KR100819535B1 - 이동 전화 카메라 모듈에 있는 포토 이미지 센서 전자 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

이동 전화 카메라 모듈에 있는 포토 이미지 센서 전자 패키지 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

광검출 장치 패키지와 광검출 장치의 패키징 방법이 제공된다. 패키지는 투명 물질로 형성된 기판을 갖는 조립체 부분과 적어도 하나의 광검출 다이를 가진 검출부를 포함한다. 조립체 부분은 그 전면 영역에 대하여 기판에 배치된 적어도 하나 금속층, 및 상기 금속층 위에서 연장되기 위해 형성된 적어도 하나의 패시베이션 층으로 형성된다. 패시베이션 층은 금속층상의 제1 솔더 가용성 패드와 적어도 하나의 제2 솔더 가용성 패드에 대한 제1 및 제2 액세스 개구를 규정하기 위해 패턴화된다. 각각의 제1 패드가 검출부에 형성된 솔더 범프 패드에 제1 솔더 결합부에 의해 결합되고, 반면에 제2 패드는 외부 회로에 제2 솔더 결합부에 의해 결합된다.

Description

이동 전화 카메라 모듈에 있는 포토 이미지 센서 전자 패키지 및 그 제조방법{Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication method thereof}
본 발명은 반도체 집적 회로의 전자 패키징에 관한 것으로, 특히 광검출 반도체 장치의 전자 패키징에 개괄적으로 관련된다. 더 명확하게, 본 발명은 이동 전화 카메라 모듈과 같은 콤팩트한 응용예에 포토 이미지 센서의 전자 패키징에 관한 것이다.
도 1a와 도 1b는 이동 전화기에 종종 사용되는 전형적인 카메라 모듈 (1, 3)의 상면도와 저면도를 도시한다. 모듈 (3)이 더 작아질수록, 모듈의 내부 구성 요소를 더 분명히 나타내기 위해 렌즈 하우징은 제거된다. 광 센서 (3a)가 각각의 모듈의 중심에 제공되고, 다수의 디커플링 커패시터 (3b)가 그 주위에 배치된다.
그와 같은 이동 전화 카메라 모듈의 제조에 사용되는 널리 알려져 있는 기술은 현재 소위 칩-온-보드 (COB) 기술이며, 이 기술에 의하여 도 2의 개략적인 단면도에 도시된 모듈 구조가 구현된다. 명확성을 위해, 디커플링 커패시터와 같은 외부 장치들은 예시된 도면에는 생략되어 있다.
도면에 나타낸 바와 같이, COB 형식의 모듈은 포토 이미지 센서 (5); 에폭시 를 이용하여 포토 이미지 센서 (5)가 부착된 인쇄 회로 기판 (PCB )(7); 및 포토 이미지 센서 (5)와 PCB (7) 사이의 상호연결을 위한 금 배선 도체를 포함한다. 모듈은 또한 전형적인 응용예로 PCB와 연결된 디커플링 커패시터와 같은 다수의 수동 소자를 포함하는데, 이는 명확성을 유지하기 위해 도면에 나타내어지지 않았다. 모듈은 더욱이 조립된 PCB (7) 위에서 연장되는 몰딩된 하우징 (또는 배럴) (11)을 포함한다. 이 하우징 (7) 내에 적절한 광학 렌즈 (13)와 적외선 (IR) 단면 필터유리 부재 (15)가 배치된다.
전기적 상호 접속 라인이 배치된 플렉서블 필름 부재 (17)는 PCB에 부착된다. 이 플렉서블 필름 부재 (17)는 전기 접속의 파손부 없이 다양한 카메라 모듈 위치와 배향(오리엔테이션)을 허용한다. 도면에 나타낸 바와 같이, 이 플렉서블 필름 부재 (17)의 일단은 그것이 부착된 PCB (7)로의 전기 접속을 만들고, 그 타단은 예를 들어, 커넥터 (19)를 통하여 제어기로의 접속을 위해 연장된다. 일반적으로, 네 개의 다른 금속층이 필요한 전기적 상호 접속을 이루기 위해 PCB (7)에 사용된다. 하나 또는 두 개의 분리된 금속층은 한 층은 신호 라인을 위하여, 그리고 필요하다면, 하부의 접지 면을 위한 추가적인 층으로 플렉서블 필름 부재 (17)에 일반적으로 사용된다.
카메라 모듈 응용예에서 COB 기술의 대중적인 인기 비결의 한 이유는 그것이 소형 사이즈라는데 있다. 소형 사이즈는 그와 같은 핸드 헬드 어플리케이션에 가장 중요한 요구 사항이다. 소형 사이즈가 중요하게 고려되지 않는 다른 응용예에서, 패키지된 포토 이미지 센서가 일반적으로 선호되고 있는데, 그 패키지된 포토 이미지 센서들은 잘 알려져 있는 표면 실장 기술 (SMT)을 이용함으로써 광센서를 더 잘 보호하고, PCB에 더 쉽게 조립할 수 있기 때문이다. 패키지된 포토 이미지 센서 유형은 세라믹 리드리스 칩 캐리어 (CLCC), 상기 CLCC의 에폭시 적층기판 (여기서, 세라믹 기판이 플라스틱 볼 그리드 어레이 (PBGA) 패키지에 이용된 것과 매우 유사한 덜 비싼 에폭시 적층 기판으로 교체된다), 및 플라스틱 리드리스 칩 캐리어 (PLCC) - CLCC의 또 다른 덜 비싼 변형예-를 포함한다. 불행하게도, 이러한 패키지된 광 센서 이미지 타입의 어떤 것도 실제상으로, 결과적인 모듈의 지나친 사이즈 때문에 이동 전화 카메라 모듈 응용을 위한 실용적인 대안이 아니다.
도 3은 전형적인 CLCC 광검출 장치의 개략적인 단면도를 나타낸다. 도시된 바와 같이, 광검출 반도체 다이가 유리 뚜껑(6)으로 덮여 있는 가장자리의 내부에 에폭시 등을 사용하여 세라믹 기판(4) 상에서 표면이 위쪽으로 향하도록 실장된다. 일반적으로, 와이어 본딩(8)은 광 검출용 다이(2)를 세라믹 기판(4)에 연결하기 위해 사용된다. 솔더 가용성 패드(10)는 세라믹 기판(4)의 바닥에 구비되어 상기 패키지를 회로 기판에 연결시킨다. 다른 기술은 COB 기술로 실현할 수 있는 것보다 훨씬 더 소형 사이즈로 추구되는 응용예로 알려져 있다. 그러한 다른 기술중의 하나는 칩 스케일 (또는 사이즈) 패키지 (CSP) 기술이다. 이 CSP 기술은 그 전체적인 패키지의 크기가 전형적인 칩 크기와 비교될 수 있는(동일하거나 약간 큰) 패키지된 장치를 얻으므로, 조립을 완성한 후의 결과적인 모듈의 사이즈가 COB 모듈의 사이즈와 비교될 수 있고, 또는 훨씬 작다.
광 검출용 반도체 장치에 대한 하나의 공지된 CSP 패키징 방법이 쉘케이스 사(Shellcase Inc.)에 의해 제공되어 있다. 그 상세한 기술은 미국 특허번호 제5,716,759호, 제6,040,235호 및 제6,117,707호에 기재되어 있다. 도 4는 그러한 기술에 따라 형성된 패키지의 개략적인 단면을 나타내고 있다. 도 4에서 패턴화된 금속층은 광 검출용 반도체 웨이퍼에 적용되어 본딩 패드를 인접 다이 사이에서 좁은 폭을 갖는 절단 영역(dicing area)으로 연장시키고 있다. 광 검출용 웨이퍼는 에폭시를 이용하여 유리 기판에 도포된다. 그 다음, 웨이퍼를 얇게 만들기 위하여 웨이퍼의 뒷면은 연마된다. 다음으로, 절단 영역의 실리콘은 제거되어 금속 배선을 노출시킨다. 제조 과정을 완성하기 위해서는 더 많은 공정 단계들이 필요하지만, 본 발명의 명료한 이해를 위해서 필요하지 않으므로 구체적인 설명은 생략된다.
CLCC 패키지와 비교할 때 상기 패키지의 이점은 더 작은 크기를 갖는다는 것이다. 그럼에도, 상기 패키지에는 또한 많은 단점들이 있다. 아마, 상기 패키지의 가장 치명적인 단점은 구성 및 제조 공정에 있어서 복잡하다는 것이다. 이러한 복잡함은 생산 수율 손실을 증가시키는 경향이 있으므로 대량 생산에서는 중요한 요소이다. 이러한 복잡성과 그에 수반하는 수율 손실의 결과로, 상기 패키지는 제조하기에는 값비싸다.
상기 기술의 다른 큰 단점은 넓은 절단 라인을 필요로 한다는 점인데, 이것은 웨이퍼 당 더 많은 다이를 획득하기 위하여 절단 라인의 폭을 감소시키는 반도체 제조 분야의 기술 경향에 역행한다. 현재의 일반적인 절단 라인 폭인 약 100 마이크로미터는 상기 기술을 지원하기 위해서는 충분히 넓지 않다. 결과적으로, 상기 패키지 기술은 표준적인 절단 라인 폭을 갖는 반도체 웨이퍼와 양립될 수 없 으며, 일반적인 절단 라인 폭보다 더 넓도록 보증하기 위하여 별도로 주문을 하는 조치를 필요로 한다.
도 5는 동시 계속 미국 특허 모출원 일련 번호 10/692,816에 기술된 전자 패키지의 일 실시예의 개략적인 단면도를 설명한다. 도시된 바, 전자 패키지 (401)가 인쇄 회로 기판 (PCB) (402) 위에 조립된다. 패키지 (401)는 (기판 (404)에 대향시키는 것처럼 배치된) 포토 이미지 센서 다이 (406) 위에서 연장된 투명 기판 (404)을 포함한다. 광 L은 기판 (404)을 통하여 포토 이미지 센서 다이 (406)에 도달한다.
일련의 솔더 결합부(408)는 전기적 상호 접속을 형성하기 위하여 포토 이미지 센서 다이 (406)와 기판 (404) 사이에 이용된다. 더 큰 솔더 결합부(420)의 전자 패키지 (401)와 PCB (402) 사이에 전기적 상호 접속을 만들기 위하여 포토 이미지 센서 다이 (406)의 외부 및 그 주위에 사용된다.
이 유일한 전자 패키징 접근법은 다른 패키징 기술을 능가하는 다수의 장점을 제공한다. 그 결과 패키지 크기는 사이즈를 축소하거나 및/또는 더 큰 솔더 결합부(420)의 적어도 일부를 제거함으로써 훨씬 더 최소화될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 이동 전화 카메라와 같이 핸드 헬드 어플리케이션을 수용하기 위한 광검출 장치용으로 대단히 최소화된 패키지 크기를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 광검출 장치를 위한 더 저렴한 패키지를 제공하는 것이다.
발명을 간략하게 기술하고 그 바람직한 실시예에 따라, 본 발명은 광검출 반도체 장치의 전자 패키지의 구조와 그 제조 및 조립 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 다수의 검출부가 다수의 검출 다이를 형성하기 위해 분리된 반도체 웨이퍼에 형성된다. 다수의 솔더 범프 패드는 그 위에 솔더 결합부의 후속 형성을 도모하기 위해 광검출 반도체 웨이퍼에 제공된다. 바람직하게는, 그 관점에서 종래 기술로 알려진 하부 범프 야금 (UBM) 기술이 예를 들면 사용될 수 있다.
기판은 개별적으로 제조된다. 이 기판은 예를 들면 원형 웨이퍼 또는 직사각형 패널로서 형성될 수 있다. 이 기판은 다수의 다이를 가지는 반도체 웨이퍼와 매우 동일한 방법으로 그 위에 다수의 단위 기판을 정의했다. 각각의 단위 기판은 제조와 조립이 완료된 후 검출부와 함께 전자 패키지를 형성하는 하나의 조립부이다. 기판을 위한 소재는 바람직하게는 광검출 장치가 응답하는 광의 파장에서 투명하다. 그와 같은 소재의 일 예는 스펙트럼의 가시부에 광검출 장치를 위한 충분한 투명도를 갖는 적절한 유리재이다.
이 기판의 제조는 반도체 제조 기술에 정통한 사람에게 알려진 어떠한 적당한 기법을 이용하여, 증착과 패턴화에 의해 솔더 가용성 패드와 그 사이의 상호 접속 라인을 만들기 위한 적어도 하나의 패턴형 금속층을 형성하는 것을 포함한다. 이러한 솔더 가용성 패드는 적어도 세 개의 세트로 그룹화된다. 제1 세트에 있는 솔더 가용성 패드는 상대적으로 더 작고 그 광검출 다이에 상호접속을 만들기 위한 광검출 다이의 솔더 범프 패드에 일치한다. 제2 세트에 있는 솔더 가용성 패드는 상대적으로 더 크고 플렉서블 필름 부재와 같은 외부 회로에 결과물인 패키지 자체의 상호접속을 만드는 것에 사용된다. 제3 세트에 있는 솔더 가용성 패드는 디커플링 커패시터 등과 같은 광검출 다이와는 다른 성분을 위한 패키지내 상호접속을 만드는데 사용된다.
또한, 기판이 이렇게 형성된 상호 접속 라인을 보호하기 위한 패턴형 금속층 위의 적어도 하나 패턴화된 패시베이션 층(passivation layer)을 포함한다. 이 패턴화된 패시베이션 층은 솔더 가용성 패드에 개구를 가진다.
솔더 범프 (또는 캡)는 기판의 모든 솔더 가용성 패드에 형성된다. 이 프로세스는 일반적으로 솔더 가용성 패드 위에 있는 솔더 재료의 도포 그리고 기판의 가용성 패드상에 용융 및 가용을 초래하기 위한 솔더 물질의 특성 리플로우 온도까지 기판과 광검출 반도체 웨이퍼를 가열시키는 것을 포함한다.
입방체 광검출 다이가 UBM 패드를 가지며, 반도체 제조 기술에 정통한 사람에게 알려진 기술, 바람직하게는, 적당한 플립칩 실장 기술을 이용하여 기판위에 탑재된다. 프로세스는 각각의 단위 기판이 그 위에 위치된 모든 필요한 광검출 다이를 가질 때까지 기판의 미리 결정된 위치위에 각각의 광검출 다이의 일련의 픽-플립-플레이스(pick-and-flip-and-place) 과정을 포함한다. 이 픽-플립-플레이스(pick-and-flip-and-place) 프로세스는 솔더 영역 위에 일반적으로 플럭스를 도포하는 것을 포함한다. 필요하다면, 수동적이거나 또는 다른 2차 부품들이 플립칩 마운팅 전후에 기판의 미리 결정된 위치에 탑재된다. 기판이 기판과 광검출 다이 사이, 및 기판과 상기 수동 소자들 사이에 상호접속이 이루어지도록 솔더재료의 특성 리플로우 온도까지 가열된다.
대형 기판의 절단은 단위 기판을 분리시키기 위해 뒤따른다. 각각의 기판 유닛은 트레이 또는 테이프와 릴과 같은 바람직한 팩킹 매체 안으로 픽-플레이스(안착)(picked-and-placed)시킬 수 있다.
일반적으로 결과의 전자 패키지를 통합시킨 모듈의 조립체는 2개의 메인 프로세스를 포함한다. 하나의 메인 프로세스는 COB 카메라 모듈을 가지고서, 기판에 하우징을 부착하는 것이고, 다른 메인 프로세스는 플렉서블 필름 부재와 같은 전자 패키지와 외부 회로 소자 사이에 요구된 전기적 상호 접속을 만드는 것이다.
모듈은 무엇보다도 모듈의 포토 이미지 센서 다이의 외부 및 주위에서 솔더 결합부의 적어도 일부를 제거함으로써 칩 스케일 레벨의 크기로 최소화된다. 결과적인 전자 모듈은 COB 모듈에 필요한 PCB를 위한 필요성을 제거함으로써 더 낮은 비용 해법을 제공할 수 있다.
도 1a는 종래 기술로 알려진 전형적이고 카메라 모듈의 일련의 상부 평면도이다.
도 1b는 도 1a에 도시된 카메라 모듈의 일련의 저면도이다.
도 2는 종래 기술로 알려진 칩-온-보드 유형 카메라 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 3은 종래 기술로 알려진 전형적인 CLCC 광검출 장치의 개략적인 단면도이 다.
도 4는 종래 기술로 알려진 유형의 다른 광검출 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 미국 동시 계류 중인 특허 출원 번호 10/692,816 에 기술된 발명에 따라 형성된 예시적인 광검출 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6a는 처리 전에 본 발명의 구체적인 일 실시예의 자르지 않은 광검출 반도체 웨이퍼의 개략적인 단면도이다.
도 6b는 패턴형 금속층이 적용된 후, 본 발명의 구체적인 일 실시예의 자르지 않은 광검출 반도체 웨이퍼의 개략적인 단면도이다.
도 6c는 솔더 범핑 후에, 본 발명의 구체적인 일 실시예의 자르지 않은 광검출 반도체 웨이퍼의 개략적인 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 구체적인 일 실시예의 제조시 어느 한 스테이지에서 절단된 단위 기판의 개략적인 단면도이다.
도 7b는 다중 금속층을 이용하면서, 본 발명의 대안적인 구체적인 일 실시예의 제조시 어느 한 스테이지에서 절단된 단위 기판의 개략적인 단면도이다.
도 8은 본 발명의 구체적인 일 실시예의 제조시 어느 한 스테이지에서 자르지 않은 기판을 도시한 일련의 개략적인 단면도이다.
도 9는 본 발명의 구체적인 일 실시예의 제조시 어느 추가되는 한 스테이지에서 자르지 않은 기판을 설명한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 구체적인 일 실시예의 자르지 않은 기판위에 광검출 다이 의 플립칩 조립체를 설명하기 위한 일련의 개략적인 단면도이다.
도 11은 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따라 형성된 카메라 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 카메라 모듈의 저면도이다.
도 13은 미국 동시 계류 중인 특허 출원 10/692,816 에 기술된 본 발명에 따라 형성된 광검출 장치를 통합시킨 예시적인 카메라 모듈의 개략적인 단면도이다.
도 14는 본 발명의 구체적인 일 실시예에 따라 형성된 광검출 다이를 위한 제조와 조립 단계를 설명한 공정도이다.
도 15는 본 발명의 대안적인 구체적인 실시예에 따라 형성된 전자 패키지를 위한 제조와 조립 단계를 설명한 공정도이다.
본 발명의 광검출 반도체 웨이퍼는 다수의 다이를 가지고, 각각의 다이는 다른 반도체 웨이퍼에서와 같이, 웨이퍼의 전면에 형성된 집적 회로를 가진다. 각각의 다이는 다수의 본딩 패드를 가진다. 웨이퍼는 하부의 집적 회로를 보호하기 위하여 전면에 걸쳐 패턴화된 패시베이션 층을 갖는다. 상기 패시베이션 층은 상기의 본딩 패드에 개구를 가진다. 각각의 그와 같은 광검출 다이는 전면에 적어도 하나 광검출 영역을 갖는다. 웨이퍼 범핑은 "마이크로초미세 (microminiature) 기능적 부품을 제조하는 방법"을 발명의 명칭으로 가지고, IBM에게 양도된 미국 특허 번호 3,292,240에 반영된 것처럼, 그것의 최초의 가르침 이후로 널리 이용되었던 공지된 기법이다. 일반적인 웨이퍼 범핑 공정은 솔더 범프 패드를 웨이퍼 상의 본딩 패드 에 연결시키기 위한 적어도 하나의 패턴화된 금속층을 포함한다. 솔더 범프 패드를 위해 사용되는 야금술은 하부 범프 야금술(UBM : under bump metallurgy, 이하 'UBM'이라 함)로 주로 불리우며, 본딩 패드로의 양호한 접착, 솔더에 대한 양호한 확산 장벽 및 솔더에 대한 양호한 습윤성(그리고, 가능하다면 산화 방지)와 같은 복수의 기능을 제공하는 다층 구조를 일반적으로 이용한다.
