JP2009060113A - ケーシング下部を備えたケーシング - Google Patents
ケーシング下部を備えたケーシング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009060113A JP2009060113A JP2008223085A JP2008223085A JP2009060113A JP 2009060113 A JP2009060113 A JP 2009060113A JP 2008223085 A JP2008223085 A JP 2008223085A JP 2008223085 A JP2008223085 A JP 2008223085A JP 2009060113 A JP2009060113 A JP 2009060113A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- casing
- cover
- frame
- electromagnetic radiation
- cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 50
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 36
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 36
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 18
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 18
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 22
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 7
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000012778 molding material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004071 soot Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
Abstract
【解決手段】ケーシングキャビティは1つのケーシング面において開口部を有しており、このケーシングキャビティの底部には電磁放射を送出する半導体チップが配置されている。さらにカバーが設けられており、このカバーは電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性であり、ケーシングキャビティを覆っている。
【選択図】図1
Description
a)ケーシング下部内において1つのケーシング面で開放されたケーシングキャビティに、少なくとも1つの半導体チップが配置される。
b)ケーシング下部が少なくとも部分的に透過性のカバーにより覆われる。
c)このカバーは、側面でカバーから出射する放射が吸収されるようケーシング下部と結合される。
2 ケーシングフレーム
3 半導体チップ
4 カバー
5 吸収材料
6 接着剤
7 吸収性接着剤
8 吸収性の層
9 ケーシングキャビティ
10 ケーシング面
11 側面
Claims (15)
- ケーシングにおいて、
ケーシング下部(21)と、
該ケーシング下部(21)内部のケーシングキャビティ(9)と、
1つのケーシング面(10)に形成された開口部と、
該ケーシングキャビティ(9)内に配置され電磁放射を送出する少なくとも1つの半導体チップ(3)と、
該電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性であり前記ケーシングキャビティ(9)を覆うカバー(4)が設けられており、
前記カバー(4)は、該カバー(4)の側面(11)から出射する電磁放射が吸収されるよう、前記ケーシング下部(21)と結合されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
該ケーシングは吸収材料(5)を有しており、該吸収材料(5)は前記カバー(4)の側面(11)に向かって出射する電磁放射を吸収するように配置されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項2記載のケーシングにおいて、
前記ケーシング下部(21)は少なくとも1つのケーシング基部(1)とケーシングフレーム(2)を有しており、該ケーシングフレーム(2)は切り欠きを有しており、該切り欠きに前記カバー(4)が吸収性接着剤(7)により結合されて取り付けられていることを特徴とするケーシング。 - 請求項3記載のケーシングにおいて、
前記吸収材料(5)は前記カバー(4)の側面(11)と前記ケーシングフレーム(2)の間に取り付けられていることを特徴とするケーシング。 - 請求項3または4記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の高さ(h)は前記ケーシングフレームの切り欠きの高さ(H)と等しいか該切り欠きの高さ(H)よりも低いことを特徴とするケーシング。 - 請求項3から5のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングキャビティ(9)とは反対側に形成されている前記カバー(4)上面の周縁領域は吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から6のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシング下部(21)は少なくとも1つのケーシング基部(1)とケーシングフレーム(2)を有しており、該ケーシングフレーム(2)は切り欠きを有しており、該切り欠きにはカバー(4)が取り付けられており、該カバー(4)の側面(11)と前記ケーシングフレーム(2)との間に吸収材料(5)が取り付けられており、該吸収材料(5)は接着剤であり、該接着剤により前記カバー(4)と前記ケーシング下部(21)との間の機械的な結合が形成されることを特徴とするケーシング。 - 請求項3から7のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)が吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から8のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)は前記ケーシング下部(21)と光学的に結合されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から9のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の材料はガラスまたは硬化シリコーンであり、前記半導体チップ(3)の電磁放射に対し熱耐性を有することを特徴とするケーシング。 - 請求項3から10のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム(2)と前記ケーシング基部(1)の材料はセラミックであり、または前記半導体チップ(3)の電磁放射に対し熱耐性を有するプラスチック材料であることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
前記ケーシング下部(21)の材料は窒化アルミニウムから成り、または窒化アルミニウムを含むことを特徴とするケーシング。 - 請求項3から11のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム(2)の材料は酸化アルミニウムであり、前記ケーシング基部(1)の材料は窒化アルミニウムであることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)は所定の角度で研磨されていて、該カバー(4)に入力結合された電磁放射が前記ケーシング下部(21)に向けられることを特徴とするケーシング。 - 請求項14記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)が吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007041133.4 | 2007-08-30 | ||
DE102007041133A DE102007041133A1 (de) | 2007-08-30 | 2007-08-30 | Gehäuse mit einem Gehäuseunterteil, sowie Verfahren zur Aussendung elektromagnetischer Strahlung |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009060113A true JP2009060113A (ja) | 2009-03-19 |
JP5345358B2 JP5345358B2 (ja) | 2013-11-20 |
Family
ID=39965586
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008223085A Expired - Fee Related JP5345358B2 (ja) | 2007-08-30 | 2008-09-01 | ケーシング下部を備えたケーシング |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8220973B2 (ja) |
EP (1) | EP2031667B1 (ja) |
JP (1) | JP5345358B2 (ja) |
DE (1) | DE102007041133A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020129681A (ja) * | 2020-04-24 | 2020-08-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008017071A1 (de) * | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Modul und Projektionsvorrichtung mit dem optoelektronischen Modul |
TW201208131A (en) * | 2010-08-05 | 2012-02-16 | Everlight Electronics Co Ltd | Light emitting diode package structure |
EP2742529B1 (en) * | 2011-08-10 | 2020-11-11 | Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. | Opto-electronic module and method for manufacturing the same |
US8878221B2 (en) | 2011-08-19 | 2014-11-04 | Lg Innotex Co., Ltd. | Light emitting module |
JP2013131509A (ja) * | 2011-12-20 | 2013-07-04 | Ricoh Co Ltd | 光学ユニットの製造方法、光学ユニット、光走査装置及び画像形成装置 |
WO2014189221A1 (ko) * | 2013-05-23 | 2014-11-27 | 엘지이노텍주식회사 | 발광 모듈 |
US9627590B2 (en) | 2013-07-30 | 2017-04-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic device |
DE102014107960A1 (de) | 2014-06-05 | 2015-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
US20160018089A1 (en) * | 2014-07-21 | 2016-01-21 | Grote Industries, Inc. | Lamp having multiple mountings |
US10649497B2 (en) * | 2014-07-23 | 2020-05-12 | Apple Inc. | Adaptive processes for improving integrity of surfaces |
USD757665S1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-31 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD757664S1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-05-31 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD750578S1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-01 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting diode |
USD750579S1 (en) * | 2014-09-30 | 2016-03-01 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light emitting diode |
WO2024006266A1 (en) * | 2022-06-30 | 2024-01-04 | Lumileds Llc | Led array with air-spaced optics |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177568A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置用透明被覆体 |
JPH04258184A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光表示装置 |
JPH06143680A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光プリントヘッド |
JPH10244702A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | プリンタ用光書込みヘッド |
JP2003163342A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004349646A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2006104061A (ja) * | 2003-09-17 | 2006-04-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シンナモイル化合物含有i型コラーゲン遺伝子転写抑制組成物。 |
JP2006278730A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射部材付きled用実装基板およびその製造方法、ならびにledモジュール |
JP2007005003A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Du Pont Toray Co Ltd | Led照明装置 |
JP2007103937A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシング及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングの又はこのようなケーシングを有する電磁ビーム放出構成素子の製造のための方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4866849A (en) * | 1987-06-22 | 1989-09-19 | Pioneer Data Processing, Inc. | Surveying target with high intensity discharge lamp |
JP3613041B2 (ja) * | 1998-12-16 | 2005-01-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP2002223005A (ja) * | 2001-01-26 | 2002-08-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光ダイオード及びディスプレイ装置 |
EP1437776B1 (en) * | 2001-10-12 | 2011-09-21 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacture thereof |
US6711426B2 (en) * | 2002-04-09 | 2004-03-23 | Spectros Corporation | Spectroscopy illuminator with improved delivery efficiency for high optical density and reduced thermal load |
DE10315131A1 (de) | 2003-04-03 | 2004-10-14 | Hella Kg Hueck & Co. | Scheinwerfer für Fahrzeuge |
JP2005038956A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光部品とその製造方法 |
WO2005053041A1 (ja) * | 2003-11-25 | 2005-06-09 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光ダイオードチップを用いた発光装置 |
DE102004021233A1 (de) * | 2004-04-30 | 2005-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiodenanordnung |
US20060006791A1 (en) * | 2004-07-06 | 2006-01-12 | Chia Chee W | Light emitting diode display that does not require epoxy encapsulation of the light emitting diode |
EP1819211A4 (en) * | 2004-12-03 | 2011-02-23 | Nitta Corp | ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE INHIBITOR, ANTENNA DEVICE AND ELECTRONIC COMMUNICATION APPARATUS |
DE102005011355A1 (de) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Osa Opto Light Gmbh | Optoelektronisches Bauelement mit modifizierter Abstrahlcharakteristik |
JP2007201945A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-08-09 | Kyocera Corp | 半導体装置 |
JP2007116138A (ja) * | 2005-09-22 | 2007-05-10 | Lexedis Lighting Gmbh | 発光装置 |
DE102006005299A1 (de) | 2006-02-06 | 2007-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Gehäuse für ein Lumineszenzdioden-Bauelement und Lumineszenzdioden-Bauelement |
-
2007
- 2007-08-30 DE DE102007041133A patent/DE102007041133A1/de not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-08-08 EP EP08162093.2A patent/EP2031667B1/de not_active Not-in-force
- 2008-08-26 US US12/198,393 patent/US8220973B2/en active Active
- 2008-09-01 JP JP2008223085A patent/JP5345358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02177568A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-10 | Toppan Printing Co Ltd | 半導体装置用透明被覆体 |
JPH04258184A (ja) * | 1991-02-12 | 1992-09-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 発光表示装置 |
JPH06143680A (ja) * | 1992-11-09 | 1994-05-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光プリントヘッド |
JPH10244702A (ja) * | 1997-03-03 | 1998-09-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | プリンタ用光書込みヘッド |
JP2003163342A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JP2004349646A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光装置 |
JP2006104061A (ja) * | 2003-09-17 | 2006-04-20 | Sumitomo Chemical Co Ltd | シンナモイル化合物含有i型コラーゲン遺伝子転写抑制組成物。 |
JP2006278730A (ja) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 反射部材付きled用実装基板およびその製造方法、ならびにledモジュール |
JP2007005003A (ja) * | 2005-06-21 | 2007-01-11 | Du Pont Toray Co Ltd | Led照明装置 |
JP2007103937A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシング及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子及び電磁ビーム放出オプトエレクトロニクス構成素子のためのケーシングの又はこのようなケーシングを有する電磁ビーム放出構成素子の製造のための方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020129681A (ja) * | 2020-04-24 | 2020-08-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7116333B2 (ja) | 2020-04-24 | 2022-08-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090059588A1 (en) | 2009-03-05 |
EP2031667A2 (de) | 2009-03-04 |
EP2031667B1 (de) | 2019-01-16 |
JP5345358B2 (ja) | 2013-11-20 |
US8220973B2 (en) | 2012-07-17 |
DE102007041133A1 (de) | 2009-03-05 |
EP2031667A3 (de) | 2014-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5345358B2 (ja) | ケーシング下部を備えたケーシング | |
JP7072037B2 (ja) | 光源装置及び照明装置 | |
US10514158B2 (en) | Light source device and projection device | |
JP5948701B2 (ja) | 車両用前照灯 | |
US8994051B2 (en) | Light emission module, light emission module manufacturing method, and lamp unit | |
US9816677B2 (en) | Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element | |
JP6257513B2 (ja) | 発光装置および車両用灯具 | |
US8253143B2 (en) | Light emitting module and method of manufacturing the same | |
WO2012111292A1 (ja) | 発光モジュールおよび車両用灯具 | |
JP2012109201A (ja) | 発光装置、車両用前照灯、照明装置およびレーザ素子 | |
JP5731303B2 (ja) | 発光モジュール | |
JP5990050B2 (ja) | 照明装置、車両用前照灯および車両 | |
JP6929850B2 (ja) | 光変換モジュール | |
JP2015149307A (ja) | 発光モジュールおよび車両用灯具 | |
JP2016092364A (ja) | 発光装置及び灯具 | |
JP2006019745A (ja) | 発光半導体チップおよびビーム整形エレメント | |
KR20130112577A (ko) | 발광 다이오드 조명 장치 | |
JP2014010918A (ja) | 照明装置および車両用前照灯 | |
JP2014010917A (ja) | 照明装置および車両用前照灯 | |
TW202021164A (zh) | 具有高近場對比度的發光裝置 | |
JP6109521B2 (ja) | 発光装置、車両用前照灯、照明装置及びプロジェクタ | |
JP2014036202A (ja) | 発光装置、その製造方法および車両用灯具 | |
JP7046917B2 (ja) | 波長変換素子及び発光装置 | |
JP7028863B2 (ja) | 波長変換素子、発光装置及び照明装置 | |
JP2019061855A (ja) | 移動体用発光装置、移動体用照明装置及び移動体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101227 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20101228 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121010 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130716 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130814 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5345358 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |