JP2003032558A - イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法 - Google Patents
イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法Info
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- JP2003032558A JP2003032558A JP2001213267A JP2001213267A JP2003032558A JP 2003032558 A JP2003032558 A JP 2003032558A JP 2001213267 A JP2001213267 A JP 2001213267A JP 2001213267 A JP2001213267 A JP 2001213267A JP 2003032558 A JP2003032558 A JP 2003032558A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型化が可能なイメージセンサＩＣパッケージ
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ガラス基板上に透明導体パターンを形成
し、該透明導体パターンのイメージセンサＩＣ実装用電
極部と入出力端子部には金めっきを施し、イメージセン
サＩＣを前記ガラス基板上にフリップチップ実装し、チ
ップ周辺を樹脂で封止し、入出力端子部にはフレキシブ
ルプリント配線板を実装する。
およびその製造方法を提供することを目的とする。 【解決手段】ガラス基板上に透明導体パターンを形成
し、該透明導体パターンのイメージセンサＩＣ実装用電
極部と入出力端子部には金めっきを施し、イメージセン
サＩＣを前記ガラス基板上にフリップチップ実装し、チ
ップ周辺を樹脂で封止し、入出力端子部にはフレキシブ
ルプリント配線板を実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイメージセンサＩＣ
パッケージに係り、特にＣＯＧ（チップ・オン・ガラ
ス）工法を用いたイメージセンサＩＣパッケージおよび
その製造方法に関するものである。
パッケージに係り、特にＣＯＧ（チップ・オン・ガラ
ス）工法を用いたイメージセンサＩＣパッケージおよび
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年の電子部品の発達と画像処理技術や
伝送技術の向上により、小型イメージセンサの需要が高
まっている。従来の小型イメージセンサＩＣパッケージ
は一般に図２に示す構造を有している。図２において、
２１はイメージセンサＩＣ、２１ａはイメージセンサＩ
Ｃ２１のイメージセンサ部、２１ｂはイメージセンサＩ
Ｃ２１の電極、２２はセラミックヘッダー、２２ａはセ
ラミックヘッダー２２のキャビティ内電極、２３はワイ
ヤボンディングによる配線、２４はガラス製のふたであ
る。セラミックヘッダー２２内にイメージセンサＩＣ２
１をダイマウントし、ワイヤボンディングでキャビティ
内の電極２２ａと接続していた。また、セラミックヘッ
ダー２２にガラス製のふた２４を接着剤にて固着し封止
する構造になっている。
伝送技術の向上により、小型イメージセンサの需要が高
まっている。従来の小型イメージセンサＩＣパッケージ
は一般に図２に示す構造を有している。図２において、
２１はイメージセンサＩＣ、２１ａはイメージセンサＩ
Ｃ２１のイメージセンサ部、２１ｂはイメージセンサＩ
Ｃ２１の電極、２２はセラミックヘッダー、２２ａはセ
ラミックヘッダー２２のキャビティ内電極、２３はワイ
ヤボンディングによる配線、２４はガラス製のふたであ
る。セラミックヘッダー２２内にイメージセンサＩＣ２
１をダイマウントし、ワイヤボンディングでキャビティ
内の電極２２ａと接続していた。また、セラミックヘッ
ダー２２にガラス製のふた２４を接着剤にて固着し封止
する構造になっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、パッケ
ージ外形寸法は面積がイメージセンサＩＣチップの約６
倍、高さがイメージセンサＩＣチップの数倍と大きく、
したがって、撮像モジュール外形が大きくなってしま
い、装置の形状を小型化する上での障害になるという問
題があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、小型化が可能なイメージセンサＩＣパッケ
ージを提供することを目的とする。
ージ外形寸法は面積がイメージセンサＩＣチップの約６
倍、高さがイメージセンサＩＣチップの数倍と大きく、
したがって、撮像モジュール外形が大きくなってしま
い、装置の形状を小型化する上での障害になるという問
題があった。本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたもので、小型化が可能なイメージセンサＩＣパッケ
ージを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１のイメージセン
サＩＣパッケージは、ガラス基板上のＩＣ実装用電極に
フリップチップ実装したイメージセンサＩＣのチップ周
辺を樹脂封止し、前記ガラス基板上の入出力端子にフレ
キシブルプリント配線板を接続した構造を有することを
特徴とする。
サＩＣパッケージは、ガラス基板上のＩＣ実装用電極に
フリップチップ実装したイメージセンサＩＣのチップ周
辺を樹脂封止し、前記ガラス基板上の入出力端子にフレ
キシブルプリント配線板を接続した構造を有することを
特徴とする。
【０００５】請求項２のイメージセンサＩＣパッケージ
の製造方法は、ガラス基板上に導体パターンを形成し、
該導体パターンの内少なくともイメージセンサＩＣ実装
用電極部および入出力端子部には金めっきを施し、イメ
ージセンサＩＣの電極には金バンプを形成し、該イメー
ジセンサＩＣを前記ガラス基板のイメージセンサＩＣ実
装用電極部に位置決め載置してフリップチップ実装し、
チップ周辺を樹脂で封止し、前記ガラス基板の入出力端
子部にフレキシブルプリント配線板を圧接実装すること
を特徴とする。
の製造方法は、ガラス基板上に導体パターンを形成し、
該導体パターンの内少なくともイメージセンサＩＣ実装
用電極部および入出力端子部には金めっきを施し、イメ
ージセンサＩＣの電極には金バンプを形成し、該イメー
ジセンサＩＣを前記ガラス基板のイメージセンサＩＣ実
装用電極部に位置決め載置してフリップチップ実装し、
チップ周辺を樹脂で封止し、前記ガラス基板の入出力端
子部にフレキシブルプリント配線板を圧接実装すること
を特徴とする。
【０００６】上記のイメージセンサＩＣパッケージによ
れば、セラミックヘッダーを使用すること無く、ワイヤ
ボンディングによる配線も不要のＣＯＧ工法によるパッ
ケージが得られるので、小型、軽量の電子機器設計に有
利なイメージセンサＩＣパッケージを提供することがで
きる。
れば、セラミックヘッダーを使用すること無く、ワイヤ
ボンディングによる配線も不要のＣＯＧ工法によるパッ
ケージが得られるので、小型、軽量の電子機器設計に有
利なイメージセンサＩＣパッケージを提供することがで
きる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の具体的実
施例であるＣＯＧ工法によるイメージセンサＩＣパッケ
ージを模式図で示す。図１において、１はイメージセン
サＩＣ、１ａはイメージセンサＩＣ１のイメージセンサ
部、１ｂはイメージセンサＩＣ１の金バンプ、２はガラ
ス基板、２ａはガラス基板２上のパターン、３は外部回
路へ接続するためのフレキシブルプリント配線板、４は
アンダーフィル樹脂を示す。
て図面を参照して説明する。図１は、本発明の具体的実
施例であるＣＯＧ工法によるイメージセンサＩＣパッケ
ージを模式図で示す。図１において、１はイメージセン
サＩＣ、１ａはイメージセンサＩＣ１のイメージセンサ
部、１ｂはイメージセンサＩＣ１の金バンプ、２はガラ
ス基板、２ａはガラス基板２上のパターン、３は外部回
路へ接続するためのフレキシブルプリント配線板、４は
アンダーフィル樹脂を示す。
【０００８】ガラス基板２上に形成するパターン２ａ
は、液晶表示装置の表示画素用電極を形成する方法を適
用する。例えば、ガラス基板２に、スパッタリング法に
より、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）透明電極膜を形成
し、パターン２ａ部以外をめっきレジストで覆い、パタ
ーン２ａ部に電解または無電解金めっきを施す。めっき
レジスト剥離後、ＩＴＯ透明電極膜をエッチングするこ
とで所望のパターン２ａを得る。このパターン２ａ形成
に先立ち、ガラス基板２のイメージセンサ部１ａに対向
する部分をマスキングし、失透を防ぐことが重要であ
る。
は、液晶表示装置の表示画素用電極を形成する方法を適
用する。例えば、ガラス基板２に、スパッタリング法に
より、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）透明電極膜を形成
し、パターン２ａ部以外をめっきレジストで覆い、パタ
ーン２ａ部に電解または無電解金めっきを施す。めっき
レジスト剥離後、ＩＴＯ透明電極膜をエッチングするこ
とで所望のパターン２ａを得る。このパターン２ａ形成
に先立ち、ガラス基板２のイメージセンサ部１ａに対向
する部分をマスキングし、失透を防ぐことが重要であ
る。
【０００９】前記パターン２ａ形成済みのガラス基板２
上の前記実装用電極上に、金バンプ１ｂを形成したイメ
ージセンサＩＣ１のフリップチップ実装を行なうが、こ
のフリップチップ実装には、超音波工法や圧接工法があ
る。
上の前記実装用電極上に、金バンプ１ｂを形成したイメ
ージセンサＩＣ１のフリップチップ実装を行なうが、こ
のフリップチップ実装には、超音波工法や圧接工法があ
る。
【００１０】超音波工法による場合は、接合部位を加熱
しながら加圧し、超音波振動を加えることでイメージセ
ンサＩＣ１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセ
ンサＩＣ実装用電極部との接合を行なう。接合完了後、
イメージセンサＩＣ１の周辺に熱硬化型あるいは紫外線
硬化型の樹脂４を塗布することで、塵埃や湿気からイメ
ージセンサ部１ａを保護する封止効果、イメージセンサ
への邪魔な光の進入を防ぐ遮光効果、イメージセンサＩ
Ｃ１とガラス基板との接続信頼性向上のアンダーフィル
効果を持たせる。
しながら加圧し、超音波振動を加えることでイメージセ
ンサＩＣ１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセ
ンサＩＣ実装用電極部との接合を行なう。接合完了後、
イメージセンサＩＣ１の周辺に熱硬化型あるいは紫外線
硬化型の樹脂４を塗布することで、塵埃や湿気からイメ
ージセンサ部１ａを保護する封止効果、イメージセンサ
への邪魔な光の進入を防ぐ遮光効果、イメージセンサＩ
Ｃ１とガラス基板との接続信頼性向上のアンダーフィル
効果を持たせる。
【００１１】圧接工法による場合は、導電性粒子無しの
透明樹脂をガラス基板２へ塗布し、イメージセンサＩＣ
１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセンサＩＣ
実装用電極部の位置合わせをしてイメージセンサＩＣ１
を圧接し、前記樹脂を加熱して硬化することで接続を図
る。この場合には、該透明樹脂により既に封止効果とア
ンダーフィル効果がそなわっているので、単に遮光効果
を持たせるための樹脂塗布を追加するだけでよい。
透明樹脂をガラス基板２へ塗布し、イメージセンサＩＣ
１の金バンプ１ｂとガラス基板２のイメージセンサＩＣ
実装用電極部の位置合わせをしてイメージセンサＩＣ１
を圧接し、前記樹脂を加熱して硬化することで接続を図
る。この場合には、該透明樹脂により既に封止効果とア
ンダーフィル効果がそなわっているので、単に遮光効果
を持たせるための樹脂塗布を追加するだけでよい。
【００１２】外部端子とフレキシブルプリント配線板３
の接続は、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）あるい
はＮＣＦ（非導電性フィルム）を用いて圧着実装を行な
う。
の接続は、例えばＡＣＦ（異方性導電フィルム）あるい
はＮＣＦ（非導電性フィルム）を用いて圧着実装を行な
う。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、イメージセンサＩＣを
ガラス基板に直接フリップチップ実装し、同ガラス基板
の入出力端子にフレキシブルプリント配線板を圧着実装
するので、従来ヘッダに施したキャビティやワイヤボン
ディング電極、ワイヤボンディング配線等の余分な配線
やスペースが不要になり、小型化、軽量化が図れる。ま
た、配線経路が短くなるため、信号の伝送にあたってノ
イズを低減することができる。
ガラス基板に直接フリップチップ実装し、同ガラス基板
の入出力端子にフレキシブルプリント配線板を圧着実装
するので、従来ヘッダに施したキャビティやワイヤボン
ディング電極、ワイヤボンディング配線等の余分な配線
やスペースが不要になり、小型化、軽量化が図れる。ま
た、配線経路が短くなるため、信号の伝送にあたってノ
イズを低減することができる。
【図１】本発明の１実施の形態であるイメージセンサＩ
Ｃのパッケージ模式図である。
Ｃのパッケージ模式図である。
【図２】従来の小型イメージセンサＩＣパッケージ模式
図である。
図である。
１ イメージセンサＩＣ
１ａ イメージセンサＩＣ１のイメージセンサ部
１ｂ イメージセンサＩＣ１の金バンプ
２ ガラス基板
２ａ ガラス基板２上のパターン
３ フレキシブルプリント配線板
４ アンダーフィル樹脂
２１ イメージセンサＩＣ
２１ａ イメージセンサＩＣ２１のイメージセンサ部
２１ｂ イメージセンサＩＣ２１の電極
２２ セラミックヘッダー
２２ａ セラミックヘッダー２２のキャビティ内電極
２３ ワイヤボンディングによる配線
２４ ガラス製のふた
Claims (2)
- 【請求項１】 ガラス基板上のＩＣ実装用電極にフリッ
プチップ実装したイメージセンサＩＣのチップ周辺を樹
脂封止し、前記ガラス基板上の入出力端子にフレキシブ
ルプリント配線板を接続した構造を有することを特徴と
するイメージセンサＩＣパッケージ。 - 【請求項２】 ガラス基板上に導体パターンを形成し、
該導体パターンの内少なくともイメージセンサＩＣ実装
用電極部および入出力端子部には金めっきを施し、イメ
ージセンサＩＣの電極には金バンプを形成し、該イメー
ジセンサＩＣを前記ガラス基板のイメージセンサＩＣ実
装用電極部に位置決め載置してフリップチップ実装し、
チップ周辺を樹脂で封止し、前記ガラス基板の入出力端
子部にフレキシブルプリント配線板を圧接実装すること
を特徴とするイメージセンサＩＣパッケージの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213267A JP2003032558A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001213267A JP2003032558A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003032558A true JP2003032558A (ja) | 2003-01-31 |
Family
ID=19048278
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001213267A Pending JP2003032558A (ja) | 2001-07-13 | 2001-07-13 | イメージセンサｉｃパッケージおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003032558A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005069375A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| US7141869B2 (en) | 2004-11-08 | 2006-11-28 | Optopac, Inc. | Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof |
| CN100416847C (zh) * | 2005-09-01 | 2008-09-03 | 南茂科技股份有限公司 | 影像感测器的玻璃倒装晶片封装构造 |
| CN105321895A (zh) * | 2014-05-26 | 2016-02-10 | 南茂科技股份有限公司 | 薄膜倒装芯片封装结构及其可挠性线路载板 |
-
2001
- 2001-07-13 JP JP2001213267A patent/JP2003032558A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6943423B2 (en) | 2003-10-01 | 2005-09-13 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| US7291518B2 (en) | 2003-10-01 | 2007-11-06 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| WO2005069375A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-28 | Optopac, Inc. | Electronic package of photo-image sensors in cellular phone camera modules, and the fabrication and assembly thereof |
| US7141869B2 (en) | 2004-11-08 | 2006-11-28 | Optopac, Inc. | Electronic package for image sensor, and the packaging method thereof |
| CN100416847C (zh) * | 2005-09-01 | 2008-09-03 | 南茂科技股份有限公司 | 影像感测器的玻璃倒装晶片封装构造 |
| CN105321895A (zh) * | 2014-05-26 | 2016-02-10 | 南茂科技股份有限公司 | 薄膜倒装芯片封装结构及其可挠性线路载板 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050117 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050125 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050531 |