JP5345358B2 - ケーシング下部を備えたケーシング - Google Patents
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Description
a)ケーシング下部内において1つのケーシング面で開放されたケーシングキャビティに、少なくとも1つの半導体チップが配置される。
b)ケーシング下部が少なくとも部分的に透過性のカバーにより覆われる。
c)このカバーは、側面でカバーから出射する放射が吸収されるようケーシング下部と結合される。
2 ケーシングフレーム
3 半導体チップ
4 カバー
5 吸収材料
6 接着剤
7 吸収性接着剤
8 吸収性の層
9 ケーシングキャビティ
10 ケーシング面
11 側面
Claims (11)
- ケーシングにおいて、
ケーシング下部(21)と、
該ケーシング下部(21)内部のケーシングキャビティ(9)と、
1つのケーシング面(10)に形成された開口部と、
前記ケーシングキャビティ(9)内に配置され電磁放射を送出する少なくとも1つの半導体チップ(3)と、
前記電磁放射に対し少なくとも部分的に透過性であり前記ケーシングキャビティ(9)を覆うカバー(4)と
が設けられており、
前記カバー(4)は、該カバー(4)の側面(11)から出射する電磁放射が吸収されるよう、前記ケーシング下部(21)と結合されており、
前記ケーシング下部(21)は少なくとも1つのケーシング基部(1)とケーシングフレーム(2)とを有しており、該ケーシングフレーム(2)は切り欠きを有しており、該切り欠きに前記カバー(4)が取り付けられており、
前記カバー(4)の前記側面(11)へ向かう電磁放射を吸収する吸収材料(5)が、前記カバー(4)の前記側面(11)と前記ケーシングフレーム(2)との間に取り付けられており、
前記吸収材料(5)は接着剤であり、該接着剤により前記カバー(4)と前記ケーシング下部(21)との間の機械的な結合が形成され、
前記カバー(4)の高さ(h)はフレーム切り欠きの高さ(H)よりも小さく、かつ、前記吸収材料の高さは前記カバー(4)の高さ(h)よりも大きい
ことを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
吸収性接着剤(7)が前記カバ−(4)と前記ケーシング下部(21)との間に配置されており、吸収性の層(8)が、前記ケーシングキャビティ(9)とは反対側に形成されている前記カバー(4)の上面の周縁領域に配置されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングキャビティ(9)とは反対側に形成されている前記カバー(4)の上面の周縁領域は吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から3のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)が前記吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から4のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)は前記ケーシング下部(21)と光学的に結合されていることを特徴とするケーシング。 - 請求項1から5のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の材料はガラスまたは硬化シリコーンであり、前記半導体チップ(3)の電磁放射に対し熱耐性を有することを特徴とするケーシング。 - 請求項1から6のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム(2)の材料および前記ケーシング基部(1)の材料は、セラミックであり、または、前記半導体チップ(3)の電磁放射に対し熱耐性を有するプラスチック材料であることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
前記ケーシング下部(21)の材料は、窒化アルミニウムから成り、または、窒化アルミニウムを含むことを特徴とするケーシング。 - 請求項1から8のいずれか1項記載のケーシングにおいて、
前記ケーシングフレーム(2)の材料は酸化アルミニウムであり、前記ケーシング基部(1)の材料は窒化アルミニウムであることを特徴とするケーシング。 - 請求項1記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)は所定の角度で研磨されていて、前記カバー(4)に入力結合された電磁放射が前記ケーシング下部(21)に向けられることを特徴とするケーシング。 - 請求項10記載のケーシングにおいて、
前記カバー(4)の側面(11)が吸収性の層(8)により被覆されていることを特徴とするケーシング。
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