UBM 패드는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 웨이퍼상에 형성된다. UBM을 적층하기 위하여, 스퍼터링(sputtering), 전기도금(electroplating), 무전해도금(electroless plating) 등과 같은 다양한 기술이 사용될 수 있다. 본 발명이 UBM 형성을 위한 어느 특정 기술에 국한되지 않지만, 무전해 니켈 도금이 여러 이유로 바람직한 기술이다. 첫째, 무전해 니켈은 스퍼터링 또는 포토리쏘그래픽 공정과 같은 고비용 공정을 포함하지 않기 때문에 UBM을 형성하기 위한 저렴한 기술이다. 둘째, 무전해 니켈은 특히 광검출 반도체 웨이퍼가 그 최종적인 패시베이션 층 위에 컬러 필터와 마이크로 렌즈를 구비하는 경우 UBM을 형성하기 위한 다른 것보다 더 안전한 기술인 경향이 있다는 것이다. 스퍼터링 공정 또는 금속 식각에 이용된 화학 물질은 최종적인 패시베이션 층 위에 노광처리된 컬러 필터와 마이크로 렌즈를 공격할 수 있으므로, 얻을 수 있는 성능을 저하시킨다.
바람직하게는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 사용된 무전해 니켈 기술, 그러나 반드시 필요한 것은 아니지만, 납땜 용이성을 증가시키기 위해 니켈 꼭대기에 에멀션 금을 얇게 도포하는 것을 포함한다. 니켈 두께는 최적으로 유지된다. 또한, 니켈의 두께가 너무 얇으면, 충분한 확산 방지 특성을 나타내지 않을 것이 다. 또한 니켈의 두께가 너무 두꺼우면, 결과적인 무전해 니켈 UBM 유발된 잔류 응력이 하부의 본딩 패드 금속의 크래킹 또는 탈층화를 초래할 수 있다. 일반적으로, 두께가 대부분의 응용예에서 거의 3-10 마이크로미터의 범위 내에 유지된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 광검출 반도체 웨이퍼는 바람직하게는 이들 패드와는 별도로 어떠한 솔더 범프 없이, UBM 패드만으로 형성된다. 상호접속을 위한 요구된 솔더 범프는 다음 문단에 더 분명히 개진되는 것처럼, 대응 기판 유닛에 더 효율적으로 제공될 수 있다. 그러나, 필요하다면, 솔더 범프는 대안적인 실시예에서 광검출 반도체 웨이퍼의 UBM 패드에 형성될 수 있다.
그러한 경우에, 소정 양의 솔더 재료가 솔더 범프 패드에 도포된다. 전기도금, 스텐실 프린팅(stencil printing) 등과 같이, 솔더를 도포하기 위한 다양한 방법이 존재한다. 웨이퍼 범핑에 자주 사용되는 몇가지 솔더 재료로 공융의 주석-납(eutectic tin-lead), 높은 농도의 납(high lead)(중량 비율에 있어서 80% 이상의 납을 갖는 주석-납 솔더) 및 무연(lead-free)(순수한 주석, 주석-은, 주석-구리, 주석-은-구리 등과 같이 일반적으로 주석(tin)을 기반으로 하는 솔더)이 있다.
또한, 웨이퍼 범핑 공정은 솔더를 솔더 범프 패드에 연결하기 위하여 솔더의 특성 리플로우 온도(characteristic reflow temperature)까지 웨이퍼를 가열하는 공정을 포함한다. 웨이퍼 범핑은 패턴화된 금속층의 하부에 적어도 하나의 패턴화된 패시베이션 층을 임의로 포함할 수 있으며, 이 패시베이션 층은 소위 리패시베이션(re-passivation) 기술에 따른다. 또한, 웨이퍼 범핑은 본딩 패드와 솔더 범프 패드 사이에 상호 연결된 금속 트레이스(trace)를 임의로 포함할 수 있으며, 이 것은 소위 재분배(redistribution) 기술이다. 이러한 재분배는 상기 상호 연결된 금속 트레이스를 보호하기 위한 또 다른 패턴화된 패시베이션 층을 일반적으로 필요로 한다. 웨이퍼 범핑을 위한 이러한 다양한 구조는 웨이퍼 범핑 기술 분야에서 숙달된 사람에게는 잘 알려져 있다.
본 발명에 따르면, 범핑된 웨이퍼는 광 검출용 장치를 위한 전자 패키지를 만드는데 사용되는 경우, 특정 구조, 범핑 기술 또는 이러한 웨이퍼 범핑에 사용되는 솔더 재료에 한정되지 않는다. 그럼에도 불구하고 스텐실 프린팅이 저비용이므로 바람직하다.
솔더 범핑된 웨이퍼를 위한 전체 높이의 결정은 더 큰 사이즈가 솔더 결합 신뢰성을 높이는 경향이 있으므로, 그것이 소형화를 저해할 수 있을지라도, 크기-신뢰성(size-reliability) 밸런싱에 근거한다. 웨이퍼범핑 (UBM 두께를 포함)후의 광 검출용 웨이퍼의 솔더 범프 높이는 100 마이크로미터보다 작은 것이 바람직하다.
도 6a 내지 도 6c는 처리 전의 광 검출용 반도체 웨이퍼(100), 패턴화된 금속층을 도포하여 복수의 솔더 범프 패드(102)를 형성한 후의 반도체 웨이퍼(100) 및, 솔더 범핑을 수행하여 복수의 솔더 범프(104)를 형성한 후의 반도체 웨이퍼(100)를 각각 예시하고 있다. UBM을 수행하기 전 또는 수행한 후, 또는 솔더 범프를 형성한 후에 조차, 웨이퍼(100)는 필요하다면 반도체 제조 기술에서 알려져 있는 적당한 수단을 사용한 기계 연마에 의해, 특정 두께로 박판화된다. 이러한 박판 공정의 목적은 이동 전화와 같은 소형의 핸드헬드 응용장치에서 가능한 결과 에 따른 모듈의 높이를 최소화하는 것이다. 박판화 이후의 웨이퍼(100)의 두께는 대략 250-350 마이크로미터인 것이 바람직하며, 또한 충분한 대처수단이 있는 경우 대략 150-350 마이크로미터도 가능하다. 그 다음, 상기 광 검출용 웨이퍼는 다시 반도체 제조 기술에서 알려져 있는 적당한 수단을 이용하여 절단 라인(103)을 따라 절단되어 각 다이(101)를 분리시킨다.
기판은 개별적으로 제조된다. 복수의 다이를 갖도록 만들어지는 반도체 웨이퍼와 유사하게, 상기 기판은 일괄 공정(batch process)으로 복수의 단위 기판을 형성하기에 충분히 넓은 영역을 갖는 웨이퍼 또는 패널 형태이다. 일반적으로, 기판 재료에 대한 주요 요건은 투명성, 기계적 강도 및 화학적 안정성을 포함한다. 기판 재료는 특정 파장 또는 특정 범위의 파장에 대해 투명한 재료가 선택되어 그러한 광을 상기 광 검출용 장치로 전송한다. 아래에 한정되지는 않지만, 적당한 기판 재료는 유리, 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 실리콘 또는 다른 적외선 투과 재료를 포함한다. 기판 재료의 선택은 관심 범위의 파장에 의존하며, 예를 들어, X-선, 자외선, 가시광선 또는 적외선 스펙트럼 중의 어느 하나의 파장에서 동작하는 광 검출용 장치가 본 발명으로부터 이익을 얻을 수 있다. 최종적으로 만들어지는 장치의 예상 수명 동안에 환경에 견뎌내기 위해서 뿐만 아니라 제조되는 동안의 온도 및 다양한 공정 단계를 견디기 위하여 화학적 저항력 및 기계적 안정성이 요구된다. 가시 범위의 파장에서 동작하는 광 검출용 장치를 위한 다수의 기판 재료 중의 하나는 보로실리케이트 유리(borosilicate glass)이다. 이것은 그 화학적 및 온도 안정성이 합리적인 가격으로 얻어질 수 있고, 많은 자원으로부터 얻어질 수 있기 때문이다.
광 투과성을 향상시키기 위해 상기 기판의 양 표면에는 적어도 하나의 박막층이 도포될 수 있다. 예를 들어, 반사방지코팅(ARC : anti-reflection coating) 또는 광학 기술에 정통한 사람에게 알려져 있는 다른 적당한 코팅이 도포될 수 있다. 이러한 코팅의 하나의 목적은 관심 광의 전체 스펙트럼에서 광의 반사 손실을 최소화하기 위한 것이다.
이와 유사하게, 특정 범위의 파장에서 광 투과성을 향상 또는 감소시키기 위하여 기판의 한쪽 표면에 적어도 하나의 박막층이 도포될 수 있다. 이러한 광 필터링(optical filtering)은 광학 기술 분야에 알려진 어떠한 적당한 기술을 이용함으로써 실행될 수 있다. 예를 들면, 적외선(IR) 컷 필터 코팅은 적외선 컷 필터 유리가 COB 카메라 모듈에 이용되는 방법과 동일한 방법으로 이용될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따라, 대형 웨이퍼 또는 공업용 유리의 패널이 기판으로 사용된다. 또한 바람직한 실시예에서, 반사 손실을 최소화하기 위하여, 또는 관심 있는 파장 범위에서 광 투과성을 증대 또는 감소시키기 위하여, 기판의 전후 표면의 한쪽 또는 양쪽에 적어도 하나의 박막층이 코팅될 수 있다. 분명히, 더 얇은 박판이 전체적인 모듈 높이를 최소화한다. 그러나, 기판이 너무 얇다면, 제조와 조립 동안 파손이 발생할 수 있다. 바람직하게는, 대략 200 내지 800 마이크로미터 범위 내에 두께를 가지는 기판이 이용된다.
도 7a 내지 도 10을 참조하면, 솔더 가용성 패드(206a, 206b)(도 11에서는 또한 206c) 및 이러한 솔더 가용성 패드(206a, 206b, 206c)를 연결하기 위한 연결 배선(208)을 만들기 위하여 적어도 하나의 패턴화된 금속층(202)이 기판(200)의 전면(204)에 도포된다. 그 다음, 상기 패턴화된 금속층(202)에 형성되는 연결 배선(208)을 보호하기 위하여 패턴화된 금속층(202) 위에 적어도 하나의 패턴화된 패시베이션 층(210)이 도포된다. 상기 패턴화된 패시베이션 층(210)은 솔더 가용성 패드(206a, 206b, 206c)에 개구부를 구비하도록 형성된다.
솔더 가용성 패드(206a, 206b, 206c)는 세 개의 세트로 그루핑된다. 제1세트의 솔더 가용성 패드(206a)는 광 검출용 반도체 다이(101)의 전기적인 상호 연결을 위해 솔더 범프 패드로 제공된다. 제2세트의 솔더 가용성 패드(206b)는 이동 전화 카메라 또는 다른 모듈을 형성할 때 최종 전자 패키지 자체의 외부 회로와의 전기적 상호 접속을 위하여 제공된다. 제3세트의 솔더 가용성 패드(206c)(도 11)는 디커플링 커패시터와 같은 수동 부품들과 전기적 상호 접속을 위하여 제공된다.
하나 패턴화된 금속층이 신호, 전력, 및 접지 라인의 모든 필요한 라우팅을 제공하기 위해 충분하다면, 패턴화된 다층적인 박막 금속 층 (202)과 패턴화된 패시베이션 층 (210)이 도 7a에 도시된 바와 같이 이용될 수 있다. 그 다음, 금속 층(202)은 솔더 가용성 패드와 상호 접속 라인 모두를 제공하기 위하여 제공된다.
다수의 솔더 가용성 패드 구조와 소재는 종래 기술에 알려져 있다. 하나의 적절한 예는 티타늄(Ti)-텅스텐(W) 위에서 구리 (Cu) 이다. 그 예에서, Cu가 솔더 가용성 층을 제공하는 동안 Ti-W 성분은 접착과 확산 방지벽을 제공한다. Ti-W 성분은 요구된 신호 라인 저항과 납땜 용이성에 종속되면서, 두께가 거의 1000-3000 옹스트롬이며, 이 경우 Cu 성분은 두께가 거의 0.5-2 마이크로미터이다. 또 다른 적절한 예는 알루미늄(Al) 위에 니켈 (Ni)-바나듐 (V) 위에 Cu 이다. 그 예에서, Cu 성분이 거의 두께가 0.5-1 마이크로미터이고 이때 Ni-V 성분은 두께가 대략 2000-5000 옹스트롬이고, 알루미늄 성분은 두께가 대략 1-2 마이크로미터이다.
패턴화된 다층박막 층 단 하나를 이용하는 장점은 패턴화된 다층박막 층이 솔더 가용성 패드와 그에 필요한 상호접속 모두가 하나의 포토 리소그래피 패턴화 공정으로 구현될 수 있도록 하는 것이다. 그럼에도 불구하고, 그러한 접근법은 단점을 가진다. 하나의 단점은 금속층의 다층적인 박막 구조를 형성할 때 이용된 스퍼터링 공정이 보통 비용이 높다는 것이다. 또 다른 단점은 이 다층적인 박막 구조를 위해 요구되는 에칭이 단일 금속 박막 구조를 위한 에칭 보다 더 복잡한 공정이라는 것이다. 또 다른 단점은 확산 장벽층이 일반적으로 작동 동안 바람직하지 않은 잔여 영향을 발생할 수 있고 그리고 상호접속 금속 배선의 신뢰도를 손상시키기에 충분한 심각한 잔류 응력을 생성할 수 있는 고저항 소재의 형태로, 상호 접속 금속 배선에 요구된다는 것이다.
도 7a에서 나타내어진 대안적인 접근법은 2개의 패턴화된 금속층과 그 사이의 패턴화된 패시베이션 층을 이용한 도 7b에 나타내어진 접근법이다. 제1 금속층(212)은 요구된 상호 접속 라인을 형성하며, 제2 패턴화된 금속층(218a, 218b)은 솔더 가용성 패드들을 형성하고, 이때 상기 패턴화된 패시베이션 층(216)은 상호접속 배선을 보호한다. 거의 1-2 마이크로미터 두께의 알루미늄층은 상호 접속 금속 배선을 형성하기 위해 제1 금속층(212)으로 사용될 수 있다. 대안적으로, 거의 1-2 마이크로미터 두께의 Cu 층이 알루미늄대신에 이용될 수 있으나, 그렇게 하기 위 하여 하부 및 가능하면 상부(overtop)에 티타늄 또는 Ti-W 같이 접착/확산 장벽 금속이 필요할 수 있으며, 이는 인접한 소재를 가지는 구리의 상호작용 특성에 달려있다. 여기서 인접소재는 예를 들면, 알루미늄 표면 위의 천연 산화 알루미늄으로 알루미늄 금속 트레이스를 위한 효과적인 자기 보호를 제공하며, Cu 표면 위의 산화 동은 이 점에서 매우 효과적이지 않다.
다른 적절한 솔더 가용성 패드 구조와 소재는 본 발명에 따라 이용될 수 있다. 그 솔더 가용성 패드 구조와 소재는 이전 패러그래프에 기술된 단일의 다층적인 박막 금속 접근법 뿐만 아니라 무전해 니켈의 사용을 포함한다. 솔더 가용성 패드를 형성하기 위하여 종종 최저 비용 옵션을 나타내는 것처럼, 특히 제2 패턴화된 금속층을 형성하기 위하여 무전해 니켈을 사용하는 것은 여러 가지 응용에 바람직하다.
도 7b에 도시된 바와 같이 2개의 분리된 금속층을 이용하는 장점은 어떤 확산방지 금속층도 상호접속 금속 배선에 요구되지 않다는 것이다. 그러므로, 확산방지 금속층의 높은 전기적 저항과 그것이 유발하는 높은 잔류 응력 때문에 잠재적인 문제점이 회피된다. 그러나, 그러한 접근법은 2 개의 패턴화된 금속층을 형성하도록 추가적인 스퍼터링 그리고 포토리쏘그래픽 공정을 요구할 수 있고, 제조 비용을 상향으로 증가시키는 경향이 있다.
하나 이상의 금속 상호 접속 층이 궁극적으로 모든 요구된 신호, 전력, 및 접지 라인의 충분한 라우팅을 제공할 필요가 있다면, 단지 최종적인 금속층만이 솔더 가용성 패드를 제공한다. 하부 금속층은 필요한 상호 접속 라인을 제공한다. 이러한 하부 상호 접속 라인을 위해, 거의 1-2 마이크로미터 두께의 알루미늄 층은 적당한 옵션으로 제공된다. 비슷한 1-2 마이크로미터 두께의 구리 금속층도 또한 적당한 옵션으로 제공되나, 상기 패러그래프에 기술된 것처럼 인접한 패시베이션 재료에 대하여 그 접착/확산 특성에 따라서, 그 하부 및/또는 상부 접착/확산 장벽 금속을 요구할 수 있다.
도 7a의 하나의 금속층의 경우에서와 같이, 최종적인 금속층은 상호 접속과 솔더 가용성 패드 모두를 제공할 수 있다. 또는, 도 7b의 두 개의 금속층의 경우에서와 같이, 최종적인 금속층은 단지 솔더 가용성 패드를 제공할 수 있다. 사용된 각각의 다층적인 박막금속층은 금속 층 사이의 인터페이스에 있는 산화 또는 오염이 회피되도록, 바람직하게는 각각의 금속층의 증착 사이에 진공 중단 없이 스퍼터링에 의하여 연속적으로 증착된다.
스퍼터링된 금속층의 패턴화는 종래 기술로 알려진 어떠한 적당한 공정을 이용함으로써 성취될 수 있다. 일반적으로, 패턴화 공정은 포토-레지스트층을 적용하고, 포토-레지스트층을 포토 정의하고, 노출된 스퍼터링된 금속층의 선택부를 에칭한 다음, 포토-레지스트를 제거하는 단계를 포함한다.
금속 층 사이의 패시베이션 층 적용은 또한 종래 기술로 알려진 적당한 프로세스에 의해 성취될 수 있다. 바람직하게는, 폴리머 유전체 물질이 바람직하게는 거의 4-20 마이크로미터의 두께의 범위로, 패시베이션 층으로 사용되며, 이는 웨이퍼 범핑 또는 웨이퍼 레벨 패키징 산업에 일반적으로 사용되는 일정 한도의 두께이다. 패턴화된 패시베이션 층은 금속 층 사이에 요구된 전기적 상호 접속을 수용하 는데 필요한 개구를 구비하도록 형성된다.
종래 기술로 알려진 다른 적당한 기술과 접근법이 패턴화된 금속과 패시베이션 층을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 본 발명은 그 목적을 향하여 이용된 구조, 기술 또는 소재의 어떠한 특별한 선택으로 제한되지 않는다.
금속과 패시베이션 층의 형성시, 바람직하게 주어진 기판의 각각의 단위부에 3세트의 솔더 가용성 패드가 형성된다. 첫째는 광검출 다이에 전기적 상호 접속을 만들기 위한 일련의 UBM 패드이다. 둘째는 이동 전화 카메라 모듈 응용에 하나 이상의 플렉서블 필름 부재와 같은 외부 회로에 대한 전기적 상호 접속을 만들기 위한 일련의 패드이다. 셋째는 필요하다면, 디커플링 커패시터와 같은 광검출 다이 이외의 다른 장치에 대한 전기적 상호 접속을 하기 위한 일련의 패드이다.
도 8에 의하면, 제조의 다른 스테이지에서 자르지 않은 기판 (200) (유리 웨이퍼의 형태로)을 보여준 개략적인 단면도가 있다. 예시된 실시예에서, 절단 라인 (203)에 의해 기판(200)은 패턴화된 다층적인 박막 금속 (202)과 제1 및 제2 솔더 가용성 패드 (206a, 206b)를 규정하기 위해 그 위에 형성된 패시베이션 층(210)을 각각 가지는 복수의 단위 기판 (201)으로 분할된다. 명확성을 위해, 제3 세트의 어떤 솔더 가용성 패드 (206c) (도 11에 도시된 바와 같은 2차 성분의 접속을 위해) 도 도 8-10의 예시적인 실시예에 도시되어 있지 않다.
도 9에서 도시한 바와 같이, 솔더 범프 (또는 코팅) (226a, 226b)가 모든 단위 기판 (201)의 제1 및 제2 솔더 가용성 패드 (206a, 206b)에 동시에 탑재된다. 바람직한 실시예에서, 솔더 페이스트가 솔더 가용성 패드에 솔더 물질을 적용하기 위한 종래 기술로 알려진 스텐실 프린팅 또는 다른 적당한 수단에 의해, 각각의 솔더 가용성 패드 (206a, 206b) 위에 적용되는 것이 바람직하다. 그 후에 결과물로 생성되는 기판 구조는 각각의 솔더 가용성 패드 (206a, 206b)에 솔더 페이스트를 융해시켜 가용하기 위하여 솔더 물질의 특성 리플로우 온도까지 가열된다. 또한, 제3 세트의 솔더 가용성 패드 (206c)는 명확성을 위해 설명으로부터 생략된다.
본 발명에 따라 이용될 수 있는 다수의 솔더 물질이 있다. 공융 주석-납 솔더가 일반적으로 사용되는 재료이다. 순수한 주석, 주석-은, 주석-구리, 및 주석-은-구리와 같은 무연 솔더는 반도체 산업에 납의 사용을 제거하기 위한 전체적으로 엄격한 규정 때문에 미래에 더 넓게 이용될 것 같다. 중량 스케일로 80% 이상의 납을 가지는 고농도 납 솔더가 높은 온도의 적용시 사용되는 통상의 솔더 재료이며, 이는 더 높은 용융 온도 가지고, 솔더 범프 패드에 확산 방지 장벽의 소모가 줄어드는 경향이 있기 때문이다. 본 발명은 어떠한 특별한 솔더 물질의 사용으로 국한되지 않는다.
일단 기판 (200)이 상술한 바와 같이 다수의 단위 기판 또는 조립체 부분(201)을 형성하기 위해 제조되면, 센싱 부분을 형성한 광검출 다이 (101)는 기판 (200)의 조립체 부분 (201)에 탑재되고, 바람직하게는 종래 기술로 알려진 적당한 플립칩 조립 공정의 사용에 의해 탑재된다. 광검출 다이 (101) 그들 자신에 어떠한 솔더 범프 패드를 형성할 필요성을 제거하면서, 이 시점에서 각각의 조립체 부분 (201)은 그 제1 세트의 솔더 가용성 패드 (206a)에 형성된 적절하게 배치된 솔더 범프 패드 (226a)를 갖춘다. 따라서, 광검출 다이 (101)는 단지 이러한 솔더 범프 패드 (102) (도 10)에 접속을 위한 대응하는 UBM 패드를 갖춰야 할 필요가 있다. 물론, 솔더 범프가 광검출 다이 (101)의 UBM 패드에 대안적으로 제공되면, 대응한 솔더 가용성 패드 (206a)에 있는 솔더 범프 패드 (226a)가 부분적으로 또는 완전히 제거된다.
도 10을 개략적으로 설명하면, 플립칩 어셈블리 공정은 모든 적절한 단위 기판 (201)이 그들에게 필요한 광검출 반도체 다이 (101)로 탑재될 때까지 기판 (200)의 각각의 단위 기판 (201)의 미리 결정된 위치에 각각의 광검출 다이 (101)를 픽-플립-플레이스(pick-and-flip-and-place)하는 단계를 포함한다. 동일하거나 상이한, 다중 광검출 다이 (101)는 하나의 단위 기판 (201)에 탑재될 수 있다. 다른 비광검출(non-photo-sensing) 및 능동적 및/또는 수동적 다이(명확성의 이유로 도시되지 않음) 는 다중 칩 모듈을 형성하기 위해 광검출 다이 (101)와 함께 단위 기판 (201)에 또한 탑재될 수 있다. 그와 같은 다중 칩 모듈을 형성함에 있어, 다중 다이는 편의성, 신뢰도, 품질, 비용 등의 실용적인 팩터를 고려하여 주어진 응용의 요구사항에 따라서, 동시에, 연속적으로, 또는 적절하게 그루핑되는 조합으로 탑재될 수 있다.
바람직하게는 다이 탑재 동작은 결합된 표면에서 산화층을 제거하기 위해 그리고 솔더 결합 공정 자체 동안 산화가 더 되지 않도록 결합 형성 영역을 보호하기 위해, 솔더 결합 형성 영역 위에 플럭스를 도포하는 단계를 포함한다. 플럭스는 적당한 디핑 공정에 의해 또는 종래 기술로 알려진 다른 적당한 디스펜싱 공정에 의해 적용되는 것이 바람직하다. 로진계(rosin-based) 수용성 플럭스 또는 다른 적당한 소재가 그와 같은 플럭스 적용시 이용될 수 있다. 그러나, 이 소재를 사용하는 경우 탈이온수를 이용한 후세정(after-cleaning) 린스가 요구된다. 왜냐하면, 결과로 생성되는 잔여물이 대단히 부식성이기 때문이다.
이른바 유기 기반의 "유동 없는 언더필" 플럭스 재료가 사용될 수 있는 것처럼, 소위 유기 기반 "무세정(no clean)" 플럭스가 또한 이용될 수 있다. 상기 "유동 없는 언더필" 플럭스 재료는 "무세정(no clean)" 플럭스 재료와 실질적으로 동일한 플럭싱 작용을 하나, 조립시 주어진 솔더 결합을 더 잘 강화한다.
이용된 플럭스소재의 특정 유형은 본 발명에 중요하지 않다. 그럼에도 불구하고, 그 "유동 없는 언더필" 플럭스 재료가 양호한 측벽 보호와 검출 영역의 밀봉이 요구되는 응용예의 경우에 바람직하다. 그와 같은 플럭스 소재는 바람직하게는 그러한 이유 때문에, 그러나 반드시 그러한 이유때문은 아니더라도, 기판 (200)에 광검출 다이 (101)를 탑재하기 위한 예시된 실시예에 사용되며, 그럼으로써 양호한 측벽 보호와 광검출 영역의 밀봉이 탑재된 다이를 위하여 구현된다. 광검출 영역 안으로 어떠한 수지 재료의 흘러내림(bleeding)을 방지하는 것이 탑재 공정 중에 중요하며, 그로써 그와 같고 광검출 영역을 깨끗한 채로 유지할 수 있다.
그런 다음, 솔더를 융해시키고, 기판 (200)의 제1 세트 솔더 가용성 패드 (206a)와 광검출 다이(101)의 사이의 솔더 결합부(226a)와, 기판의 제2 세트의 솔더 가용성 패드 (206b)와 다른 외부 회로 사이의 솔더 결합부(226b)를 만들기 위하여, 기판을 솔더 물질의 특성 리플로우 온도까지 가열한다.
충분한 측벽 보호 및 리플로우에서 광검출 영역의 밀봉 ("유동 없는 언더필" 플럭스 재료와 같은) 을 제공하기 위한 것 이외의 플러스 소재가 이용되는 경우, 충분한 측벽 보호와 밀봉을 제공하기 위해 주어진 응용예들의 요구조건에 따라서, 하나 이상의 추가 공정 단계가 필요하다. 예를 들면, 오븐 양생 등과 같은 추가적인 단계가 따르게 되는 조립된 광검출 다이의 주위에 에폭시 수지의 처방이 필요할 수 있다.
마침내, 기판 (200)은 단위 기판 (201)을 분리시키기 위해 절단 라인 (203)을 따라 절단된다. 결과로서 생긴 각각의 전자 패키지는 (적어도 하나의 단위 기판 구조 (201)를 가진) 팩킹과 패키징을 위한 트레이 또는 테이프-릴(tape-and-reel)과 같은 바람직한 팩킹 매체위에 픽-플레이스(picked-and-placed)된다.
렌즈 하우징과 플렉서블 필름을 구비한 본 발명에 따라 형성된 전자 패키지의 조립은 예를 들면, COB 모듈을 조립하는 것에 관련하여 종래 기술로 알려진 매우 똑같은 적당한 수단을 이용함으로써 수행될 수 있다. 일반적으로, 이것이 2가지 주요 조립 공정을 포함한다. 한가지 공정은 COB 모듈 제조의 기술에 알려진 것과 매우 똑같은 방법으로 에폭시의 사용함으로써 기판위에 렌즈 하우징을 부착시킨다. 다른 공정은 전자 패키지와 플렉서블 필름 사이에 전기 접속을 만드는 것으로, 이 또한 플렉서블 필름이 인쇄 회로 기판이외의 전자 패키지에 직접적으로 부착되는 것을 제외하고, COB 제조 기술에 알려진 것과 매우 똑같은 방법으로 이루어진다. 이 공정을 위해, 종래 기술로 알려진 적당한 SMT 기술이 이용될 수 있다. 또는, 다양한 유형의 기판에 플렉서블 필름과 결합하기 위한 종래 기술로 알려진 적당한 이방성 또는 등방성 전도 필름 또는 점착성 기술이 이용될 수 있다.
이하, 도 11에 따르면, 본 발명의 예시적인 실시예에 따라 형성된 이동 전화 카메라 모듈 (300)의 개략적인 단면도를 보여준다. 이해를 더욱 도모하기 위하여, 본 실시예에서 전자 패키지(201')는 앞의 단락에서 설명된 예시적인 도면에는 명료성을 위하여 생략되었던 제2 부품과 함께 도시되어 있다. 이들 제2 부품들은 예를 들면 전자 패키지(201')의 각각의 금속층(202')에 이에 개시된 적절한 기술을 사용하여 접속된 디커플링 커패시턴스 부재(302)를 포함한다.
도 12는 도 11에 도시된 모듈 실시예 (300)의 개략적인 저면도를 나타낸다. 도 11과 도 12 모두에, 렌즈 하우징이 명확성을 위하여 도시되지 않았다. 그러나, 금속 트레이스(312)를 구비한 플렉서블 필름(310)의 전형적인 구성은 커넥터(314)에 전자 패키지(201')를 접속하는 것으로 도시되어 있다. 또한 앞의 단락에서 설명된 것처럼 측벽 보호 및 광검출 영역(223)의 밀봉을 제공하는 제1 솔더 가용성 패드(206a')에서 각각의 솔더 결합부(226a')의 주위에 도포된 플럭스 소재(230)가 도 11에 도시되어 있다.
비교를 하면, 미국 동시 계류중인 특허출원 10/692,816에 기술된 구체적인 실시예에 따라 형성된 이동 전화 카메라 모듈 (400)이 도 13의 개략적인 단면도에 나타내어진다. 모듈 (400)에서, 플렉서블 필름(410)이 외부 솔더 결합부(420)에 의해 전자 패키지 (401)와 차례로 접속된, 인쇄 회로 기판 (402)에 그 금속 트레이스 (412)에 의해 접속된다. 대조적으로, 모듈(300)내의 플렉서블 필름(310)은 지지하는 인쇄회로기판(402)에로의 상호 접속을 위하여 광검출 다이(101)의 주위에 여분의 솔더 결합부(결합부(420)와 같은)의 필요성을 제거하면서, 그 금속 트레이스(312)에 의하여 전자 패키지(201')에 직접 접속된다. 사실상, 상기 지지 인쇄 회로 기판 자체의 필요성은 제거된다. 이에 따라서 적은 공정 단계로 잠재적으로 더 큰 비용 효율로 일반적으로 제조될 수 있는 더욱 간단하고 더욱 소형화된 모듈 구조를 얻을 수 있다.
도 14에 따르면, 본 발명의 하나의 구체적인 실시예에 따라 형성된 광검출 웨이퍼를 위한 제조 단계를 설명하기 위한 공정도를 보여준다. 단계 500에서, 반도체 웨이퍼가 제공되고, 그 위에 다수의 다이가 규정되며, 각각의 다이는 그 자체의 광검출 영역과 광검출 영역에 입력된 광신호를 검출하고 처리하기 위한 집적 회로를 구비한다. 다수의 본딩 패드는 적절한 위치로 반도체 웨이퍼에 제공되어 집적 회로에 상호 접속을 제공한다.
단계 502에서, 솔더 범프 패드는 반도체 웨이퍼상에 제공된 본딩 패드 위에 형성된다. 바람직하게는, 반드시 그럴 필요는 없지만, 무전해 니켈 기술이 단계 5020에 표시된 것처럼, 솔더 범프 패드를 형성하기 위해 사용된다. 주어진 응용예의 요구사항이 필요하다면, 단계 504에 표시된 것처럼, 단계 502 또는 5020 단계에서 형성된 이러한 솔더 범프 패드 위에, 추가의 솔더 범프 패드가 형성될 수 있다. 그러한 경우에, 반드시 필요한 것은 아니지만, 스텐실 프린팅 기술이 단계 5040에 표시된 것처럼 채용되는 것이 바람직하다. 단계 506에서, 그렇게 반도체 웨이퍼에 형성된 다이가 다수의 단위 다이로 분리된다.
다음 도 15에 의하면, 본 발명의 하나의 구체적인 실시예에 따라 형성된 전자 패키지를 위한 제조와 조립 단계를 설명하는 공정도를 보여준다. 도 14에 있어서, 어떤 바람직한 양태들이 나타내어진다. 그러나, 구체적으로 도시된 것 이외의 다수의 다른 변형예들이 본 발명에 따라 사용될 수 있다.
단계 600에서, 다수의 단위 기판이 규정된 기판이 제공된다. 단계 602에서 상기 금속층의 재료를 증착하고 선택적으로 제거함으로써 패턴화된 금속층이 기판의 전면 위에 형성된다. 그런 다음 단계 604에서, 패시베이션 층 소재의 부분을 증착하고 선택적으로 제거함으로써, 패턴화된 패시베이션 층이 그것의 보호를 위한 패턴화된 금속층 위에 형성된다. 바람직하게는, 반드시 필요한 것은 아니지만, 단계 6040에 표시된 것처럼, 폴리머 유전체 물질이 패시베이션 층으로 사용된다. 단계 602 및 604 에서는 단계 606에 표시된 것처럼, 기판의 표면에 모든 요구된 상호접속과 솔더 가용성 패드를 형성하기 위해 필요한 만큼 반복된다. 바람직하게는, 반드시 그런 것은 아니지만, 무전해 니켈 기술이 단계 6060에 표시된 것처럼, 솔더 가용성 패드를 형성하는데 이용된다. 바람직하게는, 최소한 3 세트의 솔더 범프 (또는 캡)가 단계 608에 나타내어진 것처럼, 솔더 가용성 패드 위에 형성된다. 그와 같은 솔더 범프를 형성함에 있어 이용될 수 있는 다양한 적당한 기술 중의 하나는 단계 6080에 표시된 것처럼, 솔더 페이스트의 스텐실 프린팅이다.
그 후에 단계 610 에서, 광검출 및 다른 비광검출(non-photo-sensing) 다이가 준비가 되어 있는 기판의 미리 결정된 위치에 탑재된다. 각각의 광검출 및 비광검출 다이는 이 공정을 위한 적절한 솔더 범프 패드를 제공받는다. 각각의 단위 기판에, 제1 세트의 솔더 범프가 광검출 다이를 상호 접속시키기 위하여 사용되고, 반면에 제3 세트의 솔더 범프(또는 캡)가 어떤 비광검출 다이를 상호 접속시키기 위하여 사용될 수 있다. 바람직하게는, 반드시 그런 것은 아니지만, 비유동성 언더필 물질이 단계 6100에 표시된 것처럼, 이 탑재 공정에 플럭스재료로서 이용된다. 이 소재는 특히 그것이 그들의 광검출 영역을 실링하는 동안 광검출 다이의 측벽을 보호하게 되는 폴리머 구조를 생성하는 것처럼, 광검출 다이를 탑재함에 있어 적당하다.
그 후, 결과로 생성되는 기판 구조가 다수의 단위 기판을 분리시키기 위해 단계 612에서 절단된다. 단계 614에서, 각각의 단위 기판에 형성된 전자 패키지를 집어서(픽킹하여) 주어진 팩킹 매체 안으로 위치시킨다. 그런 다음, 각각의 전자 패키지는 단계 615에 표시된 것처럼, 제2 세트의 솔더 캡을 이용함으로써 플렉서블 필름 부재 (예를 들면, 이동 전화기 카메라 모듈 응용예의 경우)와 같은 외부 회로에 탑재된다.
본 발명의 유니크한 패키지는 CCD 또는 CMOS와 같은 다양한 유형의 기술로 제조된 포토 센서 또는 포토 검출기의 모든 유형에 적용 가능하다. 본 발명은 캠코더, 디지털 정지 카메라, PC 카메라, 휴대 전화 단말기 카메라, PDA 와 핸드헬드 카메라, 보안 카메라, 완구, 자동차 장비, 생체 인식 등과 같은 영역 이미지 센서가 이용된 곳에 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 팩스기, 스캐너, 바코드 판독기와 스캐너, 디지털 복사기 등과 같은 선형 어레이 영상 센서에 적용 가능하다. 또한, 본 발명은 이동 검출기, 광 레벨 센서, 위치 또는 추적 시스템 등에 이용된 단일의 다이오드 또는 사분면 다이오드와 같은 비이미징 광 센서를 패키징할 때 적용 가능하다.
본 발명이 특정 형식과 실시예와 관련하여 기술되었을지라도, 상기 논의된 것들과는 다른 다양한 변형예가 본 발명의 정신 또는 범위를 이탈하지 않고 가능함을 이해하여야 할 것이다. 예를 들면, 등가의 요소가 구체적으로 나타내어지거나 기술된 것으로 대체되고, 어떤 특징들은 다른 특징과 독립적으로 이용될 수 있고, 어떤 경우에는, 본 발명의 청구항에 기술된 정신 또는 범위를 벗어나지 않으면서 모두 제조 또는 조립 단계의 특별한 조합이 역전되거나 삽입될 수 있다.

Claims (23)

  1. 광검출 장치 패키지에 있어서,
    (a) i. 소정 범위의 파장내에서 광에 실질적으로 투명한 소재로 형성된 기판;
    ii. 상기 기판의 전면 영역(front surface region)의 주변에 상기 기판 위에 형성되는 적어도 하나의 금속층; 및
    iii. 상기 금속층 위로 연장 형성되어, 각각 상기 금속층에 다수의 제1 솔더 가용성 패드와 적어도 하나의 제2 솔더 가용성 패드를 정의하기 위해 다수의 접근 개구를 규정하도록 패턴화된 적어도 하나의 패시베이션 층; 을 포함하는 조립체 부분;
    (b) 상기 소정 범위의 파장내에서 광을 광전자적으로 변환하기 위한 적어도 하나의 광검출 다이를 포함하고, 상기 광검출 다이는 상기 조립체 부분 기판의 상기 전면 영역에 대향하는 광검출 영역을 규정하며, 상기 광검출 다이는 그 위에 다수의 솔더 범프 패드를 형성하는 검출부;
    (c) 상기 검출부와 조립체 부분을 결합하고, 상기 검출부의 상기 솔더 범프 패드와 상기 조립체 부분의 상기 제1 솔더 가용성 패드 사이에 연장되는 다수의 제1 솔더 결합부(joint); 및
    (d) 외부 회로에 상기 조립체 부분을 결합시키기 위하여 상기 제2 솔더 가용성 패드에 결합된 적어도 하나의 제2 솔더 결합부를 포함하는 광검출 장치 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 조립체 부분이 보조 전자 부품의 상호접속을 위한 적어도 하나의 제3 솔더 가용성 패드를 더 포함함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 조립체 부분은 측벽 보호 및 밀봉을 위하여 상기 광검출 다이의 주변 중 적어도 일부에 배치된 폴리머 구조를 포함함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 솔더 결합부에 의해 상기 조립체 부분에 결합된 상기 외부 회로가 플렉서블 필름 부재를 포함함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판이 유리 재료로 형성됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 기판이 200에서 800 마이크로미터의 두께로 형성됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 조립체 부분이 다수의 상기 금속층을 포함하고, 상기 금속층의 적어도 하나는 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 정의하는 제1 및 제2 접근 개구 위로 적어도 부분적으로 연장되고 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 형성하기 위해 상기 패시베이션 층 위에 적어도 부분적으로 형성됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 형성하는 상기 금속층은 무전해 Ni 소재를 포함함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 조립체 부분의 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드가 각각 적어도 접착층, 확산 장벽층 그리고 솔더 가용성 층을 포함하는 다층 구조 구조로 형성됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  10. 제1항에 있어서, 상기 기판이 상기 전면과 대향하는 후면을 포함하고, 상기 기판은 상기 소정 범위의 파장내에서 광의 투과율을 변경하기 위하여 상기 전면과 후면 중의 적어도 하나에 박막 코팅이 형성되는 것을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  11. 제4항에 있어서, 상기 제2 솔더 가용성 패드는 적어도 하나의 상기 제1솔더 가용성 패드에 상호 접속되고, 상기 적어도 하나의 제1 솔더 가용성 패드는 상기 제2 솔더 가용성 패드와 상기 광검출 다이 사이에 배치됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키지.
  12. 광검출 장치를 패키징하는 방법에 있어서,
    (a) 소정 범위의 파장내에서 광을 광전자적으로 변환하기 위하여 그 전방 표면에 광검출 영역을 규정하는 적어도 하나의 광검출 다이를 설정하는 단계;
    (b) 상기 광검출 다이 위에 상기 광검출 영역에 전기적으로 결합된 다수의 솔더 범프 패드를 형성하는 단계;
    (c) 상기 소정 범위의 파장내에서 광에 실질적으로 투명한 소재로 형성된 적어도 하나의 단위 기판을 설정하는 단계;
    (d) 상기 단위 기판 위에 상호 접속된 세트를 이루는 적어도 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 규정하기 위하여 적어도 하나의 금속층과 상기 적어도 하나의 금속층에 인접한 적어도 하나의 패시베이션 층을 형성하는 단계;
    (e) 상기 단위 기판 위로 상기 광검출 다이를 상하 반전(反轉)시키는 방법으로 위치시켜, 상기 솔더 범프 패드를 상기 제1 솔더 가용성 패드에 각각 정렬시키는 단계; 및
    (f) 상기 제2 솔더 가용성 패드와 외부 회로 사이에 솔더 결합부를 형성하여, 상기 외부 회로를 상기 단위기판에 상호 접속시키는 단계를 포함하는 광검출 장치 패키징 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 단계 (f)가 상기 제2 솔더 가용성 패드에 플렉서블 필름 부재를 결합하기 위해 상기 솔더 결합부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특 징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 단계 (d)는 다수의 상기 금속층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 금속층 중의 상부의 하나는 상기 패시베이션 층 위에 적어도 부분적으로 연장되어 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 형성하며, 상기 금속층 중의 하부의 하나는 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드 사이에 상호 접속 라인을 형성함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 상부 금속층이 무전해 Ni 소재를 포함함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  16. 제12항에 있어서, 다수의 상기 광검출 다이는 웨이퍼상에 일체로 규정되고, 상기 웨이퍼는 나머지로부터 상기 광검출 다이 하나의 분리를 위하여 단계 (e) 이전에 절단됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  17. 제12항에 있어서, 다수의 상기 단위 기판은 기판 상에 일체로 규정되고, 상기 기판은 나머지로부터 상기 단위 기판 하나의 분리를 위하여 단계 (e) 이후에 절단됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  18. 제17항에 있어서, 픽-플립-플레이스(pick-and-flip-and-place) 동작이 상기 단위 기판의 대응하는 하나의 위에 각각 상기 광검출 다이를 위치시키기 위해 연속적으로 실시됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  19. 제13항에 있어서, 상기 제2 솔더 가용성 패드는 상기 광검출 다이가 이동되는 상기 제1 솔더 가용성 패드에 인접하여 설치됨을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  20. 제12항에 있어서, 상기 단계 (d)는 적어도 하나의 보조 전자 부품의 상호접속을 위해 상기 제1 솔더 가용성 패드로부터 편위(偏位)되어 위치된 제3 세트의 솔더 가용성 패드를 상기 단위 기판에 규정함을 특징으로 하는 광검출 장치 패키징 방법.
  21. 광검출 반도체 장치 패키징 방법에 있어서,
    (a) 소정 범위의 파장내에서 광을 광전자적으로 변환하기 위하여, 그 전면에 규정된 적어도 집적된 하나의 광검출 영역을 가지는 적어도 하나의 반도체 다이를 설정하는 단계;
    (b) 상기 광검출 반도체 다이 위에 상기 광검출 영역에 전기적으로 결합된 다수의 솔더 범프 패드를 형성하는 단계;
    (c) 상기 소정 범위의 파장내에서 광에 실질적으로 투명한 소재로 형성된 적어도 하나의 단위 기판을 설정하는 단계;
    (d) 상기 단위 기판 위에 적어도 하나의 금속층과 상기 적어도 하나의 금속층에 인접한 적어도 하나의 패시베이션 층을 형성하여, 제2 솔더 가용성 패드가 적어도 하나의 제1솔더 가용성 패드에 서로 접속되고, 상기 패시베이션 층이 상기 제1 및 제2 솔더 가용성 패드에 각각 정렬된(aligned) 다수의 제1 및 제2 접근 개구를 형성하도록 제2 솔더 가용성 패드가 측방향으로 이동하여 배치된 다수의 제1 및 제2 솔더 가용성 패드를 정의하는 단계;
    (e) 상기 제1 솔더 가용성 패드의 각각에 적어도 하나의 솔더 범프를 형성하는 단계;
    (f) 상기 단위 기판 위로 상기 광검출 반도체 다이를 상하 반전시키는 방법으로 위치시켜, 상기 솔더 범프 패드에 상기 솔더 범프 각각을 결합시키는 단계;
    (g) 상기 광검출 영역의 측벽 보호 및 밀봉을 위하여 상기 광검출 반도체 다이의 주변 중 적어도 일부분에 폴리머 물질을 인가하는 단계;
    (h) 상기 솔더 범프 패드와 상기 제1솔더 가용성 패드를 결합하기 위해 상기 솔더 범프의 특성 리플로우 온도(characteristic reflow temperature)로 각각의 상기 솔더 범프를 가열시키는 단계; 및
    (i) 플렉서블 필름 부재와 적어도 하나의 상기 제2 솔더 가용성 패드의 사이에 솔더 결합부에 의해 상기 단위 기판에 상기 플렉서블 필름 부재를 부착하는 단계를 포함하는 광검출 반도체 장치 패키징 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 단계 (d)는 수동(passive) 전자 소자를 부착시키기 위하여 제3 접근 개구를 갖는 다수의 제3 솔더 가용성 패드를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 반도체 장치 패키징 방법.
  23. 제21항에 있어서, 상기 단계 (g)는 보호가능한 밀봉 구조를 형성하기 위해 상기 광검출 반도체 다이의 주변 중 적어도 일부분에 대하여 유동없는 언더필 소재를 인가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광검출 반도체 장치 패키징 방법.
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Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6885107B2 (en) * 2002-08-29 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Flip-chip image sensor packages and methods of fabrication
US7025244B2 (en) * 2003-02-10 2006-04-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component mounting apparatus and electronic component mounting method
US7368695B2 (en) * 2004-05-03 2008-05-06 Tessera, Inc. Image sensor package and fabrication method
TWI250655B (en) * 2004-08-03 2006-03-01 Ind Tech Res Inst Wafer level package structure of image sensor and method for making the same
TWM271321U (en) * 2004-09-10 2005-07-21 Aiptek Int Inc Flip-chip packaging device
TW200611350A (en) * 2004-09-21 2006-04-01 Advanced Semiconductor Eng Sensitive flip-chip bonding structure
US20070070311A1 (en) * 2005-09-23 2007-03-29 Asml Netherlands B.V. Contacts to microdevices
US20070075236A1 (en) * 2005-09-30 2007-04-05 Po-Hung Chen Packaging method of a light-sensing semiconductor device and packaging structure thereof
US8836146B2 (en) * 2006-03-02 2014-09-16 Qualcomm Incorporated Chip package and method for fabricating the same
KR101294419B1 (ko) * 2006-03-10 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
JP4802907B2 (ja) * 2006-07-25 2011-10-26 パナソニック株式会社 半導体実装構造
CN100443942C (zh) * 2006-08-23 2008-12-17 无锡凯尔科技有限公司 侧接触型手机摄像模组加工方法
US7445959B2 (en) * 2006-08-25 2008-11-04 Infineon Technologies Ag Sensor module and method of manufacturing same
TWI321944B (en) * 2006-08-25 2010-03-11 Primax Electronics Ltd Camera module and assembling method thereof
US7514684B2 (en) * 2006-08-28 2009-04-07 L-3 Communications Corporation Surface mounted infrared image detector systems and associated methods
JP5154783B2 (ja) * 2006-11-14 2013-02-27 オリンパス株式会社 撮像モジュールの製造方法
US7777172B2 (en) * 2007-06-01 2010-08-17 Fairchild Semiconductor Corporation Methods for reducing cross talk in optical sensors
US7993977B2 (en) * 2007-07-02 2011-08-09 Micron Technology, Inc. Method of forming molded standoff structures on integrated circuit devices
JP2010535411A (ja) * 2007-07-30 2010-11-18 エヌエックスピー ビー ヴィ 応力緩衝半導体コンポーネント
US20090032925A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 England Luke G Packaging with a connection structure
KR20100046163A (ko) * 2007-08-30 2010-05-06 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 반도체 소자, 특히 태양 전지의 금속 후면 접점의 제조 방법
EP2031659A1 (de) * 2007-08-30 2009-03-04 Applied Materials, Inc. Verfahren zur Erzeugung eines metallischen Rückkontaktes eines Halbleiterbauelements, insbesondere einer Solarzelle
US7763535B2 (en) * 2007-08-30 2010-07-27 Applied Materials, Inc. Method for producing a metal backside contact of a semiconductor component, in particular, a solar cell
KR100927120B1 (ko) * 2007-10-29 2009-11-18 옵토팩 주식회사 반도체 소자 패키징 방법
US7989928B2 (en) 2008-02-05 2011-08-02 Advanced Semiconductor Engineering Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8350367B2 (en) * 2008-02-05 2013-01-08 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8212339B2 (en) 2008-02-05 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8022511B2 (en) * 2008-02-05 2011-09-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US7888758B2 (en) * 2008-03-12 2011-02-15 Aptina Imaging Corporation Method of forming a permanent carrier and spacer wafer for wafer level optics and associated structure
US8273603B2 (en) 2008-04-04 2012-09-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Interposers, electronic modules, and methods for forming the same
US8017451B2 (en) 2008-04-04 2011-09-13 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronic modules and methods for forming the same
CN101562175B (zh) * 2008-04-18 2011-11-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装结构及其应用的成像装置
US8410584B2 (en) 2008-08-08 2013-04-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US20100110656A1 (en) 2008-10-31 2010-05-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US20100163406A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 Applied Materials, Inc. Substrate support in a reactive sputter chamber
US20100207257A1 (en) * 2009-02-17 2010-08-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and manufacturing method thereof
US8110902B2 (en) 2009-02-19 2012-02-07 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
JP2010238995A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Sanyo Electric Co Ltd 半導体モジュールおよびこれを搭載したカメラモジュール
US8212340B2 (en) 2009-07-13 2012-07-03 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Chip package and manufacturing method thereof
US8368185B2 (en) 2009-11-19 2013-02-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8378466B2 (en) 2009-11-19 2013-02-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
US8030750B2 (en) 2009-11-19 2011-10-04 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding
KR101737478B1 (ko) * 2009-12-14 2017-05-19 엘지이노텍 주식회사 카메라 모듈 및 그 제조 방법
US8569894B2 (en) 2010-01-13 2013-10-29 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof
TWI411075B (zh) 2010-03-22 2013-10-01 Advanced Semiconductor Eng 半導體封裝件及其製造方法
CN102263116B (zh) * 2010-05-28 2014-11-05 兆探晶股份有限公司 具有光传感器的摄像装置及其制造方法
JP2012009816A (ja) 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
US8598695B2 (en) 2010-07-23 2013-12-03 Tessera, Inc. Active chip on carrier or laminated chip having microelectronic element embedded therein
TWI540698B (zh) 2010-08-02 2016-07-01 日月光半導體製造股份有限公司 半導體封裝件與其製造方法
JP2012044091A (ja) * 2010-08-23 2012-03-01 Canon Inc 撮像装置、撮像モジュール及びカメラ
US9224779B2 (en) * 2010-08-27 2015-12-29 Nikon Corporation Imaging apparatus with sensor chip and separate signal processing chips
CN106037624B (zh) 2010-09-08 2018-09-07 Kpr美国有限责任公司 具有成像组件的导管
US9007273B2 (en) 2010-09-09 2015-04-14 Advances Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US9406658B2 (en) 2010-12-17 2016-08-02 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Embedded component device and manufacturing methods thereof
US9368429B2 (en) * 2011-10-25 2016-06-14 Intel Corporation Interposer for hermetic sealing of sensor chips and for their integration with integrated circuit chips
US8541883B2 (en) 2011-11-29 2013-09-24 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device having shielded conductive vias
US8937376B2 (en) 2012-04-16 2015-01-20 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with heat dissipation structures and related methods
US8786060B2 (en) 2012-05-04 2014-07-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna
US8704341B2 (en) 2012-05-15 2014-04-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding
US8653634B2 (en) 2012-06-11 2014-02-18 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. EMI-shielded semiconductor devices and methods of making
US9153542B2 (en) 2012-08-01 2015-10-06 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having an antenna and manufacturing method thereof
US9517184B2 (en) 2012-09-07 2016-12-13 Covidien Lp Feeding tube with insufflation device and related methods therefor
USD735343S1 (en) 2012-09-07 2015-07-28 Covidien Lp Console
US9198835B2 (en) 2012-09-07 2015-12-01 Covidien Lp Catheter with imaging assembly with placement aid and related methods therefor
US9978688B2 (en) 2013-02-28 2018-05-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof
CN103400825B (zh) 2013-07-31 2016-05-18 日月光半导体制造股份有限公司 半导体封装件及其制造方法
US9627573B2 (en) 2014-02-21 2017-04-18 Maxim Integreated Products, Inc. Optical sensor having a light emitter and a photodetector assembly directly mounted to a transparent substrate
DE102014211879A1 (de) * 2014-06-20 2016-01-07 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Kamera und Kamera für ein Fahrzeug
KR101666599B1 (ko) 2014-08-11 2016-10-24 (주)디바이스 온 카메라용 이미지센서 패키지 제조방법
TWI662671B (zh) * 2016-03-24 2019-06-11 日商新川股份有限公司 接合裝置
CN107818274A (zh) * 2016-09-14 2018-03-20 手持产品公司 堆叠式pcb可回流焊解码器模块
TWI639048B (zh) * 2017-05-22 2018-10-21 海華科技股份有限公司 可攜式電子裝置及其影像擷取模組與承載組件
CN112928171A (zh) * 2021-01-22 2021-06-08 深圳成光兴光电技术股份有限公司 一种光电传感器的ic模块封装方法
US20230283901A1 (en) * 2022-03-07 2023-09-07 MEMS Drive (Nanjing) Co., Ltd. MEMS Lens / Image Sensor Assembly and Process Flow

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020009087A (ko) * 2000-07-24 2002-02-01 한신혁 반도체 패키지 및 그 패키지 방법
JP2002043554A (ja) 2000-07-17 2002-02-08 Orient Semiconductor Electronics Ltd Ｃｃｄパッケージ・モジュール

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3292240A (en) 1963-08-08 1966-12-20 Ibm Method of fabricating microminiature functional components
DE3782201T2 (de) 1986-07-16 1993-04-15 Canon Kk Halbleiterphotosensor und verfahren zu dessen herstellung.
JPH02278872A (ja) * 1989-04-20 1990-11-15 Ibiden Co Ltd 画像センサー
JPH03155671A (ja) * 1989-08-28 1991-07-03 Toshiba Corp 固体撮像装置
US5302778A (en) 1992-08-28 1994-04-12 Eastman Kodak Company Semiconductor insulation for optical devices
JPH06204442A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JPH0831584B2 (ja) * 1993-04-12 1996-03-27 ソニー株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
IL106892A0 (en) 1993-09-02 1993-12-28 Pierre Badehi Methods and apparatus for producing integrated circuit devices
IL108359A (en) 1994-01-17 2001-04-30 Shellcase Ltd Method and device for creating integrated circular devices
US6117707A (en) 1994-07-13 2000-09-12 Shellcase Ltd. Methods of producing integrated circuit devices
JPH09186308A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Toshiba Corp 固体撮像モジュールの製造方法
JP2000286401A (ja) 1999-03-29 2000-10-13 Miyota Kk 固体撮像装置およびその製造方法
US6566745B1 (en) 1999-03-29 2003-05-20 Imec Vzw Image sensor ball grid array package and the fabrication thereof
JP2001068654A (ja) 1999-06-25 2001-03-16 Sony Corp 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法
JP2001203913A (ja) 2000-01-21 2001-07-27 Sony Corp 撮像装置、カメラモジュール及びカメラシステム
US6387793B1 (en) * 2000-03-09 2002-05-14 Hrl Laboratories, Llc Method for manufacturing precision electroplated solder bumps
JP4244096B2 (ja) * 2000-04-14 2009-03-25 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR100464563B1 (ko) 2000-07-12 2004-12-31 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3507472B2 (ja) * 2000-12-14 2004-03-15 キヤノン株式会社 半導体装置、それを用いた固体撮像装置及び撮像システム
JP3738824B2 (ja) * 2000-12-26 2006-01-25 セイコーエプソン株式会社 光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2002286401A (ja) * 2001-03-22 2002-10-03 Shiyousuke Oohaga 尺に対応するメートル、スケール
JP2003032558A (ja) 2001-07-13 2003-01-31 Nippon Avionics Co Ltd イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法
US6747348B2 (en) 2001-10-16 2004-06-08 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for leadless packaging of semiconductor devices
TW560018B (en) * 2001-10-30 2003-11-01 Asia Pacific Microsystems Inc A wafer level packaged structure and method for manufacturing the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002043554A (ja) 2000-07-17 2002-02-08 Orient Semiconductor Electronics Ltd Ｃｃｄパッケージ・モジュール
KR20020009087A (ko) * 2000-07-24 2002-02-01 한신혁 반도체 패키지 및 그 패키지 방법

Also Published As

Publication number Publication date
WO2005069375A1 (en) 2005-07-28
JP2007523473A (ja) 2007-08-16
KR20060130100A (ko) 2006-12-18
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US6943423B2 (en) 2005-09-13

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