JP2003197885A - 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 - Google Patents
光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器Info
- Publication number
- JP2003197885A JP2003197885A JP2001397053A JP2001397053A JP2003197885A JP 2003197885 A JP2003197885 A JP 2003197885A JP 2001397053 A JP2001397053 A JP 2001397053A JP 2001397053 A JP2001397053 A JP 2001397053A JP 2003197885 A JP2003197885 A JP 2003197885A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- optical
- manufacturing
- optical device
- adhesive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/43—Arrangements comprising a plurality of opto-electronic elements and associated optical interconnections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/162—Disposition
- H01L2924/16235—Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip
Abstract
(57)【要約】
【課題】 品質の高い光デバイス及びその製造方法、光
モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 光学的部分１４が形成された光素子５０
を複数含む第１の基板１０に、光透過性の接着層３６を
介して、透明基板３２を含む第２の基板３０を貼り付け
て、光学的部分１４を封止する。そして、第１の基板１
０を個々の光素子５０に切断する。
モジュール、回路基板並びに電子機器を提供することに
ある。 【解決手段】 光学的部分１４が形成された光素子５０
を複数含む第１の基板１０に、光透過性の接着層３６を
介して、透明基板３２を含む第２の基板３０を貼り付け
て、光学的部分１４を封止する。そして、第１の基板１
０を個々の光素子５０に切断する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光デバイス及びそ
の製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に
関する。
の製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器に
関する。
【０００２】
【背景技術】受光部等のような光学的部分を有する光素
子は、光学的部分と光学的部分を封止するためのカバー
との間に空間を設けたほうがよい。このため、光素子に
個片化した後に、光学的部分とカバーとの間に空間を設
けて、光学的部分がカバーによって封止される光デバイ
スの製造方法が知られている。個片化は、ウエハ等の基
板の切断により行うが、この際に切削屑等のゴミやケバ
が発生する。このゴミ等が光学的部分に付着したまま封
止されると、その後に該空間内からゴミを除去すること
ができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問
題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有
する固体撮像装置である場合には、マイクロレンズが凹
凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去する
のが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学
的部分を有する場合には、さらに光デバイス（固体撮像
装置）の品質が低下しやすいという問題があった。
子は、光学的部分と光学的部分を封止するためのカバー
との間に空間を設けたほうがよい。このため、光素子に
個片化した後に、光学的部分とカバーとの間に空間を設
けて、光学的部分がカバーによって封止される光デバイ
スの製造方法が知られている。個片化は、ウエハ等の基
板の切断により行うが、この際に切削屑等のゴミやケバ
が発生する。このゴミ等が光学的部分に付着したまま封
止されると、その後に該空間内からゴミを除去すること
ができなくなり、光デバイスの品質が低下するという問
題があった。特に、マイクロレンズ付の光学的部分を有
する固体撮像装置である場合には、マイクロレンズが凹
凸を有するため、ゴミが付着しやすく、完全に除去する
のが困難であった。このため、マイクロレンズ付の光学
的部分を有する場合には、さらに光デバイス（固体撮像
装置）の品質が低下しやすいという問題があった。
【０００３】本発明は、この問題点を解決するものであ
り、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方
法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供する
ことにある。
り、その目的は、品質の高い光デバイス及びその製造方
法、光モジュール、回路基板並びに電子機器を提供する
ことにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】（１）本発明に係る光デ
バイスの製造方法は、（ａ）光学的部分が形成された光
素子を複数含む第１の基板に、光透過性の接着層を介し
て、透明基板を含む第２の基板を貼り付けて、前記光学
的部分を封止し、（ｂ）前記第１の基板を、個々の前記
光素子に切断することを含む。
バイスの製造方法は、（ａ）光学的部分が形成された光
素子を複数含む第１の基板に、光透過性の接着層を介し
て、透明基板を含む第２の基板を貼り付けて、前記光学
的部分を封止し、（ｂ）前記第１の基板を、個々の前記
光素子に切断することを含む。
【０００５】本発明によれば、光学的部分を封止してか
ら第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入るこ
とがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
ら第１の基板を切断するので、封止部内にゴミが入るこ
とがなく、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【０００６】（２）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、前記第２の基板として、複数の
前記透明基板が相互の位置を固定されたものを、前記第
１の基板に貼り付けてもよい。
て、前記（ａ）工程で、前記第２の基板として、複数の
前記透明基板が相互の位置を固定されたものを、前記第
１の基板に貼り付けてもよい。
【０００７】これによれば、第２の基板は、予め複数の
透明基板を有しているので、第１の基板に貼り付けた後
に切断しなくてもよい。また、複数の透明基板は、相互
の位置を固定してあるので、第１の基板への貼り付けが
簡単になる。
透明基板を有しているので、第１の基板に貼り付けた後
に切断しなくてもよい。また、複数の透明基板は、相互
の位置を固定してあるので、第１の基板への貼り付けが
簡単になる。
【０００８】（３）この光デバイスの製造方法におい
て、前記第２の基板は、シートに光透過性のプレートを
貼り付け、前記シートを切断しないように前記プレート
を複数の前記透明基板に切断することにより得られた基
板であって、前記シートに貼り付けられた複数の前記透
明基板からなる基板であってもよい。
て、前記第２の基板は、シートに光透過性のプレートを
貼り付け、前記シートを切断しないように前記プレート
を複数の前記透明基板に切断することにより得られた基
板であって、前記シートに貼り付けられた複数の前記透
明基板からなる基板であってもよい。
【０００９】（４）この光デバイスの製造方法におい
て、少なくとも前記透明基板に前記接着層を設けてか
ら、前記第２の基板を前記第１の基板に貼り付けてもよ
い。
て、少なくとも前記透明基板に前記接着層を設けてか
ら、前記第２の基板を前記第１の基板に貼り付けてもよ
い。
【００１０】これによれば、第１の基板において、透明
基板を貼り付けない領域には接着層を設けないようにす
ることができる。
基板を貼り付けない領域には接着層を設けないようにす
ることができる。
【００１１】（５）この光デバイスの製造方法におい
て、前記第１の基板の前記光素子は、前記光学的部分の
外側に電極が形成されてなり、前記（ａ）工程で、前記
電極を避けて、前記第１の基板の上方に前記透明基板を
設けてもよい。
て、前記第１の基板の前記光素子は、前記光学的部分の
外側に電極が形成されてなり、前記（ａ）工程で、前記
電極を避けて、前記第１の基板の上方に前記透明基板を
設けてもよい。
【００１２】これによれば、第１の基板における電極の
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
【００１３】（６）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程は、（ａ1）前記第２の基板を前記
第１の基板に貼り付け、（ａ2）前記第２の基板を、前
記光学的部分に対応して複数の前記透明基板に切断する
ことを含んでもよい。
て、前記（ａ）工程は、（ａ1）前記第２の基板を前記
第１の基板に貼り付け、（ａ2）前記第２の基板を、前
記光学的部分に対応して複数の前記透明基板に切断する
ことを含んでもよい。
【００１４】これによれば、第２の基板と第１の基板と
の位置合わせが容易である。また、バラバラの複数の個
片を位置合わせしなくてもよい。
の位置合わせが容易である。また、バラバラの複数の個
片を位置合わせしなくてもよい。
【００１５】（７）この光デバイスの製造方法におい
て、前記第１の基板の前記光素子は、それぞれの前記光
学的部分の外側に電極が形成されてなり、前記（ａ2）
工程で、前記第２の基板における前記電極の上方の部分
を除去しながら前記第２の基板を切断してもよい。
て、前記第１の基板の前記光素子は、それぞれの前記光
学的部分の外側に電極が形成されてなり、前記（ａ2）
工程で、前記第２の基板における前記電極の上方の部分
を除去しながら前記第２の基板を切断してもよい。
【００１６】これによれば、第１の基板における電極の
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
【００１７】（８）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ2）工程で前記第２の基板を切断するカッ
