JP2003163342A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2003163342A JP2003163342A JP2001363574A JP2001363574A JP2003163342A JP 2003163342 A JP2003163342 A JP 2003163342A JP 2001363574 A JP2001363574 A JP 2001363574A JP 2001363574 A JP2001363574 A JP 2001363574A JP 2003163342 A JP2003163342 A JP 2003163342A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- imaging device
- state imaging
- chip
- flat plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 21
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
Abstract
(57)【要約】
【課題】 気泡の混入を抑えることができると共に高さ
調整が可能で、強度のある高信頼性の気密封止部を備
え、且つウエーハレベルで精度よく製造可能な固体撮像
装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子チップ１上の受光部２を除
く縁部の封止領域４に、フィラー８を添加した接着剤層
７を接着し、該接着剤層７上にガラス等の透明部材６を
接着して気密封止部を設けた固体撮像装置を構成する。
調整が可能で、強度のある高信頼性の気密封止部を備
え、且つウエーハレベルで精度よく製造可能な固体撮像
装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 固体撮像素子チップ１上の受光部２を除
く縁部の封止領域４に、フィラー８を添加した接着剤層
７を接着し、該接着剤層７上にガラス等の透明部材６を
接着して気密封止部を設けた固体撮像装置を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体撮像素子チ
ップを気密封止して実装してなる固体撮像装置及びその
製造方法に関する。
ップを気密封止して実装してなる固体撮像装置及びその
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器においては、例えば携帯
機器を中心として小型化が進み、それに伴って、その筐
体及び内部回路基板においても更なる小型化が求められ
ている。この機器の小型化への要求により、回路基板へ
の実装部品の一つである半導体素子も例外ではなく、小
型化が要求されている。そして、半導体素子の一つであ
る固体撮像素子についても同様である。
機器を中心として小型化が進み、それに伴って、その筐
体及び内部回路基板においても更なる小型化が求められ
ている。この機器の小型化への要求により、回路基板へ
の実装部品の一つである半導体素子も例外ではなく、小
型化が要求されている。そして、半導体素子の一つであ
る固体撮像素子についても同様である。
【０００３】固体撮像素子については、従来より図10に
代表される実装手法が一般的である。すなわち、固体撮
像素子チップ101 をセラミックなどからなるパッケージ
102にダイボンドし、ボンディングワイヤ103 を用いて
固体撮像素子チップ101 とパッケージ102 との所定の電
気的接続を行った後、パッケージ102 の縁部に設けた段
部104 を用いて、固体撮像素子チップ101 の表面との間
に空間を設けて、ガラスリッド105 を接着して気密封止
し、固体撮像装置を構成している。なお図10において、
106 は外部リードを示している。
代表される実装手法が一般的である。すなわち、固体撮
像素子チップ101 をセラミックなどからなるパッケージ
102にダイボンドし、ボンディングワイヤ103 を用いて
固体撮像素子チップ101 とパッケージ102 との所定の電
気的接続を行った後、パッケージ102 の縁部に設けた段
部104 を用いて、固体撮像素子チップ101 の表面との間
に空間を設けて、ガラスリッド105 を接着して気密封止
し、固体撮像装置を構成している。なお図10において、
106 は外部リードを示している。
【０００４】ところで、このようにパッケージ102 とガ
ラスリッド105 を用いて、固体撮像素子チップ全体の気
密封止を行うと、実装形状が大きくなってしまい、小型
化実装を必要とする分野への適用が困難であった。
ラスリッド105 を用いて、固体撮像素子チップ全体の気
密封止を行うと、実装形状が大きくなってしまい、小型
化実装を必要とする分野への適用が困難であった。
【０００５】このような不具合を解消するために、本件
出願人は、先に図11に示すような固体撮像装置を、特開
２００１−２５７３３４号にて提案した。この提案の固
体撮像装置は、固体撮像素子チップ201 上の受光エリア
に対応する部分にのみに穴あけしたエポキシ系樹脂シー
ト202 を接着剤203 を用いて固体撮像素子チップ201と
気密封止用の平板部204 に接着して構成するものであ
る。ここで、エポキシ系樹脂シート202 が気密封止部の
枠部となる。
出願人は、先に図11に示すような固体撮像装置を、特開
２００１−２５７３３４号にて提案した。この提案の固
体撮像装置は、固体撮像素子チップ201 上の受光エリア
に対応する部分にのみに穴あけしたエポキシ系樹脂シー
ト202 を接着剤203 を用いて固体撮像素子チップ201と
気密封止用の平板部204 に接着して構成するものであ
る。ここで、エポキシ系樹脂シート202 が気密封止部の
枠部となる。
【０００６】このような構成の固体撮像装置により、小
型化実装が可能になると共に、特にマイクロレンズ付固
体撮像装置においては、気密封止部の表面にフィルタ、
レンズ、プリズム等の光学部品を接着しても、マイクロ
レンズの集光能力の低下を伴わない固体撮像装置の実現
が可能になった。更に、気密封止部は固体撮像素子チッ
プのウエーハ状態で全チップ一括して形成可能となり、
製造方法においても簡単になった。
型化実装が可能になると共に、特にマイクロレンズ付固
体撮像装置においては、気密封止部の表面にフィルタ、
レンズ、プリズム等の光学部品を接着しても、マイクロ
レンズの集光能力の低下を伴わない固体撮像装置の実現
が可能になった。更に、気密封止部は固体撮像素子チッ
プのウエーハ状態で全チップ一括して形成可能となり、
製造方法においても簡単になった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記先
に提案した固体撮像装置にも次のような課題がある。ま
ず、平板部とエポキシ系樹脂シートを接着剤で貼り合せ
る際に、気泡が混入する恐れがある。必要以上の気泡の
混入は、外部とのエアパスを作ることとなり、信頼性上
好ましくない。更に、気泡を排除して貼り合せようとす
ると、ビルドアップ基板の作成で使用されるような専用
の装置が必要となり、コスト上昇につながる。
に提案した固体撮像装置にも次のような課題がある。ま
ず、平板部とエポキシ系樹脂シートを接着剤で貼り合せ
る際に、気泡が混入する恐れがある。必要以上の気泡の
混入は、外部とのエアパスを作ることとなり、信頼性上
好ましくない。更に、気泡を排除して貼り合せようとす
ると、ビルドアップ基板の作成で使用されるような専用
の装置が必要となり、コスト上昇につながる。
【０００８】更に、気密封止部の枠部となるエポキシ系
樹脂シートにより、気密封止部のキャビティ部を形成す
るには、型抜き加工を予め行ったエポキシ系樹脂シート
をハンドリングしなければならず、作業性が悪く、また
枠部となる部分を残すような型抜きを行わなければなら
ず、複雑なパターン成形は困難になる恐れがある。
樹脂シートにより、気密封止部のキャビティ部を形成す
るには、型抜き加工を予め行ったエポキシ系樹脂シート
をハンドリングしなければならず、作業性が悪く、また
枠部となる部分を残すような型抜きを行わなければなら
ず、複雑なパターン成形は困難になる恐れがある。
