TWI407861B - 電子裝置之製造方法 - Google Patents

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Sumitomo Bakelite Co
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Description

電子裝置之製造方法
本發明係關於電子裝置之製造方法。
習知，在基板上設置電子零件時，為了在基板與電子零件之間確保既定的間隙，係在基板與電子零件之間配置框狀構件。
例如在受光裝置中，係於透明基板與設置有受光部的基底基板之間，配置包圍著受光部的框狀構件。
當製造此種電子裝置時，係依覆蓋基板或電子零件的方式，塗佈含有光硬化性樹脂之樹脂組成物。
接著，將上述樹脂組成物的既定位置施行曝光，經顯影處理，形成前述框狀構件。
然後，隔著上述框狀構件，使電子零件與基板呈相對向配置(例如參照專利文獻1)。
專利文獻1：日本專利特開2006-70053號公報
然而，已知習知的電子裝置之製造方法係有下述問題。
如前述，當製造電子裝置時，係將上述樹脂組成物的既定部分施行曝光，但此時必須在樹脂組成物上方設置曝光裝置的遮罩。
當設置該遮罩時，係以在電子零件或基板上所形成的標記為基準，調整遮罩位置與電子零件或基板的位置，但會因樹脂組成物而導致電子零件或基板上所形成的標記遭 覆蓋。因而，難以檢測到在電子零件或基板上所形成的標記。
因而，遮罩與電子零件或基板位置的位置調整繁複，導致電子裝置的製造效率降低。
本發明之目的在於提供可提高製造效率的電子裝置之製造方法。
根據本發明所提供的電子裝置之製造方法，係包括有：在形成有標記的基板或形成有標記的電子零件上，依覆蓋上述基板標記或上述電子零件標記的方式，設置含有填充劑與光硬化性樹脂之樹脂組成物的步驟；施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的步驟；對上述樹脂組成物隔著上述遮罩選擇性施行光照射，經顯影而在既定區域中殘留上述樹脂組成物的步驟；以及使上述基板與上述電子零件呈相對向配置，並隔著上述樹脂組成物進行黏合的步驟；其中，在施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件間之位置對齊的上述步驟中，對設置有上述樹脂組成物的基板標記或電子零件標記，使用上述樹脂組成物中的上述填充劑平均粒徑之1.5倍以上之波長光進行檢測，並施行上述曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的上述基板或上述電子零件之位置對齊。
根據本發明，在施行曝光裝置的遮罩與設置有樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的步驟中，對標記係使用樹脂組成物中之上述填充劑平均粒徑1.5倍以上的波長 光進行檢測。藉由使用此種波長光，可確實地進行標記檢測。
更詳細說明，在施行曝光裝置的遮罩與設置有樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的步驟中，若使用未滿填充劑平均粒徑1.5倍的波長光施行檢測，則會提高光碰撞填充劑導致亂反射的機率，因而將頗難辨識標記。反之，若使用達填充劑平均粒徑1.5倍以上的波長光施行檢測，可降低光碰撞填充劑導致亂反射(irregular reflection)的機率，因而可使標記的辨識趨於容易。
藉此可輕易地施行曝光裝置的遮罩與基板或電子零件之位置對齊，俾可提升電子裝置的製造效率。
再者，本發明中，最好上述樹脂組成物係形成薄膜狀；該樹脂組成物中的上述填充劑添加量係1重量%以上且50重量%以下。
藉由將填充劑的添加量設定在50重量%以下，可更確實地檢測標記。
再者，藉由將填充劑添加量設定在1重量%以上，可提升形狀保持性及樹脂組成物的耐熱性、耐濕性。此外，尚可確保樹脂組成物的強度。
再者，上述樹脂組成物中的上述填充劑粒徑CV值，最好在50%以下。
粒徑CV值=(σ 1/Dn1)×100%
(σ 1係指粒徑的標準偏差；Dn1係指平均粒徑)
藉由將樹脂組成物中的上述填充劑粒徑CV值設定在
50%以下，可使填充劑的粒徑變動變為非常小，可更確實地施行標記檢測。
再者，最好上述樹脂組成物中的上述填充劑係二氧化矽。
因為二氧化矽相較於其他填充劑之下，離子性不純物的含有量較少，因而可防止電子裝置遭腐蝕等，可提高電子裝置的可靠度。
再者，因為二氧化矽具有矽醇基，因而與樹脂成分間之密接性佳，可提升樹脂組成物的機械特性。藉此，亦可提升樹脂組成物的耐熱性。
再者，在施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的上述步驟中，最好將上述檢測標記的光波長設定在300nm以上且900nm以下。