タの幅は、前記（ｂ）工程で前記第１の基板を切断する
カッタの幅よりも大きくてもよい。
て、前記（ａ2）工程で前記第２の基板を切断するカッ
タの幅は、前記（ｂ）工程で前記第１の基板を切断する
カッタの幅よりも大きくてもよい。
【００１８】（９）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程は、（ａ1）前記第１の基板に前記
接着層を形成し、（ａ2）複数の前記第２の基板を、個
々の前記光素子の前記光学的部分にそれぞれ対応させて
接着することを含んでもよい。
て、前記（ａ）工程は、（ａ1）前記第１の基板に前記
接着層を形成し、（ａ2）複数の前記第２の基板を、個
々の前記光素子の前記光学的部分にそれぞれ対応させて
接着することを含んでもよい。
【００１９】これによれば、第１の基板と第２の基板と
の熱膨張率等の相違が大きい場合などに、個片化された
透明基板を有する第２の基板を位置精度よく光学的部分
に接着することができる。
の熱膨張率等の相違が大きい場合などに、個片化された
透明基板を有する第２の基板を位置精度よく光学的部分
に接着することができる。
【００２０】（１０）この光デバイスの製造方法におい
て、前記第１の基板の前記光素子には、それぞれの前記
光学的部分の外側に電極が形成されてなり、前記
（ａ1）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板の
上方に前記第２の基板を設けてもよい。
て、前記第１の基板の前記光素子には、それぞれの前記
光学的部分の外側に電極が形成されてなり、前記
（ａ1）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板の
上方に前記第２の基板を設けてもよい。
【００２１】これによれば、第１の基板における電極の
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
上方が開放されるので、電極に対する電気的な接続を採
りやすくなる。
【００２２】（１１）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着
層を連続的に設けることを含んでもよい。
て、前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着
層を連続的に設けることを含んでもよい。
【００２３】（１２）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着
層を連続的に設け、前記（ａ）工程後に、前記接着層の
うち、少なくとも前記電極の上に位置する部分を除去す
ることにより、前記電極を露出させることを含んでもよ
い。
て、前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着
層を連続的に設け、前記（ａ）工程後に、前記接着層の
うち、少なくとも前記電極の上に位置する部分を除去す
ることにより、前記電極を露出させることを含んでもよ
い。
【００２４】（１３）この光デバイスの製造方法におい
て、前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、個々の前記
光素子上に前記接着層を設けてもよい。
て、前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、個々の前記
光素子上に前記接着層を設けてもよい。
【００２５】（１４）この光デバイスの製造方法におい
て、前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤
外線を通過させなくてもよい。
て、前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤
外線を通過させなくてもよい。
【００２６】（１５）この光デバイスの製造方法におい
て、前記第１の基板は、半導体ウエハであってもよい。
て、前記第１の基板は、半導体ウエハであってもよい。
【００２７】（１６）この光デバイスの製造方法におい
て、それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に
並べられた複数の受光部を有していてもよい。
て、それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に
並べられた複数の受光部を有していてもよい。
【００２８】（１７）この光デバイスの製造方法におい
て、それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に
設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
て、それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に
設けられたカラーフィルタを有していてもよい。
【００２９】（１８）この光デバイスの製造方法におい
て、それぞれの前記光学的部分は、前記第１の基板の表
面に設けられたマイクロレンズアレイを有していてもよ
い。
て、それぞれの前記光学的部分は、前記第１の基板の表
面に設けられたマイクロレンズアレイを有していてもよ
い。
【００３０】（１９）この光デバイスの製造方法におい
て、前記接着層の材料として、光の絶対屈折率が、前記
マイクロレンズアレイとは異なる材料を使用してもよ
い。
て、前記接着層の材料として、光の絶対屈折率が、前記
マイクロレンズアレイとは異なる材料を使用してもよ
い。
【００３１】（２０）本発明に係る光デバイスは、上記
方法によって製造されてなる。
方法によって製造されてなる。
【００３２】（２１）本発明に係る光モジュールは、光
デバイスと、前記光デバイスが取り付けられる支持部材
と、を有する。
デバイスと、前記光デバイスが取り付けられる支持部材
と、を有する。
【００３３】（２２）本発明に係る回路基板は、上記光
モジュールが実装されてなる。
モジュールが実装されてなる。
【００３４】（２３）本発明に係る電子機器は、上記光
モジュールを有する。
モジュールを有する。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。
て図面を参照して説明する。
【００３６】（第１の実施の形態）図１（Ａ）〜図５
（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス
及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の基
板１０に第２の基板３０を取り付ける。
（Ｂ）は、本発明の第１の実施の形態に係る光デバイス
及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態で
は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、第１の基
板１０に第２の基板３０を取り付ける。
【００３７】第１の基板１０には、後述する切断工程で
の作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けてお
いてもよい。図２は、第１の基板１０の一部を拡大した
図である。第１の基板１０は、光学的部分１４を含む複
数の光素子５０を有する。光素子５０は、光学的部分１
４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又
は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光
エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換す
る。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネル
ギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
の作業性を向上させるためにシート１２を貼り付けてお
いてもよい。図２は、第１の基板１０の一部を拡大した
図である。第１の基板１０は、光学的部分１４を含む複
数の光素子５０を有する。光素子５０は、光学的部分１
４と電極２６とを含む。光学的部分１４は、光が入射又
は出射する部分である。または、光学的部分１４は、光
エネルギーと他のエネルギー（例えば電気）を変換す
る。すなわち、１つの光学的部分１４は、複数のエネル
ギー変換部（受光部・発光部）１６を有する。
【００３８】本実施の形態では、それぞれの光学的部分
１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージ
センサ部）１６を有する。図２に示すように、複数のエ
ネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像セ
ンシングを行えるようになっている。すなわち、本実施
の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イ
メージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固
体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベ
ーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１
８は、光透過性を有する。第１の基板１０が、半導体基
板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ
2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよ
い。
１４は、複数のエネルギー変換部（受光部又はイメージ
センサ部）１６を有する。図２に示すように、複数のエ
ネルギー変換部１６は、二次元的に並べられて、画像セ
ンシングを行えるようになっている。すなわち、本実施
の形態で製造される光デバイス又は光モジュールは、イ
メージセンサ（例えばＣＣＤ、ＣＭＯＳセンサ）等の固
体撮像装置である。エネルギー変換部１６は、パッシベ
ーション膜１８で覆われている。パッシベーション膜１
８は、光透過性を有する。第１の基板１０が、半導体基
板（例えば半導体ウエハ）を含むものであれば、ＳｉＯ
2、ＳｉＮでパッシベーション膜１８を形成してもよ
い。
【００３９】光学的部分１４は、カラーフィルタ２０を
有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベー
ション膜１８上に形成されている。また、カラーフィル
タ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロ
レンズアレイ２４が設けられていてもよい。
有していてもよい。カラーフィルタ２０は、パッシベー
ション膜１８上に形成されている。また、カラーフィル
タ２０上に平坦化層２２が設けられ、その上にマイクロ
レンズアレイ２４が設けられていてもよい。
【００４０】第１の基板１０には、複数の電極２６が形