【０００９】一方、接着剤層のみで枠部となるフィルム
を形成しようとする場合は、枠部の高さを決定する部材
が含まれていないため、気密封止用の平板部の圧着後
に、枠部の高さが不揃いになる可能性がある。更に、枠
部は強度的にも不十分であることが予測され、信頼性に
課題が残る可能性もある。
を形成しようとする場合は、枠部の高さを決定する部材
が含まれていないため、気密封止用の平板部の圧着後
に、枠部の高さが不揃いになる可能性がある。更に、枠
部は強度的にも不十分であることが予測され、信頼性に
課題が残る可能性もある。
【００１０】本発明は、上記課題に鑑みなされたもの
で、小型化実装が可能であると共に簡単な手法で、且つ
ウエーハレベルで製造可能な精度の良い、信頼性のある
気密封止部を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。請求項毎の目的を述べると、
次の通りである。すなわち、請求項１に係る発明は、気
泡の混入を抑えると共に高さ調整が可能で強度のある枠
部を備えることにより、小型化が可能で、且つ信頼性の
ある気密封止部を備えた固体撮像装置を提供することを
目的とする。請求項２に係る発明は、簡単且つ最適に気
密封止部を形成することが可能な固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。請求項３に係る発明は、固体撮像
素子における不要光の遮蔽効果を別個の遮光部材を設け
ることなく得られるようにした固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。請求項４に係る発明は、本発明に係
る気密封止部の構造を備えた固体撮像素子チップと外部
端子との最適な電気的接続構造を提供することを目的と
する。請求項５に係る発明は、固体撮像素子チップへの
合わせ精度のよい気密封止部を容易に形成することが可
能な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
で、小型化実装が可能であると共に簡単な手法で、且つ
ウエーハレベルで製造可能な精度の良い、信頼性のある
気密封止部を備えた固体撮像装置及びその製造方法を提
供することを目的とする。請求項毎の目的を述べると、
次の通りである。すなわち、請求項１に係る発明は、気
泡の混入を抑えると共に高さ調整が可能で強度のある枠
部を備えることにより、小型化が可能で、且つ信頼性の
ある気密封止部を備えた固体撮像装置を提供することを
目的とする。請求項２に係る発明は、簡単且つ最適に気
密封止部を形成することが可能な固体撮像装置を提供す
ることを目的とする。請求項３に係る発明は、固体撮像
素子における不要光の遮蔽効果を別個の遮光部材を設け
ることなく得られるようにした固体撮像装置を提供する
ことを目的とする。請求項４に係る発明は、本発明に係
る気密封止部の構造を備えた固体撮像素子チップと外部
端子との最適な電気的接続構造を提供することを目的と
する。請求項５に係る発明は、固体撮像素子チップへの
合わせ精度のよい気密封止部を容易に形成することが可
能な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め、請求項１に係る発明は、固体撮像素子チップ上に透
明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に配置され
た枠部とから成る気密封止部が設けられた固体撮像装置
において、前記枠部がフィラー入り接着剤層で構成され
ていることを特徴とするものである。
め、請求項１に係る発明は、固体撮像素子チップ上に透
明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に配置され
た枠部とから成る気密封止部が設けられた固体撮像装置
において、前記枠部がフィラー入り接着剤層で構成され
ていることを特徴とするものである。
【００１２】このような構成により、高さ調整が可能で
強度のある枠部を形成することができ、小型化が可能
で、且つ信頼性のある気密封止部を備えた固体撮像装置
を提供することができる。
強度のある枠部を形成することができ、小型化が可能
で、且つ信頼性のある気密封止部を備えた固体撮像装置
を提供することができる。
【００１３】請求項２に係る発明は、請求項１に係る固
体撮像装置において、前記枠部は、前記平板部の下面縁
部あるいは固体撮像素子チップ縁部のいずれか一方に接
着剤を塗布して形成され、もしくは前記平板部の下面縁
部及び固体撮像素子チップ縁部の両面に塗布形成した接
着剤層を貼り合わせて形成されていることを特徴とする
ものである。このような構成により、より簡単に且つ最
適に気密封止部を備えることができると共に、気泡の混
入を抑えることができる固体撮像装置を提供することが
できる。
体撮像装置において、前記枠部は、前記平板部の下面縁
部あるいは固体撮像素子チップ縁部のいずれか一方に接
着剤を塗布して形成され、もしくは前記平板部の下面縁
部及び固体撮像素子チップ縁部の両面に塗布形成した接
着剤層を貼り合わせて形成されていることを特徴とする
ものである。このような構成により、より簡単に且つ最
適に気密封止部を備えることができると共に、気泡の混
入を抑えることができる固体撮像装置を提供することが
できる。
【００１４】請求項３に係る発明は、請求項１又は２に
係る固体撮像装置において、前記枠部を構成するフィラ
ー入り接着剤層は、着色などによる遮光機能を備えてい
ることを特徴とするものである。このような構成によ
り、固体撮像素子における不要光の遮蔽効果を気密封止
部の封止領域に持たせることが可能となる。
係る固体撮像装置において、前記枠部を構成するフィラ
ー入り接着剤層は、着色などによる遮光機能を備えてい
ることを特徴とするものである。このような構成によ
り、固体撮像素子における不要光の遮蔽効果を気密封止
部の封止領域に持たせることが可能となる。
【００１５】請求項４に係る発明は、請求項１〜３のい
ずれか１項に係る固体撮像装置において、固体撮像素子
チップ上に設けた電極パッドから前記固体撮像素子チッ
プ側面あるいは裏面に亙って配線領域を形成し、該配線
領域に外部端子を電気的に接続できるように構成したこ
とを特徴とするものである。このような構成により、本
発明に係る気密封止部の構造を備えた固体撮像素子チッ
プと外部端子との最適な電気的接続構造を提供すること
ができると共に、種々の実装形態への応用が可能とな
る。
ずれか１項に係る固体撮像装置において、固体撮像素子
チップ上に設けた電極パッドから前記固体撮像素子チッ
プ側面あるいは裏面に亙って配線領域を形成し、該配線
領域に外部端子を電気的に接続できるように構成したこ
とを特徴とするものである。このような構成により、本
発明に係る気密封止部の構造を備えた固体撮像素子チッ
プと外部端子との最適な電気的接続構造を提供すること
ができると共に、種々の実装形態への応用が可能とな
る。
【００１６】請求項５に係る発明は、請求項１〜４のい
ずれか１項に係る固体撮像装置の製造方法において、透
明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に配置され
たフィラー入り接着剤層からなる枠部とで構成される気
密封止部を、多数の固体撮像素子チップが形成されたウ
エーハ全体に亘って一体的に形成する工程を備えている
ことを特徴とするものである。このような工程を用いる
ことにより、ウエーハ状態での各固体撮像素子チップに
気密封止部を一括して形成することが可能となり、した
がって固体撮像素子チップ上に合わせ精度の良い気密封
止部を備えた固体撮像装置を容易に製造することができ
る。
ずれか１項に係る固体撮像装置の製造方法において、透
明部材からなる平板部と該平板部の下面縁部に配置され
たフィラー入り接着剤層からなる枠部とで構成される気
密封止部を、多数の固体撮像素子チップが形成されたウ
エーハ全体に亘って一体的に形成する工程を備えている
ことを特徴とするものである。このような工程を用いる
ことにより、ウエーハ状態での各固体撮像素子チップに
気密封止部を一括して形成することが可能となり、した
がって固体撮像素子チップ上に合わせ精度の良い気密封
止部を備えた固体撮像装置を容易に製造することができ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、本発明に係る固体撮像装置
及びその製造方法の実施の形態について説明する。ま
ず、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について説
明する。図１及び図２は、本発明に係る固体撮像装置の
実施の形態を示す平面図及び断面図である。両図におい
て、１は固体撮像素子チップで、受光部２を除く封止領
域４にフィラー８を添加した接着剤層７が接着され、接
着剤層７上にはガラスなどの透明部材６が接着され、固
体撮像装置が構成されている。したがって、この構成に
おいては、フィラー８が添加された接着剤層７が枠部
９、透明部材６が平板部となる気密封止部が形成されて
いる。なお、図１において、３は被気密封止部で、５
ａ，５ｂは固体撮像素子チップ１の受光部２の走査回路
などの周辺回路部である。ここで、枠部９の高さはフィ
ラー８の大きさ、すなわち粒径により決定される。ま
た、枠部９は平板部となる透明部材６を保持するための
強度があり、且つ固体撮像素子チップ１の特性に影響を
与えない限りにおいて、その枠幅を問わない。
及びその製造方法の実施の形態について説明する。ま
ず、本発明に係る固体撮像装置の実施の形態について説
明する。図１及び図２は、本発明に係る固体撮像装置の
実施の形態を示す平面図及び断面図である。両図におい
て、１は固体撮像素子チップで、受光部２を除く封止領
域４にフィラー８を添加した接着剤層７が接着され、接
着剤層７上にはガラスなどの透明部材６が接着され、固
体撮像装置が構成されている。したがって、この構成に
おいては、フィラー８が添加された接着剤層７が枠部
９、透明部材６が平板部となる気密封止部が形成されて
いる。なお、図１において、３は被気密封止部で、５
ａ，５ｂは固体撮像素子チップ１の受光部２の走査回路
などの周辺回路部である。ここで、枠部９の高さはフィ
ラー８の大きさ、すなわち粒径により決定される。ま
た、枠部９は平板部となる透明部材６を保持するための
強度があり、且つ固体撮像素子チップ１の特性に影響を
与えない限りにおいて、その枠幅を問わない。
【００１８】なお、枠部９となる接着剤層７を形成する
フィラー入り接着剤としては、フィラー８とは別に、特
性に影響を与えない程度にチキソ性（チキソトロピー）
付与剤を添加することにより、枠部形成前の攪拌作業や
枠部形成時には粘度が低下し、静置することで粘度が枠
部の形状を保持できる程度に増加するように、調整する
ことが重要である。すなわち、高チキソ性を有する接着
剤が好ましい。このような接着剤としては、エポキシ系
やシリコーン系の接着剤などが挙げられるが、これに限
定されるものではなく、上記特性を有すると共に、固体
撮像素子チップ１及び平板部である透明部材６との接着
強度が十分にあり、更に後述する接着工程において、接
着時に受光部２等の被気密封止部３への侵入が極力避け
られるような材質であれば、何を用いてもよい。
フィラー入り接着剤としては、フィラー８とは別に、特
性に影響を与えない程度にチキソ性（チキソトロピー）
付与剤を添加することにより、枠部形成前の攪拌作業や
枠部形成時には粘度が低下し、静置することで粘度が枠
部の形状を保持できる程度に増加するように、調整する
ことが重要である。すなわち、高チキソ性を有する接着
剤が好ましい。このような接着剤としては、エポキシ系
やシリコーン系の接着剤などが挙げられるが、これに限
定されるものではなく、上記特性を有すると共に、固体
撮像素子チップ１及び平板部である透明部材６との接着
強度が十分にあり、更に後述する接着工程において、接
着時に受光部２等の被気密封止部３への侵入が極力避け
られるような材質であれば、何を用いてもよい。
【００１９】一方、フィラー８としては、フィラーが添
加される接着剤と化学的に安定であり、絶縁性があり且
つ固体撮像素子チップ１と透明部材６の圧着時に破壊さ
れない程度の強度を備えていることが重要である。この
ようなフィラー８として、シリカ等が挙げられるが、上
記条件を満たした材質であれば何でもよい。フィラー８
の径について、望ましくは50μｍ程度必要であるが、固
体撮像素子チップ１上に形成されたマイクロレンズ等の
立体物の大きさに対して、余裕を持てるフィラー径を選
定することが望ましい。また、平板部となる透明部材６
としては、ガラスの他に石英あるいはサファイヤなどが
望ましい。
加される接着剤と化学的に安定であり、絶縁性があり且
つ固体撮像素子チップ１と透明部材６の圧着時に破壊さ
れない程度の強度を備えていることが重要である。この
ようなフィラー８として、シリカ等が挙げられるが、上
記条件を満たした材質であれば何でもよい。フィラー８
の径について、望ましくは50μｍ程度必要であるが、固
体撮像素子チップ１上に形成されたマイクロレンズ等の
立体物の大きさに対して、余裕を持てるフィラー径を選
定することが望ましい。また、平板部となる透明部材６
としては、ガラスの他に石英あるいはサファイヤなどが
望ましい。
【００２０】次に、図３乃至図７を参照しながら、本発
明に係る固体撮像装置の製造方法の実施の形態について
簡単に説明する。まず、図３及び図４に示すように、ガ
ラスなどからなる、多数の固体撮像素子チップを形成し
たウエーハに対応する透明部材６ａ上に、フィラー及び
チキソ性付与剤を添加した接着剤からなる気密封止部の
枠部９ａを個々の固体撮像素子チップに対応させて一体
的に形成する。枠部９ａの形成にあたっては、図４に示
すように接着剤に添加されるフィラー８が十分通過でき
る穴があいているメッシュ領域11を有するマスク10によ
り接着剤をパターン印刷し、しばらく静置して粘性を増
大させてダレを防ぐ。あるいは熱を加え、仮硬化しても
よい。なお、接着剤には、マスクメッシュのサイズや添
加するフィラー更には枠部の幅・形状を考慮し、使用し
やすい粘度になるようにチキソ性付与剤の添加量を調整
する。ここで、枠部９ａの形状及び領域すなわち封止領
域は、気密封止部の完成時に固体撮像素子チップ１の受
光部２が除かれ、受光部２に悪影響を及ぼさない形状及
び領域であれば任意でよい。また、後述するように、実
装構成により封止領域を任意に設定できる。なお、図３
及び図４において、12は後述のダイシング用のスクライ
ブラインである。
明に係る固体撮像装置の製造方法の実施の形態について
簡単に説明する。まず、図３及び図４に示すように、ガ
ラスなどからなる、多数の固体撮像素子チップを形成し
たウエーハに対応する透明部材６ａ上に、フィラー及び
チキソ性付与剤を添加した接着剤からなる気密封止部の
枠部９ａを個々の固体撮像素子チップに対応させて一体
的に形成する。枠部９ａの形成にあたっては、図４に示
すように接着剤に添加されるフィラー８が十分通過でき
る穴があいているメッシュ領域11を有するマスク10によ
り接着剤をパターン印刷し、しばらく静置して粘性を増
大させてダレを防ぐ。あるいは熱を加え、仮硬化しても
よい。なお、接着剤には、マスクメッシュのサイズや添
加するフィラー更には枠部の幅・形状を考慮し、使用し
やすい粘度になるようにチキソ性付与剤の添加量を調整
する。ここで、枠部９ａの形状及び領域すなわち封止領
域は、気密封止部の完成時に固体撮像素子チップ１の受
光部２が除かれ、受光部２に悪影響を及ぼさない形状及
び領域であれば任意でよい。また、後述するように、実
装構成により封止領域を任意に設定できる。なお、図３
及び図４において、12は後述のダイシング用のスクライ
ブラインである。
【００２１】次に、図５乃至図７に示すように、多数の
固体撮像素子チップ１が形成されたウエーハ13上に、枠
部９ａが形成された透明部材６ａを反転して配置し、ア
ライメントを行って圧着する。その際、枠部９ａの高さ
はフィラー８の径により一律に決定される。ここでの重
要な点は、圧着する際に枠部９ａを構成する接着剤がは
み出して固体撮像素子チップ１の受光部２に悪影響を与
えないように、広がりを考慮した接着剤量を予め設定し
ておくことである。なお、固体撮像素子チップ１にはマ
イクロレンズあるいはカラーフィルタなどがオンチップ
で、あるいは貼り合わせ等によって形成されていてもよ
い。また平板部となる透明部材６ａのウエーハ13への接
着については、ウエーハ13における固体撮像素子チップ
１の製造時におけるアライメントマークを利用すること
ができ、正確な位置合わせが可能となるため、精度よく
気密封止部を形成できる。続いて、スクライブライン12
に沿ってウエーハ13及び透明部材６ａをダイシングする
ことにより、図２に示すような、平板部と枠部とからな
る気密封止部を備えた固体撮像装置が得られる。
固体撮像素子チップ１が形成されたウエーハ13上に、枠
部９ａが形成された透明部材６ａを反転して配置し、ア
ライメントを行って圧着する。その際、枠部９ａの高さ
はフィラー８の径により一律に決定される。ここでの重
要な点は、圧着する際に枠部９ａを構成する接着剤がは
み出して固体撮像素子チップ１の受光部２に悪影響を与
えないように、広がりを考慮した接着剤量を予め設定し
ておくことである。なお、固体撮像素子チップ１にはマ
イクロレンズあるいはカラーフィルタなどがオンチップ
で、あるいは貼り合わせ等によって形成されていてもよ
い。また平板部となる透明部材６ａのウエーハ13への接
着については、ウエーハ13における固体撮像素子チップ
１の製造時におけるアライメントマークを利用すること
ができ、正確な位置合わせが可能となるため、精度よく
気密封止部を形成できる。続いて、スクライブライン12
に沿ってウエーハ13及び透明部材６ａをダイシングする
ことにより、図２に示すような、平板部と枠部とからな
る気密封止部を備えた固体撮像装置が得られる。
【００２２】このような構成及び製造方法により、受光
部２等の被気密封止部３への接着剤のはみ出しがなくな
ると共に、枠部９への気泡の混入を抑えることができ、
更に枠部９の高さ調整も可能で且つ高さも均一で、強度
も十分となり信頼性のある気密封止部が形成できると共
に、撮像特性への悪影響も防ぐことができる。
部２等の被気密封止部３への接着剤のはみ出しがなくな
ると共に、枠部９への気泡の混入を抑えることができ、
更に枠部９の高さ調整も可能で且つ高さも均一で、強度
も十分となり信頼性のある気密封止部が形成できると共
に、撮像特性への悪影響も防ぐことができる。
【００２３】なお、本実施の形態では、平板部となる透
明部材６ａ上に枠部９ａを形成して、ウエーハ13と圧着
したものを示したが、勿論これに限定されるものではな
く、ウエーハ13上に、あるいは透明部材６ａ上とウエー
ハ13上の両方に枠部９ａの一部をそれぞれ形成して、透
明部材６ａとウエーハ13とを圧着することも可能であ
る。
明部材６ａ上に枠部９ａを形成して、ウエーハ13と圧着
したものを示したが、勿論これに限定されるものではな
く、ウエーハ13上に、あるいは透明部材６ａ上とウエー
ハ13上の両方に枠部９ａの一部をそれぞれ形成して、透
明部材６ａとウエーハ13とを圧着することも可能であ
る。
【００２４】更に、黒色など光を遮蔽するように着色し
た接着剤又はフィラー、もしくはその両方を使用すれ
ば、気密封止部の枠部が遮光部の役目を果たすことにな
り、固体撮像素子チップ上への不要な光を遮ることがで
きる。したがって、迷光や固体撮像素子チップ上での反
射などによる悪影響を防ぐことができる。
た接着剤又はフィラー、もしくはその両方を使用すれ
ば、気密封止部の枠部が遮光部の役目を果たすことにな
り、固体撮像素子チップ上への不要な光を遮ることがで
きる。したがって、迷光や固体撮像素子チップ上での反
射などによる悪影響を防ぐことができる。
【００２５】次に、上記のように構成された固体撮像装
置の実装構成、及びパッド部からの電極の引出し構成に
ついて説明する。図８は実装構成例を示す図で、固体撮
像素子チップ１をパッケージ又は基板14にダイボンド
し、ボンディングワイヤ15を用いて、固体撮像素子チッ
プ１のパッド部１ａとパッケージ又は基板14との所定の
接続を行って、実装するものである。この構成のままで
もよいが、図示のように気密封止部以外のボンディング
ワイヤ接続部を含む周辺部を封止樹脂16により樹脂封止
してもよい。但し、この構造では、フィラーを添加した
接着剤からなる気密封止部の枠部９を固体撮像素子チッ
プ１のパッド部１ａを除いて形成する必要がある。
置の実装構成、及びパッド部からの電極の引出し構成に
ついて説明する。図８は実装構成例を示す図で、固体撮
像素子チップ１をパッケージ又は基板14にダイボンド
し、ボンディングワイヤ15を用いて、固体撮像素子チッ
プ１のパッド部１ａとパッケージ又は基板14との所定の
接続を行って、実装するものである。この構成のままで
もよいが、図示のように気密封止部以外のボンディング
ワイヤ接続部を含む周辺部を封止樹脂16により樹脂封止
してもよい。但し、この構造では、フィラーを添加した
接着剤からなる気密封止部の枠部９を固体撮像素子チッ
プ１のパッド部１ａを除いて形成する必要がある。
【００２６】図９は、パッド部からの電極の引出し構成
例を示す図で、固体撮像素子チップ１上のパッド部１ａ
からチップ側面１ｂもしくは裏面１ｃまで配線領域17を
形成し、更に裏面配線領域に新たな電極パッドを設け
て、バンプ等により基板などへ接続するようにしてもよ
い。このような配線領域17を形成する場合は、受光エリ
ア２あるいはチップ１全体が気密封止されるように枠部
９をパッド部１ａ上に亘って形成すればよい。又は、チ
ップ側面１ｂの配線領域17に図示しない外部リードなど
を接続して、外部端子との電気的接続を図ってもよい。
例を示す図で、固体撮像素子チップ１上のパッド部１ａ
からチップ側面１ｂもしくは裏面１ｃまで配線領域17を
形成し、更に裏面配線領域に新たな電極パッドを設け
て、バンプ等により基板などへ接続するようにしてもよ
い。このような配線領域17を形成する場合は、受光エリ
ア２あるいはチップ１全体が気密封止されるように枠部
９をパッド部１ａ上に亘って形成すればよい。又は、チ
ップ側面１ｂの配線領域17に図示しない外部リードなど
を接続して、外部端子との電気的接続を図ってもよい。
【００２７】このような構造とすることにより、パッケ
ージが不要となって各種基板、例えば信号処理回路など
が形成された回路基板などへの固体撮像素子チップの直
接の搭載が可能になる。更に、固体撮像素子チップ裏面
に設けた配線領域あるいは電極パッドなどにより、信号
発生回路や信号処理回路などが形成された他の半導体チ
ップとの貼り合わせ、接着が容易に行われる。したがっ
て、固体撮像素子、信号処理回路などが一体に形成され
る積層構造の固体撮像装置も容易に製作可能となり、周
辺回路を含めた固体撮像装置の更なる小型化が実現でき
る。
ージが不要となって各種基板、例えば信号処理回路など
が形成された回路基板などへの固体撮像素子チップの直
接の搭載が可能になる。更に、固体撮像素子チップ裏面
に設けた配線領域あるいは電極パッドなどにより、信号
発生回路や信号処理回路などが形成された他の半導体チ
ップとの貼り合わせ、接着が容易に行われる。したがっ
て、固体撮像素子、信号処理回路などが一体に形成され
る積層構造の固体撮像装置も容易に製作可能となり、周
辺回路を含めた固体撮像装置の更なる小型化が実現でき
る。
【００２８】なお、上記実施の形態で示した実装構成
例、及びパッド部からの電極の引出し構成例は一例にす
ぎず、他にも種々の構成例も可能であることは言うまで
もない。
例、及びパッド部からの電極の引出し構成例は一例にす
ぎず、他にも種々の構成例も可能であることは言うまで
もない。
【００２９】また、本発明は固体撮像素子チップを気密
封止して実装した固体撮像装置に関するものであるが、
この固体撮像素子チップの気密封止実装手法は、他の半
導体チップの気密封止実装にも十分適用できるものであ
り、同様な効果を期待できる。
封止して実装した固体撮像装置に関するものであるが、
この固体撮像素子チップの気密封止実装手法は、他の半
導体チップの気密封止実装にも十分適用できるものであ
り、同様な効果を期待できる。
【００３０】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項１及び２に係る発明によれば、小型化が可能
で、接着剤の流れ出しを最小限に抑えることで、撮像特
性の劣化を防ぎ、且つ気密封止部の高さを正確に規定で
き、更に枠部形成時に気泡の混入を抑えることができ、
信頼性の高い気密封止部を備えた固体撮像装置を実現す
ることが可能となる。請求項３に係る発明によれば、別
個の遮光部材を設けることなく、迷光や固体撮像素子チ
ップ上での反射などによる悪影響を防止することができ
る気密封止部を備えた固体撮像装置を提供することがで
きる。請求項４に係る発明によれば、固体撮像素子チッ
プと外部端子との最適な電気的接続構造が得られるよう
にした気密封止部を備えた固体撮像装置を提供すること
ができ、種々の実装形態への対応が可能となる。請求項
５に係る発明によれば、ウエーハ状態での各固体撮像素
子チップに気密封止部を一括して形成するようにしてい
るので、固体撮像素子チップ上に合わせ精度のよい気密
封止部を備えた固体撮像装置を容易に製造することがで
きる。
に、請求項１及び２に係る発明によれば、小型化が可能
で、接着剤の流れ出しを最小限に抑えることで、撮像特
性の劣化を防ぎ、且つ気密封止部の高さを正確に規定で
き、更に枠部形成時に気泡の混入を抑えることができ、
信頼性の高い気密封止部を備えた固体撮像装置を実現す
ることが可能となる。請求項３に係る発明によれば、別
個の遮光部材を設けることなく、迷光や固体撮像素子チ
ップ上での反射などによる悪影響を防止することができ
る気密封止部を備えた固体撮像装置を提供することがで
きる。請求項４に係る発明によれば、固体撮像素子チッ
プと外部端子との最適な電気的接続構造が得られるよう
にした気密封止部を備えた固体撮像装置を提供すること
ができ、種々の実装形態への対応が可能となる。請求項
５に係る発明によれば、ウエーハ状態での各固体撮像素
子チップに気密封止部を一括して形成するようにしてい
るので、固体撮像素子チップ上に合わせ精度のよい気密
封止部を備えた固体撮像装置を容易に製造することがで
きる。
【図１】本発明に係る固体撮像装置の実施の形態を示す
平面図である。
平面図である。
【図２】図１に示した実施の形態の断面を示す図であ
る。
る。
【図３】本発明に係る固体撮像装置の製造方法の実施の
形態を表わす製造工程におけるマスクと透明部材の関係
を示す斜視図である。
形態を表わす製造工程におけるマスクと透明部材の関係
を示す斜視図である。
【図４】図３に示した製造工程においてマスクと透明部
材を組み合わせた態様を示す図である。
材を組み合わせた態様を示す図である。
【図５】図３及び図４に示した製造工程に続く製造工程
を示す図である。
を示す図である。
【図６】図５に示した製造工程に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図７】図６に示した製造工程に続く製造工程を示す図
である。
である。
【図８】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の実装
態様例を示す図である。
態様例を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置のパッ
ド部からの電極の引出し態様例を示す図である。
ド部からの電極の引出し態様例を示す図である。
【図10】従来の固体撮像素子の気密封止実装方式を示す
断面図である。
断面図である。
【図11】従来提案の気密封止部を備えた固体撮像装置の
構成例を示す断面図である。
構成例を示す断面図である。
１ 固体撮像素子チップ
１ａ パッド部
１ｂ チップ側面
１ｃ チップ裏面
２ 受光部
３ 被気密封止部
４ 封止領域
５ａ，５ｂ 周辺回路
６，６ａ 透明部材
７ 接着剤層
８ フィラー
９，９ａ 枠部
10 マスク
11 メッシュ領域
12 スクライブライン
13 ウエーハ
14 基板又はパッケージ
15 ボンディングワイヤ
16 封止樹脂
17 配線領域
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 HA12 HA17 HA22
HA26 HA27 HA30 HA31
5F088 AA01 BA15 BA16 BB03 EA06
JA03 JA06 JA07 KA10
Claims (5)
- 【請求項１】 固体撮像素子チップ上に、透明部材から
なる平板部と該平板部の下面縁部に配置された枠部とか
らなる気密封止部が設けられた固体撮像装置において、
前記枠部がフィラー入り接着剤層で構成されていること
を特徴とする固体撮像装置。 - 【請求項２】 前記枠部は、前記平板部の下面縁部ある
いは固体撮像素子チップ縁部のいずれか一方に接着剤を
塗布して形成され、もしくは前記平板部の下面縁部及び
固体撮像素子チップ縁部の両面に塗布形成した接着剤層
を貼り合わせて形成されていることを特徴とする請求項
１に係る固体撮像装置。 - 【請求項３】 前記枠部を構成するフィラー入り接着剤
層は、着色などによる遮光機能を備えていることを特徴
とする請求１又は２に係るの固体撮像装置。 - 【請求項４】 固体撮像素子チップ上に設けた電極パッ
ドから前記固体撮像素子チップ側面あるいは裏面に亘っ
て配線領域を形成し、該配線領域に外部端子を電気的に
接続できるように構成したことを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に係る記載の固体撮像装置。 - 【請求項５】 前記請求項１〜４のいずれか１項に係る
固体撮像装置の製造方法において、透明部材からなる平
板部と該平板部の下面縁部に配置されたフィラー入り接
着剤層からなる枠部とで構成される気密封止部を、多数
の固体撮像素子チップが形成されたウエーハ全体に亘っ
て一体的に形成する工程を備えていることを特徴とする
固体撮像素子の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363574A JP2003163342A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| US10/300,517 US20030098912A1 (en) | 2001-11-29 | 2002-11-20 | Solid-state image pickup apparatus and fabricating method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001363574A JP2003163342A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003163342A true JP2003163342A (ja) | 2003-06-06 |
Family
ID=19173895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001363574A Pending JP2003163342A (ja) | 2001-11-29 | 2001-11-29 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20030098912A1 (ja) |
| JP (1) | JP2003163342A (ja) |
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005093826A1 (en) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Device and method for joining substrates |
| WO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| WO2008032404A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| WO2008155896A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 電子装置の製造方法 |
| JP2009060113A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ケーシング下部を備えたケーシング |
| US7517734B2 (en) | 2003-10-01 | 2009-04-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a wafer level package with a cap structure for hermetically sealing a micro device |
| US7521657B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Assembly having wafer with image sensor chips, a photo-sensitive adhesive pattern and plate thereof and method of manufacturing the same |
| JP2010050518A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Canon Inc | 固体撮像装置及び電子撮像装置 |
| US7977138B1 (en) | 2007-10-30 | 2011-07-12 | Panasonic Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
| US8368096B2 (en) | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
| US20140028155A1 (en) * | 2011-04-11 | 2014-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method for the electronic component |
| US8934623B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-01-13 | Nec Casio Mobile Communications Ltd. | Housing for electronic device |
| WO2015162918A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | ミツミ電機株式会社 | 撮像素子ユニット、撮像装置、及びカメラ付き携帯端末 |
| WO2017169889A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器 |
| WO2022085326A1 (ja) | 2020-10-22 | 2022-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2839812B1 (fr) * | 2002-05-17 | 2005-07-01 | Atmel Grenoble Sa | Procede de fabrication collective de composants de filtrage optique et plaquette de composants |
| US7005310B2 (en) * | 2002-08-14 | 2006-02-28 | Renesas Technology Corporation | Manufacturing method of solid-state image sensing device |
| JP2005072978A (ja) * | 2003-08-25 | 2005-03-17 | Renesas Technology Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US7002241B1 (en) * | 2003-02-12 | 2006-02-21 | National Semiconductor Corporation | Packaging of semiconductor device with a non-opaque cover |
| US7365442B2 (en) * | 2003-03-31 | 2008-04-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Encapsulation of thin-film electronic devices |
| JP2006148710A (ja) * | 2004-11-22 | 2006-06-08 | Sharp Corp | 撮像モジュール及び撮像モジュールの製造方法 |
| JP4794283B2 (ja) * | 2005-11-18 | 2011-10-19 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
| US8269300B2 (en) | 2008-04-29 | 2012-09-18 | Omnivision Technologies, Inc. | Apparatus and method for using spacer paste to package an image sensor |
| JP4694602B2 (ja) * | 2008-09-02 | 2011-06-08 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびそれを備えた電子機器 |
| US8593561B2 (en) * | 2011-03-01 | 2013-11-26 | Omnivision Technologies, Inc. | Camera module and method for fabricating the same |
| JP2013051088A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機半導体デバイスおよびその製造方法 |
| FR3029013A1 (fr) | 2014-11-21 | 2016-05-27 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Dispositif electronique comprenant des puces empilees |
| US9773740B2 (en) | 2014-11-26 | 2017-09-26 | Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas | Stacked electronic device including a protective wafer bonded to a chip by an infused adhesive |
| US9859180B2 (en) * | 2016-02-17 | 2018-01-02 | Semiconductor Components Industries, Llc | High reliability wafer level semiconductor packaging |
| TW201814321A (zh) * | 2016-09-23 | 2018-04-16 | 原相科技股份有限公司 | 光學模組的封裝結構及其封裝方法 |
| JP7258806B2 (ja) * | 2020-03-23 | 2023-04-17 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| CN113766092A (zh) * | 2020-06-01 | 2021-12-07 | 宁波为森智能传感技术有限公司 | 一种摄像模组及组装方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4895291A (en) * | 1989-05-04 | 1990-01-23 | Eastman Kodak Company | Method of making a hermetic seal in a solid-state device |
| US5230759A (en) * | 1989-10-20 | 1993-07-27 | Fujitsu Limited | Process for sealing a semiconductor device |
| US5270491A (en) * | 1990-10-09 | 1993-12-14 | Eastman Kodak Company | Hermetically sealed microelectronic package |
| US5043139A (en) * | 1990-10-09 | 1991-08-27 | Eastman Kodak Company | Amalgam preform, method of forming the preform and method of bonding therewith |
| US5929512A (en) * | 1997-03-18 | 1999-07-27 | Jacobs; Richard L. | Urethane encapsulated integrated circuits and compositions therefor |
| US5923958A (en) * | 1998-05-28 | 1999-07-13 | Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. | Method for semiconductor chip packaging |
| JP3690171B2 (ja) * | 1999-03-16 | 2005-08-31 | 株式会社日立製作所 | 複合材料とその製造方法及び用途 |
| US6358629B1 (en) * | 1999-03-31 | 2002-03-19 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Epoxy resin composition and semiconductor device using the same |
| JP3880278B2 (ja) * | 2000-03-10 | 2007-02-14 | オリンパス株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3527166B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2004-05-17 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP3575384B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2004-10-13 | 関西日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6285064B1 (en) * | 2000-03-28 | 2001-09-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Chip scale packaging technique for optical image sensing integrated circuits |
-
2001
- 2001-11-29 JP JP2001363574A patent/JP2003163342A/ja active Pending
-
2002
- 2002-11-20 US US10/300,517 patent/US20030098912A1/en not_active Abandoned
Cited By (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7517734B2 (en) | 2003-10-01 | 2009-04-14 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method of manufacturing a wafer level package with a cap structure for hermetically sealing a micro device |
| US7988803B2 (en) | 2004-03-26 | 2011-08-02 | Fujifilm Corporation | Device and method for joining substrates |
| WO2005093826A1 (en) | 2004-03-26 | 2005-10-06 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Device and method for joining substrates |
| US7678211B2 (en) | 2004-03-26 | 2010-03-16 | Fujifilm Corporation | Device and method for joining substrates |
| US8368096B2 (en) | 2005-01-04 | 2013-02-05 | Aac Technologies Japan R&D Center Co., Ltd. | Solid state image pick-up device and method for manufacturing the same with increased structural integrity |
| US7521657B2 (en) | 2005-01-07 | 2009-04-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Assembly having wafer with image sensor chips, a photo-sensitive adhesive pattern and plate thereof and method of manufacturing the same |
| JPWO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2008-12-18 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| WO2006120862A1 (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 赤外線センサおよびその製造方法 |
| US7719097B2 (en) | 2005-11-15 | 2010-05-18 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device having transparent member |
| US7932121B2 (en) | 2005-11-15 | 2011-04-26 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| EP1786033A2 (en) | 2005-11-15 | 2007-05-16 | Fujitsu Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| US7939361B2 (en) | 2006-09-15 | 2011-05-10 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device |
| WO2008032404A1 (en) * | 2006-09-15 | 2008-03-20 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and method for manufacturing same |
| JP5218058B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2013-06-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2008155896A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 電子装置の製造方法 |
| JP5338663B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-11-13 | 住友ベークライト株式会社 | 電子装置の製造方法 |
| TWI407861B (zh) * | 2007-06-19 | 2013-09-01 | Sumitomo Bakelite Co | 電子裝置之製造方法 |
| JP2009060113A (ja) * | 2007-08-30 | 2009-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | ケーシング下部を備えたケーシング |
| US7977138B1 (en) | 2007-10-30 | 2011-07-12 | Panasonic Corporation | Optical device and method of manufacturing the same |
| JP2010050518A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Canon Inc | 固体撮像装置及び電子撮像装置 |
| US8643773B2 (en) | 2008-08-19 | 2014-02-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of solid-state imaging apparatus, solid-state imaging apparatus, and electronic imaging apparatus |
| US9111827B2 (en) | 2008-08-19 | 2015-08-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of solid-state imaging apparatus, solid-state imaging apparatus, and electronic imaging apparatus |
| US8934623B2 (en) | 2010-10-12 | 2015-01-13 | Nec Casio Mobile Communications Ltd. | Housing for electronic device |
| US20140028155A1 (en) * | 2011-04-11 | 2014-01-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method for the electronic component |
| US9735340B2 (en) * | 2011-04-11 | 2017-08-15 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an electronic component |
| WO2015162918A1 (ja) * | 2014-04-25 | 2015-10-29 | ミツミ電機株式会社 | 撮像素子ユニット、撮像装置、及びカメラ付き携帯端末 |
| JP2015211131A (ja) * | 2014-04-25 | 2015-11-24 | ミツミ電機株式会社 | 撮像素子ユニット、撮像装置、及びカメラ付携帯端末 |
| WO2017169889A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | ソニー株式会社 | カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、および電子機器 |
| US10750060B2 (en) | 2016-03-31 | 2020-08-18 | Sony Corporation | Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus |
| US11595551B2 (en) | 2016-03-31 | 2023-02-28 | Sony Corporation | Camera module, method of manufacturing camera module, imaging apparatus, and electronic apparatus |
| WO2022085326A1 (ja) | 2020-10-22 | 2022-04-28 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、電子機器および撮像装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20030098912A1 (en) | 2003-05-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2003163342A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP4846910B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
| JP3880278B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US7126637B2 (en) | Solid-state image pickup apparatus having a hermetic seal portion and fabricating method thereof | |
| JP4542768B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| US6873034B2 (en) | Solid-state imaging device, method for producing same, and mask | |
| KR101132071B1 (ko) | 고체 촬상 장치의 제조 방법 | |
| JP3161142B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3540281B2 (ja) | 撮像装置 | |
| JP2007288755A (ja) | カメラモジュール | |
| DE102008007237A1 (de) | Halbleiter-Bildeinheit mit einer Die-Aufnahmebohrung und Verfahren zu deren Herstellung | |
| JP2006190987A (ja) | パッケージ構造とその製造方法 | |
| US11492250B2 (en) | Electronic device and method for manufacturing an electronic device | |
| JP2002231920A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
| JP2003163341A (ja) | 固体撮像装置 | |
| KR100494025B1 (ko) | 이미지 센서의 제조 방법 및 그 이미지 센서를 패캐지하는 방법 | |
| TWI324829B (en) | Optical semiconductor package and method for manufacturing the same | |
| TW202004321A (zh) | 攝像模組之組裝方法 | |
| JPH06244304A (ja) | リードレスチップキャリアパッケージ | |
| JP4697789B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2010273087A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| KR20050120142A (ko) | 에폭시를 이용한 카메라 모듈 및 그 제조방법 | |
| JP2004063764A (ja) | 光結合半導体装置、およびその製造方法 | |
| JP2003209332A (ja) | プリント配線基板、プリント配線基板の製造方法、及び実装基板 | |
| WO2024053466A1 (ja) | 半導体装置および電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041129 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041214 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050405 |