JP2008512851A - ウエハー水準でカメラモジュールを製造する方法 - Google Patents

ウエハー水準でカメラモジュールを製造する方法 Download PDF

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Abstract

複数の光感知素子パッケージが提供される。パッケージは基板の単位基板部分上に形成され、夫々が少なくとも一つの光感知半導体台を含む。基板は所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、夫々の単位基板部分には前面表面とその対向側の背面表面が提供される。夫々の光感知半導体台は背面表面に衝突し、それを通過する光を収容するために一つの単位基板部分の前面表面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義する。また、複数のレンズハウジングが基板上に提供され、それらのレンズハウジングは、一つの前記単位基板の前記光感知半導体台と光学的に整列されて配置される少なくとも一つのレンズ要素を含む。複数の光パッケージは単位基板部分を互いに分離するように基板をダイシングすることで形成される。
【選択図】 図５

Description

本発明は大きくは光感知電子素子の電子パッケージングに係るものである。具体的に、本発明は携帯電話のような多様なアプリケーションに使うためのデジタルカメラモジュールの製造に関する。
光センサーを含むアプリケーションのための新規電子パッケージング技術が共同繋留中である米国特許出願１０/６９２、８１６、６０/５０７、１００、１０/８２９、２７３及び６０/５３６、５３６に開示されている。図１及び図２はそのような技術によって実現された特定の電子パッケージの概略断面図を例示的に示し、それに対する詳細な説明はそれらの共同繋留出願に含まれている。
図１に図示されたパッケージ１００は一般的なアプリケーションに適合する一方、図２ａ及び図２ｂに図示されたパッケージ２００は相変らずコンパクトサイズが主な関心事である携帯電話カメラモジュールアプリケーションに特に適合する。
図示された類型のパッケージにおいては、光センサー素子１１０、２１０は、図示された構成で上部表面の中央部に定義された所定の光感知領域１１２、２１２を定義する。所定の関心波長範囲内の光に対して十分な透過率を有する基板１２０、２２０が光センサー素子１１０、２１０とともに提供される。前記基板１２０、２２０は例えば、光センサー素子１１０、２１０が可視波長範囲内の光を感知しなければならない場合にガラス物質から形成される。電気接続ライン１２２、２２２及び一つ以上のパッシベーション層１２４、２２４が前記基板１２０、２２０の前面表面１２１、２２１（示したような構成では基板の下側表面）上に形成され、前記光センサー素子１１０、２１０と基板１２０、２２０との間ではフリップチップ接続１３０、２３０が通常的に行われる。また、光センサー素子１１０、２１０の側壁部分を保護してその周囲から延長される光感知領域１１２、２１２を密封するために密封構造１４０、２４０が提供される。通常的に、外部回路及び/または素子への接続のためのはんだくず(solder ball;１５０)（図１に図示されたパッケージの場合）及びパッド２５０（図２に図示されたパッケージの場合）、デカップリングキャパシタンス２６０などの素子が公知された適切な手段を利用して最終パッケージに提供される。
図１及び図２に図示された電子パッケージ構成において、その上に複数の単位基板１２０、２２０を形成するための十分な拡張領域を有する、実質的にウエハーまたは長方形パネル形態の基板が使われる。共通基板ウエハーまたはパネル上に単位パッケージのアレイを形成するように必要な製造及び組み立て工程が遂行されれば、単位パッケージ１００、２００を分離するために最終単位構造のダイシング（dicing）が行われる。
このような方式で複数の単位パッケージ１００、２００を同時に製造し得るが、多くのイメージ感知アプリケーションでダイシングは完全なモジュールを提供しない。例えば、図１及び図２に図示された夫々の分離されたユニットパッケージ１００、２００には、一つ以上のレンズ要素だけではなく、与えられた基板がＩＲ遮断フィルターコーティングを有さない場合にＩＲ遮断フィルターガラスを固定するためにそこに付着されたレンズハウジング（またはバレル（barrel））を追加的に装着しなければならない。これは、与えられたアプリケーションで実際使用のために夫々の分離された単位パッケージ１００、２００を準備させるための、夫々のパッケージに対する多くのダイシング後工程を必要とする。
従って、複数のレンズハウジングまたは実質的に完成された光感知モジュールに必要な他の要素がダイシングの前に基板に装着結合され得るようにする方案が必要である。同時に、ダイシングによる分離の前に基板上に形成された単位パッケージに対する費用効率的な工程の必要性がある。
効果的で、且つ効率的に製造された光感知素子パッケージを提供することが本発明の主な目的である。ダイシングによる後続分離のための共通基板上に実質的に完成された複数の光感知素子パッケージを提供することが本発明の他の目的である。
ダイシングによる分離の前に夫々の光素子ハウジングを有する実質的に完成された複数の光感知モジュールが形成された基板を提供することが本発明のまた他の目的である。
所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成された基板上に複数の単位基板部分を定義する本発明の方法及び組立体によって前記目的が達成される。単位基板部分はその対向側の前面及び背面表面を夫々含むように定義される。複数の光感知半導体台が基板に結合され、夫々の光感知半導体台は背面表面に衝突(impinge）し、この単位基板部分を通過する光を収容するために一つの単位基板部分の前面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義する。複数のレンズハウジングが複数の前記光感知素子パッケージを予め形成するために基板に結合される。夫々のレンズハウジングは少なくとも一つのレンズ要素を含み、一つの単位基板部分の後面の表面上に配置され、その夫々のレンズ要素は単位基板部分の前面表面上に配置された半導体台と光学的に整列されて配置される。基板はその後にダイシングされて単位基板部分を互いに分離することで、複数の光感知素子パッケージを形成する。
本発明によれば、ピック-アンド-プレース(pick-and-place)機械はダイシングされなかった共通基板を観察して特定の整列標識を識別さえすればよい。これは、例えば単位基板が基板上でx及びy軸方向に互いに同一の離隔距離に位置するように基板上に定義されるようにすべての単位基板の位置を決めるのに十分である。
ピック-アンド-プレース装備は、その後にすべてのレンズハウジングを個別的に定義されたそれらの単位基板上に不必要な中断なしに連続的に一つずつピック-アンド-プレースすることができる。それによってパッケージ-バイ-パッケージ方式で装着する場合に本質的に現われる工程及び機械の再開始、再配置、再調整およびその他のリセットの必要性がなくなる。結果的に、工程費用が顕著に減少し、工程に要求される時間、複雑さ及び努力も顕著に減少する。
図３及び図４に図示された夫々のパッケージ３００、４００において、光感知半導体ウエハーは通常的に複数の台とともに提供され、夫々の台は複数の接着パッドとともにウエハーの前面表面上に形成された集積回路を有する。ウエハーはその前面表面に下側の集積回路を保護するためのパターニングされたパッシベーション（patterned passivation）層が形成される。接着パッドにはパターニングされたパッシベーション層によって開口が提供される。夫々の最終光感知台３１０、４１０はその前面または光収容表面に少なくとも一つの光感知領域３１２、４１２を定義する。
ウエハーバンピング（bumping）は、ＩＢＭに譲渡された米国特許第３、２９２、２４０号"小型機能素子の製造方法（Method of Fabricating Micro-miniature Functional Components）"に反映されたようにその最初の紹介以来に広く使われて来た、公知された技術である。通常のウエハーバンピング工程はウエハー上に接着パッドに接続されるバンプパッドを作るための一つ以上のパターニングされた金属層を形成する段階を含む。フリップチップバンプパッドのために使われる冶金は、普通、アンダーバンプ冶金（ＵＢＭ;Under Bump Metallurgy）と呼ばれ、通常的に接着パッドへの良好な固定、バンプ物質に対する良好な拡散障壁などのような多様な機能を提供するために多層構造を使う。
多くのバンプ物質が本技術分野に知られている。これは、金、ニッケル、銅、及び主にスズ基盤合金であるはんだ合金を含む。ＵＢＭを蒸着するために多様な技術が本技術分野に知られている。適合した技術はスパッタリング、電気メッキ、無電解メッキなどを含む。また、バンプを形成するために多様な技術が本技術分野に知られている。電気メッキ技術は金または銅バンプを形成するのによく使われる一方、無電解蒸着技術はニッケルまたは銅バンプを形成するのによく使われる。半田合金バンプの場合、通常、電気メッキ技術または印刷技術のうち一つが利用される。
本発明によれば、光感知半導体ウエハーは、必須ではないが、好ましくは、実際に使われる具体的なフリップチップバンピング及び装着技術によって接着パッド上に形成されたＵＢＭパッドを含む。他には、本発明の光感知半導体ウエハーが、必要な場合、ＵＢＭパッド上に形成されたフリップチップバンプをさらに含むことができる。
普通、基板は別途に製造される。この基板は、好ましくは、初期に半導体ウエハーがその上に製造された複数の台を有するように形成されるものとほとんど同一方式でバッチ（batch）工程で複数の単位基板を形成する大きい領域を有するウエハーまたはパネル形態で配置される。基板物質は、好ましくは、意示したアプリケーションで要求される適当な位の透明度、機械的な強度及び化学的な安全性を有する。
図示された光感知アプリケーションにおいて、基板物質はその背面に衝突する光をその前面（front side）または前面の近くに配置された光感知素子に伝達するように、特定の波長または特定の波長範囲に対して実質的に透明である。適当な基板物質は、好ましくは、ガラス、水晶、サファイア、シリコーンなどを含むが、これに限ることなく、具体的な基板物質の実際選択はさまざまな要因のうちでも意示したアプリケーションにおける関心波長範囲による。例示的なアプリケーションは、例えば、 X 線、紫外線、可視光線、または赤外線スペクトラム内の波長で動作する光感知素子を採用することができる。
基板物質は必要な製造段階の間に加えられる温度及び極端的な処理に耐えるように十分な化学的な耐性及び機械的な安全性を有さなければならなく、最終素子に期待されるサービス寿命を支援するように期待される環境要因に対する十分な耐性も有さなければならない。可視光線波長範囲で動作する、好ましい光感知素子用基板物質は光学アプリケーションに採用されるもので、技術分野に知られた如何なる適当なガラス物質である。このようなガラス物質は適当な位の化学的な安全性及び温度安全性を有し、多くのソースから合理的な費用で容易に得ることのできる傾向がある。
意示したアプリケーションの要求事項によって、基板を、それを通過した光の伝達を向上させるために一つ以上の表面上に一つ以上の薄いフィルム層でコーティングすることができる。このようなコーティングは、関心スペクトラムの全体に対して光の反射損失を最小化する役目をする、光学技術分野の当業者に公知された、いわゆる無反射コーティング（ＡＲＣ;anti-reflection coating）類型のものであり得る。類似に、基板は特定の波長範囲でそれを通過した光の伝達を向上させるか、または減少させるために一つ以上の表面上に一つ以上の薄いフィルム層でコーティングすることができる。このようなコーティングも光学技術分野で公知された"光学フィルタリング"類型のものである。一例はチップ-オン-ボード（chip-on-board）携帯電話カメラモジュール用として赤外線（ＩＲ）遮断フィルター（cut filter）ガラスが使われるものとほとんど同一方式で使われる赤外線遮断フィルターコーティングである。
電気的な接続ラインを作るために、一つ以上のパターニングされた金属層３２２、４２２が基板３２００、４２００の前面表面３２１、４２１上に形成される。そして、それによって定義された接続ラインを保護するためにパターニングされた金属層３２２、４２２上に一つ以上のパターニングされたパッシベーション層３２４、４２４が形成される。このパターニングされたパッシベーション層３２４、４２４は基板側に接着パッドを作るための開口を有するように形成される。これらの接着パッドは光センサー３２０、４２０及び基板３２００、４２００の接続ライン、外部システム、そして存在するその他の素子の間に電気的な相互接続３３０、４３０が行われるようにする。
本発明によれば、接着パッド自体がフリップチップバンプを作るのに充分に適合していない場合、前記基板３２００、４２００は、必須ではないが、好ましくは、接着パッド上に形成されるＵＢＭパッドをさらに含むことができる。それらが充分に適合したのか可否は主に具体的な接着パッド物質及び使われるフリップチップ技術による。また、本発明によれば、必須ではないが、前記基板３２００、４２００はＵＢＭパッド上に形成されるフリップチップバンプをさらに含むことができる。
前記基板３２００、４２００上に定義された夫々の単位基板３２０、４２０上に好ましくは、公知された適当なフリップチップ組み立て工程を利用して少なくとも一つの光感知台が装着される。フリップチップ組み立て工程は使われるバンプ物質によって適当な多様なものが利用される。一番多く使われるフリップチップ装着工程によれば、フリップチップ接合ははんだバンプによって形成される。この工程によりはんだバンプされた台３１０、４１０が対応するはんだバンプパッドを有する単位基板３２０、４２０上に配置された後、フラックスの印加によってはんだ物質の固有融点まで加熱される。
他に知られた工程は如何なる適当な接着パッドに金バンプを接合するための熱-超音波（thermo-sonic）または熱-圧搾（thermo-compression）接合を含む。例えば、金、ニッケルまたは銅バンプを如何なる適当なバンプまたはパッドに接合するにおいて、等方性伝導性接着剤（Isotropic Conductive Adhesive;ＩＣＡ）、異方性伝導性接着剤(Anisotropic Conductive Adhesive;ＡＣＡ)または異方性伝導フィルム(Anisotropic Conductive Film;ＩＣＦ)を利用して熱-圧搾接合工程を活用することができる。
本発明によって形成された電子パッケージ３００、４００は具体的なフリップチップバンプ物質またはフリップチップ組み立て工程に限らない。そのような物質または工程の具体的な選択は意示したアプリケーションの具体的な要求事項による。
本発明の好ましい実施形態による電子パッケージは前記光感知半導体台３１０、４１０と単位基板３２０、４２０との間の間隙を充填する密封構造４４０を含み、前記光感知半導体台３１０、４１０の光感知領域３１２、４１２で閉空洞（closed cavity）を定義する。
図３及び図４に概略的に示すように、図１及び図２に示したようなパッケージ構造が複数に共通単位基板３２００、４２００上に形成される。 図示されたパッケージ構造３００、４００を形成するために、前の段落で説明した必須的な製造及び組み立て工程は図示した段階で既に完了した;しかし、バッチ（batch）製造された構造３００、４００を別個の単位パッケージに分離するためのダイシングはまだ行われていない。
本発明の一態様によれば、前記基板３２００、４２００はダイシングの前に、好ましくは、適当なピック-アンド-プレース装備を利用してテーブル上にフリップされて配置される。夫々の単位パッケージで希望光感知モジュールの完成のために必要な追加的な要素は、その後にダイシングされない基板３２００、４２００の背面に装着される。例えば、図５及び図６に図示されなかったカメラモジュールアプリケーションにおいて、複数のレンズハウジング組立体５００、６００は半導体パッケージ技術分野で公知された如何なる適当なピック-アンド-プレース動作を利用してダイシングされなかった基板３２００、４２００の背面３２３、４２３上に装着される。
通常的にこのような動作は一般的なパターン整列工程を含む。効果的に基板の長さを把握して与えられた単位基板のイメージ中央位置を決めるために整列標識を検出するために、この工程で与えられたピック-アンド-プレース装備上にパターン認識システム（Pattern Recognition System;ＰＲＳ）カメラが提供される。それによってこの装備はその後にレンズハウジング組立体５００を与えられた光センサー３１０、４１０のイメージ中央５０、６０と適切に整列されるように配置する。この一連のピック-アンド-プレース動作は夫々の単位基板３２０、４２０にレンズハウジング５００、６００が適切に提供されるまでに続く。
図示された例示的な実施形態の夫々のレンズハウジング５００、６００は、好ましくは、バレルタイプまたはその他の適当な構成方式で維持される少なくとも一つのレンズ要素５１０、６１０を含む組立体を構成する。与えられた前記単位基板３２０、４２０がＩＲ遮断フィルターコーディングされなかった場合、組立体は、例えば、図示されたように配置されたＩＲ遮断フィルター要素５１２、６１２をさらに含む。
好ましくは、夫々のレンズハウジング５００、６００は単位基板３２０、４２０に、それらの間に塗布された接着物質５２０、６２０によって付着される。エポキシ接着剤がこのアプリケーションに適当な物質の一例である。これらの接着物質はパターンを介して塗布され、それによってエポキシはレンズハウジング５００、６００が実際に接着のために単位基板３２０、４２０に接触する領域にのみ塗布されることが好ましい。単位基板のイメージ感知領域３１２、４１２に剰余エポキシ物質が侵透することを防止するように充分に気を付けなければならない。
このようなエポキシ接着物質を塗布する様々な方法が公知されている。前記基板３２００、４２００の全体領域の選択された部分にエポキシを塗布する適当なスクリーンまたはステンシル印刷工程だけではなく、適当なニードルディスフェンシング工程を採用することができる。前記エポキシが前記基板３２００、４２００の全体領域のうち選択された部分に一回で塗布されるようにする適当なスタンピング工程も採用することができる。
このエポキシスタンピング工程はある実施形態では夫々の単位基板３２０、４２０に連続的に採用することができる。すなわち、エポキシは前記基板３２００、４２００上に定義された夫々の単位基板３２０、４２０上にレンズハウジング５００、６００自体をスタンピング器具として利用して塗布される。このような工程の例示的なアプリケーションにおいて、前記基板３２００、４２００上に配置される夫々のレンズハウジング５００、６００はまず取り上げられて（picked up）、エポキシ接着物質の薄い層をその上に有するテーブルでデイッピング(dipping)される。エポキシ接着物質の層をその下部にデイッピングして得られたレンズハウジング５００、６００はその後に前記基板３２００、４２００の適当な部分に配置される。
エポキシ接着剤の厚さは限らないが、好ましくは、約５-１００マイクロメーターである。使われるエポキシ接着物質の特性によって後続硬化を必要とすることがある。そのような物質の一部は熱硬化可能である一方、他の物質は紫外線（ＵＶ）硬化可能である。スナップ硬化可能（snap-curable）物質のような一部の物質は硬化に非常に短い時間を要する一方、熱硬化可能物質のような一部の物質は硬化に相対的にもっと長い時間を要する。
本発明によれば、前記基板３２００、４２００にレンズハウジング５００、６００を適切に付着した後、ダイシング（またはソーイング（sawing））が行われる。この工程は大きい全体基板３２００、４２００によって定義された単位基板３２０、４２０をダイシングライン３０、４０に沿って分離して複数の実質的に完成されたモジュール、または素子パッケージ３００´、４００´を算出する。
従って、本発明によっていくつかの有利な効果が奏される。まず、単位基板３２０、４２０を分離した後、夫々の単位基板３２０、４２０上にレンズハウジング５００、６００を付着するが、付着するにおいて、ピック-アンド-プレースマシンがパッケージ中央（またはイメージ中央）を決めるために単位パッケージを観察しなければならなく、その後にレンズハウジング５００、６００をそのイメージ中央がパッケージのイメージ中央と整列されるようにパッケージ上にピックアップ及び配置する方法と比べて見よう。本発明によって行われる例示的な工程において、ピック-アンド-プレースマシンはダイシングされなかった共通基板３２００、４２００のみをよく観察して特定の整列標識のみを識別すれば良い。前記単位基板３２０、４２０が好ましくは、例えばｘ及びｙ方向に互いに同一間隔を置いて配置されるように前記基板３２００、４２００上に定義されるように、すべての単位基板３２０、４２０の位置を決めるのに十分である。
ピック-アンド-プレース装備はその後にすべてのレンズハウジング５００、６００を夫々の定義された単位基板３２０、４２０上に一つずつ連続的に、かつその間に不必要な中断なしにピックアンドプレースする。それによってパッケージ-バイ-パッケージ方式で装着する場合に本質的に現われる工程及び機械の再開始、再配置、再調整、その他のリセットの必要性がなくなる。結果的に、工程費用が顕著に減少し、工程に要求される時間、複雑さ及び努力も顕著に減少する。
本発明によって形成された特有のパッケージは、ＣＣＤまたはＣＭＯＳのような多様な類型の公知された技術で製造されたすべての種類の光センサーまたは光検出器に適用することができる。本発明は、キャムコーダ、デジタルスチールカメラ、ＰＣカメラ、移動電話カメラ、ＰＤＡ及びハンドヘルドカメラ、保安カメラ、おもちゃ、自動車装備、バイオメトリックスなどのように領域イメージセンサーが使われるどこにも適用することができる。また、本発明は、ファックス機、スキャナー、バーコードリーダー及びデジタルコピー機などに使われる線形アレイイメージセンサーに適用することができる。同様に、モーション検出器、光レベルセンサー、位置または追跡システムなどに使われる単一ダイオードまたは４-クワドラント（quadrant）ダイオードのような非イメージング（non-imaging）光センサーのパッケージングにも適用することができる。また、本発明は特定の所定領域でのみ密封を要する他の一般的な電子パッケージにも適用可能である。
以上、説明した内容を通じて当業者であれば本発明の技術事象を外れない範囲で変更が可能であり、本発明の技術的範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限るのではなく、特許請求範囲により定めるはずである。
共同繋留出願１０/６９２、８１６号に開示された発明の一実施形態によって形成された光感知電子パッケージを例示的に示す概略断面図である。 共同繋留出願１０/８９２、２７３号に開示された発明の一実施形態によって形成された光感知電子パッケージを例示的に示す概略断面図である。 図２ａに図示された光感知電子パッケージ実施形態の底面図である。 本発明の一実施形態による基板の夫々の単位基板部分上に形成された、図１に示したのと同一の複数の部分光感知素子パッケージを示す概略断面図である。 本発明の一実施形態による基板の夫々の単位基板部分上に形成された、図２及び２ａに示したのと同一の複数の部分光感知素子パッケージを示す概略断面図である。 図３に図示された基板の夫々の単位基板部分に本発明の一実施形態によって形成された複数のレンズハウジングを有する複数の光感知素子パッケージを示す概略断面図である。 図４に図示された基板の夫々の単位基板部分に本発明の一実施形態によって形成された複数のレンズハウジングを有する複数の光感知素子パッケージを示す概略断面図である。

Claims (20)

  1. 互いにダイシング（dicing）するために既に形成された光感知素子パッケージを複数有する組立体において、
    （ａ）所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成され、夫々前面表面及びその対向側の背面表面を有する複数の単位基板部分を定義する基板;
    （ｂ）前記基板に結合される複数の光感知半導体台であって、夫々が前記背面表面に衝突（impinge）して前記単位基板部分を通過する光を収容するために一つの前記単位基板部分の前記前面表面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義する光感知半導体台;及び
    （ｃ）一つの前記単位基板部分の前記背面表面に夫々結合された複数のレンズハウジングであって、夫々が前記単位基板部分の前記前面表面上に配置された前記半導体台と光学的に整列されて配置された少なくとも一つのレンズ要素を含むレンズハウジングを含むことを特徴とする組立体。
  2. 夫々の前記レンズハウジングは一つの前記単位基板部分の前記背面表面に固定されるように付着された（adhesively attached）ことを特徴とする請求項１に記載の組立体。
  3. 夫々の前記レンズハウジングは一つの前記単位基板部分の前記背面表面にエポキシ接着剤接合によって付着されたことを特徴とする請求項２に記載の組立体。
  4. 前記所定波長範囲は可視波長範囲を含むことを特徴とする請求項１に記載の組立体。
  5. 前記基板は可視波長範囲の光に対して実質的に透明なガラス物質から形成され、夫々の前記光感知半導体台は一つの前記単位基板部分の前記前面表面から間隙を置いて離隔されたことを特徴とする請求項４に記載の組立体。
  6. 前記単位基板部分の前面表面の一部と前記光感知領域との間に密封された空洞を定義するように、前記間隙の周囲から延長されて前記間隙を包むように前記単位基板部分と夫々の前記光感知半導体台との間に配置された密封構造をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の組立体。
  7. 夫々の前記単位基板部分は前記所定波長範囲内の光の透過率を変化させる光学コーティングを含むことを特徴とする請求項１に記載の組立体。
  8. 夫々の前記単位基板部分は前記前面表面上に形成された少なくとも一つのパターニングされた金属層、及び前記パターニングされた金属層上に形成されて複数の接着パッドを定義する複数の開口を有する一つ以上のパターニングされたパッシベーション層を含むことを特徴とする請求項３に記載の組立体。
  9. 夫々の前記光感知半導体台上には複数のフリップチップバンプによって前記基板に接続された複数の接着パッドが形成されたことを特徴とする請求項８に記載の組立体。
  10. 複数の光感知素子パッケージを製造する方法において、
    （ａ）所定波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成された基板を設定する段階;
    （ｂ）前記基板上に夫々前面表面及びその対向側の背面表面を有する複数の単位基板部分を定義する段階;
    （ｃ）夫々の光感知半導体台が前記背面表面に衝突（impinge）して前記単位基板部分を通過する光を収容するために一つの前記単位基板部分の前記前面表面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義する複数の前記光感知半導体台を前記基板に結合する段階;
    （ｄ）夫々が少なくとも一つのレンズ要素を含む複数のレンズハウジングを設定する段階;
    （ｅ）複数の前記光感知素子パッケージを予め形成するために前記基板に複数のレンズハウジングを結合する段階であって、夫々の前記レンズハウジングは一つの前記単位基板部分の前記背面表面上に配置され、夫々の前記レンズ要素は前記単位基板部分の前記前面表面上に配置された前記半導体台と光学的に整列されて配置されるようにする段階;及び
    （ｆ）前記複数の光感知素子パッケージを形成するために、前記各単位基板部分を互いに分離するように前記基板をダイシングする段階；を含むことを特徴とする方法。
  11. 前記段階（ｅ）は夫々の前記レンズハウジングを一つの前記単位基板部分の前記背面表面にエポキシ接合によって付着する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  12. 前記所定波長範囲は可視波長範囲を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  13. 前記基板は可視波長範囲の光に対して実質的に透明なガラス物質から形成されることを特徴とする請求項１２に記載の方法。
  14. 夫々の前記光感知半導体台は一つの前記単位基板部分の前記前面表面から間隙を置いて離隔され、
    前記単位基板部分の前面表面の一部と前記光感知領域との間に密封された空洞を定義するため、前記間隙の周囲から延長されて前記間隙を包むように前記単位基板部分と夫々の前記光感知半導体台との間に密封構造が形成されることを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  15. 前記段階（ｃ）の前に、前記所定波長範囲内の光の透過率を変化させるために夫々の前記単位基板部分上に光学コーティングを適用する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  16. 前記段階（ｃ）の前に、夫々の前記単位基板部分の前記前面表面上に少なくとも一つのパターニングされた金属層、及び複数の接着パッドを定義する複数の開口を有するように前記パターニングされた金属層上に少なくとも一つのパターニングされたパッシベーション層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  17. 前記段階（ｃ）は夫々の前記光感知半導体台上に形成された複数の接着パッドを複数のフリップチップバンプによって前記基板に接続する段階を含むことを特徴とする請求項１０に記載の方法。
  18. 複数の光感知素子パッケージを製造する方法において、
    （ａ）可視波長範囲内の光に対して実質的に透明な物質から形成された基板を設定する段階;
    （ｂ）前記基板上に夫々前面表面及びその対向側の背面表面を有する複数の単位基板部分を定義する段階;
    （ｃ）夫々の前記単位基板部分上に複数の接着パッドを定義する少なくとも一セットのパターニングされた金属及びパッシベーション層を形成する段階;
    （ｄ）夫々複数の接着パッドを有する複数の光感知台を設定する段階;
    （ｅ）前記単位基板部分上に前記光感知半導体台を夫々フリップチップ装着する段階であって、夫々の前記光感知半導体台の前記接着パッドは前記基板にフリップチップバンプによって接続され、夫々の前記光感知半導体台は前記背面表面に衝突して前記単位基板部分を通過する光を収容するために一つの前記単位基板部分の前記前面表面に対向する少なくとも一つの光感知領域を定義するようにする段階;
    （ｆ）夫々が少なくとも一つのレンズ要素を含む複数のレンズハウジングを設定する段階;
    （ｇ）前記単位基板部分の前記背面表面上に前記レンズハウジングを夫々装着する段階であって、夫々の前記レンズハウジングの前記レンズ要素は前記単位基板部分の前記前面表面上に配置された前記半導体台と光学的に整列されて配置されるようにする段階;及び
    （ｈ）前記光感知素子パッケージを形成するために前記各単位基板部分が互いに分離されるように前記基板をダイシングする段階；を含むことを特徴とする方法。
  19. 前記レンズハウジングはスクリーン印刷工程、ステンシル印刷工程、ニードルディスフェンシング（needle dispensing）工程、及びスタンピング工程から成る群から選択された一つの工程を利用して形成されたエポキシ接合物質によって前記基板に装着されることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
  20. 前記レンズハウジングは前記単位基板上に連続的に装着され、夫々の前記レンズハウジングは一つの前記単位基板部分上に配置されるために自動的に取り上げられて(picked)エポキシ接合物質にデイッピングされ、前記エポキシ接着物質は前記レンズハウジングを前記単位基板部分に接合するために硬化される物質であることを特徴とする請求項１８に記載の方法。
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