成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成
されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。
図２に示すように、電極２６は、個々の光素子５０にお
いて光学的部分１４の外側に形成されていることが好ま
しい。例えば、隣同士の光学的部分１４の間に、電極２
６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グル
ープの電極２６（複数）が対応している。例えば、図５
（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば
対向する二辺）に沿って電極２６を配置してもよい。
成されている。図２に示す電極２６は、パッド上に形成
されたバンプを有するが、パッドのみであってもよい。
図２に示すように、電極２６は、個々の光素子５０にお
いて光学的部分１４の外側に形成されていることが好ま
しい。例えば、隣同士の光学的部分１４の間に、電極２
６が形成されている。１つの光学的部分１４に、１グル
ープの電極２６（複数）が対応している。例えば、図５
（Ｂ）に示すように、光学的部分１４の複数辺（例えば
対向する二辺）に沿って電極２６を配置してもよい。
【００４１】第２の基板３０は、透明基板３２を含む。
透明基板３２は、光透過性を有する。透明基板３２の形
状は特に限定されないが、例えば四辺形である。また、
第２の基板３０の外形は、第１の基板１０の外形とほぼ
同一であってもよい。透明基板３２は、光学的部分１４
の上方に配置される。透明基板３２は、光が透過するも
のであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光
のみを透過するものであってもよい。透明基板３２は、
可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないも
のであってもよい。透明基板３２は、可視光に対して損
失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくても
よい。また、透明基板３２は、可視光線を通過させるが
赤外線を通過させない膜を有していてもよい。透明基板
３２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチッ
クプレートを使用してもよい。
透明基板３２は、光透過性を有する。透明基板３２の形
状は特に限定されないが、例えば四辺形である。また、
第２の基板３０の外形は、第１の基板１０の外形とほぼ
同一であってもよい。透明基板３２は、光学的部分１４
の上方に配置される。透明基板３２は、光が透過するも
のであれば損失の大きさは問わないし、特定の波長の光
のみを透過するものであってもよい。透明基板３２は、
可視光を通過させるが赤外線領域の光を通過させないも
のであってもよい。透明基板３２は、可視光に対して損
失が小さく、赤外線領域の光に対して損失が大きくても
よい。また、透明基板３２は、可視光線を通過させるが
赤外線を通過させない膜を有していてもよい。透明基板
３２として光学ガラスを使用してもよいし、プラスチッ
クプレートを使用してもよい。
【００４２】第２の基板３０は、接着層３６を介して第
１の基板１０に貼り付ける。本実施の形態では、各透明
基板３２に接着層３６が設けられる。接着層３６は、光
透過性を有する。特に、接着剤３６の光透過性は、大気
の光透過性と同等程度に高くてもよい。接着層３６に
は、熱可塑性樹脂を使用してもよい。例えば、熱可塑性
の感光性樹脂（フォトレジスト等）を使用してもよい。
なお、接着層３６は、取り扱い易いように一旦仮硬化さ
せ、第１の基板１０に接触させてから接着力を発現させ
てもよい。例えば、接着層３６が、紫外線硬化型の熱可
塑性樹脂であれば、仮硬化には、紫外線の照射を適用す
ることができる。接着層３６がマイクロレンズアレイ２
４上に形成される場合には、両者における光の絶対的屈
折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率
は、マイクロレンズアレイ２４が図２に示すように凸レ
ンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折
率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズ
アレイ２４が凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈
折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率より
も大きいことが好ましい。
１の基板１０に貼り付ける。本実施の形態では、各透明
基板３２に接着層３６が設けられる。接着層３６は、光
透過性を有する。特に、接着剤３６の光透過性は、大気
の光透過性と同等程度に高くてもよい。接着層３６に
は、熱可塑性樹脂を使用してもよい。例えば、熱可塑性
の感光性樹脂（フォトレジスト等）を使用してもよい。
なお、接着層３６は、取り扱い易いように一旦仮硬化さ
せ、第１の基板１０に接触させてから接着力を発現させ
てもよい。例えば、接着層３６が、紫外線硬化型の熱可
塑性樹脂であれば、仮硬化には、紫外線の照射を適用す
ることができる。接着層３６がマイクロレンズアレイ２
４上に形成される場合には、両者における光の絶対的屈
折率は異なる。詳しくは、接着層３６の絶対的屈折率
は、マイクロレンズアレイ２４が図２に示すように凸レ
ンズであれば、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折
率よりも小さいことが好ましい。逆に、マイクロレンズ
アレイ２４が凹レンズであれば、接着層３６の絶対的屈
折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率より
も大きいことが好ましい。
【００４３】透明基板３２を１つずつ第１の基板１０に
貼り付けてもよい。本実施の形態では、相互の位置を固
定した状態で、複数の透明基板３２を第１の基板１０に
貼り付ける。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す例では、
シート３４に複数の透明基板３２を貼り付けておく。こ
うすることで、一度に複数の透明基板３２を貼り付ける
ことができる。なお、複数の透明基板３２は、マトリク
ス状に並んでいてもよい。
貼り付けてもよい。本実施の形態では、相互の位置を固
定した状態で、複数の透明基板３２を第１の基板１０に
貼り付ける。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す例では、
シート３４に複数の透明基板３２を貼り付けておく。こ
うすることで、一度に複数の透明基板３２を貼り付ける
ことができる。なお、複数の透明基板３２は、マトリク
ス状に並んでいてもよい。
【００４４】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、相互の位置
が固定された複数の透明基板を含む第２の基板を得る工
程を説明する図である。この例では、図３（Ａ）に示す
ように、シート３４にプレート２８を貼り付け、プレー
ト２８に接着層３６を形成する。なお、接着層３６は、
仮硬化させておいてもよい。次に、図３（Ｂ）に示すよ
うに、カッタ３８（例えばダイシングブレード）によっ
て、シート３４を切断しないように、プレート２８を複
数の透明基板３２に切断する。そのとき、接着層３６も
切断される（切断された個々の接着層を符号３６ａで示
す）。カッタ３８の幅（厚み）に応じて、隣同士の透明
基板３２の間隔が決まる。すなわち、カッタ３８の幅
（厚み）に応じて、プレート２８の切断ラインに沿った
部分が除去される。カッタ３８の幅は、後述する第１の
基板１０を切断するカッタの幅よりも大きいくてもよ
い。
が固定された複数の透明基板を含む第２の基板を得る工
程を説明する図である。この例では、図３（Ａ）に示す
ように、シート３４にプレート２８を貼り付け、プレー
ト２８に接着層３６を形成する。なお、接着層３６は、
仮硬化させておいてもよい。次に、図３（Ｂ）に示すよ
うに、カッタ３８（例えばダイシングブレード）によっ
て、シート３４を切断しないように、プレート２８を複
数の透明基板３２に切断する。そのとき、接着層３６も
切断される（切断された個々の接着層を符号３６ａで示
す）。カッタ３８の幅（厚み）に応じて、隣同士の透明
基板３２の間隔が決まる。すなわち、カッタ３８の幅
（厚み）に応じて、プレート２８の切断ラインに沿った
部分が除去される。カッタ３８の幅は、後述する第１の
基板１０を切断するカッタの幅よりも大きいくてもよ
い。
【００４５】こうして、プレート２８から透明基板３２
を得られる。すなわち、シート３４とシート３４に貼り
付けられた透明基板３２とを含む第２の基板が得られ
る。これによれば、接着層３６を形成してからプレート
２８を切断するので、透明基板３２の端面に接着層３６
が付着しにくい。なお、変形例として、シート３４に貼
り付けられたプレート２８を複数の透明基板３２に切断
した後に、接着層３６を複数の透明基板３２に設けても
よい。あるいは、プレート２８に、透明基板３２の形状
に応じて（切断ラインを避けて）、接着層３６を形成
し、接着層３６が形成されない部分を切断してもよい。
を得られる。すなわち、シート３４とシート３４に貼り
付けられた透明基板３２とを含む第２の基板が得られ
る。これによれば、接着層３６を形成してからプレート
２８を切断するので、透明基板３２の端面に接着層３６
が付着しにくい。なお、変形例として、シート３４に貼
り付けられたプレート２８を複数の透明基板３２に切断
した後に、接着層３６を複数の透明基板３２に設けても
よい。あるいは、プレート２８に、透明基板３２の形状
に応じて（切断ラインを避けて）、接着層３６を形成
し、接着層３６が形成されない部分を切断してもよい。
【００４６】図４（Ａ）に示すように、上述した工程を
経て、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。
第１の基板１０は、光学的部分１４を有する複数の光素
子５０が形成されており、各光学的部分１４の上方に、
各透明基板３２を配置する。また、透明基板３２は、電
極２６を避けて設ける。接着層３６が仮硬化されている
場合には、例えば加熱して、その接着力を発現させる。
必要であれば、透明基板３２に貼られた第２の基板３０
のシート３４を剥がす。接着層３６及び透明基板３２
は、光学的部分１４を封止する。接着層３６と光学的部
分１４との間に隙間がないようになっていてもよい。な
お、接着層３６の一部が電極２６に付着した場合には、
これを除去する工程を付加してもよい。接着層３６の一
部は、溶剤やスパッタリングによってエッチングした
り、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）にさらしてア
ッシングして除去することができる。また、光学的部分
１４を封止する直前に、光学的部分１４を洗浄化する工
程があることが好ましい。この場合には、光学的部分１
４の上にゴミやケバなどが付着したまま光学的部分１４
が封止されるのを防ぐことができるため、光デバイスの
歩留まりが向上する。
経て、第１の基板１０に第２の基板３０を取り付ける。
第１の基板１０は、光学的部分１４を有する複数の光素
子５０が形成されており、各光学的部分１４の上方に、
各透明基板３２を配置する。また、透明基板３２は、電
極２６を避けて設ける。接着層３６が仮硬化されている
場合には、例えば加熱して、その接着力を発現させる。
必要であれば、透明基板３２に貼られた第２の基板３０
のシート３４を剥がす。接着層３６及び透明基板３２
は、光学的部分１４を封止する。接着層３６と光学的部
分１４との間に隙間がないようになっていてもよい。な
お、接着層３６の一部が電極２６に付着した場合には、
これを除去する工程を付加してもよい。接着層３６の一
部は、溶剤やスパッタリングによってエッチングした
り、あるいはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）にさらしてア
ッシングして除去することができる。また、光学的部分
１４を封止する直前に、光学的部分１４を洗浄化する工
程があることが好ましい。この場合には、光学的部分１
４の上にゴミやケバなどが付着したまま光学的部分１４
が封止されるのを防ぐことができるため、光デバイスの
歩留まりが向上する。
【００４７】図４（Ｂ）に示すように、第１の基板１０
を切断して、個々の光素子５０とする。その切断には、
カッタ４０（例えばダイシングブレード）を使用する。
第１の基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さ
らに電極２６の外側で切断する。図４（Ｂ）に示す例で
は、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的
部分１４に対応する電極２６が形成されており、それら
の電極２６（複数）の間で第１の基板１０を切断するこ
とにより、個々の光素子５０とする。第１の基板１０に
シート１２が貼り付けられていれば、第１の基板１０を
各光素子５０に分離しても各光素子５０がバラバラにな
らない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形
態によれば、光学的部分１４を封止してから第１の基板
１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがな
く、品質の高い光デバイスを得ることができる。
を切断して、個々の光素子５０とする。その切断には、
カッタ４０（例えばダイシングブレード）を使用する。
第１の基板１０は、光学的部分１４の外側であって、さ
らに電極２６の外側で切断する。図４（Ｂ）に示す例で
は、隣同士の光学的部分１４の間に、それぞれの光学的
部分１４に対応する電極２６が形成されており、それら
の電極２６（複数）の間で第１の基板１０を切断するこ
とにより、個々の光素子５０とする。第１の基板１０に
シート１２が貼り付けられていれば、第１の基板１０を
各光素子５０に分離しても各光素子５０がバラバラにな
らない。こうして、光デバイスが得られる。本実施の形
態によれば、光学的部分１４を封止してから第１の基板
１０を切断するので、封止部内にゴミが入ることがな
く、品質の高い光デバイスを得ることができる。
【００４８】図５（Ａ）は、本発明の第１の実施の形態
に係る光デバイスを説明する縦断面図であり、図５
（Ｂ）は、その平面図である。光デバイスは、光素子５
０と、透明基板３２を有する。透明基板３２から光学的
部分１４に光が入射する。光素子５０に設けられた光学
的部分１４は、接着剤層３６透明基板３２によって封止
されている。マイクロレンズアレイ２４とその上に形成
される接着層３６とは、光の絶対的屈折率は異なる。詳
しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズ
アレイ２４が接着層３６からみて凸レンズであれば、マ
イクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいこ
とが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が接着
層３６からみて凹レンズであれば、接着層３６の絶対的
屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よ
りも大きいことが好ましい。光学的部分１４の外側であ
って、さらに透明基板３２の外側には、第１の基板１０
（詳しくはその個片である光素子５０）に電極２６が設
けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの
製造方法で説明した内容が該当する。
に係る光デバイスを説明する縦断面図であり、図５
（Ｂ）は、その平面図である。光デバイスは、光素子５
０と、透明基板３２を有する。透明基板３２から光学的
部分１４に光が入射する。光素子５０に設けられた光学
的部分１４は、接着剤層３６透明基板３２によって封止
されている。マイクロレンズアレイ２４とその上に形成
される接着層３６とは、光の絶対的屈折率は異なる。詳
しくは、接着層３６の絶対的屈折率は、マイクロレンズ
アレイ２４が接着層３６からみて凸レンズであれば、マ
イクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よりも小さいこ
とが好ましい。逆に、マイクロレンズアレイ２４が接着
層３６からみて凹レンズであれば、接着層３６の絶対的
屈折率は、マイクロレンズアレイ２４の絶対的屈折率よ
りも大きいことが好ましい。光学的部分１４の外側であ
って、さらに透明基板３２の外側には、第１の基板１０
（詳しくはその個片である光素子５０）に電極２６が設
けられている。その他の詳細は、上述した光デバイスの
製造方法で説明した内容が該当する。
【００４９】本発明は、上述した実施の形態に限定され
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
るものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本
発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構
成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるい
は目的及び結果が同一の構成）を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置
き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説
明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目
的を達成することができる構成を含む。また、本発明
は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構
成を含む。
【００５０】（第２の実施の形態）図６（Ａ）〜図６
（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイス
の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第
１の実施の形態で説明した部材を使用する。
（Ｃ）は、本発明の第２の実施の形態に係る光デバイス
の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第
１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５１】図６（Ａ）に示すように、第１の基板１０
に接着層３６を介して第２の基板３０を貼り付ける。接
着層３６は、第１の基板１０上に複数の光素子５０の上
に連続的に形成してもよい。すなわち、接着層３６は、
複数の光学的部分１４及び隣同士の光学的部分１４の間
の領域を覆うように形成してもよい。その場合、接着層
６を簡単に形成することができる。変形例として、それ
ぞれの光学的部分１４上であって、隣同士の光学的部分
１４の間の領域を避けて、接着層３６を形成してもよ
い。
に接着層３６を介して第２の基板３０を貼り付ける。接
着層３６は、第１の基板１０上に複数の光素子５０の上
に連続的に形成してもよい。すなわち、接着層３６は、
複数の光学的部分１４及び隣同士の光学的部分１４の間
の領域を覆うように形成してもよい。その場合、接着層
６を簡単に形成することができる。変形例として、それ
ぞれの光学的部分１４上であって、隣同士の光学的部分
１４の間の領域を避けて、接着層３６を形成してもよ
い。
【００５２】図６（Ｂ）に示すように、第２の基板３０
を切断して、複数の透明基板３２を形成する。第２の基
板３０は、それぞれの光学的部分１４に対応して切断す
る。第２の基板３０の切断ラインは、第１の基板１０に
おける電極２６の上方に位置することが好ましい。すな
わち、電極２６に対する電気的な接続を採りやすくする
ため、第２の基板３０における電極２６の上方の部分を
除去する。例えば、第２の基板３０を切断するためのカ
ッタ３８として、切削して切断を行うツールを用いる。
こうして、電極２６の上方を開放させる。なお、カッタ
３８（例えばダイシングブレード）は、第１の基板１０
を切断するカッタ４０（図４（Ｂ）参照）よりも幅が大
きいことが好ましい。第２の基板３０の切断は、第２の
基板３０の表面や電極２６を破損しないように行う。例
えば、カッタ３８の先端が電極２６に接触しないよう
に、接着層３６の上部のみを切断するようにカッタ３８
を制御する。図示しない溝を、第２の基板３０に形成し
ておいてもよい。その場合、溝を電極２６に向けて配置
する。そうすることで、溝の深さ分、第２の基板３０の
表面が電極２６から離れているので、カッタ３８の先端
が電極２６に接触しにくくなる。
を切断して、複数の透明基板３２を形成する。第２の基
板３０は、それぞれの光学的部分１４に対応して切断す
る。第２の基板３０の切断ラインは、第１の基板１０に
おける電極２６の上方に位置することが好ましい。すな
わち、電極２６に対する電気的な接続を採りやすくする
ため、第２の基板３０における電極２６の上方の部分を
除去する。例えば、第２の基板３０を切断するためのカ
ッタ３８として、切削して切断を行うツールを用いる。
こうして、電極２６の上方を開放させる。なお、カッタ
３８（例えばダイシングブレード）は、第１の基板１０
を切断するカッタ４０（図４（Ｂ）参照）よりも幅が大
きいことが好ましい。第２の基板３０の切断は、第２の
基板３０の表面や電極２６を破損しないように行う。例
えば、カッタ３８の先端が電極２６に接触しないよう
に、接着層３６の上部のみを切断するようにカッタ３８
を制御する。図示しない溝を、第２の基板３０に形成し
ておいてもよい。その場合、溝を電極２６に向けて配置
する。そうすることで、溝の深さ分、第２の基板３０の
表面が電極２６から離れているので、カッタ３８の先端
が電極２６に接触しにくくなる。
