KR100906841B1 - 카메라모듈 및 그 제작 방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 claims description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 5
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
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- H—ELECTRICITY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1876—Particular processes or apparatus for batch treatment of the devices
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/51—Housings
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/50—Constructional details
- H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Studio Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (20)
- 중앙에 이미지센서가 구현되고 그 주변에 회로패턴이 형성되는 이미지센서 웨이퍼 유닛;상기 이미지센서 웨이퍼 유닛의 상부면에 접착되는 적외선필터 웨이퍼 유닛;상기 이미지센서와 연결되는 전기적 배선 패턴이 형성되며, 상기 이미지센서 웨이퍼 유닛의 하부면에 결합되는 베이스 기판;렌즈 어셈블리를 포함하며 상기 적외선필터 웨이퍼 유닛 상부면에 결합되는 홀더 웨이퍼 유닛을 포함하며,상기 이미지센서 웨이퍼 유닛은 외곽 지점에 와이어 본딩 패드가 확장되어 형성되며, 상기 이미지센서 웨이퍼 유닛과 베이스 기판은 V자 형태로 표면이 형성되어 상기 본딩 패드와의 전기 배선이 표면을 따라 형성됨을 특징으로 하는 카메라모듈.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판에는 솔더볼 패턴이 형성되며, 상기 와이어 본딩 패드와 상기 솔더볼 패턴 간에 전기적 배선이 이루어진 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 적외선필터 웨이퍼 유닛은 빛 투과율이 높은 접착제로 접착되는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 웨이퍼 형태로 된 다수의 카메라모듈이 각 유닛별로 절단되어 카메라모듈이 형성됨을 특징으로 하는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 카메라모듈은, 상기 베이스 기판 하부면에 형성되는 솔더볼을 더 포함하는 카메라모듈.
- 제6항에 있어서, 상기 카메라모듈이 단말기 본체에 솔더볼을 통해 표면실장(SMT)됨을 특징으로 하는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 홀더 웨이퍼 유닛은, 어두운 색상으로 구현되는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 적외선필터 웨이퍼 유닛은 이미지센서 웨이퍼 유닛과 동일한 크기를 갖는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 이미지센서 웨이퍼 유닛은, 이미지센서 영역과 해당 다이와 와이어 본딩 패드를 포함하는 카메라모듈.
- 제1항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 글래스, 세라믹 중 어느 하나의 재질로 됨을 특징으로 하는 카메라모듈.
- 이미지센서를 하나의 단위 유닛으로 하며, 다수개의 이미지센서 및 회로배선을 위한 와이어 본딩 패드가 각 웨이퍼 유닛별로 외곽 지점에 확장되어 형성된 이미지센서 웨이퍼를 제작하는 제1과정;상기 이미지센서 웨이퍼의 상부면에 적외선을 필터링하는 적외선필터 웨이퍼를 접착시킨 후 상기 이미지센서 웨이퍼만을 유닛별로 V자 형태로 표면을 커팅하는 제2과정;상기 이미지센서 웨이퍼의 하부면에 베이스 기판을 증착시키고, 상기 베이스 기판의 하부의 솔더볼 패턴에 솔더볼을 형성시킨 후, 상기 결합된 이미지센서 웨이퍼 및 베이스 기판을 유닛별로 V자 형태로 표면을 커팅하는 제3과정;상기 이미지센서의 와이어 본딩 패드와 솔더볼 패턴을 전기적 배선 연결시키는 제4과정;렌즈 어셈블리의 하우징인 홀더가 적어도 두 개 이상 형성된 홀더 웨이퍼를 상기 적외선필터 웨이퍼 상부면에 결합시키는 제5과정;상기 유닛별로 다이싱 절단하여 각각의 개별 카메라모듈로 분리하는 제6과정을 포함하는 카메라모듈 제작 방법.
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- 제12항에 있어서, 상기 적외선필터 웨이퍼는 상기 이미지센서 웨이퍼와 동일한 사이즈로 형성되는 카메라모듈 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 적외선필터는 빛 투과율이 높은 접착제로 상기 이미지센서 웨이퍼와 접착되는 카메라모듈 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 마스크를 씌워 증착시켜 상기 이미지센서와 배선 회로패턴이 형성된 카메라모듈 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 다이싱 절단된 카메라모듈이 단말기 본체에 솔더볼을 통해 표면실장(SMT)되는 카메라모듈 제작 방법.
- 제12항에 있어서, 상기 베이스 기판은, 글래스, 세라믹 중 어느 하나의 재질로 됨을 특징으로 하는 카메라모듈 제작 방법.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070098722A KR100906841B1 (ko) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 카메라모듈 및 그 제작 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070098722A KR100906841B1 (ko) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 카메라모듈 및 그 제작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090033611A KR20090033611A (ko) | 2009-04-06 |
KR100906841B1 true KR100906841B1 (ko) | 2009-07-08 |
Family
ID=40759824
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070098722A KR100906841B1 (ko) | 2007-10-01 | 2007-10-01 | 카메라모듈 및 그 제작 방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100906841B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101063167B1 (ko) | 2011-05-02 | 2011-09-07 | 주식회사 엠피에스 | 적외선 차단 필터 어태칭 장치 및 이를 이용한 어태칭 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140019535A (ko) * | 2012-08-06 | 2014-02-17 | 엘지이노텍 주식회사 | 카메라 모듈 및 그를 구비한 전자장치 |
KR102441834B1 (ko) | 2020-05-08 | 2022-09-08 | (주)에이피텍 | 방열 기능을 지닌 카메라 패키징 장치 |
KR102396489B1 (ko) | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 카메라 패키징 장치 |
KR102396490B1 (ko) | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 반도체 칩을 포함하는 카메라 패키징 장치 |
KR102521096B1 (ko) | 2020-05-08 | 2023-04-12 | (주)에이피텍 | 광각 촬영이 가능한 카메라 패키징 장치 |
KR102567061B1 (ko) | 2020-05-08 | 2023-08-16 | (주)에이피텍 | 와이어 본딩을 이용한 카메라 패키징 장치 |
KR102465230B1 (ko) | 2020-05-08 | 2022-11-09 | (주)에이피텍 | 하이브리드 커넥션 카메라 패키징 장치 |
KR102396492B1 (ko) | 2020-05-08 | 2022-05-10 | (주)에이피텍 | 박형 카메라 패키징 장치 |
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---|---|---|---|---|
JP2004229167A (ja) | 2003-01-27 | 2004-08-12 | Sanyo Electric Co Ltd | カメラモジュールの製造方法 |
KR20060049586A (ko) * | 2004-06-15 | 2006-05-19 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 고체 촬상 장치와 그 제조 방법, 및 카메라 모듈 |
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KR20070041572A (ko) * | 2004-09-02 | 2007-04-18 | 옵토팩 주식회사 | 웨이퍼 수준에서 카메라 모듈을 제조하는 방법 |
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KR20090033611A (ko) | 2009-04-06 |
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A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
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FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140609 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150605 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160607 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
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|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190612 Year of fee payment: 11 |