CN102326250A - 半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 - Google Patents

半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置 Download PDF

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高桥丰诚
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Abstract

本发明的半导体晶片接合体的制造方法，其特征在于，包括：准备具有支承基材和隔片形成层的隔片形成用膜的工序；将隔片形成用膜的隔片形成层粘贴于半导体晶片上的工序；在隔片形成用膜的支承基材侧设置掩模，并使用掩模以使曝光用光透过支承基材的方式，有选择性地对隔片形成层进行曝光的工序；去除支承基材的工序；对隔片形成层进行显影，在半导体晶片上形成隔片的工序；以及将透明基板接合于隔片的与半导体晶片相反的面上的工序。

Description

半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体和半导体装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片接合体的制造方法、半导体晶片接合体以及半导体装置。
背景技术
目前已知有一种半导体装置，是以CMOS传感器、CCD传感器等为代表的半导体装置，其包含：具有受光部的半导体基板；设置在半导体基板上且以包围受光部的方式形成的隔片；以及通过该隔片接合于半导体基板上的透明基板。
上述半导体装置，通常采用包括下列工序的制造方法来制造：在设置有多个受光部的半导体晶片上，粘贴电子射线固化性的粘接膜(隔片形成层)的工序；通过掩模对该粘接膜有选择性地照射电子射线，对粘接膜进行曝光的工序；对已曝光的粘接膜进行显影以形成隔片的工序；将透明基板接合于所形成的隔片上的工序；以及切割所得到的半导体晶片与透明基板的接合体的工序(例如，参照专利文献1)。
但是，对以往的方法而言，在曝光的工序中，由于粘接膜的粘接面处于露出状态，所以尘埃等杂质容易附着于粘接膜的表面上，并且一旦杂质附着在粘接膜的表面，则难以去除。其结果是，所附着的杂质妨碍粘接膜的曝光，很难以充分的尺寸精度形成隔片。并且，在曝光的工序中，还存在掩模粘附于粘接膜上的问题。为了防止此类掩模的粘附，也考虑过加大粘接膜与掩模的距离，但若加大粘接膜与掩模的距离，则通过照射在粘接膜上的曝光用光所形成的图像发生模糊现象，导致曝光部分和未曝光部分的界线不清楚或者不稳定，难以以充分的尺寸精度形成隔片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-91399号公报
发明内容
发明要解决的课题
本发明的目的在于，提供一种在曝光时可防止掩模或杂质附着于隔片形成层表面上，且可制造具有尺寸精度优良的隔片的半导体晶片接合体的半导体晶片接合体的制造方法；本发明的目的还在于，提供可靠性优良的半导体晶片接合体和半导体装置。
解决课题的方法
上述目的可通过下列(1)～(14)所述的本发明技术方案来实现。
(1)一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：
隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；
粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述半导体晶片的功能面上；
曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；
支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；
显影工序，对曝光的前述隔片形成层进行显影并在前述半导体晶片上形成前述隔片；以及
接合工序，将前述透明基板接合于前述隔片的与前述半导体晶片侧相反侧的面上。
(2)一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板、以及设置在前述半导体晶片与前述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：
隔片形成用膜准备工序，准备具有片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；
粘贴工序，将前述隔片形成用膜的前述隔片形成层粘贴于前述透明基板上；
曝光工序，在前述隔片形成用膜的前述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过前述支承基材的方式，有选择性地对前述隔片形成层中应成为前述隔片的部位进行曝光；
支承基材去除工序，在前述曝光后去除前述支承基材；
显影工序，对曝光后的前述隔片形成层进行显影并在前述透明基板上形成前述隔片；以及
接合工序，将前述半导体晶片的功能面接合于前述隔片的与前述透明基板侧相反侧的面上。
(3)如上述(1)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中，以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述半导体晶片上的校准标记与设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。
(4)如上述(2)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在前述曝光工序中，以与前述支承基材相对置的方式设置前述掩模时，通过对准设置在前述透明基板上的校准标记和设置在前述掩模上的校准标记，从而进行前述掩模的定位。
(5)如上述(1)至(4)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的可见光透过率为30～100％。
(6)如上述(1)至(5)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层的可见光透过率为30～100％。
(7)如上述(1)至(6)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中曝光用光对前述支承基材的透过率为50～100％。