【００５３】図６（Ｂ）に示すように、隣同士の透明基
板３２の間（例えば電極２６上）に、接着層３６の一部
が残っている場合には、これを除去する工程を行う。例
えば、溶剤やスパッタリングによるエッチングや、ある
いはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）によるアッシングによ
って、透明基板３２をマスクとして、接着層３６の一部
を除去することができる。
板３２の間（例えば電極２６上）に、接着層３６の一部
が残っている場合には、これを除去する工程を行う。例
えば、溶剤やスパッタリングによるエッチングや、ある
いはプラズマ（Ｏ2プラズマ等）によるアッシングによ
って、透明基板３２をマスクとして、接着層３６の一部
を除去することができる。
【００５４】こうして、図６（Ｃ）に示すように、各光
学的部分１４を封止することができる。その後、図４
（Ｂ）に示す工程を行う。本実施の形態によれば、透明
基板３２の形成が簡単である。また、バラバラの複数の
透明基板を位置合わせしなくてもよい。その他の点につ
いて、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した
内容が該当する。
学的部分１４を封止することができる。その後、図４
（Ｂ）に示す工程を行う。本実施の形態によれば、透明
基板３２の形成が簡単である。また、バラバラの複数の
透明基板を位置合わせしなくてもよい。その他の点につ
いて、本実施の形態には、第１の実施の形態で説明した
内容が該当する。
【００５５】（第３の実施の形態）図７（Ａ）及び図７
（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイス
の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第
１の実施の形態で説明した部材を使用する。
（Ｂ）は、本発明の第３の実施の形態に係る光デバイス
の製造方法を説明する図である。本実施の形態では、第
１の実施の形態で説明した部材を使用する。
【００５６】図７（Ａ）に示すように、本実施の形態で
は、第１の基板１０上に接着層３６を形成する。その詳
細は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。そ
して、図７（Ｂ）に示すように、接着層３６に、複数の
第２の基板３０として複数の透明基板３２を接着する。
詳しくは、各透明基板３２を、各光学的部分１４の上方
に配置し、接着層３６に接着する。また、透明基板３２
は、電極２６を避けて配置することが好ましい。
は、第１の基板１０上に接着層３６を形成する。その詳
細は、第２の実施の形態で説明した内容が該当する。そ
して、図７（Ｂ）に示すように、接着層３６に、複数の
第２の基板３０として複数の透明基板３２を接着する。
詳しくは、各透明基板３２を、各光学的部分１４の上方
に配置し、接着層３６に接着する。また、透明基板３２
は、電極２６を避けて配置することが好ましい。
【００５７】このように、予め複数の透明基板３２とな
った第２の基板３０を、第１の基板１０に貼り付けても
よい。その他の点について、本実施の形態には、第１又
は第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
った第２の基板３０を、第１の基板１０に貼り付けても
よい。その他の点について、本実施の形態には、第１又
は第２の実施の形態で説明した内容が該当する。
【００５８】（第４の実施の形態）図８は、本発明の第
４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明
する図である。図８に示す光モジュールは、図５（Ａ）
に示す光素子５０ａを有する。光素子５０ａは、支持部
材（例えばケース）５２に取り付けられている。支持部
材５２には、配線５４が形成されている。支持部材５２
は、ＭＩＤ（MoldedInterconnect Device）であっても
よい。光素子５０ａの電極２６と配線５４とは、電気的
に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ５６
を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ
５６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料
５８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、
封止材料５８で封止されている。封止材料５８は、例え
ばポッティングによって設けてもよい。光素子５０ａ
は、透明基板３２及び接着層３６によって光学的部分１
４が封止されているので、透明基板３２及び接着層３６
がダムとして機能するため、封止材料５８が光学的部分
１４を覆わない。
４の実施の形態に係る光モジュール及び回路基板を説明
する図である。図８に示す光モジュールは、図５（Ａ）
に示す光素子５０ａを有する。光素子５０ａは、支持部
材（例えばケース）５２に取り付けられている。支持部
材５２には、配線５４が形成されている。支持部材５２
は、ＭＩＤ（MoldedInterconnect Device）であっても
よい。光素子５０ａの電極２６と配線５４とは、電気的
に接続されている。電気的接続には、例えばワイヤ５６
を用いてもよい。また、電気的な接続部（例えばワイヤ
５６及びそのボンディングされた部分）には、封止材料
５８が設けられている。すなわち、電気的な接続部は、
封止材料５８で封止されている。封止材料５８は、例え
ばポッティングによって設けてもよい。光素子５０ａ
は、透明基板３２及び接着層３６によって光学的部分１
４が封止されているので、透明基板３２及び接着層３６
がダムとして機能するため、封止材料５８が光学的部分
１４を覆わない。
【００５９】配線５４の一部は、外部端子（例えばリー
ド）６０となっている。外部端子６０は、回路基板６２
に形成された配線パターン６４と電気的に接続されてい
る。図８に示す例では、回路基板６２に穴が形成されて
おり、その穴に外部端子６０が挿入されている。その穴
の周囲に配線パターン６４のランドが形成され、そのラ
ンドと外部端子６０とは、ろう材（例えばはんだ）で接
合されている。このように、回路基板６２は、光モジュ
ールが実装されてなる。また、支持部材５２そのもの
が、外部端子６０を有さない回路基板６２そのものであ
ってもよい。
ド）６０となっている。外部端子６０は、回路基板６２
に形成された配線パターン６４と電気的に接続されてい
る。図８に示す例では、回路基板６２に穴が形成されて
おり、その穴に外部端子６０が挿入されている。その穴
の周囲に配線パターン６４のランドが形成され、そのラ
ンドと外部端子６０とは、ろう材（例えばはんだ）で接
合されている。このように、回路基板６２は、光モジュ
ールが実装されてなる。また、支持部材５２そのもの
が、外部端子６０を有さない回路基板６２そのものであ
ってもよい。
【００６０】（その他の実施の形態）図９は、本発明の
実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図
９に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０
ａと、これが取り付けられた支持部材７０とを有する。
支持部材７０には、穴７２が形成されており、透明基板
３２の少なくとも一部が穴７２の内側に位置している。
また、穴７２には、レンズホルダ７４が取り付けられて
いる。レンズホルダ７４にも穴７６が形成され、その内
側にレンズ７８が取り付けられている。穴７６，７２は
連通しており、レンズ７８にて集光した光が透明基板３
２に入射する。なお、透明基板３２は、赤外線の領域の
光をカットするものであってもよい。光素子５０ａの電
極２６と、支持部材７０の配線７９との接合には、接着
剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれ
を適用してもよい。また、光素子５０ａと支持部材７０
との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよ
い。
実施の形態に係る光モジュールを説明する図である。図
９に示す光モジュールは、図５（Ａ）に示す光素子５０
ａと、これが取り付けられた支持部材７０とを有する。
支持部材７０には、穴７２が形成されており、透明基板
３２の少なくとも一部が穴７２の内側に位置している。
また、穴７２には、レンズホルダ７４が取り付けられて
いる。レンズホルダ７４にも穴７６が形成され、その内
側にレンズ７８が取り付けられている。穴７６，７２は
連通しており、レンズ７８にて集光した光が透明基板３
２に入射する。なお、透明基板３２は、赤外線の領域の
光をカットするものであってもよい。光素子５０ａの電
極２６と、支持部材７０の配線７９との接合には、接着
剤、異方性導電材料、異方性導電膜、金属接合のいずれ
を適用してもよい。また、光素子５０ａと支持部材７０
との間に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよ
い。
【００６１】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モ
ジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュー
ルは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付
けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、
穴８２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一
部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、
レンズホルダ７４が取り付けられている（詳しくは上述
した）。
ジュールを説明する図である。図１０に示す光モジュー
ルは、図５（Ａ）に示す光素子５０ａと、これが取り付
けられた支持部材８０とを有する。支持部材８０には、
穴８２が形成されており、透明基板３２の少なくとも一
部が穴８２の内側に位置している。また、穴８２には、
レンズホルダ７４が取り付けられている（詳しくは上述
した）。
【００６２】図１０において、光素子５０ａは、フレキ
シブル基板８４に実装されており、その電極２６とフレ
キシブル基板８４に形成された配線パターン８６とが接
合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材
料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよ
い。また、光素子５０ａとフレキシブル基板８４との間
に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。フレ
キシブル基板８４にも穴８８が形成されている。穴７
６，８２，８８は連通しており、レンズ７８にて集光し
た光が光素子５０ａに入射する。
シブル基板８４に実装されており、その電極２６とフレ
キシブル基板８４に形成された配線パターン８６とが接
合されている。その接合には、接着剤、異方性導電材
料、異方性導電膜、金属接合のいずれを適用してもよ
い。また、光素子５０ａとフレキシブル基板８４との間
に、図示しないアンダーフィル材を設けてもよい。フレ
キシブル基板８４にも穴８８が形成されている。穴７
６，８２，８８は連通しており、レンズ７８にて集光し
た光が光素子５０ａに入射する。
【００６３】フレキシブル基板８４には、電子部品（例
えば半導体チップ）９０が実装（例えばフェースダウン
ボンディング）されている。電子部品９０と配線パター
ン８６とは電気的に接続されている。フレキシブル基板
８４が屈曲し、電子部品９０と光デバイス５０とが接着
剤９２を介して接着されている。なお、予め、光素子５
０ａと電子部品９０をそれぞれフレキシブル基板８４に
実装してから、フレキシブル基板８４を屈曲させて、光
素子５０ａと電子部品９０を接着してもよい。
えば半導体チップ）９０が実装（例えばフェースダウン
ボンディング）されている。電子部品９０と配線パター
ン８６とは電気的に接続されている。フレキシブル基板
８４が屈曲し、電子部品９０と光デバイス５０とが接着
剤９２を介して接着されている。なお、予め、光素子５
０ａと電子部品９０をそれぞれフレキシブル基板８４に
実装してから、フレキシブル基板８４を屈曲させて、光
素子５０ａと電子部品９０を接着してもよい。
【００６４】本発明の実施の形態に係る電子機器とし
て、図１１に示すノート型パーソナルコンピュータ１０
０は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１０を有す
る。また、図１２に示すデジタルカメラ２００は光モジ
ュールを有する。さらに、図１３（Ａ）及び図１３
（Ｂ）に示す携帯電話３００は、光モジュールが組み込
まれたカメラ３１０を有する。
て、図１１に示すノート型パーソナルコンピュータ１０
０は、光モジュールが組み込まれたカメラ１１０を有す
る。また、図１２に示すデジタルカメラ２００は光モジ
ュールを有する。さらに、図１３（Ａ）及び図１３
（Ｂ）に示す携帯電話３００は、光モジュールが組み込
まれたカメラ３１０を有する。
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る光デ
バイスの製造方法を説明する図である。
バイスの製造方法を説明する図である。
【図３】図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、本発明の第１の
実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図で
ある。
実施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図で
ある。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本発明の第１の実
施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
施の形態に係る光デバイスを説明する図である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、本発明の第２の実
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
【図７】図７（Ａ）〜図７（Ｂ）は、本発明の第３の実
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
施の形態に係る光デバイスの製造方法を説明する図であ
る。
【図８】図８は、本発明の第４の実施の形態に係る光モ
ジュール及び回路基板を説明する図である。
ジュール及び回路基板を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態に係る光モジュー
ルを示す図である。
ルを示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態に係る光モジ
ュールを示す図である。
ュールを示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態に係る電子機
器を示す図である。
器を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態に係る電子機
器を示す図である。
器を示す図である。
【図１３】図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）は、本発明の実
施の形態に係る電子機器を示す図である。
施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板
１４ 光学的部分
１６ エネルギー変換部（受光部）
２０ カラーフィルタ
２４ マイクロレンズアレイ
２６ 電極
２８ プレート
３０ 第２の基板
３２ 透明基板
３４ シート
３６ 接着層
３８ カッタ
４０ カッタ
５０ 光デバイス
５２ 支持部材
６２ 回路基板
７０ 支持部材
８０ 支持部材
Claims (23)
- 【請求項１】 （ａ）光学的部分が形成された光素子を
複数含む第１の基板に、光透過性の接着層を介して、透
明基板を含む第２の基板を貼り付けて、前記光学的部分
を封止し、 （ｂ）前記第１の基板を、個々の前記光素子に切断する
ことを含む光デバイスの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記（ａ）工程で、前記第２の基板として、複数の前記
透明基板が相互の位置を固定されたものを、前記第１の
基板に貼り付ける光デバイスの製造方法。 - 【請求項３】 請求項２記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記第２の基板は、シートに光透過性のプレートを貼り
付け、前記シートを切断しないように前記プレートを複
数の前記透明基板に切断することにより得られた基板で
あって、前記シートに貼り付けられた複数の前記透明基
板からなる基板である光デバイスの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１から請求項３のいずれかに記載
の光デバイスの製造方法において、 少なくとも前記透明基板に前記接着層を設けてから、前
記第２の基板を前記第１の基板に貼り付ける光デバイス
の製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記第１の基板の前記光素子は、前記光学的部分の外側
に電極が形成されてなり、 前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基板
の上方に前記透明基板を設ける光デバイスの製造方法。 - 【請求項６】 請求項１記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記（ａ）工程は、 （ａ1）前記第２の基板を前記第１の基板に貼り付け、 （ａ2）前記第２の基板を、前記光学的部分に対応して
複数の前記透明基板に切断することを含む光デバイスの
製造方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記第１の基板の前記光素子は、それぞれの前記光学的
部分の外側に電極が形成されてなり、 前記（ａ2）工程で、前記第２の基板における前記電極
の上方の部分を除去しながら前記第２の基板を切断する
光デバイスの製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記（ａ2）工程で前記第２の基板を切断するカッタの
幅は、前記（ｂ）工程で前記第１の基板を切断するカッ
タの幅よりも大きい光デバイスの製造方法。 - 【請求項９】 請求項１記載の光デバイスの製造方法に
おいて、 前記（ａ）工程は、 （ａ1）前記第１の基板に前記接着層を形成し、 （ａ2）複数の前記第２の基板を、個々の前記光素子の
前記光学的部分にそれぞれ対応させて接着することを含
む光デバイスの製造方法。 - 【請求項１０】 請求項９記載の光デバイスの製造方法
において、 前記第１の基板の前記光素子には、それぞれの前記光学
的部分の外側に電極が形成されてなり、 前記（ａ1）工程で、前記電極を避けて、前記第１の基
板の上方に前記第２の基板を設ける光デバイスの製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項１から請求項１０のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着層を
連続的に設けることを含む光デバイスの製造方法。 - 【請求項１２】 請求項５、請求項７又は請求項１０に
記載の光デバイスの製造方法において、 前記（ａ）工程で、複数の前記光素子上に前記接着層を
連続的に設け、 前記（ａ）工程後に、前記接着層のうち、少なくとも前
記電極の上に位置する部分を除去することにより、前記
電極を露出させることを含む光デバイスの製造方法。 - 【請求項１３】 請求項５、請求項７又は請求項１０に
記載の光デバイスの製造方法において、 前記（ａ）工程で、前記電極を避けて、個々の前記光素
子上に前記接着層を設ける光デバイスの製造方法。 - 【請求項１４】 請求項１から請求項１３のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記透明基板は、少なくとも可視光を通過させ、赤外線
を通過させない光デバイスの製造方法。 - 【請求項１５】 請求項１から請求項１４のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 前記第１の基板は、半導体ウエハである光デバイスの製
造方法。 - 【請求項１６】 請求項１から請求項１５のいずれかに
記載の光デバイスの製造方法において、 それぞれの前記光学的部分は、画像センシング用に並べ
られた複数の受光部を有してなる光デバイスの製造方
法。 - 【請求項１７】 請求項１６記載の光デバイスの製造方
法において、 それぞれの前記光学的部分は、前記受光部の上方に設け
られたカラーフィルタを有してなる光デバイスの製造方
法。 - 【請求項１８】 請求項１６又は請求項１７記載の光デ
バイスの製造方法において、 それぞれの前記光学的部分は、前記第１の基板の表面に
設けられたマイクロレンズアレイを有してなる光デバイ
スの製造方法。 - 【請求項１９】 請求項１８記載の光デバイスの製造方
法において、 前記接着層の材料として、光の絶対屈折率が、前記マイ
クロレンズアレイとは異なる材料を使用する光デバイス
の製造方法。 - 【請求項２０】 請求項１から請求項１９のいずれかに
記載の方法によって製造されてなる光デバイス。 - 【請求項２１】 請求項２０記載の光デバイスと、 前記光デバイスが取り付けられる支持部材と、 を有する光モジュール。
- 【請求項２２】 請求項２１記載の光モジュールが実装
されてなる回路基板。 - 【請求項２３】 請求項２１記載の光モジュールを有す
る電子機器。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
| US10/306,789 US7083999B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-11-27 | Optical device, method of manufacturing the same, optical module, circuit board and electronic instrument |
| CNB021583536A CN1193415C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | 光器件及其制造方法 |
| CNB2005100044918A CN1329952C (zh) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | 光器件制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197885A true JP2003197885A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3675402B2 JP3675402B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=19189155
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001397053A Expired - Fee Related JP3675402B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7083999B2 (ja) |
| JP (1) | JP3675402B2 (ja) |
| CN (2) | CN1193415C (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006100762A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| US7037747B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical device |
| JP2007088291A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置の切断方法 |
| JP2007173483A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール |
| JP2007242692A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学装置および光学装置の製造方法 |
| US7494292B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure |
| JP2010135821A (ja) * | 2010-01-21 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
| US7939361B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-05-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
| US8017418B2 (en) | 2005-08-03 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003198897A (ja) | 2001-12-27 | 2003-07-11 | Seiko Epson Corp | 光モジュール、回路基板及び電子機器 |
| EP1369929B1 (en) * | 2002-05-27 | 2016-08-03 | STMicroelectronics Srl | A process for manufacturing encapsulated optical sensors, and an encapsulated optical sensor manufactured using this process |
| US6982470B2 (en) * | 2002-11-27 | 2006-01-03 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, cover for semiconductor device, and electronic equipment |
| US20040161871A1 (en) * | 2002-11-27 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment |
| JP2004296453A (ja) * | 2003-02-06 | 2004-10-21 | Sharp Corp | 固体撮像装置、半導体ウエハ、光学装置用モジュール、固体撮像装置の製造方法及び光学装置用モジュールの製造方法 |
| JP2005026314A (ja) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
| US6995462B2 (en) * | 2003-09-17 | 2006-02-07 | Micron Technology, Inc. | Image sensor packages |
| US7488117B2 (en) * | 2004-03-05 | 2009-02-10 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Large tolerance fiber optic transmitter and receiver |
| US7492023B2 (en) * | 2004-03-26 | 2009-02-17 | Fujifilm Corporation | Solid state imaging device |
| JP2007188909A (ja) * | 2005-12-14 | 2007-07-26 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US20080118241A1 (en) * | 2006-11-16 | 2008-05-22 | Tekolste Robert | Control of stray light in camera systems employing an optics stack and associated methods |
| US7528420B2 (en) * | 2007-05-23 | 2009-05-05 | Visera Technologies Company Limited | Image sensing devices and methods for fabricating the same |
| US7911018B2 (en) * | 2007-10-30 | 2011-03-22 | Panasonic Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
| JP2009176894A (ja) * | 2008-01-23 | 2009-08-06 | Panasonic Corp | 光学半導体装置 |
| US9118825B2 (en) * | 2008-02-22 | 2015-08-25 | Nan Chang O-Film Optoelectronics Technology Ltd. | Attachment of wafer level optics |
| JP2010016173A (ja) * | 2008-07-03 | 2010-01-21 | Panasonic Corp | 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置 |
| US7781854B2 (en) * | 2008-07-31 | 2010-08-24 | Unimicron Technology Corp. | Image sensor chip package structure and method thereof |
| US8610815B2 (en) * | 2009-01-12 | 2013-12-17 | Aptina Imaging Corporation | Imaging device having microlens array adhered to wafer-level lens |
| US9419032B2 (en) | 2009-08-14 | 2016-08-16 | Nanchang O-Film Optoelectronics Technology Ltd | Wafer level camera module with molded housing and method of manufacturing |
| TWI430415B (zh) * | 2009-12-01 | 2014-03-11 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
| TWI418002B (zh) | 2009-12-01 | 2013-12-01 | Xintec Inc | 晶片封裝體及其製造方法 |
| WO2011132327A1 (ja) * | 2010-04-22 | 2011-10-27 | 株式会社正興電機製作所 | 封止テープ、調光素子、調光構造体及び調光構造体の製造方法 |
| US11247422B2 (en) * | 2018-10-22 | 2022-02-15 | Facebook Technologies, Llc | Optical element fabrication with optical scanner feedback |
| CN109859618B (zh) * | 2019-01-21 | 2021-11-23 | 云谷（固安）科技有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09230322A (ja) | 1996-02-21 | 1997-09-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶光学素子およびその製造方法 |
| US6096155A (en) | 1996-09-27 | 2000-08-01 | Digital Optics Corporation | Method of dicing wafer level integrated multiple optical elements |
| US6307243B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-10-23 | Micron Technology, Inc. | Microlens array with improved fill factor |
| US6483030B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-11-19 | Amkor Technology, Inc. | Snap lid image sensor package |
| JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2001351997A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Canon Inc | 受光センサーの実装構造体およびその使用方法 |
| AUPR245601A0 (en) * | 2001-01-10 | 2001-02-01 | Silverbrook Research Pty Ltd | An apparatus (WSM09) |
| US6838299B2 (en) * | 2001-11-28 | 2005-01-04 | Intel Corporation | Forming defect prevention trenches in dicing streets |
-
2001
- 2001-12-27 JP JP2001397053A patent/JP3675402B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-11-27 US US10/306,789 patent/US7083999B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-27 CN CNB021583536A patent/CN1193415C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-12-27 CN CNB2005100044918A patent/CN1329952C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7037747B2 (en) | 2003-02-07 | 2006-05-02 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing optical device |
| US7494292B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-02-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Image sensor module structure comprising wire bonding package and method of manufacturing the image sensor module structure |
| JP2006100762A (ja) * | 2004-09-06 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像装置の製造方法 |
| US8017418B2 (en) | 2005-08-03 | 2011-09-13 | Panasonic Corporation | Semiconductor image sensor and method for fabricating the same |
| JP2007088291A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 固体撮像装置の切断方法 |
| US7659147B2 (en) | 2005-09-22 | 2010-02-09 | Fujifilm Corporation | Method for cutting solid-state image pickup device |
| KR101317983B1 (ko) * | 2005-09-22 | 2013-10-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 고체 촬상 장치를 절단하는 방법 |
| JP2007173483A (ja) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法、カメラモジュール |
| JP2007242692A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学装置および光学装置の製造方法 |
| US7939361B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-05-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
| JP2010135821A (ja) * | 2010-01-21 | 2010-06-17 | Panasonic Corp | 半導体撮像装置およびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1193415C (zh) | 2005-03-16 |
| CN1661772A (zh) | 2005-08-31 |
| US20030123779A1 (en) | 2003-07-03 |
| CN1329952C (zh) | 2007-08-01 |
| CN1430405A (zh) | 2003-07-16 |
| JP3675402B2 (ja) | 2005-07-27 |
| US7083999B2 (en) | 2006-08-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3675402B2 (ja) | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3881888B2 (ja) | 光デバイスの製造方法 | |
| KR100755165B1 (ko) | 반도체 장치, 광학 장치용 모듈 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| KR100791730B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP3880278B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US20040161871A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing the same, circuit substrate and electronic equipment | |
| KR100687069B1 (ko) | 보호판이 부착된 이미지 센서 칩과 그의 제조 방법 | |
| JP4542768B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| KR100643017B1 (ko) | 보호판이 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의제조 방법 | |
| JP4819152B2 (ja) | 光学素子ウエハ、光学素子ウエハモジュール、光学素子モジュール、光学素子モジュールの製造方法、電子素子ウエハモジュール、電子素子モジュールの製造方法、電子素子モジュールおよび電子情報機器 | |
| JP4510629B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JP4095300B2 (ja) | 光デバイス及びその製造方法、光モジュール、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4922342B2 (ja) | 電子デバイスパッケージ及びその製造方法 | |
| WO2007052796A1 (ja) | 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体 | |
| JP2011146486A (ja) | 光学デバイスおよびその製造方法ならびに電子機器 | |
| JP2002329850A (ja) | チップサイズパッケージおよびその製造方法 | |
| JP4450168B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置用カバー | |
| JP2004063782A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| KR100610497B1 (ko) | 이미지 센서 소자의 마이크로렌즈의 오염 방지 방법 및그를 이용한 이미지 센서 소자의 제조 방법 | |
| JP4407800B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| US7037747B2 (en) | Method of manufacturing optical device | |
| JP2003347529A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JP2006295481A (ja) | 半導体撮像装置およびその製造方法 | |
| CN111009542B (zh) | 一种封装方法及封装结构 | |
| JP5047077B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050111 |
|
| RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20050223 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050304 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050412 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050425 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100513 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110513 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120513 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130513 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140513 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |