KR100643017B1 - 보호판이 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼에 관한 것으로, 이미지 센서 모듈의 제조 환경에 존재하는 미세한 입자에 의해 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈가 오염되는 것을 차단하기 위해서, 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼와; 상기 웨이퍼의 활성면을 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 보호판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 제공한다. 본 발명은 또한 전술된 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 절단하여 보호판이 부착된 이미지 센서 칩 및 그의 제조 방법도 제공한다.
여기서 이미지 센서 칩과 보호판의 접착 수단으로 감광성 접착제를 사용함으로써, 웨이퍼 레벨에서 일반적인 사진 공정을 통하여 보호판에 감광성 접착 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 웨이퍼 레벨에서 보호판이 부착된 이미지 센서 칩을 일괄적으로 얻을 수 있는 장점도 있다.
이미지 센서, 촬상, 감광, 접착제, 웨이퍼 레벨

Description

보호판이 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의 제조 방법{Wafer and image sensor chip having protection plate, and method for manufacturing the image sensor chip}
도 1은 종래기술에 따른 이미지 센서 칩을 갖는 이미지 센서 모듈을 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 Ⅰ-Ⅰ선 단면도이다.
도 3 내지 도 13은 본 발명의 실시예에 따른 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들로서,
도 3은 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 개략적으로 보여주는 평면도이고,
도 4는 도 3의 이미지 센서 칩을 확대하여 보여주는 평면도이고,
도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ선 단면도이고,
도 6은 도 3의 이미지 센서 모듈용 웨이퍼에 대응되는 크기를 갖는 보호판을 보여주는 평면도이고,
도 7은 도 6의 이미지 센서 칩의 칩 패드에 대응되게 관통 구멍이 형성된 보호판을 확대하여 보여주는 평면도이고,
도 8은 도 7의 Ⅲ-Ⅲ선 단면도이고,
도 9는 보호판의 상부면에 감광성 접착층을 형성하는 단계를 보여주는 단면 도이고,
도 10은 감광성 접착층을 패터닝하여 접착 패턴을 형성하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 11은 웨이퍼 위에 보호판을 정렬하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 12는 열압착으로 웨이퍼 위에 보호판을 부착하는 단계를 보여주는 단면도이고,
도 13은 개별 이미지 센서 칩으로 분리하는 단계를 보여주는 단면도이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 개별 이미지 센서 칩을 이용한 이미지 센서 모듈을 보여주는 단면도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 설명 *
20 : 웨이퍼 21 : 실리콘 기판
22 : 이미지 센서 칩 23 : 활성면
24 : 칩 절단 영역 25 : 칩 패드
26 : 접착 영역 27 : 마이크로 렌즈
28, 38 : 정렬 마크 30 : 보호판
32 : 개별 보호판 34 : 보호판 절단 영역
35 : 감광성 접착층 36 : 감광성 접착 패턴
37 : 관통 구멍 41 : 제 1 광학기
42 : 제 2 광학기 50 : 열압착기
52 : 히터 54 : 압착기
60 : 절단 수단 70 : 이미지 센서 모듈
71 : 플랙서블 배선기판 76 : 본딩 와이어
77 : 렌즈 유니트 78 : 렌즈
본 발명은 이미지 센서 칩용 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 웨이퍼 레벨에서 감광성 접착 패턴을 매개로 투명한 보호판이 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈를 외부와 차단할 수 있도록 부착된 웨이퍼와 이미지 센서 칩, 그리고 그의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로 이미지 센서 모듈(image sensor module)은 고체 촬상 소자(CCD; Charge Coupled Device) 또는 씨모스 이미지 센서(CIS; CMOS Image Sensor)라고 불리는 것으로서, 광전 변환 소자와 전하 결합 소자를 사용하여 피사체를 촬상하여 전기적인 신호를 출력하는 장치를 말한다.
이러한 이미지 센서 모듈은 디지털 카메라, 디지털 캠코더, 이동통신 단말기, 멀티 미디어 퍼스널 컴퓨터, 감시 카메라 등에 응용되고 있으며, 그 수요 또한 기하급수적으로 증가하고 있는 추세이다.
이와 같은 이미지 센서 모듈(10)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 플랙서블 배선기판(1)의 일측 상부면에 이미지 센서 칩(2)이 실장된 구조를 갖는다. 그리고 플랙서블 배선기판(1)의 상부면에 실장된 이미지 센서 칩(2)을 포함하도록 플랙서블 배선기판(1)의 상부면에 렌즈 유니트(7)가 설치된다.
이때 이미지 센서 칩(2)은 활성면(3)의 가장자리 둘레에 칩 패드(4)가 형성되고, 칩 패드들(4)의 중심 영역에 촬상용 마이크로 렌즈(5; micro lens)가 형성되어 있다. 이미지 센서 칩의 칩 패드(4)와 플랙서블 배선기판(1)은 본딩 와이어(6)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 이미지 센서 칩(2)을 포함하도록 플랙서블 배선기판(1)의 상부면에 렌즈 유니트(7)를 설치할 때, 렌즈 유니트의 렌즈(8)가 마이크로 렌즈(5)를 향하도록 설치된다.
그런데 종래의 이미지 센서 모듈(10)은 렌즈 유니트(7)로 이미지 센서 칩(2)을 봉합할 때까지는 이미지 센서 칩의 활성면(3)이 외부 환경에 그대로 노출되기 때문에, 제조 공정 중 공기 중에 포함된 미세한 입자가 임의의 마이크로 렌즈(5)에 부착될 수 있다.
미세한 입자에 의해 오염된 특정의 마이크로 렌즈(5)는 렌즈로서의 역할을 제대로 수행하지 못하기 때문에, 최종적으로 제조된 이미지 센서 모듈이 불량 처리되어 수율 저하를 가져오게 된다.
전술된 바와 같이 미세한 입자에 의한 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈의 오염은 이미지 센서 모듈의 수율 저하로 연결되기 때문에, 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈의 오염을 막을 필요가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 웨이퍼 레벨에서 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈의 오염을 막을 수 있도록 하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼와; 상기 웨이퍼의 활성면을 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 보호판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 제공한다.
본 발명에 있어서, 감광성 접착 패턴으로 감광성 폴리머를 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서, 보호판은 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈보다는 위쪽에 부착될 수 있도록 소정의 두께로 감광성 접착 패턴이 형성된다.
본 발명에 있어서, 보호판에는 이미지 센서 칩의 칩 패드에 대응되게 관통 구멍이 형성되어 있다.
그리고 본 발명에 있어서, 보호판으로는 유리 또는 석영이 사용될 수 있다.
본 발명은 또한 전술된 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼를 절단하여 제공되는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩을 제공한다. 즉, 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 활성면과; 상기 마이크로 렌즈를 덮도록 상기 활성면에 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 투명한 보호판;을 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착 된 이미지 센서 칩을 제공한다.
본 발명은 또한 웨이퍼 레벨에서 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법을 제공한다. 즉, (a) 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계와; (b) 상기 웨이퍼의 활성면에 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 일면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 보호판을 상기 웨이퍼의 활성면에 부착하는 단계와; (c) 상기 칩 절단 영역을 따라서 상기 보호판이 부착된 웨이퍼를 절단하여 개별 보호판이 부착된 이미지 센서 칩으로 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 제조 방법에 있어서, (b) 단계는 보호판의 일면에 감광성 접착층을 형성하는 단계와, 감광성 접착층을 패터닝하여 감광성 접착 패턴을 형성하는 단계와, 보호판의 감광성 접착 패턴이 웨이퍼의 칩 패드와 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 정렬시킨 상태에서 보호판을 웨이퍼에 열압착하여 부착하는 단계를 포함한다.
그리고 본 발명에 따른 제조 방법에 (b1) 단계에서 감광성 접착층을 형성하는 방법으로 스프레이법, 스핀-온 디스펜싱법, 증착법 그리고 건식 필름 부착법으로 이루어진 그룹에서 선택할 수 있다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법에 따른 각 단계를 보여주는 도면들이다. 한편 도면을 통틀어 동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
본 발명의 실시예에 따른 제조 공정은 이미지 센서 칩용 웨이퍼와 보호판을 준비하는 단계로부터 출발한다.
먼저 도 3에 도시된 바와 같이, 실리콘 소재의 실리콘 기판(21)에는 이미지 센서 칩들(22)이 형성되고, 이웃하는 이미지 센서 칩들(22)은 칩 절단 영역(24; scribe line)에 의해 구분된다. 한편 이미지 센서 칩(22)을 이루는 집적회로가 본 발명을 이해하는데 반드시 필요한 것은 아니기 때문에, 집적회로는 본 명세서 및 도면에 개시하지 않았다.
이미지 센서 칩(22)은, 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 활성면(23)의 가장자리 영역에 다수개의 칩 패드(25)가 형성되고, 칩 패드들(25) 안쪽의 활성면 영역에 마이크로 렌즈(27)가 형성되어 있다. 이때 칩 패드(25)가 형성된 영역과 마이크로 렌즈(27)가 형성된 영역 사이에는 소정의 영역(26; 이하, 접착 영역)이 존재한다.
그리고 웨이퍼의 활성면(23)에는 정렬 마크(28)가 형성된다. 실시예에서는 정렬 마크(28)가 칩 절단 영역(24)이 교차하는 지점에 형성된 예를 개시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 이미지 센서 칩(22)이 형성되지 않는 웨이퍼(20)의 가장자리 부분에 정렬 마크를 형성하거나, 칩 절단 영역이 교차하는 지점 외측의 칩 절단 영역에 정렬 마크를 형성할 수도 있다. 정렬 마크(28)는 집적회로를 형성하는 과정에서 함께 형성할 수 있으며, 카메라와 같은 광학기가 명확하게 인식할 수 있는 형태로 형성하는 것이 바람직하다.
다음으로 도 6 내지 도 10에 도시된 바와 같이, 감광성 접착 패턴(36; photo-sensitive adhesive pattern)이 형성된 보호판(30)을 준비하는 단계가 진행된다.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 소정의 두께를 가지며 이미지 센서 모듈용 웨이퍼 형태의 투명한 보호판(30)이 제공된다. 이때 보호판(30)에는 이미지 센서 칩의 칩 패드에 대응되게 관통 구멍(37)이 형성되어 있다. 관통 구멍(37)의 크기는 와이어 본딩이 가능한 크기로 형성하는 것이 바람직하다. 그리고 보호판(30)으로는 유리 또는 석영과 같은 투명한 소재의 판이 사용될 수 있다. 한편 보호판(30)은 웨이퍼와 같이 영역이 구분된 것은 아니지만, 이미지 센서 칩에 부착될 개별 보호판(32)과, 개별 보호판(32)을 구분하며 칩 절단 영역에 대응되는 보호판 절단 영역(34)을 포함한다. 물론 관통 구멍(37)은 개별 보호판(32) 안쪽 영역에 형성된다.
다음으로 도 9에 도시된 바와 같이, 보호판(30)의 일면에 소정의 두께로 감광성 접착층(35)을 형성하는 단계가 진행된다. 감광성 접착층(35)은 스프레이(spray)법, 스핀-온 디스펜싱(spin-on despensing)법, 증착(vaporization)법 그리고 건식 필름(dry film) 부착법 등으로 보호판(30)의 일면에 형성할 수 있다.
즉 스프레이법은 감광성 접착제를 보호판(30)의 일면에 분사하여 소정 두께 의 감광성 접착층(35)을 형성하는 방법이고, 스핀-온 디스펜싱법은 감광성 접착제를 보호판(30) 일면의 중심 부분에 소정 양을 도포한 다음 보호판(30)을 회전시켜 보호판(30)의 일면에 소정 두께의 감광성 접착층(35)을 형성하는 방법이고, 증착법은 감광성 접착제를 보호판(30)의 일면에 소정의 두께로 증착하여 감광성 접착층(35)을 형성하는 방법이다. 그리고 건식 필름 부착법은 필름 형태의 감광성 접착 시트를 보호판(30)의 일면에 부착하여 감광성 접착층(35)을 형성하는 방법이다.
이때 감광성 접착층(35)을 형성할 때는 보호판(30)의 타면에 보호 필름을 부착한 다음 감광성 접착층(35)을 형성하는 공정을 진행한다. 그리고 감광성 접착층(35)을 형성한 이후에 보호 필름을 제거한다. 여기서 보호판(30) 타면에 보호 필름을 부착하는 이유는, 감광성 접착층(35)을 형성할 때 보호판(30)의 타면을 흡착하여 고정한 상태로 진행해야 하는데, 보호판(30)에 관통 구멍(37)이 형성되어 있기 때문에, 보호판(30)을 안정적으로 흡착할 수 없기 때문이다.
특히 감광성 접착층(35)은 보호판(30)이 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈보다는 적어도 위쪽에 부착될 수 있는 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
여기서 감광성 접착층(35)의 소재로는 사진 공정을 통하여 패터닝이 가능한 감광성 폴리머(photo-sensitive polymer)가 주로 사용된다.
그리고 도 10에 도시된 바와 같이, 감광성 접착층을 패터닝하여 감광성 접착 패턴(36)을 형성한다. 즉, 감광성 접착층에 대한 일반적인 사진 공정을 진행하여 감광성 접착 패턴(36)을 형성한다. 이때 감광성 접착 패턴(36)은 이미지 센서 칩의 접착 영역(도 5의 26)에 대응되는 감광성 접착층 부분을 제외한 나머지 부분을 사진 공정을 제거하여 형성한다. 그리고 감광성 접착 패턴(36)이 접착성을 유지할 수 있도록 감광성 접착 패턴(36)에 대한 경화 공정은 아직 진행하지 않는다. 한편 사진 공정은 일반적으로 널리 알려진 기술이기 때문에, 상세한 설명은 생략한다.
감광성 접착 패턴(36)을 형성할 때, 웨이퍼의 정렬 마크(도 4의 28)에 대응되는 위치에 감광성 접착층으로 이루어진 정렬 마크(38)도 형성한다. 물론 정렬 마크(38)는 보호판 절단 영역(34)이 교차하는 지점에 형성된다.
다음으로 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 보호판(30)을 웨이퍼 활성면(23)에 부착하는 단계가 진행된다. 도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 활성면(23) 위에 보호판(30)을 정렬하는 단계가 진행된다. 즉 웨이퍼 활성면(23)과 감광성 접착 패턴(36)이 형성된 일면이 마주볼 수 있도록 웨이퍼 활성면(23) 위에 보호판(30)을 위치시킨 상태에서, 이미지 센서 칩의 접착 영역(26)에 보호판의 감광성 접착 패턴(36)이 위치할 수 있도록 정렬한다. 이때 이미지 센서 칩의 칩 패드(25)는 각기 보호판의 관통 구멍(37) 아래에 위치한다.
정렬 방법으로는 웨이퍼 활성면(23)과 보호판(30)의 일면의 서로 대응되는 위치에 형성된 정렬 마크(28, 38)를 이용하여 정렬하는 방법이 사용될 수 있다. 이때 정렬 마크(28, 38)의 인식은 보호판(30) 상부에 설치된 제 1 광학기(41)와 제 2 광학기(42)에 의해 이루어진다. 즉 웨이퍼(20) 상부에 보호판(30)을 위치시킨 상태에서, 제 1 광학기(41)는 웨이퍼 활성면(23)에 형성된 정렬 마크(28)를 인지해 그 위치를 좌표화해 기억하고 그것을 제 2 광학기(42)에 전달한다. 제 2 광학기(42)는 고정된 좌표를 가진 상태에서 보호판(30)을 움직여 보호판의 정렬 마크(38) 를 인지함으로써, 웨이퍼(20)와 보호판(30)에 형성된 정렬 마크(28, 38)의 위치를 일치시킬 수 있다.
이와 같이 정렬 마크(28, 38)의 위치를 일치시킴으로써, 이미지 센서 칩의 접착 영역(26)에 보호판의 감광성 접착 패턴(36)이 위치할 수 있도록 정렬된다.