(8)如上述(1)至(7)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述支承基材的平均厚度为15～50μm。
(9)如上述(1)至(8)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述曝光工序中前述掩模与前述支承基材的距离为0～1000μm。
(10)如上述(1)至(9)中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述隔片形成层是由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。
(11)如上述(10)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。
(12)如上述(10)或者(11)所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，前述热固性树脂是环氧树脂。
(13)一种半导体晶片接合体，其特征在于，通过上述(1)至(12)中任一项所述的方法来制造。
(14)一种半导体装置，其特征在于，通过将上述(13)所述的半导体晶片接合体在对应于前述隔片的位置进行切割、单片化来获得。
附图说明
图1是表示本发明的半导体装置的一个实例的剖面图。
图2是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图。
图3是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。
图4是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。
图5是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的一个实例的工序图。
具体实施方式
下面，详细说明本发明。
<半导体装置(图像传感器)>
首先，在说明本发明的半导体晶片接合体的制造方法之前，说明通过本发明的半导体晶片接合体所制造的半导体装置。
图1是表示本发明的半导体装置的一个实例的纵向剖面图。此外，在下面的说明中，将图1中的上侧称为“上”、下侧称为“下”。
如图1所示，半导体装置(受光装置)100，包含基底基板101、以与基底基板101对置的方式配置的透明基板102、在基底基板101上形成的受光部103、在受光部103的边缘部形成的隔片104、以及在基底基板101的下面形成的焊锡凸块106。
基底基板101是半导体基板，在该半导体基板上设置有未图示的电路(后述半导体晶片所具有的单独电路)。
在基底基板101上，设置有几乎横贯其整个面的受光部103。受光部103，例如，为从基底基板101侧依次层叠受光元件和微透镜阵列的构成。
透明基板102是以与基底基板101对置的方式被配置，其平面尺寸与基底基板101的平面尺寸大致相同。透明基板102，例如由丙烯酸树脂基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂(PET)基板、玻璃基板等来构成。
受光部103所具有的微透镜阵列和透明基板102在它们的边缘部直接与隔片104粘接，隔片104是用于粘接基底基板101和透明基板102。并且，该隔片104在受光部103(微透镜阵列)与透明基板102之间形成空隙部105。
该隔片104，以包围该受光部103的中心部的方式配置在受光部103的边缘部，因此，在受光部103中，由隔片104所包围的部分作为实质上的受光部而发挥功能。
此外，作为受光部103所具有的受光元件，例如，可以举出CCD(ChargeCoupled Device，电荷耦合器件)、CMOS(Complementary Metal OxideSemiconductor，互补金属氧化物半导体)等，在该受光元件中，由受光部103所接受的光转换为电信号。
焊锡凸块106具有导电性，在基底基板101的下面，与设置于该基底基板101的布线进行电连接。由此，在受光部103由光转换成的电信号，传递至焊锡凸块106。
<半导体晶片接合体>
接着，说明半导体晶片接合体。
图2是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的纵向剖面图，图3是表示本发明的半导体晶片接合体的一个实例的平面图。
如图2所示，半导体晶片接合体1000是由依次层叠半导体晶片101′、隔片104′和透明基板102′而成的层叠体来构成。
半导体晶片101′，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置100的基底基板101的基板。
另外，在半导体晶片101′的功能面设置有多个单独电路(未图示)。
另外，在半导体晶片101′的功能面上，在每个上述单独电路中各形成有如上所述的受光部103。
如图3所示，隔片104′呈格子状并以包围半导体晶片101′上的各单独电路(受光部103)的方式形成。另外，隔片104′在半导体晶片101′与透明基板102′之间形成多个空隙部105。即，由隔片104′所包围的区域成为空隙部105。
该隔片104′，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置100的隔片104的部件。
透明基板102′是通过隔片104′与半导体晶片101′接合。
该透明基板102′，是通过经历如后述的单片化工序而成为如上所述的半导体装置100的透明基板102的部件。
通过如后述地使这种半导体晶片接合体1000单片化，可以获得多个半导体装置100。
<半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法>
接着，说明本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)制造方法的优选实施方式。
图4和图5是表示本发明的半导体装置(半导体晶片接合体)的制造方法的优选实施方式的工序图。
首先，准备隔片形成用膜1。
如图4(a)所示，隔片形成用膜1包含支承基材11和设置在支承基材11上的隔片形成层12。
支承基材11是片状基材，具有支承隔片形成层12的功能。
该支承基材11是由具有光透过性的材料来构成。如此，通过由具有光透过性的材料来构成，可在如后述的半导体装置的制造中，在隔片形成层12上附着支承基材11的状态下，对隔片形成层12进行曝光。
优选支承基材11的可见光透过率为30～100％，更优选为50～100％。由此，在后述的曝光工序中，可以更加确实地对隔片形成层12进行曝光。并且，可以确实地进行后述掩模20的校准标记与半导体晶片101′(透明基板102′)的校准标记的对准。
另外，在后述曝光工序中曝光用光(i线(365nm))对支承基材11的透过率优选为50～100％，更优选为65～100％。由此，可以更确实地对隔片形成层12进行曝光。
作为构成这种支承基材11的材料，例如，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)等。其中，从光透过性和断裂强度的平衡性优良的观点出发，优选使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。
隔片形成层12，是对半导体晶片的表面具有粘接性并且粘接于半导体晶片的层。对于构成隔片形成层12的树脂组合物，在后面进行详述。
隔片形成层12的可见光透过率优选为30～100％，更优选为50～100％。由此，在后述的曝光工序中，在隔片形成层12的厚度方向更确实地进行曝光。并且，可以确实地进行后述掩模20的校准标记和半导体晶片101′(透明基板102′)的校准标记的对准。
在此，可以通过下述方法测定支承基材11和隔片形成层12的可见光透过率。
采用透过率测定装置(UV-160A，(株)岛津制作所社制造)，并且，支承基材以所用支承基材的厚度、隔片形成层则以50μm，在测定波长为600nm条件下测定透过率。
另一方面，准备在功能面上形成有多个受光部103和微透镜阵列(未图示)的半导体晶片101′(参照图4(b))。
接着，如图4(c)所示，将半导体晶片101′的功能面与隔片形成用膜1的隔片形成层12(粘接面)进行粘合(层叠工序)。由此，获得粘贴有隔片形成用膜1的半导体晶片101′。
接着，对隔片形成层12照射光(紫外线)来进行曝光(曝光工序)。
此时，如图4(d)所示，采用在与应该成为隔片104的部分所对应的位置上具有光透过部201的掩模20。光透过部201具有光透过性部位，透过该光透过部201的光照射于隔片形成层12。然后，有选择性地对隔片形成层112中得到光照射的部分进行曝光。由此，在隔片形成层12中，得到光照射的部分发生光固化。
另外，对隔片形成层12的曝光而言，如图4(d)所示，是在隔片形成层12上附有支承基材11的状态下进行，并基于透过支承基材11的曝光用光来进行。
然而，在以往的半导体装置的制造方法中，在曝光工序中，由于隔片形成层的粘接面处于露出状态，所以尘埃等杂质容易附着于隔片形成层的表面上，并且一旦杂质附着，则难以去除。其结果是，所附着的杂质妨碍隔片形成层的曝光，难于以充分的尺寸精度形成隔片。另外，在曝光工序中，存在掩模粘附于隔片形成层上的问题。为了防止这种掩模的粘附，虽然也考虑过加大隔片形成层与掩模之间的距离，但若加大隔片形成层与掩模的距离，则由照射在隔片形成层上曝光用光所形成的图像出现模糊，曝光部分和未曝光部分的界线变得不清楚或者不稳定，难于以充分的尺寸精度来形成隔片。
与此相比，在本发明中，由于在如上所述的曝光工序中，在隔片形成层上附着有支承基材的状态下进行曝光，因此，该支承基材发挥了作为隔片形成层的保护层的功能，可有效防止尘埃等杂质附着于隔片形成层的表面上。另外，即使在杂质附着于支承基材上的情况下，也可以容易去除。另外，在设置掩模时，也可以防止掩模粘附于隔片形成层的现象，可使掩模与隔片形成层的距离更小。其结果是，可以防止通过照射在隔片形成层的曝光用光所形成的图像变模糊的现象，可以使曝光部和未曝光部的界线变得鲜明(sharp)。其结果是，能够以充分的尺寸精度来形成隔片，能够以与设计相近的形状来形成由隔片104′所包围的空隙部105。由此，可以获得可靠性高的半导体装置。
对支承基材11与掩模20的距离而言，优选支承基材11与掩模20相互之间的间距为0～2000μm，更优选为0～1000μm。由此，可以使通过掩模20所形成的曝光用光的图像变得更加鲜明，能够以充分的尺寸精度形成隔片104。
特别优选以支承基材11和掩模20相接触的状态进行曝光。若为这种构成，则隔片形成层12与掩模20的距离就成为支承基材11的厚度，因此，可使隔片形成层12与掩模20的距离保持固定。其结果是，可以对隔片形成层12的应该曝光的部位进行均匀曝光，可以更有效地形成尺寸精度优良的隔片104′。
如此地，当在支承基材11和掩模20相接触的状态下进行曝光时，通过适当选择支承基材11的厚度，可以自由并且准确地设定隔片形成层12与掩模20的距离，并且可以进一步减小隔片形成层12和掩模20的距离。
若考虑上述情形，则支承基材11的平均厚度，例如，优选为15～50μm，更优选为25～50μm。若支承基材11的平均厚度低于前述下限值，则有时难以获得作为支承基材所必要的强度。另外，若支承基材11的平均厚度超过前述上限值，则根据支承基材11的光透过率的值，为了使曝光用光确实地照射隔片形成层12，有时不得不增大光的照射能量。
另外，在本实施方式中，如图4(d)所示，在半导体晶片101′上的边缘部附近，设置有校准标记1011。
另外，同样地，如图4(d)所示，在掩模20中，设置有对准用的校准标记202。
在本曝光工序中，通过对准上述半导体晶片101′的校准标记1011与掩模20的校准标记202，进行掩模20对半导体晶片101′的定位。由此，能够以高的位置精度形成隔片104′，可进一步提高所形成的半导体装置100的可靠性。
此外，在曝光后，可以对隔片形成层12以40～80℃左右的温度实施加热处理(曝光后加热工序(PEB工序))。通过实施这种加热处理，可以进一步提高曝光工序中光固化的部位(隔片104′)与半导体晶片101′的粘附性，可以有效防止在后述的显影工序中光固化部位发生并不希望的剥离现象。
上述加热处理的温度只要在上述范围即可，但更优选为50～70℃。由此，在后述的显影工序中，可以更有效地防止光固化部位发生并不希望的剥离。
接着，如图4(e)所示，去除支承基材11(支承基材去除工序)。
接着，如图4(f)所示，通过使用碱性水溶液使隔片形成层12显影，去除隔片形成层12中未固化的部分，光固化部位作为格子状的隔片104′而残留(显影工序)。换言之，形成在半导体晶片与透明基板之间成为多个空隙部的部位105′
接着，如图5(g)所示，使所形成的隔片104′的上面与透明基板102′进行接合(接合工序)。由此，获得依次层叠半导体晶片101′、隔片104′以及透明基板102′而成的半导体晶片接合体1000(本发明的半导体晶片接合体)。
隔片104′和透明基板102′的接合，例如，可以在所形成的隔片104′的上面与透明基板102′粘贴后，通过实施热压接来进行。
优选上述热压接在80～180℃的温度范围之内进行。由此，可使所形成的隔片104的形状成为良好。
接着，如图5(h)所示，对半导体晶片101′的与透明基板102接合面的相反侧的下侧面(背面)111进行研削(背研工序)。
该下侧面111，例如，通过研削装置(研磨机)具有的研削盘进行研削。
通过上述下侧面111的研削，半导体晶片101′的厚度，虽然根据半导体装置100所适用的电子设备的不同而不同，但通常设定为100～600μm左右，当用于更小型的电子设备中时，设定为50μm左右。
接着，对所研削的半导体晶片101′的下面(背面)111实施加工(背面加工工序)。
作为上述加工，例如，可以举出：对下面111形成布线，或者连接如图5(i)所示的焊锡凸块106等。
接着，通过以对应于半导体晶片101′上所形成的单独电路、即与隔片104具有的各空隙部105对应的方式，使半导体晶片接合体1000单片化，获得多个半导体装置100(切割(单片化)工序)。换言之，通过在对应于隔片104′的位置对半导体晶片接合体1000进行切割、单片化来获得多个半导体装置100。
对半导体晶片接合体1000的单片化而言，例如，可通过如下所述地进行：首先，如图5(j)所示，从半导体晶片101′侧，采用切割锯(dicing saw)，以对应于形成有隔片104的位置的方式，插入切口21后，从透明基板102′侧，也采用切割锯与切口21对应地插入切口来实施。
通过经历如上所述的工序，可以制造半导体装置100。
如此，使半导体晶片接合体1000单片化而一次得到多个半导体装置100，从而可以大量生产半导体装置100，可以实现生产能力效率化。
此外，例如通过焊锡凸块106，将半导体装置100搭载于具有图案化布线的支承基板上，并由此使支承基板所具有的布线与在基底基板101下面所形成的布线通过焊锡凸块106进行电连接。
另外，半导体装置100能够以搭载于前述支承基板的状态下，广泛应用于诸如移动电话、数码相机、摄像机、小型相机等电子设备中。
此外，在本实施方式中，说明了实施隔片形成层12的曝光后进行加热的PEB工序的情况，但可以根据构成隔片形成层12的树脂组合物的种类来省略这些工序。
此外，在上述说明中，说明了在半导体晶片101′上形成隔片形成层12后进行曝光、显影，然后将隔片104′和透明基板102′接合的情况，但并不限于此，也可以是下述情况：在透明基板102′上形成隔片形成层12后进行曝光、显影，然后，将隔片104′和半导体晶片101′接合。在上述情况下，优选为：透明基板102′上设置有校准标记，在曝光工序中，以与支承基材11相对置的方式设置掩模20时，通过对准透明基板102′上所设置的校准标记和掩模20上所设置的校准标记202，进行掩模20的定位。由此，能够以高的位置精度形成隔片104′，可以进一步提高所形成的半导体装置100的可靠性。
<构成隔片形成层12的树脂组合物>
接着，说明构成隔片形成层12的树脂组合物的优选实施方式。
隔片形成层12，是具有光固化性、碱性显影性和热固化性的层，由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料(树脂组合物)来构成。
下面，详述该树脂组合物的各构成材料。
(碱溶性树脂)
构成隔片形成层12的树脂组合物含有碱溶性树脂。由此，隔片形成层12具有碱性显影性。
作为碱溶性树脂，例如，可以举出：甲酚型、苯酚型、双酚A型、双酚F型、邻苯二酚型、间苯二酚型、邻苯三酚型等酚醛清漆树脂，苯酚芳烷基树脂，羟基苯乙烯树脂，甲基丙烯酸树脂、甲基丙烯酸酯树脂等的丙烯酸类树脂，含有羟基和羧基等的环状烯烃类树脂，聚酰胺系树脂(具体而言，可以举出：具有聚苯并噁唑结构和聚酰亚胺结构中的至少一者并且在主链或侧链上具有羟基、羧基、醚基或酯基的树脂，具有聚苯并噁唑前驱体结构的树脂，具有聚酰亚胺前驱体结构的树脂，具有聚酰胺酸酯结构的树脂等)等，可使用它们中的一种或者两种以上的组合。
在这些碱溶性树脂中，优选使用包含有助于碱性显影的碱溶性基和双键这两者的碱溶性树脂。
作为碱溶性基，例如，可以举出羟基、羧基等。该碱溶性基，可有助于碱性显影并且可有助于热固化反应。另外，碱溶性树脂通过具有双键，可有助于光固化反应。
作为上述具有碱溶性基和双键的树脂，例如，可以举出通过光和热这两者可发生固化的固化性树脂，具体而言，例如，可以举出：具有丙烯酰基、甲基丙烯酰基和乙烯基等光反应基的热固性树脂，或者具有酚羟基、醇羟基、羧基、酸酐基等热反应基的光固性树脂等。
此外，作为具有热反应基的光固性树脂，也可以是进一步包含环氧基、氨基、氰酸酯基等其它热反应基。作为如此构成的光固性树脂，具体而言，可以举出：(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，含有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸聚合物和含有羧基的(环氧基)丙烯酸酯等。另外，也可以是诸如含有羧基的丙烯酸树脂之类的热塑性树脂。
在如上所述的具有碱溶性基和双键的树脂(通过光和热这两者可发生固化的固化性树脂)中，优选使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。若使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，由于含有碱溶性基，因此，在通过显影处理去除未反应的树脂时，作为显影液可以使用对环境负担少的碱液，以取代通常所用的有机溶剂。并且，通过含有双键，该双键有助于固化反应，作为其结果，可以提高树脂组合物的耐热性。另外，通过使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，可以确实减小半导体晶片接合体1000的翘曲程度，从该观点出发，也优选使用(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。
作为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂，例如，可以举出：由双酚类所具有的羟基与具有环氧基和(甲基)丙烯酰基的化合物的环氧基发生反应而获得的(甲基)丙烯酰基改性双酚树脂。
具体而言，作为上述(甲基)丙烯酰基改性双酚树脂，例如，可以举出下述化学式1所示的化合物。
化学式1：
并且，除此之外，可以举出：在环氧树脂的两末端导入有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酰基改性环氧树脂的分子链中，将该(甲基)丙烯酰基改性环氧树脂的分子链中的羟基与二元酸中的一个羧基以酯键进行结合，由此导入了二元酸的化合物(此外，该化合物中的环氧树脂的重复单元为1以上，导入在分子链中的二元酸的数量为1以上)。另外，此类化合物，例如，可通过如下方法获得：首先将由环氧氯丙烷与多元醇聚合而获得的环氧树脂的两末端的环氧基与(甲基)丙烯酸发生反应，由此获得在环氧树脂的两末端导入有(甲基)丙烯酰基的(甲基)丙烯酰基改性环氧树脂，接着将所得到的(甲基)丙烯酰基改性环氧树脂的分子链中的羟基与二元酸酐发生反应，由此与该二元酸的一个羧基形成酯键，从而获得上述化合物。
在此，当使用具有光反应基的热固性树脂时，对该光反应基的改性率(置换率)并没有特别限定，但优选为具有碱溶性基和双键的树脂的反应基总量的20～80％左右，更优选为30～70％左右。通过使光反应基的改性量处于上述范围，尤其是可以提供析像度优良的树脂组合物。
另一方面，当使用具有热反应基的光固性树脂时，对该热反应基的改性率(置换率)并没有特别限定，但优选为具有碱溶性基和双键的树脂的反应基总量的20～80％左右，更优选为30～70％左右。通过使热反应基的改性量处于上述范围，尤其是可以提供析像度优良的树脂组合物。
另外，当作为碱溶性树脂使用具有碱溶性基和双键的树脂时，对该树脂的重均分子量并没有特别限定，但优选为30000以下，更优选为5000～150000左右。若重均分子量在前述范围内，则在膜上形成隔片形成层时的成膜性特别优良。
在此，碱溶性树脂的重均分子量，例如，可以用G.P.C.(凝胶渗透色谱法)进行评价，可以根据预先使用苯乙烯标准物质作成的校准曲线来求出重均分子量。此外，作为测定溶剂使用四氢呋喃(THF)，在40℃的温度条件下进行测定。
另外，对树脂组合物中的碱溶性树脂的含量并没有特别限定，但优选为该树脂组合物总量的15～50重量％左右，更优选为20～40重量％左右。此外，当树脂组合物含有后述的填充材料时，碱溶性树脂的含量可以是树脂组合物的树脂成分(除填充材料外的全部的成分)中的10～80重量％左右，优选为15～70重量％左右。若碱溶性树脂的含量低于前述下限值，则有可能会降低提高与树脂组合物中的其它成分(例如，后述的光固性树脂和热固性树脂)的相溶性的效果，若超过前述上限值，则有可能降低通过显影性或光刻技术所形成的隔片的形成图案的析像度。换言之，通过使碱溶性树脂的含量处于上述范围，则可更加确实地发挥在用光刻法使树脂形成图案后能够热压接的功能。
(热固性树脂)
另外，作为构成隔片形成层12的树脂组合物，含有热固性树脂。由此，隔片形成层12即使在曝光、显影后，也会基于其固化发挥粘接性。即，隔片形成层12和半导体晶片接合，并进行曝光、显影后，可以将透明基板102热压接于隔片形成层12上。
此外，作为上述热固性树脂而言，当作为前述碱溶性树脂使用可通过热发生固化的固化性树脂时，选择与该树脂不同的热固性树脂。
具体而言，作为热固性树脂，例如，可以举出：苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂，甲阶酚醛树脂等酚醛树脂，双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂等双酚型环氧树脂，酚醛清漆环氧树脂、甲酚酚醛清漆环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂，联苯型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚甲烷型环氧树脂、烷基改性三酚甲烷型环氧树脂、含有三嗪核的环氧树脂、双环戊二烯改性苯酚型环氧树脂等的环氧树脂，脲(尿素)树脂，三聚氰胺树脂等具有三嗪环的树脂，不饱和聚酯树脂，双马来酰亚胺树脂，聚氨酯树脂，邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂，硅酮树脂，具有苯并噁嗪环的树脂，氰酸酯树脂、环氧改性硅氧烷等，可使用它们中的一种或者组合两种以上后使用。其中，特别优选使用环氧树脂。由此，可进一步提高耐热性和与透明基板102的粘附性。
并且，当使用环氧树脂时，作为环氧树脂，优选并用室温下为固体的环氧树脂(特别是双酚型环氧树脂)与室温下为液状的环氧树脂(特别是室温下为液状的有机硅改性环氧树脂)。由此，可以使隔片形成层12保持耐热性并且在柔软性和析像度两方面均优良。
对树脂组合物中的热固性树脂的含量并没有特别限定，但优选为该树脂组合物总量的10～40重量％左右，更优选为15～35重量％左右。若热固性树脂的含量低于前述下限值，则有可能降低所得到的隔片形成层12的耐热性提高效果。另外，若热固性树脂的含量超过前述上限值，则有可能降低隔片形成层12的韧性提高效果。
另外，当在热固性树脂中使用如上所述的环氧树脂时，优选除该环氧树脂之外还含有苯酚酚醛清漆树脂。通过添加苯酚酚醛清漆树脂，可以提高所得到的隔片形成层12的显影性。并且，通过作为树脂组合物中的热固性树脂包含环氧树脂和苯酚酚醛清漆树脂这两者，还可得到进一步提高环氧树脂的热固化性、进一步提高所形成的隔片104的强度的优点。
(光聚合引发剂)
构成隔片形成层12的树脂组合物含有光聚合引发剂。因此，通过光聚合可以有效地对隔片形成层12形成图案。
作为光聚合引发剂，例如，可以举出：二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、安息香异丁醚、安息香苯甲酸甲酯、安息香苯甲酸、安息香甲醚、苄基苯硫醚、二苯甲酰、联二苯甲酰、丁二酮、苄基二甲基缩酮等。
对树脂组合物中的光聚合引发剂的含量而言，并没有特别限定，但优选为该树脂组合物总量的0.5～5重量％左右，更优选为0.8～3.0重量％左右。若光聚合引发剂的含量低于下限值，则有可能无法充分获得引发光聚合的效果。另外，当光聚合引发剂的含量超过前述上限值，则反应性增高并有可能降低保存性或析像度。
(光聚合性树脂)
作为构成隔片形成层12的树脂组合物，优选除上述成分之外还含有光聚合性树脂。由此，与前述的碱溶性树脂一起包含于树脂组合物中，可以进一步提高所得到的隔片形成层12的图案形成性。
此外，作为该光聚合性树脂，在作为前述的碱溶性树脂使用基于光可发生固化的固化性树脂时，选择与该树脂不同的光聚合性树脂。
作为光聚合性树脂，并没有特别限定，例如，可以举出，不饱和聚酯，一分子中含有至少一个以上丙烯酰基或甲基丙烯酰基的丙烯酸类单体或低聚物等的丙烯酸类化合物，苯乙烯等乙烯类化合物等，它们既可以单独使用也可以混合两种以上使用。
其中，优选以丙烯酸类化合物作为主要成分的紫外线固化性树脂。丙烯酸类化合物在照射光时的固化速度快，从而能够以较少量的曝光量即可使树脂形成图案，所以优选使用。
作为该丙烯酸类化合物，可以举出丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的单体等，具体而言，可以举出：乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙三醇二(甲基)丙烯酸酯、1，10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯等的双官能(甲基)丙烯酸酯，三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三
(甲基)丙烯酸酯等的三官能(甲基)丙烯酸酯，季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯等的四官能(甲基)丙烯酸酯，二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等的六官能(甲基)丙烯酸酯等。
在这些丙烯酸类化合物中，优选使用丙烯酸类多官能单体。由此，可使由隔片形成层12所得到的隔片104发挥优良的强度。其结果是，具有该隔片104的半导体装置100的形状保持性更加优良。
此外，在本说明书中，所谓丙烯酸类多官能单体，是指具有三官能以上的丙烯酰基或甲基丙烯酰基的(甲基)丙烯酸酯的单体。
并且，在丙烯酸类多官能单体中，特别优选使用三官能(甲基)丙烯酸酯或四官能(甲基)丙烯酸酯。由此，可更加显著地发挥前述效果。
此外，当作为光聚合性树脂使用丙烯酸类多官能单体时，优选还含有环氧乙烯基酯树脂。由此，在隔片形成层12的曝光时，由于丙烯酸类多官能单体与环氧乙烯基酯树脂进行自由基聚合，因此可以更有效地提高所形成的隔片104的强度。另外，在进行显影时，可以提高隔片形成层12上未曝光部分对碱性显影液的溶解性，因此可以降低显影后的残渣。
作为环氧乙烯基酯树脂，可以举出：2-羟基-3-苯氧丙基丙烯酸酯、Epolight(エポライト)40E甲基丙烯酸加成物、Epolight 70P丙烯酸加成物、Epolight200P丙烯酸加成物、Epolight 80MF丙烯酸加成物、Epolight 3002甲基丙烯酸加成物、Epolight 3002丙烯酸加成物、Epolight 1600丙烯酸加成物、双酚A二缩水甘油醚甲基丙烯酸加成物、双酚A二缩水甘油醚丙烯酸加成物、Epolight 200E丙烯酸加成物、Epolight 400E丙烯酸加成物等。
当光聚合性树脂中包含丙烯酸类多官能聚合物时，对树脂组合物中的丙烯酸类多官能聚合物的含量并没有特别限定，但优选为该树脂组合物总量的1～50重量％左右，更优选为5％～25重量％左右。由此，可以更加有效地提高曝光后的隔片形成层12、即隔片104的强度，可以更有效地提高在粘合半导体晶片101′和透明基板102时的形状保持性。
并且，当光聚合性树脂含有丙烯酸类多官能聚合物之外还含有环氧乙烯基酯树脂时，对环氧乙烯基酯树脂的含量并没有特别限定，但优选为树脂组合物总量的3～30重量％左右，更优选为5％～15重量％左右。由此，可以更有效地降低在半导体晶片与透明基板进行粘贴后残留于半导体晶片和透明基板各表面上的杂质的残留率。
另外，优选如上所述的光聚合性树脂在常温下为液状。由此，可以进一步提高由光照射(例如，紫外线照射)引发的固化反应性。并且，还可容易进行与其它配合成分(例如，碱溶性树脂)的混合操作。作为常温下为液状的光聚合性树脂，例如，可以举出以前述的丙烯酸化合物作为主要成分的紫外线固化性树脂等。
此外，对光聚合性树脂的重均分子量而言，并没有特别限定，但优选为5000以下，更优选为150～3000左右。若重均分子量在前述范围内，则隔片形成层12的灵敏度(感度)尤其优良。并且，隔片形成层12的析像度也优良。
在此，对光聚合性树脂的重均分子量而言，例如，可使用G.P.C.(凝胶渗透色谱法)进行评价，可以采用与前述方法相同的方法来进行计算。
(无机填充材料)
此外，在用于形成隔片形成层12的树脂组合物中，还可以含有无机填充材料。由此，可进一步提高由隔片形成层12所形成的隔片104的强度。
其中，若树脂组合物中的无机填充材料的含量过多，则存在着隔片形成层12的显影后来自无机填充材料的杂质附着于半导体晶片101′上或者发生凹割(under cut)的问题。因此，优选树脂组合物中的无机填充材料的含量为该树脂组合物总量的9重量％以下。
另外，当作为光聚合性树脂含有丙烯酸类多官能单体时，通过添加丙烯酸类多官能单体，可以充分提高由隔片形成层12所形成的隔片104的强度，因此，可以省略在树脂组合物中添加无机填充材料。
作为无机填充材料，例如，可以举出：氧化铝纤维、玻璃纤维等的纤维状填充材料，钛酸钾、硅灰石、硼酸铝、针状氢氧化镁、晶须(whisker)等的针状填充材料，滑石、云母、绢云母、玻璃片、鳞片状石墨、板状碳酸钙等的板状填充材料，碳酸钙、二氧化硅、熔融二氧化硅、煅烧粘土、未煅烧粘土等的球状(粒状)填充材料，沸石、硅胶等的多孔质填充材料等。可使用它们中的一种或者混合两种以上来使用。其中，特别优选使用多孔质填充材料。
对无机填充材料的平均粒径而言，并没有特别限定，但优选为0.01～90μm左右，更优选为0.1～40μm左右。若平均粒径超过前述上限值，则有可能引起隔片形成层12的外观异常或析像度不良。另外，若平均粒径低于前述下限值，则将隔片104对透明基板102加热粘贴时有可能产生粘接不良。
此外，平均粒径，例如可以采用激光衍射式粒度分布测定装置SALD-7000((株)岛津制作所制造)进行评价。
另外，当作为无机填充材料使用多孔质填充材料时，优选该多孔质填充材料的平均空孔径为0.1～5nm左右，更优选为0.3～1nm左右。
作为构成隔片形成层12的树脂组合物，除含有上述成分之外，还可以在不损害本发明的目的的范围内含有可塑性树脂、流平剂、消泡剂、偶联剂等添加剂。
通过由如上所述的树脂组合物来构成隔片形成层12，可以使隔片形成层12的可见光的透过率更加适宜，可更有效地防止曝光工序中的曝光不良。其结果是，可以提供可靠性更高的半导体装置。
以上，基于优选实施方式对本发明进行了说明，但本发明不局限于这些。
例如，在本发明的半导体装置的制造方法中，可以追加一个或者两个以上任意目的工序。例如，在层叠工序与曝光工序之间，还可以设置对隔片形成层施以加热处理的层叠后加热工序(PLB工序)。
另外，在前述的实施方式中，说明了进行一次曝光的情况，但并不局限于此，例如，可以进行多次曝光。
实施例
下面，基于实施例和比较例详细说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。
[1]半导体晶片接合体的制造
通过如下操作，分别制造100个各实施例和比较例的半导体晶片接合体。
(实施例1)
1.碱溶性树脂((甲基)丙烯酸改性双酚A酚醛清漆树脂)的合成
将酚醛清漆型双酚A树脂(PhenoliteLF-4871，大日本油墨化学工业株式会社制造)的固态成分60％的MEK(甲乙酮)溶液500g，置入2L烧瓶中，向其中添加1.5g作为催化剂的三丁胺和0.15g作为阻聚剂的氢醌，加温到100℃。将180.9g甲基丙烯酸缩水甘油酯经过30分钟滴加于其中，在100℃下搅拌反应5小时，由此获得固态成分74％的甲基丙烯酰基改性酚醛清漆型双酚A树脂MPN001(甲基丙烯酰基改性率为50％)。
2.构成隔片形成层的树脂组合物的树脂清漆的制备
称量下述物质：作为光聚合性树脂的15重量％三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯(Light Ester TMP，共荣社化学株式会社制造)、5重量％环氧乙烯基酯树脂(环氧酯3002M，共荣社化学株式会社制造)、作为热固性树脂的环氧树脂的5重量％双酚A酚醛清漆型环氧树脂(Epiclon N-865，大日本油墨化学工业株式会社(Dainippon Ink and Chenicals，Inc.)制造)、10重量％的双酚A型环氧树脂(YL6810，日本环氧树脂株式会社(Japan Epoxy Resins Co.Ltd.)制造)、5重量％的硅酮环氧树脂(BY16-115，陶氏康宁东丽硅株式会社(Dow Corning Toray Silicone Co.，Ltd.)制造)、3重量％的苯酚酚醛清漆树脂(PR53647，住友电本株式会社制造)、作为碱溶性树脂的以固态成分为55重量％上述MPN001、2重量％的光聚合引发剂(IRGACURE 651，汽巴精化株式会社(Ciba Specialty Chemicals Inc.)制造)。采用分散机，对上述所称量的成分，以3000rpm旋转速度搅拌1小时，制备树脂清漆。
3.隔片形成用膜的制造
首先，作为支承基材，准备了聚酯膜(“MRX50”，厚度为50μm，可见光(600nm)的透过率为85％、曝光用光i线(365nm)的透过率为76％，三菱树脂社制造)。
接着，采用逗点涂布机(型号为MFG No.194001 type3-293，康井精机社制造)，在支承基材上涂布上述所调制的树脂清漆，由此形成由树脂清漆构成的涂膜。然后，将所形成的涂膜在80℃下干燥20分钟而形成隔片形成层，由此获得隔片形成用膜。对所得到的隔片形成用膜而言，隔片形成层的平均厚度为50μm。并且，所形成的隔片形成层的可见光(600nm)的透过率为99％。
4.接合体的制造
首先，准备了基本呈圆形的直径为8英寸的半导体晶片(Si晶片、直径为20.3cm、厚度为725μm)。此外，所准备的半导体晶片，是在离半导体晶片的边缘部5mm的位置，且在以半导体晶片的中心为轴而相互成为点对称的两个部位，设置有校准标记的半导体晶片。
接着，采用辊压层叠装置，在辊温度为60℃、辊速度为0.3m/分钟、注射压为2.0kgf/cm2的条件下，在半导体晶片上层叠上述所制造的隔片形成用膜，由此获得带有隔片形成用膜的半导体晶片。
接着，准备掩模，所述掩模具有对半导体晶片定位用的两个校准标记并且具有与应该形成的隔片的俯视形状相同形状的光透过部。与隔板形成用膜相对置而设置该掩模，以对准该掩模的校准标记和半导体晶片的校准标记。此时，掩模与支承基材的距离为0mm。
接着，通过掩模，并从隔片形成用膜侧，向带有隔片形成用膜的半导体晶片照射紫外线(波长为365nm、累计光量为700mJ/cm2)，由此，将隔片形成层曝光成格子状后，剥离支承基材。此外，在对隔片形成层的曝光中，将俯视时的隔板形成层的50％，曝光成以格子状曝光的曝光部的宽度成为0.6mm。
接着，作为显影液(碱液)使用2.38w％的四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液，在显影液压为0.2MPa、显影时间为90秒的条件下，对曝光后的隔片形成层进行显影，在半导体晶片上形成凸条的宽度为0.6mm的隔片。
接着，准备透明基板(石英玻璃基板、直径20.3cm、厚度725μm)，采用基板接合机(substrate bonder)(“SB8e”，Suss MicroTec公司制造)，将该透明基板压合于形成有隔片的半导体晶片上，由此，制造出通过隔片将半导体晶片和透明基板接合的半导体晶片接合体。
(实施例2、3)
除了如表1所示地改变构成隔片形成层的树脂组合物的各成分的配合比以外，与前述实施例1同样地进行操作，制造半导体晶片接合体。
(实施例4～10)
除了如表1所示地改变支承基材的平均厚度、掩模与支承基材的距离以外，与前述实施例1同样地进行操作，制造半导体晶片接合体。
(比较例)
除了在曝光工序中，将支承基材从隔片形成用膜去除的状态下，使隔片形成层至掩模的距离为3000μm来对隔片形成层进行曝光以外，与前述实施例1同样地进行操作，制造半导体晶片接合体。
将各实施例和比较例中的隔片形成层的树脂组合物成分的种类和配合量等示于表1中。此外，在表中，将甲基丙烯酰基改性酚醛清漆型双酚A树脂表示为“MPN”、将三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯表示为“TMP”、将环氧乙烯基酯树脂表示为“3002M”、将双酚A酚醛清漆型环氧树脂表示为“N865”、将双酚A型环氧树脂表示为“YL”、将硅酮环氧树脂表示为“BY16”、将苯酚酚醛清漆树脂表示为“PR”。
Figure BPA00001423778700231
[2]曝光产生的图案形成性的评价
[2-1]评价1
采用立体显微镜(×500倍)测定各实施例和比较例的半导体晶片接合体的隔片的实际尺寸，比较该值与目标尺寸，依照下列评价基准评价了曝光产生的图案形成性。
◎：尺寸精度为99％以上。
○：尺寸精度为96％以上且低于99％。
△：尺寸精度为93％以上且低于96％。
