JP4697789B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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従来、フリップチップ実装は、図6に示すように、有機回路基板1上に半導体チップ2が電極面を下面にして半田やAu(金)のバンプ3を介して実装されている。この際、リフローや超音波によってバンプ3に半導体チップ2が接合され、電気的接続と固定とが行われる。そして、半導体チップ2と有機回路基板1との間には、アンダーフィル等の樹脂(図示略)が充填・固着される。
また、特許文献2においては、ICチップと有機回路基板との間に、ICチップを所定の高さに支持するドライフィルムの支柱を設けたフリップチップ実装構造が提案されている。
さらに、バンプ3の高さにもばらつきがあるため、半導体チップ2と有機回路基板1との間のクリアランス、すなわち接着した半導体チップ2の高さにも半導体チップ2毎にばらつきが生じてしまう。
また、半導体チップ2と有機回路基板1との隙間に樹脂を充填する際に、樹脂(アンダーフィル等)が入り難く、気泡を巻き込み易いという問題もある。気泡を巻き込むと、吸湿の影響を受け易く、耐リフロー性が悪くなるために、脱泡処理を施さなければならないという不都合があった。上記特許文献1では、ソルダーレジスト膜をICチップと有機回路基板との間に配設し、上記特許文献2では、ドライフィルムの支柱をICチップと有機回路基板との間に配設することにより、気泡の巻き込みを低減することができるが、いずれもチップと基板との間に樹脂を充填する工程を有するために、気泡を巻き込む可能性がまだ残っている。
また、本発明の半導体装置の製造方法では、前記半導体チップが、LEDチップであることを特徴とする。
すなわち、これらの半導体装置及びその製造方法では、半導体チップが、LEDチップであるので、発光方向、発光分布及び半値幅等のばらつきが低減された高品質のLED装置を得ることができる。
また、本発明の半導体装置の製造方法は、前記基板上に前記バンプよりも低いと共に前記バンプを囲った囲い部を形成する工程を有し、前記樹脂部を形成する工程が、前記囲い部内に樹脂を充填固化することを特徴とする。
これらの半導体装置及びその製造方法では、バンプよりも低い囲い部内に樹脂部が充填固化されるので、樹脂部の高さが囲い部の高さで規定され、高さ寸法精度の高い樹脂部を容易に形成することができ、バンプの露出量を高精度に得ることができる。
すなわち、本発明に係る半導体装置及びその製造方法によれば、バンプの周囲に充填固化された樹脂部上に半導体チップを載置し、露出しているバンプの上部を押し潰して半導体チップを接合しているので、半導体チップの平行出しが容易であると共に、半導体チップの高さばらつき及び接着強度のばらつきを低減でき、さらには気泡の巻き込みも無くすことができる。したがって、少ないバンプ数やランダムロケーションのバンプ配置の場合でも、良好なフリップチップ実装構造を得ることができる。特に、発光方向、発光分布及び半値幅等のばらつきを低減できるため、LEDチップをフリップチップ実装したLED装置に好適である。
上記基板10は、例えば略直方体形状のガラスエポキシ基板、BTレジン基板、セラミックス基板やメタルコア基板等の絶縁性基板であり、バンプ3との接合及び外部との接続のための電極パターン(図示略)が表面に形成されている。
この半導体チップ12では、一対の電極(p側電極及びn側電極:図示略)が下面に設けられ直接フェイスダウンで2つのバンプ3を介してフリップチップ実装されている。
上記樹脂封止部13は、YAG蛍光体入り樹脂であり、青色発光ダイオード素子又は紫外域発光ダイオード素子である半導体チップ12からの青色光又は紫外光をYAG蛍光体により白色光に変換させるものである。
本実施形態では、囲い部14の高さをバンプ3よりも低く設定しているので、樹脂を多めに充填しても樹脂部11が囲い部14と面一になり、バンプ3上部を覆わずに、バンプ3上部の露出量を精度良く設定することができる。また、囲い部14内に流し込む樹脂は、できるだけ粘度の低いものを採用することにより、流れ込み易く、固化時の良好な表面平坦度を得ることができる。
このように高精度に平行出しがなされたフリップチップ実装構造により、発光方向、発光分布及び半値幅等のばらつきが低減された良好なLED装置を得ることができる。
さらに、半導体チップ12を実装する前に樹脂をバンプ3の周囲に充填固化させるため、樹脂部11内の気泡の巻き込みも無くすことができる。
また、囲い部14をレジスト又はドライフィルムで形成するので、囲い部14の高さを高精度に得ることができ、樹脂部11の高さをより正確に設定することが可能になる。
また、上記実施形態では良好な平行出しが可能なため、上述したようにLEDチップを半導体チップ12とする場合に好適だが、他の半導体チップとして、例えばICチップ等を実装してもよい。
また、上記実施形態では、樹脂部11と樹脂封止部13とが異なる樹脂で形成されているが、両者を同じ樹脂で形成しても構わない。なお、本実施形態では、上述したように、樹脂部11と樹脂封止部13とでそれぞれ特性の異なる樹脂を使用することができる利点がある。
Claims (5)
- 基板と、
前記基板上に形成された1つ又は複数のバンプと、
前記基板上に形成され前記バンプよりも低いと共に前記バンプを囲って配された囲い部と、
前記バンプの上部が突出して露出した状態で前記囲い部内に充填固化され前記囲い部と面一になった樹脂部と、
前記樹脂部上に載置され前記バンプの上部を前記樹脂部上面の高さまで押し潰した状態で前記バンプと接合された半導体チップと、を備えていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置において、
前記半導体チップが、LEDチップであることを特徴とする半導体装置。 - 基板上に1つ又は複数のバンプを形成する工程と、
前記基板上に前記バンプよりも低いと共に前記バンプを囲った囲い部を形成する工程と、
前記バンプの上部が露出した状態で前記囲い部内に樹脂を充填固化して前記囲い部と面一に樹脂部を形成する工程と、
前記樹脂部上に半導体チップを載置すると共に荷重を掛けて前記バンプの上部を前記樹脂部上面の高さまで押し潰して前記バンプに半導体チップを接合させる工程と、を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップが、LEDチップであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法において、
前記囲い部を、レジスト又はドライフィルムで形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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