに、特に良好
な性能を有する膜を形成することができる。なお、熱伝
導微粒子の粒径は、アクティブマトリクス基板１３と支
持基板１２とのギャップ以下の大きさであれば特に限定
されるものではない。また、上記熱伝導性微粒子を含ん
でなる両面接着シート３５としては、例えば、寺岡製作
所製の熱伝導性両面テープＮｏ．７０９０などが挙げら
れるが特にこれに限定されない。
【００９６】次いで、製造工程（５）として、両面接着
シート３５の露出を防止するため、複合アクティブマト
リクス基板１１ｃの端面上に、両面接着シート３５を取
り囲むように封止材２６を設けてシールしてもよい（図
１１（ｅ）参照）。封止材２６を設ければ、後工程で複
合アクティブマトリクス基板１１ｃを洗浄する際に両面
接着シート３５から有機物（汚染源）が流出することが
なく、各アクティブマトリクス基板１３の表面汚染が防
止される。なお、製造工程（５）の内容は特に必須なも
のではなく、状況に応じて採用すればよい。
シート３５の露出を防止するため、複合アクティブマト
リクス基板１１ｃの端面上に、両面接着シート３５を取
り囲むように封止材２６を設けてシールしてもよい（図
１１（ｅ）参照）。封止材２６を設ければ、後工程で複
合アクティブマトリクス基板１１ｃを洗浄する際に両面
接着シート３５から有機物（汚染源）が流出することが
なく、各アクティブマトリクス基板１３の表面汚染が防
止される。なお、製造工程（５）の内容は特に必須なも
のではなく、状況に応じて採用すればよい。
【００９７】次いで、製造工程（６）として、隣接する
アクティブマトリクス基板１３の端面間に第二充填材
（接着性充填材Ｂ）１６を充填し、アクティブマトリク
ス基板１３・１３の端面同士を接着する（図１１（ｆ）
参照）。さらに、製造工程（７）として表面保護膜２０
の剥離を行い、複合アクティブマトリクス基板１１ｃが
製造される。なお、製造工程（６）・（７）に関して
は、上記実施の形態１の記載と同様であり詳細な説明は
省略する。
アクティブマトリクス基板１３の端面間に第二充填材
（接着性充填材Ｂ）１６を充填し、アクティブマトリク
ス基板１３・１３の端面同士を接着する（図１１（ｆ）
参照）。さらに、製造工程（７）として表面保護膜２０
の剥離を行い、複合アクティブマトリクス基板１１ｃが
製造される。なお、製造工程（６）・（７）に関して
は、上記実施の形態１の記載と同様であり詳細な説明は
省略する。
【００９８】本実施の形態にかかる複合アクティブマト
リクス基板の製造方法では、各アクティブマトリクス基
板１３と支持基板１２（両基板と称する）との間に充填
される接着性充填材として固体状の両面接着シート３５
を使用するので、両基板の貼り合わせの際に、隣接する
アクティブマトリクス基板１３の継ぎ目から表面に接着
性充填材が溢れ出すことが無い。よって、接着性充填材
による各アクティブマトリクス基板１３の表面の汚染が
なく、かつ、各アクティブマトリクス基板１３が支持基
板１２に強固に固定されてなる複合アクティブマトリク
ス基板１１ｃを提供可能となる。
リクス基板の製造方法では、各アクティブマトリクス基
板１３と支持基板１２（両基板と称する）との間に充填
される接着性充填材として固体状の両面接着シート３５
を使用するので、両基板の貼り合わせの際に、隣接する
アクティブマトリクス基板１３の継ぎ目から表面に接着
性充填材が溢れ出すことが無い。よって、接着性充填材
による各アクティブマトリクス基板１３の表面の汚染が
なく、かつ、各アクティブマトリクス基板１３が支持基
板１２に強固に固定されてなる複合アクティブマトリク
ス基板１１ｃを提供可能となる。
【００９９】また、接着性充填材として両面接着シート
３５を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板
１３と支持基板１２との貼り合わせがより容易となる。
つまり、接着性充填材の塗布工程または注入工程を行う
必要がなく、より容易に製造可能な複合アクティブマト
リクス基板１１ｃを提供可能となる。
３５を使用するので、複数のアクティブマトリクス基板
１３と支持基板１２との貼り合わせがより容易となる。
つまり、接着性充填材の塗布工程または注入工程を行う
必要がなく、より容易に製造可能な複合アクティブマト
リクス基板１１ｃを提供可能となる。
【０１００】なお、上述の実施の形態１〜３では、説明
の便宜上、小サイズのアクティブマトリクス基板１３を
二枚接ぎ合わせて複合アクティブマトリクス基板１１ａ
〜１１ｃを形成した例を示したが、アクティブマトリク
ス基板１３を田字状に四枚、またはそれ以上並べて接続
した複合アクティブマトリクス基板にも本発明を適用可
能である。
の便宜上、小サイズのアクティブマトリクス基板１３を
二枚接ぎ合わせて複合アクティブマトリクス基板１１ａ
〜１１ｃを形成した例を示したが、アクティブマトリク
ス基板１３を田字状に四枚、またはそれ以上並べて接続
した複合アクティブマトリクス基板にも本発明を適用可
能である。
【０１０１】〔実施の形態４〕本発明のさらに他の実施
の形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、上記実施の形態１〜３で述べたもの
と同一の機能を有する部材については同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。また、本発明の範囲
は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるもので
はない。
の形態について図面に基づいて詳細に説明すれば以下の
通りである。なお、上記実施の形態１〜３で述べたもの
と同一の機能を有する部材については同一の符号を付
し、その詳細な説明を省略する。また、本発明の範囲
は、特にこの実施の形態の記載のみに限定されるもので
はない。
【０１０２】本実施の形態にかかるＸ線撮像装置（電磁
波撮像装置）は、図１２に概略構成を示すように、実施
の形態１〜３にかかる複合アクティブマトリクス基板１
１ａ〜１１ｃのいずれか（複合アクティブマトリクス基
板１１とする）と、Ｘ線などの電磁波を電荷に変換する
光電変換層（変換層：変換手段）４１と、生成した電荷
を複合アクティブマトリクス基板１１側に移動させるバ
イアス印加用のバイアス電極（バイアス印加電極層）４
２と、バイアス電極４２用の高圧電源４３と、光電変換
層４１で生成された電荷を複合アクティブマトリクス基
板１１から読み出す電荷検出部４４とを含んでなる。ま
た、光電変換層４１は複数のアクティブマトリクス基板
１３の表面（アクティブ素子形成部１３ａ）全体を実質
的に被うように形成され、バイアス電極４２は光電変換
層４１の表面全体を実質的に被うように、該光電変換層
４１上に積層されている。
波撮像装置）は、図１２に概略構成を示すように、実施
の形態１〜３にかかる複合アクティブマトリクス基板１
１ａ〜１１ｃのいずれか（複合アクティブマトリクス基
板１１とする）と、Ｘ線などの電磁波を電荷に変換する
光電変換層（変換層：変換手段）４１と、生成した電荷
を複合アクティブマトリクス基板１１側に移動させるバ
イアス印加用のバイアス電極（バイアス印加電極層）４
２と、バイアス電極４２用の高圧電源４３と、光電変換
層４１で生成された電荷を複合アクティブマトリクス基
板１１から読み出す電荷検出部４４とを含んでなる。ま
た、光電変換層４１は複数のアクティブマトリクス基板
１３の表面（アクティブ素子形成部１３ａ）全体を実質
的に被うように形成され、バイアス電極４２は光電変換
層４１の表面全体を実質的に被うように、該光電変換層
４１上に積層されている。
【０１０３】図１２に示すＸ線撮像装置が備える光電変
換層４１、バイアス電極４２、高圧電源４３、電荷検出
部４４には、従来の電磁波撮像装置と同様の構成を採用
可能である。以下、具体的に説明すると、光電変換層
（光電変換膜）４１には、照射される電磁波の種類に応
じて各種半導体膜が採用される。例えば、照射される電
磁波がＸ線である場合には、Ｘ線に対する感度、大面積
基板（複合アクティブマトリクス基板１１）に対する成
膜容易性などを考慮して、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの厚
みを有するａ−Ｓｅ（非晶質セレニウム）が特に好適に
採用される。また、バイアス電極４２には、例えばＡｕ
やＡｌなどの薄膜が用いられ、光電変換層４１にバイア
スを印加できるようになっている。
換層４１、バイアス電極４２、高圧電源４３、電荷検出
部４４には、従来の電磁波撮像装置と同様の構成を採用
可能である。以下、具体的に説明すると、光電変換層
（光電変換膜）４１には、照射される電磁波の種類に応
じて各種半導体膜が採用される。例えば、照射される電
磁波がＸ線である場合には、Ｘ線に対する感度、大面積
基板（複合アクティブマトリクス基板１１）に対する成