藉由將檢測標記的光波長設定在300nm以上且900nm以下，可更確實地檢測標記。
再者，最好樹脂組成物係含有上述光硬化性樹脂、光聚合起始劑、熱硬化性樹脂及利用光與熱二者均可硬化的硬化性樹脂；上述熱硬化性樹脂係聚矽氧改質環氧樹脂；上述利用光與熱二者均可硬化的上述硬化性樹脂係含有(甲基)丙烯酸改質酚樹脂或含(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸聚合物。
藉由使用此種樹脂組成物，可效率佳地施行曝光，亦可使基板與電子零件的黏合性呈良好。
再者，藉由使用此種樹脂組成物，可利用樹脂組成物將 上述基板與電子零件進行黏合。因而，利用確保基板與電子零件間之距離的間隔物本身，便可將基板與電子零件黏合，所以並不需要設置黏著層，可達降低製造成本的功效。
再者，最好上述基板係透明基板；上述電子零件係具備有受光部與設置有該受光部的基底基板；該電子裝置係受光裝置。
再者，亦可上述電子零件係具備有複數受光部以及設置有該複數受光部的基底基板，在使上述電子零件與上述透明基板呈相對向配置，在隔著上述樹脂組成物劑型黏合的步驟後段，依每個受光部實施上述電子零件與上述透明基板的黏合體切割步驟。
依此，當使用設置有複數受光部的基底基板，並依每個受光部施行上述電子零件與上述透明基板的黏合體切割時，正確施行曝光裝置的遮罩與設置有樹脂組成物的電子零件或基板間之位置對齊，係屬非常重要。
即，其理由在於，藉由正確地施行曝光裝置的遮罩與設置有樹脂組成物的電子零件或基板之位置對齊，並將在所需位置處已設置樹脂組成物的電子裝置施行切割，可同時獲得多數個。
根據本發明，可提供能提升製造效率的電子裝置之製造方法。
上述目的及其他目的、特徵及優點，依照以下所述較佳實施形態、及所附圖式便可清楚明瞭。
以下，針對本發明實施形態，根據圖式進行說明。
首先，參照圖1、2，針對本實施形態的電子裝置之製造方法概要進行說明。
本實施形態中，電子裝置係受光裝置1，例如攝像裝置(固態攝像裝置)。
本實施形態的受光裝置1之製造方法，係包括有：在形成有標記的基板(透明基板13)或形成有標記的電子零件(設置有受光部11與該受光部11的基底基板12)上，依覆蓋標記的方式，設置含有填充劑與光硬化性樹脂之樹脂組成物的步驟；施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件間之位置對齊的步驟；對上述樹脂組成物，隔著上述遮罩選擇性照射光，經顯影而在既定區域殘留上述樹脂組成物的步驟；以及使上述基板與上述電子零件呈相對向配置，並隔著上述樹脂組成物進行黏合的步驟。
在施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件間之位置對齊的上述步驟中，對上述標記係使用上述樹脂組成物中之上述填充劑平均粒徑1.5倍以上的波長光進行檢測，並施行上述曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的上述基板或上述電子零件間之位置對齊。
以下，針對本實施形態的電子裝置(受光裝置1)之製造方法進行詳細說明。
如圖1(A)所示，準備設有複數受光部11的基底基板12。
基底基板12係例如半導體基板，在該基底基板12上，形成供構成複數受光部11用的微透鏡陣列。在微透鏡陣列的下面(即基底基板12上)，形成未圖示光電轉換部，將由受光部11所受光的光轉換為電氣信號。
基底基板12的周緣部係較上述微透鏡陣列朝外邊突出。此外，在基底基板12中係形成有當與曝光裝置的遮罩進行位置對齊時所使用的標記。
其次，如圖1(B)所示，在基底基板12上，依覆蓋上述微透鏡陣列與上述標記的方式，設置前述樹脂組成物。
其中，樹脂組成物係可形成薄膜狀，亦可為清漆狀。
本實施形態中，樹脂組成物係薄膜狀(以下稱「黏著薄膜」)。
黏著薄膜14的厚度係例如5μn以上且100μm以下。
該黏著薄膜14係含有填充劑與光硬化性樹脂。
上述光硬化性樹脂係可舉例如以丙烯酸系化合物為主成分的紫外線硬化性樹脂；或以胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物或聚酯胺基甲酸乙酯丙烯酸酯寡聚物為主成分的紫外線硬化性樹脂；或者以從環氧系樹脂、乙烯基酚系樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯系樹脂所構成群組中選擇之至少1種為主成分的紫外線硬化性樹脂等。
該等之中，最好為以丙烯酸系化合物為主成分的紫外線硬化性樹脂。丙烯酸系化合物係在光照射時的硬化速度較快速，藉此可依較少量的曝光量施行樹脂圖案化。
上述丙烯酸系化合物在具有(甲基)丙烯醯基((meth)acryloyl group)之前提下，其餘並無特別的限制，可舉例如具有1個(甲基)丙烯醯基的單官能基(甲基)丙烯酸酯、具有2個(甲基)丙烯醯基的雙官能基(甲基)丙烯酸酯、具有(甲基)丙烯醯基達3個以上的多官能基(甲基)丙烯酸酯等(甲基)丙烯酸酯，更具體係可舉例如乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1, 6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、1, 10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯等雙官能基(甲基)丙烯酸酯；三羥甲基丙烷(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能基(甲基)丙烯酸酯。此外，上述丙烯酸系化合物亦包括聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚伸烷基二醇二(甲基)丙烯酸酯。另外，丙烯酸系化合物亦可舉例如胺基甲酸乙酯(甲基)丙烯酸酯、環氧(甲基)丙烯酸酯等。
上述丙烯酸系化合物之中，從光硬化反應性與感光性黏合劑樹脂組成物的韌性均衡優異之觀點，最好為三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1, 6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、1, 10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯等雙官能基(甲基)丙烯酸酯類，其中尤以三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯為佳。
光硬化性樹脂(紫外線硬化性樹脂)的含有量並無特別的限制，最好佔樹脂組成物整體的5重量%以上且60重量%以下，尤以8重量%以上且30重量%以下為佳。若含有量 未滿5重量%，會有無法利用紫外線照射施行樹脂組成物圖案化的情況，反之，若超過60重量%，則有樹脂變得過軟，導致發生紫外線照射前的薄片特性降低之情況。
再者，樹脂組成物最好含有光聚合起始劑。
藉此，可效率佳地利用光聚合施行樹脂組成物的圖案化。
上述光聚合起始劑係可舉例如二苯基酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻甲醚、苄基亞磺醯基硫醚、苄基、二苄基、二乙醯基等。
上述光聚合起始劑的含有量並無特別的限制，最好佔上述樹脂組成物整體的0.5重量%以上且5重量%以下，尤以0.8重量%以上且2.5重量%以下為佳。若含有量未滿0.5重量%，會有啟動光聚合的效果降低之情況，反之，若超過5重量%，則反應性過高，且有保存性或解析度降低的情況。
再者，樹脂組成物最好含有熱硬化性樹脂。
上述熱硬化性樹脂係可舉例如酚-酚醛樹脂、甲酚酚醛樹脂、雙酚A酚醛樹脂等酚醛型酚樹脂；酚醛酚樹脂等酚樹脂；雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂；酚-酚醛環氧樹脂、甲酚酚醛環氧樹脂、雙酚A酚醛環氧等酚醛型環氧樹脂；聯苯基型環氧樹脂、茋型環氧樹脂、三酚甲烷型環氧樹脂、烷基改質三酚甲烷型環氧樹脂、三核含有環氧樹脂、二環戊二烯改質酚型環氧樹脂 等環氧樹脂；脲(尿素)樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三環的樹脂；不飽和聚酯樹脂、雙順丁烯二醯亞胺樹脂、聚胺基甲酸乙酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂、具有苯并 環的樹脂、氰酸酯樹脂等，該等係可單獨使用，亦可混合使用。該等之中，最好為環氧樹脂。藉此可更加提升耐熱性與密接性。
再者，上述環氧樹脂最好使用聚矽氧改質環氧樹脂，其中，最好併用室溫下呈固態的環氧樹脂(特別係雙酚型環氧樹脂)與室溫呈液狀的環氧樹脂(特別係室溫下呈液狀的聚矽氧改質環氧樹脂)。藉此，便可形成維持著耐熱性，且可撓性與解析度二者均優異的樹脂組成物。
上述熱硬化性樹脂的含有量並無特別的限制，最好佔樹脂組成物整體之10重量%以上且40重量%以下，尤以15重量%以上且35重量%以下為佳。若含有量未滿上述10重量%，會有耐熱性的提升效果降低之情況，反之，若超過40重量%，則有樹脂組成物的韌性提升效果降低之情況。
再者，樹脂組成物最好含有利用光與熱二項均可硬化的硬化性樹脂。藉此，可提升上述光硬化性樹脂與上述熱硬化性樹脂間之相溶性，藉此便可提高經硬化(光硬化與熱硬化)後的樹脂組成物強度。
上述利用光與熱二者均可硬化的硬化性樹脂係可舉例如具有丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基等光反應基的熱硬化性樹脂；具有環氧基、酚性羥基、醇性羥基、羧基、酸酐基、胺基、氰酸酯基等熱反應基的光硬化性樹脂等。 具體係可舉例如(甲基)丙烯酸改質酚樹脂、側鏈具有羧基與(甲基)丙烯基的丙烯酸共聚合樹脂、含(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酸聚合物、含羧基的環氧丙烯酸酯樹脂等。該等之中，最好為(甲基)丙烯酸改質酚樹脂。藉此，顯影液中不使用有機溶劑，而是使用對環境負擔較少的鹼水溶液，並可維持耐熱性。
當屬於上述具有光反應基之熱硬化性樹脂的情況，上述光反應基的改質率(取代率)並無特別的限制，最好佔上述利用光與熱二項均可硬化之硬化性樹脂中的反應基整體(光反應基與熱反應基合計)20%以上且80%以下，尤以30%以上且70%以下為佳。若改質量在20%以上且80%以下之範圍內，則解析度特別優異。
當屬於上述具有熱反應基之光硬化性樹脂的情況，上述熱反應基的改質率(取代率)並無特別的限制，最好佔上述利用光與熱二項均可硬化之硬化性樹脂中的反應基整體(光反應基與熱反應基合計)20%以上且80%以下，尤以30%以上且70%以下為佳。若改質量在20%以上且80%以下之範圍內，則解析度特別優異。
上述利用光與熱二項均可硬化之硬化性樹脂的含有量並無特別的限制，最好佔樹脂組成物整體的15重量%以上且50重量%以下，尤以20重量%以上且40重量%以下為佳。若含有量未滿15重量%，會有相溶性的提升效果降低之情況，反之，若超過50重量%，則有顯影性或解析度降低的情況。
再者，填充劑係可例示如二氧化矽。填充劑的平均粒徑最好為例如0.01μm以上且0.4μm以下。
藉由將填充劑的平均粒徑設定在0.01μm以上，可使填充劑的處置趨於容易。另一方面，藉由將填充劑的平均粒徑設定在0.4μm以下，不需要增加標記檢測時所使用的光波長，可使用一般的波長。
其中，最好為兼顧對準性與框材形狀保持性的0.03μm以上。此外，若考慮防止填充劑發生凝聚情形，填充劑的平均粒徑最好設定在0.1μm以上。
另一方面，填充劑的平均粒徑最好在0.3μm以下。藉由將填充劑的平均粒徑設定在0.3μm以下，具有利用可見光區域的光可達充分對準的效果。
填充劑平均粒徑的計測方法係如下述。
針對樹脂組成物(當使用清漆狀樹脂組成物時便為乾燥狀態)使用金屬顯微鏡(穿透光，測定倍率：1000倍，測定面積：0.151156mm2 )進行觀察。將所觀察到的填充劑投影影像使用影像處理軟體施行處理，並測定粒子數與粒徑，計算出平均粒徑(數平均粒徑)。
其中，當有出現凝聚粒子的情況(二次粒子)，係將凝聚狀態視為一個粒子，並測量粒徑。
另外，二氧化矽最好經表面處理。最好利用矽烷偶合劑等施行表面處理。
藉由使用此種二氧化矽，可增加樹脂成分與二氧化矽界面的密接力，具有提高樹脂組成物強度的效果。
再者，在製作樹脂組成物之際，係將含二氧化矽的清漆與樹脂成分等進行混合，但此時清漆最好含有用以提升二氧化矽分散性的界面活性劑。藉由使用此種清漆，便可防止樹脂組成物中的二氧化矽發生凝聚情形。
再者，黏著薄膜14中的填充劑添加量最好為1重量%以上且50重量%以下。
其中，尤以10重量%以上為佳，且尤以35重量%以下為佳。
再者，填充劑的粒徑CV值最好在50%以下，尤以40%以下為佳。
CV值係依下式所示：粒徑CV值=(σ 1/Dn1)×100%
(σ 1係指粒徑的標準偏差；Dn1係指平均粒徑)
另外，標準偏差係使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置SALD-7000，在水中對填充劑施行1分鐘超音波處理而分散，並施行粒徑測定而計算出。另外，將D50值視為平均粒徑。後述實施例、比較例中便依照此方法計算出CV值。
再者，黏著薄膜14中尚可含有熱可塑性樹脂、均塗劑、消泡劑、偶合劑、有機過氧化物等添加劑。
另外，黏著薄膜14係只要對標記所照射的光，具有能檢測出基底基板12標記之程度的光穿透率便可。
其次，施行黏著薄膜14之所黏貼基底基板12與未圖示曝光裝置的遮罩間之位置對齊。
該位置對齊步驟中，利用曝光裝置檢測在基底基板12 上所形成的標記(此處為對準標記)，並以標記為基準，將曝光裝置的遮罩位置進行定位。
具體而言，對基底基板12的標記施行光照射，且利用CCD照相機等攝像元件拍攝標記。根據由攝像元件所拍攝之影像，檢測出標記位置，並調整基底基板12對遮罩的位置。
此時，對基底基板12的標記所照射光的波長，係設定為黏著薄膜14中的填充劑平均粒徑1.5倍以上。尤以2倍以上為佳，更以2.5倍以下為佳。
例如對基底基板12的標記所照射光的波長，最好為300nm以上且900nm以下。其中，尤以400nm以上為佳，更以800nm以下為佳。
若基底基板12與曝光裝置的位置對齊已完成，便從曝光裝置對黏著薄膜14選擇性的施行光(紫外線)照射。藉此，黏著薄膜14中被光照射的部分發生光硬化。若將經曝光後的黏著薄膜14利用顯影液(例如鹼水溶液、有機溶劑等)施行顯影，經光照射的部分不會溶解於顯影液中，而係殘留。在基底基板12上除各受光部11以外的區域，係殘留著包圍受光部11狀態的黏著薄膜14(參照圖1(C))。
然後，將透明基板13載置於黏著薄膜14上，並利用黏著薄膜14將基底基板12與透明基板13進行黏合。例如將基底基板12與透明基板13施行加熱加壓，隔著黏著薄膜14相黏合。施行加熱壓接時的溫度係80℃~180℃。
此時，便可以基底基板12上所形成的標記為基準，設置透明基板13。
然後，將經黏合的基底基板12與透明基板13依照受光部單位施行分割(參照圖1(D))。具體而言，從基底基板12側利用切割機切入切痕12B，將基底基板12與透明基板13依照受光部11單位施行分割。
藉由此種步驟，可獲得圖2所示受光裝置1。即，受光裝置1係具備設置有受光部11的基底基板12與對基底基板12呈相對向配置的透明基板13；且在透明基板13與基底基板12之間，配置著保持基底基板12與上述透明基板13間之間隙，且包圍受光部11的框材(間隔物)。該框材係黏著薄膜14。
其次，針對本實施形態的作用效果進行說明。
在施行曝光裝置的遮罩與設置有樹脂組成物(黏著薄膜14)之基底基板12間之位置對齊的步驟中，對標記係使用黏著薄膜14中之填充劑平均粒徑1.5倍以上的波長光進行檢測。藉由使用此種波長光，可確實地進行標記檢測。
藉此，可輕易地施行曝光裝置的遮罩與基底基板12的位置對齊，俾可提升受光裝置1的製造效率。
其中，藉由對標記使用黏著薄膜14中之填充劑平均粒徑2倍以上的波長光進行檢測，可更確實地檢測出標記。
黏著薄膜中的填充劑主要係依一次粒子形式存在，但是亦有依二次粒子形式存在的情況。所以，若將檢測時所使用的光波長設為填充劑平均粒徑的1.5倍以上，便可確實 地施行標記檢測。
再者，如本實施形態，當在基底基板12上設置複數受光部11，並依照每個受光部11，將基底基板12與透明基板13的黏合體施行切割時，正確執行曝光裝置的遮罩與黏著薄膜14所設置透明基板13間的位置對齊係非常重要。
藉由正確施行曝光裝置的遮罩與透明基板13間的位置對齊，可利用切割而同時獲得多個將框狀黏著薄膜14設置於所需位置處的受光裝置。
再者，本實施形態中，藉由將黏著薄膜14中的填充劑添加量設定在50重量%以下(尤其是35重量%以下)，可更確實地施行標記的檢測。
再者，藉由將填充劑的添加量設定在1重量%以上(特別係10重量%以上)，可提升樹脂組成物的耐熱性、耐濕性。更可確保樹脂組成物的強度。
再者，本實施形態中，最好將填充劑的粒徑CV值設定在50%以下，尤以40%以下為佳。藉此，便可使填充劑的粒徑變動變為非常小，俾可更確實地施行標記檢測。
再者，本實施形態中，黏著薄膜14中所含的填充劑係使用二氧化矽。藉由使用二氧化矽，便可更確實地施行標記檢測。
因為二氧化矽相較於其他填充劑之下，離子性不純物的含有量較少，因而可防止受光裝置遭受腐蝕等，俾提高受光裝置的可靠度。
再者，因為二氧化矽係具有矽醇基，因而與樹脂成分間的密接性佳，可提升框材的機械特性。藉此，亦可提升框材的耐熱性。
再者，本實施形態中，樹脂組成物係含有光硬化性樹脂、光聚合起始劑、熱硬化性樹脂及利用光與熱二者均可硬化的硬化性樹脂。
藉由使用此種樹脂組成物，便可利用樹脂組成物將透明基板13與基底基板12相黏合。所以，利用確保透明基板13與基底基板12間之距離的間隔物本身，便可將透明基板13與基底基板12相黏合，在間隔物之外並不需要設置其他黏著層，所以可達降低製造成本的效果。
再者，當除間隔物之外另外設置其他黏著層時，亦有導致在基底基板12上所形成標記趨於檢測困難的可能性。
相對於此，本實施形態中，因為對間隔物賦予黏合劑的功能，因而可防止基底基板12上所形成標記的檢測趨於困難情況發生。
另外，本發明並不僅侷限於前述實施形態，舉凡在可達成本發明目的範圍內的變化、改良等均涵蓋於本發明中。
例如上述實施形態中，將樹脂組成物中所含的填充劑定為二氧化矽，惟並不僅侷限於此，亦可為其他的填充劑(例如沸石等)。此外，填充劑亦可非為單一種類的材料，尚可含有複數種不同材料。
再者，上述實施形態中，將由樹脂組成物形成薄膜狀的黏著薄膜14黏貼於基底基板12上，並將基底基板12與 透明基板13相黏合，惟並不僅侷限於此，亦可將黏著薄膜14黏貼於透明基板13上。此情況，便施行透明基板13上所形成標記與遮罩間的位置對齊。
再者，上述實施形態中，在基底基板12上黏貼著黏著薄膜14，並利用黏著薄膜14將透明基板13進行貼合後，再施行切割，惟並不僅侷限於此，亦可將黏著薄膜14黏貼於基底基板12後，再依受光部單位將基底基板12施行切割，然後再黏貼透明基板13。
再者，上述實施形態中，在與曝光裝置的遮罩進行位置對齊時，雖使用基底基板12上所形成的對準專用標記，惟並不僅侷限於此，亦可將在基底基板12上所形成切割線使用為對準用標記。
(實施例)
其次，針對本發明實施例進行說明。
(實施例1) ＜甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001之合成＞
將酚醛型雙酚A樹脂(Phenolite LF-4871、大日本油墨化學(股)製)的固形份60%MEK(甲乙酮)溶液500g，投入於2L燒瓶中，並在其中添加作為觸媒的三丁胺1.5g與作為聚合終止劑的氫醌0.15g，且加熱至100℃。在其中，將甲基丙烯酸環氧丙基酯180.9g歷時30分鐘滴下，在100℃下施行5小時攪拌反應，獲得固形份74%的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001(甲基丙烯醯基改質率50%)。
＜樹脂組成物清漆之製作＞
將光硬化性樹脂三乙二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製，商品名：NK酯3G)9.8質量%、熱硬化性樹脂雙酚A酚醛型環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製，商品名：N865)19.8質量%、聚矽氧改質環氧樹脂(TORAY‧Dow Corning‧Silicones(股)製，商品名：BY16-115)3.6質量%、利用光與熱二者均可硬化之樹脂的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001(31.8質量%)，溶解於MEK(甲乙酮，大伸化學(股)製)中，獲得固形份濃度71%的樹脂組成物清漆。
其次，使填充劑二氧化矽(日本觸媒(股)製，KE-P30，平均粒徑：0.28μm，最大粒徑：0.9μm)33.7質量%分散。
然後，進一步添加光聚合起始劑2, 2-二甲氧基-1, 2-二苯基乙烷-1-酮(汽巴超級化學公司製，IRGACURE 651)1.3質量%，利用攪拌葉片(450rpm)施行1小時攪拌，獲得樹脂組成物清漆。另外，上述樹脂組成物清漆中的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001含有量，係固形份值。
＜黏著薄膜之製作＞
然後，將樹脂組成物清漆塗佈於透明PET(膜厚25μm)上，在80℃下施行15分鐘乾燥，形成50μm厚的黏著層，而獲得黏著薄膜。
＜受光裝置之製造方法＞
在搭載受光部的8吋半導體晶圓(基底基板)(厚：300μm)上，將上述黏著薄膜利用輥貼面壓機(輥溫度：60 ℃，速度：0.3m/分，注射壓：2.0kgf/cm2 )的條件施行積層，然後獲得設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓。接著，曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓的位置對齊，係使用表1所示波長光實施。接著，將波長365nm光施行700mJ/cm2 照射，再將透明PET薄膜撕開。然後，使用2.38%TMAH，依顯影液壓：0.3MPa、時間：90秒施行顯影，形成5mm四方、寬0.6mm形狀之由黏著層構成的框部。
接著，在基板銲線機(德商休斯微技術(股)製，SB8e)上，安裝上述具有框部之搭載受光部的8吋半導體晶圓與8吋透明基板，並施行搭載受光部的8吋半導體晶圓與8吋透明基板的壓接。再依150℃、90分鐘的條件施行後硬化。將所獲得之搭載受光部的8吋半導體晶圓與8吋透明基板的黏合物，使用切割機裁切成既定大小，獲得受光裝置。
(實施例2)
在實施例1的樹脂組成物清漆製作步驟中，除使用下述物之外，其餘均如同實施例1般的實施。
二氧化矽係使用德山(股)製，NSS-3N，平均粒徑：0.125μm，最大粒徑：0.35μm。
(實施例3)
在施行曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊的步驟中，除將光波長設為400nm之外，其餘均如同實施例2般實施。
(實施例4)
在施行曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊的步驟中，除將光波長設為800nm之外，其餘均如同實施例2般實施。
(實施例5)
在實施例1的樹脂組成物清漆製作步驟中，除使用下述物之外，其餘均如同實施例1般實施。
二氧化矽係使用日本觸媒(股)製，KE-S30，平均粒徑：0.24μm，最大粒徑：0.9μm。
(實施例6)
在實施例2的樹脂組成物清漆製作步驟中，除使用下述物之外，其餘均如同實施例2般實施。
利用光與熱二者均可硬化的樹脂係使用含有羧基與甲基丙烯醯基的丙烯酸聚合物(Daicel化學工業(股)製，商品名：Cyclomer P ACA200M)。
(實施例7)
除將樹脂組成物清漆的調配量改為如下述之外，其餘均如同實施例1般實施。
將光硬化性樹脂三乙二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製，商品名：NK酯3G)14.5質量%、熱硬化性樹脂的雙酚A酚醛型環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製，商品名：N865)29.3質量%、聚矽氧改質環氧樹脂(TORAY‧Dow Corning‧Silicones(股)製，商品名：BY16-115)5.4質量%以及利用光與熱二者均可硬化之樹脂 的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001(46.9質量%)，溶解於MEK(甲乙酮，大伸化學(股)製)中，獲得固形份濃度71%的樹脂組成物清漆。
其次，使填充劑的二氧化矽(德山(股)製，NSS-3N，平均粒徑：0.125μm，最大粒徑：0.35μm)2.0質量%分散。
然後，進一步添加光聚合起始劑2, 2-二甲氧基-1, 2-二苯基乙烷-1-酮(汽巴超級化學公司製，IRGACURE 651)1.9質量%，利用攪拌葉片(450rpm)施行1小時攪拌，獲得樹脂組成物清漆。另外，上述樹脂組成物清漆中的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001含有量，係固形份值。
(實施例8)
除將樹脂組成物清漆的調配量改為如下述之外，其餘均如同實施例1般實施。
將光硬化性樹脂三乙二醇二甲基丙烯酸酯(新中村化學工業(股)製，商品名：NK酯3G)7.7質量%、熱硬化性樹脂的雙酚A酚醛型環氧樹脂(大日本油墨化學工業(股)製，商品名：N865)15.6質量%、聚矽氧改質環氧樹脂(TORAY‧Dow Corning‧Silicones(股)製，商品名：BY16-115)2.9質量%以及利用光與熱二者均可硬化之樹脂的甲基丙烯醯基改質酚醛型雙酚A樹脂MPN001(24.8質量%)，溶解於MEK(甲乙酮，大伸化學(股)製)中，獲得固形份濃度71%的樹脂組成物清漆。
其次，使填充劑二氧化矽(德山(股)製，NSS-3N，平均粒徑：0.125μm，最大粒徑：0.35μm)48.0質量%分散。
然後，進一步添加光聚合起始劑2, 2-二甲氧基-1, 2-二苯基乙烷-1-酮(汽巴超級化學公司製，IRGACURE 651)1.0質量%，利用攪拌葉片(450rpm)施行1小時攪拌，獲得樹脂組成物清漆。
(實施例9)
使樹脂組成物清漆之填充劑的二氧化矽(Admatechs(股)製，SO-E2，平均粒徑：0.5μm，最大粒徑：2.0μm)33.7質量%分散。
再者，曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊，係依表1所示波長(800nm)光實施。相關其他事項均如同實施例1。
(實施例10)
再者，曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊，係依表1所示波長(400nm)光實施。相關其他事項均如同實施例5。
(比較例1)
使樹脂組成物清漆之填充劑的二氧化矽(Admatechs(股)製，SO-E2，平均粒徑：0.5μm，最大粒徑：2.0μm)33.7質量%分散。
再者，曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊，係依表1所示波長(600nm)光實施。相關其他事項均如同實施例1。
(比較例3)
曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半 導體晶圓間之位置對齊，係依表1所示波長(400nm)光實施。相關其他事項均如同實施例1。
另外，實施例1~10、比較例1、2的平均粒徑係使用雷射繞射式粒度分佈測定裝置SALD-7000，在水中對填充劑施行1分鐘超音波處理而分散，並施行粒徑測定而計算出，將D50值視為平均粒徑。其中，實施例1~10、比較例1、2的平均粒徑，經確認與利用金屬顯微鏡(穿透光，測定倍率：1000倍，測定面積：0.051156mm2 )觀察黏著薄膜，並將所觀察到的填充劑投影影像，使用影像處理軟體施行處理所計算得平均粒徑(數平均粒徑)大致一致。所以，表1的實施例1~10、比較例1、2之對準波長對填充劑粒徑的比率，係等於相對利用金屬顯微鏡就黏著薄膜進行觀察所獲得平均粒徑的比率。
實施例1~10、比較例1、2中係施行下述評估。
＜對準性＞
在施行曝光裝置的遮罩與設有黏著層且搭載受光部的8吋半導體晶圓間之位置對齊的步驟中，施行對準性評估。
評估係如下：◎：標記形狀截至邊界部分均清晰可見。
○：標記形狀雖可辨識，但邊界部分卻出現稍微不清晰處。
×：標記完全無法看到。
＜顯影性＞
將上述受光裝置的顯影步驟後所獲得之格子圖案部分(成為框材的部分，切割前的圖案)，利用電子顯微鏡 (×5000倍)進行觀察，並評估有無殘渣。評估係如下：○：無殘渣
×：有殘渣
＜形狀保持性＞
在搭載受光部的8吋半導體晶圓與8吋透明基板施行熱壓接時，依目視評估框材的流動(崩潰程度)。評估係如下：◎：熱壓接前後的框材尺寸無變化。
○：經熱壓接後的框材出現若干流動，雖尺寸稍有變化，但形狀並無太大的變化。
×：經熱壓接後的框材出現非常大的流動，不管尺寸與形狀均出現大變化。
結果如表1所示。
得知實施例1~10的對準性呈良好，相對地，比較例1、2則無法檢測到標記，對準性差。
1‧‧‧受光裝置
11‧‧‧受光部
12‧‧‧基底基板
12B‧‧‧切痕
13‧‧‧透明基板
14‧‧‧黏著薄膜
圖1(A)至(D)為本發明實施形態的受光裝置之製造步驟示意圖。
圖2為受光裝置圖。
11‧‧‧受光部
12‧‧‧基底基板
12B‧‧‧切痕
13‧‧‧透明基板
14‧‧‧黏著薄膜

Claims (12)

  1. 一種電子裝置之製造方法，係包括有下述步驟者：在形成有標記的基板或形成有標記的電子零件上，依覆蓋上述基板標記或上述電子零件之標記的方式，設置含有填充劑與光硬化性樹脂之樹脂組成物的步驟；施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的上述基板或上述電子零件之位置對齊的步驟；對上述樹脂組成物隔著上述遮罩選擇性地施行光照射，經顯影而在既定區域中殘留上述樹脂組成物的步驟；以及使上述基板與上述電子零件呈相對向配置，並隔著上述樹脂組成物進行黏合的步驟；其中，在施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的上述步驟中，對設置有上述樹脂組成物的上述基板之標記或上述電子零件之標記，使用上述樹脂組成物中的上述填充劑平均粒徑1.5倍以上之波長光進行檢測，並施行上述曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的上述基板或上述電子零件之位置對齊。
  2. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂組成物係形成為薄膜狀，該樹脂組成物中的上述填充劑之添加量係1重量%以上且50重量%以下。
  3. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其 中，上述樹脂組成物中的上述填充劑粒徑之CV值係50%以下，粒徑CV值=(σ 1/Dn1)×100%(σ 1係指粒徑的標準偏差；Dn1係指平均粒徑)。
  4. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂組成物中的上述填充劑係二氧化矽。
  5. 如申請專利範圍第4項之電子裝置之製造方法，其中，上述填充劑的平均粒徑係0.1μm以上。
  6. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，在施行曝光裝置的遮罩與設置有上述樹脂組成物的基板或電子零件之位置對齊的上述步驟中，將上述檢測標記的光波長設定在300nm以上且900nm以下。
  7. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂組成物係黏著層，係直接接觸於上述基板與上述電子零件，確保上述基板與上述電子零件間之既定間隙，且將上述基板與上述電子零件相黏合。
  8. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂組成物係黏著層；係直接接觸於上述基板與上述電子零件，確保上述基板與上述電子零件間之既定間隙，且將上述基板與上述電子零件相黏合；上述填充劑係平均粒徑0.1μm以上的二氧化矽；上述樹脂組成物中的上述填充劑粒徑之CV值係50%以 下；粒徑CV值=(σ 1/Dn1)×100%(σ 1係指粒徑的標準偏差；Dn1係指平均粒徑)。
  9. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述樹脂組成物係含有上述光硬化性樹脂、光聚合起始劑、熱硬化性樹脂、及利用光與熱二者均可硬化的硬化性樹脂。
  10. 如申請專利範圍第9項之電子裝置之製造方法，其中，上述熱硬化性樹脂係聚矽氧改質環氧樹脂；上述利用光與熱二者均可硬化的上述硬化性樹脂係含有(甲基)丙烯酸改質酚樹脂或含(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸聚合物。
  11. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述基板係透明基板；上述電子零件係具備有受光部與設置有該受光部的基底基板；該電子裝置係受光裝置。
  12. 如申請專利範圍第1項之電子裝置之製造方法，其中，上述電子零件係具備有複數受光部以及設置有該複數受光部的基底基板；在使上述電子零件與上述透明基板呈相對向配置，且隔著上述樹脂組成物進行黏合的步驟後段，依每個受光部實施切割上述電子零件與上述透明基板的黏合體之步驟。
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