그리고 도 12에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 활성면(23)에 보호판(30)을 탑재시킨 상태에서 소정의 열과 압력으로 열압착시킴으로써 웨이퍼 활성면(23)에 보호판(30)을 부착할 수 있다. 이때 이미지 센서 칩의 접착 영역(26)에 보호판의 감광성 접착 패턴(36)이 열압착으로 부착된다. 이미지 센서 칩의 칩 패드(25)는 보호판의 관통 구멍(37)을 통하여 외부로 노출된다.
즉 보호판(30)이 탑재된 웨이퍼(20)를 열압착기(50)에 로딩한 다음 열압착 환경을 만들어 준다. 우선 웨이퍼(20)는 히터(52)의 상부면에 탑재된다. 다음으로 히터(52)가 웨이퍼(20)와 보호판(30)을 열압착 공정을 진행할 온도로 가열한 다음 압착기(54)는 하강하여 보호판(30)의 상부면에 밀착된다. 그 후 웨이퍼(20)와 보호판(30)을 소정의 시간 동안 압착기(54)가 압착하게 되면, 감광성 접착 패턴(36)이 완전히 경화되면서 웨이퍼(20)에 보호판(30)을 부착하게 된다. 그리고 열압착에 의해서 감광성 접착 패턴(36)에 대한 경화가 완료되면 압착기(54)는 상승하고, 보호판(30)이 부착된 웨이퍼(20)를 열압착기(50)에서 언로딩한다.
여기서 웨이퍼의 활성면(23)과 마주보는 보호판(30)의 일면은 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈(27)와는 이격되게 감광성 접착 패턴(36)을 매개로 웨이퍼(20) 위에 위치한다.
마지막으로 도 13에 도시된 바와 같이, 개별 이미지 센서 칩(22)으로 분리하는 단계가 진행된다. 즉, 절단 수단(60)으로 보호판이 부착된 웨이퍼의 칩 절단 영역을 따라서 절단함으로 개별 보호판(32)이 부착된 개별 이미지 센서 칩(22)을 얻을 수 있다.
따라서 전술된 바와 같은 공정으로 웨이퍼에 형성된 이미지 센서 칩(22)에 일괄적으로 개별 보호판(32)을 부착할 수 있기 때문에, 개별 보호판(32)이 부착된 이미지 센서 칩(22)을 대량으로 얻을 수 있다.
그리고 보호판의 관통 구멍(37)으로 이미지 센서 칩의 칩 패드(25)가 노출되기 때문에, 전술된 바와 같은 공정으로 얻어진 이미지 센서 칩(22)을 그대로 사용하여, 도 14에 도시된 바와 같은, 이미지 센서 모듈(70)을 구현할 수 있다.
도 14를 참조하면, 플랙서블 배선기판(71)의 일측 상부면에 보호판(32)을 갖는 이미 센서 칩(22)이 부착된다. 보호판의 관통 구멍(37)으로 노출된 이미지 센서 칩의 칩 패드(25)와 플랙서블 배선기판(71)은 본딩 와이어(76)에 의해 전기적으로 연결된다. 그리고 플랙서블 배선기판(71)의 상부면에 실장된 이미지 센서 칩(22)을 포함하도록 플랙서블 배선기판(71)의 상부면에 렌즈 유니트(77)가 설치된 구조를 갖는다. 여기서 이미지 센서 칩(22)을 포함하도록 플랙서블 배선기판(71)의 상부면에 렌즈 유니트(77)를 설치할 때, 렌즈 유니트의 렌즈(78)가 마이크로 렌즈(27)를 향하도록 설치된다.
따라서 웨이퍼 레벨에서 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈(27)를 개별 보호판(32)을 부착하여 외부환경과 차단함으로써, 이후에 진행되는 이미지 센서 모듈(70) 의 제조 환경에서 존재하는 미세한 입자에 의한 마이크로 렌즈(27)의 오염을 차단할 수 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
따라서, 본 발명의 구조를 따르면 웨이퍼 레벨에서 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈를 보호하는 투명한 보호판을 부착하여 외부환경과 차단함으로써, 이후에 진행되는 이미지 센서 모듈의 제조 환경에서 존재하는 미세한 입자에 의한 마이크로 렌즈의 오염을 차단할 수 있다.
그리고 이미지 센서 칩과 보호판의 접착 수단으로 감광성 접착제를 사용함으로써, 일반적인 사진 공정을 통하여 이미지 센서 칩의 칩 패드 영역과 마이크로 렌즈 사이의 영역에 정확하게 감광성 접착 패턴을 형성할 수 있기 때문에, 웨이퍼 레벨에서 보호판이 부착된 이미지 센서 칩을 일괄적으로 얻을 수 있는 장점도 있다.

Claims (19)

  1. 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼와;
    상기 웨이퍼의 활성면을 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 보호판;을 포함하며,
    상기 보호판에는 상기 이미지 센서 칩의 칩 패드들에 각각 대응되게 와이어 본딩용 관통 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 감광성 접착 패턴은 감광성 폴리머인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼.
  3. 제 2항에 있어서, 상기 보호판은 상기 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈보다는 위쪽에 부착될 수 있도록 소정의 두께로 상기 감광성 접착 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼.
  4. 삭제
  5. 제 1항에 있어서, 상기 보호판은 유리 또는 석영인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩용 웨이퍼.
  6. 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩과;
    상기 마이크로 렌즈를 덮도록 상기 활성면에 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성된 투명한 보호판;을 포함하며,
    상기 보호판에는 상기 이미지 센서 칩의 칩 패드들에 각각 대응되게 와이어 본딩용 관통 구멍이 형성된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 감광성 접착 패턴은 감광성 폴리머인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 보호판은 상기 마이크로 렌즈보다는 위쪽에 부착될 수 있도록 소정의 두께로 상기 감광성 접착 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩.
  9. 제 8항에 있어서, 상기 보호판은 상기 활성면을 덮는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩.
  10. 삭제
  11. 제 6항에 있어서, 상기 보호판은 유리 또는 석영인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩.
  12. (a) 활성면의 가장자리 둘레에 칩 패드가 형성되어 있고, 상기 칩 패드 안쪽의 영역에 마이크로 렌즈가 형성된 이미지 센서 칩들과, 상기 이미지 센서 칩들을 구분하는 칩 절단 영역이 형성된 웨이퍼를 준비하는 단계와;
    (b) 상기 웨이퍼의 활성면을 덮도록 부착되며, 상기 활성면과 마주보는 일면에 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 감광성 접착 패턴이 형성되고, 상기 칩 패드들에 각각 대응되게 와이어 본딩용 관통 구멍이 형성된 보호판을 상기 웨이퍼의 활성면에 부착하는 단계와;
    (c) 상기 칩 절단 영역을 따라서 상기 보호판이 부착된 웨이퍼를 절단하여 개별 보호판이 부착된 이미지 센서 칩으로 분리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  13. 제 12항에 있어서, 상기 (b) 단계는,
    (b1) 상기 보호판의 일면에 감광성 접착층을 형성하는 단계와;
    (b2) 상기 감광성 접착층을 패터닝하여 상기 감광성 접착 패턴을 형성하는 단계와;
    (b3) 상기 보호판의 감광성 접착 패턴이 상기 웨이퍼의 상기 칩 패드와 상기 마이크로 렌즈 사이의 영역에 대응되게 정렬시킨 상태에서 상기 보호판을 상기 웨이퍼에 열압착하여 부착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 (b1) 단계에서 상기 감광성 접착층을 형성하는 방법은 스프레이법, 스핀-온 디스펜싱법, 증착법 그리고 건식 필름 부착법으로 이루어진 그룹에서 선택된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 (b1) 단계에서 형성된 상기 감광성 접착층은 감광성 폴리머인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  16. 제 13항에 있어서, 상기 (b2) 단계에서 상기 감광성 접착 패턴은 상기 감광성 접착층을 사진 공정으로 패터닝하여 형성한 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  17. 제 13항에 있어서, 상기 (b3) 단계에서 상기 보호판은 상기 이미지 센서 칩의 마이크로 렌즈보다는 위쪽에 부착될 수 있도록 소정의 두께로 상기 감광성 접착 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
  18. 삭제
  19. 제 12항에 있어서, 상기 보호판은 유리 또는 석영인 것을 특징으로 하는 보호판이 부착된 이미지 센서 칩의 제조 방법.
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