膜容易性などを考慮して、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの厚
みを有するａ−Ｓｅ（非晶質セレニウム）が特に好適に
採用される。また、バイアス電極４２には、例えばＡｕ
やＡｌなどの薄膜が用いられ、光電変換層４１にバイア
スを印加できるようになっている。
【０１０４】光電変換層４１にＸ線が照射されると、光
電変換層４１内に電子−正孔対から成る電荷が生成され
る。発生した電荷（電荷及び正孔）は、光電変換層４１
に印加されているバイアスの極性に準じて、バイアス電
極４２側と複合アクティブマトリクス基板１１側とにそ
れぞれ移動する。複合アクティブマトリクス基板１１側
に引き寄せられた電荷は、アクティブマトリクス基板１
３内の各画素（図示せず）に設けられた蓄積容量に蓄積
される。そして、この蓄積された電荷をアクティブ素子
（ＴＦＴ素子）を用いて電荷検出部４４側に順次読み出
し、電荷検出部４４は二次元のＸ線画像を電荷の分布情
報として取得する。
電変換層４１内に電子−正孔対から成る電荷が生成され
る。発生した電荷（電荷及び正孔）は、光電変換層４１
に印加されているバイアスの極性に準じて、バイアス電
極４２側と複合アクティブマトリクス基板１１側とにそ
れぞれ移動する。複合アクティブマトリクス基板１１側
に引き寄せられた電荷は、アクティブマトリクス基板１
３内の各画素（図示せず）に設けられた蓄積容量に蓄積
される。そして、この蓄積された電荷をアクティブ素子
（ＴＦＴ素子）を用いて電荷検出部４４側に順次読み出
し、電荷検出部４４は二次元のＸ線画像を電荷の分布情
報として取得する。
【０１０５】このような、アクティブマトリクス基板を
応用したＸ線撮像装置は、主に医療用のＸ線撮影に利用
される。この場合、人体の胸部など比較的広い面積を撮
影する必要があり、相応の撮像領域を有することがもと
められる。一般に、電磁波撮像装置用のアクティブマト
リクス基板は、ガラス基板などの絶縁性基板上に、金属
配線や半導体製ＴＦＴが高精細かつマトリクス状に配置
されたものであり、これを製造するためにはフォトリソ
グラフィをはじめとする高度な微細加工技術や、高価な
製造設備が必要である。このため、アクティブマトリク
ス基板の面積や精細度が増大するにつれて、製造工程で
の良品率が著しく低下し、大面積を有するアクティブマ
トリクス基板の製造が困難になるという課題を抱えてい
た。また、一旦製造設備を構築すると、その製造設備に
適したサイズより大面積なアクティブマトリクス基板を
製造する事が不可能であった。
応用したＸ線撮像装置は、主に医療用のＸ線撮影に利用
される。この場合、人体の胸部など比較的広い面積を撮
影する必要があり、相応の撮像領域を有することがもと
められる。一般に、電磁波撮像装置用のアクティブマト
リクス基板は、ガラス基板などの絶縁性基板上に、金属
配線や半導体製ＴＦＴが高精細かつマトリクス状に配置
されたものであり、これを製造するためにはフォトリソ
グラフィをはじめとする高度な微細加工技術や、高価な
製造設備が必要である。このため、アクティブマトリク
ス基板の面積や精細度が増大するにつれて、製造工程で
の良品率が著しく低下し、大面積を有するアクティブマ
トリクス基板の製造が困難になるという課題を抱えてい
た。また、一旦製造設備を構築すると、その製造設備に
適したサイズより大面積なアクティブマトリクス基板を
製造する事が不可能であった。
【０１０６】しかし、本実施の形態に示すように、小サ
イズのアクティブマトリクス基板１３を、例えば二枚ま
たは四枚を接続して複合アクティブマトリクス基板１１
を製造すれば、大面積でも安価な撮像装置を提供可能と
なる。また、既存の製造設備にて製造されたアクティブ
マトリクス基板１３を繋ぎ合わせることで、巨額な設備
投資を行なうことなく大面積アクティブマトリクス基板
（複合アクティブマトリクス基板１１）を提供可能とな
る。
イズのアクティブマトリクス基板１３を、例えば二枚ま
たは四枚を接続して複合アクティブマトリクス基板１１
を製造すれば、大面積でも安価な撮像装置を提供可能と
なる。また、既存の製造設備にて製造されたアクティブ
マトリクス基板１３を繋ぎ合わせることで、巨額な設備
投資を行なうことなく大面積アクティブマトリクス基板
（複合アクティブマトリクス基板１１）を提供可能とな
る。
【０１０７】図１２にはＸ線を直接電荷に変換する直接
変換型のＸ線撮像装置の構造を示したが、本発明にかか
る複合アクティブマトリクス基板１１は、他の撮像装置
や表示装置用としても使用できる。他の撮像装置として
は、例えば、複合アクティブマトリクス基板１１の各画
素に、スイッチングを行なうアクティブ素子（ＴＦ
Ｔ）、及び、光を電荷に変換する光電変換素子（フォト
ダイオードやフォトトランジスタ：変換手段）の両者が
形成された光電変換パネルと、この光電変換パネル上
（すなわち、複数のアクティブマトリクス基板の表面
側）に設けられ、Ｘ線などの電磁波を光（特に可視光）
に変換するシンチレーターとを含んでなる間接変換型の
Ｘ線撮像装置が挙げられる。間接変換型のＸ線撮像装置
では、照射された電磁波がシンチレータにて光に変換さ
れ、次いで、該光が上記光電変換素子にて電荷に変換さ
れるようになっている。なお、間接変換型のＸ線撮像装
置に照射される電磁波の種類は、光を除く電磁波、特に
Ｘ線などの放射線が例示される。また、上記の表示装置
としては、液晶表示装置、エレクトロルミネッセント表
示装置等の、アクティブマトリクス基板を使用する各種
表示装置が挙げられる。
変換型のＸ線撮像装置の構造を示したが、本発明にかか
る複合アクティブマトリクス基板１１は、他の撮像装置
や表示装置用としても使用できる。他の撮像装置として
は、例えば、複合アクティブマトリクス基板１１の各画
素に、スイッチングを行なうアクティブ素子（ＴＦ
Ｔ）、及び、光を電荷に変換する光電変換素子（フォト
ダイオードやフォトトランジスタ：変換手段）の両者が
形成された光電変換パネルと、この光電変換パネル上
（すなわち、複数のアクティブマトリクス基板の表面
側）に設けられ、Ｘ線などの電磁波を光（特に可視光）
に変換するシンチレーターとを含んでなる間接変換型の
Ｘ線撮像装置が挙げられる。間接変換型のＸ線撮像装置
では、照射された電磁波がシンチレータにて光に変換さ
れ、次いで、該光が上記光電変換素子にて電荷に変換さ
れるようになっている。なお、間接変換型のＸ線撮像装
置に照射される電磁波の種類は、光を除く電磁波、特に
Ｘ線などの放射線が例示される。また、上記の表示装置
としては、液晶表示装置、エレクトロルミネッセント表
示装置等の、アクティブマトリクス基板を使用する各種
表示装置が挙げられる。
【０１０８】なお、本発明にかかる複合アクティブマト
リクス基板を電磁波撮像装置に用いる場合は、表示装置
に用いる場合とは異なり、複数のアクティブマトリクス
基板の継ぎ合わせ部（端面部）が観察者に認識されるわ
けではなく、継ぎ目の目立ちやすさを気にせずに複合ア
クティブマトリクス基板を作成することができる。ま
た、表示装置に用いる場合と比較して、支持基板、第一
充填材、第二充填材などの光学的特性（屈折率、透過率
など）が問われない。従って、本発明の複合アクティブ
マトリクス基板は、表示装置に用いる場合に比べて電磁
波撮像装置に用いる方が構成部材の自由度が広くなり有
用である。
リクス基板を電磁波撮像装置に用いる場合は、表示装置
に用いる場合とは異なり、複数のアクティブマトリクス
基板の継ぎ合わせ部（端面部）が観察者に認識されるわ
けではなく、継ぎ目の目立ちやすさを気にせずに複合ア
クティブマトリクス基板を作成することができる。ま
た、表示装置に用いる場合と比較して、支持基板、第一
充填材、第二充填材などの光学的特性（屈折率、透過率
など）が問われない。従って、本発明の複合アクティブ
マトリクス基板は、表示装置に用いる場合に比べて電磁
波撮像装置に用いる方が構成部材の自由度が広くなり有
用である。
【０１０９】
【発明の効果】本発明にかかる複合アクティブマトリク
ス基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクテ
ィブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基
板の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アク
ティブマトリクス基板それぞれと支持基板との間に配さ
れた枠状のシール材と、各アクティブマトリクス基板、
支持基板、及びシール材により囲まれた間隙に充填され
た接着性充填材Ａと、複数のアクティブマトリクス基板
の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる構
成である。
ス基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクテ
ィブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基
板の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アク
ティブマトリクス基板それぞれと支持基板との間に配さ
れた枠状のシール材と、各アクティブマトリクス基板、
支持基板、及びシール材により囲まれた間隙に充填され
た接着性充填材Ａと、複数のアクティブマトリクス基板
の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる構
成である。
【０１１０】上記の構成によれば、シール材により接着
性充填材Ａの漏れ出しが防止されるので、接着性充填材
Ａによる各アクティブマトリクス基板の表面の汚染がな
く、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基板に強
固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基板を提
供可能となるという効果を奏する。
性充填材Ａの漏れ出しが防止されるので、接着性充填材
Ａによる各アクティブマトリクス基板の表面の汚染がな
く、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基板に強
固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基板を提
供可能となるという効果を奏する。
【０１１１】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、接着性充填材Ａが、光硬
化性樹脂からなることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、接着性充填材Ａが、光硬
化性樹脂からなることがより好ましい。
【０１１２】上記の構成によれば、接着性充填材Ａの充
填と硬化とをスムーズに行なうことができ、より容易に
製造可能な複合アクティブマトリクス基板を提供可能と
なるという効果を加えて奏する。
填と硬化とをスムーズに行なうことができ、より容易に
製造可能な複合アクティブマトリクス基板を提供可能と
なるという効果を加えて奏する。
【０１１３】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、各アクティブマトリクス
基板と支持基板との間に、ギャップ保持材が配されてな
ることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、各アクティブマトリクス
基板と支持基板との間に、ギャップ保持材が配されてな
ることがより好ましい。
【０１１４】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板の表面の平坦性がより一層向上されてなる複合
アクティブマトリクス基板を提供可能となるという効果
を加えて奏する。
クス基板の表面の平坦性がより一層向上されてなる複合
アクティブマトリクス基板を提供可能となるという効果
を加えて奏する。
【０１１５】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基板
の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アクテ
ィブマトリクス基板それぞれと支持基板との間に配され
たゲル粘着材と、複数のアクティブマトリクス基板の端
面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる構成で
ある。
基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基板
の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アクテ
ィブマトリクス基板それぞれと支持基板との間に配され
たゲル粘着材と、複数のアクティブマトリクス基板の端
面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる構成で
ある。
【０１１６】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して、柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材
を使用するので、接着性充填材による各アクティブマト
リクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマ
トリクス基板が支持基板に強固に固定されてなる複合ア
クティブマトリクス基板を提供可能となるという効果を
奏する。
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して、柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材
を使用するので、接着性充填材による各アクティブマト
リクス基板の表面の汚染がなく、かつ、各アクティブマ
トリクス基板が支持基板に強固に固定されてなる複合ア
クティブマトリクス基板を提供可能となるという効果を
奏する。
【０１１７】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材がシリコ
ーンゲルであることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、上記ゲル粘着材がシリコ
ーンゲルであることがより好ましい。
【０１１８】上記の構成によれば、化学的・熱的に安定
した複合アクティブマトリクス基板を提供可能となると
いう効果を加えて奏する。
した複合アクティブマトリクス基板を提供可能となると
いう効果を加えて奏する。
【０１１９】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、ゲル粘着材を取り囲む枠
状のシール材を含んでなることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、ゲル粘着材を取り囲む枠
状のシール材を含んでなることがより好ましい。
【０１２０】上記の構成によれば、洗浄の際などにゲル
粘着材からの不純物の染み出しが最小限に抑制され、各
アクティブマトリクス基板の表面汚染が回避されてなる
複合アクティブマトリクス基板を提供可能となるという
効果を加えて奏する。
粘着材からの不純物の染み出しが最小限に抑制され、各
アクティブマトリクス基板の表面汚染が回避されてなる
複合アクティブマトリクス基板を提供可能となるという
効果を加えて奏する。
【０１２１】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基板
の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アクテ
ィブマトリクス基板それぞれのと支持基板との間に配さ
れた両面接着シートと、複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる
構成である。
基板は、以上のように、隣接配置された複数のアクティ
ブマトリクス基板と、複数のアクティブマトリクス基板
の裏面側に対向して配された一つの支持基板と、アクテ
ィブマトリクス基板それぞれのと支持基板との間に配さ
れた両面接着シートと、複数のアクティブマトリクス基
板の端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなる
構成である。
【０１２２】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して固体状の両面接着シートを使用するので、接着性充
填材による各アクティブマトリクス基板の表面の汚染が
なく、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基板に
強固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基板を
提供可能となるという効果を奏する。
クス基板と支持基板との間に充填される接着性充填材と
して固体状の両面接着シートを使用するので、接着性充
填材による各アクティブマトリクス基板の表面の汚染が
なく、かつ、各アクティブマトリクス基板が支持基板に
強固に固定されてなる複合アクティブマトリクス基板を
提供可能となるという効果を奏する。
【０１２３】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、両面接着シートが熱伝導
性微粒子を含有していることがより好ましい。
基板は、上記の構成において、両面接着シートが熱伝導
性微粒子を含有していることがより好ましい。
【０１２４】上記の構成によれば、基板温度をより容易
かつ好適な範囲に制御可能な複合アクティブマトリクス
基板を提供可能となるという効果を加えて奏する。
かつ好適な範囲に制御可能な複合アクティブマトリクス
基板を提供可能となるという効果を加えて奏する。
【０１２５】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、両面接着シートが、各ア
クティブマトリクス基板の裏面と支持基板との間に一つ
以上、互いに不連続に配されていることがより好まし
い。
基板は、上記の構成において、両面接着シートが、各ア
クティブマトリクス基板の裏面と支持基板との間に一つ
以上、互いに不連続に配されていることがより好まし
い。
【０１２６】上記の構成によれば、各アクティブマトリ
クス基板と支持基板との間への気泡の巻き込みが最小限
に抑制され、かつ両基板が強固に貼り合わされてなる複
合アクティブマトリクス基板を提供可能となるという効
果を加えて奏する。
クス基板と支持基板との間への気泡の巻き込みが最小限
に抑制され、かつ両基板が強固に貼り合わされてなる複
合アクティブマトリクス基板を提供可能となるという効
果を加えて奏する。
【０１２７】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板は、上記の構成において、接着性充填材Ｂが、空気
の存在下での硬化が可能な接着樹脂であることがより好
ましい。
基板は、上記の構成において、接着性充填材Ｂが、空気
の存在下での硬化が可能な接着樹脂であることがより好
ましい。
【０１２８】上記の構成によれば、隣接するアクティブ
マトリクス基板の継ぎ目で接着性充填材Ｂが露出する領
域においても、接着性充填材Ｂの硬化が十分に促進され
る。よって、洗浄の際などに接着性充填材Ｂの露出面か
ら不純物が滲み出すことを最小限に抑制し、各アクティ
ブマトリクス基板の表面汚染が回避されてなる複合アク
ティブマトリクス基板を提供可能となるという効果を加
えて奏する。
マトリクス基板の継ぎ目で接着性充填材Ｂが露出する領
域においても、接着性充填材Ｂの硬化が十分に促進され
る。よって、洗浄の際などに接着性充填材Ｂの露出面か
ら不純物が滲み出すことを最小限に抑制し、各アクティ
ブマトリクス基板の表面汚染が回避されてなる複合アク
ティブマトリクス基板を提供可能となるという効果を加
えて奏する。
【０１２９】本発明にかかる電磁波撮像装置は、以上の
ように、上記何れかの複合アクティブマトリクス基板
と、電磁波を電荷に変換する変換層と、バイアス印加電
極層とを含んでなる構成である。
ように、上記何れかの複合アクティブマトリクス基板
と、電磁波を電荷に変換する変換層と、バイアス印加電
極層とを含んでなる構成である。
【０１３０】本発明にかかる電磁波撮像装置は、以上の
ように、上記何れかの複合アクティブマトリクス基板
と、電磁波を光に変換するシンチレータと、光を電荷に
変換する光電変換素子とを含んでなる構成である。
ように、上記何れかの複合アクティブマトリクス基板
と、電磁波を光に変換するシンチレータと、光を電荷に
変換する光電変換素子とを含んでなる構成である。
【０１３１】上記何れかの構成によれば、複数のアクテ
ィブマトリクス基板を継ぎ合わせた複合アクティブマト
リクス基板を用いるため、大面積でも比較的安価な電磁
波撮像装置を提供可能となるという効果を奏する。
ィブマトリクス基板を継ぎ合わせた複合アクティブマト
リクス基板を用いるため、大面積でも比較的安価な電磁
波撮像装置を提供可能となるという効果を奏する。
【０１３２】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間に枠状の
シール材を配し、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板とをシール材を介して接続する工程と、次いで、
各アクティブマトリクス基板、支持基板、及びシール材
により囲まれた間隙に、接着性充填材Ａを注入する工程
とを含んでなる方法である。
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間に枠状の
シール材を配し、複数のアクティブマトリクス基板と支
持基板とをシール材を介して接続する工程と、次いで、
各アクティブマトリクス基板、支持基板、及びシール材
により囲まれた間隙に、接着性充填材Ａを注入する工程
とを含んでなる方法である。
【０１３３】上記の方法によれば、シール材により囲ま
れた空間外に接着性充填材Ａが溢れ出すことがないの
で、接着性充填材Ａによる各アクティブマトリクス基板
の表面の汚染が防止され、また、接着性充填材Ａの利用
効率や貼り合わせ作業の効率をより向上させることが可
能となるという効果を奏する。
れた空間外に接着性充填材Ａが溢れ出すことがないの
で、接着性充填材Ａによる各アクティブマトリクス基板
の表面の汚染が防止され、また、接着性充填材Ａの利用
効率や貼り合わせ作業の効率をより向上させることが可
能となるという効果を奏する。
【０１３４】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間にゲル粘
着材を配する工程と、次いで、複数のアクティブマトリ
クス基板と支持基板とを、ゲル粘着材により貼り合わせ
る工程とを含んでなる方法である。
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間にゲル粘
着材を配する工程と、次いで、複数のアクティブマトリ
クス基板と支持基板とを、ゲル粘着材により貼り合わせ
る工程とを含んでなる方法である。
【０１３５】上記の方法によれば、接着性充填材として
柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材を使用
するので、基板の貼り合わせの際に、接着性充填材によ
る各アクティブマトリクス基板の表面の汚染が防止さ
れ、また、ゲル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギ
ャップを隙間無く充填することができるという効果を奏
する。
柔軟性に富むが流動性は有していないゲル粘着材を使用
するので、基板の貼り合わせの際に、接着性充填材によ
る各アクティブマトリクス基板の表面の汚染が防止さ
れ、また、ゲル粘着材の柔軟性を利用して両基板間のギ
ャップを隙間無く充填することができるという効果を奏
する。
【０１３６】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間に両面接
着シートを配する工程と、次いで、複数のアクティブマ
トリクス基板と支持基板とを、両面接着シートにより貼
り合わせる工程とを含んでなる方法である。
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板それぞれの裏面と支持基板との間に両面接
着シートを配する工程と、次いで、複数のアクティブマ
トリクス基板と支持基板とを、両面接着シートにより貼
り合わせる工程とを含んでなる方法である。
【０１３７】上記の方法によれば、接着性充填材として
固体状の両面接着シートを使用するので、基板の貼り合
わせの際に、接着性充填材による各アクティブマトリク
ス基板の表面の汚染を防止することができるという効果
を奏する。
固体状の両面接着シートを使用するので、基板の貼り合
わせの際に、接着性充填材による各アクティブマトリク
ス基板の表面の汚染を防止することができるという効果
を奏する。
【０１３８】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、複数のアクテ
ィブマトリクス基板の端面間に、接着性充填材Ｂを毛細
管現象により充填する工程を含んでなることがより好ま
しい。
基板の製造方法は、上記の方法において、複数のアクテ
ィブマトリクス基板の端面間に、接着性充填材Ｂを毛細
管現象により充填する工程を含んでなることがより好ま
しい。
【０１３９】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、端面間に接着性充填材Ｂを充填可能と
なるという効果を加えて奏する。
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、端面間に接着性充填材Ｂを充填可能と
なるという効果を加えて奏する。
【０１４０】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板を隣接させて支持基板上に固定する工程
と、次いで、隣接配置された上記複数のアクティブマト
リクス基板の端面間に、接着性充填材Ｂを毛細管現象に
より充填する工程とを含んでなる方法である。
基板の製造方法は、以上のように、複数のアクティブマ
トリクス基板を隣接させて支持基板上に固定する工程
と、次いで、隣接配置された上記複数のアクティブマト
リクス基板の端面間に、接着性充填材Ｂを毛細管現象に
より充填する工程とを含んでなる方法である。
【０１４１】上記の方法によれば、各アクティブマトリ
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となるという効果を奏する。
クス基板の表面側に接着性充填材Ｂが全く付着せず、か
つ、各アクティブマトリクス基板の表面に物理的外力を
加えない状態で、上記端面間に接着性充填材Ｂを充填可
能となるという効果を奏する。
【０１４２】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、接着性充填材
Ｂの粘度が、５ｃＰ以上２００ｃＰ以下の範囲内である
ことがより好ましい。
基板の製造方法は、上記の方法において、接着性充填材
Ｂの粘度が、５ｃＰ以上２００ｃＰ以下の範囲内である
ことがより好ましい。
【０１４３】上記の方法によれば、特にスムーズに、毛
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となるという効果を加えて奏する。
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となるという効果を加えて奏する。
【０１４４】本発明にかかる複合アクティブマトリクス
基板の製造方法は、上記の方法において、複数のアクテ
ィブマトリクス基板の端面間の間隙が２０μｍ以上１５
０μｍ以下の範囲内となるように、該複数のアクティブ
マトリクス基板を支持基板上に固定することがより好ま
しい。
基板の製造方法は、上記の方法において、複数のアクテ
ィブマトリクス基板の端面間の間隙が２０μｍ以上１５
０μｍ以下の範囲内となるように、該複数のアクティブ
マトリクス基板を支持基板上に固定することがより好ま
しい。
【０１４５】上記の方法によれば、特にスムーズに、毛
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となるという効果を加えて奏する。
細管現象により上記端面間に接着性充填材Ｂを充填する
ことが可能となるという効果を加えて奏する。
【図１】（ａ）は、本発明の実施の一形態に係る複合ア
クティブマトリクス基板の概略平面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示す複合基板のＡ−Ａ’線断面図である。
クティブマトリクス基板の概略平面図であり、（ｂ）は
（ａ）に示す複合基板のＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】図１に示す複合アクティブマトリクス基板の接
合部を拡大して示す断面図である。
合部を拡大して示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）は、図１に示す複合アクティブ
マトリクス基板の製造工程を説明する図である。
マトリクス基板の製造工程を説明する図である。
【図４】図１に示す複合アクティブマトリクス基板の製
造の一工程を説明する図である。
造の一工程を説明する図である。
【図５】図１に示す複合アクティブマトリクス基板の製
造の他の一工程を説明する図である。
造の他の一工程を説明する図である。
【図６】（ａ）は、本発明の他の実施の形態に係る複合
アクティブマトリクス基板の概略平面図であり、（ｂ）
は（ａ）に示す複合基板のＢ−Ｂ’線断面図である。
アクティブマトリクス基板の概略平面図であり、（ｂ）
は（ａ）に示す複合基板のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図７】図６に示す複合アクティブマトリクス基板の接
合部を拡大して示す断面図である。
合部を拡大して示す断面図である。
【図８】（ａ）〜（ｇ）は、図６に示す複合アクティブ
マトリクス基板の製造工程を説明する図である。
マトリクス基板の製造工程を説明する図である。
【図９】（ａ）は、本発明のさらに他の実施の形態に係
る複合アクティブマトリクス基板の概略平面図であり、
（ｂ）は（ａ）に示す複合基板のＣ−Ｃ’線断面図であ
る。
る複合アクティブマトリクス基板の概略平面図であり、
（ｂ）は（ａ）に示す複合基板のＣ−Ｃ’線断面図であ
る。
【図１０】図９に示す複合アクティブマトリクス基板の
接合部を拡大して示す断面図である。
接合部を拡大して示す断面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｇ）は、図９に示す複合アクティ
ブマトリクス基板の製造工程を説明する図である。
ブマトリクス基板の製造工程を説明する図である。
【図１２】本発明に係る電磁波撮像装置の概略構成を示
す図である。
す図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、従来の複合アクティブマ
トリクス基板の概略構成を示す図である。
トリクス基板の概略構成を示す図である。
【図１４】（ａ）〜（ｇ）は、従来の他の複合アクティ
ブマトリクス基板の製造工程を示す図である。
ブマトリクス基板の製造工程を示す図である。
１１ａ〜１１ｃ 複合アクティブマトリクス基板 １２ 支持基板 １２ｂ 貫通孔（注入口） １３ アクティブマトリクス基板 １３ｃ 隙間（端面間） １４ シール材 １４ａ スペーサ（ギャップ保持材） １５ 第一充填材（接着性充填材Ａ） １６ 第二充填材（接着性充填材Ｂ） ２５ ゲル状の粘着材（ゲル粘着材） ３５ 両面接着シート ４１ 光電変換層（変換層） ４２ バイアス電極（バイアス印加電極層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 27/146 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｚ ５Ｇ４３５ 29/786 27/14 Ｋ Ｈ０４Ｎ 5/32 Ｃ 5/33 29/78 ６１３Ｚ 27/14 Ｄ (72)発明者 寺沼 修 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Ｆターム(参考） 2H089 HA33 KA11 QA16 TA01 TA09 4M118 AA10 AB01 BA05 CA14 CB20 FB09 FB13 FB22 FB25 GA10 HA40 5C024 AX06 AX11 CY47 CY48 EX24 5C094 AA14 AA31 AA33 AA36 CA19 DA01 DA12 EB02 5F110 AA28 BB01 BB10 DD02 GG02 GG13 GG15 NN71 5G435 AA00 AA07 AA12 AA14 CC09 EE33 FF00 KK05
Claims (19)
- 【請求項１】表面にアクティブ素子が形成されてなり、
該表面同士が略面一となるように隣接配置された複数の
アクティブマトリクス基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、これ
ら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配された
一つの支持基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間に配された枠状のシール材と、 上記各アクティブマトリクス基板、支持基板、及びシー
ル材により囲まれた間隙に充填された接着性充填材Ａ
と、 隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなること
を特徴とする複合アクティブマトリクス基板。 - 【請求項２】上記接着性充填材Ａが、光硬化性樹脂から
なることを特徴とする請求項１に記載の複合アクティブ
マトリクス基板。 - 【請求項３】上記各アクティブマトリクス基板と支持基
板との間に、ギャップ保持材が配されてなることを特徴
とする請求項１または２に記載の複合アクティブマトリ
クス基板。 - 【請求項４】表面にアクティブ素子が形成されてなり、
該表面同士が略面一となるように隣接配置された複数の
アクティブマトリクス基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、これ
ら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配された
一つの支持基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間に配され、各アクティブマトリクス
基板と支持基板とを貼り合わせるためのゲル粘着材と、 隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなること
を特徴とする複合アクティブマトリクス基板。 - 【請求項５】上記ゲル粘着材がシリコーンゲルであるこ
とを特徴とする請求項４に記載の複合アクティブマトリ
クス基板。 - 【請求項６】上記ゲル粘着材を取り囲む枠状に形成され
たシール材を含んでなることを特徴とする請求項４また
は５に記載の複合アクティブマトリクス基板。 - 【請求項７】表面にアクティブ素子が形成されてなり、
該表面同士が略面一となるように隣接配置された複数の
アクティブマトリクス基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板の裏面側に、これ
ら複数のアクティブマトリクス基板と対向して配された
一つの支持基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間に配され、各アクティブマトリクス
基板と支持基板とを貼り合わせるための粘着層を表裏両
面に備えてなる両面接着シートと、 隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間に充填された接着性充填材Ｂとを含んでなること
を特徴とする複合アクティブマトリクス基板。 - 【請求項８】上記両面接着シートが、熱伝導性微粒子を
含有していることを特徴とする請求項７に記載の複合ア
クティブマトリクス基板。 - 【請求項９】上記両面接着シートが、上記各アクティブ
マトリクス基板の裏面と支持基板との間に一つ以上、互
いに不連続に配されていることを特徴とする請求項７ま
たは８に記載の複合アクティブマトリクス基板。 - 【請求項１０】上記接着性充填材Ｂが、空気の存在下で
の硬化が可能な接着樹脂であることを特徴とする請求項
１ないし９の何れか一項に記載の複合アクティブマトリ
クス基板。 - 【請求項１１】請求項１ないし１０の何れか一項に記載
の複合アクティブマトリクス基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板の表面側に形成さ
れ、電磁波を電荷に変換する変換層と、 上記変換層上に形成されたバイアス印加電極層とを含ん
でなることを特徴とする電磁波撮像装置。 - 【請求項１２】請求項１ないし１０の何れか一項に記載
の複合アクティブマトリクス基板と、 上記複数のアクティブマトリクス基板の表面側に形成さ
れ、電磁波を光に変換するシンチレータと、 上記複数のアクティブマトリクス基板に備えられ、上記
光を電荷に変換する光電変換素子とを含んでなることを
特徴とする電磁波撮像装置。 - 【請求項１３】表面にアクティブ素子が形成されてな
り、該表面同士が略面一となるように隣接配置された複
数のアクティブマトリクス基板と、これら複数のアクテ
ィブマトリクス基板の裏面側に、これら複数のアクティ
ブマトリクス基板と対向して配された一つの支持基板と
を含んでなる複合アクティブマトリクス基板の製造方法
であって、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間に枠状のシール材を配し、上記複数
のアクティブマトリクス基板と支持基板とをシール材を
介して接続する工程と、次いで、 上記各アクティブマトリクス基板、支持基板、及びシー
ル材により囲まれた間隙に、該アクティブマトリクス基
板、支持基板、またはシール材の少なくとも一つに形成
され、上記間隙に開口する注入口を介して接着性充填材
Ａを注入する工程とを含んでなることを特徴とする複合
アクティブマトリクス基板の製造方法。 - 【請求項１４】表面にアクティブ素子が形成されてな
り、該表面同士が略面一となるように隣接配置された複
数のアクティブマトリクス基板と、これら複数のアクテ
ィブマトリクス基板の裏面側に、これら複数のアクティ
ブマトリクス基板と対向して配された一つの支持基板と
を含んでなる複合アクティブマトリクス基板の製造方法
であって、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間にゲル粘着材を配する工程と、次い
で、 上記複数のアクティブマトリクス基板と支持基板とを、
ゲル粘着材により貼り合わせる工程とを含んでなること
を特徴とする複合アクティブマトリクス基板の製造方
法。 - 【請求項１５】表面にアクティブ素子が形成されてな
り、該表面同士が略面一となるように隣接配置された複
数のアクティブマトリクス基板と、これら複数のアクテ
ィブマトリクス基板の裏面側に、これら複数のアクティ
ブマトリクス基板と対向して配された一つの支持基板と
を含んでなる複合アクティブマトリクス基板の製造方法
であって、 上記複数のアクティブマトリクス基板それぞれの裏面と
上記支持基板との間に、粘着層を表裏両面に備えてなる
両面接着シートを配する工程と、次いで、 上記複数のアクティブマトリクス基板と支持基板とを、
両面接着シートにより貼り合わせる工程とを含んでなる
ことを特徴とする複合アクティブマトリクス基板の製造
方法。 - 【請求項１６】さらに、隣接配置された上記複数のアク
ティブマトリクス基板の端面間に、アクティブマトリク
ス基板同士を接着する接着性充填材Ｂを毛細管現象によ
り充填する工程を含んでなることを特徴とする請求項１
３ないし１５の何れか一項に記載の複合アクティブマト
リクス基板の製造方法。 - 【請求項１７】表面にアクティブ素子が形成されてな
り、該表面同士が略面一となるように隣接配置された複
数のアクティブマトリクス基板と、これら複数のアクテ
ィブマトリクス基板の裏面側に、これら複数のアクティ
ブマトリクス基板と対向して配された一つの支持基板と
を含んでなる複合アクティブマトリクス基板の製造方法
であって、 上記複数のアクティブマトリクス基板をその表面同士が
略面一となるように隣接させて支持基板上に固定する工
程と、次いで、 隣接配置された上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間に、アクティブマトリクス基板同士を接着する接
着性充填材Ｂを毛細管現象により充填する工程とを含ん
でなることを特徴とする複合アクティブマトリクス基板
の製造方法。 - 【請求項１８】上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間に充填する際の上記接着性充填材Ｂの粘度が、５
ｃＰ以上２００ｃＰ以下の範囲内であることを特徴とす
る請求項１７に記載の複合アクティブマトリクス基板の
製造方法。 - 【請求項１９】上記複数のアクティブマトリクス基板の
端面間の間隙が２０μｍ以上１５０μｍ以下の範囲内と
なるように、該複数のアクティブマトリクス基板を支持
基板上に固定することを特徴とする請求項１７または１
８に記載の複合アクティブマトリクス基板の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001140661A JP2002333848A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
| US10/143,207 US6759660B2 (en) | 2001-05-10 | 2002-05-10 | Composite active-matrix substrates, methods for manufacturing same, and electromagnetic wave capturing devices |
| US10/850,314 US7038213B2 (en) | 2001-05-10 | 2004-05-19 | Composite active-matrix substrates, methods for manufacturing same, and electromagnetic wave capturing devices |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001140661A JP2002333848A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002333848A true JP2002333848A (ja) | 2002-11-22 |
Family
ID=18987226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001140661A Pending JP2002333848A (ja) | 2001-05-10 | 2001-05-10 | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6759660B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002333848A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200274A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2005228824A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスとその製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
| JP2005266755A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2006058753A (ja) * | 2003-08-22 | 2006-03-02 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2006208902A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP2007504502A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ．ブイ． | スペーサ及びシールを有する表示装置、並びにそれを製造する方法 |
| JP2007087807A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2008171925A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Denso Corp | 接合構造体の製造方法 |
| WO2009139292A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| JP2011022528A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JP2018077422A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| JPWO2020059022A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-12-17 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4059153B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-03-12 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| US20050098732A1 (en) * | 2003-11-10 | 2005-05-12 | Ls Technologies, Inc. | Flat-panel detector utilizing electrically interconnecting tiled photosensor arrays |
| KR100603669B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-07-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| US20060046269A1 (en) * | 2004-09-02 | 2006-03-02 | Thompson Allen C | Methods and devices for processing chemical arrays |
| US7297567B2 (en) * | 2006-01-10 | 2007-11-20 | Knowles Electronics, Llc. | Method for singulating a released microelectromechanical system wafer |
| DE102006038969B4 (de) * | 2006-08-21 | 2013-02-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Röntgenkonverterelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP5004848B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2012-08-22 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及び放射線検出システム |
| JP2009122059A (ja) * | 2007-11-19 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | 放射線検出装置 |
| DE102009000514A1 (de) * | 2009-01-30 | 2010-08-26 | Robert Bosch Gmbh | Verbundbauteil sowie Verfahren zum Herstellen eines Verbundbauteil |
| JP2011137665A (ja) * | 2009-12-26 | 2011-07-14 | Canon Inc | シンチレータパネル及び放射線撮像装置とその製造方法、ならびに放射線撮像システム |
| US9012859B2 (en) * | 2012-05-18 | 2015-04-21 | General Electric Company | Tiled X-ray imager panel and method of forming the same |
| JP6065470B2 (ja) * | 2012-08-31 | 2017-01-25 | セイコーエプソン株式会社 | 撮像装置、検査装置、及び電子デバイスの製造方法 |
| CN103855233A (zh) * | 2012-11-28 | 2014-06-11 | 宁夏银星能源光伏发电设备制造有限公司 | 一种硅凝胶双面双玻璃太阳能电池组件 |
| KR101542425B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2015-08-07 | 코닝정밀소재 주식회사 | 대면적 유기발광 패널 |
| JP2015194515A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | ソニー株式会社 | 表示装置および表示装置の製造方法 |
| WO2016011523A1 (en) * | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Teledyne Dalsa, Inc. | Bonding method with curing by reflected actinic rays |
| CN107111970B (zh) | 2014-10-28 | 2021-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置、显示装置的制造方法及电子设备 |
| US10686003B2 (en) * | 2015-12-31 | 2020-06-16 | General Electric Company | Radiation detector assembly |
| CN109686811A (zh) * | 2018-06-12 | 2019-04-26 | 南京迪钛飞光电科技有限公司 | 一种光电平板探测器及其基板结构 |
| US11133186B2 (en) * | 2018-09-14 | 2021-09-28 | Disco Corporation | Processing method of workpiece |
| JP7127566B2 (ja) * | 2019-02-07 | 2022-08-30 | 株式会社Ｊｖｃケンウッド | 液晶デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5254480A (en) * | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
| JP3133228B2 (ja) * | 1995-03-31 | 2001-02-05 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
| US5827757A (en) | 1996-07-16 | 1998-10-27 | Direct Radiography Corp. | Fabrication of large area x-ray image capturing element |
| JP3361947B2 (ja) * | 1997-01-30 | 2003-01-07 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JPH10268332A (ja) | 1997-03-24 | 1998-10-09 | Sharp Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US5844243A (en) * | 1997-07-15 | 1998-12-01 | Direct Radiography Co. | Method for preparing digital radiography panels |
| JP3799829B2 (ja) * | 1997-09-11 | 2006-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置およびその製造方法並びに投射型表示装置 |
| JP3494859B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2004-02-09 | シャープ株式会社 | 液晶パネルおよびその製造方法 |
| JP3649907B2 (ja) * | 1998-01-20 | 2005-05-18 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器およびその製造方法 |
| US6369867B1 (en) * | 1998-03-12 | 2002-04-09 | Gl Displays, Inc. | Riveted liquid crystal display comprising at least one plastic rivet formed by laser drilling through a pair of plastic plates |
| JP4442833B2 (ja) * | 1998-08-04 | 2010-03-31 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
| JP3597392B2 (ja) * | 1998-08-07 | 2004-12-08 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器 |
| JP3432770B2 (ja) * | 1998-09-29 | 2003-08-04 | シャープ株式会社 | 二次元画像検出器の製造方法 |
| JP2001074845A (ja) * | 1999-09-03 | 2001-03-23 | Canon Inc | 半導体装置及びそれを用いた放射線撮像システム |
| US6583434B2 (en) * | 2000-04-26 | 2003-06-24 | Agfa-Gevaert | System for digital radiography and dosimetry |
-
2001
- 2001-05-10 JP JP2001140661A patent/JP2002333848A/ja active Pending
-
2002
- 2002-05-10 US US10/143,207 patent/US6759660B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-05-19 US US10/850,314 patent/US7038213B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004200274A (ja) * | 2002-12-17 | 2004-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体パッケージの製造方法 |
| JP2006058753A (ja) * | 2003-08-22 | 2006-03-02 | Asahi Glass Co Ltd | 表示装置及び表示装置の製造方法 |
| JP2007504502A (ja) * | 2003-09-04 | 2007-03-01 | コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ．ブイ． | スペーサ及びシールを有する表示装置、並びにそれを製造する方法 |
| JP2005228824A (ja) * | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスとその製造方法、回路基板、電気光学装置、電子機器 |
| JP4711163B2 (ja) * | 2004-02-10 | 2011-06-29 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜デバイスの製造方法 |
| CN100454607C (zh) * | 2004-02-19 | 2009-01-21 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置的制造方法、电光学装置及电子器械 |
| JP2005266755A (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-29 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| JP2006047945A (ja) * | 2004-02-19 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 |
| US7282385B2 (en) | 2004-02-19 | 2007-10-16 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus |
| JP2006208902A (ja) * | 2005-01-31 | 2006-08-10 | Seiko Epson Corp | 表示装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP2007087807A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Mitsubishi Electric Corp | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP2008171925A (ja) * | 2007-01-10 | 2008-07-24 | Denso Corp | 接合構造体の製造方法 |
| WO2009139292A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2009-11-19 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| JPWO2009139292A1 (ja) * | 2008-05-12 | 2011-09-22 | コイズミ照明株式会社 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
| US8563112B2 (en) | 2008-05-12 | 2013-10-22 | Yamagata Promotional Organization For Industrial Technology | Organic EL light-emitting device and method for manufacturing the organic EL light-emitting device |
| JP2011022528A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-03 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置 |
| JP2018077422A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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| JPWO2020059022A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-12-17 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
| JP7102501B2 (ja) | 2018-09-18 | 2022-07-19 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
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| Publication number | Publication date |
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