JP2004200274A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004200274A JP2004200274A JP2002364831A JP2002364831A JP2004200274A JP 2004200274 A JP2004200274 A JP 2004200274A JP 2002364831 A JP2002364831 A JP 2002364831A JP 2002364831 A JP2002364831 A JP 2002364831A JP 2004200274 A JP2004200274 A JP 2004200274A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- cover glass
- epoxy resin
- glass plate
- semiconductor package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【課題】イメージセンサ・パッケージの映像取り込みエラーを防止する。
【解決手段】エポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハ1とカバーガラス板4とを真空チャンバー内に対向させて配置する。Siウエハ1は貼り付け装置の押し付け盤(不図示)に取り付けられ、Siウエハ1にカバーガラス板4がエポキシ樹脂3を接着剤として用いて貼り付けられる。このとき、エポキシ樹脂3中の微小気泡は真空脱泡される。ここで、真空チャンバー内の真空度が高い程、微小気泡の除去には好ましいが、エポキシ樹脂3からの出ガスやスループットの関係を考慮すると、真空チャンバーの真空度は1×10−3mBar程度が好ましい。
【選択図】 図1
【解決手段】エポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハ1とカバーガラス板4とを真空チャンバー内に対向させて配置する。Siウエハ1は貼り付け装置の押し付け盤(不図示)に取り付けられ、Siウエハ1にカバーガラス板4がエポキシ樹脂3を接着剤として用いて貼り付けられる。このとき、エポキシ樹脂3中の微小気泡は真空脱泡される。ここで、真空チャンバー内の真空度が高い程、微小気泡の除去には好ましいが、エポキシ樹脂3からの出ガスやスループットの関係を考慮すると、真空チャンバーの真空度は1×10−3mBar程度が好ましい。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD等の光電変換素子を含むチップにカバーガラスを貼り付けた小型パッケージの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、デジタルカメラ機能を持った携帯電話が普及している。このデジタルカメラでは小型化の要求から、CCDを用いたイメージセンサ・チップがチップサイズにパッケージ化され、カメラ内部に組み込まれている。
【0003】
図10は、そのようなイメージセンサ・チップのパッケージを示す図であり、図10(A)はその表側から見た斜視図、図10(B)はその裏面側から見た斜視図である。
【0004】
図に示すように、イメージセンサ・チップ50の表面と裏面に、2枚のカバーガラス板51,52がエポキシ樹脂53,54を用いて貼り付けられている。その裏面に貼り付けられたカバーガラス板52には、ボール端子56が複数形成されている。そして、イメージセンサ・チップ50の表面のパッド電極から再配線55が引き延ばされて、このボール端子56に接続されている。
【0005】
このパッケージによれば、イメージセンサ・チップ50の裏面側のボール端子55がプリント基板に接続され、イメージセンサ・チップ50の表面側から、カバーガラス板51を通して、被写体から入射される光を電気信号に変換するという機能を有しているため、省スペースで小型のデジタルカメラを構成することができる。
【0006】
上記のパッケージの製造方法は、イメージセンサが形成されたSiウエハーの両面にカバーガラス板を貼り付け、更に、再配線55やボール端子56を形成した後に、図10のような個々のパッケージに切断するという方法で行われていた。
【0007】
上述した技術は、例えば以下の特許文献1に記載されている。
【0008】
【特許文献1】
特許公表2002−512436号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、このパッケージの製造方法では、Siウエハにカバーガラスを貼り付ける工程がある。従来、このカバーガラス板の貼り付け工程はエポキシ樹脂を接着剤として大気圧環境下において行われていた。
【0010】
しかしながら、大気圧環境下における貼り付けでは、エポキシ樹脂53中に含まれる気泡を積極的に除去する効果はない。そのため、Siウエハとカバーガラス板の間に微小気泡が残り、その結果、パッケージ完成時に、CCDが形成されたイメージセンサ・チップ50の表面とカバーガラス板51との間のエポキシ樹脂53に微小気泡が残り、この微小気泡が被写体からの光が通過する際の障害となり、映像の取り込みエラーが発生するおそれがあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の半導体パッケージの製造方法は、光電変換素子を含むチップが複数配列された半導体ウエハを用意し、該半導体ウエハの表面に有機系樹脂接着剤を塗布する工程と、前記真空状態のチャンバー内で、前記有機系樹脂接着剤が塗布された前記半導体ウエハにカバー透明板を貼り付ける工程と、前記カバー透明板が貼り付けられた半導体ウエハを個々のチップに分割する工程と、を有することを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の半導体パッケージの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図1に示すように、ウエハプロセス工程を経たSiウエハ1を用意する。このSiウエハ1の表面には、光電変換素子であるCCD素子2が形成されており、このCCD素子2を受光素子部とするイメージセンサ・チップが複数配列されているものとする。そして、このSiウエハ1の表面に接着剤として用いるエポキシ樹脂3を塗布する。
【0013】
また、カバーガラス板4を用意する。このカバーガラス板4はCCD素子2へ光を透過させるために光学特性の良いノンアルカリガラスを用いることが好ましい。その厚さは、100μm〜200μmである。
【0014】
そして、図1のようにエポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハ1とカバーガラス板4とを真空チャンバー内に対向させて配置する。Siウエハ1は貼り付け装置の押し付け盤(不図示)に取り付けられ、Siウエハ1にカバーガラス板4がエポキシ樹脂3を接着剤として用いて貼り付けられる。このとき、エポキシ樹脂3中の微小気泡は真空脱泡される。
【0015】
ここで、真空チャンバー内の真空度が高い程、微小気泡の除去には好ましいが、エポキシ樹脂3からの出ガスやスループットの関係から、貼り付け時に到達真空度は1×10−3mBar程度が実用上好ましい。
【0016】
また、このときエポキシ樹脂3の粘度を下げて脱泡しやすくするために、エポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハに加熱処理を行うとよい。具体的には貼り付け装置の押し付け盤をヒーター又はランプで暖めることである。加熱温度は、エポキシ樹脂3の硬化反応が短時間に起きず、かつ粘度が下がる温度として60℃程度が適している。
【0017】
こうして、図2に示すように、気泡のない状態で、CCD素子2が形成されたSiウエハ1の表面にカバーガラス板4が貼り付けられる。
【0018】
以下では、図3〜図9を参照してイメージセンサ・パッケージの完成までの工程を説明する。各図ともSiウエハ1のイメージセンサ・チップの境界(ダイシング領域)の断面を示している。
【0019】
図3に示すように、Siウエハ1の表面にカバーガラス板4が貼り合わされており、Siウエハ1上には絶縁膜5が形成されており、この絶縁膜5上に、一対の電極パッド6がスパッタ法により形成されている。これらの一対の電極パッド6は、イメージセンサ・チップを個々に切断するための境界ラインS(ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる)の両側に対向して形成されている。これらの一対の電極パッド6は、イメージセンサ・チップのボンディングパッドから、境界ラインSまで拡張されたパッドである。
【0020】
次に、図4に示すように、Siウエハ1をバックグラインドしてチップ厚を約100μmとした後、Siウエハ1をその裏面側から境界ラインSに沿ってドライエッチングし、絶縁膜5を露出させる。このドライエッチングでSiウエハ1はいったん個々のチップに分離されるが、これらのチップは、カバーガラス板4によって支持され、全体としては一枚のウエハ1としての形態を呈している。
【0021】
次いで、図5に示すように、エポキシ樹脂7を接着剤として、Siウエハ1の裏面側に100μm〜200μmの膜厚を有する、もう一枚のカバーガラス板8を貼り付ける。
【0022】
次に、図6に示すように、カバーガラス板8の平坦部の所定位置に、柔軟性を有する感光性有機膜からなる緩衝部材9を形成する。この緩衝部材9は後述する導電端子12に加わる力を吸収し、ガラス基板の割れ等を防止するためのものである。
【0023】
その後、図7に示すように、Siウエハ1の裏面側から境界ラインSに沿ってノッチングを行う。このノッチング工程では、Siウエハ1の裏面側から、ダイシングブレードを用いて切削加工を施すことで行われる。そして、このノッチング工程は、裏側のカバーガラス板8から、表側のカバーガラス板4に至るまで、このカバーガラス板4を幾分切削する程度まで行い、電極パッド6の側端部をノッチング表面に露出させる。
【0024】
このノッチングにより、境界ラインSに沿ってV字型の溝VGが形成される。
【0025】
次に、図8に示すように、V字型の溝VGを覆うように約3μmの膜厚を有するアルミニウム層を形成する。その後、このアルミニウム層を所定の配線パターンにパターニングして電極パッド6の露出された側端部と電気的に接続する再配線10を形成する。この再配線10は、Siウエハ1の裏面のカバーガラス板8の表面に延在する。このカバーガラス板8の表面に延在する再配線10上には、後述するボール端子12が形成される。
【0026】
次に、図9に示すように、再配線10上に保護膜11を形成する。保護膜11は後のスクリーン印刷工程で、ソルダーマスクとして機能する。次に、カバーガラス板8上方の保護膜9の所定位置に、再配線10が露出するように開口部を形成する。
【0027】
そして、スクリーン印刷法により、当該開口部に露出された再配線10上に、半田等の金属から成るボール端子12を形成する。そして、境界ラインSに沿ってダイシングを行い、個々のパッケージに分割する。これにより、図10に示したような外形のパッケージが得られる。
【0028】
なお、本実施形態では、Siウエハ1に、2枚のカバーガラス板4、8を貼り付けているが、工程を簡略化するためには、Siウエハ1の裏面のカバーガラス基板8を省略してもよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、有機系樹脂接着剤を用いて、半導体ウエハにカバー透明板を貼り付ける工程を真空状態で行っているので、有機系樹脂接着剤中の微小気泡が脱泡される。このため、イメージセンサの映像取り込みエラーを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図10】従来の半導体パッケージを示す断面図である。
【発明の属する技術分野】
本発明は、CCD等の光電変換素子を含むチップにカバーガラスを貼り付けた小型パッケージの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、デジタルカメラ機能を持った携帯電話が普及している。このデジタルカメラでは小型化の要求から、CCDを用いたイメージセンサ・チップがチップサイズにパッケージ化され、カメラ内部に組み込まれている。
【0003】
図10は、そのようなイメージセンサ・チップのパッケージを示す図であり、図10(A)はその表側から見た斜視図、図10(B)はその裏面側から見た斜視図である。
【0004】
図に示すように、イメージセンサ・チップ50の表面と裏面に、2枚のカバーガラス板51,52がエポキシ樹脂53,54を用いて貼り付けられている。その裏面に貼り付けられたカバーガラス板52には、ボール端子56が複数形成されている。そして、イメージセンサ・チップ50の表面のパッド電極から再配線55が引き延ばされて、このボール端子56に接続されている。
【0005】
このパッケージによれば、イメージセンサ・チップ50の裏面側のボール端子55がプリント基板に接続され、イメージセンサ・チップ50の表面側から、カバーガラス板51を通して、被写体から入射される光を電気信号に変換するという機能を有しているため、省スペースで小型のデジタルカメラを構成することができる。
【0006】
上記のパッケージの製造方法は、イメージセンサが形成されたSiウエハーの両面にカバーガラス板を貼り付け、更に、再配線55やボール端子56を形成した後に、図10のような個々のパッケージに切断するという方法で行われていた。
【0007】
上述した技術は、例えば以下の特許文献1に記載されている。
【0008】
【特許文献1】
特許公表2002−512436号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
上述のように、このパッケージの製造方法では、Siウエハにカバーガラスを貼り付ける工程がある。従来、このカバーガラス板の貼り付け工程はエポキシ樹脂を接着剤として大気圧環境下において行われていた。
【0010】
しかしながら、大気圧環境下における貼り付けでは、エポキシ樹脂53中に含まれる気泡を積極的に除去する効果はない。そのため、Siウエハとカバーガラス板の間に微小気泡が残り、その結果、パッケージ完成時に、CCDが形成されたイメージセンサ・チップ50の表面とカバーガラス板51との間のエポキシ樹脂53に微小気泡が残り、この微小気泡が被写体からの光が通過する際の障害となり、映像の取り込みエラーが発生するおそれがあった。
【0011】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明の半導体パッケージの製造方法は、光電変換素子を含むチップが複数配列された半導体ウエハを用意し、該半導体ウエハの表面に有機系樹脂接着剤を塗布する工程と、前記真空状態のチャンバー内で、前記有機系樹脂接着剤が塗布された前記半導体ウエハにカバー透明板を貼り付ける工程と、前記カバー透明板が貼り付けられた半導体ウエハを個々のチップに分割する工程と、を有することを特徴とするものである。
【0012】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の半導体パッケージの製造方法について図面を参照しながら説明する。まず、図1に示すように、ウエハプロセス工程を経たSiウエハ1を用意する。このSiウエハ1の表面には、光電変換素子であるCCD素子2が形成されており、このCCD素子2を受光素子部とするイメージセンサ・チップが複数配列されているものとする。そして、このSiウエハ1の表面に接着剤として用いるエポキシ樹脂3を塗布する。
【0013】
また、カバーガラス板4を用意する。このカバーガラス板4はCCD素子2へ光を透過させるために光学特性の良いノンアルカリガラスを用いることが好ましい。その厚さは、100μm〜200μmである。
【0014】
そして、図1のようにエポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハ1とカバーガラス板4とを真空チャンバー内に対向させて配置する。Siウエハ1は貼り付け装置の押し付け盤(不図示)に取り付けられ、Siウエハ1にカバーガラス板4がエポキシ樹脂3を接着剤として用いて貼り付けられる。このとき、エポキシ樹脂3中の微小気泡は真空脱泡される。
【0015】
ここで、真空チャンバー内の真空度が高い程、微小気泡の除去には好ましいが、エポキシ樹脂3からの出ガスやスループットの関係から、貼り付け時に到達真空度は1×10−3mBar程度が実用上好ましい。
【0016】
また、このときエポキシ樹脂3の粘度を下げて脱泡しやすくするために、エポキシ樹脂3が塗布されたSiウエハに加熱処理を行うとよい。具体的には貼り付け装置の押し付け盤をヒーター又はランプで暖めることである。加熱温度は、エポキシ樹脂3の硬化反応が短時間に起きず、かつ粘度が下がる温度として60℃程度が適している。
【0017】
こうして、図2に示すように、気泡のない状態で、CCD素子2が形成されたSiウエハ1の表面にカバーガラス板4が貼り付けられる。
【0018】
以下では、図3〜図9を参照してイメージセンサ・パッケージの完成までの工程を説明する。各図ともSiウエハ1のイメージセンサ・チップの境界(ダイシング領域)の断面を示している。
【0019】
図3に示すように、Siウエハ1の表面にカバーガラス板4が貼り合わされており、Siウエハ1上には絶縁膜5が形成されており、この絶縁膜5上に、一対の電極パッド6がスパッタ法により形成されている。これらの一対の電極パッド6は、イメージセンサ・チップを個々に切断するための境界ラインS(ダイシングラインまたはスクライブラインと呼ばれる)の両側に対向して形成されている。これらの一対の電極パッド6は、イメージセンサ・チップのボンディングパッドから、境界ラインSまで拡張されたパッドである。
【0020】
次に、図4に示すように、Siウエハ1をバックグラインドしてチップ厚を約100μmとした後、Siウエハ1をその裏面側から境界ラインSに沿ってドライエッチングし、絶縁膜5を露出させる。このドライエッチングでSiウエハ1はいったん個々のチップに分離されるが、これらのチップは、カバーガラス板4によって支持され、全体としては一枚のウエハ1としての形態を呈している。
【0021】
次いで、図5に示すように、エポキシ樹脂7を接着剤として、Siウエハ1の裏面側に100μm〜200μmの膜厚を有する、もう一枚のカバーガラス板8を貼り付ける。
【0022】
次に、図6に示すように、カバーガラス板8の平坦部の所定位置に、柔軟性を有する感光性有機膜からなる緩衝部材9を形成する。この緩衝部材9は後述する導電端子12に加わる力を吸収し、ガラス基板の割れ等を防止するためのものである。
【0023】
その後、図7に示すように、Siウエハ1の裏面側から境界ラインSに沿ってノッチングを行う。このノッチング工程では、Siウエハ1の裏面側から、ダイシングブレードを用いて切削加工を施すことで行われる。そして、このノッチング工程は、裏側のカバーガラス板8から、表側のカバーガラス板4に至るまで、このカバーガラス板4を幾分切削する程度まで行い、電極パッド6の側端部をノッチング表面に露出させる。
【0024】
このノッチングにより、境界ラインSに沿ってV字型の溝VGが形成される。
【0025】
次に、図8に示すように、V字型の溝VGを覆うように約3μmの膜厚を有するアルミニウム層を形成する。その後、このアルミニウム層を所定の配線パターンにパターニングして電極パッド6の露出された側端部と電気的に接続する再配線10を形成する。この再配線10は、Siウエハ1の裏面のカバーガラス板8の表面に延在する。このカバーガラス板8の表面に延在する再配線10上には、後述するボール端子12が形成される。
【0026】
次に、図9に示すように、再配線10上に保護膜11を形成する。保護膜11は後のスクリーン印刷工程で、ソルダーマスクとして機能する。次に、カバーガラス板8上方の保護膜9の所定位置に、再配線10が露出するように開口部を形成する。
【0027】
そして、スクリーン印刷法により、当該開口部に露出された再配線10上に、半田等の金属から成るボール端子12を形成する。そして、境界ラインSに沿ってダイシングを行い、個々のパッケージに分割する。これにより、図10に示したような外形のパッケージが得られる。
【0028】
なお、本実施形態では、Siウエハ1に、2枚のカバーガラス板4、8を貼り付けているが、工程を簡略化するためには、Siウエハ1の裏面のカバーガラス基板8を省略してもよい。
【0029】
【発明の効果】
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、有機系樹脂接着剤を用いて、半導体ウエハにカバー透明板を貼り付ける工程を真空状態で行っているので、有機系樹脂接着剤中の微小気泡が脱泡される。このため、イメージセンサの映像取り込みエラーを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図2】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図3】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図4】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図5】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図6】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図7】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図8】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図9】本発明の実施形態に係る半導体パッケージの製造方法を示す断面図である。
【図10】従来の半導体パッケージを示す断面図である。
Claims (3)
- 光電変換素子を含むチップが複数配列された半導体ウエハを用意し、該半導体ウエハの表面に有機系樹脂接着剤を塗布する工程と、
前記真空状態のチャンバー内で、前記有機系樹脂接着剤が塗布された前記半導体ウエハにカバー透明板を貼り付ける工程と、
前記カバー透明板が貼り付けられた半導体ウエハを個々のチップに分割する工程と、を有することを特徴とする半導体パッケージの製造方法。 - 前記真空状態のチャンバー内で、前記有機系樹脂接着剤を加熱しながら前記半導体ウエハにカバー透明板を貼り付けることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージの製造方法。
- 前記有機系樹脂接着剤はエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の半導体パッケージの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364831A JP2004200274A (ja) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | 半導体パッケージの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002364831A JP2004200274A (ja) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | 半導体パッケージの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004200274A true JP2004200274A (ja) | 2004-07-15 |
Family
ID=32762542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002364831A Pending JP2004200274A (ja) | 2002-12-17 | 2002-12-17 | 半導体パッケージの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2004200274A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4993797B1 (ja) * | 2011-11-08 | 2012-08-08 | 株式会社東宝ダイヤモンド | 金属製品の装飾方法 |
JP2019076358A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール、内視鏡、撮像モジュールの製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08306717A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止方法 |
JP2002512436A (ja) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | 集積回路デバイス |
JP2002329852A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002333848A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sharp Corp | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
-
2002
- 2002-12-17 JP JP2002364831A patent/JP2004200274A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08306717A (ja) * | 1995-05-09 | 1996-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂封止方法 |
JP2002512436A (ja) * | 1998-02-06 | 2002-04-23 | シェルケース リミティド | 集積回路デバイス |
JP2002329852A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Fuji Film Microdevices Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2002333848A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Sharp Corp | 複合アクティブマトリクス基板、その製造方法、及び電磁波撮像装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4993797B1 (ja) * | 2011-11-08 | 2012-08-08 | 株式会社東宝ダイヤモンド | 金属製品の装飾方法 |
JP2019076358A (ja) * | 2017-10-24 | 2019-05-23 | オリンパス株式会社 | 撮像モジュール、内視鏡、撮像モジュールの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7001797B2 (en) | Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument | |
US6982470B2 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment | |
US7547955B2 (en) | Semiconductor imaging device and method for manufacturing the same | |
JP4542768B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
TWI270707B (en) | Module for optical devices, and manufacturing method of module for optical devices | |
JP4951989B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP4401181B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20040161871A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment | |
WO2008032404A1 (en) | Semiconductor device and method for manufacturing same | |
JP2003197885A (ja) | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 | |
TW200834938A (en) | Image sensor package with die receiving opening and method of the same | |
US20050161756A1 (en) | Package of a semiconductor device with a flexible wiring substrate and method for the same | |
WO2004093195A1 (ja) | 裏面照射型光検出装置の製造方法 | |
US20030124762A1 (en) | Optical device and method of manufacturing the same, optical module, circuit board, and electronic instrument | |
TW200832692A (en) | Solid photographic apparatus and method of manufacturing the same | |
JP2002329850A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
JP2007184680A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP2002231921A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
TWI573247B (zh) | 元件嵌入式影像感測器及其晶圓級製造方法 | |
JP4450168B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置用カバー | |
JP2002231920A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4871690B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 | |
US7037747B2 (en) | Method of manufacturing optical device | |
JP2010166004A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP4407800B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051101 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090203 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090619 |