×：尺寸精度为低于93％。
[2-2]评价2
采用电子显微镜(×5000倍)观察各实施例和比较例的100个半导体晶片接合体的隔片的形状，依照下列评价基准评价了曝光产生的图案形成性。
◎：在全部100个隔片中均没有欠缺等，以高精度形成了图案。
○：在100个中的1～10个半导体晶片接合体的隔片中，出现了欠缺等，但显示出了在实用上没有问题的图案形成性。
△：在100个中的11～20个半导体晶片接合体的隔片中，出现了欠缺等，并未显示出充分的图案形成性。
×：在100个中的21个以上的半导体晶片接合体的隔片中，出现了欠缺等，图案形成性的精度低。
[3]显影性的评价
采用立体显微镜(×500倍)观察各实施例和比较例中的任一个半导体晶片接合体的隔片和空隙部，依照下列评价基准评价了残渣的有无。
◎：完全无法确认残渣，在实用上完全没有问题。
○：能够确认若干残渣，但在实用上是没有问题的水平。
△：可观察到残渣比较多，不是实用水平。
×：可确认大量残渣，不是实用水平。
将这些结果示于表2中。
[4]半导体装置(受光装置)的制造
采用切割锯，在对应于隔片的位置切割各实施例和比较例所得到的半导体晶片接合体，获得多个受光装置。
(受光装置可靠性)
将所得到的受光装置，按-55℃下1小时、125℃下1小时的处理循环，反复进行100循环的温度循环试验(n＝10)，实施对裂纹和剥离的观察并依照下列评价基准进行了评价。
◎：全部试样没有裂纹和剥离现象，在实用上完全没有问题。
○：确认2个以下的试样中有少许裂纹和剥离，但在实用上没有问题。
△：观察到3个以上的试样中有裂纹和剥离，不是实用水平。
×：观察到8个以上的试样中有裂纹和剥离，不是实用水平。
将该结果一并示于表2中。
表2
Figure BPA00001423778700251
根据表2明确可知，在本发明的半导体晶片接合体中，没有隔片的欠缺等，在尺寸精度上也优良。并且，使用本发明的半导体晶片接合体所制造的半导体装置的可靠性特别高。
与此相比，在比较例中曝光产生的图案形成性的精度并不充分。
工业实用性
基于本发明能够提供可靠性优良的半导体装置，并且能够提供可容易制造所述半导体装置的半导体晶片接合体及其制造方法。因此，具有工业实用性。

Claims (14)

1.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：
隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；
粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述半导体晶片的功能面上；
曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；
支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；
显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述半导体晶片上形成所述隔片；以及
接合工序，将所述透明基板接合于所述隔片的与所述半导体晶片侧相反侧的面上。
2.一种半导体晶片接合体的制造方法，用于制造具有半导体晶片、设置在该半导体晶片的功能面侧的透明基板以及设置在所述半导体晶片与所述透明基板之间的隔片的半导体晶片接合体，其特征在于，包括：
隔片形成用膜准备工序，准备包含片状支承基材和设置在该支承基材上的具有粘接性的隔片形成层的隔片形成用膜；
粘贴工序，将所述隔片形成用膜的所述隔片形成层粘贴于所述透明基板上；
曝光工序，在所述隔片形成用膜的所述支承基材侧设置掩模，并使用该掩模以使曝光用光透过所述支承基材的方式，有选择性地对所述隔片形成层中应成为所述隔片的部位进行曝光；
支承基材去除工序，在所述曝光后去除所述支承基材；
显影工序，对曝光后的所述隔片形成层进行显影，在所述透明基板上形成所述隔片；以及
接合工序，将所述半导体晶片的功能面接合于所述隔片的与所述透明基板侧相反侧的面上。
3.如权利要求1所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述半导体晶片上的校准标记与设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。
4.如权利要求2所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，在所述曝光工序中，以与所述支承基材相对置的方式设置所述掩模时，通过对准设置在所述透明基板上的校准标记和设置在所述掩模上的校准标记，从而进行所述掩模的定位。
5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的可见光透过率为30～100％。
6.如权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层的可见光透过率为30～100％。
7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中曝光用光对所述支承基材的透过率为50～100％。
8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述支承基材的平均厚度为15～50μm。
9.如权利要求1至8中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述曝光工序中所述掩模与所述支承基材的距离为0～1000μm。
10.如权利要求1至9中任一项所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述隔片形成层由包含碱溶性树脂、热固性树脂和光聚合引发剂的材料来构成。
11.如权利要求10所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述碱溶性树脂为(甲基)丙烯酸改性酚醛树脂。
12.如权利要求10或者11所述的半导体晶片接合体的制造方法，其中，所述热固性树脂为环氧树脂。
13.一种半导体晶片接合体，其特征在于，采用权利要求1至12中任一项所述的方法来制造。
14.一种半导体装置，其特征在于，通过将权利要求13所述的半导体晶片接合体在对应于所述隔片的位置进行切割、单片化来获得。
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